TW201220517A - The method for forming the contact pattern on the solar cell surface - Google Patents

The method for forming the contact pattern on the solar cell surface Download PDF

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201220517 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種在太陽能電池表面形成金屬電極的 方法,特別是指在太陽能電池吸光面形成電極的方法。 【先前技術】 近年來,由於環保意識的抬頭和其他能源逐漸的枯 竭,使得世界各國開始重視再生能源的利用。由於太陽光 是取之不盡,用之不竭的天然能源,除了沒有能源耗盡的 問題之外,也可以避免能源被壟斷的問題。 然而,目前太陽能電池的光電轉換效率以及其製造成 本,還未滿足取代目前石化能源的條件,因此,如何增加 太陽能源的收集與利用,以降低對石化能源的依賴,是目 前最熱門的研究課題之一。 請參考圖1A〜1G,為習知的太陽能電池吸光面製程的 剖面示意圖。首先提供一半導體基材1,經過清洗後,將 晶圓表面的雜質及污染物去除,如圖1A。接著,以酸液將 基材1表面蝕刻成粗糙面,降低入射光之反射率,使入射 光能得以充分利用,如圖1B。 接著請參照圖1C,一 P型半導體基材1,在一含氧氣 氛導入含N型導電性雜質的氣體,例如P205、PH3或PF3 之退火爐管進行雜質擴散製程,以形成一摻雜層10於P 型半導體基材1上,產生光電轉換效應所需的P-N介面。 與此同時,在N型區域10表層也會同時形成一磷的氧化 層16(P2〇5),因此,在下一步驟中,需再以银刻移除。否 201220517 則以後縯製程形成電極後,會增加電極與摻雜層1 〇的串 聯電阻.,如圖1 D所示。 接著’請參照圖1Ε ’為了提高光的轉換效率,一層抗 反射層13被形成於摻雜層10上,緊接著在圖ip中顯示 利用一刮板16以網印方式將金屬漿料14印製於預定位 置。其中,太陽能電池吸光面的電極圖案包括相互垂直的 匯流排(bus bar)及柵線(grjd line)。 習知技術中是利用網印方式,將匯流排(busbar)及柵 線(grid line)圖案一次印刷於太陽能電池吸光面,最後,以 燒結方式,使金屬浆料14穿透正面抗反射層13並參入半 導體基材1表層的摻雜層10緊密結合,以形成電極來使 電流導出,如圖1G所示。
印刷電極所使用的金屬漿料14必須具有以下特點, 包括:⑴需在燒結製財能夠穿透抗反射層13,和半導 體形成歐姆接觸;(2)除了金屬本身f具有㈣阻之外,禾 成歐姆接觸後,也需要具有低電阻及良㈣ 拇線線寬僅有6〇至12〇_,因此,金 於印刷,避免印刷時發生斷線的情況;(4 於太陽能電池表面時,能夠形成厚度(h: j線見(L)細的柵線電極,也就是高寬比(h/L)值較大的電 極線’以降低遮光效岸及全屬太I 的將枓目士 屬本身㈣阻值,所以,塗佈 的水枓而要具有足夠的内聚力;(5)當 廠焊導線時,係將導魂點煜於兩士祕%月匕日曰片达到杈組 阻值必須^流排,因此匯流排要求電 前所選用的金屬漿料至少 由二部份組成,包括銀 201220517 粉、棚石夕酸錯玻璃介質(lead borosilicate glass frit)及有機 物。其中’棚石夕酸錯玻璃介質(leadb〇r〇SHjcateg|assfrjt) 就疋在進行後續燒結製程時,用來穿透抗反射層,使銀可 以和石夕形成良好的歐姆接觸。 然而,此種含有硼矽酸鉛玻璃介質成分的金屬漿料的 4貝格叩貝,增加成本上的負擔。並且,由於匯流排的線寬 大約2至3 mm,所使用的金屬漿料較多,導致在燒結過 程中,金屬漿料除了穿透抗反射層之外,也容易穿透太陽 能電池内部P/N介面,造成短路,嚴重損害太陽能電池的 光電轉換效率。除此之外,匯流排本身的電阻值也會因為 含有棚矽酸鉛玻璃介質而增加,影響點焊導線效果。 請參照圖2A至2卜在美國專利公告號第5726065號 中,提供一種分兩步驟形成太陽能電池吸光面電極的製程 方法,在網印柵線及匯流排時,皆不使用含玻璃介質成分 的銀膠。圖2A至圖2C中,形成摻雜層2〇及二氧化矽層 21後,請參照圖2D,先在預定形成柵線的位置,網印一 主要由二氧化鈦及丁基卡必醇(buty丨carblt0|)組成的罩冪 膠22。接著’形成一抗反射層23於其上,如圖2E。再將 其浸泡於一有機溶劑中,使塗佈罩冪膠22的部份連同抗 反射層23 —併被移除’在預定塗佈柵線的部份形成柵線 圖案開口 24,裸露出二氧化矽層21。之後,再以抗反射 層23為罩冪’移除柵線圖案開口 24中的二氧化石夕層21, 如圖2F。圖2丨’在太陽能電池基板2背面形成另一摻雜 層8及背電極9之後燒結。 圖2G的製程即表示以網印方式將銀膠25塗佈於柵線 圖案開口 24内,以在後續製程中形成栅線電極線25,此 201220517 後,圖2H顯示同樣以網印方式塗佈銀膠26,以在後續燒 結製程中形成藤流排電極線26。 習知技術所採用的方式,雖然可以不使用具有玻璃介 質的金屬漿料,但製程繁瑣,包括需要先使用罩冪膠,再 利用化學蝕刻液將罩冪膠及抗反射層同時移除,以創造出 柵線圖案開口。另外,將銀膠塗佈於柵線圖案開口中時, 也牽涉到網印過程中,銀膠是否對準柵線圖案開口的問 題’增加整體製程的困難及複雜度。
因此,如何降低整體製程成本,並保證在燒結過程中, 太陽能電池内部的P/N介面不會被金屬漿料蝕穿,又能改 善導線點焊於匯流排電極的狀況,使導 = 好的電性接觸,同時又不致增加製程的複雜度=難^更 為本發明所欲解決的問題。 【發明内容】 有#於上述課題,本發明之目的係提供 電池表面形成金屬電極的方法,包括 的半成品,半成。括.拎供—太陽能電池基板 池基板已峰結構化(texturjng)、 :的,電 層’並於摻雜層之上形成-抗反射層;將一第形:;將摻雜 以網印方式印製於抗反射層表面,形:漿料’ 層的玻璃介質包含用來穿透該抗反射 射層表面,:成;=屬聚h料,印方式印_ 的成/刀不包㈣來f透抗反射層 口〜金屬聚料 巧"貝,及施以一燒 201220517 結製程,以使第一及第二金屬漿料分別形成栅線及二匯流 排,其中僅有苐一金屬聚料穿透抗反射層,和掺雜層形成 歐姆接觸。: /曰 其中,第二金屬漿料被網印於太陽能電池基板表面形 成二匯流排時,二匯流排的厚度大約1〇至2〇 並且, 第一及第二金屬漿料的成分皆包括導電金屬粉末及有機 物。 另外在太陽此電池基板吸光面形成二匯流排後,於 太陽能電池基板背面以網印方式形成背電極。 、 本發明所提供的另—種方法是,係先將第二金屬裝料 網:基板吸光面,以形成二匯流排,再將第 一金屬㈣網印於太陽能電池基板吸光面,以形成栅極。 ㈣Ϊ f1線及Γ匯流排分兩步驟被印製於太陽能電池基 八二盥兮:::5周整刮板行進的方向,使刮板行進的方向 刀別/、該些柵線及二匯流排平行。 而選以不含有玻璃介質成分的聚料, 法可以使太陽能電池二二太本發明所提供的方 排的導電性也能因成本降低,同時’匯流 因應匯她有所限::。柵線的高寬比(h/L)也不需再 高。並且劍使太%能電池光電轉換效率提 且,仏間便不複雜,適於太陽能電池量產。 【實施方式】 為使本4明之上述目的、特徵和優點能更明顯易 8 201220517 懂,下夂依本發明在太陽能電池吸光面 特舉較隹實施例,並配合所附相關圖式,^^極的方法’ 其中相同的元件將以相同的Μ符號加:^㈣如下’ D月參照圖3,為本發明所提供一藉 形成金屬電極的紐之流程圖。首先= 太陽能電池基板3已分別完成清潔及中顯不
亚經過擴散製程,形成-導電性雜質摻雜展3。,:^面 = 層的3録之後’於太陽能電池基板3的表二形成 陽能電池吸光面形成複數條栅 柵線和匯流排的需求不同’本發明所提供的方法 :’除了將栅線和匯流排分成兩步驟來印製之外,並選擇 使用不同的金屬漿料。 、睛參照圖3F,利用-刮板36將―第—金屬聚料34 乂、周印方式印製於太陽能電池基板3的吸光面,形成複數 條栅線(grid丨ines)。為了在後續的製程中,第一金屬漿料 34要能夠穿透抗反射層33 ’並和太陽能電池基板3的捧 雜=3〇形成良好的歐姆接觸。第—金屬衆料34至少包括 =電金屬粉末、玻璃介質粉末' 有機物、添加劑或溶劑混 合而成’其中的玻填介質粉末即是用來穿透抗反射膜33 的主要成分。 由於第一金屬漿料34會具有一定的流動性以利於網 版印巧’為了避免印刷後圖案被破壞,在印刷栅線後,透 過乾燥爐將太陽能電絲板烘乾,以將有揮發㈣添加劑 201220517 及溶劑蒸發掉,讓電極可凝固。本發明實施例中,第一金 屬漿料34的導電金屬粉末是選自選自銀、鋁、銅、鈦、 金、錄及其任意混合所組成的群組其中之一種’玻璃介質 粉末是選自硼矽酸鉛玻璃介質,而烘乾溫度大約15〇至 25(TC。
接著’請參照圖3G,同樣以刮板36將一第二金屬聚 料35以網印方式印製於該太陽能電池基板的吸光面,形 成二匯流排(bus bars)。在完成匯流排的印刷後,同樣需 要透過乾燥爐,將太陽能電池基板烘乾。 與前述的柵線不同的是,匯流排電極線不要求一定要 和太陽能電池基板3的摻雜層30形成良好的歐姆接觸, 而是要求電阻值越低越好,以利於模組廠焊接導線。因此, 在本,明中,用來印製匯流排的第二金屬漿料35不包括 用來穿透抗反射層33的玻璃介質成分,可以大幅降低匯 流排=極線的電阻值。在本發明實施例中,第二金屬漿料 的成分包括導電金屬粉末、有機物、添加劑和溶劑,其中 ίIff粉末可選自銀、鋁、銅、鈦、金、鎳及i任ΐ混 θ所、、且成的群組其中之一種。 另一方面,第二金屬漿料35的成本會低於第一金屬漿 料34且匯流排的面積總和及柵線的面積總和,比值大約 ^ 1 : 2,因此,至少有1/3的區域可以選用成本較低,但 導電度較高的第二金屬漿料來印製。相較於習知技術中, 才:用~欠印刷的製程來說,針對每一片太陽能電池的製 程’β,發明可以節省超過10%的成本,更有利於大量生產 太陽能電池。 201220517 此外,針對柵線來說,考量到電極本身 遮蔽損失的平衡’要求電極線 失與= 提高,但針對匯流排而言,線寬細造需相對 模組廠在焊接導線時不易操作。然而,象反:使 金屬漿料仍具有玻璃介質成份,因此極線的 求與以優化。 套依各自的特性要 和匯月/,由於桃極及匯流排分成兩次印刷,柵線 見比㈣—⑽具有可以增加的空間;而匯 相較於習知的‘= 電性。並且’匯流排電極線的厚度縮減後, 降低更多f #成本’連㈣也使太陽能電池的製程成本 失昭本Ξ發列中,拇線和匯流排是相互垂直的直線。請 網;圖犯’分別為圖3F及犯中所使用的第一 二版41之上視圖。圖4A的第-網版4〇, 八 疋开)成複數條柵線之圖案400,圖4B的楚-姻 版41,僅具有預定形成匯流排之圖案.在印 匯流排時,軸的行進方向分別如圖4A= = 4B之箭頭B所示。 ^頌A及圖 #用由f f知技術中,印刷電極線所使用的網版為耗材,在 2〇_/vHi ’就必彡貝线、網版。而目前在業界 ^也生產線為例,太陽能電池的生產量是每天拾 11 201220517 數萬片,每日即須更換網版近十次。長久累積下來,網版 所耗費的成本也非常大。因此,在本發明實施例中,印刷 柵線時,刮板36的行進方向A和柵線圖案開口 400平行, 而進行匯流排的印刷之前,需要先調整刮板36的行進方 向或是使太陽能基板轉動90度,使刮板行進方向B與匯 流排圖案開口 410平行,可延長每一片網版的壽命,進而 降低成本。 當然,在另一實施例中,也可以先將第二金屬漿料35 網印於太陽能電池基板3吸光面,以形成二匯流排,再將 第一金屬漿料34網印於太陽能電池基板吸光面,以形成 柵極。但是此種印刷方式,會使柵線重疊於匯流排上方, 在燒結過程中,第一金屬漿料内所含有的玻璃介質成分, 可能會影響匯流排之導電度,所以,較佳的作法仍是先完 成柵極的印刷之後,再印刷匯流排電極線。但上述兩種製 程方法相較於習知技術而言,都可以使製程成本大幅降 低,並且,使太陽能電池電極線的電性更好,提升太陽能 電池光電轉換效率。 請爹照圖3 Η,太陽能電池基板3在匯流排印刷完成並 經過乾燥爐烘乾後,同樣以網印方式於太陽能電池基板背 面形成背電極37及塗佈铭漿38。 最後,請參照圖3卜施以一燒結製程,以使第一及第 二金屬漿料35形成電極,其中僅有第一金屬漿料34穿透 抗反射層33,和太陽能電池基板3的摻雜層30形成歐姆 接觸。 本發明所提供之在太陽能電池表面形成電極的方法具 12 201220517 有下列優點: (1) 製程方法不複雜,並且,降低整體製程成本。由於 匯流排選擇不含有玻璃介質成分的金屬漿料,匯流 排電極線的厚度也可以降低,節省材料之使用。此 外,再配合印刷時,使刮板行進方向與網版柵線或 匯流排電極線的開口保持一致,可以延長網版使用 朞命,減少網版的消耗,連帶使製程成本降低。 (2) 由於印刷匯流排的第二金屬漿料不含有穿透抗反射 層的玻壤介質,因此也降低匯流排區域钕穿太陽能 電池内部P/N介面的機率。 (3) 匯流排之導電度提高,有利於後續外接導線 程。 (u電極的線寬及厚度不需再和匯流排的線寬一起 涉U以縮減線寬’增加厚度以使電阻損失及光 越敝知失降至最低。 本發二:闡明如上,然其並非用以限定 技術者,當可止於上述實施例。凡熟悉此項 同的功效。3!二易解亚利用其它元件或方式來產生相 之修改,在不脫離本發明之精神與範蜂内所作 二wL3在下述之申請專利範圍内。 13 201220517 【圖式簡單說明】 圖1A至1 G顯示習知的太陽能電池製程的示意圖; 圖2A至圖2丨顯示習知太陽能電池製程的示意圖 圖3A至圖3I顯示本發明太陽能電池製程的示意圖;及 圖4A及4B分別顯示本發明圖3F及3G中所使用的網 版之上視圖。 【主要元件符號說明】 I、 2、3 :太陽能電池基板 21 :二氧化矽層 24 :柵線圖案開口 26 :匯流排電極 II、 31 :雜質氧化層 14 :金屬漿料 34 :第一金屬漿料 38 :鋁漿 400 :栅線圖案開口 410 :匯流排圖案開口 8、 10、20、30 :摻雜層 22 :罩冪膠 25 :栅線電極 9、 37 :背電極 13、23、33 :抗反射層 16、36 :刮板 35 :第二金屬漿料 40 :第一網版 41 :第二網版 14

Claims (1)

  1. 201220517 七、申請專利範圍: 1. =電池表面形成金屬電極的方法,包括: 雜笛一Λ陽能電池基板的半成品,該半成品是指該掺 ,第-Ή性雜f的太陽能電池基板已經過結構化 exuring #雜製程以形成__摻雜層,並於該摻雜層之 上形成一抗反射層;
    "金屬漿料,以網印方式印製於該抗反射層表 面,形成複數條柵線(grid nnes),該第一金屬漿料的成分 至y包含用來穿透該抗反射層的破璃介質; 將二第二金屬漿料以網印方式印製於該抗反射層表 =,形成二匯流排(bus bars),其中該第二金屬漿料的成 分不包括用來穿透該抗反射層的玻璃介質;及 施以一燒結製程,以使該第一及該第二金屬漿料分別 形成該柵線及該二匯流排,其中僅有該第一金屬漿料穿透 該抗反射層’和該摻雜層形成歐姆接觸。 2.如申請專利範圍第彳項所述的方法,其中該第二金屬菠 料被網印於該太陽能電池基板表面形成該二匯流排時,該 二匯流排的厚度大約10至20 μηη。 3·如申請專利範圍第1項所述的方法,其中該第一金屬聚 料及該第二金屬漿料的成分皆包括導電金屬粉末及有 物。 ^ 4.如申請專利範圍第1項所述的方法,更包括在該太陽能電地 基板吸光面形成該二匯流排後,於該太陽能電池基板背面4辦 15 201220517 印方式形成背電極。 5·如申請專利範圍第彳項所述的方 ,上時,調整該刮板行進方向與= 該抗反 池表面形成金屬、的方法,包括: 雜第—型導=電池基板的半成品,該半成品是指該摻 2池已經過結構化 上形成一抗反射層; 少雜層,並於該摻雜層之 面,第:ΐί漿料以網印方式印製於該該抗反射層表 分不l=;,sbars)’其中該第二娜 括用朿穿透該抗反射層的玻璃介質; 面,=第:ΐ屬裝料’以網印方式印製於該抗反射層表 ,ines) 5 3用耒牙透该抗反射層的玻璃介質;及 形成燒結製程’以使該第—及該第二金屬漿料分別 成=線及該二匯流排,其中僅有該第一金屬聚料穿透 5〆几射層,和該摻雜層形成歐姆接觸。 靱、,申Μ專利辄11第6項所述的方法,其中該第二金屬聚 二=印於該太陽能電池基板表面形成該二匯流排時,該 S匯洲排的厚度大約1Q至20 μΓη。 如申明專利|巳圍第6項所述的方法,其中該第一金屬漿 16 201220517 料及該第二金屬漿料的成分皆包括導電金屬粉末及有機. 物。 9.如申請專利範圍第6項所述的方法,其中,將該第一金 屬漿料網印於該抗反射層表面時,更包括調整一刮板行進 的方向與該些栅線平行,將該第二金屬漿料網印於該抗反 射層上時,調整該刮板行進方向與該二匯流排平行。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI478369B (zh) * 2012-09-04 2015-03-21 Motech Ind Inc 太陽能電池的製造方法
TWI500169B (zh) * 2013-02-22 2015-09-11 A solar type solar cell with a high efficiency current collecting structure and a converging type solar cell module
TWI500174B (zh) * 2013-01-08 2015-09-11 Motech Ind Inc 太陽能電池及其模組

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114122163A (zh) * 2021-11-24 2022-03-01 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 一种叠瓦电池、组件的制作方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2115671T3 (es) * 1991-06-11 1998-07-01 Ase Americas Inc Celula solar mejorada y metodo para la fabricacion de la misma.
EP0729189A1 (en) * 1995-02-21 1996-08-28 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of preparing solar cells and products obtained thereof
KR20110033937A (ko) * 2008-07-22 2011-04-01 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 박막 광전지에 사용하기 위한 중합체 후막 은 전극 조성물
KR20120007517A (ko) * 2009-03-30 2012-01-20 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 금속 페이스트 및 규소 태양 전지의 제조시의 그 용도
TWM387372U (en) * 2010-03-29 2010-08-21 Neo Solar Power Corp Electrode structure of solar cell

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI478369B (zh) * 2012-09-04 2015-03-21 Motech Ind Inc 太陽能電池的製造方法
TWI500174B (zh) * 2013-01-08 2015-09-11 Motech Ind Inc 太陽能電池及其模組
TWI500169B (zh) * 2013-02-22 2015-09-11 A solar type solar cell with a high efficiency current collecting structure and a converging type solar cell module

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