TW201233253A - Plasma reaction method and apparatus - Google Patents

Description

201233253 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種電漿反應方法及裝置，它係在密閉空 間内，裝設該至少一組導電迴圈，並在該密閉空間内充填反^ 流體，藉由對該至少一組導電迴圈施加電場或/及磁場，使之 產生電漿反應，使密閉空間内之電能與電能之間、電能與磁能 之間、磁能與磁能，及物質之間的電子……等等之互相棘拖抽 應更有效率。 【先前技術】

當對利用長導線所繞成的均勻螺旋狀的螺線管 (Solenoid)通電時’根據安培右手定則（Amj^re,sdrcujta| 丨aw)會在螺線管内產生均勻的磁場。而當在螺線管内放入軟 鐵芯j鐵磁性材質）後，雖可使插有軟鐵芯（鐵磁性材質）之 螺線管内的磁通量，遠比空心螺線管之磁通量大為增加，惟不 可避免地會在所放入的軟鐵芯（鐵磁性材質）

(^rrentM 雖然將鐵芯（鐵磁性材質）改成更薄且多層疊壓的石夕鋼片 =r二rrtsteei) ’企圖降低磁路餘和，以期減少每層石夕 4產生之渦流現象’及因渦流現象所產生的熱量及其所 ί ϊΐί Γ能量損耗，可叫度地解決上述_題。但是仍声 ί ㈣述触現象，以及雌職現象51發的熱量 :管=之2=^^ 時，，獅管响只要是置人綱輯質或補片 2矽鋼片之間，始終存在著無法避免 擾」的問題，卻始終無法獲得任何解決。 性；f子是—種由高能電子、高能離子和高能中 態’被稱為綱。電漿具有“ 冤導旱電漿疋由錢站（趾遲j祖^^趣）在西元 201233253 18=9年發現的，它是具有高位能動能的氣體團，而它的總帶 電量仍是呈中性的，藉由電場或/及磁場的高動能將外層=電 子擊出，使電子已不再被束缚於原子核，而成為高位能高動能 的自由電子。 電漿的應用非常廣泛，例如：利用電漿製成的顯示器、利 用離子沉積技術和控制塗層技術以改善塗層的組織結構和促 進化學反應過程，有利於化合物塗層的形成。 但上述電漿反應大都是在「兩個電極板之間」進行，雖然 也有利用螺旋線圈產生電漿的做法，但截至目前所有產生電^ 的方法，都是將所生成的電漿r另外取出並且移作」其它指定 的用途上’並未將所產生的電漿繼續留在原來產生電漿之^所 内。例如上述的沉積技術、控制塗層技術、顯示技 是屬於此種。 【發明内容】 〔發明所欲解決之問題〕 有鑑於空氣是磁阻甚高的介質，導致螺線管内部之磁通量 2終難以提升’賴將鐵芯（鐵磁性材f )改成更薄且多層疊 壓的矽鋼片，企圖降低磁路飽和，以期減少每層矽鋼片内所產 生之渴流現象所產生的熱量及其所連帶造成的能量祕 重量之外，最重要的是，仍然無法徹底解決的前述 ίΓϊίί等問題，也因為存在這制題而導致魏與電能之 :電此/、磁能之間、磁能與磁能，及物質之間的電子......等 等之轉換效率始終無法提升的問題。 有鑑於磁場與鐵磁性材質或矽鋼片之間，始終存在著無 避免之「磁力干擾」的問題。 ，它可以有效 本發明旨在於提供一種電漿反應方法及裝置 解決上述之諸多問題。 〔解決問題之技術手段〕 201233253 體〔「流體」指氣體、液體〕，藉由對該至少一組導電迴圈施 加電場或/及磁場，使該密閉空間内之導電迴圈與反應流體互 相作用而在該密閉空間内產生電漿反應。 本發明所提供之電漿反應方法，其中該導電迴圈係具有單 組或複數組。其中該複數組導電迴圈係進一步彼此對應設置。 本發明所提供之電漿反應方法，其中該或該等導電迴圈之 中的至少一組導電迴圈，係具有至少一支端子自密閉空間内向 外穿出’以便藉傳導方式對導電迴圈施加電場或/及磁場。

本發明所提供之電漿反應方法，其中該或該等導電迴圈之 中的至少一組導電迴圈，係具有至少一支端子被完全封閉在密 閉空間内’並且不與密閉空間外接觸，以便藉感應方式對導電 迴圈施加磁場。 本發明旨在於提供一種電漿反應裝置，係包含：密閉空間； 及’至少一組導電迴圈，係裝設於上述密閉空間内，並在該密 閉空間内β充填反應流體，藉由對該至少一組導電迴圈施加電場 或/及磁場，使該密閉空間内之導電迴圈與反應流體互相作用 而在該密閉空間内產生電漿反應。 本發明所提供之電漿反應裝置，其中該導電迴圈係具有單 、、且或複數組。其中該複數組導電迴圈係進一步彼此對應設置。 本發明所提供之電漿反絲置，其巾該或鱗導電迴圈之 μf少"""轉電迴圈’係具有至少—支端子自賴空間内向 穿以簡料方式對導電迴難加電場或/及磁場。 ^贿提供之電肢絲置，其中該或該科電迴圈之 轉電迴圈，係具有至少—支端子被完全封閉在密 且不與細翊外翻，錢舰應方式對導電 〔對照先前技術之功效〕 π ΐ發η在概供—利漿反射法及裝置，它係在密閉 至少—轉電迴圈，並在該賴空_充填反 藉由對該至少-組導電迴圈施加電場或/及磁場，進 201233253 而使f，空間内之粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離 子，兩能中性原子等之電漿反應，因而使密閉空間内之電能與 電能之間、電能與磁能之間、磁能與磁能，及物質之間的電 子......等等之互相轉換效應更有效率。 而且由於本發明不需在導電迴圈置入任何鐵磁性材質或 矽鋼片，所以習知技術因為磁場與鐵磁性材質或矽鋼片之間的 磁力干擾問題，本發明則完全不會產生。 【實施方式】 、請參閱第一至十圖所示，本發明旨在於提供一種電漿反應 方法，匕係在密閉空間（21)内，裝設該至少一組導電迴圈 ^22)，並在該密閉空間（21)内充填反應流體(23)〔「流體」指 氣體、液體〕，藉由對該至少一組導電迴圈⑽施加電場或/ 及磁場’進而使密閉空間（21)内之導電迴圈（22)的表面粒子被 =場或電場解離為高能電子、高能離子和高能中性原子，使該 松閉空間（21)内之導電迴圈（22)與反應流體⑽互相作用而 在，密閉空間(2”内產生電漿反應，因而使麵空恥丨〉内的 電能與電能之間、電能與磁能之間、魏與魏，及物質之間 的電子......等等之互相轉換效應更有效率。 ，參閱第-至十圖所示，本發明所驗之電製反應方法， 一、、電迴圈（22)係具有單組或複數組〔「複數組」指二組或 二組以上〕。而該等複數崎電棚（22)得進—步彼此對應設 第…二、四、五、六、七圖所示，本發明所提供 之電漿反應方法’其中該或該等導電迴圈⑽之中的 導電迴圈（22)，係具有至少—支端子㈣）〔或⑽）〕自 密閉空間（21)内向外穿出’以利自外界連接電流進人封裝於密 =間(21)⑽導電迴圈⑽，以便藉料方式對導電迴 (22)施加電場或/及磁場。 ，參閱第一二、五、八、九、十圖所示，本發明 之電聚反應方法’其中該或該等導電迴圈⑽之中的至少一 ^ 201233253 導電迴圈（22)，係具有至少-支端子(222)〔或(221)〕被完全 封閉在密閉空間（21)内，並且不與密閉空間（21)外作任何接 觸，以便藉感應方式對導電迴圈（22)施加磁場。 請參閲第一至十圖所示，本發明旨在於提供一種電漿反應 裝置⑽，它係包含：密财間⑵）；及，至少—組導電迴^ (22)。其中導電迴圈（22)係裝設於上述密閉空間（21)内，並在 該密閉空間（21)内充填反應流體(23)，藉由對該至少一組導電 迴圈（22)施加電場或/及磁場，進而使密閉空間（Μ)内之導電 迴，（22)的表面粒子被磁場或電場解離為高能電子、高能離子 和咼旎中性原子’使該密閉空間（21)内之導電迴圈（22)與反應 流體(23)互相作用而在該密閉空間⑵）内產生電衆反應，、因而 使密閉雜（21)内的電能與電能之間、電能與磁能之間、磁能 與磁能’及物質之_電子.·..··科之互相轉換效應更有效 率。 請參閱第-至十圖所示，本發明所提供之電航應裝置 (20一），其中導電迴圈（22)係具有單址或複數組。如第四、五圖 所示，其中該複數組導電迴圈（22)係進一步彼此對應設置。 ，參閱第-、二、四、五、六、七圖所示，本發明所提供 之電漿反應裝置(20)，其中該或該等導電迴圈（22)之中的至少 -組導電迴圈（22)’係具有至少—支端子(222)〔或(221)〕並 穿自密閉空間(21)_外穿出’以便藉傳導方式料電 (22)施加電場或/及磁場。 命ΐ參Ϊ第—、二、五、九、十圖所示，本發明所提供 之電漿反應裝置(2G)’ ’其巾該或該等導電迴圈（π)之中的至 少-組導電_⑽，係具註少—支端子(222)〔或(2=)f 被完全封閉在賴空間（21)内’並且不與密閉空間⑵）外作任 何接觸，以便藉感應方式對導電迴圈（22)施加磁場。 本發明之導電迴® (22)只要具有—部份裸露，而能與反應 流體(23)接觸進行電毅反應’而且裸露的部位並不彼此接觸而 造成短路，即可適本發明中，因此導電迴圈⑽可為導電 201233253 裸線（如第一至七圖所示）、絞線（未圖示）、導電片（其中一 面裸面’另外一面為絕緣面）（如第八及十圖所示）......▲ 本發明並不予自限。 以下將本發明所提供之電漿反應方法及裝置 效及特點列述如下： 1. 本發明所提供之電漿反應方法及裝置，它係在密閉空間（21) 内裝k該至少一組導電迴圈（22)，並在該密閉空間（21) 内充填反應流體(23) ’藉由對該至少一組導電迴圈（22) ίϊϊϋ磁^，進而使密閉空間（21)内之粒子被磁場或電 %解離為同忐電子、咼能離子和高能中性原子 應’因而使密閉空間⑼内的電能與電能之間、電能斑^ 料之互相轉換 2. 本發明顺供之賴反應綠及裝置 内反應，並未「另外取出==ϊ it，而是用來提升電能與電能之間、電能與磁 換的效率。這點是與習知完全不同的二等等之互相轉 署本入提供之賴反财法及裝置，μ要在導電迴圈 ^材質切鋼片之_磁力干擾問題，本發_完全不= 【圖式簡單說明】 第一圖：係本發明第一實施例之示意圖。 ，亡圖：係本發明第二實施例之示意圖。 f二圖：係本發明第三實酬之示意圖。 f四圖·:係本發明第四實施例之示意圖。 =五圖：係本發明第五實施例之示意圖。 f六圖：係本發明第六實施例之示意圖。 第七圖：係自第六圖之7一7剖面圖。 201233253 第八圖：係本發明第七實施例之分解圖。 第九圖：係本發明第七實施例之立體圖。 第十圖：係自第九圖之10—10剖面圖。 【主要元件符號說明】 (20)電漿反應裝置 （21)密閉空間 (22) 導電迴圈 （221、222)端子 (23) 反應流體

Claims (1)

1. 201233253 七、申請專利範圍： 1. 一種電漿反應方法，係在密閉空間内，裝設該至少—乡 迴圈，並在該密閉空間内充填反應流體，藉由對該電 導電迴圈施加電場或/及磁場，使該密閉空間内之^二組 與反應體互相作用而在該密閉空間内產生電聚 1迴圈 2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿反應方法，拎= 圈係具有單組者。 孩導電迴 3. 如申請專利範圍第1項所述之電漿反應方法，其中該 圈係具有複數組者。 、μ导電迴 4. 如申請專利範圍帛3項所述之電衆反應方法， 導電迴圈係進一步彼此對應設置者。 、^ …且 5. 如申請專利範圍第卜2、3或4項所述之電聚 中該或該等導_圈之中的至少—組導電迴圈，係具^至^ 一支端子自密閉空間内向外穿出者。 、夕 6. 圍第1、2、3或4項所述之電漿反應方法，发 ΐίΐίΐ電迴圈之中的至少一组導電迴圈，係具有至； 觸=子破完全封閉在密閉空間内’並且不與密閉空間外^ 201233253 11.如申請專利範圍第7、8、9或10項所述之電漿反應裝置， 其中該或該等導電迴圈之中的至少一組導電迴圈，係各自具 有至少一支端子自密閉空間内向外穿出者。 12.如申請專利範圍第7、8、9或10項所述之電漿反應裝置， 其中該或該等導電迴圈之中的至少一組導電迴圈，係具有至 少一支端子被完全封閉在密閉空間内，並且不與密閉空間外 接觸者。