TW201143952A - Device for a laser lift-off method and laser lift-off method - Google Patents

Description

201143952 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明提供一種用於雷射剝離法之裝置。本發明亦提 供一種雷射剝離法。 【先前技術】 在先前技術中，如果通過載體之粗縫入射表面（rough entry surface)同調（coherent)的話（經導向之雷射輻射 係用於雷射剝離法），則可能於邊緣表面（位於該入射表面 下方例如幾百微米處）產生干涉圖案（interference pattern)。此干涉圖案包括所通過之雷射光束之隨機分佈 的、固定的強度調變。然而，當採用具有未經研磨、粗糙 的入射表面之相對便宜的載體時，於雷射剝離期間，會由 於具干涉能力的雷射輕射（interference-capable laser radiation)，使得磊晶生長的半導體層序列可能發生損傷。 因此，需要提出一種有利於避免或降低此類強度調變的裝 置或方法，以求確保自載體均勻切割出半導體層序列。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種用於雷射剝離法之裝 置，利用該裝置可有效且可靠地自載體(carrier)切割出層。 具體而言，本發明之目的在於提供一種雷射剝離法，其中， 能夠可靠地自載體移除半導體層序列（semiconductor layer sequence) ° 根據該裝置之至少一個實施例，該裝置適合用於雷射 剝離法，具體而言，係用於切割磊晶基板上所磊晶生長的 4 95053 201143952 半導體層或半導體層序列。較佳的情況是，該層或半導體 層係以含氮化物或含氧化物的材料為基礎，尤其指含氮化 物的半導體材料。舉例而言，該半導體層序列係以氮化鎵 (GaN)、氮化鎵銦（InGaN)及/或氮化鎵鋁(AlGaN)為基礎。 根據該裝置之至少一個實施例，該裝置包括用於產生 較佳為脈衝雷射輻射（pulsed laser radiation)之雷射。因 此’該雷射輪射之波長係短波(short-wave)，使得光子能量 (photon energy)大於欲自該載體進行切割之半導體材料之 能帶間隙(bandgap)。舉例而言，該雷射輻射之波長係位於 紫外線光譜範圍（ultraviolet spectral range)，尤其指波長小 於400奈米或小於360奈米者。 根據該裝置之至少一個實施例，該裝置包括至少一個 光束分離器，較佳的情況是，至少兩個光束分離器。該至 少一個光束分離器係設定成將由該雷射所產生之脈衝雷射 輻射分為至少兩個部分光束。尤其，該等光束分離器可為 介電的（dielectric)、部分透射的(partially tansmissive)光束 分離器或鏡子，或者僅僅為棱鏡(prism)及/或偏振相依反射 性元件（polarisation-dependent reflective element)。也就是 說’當該裝置運作時，該雷射輻射係由該至少一個光束分 離器分為至少兩個部分光束。 根據該裝置之至少一個實施例，該至少兩個部分光束 係疊加於照射平面中。換言之，該雷射輻射係分為複數個 部分光束，然後再度於該照射平面中重疊。該等部分光束 於該照射平面中重疊可能意指該等部分光束之截面係部分 5 95053 201143952 =或70王地§亥照射平面中重合（coincident)。重合可能包 3其中-個戴面被另—健面所完全圍繞或覆蓋。 減顧置之至少-個實施例，該照射平面係設置成 甘該載體中遠離欲自該載體㈣出之層之主要側被佈設於 中0為;]t匕曰 ‘、、、 的’該裝置可包括支撐件(holder)，可利用該 牛支撐具有該層之載體。較佳的情況是，該支撐件係 於側向可定位且可移開的。 小根據-亥裝置之至少一個實施例，於該照射平面，該至 二兩個部分光束之間的角度相當於至少1.0°。該角度較佳 係至少/ I換言之，該等部分光束(更具體而言， 之光束軸(beam axes)係以該等部分光束之間的 度相當於至少1G。、較佳的情況是至少5力。的方式與該 照射平面相交。 於該裝置之至少一個實施例中，該裝置係意圖用於雷 射制離法，用於自載體切割出至少—個層。該裝置包含用 於產生例如脈衝雷射輻射之雷射以及至少一個光束分離 器。该雷射輻射係藉由至少一個光束分離器而分為至少兩 個部分光束。該等部分光束係疊加於照射平面中，該照射 平面係設置成讓該載體中遠離該層之主要側被佈設於其 中。於照射平面，該至少兩個部分光束之間的角度相當於 至少1.0。。 如果通過載體之粗糖入射表面（rough entry surface) 同調（coherent)的話（經導向之雷射輻射係用於雷射剝 離法），則可能於邊緣表面（位於該入射表面下方例如幾百 95053 6 201143952 微米處）產生干涉圖案（interference pattern)。此干涉·圖案包 括所通過之雷射光束之隨機分佈的、四疋列逑度調變 而’當採用具有未經研磨、粗链的入射表面之相對便宜的 載體時，於雷射剝離期間’會由於具干涉能力的雷射輻射 (interference-capable laser radiation)，使得磊晶生長的半導 體層序列可能發生損傷。現已證明本發明有利於避免或降 低此類強度調變’以求確保例如自載體均勻切割出半導體 層序列。 藉由將該雷射輻射分為至少兩個部分光束並且接著 於給定角度（大於臨界角）疊加該等部分光束’可降低該雷 射輻射之干涉能力，藉此可降低干涉圖案之強度調變，並 且可避免或降低對該半導體層序列之損傷。 根據該裝置之至少一個實施例，至少兩個部分光束及 /或所有部分光束皆顯現出相同的強度，具有最多2〇〇/〇之公 差’尤其是具有最多10%之公差。換言之，該等部分光束 之兩者及/或全部實質上於每個雷射脈衝皆包括相同的能 量。然而，當部分光束之數量增加時，每個脈衝的能量公 差（energy tolerance)亦可能變得較大。舉例而言，每個額 外的部分光束可增加脈衝能量公差達5個百分點，然而， 該公差最多相當於50%。 根據該裝置之至少一個實施例，該雷射輻射之脈衝持 續時間（pulse duration)最大為50奈秒（ns)。舉例而言， 該雷射輻射可由具有介於從1奈秒至15奈秒之間的脈衝持 續時間（尤其係介於3奈秒至10奈秒之間）之奈秒脈衝 95053 7 201143952 (nanosecond pulse)所構成。本發明同樣可採用微微秒 (picosecond ; ps)脈衝或飛秒（femtosecond ; fs)脈衝，尤其 係具有介於從2飛秒至1〇〇〇微微秒之間的脈衝持續時間， 或者具有介於從60飛秒至20微微秒之間的脈衝持續時 間。 根據該裝置之至少一個實施例，該等部分光束之間的 光程差（optical path length difference)相當於該雷射輻射之 平均脈衝持續時間的最多0.05倍或最多0.15倍，尤其係 最多0.025倍。換言之，該等部分光束之光脈衝係設定為 實質上同時照射於該載體上。較佳的情況是，該光程差最 大的幅度為於平均脈衝持續時間之最多122倍或115倍 時間長度之時間視窗（time window)内（較佳的情況是，於平 均脈衝持續時間之時間視窗内）抵達該照射平面之所有部 分光束於母一個脈衝之總能量之至少或至少。較 佳的情況是，該脈衝持續時間係與該脈衝之強度下降至該 脈衝之最大強度之時間分佈之1/e有關。 根據該裝置之至少一個實施例，該等部分光束之間的 光程差相當於該雷射輻射之平均脈衝持續時間的至少 0.025倍與最多0.3倍。換言之，該等部分光束之光脈衝以 稍微的時間差抵達該照射平面。 根據該裝置之至少一個實施例，該等部分光束之間的 光程差相當於該等部分光束之平均光束直徑(average beam diameter)之最多0.22倍或〇.15倍4亥光束直徑尤其係與該 光束分佈之空間、側向強度分佈下降至該光束分佈之最大 95053 8 201143952 強度之l/e2有關。 根據該裝置之至少一個實施例，該等部分光束（較佳的 情況是，光束對）之間的角度於各種情況下係介於從7 5。 至50°之間。或者除此之外，該等部分光束與該照射平面 之垂直面之間的角度於各種情況下係介於0。至8〇。之間， 尤其係介於0°至30°之間。 根據該裝置之至少一個實施例，該雷射輻射係分為N 個部分光束’且该裝置包括N-1個光束分離器。於本實施 例中，N是整數，較佳的情泥是，介於3至8之間。對於 第N個光束分離器之反射率r而言，應用下列關係式： R(N)=1/(N+1) 具有最高反射率之光束分離器之位置係（相對於該雷 射輻射或者該等部份光束之光束路徑）最接近該照射平 面，具有第二高反射率之光束分離器之位置係第二接近該 照射平面，且依此類推。 根據該裝置之至少一個實施例，於個別.、相關的光束 分離器與該照射平面之間於該部分輻射之光束路徑中， 不具有用於輻射傳輸之光學組件。因此，較佳的情況是， 於該等部分光束之光束路徑中不具有透鏡或者偏振光學組 件(polarization optics)。換言之，該等部分光束在從相關的 光束分離器至該照射平面之途中不宜通過任何聚光物體 (condensed matter) ° 根據該裝置之至少一個實施例，該等部分光束於該照 射平面中於各種情況下皆顯現出相同的截面積及/或相同 9 95053 201143952 的側向尺寸，具有最多15%之公差，更具體而言，具有最 多10%之公差。換言之，該等部分光束於該照射平面中之 截面具有實質上相等的尺寸以及實質上完全相同的形狀。 根據該裝置之至少一個實施例，該照射平面中所有部 份光束之總能量密度相當於每一個雷射輻射脈衝介於 200mJ/cm2 至 850mJ/cm2 之間。 再者，本發明提供一種用於自載體（尤其係自生長基板) 切割出磊晶生長的半導體層序列之雷射剝離法。可利用與 上述至少一個實施例中相關的裝置實施該雷射剝離法。本 發明亦揭露了用於本說明書中所述之裝置之雷射剝離法之 特徵，且反之亦然。 於該雷射剝離法之至少一個實施例中，該方法包括以 下步驟： -於該載體上設置經磊晶生長的半導體層序列； -將脈衝雷射輻射分為至少兩個部分光束；以及 -於照射平面中疊加該等部分光束，該載體遠離該半導 體層序列之主要側係位於該照射平面中。 於該照射平面之該至少兩個部分光束之間的角度相 當於至少1.0°。 根據該雷射剝離法之至少一個實施例，該載體遠離該 半導體層序列之主要側之平均粗糙度（average roughness) 介於0.1微米至5.0微米之間，尤其係介於0.25微米與2.5 微米之間。舉例而言，當以磊晶方式生長半導體層序列時， 可採用具有一個經研磨以及一個粗糙的表面之基板。如此 10 95053 201143952 一來，可採用相對較便宜的基板。 根據该雷射剝離法之至少一個實施例，該載體包括藍 寶石或者係由藍寶石所構成。或者，該載體可由對於雷射 輻射而言係透明的其他材料所構成。透明可能意指該载體 顯現出吸收該雷射輕射與部分輻射之波長達最多2〇0/〇或者 最多i〇/〇 ’較佳的情況是，最多〇 2〇/〇。 根據該雷射剝離法之至少一個實施例，該半導體層序 歹J 係以氮化鎵（gallium nitride)、氮化鎵銦（indium gallium nitride)、及/或氮化鎵銘（aiUminuin gaiiiuin nitride)為基礎。 或者’能讓該欲切割之層包括含氧化物或含氮化物的材料 (如氮化矽），該材料於該雷射輻射之波長下顯現出高吸收 度。 再者，設置有氮化物半導體層序列’尤其係以氮化鎵 為基礎。該半導體層序列係利用如上述多個實施例中一個 或多個所述之裝置或方法所製造。因此，亦揭露了用於該 方法以及用於該裝置之半導體層序列之特徵，且反之亦然。 除了雷射剝離法以外，本說明書中所述之裝置以及本 說明書中所述之方法之變更亦可用於透過粗縫表面之層於 微觀尺度上之照明、均質性，該層係與該粗糙表面間隔分 開的。舉例而言，透過粗輪表面能夠於接合劑（bonding agent)(如UV固化黏著劑）之輻射引發之固化 (radiation-induced curing)期間於微影方法或均質性照明中 達到光阻的均質性曝光。 本說明書中所述之雷射剝離方法、半導體層序列以及 11 95053 201143952 裝置將參照附加圖式以及藉由示範實施例之輔助於下文申 進一步詳細描述。於個別圖式中，相同的元件係以相同的 元件符號表示。然而，該等元件之間的關係並未顯示於尺 寸上，但是為了幫助了解，可能將個別元件以誇張的尺寸 顯示。 【實施方式】 第1圖顯示裝置100之示範實施例，利用該裝置100 實施雷射剝離法。未顯示於第1圖中之雷射發射脈衝雷射 輻射L。該雷射輻射藉由兩個光束分離器4a、4b分為三個 部分光束PI、P2、P3，部分光束P3係該雷射光束L減去 部分光束PI、P2。例如，該等部分光束PI、P2、P3與該 雷射輻射L包括接近具有直徑Ι/e2 (相對於最大強度而言 與側向方向下降的輻射強度有關）之高斯光束分佈 (Gaussian beam profile)，介於2毫米至8毫米之間，尤其 係大約4毫米。波長相當於例如大約343奈米或大約355 奈米。 於照射平面10中，該等部分光束PI、P2係藉由鏡子 5與無偏斜之部分輻射P3進行疊加。該等部分光束P1、 P3與P2、P3之間的角度α 1、α 2於各種情況下相當於大 約30°。該等角度α 1、α2亦等於與該照射平面10之垂直 面11之角度。該垂直面11與該部分輻射Ρ3與該雷射輻射 L之光束軸位置重疊。 該照射平面10係設定成藉由第1圖未圖示之支撐 件，使得具有層2或半導體層序列2之載體3係與該照射 12 95053 201143952 平面10中之載體3之主要侧30玫在一起，該主要側3〇 遠離層2。該載體3之主要侧30宜包括介於〇.5微米至l5 微米之間的粗糙度，例如：大約1微米之粗糙度。 該等部分光束P卜P2、P3，於各種情況下，所計算自 該光束分離器4a至該照射平面10之光束路徑長度彼此不 同。舉例Μ，該部分衫P2之光束路徑較該部分 P3之光束路徑長大約15公分。該部分光束ρι 一 較该部分光束P3之光束路徑長大約3〇公八。 路 持續時間例如相當於大約5 ns，：此:等= -=-間照射於該龍3。 Ρ3之脈衝於不同時 不同於第1圖所示者，該等部分光束Ρ2、ρ 引’使得該等部分光束P1、Ρ2、Ρ3之個別脈衝實質=導 時到達該照射平面1G。然而，透過該等部分光束？问 ^於適度的不㈣間抵賴闕平面1Q，可 輕射-或者該等部分光束^^於該:射 干涉能力。 1〇之 =2圖顯示該裝置議之進一步示範實施例之⑽表 '可利用該裝置100實施該雷射剝離法。該 射L係分為四個部分光束H、P2、P3、P41^ ί 、P3係對稱地且可轉動地佈設於無偏斜:；= 光束4周IS。該等部分光束P2、P3、p4照射於 之主要側30之角度係彼此不同，例如：各光束對之^ 3 95053 13 201143952 不同。 第3A圖顯示該半導體組件之截面表達形式。該半導 體層序列2(較佳的情況是，以磊晶方式生長於該載體3上） 在磊晶生長之後進一步接置於基板9上。該基板9與該半 導體層序列2之間的接合層並未顯示於圖中。該載體3係 例如由藍寶石所構成’且較佳具有介於25〇微米至1 5毫 米之間的厚度，尤其係大約65〇微米的厚度。 位於該載體層3面對該基板9時之主要側35處之該 半導體層序列2的分解區（decomposition zone)20吸收該部 分輻射P。該半導體層序列2之總厚度例如最多為12微 米’特別係大約6微米。由於吸收該部分輻射p，故該分 解區20之材料發生熱分解(^π^ι decomposition)。利用 該等部分光束PI、P2、P3、P4於侧向上掃描該半導體層 序列2與該載體3，可自該載體3切割出該半導體層序列 2。所有部分光束PI、P2、P3、P4於每一個脈衝之整體能 量密度相當於例如大約400mJ/cm2，且宜低於該分解區20 之材料之破壞臨限(threshold for destruction)。

第3B及3C圖示意地描繪該部分輻射P於側向方向上 之強度I。根據第3B圖，該部分輻射P包括該部分輻射P 之實際光束分佈8之矩形包絡(rectangular envelope)7，且 根據第3C圖，該包絡7係高斯分佈。由於干涉效應 (interference effect)，該實際光束分佈8偏離該包絡7。這 些偏離可能導致該半導體層序列2自該載體3不均勻地分 離’並因而損壞該半導體層序列2。藉由將該雷射輻射L 14 95053 201143952 分為至少兩個該等部分光束p，可降低該包絡7周圍的實 際光束分佈8之強度調變，使得該半導體層序列2可藉由 該裝置與該方法而自該載體3有效率地且可靠地分離。舉 例而言，該包絡7偏離該實際光束分佈8最多20% ’較佳 的情況是，最多1 〇%。 例如’可藉由該半導體層序列2在切割自該載體3之 後的粗糙度偵測該實際光束分佈8相對於該包絡7之強度 調變幅度。在切割自該載體3之後，倘若該分解區2〇係藉 由钮刻而自該半導體層序列2被移除，則可經由钱刻該半 導體層序列2遠離該基板9之一側所產生之結構而偵測該 實際光束分佈8之強度調變。 於第4圖之示範實施例中，該部分輻射p2、p3於各 個情況下通過光學組件6。該光學組件6係例如圓柱形透 鏡，利用該光學組件ό，該部分光束P2、P3於該照射平面 1〇中之截面可符合垂直照射於該照射平面之部分光束 P1之截面，亦可參見第圖。除了經設計用於光束修正 (beam correction)之光學組件6以外，該等部分光束pi、 P2、P3於各種情況下從相關的光束分離器4a、仆順著直 到該照射平面10皆不宜通過其他任何其他聚光物體。 根據第5圖’該半導體層序列2並未直接於該載體3 面對該基板9之主要侧35處包括該分解區20。換言之， 利用本說明書中所述之方法可影響該半導體層序列2之部 分剝離。相較之下，該載體3亦可替代地或額外地包括顯 現出對於部分輻射P吸收有所提升之部分層或區域（未圖 15 95053 201143952 示），使得部分該載體3亦可_ 序列2上。 ^在切割之後殘留於該半導體層 該半導體層制2細心Μ鎵 該分解區20村包料_錢化崎料。=地， 分解區20可由氮化石夕所構成或者包括氮化石夕。^該 第6Α及6Β圖顯示該昭α τ μμ,,黯照射平面1〇與該主要侧30之平 面圖。此外，顯不該#部分光束ρι、p2、p =千 分佈8一、8。、8(1，其係例如第2圖之裝 = 呈現於該照射平面Π)中。因為該等部分光束ρι、ρ2、= 是以相對於該照射平面10之垂直面Π較大之角度照射於 该平面，故該專部分光束PhP2、p3於該照射平面 包括不同的截面。 第6B圖顯示該照射平面1〇中之多個戴面具有完全相 同或實質上完全相同的戴面積與側向尺寸。上述結果可藉 由特疋的反射性光學組件(reflectjve〇ptics)達到，例如.藉 由適當形狀之鏡子5或者藉由位於該等部分光束卩卜p2、 光束路徑中之光學組件6。較佳的情況是， h、Μ之總能量之至少8G%或至少係落於 =專部分光束pl、p2、p3之平均半徑或具有該等部 I強产下I P2、P3之最小光束直徑半徑之圓圈内，其係 與強度下降至Ι/e2有關。 麻撼Ϊ ^及7B圖顯示料置議之進—步示範實施例。 今”八I圖，該三個鏡子係可繞著水平細轉動，使得 該專心光束P1、P2、P3照射於該主要側3()之角度係可 95053 16 201143952 調整的。同樣地，具有該半導體層序列2之載體3可視需 要地垂直位移。該等部分光束P2、P3之光束路徑可藉由 該可移動鏡子5b進行調整，使得能夠建立該等部分光束 PI、P2、P3之間的時間延遲(time delay)。 於第8圖之示範實施例中，該等光束分離器4a、4b 係以棱鏡12a、12b、12c的形式實現，該等棱鏡係以例如 石夕玻璃（silica glass)形成。該等棱鏡12a、12b、12c係黏合 在一起或者（較佳的情況是）以狹窄的氣隙（air gap)互相間 隔。該等光束分離器4a、4b接著部分地反射該等棱鏡12a、 12b之邊緣面。該光束分離器4a顯現出大約33%之反射 率，而該光束分離器4b則顯現出大約50%之反射率。可 例如藉由該等棱鏡12a、12b對應之邊緣面上之塗層、藉由 該等棱鏡12a、12b、12c對應之邊緣面之角度、藉由該輻 射之偏振、及/或藉由相鄰棱鏡12a、12b、12c之間之縫隙 厚度來調整該反射率。 該光學組件6(具有圓柱形透鏡形式）係視需要地接置 於該等棱鏡12a、12c上’或者已經與該等棱鏡12a、12c 共同製造成單一物件。利用該等圓柱形透鏡，可確保該等 部分光束PI、P2、P3能夠於該照射平面10中具有完全相 同的光束截面，亦可參見第6B圖。該鏡子5可由該棱鏡 12c 之完全反射邊緣面（totally reflecting boundary face)或 者由高反射性塗層所形成。該棱鏡12a於輻射入射面上宜 包括抗反射性塗層13。當採用飛秒脈衝或者微微秒脈衝 時，可設置以該等部分光束PI、P2、P3之脈衝用於修正 17 95053 201143952 時間上的色彩梯度(colour gradient over time)、或連續變頻 6號(chnp)之裝置（未顯示於第8圖）。 不又 > 照不範實施例所給定之說明書内容 所限制。反之，本發 新穎特徵與特徵心/ 申明專_®所包含的任何 未於中-專㈣：Γ ’即便這些特徵或組合本身並 未h專利_或示範實施例t明確指出。 本專利申諳索^ . 之優先權，其中二‘國專利申請案10 2009 057 566.9 之復无權’其中所揭露之 【圖式簡單朗】 案作為參考。 明書十所述之裝置之干立_於 圖及第8圖顯示本费 本說明書中所述之雷射:法"實施例’可利㈣裝置實滅 第3圖及第5圖顯示本說 中 之示意示範實施例；以及 胃斤述之半導體層序列 第6圖顯示本說明書 要側之示意平面圖。 【主要元件符號說明】 2 半導體層序列 4a 光束分離器 4c 光束分離器 5a 鏡子 6 光學組件 8 光束分佈 8b 光束分佈 3 載體 4b 光束分離器 5 鏡子 5b 鏡子 7 包絡 8a 光束分佈 8c 光束分佈 95053 201143952 8d 光束分佈 9 基板 10 照射平面 11 垂直面 12a 棱鏡 12b 棱鏡 12c 棱鏡 13 抗反射性塗層 20 分解區 30 主要侧 35 生長側 100 裝置 a 1 角度 a 2 角度 L 雷射輕射 P 部分光束 PI 部分光束 P2 部分光束 P3 部分光束 P4 部分光束 19 95053

Claims (1)

1. 201143952 七、申請專利範圍： 1. 一種用於雷射剝離法之裝置（1〇〇)，用於自載體(3)切割 出至少一個層（2)，該裝置（100)包括： 雷射，用於產生雷射輻射(L);以及 至少一個光束分離器（beam splitter)(4)， 其中， 該雷射輻射(L)係由該至少一個光束分離器（4)分為 至少兩個部分光束(partial beam)(P)， 該至少兩個部分光束(p)係疊加於照射平面（1〇)中； 該照射平面（10)係經設置，使得該載體(3)遠離該層 (2)之主要側（3〇)係佈設於其中；以及 於該照射平面（10)之該至少兩個部分光束（P)之間 的角度（α)總計為至少1.0。。 2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置（100)，其中，所有 該等部分光束(Ρ)皆具有相同強度，具有最多20%之公 差（tolerance) 〇 3. 如申請專利範圍第！項或第2項所述之裝置（1〇〇)，其 中，該雷射輻射係脈衝雷射輻射(L)，且該雷射輻射(L) 之脈衝持續時間（pulse durati〇n)總計為最多5〇奈秒，且 其中，该等部分光束(P)之間的光程差相當於該脈衝持 續時間的至少0.025倍與最多0.25倍。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之裝置 (100)，其中，該等部分光束(p)之間的該角度（α )於各種 情況下係介於且包含7.5。和50。之間，而該等部分光束 95053 1 201143952 (P)與該照射平面（10)的垂直面之間的角度於各種情況 下係介於且包含0°和50°之間。 5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之裝置 (100)，其中，該雷射輻射(L)係由N-1個光束分離器（4) 分為N個部分光束(P)，其中，以下方程式應用於該第 N個光束分離器（4)之反射率R(N): R(N)=1/(N+1)， 其中，N係介於且包含3和8之間的整數，且其中， 該等光束分離器（4)係經佈設為具有沿著朝向該照射平 面（10)之光束路徑而增加的反射率。 6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之裝置 (100)，其中，於各種情況下，於相關聯的該光束分離 器（4)與該照射平面（10)之間，該等部分光束(P)不會通過 經設置用於輻射傳輸之任何光學組件（6)。 7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之裝置 (100)，其中，該等部分光束(P)於該照射平面（10)中分別 顯現出完全相同的截面積以及完全相同的側向尺寸，具 有最多15%之公差。 8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之裝置 (100)，其中，所有該等部分光束(P)—起於該照射平面 (10)中，每一個脈衝之能量密度總計為介於且包含200 mJ/cm2 和 850 mJ/cm2 之間。 9. 一種用於自載體(3)切割出磊晶生長的半導體層序列（2) 之雷射剝離法，包括以下步驟： 2 95053 201143952 於該載體(3 )上設置經磊晶生長的半導體層（2)或 導體層序列（2); 〆 將雷射輻射(L)分為至少兩個部分光束(p);以及 於照射平面（10)中疊加該至少兩個部分光束(p)，且 該載體（3)遠離該半導體層序列（2)之主要側（3〇)係位於 該照射平面（10)中， 其中，於該照射平面（10)之該至少兩個部分光束(P) 之間的角度（α )總計為至少丨〇〇。 10. 如申請專利範圍帛9項所述之雷射剝離法，其中，該載 體(3)遠離該半導體層序列（2)之主要侧（3〇)之平均粗縫 度總計係介於且包含0.1微米和5.0微米之間。 11. 如申請專·圍第9項或第1G項所述之雷射剝離法， 其中’該載體(3)包括藍寶石或者由藍寶石所構成，且 其中，該半導體層序列(2)係以氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵 (InGaN)及/或氮化銘鎵(A1GaN)為基礎。 12·如申請專利範圍第9至u項中任—項所述之雷射剝離 法’其中’該载體(3)之厚度(T)係介於且包含250微米 和1.5微米之間，其+，於該載體(3)面向該半導體層序 列⑺之生長側（35)，該等經疊加之部分光束⑺之強度調 變總為最多2G%’其係與該等經疊加之部分光束(p) 之光束刀佈（8)之局部包絡(i〇cy envei〇pe)(7)有關。 13.如申明專利fe圍第9項至第12項中任一項所述之雷射 剝離法’其係利用如中請專利範圍第i至8項中任一項 所述之裝置（1〇〇)實施。 3 95053