TW201224104A - Temporary fixing sheet - Google Patents

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TW201224104A
TW201224104A TW100129629A TW100129629A TW201224104A TW 201224104 A TW201224104 A TW 201224104A TW 100129629 A TW100129629 A TW 100129629A TW 100129629 A TW100129629 A TW 100129629A TW 201224104 A TW201224104 A TW 201224104A
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TW
Taiwan
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temporary fixing
temporary
polymer
cutting
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TW100129629A
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Inventor
Yuta Shimazaki
Eiichi Imoto
Daisuke Shimokawa
Kunio Nagasaki
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Publication date
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Description

201224104 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係闕於一種電子零件製造步驟用暫時固定 其可精度良好地加工電子零件,且可有效並容易:村’ f先前技術J J離。 作為電子零件之加玉中使狀㈣帶,可自㈣系 烯烴系、氯乙烯系、丙烯酸系、聚胺基 Λ 奉、齑纟梦龙以也 欠0日系、橡膠 ”氟系專基材與丙烯酸系、胺基甲酸賴系、橡膠 矽氧系等黏著劑積層而成之點著帶中選擇任意者 : 二夺:進行處理以使於某個時間點具有充分之黏著性,於 八匕階段,實施加熱處理、冷卻 ' 其不具有黏著性。 先』射專處理而使 ==來之電子零件領域中,逐漸要求零件自身之小型 化及精減,例如於作為陶£製電子零件之—之陶究電* 器、陶瓷電阻及陶瓷電< _ 谷 旯罨感益(ceramic inductor)中, 「0603」及「0402 ,乱也生 λ 高積層仆册* 之小型化、及由遠超數百層之 间積層化π來之高容量化逐漸顯著。 特別是於陶瓷電容器之製诰
Mm ^步驟中,為了實現小型化及 精社化而要求較高之加工精度。 若列舉陶瓷電容_ 电合益之製造步驟之一例,則有: (1) 對生片之電極印刷步驟 (2) 積層步驟 (3) 壓製步驟 (4) 切割步驟 158026.doc 201224104 (5) 加熱剝離步驟 (6) 外部電極塗佈、乾燥步驟 等’但要求以下各種精度,即步驟⑴令電極印刷之精度 等步驟(2)中電極位置之精度等,步驟(3)中由於加壓使 得生片發生變形而由電極位置產生偏移引起之電極位置之 偏移防止精度等,步驟⑷中切割之精度等,步驟中哪怕一 種精度較差亦會導致製品不良,而使生產性降低。 特別疋上述(1)〜⑷之步驟通常係於ρΕτ(ρ〇丨 phthalate ’聚對苯二甲酸乙二酯)膜上或黏著片材上進 2 ’特別是就切割步驟令之生片保持(固著)性之方面而 言’較多_用使用㈣片材之製造方法,作為用於此種 用途之黏著片材,提出有各種加熱剝離型黏著片材。 先前,上述(4)之切割步驟係藉由使用旋轉刀之切叼 方法而進行,但隨著尺寸之小型化而逐漸使用產 量高於切割(dicing)方法之鰂切方法。然而,於一部分陶 寬月材中’由網切方法產生之晶片再附著成為問題。其主 要原因在於’鋼切方法與切割(dicing)方法不同,其於切 割後之晶片間幾乎不存在間隙,因此特別是由於加熱剝離 步驟中之熱而軟化並表現黏著性之晶片彼此發生再附著。 +針對此,近年來’為了防止加熱剝離步驟中之晶片再附 著’提出一種含有可側鏈結晶化之聚合物之暫時固定片 材’其可於約4(TC〜100t下實施之切割時牢固地保持陶瓷 片材’其後不經過加熱處理步驟而冷卻至室溫,藉此降低 黏著片材中之黏著層之黏著性,從而剝離晶片‘如專利 158026.doc 201224104 文獻1及2)。若使用該片材,則可省略切割後之加熱處理 步驟,因此可減少由該步驟引起之晶片再附著。 進而,如專利文獻3中所記載般,已知有如下方法:使 積層有陶瓷生片之陶瓷積層體貼附於黏著片材上,將其吸 附保持而鰂切陶瓷積層體,其中上述黏著片材係於包含具 有多個氣泡之植物纖維之基材上塗佈黏著劑而成。 / [專利文獻1]曰本專利第3387497號公報 [專利文獻2]曰本專利第3485412號公報 [專利文獻3]日本專利特開2002-208537號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 根據上述利用加熱剝離帶之陶瓷電容器之製造方法,如 上所述由於加熱剝離步驟而容易引起晶片之再附著。又, 有時由於加熱剝離步驟而對電子零件施加負荷,從而對產 品產生不良影響。進而,由於必需加熱步驟,目而必需增 設設備。 曰 進而,隨著晶片之小型化,於防止晶片再附著之同時, 於⑷之切割步驟中要求更高之切割精度,上述含有可側鍵 結晶化之聚合物之暫時固定片材無法獲得較高 度。 又,上述使用可侧鏈結晶化之聚合物之黏著片材可藉由 冷卻使黏著力消失,但為了使黏著力消失必需導入大量結 晶性之材料,從而失去設計之自由度。又,為了於室溫下 剝離,結晶性材料之結晶炫解溫度必需為室溫以上,製作 158026.doc 201224104 操作性較差,製造上之 黏著帶時必需對材料進行加溫等 操作較難。 :發明係解決上述不足者’其目的在於,於較廣之設計 度中操作性良好地提供—種電子零件製造步驟用暫時 固定片材,其可於陶莞片材之切割步驟中牢固地保持陶宪 ^材’且獲得較高之㈣精度,其後,藉由冷卻至特定溫 度以下可有效並容易地剝離晶片。又,本發明提供一種使 用該電子零件製造步驟用暫時固定片材之電子零件之製造 [解決問題之技術手段] 為了解決上㈣題而進行銳意研究,結果發現,藉由利 用3有胺基甲酸酯聚合物成分與乙烯基系聚合物作為有效 、,之材料彳使加溫時之點著力與室溫冷卻時之剝離性 之平衡良好’且加溫時亦可賦予高彈性模數。 具體如下: 種暫夺固疋片材,其特徵在於包含如下樹脂層,該樹 脂層含有胺基f酸酿聚合物成分與乙烯基系聚合物,於 4 C、上《特疋/皿度下表現黏|力,⑥該特定溫度以下黏 著力消失。
2_如1之暫時固定片M 材其中80°C下之儲存彈性模數E'為 106 Pa以上。 3.如1或2之暫時固定片#,其中該樹脂層之損耗正切(tan δ)之峰值存在於2代以上、靴以下。 中任項之暫時固定片材,其中於80°c環境下剝 15S026.doc 201224104 離PET膜時之黏著力為〇 2 N/io mm以上,且於25°C環境下 測定之黏著力未達0.1 N/10 mm。 5.如1至4中任一項之暫時固定片材,其中該胺基甲酸酯聚 合物成分之至少一部分為丙烯醯基末端胺基曱酸酯聚合物 成分。 6. 如1至5中任一項之暫時固定片材,其中該乙烯基系聚合 物含有竣基。 7. 如1至6中任一項之暫時固定片材,其中暫時固定片材為 電子零件製造步驟用切割用。 8. 如1至7中任一項之暫時固定片材,其中暫時固定片材為 鰂切用。 9. 如8之暫時固定片材,其中如8之暫時固定片材為積層陶 瓷片材切割用。 [發明之效果] ,本發明之暫時固定片材可較佳地㈣積層陶£電子零件 專電子零件之加工用暫日年ΙΪ1中/ 料固U材。例如,於用於積層陶 是片材之局溫環境下之鰂切切割步驟中之情形時,由於上 述暫時固定片材於高溫環境下具有較高之黏著性,因 防止作業中之晶片剝離,又, ^^ g ^ 由於暫時固疋層於切割溫度 = 儲存彈性模數,因而可以較高之精度進行 ❹由Γ 並㈣加_敎暫_以材,因而 :藉由冷卻至室溫即可剝離晶片而無 驟,因此可防止加熱處理步驟中之晶片再附著。步 又,暫時固定片材之暫時固定層令無需使用結晶性材 158026.doc 201224104 料’因而片材製作時 由於亦無需加熱步驟 之效果。 之操作性亦變得良好,生產性優異, ’因此可以簡便之方法獲得暫時固定 本务月之暫時固定片材可藉由延伸*伸展,因此藉 由在切割步驟後延伸’可於晶片間產生間隙可進一步減 少晶片之再附著。 【實施方式】 本發明之電子零件製造步驟用暫時固定片材包含如下樹 脂層,該樹脂層含有胺基甲酸醋聚合物成分與乙烯基系聚 合物,於4G°C以上之特定溫度下表現”力,於該特定溫 度以下黏著力消失。再者,於本發明中,稱作「膜」之情 形時’包括片材之概S ’稱作「片材」之情形肖,包括膜 之概念。 又,所謂含有胺基曱酸酯聚合物與乙烯基系聚合物,係 指該4聚合物可進行共混,該等聚合物亦可進行鍵結。 (樹脂層) 樹脂層中使用之該胺基甲酸酯聚合物可藉由使多元醇與 二異氰酸酯反應而獲得。於多元醇之羥基與異氰酸醋之反 應中,可使用例如二月桂酸二丁基錫、辛烯酸錫、丨,4-二 氮雜雙環(2,2,2)辛烧等在胺基曱酸酯反應中通常使用之觸 媒。 作為多元醇,可列舉使環氧乙烷、環氧丙烷、四氫吱喃 等加成聚合而獲得之聚醚多元醇,或包含上述二元醇與己 二酸、壬二酸、癸二酸等二元酸之縮聚物之聚酯多元醇, 158026.doc 201224104 :烯酸多,醇,碳酸醋多㈣,環氧多元醇,己内酿多元 户等x等之中,可較佳地使用例如聚氧四亞曱基二醇 (而G):聚氧丙二醇(ppG)等聚驗多㈣,非結晶性之聚 8曰夕元醇’非結晶性之聚碳酸酯多元醇等。該等多元醇類 可單獨使用或併用。 作為二異氰酸s|,可列舉芳香族、脂肪族、脂環族之二 異氰酸酯等。作為芳香族、脂肪族、脂環族之二異氰酸 自曰’可列舉· f苯二異氰酸酯、二苯基曱烷二異氰酸酯、 六亞甲基二異氰酸酯、苯二亞曱基二異氰酸酯、氫化苯二 亞曱基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化二苯基曱 烧二異氛酸醋、1,5_萘二異氰酸酯、丨,3_苯二異氰酸酯、 M-苯二異氰酸酯、丁烷_丨,4·二異氰酸酯、2,2,4_三甲基六 亞甲基二異氰酸酯、2,4,4_三甲基六亞曱基二異氰酸酯、 環己烷-1,4·二異氰酸酯、二環己基曱烷_4,4_二異氰酸酯、 1,3_雙(異氰酸酯基甲基)環己烷、甲基環己烷二異氰酸 酯、間四曱基苯二亞甲基二異氰酸酯等◎該等二異氰酸酯 可單獨使用或併用。就胺基甲酸酯之反應性、與丙稀酸之 相容性等觀點而言,可適當選擇聚異氰酸酯之種類、組合 等。 用以形成胺基甲酸酯聚合物之上述多元醇成分與上述二 異氰酸酯成分之使用量並無特別限定,例如多元醇成分之 使用量相對於二異氰酸酯成分,較佳為NCO/OH(當量比) 為1.0以上’進而較佳為2.0以下。若NCO/OH為1.0以上, 則胺基甲酸酯分子鏈之末端官能基變為羥基,可防止暫時 158026.doc -10- 201224104 固定層之強度降低。又,若NCO/OH為2.0以下,則可確保 適度之伸長率及強度。 本發明中之胺基甲酸酯聚合物成分之分子量可根據所使 用之多元醇或二異氰酸酯之種類、NCO/OH比來適當決 定"其分子量並無特別限定,較佳為數量平均分子量(Mw) 為5 000以上、進而較佳為1〇〇〇〇以上。 較理想為於上述胺基曱酸g旨聚合物中添加與本發明中之 乙烯基系聚合物不同的含羥基之丙烯酸系單體。藉由添加 含經基之丙烯酸系單體’可於胺基甲酸酯聚合物之分子内 導入丙烯醯基,而可賦予與丙烯酸系單體之共聚性。作為 含羥基之丙烯酸系單體,可使用(曱基)丙烯酸羥基乙酯、 (甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸羥基己酯等。含羥 基之丙烯酸系單體之使用量相對於胺基甲酸酯聚合物1 〇〇 重里份’較理想為〇. 1〜1 〇重量份,進而理想為〇丨〜5重量 份。 本發明之樹脂層中使用之乙烯基系聚合物可藉由共混上 述胺基甲酸酯聚合物與下述乙烯基系聚合物而獲得,又, 亦可藉由製備胺基甲酸酯聚合物與乙稀基系單體之混合 物’進而使乙烯基系聚合物聚合而獲得。 其中’就可使用之單體之種類或片材化之加工性等方面 而言’較佳為僅於乙烯基系單體中或於其2種以上之混合 物中’使多元醇與異氰酸酯反應而形成胺基甲酸酯聚合 物’將所得之包含胺基曱酸酯聚合物與乙烯基系單體之混 合物塗佈於基材上,照射放射線使其硬化而形成。又,作 158026.doc -11- 201224104 為乙烯基系單體,較佳為(甲基)丙烯酸系單體。 進而如上所述’亦可製成如下樹脂,其係藉由使用含經 基之丙烯酸系單體而於胺基甲酸酯聚合物中導入丙烯醯基 後,使乙烯基系單體聚合,藉此使該丙烯醯基與乙烯基聚 合而成’且使該胺基甲酸酯聚合物與該乙烯基系聚合物鍵 結而成。 本發明中之乙烯基系聚合物係使乙烯基系單體聚合而成 之聚合物,作為該乙烯基系單體,如上所述可較佳地使用 (曱基)丙烯酸系單體,作為該(甲基)丙烯酸系單體,例如 了列舉.(曱基)丙細酸乙酿、(曱基)丙稀酸正丙西旨、(曱基) 丙烯酸異丙酯、(F基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第二 丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲 基)丙烯酸異辛酯 '(曱基)丙烯酸2_乙基己酯、(曱基)丙烯 酸異壬酯、(曱基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸正十 八烷基酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸 羧戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、巴豆酸等含羧基之單體; (曱基)丙烯酸2-羥基乙酯、(曱基)丙烯酸2_羥基丙酯、(甲 基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6_羥基己酯、(曱基) 丙烯酸8-羥基辛酯、(曱基)丙烯酸1 〇_羥基癸酯、(曱基)丙 烯酸12-羥基月桂酯、丙烯酸(4_羥基曱基環己基)_曱酯等 含羥基之單體;(甲基)丙烯酸環己酯、丙烯酸異冰片酯等 具有知環式結構之單體;順丁烯二酸酐、衣康酸酐等酸酐 單體,2-丙烯醯胺-2-曱基丙磺酸、丙烯酸磺丙酯等含磺酸 基之單體,2 -經乙基丙烯酿基碟酸醋等含填酸之單體等。 158026.doc 201224104 又,可使用1種或2種以上如下單體:(甲基)丙烯醯胺、N- 羥曱基丙烯醯胺等N-取代(曱基)丙烯醯胺等醯胺系單體; N-(曱基)丙烯醯氧基亞曱基丁二醯亞胺、N-(曱基)丙烯醯 基-6-氧基六亞甲基丁二醯亞胺、N_(甲基)丙烯醯基_8_氧基 八亞曱基丁二醯亞胺等丁二醯亞胺系單體;乙酸乙嫦酯、 N-乙烯基》比咯烷酮、N-乙烯基羧酸醯胺類、N_乙烯基己内 醢胺等乙烯基系單體;丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸 酯系單體;(曱基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸四氫 糠酯、聚乙二醇(曱基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸 酯、氟(曱基)丙烯酸酯、聚矽氧(曱基)丙烯酸酯、丙烯酸 2-曱氧基乙酯等丙烯酸酯系單體;(曱基)丙烯酸曱酯或(曱 基)丙稀酸十八烧基S旨等單體。該等(甲基)丙稀酸系單體係 考慮與胺基甲酸酯之相容性、放射線等光硬化時之聚合性 及所得尚分子量體之特性而適當決定種類、組合及使用量 等。 於使用(曱基)丙婦酸之情形時,作為其添加量,較佳為 於將胺基甲酸醋聚合物與乙稀基系聚合物之總量設為ι〇〇 重量份時,為5重量份以上且夫磕曰 且禾違80重1份,進而較佳為 10重量份以上且未達70重量份。拉、 里忉籍由没為5重量份以上, 之平衡,又,若 可容易獲得加溫時與冷卻剝離時之黏著力 則具備柔軟性, 加溫時之黏著力得到提 未達80重量份 高。 於本發明中,亦可於不指 、特性之祀圍内添加其他多官 能單體。作為多官能單體,可丨與 可歹丨舉己一醇二丙歸酸酯、三 158026.doc -13- 201224104 經f基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯等。 本發明中之樹脂層含有胺基甲酸酯聚合物與乙烯基系聚 合物作為有效成分。胺基甲酸酯聚合物與乙烯基系聚合物 之比率並無特別限定,相對於胺基甲酸酯聚合物與乙烯基 系聚合物之合計量,胺基甲酸酯聚合物所占之重量較佳為 ΙΟ/ό以上且未達9〇〇/。’進而較佳為2〇%以上且未達。若 胺基曱酸酯聚合物之比例未達10%,則高溫時之彈性模數 降低,難以獲得加工精度。又,若為9〇%以上,則片材製 作時之操作性較差,生產性較差。 (樹脂層之形成方法) 本發明之暫時固定片材可以如下方式獲得:僅於藉由聚 合而構成乙烯基系聚合物之乙烯基系單體中或於其2種以 上之混合物中’使多元醇與二異氰酸酯反應而形成胺基曱 酸醋聚合物’將包含胺基曱酸酯聚合物與該乙烯基系單體 之混合物塗佈於剝離性支持基材上,根據光聚合起始劑之 種類等而照射α射線、β射線、γ射線、中子射線、電子束 等電離性放射線或紫外線等放射線、可見光等,藉此使其 硬化。 又’於使用上述含羥基之丙烯酸系單體之情形時,本發 明之暫時固定片材可以如下方式獲得:僅於藉由聚合而構 成乙烯基系聚合物之乙烯基系單體中或於其2種以上之混 合物中’使多元醇與異氰酸酯反應而形成胺基曱酸酯聚合 物後’添加含羥基之丙烯酸系單體使其與胺基甲酸酯聚合 物反應’將所得之混合物塗佈於支持基材上,根據光聚合 158026.doc •14· 201224104 起始劑之種類等而照射《射線、P射線、γ射線、中子射 線 '電子束等電離性放射線或紫外線等放射線、可見光 等’藉此使其硬化。 具體而言’使多元醇溶解於乙烯基系單體中後,添加二 /、氰SiL知專使其與多元醇反應,進行黏度調整,將其塗覆 • 於剝離性支持基材上後,使用低壓水銀燈等使其硬化,繼 而將硬化之樹脂層自剝離性支持基材上剝離,藉此亦可獲 得暫時固定片材。於該方法中,可於胺基甲酸醋合成中一 次性添加乙稀基系單體,亦可分數次添加。根據該方法, 亦可不限定分子量而生成高分子量之聚胺基甲酸酯,因此 可將最終獲得之胺基甲gU旨之分子量設計成任意大小。 此時,為了避免由氧引起之聚合抑制,可於塗覆於剝離 性支持基材上之胺基甲酸醋聚合物與乙稀基系單體之混合 物上進一步載置經剝離處理之基材而阻斷氧,亦可於填充 有U性氣體之容器内放入剥離襯墊而降低氧濃度。 又’為了調整塗覆之黏度’可添加少量之溶劑。作為溶 劑,可自通常使用之溶劑中適當選擇,例如可列舉乙酸乙 酯、甲苯、氯仿、二甲基曱醯胺等。 . ★於本發明中,放射線等之種類及照射所使用之燈之種類 . #可適#選擇’可使用螢光化學燈、黑光燈、殺菌燈等低 壓燈,金屬鹵化物燈、高壓水銀燈等高壓燈等。 秦外線等之照射量可根據所要求之暫時固定層之特性而 任意設定。通常,紫外線之照射量為5()〜5_ gw,較 佳為100〜4000 mJ/cm2,進而較佳為1〇〇〜3〇〇〇 mj/cm2。若 I58026.doc .15· 201224104 紫外線之照射量為5〇〜5000 mj/ 2 ^ mJ/cm之範圍,則不會劣化而 可獲得充分之聚合率。 於以胺基甲酸醋聚合物與乙稀基系單體作為主成分之混 合物中包含光聚合起始劑。作為光聚合起始劑,可列舉: 安息香甲醚、安息香異丙键、2,2_二甲氧基-m二苯基乙 烧-1-嗣等安息香H 輕等經取代之安息香鍵; 2’2-广乙氧基苯乙酮、2,2_二甲氧基_2_苯基苯乙酮、卜羥 基-己基-本基嗣等姆你#甘, 丞〗寻、左取代之本乙酮;2_甲基_2_羥基苯丙 酮等經取代之醇;2-蔡續酿氣等芳香族石黃醯氣;卜苯 基-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧基幾基)_肪等光活性貯.2,4,6_三 甲基苯甲醢基-二苯基羞/ 丰丞氧化膦、雙(2,4,6_三甲基苯f醯 基)-苯基氧化膦等醯基氧化膦等。 本發明之樹脂層之厚度可根據目的等而適當選擇,通常 為5〜500 μηι,較佳為1〇〜5〇 μηι左右。 於本發明中,所謂於啊以上之特定溫度下表現黏著 力,係指於40。〇:以上之某溫度下首次表現黏著力,若未達 "亥/皿度貝J不表現黏著力,且係指於未達至少扣。C之溫度 下始終不顯示黏著力。 又 本發明之暫時固U材較佳為於贼環境下貼附厚25 μιη之PET膜並於8(rc環境下剝離該ρΕτ膜時之黏著力為〇 j N/10 mm以上,@_协95。/^1^,也-^、,_^ 儿於25 C % i兄下測定之對PET膜之黏著力 為以则雜以下。近年來,為了提高切割精度,而較 夕地於約80 C左右之溫度下進行鰂切切割步驟,若該溫度 下之黏者力為 0.2 N/1 〇 mm 丨、/ l Bt) 4- mu mm以上,則切割時可無偏差地保 158026.doc 201224104 持陶曼片材,若較佳氧0 < \τ /1 λ 0 30咖 佳為〇.25 N/1〇麵以上、進而較佳為 .N/1G_以上,則可更加確實地保持陶究片材。又, =冷卻至室溫時,若將對PET膜之黏著力設為未達〇·〇8 广之二二:佳為設為〇.06 N/10 mm以下,則可將切割獲 之日日片谷易地自暫時固定片材剝離。 本發明中之樹脂層之於80t下之錯存彈性模數g,較佳為 Pa以上’更佳為! 5x1q5 pa以上,進而較佳為2加1〇5 Pa以上。若錯存彈性模數G,為—以下,則於切割步驟 等中無法獲得較高之加工精度。 本發明之暫_以材可用作各種被黏附體之暫時固定 用或保管用、搬運用黏著片#,其用途並無特別限制,特 別適合用作電子零件加工時之暫時固定材等。 一使用本發明之暫時固定片# ’可較佳地進行例如積層陶 瓷電容器或積層陶瓷變阻器等晶片狀電子零件之製造。 本發明之暫時固以材較佳為於251以上、⑽。c以下 存在損耗正切(tan δ)之蜂值,進而較佳為机以上、7吖 以下。如η δ之峰值為坑以上、⑽。c以下,則於饥 以上時不會表現接近於橡膠彈性之行為,冷卻時之剝離性 良好,於赋以下時不會表現接近於玻璃狀態之行為, 加溫時表現密接性。 於本發明中,較佳為暫時固^片材之於25<t下之斷裂強 度為3.0 MPa以上’於2rc下之斷裂伸長率為1〇%以上:斷 裂強度較佳為5 MPa以上、進而較佳為1〇胸以上,斷裂 伸長率較佳為30%以上、進而較佳為观以上。若斷裂強 158026.doc 201224104 度為3.0 MPa以上’則可獲得作為膜之充分之強度,若斷 裂伸長率為10%以上,則不會變脆。 本發明之無基材之鰂切用暫時固定片材之厚度可根據目 的等而適當選擇,通常為5〜500 μιη,較佳為50〜200 μιη左 右。 又,本發明之無基材之鰂切用暫時固定片材並非包含如 下之所謂基材者。該基材通常為ρΕΤ等塑膠膜或片材,例 士、氏布、不織布、金屬箔等、或該等與塑膠之積層體、 塑膠膜(或片材)彼此之積層體等適當之薄層體,且係為了 對無基材之鰂切用暫時固定片材賦予機械強度而設置之 層。 所謂本發明中之無基材之狀態,係指不包含如上所述之 所謂基材者,具有黏著力之複數之樹脂層積層而成之片材 谈不上是包含基材之片材,其包括於本發明所包含之無基 材之鰂切用暫時固定片材中。 例如,作為本發明之無基材之鰂切用暫時固定片材,可 為僅由1層黏著劑層構成之片材,亦可為在與陶瓷片材等 被切割構件黏著之侧設置具備黏著性之暫時固定層,於固 定該被切割構件之對象之基座側設置剝離層而形 片材。 於本發明中不使用基材之情形時, j稭由在切割步驟等 之暫時固定時之作業後進行延伸而使晶 文日日片間產生間隙’繼 而取出晶片,藉此可減少由晶片再附著引起之不户 (暫時固定片材之用途) 158026.doc •18· 201224104 本發明之無基材之鰂切用暫時固 附體之暫時固定用或保管用、搬 =作各種被黏 州點著片材,盆用冷计 無特別限制,特別適合用作電 /、用途並 等。 千零件加工時之暫時固定材 使用本發明之無基材之鋼切㈣ 進行例如積層陶竟電容器或積 零件之製造。 尤變阻“晶片狀電子 以下,參照圖1對使用本發明之無基材之鰂切用暫時固 定片材的積層陶究片材之切割方法進行說明。 1表示本發明之無基材之㈣用暫時固定片材。 雖未圖示’㈣可職於無基材之㈣㈣日㈣定片材 之表面積層剝離片材。2表示基座,3表示積層陶£片材。 4表讀層陶£片材3切害㈣之铡切刀。將本發明之無基材 之鰂切用暫時固定片材之暫時固定用黏著層貼合於基座 上’將熱膨脹性黏著層貼合於積層陶竟片材3上,藉此牢 固地固定作為被加工體之積層陶究片材3。 曰 為了提高切割精度’積層陶究片材3之切割步驟於高溫 環境下(例如60〜⑽。C)進行。由於本發明之無基材之鰂切 用暫時固U材於常溫及高溫環境下凝聚力及接著力優 異因而可於整個切割步驟中將積層陶究片材3牢固地固 定。特別是’於切割時之溫度下亦不會產生浮起或變形, 因而可防止伴隨切割時之鰂切刀4之切入而引起積層陶竟 片材3之位置偏移’而可高精度且準確地切割成零件單元 之晶片素體。 158026.doc •19- 201224104 切割結束後,可將被加工舻,士,μ 體(切割後之積層陶瓷片材3) 自無基材之鰂切用暫時固定片材1卸下。 藉由適當之方法回收切割後之積層陶瓷片材3後可藉 由撕下等方式將本發明之無基材之鰂切用暫時固定片材^ 與基座2剝離。 [實施例] 以下,使用實施例對本發明進行詳細說明,但本發明並 不限定於此。再者’於以下實施例中,只要無特別限定, 則份表示重量份,%表示重量〇/〇。 (實施例1) 於具備冷凝管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中投入作 為(甲基)丙烯酸系單體之丙烯酸異冰片酯(ΙΒΧΑ)5〇重量 份、作為多元醇之數量平均分子量為65〇之聚(四亞甲基)二 醇(PTMG. ’三菱化學股份有限公司製造)72 8重量份,一面 攪拌一面滴加氫化苯二亞f基二異氰酸酯(HXm,Mitsui
Chemicals Polyurethanes股份有限公司製造)27.2重量份, 使其於65°C下反應10小時,獲得胺基甲酸酯聚合物-丙烯 酸系單體之混合物。其後’滴加丙烯酸2_羥基乙酯 (HEA)6.5重量份,進而使其反應3小時後,添力σ丙烯酸 (ΑΑ)50重量份及作為光聚合起始劑之2,2-二甲氧基-ΐ,2-二 苯基乙烧-1酮(1110入0171^651,(1^&13卩&11股份有限公司 製造)0.3重量份。再者’聚異氰酸酯成分與多元醇成分之 使用量NCO/OH(當量比)=1.25。 將胺基甲酸酯聚合物與丙烯酸系單體之混合物以硬化後 158026.doc ,20- 201224104 之厚度成為100 μπι之方式塗伟於厚38 μιη之經剝離處理之 PET上。於其上重疊被覆經剝離處理之ρΕΤ膜後,使用黑 光燈對該被覆之PET膜面照射紫外線(照度5 mW/cm2,光 量1000 mJ/cm2)使其硬化,於pET膜上形成胺基曱酸酯-丙 ' 烯酸系複合膜。 • (實施例2) 於具備冷凝管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中投入作 為(甲基)丙烯酸系單體之丙烯酸異冰片酯(ΙΒχΑ)80重量 份、丙烯酸丁酯(ΒΑ)20重量份,作為多元醇之數量平均分 子3:為650之聚(四亞曱基)二醇(ptmg,三菱化學股份有限 公司製造)72·8重量份,一面攪拌一面滴mHXDI 27 2重量 份,使其於65°C下反應10小時,獲得胺基曱酸酯聚合物_ 丙烯酸系單體之混合物。其後,滴加丙烯酸2_羥基乙酯 (HEA)6.5重量份,進而使其反應3小時後,添加丙烯酸 (AA)30重量份及作為光聚合起始劑iIRGAcuRE 651 0.3 重量份。再者,聚異氰酸酯成分與多元醇成分之使用量 NCO/OH(當量比)=1.25。 將胺基曱酸酯聚合物與丙稀酸系單體之混合物以硬化後 之厚度成為100 μιη之方式塗佈於厚38 μιη之經剝離處理之 PET上。於其上重疊被覆經剝離處理之ρΕΤ膜後,使用黑 光燈對該被覆之PET膜面照射紫外線(照度5 mW/cm2 ,光 量1〇〇〇 mJ/cm2)使其硬化,於PET膜上形成胺基曱酸酯丙 烯酸系複合膜。 (實施例3) 158026.doc 201224104 於具備冷凝管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中投入作 為(曱基)丙烯酸系單體之丙烯酸異冰片酯(IBXA) 100重量 份、作為多元醇之數量平均分子量為65 0之聚(四亞曱基)二 醇(PTMG,三菱化學股份有限公司製造)72.8重量份,一面 攪拌一面滴加HXDI 27.2重量份,使其於65°C下反應10小 時,獲得胺基甲酸酯聚合物-丙烯酸系單體之混合物。其 後,滴加丙烯酸2-經基乙S旨(HEA)6.5重量份,進而使其反 應3小時後,添加作為光聚合起始劑之IRGACURE 651 0.3 重量份。再者,聚異氰酸酯成分與多元醇成分之使用量 NCO/OH(當量比)=1.25。 將胺基曱酸酯聚合物與丙烯酸系單體之混合物以硬化後 之厚度成為100 μηι之方式塗佈於厚38 μηι之經剝離處理之 PET上。於其上重疊被覆經剝離處理之PET膜後,使用黑 光燈對該被覆之PET膜面照射紫外線(照度5 mW/cm2,光 量1000 mJ/cm2)使其硬化,於PET膜上形成胺基曱酸酯-丙 烯酸系複合膜。 (比較例1) 藉由T形模頭擠出法,使乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA) 樹脂(熔點 84°C,商品名:Evaflex P-1905,DU PONT-MITSUI POLYCHEMICALS股份有限公司製造)於熔體流動 速率2.5 g/10 min下成膜為100 μηι。 (比較例2 ) 使用氣乙烯(厚度70 μηι,商品名「KM Film」,三菱化學 MKV股份有限公司製造)作為軟質聚氣乙烯膜。 158026.doc -22- 201224104 (比較例3) 將丙烯酸鯨蠟酯85重量份、丙烯酸甲酯1〇重量份、丙烯 酸5重里份、2,2-二甲氧基_ι,2_二苯基乙烷_丨_酮〇1重量份 杈入4 口燒瓶令,於氮氣環境下曝露於紫外線下使其部分 光聚合,藉此獲得部分聚合物(單體漿(M〇n〇mer syrup))。 於該部分聚合物100重量份中添加作為交聯劑之己二醇二 丙烯酸酯0.1重量份後,將該等均勻混合而製備光聚合性 組合物。
於單面經聚矽氧剝離處理之厚度38 μηι之聚對苯二甲酸 乙二酯膜之剝離處理面上,以厚度成為1〇〇 μιη之方式塗佈 上述光聚合性組合物,進而於其上被覆厚度38 之單面 經剝離處理之聚對苯二甲酸乙二g旨膜,形成塗佈層。使用 黑光燈(15 W/cm),以1000 mJ/cm2對該片材照射光照度5 mW/cm2(利用峰值靈敏度最大波長35〇謂之T〇pc〇N UVR-T1進行測定)之紫外線,獲得目標之黏著片材。 (評價) 對於實施例卜3及比較例卜2、3中所得之片材,藉由以 下所示之方法評價黏著力、儲存彈性模數、片材保持性、 晶片剝離性、#附著率、晶片直角度。將結果示於表2及 表3中》 8(TC黏著力之測定方法 將實施例及比較例中製作之片#切割成寬1〇 _、長 14〇 mm之帶狀,依據JIS z 0237,於8〇t加 合於厚度25哗之阳膜(寬20職)上後,設置於8〇 = 158026.doc •23- 201224104 有板台之變角度剝離試驗機中,放置3分鐘後,對以剥離 速度30〇mm/min、拉伸角度18〇。剝下時之荷重進行測定。 25°C黏著力之測定方法 與80。。黏著力之測定同樣地貼合咖膜,於加熱板 上放置1G分鐘後,冷卻至饥,將其設置於變角度剝離試 驗機中,對以測定溫度25t、剝離速度3〇〇 mm/min、拉伸 角度180。剝下時之荷重進行測定。 儲存彈性模數E,之測定方法 儲存彈性模數(E,)係使用「ARES」(TA Instruments股份 有限:司製U )進行測定。再者,測定係於之 /凰度區域,在升溫速度5它/min、頻率i Hz之條件下進行 測定。 片材保持性之測定方法 :貫施例及比較例中獲得之黏著片材上貼合積層陶瓷片 材()在80 C環境下放置5分鐘後,鰂切加工成〇4〇2(〇 4 0.2 mm)尺寸之晶片狀(*2)。以目視評價此時之陶瓷片 材之保持性。具體而言,將可使切割時之陶竞片材及切割 後之sa片不剝離或不偏移地加工之情形評價為「〇」,將雖 產生些許偏移但仍可加工之情形評價為「△」,將其它情形 評價為「X」。 <*1積層陶瓷片材之製作方法> 將鈦酸鋇(堺化學工業(Sakai Chemical匕如也幻股份有 限公司製造:商品名γβτ_〇3/高純度鈣鈦礦」)ι〇〇重量 份、聚乙稀醇縮丁路(電氣化學i業股份有限公司製造: 158026.doc •24· 201224104 商品名「PVB」)1〇〇重量份(丙二醇單乙烯醚溶解物,1〇0/〇 base)、鄰苯二甲酸雙(J_PLUS股份有限公司製造:商品名 「DOP」)6重量份、二甘油油酸酯(Riken Vhamin股份有限 公司製造’·商品名「Rikemal 0-71 -D(E)」)2重量份、及曱 苯80重量份攪拌、混合,製備陶瓷片材製作用塗覆液。繼 而,於單面塗佈有聚矽氧脫模劑之分隔件上,以乾燥後之 厚度成為約50 μηι之方式塗佈上述塗覆液,於8〇芄x5分鐘 之乾燥處理後自分隔件剝離,獲得陶瓷片材。積層1〇片該 陶瓷片材,於300 kg/cm2之壓力下進行壓製,獲得積層陶 瓷片材。 <*2鰂切條件> 切割裝置製造商:UHT股份有限公司,切割溫度: 8〇 C,切割深度(距離台面之殘餘量):約乃 切割刀:厚度/100 μιη,尖端部角度/15〇 晶片剝離性 <實施例1、2、3、比較例3之片材> 於上述延伸步驟後(比較例3無延伸),在溫度251、濕 度65〇/〇之條件下冷卻,然後將切割後之晶片自暫時固定片 材到離’藉此㈣晶片剝離性。具體而言,將可容易地自 暫時固定片材剝離而不伴隨晶片之破損或變形之情形評價 為「〇」,將其它情形評價為「x」。 晶片再附著率 根據與相鄰2個以上之晶片融著之晶片數相對於所切割 之晶片總數之比例,算出晶片再附著率。 158026.doc •25· 201224104 晶片直角度 抽取各片材上铡切切割之晶片各1 〇個,使用顯微鏡一面 觀察一面測定晶片之切割面與底面之角度。 [表1] 製造實施例1〜3之樹脂層所需之成分 實施例1 實施例2 實施例3 丙烯酸系成分 IBAXA 50 80 100 AA 50 30 BA 20 胺基甲酸酯成分 PTMG 72.8 72.8 72.8 HXDI 27.2 27.2 27.2 胺基曱酸酯末端反應劑 HEA 6.5 6.5 6.5 光起始劑 Irg651 0.3 0.3 0.3 胺基甲酸酯(%) 50 43.5 50 丙烯酸(°/〇) 50 56.5 50 [表2] 實施例1〜3及比較例1〜3之暫時固定片材之黏著力及儲存彈 性模數 片材種類 室溫黏著力 (N/10 mm) 80°C黏著力 (N/10 mm) 80°C儲存彈性模數 E'(Pa) 實施例1 U-A片材 0.02 0.63 1.92x106 實施例2 U-A片材 0.05 1.08 1.47χ106 實施例3 U-A片材 0.08 0.28 2.17χ106 比較例1 EVA片材 0.03 0.02 6.76χ105 比較例2 PVC片材 0.04 0.05 9.44x10s 比較例3 側鏈結晶性 片材 0.03 0.90 4.5〇χ104 158026.doc -26- 201224104 [表3] 實施例1〜3及比較例i〜3之暫時固定片材之各測定結果 片材種類 片材保持性 晶片 剝離性 晶片 再附著率 晶片’ 直角度 實施例1 U-A片材 〇 〇 0.03% 90.2 實施例2 U-A片材 〇 〇 0.05% 90.3 實施例3 U-A片材 Δ 〇 0.05% 90.3 比較例1 EVA片材 X - - - 比較例2 PVC片材 X - - • 比較例3 側鏈結晶性片材 〇 0 0.04% 91.2 本發明之暫時固定片材(實施例^3)於801下之陶瓷片 材之切割步驟中,可藉由充分之黏著力而牢固地保持陶瓷 片材’並且可獲得較高之切割精度,其後藉由冷卻至特定 祖度以下’可如25。(:之黏著力所示般降低黏著力,從而可 有效且容易地剝離晶片。又’可於較廣之設計自由度中操 作性良好地進行製作。 實施例3之暫時固定片材基本上與實施例丨及2之暫時固 定片材㈣’但由於80t下之黏著力小於實施例⑷之暫 時固定片# ’因而於利用鰂切加工進行晶片之切割時,一 部分晶片有些許之剝離、偏移。 相對於此,比較例i之片材於鋼切切割時片材發生偏 移,並且切割後晶片未自片材剝離。X,比較例2之片材 由於經過加熱處理步驟而使大量晶片發生再附著,又,關 於比較例3之片材,鰂切切割後 ;刀俊之日日片之加工精度(晶片直 角度)與實施例1、2相比結果較差。 158026.doc •27· 201224104 【圖式簡單說明】 圖1係使用本發明之暫時固定片材來铡切積層陶瓷片材 之步驟圖。 【主要元件符號說明】 暫時固定片材 基座 積層陶瓷片材 铡切刀 1 2 3 4 158026.doc -28-

Claims (1)

  1. 201224104 七、申請專利範圍: 包含樹脂層,該樹脂層 稀基系聚合物,於4〇。〇 於该特定溫度以下黏著 1 · 一種暫時固定片材,其特徵在於 含有胺基甲酸酯聚合物成分與乙 以上之特定溫度下表現黏著力, 力消失。 2·如s月求項1之暫時固定片材,苴中80〇Γ π "甲80 C下之儲存彈性模 數E'為1〇6 Pa以上。 3, 如請求項_之暫時固定片材,其中該樹脂層之損耗正 切(tan5)之峰值存在於25T:以上、10(rc以下。 4. 如請求項3之暫時固定片材 心乃砰具T於80 C ί哀境下剝離PET 膜時之黏著力為〇 2 、,/ 勹.2N/l〇mm以上,且於25〇c環境下測定 之黏著力未達(U N/1〇mm。 月长項1或2之暫時固定片材,其中該胺基甲酸醋聚合 物成分之至少_ 八* . 刀為丙烯醯基末端胺基甲酸酯聚合物 成分。 6. 如請求項1或2之暫時固 含有羧基。 定片材,其中該乙烯基系聚合物 ” 叫疋;Ϊ=ΡΓ,兵町凹叱乃材為 子零件製造步驟用切❹。 8 . 如睛求項7之薪D* m 货時固定片材,其中暫時固定片材為鰂 用。 9. 二暫:固定片材,其中暫時固定片材為積 I58026.doc
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