TW201220976A - Adhesion film for connecting circuit and usage thereof, circuit connection structure and manufacturing method thereof, and connecting method of circuit member - Google Patents

Adhesion film for connecting circuit and usage thereof, circuit connection structure and manufacturing method thereof, and connecting method of circuit member Download PDF

Info

Publication number
TW201220976A
TW201220976A TW100120407A TW100120407A TW201220976A TW 201220976 A TW201220976 A TW 201220976A TW 100120407 A TW100120407 A TW 100120407A TW 100120407 A TW100120407 A TW 100120407A TW 201220976 A TW201220976 A TW 201220976A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
circuit
film
connection
electrode
adhesive layer
Prior art date
Application number
TW100120407A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI554162B (zh
Inventor
Satoru Mori
Kazuya Sato
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of TW201220976A publication Critical patent/TW201220976A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI554162B publication Critical patent/TWI554162B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/304—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being heat-activatable, i.e. not tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/314—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive layer and/or the carrier being conductive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Description

201220976 38756pif 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種電路連接用接著膜及其使用、電 路連接構造體及其製造方法以及桃構件的連接方法。 【先前技術】 先刖i為了將半導體元件連接於基板，特別是液晶等 的平板顯不 H ( Flat Panel Display，FPD ) _ 玻璃（glass ) 基板’使用因加熱而固化的熱@性的接著麵（film)。 作為熱固性的接著劑膜，含有熱固性樹脂即環氧 (epoxy)樹脂的接著劑膜被廣泛使用，由於環氧樹脂因加 熱而固化之後，成為機械性強度高的聚合物，因此，藉由 上述接著_來牢固地將半導體元件與液晶顯^器 (display)予以連接，可獲得可靠性高的電氣裝置。近年 來’含有能夠以比環氧樹脂更低的溫度來固化的丙烯酸醋 的接著劑膜亦逐步被使用。 然而，於使用接著劑膜來將玻璃基板與半導體元件予 以連接的情形下，當對接著劑膜進行加熱時，由於半導體 元件有時因熱傳導而被加熱之後發生熱膨脹，因此，該半 導體元件會伸展。因此，於加熱結束之後，若 則伸展的半導體元件會收縮，有時伴隨該收縮，構^ FpD 的玻璃基板會發生翹曲等的變形。若玻璃基板發生變形， 則會導致位於已變形的部分的顯示器的顯示影像雜亂。 至今為止，為了抑制翹曲等的變形，各種方法已為人 所知。例如，已提出有使膜介於加熱及加壓工具（t〇〇i) 201220976 號=::1的/接方法⑽ 專利特開2004_200230力後進行加熱的方法（日本 專利第3477367號公報）3 〇4_277573號公報、日本 ;接著二腺形ίί者劑膜時的成膜性下降，難以穩定地 :，尤其存在如下的傾向，即，隨著玻 璃ί板的ί:Γ 變薄，容易顯著地產生㈣玻 【發明内容】 二連接 _ m制w 岭連接用接者膜的電路連接構造 ==及電’的連接方法，上述電路連接 =^膜即便备用於將厚度比先前的電路基板的厚度更薄 =玻璃基板與半導體元件予以連接時，亦可維持優異的連 接可靠性且可㈣玻璃基板的變形，μ成膜性亦優異。 本發明者等為了解決上述問題而進行了仔細研究，結 果發現：因安裝之後（固化之後）的電路連接用接著膜的 内部應力過高’故而電路構件發生變形；而且因在安裝之 後的電路連接用接著膜中產生彈性率過低的部分，故而連 接可靠性下降。亦已知：尤其於彈性率局部地過低的情形 4 201220976 38756pif 相對⑽電極彼此軸 連接可靠性有下降的傾向。 子保持扁平’因此， 基於上述發現而進一步 將具有規師錄當量的縣m本^特等發現： 膜，藉此，可保持高連接#’ ^ ^路連接用接著 從而完成了本發明。j祕’亦可抑制基材的變形， 接用t即^發明提供一種電路連接用接著膜，兮電路、卓 接用接者膜包括：含有接_ =»亥電路連 接著劑層、與含有接著劑物子的導電性 性接著劑層，絕緣性接著劑層中所導電粒子的絕緣 (a)成膜材料、（b)環氧告 ^、^者劑組成物包含 極相對向的狀態下，將第1電路構 在厚度為0.3 _以下的第i電職:^第1電路構件 述第1電路電極，上述第2電二厂φ上形成有上 下的第2雷故h以第電路構件在厚度為〇.3 mm以 ^面上形成有上述第2電路電極。 接著;ί=ί:Τ接用接著膜，則由於在絕緣性 (=Γ:7:Γ:= 異的耐熱性及接著性。藉此，即便 下的接著膜來將包括厚度為〇.3 _以 、’構件纽予料接時，*僅可抑制電 路構件的變形’而且可獲得良好的連接可靠性。又，由於 201220976 38756pif 旦认，接著_巾雜著劑組成物包含具有規定的環氧卷 里、b) j衣氧樹脂及（c)潛伏性固化劑、以及（昀 =’因此’不僅可實現優異的耐熱性及接著性 可 產生優異的成獏性。 向且了 絕缘路連接賤魏包括導電性接著劑層及 ΐίΐί:該兩個層’因此相對向的電極彼此容易捕 好的連接可使連接可触提高。祕，可獲得良 =於本發明的電路連接用接著膜而言，導電性接 1及或鱗性接著劑層亦可更含有⑷絕緣性粒子。夢 此，可維持更優異的連接可靠性。 玲 造體:括本體，該電路連接構 弟1電路構件，在厚度為〇3 mm以下的
St面上形成有第1電路電極;第2電路構件， =為〇_3 mm以下的第2電路基板的主面上形成有第2 = Φ且第2電路電極配置為與第1電路電極相對向， 第=電路電極與第i電路電極電性連接；以及連接部，介 =、:電路構，與第2電路構件之間，連接部為本發明的 電路連接用接著膜的固化物。 若為如上所述的電路連接構造體，則由於連接部由本 電路連接用接著膜的固化物構成，因此，可將電路 内的内部應力控制為低内部應力，從而可抑制 部分。因此’可抑制電路構件的變形， 並且可貫現優異的連接可靠性。 6 201220976 38756pif ΤΙ ’本發明提供—種電路連接構造體的製造方法， 體㈣造方法包括如下的步驟:使上述本 用接著膜介於-對電路構件之間而獲得積 :ϋτϊ電路構件包括第1電路構件與第2電路構 ^ "⑦路構件在厚度為G.3 mm以下的第1電路 ί产二Γ上形成有第1電路電極，上述第2電路構件在 =為0.3 mm以下的第2電路基板的主面上形 =;=::r::r_ 連接用 纽杜μ 接卩，上述連接部介於一對電 a ’且以使相對向地配置的第1電路電極與第2 =電性連接的方式’將-對電路構件彼此予以接著。 右為如上所述的製造方法，則可製造出如 =體’該電路連接構造體可抑 路2 且可實現優異的連接可靠性。 並 又’本發明提供一種電路構件的連接 件的連接方法在使第i電路電極與第 ϋ = 配置的狀態下，對第1路構件、第2電路構件相3也 路構件及第2電路構件之間的本發明的電3 膜進行加熱及加壓’將第1電路電極與第2電5 電極予以雜連接，其中上述第i桃構件 電^ 顏以下的第i電路基板的主面上形成有上述第；'為^ 極，上述第2電路構件在厚度為G 3咖以下 ^電 基板的主面上形成有上述第2電路電極。 電路 若為如上所述的電路構件的連接方法，則由於 201220976 38756pif 發明的電路連接用接著膜的固化物來連接電路 此，即便將固化物内的内部應力控制為低内部應件，’、因 充分地確保相對向的電極之間的導電性。因此，亦可 下的電路連接構造體，該電路連接構造 制 的變形，並且具有良好的連接可靠性。卩料路構件 而且’本發明提供—種接__於電 括:含有接著劑組成物及導電粒子 f接者劑層、與含有接著聽成物且不含有導電粒 緣性接著· ’絕緣性接著_中所含的接著劑物勺 含(')成膜材料、(b)環氧當量為2〇〇〜3〇〇〇的環氧樹上 及（C)潛伏性固化劑，上述接著膜的用 曰 =第1電路電極及第2電路電極相對向的== 電路構件與第2電路構件予以電性連接，其中上笛 厚度為〇·3 _以下的第1電路基板的主^上 ===電極，上述第2電路構件在厚度㈣ 極。 電路基板的主面上職有上述第2電路電 膜來用於電路連接’即便當使用該連接 此予以連接ί又ί0.3 mm以下的電路基板的電路構件彼 ==生亦可抑制電路構件的變形，並且術 或絕===，接時，導電性接著劑層及/ 維持更優異的連接ΐ靠=有⑷絕緣性粒子。藉此，可 8 201220976 38756pif 用、供如τ的電路連接用接著膜及其使 造方法以及電:構件的==接構造體及其製 用於將厚度比先前的電路基板的厚 件予以連接時，亦可維持優異的連接可靠 發明令，可提供如下的電路連接用接著膜 遠t 逑接時，亦可貫現上述效果。 易懂為他目的、特徵和優點能更明顯 明如下。舉貫列，並配合所附圖式，作詳細說 【實施方式】 =下’根據需要，-面參照圖式，一面詳細地對轉 下形態進行說明。然而’本發明並不限心 <電硌連接用接著膜> 1Λ首先，參照圖1來對本實施形態的電路連接用接著膜 。圖i是表示本發明的一個實施形態的 =接耆賴模式剖面圖。電路連制接著膜1G包括：^ ，接著劑域物*及導餘子5的導接著劑声 (絕緣性接著劑層） 201220976 38756pif 絕緣性接著劑層3a含有：包含⑷成膜材料（以下， 有時稱為「（a)成分」）、（b)環氧當量為2〇〇〜3〇〇〇的環 氧樹脂（以下’有時稱為「（b)成分」）及⑷潛伏性固 化劑（以下，有時稱為「（c)成分」）的接著劑組成物知。 作為（a)成分的成膜材料是聚合物（p〇lymer)，該聚 合物具有使液狀的固化性樹脂組成物固化的作用。使成膜 材料包含於ID化性樹驗成物，藉此，當使·性樹脂植 成物成形為膜狀時，可獲得不易裂開、不易碎裂及不易黏 連且易於使用的接著劑膜。 — 作為如上所述的成膜材料，例如可列舉選自包含苯氧 基樹脂、聚乙烯曱賴脂、聚笨乙烯獅、聚乙稀丁酸樹 脂、聚醋樹脂、聚醯胺樹脂、二甲苯樹脂及聚胺醋樹脂的 群組的至少-種聚合物。這_脂巾，笨氧基樹脂、聚胺 酯樹脂及聚乙烯丁醛樹脂較佳。這些樹脂與（b)成分之間 的相溶性優異，可使S1化之後的電路連接用接著膜1〇產^ 優異的接著性、耐熱性、以及機械強度。 使雙官能苯酚類與表ή代醇（epihalohydrin)發生反 應直至達到高分子量為止’或使雙官能魏樹脂與雙官能 苯酴類發生加成聚合反應，藉此來獲得苯氧基樹脂。具體 而言，於存在鹼金屬氫氧化物等的觸媒的條件下，在非反 應性溶射，α跳〜1机的溫度來使i莫耳的雙官处 苯酴類與0.985莫耳〜丨奶莫耳的㈣代醇發生反應匕 此’可獲得上述苯氧基樹脂。 ’棺 較佳為將雙官能性環氧樹脂與雙官能性苯紛類的調配 201220976 38756pif 當量比設為環氧基/苯贿“⑽〜…]來進行獲得苯 减樹脂的加«合反應。藉此，可使固化之後的電路連 接用接著膜1G的機械特性及熱特性良好。又，較佳為於存 ，驗金屬化合物、有機射、化合物、以及環狀胺系化合物 等的觸媒的條件下，在彿點為咖上的雜系、喊、 _系、内n以麟轉的有機溶劑巾，將雜固含量 設為50質量仙下’加熱至听〜·。c來進行上述加成 聚合反應。 作為用以獲得苯氧基樹脂的雙官能環氧樹脂，例如可 列舉雙紛A型環氧樹脂、雙盼F型環氧樹脂、雙紛AD型 環氧樹脂、㈣S魏⑽脂、聯苯二縮水甘細及經曱 基取代的聯苯二縮水甘油醚。作為雙官能苯酚類，可列舉 具有兩個苯雜經基的物質，例如對苯二賴、雙盼A、 二紛F、雙紛AD、雙g^S、雙紛第、經曱基取代的雙紛苐、 二經基聯，及經甲基取代的二聯苯等的雙盼類。 /亦I藉由自由基聚合性的官能基、或其他反應性化合 物=苯氧基樹脂進行改質。可單獨地使用上述各種苯氧 基樹脂’或可組合地使用兩種以上的上述各種苯氧基樹脂。 一聚胺酯樹脂是於分子鏈中具有胺基曱酸酯鍵結的彈性 體且通常是大致以當量來使飽和聚酯樹脂的活性氫基、 與二異氰酸酯化合物（甲苯二異氰酸酯、二異氰酸酯二苯 基甲烷、六亞曱基二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯、 以^一異氰酸酯環己基甲烷等）的二異氰酸酯基發生反應 所付的線性高分子，上述飽和聚酯樹脂是多元酸（.對苯二 11 201220976 38/50pif :酉文間笨—曱酸、鄰苯二曱酸、伽酸、己二酸、壬二 戊二醇、π己二醇、Γ乙J乙二醇、丁二醇、i，5· 及二料）發絲合反應㈣得且具絲端經基。 、’〔聚胺酯樹脂容易溶解於有機溶翻 乙=;乙酸丁自旨等）、_系（甲基乙基酮、環己酮、以及丙 :荨)^香族系（甲笨、二甲苯、以及苯等）及氣系（三 氣乙烯、二氣曱烷等）的溶劑。 *乙埽丁㈣丨脂是於分子鏈巾具有乙稀縮酸單元的彈 性體，且通常是使乙酸乙制聚合，接著進碰處理之後， 使^與盤（甲齡、乙齡、丙搭、以及丁料）發生反應而 獲得的線性高分子。對於本實施形態中所使用的聚乙稀丁 醛樹脂而s，聚合度較佳為7〇〇〜25〇〇，丁縮醛化度較佳 為65 mol%以上。 若聚合度不足700，則聚乙烯丁醛樹脂的凝聚力不 足，導致成膜性下降。若聚合度超過25〇〇，則對樹脂進行 壓接時的樹脂流動性不足，無法順利地使導電粒子介於被 黏接體的電極之間’從而難以獲得充分的連接可靠性。又， 若丁縮链化度不足65 mol% ’則羥基或乙醯基的比例増 加，從而難以獲得充分的連接可靠性。 作為（a)成分的成膜材料的玻璃轉移溫度（以下稱為 「Tg」）並無特別的限定，但較佳為4〇°C〜70°C，更佳為 45°C〜70°C，進而較佳為50°C〜70。(：。若為具有此種Tg 的成膜材料’則藉由彈性變形來將固化之後的電路連接用 12 201220976 38756pif 產生的内部應力予以吸收，使電路構件的麵曲 減因此，可更確實地使連接可靠性提高。 、相對於總質量為100質量份的接著劑組成物如 成膜材料的調配量較佳為10質量份〜50 f量份，更 20質量份〜40質量份。使成膜材料的量處於上述範圍，^ 制基材的變形（麵曲量），從而提供電“ 接f生更優/、的電路連接用接著膜1〇。 成膜材料的分子量越大，則越容易獲得成膜性，而且 可大範圍地設定對㈣聽祕4a的流紐產生影 炫融黏度。成膜材料的重量平均分子量（Mw)較佳為5曰0⑻ 〜150000，尤佳為10_〜8〇〇〇〇。若該值為5〇〇〇以上， 則存在易於獲得良好的成酿的傾向，另—方面，若上 值為15_G以下，則存在容祕得與其他成分之間的良好 的相溶性的傾向。 再者所π上述重量平均分子量」，是指依照下述表 1所示_0根據凝膠滲透色譜法（Gel permeati〇n
OmHnatogmphy ’ GPC) ’使用標準聚苯乙烤的校準曲線 (calibration curve )來進行測定所得的值。 13 201220976 [表1] 裝置 東曹股份有限公司製造GPC-8020 ^ 檢測器 東曹股份有限公司製造RI-8020 ^^' 管柱 日立化成工業股份有限公司製造Gelpack GL-A-160-S + GL-A150-SG2000Hhr 試料濃度 120 mg/3 ml 溶劑 四氫呋喃 ~~~' 注入量 60 μΐ s〜 壓力 30 kgf^cm2 '~~~'-- 流量 1.00 ml/min ' 作為（b)成分的環氧當量為200〜3000的環氧樹月旨， 可單獨或組合兩種以上地使用自表氯醇與選自包含雙紛 A、雙酚F及雙酚AD等的群組的至少一種雙酚衍生出的 雙盼型環氧樹脂、自表氣醇與苯酚酚醛及曱酚醛中的—種 酚醛或兩種酚醛衍生出的酚醛環氧樹脂、具有包含萘環的 骨架的萘系環氧樹脂、以及縮水甘油胺、縮水甘油醚、聯 笨、及脂環式等的於一個分子内具有兩個以上的縮水甘油 基的各種環氧化合物等。根據防止電遷移 (ele_migrati0n)的觀點’環氧樹脂較佳為使用 離子―）（g、Cr等）或水解性氣等減 以下的高純度品。 上述環氧樹脂中，由於可廣泛地獲得分子量不同的等 級（gmde) ’且可任意地對接著性或反應性等進行設定，
:氧==氧樹脂較佳。雙紛型環氧樹脂中，雙紛F 佳。㈣F型環氧樹脂的黏度低，藉由斑苯 氧基樹脂組合地使用，可容易且大範圍地對電路^接用接 201220976 38756pif =莫H流動性進行設定。又，鑛F型環氧樹脂亦具 的即，容易使電路連接用接著膜1G產生良好 作為（b)成分的環氧樹脂的環氧當量為2〇〇〜3〇 但更佳為3GG〜25GG，進而較佳為35G〜2_。若環 =足200 ’則不僅會導致膜固化之後的赵曲量變大二且 ;電路構件連接時’接著劑組成物4a有時會參出。另一方 面，若環氧當量超過3〇〇〇，則 ^ 向，即 接之後’電路構件與電路基板之間的密著力會下 八於電路基板為玻璃的情形時會顯著地表現出上述傾向尤 環氧ϋ二=依據jisk7236的方法來對環氧樹脂的 =利用_知的方法來合成，亦可作為市售= 产^對於總質量為刚質量份的接著劑組成物知而+， ===量較佳tf量份〜5g質量份，更佳為^ 刀 質里伤。於裱氧樹脂的調配量不足5質量份的 2對電路構件彼此進行壓接時，存在電路連: =10的流動性下降的傾向，於環氧樹脂的調配 接著祕下，#進行長娜料，存在電路連接ί 接者Μ 10發生變形的傾向。 咬钱用 作為（〇成分即潛錄固化劑，例如可崎 —糸、胺化醯亞胺及雙氰胺。可單獨地使用上述潛=性 15 201220976t 固化劑或可組合地使用兩m的上述潛伏性固化劑。而 且’亦可將潛錄·賴分解促鋪、_鮮加以組 合。再者，為了使可使用時間延長，較佳為利用聚胺酯系、 =系的高分子物質等來將潛伏㈣化财以包覆而實現 微膠囊化。 ;，對於100質量份的環氧樹脂而言，潛伏性固化劑的 調配量較佳為10質量份〜綱質量份，更佳為議質量份 = 150+質里份。藉此，於固化反應中，可獲得充分的反應 ::若/曰伏!·生固化劑的調配量不足1〇質量份，則無法獲得 ^分的反麟’從騎在難以獲得良好的接著·及連接 電阻的傾向。若潛伏性固化劑的調配量超過2GG質量份， =存在如下的傾向，例如電路連接用接著膜ig的流動性下 降’連接電阻上升，電路連接用接著膜1()的適用期（p〇t 又根據用途，接著劑組成物如例如亦可更含有軟化 劑、抗老化劑、阻燃劑、色素、觸變劑㈤論〇咖agen〇、 、及夕炫偶5劑（silane coupling agent)等的添力σ劑。 (導電性接著劑層） ，電性接著劑層3b中所含的接著劑組成物扑只要可 =為膜狀:且可於電路構件連接時抑制電路構件的變形 的桩!劑組成物4b可與絕緣性接著劑層3a中所含 =者:二a相同，亦可與該接著敝成物4a不同。 錢絕緣性接著綱3，流祕大於導電性 接者劑層3b㈣祕的m述成分_貞及調配量 201220976 38756pif 進行調整。 ，接著劑組餘4b中分散有導電粒子5。祕 ，用接著膜H)含有導電粒子5，因此，電路電^ ^ 同度的不均因導電粒子5的變形而被觸^ =可獲得更穩定的電性連接。又 接者膜10含有導電粒子5,因此，導 按用 作為如上所導餘子5，可列舉Au ^用^及焊錫等的金屬粒子或碳粒子等。根據獲得充分的 匕點，導電粒子5的最外層並非為见、&等的 類，較佳為Au、Ag、以及鈾金屬的貴金屬類， 想L 。又’導電粒子5可為利用Au等的貴全屬 i 等的過渡金屬類的表面予以包覆而成的導電粒 道―、可為#由包料來將上述金料料通層形成於非 的玻璃、喊（ceramie)、以及塑膠（細c)等且 將最外層設為貴金屬類的導電粒子。 為使祕純料料導通層形成於歸而成的 及，熱溶融金屬粒子作為導電粒子^上述粒子因加熱 :堅而具有變雜，因此’可使在連接時與電路電極發 生接觸的接觸面積增加，或可將電路構件的電路端子的厚 度不均予以吸收，從而可使電路連接的可靠性提高。子 1設置於導電粒子5的最外層的貴金屬類的包覆層的厚 度車又佳為ΙΟΟΑ以上。藉此，可充分地使所連接的電路之 17 201220976 •38O0pif 間的電阻減小。然而，於在Ni等的過渡金屬上設置責々 類的包覆層的情形時，該包覆層的厚度較佳為3〇〇Α^ 理由在於：由於在導電粒子5混合分散時產生的貴金脑 的包覆層的缺損等，Ni等的過渡金屬露出至接著劑祺中， 因此，由於該過渡金屬的氧化還原作用而產生游離、自由 基，從而使電路連接用接著膜1〇的保存穩定性下降。另— 方面’貴金屬類的包覆層的厚度的上限並無特別的， 但根據製造成本的觀點，較佳為1 以下。 導電粒子5的平均粒徑必須比藉由電路連接用接 1〇來連接的電路構件的相鄰接的電極的最小間隔更小，且 於電路電極的南度存在不均的情形時，上述導電粒子 =均粒徑較佳為大於該高度的不均。導電粒子5的平均粒 徑較佳為Ιμιη〜1〇μηι，更佳為2μιη〜5_。若平均粒役 2 1 μιη’則存在如下的傾向，即，無法對應於電路電極 、问度的不均且電路電極之間的導電性容易了降，若平均 =超過10卿’則存在相鄰接的電路電極之間的絕緣性 谷易下降的傾向。 ^者’上述「平均粒徑」是指以如下的方式所測定的 ，。亦即’利用掃描型電子顯微鏡（SEM( Seannmg mectr〇n 立ic^oscope) ’ Hitachi，Ltd.製造，產品名：s__)來對任 〜選擇的導電粒子的―:欠粒子進行觀察（倍率：獅〇 倍）’=該-次粒子的最大徑及最小徑進行測定。將該最大 =及最小徑的積的平方根設為上述粒子的—次粒徑。接 著針對50個任思地選擇的導電粒子，以上述方式來對一 18 201220976 38756pif 次粒徑進行測定’將—次練的平均值設為平均粒^ ^ ’亦同樣地對後述的（d)絕緣性粒子的平均粒徑^行^ 相對於總質量為1〇〇質量份的接著劑組成物仙而令， 導電粒子5的調配量較佳設為〇1質量份〜3〇質量份，。’ 佳設為G.1質量份〜2G f量份。藉此，可防止由過 電粒子5引起的鄰接電路的短路等。 絕緣性接著劑層3a及/或導電性接著劑層3b可更含 ⑷絕緣性粒子（以下，有時稱為「⑷成分」）。藉此， 膜固化之後的接著劑層内的内部應力進一步被緩和。再 者，絕緣性接著劑層3a更佳為含有⑷絕緣性粒子。 _作為如上所述的（d)絕緣性粒子，例如可列舉矽土、 氧化鋁等的無機粒子、或聚矽氧橡膠、甲基丙烯酸曱酯_ 丁一烯-笨乙烯（Methylrnethacrylate Butadiene Styrene， MBS)、丙烯酸橡膠、聚曱基丙烯酸曱酯、以及聚丁二烯 橡膠等。 又，作為（d)絕緣性粒子，除了上述粒子以外，例如 亦可列舉丙烯酸樹脂、聚酯、聚胺酯、聚乙烯丁醛、聚芳 酉曰、聚苯乙烯、丁腈橡膠（Nitrile Butadiene Rubber，NBr )、 苯乙稀-丁二烯橡膠（Styrene Butadiene Rubber，SBR)及 聚石夕氧改質樹脂等以及含有包含這些物質作為成分的共聚 ^的粒子。絕緣性粒子較佳為分子量為1〇〇萬以上的有機 微粒子或具有三維交聯構造的有機微粒子。此種絕緣性粒 子對於固化性組成物的分散性高。再者，此處所謂「具有 201220976 38756pif 三維^聯構造」，是表示聚合物鏈具有三維網狀構造，例 ° ’利用具有兩個以上的可與聚合物的反應點鍵*的官能 ==來對具有多個反應點的聚合物進行處二藉此 來獲付具有如上所述的構造的絕緣性粒子。分子量為丄⑼ =上的有機微粒子及具有三維交聯構造的有機^粒子較 佳為對於溶劑的溶解性均低。對於溶劑的溶解性低的上 粒子可更顯著地獲得上述效果。又’根據更顯著^ 獲付上述效果峨點，分子量為_萬以上的有機微粒子 及具有三維交聯構造錢齡子較佳為包含（Υ基)丙稀酸 烧基-聚石夕氧共聚物、聚魏_(甲基)丙埽酸共聚物或上述丘 聚物的錯合物的絕緣性粒子。又，例如亦可使用如日本^ 利特開纖·ι5〇573公報所揭示的聚醯細嫌子及聚酿亞 胺粒子等的絕緣性粒子作為（d)成分。 此外，亦可使用具有核殼（⑺代也⑷）型的構造且杪 層的組成與殼層的組成不_絕緣性粒子作為（d)成分: 作為核忒型的絕緣性有機粒子，具體而言可列舉以聚矽 丙稀酸橡膠作為核來對丙烯酸樹脂進行接枝所得的粒子; 及以，稀酸共聚物作為核來對_酸樹脂進行接枝所得的 粒子等。又，亦可使用如國際專利公開第2〇〇9/〇51〇67號 小冊子所揭示的核殼型聚魏微粒子、如國際專利公開第 2009/020005號小冊子所揭示的（曱基）丙烯酸烷基酯丁二 烯-苯乙烯共聚物或錯*物、（甲基)丙烯酸烧基__聚石夕氧共 聚物或錯合物及料氧_(Ψ基）⑽酸共⑽或錯合物^ 的絕緣性有機粒子、如日本專利特開2〇〇2_256〇37號公報 20 201220976 38756pif 所揭示的核设構造聚合物粒子、以及如日本專利特開 2004-18803號公報所揭示的核殼構造的橡膠粒子等。可單 獨地使用一種上述核殼型的絕緣性粒子，亦可組合地使用 兩種以上的上述核殼型的絕緣性粒子。再者，此種（d)絕 緣性粒子的平均粒徑較佳為0.01 μηι〜2 μιη左右。、 於導電性接著劑層3b含有（d)絕緣性粒子的情形時， 相對於總冑量為丨⑻㈣份的接著劑組成物4b而言，⑷ 絕緣性粒子及導電粒子5的合計繼量較佳為8 q質量份以 下’更佳為6〇 f量份以下。若絕緣性粒子及導電粒子的合 ^調配量超過8G質量份，則存在成膜性及對於電極的密著 性广於絕緣性接著劑層3a含有⑷絕緣 iJHa ^ ^ 1〇0 ° ()絕緣性粒子的調配量較佳為60質量份 ：；質:4 ΐ丨:似下。絲雜好_配^過 下降的里傾”向 及導餘子5雜電極的密著力 佳為14 μιη〜16 um。，僧二·^土巧—广…山 為3 μηϋ帅，更佳為5電性接著劑層3b的細 上所述的厚度，因&，^ μΐΏ〜1〇μΐη。由於各層具3 接可靠性保^良好。β使作紐、導餘子捕捉性石 二厚 ==;:厚度較佳為一 完全地將一間的空間;=:著力= 21 201220976 38756pif 於進行 若上述厚度超過40 μιη，則存在如下的傾向 壓接時，樹脂會溢出，從而污染周邊零件。 的混劑層&相關的包含接著劑組成物如 牝及導雷包早 妾著劑層3b相關的包含接著劑組成物 導餘子5的齡物分麟解或分散於有機溶劑來實 ί材持:塗佈液，將該塗佈液例如塗佈於剝離性 基材（支持膜）上，以固化劑的活性溫度以下的溫产來將 =:=，藉此’可形成絕緣性接著劑層仏及娜 盆他2形Ϊ絕ί性接著劑層％及導電性接著劑層儿的 他方法，可列舉如下的方法，即， 接著劑層3b的構成成分進行力二= 的活性溫度以下的溫度來將溶劑予 根據使接著聽成物4a及接著舰絲4b的溶解性 =的無，树使用㈣馳佳為芳香 氧系溶劑的混合溶劑…作為剝 ； =笨二酸6二醇醋 )、聚丙婦、聚乙婦、以及聚料的 =;一尤佳使用經表面處理而具有脫模性： 剝離性基材的厚度較佳為20_〜75卿。若該厚度不 足20剛’則存在如下的傾向，即，於進行臨日樣接時難 22 201220976 38756pif 用接右上述厚度超過75 μηι，則存在於電路連接 H彳雜歸之間產生馳賴的傾向。 沭方切I路連接用接著膜10的製法，例如可採用對以上 行層i 導電性接著劑層4b及絕緣性接著劑層4a進 ^眾所法、或料對各層妨_的方法 (Chi:„的電路連接用接著膜可用作覆晶玻璃 硬的其二/SS’C0G)等的安裝過程中的將玻璃等比較 二f與半導體元件料接合的異向導電性接著劑。 體元件^!於使電路連制接著财於㈣基板及半導 構件之間的狀態下進行加熱及加壓，將兩 2的=3電極彼此予以電性連接。此處，當使用有 =連情形時’可有效果地使用本實施形態 膜包將如下的接著膜用於電路連接用途’該接著 屛虚人=有接著劑組成物及導電粒子的導電性接著劑 曰/、3有⑽酿成物料含有導電 =料絕帽含嶋麻规含= 環氧#量為200〜_的環氧樹脂及（C)潛 2電^^1’ 電路料錢是於使第1電路電極及第 極相對向的狀態下’將在厚度為〇3mm以下的第 件成有第1電路電極的第1電路構 ”在尽度為0.3 mm以下的第2電路基板的主面上形 23 201220976 38756pif 成有第2電路電_第2電路構件予以電性連接。 度電 板的厚度的下限只要可維:各自： 幾械f生強度’則無問題’該下限較佳為GG5mm以上 佳為0.08 mm以上。 通常’於玻璃基板或半導體元件等的電路構件中設置 有夕個（有時亦可為單數）電路電極。相對向地對設置於 相對向地配置的電路構件的電路電極的至少—部分進行配 置’於使電路連接祕賴介於相對向地配置的電路電極 之間的狀態下進行加熱及加壓，藉此，可將相對向地配置 的電路電極彼此予以電性連接而獲得電路連接構造體。 如此，藉由對相對抗地配置的電路構件進行加熱及加 壓，相對向地配置的電路電極彼此藉由經由導電粒子的接 觸及直接接觸中的一種接觸方式或兩種接觸方式而電性連 接。 <電路連接構造體> 圖2是表示於一對電路構件即基板1與半導體元件2 之間插入有本實施形態的電路連接用接著膜1〇的積層體 200的模式剖面圖’圖3是表示對圖2所示的積層體200 進行加熱及加壓而獲得的本實施形態的電路連接構造體 100的模式剖面圖。 圖3所示的電路連接構造體100包括：於玻璃基板la (第1電路基板）的主面上形成有配線圖案（pattern) ib 24 201220976 JO / jopif (第1電路電極）的基板1 (第1電路構件）、於積體電路 (Integrated Circuit，1C)晶片（chip) 2a (第 2 電路基板） 的主面上形成有凸塊（bump)電極2b (第2電路電極）的 半導體元件2 (第2電路構件）、以及介於基板1及半導體 元件2之間的電路連接用接著膜1〇的固化物如及固化物 6b (連接部）。於電路連接構造體1〇〇中，配線圖案11}及 凸塊電極2b於相對向地配置的狀態下電性連接。 此處’配線圖案lb較佳為由透明導電性材料形成。典 型而言’將銦錫氧化物（Indium Tin Oxide，IT0)用作透 明導電性材料。又，凸塊電極2b由具有可作為電極而發揮 功能的程度的導電性的材料（較佳為選自包含金、銀、錫、 翻族的金屬及ITO的群組的至少一種材料）形成。 於電路連接構造體100中，相對抗的凸塊電極2b及配 線圖案lb彼此經由導電粒子5而電性連接。亦即，導電粒 子5與凸塊電極2b及配線圖案lb均直接發生接觸，藉此 來將凸塊電極2b及配線圖案lb予以電性連接。 對於電路連接構造體100而言，由於藉由電路連接用 接著膜10的固化物6a及固化物6b來將基板1與半導體元 件2予以接合，因此，即便當電路構件的厚度薄（〇.3mm 以下）時，亦可充分地抑制基板1的鍾曲，且可獲得優異 的連接可靠性。 ' 如上所述的電路連接構造體100可經由如下的步驟來 亦即，可藉由如下的製造方法來製造上述電路連接 構造體1GG，該製造方法包紗下的倾：使本實施形態 25 201220976 38756pif 的電路連接用接著膜介於一對電路構件之間而獲得積層 體α亥#電路構件包括在厚度為〇 3 以下的玻璃基 板la (第1電路基板）的主面上形成有配線圖案 電路電極）的基板i (第！電路構件）、及在厚度為〇 3麵 以下的1C曰曰片2a (第2電路基板）的主面上形成有凸塊 電極2b(第2電路電極）的半導體元件2(第2電路構件》 以及對積層體進行加熱及城而使電路連接用接著膜固 化’猎此來形成連接部，該連接部介於—對電路構件之間， 地配置的配線圖案1b (第1電路電極)與凸 ? 電路電極）電性連接的方式，將-對電路 構件彼此予以接著。 <電路構件的連接方法> ，由如下的方法來獲得電路連接構造體1〇〇，即於 :::案lb及凸塊電極孔相對向地配置的狀態下，對 土板la的主面上形成有配線圖案比的基 面上形成有凸塊電極2b的半導體元件2 Vi、基板1及半導體元件2之間 ·=加熱及加壓，將配線圖案lb及凸塊電極:= 上述方法可準備以如下的方式 =气上的狀態下進行加熱及加壓，對電 “ 準電路電極’-面將半導體元件2放置於該電Ϊ;極： 26 201220976 38756pif
根據電路連接用接著膜1G中的接著劑組成物 電路連接用接著膜1〇及半導 著劑組成物4b的固化性等， 4a及接
時，亦可抑織路構件_曲，且可€得良好的連接可靠 適當地調製對上述積層體200 電路連接用接著膜10固化之 [實例] 以下，列舉實例來更具體地對本發明進行說明。然而’ 本發明並不限定於這些實例。 (1)電路連接用接著膜的準備 如下所述，準備用以製作導電性接著劑層及絕緣性接 著劑層的各材料。又’稱量出約10 mg的各個成膜材料， 利用TA Instruments公司製造的DSC裝置（產品名：Q i 〇〇〇 ) 且依據JIS K7121-1987的規定來對成膜材料的Tg進行測 定。再者，以依據JISK 7236的方法來對環氡樹脂的環氧 當量進行測定。 (a) 成分：成膜材料 「FX-316」（東都化成（Tohto Kasei)製造，產品名）. 苯氧基樹脂（Tg : 66°C) (b) 成分：環氧當量為200〜3000的環氧樹脂 27 201220976 38756pif 「Epicoat872」（日本极氧樹脂（japan Ep0Xy Resins) 製造，產品名）：可撓性環氧樹脂（環氧當量為600〜7〇〇) 「Epicoat4004P」（日本環氧樹脂製造，產品名）：雙 酚F型環氧樹脂（環氧當量為880) 「EXA-4816」（DIC製造’產品名）：柔軟性環氧樹脂 (環氧當量為403) 「EXA-4822」（DIC製造，產品名）：強韌性環氧樹脂 (環氧當量為385) 「EXA-4850-150」（DIC製造，產品名）：柔軟性環氧 樹脂（環氧當量為450) (b) ’成分：（b)成分以外的環氧樹脂 「YL-980」（日本環氧樹脂製造，產品名）：雙酚a型 環氧樹脂（環氧當量為180〜190) 「YL-983U」（日本環氧樹脂製造，產品名）：雙酚ρ 螌環氧樹脂（環氧當量為165〜175) 「Epicoatl032H60」（日本環氧樹脂製造，產品名）： 酚醛型環氧樹脂（環氧當量為163〜175) 「EXA-4710」（DIC製造，產品名）：高耐熱環氧樹脂 (環氧當量為170) 「Epicoatl256」（日本環氧樹脂製造，產品名）：苯氧 基型環氧樹脂（環氧當量為7500〜8500) (c) :潛伏性固化劑 「Novacure」（旭化成化學（Asahi Kasei Chemicals) 製造，產品名） 28 201220976 38756pif (d):絕緣性粒子 「X-52_7030」（信越石夕利光（Shin-Etsu Slicone)製 造，產品名）：聚矽氧微粒子 (導電粒子） 「Micropearl AU」（積水化學製造，產品名） (添加劑） 「SH6040」（東麗道康寧（Toray Dow Corning)製造， 產品名）：矽烷偶合劑 (實例1) <導電性接著劑層> 將30質量份的苯氧基樹脂「FX-316」、10質量份的環 氧樹脂「Epicoat872」及10質量份的「Epicoat4004P」、3〇 質量份的潛伏性固化劑「Novacure」以及1質量份的石夕燒 偶合劑「SH6040」溶解於1〇〇質量份的曱苯之後，添加19 質1：份的導電粒子「Micropearl AU」，調製出導電性接著 劑層形成用塗佈液。 使用塗佈裝置（（股）康井精機公司製造’產品名：精 密塗佈機）來將上述塗佈液塗佈於單面（塗佈有塗佈液的 面）已被施以脫模處理（中剝離處理）的厚度為5〇μιη的 Τ膜以70 C來進行10分鐘的熱風乾燥，藉此，於pet 膜上形成厚度為1〇 μίη的導電性接著劑層。 <絕緣性接著劑層> 一士將50質量份的苯氧基樹脂「FX-316」、28質量份的環 氧樹脂「EpiC0at872」、18質量份的潛伏性固化劑 29 201220976 ^8/5bpif 「Novacure」及1質量份的矽烷偶合劑「SH6040」溶解於 100質量份的作為溶劑的曱苯之後，添加3質量份的聚矽 氧微粒子「X-52-7030」，調製出絕緣性接著劑層形成用 佈液。 與上述同樣地，使用塗佈裝置（（股）康井精機公司製 造，產品名：精密塗佈機）來將上述塗佈液塗佈於單面 被施以脫模處理的厚度為5〇 μηι的pET膜以兀它 打10分鐘的熱風乾燥，藉此，於PET膜上形 Λ 的絕緣性接著劑層。 心子度為15帅 <電路連接用接著臈〉 面以5〇C來對上述所獲得的導電性 緣性接著劑層進行加熱，一面利用輥層壓者=絕 lammator)來進行層壓，釋 成（r〇ller 接著膜。 ^獲仔居度為25师的電路連接用 (實例2〜實例5及比較例1〜比較例5) 以表2所示的調配比例（質量份）來添加 製絕緣性接著劑層形成用塗佈液，除此以外，ίυ 同樣地進行操作來製作電路連接用接著膜。，、貫例1 201220976 iS756pif [表2] 成分 絕緣性; 妾著劑層 導電性接 著劑層 實例 比較例 1 2 3 4 5 1 2 3 4 5 (a) FX-316 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 30 (b) Epicoat872 28 - - - - - - - - - 10 Epicoat4004P - 28 - - - - - - - - 10 EXA-4816 • - 28 - - 爭 - - - - - EXA-4822 • • - 28 - - - - - - - EXA-4850-150 • - - 28 - - - - - - ⑻， YL-980 • - - - 28 - - - - - YL-983U _ • - - - - 28 - - - - Epicoatl032H60 _ _ - - - - - 28 - - - EXA-4710 • _ - 28 - - Epicoatl256 - _ - 28 - (c) Novacure 18 18 18 18 18 18 18 18 18 18 30 ⑷ X-52-7030 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 - Micropearl AU . _ - - - - - - - - 19 SH6040 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 (2)電路連接構造體的製作 <基板及半導體元件的準備> 準備於玻璃基板（康寧（Corning) #1737 ’ 38 mm><28 mm，厚度為 0.3 mm)的表面形成有 ITO( Indium Tin Oxide) 的配線圖案（圖案寬度為50 μιη，電極之間的空間為5 μιη) 的基板。準備1C晶片（外形為17 mm><17 mm，厚度為〇,3 mm，凸塊的大小為50 μηιχ50 μιη，凸塊之間的空間為50 μηι，凸塊高度為15 μιη)作為半導體元件。 <基板及半導體元件的連接> 使用上述實例及比較例中所製作的電路連接用接著 膜，以如下所示的方式來將1C晶片與玻璃基板予以連接。 再者，將由包含陶瓷加熱器（ceramic heater )的平台（stage ) 31 201220976 (150 mmxl50 mm)及工具（3醒，画）構成的加熱 塵接件用於連接。 首先將電路連接用接著臈（1.5 mm><20 mm)的導電 性接著2劑層上的PET膜予以剝離，於8。。。、。98 Mpa ( 1〇 kgf/cm )的條件下進行2秒的加熱及加壓，藉此來將導電 性接著劑層面貼附於麵基板。接著，將電路連接用接著 膜的絕緣性接著劑層上的pET膜予以剝離，使ic晶片的 =塊=玻璃基板對準之後，於電路連接用接著膜的實測最 皿度為19(>C及凸塊電極面積換算壓力為7QMPa ί 自1C晶片上方進行1G秒的加熱及加壓，將絕 附於1c晶片，經由電路連接用接著膜來對 日日片〃玻璃基板進行主連接。 (3)評價 (成膜性） 膜二==¾接=的成 中T易碎裂、不易黏連。將成膜性的評價3 A:可形成膜 B :無法形成膜 (翹曲） 圖4是表示玻璃基板的翹曲的 圖。圖4所示㈣路連接構造體1(^由mi剖面 元件2及將基板丨與半導體元件2予以接^已固化= 32 201220976 38756pif 路連接用接著膜1G構成。L表示當將半導體元件2的中心 的基板1的下表面的高度設為〇時，直至與半導體元件2 的中心相隔12.5 mm處為止的基板}的下表面的高度中的 最大值。以L為指標來對翹曲進行評價。[的值越小，則 表示翹曲越小。將L的值不足15 μιη的情形設為「A」，將 L的值為15 μηι以上的情形設為「Β」，以兩個階段來進行 評價。將翹曲的評價結果表示於表3中。 又，使電路連接構造體的製作過程中的玻璃基板及扣 晶片的厚度分別自0.3 mm變更至〇·5 mm ,按照與上述相 同的順序，使用上述實例及比較例所製作的電路連接用接 著膜來進行連接，製作接合體。對所獲得的接合體的翹曲 進行評價之後’接合體的翹曲均不足15 μιη。 (連接可靠性） 使用已製作的電路連接構造體來對玻璃基板的電路與 半導體元件的電極之間的電阻值進行測定。使用萬用電錶 (multimeter)(裝置名：MLR2卜ETAC公司製造），於溫 度為85°C，濕度為85%RH的1000小時的熱濕度測試
(Thermal Humidity Test，THT)之後進行測定。基於 THT 測試之後的電阻值且依據以下的基準，以A或B該兩個階 段來對連接可靠性進行評價。將各電路連接構造體的測定 結果表示於表3中。 A :不足10Ω B : 10 Ω以上 33 201220976 [表3] 環氧當量 (g/eq.) 成膜 性 龜曲（μιη ) 厚度為0.3 mm 的基板 連接可靠 性
本發明的電路連接用接著膜即便當 現出優異的特性 此，接時，成膜性、趣曲及連接== =本發明已啸佳實施_露如上，然其並非 本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 34 201220976 38756pif 【圖式簡單說明】 膜的Ξ式本發明的一個實施形態的電路連接用接著 電路有顺態的 圖。圖3是表示本實施形態的電4:造體的模式剖面 β。圖4是表示玻璃基板_曲的評價方法的模式剖面 【主要元件符號說明】 1:基板 la:玻璃基板 ib :配線圖案 2:半導體元件 2a : 1C晶片 2b :凸塊電極 3a :絕緣性接著劑層 %:導電性接著劑層 4a、4b :接著劑組成物 5:導電粒子 6a、6b :固化物 W:電路連接用接著膜 100 :電路連接構造體 2〇〇:積層體 L:高度的最大值 35

Claims (1)

  1. 201220976 38756pif 七 申請專利範圍： L 一種電路連接用接著膜，包括： 及 導電性接著劑層，含有接著劑纽成物及導電粒子；以 子 絕緣性接著劑層，含有接著劑組成物且不含有導電粒 々述絕緣性接著劑層中所含有的上 含U)成膜材料、（b)環氧合 者知丨、、且成物包 及⑷潛伏性固化劑 置為2〇0〜3000的環氧樹脂 上述電路連接用接著膜用於在使 電路電極相對向的狀態下，將第 亟^第2 件予以電性連接，其中上述第！電路構^^\2電路構 以下的第！電路基板的主面上形成有上^^為〇‘3職 上述第2電路構件在厚度為G 3咖以下 2電極， 的主面上形成社述第2電路電極。 電路基板 2.如申請專利範圍第〗 其中上述導電性接著劑声$ Ύ C 、接用接著膜， 有⑷絕緣性粒子㈣層及/或上述絕緣性接著劑層更含 3. —種電路連接構造體，包括： 第！電路構件，在厚度為们咖 板的主面上形成有第】電路電極； 下的第】電路基 第2電路構件，在厚度為〇3麵 板的主面上形成有第2 f路電極c電路基 置為與上述第i電路電極 電路電極配 对向上衫2電路電極與上 36 201220976 38756pif 述第1電路電極電性連接；以及 之間 連接邛，；I於上述第1電路構件與上述第2電路構件 上述連接部為如申請專利範圍帛1項《第2項所述之 電路連接用接著膜的固化物。 .4. 一種電路連接構造體的製造方法，包括如下的步 驟： 接二:請::範圍第1項或第2項所述之電路連接用 於—對電路構件之間而獲得積層體，上述-對電 =包括第1電路構件與第2電路構件，其中上述第！ 形成：t度為Μ麵以下的第1電路基板的主面上 成有迷第1電路電極，上述第2 =的第2電路基板的主面上形成有上述/2度電= 著膜:====== 與電=路;=:::rr第；電路電極 件彼此予以接著。連接的方式，將上述—對電路構 5_ —種電路構件的連接方法，包括： 能下於^ ί :路電極與第2電路電極相對向地配置的狀 態下，對心電路構件、第2電路構件 1電路構件及上述第2電路構件-;上述第 Μ 項或第2項所狀電路辆 +/、㈣專魏圍第1 状電路連接用接者膜進行加熱及加壓 37 201220976 / J 極與4第2電路電極料電性連接，1 板的主面上形成有上電路基 在厚度為0.3 mm電極’上述第2電路構件 述第2電路電i 、第2電路基板的主面上形成有上 括 及 子 6·-種接著臈的用於電路連接的使用，上述接著膜包 導電f生接著劑層，含有接著劑組成物及導電粒子；以 絕緣性接著劑層，含有接著劑組成物且不含有導電粒 著劑層中所含有的接著劑組成物包含 ⑷潛伏性固化劑，％乳當量為獅〜3_的環氧樹脂及 的用於電路連接的使用是在使第1電路電 極及第2電路電極相軸的絲下， =構件予《輯接，料增第 為0.3 mm以下的第1電路基板的主面 ^ 電”極，上述第2電路構件在厚度為。3二： 電路基板的主面上形成有上述第2電路電極。 第 7.如申料概圍第6項·之接著料用於 接的使用，其中上述導電性接著劑層及/或 = 劑層更含有（d)絕緣性粒子。 H祕接者 38
TW100120407A 2010-06-14 2011-06-10 電路連接用接著膜及其用途、電路連接構造體及其製造方法、以及電路構件的連接方法 TWI554162B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010135312 2010-06-14
JP2011111532A JP5485222B2 (ja) 2010-06-14 2011-05-18 回路接続用接着フィルム、これを用いた回路接続構造体及び回路部材の接続方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201220976A true TW201220976A (en) 2012-05-16
TWI554162B TWI554162B (zh) 2016-10-11

Family

ID=45777312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100120407A TWI554162B (zh) 2010-06-14 2011-06-10 電路連接用接著膜及其用途、電路連接構造體及其製造方法、以及電路構件的連接方法

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP5485222B2 (zh)
KR (1) KR101380066B1 (zh)
TW (1) TWI554162B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6218354B2 (ja) * 2012-01-06 2017-10-25 積水化学工業株式会社 絶縁材料、多層フィルムの製造方法、積層体の製造方法、接続構造体及び接続構造体の製造方法
KR20210144651A (ko) * 2019-03-27 2021-11-30 린텍 가부시키가이샤 열경화성 수지 필름, 제1 보호막 형성용 시트, 키트, 및 제1 보호막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법
JP2020077644A (ja) * 2020-01-29 2020-05-21 デクセリアルズ株式会社 熱硬化型異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体
KR102428505B1 (ko) * 2020-09-04 2022-08-02 신화인터텍 주식회사 커버레이를 포함하는 광원 모듈, 커버레이용 필름 세트 및 광원 모듈의 제조 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01121385A (ja) * 1987-11-05 1989-05-15 Shinko Kagaku Kogyo Kk 電子部品接合用接着フィルム
JP3075742B2 (ja) * 1990-11-27 2000-08-14 住友ベークライト株式会社 異方導電フィルム
JP3862090B2 (ja) * 1995-05-22 2006-12-27 日立化成工業株式会社 半導体チップの接続構造及びこれに用いる配線基板
JP4378788B2 (ja) * 1999-05-21 2009-12-09 日立化成工業株式会社 Ｉｃチップの接続方法
JP2009013416A (ja) * 2003-01-07 2009-01-22 Sekisui Chem Co Ltd 硬化性樹脂組成物、接着性エポキシ樹脂ペースト、接着性エポキシ樹脂シート、導電接続ペースト、導電接続シート及び電子部品接合体
JP4846406B2 (ja) * 2006-03-28 2011-12-28 リンテック株式会社 チップ用保護膜形成用シート
JP5200744B2 (ja) * 2008-08-01 2013-06-05 住友電気工業株式会社 接着剤およびこれを用いた電極接続方法
CN102204420B (zh) * 2008-11-06 2013-11-13 住友电木株式会社 制造电子器件的方法及电子器件
JP4897778B2 (ja) * 2008-11-20 2012-03-14 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 接続フィルム、並びに、接合体及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI554162B (zh) 2016-10-11
KR20130051462A (ko) 2013-05-20
JP2013211561A (ja) 2013-10-10
JP2012023338A (ja) 2012-02-02
KR101380066B1 (ko) 2014-04-01
JP5485222B2 (ja) 2014-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI485225B (zh) 接著片及半導體裝置的製造方法
JP3904798B2 (ja) 異方導電性ペースト
TW200417576A (en) Curing resin composition, adhesive epoxy resin paste, adhesive epoxy resin sheet, conductive connection paste, conductive connection sheet, and electronic component joined body
TWI455152B (zh) 電路連接用接著膜及其用途、電路連接構造體及其製造方法、以及電路構件的連接方法
KR20010043982A (ko) 이방 도전성 페이스트
TW200810063A (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
TW201012893A (en) Dual side adhesive film and electric part using the same
TW200910488A (en) Anisotropic electroconductive film, and process for producing connection structure using the same
TW200951201A (en) Circuit connection material, circuit member connection structure, and manufacturing method thereof
JP6237855B2 (ja) 接着フィルム、回路部材の接続構造及び回路部材の接続方法
TW201204801A (en) Adhesion film for connecting circuit and usage thereof, circuit connection structure and manufacturing method thereof, and connecting method of circuit member
TW201220976A (en) Adhesion film for connecting circuit and usage thereof, circuit connection structure and manufacturing method thereof, and connecting method of circuit member
KR101840087B1 (ko) 수지 필름
JP5206840B2 (ja) 回路接続用接着フィルム、これを用いた回路接続構造体及び回路部材の接続方法
TWI452103B (zh) 電路連接用接著膜及其用途、電路連接構造體及其製造方法、以及電路構件的連接方法
KR101313972B1 (ko) 회로 접속용 접착 필름 및 그의 용도, 회로 접속 구조체 및 그의 제조 방법 및 회로 부재의 접속 방법
KR20110136731A (ko) 회로 접속용 접착 필름 및 그의 용도, 회로 접속 구조체 및 그의 제조 방법 및 회로 부재의 접속 방법
TW200815560A (en) Film-shaped adhesive for circuit connection
KR20110136730A (ko) 회로 접속용 접착 필름 및 그의 용도, 회로 접속 구조체 및 그의 제조 방법 및 회로 부재의 접속 방법
KR20110136732A (ko) 회로 접속용 접착 필름 및 그의 용도, 회로 접속 구조체 및 그의 제조 방법 및 회로 부재의 접속 방법