TW201216317A - Charged particle detection system and multi-beamlet inspection system - Google Patents

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201216317 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 侧於帶電粒子制與檢驗祕，且本發縣特別關 於使用多個帶電粒子子波束之系統。 奇 【先前技術】 從專利文件WO 2005/02488中可得知習用的多子、、虫 (multPbeamiet)檢驗系、统。該文件所揭露的多子 ^ ，檢驗^件，例如半導體晶圓。多個—次電子子波束 由一次電子產生並從個別的一次電 ίίΓί帶電粒子成絲學裝置接收，以形成對應的二次電ΐ 巧束f列其係供應至具有偵測元件陣列的電子_1系統，使 =-個二次電子子波束人射至個別的侧元件上。由侧單^ 產生^測信號指出該物件在形成—次電子波束點之處的特^生。 藉由掃描整個物件表面上的—次電子波束能 ，的電子驗職。最好能在單位時_取得 處理量°為此’需要取得高對比之受測表面的電 'IV1 豕 使用單一一次電子波束的習用電子檢驗系統，例如 £(SEMs, scanning electron microscopes) > -欠電s被二而二在^器上’而動能低於能量門檻值的二 置的習用能量過魅可包含栅極，其係佈置在 收該電子束的物鏡之_二:域子波束雜巾。物⑽表面與接 若使用多個帶電粒子子波束陣列之帶電 能量過叙躲難為理想。 具有 【發明内容】 201216317 f將上述問題納人考量之下而完成本發明。 施例提供—種帶電粒子_系統，該系統包含_ 測以姻帶電粒子並具有能量過遽特性。 日f實施例提供—種帶電粒子侧系統’該系統包含 、目丨、有夕<貞測元件陣顺彳貞測帶電粒子以及減少入射至债 測兀件上的帶電粒子子波束之間的串擾之特性。 ㈣ίϊΐ發明-實施例，㈣粒子翻祕包含具有錢測元 ϊΐϊ第—伽m，以及具有第—纽__讓帶電粒子子 ^一穿過的第—孔隙板’其中該第—孔隙板係配置在離該侧器 距離的位置上。帶電粒子彳貞測系統更包含電壓供應源，供應 給該第-侧器與該第—孔隙板，且該第—孔隙板的孔隙與 一偵測器的偵測元件係彼此對齊，使得多個帶電粒子子波束 .各此穿過該.第-孔隙板的—孔隙而人射至該第__個器的一偵測 =件上。供應至該第-伽指與該第板的電位係能設定為 巧讓子波束中動能大於能量門檻值的帶電粒子能夠穿過該第一孔 隙板的個別孔隙而入射至個別的偵測元件上。動能低於能量門檻 值的其他帶電粒子便無法穿過該孔隙，並因而不能入射至該偵測 元件上。 依照此處一特定實施例’帶電粒子偵測系統更包含第二孔隙 板具有第二多孔隙陣列，其讓帶電粒子穿過且係配置在離該偵 測器第二距離的位置上，且該第二距離大於第一距離。電壓供應 源亦用以供應電位給該第二孔隙板。 :此外，電壓係能供應成致使該第一與第二孔隙板對穿過該孔 隙板的多個帶電粒子子波束的每一個提供對焦效果，而每個子波 束的截面積會隨著離該偵測元件的距離越近而縮小。這將減少下 列帶電粒子軌跡存在的可能性：該軌跡穿過該第一孔隙板的一特 定孔隙並接著入射至一偵測元件上，而該偵測元件係在與被穿過 的特定孔隙相關之偵測元件附近。 依照若干實施例，該第一距離之數值係能在6 mm至20 mm 的示範範圍中。依照此處的若干實施例，該第二距離之數值係能 201216317 在10 mm至30mm的示範範圍中。依照此處其他的若干實施例， 該第二距離之數值大於該第一距離之數值的量係能在2 mm至20 mm的示範範圍中。 依照使用負電粒子(例如電子或帶負電的離子)作為帶電粒子 的實施例中，電壓供應源係用以施加第一電位給該第一偵測器， ，相對於參考電位而言’該第一電位大於施加給該第一孔/隙^的 第二電位。依此形態，動能低於能量門檻值的帶電粒子就可能不 ，過該第一孔隙板的孔隙，而動能大於該能量門檻值的帶電粒子 就能穿過該第一孔隙板的孔隙並加速朝向該偵測器而入射至個別 的偵測元件上。在使用正電粒子（例如帶正電的離子）作為帶電 粒子的實施例中，該第一電位係能小於該第二電位。 一在具有該第二孔隙板的實施例中，電壓供應源係用以施加第 三電位給該第二孔隙板’而相對於該參考電位而言，該第三電位 係大於施加給該第一孔隙板的該第二電位。依此配置，就能使得 穿過該第二孔隙板孔隙的帶電粒子子波束朝向該第一孔隙板的對 應孔隙對焦，致能增進能量過濾特性的準確性以及避免串擾。 依照更進一步的貫施例，帶電粒子偵測系統包含具有多孔隙 陣列的第二孔隙板，其係配置在該第一彳貞測器與該第一孔隙板之 間’其中該電壓供應源更用以施加第四電位給該第三孔隙板。依 照此處實施例，該第四電位係能介於施加給該第一偵測器與該第 一孔隙板的電位之間。此類配置對於進一步提升能量過濾 以 及避免鄰近元件之間的串擾皆有助益。 心 ★依照第四實施例，帶電粒子偵測系統包含具有多孔隙陣列的 第四孔隙板，其係配置在該第一偵測板與該第二偵測板之間，其 中該電壓供應源係更用以施加第五電位給該第四孔隙板。依照此 處之特定實施例，該第五電位之數值係能介於施加給該第一孔隙 板的電位數值與施加給該第二孔隙板的電位數值之間。以增進能 量過濾特性的角度觀之，此類配置對於讓帶電粒子子波束^向該 第一孔隙板的個別孔隙對焦頗有助益。 依照更進一步的實施例，帶電粒子偵測系統包含至少一帶電 201216317 粒子透鏡，其係配置在離該偵測器一段距離的位置上，且該距離 ^於該第一孔隙板離該偵測器的距離，或是在具有第二孔隙板的 只方&例中，該距離大於該第二孔隙板離該偵測器的距離。該至少 :帶電粒子透鏡係用以接收多個帶電粒子子波束並引導多個帶電 粒子子波束分別朝向該第一與第二孔隙板，使得每個帶電粒子子 波束穿過該孔隙板個別的對應孔隙。該至少一帶電粒子透鏡可包 含提供靜電場的靜電透鏡與提供磁場的電磁透鏡以及提供靜電場 與磁場.之上述二者組合。依照該此處實施例，該至少一^ 透鏡具有多個帶電粒子子波束會一同穿過的孔洞。▼電粒子 依照更進一步的實施例，帶電粒子偵測系統包含一分束器， 用以從該等子波束所含且由該第一孔隙板或該第一、第二、^三 與第四孔隙板（具該等孔隙板的實施例中）的能量過^性所^ 的帶電粒子軌跡巾分出引義向該第—制器之帶電粒子子波束 執跡。 在此處的一特定實施例中，帶電粒子偵測系統更包含第二 測器，其係配置成使得被該能量過滤特性拒絕的㈣粒 射 =第二_||上，以產生對應的侧信號。此類配置能夠判定 隙板的帶電粒子子波束中而動能低於能量門檻 的數量或比例。依照此處的特定實施例，該第 = 貞r撕，而該卜與第二細亦能具有= 用以產生第-帶電粒子子波束陣列；第—波束形塑 該第—帶電粒子子波束陣列至該基板上以形成^列，1 用ίίίϋ射i以及第二波束形塑光學裝置了 系统依ϊΐΓί 施例丄ΪΓ種檢驗基板用多子波束檢驗 士、.充二中為統包含帶電粒子偵_統；—帶電粒子源， 201216317 粒子偵測系統包含··第一偵測器，具有多偵測元件陣列以偵測帶 電，子，第一孔隙板，具有第一多孔隙陣列，以讓帶電粒子穿過 且，配置於離該第一偵測器第一距離的位置上；第二孔隙板，具 ，，二多孔隙陣列，以讓帶電粒子穿過且係配置於離該第一偵測 器第二距離的位置上，該第二距離大於該第一距離；以及一電壓 供應源，用以供應電位給該第一偵測器、該第一孔隙板與該第二 孔隙;^ ;其中該第一孔隙板的孔隙、第二孔隙板的孔隙與該第一 偵測器，該偵測元件係彼此對齊，使得多個帶電粒子子波束各能 穿過該第-孔隙板的-孔隙與該第二孔隙板的—孔隙而入射 第一 4貞測器的一偵測元件上。 .° 【實施方式】 在下述實施例中’功能與結構相像的零件係盡可能地標示 相似的參照數字舰。目此，為能了觸定實闕巾各個零件的 特點，應當參照本發明其他實施例與發明内容之敘述。"" 圖1為示:t® ’ ®示只波束檢驗彡統的基本功能與特點。 檢驗系統產生多個入射至待檢驗基板上的一次電子子波^，以便 產生從基板上放射且後續會錢_二次電子。軸所示實施 採用電子作為人射至基板上的—次粒子以及作為從基板上釋放的 二次粒子’但是亦可使用其他種類的能量(例如入射光的子波 以及其他帶電粒子(例如質子與_子)的子波束來產生後續會受 伯測的一次帶電粒子。而二次帶電粒子亦可不是電子。、 多子波束f子驗彡統1為—種掃喊電子顯 類型，使用多個-次電子子波束3以在待檢驗基板7的表^上產) 生一次ί子波束點5。*檢驗基板7可為任侧型，且舉例來說， 可包含半導體aa®與生物樣本以及其他類型的微型化特徵穿^。 ，二，面係配置在物鏡系'统1〇〇的錄1〇2之物 plane)101 上。 卜二f見物面1〇1的前視圖，含有形成於物面101 上的-人電子，皮束點5之正規矩形陣列·。圖}中，25個一次 201216317 電子波束點係配置成5x5的矩陣1〇3。 說明，僅選擇少量$25彳$ 了在圖1的不思圖中便於 里的Μ個一次電子波束點。 置的一次^子波束點，例如3Gx50、lGGxlGG等等。、擇更夕 規矩實HI二次電，束點5的_ 1G3實質上為正 i不,且有而，陣列103亦可為變形的正規陣列， 式，例如同的間距’而且該陣列亦可為其他的對稱形 的干if ^面1G1中的—錢子波束點之餘可以很小。直徑 11巳值為5 nm、100⑽與200聰。物鏡系统1〇〇執行一次 子波束3的對焦以形成一次電子波束點5。 基板7上波束點5的—次電子產生從基板7表面放射 的一-人電子。由基板7表面放射的二次電子會被物鏡1〇2接收以 形成二次電子子波束9。檢驗系統1提供二次電子波束路徑u， 用以供應多個二次電子子波束9給帶電粒子偵測系統2〇〇。偵 統。200包含投料鏡裝置2Q5，用以引導二次電子子波束9朝向偵 測器207。該偵測器為具多個偵測元件的偵測器，且可包含cCD 偵測器、CMOS偵測器、閃爍偵測器、微通道平板、ρΐΝ二極體 陣列等等以及以上所述的適當組合。 圖1的嵌入圖12呈現偵測器207的前視圖，其中二次電子子 波束點213係形成在個別的偵測元件215上，其係配置成具有固 疋間距ρ2的陣列217。間距p2的示範值為1〇 μπι、100 μπι與 200 μιη。 一次電子子波束3係由子波束產生系統300產生，該系統包 含至少一電子源301、至少一準直透鏡(c〇Uimatinglens)303、多孔 隙板裝置305與像場透鏡(£161416批)307。 電子源301產生發散的電子波束309,準直透鏡303使該電子 波束平行以形成照射多孔隙裝置305的波束311。 圖1的嵌入圖13呈現多孔隙裝置305的前視圖。多孔隙裝置 305包含多孔隙板313，其中形成有多個孔隙315。孔隙315的中 201216317 心317係配置成圖形319,其對應於物面ιοί中所形成的一次電子 波束點5之圖形103。圖形319之間距p3的示範值可為5 μιη、 1〇〇 μιη與200 μιη。孔隙315的直徑D小於間距ρ3。直徑d的示 範值為 0.2ρ3、0.4ρ3 與 0.8ρ3。 穿過孔隙315的照射波束311之電子形成第一電子子波束3。 衝擊平板313的照射波束311之電子則會被該平板截斷而不會促 成一次電子子波束3形成。 此外’多孔隙裝置305聚焦個別的電子子波束3，使得焦點 323係產生於平面325中。圖1的喪入圖14呈現平面325的前視 圖’其中焦點323係配置成圖形327。圖形327的間距ρ4可和多 孔巧板313的圖形319之間距ρ3相等或不等。焦點323的直徑之 示範值可為10 nm、100 nm與1 μιη。 像％透鏡307與物鏡102提供成像系統，甩以使平面325成

像在物面101上以於基板7表面上形成一次電子波束點5陣 103。 J 分束器(beam splitter)系統400係設在波束產生系統3〇〇盥物 鏡系統100之間的-次電子波束路徑13中。分束器系統4〇(/亦構 成二次電子波束路徑11的一部分，致使分束器系統4〇〇係位於物 鏡系統100與偵測系統200之間。、 關於此處所用的子波束檢驗系統與帶電粒子零件(例如帶電粒 子源、多孔隙板與透鏡)之背景知識係可由下列具有相同受讓人的 專利文件中得知：W02005/024881、w〇2〇〇7/〇28595、 WO2007/028596與WO2007/06001，茲此併入該等申喑索 揭示内容崎參考。 ㈣之所有 圖2為多子波束檢驗系統1中帶電粒子铜系統綱 細的示意圖。圖2呈現帶電粒子子波束束集12，具有少量示 的三束二:欠電子子波束9。選擇少#的二次電子子波束9僅 明之便’而如同先前已述，實務上當可選擇明顯較多的數量。° 二次電子子波束9束集12係由分束器系統姻供應 統·。此實施現接收來自分束器之子波束9的投影透鏡系統 201216317 205，包含用以產生磁％而具有線圈222的電磁透鏡221，以及具 有二個板狀電.極226與227的靜電透鏡225。板狀電極226、227 各具有圓形孔隙228’束集12的所有子波束9會一同穿過該孔隙。 投影透鏡裝置205形塑子波束9的整體束集12以及個別的子 波束9,使其穿過個別的孔隙251並被引導朝向偵測器2〇7的偵測 元件215。 多子波束檢驗系統中控制系統的控制部位231係設以供應適 當的激發電流給線圈222以及供應適當的電位給板狀電極與 227。控制部位231亦可供應適當的控制信號(例如電流與電位)給 分束器系統400。 數個多孔隙板241、242、243與244係配置在偵測器207上 游的二次電子波束路徑11中。多孔隙板241至244係彼此分開並 與4貞測器207隔開。特定而言，多孔隙板241離彳貞測元件213表 面一段距離dl，其中dl的示範值從6 mm至2〇 mm。多孔隙板 242係配置在離偵測元件213表面一段距離d2之處，其中汜的示 範值可從10 mm至30 mm，致使d2大於dl 2 _至/2〇 mm。 多孔隙板243係配置在多孔隙板241與偵測器207之間且離 偵測器207 —段距離d3〇dl - d3的差距示範值可從丨_至5 _。 多孔隙板244係配置在多孔隙板242與多孔隙板241之間且 離4貞測元件213表面一段距離d4。 、多，隙板241至244的每一個皆有多個孔隙251陣列，配置 方式使得二次電子子波束9在其介於投影透鏡裝置2〇5與偵測元 j牛213之間的路控中會穿過孔隙251。平板的一個孔隙251會被一 道子波束9穿過’且不同的子波束9穿過每個平板的不同孔隙251。 在圖2賴式巾，子波束係呈現為垂直人射至御彳器上，且 夕孔隙板241 i 244亦呈現為具有一同對齊且形狀相同的孔隙 251、。然而’為使子波束以特定路徑穿過孔隙，不同的多孔隙板之 孔隙251可能在某一程度上彼此錯開，❿且子波束亦可能並非垂 直入射至偵測207上。此外，在整個子波束束集中，個別子波 束入射至彳貞測器的方向可能不同，且在—平板的整個孔隙陣列 201216317 中，該平4 同。再者， ，該平板的孔隙相對於另一

Γ於另一平板的對應孔隙之位移亦可能不 的夕孔隙板具有彼此平行的表面。然而..， 可構成多子波束檢驗系統丨中控制系統的一部分的之電壓供 ^源261係設置用以供應相對參考電位26〇(在此實施例中為接地 電位)的電位給偵測器207與多孔隙板241至244。供應給多孔隙 ，的電位影響個別子波束9巾帶電粒子的執顧及這餘子的動 此丄在圖2师實侧巾’電⑽供應給乡⑽板赠動能高於 特定門檻值的電子262能穿過多孔隙板241的孔隙251以及隨後 之£孔隙板243的孔隙251而入射至偵測元件215上。動能低於 ，定門播值的電子無法穿過多孔隙板241的孔隙251並會從多孔 隙板241上反射。經反射的電子能入射至多孔隙板244，並能經引 導而穿過多孔隙板244以及隨後之多孔隙板242的其中一者或二 者之孔隙，如箭頭263所示。 因此，多孔隙板241具有能量過濾器的功能。 多孔隙板242與244的一種功能為調整子波束9中電子的動 能與方向’使得能量過濾器在挑選能夠抵達偵測器元件的電子上 具備高性能。能使動能等於或大於能量門插值的所有電子皆抵達 债測元件而所有其他電子皆被拒當然是最好。然而在實務上卻無 法達成如此準確依動能而定的透射步階函數(step function)，原因 是子波束9中的電子會在相對於子波束9主軸的多種角度中行 進’致使動能高過門檻值但相對於子波束主軸傾斜行進的電子亦 會被拒。 11 201216317 在圖2所示實施例中’多孔隙板242與244執行下列功能： 改善電子在多孔隙板2.41平面上的入射方向並操控子波束使其維 持相對小的直徑。為達此目的，多孔隙板242、244與241執行靜 電透鏡的功能，由圖2示意圖中即可得知：在多個平板之間的子 波束9具有不同直徑，以及尤其是多孔隙板244與241之間的子 波束形成交錯。 多孔隙板243的一種功能為和多孔隙板241 —起形成鏡電透 鏡，以讓穿過多孔隙板241的子波束朝向偵測元件215對焦與加 速。 ^

雖然以上所示實施例包含配置在偵測器上游且彼此相近的四 個多孔隙板，但是其他實施例亦可能在彳貞測H附近僅一、二 或三個多孔隙板，或是包含多於四個的多孔隙板，例如五、六戍 更多的多孔隙板。 W 下列表1列出在具有四個多孔隙板並採用電子作為帶電粒子 的一實施例中’多孔隙板離偵測器的距離以及施加至多孔隙板的 電位。 表1 偵測器 平板#1 平板#2 平板#3 平板#4 距離[mm] 0 12 14 16 19 電壓[V] 60,000 1,500 -10 1,500 9,000 下列表j列出在具有四個以上多孔隙板並採用電子作為帶電 粒子之另一實施例中，多孔隙板離偵測器的距離以及施加至多孔 隙板的電位。 表2 偵測器 平板#1 平板#2 平板#3 平板#4 平板#5 距離[mm] 0 9 12 14 16 19 電壓[V] 30,000 13,900 1,400 -10 1,000 10,000 12 ⑧ 201216317 在圖2所示實施例中，僅有動能高於特定門檻值的二 會被偵測器207偵測到。動能低於門檻值而被拒的二次電子 多孔隙板244或242吸收，或其亦可離開成堆的多孔隙板 242、243與244而朝著分束器系統4〇〇的方向行進。實務上二 些電子將會人射至某些多子S束檢驗彡統的真空容器或托架^ 上。然而，發明人發覺亦需偵測動能低於門檻值的電子，因卞 些電子亦帶有受測物的若干資訊。圖3所示實施例即對此提^二 解決方索。 圖3呈現多子波束檢驗系、统la的偵測系統2〇〇a，檢驗系 la的型態係能和圖1所示相似。偵測系統2〇〇a的型態和圖.2所示 的偵測系統相似’其中多個多孔隙板241a、242a、^243a之堆= 體240a係配置在二次電子子波束9a的波束路徑中，其介於投$ 透鏡裝置225a以及具有多個偵測元件215a的>[貞測器2〇7a之間: 多孔隙板241a、242a、與243a之堆疊體240a執行°°能量過濾^的 功能，使得動能高於門檻值的子波束9a電子能夠入射至偵測元件 215a上，而動能較低的電子則被拒絕。一部分的被拒電子往回朝 ，投影透鏡裝置225a行進。圖3所示的偵測系統2〇〇a和圖2所 示的偵測系統之不同在於：分束器271係配置在介於投影透鏡裝 置225a與多孔隙板堆疊體240a之間的波束路徑中。在所示實^ 例中，分束器271係用以讓二次電子子波東％能沿著實質上未偏 折的直線牙過分束器271，而讓電子能量低於門檻值的子波束 之軌跡以一預定角度偏折而入射至偵測器275的债測元件277。分 束器271係能以一空間而具體實現，在該空間中設有垂直的磁場 與電場，致使以某一方向行進的帶電粒子係沿著直線傳送，两反 向行進的帶電粒子則係偏折一特定角度。在其他實施例中，分束 器係能用以讓二次電子子波束9a與子波束273二者皆偏折一特定 角度’致使沒有任何子波束必需延著直線行進。 為能提咼子波束273粒子入射在偵測元件277上的動能以及 避免相鄰偵測元件277之間的串擾(cross talk)，可設置額外的子波 束操控元件於子波束273的波束路徑中。圖3示意性圖示二個板 13 201216317 狀電極28卜其提供全透鏡效果給所有的子波束273。此外，圖3 示1指出多孔隙板284之轉體283係'配置在制.器275附近， 而且母個夕絲板皆具數個錄，其位置對應_元件π的位 ^，致使能量低於門檻值的二次電子子縣273 1人射 的 偵測元件277上。 夕綜言之’本發明實施例包含帶電粒子债測系統，該系統具有 夕個偵測元件以及在彻仪件附近的多⑽板。帶電粒子子波束 能穿過多孔隙板的孔_人射至偵測元件上。多於—個的多孔隙 板係能設成位於偵測器附近的多孔隙板堆疊體。對於穿過平板孔 隙的多個帶餘子子波束而言’供應至多孔隙板的適當 有過濾特性。 〃 _雖然本發明已針對特定實施例予以描述，然而對於熟知本技 術者，=然仍有許多替代方案、修正與變化。為此，此^所提之 本發明貫施例無論在任何方面皆欲作為說明而非限制。在不偏離 下述申請專利範圍所定義之本發明的精神與範疇下，係可完成各 式改變。 【圖式簡單說明】 隨著本發明實施例的以上詳細内容並搭配參照隨附圖式，本 卷明之如述與其他有利特點將隨之益發顯明。請注意並非所有本 發明的可能實施例皆必然呈現此處所示的每一個或任一個優點。 圖1依照本發明一實施例，示意性圖示多子波束檢驗系統的 基本特點與功能； _ 圖2依照本發明一實施例以及圖1所示檢驗系統所含内容， 不意性圖示帶電粒子偵測系統；以及 圖3依照本發明另一實施例，示意性呈現帶電粒子價測系 统。 、 【主要元件符號說明】 1 ' la 多子波束電子檢驗系統 14 201216317 3 一次電子子波束 5 一次電子波束點 7 基板 9、9a 二次電子子波束 11 二次電子波束路徑 12 帶電粒子子波束束集(bundle) 100 物鏡系統 101 物面 102 物鏡 103 正規矩形陣列 200、 200a 帶電粒子偵測系統 205 投影透鏡裝置 207、 207a 偵測器 213 二次電子子波束點 215、 215a 偵測元件 217 陣列 221 電磁透鏡 222 線圈 225 靜電透鏡 225a 投影透鏡裝置 226〜227 板狀電極 228 圓形孔隙 231 控制部位 240a 多孔隙板堆疊體 241〜244 多孔隙板 241a〜243a 多孔隙板 251 孔隙 260 參考電位 261 電壓供應源 262 電子 15 201216317 263 箭頭 271 分束器 273 子波束 275 偵測器 277 偵測元件 281 板狀電極 283 多孔隙板堆疊體 284 多孔隙板 300 波束產生系統 301 t子源 303 準直透鏡 305 多孔隙板裝置 307 像場透鏡 309 電子波束 311 波束 313 多孔隙板 315 孔隙 317 中心 319 圖形 323 焦點 325 平面 327 圖形 400 分束器系統 山〜d4 距離 P广P4 間距

Claims (1)

1. 201216317 七、申請專利範圍： 1' 一種帶電粒子偵測系統，包含: ，一偵須!/器，具有多偵測元件陣列以偵測帶電粒子； 第一孔隙板，具有第一多孔隙陣列以讓帶電粒子穿過系 配置於離該第一偵測器第一距離的位置上； ’、 第二孔隙板，具有第二多孔隙陣列以讓帶電粒 離^ —侧料二距義位置上，_二輯大於該第 與第项^供絲，供縣位給該第—侧11、該第—孔隙板 .其中該第一孔隙板的孔隙、該第二孔隙板的 :實質上係彼此對齊’使得多個帶“皮 3. 如申請專利範圍第〗或2 第一距離小於相鄰制元件之間的該其中該 4. 如申請專利範圍第i至3項任—項 其中該第二轉大於該第—距離之丨5倍、。之▼綠子細系統， 5. 其中該 -帶錄子姻系统， 6·如申請專利範圍第1至5項任一 其中該電壓供應源係用以施加第—電…=笔粒子翻系統， 二電位給該第-孔隙板，其中該第、侧器與施加第 禾興第一電位係相對同一參考 17 201216317 對值大於該第二電位的絕對 電位而測量’且其中該第一電位的絕 .值0 如申^專利範圍第6項之帶電粒子偵測系統，其中該 供應源係用以施加第三電位給該第二孔隙板，其中相對該 位的該第二電位小於施加給該第—孔隙板的該第二電位。心 8.如申請專利範圍第1至7項任—項之帶 器第三距離的位置上，該第三距離小於該第—距離， = 係和該第-孔隙板的孔隙對齊，使得該多個 子子波束的母一個皆能穿過該第三孔隙板的孔隙。 “9.如申請專利範圍第8項之帶f粒子伽縣統，其中該電壓 供應源係用以施加第四電位給第三孔隙板，該第四電位介於施加 給該第一偵測器與該第一孔隙板的電位之間。 10.如申请專利範圍第i至9項任一項之帶電粒子細系 ’更包含第四孔雜，其具有多孔隙_聽配置在離該第一 ，測器第四距離的位置上，該第四距離大於該第—麟且小於該 二距離’其巾該第四孔隙板的孔隙和第—孔隙板的孔隙對齊， ^导該多個帶電粒子子波束的每—個皆能穿過該細孔隙板的孔 隙。 11. 如申請專利範圍帛10項之帶電粒子偵測系統，其中該 。坚供應_用以施加第五電位料第四孔眺，該第五電位介 於施加給該第一孔隙板與該第二孔隙板的電位之間。 12. 如申請專利範圍第1至11項任一項之帶電粒子偵測系 、’’更包含至少一帶電粒子透鏡，其係藉由一靜電場與一磁場其 201216317 ΐ至Ϊ一者’且係配置在離該第—姻器第五距離的位置 上’第五距離大於料二轉，射 穿過該至少-帶電粒子透鏡。▼电卞卞于及果「J A 如專利範圍第1至12項任—項之帶電粒子偵測系 ί ΐΐΐί應至該第一_器與該等孔隙板之_係選成能使該 ^波束中動能倾能量帶電粒子無法人射至軸測元件 «X·*· 以、!範圍f 13項之帶電粒子_系統，更包含 二了 束器’其係配置在離該第—侧11第六距離的 以並配’其巾該帶餘子分束器係用 ===該偵測元件上的帶電粒子移至用以偵 第』測項之帶絲子侧㈣，其中該 圍第ι7ϊ„用多子波束檢驗系統，包含如申請專利範 圍第1至15項任-項之粒子光學偵測系統。 17. 一種檢驗基板用多子波束檢驗系統，包含·· 一帶電粒子偵測系統； :帶絲子源’用以產生第—帶電粒子子波束陣列； 至兮其束？塑光學裝置’用以引導該帶電粒子子波束陣列 ^基板在縣板上形成受該帶餘子之轉列皁以 工并？丨Ϊ波束$塑光學I置，用以接收從該基板放射的帶雷备 料帛二_奸找轉列而朝 19 201216317 . 其中該帶電粒子偵測系統包含：. 一 第一偵須彳器’.杲有多偵測元件陣列以偵測帶電粒子； 第一孔隙板，具有第一多孔隙陣烈以讓帶電粒子穿且 配置於離該第一偵測器第一距離的位置上； · 第二孔隙板，具有第二多孔隙陣列以讓帶電粒子穿過且 •配置於離該第一偵測器第二距離的位置上，該第；距離太於該第、 .一距離.；以及 、/ 一電壓供應源’供應電位給該第一偵測器、該第一孔隙板 與第,二孔隙板；· 其中該第一孔隙板的孔隙、該第二孔隙板的孔隙與該第一 倜測器的該俏測元件實質上係彼此對齊，使得多個帶電粒子子波 束之各者能穿過該第一孔隙板的二孔:p泉與該第二孔隙板的一孔隙 而入射至該第一偵測器的一偵測元件上。