201219951 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電泳顯示裝置、電泳顯示裝置之驅動 方法及電子機器。 【先前技術】 近年來，逐漸使用電泳顯示裳置作為電子紙等之顯示 部。電泳顯示裝置構成為具有於分散介質中分散有複數之 電泳粒子之電泳分散液。電泳顯示裝置係藉由施加電場而 改變電泳粒子之分散狀態，並將電泳分散液之光學特性變 化用於顯示之裝置。 於此種電泳顯示裝置中，提出有使用如下述專利文獻 1、2所記載之3粒子之彩色電泳顯示裝置之概念。該等中 δ己載有電荷係使用帶正電之粒子、帶負電之粒子、無帶電 之粒子之3種電極而被驅動。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1 ]曰本專利特開2009-9092號公報 [專利文獻2]曰本專利特開2009-98382號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 於上述文獻中記載有於1個子像素内使用2個像素電極而 控制2個帶電粒子之概念’但並未表示與具體的像素電極 之形狀及電晶體之形狀之關係。為實現彩色顯示之電泳顯 示裝置’ 1個子像素中存在亮度及彩度之控制性之課題， 156789.doc 201219951 難以進仃全彩顯示。因此，於彩色顯示之電泳顯示裝置 中’期望對亮度、彩度、色相之3者或者至少1者進行類比 控制之方法。 本發明係鑒於上述先前技術之問題研究而成者，其目的 之一在於提供一種藉由控制帶電粒子之移動而可控制亮 度、彩度、色彩之3者或者至少!者、且可進行良好顯示之 電泳顯示裝置、電泳顯示裝置之驅動方法及電子機器。 [解決問題之技術手段] 本發明之電泳顯示裝置之特徵在於具備：第丨基板及第2 基板；電泳層，其配置於上述第丨基板及上述第2基板之 間，且至少具有分散介質及混入該分散介質内之帶正或負 電之著色粒子；第1電極’其於上述第i基板之上述電泳層 側對應每一像素而形成，且對應每一像素而獨立地驅動； 第1電晶體，其係連接於上述第1電極；對向電極，其形成 於上述第2基板之上述電泳層側，較上述第丨電極面積更 廣，且具有透光性；及反射層，其形成於上述第丨基板 上’較上述第1電極面積更廣’用以使光反射；藉由自上 述第2基板側觀察上述電泳層時所目測之上述著色粒子之 面積而控制濃淡程度。 於上述構成中’藉由將與著色粒子所帶電之極性為反極 性之電麼施加於第！電極，而可使著色粒子吸附於幻電極 上，且藉由將與著色粒子所帶電之極性為同極性之電壓施 加於第1電極，而可使著色粒子向對向電極側移動。第！電 極與對向電極之面積為非對稱，且著色粒子之於兩基板上 156789.doc 201219951 之分佈面積亦為非對稱。藉此，可藉由自第2基板側觀察 電泳層時所目測之著色粒子之面積而控制濃淡程度。又， 由於第1基板上具備反射層，故自第2基板側入射之光被反 射層反射’而可進行白顯示或顯示之漠淡程度控制。 如此，藉由設置反射層並且控制著色粒子之面積，可獲 得能夠控制亮度、彩度、色彩之3者或者至少！者、而進行 良好顯示之電泳顯示裝置。 又，亦可構成為可對反射層輸入電位。 例如，使著色粒子自對向電極向第丨電極移動時，對反 射層施加與第i電極為反極性之電壓或與對向電極為相同 之電壓’藉此可防止（排斥）著色粒子吸附於反射電極。反 之’使著色粒子自第1電極向對向電極移動時，施加同極 性之電壓。藉此，反射電極可排斥著色粒子。 又，亦可構成為反射層經由具有透光性之第丨絕緣層而 配置於偏第1電極之第1基板側。 藉此，可將反射層與第丨電極平面地重疊形成，故可增 大反射層之面積，從而可更多地反射自第2基板侧入射之 光。藉此，光之利用效率提高，而可進行更鮮明之白顯 示0 又，亦可構成為反射層對應每一像素形成，且與第丄電 極連接。 藉此，可使反射層與第i電極為同電位。藉此，例如可 使對向電極上分佈之著色粒子迅速地向第丨電極側移動， 並且可使第1電極上集合之著色粒子迅速地向對向電極側 156789.doc 201219951 移動。 又，較佳為對上述反射層施加使上述著色粒子背離之電 壓。 藉此’可排斥著色粒子，故可防止著色粒子吸附於反射 電極。 又’亦可構成為反射層連接於電源。 藉此纟品使著色粒子集合於反射層上便可想所需之位 置（第1電極側或對向電極側）移動。 又亦可構成為上述反射層之至少一部分子上述絕緣層 向電泳層側露出。 藉此由於反射層上不存在絕緣層，故可有效地反射 光。 又，亦可構成為具有帶正電之第丨上述著色粒子、與上 述第1著色粒子同色且帶負電之第2上述著色粒子、於上述 第1基板之上述電泳層側之第2電極、及連接於上述第2電 極之第2上述電晶體。 藉此，例如對第i電極施加負之電屡，對第2電極施加正 之電麼，藉此可使第1電極上集合帶正電之第2著色粒子， 於第2電極上集合帶負電之第2著色粒子。藉此，可獲得白 顯示，且可進行使顯示復位之動作。 又’對第1電極及第2電極同時施加相同電壓(例如正電 塵），猎此可使第】著色粒子於對向電極上移動，且可使第
2著色粒子集合於第2電極上。藉此，可進行t間濃淡程声 之顯示。 X I56789.doc 201219951 又，亦可構成為對應每一像素而具有複數之第1電極， 且複數之第1電極彼此係藉由較該等第丨電極形成於更靠第 1基板側之層的第1連接電極而相互連接。 藉此，可經由第1連接電極而對複數之第1電極同時施加 相同電壓，故對各第丨電極之施加電壓之控制較容易。 又亦可構成為對應每一像素而具有複數之第1電極及 複數之第2電極，複數之第1電極彼此藉由較第1電極形成 於更靠第1基板側之層的第丨連接電極而相互連接，複數之 第2電極彼此藉由較第2電極形成於更靠第丨基板側之層的 第2連接電極而相互連接。 藉此’可經由第1連接電極而對複數之第1電極同時施加 相同電麼’並且可經由第2連接電極而對複數之第2電極同 時施加相同電壓，故對各第1電極及各第2電極之各個的電 壓施加之控制較容易。 又’亦可構成為反射層之表面變成使光散射之散射面。 藉此’反射層變成兼具光反射性及光散射性之兩方之功 能者’從而可藉由零件件數之削減而帶來成本削減。 又’亦可構成為具有於較反射層更靠第1基板側形成有 朝向反射層突出之複數之凸部的第2絕緣膜，且反射層之 散射面反映複數之凸部之形狀。 藉此’於第2絕緣膜上使反射層成膜，藉此可將反射層 之表面没為散射面。 又’亦可構成為於反射層與第2基板之間具有使光散射 之散射構件。 156789.doc 201219951 藉此’自第2基板側入射之光藉由反射層而反射，並藉 由散射構件經1次或複數次反射（散射）之後向觀測者側射 出’藉此可提高亮度而獲得視認性良好之顯示。即，可進 行更鮮明之白顯示。 又’亦可構成為較反射層更靠第2基板側設置彩色濾光 片》 藉此，藉由使自第2基板側入射而來之光入射至彩色滤 光片並著色，藉由反射層而向電泳層側、第2基板側反 射。其結果為，可進行更亮且視認性良好之彩色顯示。 又，亦可構成為於上述第2基板之與上述電泳層側為相 反側之外面設置擴散材。 藉此，藉由擴散材而於反射層所反射之反射光中，正反 射光亦可作為散射《而用於顯示。#jtb，不僅可防止顯示 之不均，且亦可提高顯示亮度。 本發明之電泳顯示裝置之驅動方法之特徵在於，該電泳 顯不裝置具備第1基板及第2基板、配置於第丨基板及上述 第2基板之間且至少具有分散介質及混入該分散介質内之 帶正或負電之著色粒子的電泳層、於上述第1基板之上述 電冰層側對應每-像素而形成且對應每-像素而獨立驅動 之第1電極、連接於上述第1電極之電晶體、形成於上述第 2基板之上述電泳層側且較上述第1極面積更廣並具透光 性的對向電極、及形成於上述第！基板上且較上述第i電極 面積更廣並使光反射之反射層，且藉由自上述第2基板側 觀察上述電泳層時所目測之上述著色粒子之面積而控制濃 I56789.doc 201219951 淡程度，該驅動方法進行藉由對上述第1電極及上述對向 電極施加電壓而將上述著色粒子引向上述第1電極側之第i 動作、及藉由對上述第1電極及上述對向電極施加電壓而 將上述著色粒子引向上述對向電極側的第2動作，且於上 述第1動作及上述第2動作中，對反射層施加排斥上述著色 粒子之電位。 藉此，可使著色粒子向第丨電極側或對向電極側移動， 可根據自對向電極側目測之著色粒子之面積而控制顯示之 濃淡程度。又，藉由使自對向電極側入射之光於反射層向 對向電極側反射，而可獲得明亮之顯示。 如此，藉由設置反射層並且控制著色粒子之移動，可獲 得能夠控制亮度、彩度、色彩之3者或者至少】者、而可進 行良好顯示之電泳顯示襞置。 又，亦可為如下方法··於將著色粒子引向第1電極側之 第1動作中’將施加給對向電極之電位作為基準，對反射 層施加與第極不同之極性或與對向電極相同之電壓。 地可控制著色粒子之移動’而可向第1電極側順利 地移動。即，藉由對 電愿或與對㈣極mr極不㈣性之 子反彈並向第!電極側移動。將反射層上之著色粒 —，從二==電極上- 將作之方法：—其係 正之電•，藉此將著色對上述第1電極施加 "丨向第1電極或對向電極側； 156789.doc 201219951 及第2預設動作，其係將與第1預設動作相反之極性之電壓 施加給第1電極，藉此將著色粒子引向第1電極或對向電極 側。 若對第1電極重複施加相同電壓，則對第i電極與對向電 極之間施加給DC電壓。其原因在於：預設時施加用以將 著色粒子確實地引向第1電極側之較大電壓，而於圖像寫 入時以其相反極性而施加絕對值為同等以下之電壓。因 此，每當執行單數或複數之圖像重寫時使施加於第丨電極 之極性相反，藉此可防止第丨電極與對向電極之間施加直 流電壓，從而可防止電極之腐蝕及電泳材料之劣化。即， 交替使用上述第1預設與第2預設動作。 又，亦可為如下方法：電泳顯示裝置具有帶正電之第^ 著色粒子、與第1著色粒子同色且為帶負電之第2著色粒 子、及設於第1基板之電泳層側之第2電極，且該方法包含 對第1電極及第2電極施加彼此不同之電壓之第丨預設動 作及將與第i預設動作相反之極性之電壓施加於第1電極 及第2電極的第2預設動作。 每當執行單數或複數之圖像重寫（第1預設動作及第2預 設動作）時使施加於第lt極及第2電極之極性相反，藉此 :防止於第!電極及第2電極與對向電極之間施加直流電 S ’從而可防止電極之腐#及電泳材料之劣化。 亦可為如下方法，其使電泳顯示裝置進行第1預設 斜^及第2預叹動作’該第1預設動作係於第1電極相對於 …4加正之電壓’於第2電極相對於對向電極施加 156789.doc 201219951 負之電壓，藉此將粒子引向第丨電極及第2電極側，該第2 預没動作係於第1電極相對於對向電極施加負之電壓，於 第2電極相對於對向電極施加正之電壓，藉此將第丨著色粒 子及第2著色粒子引向第i電極及第2電極側。 於包含第1電極及第2電極之情形時，若對各電極重複施 加相同電壓，則第丨電極及第2電極與對向電極之間施加有 DC電壓，導致電極之腐蝕及電泳材料之劣化。因此，每 當執行單數或複數之圖像重寫時使施加於第丨電極及第2電 極之極性反轉，藉此可防止第丨電極及第2電極與對向電極 之間施加有直流電壓，從而可防止電極之腐蝕及電泳材料 之劣化。 又，亦可為交替貫施第1預設動作與第2預設動作之方 法。 藉此，可防止第丨電極及第2電極與對向電極之間施加有 直流電壓，從而可防止電極之腐蝕及電泳材料之劣化。 本發明之電子機器之特徵在於具備上述之電泳顯示裝 置。 藉此，形成具備之前所記載之電泳顯示裝置之構成，故 可獲得能夠進行明亮且視認性良好之顯示並且可靠性優異 之尚品位的電子機器。 【實施方式】 [第1實施形態] 首先，作為第1實施形態之電泳顯示裝置而對丨粒子系之 電泳顯示裝置之構成進行敍述。 156789.doc 12 201219951 圖1(a)係表示電泳顯示裝置之全體構成之平面圖。 如圖1(a)所示，本實施形態之電泳顯示裝置1〇〇具有元件 基板300較對向基板310更大之平面尺寸，於較對向基板 3 10更向外側突出之元件基板300上，2個掃描線驅動電路 61與2個資料線驅動電路62以COF(Chip On Film)安裝（或 TAB(Tape Automated Bonding)安裝）於用以與外部機器連 接之可撓性基板201、202上。而且’安裝有掃描線驅動電 路61之可撓性基板201係經由ACP(各向異性導電膏）或 ACF(各向異性導電膜）等而安裝於元件基板3〇〇之沿一短邊 之邊緣部所形成的端子形成區域内。此處，元件基板3〇〇 係以下述第1基板3 〇為基體而構成’對向基板3 1 〇係以下述 第2基板31為基體而構成。 又’安裝有資料線驅動電路62之可撓性基板202係經由 ACP或ACF等而安裝於元件基板300之沿一長邊之邊緣部所 形成的端子形成區域内。於各端子形成區域分別形成有複 數之連接端子，且各連接端子上連接有自顯示部5延伸之 下述之掃描線或資料線。 又’於元件基板300與對向基板31〇之重疊區域形成有顯 示部5 ’且自顯示部5延伸之複數之配線（掃描線66及資料 線68)係延伸出至安裝有掃描線驅動電路6丨及資料線驅動 電路62之區域，且連接於該安裝區域内所形成的連接端 子。而且’相對於該連接端子，經由Α^ρ或ACF而安裝可 撓性基板201、202 » 圖1(b)係表示電泳顯示裝置之全體構成之等效電路圖。 156789.doc 13 201219951 如圖1(b)所示’於電泳顯示裝置ι〇〇之顯示部5矩陣狀排 列有複數之像素40。於顯示部5之周邊配置有掃描線驅動 電路6 1及資料線驅動電路62。掃描線驅動電路6〗及資料線 驅動電路62分別與控制器（未圖示）連接。控制器根據自上 位裝置供給之圖像資料及同步信號，統合地控制掃描線驅 動電路61及資料線驅動電路62。 於顯不部5形成有自掃描線驅動電路61延伸之複數之掃 描線66、及自資料線驅動電路62延伸之複數之資料線68， 且對應於該等之交又位置而設有像素4〇。 掃為線驅動電路61係經由複數之掃描線&而連接於各像 素40，根據控制器之控制而依序選擇各掃描線66，並經由 所選擇之掃描線66而供給規定設於像素4〇之選擇電晶體 (第1電晶體）TRS(參照圖2)之接通時序之選擇信號。資料線 驅動電路62經由複數之資料線咖連接於各像素4()，並根 據控制器之控制，將規定對應於各像素40之像素資料之圖 像信號供給至像素4〇。 圖2係電泳顯示襄置之j像素之等效電路圖。 於顯示部5中對應於複數之掃描線66(m、m+1、…）與複 數之資料線 68(n、n+1、...、>- <_ 素40 •)之父點位置而設置有複數之像 像素（像素40)之像素電路係包含作為電氣光學材料之 電冰廣32、進行開關動作而用以對電泳層μ施加電壓之選 擇電晶體TRs而分別構成。 66 各像素4G之選擇電晶體TRs係於閘極連接有掃描線 156789.doc 14 201219951 於源極連接有資料線68，於汲極經由連接電極44而連接有 電泳層32(像素電極35)。 連接電極44連接於選擇電晶體TRs之汲極，並且連接於 複數之像素電極（第1電極）35 » 再者，於圖2中雖未記載保持電容，但亦可為附加有保 持電容之等效電路。 圖3係表示電泳顯示裝置之概略構成之剖面圖。 如圖3所示，電泳顯示裝置1〇〇係於包含第}基板3〇及像 素電極35之元件基板300、與包含第2基板31及對向電極37 之對向基板310之間夾持電泳層32而成者。 圖4表不元件基板上之丨像素之像素電極之佈局之一例。 如圖4所示，於像素40内配置有俯視圓形狀之複數之像 素電極35。此處，像素電極35之排列亦可為等間隔排列， 藉由預先不規則排列，可防止像素電極35之邊界變成條紋 而出現的顯示條紋之產生。 圖5係更詳細地表示丨像素之元件基板上之構成的平面 圖，圖6係圖5之A-A線剖面圖。 如圖5及圖6所示，於第！基板3〇上對應每一像素4〇而設 置有選擇電晶體TRs、連接電極44、閘極絕緣膜41b、第j 層間絕緣層42A、第2層間絕緣層42B、反射電極（反射 層）36、保護層43、及複數之像素電極35。 於選擇電晶體TRs之閘極上連接有掃描線66，於源極上 連接有資料線68，且於汲極上連接有連接電極料。 連接電極44係形成於與選擇電晶體TRs之源極 電極41c及 156789.doc •15· 201219951 汲極電極41 d相同之層，且具有主幹部441及藉由該主幹部 441而連結之複數之分支部442而成，全體呈現俯視梳齒形 狀。再者，圖5中雖圖示有6根之分支部442，但並不限定 於此。 於第1基板30上對應每一像素40而形成有構成選擇電晶 體TRs之一部分之閘極電極4ie。閘極電極41e係由厚度3〇〇 nm之铭（A1)形成。以覆蓋該閘極電極41e之方式而於第1基 板30之整個表面形成包含氧化矽膜之閘極絕緣膜4lb，且 於閘極電極41e之正上方形成有包含厚度5〇 nmiaIGz〇 (In、Ga、Zn之氡化物）之半導體層4ia。 於閘極絕緣膜41b上以包含厚度300 nmiA1之源極電極 41c及汲極電極41d與閘極電極41e及半導體層41a部分重疊 之方式分別設置。源極電極41〇與汲極電極41d係以部分覆 蓋半導體層41 a之方式形成。又，於閘極絕緣膜41b上形成 有包含相同厚度300 nm之鋁（A1)之連接電極44。該連接電 極44係與源極電極41(；及汲極電極41d同時形成圖案者其 與汲極電極41 d連接。 此處，作為選擇電晶體tRs，可使用a_SiTFT、聚
SiTFT、有機TFT、氧化物抓卜構造亦可為頂閘極、底 閘極構造。 進而’於第1基板30上以覆蓋選擇電晶體TRs之沒極電極 川及源極電極41c、連接電極44之方式形成有^層間絕 緣層42A。於第丨層間絕緣層42A上設置有於與連接電極料 對向之位置處露出下層之連接電極44之一部分的貫通孔 156789.doc 201219951 1 la ^於該第1層間絕緣層42A上以覆蓋其整個表面之方式 形成有第2層間絕緣層42B。 第1層間絕緣層42A及第2層間絕緣層42B係由氧化膜或 氮·化膜等形成’且以覆蓋選擇電晶體TRs及連接電極44之 方式形成於基板整個表面。於第2層間絕緣層42B之表面， 對應各像素40而形成有具有佔據像素區域之大致全體之大 小的反射電極3 6。又，對應各像素之反射電極3 6係連接於 像素電極35 ’且分別獨立地設置。 反射電極36係經由貫通第i層間絕緣層42A及第2層間絕 緣層42B而形成之貫通孔113、llb，而連接於自該貫通孔 11a、lib露出之連接電極44。反射電極36類似.像素區域之 形狀而呈現俯視大致矩形狀。該反射電極36係使用八丨等金 屬等反射性之材料而形成，且具有使自對向基板31〇側入 射之光反射而再次向對向基板3 10側返回之功能。於反射 電極36上以覆蓋第1基板3〇之整個表面的方式形成有具有 透光性之保護層43。 保護層43係由厚度3 μηι之感光性丙烯酸形成，且亦作為 平坦化層而發揮功能。於保護層43之與連接電極44對應之 位置處’在形成上述貫通孔lla、之同時形成有形成接 觸孔H1之貫通孔iic。於保護層43之表面對應每一像素4〇 而形成有複數之像素電極35 » 像素電極3 5係以經由保護層43所形成之貫通孔1丨c而覆 蓋貫通孔lib内存在之反射電極36之表面的方式形成，且 處於與反射電極36連接（接觸）之狀態。即，各像素電極35 156789.doc 201219951 經由接觸孔HI而與下層之連接電極44電性連接，並藉由電 晶體TRs之開關動作而對各像素電極35施加特定之電壓。 像素電極3 5係形成為俯視圓形狀，且其直徑係設定為較 單元間隙（像素電極35與對向電極37之距離）更小之長度， 且於本實施形態中較理想的是設定為單元間隙之1/2以下 之長度。藉此’可減小自第2基板3 1側觀察時之最小點之 大小，從而可進行明亮之顯示。其原因在於像素電極35之 面積變小’反射電極36之面積變大。此處’像素電極35係 形成為俯視圓形狀，但亦可形成為多邊形β又，配置於1 像素内之複數之像素電極35之總面積較佳為1像素之面積 之1 /4以下。 此處’像素電極35係由厚度50 nm之ΙΤΟ形成，第2層間 絕緣層42B係由厚度300 nm之氮化矽膜形成，保護層43係 由厚度1 μπι之感光性丙烯酸形成，連接電極44及反射電極 36係由厚度300 nmiA1形成，且第i基板3〇係由厚度〇5 nm之玻璃或pet基材形成。 回到圖3，介隔電泳層32而與元件基板3〇〇對向之對向基 板310構成為具有第2基板3丨及覆蓋其表面（與第i基板”對 向之内面）之大致全體的對向電極37。對向電極37於俯視 時係覆蓋像素電極35及反射電極36，且較像素電極35及反 射電極36更廣地形成，此處係形成於覆蓋第2基板31之至 少有助於顯示之部分的區域。 此處’對向電極37係由厚度1〇〇 nm2IT〇形成，第2基板 31係由厚度0·5 nm之玻璃或PET基材形成。 156789.doc •18· 201219951 此處像素電極35與對向電極37係以其等之費米能階差 變小之方式選定材料。其差分為DC電塵，會引起電極之 腐飯之故。已知例如於IT〇與辦引起腐#。因此，最理 想的是使例如兩電極之材料相同。又，於圖3中亦可不使 用像素電極35而構成。秋而，g 傅取然而，反射電極36與對向電極37係 不透明與透明電極，且為不同材料，故較佳為具備像素電 極35之構成。 又，並不限定於以上所述之材料、厚度等。 於元件基板300與對向基板31〇之間配置有密封材（省略 圖示）》材料係使用與液晶裝置之密封材相同之材料，使 用=硬化型之丙烯酸系材料。或者，亦可使用熱硬化型 之環氧系樹脂。繼而’於元件基板3〇〇、對向基板31〇、密 封材所包圍之區域内封入電泳材料。 於元件基板300與對向基板31〇之間所配置之電泳層32於 透明之分散介質21中混雜有大量帶正電之黑色之帶正電粒 子（著色粒子）27(Bk)。帶正電粒子27(Bk)等之帶電粒子於 電泳層32中係作為電泳粒子而行動。電泳粒子係根據像素 電極35與對向電極37之電位差而移動。 、 其次，對1粒子系之電泳顯示裝置之動作原理進行敍 述。 圖7(a)、⑻係表#帶正電粒子之分綠態根冑對像素電 極之施加電壓之大小而不同之情形的說明圖。 於對像素電極35輸入大小不同之電位之情形時，考慮帶 正電粒子27(Bk)以何種方式配置於對向電極37上。 於對向 156789.doc -19- 201219951 電極37中輸入接地電位作為共通電位。本實施形態之反射 電極36係使用與像素電極35相同之電壓。 此處’首先對像素電極35施加負之電壓，將所有帶正電 粒子27(Bk)電性吸附於像素電極35上之後，對像素電極35 施加大小不同之正之電壓，而控制帶正電粒子27(Bk)之於 電泳層3 2内之分佈狀態。此時於反射電極3 6上形成有保護 層43，且施加於帶正電粒子27(Bk)之電壓因其層之貢獻而 降低。像素電極35之電壓直接施加於帶正電粒子”⑺让）。 因此可於像素電極35上效率良好地吸附帶正電粒子 27(Bk) 〇 又，施加於像素電極35之正之電壓中，將對向電極37之 電位作為基準，將絕對值最大之電壓設為正電壓VH(以下 亦稱為正之最大值），將負之電壓中之絕對值最大的電壓 設為電壓VL(以下亦稱為負之最大值）。 再者，所s胃「對電極供給電壓」，係與「對電極供給使 接地電位之間產生該電位之電位」相同含義。 圖7(a)所示’右對像素電極35施加較大之正電壓 VH(正之最大值），則藉由因對應於該正電壓之電位與 對向電極37之接地電位之電位差（電壓）所引起的電場，而 於像素電極35與對向電極37之間產生較大之電場。因此， 典型的是大致所有帶正電粒子27(Bk)向對向電極37側移 動。 又，▼正電粒子27(Bk)藉由自像素電極35之傾斜電場 (具有自像素電極35起向與第】基板30之法線傾斜之方向輸 156789.doc 201219951 出的電力線之電場），而於與第2基板31平行之方向上廣範 圍地分散。由此，於圖2⑷中可使像素全體表現黑顯示。 相對於此，如圖7(b)所*，若對像素電極35施加中等程 度之大小之正電壓Vh(|Vh丨〈丨VH|)，則像素電極35與對向： 極37之間之電位差（電壓）小於圖2⑷之情形，故帶正電之 粒子27(W)於對向電極37側不太廣地分佈。其理由如下所 示。 即，帶正電粒子27(Bk)雖亦因傾斜電場移動，但由於原 本之電場不大，故傾斜電場亦不會太大。由此，帶正電粒 子27(Bk)之於與第2基板31平行之方向上之移動量變少’， 帶正電粒子27_集中於狹窄範圍，而可實現點分佈。 又，移動之粒子數亦變少。由此，此處可表現較圖7⑷所 示者更小面積之黑顯示。 又，反射電極36中輸入有與像素電極35相同之電位，故 反射電極36上不吸附帶正電粒子27(Bk)’其順場地向對向 電極3 7側移動。 再者，於帶正電粒子27(Bk)不向對向電極37側移動之情 形時，即對像素電極35施加負之電壓而使所有帶正電粒子 27(Bk)集中於像素電極35上之情形時，自第2基板31側目 測到經由透明分散介質21 (τ)而由反射電極3 6反射之光（白 色光）之色’故像素全體為白顯示。 再者，於本實施形態中，自對向基板3 1〇側入射之光藉 由配置於第1基板30側之反射電極36反射，而可獲得更鮮 明之白顯示。 156789.doc -21 - 201219951 以此方式控制對向電極37上所分佈之帶正電粒子27(Bk) 之數及分佈狀態（分佈區域），藉此可控制黑顯示或白顯 示或者…、至白之中間濃淡程度之顯示。又，藉由將該像 素電極35於1個像素内以島狀設置複數個，而可控制力更 良好地控制顯示。 其次，對1粒子系之電泳顯示裝置之實際之顯示動作進 行敍述。 圖8(a)〜(c)係表示各顯示色之粒子之分佈狀態之剖面 圖。圖9係表示各顯示色之粒子之分佈狀態之平面圖。再 者，於圖8⑷〜⑷中，係著眼於1個像素而進行圖示，省略 各像素内之像素電極35之數、及作為反射電極36上之絕緣 膜之保護層43。此處，於對向電極37中輸入有接地電位。 反射電極36中係與圖7同樣地施加與像素電極35相同之電 壓。 圖8(a)表示白顯示時之粒子之分佈狀態。 此處，對各像素電極3 5施加負之電壓VL。如此，帶正 電之帶正電粒子27(Bk)係吸附於各像素電極35上。自外部 入射之光藉由像素電極35之周圍存在之反射電極36而反 射，並自對向電極37側出光。即，所有帶正電粒子27(Bk) 係吸附於像素電極35上，故自對向電極37側入射之光經反 射電極3 6反射後返回到對向電極3 7側。 由此，若於該狀態下自對向電極37側觀察電泳層32，則 藉由反射光而使像素全體變成白顯示（預設狀態）（圖9(a))。 圖8(b)表示黑顯示時之粒子之分佈狀態。 156789.doc *22- 201219951 於將顯示自白顯示向黑顯示切換之情形時，對各像素電 極35施加正之電壓VH。如此，帶正電之帶正電粒子”⑺匕) 均向對向電極37側移動而變成2維或3維分佈。黑色之帶正 電粒子27(Bk)之分佈區域27R係佔據像素區域全體。由 此’自外部入射之光被對向電極37上分佈之帶正電粒子 27(Bk)吸收’故變成黑顯示（圖9(b))e 圖8(c)表示灰顯示時之粒子之分佈狀態。 此處’首先自圖8(a)所示之狀態起對像素電極35施加特 定之電壓。 於所有帶正電粒子2 7 (B k)吸附於各像素電極3 5上之狀態 (預設狀態）下，對像素電極35施加較黑顯示時所施加之正 電壓VH更小的正電壓vh(|vh|<|VH|)時，像素電極35上之 帶正電粒子27(Bk)之一部分向對向電極37側移動。藉此， 於對向於像素電極35之對向電極37上之特定區域形成複數 之小黑點，該等黑點之間存在分散介質2丨。此處，帶正電 粒子27(Bk)之黑顯示佔據像素區域全體之約^之面積。 又’帶正電粒子27(Bk)之分佈區域27R以外之區域之面 積、即像素區域全體之约1/2之面積係由反射光之白顯示 佔據。透過黑點間之分散介質21(T)而由反射電極36反射 之光再次返回到對向電極37側，藉此該區域可表示白。 帶正電粒子27(Bk)於對向電極37上係2維或3維地分佈， 且混雜有帶正電粒子27(Bk)之黑點之區域、以及反射光之 白色之區域，故若於該狀態下自對向電極37側觀察電泳層 32，則全體為灰顯示，即，入射光包含被黑色之帶正電粒 156789.doc 23· 201219951 子27(Bk)吸收之成分、及被反射電極36反射之成分，且若 將該等成分合併則全體為灰顯示（圖9(c))。 若使用其他表現，反射電極36之一部分因對向電極37上 存在之帶正電粒子27(Bk)而被部分遮住，藉此自對向基板 3 10側射出之反射光之出光量減少’故而變成亮度被抑制 之灰顯示。 又’對向電極37側之帶正電粒子27(Bk)之移動量及分佈 範圍之控制’可藉由像素電極3 5、對向電極3 7、反射電極 36間之距離及像素電極35之大小等設計要因及施加電壓而 成為可能《又，上述係以施加於各像素電極35之電壓之大 而控制帶正電粒子27(Bk)之移動量及分佈範圍但亦可 藉由電壓之施加時間之長短而進行控制。 亮度之控制係藉由自對向電極37之外側觀察電泳層32 所目測之粒子之面積而進行。所謂目測之面積係指包含 子之2維、3維分佈在内的實際目測之實效面積。 八：者’於上述顯示狀態下’黑色之帶正電粒子27(Bk) :顯區域：白色之反射區域之周邊部並非完全之黑顯示 二’曰由目㈣帶正電粒子27(Bk)之分佈 面積控㈣調，而進行亮度與彩度之控制。 之:二觀二二二或灰顯示最終係藉由自對向電極 心電柄32時所目狀帶正錄子叫 置及/刀佈的實效面積而控制。 ::i述係自白顯示之預設狀態 可自里锢「 顯不，但 之預设狀態起進行下—顯示。黑顯示之預設 156789.doc -24. 201219951 態係如圖8(b)所示，藉由對像素電極35施加正電壓VH而獲 得。於自黑顯示轉向下一顯示時，對像素電極35施加負電 壓，控制自對向電極37奪取黑色之帶正電粒子”⑺"的量 而進行顯示。 電泳層32内存在之電泳粒子僅為黑色之帶正電粒子 27(Bk)故無°w使用白顯示預設及黑顯示預設之哪一預設 動作，若持續使用一方之顯示色之預設動作，則對向電極 37與像素電極35之間會施加有DC電壓。其原因在於，預 設時必須對像素電極35施加較大之電壓，而於圖像寫入時 則以其相反極性施加絕對值為同等以下之電壓。 若於對向電極37與像素電極35之間施加有DC電壓，則 會產生電極之腐姓及電泳材料之劣化。為避免該情形，亦 可於實轭單數或複數之圖像重寫時切換白顯示預設動作 (圖8(a))、黑顯示預設動作（圖8(b))。 圖係驅動1粒子系之電泳顯示裝置時之時序圖。 對對向電極3 7施加接地電位（yc〇m)，並於該狀態下對像 素電極35施加特定之電壓。 [灰顯示] 如圖ίο所示，於預設期間T11，首先對掃描線66施加選 擇電壓Vgh，經由資料線68而對各像素電極35施加負電壓 VL(負之最大值）’藉此如圖8(a)所示，使所有帶正電粒子 27(Bk)吸附於各像素電極35上。如此使像素4〇内為白顯 示’設為初始狀態。 於寫入期間T12，對掃描線66施加選擇電壓Vgh，經由 156789.doc 25· 201219951 資料線68而對各像素電極35施加正電壓vh(|Vh|<|VH|) ’藉 此如圖8(c)所示，使像素電極35所吸附之帶正電粒子 27(Bk)之一部分向對向電極37側移動。藉此，若自對向基 板3 1 〇側觀察則看到混雜之黑點區域與白區域而變成灰顯 7ft 〇 於顯示保持設定期間T13，對掃描線66施加選擇電壓 Vgh，對像素電極35施加Vc〇m而將資料線68、像素電極h 之電位設為Vcom。如此結束T13期間之動作。於其後之顯 不保持期間Τ14，將像素電極35、反射電極36、對向電極 37均設為高阻抗（電壓無施加）狀態。藉此，可不重寫顯示 而進行保持。該狀態下不消耗電力。 於顯示保持設定期間Τ13，將資料線68、像素電極35、 對向電極37之電位設為相同。假設資料線68之電位與像素 電極35之電位不同，於其後之Tu期間，若因選擇電晶體 TRs之漏光等引起之洩漏電流而向像素電極35中寫入資料 線68之電位，則結果為顯示被重寫。設定相同電位係為防 止上述情形。 [白顯示] 於進行白顯示之情形時，首先實施白顯示預設。 如圖10所示，於預設期間T21，與上述預設期間丁u同樣 地，對掃描線66施加選擇電壓Vgh，經由資料線68而對各 像素電極35施加負電壓VL(負之最大值）。藉此，如圖8(a) 所不，使所有帶正電粒子27(Bk)吸附於各像素電極35上， 將像素40内設為白顯示，返回到初始狀態。 156789.doc •26- 201219951 自對向電極37側入射之光於反射電極36反射，藉此像素 40變成白顯示。 於寫入期間T22，由於在預設期間T21為白顯示，故對像 素電極35施加用以保持該白顯示之電壓（Vcom)。 進而’繼而於顯示保持設定期間T23施加與T13相同之電 壓。進而於顯示保持期間T24亦設為與T14相同。 [黑顯示] 此處實施黑顯示預設。 如圖10所示，於預設期間T31，與上述預設期間T21同樣 地，對掃描線66施加選擇電壓Vgh，經由資料線68而對各 像素電極35施加正電壓VH(正之最大值卜藉此，如圖8(b) 所示，吸附於像素電極35上之帶正電粒子27(Bk)向對向電 極37側移動，所有帶正電粒子27(Bk)於對向電極37上為2 維或3維分佈。如此，藉由分佈於像素區域全體之帶正電 粒子27(Bk)，像素40内變成黑顯示。 於寫入期間T32，由於在預設期間T3丨為黑顯示，故對像 素電極35施加用以保持該黑顯示之電壓（vc〇m)。 進而，繼續於顯示保持設定期間T33、顯示保持設定期 間Τ33施加與Τ23、Τ24相同之電壓。 如上述般，於持續進行不同色顯示之情形時，亦可不持 續進行預設動作及寫入動作，而是於各動作之間執行保持 動作。保持狀態實質上係指像素電極35上並未自外部施加 有重寫圖像之電壓之狀態。 又，向像素電極35之施加電壓之大小為一例。其原因在 156789.doc -27· 201219951 於施加電壓之大小亦根據像素電極35與對向電極37之距 離、像素電極35之大小及電泳材料而變化。又，於T3丨係 使用黑顯示預設，但亦可使用白顯示預設之後進行黑顯 示。又，亦可將白與黑顯示預設交替切換。上述週期可對 應每1晝面，亦可對應每複數之畫面。 又，此處VCom並不限於接地電位，亦包含共通電位、 基準電位之含義。 如上述般，於本貫施形態中，係於元件基板3 〇〇側設置 使光反射之反射電極36。自對向基板31〇側入射之光藉由 反射電極36反射後向觀測者側出射。該反射光為白色光， 可藉由该白色光之控制而進行白顯示及顯示之濃淡程度控 制。又，於顯示保持設定期間使選擇電晶體導通而將 Vcom寫入像素電極35，但之後如圖17所示，亦可僅將資 料線68設為Vcom。 又，反射電極36亦可如下述之圖14、15般構成為可輸入 獨立電位《例如，使帶正電粒子27(]8]〇吸附於像素電極” 時，施加與對向電極37相同之電位，使上述粒子吸附於對 向電極37時施加與像素電極35相同極性之電壓。藉此，可 藉由反射電極36而排斥帶正電粒子27(Bk)。如此消除帶正 電粒子27(Bk)吸附於反射電極36之不良狀況。 又’藉由於選擇電晶體TRS上形成反射電極36,可防止 向選擇電晶體TRs之光之入射，從而防止動作不良之產 生。進而，由於選擇電晶體TRs上亦有可能使光反射，故 有效顯示區域實質上增加，可掠出更多之光。 156789.doc -28· 201219951 根縣實施形態之電泳顯示裝置100,可獲得更明亮且 亮度較高之顯示’從而可進行視認性良好之顯示。著色粒 子之帶電之極性可為正亦可為負。 圖11係概略表示包含複數之子像素之t像素之圖。 如圖11(a)〜(e)所不’ i像素亦可由複數之子像素構成。 對應於各子像素S之色可藉由變更作為電泳材料而混入各 子像素S之電泳層32内之著色粒子之色或分散介質之色而 實現。 圖η⑷所示之像素4〇係由R(紅）、G(綠）、B(藍）之3個子 像素S(R)、s(G)、S(B)所構成。呈俯視矩形狀之各子像素 S(R)、S(G)、S⑻以彼此之長邊方向平行之方式排列而配 置。 圖11(b)所示之像素40係由R(紅）、G(綠）、B(藍）、w(白） 之4個子像素S(R)、S(G)、S(B)、s(w)所構成。呈俯視正 方形狀之各子像素S(R)、S(G)、S(B)、s(w)係上下左右地 配置。 圖11(c)所示之像素40係由R(紅）、W(白）之2個子像素 S(R〇、S(W)所構成。 圖11 (d)所示之像素4〇係由c(藍綠色）、μ(深紅）、γ(黃 色）之3個子像素S(C)、S(m)、S(Y)所構成。 圖11 (e)所示之像素40係由C(藍綠色）、μ(深紅）、γ(黃 色）、W(白色）之4個子像素S(C)、S(M)、S(Y)、s(w)所構 成。 [第2實施形態] 156789.doc •29· 201219951 其次，作為第2實施形態之電泳顯示裝置而對2粒子系之 電泳顯示裝置之構成進行敍述。 圖12係表示第2實施形態之電泳顯示裝置之丨像素之概略 構成的剖面圖。 如圖12所示，本實施形態之電泳顯示裝置2〇〇係於元件 基板300與對向基板310之間夾持2粒子系之電泳層w而 成。電泳層32於透明之分散介質21(τ)中混雜有帶負電之 黑色之帶正電粒子（第丨著色粒子）27(Bk)及黑色之帶負電粒 子（第2著色粒子）26(Bk)e帶正負電之粒子26、”於電泳層 3 2中係作為電泳粒子而發揮作用。 而且，右對像素電極35A施加負之電壓則帶正電粒子 27(Bk)集中於像素電極（第i電極）35八上，若對像素電極（第 2電極）35B施加正之電壓，則帶負電粒子^⑺让）集中於像 素電極358上。 再者，於對向電極37中輸入有接地電位作為共通電位， 反射電極（反射層）3 8係設為與對向電極37相同之電位。 而且’藉由控制分別施加於像素電極35A及像素電極 3 5B之電壓之大小’根據自對向電極37側觀察電泳層32時 所目測之帶負電粒子26(Bk)之面積、與帶正電粒子27(Bk) 之面積’而控制濃淡程度。 圖13係表示電泳顯示裝置2〇〇之全體構成之等效電路 圖。 如圖13所示，電泳顯示裝置2〇〇係於第i基板3〇上設有複 數之掃描線66(m、m+1、...）與複數之第i資料線68a(n 156789.doc •30- 201219951 (A)、N+1(A)、…）、及第2資料線68B(N(B)、N+1(B)、…）。 此處，本實施形態之掃描線66於顯示區域具有分支為2個 之第1掃描線66A及第2掃描線66B。 各像素40A、像素40B内具備2個選擇電晶體（第丄電晶 體）TR1、選擇電晶體（第2電晶體）TR2、作為電泳材料之電 泳層32、2個像素電極（第】電極）35A及像素電極（第2電 極）35B、對向電極37、連接電極（第1連接電極）44A、及連 接電極（第2連接電極）44B。 選擇電晶體TR1係於閘極上連接有第i掃描線66A，於源 極上連接有第1資料線68 A，於汲極上經由連接電極44八而 連接有像素電極35A。 選擇電晶體TR2係於閘極上連接有第2掃描線66B，於源 極連接有第2資料線68B，於汲極上經由連接電極44B而連 接有像素電極35B。 於資料線68之延伸存在方向上相鄰之像素4〇八、4〇b中 之像素4〇八内，選擇電晶體TR1(第i電晶體）、選擇電晶體 、2(第2電晶體）之各自之閑極上連接有⑺列之掃描線μ， 於L擇電晶體TR1之源極上連接有N(A)列之第！資料線 ;選擇電晶體TR2之源極上連接有N(B)列之第2資料 線 68B 〇 κι匕處亦可構成為設有_方之電極連接於選擇電晶體 =、TR2之汲極及像素電極35a、35b(電泳層32)之保持 、進而，亦可设置保持電容線，將保持電容之另一電 極連接於保持電容線。又，亦可具備用以對電泳層32施加 156789.doc -31 - 201219951 電壓之保持電容以外之機構。 連接電極44A係連接於選擇電晶體tri之汲極並且連接 於複數之像素電極35A’連接電極44B係連接於選擇電晶 體TR2之汲極並且連接於複數之像素電極35B。 圖14係詳細表示電泳顯示裝置之1像素之元件基板之構 成的平面圖’圖15係沿圖14之B-B線之剖面圖。 本實施形態與之前的實施形態之不同點在於元件基板 300側之構成，故以元件基板3〇〇之構成為中心進行敍述。 如圖14所示，電泳顯示裝置2〇〇於構成元件基板3〇〇之第 1基板30之電泳層32側之面，形成有對應每一像素牝而形 成之袓數之像素電極35A、35B、2個選擇電晶體tr 1、 TR2、及2個連接電極44A、44B。 像素電極35A、35B於1像素内係分別設有複數個，且沿 掃描線66A、66B及資料線68A、68B而在2方向上交替地圖 案排列。該等複數之像素電極35人彼此係藉由呈俯視梳齒 形狀之連接電極44A而相互連接，複數之像素電極35]5彼 此係藉由呈俯視梳齒形狀之連接電極44B而相互連接。
選擇電晶體TR1之汲極電極4ld係經由連接電極44A而連 接於複數之像素電極35A，選擇電晶體RT2之汲極電極41d 係經由連接電極44B而連接於複數之像素電極35B。而 且’複數之像素電極3 5 A上經由選擇電晶體TR丨而施加有 來自第1資料線68A之資料電位，且複數之像素電極358上 經由選擇電晶體TR2而施加有來自第2資料線68B之資料電 位。如此，將複數之像素電極35 A與複數之像素電極35B 156789.doc -32- 201219951 構成為可彼此獨立地驅動。 各連接電極44 A、44B如上述般呈俯視梳齒形狀，且具
有由沿2方向（例如，掃描線66A、66B或資料線68A、68B 之延伸存在方向）延伸存在之2邊形成且全體呈〈字狀之主 幹部441以及藉由該主幹部441而連結之複數之分支部442 而成。複數之分支部442於與主幹部441之延伸存在方向不 同之傾斜方向（此處’相對於分支部442之各邊為約45。〜60。 之方向，圖14中為大致45。之方向）上係彼此平行地延伸存 在’且所有分支部442之延伸存在長度不同。具體而言， 自主幹部441之角部（彎曲部分）附近延伸出之分支部442最 長’距離該分支部442越遠之分支部442則其長度越短。 呈俯視梳齒形狀之連接電極44A、44B以彼此喷合之方 式配置於像素40内，且為連接電極44A之分支部442&之兩 側存在連接電極44B之分支部442b、442b的狀態。 連接電極44A之各分支部442a係對應於複數之像素電極 35A，連接電極44B之各分支部442b係對應於複數之像素 電極35B。 複數之像素電極35A(35B)間之連接電極44A(44B)亦可以 較形成接觸孔m(H2)之區域更細小之圖案而形成。其原因 在於可減少連接電極44A(44B)與反射電極38之間之電容。 如圖15所不，由厚度0.6 mm之玻璃基板形成之第丨基板 3〇上，對應每一像素40而形成有構成選擇電晶體TR1(選擇 電晶體TR2)之一部分的閘極電極41e。閘極電極4ie係由厚 度300 nm之鋁（A1)形成。以覆蓋該閘極電極41e之方式於第 156789.doc -33· 201219951 土板30之整個表面上开々成由厚度goo nm之氧化石夕膜形成 之閘極絕緣膜41b，且於閘極電極41e之正上方形成有由厚 度50 nm之a_IGz〇(In、Ga、以之氧化物）形成的半導體層 41a 〇 於該閘極絕緣膜41b上，由厚度3〇〇 nm之Ai形成之源極 電極41c及汲極電極41(1係以與閘極電極41e及半導體層 部分重疊之方式分別設置。源極電極41c與汲極電極41 d係 以部分覆蓋半導體層41 a之方式形成。又，同樣由厚度3〇〇 nm之鋁（A1)形成之連接電極44A(連接電極44B)係形成於閘 極絕緣膜411)上。該連接電極44A(44B)係與源極電極41c及 没極電極41d同時形成圖案者，且與汲極電極41d連接。 此處’作為選擇電晶體TR1(TR2)可使用a-SiTFT、聚 SiTFT、有機TFT、氧化物TFT等。構造亦可使用頂閘極、 底閘極構造。 於選擇電晶體TR1(TR2)及連接電極44A(44B)上以覆蓋 該等之方式，形成有由厚度3 0〇 nm之氧化矽膜形成之第1 層間絕緣層42A及由厚度300 nm氮化矽膜形成之第2層間絕 緣層42B »於第2層間絕緣層42B之表面形成有由A1等金屬 材料形成之反射電極38。 於反射電極38上，在對應於像素電極35A(35B)之位置處 設有貫通孔38a，該貫通孔3 8a之内側被以覆蓋反射電極38 之表面之方式積層之保護層43填埋，藉此確保與接觸孔H1 之絕緣性。 保護層43係由厚度20 μηι之感光性丙烯酸形成，且作為 156789.doc -34· 201219951 具有透光性之平坦化層發揮功能。而且，於保護層43上形 成有複數之由厚度5〇 nm2iT〇形成之像素電極35A(35B)。 該等複數之像素電極35A(35B)經由貫通閘極絕緣膜41b、 第1層間絕緣層42A、第2層間絕緣層42B及保護層43所形 成之接觸孔H1(H2)而連接於對應的選擇電晶體tri(tr2) 之沒極電極41d(連接電極44A(44B))。 如此’藉由第1基板30至像素電極35A(35B)之要素而構 成元件基板3〇〇。 再者’連接電極44A(44B)與像素電極35A(35B)之間所形 成之層間絕緣層42A、42B及保護層43係由氧化矽膜、氮 化矽膜、感光性之丙烯酸材料構成，但亦可使用除此以外 之材料而形成，例如亦可使用無機絕緣膜或有機絕緣膜 等。又，配線及絕緣膜之材料並不限於上述者。 又’亦可為不設置像素電極35A(35B)之構成。該情形時 藉由連接電極44A(44B)直接對電泳層32施加電壓。 其次，對2粒子系之電泳顯示裝置所實施之顯示動作進 行敍述。 圖16(a)〜(d)係表示各顯示色之粒子之分佈狀態之剖面 圖。再者’於® 16(a)〜⑷中，係著眼於Hg)像素而進行圖 示，省略各像素内之像素電極35A、35B之數。又，為簡 化圖式，將反射電極38顯示為與像素電極35Α、35β同 層。此處，對向電極37與反射f極对輸人有接地電位。 圖16(a)表示白顯示時之粒子之分佈狀態。 像素電極35A中施加負f壓％(負之最大值），像素電極 156789.doc •35- 201219951 35B中施加正電壓VH(正之最大值）時，像素電極35八上吸 附帶正電粒子27(Bk)，像素電極35B上吸附帶負電粒子 26(Bk)。自外部人射之光藉由像素電極35A、別周圍存在 之反射 '電極38反射而自對向電極3 7側射出。 於该狀態下自對向電極37側觀察電泳層32時，藉由反射 光而使像素40全體變成白顯示（第1預設狀態）。 圖1 6(b)表示黑顯示時之粒子之分佈狀態。 自白顯示向黑顯示切換之情形時，對各像素電極35A施 加正電壓VH，對像素電極35B施加負電壓VL，使吸附於 各像素電極35A、35B之所有帶負電粒子26(Bk)及所有帶正 電粒子27(Bk)向對向電極37側移動。帶負電粒子26(Bk)及 帶正電粒子27(Bk)於對向電極37上係2維或3維地分佈。 此時，圖15之保護層43之膜厚為20 μηι，較電泳層32之 單元間隙10 μπι更厚。因此，像素電極35Α、35Β上之粒子 並不向反射電極38移動，而是向對向基板移動。 自外部入射之光藉由對向電極37上所分佈之帶電粒子 26(81^及帶正電粒子27(81(；)而吸收，故變成黑顯示。 圖16(c)表示灰顯示時之粒子之分佈狀態。 此處’首先自圖16(a)所示之狀態起對各像素電極35a、 35B施加特定之電壓。 所有帶正電粒子27(Bk)吸附於像素電極35A上，所有帶 負電粒子26(Bk)吸附於像素電極35B上之狀態（預設狀態） 下’對像素電極3 5 A施加較黑顯示時所施加之正電壓vh更 小的正電壓Vh(|Vh|<|VH|)，對像素電極35B施加較黑顯示 156789.doc -36- 201219951 時所施加之負電壓VL更小之負電壓V1(|V1|<|VL|)，則像素 電極35A、35B上之帶正負電粒子27(Bk)、26(Bk)之一部分 向對向電極37側移動。藉此’於與像素電極35 A、35B對 向之對向電極3 7上之特定區域形成複數之較小黑點，且於 3亥專黑點之間存在分散介質21 (T)。此處’帶正電粒子 27(Bk)之黑顯示彳占據像素區域全體之約I/]之面積。又，像 素區域全體之約2/3之面積係由反射光之白顯示佔據。透 過黑點間之分散介質21 (T)而由反射電極3 6反射之光再次 向對向電極37側返回，藉此可表現出白。 於對向電極37上’帶正電粒子27(Bk)及帶負電粒子 26(Bk)係2維或3維地分佈，帶正電粒子27(Bk)及帶負電粒 子26(Bk)之黑點之區域、與反射光之白色之區域混雜存 在’故於該狀態下自對向電極3 7側觀察電泳層3 2時，全體 變成灰顯示。即’入射光包含黑色之帶正電粒子27(Bk)及 帶負電粒子26(Bk)中被吸收之成分、及被反射電極36反射 之成分’且若將該等成分合計，則全體變成灰顯示。 若使用其他表現，藉由對向電極3 7上存在之帶正電粒子 27(Bk)及帶負電粒子26(Bk)遮住反射電極36之一部分而使 自對向基板3 10側射出之反射光之出光量減少，故變成亮 度被抑制之灰顯示。 圖16(d)表示白顯示時之粒子之分佈狀態。 此處’圖16(a)所示之白顯示時，將相反極性之電壓施加 於各像素電極35A、35B上。即，對像素電極35A施加正電 壓VH ’對像素電極35B施加負電壓vl，藉此於像素電極 156789.doc •37· 201219951 35八上吸附所有帶負電粒子26(Bk)，於像素電極35B上吸附 所有帶正電粒子27(Bk)。於該狀態下，自外部入射之光被 像素電極3 5A、35B周圍之反射電極38反射，故像素4〇之 全體變成白顯示（第2預設狀態 圖17及圖18係驅動2粒子系之電泳裝置時之時序圖。對 向電極37與反射電極38上施加接地電位（Vc〇m)，於該狀態 下對像素電極35A、35B施加特定之電壓。 再者’作為灰顯示之方法存在若干圖案，連續地實施該 等。 [灰顯示（1 首先’對第1灰顯示動作進行敍述。 如圖17所示，於預設期間T11，對m列之掃描線66施加 選擇電壓Vgh，經由第1資料線68A對像素電極35A施加正 電壓VH，並且經由資料線68B對像素電極35B施加負電壓 VL，藉此如圖16(d)所示，於像素電極35八及像素電極 上吸附所有帶負電粒子26(Bk)及帶正電粒子27(Bk)。如 此’將像素40内設為白顯示而變成初始狀態。 於寫入期間T12，選擇m列之掃描線66，對像素電極35A 施加負電壓V1(|V1|<|VL丨），對像素電極35B施加正電壓 Vh(|Vh|<|VH|) ’藉此如圖16(c)所示使像素電極35A、35B 上所吸附之粒子26(Bk)、27(Bk)之一部分分別向對向電極 37側移動。如此，像素4〇變成灰顯示。 於顯示保持設定期間T13 ’對第1資料線68A及第2資料 線68B分別施加Vcom。於其後之顯示保持期間T14，將像 156789.doc •38· 201219951 素電極35A、35B、第丄資料線68A與第2資料線⑽、掃描 線66及對向電極37均設為高阻抗狀態。藉此，可不重寫顯 不而進打保持。再者，於該狀態下並不消耗電力。 [灰顯示（2)] 其次’對第2灰顯示動作進行敍述。 如圖17所示，於預設期間T21，選擇爪列之掃描線％, 分別對像素電極35A施加負電壓VL，並且對像素電極别 施加正電壓VH，藉此於像素電極35A、35B上吸附所有帶 電粒子26(Bk)、27(Bk)，像素4〇變成白顯示。 於寫入期間T22，選擇爪列之掃描線66，對像素電極35a 施加正電壓Vh(|Vh|<|VH丨），並且對像素電極35B施加負電 壓VI(丨V1|<|VL|) 〇藉此，使像素電極3SA、MB上所吸附之 各帶電粒子26(Bk)、27(Bk)之一部分向對向電極37側移 動，而變成灰顯示。 於顯示保持設定期間T23、顯示保持期間T24進行與 Τ13、Τ14相同之動作。 [灰顯示（3)] 其次’對第3灰顯示動作進行敍述。 如圖18所示，於預設期間T31，選擇111列之掃描線託， 分別對像素電極35A施加正電壓VH，並且對像素電極35B 施加負電壓VL，藉此於像素電極35A、35B上吸附所有帶 電粒子26(Bk)、27(Bk)，像素40變成白顯示。 於寫入期間T32，選擇m列之掃描線66，對像素電極35 a 施加Vcom，並且對像素電極35B施加正電壓VH，藉此於 156789.doc 39· 201219951 像素電極35A上吸附所有帶負電粒子26(Bk)，於此狀態下 使像素電極35B上所吸附之所有帶正電粒子27(Bk)向對向 電極37側移動。藉此，像素40變成灰顯示。 於顯示保持設定期間T33、顯示保持期間T34進行與 T13、T14相同之動作。 [白顯示] 其次，對白顯示動作進行敍述。
如圖18所示’於預設期間T41，對像素電極35A施加負 電壓VL，並且對像素電極35B施加正電壓VH，藉此於像 素電極35A上吸附所有帶正電粒子27(Bk)，於像素電極35B 上吸附所有帶負電粒子26(Bk)。以此方式實施白顯示之預 設。 於寫入期間T42，分別對像素電極35A及像素電極35B施 加Vcom，藉此保持各帶電粒子26(Bk)、27(Bk)之對於各像 素電極35A及像素電極35B上之吸附狀態。 進而’繼而於顯示保持設定期間T43、顯示保持期間丁44 .進行與Τ13、Τ14相同之動作。 根據本實施形態’電泳層32内存在彼此為反極性帶電之 2種帶負電粒子26(Bk)及帶正電粒子27(Bk)，故可更詳細地 進行顯示圖像之亮度、彩度、色彩之控制。 如上述般’於連續實施顯示動作之情形時，之前之顯示 動作時與之後之顯示動作時將預設期間施加於像素電極 35A、35B之電壓之極性設為相反。因此，於連續顯示同 一圖像之情形時，像素電極35A、35B與對向電極37之間 156789.doc -40· 201219951 亦施加有交流電流。 又，於進行同一圖像顯示之情形時，亦可將施加於像素 電極35A與像素電極35B之電壓之極性於之前之顯示動作 時與之後之顯示動作時反轉◊該情形時，像素電極35A、 35B與對向電極37之間亦施加有交流電流。 如此，較佳為每當進行單數或複數之圖像重寫時切換第 1預設動作、第2預設動作。藉此’可完全消除像素電極 35A、35B與對向電極37之間之直流電壓，防止電極之腐 蝕及電泳材料之劣化。 以上係對反射電極38持續施加接地電位，但並不限於 此。如第1實施例所說明般，亦可施加輔助粒子移動或排 斥粒子之電壓。例如自圖16(勾向同圖（b)藉由2個步驟而變 化時’係依序施加以下之電壓。於1步驟中使帶正電粒子 27(Bk)向對向電極37側移動時，反射電極38與像素電極 35B亦施加與像素電極35A同極性之電壓。於之後的2步驟 中使帶負電粒子26(Bk)移動時，對反射電極38與像素電極 35A施加與像素電極35b同極性之負電壓。 進而，驅動之電壓、極性等藉由像素電極35八、3沾、 反射電極38、對向電極37 '單元間隙等之設計值而變化。 至此為止之數值僅為其_例。如圖1G所示，亦可於顯㈣ 持設定機關使選擇電晶體導通並將Vc〇m寫入像素 35A、35B。 '° 以上，-面參照附圖-面對本發明之較佳實施形能進行 了說明，但本發明Μ並不㈣於上述例。業者應瞭解， 156789.doc 201219951 於申。3專利gj所記载之技術思想之料内，可想到各種 變更例或仏正例，且其等當然亦屬於本發明之技術範圍。 於之刖所δ己載之實施形態中，構成為具備可施加電壓之 反射電極36’ <旦亦可為僅由金屬膜形成之反射層只要為 可使光有效反射之構成則可為任意者。 以下，表示若干元件基板之變形例。 圖19(a) (d)係表示元件基板之變形例之剖面圖。 如圖19(a)所示，亦可於形成像素電極^之同時將保護層 圖案形成。即，亦可構成為，將保護層43之配置有像素 電極35之區域以外除去，藉此使反射電極％於電泳層Μ側 露出。 如圖19(b)所示，亦可於第2層間絕緣層42B之表面將像 素電極35與反射電極36排列配置於同一層上。像素電極35 如以與反射電極36隔開（絕緣）之狀態配置於反射電極％内 形成之貫通孔3 6a内。 於上述各實施形態中，係於像素電極35同層或下層側配 置反射電極36，但亦可於較像素電極35更上層配置反射電 極3 6 〇 如圖19(c)所示，像素電極35係配置於第2層間絕緣層 42B之表面，且與自第i層間絕緣層42A及第2層間絕緣層 42B露出之連接電極44A(44B)連接。 反射電極36係形成於以覆蓋第2層間絕緣層42B之方式所 形成之保護層43之表面，且於與像素電極35對應之位置處 形成較像素電極35更大直徑之貫通孔,36a。 156789.doc -42· 201219951 藉此’無論帶正貞電之帶絲子26_、2戰)均吸附 於位於像素電極35上之保護層43之表面。 如圖19⑷所不’亦可為將像素電極35上存在之保護層 43除去而使像素電極35自電泳_側露出之形狀。此時， 使保》蒦層43之貝通孔43b之内周面以朝向電泳層32側變廣 之方式傾斜’藉此使帶電粒子26_、27(Bk)之向貫通孔 43b内外之移動變得順暢。 圖20係表示像素電極之變形例之平面圖。 如圖20所示，亦可於1像素（像素40)内條紋狀排列呈俯 視矩形狀之複數之像素電極85A、85B狀排列，像素電極 85A、85B於短邊方向以等間隔交替配置，複數之像素電 極85A彼此藉由連接電極84A而相互連接，複數之像素電 極85B彼此藉由連接電極84B而相互連接。連接電極84A、 84B呈相對於像素電極85A、85B之延伸存在方向而正交延 伸存在之俯視矩形狀，且配置於較像素電極85八、85b更 靠第1基板30側。而且，像素電極85A係經由連接電極84A 而連接於電晶體TR1之沒極電極41 d，像素電極85B係經由 連接電極84B而連接於電晶體TR2之汲極電極41d，且可相 互獨立地驅動》 於反射層83上為避免與像素電極85A、85B之短路，對 應於像素電極85A、85B之數，而設有複數之具有較像素 電極85A、85B之俯視時之面積更廣之開口面積的俯視矩 形狀之開口 83a。 或者，顯示部大致整體亦可形成為β狀。此時自顯示部5 156789.doc •43· 201219951 之外部對反射層83施加電壓。 圖21係表示於對向基板側設有彩色濾光片之情形時之概 略構成的剖面圖。 如圖21所示，亦可於上述第1及第2實施形態之對向基板 31〇上對應每一像素4〇而設置包含3色（尺、g、…之濾光片 之彩色濾光片CF。 彩色濾光片CF係藉由由感光性丙烯酸形成之透明保護膜 55覆蓋。该保護膜55係對於彩色濾光片cF而高度密著地形 成，具有保護彩色濾光片CF並且使第2基板3〗上平坦化之 功能。 對向電極37係於保護膜55之表面形成為p狀。 藉由此種構成，自第2基板3 1側入射之光藉由入射至彩 色濾光片CF而著色，並藉由元件基板3〇〇上所設之反射電 極36而向第2基板3 1 (觀測者）側反射。其結果為，光之利用 效率提高，且可進行明亮且視認性良好之彩色顯示。 再者’彩色濾光片CF可為顏料類型亦可為染料類型。 於如上所述之構成之情形時，反射電極36及反射電極38 係由大致平坦成膜之金屬層形成，故存在若入射正反射光 則會產生不均而導致視認性下降之問題。以下對用以緩和 此問題之構成例進行敍述。 圖22係表示具有附有光散射性之反射電極之元件基板之 概略構成的剖面圖。圖23係表示具有附有光散射性之反射 電極及散射粒子之元件基板之概略構成的剖面圖。 圖22所示之元件基板300對應第1基板3〇上之每一像素而 156789.doc -44- 201219951 形成有選擇電晶體TRs、及連接電極44，並且以覆蓋該等 選擇電晶體TRs及連接電極44之方式，於基板整個表面上 依序形成第1層間絕緣層42A及第2層間絕緣層42B。 第2層間絕緣層42B之表面42b為凹凸形狀，且形成有向 第1基板30之相反側突出之複數之凸部53A。至少於1個像 素40中凸部53 A之俯視形狀及剖面形狀、高度等不均勻， 並且第1基板30上之複數之凸部53A之配置位置為隨機位 置。 圖22所示之第2層間絕緣層42B係由感光性丙烯酸形成， 藉由利用曝光步驟中之光之強弱而可於表面42b形成凹 凸。 於第2層間絕緣層42B上以類似表面42b之形狀之方式設 有反射電極54(反射層）。反射電極54之膜厚薄於第2層間絕 緣層42B之膜厚’故變成反映第2層間絕緣層42B之表面 42b即凸部53A之外形的形狀。藉此，反射電極54之表面 (散射面）54a變成散射面，而可獲得具有光反射性及光散射 性之反射電極（散射構件）54。 反射電極54於接觸孔H1内與像素電極35連接。 根據此種構成，表面421)為凹凸形狀之第2層間絕緣層 42B上形成由較薄之金屬膜形成之反射電極％，藉此可使 第2層間絕緣層42B之表面42b之凹凸形狀反映至反射電極 3 6如此，藉由採用利用第2層間絕緣層42B之形狀而對反 射電極36賦予凹凸形狀之手法，與使用蝕刻法等將金屬膜 之表面叹為凹凸形狀之手法相比，可更容易地製造具有光 156789.doc -45- 201219951 散射性之反射電極54。又，由於可薄於金屬膜之厚度，故 可實現裝置之輕質化且亦可削減材料成本β 又’於對向基板3 10側設有彩色濾光片cF之情形時，原 理上而言顯示大多會變暗，但藉由於元件基板3〇〇側設置 具有光散射性之反射電極54，而可抑制正反射引起之不 均，將其光用於其他視角方向之顯示，故可進行明亮且視 認性良好之彩色顯示。 又，如圖23所示，亦可於反射電極54之表面5牦上分散 配置使光散射之散射粒子（散射構件）59。具體而言，於保 護層43内混雜大量散射粒子59。散射粒子59係由例如二氧 化鈦粒子形成。再者，作為散射粒子59可使用無色透明粒 子、與彩色濾光月同色之透光性粒子、或金屬等反射性之 材料等。 藉此，入射至電泳顯示裝置之光藉由散射粒子”而“欠 或複數次反射（漫反射）之後出射至觀測者側，藉此可提高 顯示圖像之亮度，進而提高視認性。藉由具備具有光散射 性之反射電極54及散射粒子59，可獲得光之利用效率提 问、更明亮且視認性優異之電泳顯示裝置。 圖24(a)係表示具有光擴散板之電泳顯示裝置之】像素之 概略構成的剖面圖’圖24〇3)係表示光擴散板之概略構成之 面圖，圖24(c)係表示光擴散板之概略構成之平面圖。 圖24(a)所示之電泳顯示裝置於對向基板31〇(第2基板31) 之外面側具備具有光擴散性之光擴散板（擴散材）56。如圖 24(b)所不’光擴散板56具有擴散板57、及擴散層58而構 156789.doc -46 - 201219951 成。擴散層58上形成有複數之向擴散板57側凹下並且如圖 24(c)所示般呈俯視正方形狀的凹部58A。 擴散板57具有支持基板之功能，擴散層58具有光之擴散 功能。 又，如圖24(a)所示，於元件基板300上對應每一像素40 而設有彩色濾光片CF。彩色濾光片CF係形成於反射電極 36上。自對向基板310側入射之光透過電泳層32及彩色渡 光片CF，藉由彩色濾光片CF之下層之反射電極36而向對 向基板310側反射。到達光擴散板56之反射光以特定之角 度而散射。 藉由將此種光擴散板5 6設置於對向基板3 10與觀測者之 間’可將反射電極36所反射之反射光之中的正反射光亦藉 由光擴散板56變成散射光並用於顯示。藉此，不僅可防止 顯示之不均，且亦可提高顯示亮度。 再者’光擴散板56亦可為產生所謂之漫反射之構成。 又，於之前之實施形態中，係於i個像素4〇内遍及像素 區域全體而配置複數之像素電極35。圖25係表示因像素電 極35之數而不同之1像素之顯示狀態的圖，且（a)係表示丄像 素内有複數之像素電極35之情形時的圖，係表示i像素 内僅配置1個像素電極35之情形時之圖。 如圖25(a)所示，藉由於丨個像素4〇内設置複數之像素電 極35，可使黑顯示或灰顯示於像素4〇之全體均勻地顯示。 如圖25(b)所不，於1個像素4〇内僅配置}個像素電極h 之情形時，例如於像素40之中央配置有一個像素電極”之 156789.doc •47· 201219951 構成之清形時’像素40之四角無法進行顯示，無法獲得充 分之對比度。 因此，構成為於像素40内配置複數之像素電極35，而可 進行直至像素40之各角的所需顯示。 又，上述各實施形態中可使用之電泳材料並不限於上述 者。亦可使用膠囊類型或隔壁類型之電泳材料。 。J而，使用如膠囊類型或隔壁類型般、對應特定區域而 區刀之電冰層之情形時，存在此區分之區域令無法擴展帶 電粒子之分佈。因此，存在無法進行顯示之區域，成為對 比度下降及亮度下降等顯示性能下降之原因。 ，相對於此，上述各實施形態之電泳層32並非對應特定區 域而區分等，帶電粒子廣泛分佈於對向電極叨上。因此， ^目鄰之像素之邊界上亦容易覆蓋帶電粒子，從而成為可提 高對比度及視認性之構成。 又，為使分散介質21不與電極35、37及保護層43等直接 接觸，亦可於其等之間使用薄臈層。其目的在於可確實地 進行帶電粒子之利用電場的吸附與脫離1_層所使用 之材料可為有機膜亦可為無機膜。 又，帶電粒子之色並不限於黑色或自色。例如不使用彩 色遽光片而使用紅色之帶電粒子’藉此可進行白顯示及紅 顯示。 又’粒子可為電子粉流體，亦可使用其他有機、無機材 料。 又’分散介質21亦可並非液體而是氣體、真空。 156789.doc -48- 201219951 2分散介質21之㈣，較佳為實f上無色透明。作為 人刀散μ ’較佳使用具有較高之絕緣性者。作為該分 散"質可列舉例如各種（蒸潑水、純水、離子交換水 等）、甲醇、乙醇、丁醇等醇類、甲基溶纖劑等之溶纖劑 頮乙酉夂甲®日、乙酸乙s旨等s旨類、㈣m 類、戊炫等脂肪族烴類、環己院等之脂環煙類、如苯、子 f之具有長鏈貌基之苯類等芳香族烴類、二氯甲烧、氣仿 * ㈣員"比唆、D"等之芳香族雜環類、乙腈、丙猜 —:類N’N--甲基甲醯胺等之醯胺類、羧酸鹽、液態 石壤等礦物油類、亞麻油酸、次亞麻油酸、油酸等植物= 類、二甲基聚石夕氧油、甲基苯基聚石夕氧油、甲基氫化聚矽 氧油等聚石夕氧油類、氫_氟系液體或其他各種油類 等，該等可早獨或作為混合物使用。又亦可視需要而於 分散介質中添加例如電解質'界面活性劑、金屬皂、樹脂 材料、橡膠材料、油類、石蟻、含有化合物等粒子之電荷 控制劑欽系偶合劑、紹系偶合劑、石夕烧系偶合劑等偶人 劑之分散劑、潤滑劑、穩定化劑等各種添加劑。 。 分散介質21中所含之帶電粒子分別可使用任何者，並無 特別限疋，較佳使用染料粒子、顏料粒子、樹脂粒子 '陶 曼粒子、金屬粒子、電子粉流體、金屬氧化物粒子或該等 之複合粒子中之至少1種。該等粒子具有容易製造且電荷 控制比較容易進行之優點。 作為構成顏料粒子之顏料，可列舉例如苯胺黑、碳黑、 鈦黑等之黑色顏料、二氧化鈦、三氧化二録、硫化辞、鋅 156789.doc 49· 201219951 白等之白色顏料、單偶氮、雙偶氮、聚偶氮等偶氮系顏 料、異㈣滿_、絡黃、黃色氧化鐵、編黃、欽黃等之黃 色顏料、單偶氮、雙偶氮、聚偶氮等偶氮系顏料、喹。丫啶 酮紅、鉻朱紅等之紅色顏料、酞菁藍、陰丹士林藍、鐵 藍、群青、姑藍等之藍色顏料、醜菁綠等之綠色顏料、亞 鐵氰化鐵等之藍綠色顏料、或無機氧化鐵等深紅色顏料 等。亦可使用無機顏料、有機顏料。可將該等中之】種或2 種以上組合使用。可使用染料代替上述顏料而構成染料粒 子》該情形時可於白色顏料中混人染料，亦可與著色之顏 料混合使用。例如亦可使用陽碳離子系之深紅等染料。 /又，作為構成樹脂粒子之樹脂材料，可列舉例如丙稀酸 系樹脂、聚氨醋系樹脂、尿素系樹脂'環氧系樹脂、松香 樹脂、聚苯乙烯、聚酯、苯乙烯與丙烯腈共聚而成之AS樹 脂等，可將該等中之丨種或2種以上組合而使用。 又，作為複合粒子’可列舉例如顏料粒子之表面被樹脂 材料覆蓋者、樹脂粒子之表面被顏料覆蓋者、顏料與樹脂 材料以適當組成比混合之混合物所構成的粒子等。 又，為提高此種電泳粒子之分散介質21中之分散性可 於各粒子之表面物理吸收或者化學結合與分散介質Η之相 溶性較高之高分子。該等之中，就電泳粒子之自表面之脫 附之問題而言，特別係化學結合高分子者較佳。若為該構 成，則於電泳粒子之視比重變小之方向發揮作用，而可提 高電泳粒子之於分散介質中之親和性、即分散性。 作為此種1¾分子 可列舉例如具有和電泳粒子有反應性 •50· 156789.doc 201219951 之基與帶電性官能基之高分子、具有和電泳粒子有反應性 之基與長鏈烷基鏈、長鏈環氧乙烷鏈、長鏈氟化烷基鏈、 長鍵一甲基矽氧烷鏈等之高分子、及具有和電泳粒子有反 應丨生之基與帶電性官能基及長鏈烷基鏈、長鏈環氧乙烷 鏈長鏈氟化烷基鏈、長鏈二甲基矽氧烷鏈等的高分子 等。 於如上所述之高分子中，作為與電泳粒子有反應性之 基，可列舉例如環氧基、硫代環氧基、烷氧矽烷基、矽烷 醇基、烷基胺基、氮丙啶基、噁酮基、及異氰酸酯基等， 可選擇該等中之1種或2種以上使用，根據所使用之電泳粒 子之種類等而進行選擇便可。 電泳粒子之平均粒徑並無特別限定，較佳為〇〇1〜1() pm 左右，更佳為0.02〜5 μηι左右》 又，作為用以確保像素電極35與連接電極之絕緣性之絕 緣膜之材料係使用丙烯酸。可使用除此以外之材料，亦可 使用氧化矽膜等之無機絕緣膜、有機絕緣膜。 作為第1基板30及第2基板31 ,亦可使用pet基板以外之 有機絕緣基板、薄玻璃等之無機玻璃基板或由無機材料及 有機材料形成之複合基板。 又’作為選擇電晶體並不限於使用氧化物半導體。亦可 使用矽系、有機TFT。 光擴散板56所使用之材料並不限於丙烯酸、pET。只要 為透明材料均可使用。 又’擴散層58中產生擴散之凹部58A之曲面（構成）並不 156789.doc -51 · 201219951 限於圖示者。可根據凹部58A之曲面之設計而決定出光之 光之範圍、即視角，且可根據目的而變更設計值。 再者’除了曲面以外’可使用各種各樣之形狀以實現必 要之視角。例如，亦可使用階段狀之階差。 又’擴散層58之複數之凹部58A之2維配置亦不限於上述 者。例如，亦可將凹部58A之俯視時之形狀設為長方形而 非正方形’可於上下、左右方向控制視角。又，亦可設為 橢圓或圓而非四邊形’並以小圓或橢圓、呈多邊形之凹部 來填埋其間隙。又’該等凹部之曲面亦可為具有多段之階 差之構成。只要具有於一定範圍之方向上擴散、出光之功 能則形狀為任意。進而，亦可構成為選擇性擴散特定方向 之入射光。又’亦可構成為使特定方向之入射光擴散，進 而出光。又，於圖24(b)中，亦可構成為於第2基板31上依 序具備擴散層58、擴散板57。擴散層58、擴散板57亦可使 用一體形成等上述以外之構成。 作為光擴散板56亦可使用具有將一定範圍之方向之入射 光擴散之功能的薄膜。該薄膜透明，相對於上述方向以外 若將上述一定範圍設為引起
之擴散角度可自由地設定。 之光不具有擴散功能。例如 正反射之入射光之方向，則 於顯示之光用於顯示。進而 具有擴散功能，故不舍產；i 顯不裝置時之、若為室内則相 約相當於太陽之位置。該薄膜 例如可將不同擴散角度之薄膜 156789.doc -52. 201219951 層，^々八 /、#之和設為角度’或者變更薄膜製造時之擴散 角声。 、 又’亦可將相同擴散角度之薄膜積層，而使擴散更 準確。可i%行對應於肖途之設計。 亦可於光擴散板56上設置如氧化矽膜之耐濕層。電泳材 卜電氣光學裝置中，電氣光學特性會因濕度而發生 變化。可 5夺方式上述狀況之產生。耐濕層可設置於擴散 材之早側或兩側之表面、或者基材等材料中。X，亦可並 非層而疋將耐濕材混入擴散材令以提高耐濕性能。 又’各電極35 ' 37及各層之膜厚、材料等並無特別限 、再者’像素電極35之俯視時之形狀並非必須為圓，亦可 為多邊形、橢圓形等。 又，至此為止之實施例中係使著色粒子向對向電極移 動’但亦可構成為不使用對向電極。該情形時使用反射電 D '替ί向電極。即，藉由像素電極與反射電極間所施加 之電壓而控制粒子，使用兩電極間之著色粒子分佈之面積 不同而進行顯示。 [電子機器] 其次’對將上述各實施形態之電泳顯示裝置應用於電子 機器之情形進行說明。 圖2 6係說明應用本發明之電 體例的立體圖。㈣冰顯-裝置之電子機器之具 圖26⑷係表示電子機器之一例之電子書之立體圖。 子書⑽機抑_㈣㈣狀之框體⑽卜相對於該框 J56789.doc 53· 201219951 體1001轉動自如地設置（可開關）之外殼1002、操作部 1003及由本發明之電泳顯示裝置構成之顯示部1〇〇4。 圖26(b)係、表示電子機器之__例之手錶之立體圖。該手 錶（電子機器）11〇〇具備由本發明之電泳顯示裝置所構成之 顯不部11 〇 1 〇 圖26(c)係表示電子機器之一例之電子紙之立體圖。該電 子紙（電子機器）12GG具備由具有與紙相同質感及柔軟性之 可複寫片材構成之本體部12〇1、及由本發明之電泳顯示裝 置構成的顯示部12 〇 2。 —例如電子書或電子紙等係、假^於空白背景上重複寫入文 子之用途，故必須消除刪除時殘像及經時殘像。 再者，可應用|發明之電泳顯示裝置之電子冑器之範圍 並不限定於此’廣泛包含利用伴隨帶電粒子移動之視覺上 之色調變化之裝置。 根據以上之電子書1000、手錶11〇〇及電子紙12〇〇,由於 才木用本發明之電泳顯示裝置，故可變成具備彩色顯示機構 之電子機器》 再者，上述電子機器係例示本發明之電子機器者，而非 對本發明之技術範圍進行限定者。例如，於行動電話、行 動用音訊機器等電子機器之顯示部，亦可較佳使用本發明 之電泳顯示裝置。 【圖式簡單說明】 圖1(a)係表不電泳顯示裝置之全體構成之平面圖，圖 1(b)係表示電泳顯示裝置之全體構成之等效電路圖； 156789.doc -54- 201219951 圖2係電泳顯示裝置之丨像素之等效電路圖； 圖3係表示電泳顯示裝置之概略構成之剖面圖； 圖4係表示元件基板上之丨像素之像素電極之佈局的— 例； 圖5係更詳細地表示1像素之元件基板上之構成的平面 圖； 圖6係圖5之A-A線剖面圖； 圖7(a)、（b)係、表示帶正電粒子之分佈狀態對應於像素電 極之施加電壓之大小而不同之情形時的說明圖； 圖8(a)〜⑷係表示各顯示色之粒子之分佈狀態之剖面 圖； 圖9(a)〜⑷係表示各顯示色之粒子之分佈狀態之平面 圖； 圖10係驅動！粒子系之電泳顯示裝置時之時序圖； 圖U⑷〜⑷係概略表示由複數之子像素形成之i像素之 τ〇ι · 園， 圖12係表示第2實施形態之電泳顯示裝置之(像素之概略 構成的剖面圖； 圖13係表示電泳顯示裝置之全體構成之等效電路圖； 圖14係詳細表示電泳顯示裝置之1像素之it件基板之構 成的平面圖； 圖15係沿圖14之B-B線之剖面圖； 圖16⑷〜⑷係表示各顯示色之粒子之分佈狀態之剖面 圖； 156789.doc •55· 201219951 圖17驅動2粒子系之電泳裝置時之時序圖； 圖18驅動2粒子系之電泳裝置時之時序圖； 圖19(a)〜(d)係表示元件基板之變形例之剖面圖； 圖20係表示像素電極之變形例之平面圖； 圖21係表示於對向基板側設有彩色濾光片時之概略構成 的剖面圖； 圖22係表示具有賦予光散射性之反射電極之元件基板之 概略構成的剖面圖； 圖23係表示具有賦予光散射性之反射電極及散射粒子之 元件基板之概略構成的剖面圖； 圖24(a)係表示具有光擴散板之電泳顯示裝置之丨像素之 概略構成的剖面圖’（b)係表示光擴散板之概略構成之剖面 圖，（0係表示光擴散板之概略構成之平面圖； 圖25係表示因像素電極之數而不 --N…4、〜剛/卜^ 的圖，（a)係表示1像素内有複數之像素電極之情形時 圖，⑻係表示！像素内僅有！個像素電極之情形時的圓； 圖％係對應用本發明之電泳顯示裝置之電子機器之具 例進行說明的立體圓，（a)係表示電子機器之一例之電子 之立體圖’（b)係表示電子機器之—例之手錶之立體圖 (〇係表示電子機器之一例之電子紙的立體圖。 【主要元件符號說明】 5 lla 、 lib 、 lie 顯示部 貫通孔 分散介質 156789.doc -56- 21 201219951 26 帶負電粒子（第2著色粒子） 26 ' 27 粒子 27 帶正電粒子（第1著色粒子） 30 第1基板 31 第2基板 32 電泳層 35 ' 35A 像素電極（第1電極） 35B 像素電極（第2電極） 36、38 反射電極（反射層） 37 對向電極 40 ' 40A 像素 41a 半導體層 41b 閘極絕緣膜 41c 源極電極 41d 汲極電極 41e 閘極電極 42A 第1層間絕緣層 42a、42b ' 54 表面 42B 第2層間絕緣層（第1絕緣層） 43 保護層（第2絕緣層） 44、44A、44B、 連接電極 84A ' 84B 44A 連接電極（第1連接電極） 44B 連接電極（第2連接電極） 156789.doc -57- 201219951 53A 凸部 54 反射電極（散射構件） 56 光擴散板（擴散材） 59 散射粒子（散射構件） 61 掃描線驅動電路 62 資料線驅動電路 66 掃描線 68 資料線 83 反射層 100 ' 200 電泳顯示裝置 201 ' 202 可撓性基板 300 元件基板 310 對向基板 1000 電子書（電子機器） 1001 框體 1002 外殼 1003 操作部 1004 顯示部 1100 手錶（電子機器） 1101 顯示部 1200 電子紙（電子機器） 1201 本體部 1202 顯示部 CF 彩色濾光片 156789.doc -58- 201219951 HI、H2 接觸孔 TR1、TR2、TRs 電晶體 TR1、TRs 選擇電晶體（第1電晶體） VH、VL 電壓 156789.doc -59-