TW201143236A - Laser system and method for producing same - Google Patents

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201143236 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 技術領域 本發明係有關於-種雷射系統及其製造方法，特別是有 關於-種可出射雷射光之魏光m统及其製造方法。 背景技術 近年，可輸出雷射光之雷射系統已應用於多種範疇。 尤其，廉價之雷射系統均使用半導體雷射。然而，半導體 雷射包含不易振盪之波長域之光(諸如綠光）。因此，已知有 一種採用D P S S (二極體激發固態雷射）方法而可出射半導體 雷射所不易振盪之波長域之光之方法。 DPSS方法不易實施雷射顯示用途等所要求之諸如 50MHz程度之咼速調變。因此，已提案有—種可將半導體 雷射所出射之雷射光藉非線形光學元件轉換為諧波光而加 以出射之雷射系統(諸如專利文獻1)。 【先行技術文獻】 【專利文獻】 【專利文獻1】特開平6-132595號公報 C發明内容3 發明概要 發明欲解決之課題 專利文獻1之雷射系統中’若提高非線形光學元件對諧 波之轉換效率，則可容許之波長範圍將縮小。半導體雷射 3 201143236 與非線形光學元件之波長溫度係數不同。且，半導體雷射 與非線形光學元件之個別元件之波長特性亦存在偏差。因 此’溫度改變後，將難以進行將雷射光之波長調整至可高 效率地進行轉換之波長範圍 内之波長調整。 本發明即有鑑於上述問題而設計，目的在提供—種雷 射系統及其製造方法，即便溫度改變後，亦可輕易將雷射 光之波長調至諧波生成元件所可轉換之波長範圍内。 用以欲解決課題之手段 本發明係—種雷射系統’包含有：雷射模組，包括可 振盘雷射光之雷射'可調節前述雷射之溫度之加熱器、可 將前述雷射光轉換為前述雷射光之諧波光之諧波生成元 件’及’控制部’可在前述雷射模組之溫度為預定溫度時， 控制用於驅動前述雷射之驅動電流，以使前述雷射所振盪 之前述雷射光之波長在前述諧波生成元件所可轉換之波長 範圍内，並在前述雷射模組之溫度自前述預定溫度有所改變 時，控制對前述加熱器投入之加熱器電流，以使前述雷射光 之波長在前述諧波生成元件所可轉換之波長範圍内。依據本 發明，即便雷射模組之溫度有所改變，亦可輕易將雷射光之 波長控制在諧波生成元件所可轉換之波長範圍内。 上述構造中’可構成在尚未對前述加熱器投入前述加 熱器電流之狀態下，於前述雷射模組之動作溫度範圍内， 使前述雷射所振盪之前述雷射光之波長在前述諧波生成元 件所可轉換之波長範圍以下。依據上述構造，在雷射模組 之動作溫度範圍之全範圍内，可使雷射光之波長在諧波生 4 201143236 成元件所可轉換之波長範圍内。 上述構造中，可構成在前述雷射之波長溫度係數大於 前述諧波生成元件之波長溫度係數時，使前述預定溫度在 前述雷射模組之動作溫度範圍内之最高溫度以上。依據上 述構造，在雷射模組之動作溫度範圍之全範圍内，可使雷 射光之波長在諧波生成元件所可轉換之波長範圍内。 上述構造中，可構成在前述雷射之波長溫度係數小於 前述諧波生成元件之波長溫度係數時，使前述預定溫度在 前述雷射模組之動作溫度範圍内之最低溫度以下。依據上 述構造，在雷射模組之動作溫度範圍之全範圍内，可使雷 射光之波長在諧波生成元件所可轉換之波長範圍内。 上述構造中，可構成使前述控制部在前述雷射模組之 溫度自前述預定溫度有所改變時，在用於驅動前述雷射之 驅動電流已固定之狀態下，控制對前述加熱器投入之前述 加熱器電流。 上述構造中，可構成使前述雷射模組包含光強度調整 部，而可將前述雷射所振盪之前述雷射光之強度調整至預 定之大小。依據上述構造，即便改變雷射之驅動電流之大 小而調整雷射光之波長後，亦可將雷射光之強度調至預定 之大小。 上述構造中，可構成使前述雷射與前述光強度調整部 形成於同一晶片上，並構成分別夾隔活性層而設有彼覆 層，前述光強度調整部則藉朝前述披覆層之間施加正向偏 壓或反向偏壓，而調整前述雷射光之強度。 201143236 本發明係一種雷射系統之製造方法，本雷射系統包含 有：雷射模組，包括可振盪雷射光之雷射、可調節前述雷 射之溫度之加熱器、可將前述雷射光轉換為前述雷射光之 諧波光之諧波生成元件；及，控制部，可控制用於驅動前 述雷射之驅動電流，以及用於對前述加熱器投入之加熱器 電流；前述控制部可在前述雷射模組之溫度自預定溫度有 所改變時，就複數之前述雷射系統個別依相同之大小控制 對應前述雷射模組自預定溫度之溫度變化量之前述加熱器 電流值，以使前述雷射光之波長在前述諧波生成元件所可 轉換之波長範圍内，本方法則包含以下步驟：前述雷射模 組之溫度為前述預定溫度時，就前述複數之雷射模組個別 分別改變用於驅動前述雷射之驅動電流值，以使前述雷射 光之波長在前述諸波生成元件所可轉換之波長範圍内。依 據本發明，可就複數之雷射系統共通使用雷射模組之溫度 改變所對應之加熱器電流值，故即便雷射模組之溫度有所 改變，亦可輕易將雷射光之波長控制在諧波生成元件所可 轉換之波長範圍内。 上述構造中，可構成使前述雷射模組包含光強度調整 部，可調整前述雷射所振盪之前述雷射光之強度，前述控 制部則可控制對前述光強度調整部施加之電壓值，本方法 並包含以下步驟：就前述複數之雷射系統個別分別改變對 前述光強度調整部施加之電壓值，而使前述雷射光之強度 在前述複數之雷射系統之間為相同之大小。依據上述構 造，即便改變雷射之驅動電流之大小而調整雷射光之波長 6 201143236 後，亦可使雷射光之強度在複數之雷射系統之間為相同之 大小。 發明效果 依據本發明，即便雷射模組之溫度有所改變，亦可輕 易將雷射光之波長控制在諧波生成元件所可轉換之波長範 圍内。 圖式簡單說明 第1圖係第1實施例之雷射系統之功能區圖。 第2圖係說明雷射光之波長與諧波生成元件之轉換效 率之模式圖。 第3(a)圖係說明DFB雷射之驅動電流與雷射光之波長 之關係之模式圖。 第3(b)圖係說明加熱器部之加熱器電力與雷射光之波 長之關係之模式圖。 第4圖係DFB雷射、光強度調整部及SOA之截面模式圖。 第5圖係顯示控制部之控制之流程圖（其一）。 第6圖係說明DFB雷射之波長溫度係數大於諧波生成 元件之波長溫度係數時之模式圖。 第7圖係顯示控制部之控制之流程圖（其二）。 第8圖係說明DFB雷射之波長溫度係數小於諧波生成 元件之波長溫度係數時之模式圖。 I：實施方式3 用以實施發明之形態 以下，參照圖示說明本發明之實施例。 7 201143236 【第1實施例】 第1圖係第1實施例之雷射系統之功能區圖。如第1圖所 示，第1實施例之雷射系統100包含雷射模組10、控制部40、 非依電性記憶體41。雷射模組10則包含DFB(分散式回饋型） 雷射12、加熱器14、光強度調整部16、半導體光放大器 (SOA)18、諧波生成元件20、溫度感測器22、透鏡24。SOA18 與諧波生成元件20藉透鏡24而已光耦合，S〇ai8所出射之 雷射光36將朝證波生成元件20入射。非依電性記憶體41則 έ己憶有對DFB雷射12注入之驅動電流、雷射模組1 〇之溫度 改變後對應溫度變化量而對加熱器14投入之加熱器電流、 對光強度調整部16施加之電壓之相關資料 DFB雷射12乃具備凹凸部而可振盪單一波長之雷射光 36之雷射’可振盪諸如波長i〇64nm之雷射光36°DFB雷射 12係自控制部40注入驅動電流26而可動作，並振盥雷射光 36。加熱器14可基於自控制部40投入之加熱器電流28而調 節DFB雷射12之溫度。光強度調整部16可基於自控制部4〇 施加之電壓30而將DFB雷射12所振盪之雷射光36之強度調 至預定之大小。SOA18可基於自控制部4〇施加之電壓32而 調變已藉光強度調整部16而調整強度至預定之大小後之雷 射光36之強度。光強度調整部16及8〇八18雖可改變雷射光 36之強度，但不致改變雷射光36之波長。DFB雷射12、光 強度調整部16及SOA18形成於同一晶片上，DFB雷射12、 光強度調整部16及SOA18個別之光軸亦一致。溫度感測器 22可監測雷射模組10之溫度，並對控制部4〇輸出溫度監測 8 201143236 值34。 控制部40可控制DFB雷射12之驅動電流26、對加熱器 14投入之加熱器電流28、對光強度調整部16施加之電壓 30、對SOA18施加之電壓32。 諧波生成元件20係非線形光學元件，可將入射之雷射 光36轉換為諸波光38。諧波生成元件2〇係諸如 PPLN(Periodically Poled Lithium Niobate)，而可出身于雷身士光 36之第2諧波光之諸如波長532nm之諧波光38。 第2圖係說明雷射光之波長與諧波生成元件之轉換效 率之模式圖。如第2圖所示’若以高轉換效率進行諧波生成 元件20自基波對諧波之轉換，則可容許之波長範圍將如領 域39般為較窄之波長範圍。以下，則將可依高轉換效率而 自基波轉換為猎波之波長稱為諧波生成元件20之相位匹配 波長。 第3(a)及3(b)圖係說明DFB雷射12所振盪之雷射光之波 長之模式圖。第3(a)圖顯示用於驅動DFB雷射12之驅動電流 與DFB雷射12所振盪之雷射光之波長之關係，第3(b)圖則顯 示加熱器14之加熱器電力與DFB雷射12所振盪之雷射光之 波長之關係。如第3(a)及3(b)圖所示，DFB雷射12之驅動電 流及加熱器14之加熱器電力之大小若有所改變，則DFB雷 射12所振盪之雷射光之波長亦將改變。具體而言，隨著DFB 雷射12之驅動電流及加熱器14之加熱器電力之增大，DFB 雷射12所振盡之雷射光之波長將偏向長波長側。如上所 述，DFB雷射12之振盪波長係隨溫度之改變而不同。 9 201143236 諧波生成元件2 0之相位匹配波長亦隨溫度改變而不 同。DFB雷射12之雷射光之波長與諧波生成元件2〇之相位 匹配波長對溫度變化之改變率則不同。因此，一旦雷射模 組10之/皿度改變，雷射光之波長與相位匹配波長將依不同 之變化率而改變，調整DFB雷射12之驅動電流或加熱器 14之加熱器電力之大小’即可使雷射光之波長與相位匹配 波長一致。 第4圖係DFB雷射丨2、光強度調整部16及S0A18之截面 模式圖。如第4圖所示，nsGaAs基板5〇上形成有 AlgGac^As所構成之n型彼覆層52。基板5〇下則形成有電 極54。11型彼覆層52上形成有於QaAs所構成之基層％内設有 InAs所構成之量子點58之量子點活性層6〇。量子點活性層 60上則形成有P型GaAs所構成之p型層62。p型層62上則形成 有P型InGaP所構成之P型彼覆層64。DFB雷射12之p型層62 與P型彼覆層64之間則形成有可決定出射之雷射光之波長 之凹凸部80。基板50至p型彼覆層64之部分乃DFB雷射12、 光強度調整部16及SOA18所共通者。 DFB雷射12、光強度調整部16及SOA18之p型彼覆層64 上分別形成有p+GaAs所構成之接觸層66。DFB雷射12則於 接觸層66上形成有電極68。電極68上則形成有氧化矽所構 成之絕緣臈70。絕緣膜70上則形成有諸如Pt所構成之加熱 器14 °光強度調整部16則於接觸層66上形成有電極72。 S0A18於接觸層66上形成有電極74。控制部40可經導線76 而朝電極68、72、74及加熱器14施加電壓。電極54則與固 201143236 定電位連接。諸如已接地。 控制部40可朝DFB雷射12之電極68施加正電壓，而使 驅動電流流至電極68與電極54之間。藉此，而可於量子點 活性層60發生受激發射，並使雷射光36傳播至活性層6〇附 近。又，控制部40可藉對加熱器14流入加熱器電流而控制 DFB雷射12之溫度。進而，控制部4〇可朝電極72與電極54 之間施加反向偏壓，而吸收活性層6〇内之雷射光％之一部 分，以s周整雷射光36之強度。吸光量則隨反向偏壓之大小 而不同。或，控制部40可朝電極72與電極54之間施加正向 偏壓，而放大活性層60内之雷射光36，以調整雷射光36之 強度。光放大量則隨正向偏壓所產生之電流量而不同。因 此，調整電極72與電極54之間之反向偏壓值或順向電流 值，即可將活性層60内之雷射光36之強度調為所需之強 度。進而，控制部40可朝電極74與電極54之間施加正向偏 壓，而放大活性層60内之雷射光36。改變電極74與電極54 之間之電壓值’即可改變S〇Ai8之放大率，以調變8〇八18 所出射之雷射光36之強度。 以下，參照第5圖之流程圖及第6圖之模式圖，說明控 制部40對非依電性記憶體41進行之資料記憶控制。另，— 如刖述，DFB雷射12與諧波生成元件2〇之波長溫度係數雖 不同’但第1貫施例中，則如第6圖所示，將說明DFB雷射 12之波長溫度係數大於諧波生成元件2 〇之波長溫度係數之 情形。亦即，將例示說明DFB雷射12所振盪之雷射光之波 長之伴隨雷射模組10之溫度改變之變化率大於諧波生成元 201143236 件20之相位匹配波長之情形。 首先，如第5圖所示，控制部40將在雷射模組1〇之動作 溫度範圍42之最高溫度下，調整DFB雷射12之驅動電流， 以使DFB雷射12所振盪之雷射光之波長與諧波生成元件2〇 之相位匹配波長一致（步驟Si〇)。在此，雷射模組1〇之動作 溫度範圍4 2係指可保證D F b雷射丨2及諧波生成元件2 〇等之 動作之溫度範圍。如第3(a)圖之說明’ DFB雷射12所振盪之 雷射光之波長係隨驅動電流之大小而改變。因此，即便在 調整驅動電流之大小前，雷射光之波長與相位匹配波長並 不一致（第6圖之鏈線）’亦可藉調整驅動電流之大小而使雷 射光之波長與諧波生成元件2〇之相位匹配波長一致（第6圖 之實線）。 接著，控制部40則將業經步驟S10之調整之DFB雷射12 之驅動電流值記憶於非依電性記憶體4i(步驟S12)。在此， D F B雷射12與諧波生成元件2 〇之個別元件之波長特性存在 偏差。因此’舉例言之，對其它DFB雷射注入與第6圖之鏈 線時相同大小之驅動電流後，其它DFB雷射可能具有第6圖 之虛線所示之波長特性。此時，若對前述其它DFB雷射實 施步驟S10已說明之步驟，則所注入之驅動電流之大小將與 第6圖之鏈線所示之DFB雷射不同。亦即，複數之雷射系統 100中，對DFB雷射12注入之驅動電流之大小不同，其結 果，記憶於非依電性記憶體41之DFB雷射12之驅動電流值 亦將不同。 其次’控制部40將調整對光強度調整部16施加之電 12 201143236 壓，以將雷射光之強度調至預定之大小（步驟S14)。預定之 大小係私複數之雷射系統i 〇〇中，經光強度調整部1 6之強度 調整後之雷射光之強度為相同之大小。 …;、後，控制部4〇則將業經步驟s 14之調整之光強度調整 部16之電壓值記憶於非依電性記憶體41(步驟si6)。在此， 複數之雷射系統100中，於步驟sl〇之步驟中對^^^^雷射12 注入之驅動電流之大小各異’故DFB雷射12所振盪之雷射 光之強度亦將各異。因此，對光強度調整部16施加之電壓 值亦各異，其結果，記憶於非依電性記憶體41之光強度調 整部16之電壓值亦各不相同。 另，非依電性記憶體41中已先記憶有在雷射模組1〇之 /JDL度改隻時，對應自動作溫度範圍42之最高溫度之溫度變 化量之加熱器14之加熱器電流值，而可使雷射光之波長與 相位匹配波長一致。一如第3(b)圖之說明，DFB雷射12所振 盪之雷射光之波長係隨加熱器電力之大小而改變。因此， 對應自動作溫度範圍42之最高溫度之溫度變化量而增加加 熱器電流’即可使雷射光之波長與相位匹配波長一致。在 此，DFB雷射12與諧波生成元件2〇之個別元件之波長特性 存在偏差，但貫施步驟Si〇之步驟，即如第6圖所示，可吸 收個別元件之波長特性偏差。因此，對應自動作溫度範圍 42之最高溫度之溫度變化量之加熱器電流值可使用複數之 雷射系統100所共通之值。 其次，參照第7圖之流程圖，說明控制部4〇對雷射模組 10之控制。首先，如第7圖所示，控制部4〇將對DFB雷射12 13 201143236 主入非依電性δ己憶體41所s己憶之驅動電流值，而使dfb雷 射12振盛雷射光（步驟S20)。接著，控制部4〇將對光強度調 整部16施加非依電性記憶體41所記憶之光強度調整部16之 電壓值，而調整DFB雷射12所振盪之雷射光之強度（步驟 S22)。 然後，控制部40則依據來自溫度感測器22之溫度監測 值，判斷雷射模組10之溫度是否已自動作溫度範圍42之最 高溫度有所改變。若判斷為已改變，控制部4〇則不改變DFB 雷射12之驅動電流值’而對加熱器14投入非依電性記憶體 41中所5己憶之對應自動作溫度範圍42之最高溫度之溫度變 化量之加熱器電流值（步驟S24)。藉此，即可如第6圖所示， 使雷射光之波長與諧波生成元件20之相位匹配波長一致， 而自諸波生成元件20出射諧波光。又，若就每次雷射模組 10之溫度之改變實施步驟S24，即便雷射模組1〇之溫度改 變，亦可使雷射光之波長與相位匹配波長維持一致，以自 諧波生成元件20持續出射諧波光。 如以上之說明，依據第1實施例，一如第5圖之步驟sl〇 之說明，依雷射模組10之動作溫度範圍42之最高溫度控制 DFB雷射12之驅動電流，即可將雷射光之波長控制在諧波 生成元件20所可轉換之波長範圍内。其次，—如第7圖之步 驟S24之說明，雷射模組1〇之溫度自動作溫度範圍幻之最高 溫度有所改變時，固定DFB雷射12之驅動電流而不加以改 變，並控制對加熱器14投入之加熱器電流，即可將雷射光 之波長控制在諧波生成元件2〇所可轉換之波長範圍内。藉 201143236 此，即便雷射模組10之溫度改變，亦可輕易將雷射光之波 長控制在諧波生成元件20所可轉換之波長範圍内，而自諧 波生成元件20安定出射諧波光。 雷射模組10之溫度改變後，固定DFB雷射12之驅動電 流，而控制對加熱器14投入之加熱器電流以調整雷射光之 波長，即可使雷射光之強度不變。因此，無須就每次雷射 模組10之溫度改變進行光強度調整部16之控制，故可簡化 控制作業。 第1實施例中，如第5圖之步驟S10及第6圖所示，依雷 射模組10之動作溫度範圍42之最高溫度控制DFB雷射12之 驅動電流，即可將雷射光之波長控制在諧波生成元件20所 可轉換之波長範圍内。藉此，在尚未對加熱器14投入加熱 器電流之狀態下，於雷射模組10之動作溫度範圍42内，可 將DFB雷射12所振盪之雷射光之波長調至諧波生成元件20 所可轉換之波長範圍以下。因此，於雷射模組1〇之動作溫 度範圍42之全範圍内，增加加熱器14之加熱器電流即可將 雷射光之波長控制在諧波生成元件20所可轉換之波長範圍 内。因此，DFB雷射12之波長溫度係數大於諧波生成元件 20之波長溫度係數時，在雷射模組10之動作溫度範圍42之 最高溫度以上之狀態下’宜控制DFB雷射12之驅動電流而 將雷射光之波長控制在諧波生成元件20所可轉換之波長範 圍内。 又，一如第5圖冬步驟S10、S12之說明，一旦調整DFB 雷射12之驅動電流而使DFB雷射12所振盡之雷射光之波長 15 201143236 在谐波生成7L件2〇所可轉換之波長範圍内，則在複數雷射 系統100中，分別對刪雷射12注入之驅動電流之大小將各 異。亦即，複數之雷射系統100中，係分別控制個別之DFB 雷射12之驅動電流值，而使雷射光之波長在諧波生成元件 20所可轉換之波長範圍内。進行上述之控制，則如第6圖所 示’可吸收DFB雷射12與諧波生成元件2〇之個別元件分別 可月b存在之波長特性偏差。因此，第7圖之步驟S24中，可 對應自動作溫度範圍42之最高溫度之溫度變化量 ，而就複 數之雷射系統1〇〇個別依相同大小控制加熱器電流以將雷 射光之波長控制在諧波生成元件20所可轉換之波長範圍 内。如上所述’對應雷射模組10之溫度變化而投入之加熱 器電流值，可由複數之雷射系統100所共通使用，故可簡化 雷射光之波長控制。 如第1圖所示，雷射模組10包含可調變雷射光之強度之 S〇A18。SOA18可改變雷射光之強度，但不致改變波長， 故雷射光之波長可維持在諧波生成元件2〇所可轉換之波長 範圍内，而調變雷射光之強度。 又’如第1圖所示，雷射模組10包含可將雷射光之強度 調為預定之大小之光強度調整部16。一如前述，複數之雷 射系統100中，係分別改變驅動DFB雷射12之驅動電流之大 小’而將雷射光之波長控制在諧波生成元件20所可轉換之 波長範圍内。因此，複數之雷射系統100彼此之間，DFB雷 射12所振盪之雷射光之強度有所不同。故而，雷射模組1〇 設有光強度調整部16,而可就複數之雷射系統1〇〇分別控制 16 201143236 對光強度調整部16施加之電壓，以使雷射光之強度在複數 之雷射系統100個別之間為相同之大小。藉此，在複數之雷 射系統100中’即可依相同大小控制對SOA18施加之電壓， 而可簡化SOA18之控制。 如第4圖所示’ DFB雷射12、光強度調整部丨6及SOA18 形成於同一晶片上，並構成分別夾隔活性層而設有彼覆 層。活性層與彼覆層之部分乃DFB雷射12、光強度調整部 16及SOA18所共通者。藉此’而可抑制DFB雷射12與光強 度調整部16之間及光強度調整部16與SOA18之間之雷射光 之損失。又，SOA18可朝披覆層間施加正向偏壓而調變雷 射光之強度，光強度調整部16則可朝披覆層間施加正向偏 壓或反向偏壓而調整雷射光之強度。 第1實施例中，雖已例示說明DFB雷射12之波長溫度係 數大於諧波生成元件20之波長溫度係數，但DFB雷射12之 波長溫度係數亦可小於諸波生成元件2〇之波長溫度係數。 此時’則如第8圖所示’在雷射模組1〇之動作溫度範圍42之 最低溫度以下之狀態下’宜控制DFB雷射12之驅動電流而 將雷射光之波長控制在諧波生成元件20所可轉換之波長範 圍内。藉此’在尚未對加熱器14投入加熱器電流之狀態下， 於雷射模組10之動作溫度範圍42内，可將DFB雷射12所振 盈之雷射光之波長調至諧波生成元件20所可轉換之波長範 圍以下。故而，於雷射模組1〇之動作溫度範圍42之全範圍 内，增加加熱器14之加熱器電流，即可將雷射光之波長控 制在諧波生成元件20所可轉換之波長範圍内。 17 201143236 第1實施例中，雖已例示雷射乃量子點DFB雷射，但不 限於此。舉例言之，亦可為量子井DFB雷射等，或DFB雷 射以外之諸如法比-培羅特（Fabry- Perot)型雷射。又， SOA18與諧波生成元件2〇雖已例示藉透鏡24而光耦合，但 S0A18與諧波生成元件2〇亦可直接耦合。 又’第1實施例中，雖已例示說明證波生成元件2〇可將 雷射光36轉換為雷射光36之第2諧波，但諧波生成元件2〇亦 可加以轉換為雷射光36之更高次之諧波光。又，雖已例示 甙明雷射光36為l〇64nm而諧波光38為532nm之綠光，但諧 波光38亦可為其它波長之光。又，雷射光36亦可為其它波 長者。 以上，雖已就本發明之較佳實施例加以詳細說明，但 本發明並不受限於上述特定之實施例，於申請專利範圍所 揭露之本發明之要旨範圍内，可進行各種變形'變更實施。 【圖式簡單說明】 第1圖係第1實施例之雷射系統之功能區圖。 第2圖係說明雷射光之波長與諧波生成元件之轉換效 率之模式圖。 第3(a)圖係說明DFB雷射之驅動電流與雷射光之波長 之關係之模式圖》 第3(b)圖係說明加熱器部之加熱器電力與雷射光之波 長之關係之模式圖。 第4圖係DFB雷射、光強度調整部及s〇A之截面模式圖。 第5圖係顯示控制部之控制之流程圖（其一）。 201143236 第6圖係說明D F B雷射之波長溫度係數大於諧波生成 元件之波長溫度係數時之模式圖。 第7圖係顯示控制部之控制之流程圖（其二）。 第8圖係說明D F B雷射之波長溫度係數小於諧波生成 元件之波長溫度係數時之模式圖。 【主要元件符號說明】 10…雷射模組 42...動作溫度範圍 12...DFB 雷射 50...11型〇3八3基板 14...加熱器 52...η型彼覆層 16...光強度調整部 54...電極 18...半導體光放大器 56...基層 20...諧波生成元件 58...量子點 22...溫度感測器 60...量子點活性層 24...透鏡 62...ρ型層 26...驅動電流 64...ρ型彼覆層 28...加熱器電流 66...接觸層 30...電壓 68...電極 32…電壓 70...絕緣膜 34...溫度監測值 72…電極 36...雷射光 74…電極 38...諧波光 76…導線 39...領域 80..·凹凸部 40...控制部 100...雷射系統 41...非依電性記憶體 S10〜S16、S20〜S24…流程步驟 19

Claims (1)

1. 201143236 七、申請專利範圍： 1. 一種雷射系統，其特徵在於包含有： 雷射模組，包括可振盪雷射光之雷射、可調節前述 雷射之溫度之加熱器、可將前述雷射光轉換為前述雷射 光之諧波光之諧波生成元件；及 控制部，可在前述雷射模組之溫度為預定溫度時， 控制用於驅動前述雷射之驅動電流，以使前述雷射所振 盪之前述雷射光之波長在前述諧波生成元件所可轉換 之波長範圍内，並在前述雷射模組之溫度自前述預定溫 度有所改變時，控制對前述加熱器投入之加熱器電流， 以使前述雷射光之波長在前述諧波生成元件所可轉換 之波長範圍内。 2. 如申請專利範圍第1項之雷射系統，在尚未對前述加熱 器投入前述加熱器電流之狀態下，於前述雷射模組之動 作溫度範圍内，前述雷射所振盪之前述雷射光之波長在 前述諧波生成元件所可轉換之波長範圍以下。 3. 如申請專利範圍第1或2項之雷射系統，前述雷射之波長 溫度係數大於前述諧波生成元件之波長溫度係數時，前 述預定溫度在前述雷射模組之動作溫度範圍内之最高 溫度以上。 4. 如申請專利範圍第1或2項之雷射系統，前述雷射之波長 溫度係數小於前述諧波生成元件之波長溫度係數時，前 述預定溫度在前述雷射模組之動作溫度範圍内之最低 溫度以下。 20 201143236 5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之雷射系統，前述控 制部在前述雷射模組之溫度自前述預定溫度有所改變 時，則在用於驅動前述雷射之驅動電流已固定之狀態 下，控制對前述加熱器投入之前述加熱器電流。 6. 如申請專利範圍第1〜5項中任一項之雷射系統，前述雷 射模組包含光強度調整部，而可將前述雷射所振盪之前 述雷射光之強度調整至預定之大小。 7. 如申請專利範圍第6項之雷射系統，前述雷射與前述光 強度調整部形成於同一晶片上，並構成分別夾隔活性層 而設有彼覆層， 前述光強度調整部係藉朝前述彼覆層之間施加正 向偏壓或反向偏壓，而調整前述雷射光之強度。 8. —種雷射系統之製造方法，本雷射系統包含有： 雷射模組，包括可振盪雷射光之雷射、可調節前述 雷射之溫度之加熱器、可將前述雷射光轉換為前述雷射 光之諧波光之諧波生成元件；及 控制部，可控制用於驅動前述雷射之驅動電流 、以及用於對前述加熱器投入之加熱器電流； 前述控制部可在前述雷射模組之溫度自預定溫度 有所改變時，對應自前述預定溫度之溫度變化量而就複 數之前述雷射系統個別依相同之大小控制前述加熱器 電流，以使前述雷射光之波長在前述諧波生成元件所可 轉換之波長範圍内， 本方法則包含以下步驟： 21 201143236 前述雷射模組之溫度為前述預定溫度時，就前述複 數之雷射模組個別分別控制用於驅動前述雷射之驅動 電流，以使前述雷射光之波長在前述諧波生成元件所可 轉換之波長範圍内。 9.如申請專利範圍第8項之雷射系統之製造方法，前述雷 射模組包含光強度調整部，可調整前述雷射所振盪之前 述雷射光之強度，前述控制部則可控制對前述光強度調 整部施加之電壓， 本方法並包含以下步驟： 就前述複數之雷射系統個別分別控制對前述光強 度調整部施加之電壓，而使前述雷射光之強度在前述複 數之雷射系統之間為相同之大小。 22