TW201231617A - Novel organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same - Google Patents

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TW201231617A
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Su-Hyun Lee
Soo-Jin Hwang
Seon-Woo Lee
Doo-Hyeon Moon
Hyo-Jung Lee
Soo-Jin Yang
Kyoung-Jin Park
Chi-Sik Kim
Young-Jun Cho
Hyuck-Joo Kwon
Kyung-Joo Lee
Bong-Ok Kim
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Rohm & Haas Elect Mat
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Description

201231617 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於新穎有機電場發光化合物及使用該化 合物之有機電場發光裝置。 【先前技術】 於顯示器裝置中,電場發光(electroluminescent, EL)裝置之優點在於作為自發光顯示器裝置,其提供寬角視 角、高對比度以及快速的反應速率。1987年,伊斯門-柯 達(Eastman Kodak)首先研發了使用低分子量芳香二胺和 鋁錯合物作為形成電場發光層之物質之有機EL裝置 脚& Z咐.51,913,1987]。 決定有機發光二極體(0LED)之發光效率的最重要因 素係電場發光材料。雖然至今螢光材料已廣泛用作為電場 發光材料’以電場發光機制觀點來看,填光材料的開發仍 是可將發光效率理論上提高至四倍的最好方法之一。目前 為止,銥(111)錯合物係已廣為人知之磷光材料,包含 (acac)Ir(btp)2 (雙(2-(2’ -苯并噻吩基)比啶基_N,C_3,) 銥-(乙醯基丙酮酸鹽))、Ir(卯y)3 (參(2—苯基吡啶)銥)以 及Firpic (雙(4, 6-二氟苯基吼啶基-N,C2)曱吼啶基銥), 其分別作為紅光、綠光與藍光(RGB)磷光材料。特別的是, 最近曰本、歐洲和美國已研發出許多填光材料。 目前,4,4 ‘-N,N’-二咔唑-聯苯(CBP)係最廣為人知 之磷光材料之主體材料。已報導使用包括浴銅靈 (Bathocuproine,BCP)、雙(2-曱基-8_羥基喹啉基)(4一苯 95465 3 201231617 基酚鹽)鋁(IimBAlq)等之電洞阻擋層之高效率議。曰 本先鋒公司OWer)等以叫使用Mlq衍生 之高性能OLED。 儘官些材料提供良好的電場發光特性,但因為其玻 璃轉換溫度低以及熱安定性差,㈣其於真以溫沉積過 程期間可能出現分解之缺點。由於謂之功 U/電壓)x電流效率定義,因+ 卞心我因此功率效率與電壓成反比。 需要高功率效率以降低0LED之功率消耗。實際上,使㈣ 先材料之圓較其錢㈣储料妓⑽ (燭光/安培(cd/A))。然 € 牛 田使用現有材料像是BAlq、 CBP等作為填光材料之主體時,因為其高驅動電壓,不存 =比ill?螢光材料之0⑽顯著優越之功率效率(流明/瓦 (Im/W))。此外’該〇LED裂置不具有令人滿意的操作壽命。 因此,仍需要開發更安I更高性能之主體材料。 先前技術文獻 (非專利文獻 i)Appl. Phys Lett 51,913, 1987 【發明内容】 技術問題 鑑此,本發明之-態樣係提供具有相較於現有材料改 t發光效率與裝置操作壽命,以及具有適宜色座標之優 =架之有機電場發光化合物。本發明之另-II樣係藉由 =用該有機電場發光化合物作為電場發光材料,提供具有 長刼作壽命之高效率有機電場發光叢置。 技術解決方案 、°
95465 S 201231617 . 树明提供下列化學式1所示之有機電場發光化合物 •及使用該化合物之有機電場發光裝L由於依據本發明之 有機電場發光化合物具有優越發光效率以及優異的壽命性 質,因此其可用於製造具有優越操作壽命與因提升功率效 率而消耗更少功率之0LED裝置。 化學式1
其中’1表示0至2之整數;L表示(C6-C30)伸芳基 或(C3-C30)伸雜芳基;Αι至An獨立表示CR7或N ; R7以及
An至Are獨立表示選自下列所組成群組之任一者:氫、氣、 鹵素、氰基、硝基、羥基、(C1-C30)烷基、_ (C1-C30)烷 基、(C3-C30)環烷基、5至7員雜環烷基、(C2-C30)烯基、 (C2-C30)炔基、(C6-C30)芳基、(a-C30)烷氧基、(C6-C30) 芳氧基、(C3-C30)雜芳基、(C6_C3〇)芳基(c卜C3〇)烷基、 (C6-C30)芳硫基、單或二(cl_C3〇)烷基胺基、單或二 (C6-⑽芳基胺基、三(c卜⑽燒基發烧基、二(c卜⑽) 烷基(C6-C30)芳基矽烷基以及三(C6_C3〇)芳基矽烷基; R7、以及Αιί至An之每一該烷基、環烷基、雜環烷基、烯 5 95465 201231617 基、炔基、芳基、雜芳基、伸芳基、以及伸雜芳基係進一 步經一個或多個選自下列所組成群組之取代基取代:氣、 鹵素、氰基、硝基、羥基、(C1-C30)烷基、_(C1-C30)烷 基、(C3-C30)環烷基、5至7員雜環烷基、(C2-C30)烯基、 (C2-C30)炔基、(C6-C30)芳基、(C1-C30)烷氧基、(C6-C30) 芳氧基、(C3-C30)雜芳基、(C6-C30)芳基(C1-C30)烷基、 (C6-C30)芳硫基、單或二(C1-C30)烷基胺基、單或二 (C6-C30)芳基胺基、三(C1-C30)烷基矽烷基、二(C1-C30) 烷基(C6-C30)芳基矽烷基、(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基 矽烷基以及三(C6-C30)芳基矽烷基;A!至An之碳原子與 Are之碳原子係透過化學鍵鏈結,或獨立透過選自-CR8R9-、 -0-、-NRi。-以及-S-所組成群組之任一者鏈結以形成稍合 環;以及Re、Rg、R,。及其取代基之定義係與R7所具者相 同。 此外,本發明包含下列化學式2至5所示之有機電場 發光化合物,但其並不限於此。 化學式2
6 95465 S 201231617 其中,1表示1至2之整數;Ar表示(C6-C30)伸芳基、 η表示1至2之聱數;至An獨立表示CR7或N ; R7以及 An至Are獨立表示選自下列所組成群組之任一者:氫、說、 鹵素、氰基、硝基、羥基、(C1-C30)烷基、鹵(C1-C30)烷 基、(C3-C30)環烷基、5至7員雜環烷基、(C2-C30)烯基、 (C2-C30)炔基、(C6-C30)芳基、(ci-C30)烷氧基、(C6-C30) 芳氧基、(C3-C30)雜芳基、(C6-C30)芳基(C1-C30)烷基、 (C6-C30)芳硫基、單或:(C1_C30)烷基胺基、單或二 (C6-C30)芳基胺基、三(c卜C30)烧基矽烧基、二(C1-C30) 烷基(C6-C30)芳基矽烷基以及三(C6_C3〇)芳基矽烷基; Βι、B2以及B3獨立表示CH或N,但Βι、B2以及B3不同時表 示CH ; R7、An至An之每一該烷基、環烷基、雜環烷基、 烯基、块基、务基以及雜芳基係進一步經一個或多個選自 下列所組成群組之取代基取代:氘、_素、氰基、硝基、 羥基、(C1-C30)烷基、_ (n-C30)烷基、(C3_C3〇)環烷基、 5至7員雜環烷基、(C2_C3〇)烯基、(C2_C3〇)炔基、(C6_C3〇) 芳基、(C1—C30)烷氧基、(C6-C30)芳氧基、(C3-C30)雜芳 基、(C6_C30)芳基(C1-C30)烷基、(C6-C30)芳硫基、單或 二(C1-C30)烷基胺基、單或:(C6_C3〇)芳基胺基、三 (C1-C30)烷基矽烷基、二(cl_C3〇)烷基(C6_C3〇)芳基矽烷 基、(C1-C30)燒基二(C6_C3〇)芳基矽烷基以及三(C6_C3〇) 芳基矽烷基;A,至All之碳原子與Are之碳原子係透過化學 鍵鏈連,或獨立透過選自_CR8Rg---〇---NR『以及-S-所 組成群組之任一者鏈連以形成稠合環;以及R8、Rg、Ri。及 7 95465 201231617 其取代基之定義係與R7所具者相同 化學式3
其中,L,表示(C3-C3G)伸雜芳基;An至^與An至 紅6之取代基之定義係與化學式1中之An至Ar6所具者相 同,且ΜΑ"之定義係與化學式1中以至All相同;以 及1係1至2之整數。 化學式4
其中,An至An、An至An以及其取代基之定義係與 化學式1中之An至Ar6所具者相同;以及m表示1至2之 整數,且Βι、Bz以及B3獨立表示CH或N ’但、B2以及 β3不同時為CH。 8 95465 201231617 化學式5
Ar
χ及其取代基之定義係與化學式丨中之An至Are所具 考相同; 至 戶斤叙Ll至L2獨立表示選自_CR8R9、_〇-、_NRi°—以及—S_ 仆跑成蛘組之任一者;Rs、R9、Rl。及其取代基之定義係與 丨c*學十、 文工中之R7所具者相同;以及η與〇獨立表示〇至1 $數,且 η+ο=1。 【實施方式】 份於本發明中,「烷基」、「烷氧基」及含有「烷基」部 <其他取代基係包含直鏈和分支鏈兩者。於本發明中, 言亥 Γ _裱烷基」包含多環烴環,如經取代或未經取代之金鋼 埝基或經取代或未經取代之(C7_C30)雙環烷基、以及單環。 )於本發明中,「芳基」意指自芳香烴去除一個氫原子 〜生之有 機基團,且可包含4至7員,特別β q 3、 員, j疋5員或6 之單環或稠合環,其包含複數個於其間具有單鍵# 菲基、聯伸三苯基(triphenylenyl)、芘基、茈烏 基。具體實例包含苯基、萘基、聯苯基、蒽基、 之方 基、« 一 & — ^ u , 基、荞 蒯 95465 201231617 基(chrysenyl)、稍四苯基(naphthacenyl)、丙二稀合第基 (fluoranthenyl)等,但其並不限於此。該萘基包含1-萘 基和2-萘基。該蒽基包含卜蒽基、2-蒽基以及9-蒽基, 且該薙基包含1-第基、2_苐基、3_苐基、4_苐基以及9_ 第基°於本發明中,「雜芳基」意指含有1至4個選自b、 N、0、S、?(=:〇、、c.十八 、、Si和ρ之雜原子作為芳香環骨架原子, 芳香環骨架原子為碳的芳基。其可為5員或 =衣/、方基或為與笨環縮合所得之多環雜芳基,且可 為部分飽和。該雜笔 机ο 雜方基亦包含一個或多個於其間具有單鍵 之雜方基。 =雜芳基包含二價芳基,其中,該環中之雜原子可 氧化或四級化以似、 .00 s ^ 〜成诸如N-氧化物或四級鹽。具體實例包 3 雜方基諸如呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡 。坐基、碟σ也其、a 噻二唑基、異噻唑基、異噚唑基、噚唑基、 %二唑基、三啡技 土、四哄基、三嗤基、四口坐基、吱咕基、 吡啶基、吡卩井其 〜 并七^基、娜基等;多環料基諸如苯 一— 吩基、異苯并呋喃基、dibenzocyphenyl、 一本并咳喃基、笼 #、,$开咪唾基、苯并噻唑基、苯并異噻唑基、 本开異卩f唑基、! #、,* I开咍唑基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、 本弁售一π坐基、哈也龙 呢基、異喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、 喹%啉基、咔唑其 等.其Ν於 土 定基、笨并二口§呃基(benzodioxolyl) \氧化物(例如,吡啶基N—氧化物、喹啉基N-氧化 物等);其四級聰笪, 但其並不限於此。 本文所述之「rri (Cl—C30)烷基」可包含(C1-C20)烷基或
10 95465 S 201231617 (C1-C10)烷基、及「(C6-C30)芳基」包含(C6-C20)芳基或 (C6-C12)芳基。「(C3-C30)雜芳基」包含(C3-C20)雜芳基或 (C3-C12)雜芳基,且「(C3-C30)環烷基」包含(C3-C20)環 烷基或(C3-C7)環烷基。「(C2-C30)烯基或炔基」包含 (C2-C20)烯基或炔基、(C2-C10)烯基或炔基。 依據本發明之有機電場發光化合物將具體例示如下 列化合物者,但其並不限於此。
Ρ Ψ P 9
11 95465 201231617
201231617
β P (r^i
9 p 13 95465 201231617
14 95465 s 201231617
15 95465 201231617
16 95465 s 201231617
17 95465 201231617
P
o
下所示且該有機電場發光化合物可經由有機反應製備,其 係類似於該方案或已為習知者。
18 95465 S 201231617 [方案1]
Ars L Α^"α5 A 入A r wAre
•Ar6 本發明提供有機電場發光裝置,其包括第一電極;第 二電極;以及一層或多層插置於該第一電極及該第二電極 間之有機層,其中,該有機層包括一種或多種化學式1所 示之有機電場發光化合物。該有機層包括電場發光層,其 中係使用該化學式1之有機電場發光化合物作為主體材 料。 在電場發光層中,當使用化學式1之有機電場發光化 合物作為主體時,係包含一種或多種填光換雜劑。用於依 據本發明之有機電場發光裝置之磷光摻雜劑並無特別限 制,但可為選自包含Ir、Pt以及Cu作為金屬之磷光摻雜 劑化合物。 具體而言,可使用具有下列結構之化合物作為磷光摻 雜劑化合物。 19 95465 201231617
20 95465 s 201231617
本發明之有機電場發光袈置包含化 發光化合物,亦同時包含一種有機電穷 ^ 次夕種選自方基胺化合物或 本乙席基方基㈣合物所組成群組之化合物。”美胺化 合物或苯乙烯基芳基胺化合物係例示於韓國專利中二 1〇-2_-〇123276 號、帛 1〇_2〇〇8一〇1〇76〇6 10-2008-0118428號,但其並不限於此。 跳^弟 更進一步的,於本發明之有機電場發光裝置中,該有 機層除了包括化學式1所示之有機電場發光化合物外,可 :复包含-種或多種選自第“矣、第2族、第4週期以及第 5週期之過渡金屬、鑭系金屬以及,—過渡元素之有機金屬 所組成群組之金屬或錯合物化合物。財㈣可包含電場 發光層以及電荷產生層。 更進-步的,該有機層除了包括化學式i之有機電場 發光化合物外’可同時包括一層或多層發射藍光、紅光或 綠光之有機電場發光層,以提供發射白光之有機電場發光 裝置。該發射藍光、綠光或紅光之化合物可例示於韓國專 10-2008-0123276 11^ 10-2008-0107606 ^ 或第10-2008-0U8428號所述之化合物,但其並不限於此。 於本發明之有機電场發光裝置中,可將選自硫屬化合 物(chalcogenide)層、金屬函化物層以及金屬氧化物層之 95465 21 201231617 層體(後文中稱為「表面層」)設置於該電極對中之一個或 兩個電極之内表面。更具體而言,可將矽或鋁之金屬硫屬 化合物(包含氧化物)層設置於電場發光介質層之陽極表面 上’並可將金屬齒化物層或金屬氧化物層設置於該電場發 光介質層之陰極表面上。藉此可獲得操作安定性。該硫屬 化合物可為,舉例而言,Si(U1^^2)、Al〇x(l^^l. 5)、 Sl⑽、SiAlON等。該金屬鹵化物可為,·舉例而言’ LiF、 MgP2、CaF2、稀土金屬氟化物等。該金屬氧化物可為,舉 例而。,CS2O、Li2〇、MgO、SrO、BaO、CaO 等。 於本發明之有機電場發光裝置中,較佳亦可將電子傳 輸化σ物和還原性摻雜劑之混合區域、或電洞傳輸化合物 和氧化性摻雜劑之混合區域設置於前述所製造之電極對的 至個表面上。在此例中,由於電子傳輸化合物被還原 成陰離子’因而使電子變得更容易自混合區域注入與傳輸 f電場發光介質。此外’由於電洞傳輸化合物被氧化成陽 ,子,因而使電洞變得更容易自混合區域注入與傳輸至電 場I光;I質。%c佳的氧化性摻雜劑包含多種路易士酸和受 體化π物。权佳的還原性摻雜劑包含驗金屬、驗金屬化合 物、鹼土金屬、稀土金屬,及其混合物。更進一步的,可 藉由使用還原性摻雜劑層作為電荷產生層來製造具有二層 或更多層電場發光層之發射白光之電場發光裴置。 有益效果 由於本發明之有機電場發光化合物展現良好的發光 效率以及優異的壽命性質,其可用於製造具有極優越操作 95465
S 22 201231617 壽命之0LED裝置。 發明模式 本舍明復料相關純據本發明之有 合物、該化合物之製備方法、以及使用該化合物之裝^ 發光性質。然而’下列實施例僅提供用於描述目的,而非 意欲限制本發明之範圍。 [製備例1]化合物6的製備
將20克(g)3-溴-N-苯基咔唑(62. 07毫莫耳(mmol)) 溶於200毫升(ml)THF,且於-78X:將29毫升正丁基鋰 (n-buLi,74. 48毫莫耳,2. 5M,溶於己烷中)緩慢添加至 該THF溶液中。一小時後,將19. 9毫升硼酸三異丙酯(86. 90 毫莫耳)添加至該混合物中。該混合物於室溫攪拌12小時 C 23 95465 201231617 且將蒸鶴水添加至該混合物中。以乙酸乙酯(EA)萃取、以 硫酸鎮乾燥、以及減壓蒸顧後,透過EA和己烧的再結晶得 到12克化合物1-1(41. 79毫莫耳,67. 33%)。 將20克咔唑(119. 6毫莫耳)溶於200毫升DMF,且於 0 C將21. 2克NBS(119.6宅莫耳)添加至該溶液中。授拌 12小時後,加入蒸餾水且於減壓過濾得到固體。得到之固 體添加至曱醇中,且將該混合物攪拌且減壓過濾。該得到 之固體添加至EA和曱醇,攪拌及減壓過濾以得到17克化 合物 1-2(69· 07 毫莫耳,58. 04%)。 將12克化合物14(41.79毫莫耳)、11.3克化合物 1-2(45. 97 毫莫耳)、1.4 克 Pd(PPh〇4(l· 25 毫莫耳)、52 毫升2M之KAO3、150毫升甲苯、以及30毫升乙醇於回流 下擾拌。5小時後,將該混合物冷卻至室溫且將蒸餾水添 加至其中。以EA萃取、以硫酸錢乾燥、以及減壓蒸顧後, 透過EA和己烷的再結晶得到1〇克化合物^3(24. 48毫莫 耳,58.57%)。 將36· 5毫升1,3-二溴苯(302. 98毫莫耳)、40克4- 聯苯基硼酸(201. 98毫莫耳)、4· 25克Pd(PPh3)4(6. 05毫 莫耳)、250毫升2M之NazCO3、400毫升曱苯、以及100毫 升乙醇添加且於回流下攪拌。12小時後,將該混合物冷卻 至室溫且將蒸餾水添加至該混合物中。以EA萃取、以硫酸 鎂乾燥、以及減壓蒸餾後,通過管柱分離得到25克化合物 1-4(80. 85 毫莫耳,4〇. 12%)。 將25克化合物1-4(80.85毫莫耳)溶於THF,且於 95465 g 201231617 -78°C將42毫升n-buLi(105. 10毫莫耳,2.5M於己烷中) 緩慢添加至該THF溶液中。一小時後,將14. 42毫升硼酸 三曱酯(129. 3毫莫耳)添加至該混合物。將該混合物於室 溫攪拌12小時且將蒸餾水添加至該混合物中。以EA萃取、 以硫酸鎂乾燥、以及減壓蒸餾後,透過MC和己烷的再結晶 得到20克化合物卜5(72. 96毫莫耳,90. 24%)。 將20克化合物1-5(72.96毫莫耳)、9.8克2, 4-二氯 嘧啶(80· 25 毫莫耳)、2. 28 克 Pd(PPh3)4(2. 18 毫莫耳)、 80毫升2M之Na2C〇3、150毫升曱笨、以及50毫升乙醇添 加且於回流下攪拌5小時。將該混合物冷卻至室溫且將蒸 餾水添加至該混合物中。以EA萃取、以硫酸鎂乾燥、以及 減壓蒸餾後,透過EA和曱醇的再結晶得到11克化合物 1-6(32. 08 毫莫耳,43. 97%)。 將5. 2克化合物1-3(12.83毫莫耳)、以及4克化合 物卜6(11. 66毫莫耳)溶於150毫升DMF,且將0. 7克NaH (17. 50毫莫耳,60%於礦物油中)添加至溶液中。該混合物 於室溫攪拌12小時且將曱醇和蒸餾水添加至該混合物 中。通過管柱分離將產出之固體經減壓過濾以得到5克化 合物6(6. 99毫莫耳,59. 98%)。 [製備例2]化合物90的製備 25 95465 201231617
30克9, 9-二曱基-2-第硼酸(126毫莫耳)、30. 45毫 莫耳 1,3-二溴苯(252 毫莫耳)、2. 6 克 PdCl2(PPh3)2(3. 78 毫莫耳)、160毫升2M NaAO3、以及800m曱苯係於10(TC 添加且攪拌5小時。將該混合物冷卻至室溫,以EA萃取且 以蒸餾水清洗。以硫酸鎂乾燥以及減壓蒸餾後,透過管柱 分離得到30克化合物2-1(85.89毫莫耳,67.46%) 化合物2-2、化合物2-3以及化合物90係各自藉由使 用化合物2-1以相同於化合物1-5、化合物1-6、以及化合 物6之方式反應而得。 [製備例3]化合物44的製備 26 95465 201231617
9 3-2
化a物3-1係藉由使用3,6-二漠-9-苯基~9皮~。卡坐以 及苯基卿酸作為起始材料以相同於化合物2-1之方式反應 而得。 化合物3-2、化合物3-3、以及化合物44係各自藉由 使用化合物3-1以相同於化合物1 — 1、化合物1-3、以及 化合物6之方式反應而得。 [製備例4]化合物74的製備
將25克化合物卜2(149毫莫耳)、49毫升1-溴-4-氟 95465 27 201231617 笨(448 毫莫耳)、23 克 Cul(120 毫莫耳)、146 克 Cs2C〇3(449 毫莫耳)、以及12毫升EDA(179毫莫耳)添加至750毫升F 中,且於120°C攪拌12小時。反應混合物冷卻至室溫,且 以500毫升乙酸乙酯萃取後,將得到之有機層以100毫升 蒸傲水清洗兩次。該有機層以無水硫酸鎂乾燥且於減壓下 移除有機溶劑。透過使用矽膠之管柱層析分離和再結晶得 到36克化合物4-1(77«。 將20克化合物4-1(77毫莫耳)溶於200毫升DMF後, 於0°C將14克NBS(77毫莫耳)添加至100毫升DMF中。該 混合物於室溫攪拌2小時。於反應完全後,該反應混合物 以400毫升乙酸乙酯萃取,且將得到之有機層以100毫升 蒸餾水清洗數次。該有機層以無水硫酸鎂乾燥且於減壓下 移除有機溶劑以得到固體。該得到之固體經使用矽膠管柱 層析和再結晶之處理得到16克化合物4-2(62%)。 化合物4-3、化合物4-4、以及化合物74係各自藉由 使用化合物4-2以相同於化合物1 -1、化合物1 -3、化合物 6之方式反應而得。 [製備例5]化合物78的製備
28 95465 S 201231617 2-漠-5-峨曱苯(15.8克,53.21毫莫耳)、苯基侧酸 (6. 4 克,53. 21 毫莫耳)、PdCl(PPh〇2(l· 8 克,2. 66 毫莫 耳)、50毫升2M Na2C〇3溶液、以及150毫升曱苯添加且於 回流下攪拌。30分鐘後,將該混合物冷卻至室溫且有機層 以蒸餾水清洗。以硫酸鎂乾燥以及減壓蒸餾後,通過管柱 分離得到化合物5-1(12克,92%)。 化合物78係藉由使用化合物5-1以相同於化合物6 之方式反應而得。 [製備例6]化合物104的製備
將48克硼酸化合物(0. 24莫耳)、90克1,3-二溴-5-氟苯(0. 35莫耳)、64克Na2C〇3(0. 6莫耳)、以及5克 PdCl2(PPh3)2(0.007莫耳)添加至600‘毫升曱苯、300毫升 EtOH、以及300毫升純化水中。該混合物於回流下攪拌一 天且以600毫升乙酸乙酯萃取以得到有機層。將該有機層 以100毫升蒸餾水清洗。該有機層以無水硫酸鎂乾燥,且 經減壓移除有機溶劑。該取得之固體通過使用矽膠之管柱 層析以及再結晶以得到16克化合物6-1(20%)。 化合物104係藉由使用化合物6-1以相同於化合物6 之方式所反應而得。 29 95465 201231617 [製備例7]化合物106的製備
將50克1,3, 5-三溴苯(〇159毫莫耳)、46克苯基硼酸 (381 毫莫耳)、16· 8 克 Na2C〇3(l. 50 莫耳)、以及 2 克 Pd(PPh3)4 (0.01莫耳)添加至480毫升甲苯及159毫升純化水中。該 混合物於回流下攪拌一天且以500毫升乙酸乙酯萃取以得 到有機層。該有機層以100毫升蒸餾水清洗且以無水硫酸 鎂乾燥。有機溶劑經減壓移除。所得之固體通過使用矽膠 之官柱層析分離和再結晶以得到23克化合物7_1(47%)。 化合物106係藉由使用化合物7-1以相同於化合物6 之方式反應而得。 [製備例8 ]化合物1 〇7的製備
30 95465 S 201231617 將1,3-二漠苯(16·5克,0.2莫耳)、二苯并[b,d]°塞 吩-4-基硼酸(15 克,0. 06 莫耳)、Pd(PPh〇4(3. 8 克,0. 003 莫耳)、Na2C〇3(14克,0. 13莫耳)、甲苯(330毫升)、以及 H2〇(70毫升)於80°C添加’ 12小時。反應完全後,該混合 物以乙酸乙酯萃取且有機層以MgS〇4乾燥,以及過濾。溶 劑經減壓除去,通過管柱分離以得到白色固體之化合物 8-1(8.4克’40%)。加入THF(200毫升)以及化合物8-1(8.4 克’ 0· 025莫耳)且於氮氣環境下混合。於_78。(:將n-BuLi (15毫升,2· 25M’於己烷溶液中)緩慢添加至該混合物中。 於-78°C攪拌該混合物1小時後,於_78°Cw B(;〇_iPr)3 (11.4毫升,0· 05莫耳)緩慢添加至該混合物中。將該混合 物加熱至室溫且反應12小時。反應完全後,該混合物以乙 酸乙醋萃取且有機層以MgS〇4乾燥,以及過濾。溶劑經減 壓除去,通過管柱分離以得到白色固體之化合物8_2(6 克,80%)。將2, 4-二氣嘧啶(5. 9克,〇. 〇4莫耳)、化合物 12-2(8.3 克’0.03 莫耳)、Pd(pph3)4(1.7 克,〇.〇〇1 莫耳)、 Na2C〇3(8. 1 克,0. 07 莫耳)、甲苯(15〇 毫升)、Et〇H(4〇 毫 升)、以及H2〇(40毫升)添加至其中且於8〇°c攪拌丨2小時。 反應完全後,該混合物以乙酸乙酯萃取且有機層以MgS〇4 乾燥,以及過濾。經減壓除去溶劑,通過管柱分離以得到 化合物8-3(10克,98%)。 化合物107係藉由使用化合物8_3以相同於化合物6 之方式反應而得。 [製備例9]化合物11〇的製備 95465 31 201231617
0¾ 於授拌該混合物30分鐘後,將7毫升ch3C1化合物(114 毫莫耳)添加至§亥混合物且擾拌4小時。將該混合物緩慢添 加至200毫升蒸餾水中且攪拌30分鐘以得到固體。該得到 之固體通過使用矽膠之管柱層析分離以及再結晶以得到 17克化合物9-1(81%)。 化合物110係藉由使用化合物9-1以相同於化合物6 之方式反應而得。 表1列出基於製備例1至9反應而得下列化合物的結 果
32 95465 S 201231617
表1 4匕合物 產率 質量 UV PL 熔點 1 23% 639. 25 638.76 340nm 482nra 175〇C 3 52% 639.25 638.76 358nm 482nm 206〇C 5 31% 715.28 714.85 347nm 492nm 254t 6 65% 715. 28 714.85 332nm 478nm 200°C 7 36% 715. 28 714.85 472nm 308nm 243〇C 9 22% 715.28 714.85 347nra 488nm 198〇C 10 46% 715. 28 714.85 364nm 474nm 120°C 44 38% 791.31 790.95 480nra 308nm 219〇C 61 17% 791.31 790.95 354nm 480nm 218〇C 67 19% 733.27 732.84 471nm 304nm 230〇C 68 43% 791.31 790.95 338nm 485nm 195〇C 70 13% 729. 3 728.88 478nm 304nm 169〇C 74 13% 733.27 732.84 324nm 475nm 234〇C 78 47% 729. 3 728.88 356nm 494nm 1381 83 48% 729. 26 728.84 352nm 382nm 180°C 84 40% 733.27 732.84 314nm 483nm 207〇C 90 35% 755. 31 754.92 31 Onm 481nm 215〇C 104 62% 733. 27 732.84 334nm 475nm 222〇C 105 30% 733. 27 732.84 350nra 487nm 213〇C 106 38% 715. 28 714.85 342nm 479nra 214t: 107 42% 745.24 744. 9 344nm 489nm 255〇C 108 28% 716. 28 715.84 334nm 510nm 109 11% 792.31 791.94 338nm 51 lnm 26(TC 110 66% 653. 27 652.78 344nm 489nm 255t 111 46% 667. 28 666.81 479nm 304nm 230〇C 112 25% 729. 3 728.88 324nm 482nm 130°C 113 23% 714. 29 713.87 345nm 404nm 219〇C 114 55% 669. 21 668.81 334nm 494nm 220〇C 115 51% 679. 28 678.82 354nm 478nm 212〇C 33 95465 201231617 [實施例1]使用本發明之有機電場發光化合物之〇LED裝置 的製造 使用本發明之電場發光材料製造〇LED裝置。首先, 使用超音波依序以三氣乙烯、丙酮、乙醇和蒸餾水清洗取 自0LED(由Samsung Corning製造)用玻璃之透明電極ιτο 薄膜(15Ω/1ΖΙ),且於使用前儲藏於異丙醇中。 之後,將ΙΤ0基板裝配於真空氣相沉積裝置之基板 夾,且將 1^,1^1-([1,1,-聯苯]_4,4,-二基)雙(^1-(萘一1_ 基)-N,N -二苯基苯-1,4-二胺置於該真空氣相沉積裝置 之小至中,之後通氣使該腔室内達到真空壓力為1 〇_6托 (torr)。之後,將電流施用至該小室以蒸發屮,νγ_([ 1 1,_ 聯苯]-4,4’ -二基)雙(Ν1-(萘-1-基)-Ν4,Ν4_二苯基苯-丨,^ 二胺,從而於該ΙΤ0基板上形成具有6〇奈米(nm)厚度之電 洞注入層。之後,將N,N,-二(4-聯苯)-N,N,-二(4-聯苯) -4, 4 -二胺基聯苯置於該真空氣相沉積裝置之另一小室 中,並將電流施用至該小室以蒸發NPB,從而於該電洞注 入層上形成具有20nra厚度之電洞傳輸層。 在形成電洞注入層以及電洞傳輸層後,隨後於其上形 成電場發光層。將化合物3作為主體置於真空氣相沉積裝 置之一小室中,且將化合物D1作為摻雜劑置於另一小室 中。該兩種材料以不同速率蒸發從而以15重量%之摻雜而 於該電洞傳輸層上氣相沉積具有30nm厚度之電場♦光 層。接下來’將2-(4-(9, 10-一(萘-2-基)蒽—2-基)笨基)__ 卜苯基-1H-苯并[d]咪唑置於該電場發光層上作為電子傳 95465
S 34 201231617 輸層,並將8_經基啥琳鐘(lithium卯111〇1&1:〇置於另一 小室中。該兩種材料以相同速率蒸發從而以5 〇重量%之摻 雜而氣相沉積具有30mn厚度之電場發光層。之後,氣相沉 積厚度為2ηιη之8-羥基喹啉鋰(uq)作為電子注入層,使 用另一真空氣相沉積裝置形成料l5Qnm厚度^陰極 後,從而製造0LED。 用於該0LED裝置作為電場發光材料之各個化合物係 已於l〇's托經真空昇華純化者。 結果,確認有5.84毫安培/平方公分⑽/⑽2)電流流 動以及2530燭光/平方公尺(cd/m2)之綠色發光。 [實施例2]使用本發明之有機電場發光化合物之〇LED裝置 的製造 " 除了改用化合物6作為主體材料之外,以相同於實施 例1方式製造0LED裝置。 結果,碟為有12.9mA/cm2電流流動以及528〇cd/m2之 綠色發光。 [實施例3 ]使用本發明之有機電場發光化合物之〇 L E D裝置 的製造 除了改用化合物9作為主體材料之外,以相同於實施 例1方式製造0LED裝置。 結果,碟認有3. 36mA/cm2電流流動以及158〇C(i/m2之 綠色發光。 [實施例4 ]使用本發明之有機電場發光化合物之〇led裝置 的製造 95465 35 201231617 除了改用化合物61作為主體#料之外,以相同於實 施例1方式製造0LED裝置。 結果’確認有12.5mA/cm2電流流動以及4670cd/m2之 綠色發光。 [貫施例5]使用本發明之有機電場發光化合物之〇LED裝置 的製造 除了改用化合物74作為主體材料之外,以相同於實 施例1方式製造0LED裝置。 結果’確認有4. 16mA/cm2電流流動以及i750cd/m2之 綠色發光。 [實施例6]使用本發明之有機電場發光化合物之此仙裝置 的製造 除了改用化合物90作為主體材料之外,以相同於實 施例1方式製造OLED裝置。 結果,確認有17. ImA/cm2電流流動以及6420cd/m2之 綠色發光。 [實施例7]使用本發明之有機電>發光化合物之〇LED裝置 的製造 除了改用化合物104作為主體材料之外,以相同於實 施例1方式製造OLED裝置。 結果,確認有2.32mA/cm2電流流動以及940cd/m2之綠 色發光。 [實施例8]使用本發明之有機電場發光化合物之OLED裝置 的製造 36 95465 201231617 除了改用化合物107作為主體材料之外’以相同於實 施例1方式製造0LED裝置。 結果,確認有3.4mA/cm2電流流動以及1490cd/m2之綠 色發光。 [實施例9]使用本發明之有機電場發光化合物之〇LED裝置 的製造 除了改用化合物109作為主體材料之外,以相同於實 施例1方式製造0LED裝置。 結果,確認有2.37mA/cm2電流流動以及890cd/m2之綠 色發光。 [實施例10]使用本發明之有機電場發光化合物之0LED裝 置的製造 除了改用化合物111作為主體材料之外,以相同於實 施例1方式製造0LED裝置。 結果,確認有9. 15mA/cm2電流流動以及3790cd/m2之 綠色發光。 [比較例1]使用傳統之電場發光主體材料之0LED裝置的製 造 除了使用4,4’ -N,N,-二咔唑-聯苯作為主體材料氣 相沉積電場發光層,以及使用鋁(III)雙(2-甲基-8-羥基喹 啉基)(4-苯基酚鹽))於該電場發光層氣相沉積l〇nm厚之 電洞阻擋層之外’以相同於實施例1方式製造0LED裝置。 結果,確認有5.7mA/cm2電流流動以及20〇〇cd/m2之綠 色發光。 37 95465 201231617 與傳統材料相比,本發明之有機電場發光化合物具有 優異的性質。此外,使用本發明之有機電場發光化合物作 為主體材料之裝置,因為下降之驅動電壓從而提具有改善 之電場發光效率及功率耗損。 【圖式簡單說明】 無 【主要元件符號說明】 無
38 95465 S

Claims (1)

  1. 201231617 七、申凊專利範圍: ’其係以化學式1表示: 1. 一種有機電場發光化合物 化學式1
    1表示0至2之整數;L表示(C6_C3〇)伸芳基或 (C3-C30)伸雜芳基;AjAll獨立表示⑽或N;R^ An至An獨立表示選自下列所組成 乳、齒素、氰基、确基、經基、(Cl,)燒基、_(C1_C= 烧基、(C3-⑽魏基、5至7員雜環絲、必C3〇) 烯基、(C2-C3G)快基、(C6-C3G)芳基、(c卜⑶)院氧基、 (C6-C30)芳氧基、(C3-C30)雜芳基、(C6_C3〇)芳基 (C1-C30)烧基、(C6-C30)芳硫基、單或二(C1-C30)燒夷 胺基、單或二(C6-C30)芳基胺基、三(cl_C3〇)烷基矽二 基、二(C1-C30)烧基(C6-C30)芳基矽烷基以及三 (C6-C30)芳基石夕烧基;R7、以及An至Ar6之每一該燒 基、環烧基、雜環烧基、烯基、块基、芳基、雜芳基、 伸芳基、以及伸雜芳基復經一個或多個選自下列所組成 群組之取代基取代:氘、鹵素、氰基、硝基、經基、(cl_C3〇) 95465 1 201231617 烷基、鹵(C1-C30)烷基、(C3-C30)環烷基、5至7員雜 環烷基、(C2-C30)烯基、(C2-C30)炔基、(C6-C30)芳基、 (C1-C30)烷氧基、(C6-C30)芳氧基、(C3-C30)雜芳基、 (C6-C30)芳基(n-C30)烷基、(C6-C30)芳硫基、單或二 (C1-C30)烷基胺基、單或二(C6-C30)芳基胺基、三 (C1-C30)烷基矽烷基、二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基矽 烷基、(C卜C30)烷基二(C6-C30)芳基矽烷基以及三 (C6-C30)芳基矽烷基;該心至Αιι之碳原子以及之 碳原子係透過化學鍵鏈結,或獨立透過選自_CR8Rg一、 m以及-s-所組成群組之任—者鏈結以形成稠 合環;以及r8、r9、r1q及其取代基之定義係與R7所具 者相同。 •如申請專利範圍第1項所述之有機電場發光化合物,盆 係化學式2所示者: 化學式2
    1表不1至2之整數;Ar表示(C6-C30)伸芳基、n 表不1至2之整數;Α丨至Au獨立表示CR7或N ; R7以 95465 2 201231617 及An至Are獨立表示選自下列所組成群組之任一者: . 氫、氘、鹵素、氰基、硝基、羥基、(C1〜C3〇)烷基、鹵 . (C1_C30)烷基、(C3-C30)環烷基、5至7員雜環烷基、 (C2-C30)烯基、(C2-C30)快基、(C6-C30)芳基、(ci_c3〇) 烷氧基、(C6-C30)芳氧基、(C3-C30)雜芳基、(C6_C3〇) ^'基(C1-C30)烧基、(C6-C30)芳硫基、單或二(d_c3〇) 燒基胺基、單或二(C6-C30)芳基胺基、三(ci_c3〇)烧基 矽烷基、二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基矽烷基以及三 (C6-C30)芳基矽烷基;Bl、B2以及B3獨立表示ch或N, 但&、B2以及B3不同時表示CH ; R7、^至Are之每一 該烷基、環烷基、雜環烷基、烯基、炔基、芳基以及雜 芳基復經一個或多個選自下列所組成群組之取代基取 代:氘、齒素、氰基、硝基、羥基、(c卜C3〇)烷基、鹵 (C1-C30)烧基、(C3-C30)環烧基、5 1 7員雜環烧基、 (C2-C30)烯基、(C2-C30)炔基、(C6-C30)芳基、dC3〇) 烷氧基、(C6-C30)芳氧基、(C3_C3〇)雜芳基、(C6_c3〇) 芳基(a-c3〇)烧基、(C6_C30)芳硫基、單或二((:卜⑽) 院基胺基、單或二你_芳基錄、却卜咖)院基 矽院基、二(C1-C30)燒基(C6_C3〇)芳基石夕烷基、(cl_c3〇) 燒基二(C6-C30)芳基石夕烧基以及三(C6_C3〇)芳基石夕烧 基,該Αι至An之碳原子以及之碳原子係透過化學 鍵鏈結,或獨立透過選自_CR8Rg_、_〇_、_NRi。—以及一s_ 所組成群組之任—者鏈結以形成稠合環;以及n Rl°及其取代基之定義係與R7所具者相同。 .·*.·»" 3 95465 201231617 伤I:專利範圍第1項所述之有機電場發光化合物,其 你化予式3所示者: 化學式3
    L表示(C3-C30)伸雜芳基;An至Are與An至An 之取代基之定義係與化學式1中之An至An所具者相 同’且Αι至Au之定義係與化學式1中之心至All相同; 以及1係1至2之整數。 4.如申請專利範圍第1項所述之有機電場發光化合物,其 係化學式4所示者: 化學式4 |Γ1 -
    An至An、Are至Ar9以及其取代基之定義係與化 學式1中之Αιί至Are所具者相同;以及m表示1至2 4 95465 201231617 之整數,g β η βι、Β2以及&獨立表示CH或Ν,但Β!、Β2 以及Β3不同時為CH。 申4專利範圍第丨項所述之有機電場發光化合物,其 係化學式5所示者: 化學式5
    表示(C3-C30)伸雜芳基;An至An、An〇至Ar12 以及其取代基之定義係與化學式1中之Ari至Ar6相同; L1至L2獨立表示選自-CR8R9-、-〇-、-NR1Q-以及-s-所級成群組之任一者;R8、Rg、R1()及其取代基之定義係 與化學式1中之R7所具者相同;以及η及0獨立表示 〇至1之整數,且n+o=l。 6·如申請專利範圍第1項所述之有機電場發光化合物,其 係選自下列化合物: C. P 0 0 0
    5 95465 201231617
    6 95465 s 201231617
    Ρ β β
    201231617
    P P 9
    s 201231617
    95465 201231617
    10 95465 s 201231617
    11 95465 201231617
    12 95465 s 201231617
    := 電場,置,係包括選自申請專利範_ 至6項中任—項所述之有機電場發光化合物。
    =請專利範圍第7項所述之有機電_ 括第一電極;第二電極;以及—層或多層插置於該第二 電極與該第二電極間之有機層,其中,該有機層包括— 種或多種有機電場發光化合物以及一種或多種鱗光摻 雜劑。 .如令凊專利範圍第8項所述之有機電場發光裝置,其 中’該有機層復包括⑷一種或多種選自芳基胺化合物 以及苯乙烯基芳基胺化合物所組成群組之胺化合物;⑻ 種或多種選自第1族、第2族、第4週期以及第5 週期之過渡金屬、鑭系金屬以及心過渡元素之有機金 屬所組成群組之金屬或包括該金屬之錯合物化合物;或 一種或多種選自(A)與(B)者。 13 95465 201231617 10.如申請專利範圍第8項所述之有機電場發光裝置,其係 發射白光之有機電場發光裝置,其中,該有機層包括電 場發光層以及電荷產生層,或復包括一層或多層發射藍 光、紅光或綠光之有機電場發光層。 14 95465 S 201231617 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第()圖。(本案無圖式) (二) 本代表圖之元件符號簡單說明:(無) 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 化學式1
    2 95465 S
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