TW201224138A - Thick-film photoresist stripper solution - Google Patents

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TW201224138A TW100145440A TW100145440A TW201224138A TW 201224138 A TW201224138 A TW 201224138A TW 100145440 A TW100145440 A TW 100145440A TW 100145440 A TW100145440 A TW 100145440A TW 201224138 A TW201224138 A TW 201224138A
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hong-xiu Peng
guang-sheng Sun
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Anji Microelectronics Co Ltd
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Description

201224138 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及-種光刻膠(亦稱光阻)清洗劑,尤其涉及較厚(厚度大於1〇〇 微米)的光刻膠清洗劑。 【先前技術】 在通常醉導體製造H通過在二氧切、以㈤等金屬以及 低k材解表面上形成光娜的賊,曝光後進行圖形轉移,在得到需要 的電路圖形之後,進行下-道工序之前,需要剝去殘留的光刻膠。例如, 在晶圓微球植入工藝(bUmPingtechnology)中,需要光刻膠形成掩膜,該 掩膜在微球成功植讀_需要絲,但由於該光娜較厚,完全去除常 較為困難。改善去紐果較鱗用的方法是採祕長浸料間、提高浸泡 •溫度和採用更富有攻擊性的溶液,但這常會造成晶片基材的輕和微球的 腐蝕,從而導致晶片良率的顯著降低。 目前,光刻膠清洗液主要由極性有機溶劑、強驗及/或水等組成,通過 .將半導體;浸人清洗液中或者_清洗液沖洗半導體晶片,去除半導體 晶片上的光刻膠。其中其常用的強驗主要是無機金屬氫氧化物(如氫氧化 卸等)和有機氫氧化物如四甲基氫氧化胺等。 如JP1"8239865由四甲基氫氧化錢(tmah)、:T基亞硬⑺難^)、 U-二子基姊饿酮(顧)和水等組成祕清洗液,將晶片浸入該清洗 液令於5G〜1GG C下除去金屬和電介f基材上的㈣以上的厚膜光刻膠。 其對半導體晶片基材的雜略高’且不能完全去除半導體晶片上的光刻 201224138 膠’清洗能力不足;W02006/056298A1利用由四曱基氫氧化銨(ΤΜΑΗ)、 二甲基亞碗(DMSO),乙二醇(EG)和水組成驗性清洗液,用於清洗50〜100 微米厚的光刻膠,同時對金屬銅基本無腐蝕;CN2〇〇61〇118465 2報導了含 有氫氧化鉀、二甲基亞砜、苯甲醇和乙醇胺的鹼性組合物,可以在45〜6yc 下除去金屬和電介質基材上的厚膜光刻膠,但是當操作溫度進一步提高 時’會發生金屬腐蝕的問題◦又例如US5529887由氫氧化鉀(KOH)、烷 基二醇單烧基喊、水溶性氟化物和水等組成鹼性清洗液,將晶片浸入該清 洗液中’在40〜90°C下除去金屬和電介質基材上的厚膜光刻膠。其對半導體 晶片基材的腐蝕較高。 由此可見’尋找更為有效的金屬腐蝕抑制劑和清洗能力更強的溶劑體 系是該類光刻膠清洗液努力改進的優先方向。 【發明内容】 本發明要解決的技術問題就是針對現有的厚膜光刻膠清洗液存在的清 洗能力不足、或者對半導體晶片圖案和基材腐蝕性較強的缺陷,而提供一 種對厚膜光刻膠清洗能力強、且對半導體晶片圖案和基材腐蝕性較低的光 刻膠清洗劑。 本發明解決上述技術問題所採用的技術方案是:一種厚膜光刻膠清洗 液,該清洗液含有:氫氧化鉀、溶劑'醇胺以及一種多元複配腐蝕抑制劑 體系。 其中’所述多元複配腐蝕抑制劑體系含有有機酚和聚羧酸類緩餘劑。 其中,各組分的含量如下: 4 201224138 a,虱氧化卸0.1-6wt% ; b,溶劑 30-98wt0/〇 ; c,醇胺 l-55wt% ; d,三元複配體系腐蝕抑制劑0.01-l〇wt%° 其中’所述有機酚含量為0.0001-8wt% ;所述聚羧酸類緩餘劑的含量分 別為 0.000 l-2wt%。 其中’所述有機酚含量為〇.〇〇5-2wt% ;所述聚羧酸類緩钱劑的含量分 別為 0.005-0.6wt%。 本發明中所述的溶劑可選自亞職、礙、吡咯烷酮、咪唑烷酮、啼唑琳 酮、醇、醚、醯胺中的一種或多種。其中,所述的亞砜較佳的為二甲基亞 颯;所述的砜較佳的為環丁颯;所述的吡咯烷酮較佳的為N-曱基吡洛烧酿j、 N-乙基吡咯烷酮、N_羥乙基吡咯烷酮、N_環己基吡咯烷酮;所述的味唾院 嗣較佳的為1,3-二甲基-2-咪唑烷酮;所述的咪唑啉酮較佳的為丨,^二甲基_2_ 咪唾啉酮(DMI);所述的醯胺較佳的為二甲基甲醯胺、二甲基乙酿胺;所 述的醇較佳的丙二醇、二乙二醇、二丙二醇;所述的醚較佳的為丙二醇單 甲醚、二丙二醇單甲醚。 本發明中所述的醇胺為單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、 異丙醇胺、2·(二乙4基)乙醇、乙基二乙醇胺和二甘醇胺中的__種或幾種。 醇胺的存在有繼提高氫氧物在體系中的溶解度,並有利於金屬微球的 保護。 本發明中所·有_較佳的絲紐其衍㈣、間苯二紛及其衍生 物和間苯三鼠其衍生物巾的—種錢種。其中所述的苯其衍生物較 201224138 佳的為苯酴、2-甲基苯紛、3-甲氧基苯驗、4-叔丁基苯酴;所述的間笨二紛 及其衍生物較佳的為間苯二酚、5-曱基-間苯二酚、5-甲氧基-間笨二酚、5 叔丁基-間苯二紛;所述的間苯三盼及其衍生物較佳的為間苯三酚、甲基間 苯三酚和丁基間笨三酚。 本發明中所述的聚羧酸類緩姓劑較佳的為聚丙烯酸或其共聚物、聚甲 基丙烯酸或其共聚物、聚丙烯酸醇胺鹽、聚甲基丙烯酸醇胺鹽、聚氧乙稀 改性聚丙烯酸或其衍生物、聚氧乙烯改性聚甲基丙烯酸或其衍生物、聚環 氧琥珀酸、聚天冬氨酸、含羧基的聚己内酯及/或含羧基的聚丙交酯;更佳 的為聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸醇胺鹽、聚甲基丙烯酸醇胺鹽、 含敌基的聚己内醋及/或含叛基的聚丙交酯。所述的聚叛酸類緩触劑的分子 量(Μη)較佳的為500〜20000 ’更佳的為1000〜10_。所述的聚幾酸類緩 蝕劑對鋁的腐蝕表現出很好的抑制作用。 本發明中所述的多元複配腐蝕抑制劑體系還含有苯甲酸及其衍生物或 其鹽類及/或苯並三氮唑及其衍生物。 本發明中所述的苯甲酸及其衍生物或其鹽類為選自苯曱酸、苯甲酸 卸、苯甲酸納、2-曱基苯曱酸、3-甲基苯甲酸卸、4_甲基苯甲酸納、2_甲氧 基笨甲酸、3-甲氧基苯甲酸鉀及4-甲氧基苯曱酸鈉中的一種或幾種。 本發明中所述的苯曱酸及其衍生物或其鹽類的含量不超過3wt%。 本發明中所述的苯並三氮唑及其衍生物為選自苯並三氮唑、甲基苯並 二氮唾、甲氣基笨並二氮0坐、叔丁基苯並三氮0坐、丨_經基苯並三氮。坐及5_ 羧基苯並三氮唑中的一種或多種。 本發明中所述的苯並三氮唑及其衍生物的含量不超過3wt〇/〇。 6 201224138 本發明的顯著效果是,本發明所述的低姓刻性厚膜光刻膠清洗液,可 以在室溫至90°C下清洗ΙΟΟμιη以上厚度的光刻膠,而且由於其中含有有機紛 和聚羧酸類緩银劑等形成的多元複配體系,能同時有效抑制鋼、鋁、錫、 鉛、銀等金屬的腐蝕,從而降低基材的腐蝕。苯曱酸及其衍生物或其鹽類 以及苯並三氮唑及其衍生物,可以進一步優化該多元複配的腐蝕抑制體系。 【實施方式】 下面通過具體實施方式來進一步闡述本發明。 本發明清洗液的具體使用方法如下:將含有光刻膠的半導體晶片浸入 本發明中的低触刻性的光刻膠清洗劑,在室溫至90°C下浸泡合適的時間 後,取出洗滌後用高純氮氣吹乾。 表1各實施例(Examples)中的清洗劑的组分和含量 實 施 例 氩 氧 化 钟 含 量 溶劑 酵胺 聚羧酸類緩姓劑 有機酚 笨甲酸及其衍 生物和其鹽頰 唑及其衍 名稱 含量 名稱 含 量 名稱 含量 名 稱 含量 名稱 含量 — 名 稱 ----- / —--- I 含 量 . / . I — / 1 2 3 0.1 N-6 基11比 咯烷 酮 98 二乙 醇胺 1 聚丙烯酸 (Mn=500) 0.0001 3- 甲 氧 基 苯 酚 0.8999 / — / ----- I 6 5 丙二 醇 43.95 三乙 醇胺 50 丙烯酸-馬來酸共 聚物(Mn=1000) 0.0499 2- 甲 基 苯 酚 0.0001 / 二乙 二醇 30 單乙 醇胺 55 聚丙烯酸三乙醇 胺鹽 2 苯 酚 8 / / / 201224138 (Mn=20000) 4 0.5 二丙 二醇 48.499 正丙 醇胺 45 甲基丙烯酸-馬來 酸共聚物 (Mn=2500) 0.001 4- 叔 丁 基 苯 酚 6 / / / / 5 1 N-羥 乙基 0比洛 烷酮 58.99 異丙 醇胺 40 聚甲基丙烯酸 (Mn=1500) 0.005 間 苯 酚 0.005 / / / / 6 2 N-環 己基 吡咯 烷酮 66.99 乙基 二乙 醇胺 30 聚甲基丙烯酸三 乙醇胺鹽 (Mn= 10000) 0.01 5- 甲 基_ 間 笨 酚 1 / / / / 7 3 1,3_ 二甲 基-2_ 咪唑 烷酮 71.94 單乙 醇胺 25 聚氧乙烯改性聚 丙烯酸 (Mn=5000) 0.05 5-甲 氧 基_ 間 笨 酚 0.01 / / / / 8 2 U3-二甲 基-2- 咪唑 琳酮 77.85 2-(二 乙氨 基)乙 醇 20 聚氧乙烯改性聚 丙烯酸酯 (Mn=5000) 0.1 5- 叔 丁 基_ 間 笨 酚 0.05 / / / / 9 1.5 二甲 基甲 醯胺 63 單乙 醇胺 35 聚氧乙烯改性聚 甲基丙烯酸 (Mn=5000) 0.2 間 笨 酚 0.1 笨甲 酸 0.1 笨 並 氮 唑 0.1 10 0.8 二甲 基乙 醯胺 82.6 二甘 醇胺 15 聚氧乙烯改性聚 甲基丙烯酸 (Mn=5000) 0.6 甲 基 間 笨 0.5 笨甲 酸钟 0.5 / / 8 201224138 酚 11 1.8 二甲 基亞 礙 85 單乙 醇胺 10 聚環氧琥珀酸 (Mn=3000) 0.2 丁 基 間 苯 酚 2 笨曱 酸鈉 1 / / 12 2.2 N-甲 基0比 咯烷 酮 89.4 單乙 醇胺 5 聚天冬氨酸 (Mn=4500) 0.1 間 苯 酚 0.3 2-甲 基笨 甲 酸、 3 / / 13 環丁 礙 69.6 單乙 醇胺 26 含羧基的聚己内 酯(Mn=6500) 0.1 間 笨 酚 0.1 3-甲 基苯 甲酸 鉀 0.2 甲 基 笨 並 氮 唑 3 14 4 丙二 醇單 甲醚 50 正丙 醇胺 41 斂丙烯酸三乙醇 胺鹽 (Mn=20000) 1.5 3- 甲 氧 基 笨 酚 3 4-甲 基苯 甲酸 納 1.5 / / 15 2 二丙 二醇 單甲 醚 35 正丙 醇胺 57.7 甲基丙烯酸-馬來 酸共聚物 (Mn=2500) 0.1 3- 甲 氧 基 苯 酚 4 2-甲 氧基 笨甲 酸、 0.2 甲 氧 基 苯 並 氮 唑 1 16 2 二甲 基亞 礙 75.7 單乙 醇胺 20 聚甲基丙烯酸 (Mn=1500) 0.3 丁 基 間 苯 酚 1.5 3-甲 氧基 苯甲 酸鉀 0.5 / / 17 2 二甲 基亞 礙 78.95 單乙 醇胺 16 聚甲基丙烯酸三 乙醇胺鹽 (Mn=10000) 1 間 苯 酚 0.001 4-甲 氧基 苯甲 酸鈉 0.049 叔 丁 基 笨 2 201224138 並 氮 唑 18 2.5 二甲 基亞 礙 76.5 單乙 醇胺 20 聚丙烯酸三乙醇 胺鹽(Mn=20000) 0.3 間 苯 酚 0.2 / / 1- 羥 基 苯 並 氮 唑 0.5 19 1.5 二甲 基亞 颯 87.4 單乙 醇胺 10 聚甲基丙烯酸三 乙醇胺鹽 (Mn=10000) 0.3 3- 甲 氧 基 笨 酚 0.3 / / 5- 羧 基 笨 並 氮 σ全 1 20 2.6 二曱 基亞 颯 50 單乙 醇胺 25 聚甲基丙烯酸三 乙醇胺鹽 (Mn= 10000) 0.3 間 苯 酚 0.05 / / / / N-甲 基。H 咯烷 酮 22 間 笨 酚 0.05 21 2.1 N-甲 基0比 咯烷 酮 82 單乙 醇胺 15 聚丙烯酸 (Mn=500) 0.2 笨 酚 0.2 / / 苯 並 氮 唑 0.5 22 3.2 環丁 礙 45.7 單乙 醇胺 50 丙烯酸-馬來酸共 聚物(Mn=1000) 0.05 2- 甲 基 笨 酚 0.05 / / 甲 基 苯 並 氮 唑 1 23 2 1,3- 二甲 基-2- 71.25 2-(二 乙氨 基)乙 25 聚氧乙烯改性聚 丙烯酸酯 (Mn=5000) 0.1 5- 叔 丁 0.05 苯甲 酸 1 笨 並 0.6 10 201224138 咪β坐 嚇·闕 醇 基- 間 苯 酚 氮 唑 24 3 二甲 基甲 醯胺 74 單乙 醇胺 20 聚氧乙烯改性聚 甲基丙烯酸 (Μη=5000) 0.3 間 苯 酚 0.1 苯甲 酸 2 甲 基 笨 並 三 氮 唑 0.6 25 0.8 二甲 基乙 醯胺 79.1 二甘 醇胺 15 聚氧乙烯改性聚 甲基丙烯酸 (Μη=5000) 0.6 甲 基 間 笨 酚 0.5 3-甲 氧基 笨甲 酸鉀 3 笨 並 氮 唑 1 26 2.3 二甲 基亞 礙 85 單乙 醇胺 10 聚環氧琥珀酸 (Μη=3000) 0.2 丁 基 間 苯 酚 2 3·甲 基笨 甲酸 鉀 0.5 甲 基 苯 並 氮 唑 27 2.6 甲基 亞礙 90 單乙 醇胺 5 聚天冬氨酸 (Μη=4500) 0.1 間 笨 酚 0.3 笨甲 酸 2 / / 28 1 甲基 亞碗 80 單乙 醇胺 18 含羧基的聚己内 酯(Μη=6500) 0.1 間 苯 酚 0.1 笨甲 酸鉀 0.8 / / 29 2 二甲 基亞 礙 81.7 單乙 醇胺 15 聚甲基丙烯酸三 乙醇胺鹽 (Μη=10000) 1 間 笨 酚 0.3 / / / / 30 2.6 二甲 基亞 77 單乙 醇胺 20 聚天冬氨酸 (Μη=4500) 0.2 間 笨 0.2 / / / / 11 201224138 酚 31 1.5 二甲 基亞 颯 82.4 單乙 醇胺 15 聚甲基丙烯酸三 乙醇胺鹽 (Mn=10000) 0.3 間 笨 酚 0.3 / / 苯 並 氮 〇坐 0.5 32 2 二曱 基亞 碾 36.8 單乙 醇胺 25 聚甲基丙烯酸三 乙醇胺鹽 (Mn= 10000) 0.3 間 笨 酚 0.05 笨甲 酸 0 .3 甲 基 笨 並 氮 σ坐 0.5 N-甲 基0比 咯烷 酮 35 間 笨 酚 0.05 為了進一步考察該類清洗液的清洗情況,本發明採用了如下技術手 段:即將含有負性丙烯酸酯類光刻膠(厚度約為120微米)的半導體晶片 (凸點封裝晶圓)浸入清洗劑中,在25〜90°C下利用恒溫振盪器以約60轉/ 分的振動頻率振盈15〜120分鐘,然後經去離子水洗滌後用高純氮氣吹乾。 光刻膠的清洗效果和清洗液對晶片的腐敍情況如表2所示。 表2實施例對晶圓清洗情況 實施例 清 洗 溫 度 CC) 光刻膠 清洗時 間 (min) 晶片清洗結果 Cu基材腐 触情況 A1基材 腐蝕情 況 光刻膠清 洗結果 金屬微球 腐蝕情況 實施例1 90 120 ◎ ◎ 〇 ◎ 實施例5 90 105 ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例6 85 90 ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例7 80 45 ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例8 75 60 ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例9 70 90 ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例10 65 30 ◎ ◎ 〇 ◎ 實施例12 60 75 ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例15 55 90 ◎ ◎ ◎ ◎ 12 201224138 實施例16 50 45 ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例18 45 15 ◎ ◎ 〇 ◎ 實施例18 40 110 ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例19 35 120 ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例20 25 120 ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例22 90 120 ◎ ◎ ◎ 1 〇 實施例23 實施例^~~ 70 60 ◎ ◎ ◎ ◎ 90 120 ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例27 85 60 ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例30 80 100 ◎ ◎ ◎ ◎ 實施例32 75 45 ◎ ◎ ◎ ◎ 腐蝕情況: ◎基本無腐蝕; 清洗情況: ◎完全去除; 〇略有腐蝕; 〇少量殘餘; △中等腐蝕; △較多殘餘; x嚴重腐蝕》 X大量殘餘。 從表2可以看出,本發明的清洗液對厚膜光刻膠具有良好的清洗效果, 使用溫度範圍廣,能同時有效抑制銅、鋁、錫、鉛、銀等金屬的腐蝕。 综上’本發明相對現有技術的創新之處是: 採用了醇胺作為溶劑溶解氫氧化鉀,並作為金屬微球(bump)的保 護劑; )采用了有機盼、聚叛酸類緩钱劑形成的多元複配體系,t同時有效 =銅錫、叙、銀等金屬的舰;苯曱酸及其衍生物或其鹽類以及 本並二0及其衍生物,可以進—步優化該师复配的賴抑制體系。 【圖式簡單說明】 、 (無) 【主要元件符號說明】 (無) 13

Claims (1)

  1. 201224138 七、申請專利範園·· 1、 一種厚膜光刻膠清洗液,該清洗液含有:氫氧化鉀、溶劑、醇胺以 及一種多元複配腐截抑制劑體系。 2、 如請求項1所述清洗液,其特徵在於,所述多元複配腐蝕抑制劑體 系含有有機酚和聚羧酸類緩独劑。 3、 如請求項1或2所述清洗液,其特徵在於,各組分的含量如下: a,氫氡化鉀(U-6wt°/° ’’ b,溶劑 30-98wt% ; c,醇胺 l-55wt% ; d,三元複配體系腐#抑制劑〇.〇l-10wt0/0。 4、 如請求項3所述清洗液’其特徵在於,所述有機齡含量為 0.0001-8wt°/。;所述聚羧酸類緩钱劑的含量分別為〇.〇〇〇ι·2ννί%。 5、 如請求項4所述清洗液’其特徵在於,所述有機酚含量為 0,005-2wt% ;所述聚羧酸類緩钮劑的含量分別為〇.〇〇5-〇.6wt%。 6、 如請求項1所述清洗液’其特徵在於,所述的溶劑選自亞礙、硬、 吡咯烷酮、咪唑烷酮、咪唑啉酮、醇、醚、醯胺中的一種或多種。 7、 如請求項6所述清洗液’其特徵在於,所述的亞颯為二甲基亞砜; 所述的颯為環丁硬;所述的°比略院酮為]Sf-甲基〇比n各院酮、N-乙基°比洛燒酮、 Ν-羥乙基吡咯烷酮及/或Ν-環己基吡咯烷酮;所述的咪唑烷胴為1,3-二甲基 -2-咪唑烷酮;所述的咪唑啉酮為l,3-二曱基_2_味嗤琳酮;所述的醯胺為二 甲基f醯胺及/或二甲基乙醯胺;所述的醇為丙二醇、二己二醇及/或二丙二 醇;所述的醚為丙二醇單甲醚及/或二丙二醇單甲鍵;所述的醇胺為選自單 201224138 乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、異丙醇胺、2-(二乙氨基)乙醇、 乙基一乙醇胺及二甘醇胺中的一種或幾種。 8、 如凊求項2所述清洗液,其特徵在於,所述的有麟為選自苯齡及 其衍生物、間苯二酚及其衍生物及間苯三酚及其衍生物中的一種或幾種。 9、 如請求項8所述清洗液,其特徵在於,所述的苯酚及其衍生物為選 自苯酚、2-甲基笨酴、3-甲氧基苯紛及4-叔丁基苯齡中的一種或多種;所述 的間笨一盼及其衍生物為選自間苯二酶、5-曱基-間苯二酌·' 5-曱氧基-間笨 二酚及5-叔丁基-間苯二酚中的一種或多種;所述的間苯三酚及其衍生物為 間苯三酚、甲基間苯三酚及/或丁基間苯三酚。 10、 如請求項2所述清洗液,其特徵在於,所述的聚羧酸類緩银劑為 選自聚丙烯酸或其共聚物、聚曱基丙烯酸或其共聚物、聚丙烯酸醇胺鹽、 聚甲基丙烯酸醇胺鹽、聚氧乙烯改性聚丙烯酸或其衍生物、聚氧乙烯改性 聚甲基丙烯酸或其衍生物、聚環氧琥珀酸、聚天冬氨酸、含羧基的聚己内 酯及含羧基的聚丙交酯中的一種或多種。 11、 如請求項10所述清洗液,其特徵在於,所述的聚羧酸類緩姓劑為 選自聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸醇胺鹽、聚甲基丙烯酸醇胺鹽、 含羧基的聚己内酯及含羧基的聚丙交酯中的一種或多種。 12、 如請求項2所述清洗液,其特徵在於,所述的聚羧酸類緩钱劑的 分子量為500〜20000。 13、 如請求項12所述清洗液’其特徵在於,所述的聚叛酸類緩钮劑的 分子量為1000~10000。 14、 如請求項2所述清洗液’其特徵在於,所述多元複配腐钱抑制劑 15 201224138 體系還含有苯甲酸及其衍生物或其鹽類及/或苯並三氮唑及其衍生物。 15、 如請求項14所述清洗液,其特徵在於,所述的笨甲酸及其衍生物 或其鹽類為選自苯甲酸、苯曱酸鉀、苯甲酸鈉、2-甲基苯甲酸、3-甲基苯甲 酸鉀、4-甲基苯甲酸鈉、2-甲氧基苯曱酸、3-甲氧基苯甲酸鉀及4-曱氧基苯 甲酸鈉中的一種或幾種。 16、 如請求項14所述清洗液,其特徵在於,所述的笨甲酸及其衍生物 或其鹽類的含量不超過3wt%。 17、 如請求項14所述清洗液,其特徵在於,所述的笨並三氮唑及其衍 生物為選自苯並三氮唑、甲基苯並三氮唑、甲氧基苯並三氮唑、叔丁基笨 並三氮唑、1-羥基苯並三氮唑及5-羧基苯並三氮唑中的一種或多種。 18、 如請求項14所述清洗液,其特徵在於,所述的苯並三氮唑及其衍 生物的含量不超過3wt%。 16
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WO2024045679A1 (zh) * 2022-08-29 2024-03-07 清华大学 一种Zn基有机配位纳米颗粒及其制备方法、光刻胶组合物及其应用

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