201138023 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 #發明是有關在含熱可塑性樹脂的絕緣基材形成配線 部’內藏半導體晶片的半導體晶片內藏配線基板及其製造 方法。 【先前技術】 以往，在含熱可塑性樹脂的絕緣基材形成配線部，內 藏®子零件之零件內藏基板的製造方法，例如有記載於專 利文獻1者爲人所知。 此製法方法是以能夠內藏電子零件的方式層疊複數片 的樹脂薄膜而成爲層疊體，該複數片的樹脂薄膜是包含在 表面形成有導體圖案的樹脂薄膜、在導通孔（Via Hole ) 內充塡導電性膏的樹脂薄膜。 然後，對於層疊體由上下來一面加壓一面加熱，使含 於樹脂薄膜的熱可塑性樹脂軟化，藉此，使樹脂薄膜互相 接著而一起一體化的同時密封電子零件。並且，燒結充塡 於導通孔內的導電膏，而形成層間連接部（導電性組成物 )，電性連接與電子零件的電極對應的焊墊（導體圖案） 或導體圖案彼此間。 若根據此，則可藉由加壓•加熱來一起形成內藏電子 零件的多層基板，可使製造工程簡素化。 可是，在集聚元件的半導體晶片（1C晶片）中，爲了 元件的高集聚化、高速化、抑制半導體晶片（內藏該半導 201138023 體晶片的基板）的體格增大等，而電極的間隔會越變窄（ 所謂細間距（F i n e p i t c h ))。因此，所被內藏的電子零 件，採用半導體晶片（裸晶片），不再配線地覆晶安裝時 ，上述的方法若想要確保相鄰的層間連接部間的電氣絕緣 性，則必須形成非常小徑（例如直徑數μ™〜1 Ομπι程度） 的導通孔，可想像導通孔的形成或導電性膏的充塡困難。 又，由於導電性膏的充塡量也少，所以可想像與構成 半導體晶片的電極或基板的焊墊之金屬擴散接合無法確保 充分的量的導電性粒子。 對於此，可考慮採用在半導體晶片的電極設置柱形凸 塊，將此柱形凸塊連接至基板的焊墊之覆晶安裝。尤其如 專利文獻2所記載那樣，在一面加壓一面加熱下’ 一旦直 接接合半導體晶片的Au凸塊與基板的銅焊墊（電極），則 可一面對應於細間距，一面提升電性的連接可靠度。 另一方面，使半導體晶片的電極與凸塊的連接可靠度 提升的技術，有揭示於專利文獻3之持有A1電極與Au (金 )凸塊的接合構造之半導體封裝。在此半導體封裝中’對 於半導體晶片（電晶體晶片）的A1電極’藉由球形焊接法 來形成Au凸塊，在該階段例如藉由300°C-2h或250°C-10h的 熱處理來使構成Au凸塊下的A1電極之A1全部變成AuAl合 金。藉此，可提高A1電極/Au凸塊的強度。 〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕 -6- 201138023 〔專利文獻1〕特開2007-324550號公報 〔專利文獻2〕特開2001-60602號公報 〔專利文獻3〕特開2 0 0 0 - 3 4 9 1 2 5號公報 【發明內容】 (發明所欲解決的課題） 然而，如專利文獻2所示般，爲了直接接合凸塊 墊，必須要有加壓•加熱時間。又，如專利文獻3所 ，將構成A1電極的A1全部變成AuAl合金也需要時間（ 300°C-2h或25 0°C-10h)。因此，爲了形成半導體晶片 配線基板所花的時間會變長。 本發明有鑑於上述問題點，而以提供一種可一面 半導體晶片的連接可靠度，一面可使製造工程簡素化 縮短製造時間之半導體晶片內藏配線基板的製造方法 1目的。又，以提供一種可提升半導體晶片的連接可 之半導體晶片內藏配線基板爲第2目的。 (用以解決課題的手段） 爲了達成上述目的，若根據本發明的第1例，則 種內藏一方的面具有由A1系材料所構成的第1電極的 體晶片之半導體晶片內藏配線基板的製造方法，其特 具備： 層疊工程，其係以含熱可塑性樹脂的熱可塑性樹 膜能夠至少每隔〗片位置，且與半導體晶片的電極形 與焊 示般 例如 內藏 提升 ，可 爲第 靠度 爲~ 半導 徵爲 脂薄 成面 201138023 及該電極形成面的背面鄰接之方式層疊複數片的樹脂薄膜 ，而成爲層疊體，該複數片的樹脂薄膜係包含：在表面形 成有由Cu所構成的導體圖案的樹脂薄膜、及在導通孔內充 塡有導電性订的樹脂薄膜；及 加壓•加熱工程，其係一面加熱層疊體，一面由層疊 方向上下來加壓，藉此使熱可塑性樹脂軟化來一起將複數 片的樹脂薄膜一體化的同時，密封半導體晶片，以導電性 膏中的導電性粒子作爲燒結體，形成具有該燒結體及導體 圖案的配線部， 在層®工程中，係隔著作爲熱可塑性樹脂薄膜的第2 薄膜，在柱形凸塊與焊墊相向的方向配置半導體晶片及第 1薄膜，該半導體晶片係於第1電極設有由Au所構成的柱形 凸塊，該第1薄膜係由樹脂薄膜所構成，形成有焊墊，作 爲導體圖案的一部分， 在加壓·加熱工程中，係藉由固相擴散接合來接合焊 墊與柱形凸塊、及第1電極與柱形凸塊，藉此形成一構成 焊墊的Cu與構成柱形凸塊的Au的合金層之CuAu合金層的 同時，使第1電極之與柱形凸塊對向的部位的厚度方向的 A1全部AuAl合金化，而使第1電極成爲不含未被合金化的 A1金屬本身的AuAl合金層。 本發明的上述第1例是以熱可塑性樹脂薄膜能夠至少 每隔1片位置，且與半導體晶片的電極形成面及此電極形 成面的背面鄰接之方式層疊含熱可塑性樹脂薄膜的複數片 的樹脂薄膜，而成爲層疊體。因此，藉由加壓•加熱來使 -8- 201138023 含有熱可塑性樹脂薄膜的熱可塑性樹脂軟化下，使複數片 的樹脂薄膜一起一體化的同時’至少可藉由與半導體晶片 鄰接的熱可塑性樹脂薄膜來密封半導體晶片。並且’可藉 由上述加壓•加熱’以導電性膏中的導電性粒子作爲燒結 體來與導體圖案一起形成配線部。因此’可使製造工程簡 素化。 而且，將此層疊體在加壓•加熱工程中，藉由固相擴 散接合來接合焊墊與柱形凸塊、及第1電極與柱形凸塊’ 藉此形成一構成焊墊的CU與構成柱形凸塊的Au的合金層之 CuAu合金層的同時，第1電極的A1是在與柱形凸塊對向的 部位的厚度方向全部AuAl合金化而形成AuAl合金層。藉 由如此在柱形凸塊的兩側（半導體晶片側及其相反側）形 成合金層，可提升半導體晶片的連接可靠度。 尤其是在柱形凸塊的半導體晶片側，一旦半導體晶片 的第1電極的A1殘留（亦即，在半導體晶片與柱形凸塊之 間殘留A1 )，則在高溫的使用環境中，構成柱形凸塊的Au 會固相擴散於殘留的A1，生成Au5A12。此Au5A12的成長速 度相較於Au4A1非常快，因此Au的擴散趕不上Au5A12的生 成，在Au4A1與Au5A12的界面產生科肯達爾孔洞（ Kirkendall Void)。並且，以此科肯達爾孔洞作爲起點產 生裂縫。 於是’在本發明的第1例中，將第1電極之與柱形凸塊 對向的部位的厚度方向的A1全部AuAl合金化而形成AuAl 合金層下’即使在高溫的使用環境中，還是可防止構成柱 -9- 201138023 形凸塊的Au固相擴散，因此可抑制科肯達爾孔洞產生，進 而可抑制裂縫產生。 如此，本發明是利用對於層疊體的加壓•加熱工程時 的熱及壓力來形成一構成焊墊的Cu與構成柱形凸塊的Au的 合金層之CuAu合金層的同時，第1電極在與柱形凸塊對向 的部位的厚度方向使A1全部AuAl合金化而成爲AuAl合金 層，因此相較於在A1電極藉由球形焊接法來形成Au凸塊時 使A1電極的A1全部AlAu合金化，更在覆晶安裝工程中使柱 形凸塊與焊墊成爲接合狀態，然後實施加壓.加熱工程的 方法，可縮短製造時間。並且，此CuAu合金層或AuAl合 金層可藉由此加壓•加熱工程來以熱可塑性樹脂薄膜所密 封。 藉由以上’可一面提升半導體晶片的連接可靠度，一 面使半導體晶片內藏配線基板的製造工程簡素化，可縮短 製造時間。 另外’複數片的樹脂薄膜，除了熱可塑性樹脂薄膜以 外，亦可具有含熱硬化性樹脂的熱硬化性樹脂薄膜。在加 壓•加熱工程中，使構成熱可塑性樹脂薄膜的熱可塑性樹 脂軟化，藉此將樹脂薄膜彼此間予以接著而一體化，所以 層疊體是只要熱可塑性樹脂薄膜至少每隔1片位置即可。 含熱可塑性樹脂的熱可塑性樹脂薄膜是若去掉由熱可 塑性樹脂所構成的第2薄膜，則亦可採用與熱可塑性樹脂 一起含玻璃纖維等的無機材料之薄膜。有關含熱硬化性樹 脂的薄膜也是同樣。另外，第1薄膜可採用含熱可塑性樹 -10- 201138023 脂的薄膜及含熱硬化性樹脂的薄膜的其中任一。 又’若根據本發明的第2例，則在加壓·加熱工程中 ，主要成爲含Au4A1合金的AuAl合金層爲理想。 又’若根據本發明的第3例，則在加壓.加熱工程中 ，形成含CuAu3合金的CuAu合金層爲理想。 又，若根據本發明的第4例，則作爲層疊工程的前工 程，亦可具備： 貼附工程，其係對於含第1薄膜的基板，一面加熱一 面加壓，藉此以能夠覆蓋焊墊的方式，將第2薄膜貼附於 基板的焊墊形成面：及 覆晶安裝工程，其係於構成第2薄膜的熱可塑性樹脂 的熔點以上的溫度，一面加熱一面加壓，藉此一邊使第2 薄膜溶融一邊推進柱形凸塊，使壓接於所對應的焊墊的同 時，以溶融後的第2薄膜來密封半導體晶片與基板之間。 如此，在層疊工程的前工程中，在半導體晶片與含第 1薄膜的基板之間配置由熱可塑性樹脂薄膜所構成的第2薄 膜，在熱可塑性樹脂的熔點以上的溫度一面加熱一面加壓 。因此，將溫度提升至熱可塑性樹脂的熔點以上的期間， 可使構成第2薄膜的熱可塑性樹脂具有流動性，藉由加壓 來使位於柱形凸塊與焊墊之間的熱可塑性樹脂移動，使柱 形凸塊直接接觸於焊墊，而使柱形凸塊與焊墊成爲壓接狀 態（換言之暫時接合狀態）。 此時，藉由加熱而具有流動性的熱可塑性樹脂會密封 半導體晶片與基板之間，包含柱形凸塊與焊墊的連接部的 -11 - 201138023 周圍，因此可確保在各連接部間的電性絕緣性。並且，可 提升連接部的連接可靠度。 並且，在柱形凸塊與焊墊形成壓接狀態的時間點終了 覆晶安裝工程（加熱•加壓），藉由在加壓•加熱工程所 接受的加壓•加熱來固相擴散接合柱形凸塊與焊墊。由於 是在如此利用加壓•加熱工程的熱及壓力下固相擴散接合 柱形凸塊與焊墊，所以相較於壓接狀態，可提升半導體晶 片的電極與焊墊的電性連接可靠度。 並且，在覆晶安裝工程中是先使柱形凸塊與焊墊成爲 壓接狀態，在利用加壓•加熱工程的熱及壓力下固相擴散 接合柱形凸塊與焊墊，因此相較於在覆晶安裝工程中，使 柱形凸塊與焊墊成爲固相擴散接合，然後實施加壓•加熱 工程的方法，可縮短製造時間。 並且，若在層疊工程之前不使柱形凸塊接觸於焊墊， 在加壓•加熱工程中，使柱形凸塊接觸於焊墊，且成爲接 合狀態，則藉由軟化後的熱可塑性樹脂的緩衝效果，柱形 凸塊不易被推進第2薄膜，其結果，可想像在柱形凸塊與 焊墊之間殘留有熱可塑性樹脂。相對的，在本發明的第4 例中是在層疊工程之前，先使柱形凸塊與焊墊成爲壓接狀 態，所以可藉由加壓·加熱工程的加壓•加熱來使柱形凸 塊與焊墊確實地成爲接合狀態。 又，若根據本發明的第5例，則作爲層疊工程的前工 程，亦可具備： 覆晶安裝工程，其係對於含第1薄膜的基板，在焊墊 -12- 201138023 形成面，貼附一在對應於焊墊的位置設有貫通孔的第2薄 膜之狀態下，於構成第2薄膜的熱可塑性樹脂的玻璃轉移 點以上的溫度，一面加熱一面加壓’藉此使柱形凸塊經由 貫通孔來壓接於所對應的焊墊的同時，以軟化後的第2薄 膜來密封半導體晶片與基板之間。 如此，在覆晶安裝工程的加熱•加壓之前，將對應於 焊墊的貫通孔預設於第2薄膜，因此若熱量相同，則可在 短時間形成柱形凸塊與焊墊的壓接狀態及藉由第2薄膜的 密封構造。亦即，可更縮短在覆晶安裝工程的加熱•加壓 時間，進而縮短半導體晶片內藏配線基板的製造時間。 並且，若加熱•加壓時間及加壓條件相同，則可以比 上述第4例的方法少的熱量來確保柱形凸塊與平地的壓接 狀態。 有關此貫通孔是如本發明的第6例那樣，亦可按照每 個焊墊來設置。 藉此，由於熱可塑性樹脂薄膜位於柱形凸塊與焊墊的 各連接部之間，因此在覆晶安裝工程中，軟化後的熱可塑 性樹脂容易覆蓋連接部。亦即，雖設置貫通孔，但容易確 保在各連接部間的電性絕緣性，容易提升連接部的連接可 靠度。 另外，當半導體晶片的第1電極爲細間距時，焊墊也 成爲細間距。因此，難以形成比焊墊（例如直徑30μιη )更 小的貫通孔。然而，與用以形成層間連接部的導通孔不同 ’在貫通孔不充塡導電性膏，並且此貫通孔不是規定電性 -13- 201138023 連接半導體晶片的電極與焊墊之連接部的體格者。因此， 有關上述貫通孔是亦可比焊墊更大，所以孔形成的自由度 比導通孔高，可按照每個焊墊來設置。 另一方面，如本發明的第7例那樣，亦可按照每複數 的焊墊來設置1個。藉此，相較於按照每一個焊墊來設置 一個貫通孔的構成，不受焊墊間的間隔（間距）所左右， 容易形成貫通孔。換言之，適於細間距。 又，如本發明的第8例那樣，作爲覆晶安裝工程，可 包含： 藉由一面加熱一面加壓與貫通孔的形成位置不同的位 置，來將設有貫通孔的第2薄膜貼附於基板的焊墊形成面 之工程。 藉此，雖預先設置貫通孔，但在基板貼附第2薄膜時 ，以貫通孔不會因加熱•加壓而崩潰的方式，加熱•加壓 與貫通孔的形成位置不同的位置來貼附，因此在將半導體 晶片安裝於基板時，可在短時間使柱形凸塊與焊墊成爲壓 接狀態。 另一方面，如本發明的第9例那樣，作爲覆晶安裝工 程，亦可包含： 藉由一面加熱一面加壓，來將第2薄膜以能夠覆蓋焊 墊的方式貼附於基板的焊墊形成面之後，在第2薄膜之對 應於焊墊的位置形成貫通孔之工程。 藉此，因爲在基板貼附第2薄膜之後形成貫通孔，所 以可位置精度佳地形成貫通孔。 -14- 201138023 又，如本發明的第1 0例那樣，在層疊工程中，係隔著 第2薄膜，在前述柱形凸塊與焊墊相向的方向分離的狀態 下層疊半導體晶片與第1薄膜，在加壓•加熱工程中，係 一邊使第2薄膜溶融一邊推進柱形凸塊，藉由固相擴散接 合來接合焊墊與柱形凸塊、及第1電極與柱形凸塊。 如此一來，可不進行上述前工程製造半導體晶片內藏 配線基板，所以可縮短製造時間。 又’如本發明的第Π例那樣，半導體晶片係於形成有 第1電極的電極形成面的背面具有第2電極。 又’如本發明的第1 2例那樣，在層疊工程中，係於層 疊體之與半導體晶片的第2電極相向的方向的表層配置由 金屬材料所構成的放熱構件，在加壓•加熱工程中，係接 合放熱構件與被充塡於樹脂薄膜的導通孔內的導電性膏。 如此一來，可不使半導體晶片內藏配線基板的製造工 程數增加，使放熱性提升。 另外’密封半導體晶片的熱可塑性樹脂薄膜（例如第 2薄膜）是若未滿5μπι，則在加壓.加熱工程中應力會變高 ’有可能從半導體晶片的表面剝落。於是，如本發明的第 1 3例所示般，密封半導體晶片的熱可塑性樹脂薄膜是厚度 5μηι以上爲理想。 如此一來’可抑制從半導體晶片的表面剝落。 又，如本發明的第1 4例所示般，密封半導體晶片的熱 可塑性樹脂薄膜（例如第2薄膜）係不含塡充物爲理想。 如此一來，在加壓.加熱工程中’可降低對於半導體 -15- 201138023 晶片的應力。 爲了達成上述第2目的，若根據本發明的第1 5例，則 爲一種半導體晶片內藏配線基板，其特徵係具有： 絕緣基材，其係至少含熱可塑性樹脂； 半導體晶片，其係構成複數的元件的同時，在一方的 面具有第1電極，被埋設於絕緣基材，而藉由此絕緣基材 的熱可塑性樹脂來密封； 配線部，其係設於絕緣基材，與半導體晶片的第1電 極電性連接者，包含：由Cu所構成的導體圖案、及設於導 通孔內的層間連接部、及由Au所構成連接第1電極與作爲 導體圖案的一部分的焊墊之連接部；及
CuAu合金層，其係於連接部與焊墊的界面具有構成連 接部的Au與構成焊墊的Cu的合金層， 第1電極之與連接部對向的部位係由在厚度方向不含 未被合金化的A1金屬本身的Au A1合金層所構成。 如此，在柱形凸塊與作爲導體圖案的一部分的焊墊之 界面，具有構成柱形凸塊的Au與構成焊墊的Cu的合金層之 CuAu合金層的同時，第1電極在與連接部對向的部位的厚 度方向成爲不含未被合金化的A1金屬本身的Au A1合金層， 藉此可使被內藏的半導體晶片的連接可靠度提升。 尤其是在柱形凸塊的半導體晶片側，一旦半導體晶片 的第1電極的A1殘留（亦即，在半導體晶片與柱形凸塊之 間殘留A1 )，則在高溫的使用環境中，構成柱形凸塊的Au 會固相擴散於殘留的A1，生成Au5A12。此八〜人12的成長速 -16- 201138023 度相較於Au4A1非常快，因此Au的擴散趕 成，在Au4A1與Au5A12的界面產生科 Kirkendall Void)。並且，以此科肯達爾 生裂縫。 於是，本發明中是在第1電極之與連 的厚度方向將A1全部AuAl合金化而主要奸 的AuAl合金層下，即使在高溫的使用環境 構成柱形凸塊的Au固相擴散，因此可抑制 生，進而可抑制裂縫產生。 又，如本發明的第1 6例所示般，第 Au4A1合金爲理想。 又，如本發明的第1 7例所示般，在連 面係含CuAu3合金作爲CuAu合金層爲理想 又’如本發明的第1 8例所示般，絕緣 塑性樹脂的熱可塑性樹脂薄膜能夠至少每 與半導體晶片的兩電極形成面鄰接之方式 脂薄膜’以熱可塑性樹脂薄膜作爲接著層 〇 又’作爲被內藏的半導體晶片，如本 示般’可採用在形成有第1電極的電極形 第2電極者。此情況，該第2電極是與層間 又’如本發明的第20例所示般，亦可 半導體晶片的第2電極相向的方向的表層 不上Au5A12的生 肯達爾孔洞（ 孔洞作爲起點產 接部對向的部位 〖成含Au4A1合金 中，還是可防止 科肯達爾孔洞產 1電極係主要含 接部與焊墊的界 〇 基材係以含熱可 :隔1片位置，且 層疊複數片的樹 來互相接著而成 發明的第19例所 成面的背面具有 連接部電性連接 在絕緣基材之與 配置有由金屬材 -17- 201138023 料所構成的放熱構件，此放熱構件係經由配線部來與第2 電極連接。 如此一來，可使放熱性提升。 又，如本發明的第2 1例所示般，密封半導體晶片的熱 可塑性樹脂亦可不含塡充物。 如此一來，在加壓•加熱工程中，可降低對於半導體 晶片的應力。因此，可使半導體晶片的可靠度提升。 【實施方式】 本發明的主要特徵是在於形成半導體晶片內藏配線基 板時，經由：1 )使設有柱形凸塊的半導體晶片（裸狀態 的1C晶片）隔著由熱可塑性樹脂所構成的第2薄膜來覆晶 安裝於設有焊墊之由第1薄膜所構成基板、及2)安裝後， 以爲人所知的PALAP之一起層疊法來形成配線基板時，使 內層安裝有半導體晶片的基板等2個的步驟，且該等2個步 驟之柱形凸塊與焊墊的連接狀態。 因此，配線基板的基本構成或製造方法，若無特別限 制，則可適當採用本案申請人至今申請有關PALAP的構成 。另外，PALAP是Denso Corporation的註冊商標。 (第1實施形態） 以下，根據圖來說明本發明的實施形態。另外，將絕 緣基材20的厚度方向（換言之，複數片的樹脂薄膜的層疊 方向）簡稱爲厚度方向，將與該厚度方向垂直的方向簡稱 -18- 201138023 爲垂直方向。並且，只要無特別預告，就所謂厚度是表示 沿著厚度方向的厚度。 圖1所示的半導體晶片內藏配線基板10 (以下簡稱配 線基板1 〇 )是具備絕緣基材20、設於絕緣基材20的導體圖 案3 0及層間連接部4 0、及埋設於亦即內藏於絕緣基材2 0內 部的半導體晶片5 0，作爲內藏半導體晶片的配線基板的基 本構成要素。而且，圖1所示的配線基板1 〇是除了上述的 基本構成要素以外，還具備放熱構件60。由於半導體晶片 內藏配線基板1 〇是具備如此的構成要素者，因此亦可簡稱 半導體裝置。 絕緣基材2 0是由電氣絕緣材料所構成，實現作爲將此 絕緣基材20以外的構成要素，在圖1所示的例子是導體圖 案30、層間連接部40、半導體晶片50、及放熱構件60保持 於所定位置之基材的功能，且實現作爲將半導體晶片50保 持於其內部而保護之功能。 此絕緣基材20主要是含樹脂，且此樹脂至少包含熱可 塑性樹脂，層疊包含熱可塑性樹脂薄膜的複數片樹脂薄膜 ，藉由加壓•加熱來接著•一體化。含熱可塑性樹脂的理 由是因爲在後述的加壓•加熱工程中一起形成絕緣基材2 0 時，耐高溫，可將軟化後的熱可塑性樹脂作爲接著材料及 密封材料利用。 因此，複數片的樹脂薄膜是在層疊狀態下以至少每隔 1片放置的方式含熱可塑性樹脂薄膜即可。例如亦可爲只 含熱可塑性樹脂薄膜的構成，或含熱可塑性樹脂薄膜的同 -19· 201138023 時含熱硬化性樹脂薄膜的構成。 熱可塑性樹脂薄膜可採用含熱可塑性樹脂的同時含玻 璃纖維、聚芳醯胺纖維等的無機材料的薄膜、及由不含無 機材料的熱可塑性樹脂所構成的薄膜的至少一方。同樣， 熱硬化性樹脂薄膜可採用含熱硬化性樹脂的同時含上述無 機材料的薄膜、及由不含無機材料的熱硬化性樹脂所構成 的薄膜的至少一方。 如圖1所示，本實施形態的絕緣基材2 0是在厚度方向 ’從一面2 0 a側起’依熱硬化性樹脂薄膜2 ! a、熱可塑性樹 脂薄膜2 2 a、熱硬化性樹脂薄膜2 1 b、熱可塑性樹脂薄膜 22b、熱硬化性樹脂薄膜21c、熱可塑性樹脂薄膜22c、熱 硬化性樹脂薄膜2 1 d、熱可塑性樹脂薄膜2 2 d的順序層疊合 計8片的樹脂薄膜。亦即，交替層疊熱可塑性樹脂薄膜及 熱硬化性樹脂薄膜，而構成絕緣基材20。 並且’熱硬化性樹脂薄膜21a〜21d是採用不含玻璃纖 維等的無機材料，由熱硬化性聚醯亞胺（PI)所構成的薄 膜。另一方面，熱可塑性樹脂薄膜22a〜22d是採用不含玻 璃纖維等的無機材料或用以調整線膨脹係數等的無機塡充 物’由聚醚醚酮（PEEK) 30重量％及聚醚醯亞胺（PEI) 70重量％所構成的樹脂薄膜。 上述的樹脂薄膜中，熱硬化性樹脂薄膜2 lb是相當於 被安裝有半導體晶片50的基板（第1薄膜），熱可塑性樹 脂薄膜22b是相當於密封半導體晶片50與作爲基板的熱硬 化性樹脂薄膜21b之間的第2薄膜。 -20- 201138023 導體圖案30是使導體箔圖案化者，作爲電性連接半導 體晶片5 0與外部的配線部使用。而且，不僅電性的配線部 ，亦可作爲將構成於半導體晶片5 0的元件的動作所產生的 熱予以放熱至外部的放熱配線部使用。 另一方面，層間連接部4〇是在樹脂薄膜中沿著厚度方 向設置的導通孔（貫通孔）充塡導電性膏，藉由加壓•加 熱來燒結此導電性膏中的導電性粒子而成者。此層間連接 部4 0是相當於申請專利範圍所記載的燒結體。層間連接部 40亦作爲與導體圖案30—起電性連接半導體晶片50與外部 的配線部使用。又，亦可作爲上述放熱配線部使用。 在本實施形態是構成有藉由導體圖案3 0及層間連接部 40來電性連接半導體晶片50的電極51a ( AuAl合金層521) ，51b及外部連接用電極35之配線部。又，構成有藉由與 構成上述配線部的導體圖案30及層間連接部40不同的導體 圖案30及層間連接部40來熱性連接半導體晶片50的虛擬電 極5 lc及放熱構件60之放熱配線部。另外，電極51a是相當 於申請專利範圍所記載的第1電極，電極5 1 b，5 1 c是相當 於申請專利範圍所記載的第2電極。並且，電極5 1 a會在往 後詳細説明，加壓•加熱工程前是設在半導體晶片50之A1 系材料所構成的電極。然而，加壓•加熱工程後，在電極 5 1 a之與連接部52對向的部位的厚度方向，構成電極51a的 全部A1會被AuAl合金化，而形成以Au4A1合金爲主的AuAl 合金層521 (參照圖7 )。亦即，在連接部52的正下面是形 成AuAl合金層521。換言之，藉由半導體晶片50及連接部 -21 - 201138023 52所夾持的部位是形成構成電極51a之不含未被合金化的 A1金屬本身的AuAl合金層521。另外，至少藉由半導體晶 片50及連接部52所夾持的部位，亦即電極51a之與連接部 52對向的部位的厚度方向全部爲AuAl合金層521即可。但 ，如圖7所示，例如以由SiN等所構成的絕緣膜53覆蓋的部 位是剩下構成電極51a的A1。 具體而言，配線部是導體圖案30使銅（Cu)箔圖案化 而成。而且，導體圖案3 0包含對應於半導體晶片50的電極 51a的焊墊31、對應於同電極51b的焊墊32對應於同虛擬電 極5 1c的焊墊33、延伸於垂直方向的橫配線部34。而且， 供與外部機器連接的外部連接用電極35亦作爲導體圖案30 的一部分。 而且，各焊墊3 1〜3 3是以配合半導體晶片5 0所對應的 電極5 1的間距之間距來設置。雖未圖示，但實際在本實施 形態是電極5 1 a會以1邊1 0個來配置成一列的矩形環狀，對 應於電極51a的焊墊31也是複數的焊墊31會對應於電極51a 的配置來如圖4所示般設成矩形環狀。而且，各焊墊31是 如圖1所示般，藉由設於同一層的橫配線部3 4來拉出（再 配線）至矩形環狀的環的外側或內側（在圖1是顯示外側 )，而與層間連接部40連接。另外，在圖4中爲了方便起 見省略圖示橫配線部3 4 » 並且，在本實施形態中，層間連接部40是由Ag-Sn合 金所構成。而且，層間連接部4〇包含構成配線部之中的縱 配線部的層間連接部4 1、及用以熱性連接虛擬電極5 1 c與 -22- 201138023 放熱構件6 0的層間連接部4 2。 然後，含層間連接部41、橫配線部34及焊墊31 ’ 32來 構成配線部。並且、含層間連接部42及焊墊3 3來構成放熱 配線部。 在由Cu所構成的導體圖案30與由Ag-Sn合金所構成的 層間連接部4〇的界面形成有Cu與Sn會互相擴散而成的金屬 擴散層（Cu-Sn合金層），藉此，導體圖案30與層間連接 部40的連接可靠度會提升。 並且，在焊墊31與連接部52的界面形成有Cu與Au互相 擴散而成的金屬擴散層之CuAu合金層522 (較理想是含 CuAu3合金層）（參照圖7)，藉此焊墊31與連接部52的連 接可靠度會被提升，該焊墊31是由Cu所構成作爲導體圖案 30，該連接部52是設於半導體晶片50的電極51a上由金（ Au )所構成作爲電性連接半導體晶片50與外部的配線部使 用。 並且，本實施形態是在成爲絕緣基材20的一面20a側 表層的熱硬化性樹脂薄膜2 1 a的內面形成有外部連接用電 極35作爲導體圖案30 » 半導體晶片50是在矽等的半導體基板集聚有電晶體、 二極體、電阻、電容器等的元件，構成電路（大規模積體 電路）的1C晶片（裸晶片）。在此半導體晶片50的表面形 成有與外部連接用的電極51，此電極51至少包含連接上述 配線部的電極。並且，半導體晶片50是藉由上述的絕緣基 材2 0來密封。 -23- 201138023 在本實施形態中’如圖1所示般’形成有與上述電路 電性連接的AuAl合金層521，電極5lb、及未與上述電路連 接，不提供電性的連接機能之虛擬電極51c。 在半導體晶片50的一面側是藉由半導體晶片50的電極 51a的A1與構成連接部52的Au的固相擴散來形成複數AuAl 合金層521，其係由Au-Al合金（主要是Au4A1合金）所構 成，不以金屬單體含鋁（A1 )者。亦即，此AuAl合金層 521是加壓•加熱工程前的半導體晶片50的電極51a會被合 金化，相當於加壓•加熱工程後的半導體晶片50的電極（ 第1電極）。因此，在此AuAl合金層521是分別連接有由 Au所構成的連接部52。AuAl合金層521是至後述的加壓· 加熱工程之前不含Au，由A1系材料所構成的電極51a，藉 由在加壓•加熱工程對A1之Au的固相擴散，所有的A1會與 Au化合而成爲不以金屬單體含A1的構成。另外，構成連接 部52 (加壓•加熱工程前的柱形凸塊52a )的元素（在此 是Au )是採用熔點比熱可塑性樹脂的熔點更高者。 在連接部52下的接合面（界面），若在AuAl合金層 52 1中A1以單體殘留（亦即，在此半導體晶片50與柱形凸 塊52a(連接部52)的界面，若電極51a的A1以單體殘留） ，則在高溫的使用環境中，連接部52的Au會固相擴散於電 極51a的A1 ’生成Au5A12。此Au5A12的成長速度相較於 AqAl非常快，因此，Au的擴散趕不上Au5A12的生成，在 半導體晶片50與接合部52之間（例如Au5A12與Au4A1之間 )產生科肯達爾孔洞（圖1 2的空孔B 1 )。並且，以科肯達 -24- 201138023 爾孔洞作爲起點產生裂縫。 相對的，在本實施形態中，AuAl合金層521是不以金 屬單體含A1，主要含Au-Al合金的最終生成物之Au4A1合金 。因此，即使在高溫的使用環境中，還是可抑制科肯達爾 孔洞的產生，進而抑制裂縫的產生。因此，藉由本發明的 製造方法所製造的導體晶片內藏配線基板1 〇適於配置在車 輛的引擎室（Engine Room )等，使用環境成高溫的電子 裝置等。 並且，電極5 1 a ( A u A1合金層5 2 1 )間的間距（間隔） 是成爲比形成於半導體晶片50的相反側的面的電極（51b ，5 1 c )的間距更窄。具體而言，形成數十μ m間距（例如 60μηι間距）。 另一方面，在與半導體晶片50的電極51a形成面相反 側的面分別形成有由Ni系材料所構成的電極5 1 b及虛擬電 極51c。在該等電極51b，51c分別連接層間連接部41，42 ，作爲與所對應的焊墊32，33的連接部。在由Ni所構成的 電極5lb’ 51c與由Ag-Sn合金所構成的層間連接部41，42 的界面形成有Sn與Ni互相擴散而成的金屬擴散層（Ni-Sn 合金層），藉此，導體圖案30與層間連接部40的連接可靠 度會被提升。另外，電極5 1 b，5 1 c是以例如百μηι單位的間 距來形成。另外，構成與電極5 1 b，5 1 c電性連接的層間連 接部41，42的至少一個元素（在此是Sn)是熔點比熱可塑 性樹脂的玻璃轉移點（換言之，熱可塑性樹脂軟化的軟化 點）更低。亦即，電極5 1 b，5 1 c與層間連接部4 1，4 2是在 -25- 201138023 後述的加壓·加熱工程中液相擴散而形成金屬擴散層。 如此，半導體晶片50是在兩面具有提供電性的連接機 能之電極5 I a，5 1 b的同時，亦具有不提供電性的連接機能 之虛擬電極51c。之所以在兩面具有電極51a，51b是爲了 包含作爲元件之電流流動於厚度方向的元件，例如縱型的 MOSFET或IGBT、電阻等。 放熱構件60是由Cu等的金屬材料所構成，用以將構成 於半導體晶片50的元件的動作所產生的熱予以放熱至外部 者。作爲如此的放熱構件60可採用所謂散熱器、散熱片等 〇 在本實施形態是採用由Cu所構成，具有與絕緣基材20 的一面20b大略一致的的大小及形狀之平板狀的放熱構件 60。而且，在此放熱構件60緊貼熱可塑性樹脂薄膜22d下 ，放熱構件60被固定於絕緣基材20的一面20b。 並且，在放熱構件60連接形成於熱可塑性樹脂薄膜 22d的層間連接部42的一端。本實施形態是在由Cu所構成 的放熱構件60與由Ag-S η合金所構成的層間連接部42的界 面形成有Cu與Sn會互相擴散而成的金屬擴散層（Cu-Sn合 金層），藉此，層間連接部42 (放熱配線部）與放熱構件 60的連接可靠度會被提升。 本實施形態是形成在半導體晶片5〇所產生的熱會從虛 擬電極5 1 c經由層間連接部4 2及焊墊3 3所構成的放熱配線 部來傳達至放熱構件6 0的構成。因此，放熱性會被提升。 並且，在絕緣基材20的一面20a側，從一面20a側以外 -26- 201138023 部連接用電極35作爲底面形成的孔內配置有電鍍膜等的導 電構件，在此導電構件上形成有焊錫球70。 如此，在本實施形態中，半導體晶片50是在兩面具有 提供電性的連接機能之電極5 1 a，5 1 b，在絕緣基材2 0的一 面20b側設置放熱構件60，且只在絕緣基材20的一面20a側 設置外部連接用電極35。亦即，半導體晶片50是兩面電極 構造，但配線基板1 〇是形成單面電極構造。 其次，說明有關上述配線基板（半導體裝置）10的製 造方法。另外，表示導電性膏的符號40a之後的括弧內是 記載所對應的層間連接部的符號。 首先，爲了加壓·加熱層疊體來形成配線基板1 0，而 準備構成層疊體的要素。分別準備安裝有半導體晶片50的 基板（以下稱爲半導體單元80) '及被層疊於該半導體單 元80的複數片的樹脂薄膜。 在本實施形態中，如上述般，熱硬化性樹脂薄膜2 1 a 〜2 1 d爲採用不含玻璃纖維等的無機材料，由熱硬化性聚 醯亞胺（PI )所構成的薄膜。在本實施形態中，其一例是 將全部的樹脂薄膜21 a〜2 Id的厚度設爲相同（例如50μιη ) 〇 另一方面，熱可塑性樹脂薄膜22 a〜22d爲採用不含玻 璃纖維等的無機材料或用以調整線膨脹係數等的無機塡充 物，由聚醚醚酮（PEEK ) 30重量％及聚醚醯亞胺（PEI ) 70重量％所構成的樹脂薄膜。在本實施形態中，其一例是 將樹脂薄膜22a，22c，22d設爲同一厚度（例如80μηι )， -27- 201138023 將作爲第2薄膜的熱可塑性樹脂薄膜22b設爲比上述樹脂薄 膜22a，22c，22d更薄的厚度（例如50μη〇 。 此準備工程是如爲人所知的PALAP之一起層疊法那樣 ，在一起層疊前，對於構成絕緣基材20的樹脂薄膜形成導 體圖案30，或藉由燒結來將成爲層間連接部40的導電性膏 40a充塡於導通孔。導體圖案30或被充塡導電性膏40 a的導 通孔的配置是按照上述的配線部或放熱配線部來適當決定 〇 導體圖案30是可藉由使貼附於樹脂薄膜的表面之導體 箔圖案化所形成。作爲構成絕緣基材20的複數片的樹脂薄 膜是只要包含具有導體圖案3 0的樹脂薄膜即可，例如可採 用全部的樹脂薄膜爲具有導體圖案3 0的構成，或一部分的 樹脂薄膜不具有導體圖案3〇的構成。又，作爲具有導體圖 案3 0的樹脂薄膜，可採用僅單面具有導體圖案30的樹脂薄 膜或在層题方向的兩面具有導體圖案3 0的樹脂薄膜。 另一方面，導電性膏40a爲了對導電性粒子賦予堅固 性而添加基纖維素樹脂或丙烯樹脂等，可在加上松油醇（ Terpineol )等有機溶劑的狀態下混合取得。然後，藉由 C02雷射等來形成貫通樹脂薄膜的導通孔，藉由網版印刷 等來將導電性舒40a充塡於導通孔內。導通孔是可以上述 導體圖案30作爲底面來形成，或在無導體圖案30的位置形 成導通孔。 在導體圖案30上形成導通孔時，由於導體圖案30成爲 底，所以可在導通孔內留下導電性膏40a。另一方面，不 -28- 201138023 具有導體圖案30的樹脂薄膜，或雖具有導體圖案30，卻在 與導體圖案30的形成位置不同的位置形成導通孔時，爲了 在沒有底的導通孔內留下導電性膏4〇a，而使用記載於本 案申請人的日本特願2008-296074號的導電性膏40a。並且 ’作爲充塡此導電性膏40a的裝置（方法），可採用記載 於本案申請人的日本特願2009-75034號的裝置（方法）。 此導電性膏4〇a對於導電性粒子，是在比導電性粒子 的燒結溫度更低的溫度分解或揮發，且在比該溫度更低， 比室溫更高的溫度下成爲溶融狀態，室溫下成爲固體狀態 的低熔點室溫固體樹脂會被添加。低熔點室溫固體樹脂例 如有石蠟。藉此，在充塡時加溫下，低熔點室溫固體樹脂 會溶融而成爲膏狀，在充塡後的冷卻中，低熔點室溫固體 樹脂固化下導電性膏40a也凝固，可保持於導通孔內。另 外，在充塡時，只要以平坦的構件來阻塞導通孔的一端即 可。 首先，說明準備被層疊於半導體單元80的6片的樹脂 薄膜21a， 21c， 21d > 22a， 22c， 22d之工程 ° 本實施形態是如圖2所示般，準備6片的樹脂薄膜2 1 a ，21c，21d，22a，22c，22d之中僅熱硬化性樹脂薄膜21a ，2 1 c，2 1 d在單面貼附有銅箔（例如厚度1 8μπι )的薄膜’ 使銅箔圖案化來分別形成導體圖案30»另外，有關構成半 導體單元80的剩下2片的樹脂薄膜21b’ 22b也準備僅熱硬 化性樹脂薄膜21b在單面貼附有銅箔（同樣厚度1 8μπι )的 薄膜，使此銅箔圖案化來形成導體圖案3〇° -29- 201138023 亦即，熱硬化性樹脂薄膜2 1 a〜2 1 d是在單面具有導體 圖案30的構成，熱可塑性樹脂薄膜22a〜22d是不具有導體 圖案30的構成。 並且，在6片的樹脂薄膜21a’ 21c’ 21d’ 22a’ 22c， 22d之中，於單面（在層疊狀態下內面）具有外部連接用 電極35作爲導體圖案30，且在構成絕緣基材20的一面20a 側的表層之除了熱硬化性樹脂薄膜2 1 a的5片樹脂薄膜2 1 c ，21d，22a，22c，22d分別形成導通孔（符號省略），在 該導通孔內充塡導電性膏40a。而且充塡後，在乾燥工程 使溶劑揮發。 由於本實施形態是只在熱硬化性樹脂薄膜21a，21c， 21d形成導體圖案30，因此有關未形成導體圖案30的熱可 塑性樹脂薄膜22a，22c，22d是使用以所定的比率來含Ag 粒子及S η粒子作爲導電性粒子，且如上述般，被添加石蠟 等的低熔點室溫固體樹脂之導電性膏40a。 有關熱硬化性樹脂薄膜2 1 a，2 1 c，2 1 d可使用與熱可 塑性樹脂薄膜22a，22c，22d相同的導電性膏40a，或採用 以所定的比率來含Ag粒子及Sn粒子作爲導電性粒子，不含 低熔點室溫固體樹脂的導電性膏40a。 而且，在此準備工程中，爲了層疊體具有收容半導體 晶片50的空洞，而於複數片的樹脂薄膜的一部分預先形成 空洞部。本實施形態是在熱硬化性樹脂薄膜2 1 c形成用以 收容半導體晶片50的空洞部23。因此，具有空洞部23的熱 硬化性樹脂薄膜2 1 c是呈矩形框狀。 -30- 201138023 空洞部23可藉由打孔機或鑽孔機等的機械性加工、雷 射光的照射來形成，對於半導體晶片50的體格，以所定的 界限來形成。空洞部23的形成時機是可在導體圖案3〇及層 間連接部40.的形成前或形成後。 並且，與上述樹脂薄膜21a，21c，21d，22a，22c， 22d的準備工程並行實施半導體單元80的形成工程（前工 程）。 首先’準備一至少包含第1薄膜，構成用以安裝半導 體晶片50的基板之樹脂薄膜、及密封基板與半導體晶片5〇 之間的第2薄膜。 本實施形態是如圖3 ( a )所示般，準備一作爲形成基 板的第1薄膜的熱硬化性樹脂薄膜2 1 b及作爲第2薄膜的熱 可塑性樹脂薄膜22b。有關熱硬化性樹脂薄膜2 1 b是準備一 在單面貼附有銅箱者，使此銅箱圖案化來形成導體圖案30 。此時，焊墊31也被形成，作爲導體圖案30。 其次’在加熱•加壓下，使熱可塑性樹脂薄膜22b以 能夠覆蓋焊墊3 1的方式來貼附於基板的焊墊形成面。 本實施形態是如圖3 ( b )及圖4所示般，使熱可塑性 樹脂薄膜22b以能夠覆蓋焊墊3 1的方式在作爲基板的熱硬 化性樹脂薄膜21b的焊墊形成面熱壓接。另外，在圖4中以 二點虛線所示的區域是表示半導體晶片50的搭載區域24。 具體而言，以熱可塑性樹脂薄膜22b的溫度能夠成爲 構成該薄膜2 2b的熱可塑性樹脂的玻璃轉移點以上，熔點 以下的方式’一面加熱，一面加壓於熱硬化性樹脂薄膜 -31 - 201138023 2 lb側，而使軟化後的熱可塑性樹脂緊貼於熱硬化性樹脂 薄膜21b的平地形成面及導體圖案30的表面。 在將熱可塑性樹脂薄膜2 2b熱壓接於熱硬化性樹脂薄 膜21b後，在樹脂薄膜21b，22b以導體圖案30作爲底面來 形成導通孔，且對於導通孔，如圖3(b)所示般充塡導電 性膏40a。在此皆是以導體圖案30作爲底面，因此導電性 裔40a可採用不含低熔點室溫固體樹脂的導電性膏，或含 低熔點室溫固體樹脂的導電性讶。 其次，將另外準備的半導體晶片50予以覆晶安裝於基 板。 在半導體晶片50是在對於基板的搭載面的電極51 a上 形成有柱形凸塊52a »本實施形態是在由A1系材料所構成 的電極5 1 a上以例如使用金屬線的周知方法來形成由Au所 構成的柱形凸塊52a (鉚釘狀的凸塊）。另外，在此階段 是如圖8所示般，在半導體晶片50與柱形凸塊52a之間殘留 有電極5 1 a的A1。 然後，如圖3 ( c )所示，例如藉由脈衝加熱（p u 1 s e Heat )方式的熱壓接工具100來將此半導體晶片50予以一 面從基板搭載面的背面側加熱一面朝基板加壓。此時，以 構成熱可塑性樹脂薄膜22b的熱可塑性樹脂的熔點（peek :PEI = 3 0 : 70，3 3 0°C )以上的溫度來一面加熱，一面加 壓於熱硬化性樹脂薄膜2 1 b側。 來自熱壓接工具1〇〇的熱會傳至半導體晶片50,—旦 柱形凸塊52a的前端溫度成爲構成熱可塑性樹脂薄膜22b的 -32- 201138023 熱可塑性樹脂的熔點以上，則柱形凸塊52 a接觸的熱可塑 性樹脂薄膜2 2 b的部分會溶融。因此’可~邊使熱可塑性 樹脂薄膜22b溶融，一邊將柱形凸塊52a推進熱可塑性樹脂 薄膜2 2b，而使接觸於所對應的焊墊31。藉此，如圖3 (d )所示，可使柱形凸塊5 2 a與焊墊3 1成爲壓接狀態。另外 ，在此階段是如圖9所示般，在半導體晶片50與柱形凸塊 5 2a之間殘留有電極51a的A1。 並且，溶融•軟化後的熱可塑性樹脂是接受壓力而流 動，緊貼於半導體晶片50的基板搭載面、熱硬化性樹脂薄 膜2 1 b的焊墊形成面、導體圖案3 0、電極5 1 a及柱形凸塊 52a。因此，如圖3 ( d )所示般，可藉由熱可塑性樹脂薄 膜22b來密封半導體晶片50與熱硬化性樹脂薄膜21b (基板 )之間。如此一來，形成半導體單元8〇。 本實施形態是將覆晶安裝時的加熱溫度設成比熔點更 若干高的3 50°C程度，施加加諸於1個柱形凸塊52a的荷重 會形成2 0〜5 0 g f程度的壓力。藉此，可在短時間使柱形凸 塊52a與焊墊31成爲壓接狀態。 另外，若在成爲壓接狀態後也繼續加熱•加壓，則構 成柱形凸塊52a的Au與構成焊墊31的Cu會互相擴散（固相 擴散），形成金屬擴散層（Cu-Au合金層）。並且，構成 柱形凸塊52a的Au對於電極51a中所含的A1會固相擴散，形 成金屬擴散層（Au-Al合金層）。然而，爲了形成如此的 金屬擴散層，加熱•加壓時間需要比上述形成壓接狀態更 長時間。一旦將1個的半導體晶片50安裝於基板需要長時 -33- 201138023 間，則結果內藏半導體晶片5 0的配線基板1 〇的形成時間會 變長，製造成本也會增加。並且’其間’電極5 1 a、柱形 凸塊52a、焊墊31的電性連接部以外的地方也會被施加不 必要的熱。因此，在此安裝工程中，使柱形凸塊52a與焊 墊3 1的連接狀態停在壓接狀態。 又，本實施形態是顯示將熱可塑性樹脂薄膜22b貼附 於熱硬化性樹脂薄膜2 1 b之後，形成導通孔，充塡導電性 裔40a的例子。然而，亦可在貼附前的狀態下，於各樹脂 薄膜21b，22b形成導通孔，充塡導電性膏40a。 有關導電性40a是在基板覆晶安裝時的加熱•加壓 或貼附熱可塑性樹脂薄膜22b之前形成半導體晶片50時， 可藉由貼附時的加壓•加熱來燒結導電性粒子而形成層間 連接部40 (41)，或不被燒結在半導體單元8 0形成的時間 點導電性订40a原封不動。又，亦可爲一部分被燒結的狀 態。本實施形態是在覆晶安裝後的狀態下作爲導電性膏 4 0 a 0 其次、實施形成層疊體的層疊工程。此工程是使包含 表面形成有導體圖案30的樹脂薄膜及導通孔內充塡有導電 性膏40a的樹脂薄膜之複數片的樹脂薄膜層疊成熱可塑性 樹脂薄膜會至少每隔1片位置，且與半導體晶片50的電極 形成面及該電極形成面的背面鄰接。 本實施形態是如圖5所示般，以能夠從層疊方向的一 端側來形成熱硬化性樹脂薄膜2 1 a、熱可塑性樹脂薄膜22a 、熱硬化性樹脂薄膜2 1 b、熱可塑性樹脂薄膜22b、熱硬化 -34- 201138023 性樹脂薄膜2 1 c、熱可塑性樹脂薄膜22c、熱硬化性樹脂薄 膜21d、熱可塑性樹脂薄膜22d的順序之方式，層疊複數片 的樹脂薄膜21a，21c，21d，22a，22c，22d及半導體單元 8 0。如此，本實施形態是以能夠交替位置熱可塑性樹脂薄 膜22a〜22d及熱硬化性樹脂薄膜21a〜21d的方式層疊。 而且，在熱可塑性樹脂薄膜22d上層疊放熱構件60。 另外，在圖5中方便起見使構成層疊體的要素離間圖示。 詳細是在熱硬化性樹脂薄膜2 1 a的導體圖案形成面上 層疊熱可塑性樹脂薄膜22a，在熱可塑性樹脂薄膜22a上’ 以熱硬化性樹脂薄膜21b作爲搭載面來層疊半導體單元80 。在半導體單元80的熱可塑性樹脂薄膜22b上，半導體晶 片5 0的周圍是以和導體圖案形成面相反側的面作爲搭載面 來層疊熱硬化性樹脂薄膜2 1 c。並且，在熱硬化性樹脂薄 膜21c及半導體晶片50上層疊熱可塑性樹脂薄膜22c，在熱 可塑性樹脂薄膜22c上以導體圖案形成面作爲搭載面來層 疊熱硬化性樹脂薄膜2 1 d。而且，在熱硬化性樹脂薄膜2 1 d 上層疊熱可塑性樹脂薄膜22d，更層疊放熱構件60，而形 成1個的層疊體。 此層疊體是在層疊方向，與半導體晶片50鄰接的樹脂 薄膜會成爲熱可塑性樹脂薄膜22b，22c。至少該等樹脂薄 膜22b，22c是在加壓•加熱工程中，實現密封半導體晶片 5 0的周圍之機能。在本實施形態中，由於在垂直方向包圍 半導體晶片5 0的樹脂薄膜爲熱硬化性樹脂薄膜2 1 c，所以 上述2片的樹脂薄膜22b，22 〇會達成密封半導體晶片50的 -35- 201138023 周圍之機能。 如此密封半導體晶片50的熱可塑性樹脂薄膜22b，22c 較理想是採用在熱可塑性樹脂薄膜中不僅未含玻璃纖維或 聚芳醯胺纖維等的無機材料，連用以調整線膨脹係數或熔 點的無機塡充物（塡充物）也未含者。如此一來，在加壓 •加熱工程中，可抑制在半導體晶片50局部地加諸應力。 然而，若採用連用以調整線膨脹係數或熔點的無機塡 充物也未含的熱可塑性樹脂薄膜22b，22c，則沒有無機塡 充物的部分，可想像與半導體晶片50的線膨脹係數差會變 大，伴隨於此的應力會增加。因此，爲了降低應力，熱可 塑性樹脂薄膜22b，22c可採用彈性率低（例如l〇GPa以下 )的樹脂薄膜。 又，密封半導體晶片50的熱可塑性樹脂薄膜22b，22c 較理想是採用厚度爲5μηι以上者。因爲若未滿5μπι，則在 加壓•加熱工程中，該等樹脂薄膜22b，22c的應力會變高 ，恐有從半導體晶片5 0的表面剝落之虞。 其次，實施加壓•加熱工程，其係利用真空熱沖壓機 ，從層疊方向上下一面加壓一面加熱層疊體。此工程是使 熱可塑性樹脂軟化來一起使複數片的樹脂薄膜一體化的同 時密封半導體晶片50，以導電性膏40a中的導電性粒子作 爲燒結體，形成具有該燒結體及導體圖案30的配線部。 加壓•加熱工程是一起使樹脂薄膜一體化而成爲絕緣 基材20的同時，爲了使導電性膏40a中的導電性粒子成爲 燒結體，而將構成樹脂薄膜的熱可塑性樹脂的玻璃轉移點 -36- 201138023 以上熔點以下的溫度 '及數MPa的壓力予以保持所定時間 。本實施形態是將280°C〜3 3 0°C的沖壓溫度、及4〜5MPa 的壓力予以保持5分鐘以上（例如1 0分鐘）。 首先，在加壓•加熱工程中，說明有關樹脂薄膜部分 的連接。 每隔1片配置的熱可塑性樹脂薄膜22a〜22d是藉由上 述加熱來軟化。此時，因爲接受壓力，所以軟化後的熱可 塑性樹脂薄膜22a〜22d會緊貼於鄰接的熱硬化性樹脂薄膜 21a〜21d。藉此，複數的樹脂薄膜21a〜21d，22a〜22d會 一起一體化，形成絕緣基材20。此時，在放熱構件60也緊 貼鄰接的熱可塑性樹脂薄膜22d，所以放熱構件60也對絕 緣基材20—體化。 並且，與半導體晶片50鄰接的熱可塑性樹脂薄膜22b ’ 22c是接受壓力而流動，緊貼於半導體晶片50的電極51a 形成面、及其背面的電極51b，51c形成面。而且，在半導 體晶片5 0的側面與熱硬化性樹脂薄膜2 1 c的間隙也進入， 塡埋該間隙的同時，緊貼於半導體晶片50的側面。因此， 藉由熱可塑性樹脂（熱可塑性樹脂薄膜22b，22c )來密封 半導體晶片5 0。 其次，說明有關在加壓·加熱工程中，半導體晶片50 的電極51、導體圖案30、層間連接部40的連接。 藉由上述加熱，導電性膏40a中的Sn (熔點232 °C)會 溶融’擴散於同導電性膏40a中的Ag粒子，而形成Ag-Sn合 金（熔點48 (TC )。又，由於在導電性膏40a被施加壓力， -37- 201138023 所以藉由燒結而一體化之合金所構成的層間連接部4〇 (41 ，42)會被形成於導通孔內。 溶融後的Sn是與構成導體圖案30 (焊墊31〜33 )的Cu 也互相擴散。藉此，在層間連接部40與導體圖案30的界面 形成有金屬擴散層（Cu-Sn合金層）。 溶融後的Sn是與構成半導體晶片50的電極51b，51c的 Ni也互相擴散》藉此，在層間連接部40與電極51b，51c的 界面形成有金屬擴散層（Ni-Sn合金層）。 並且，構成柱形凸塊52a的Au會固相擴散於半導體晶 片50的電極51a的A1。由於電極51a是細間距對應的電極， 所以電極51a的A1的量相較於構成柱形凸塊52a的Au的量少 ，構成電極51a的全部的A1會被消耗於與Au的合金化，在 加壓•加熱工程後，如上述般，成爲不以金屬單體含A1者 。並且，加壓•加熱後的電極51a (亦即，AuAl合金層521 )是主要形成含Au4A1合金者，作爲Au-Al合金。此AuAl合 金層521是例如圖10所示，由Au4A1及Au5A12所構成。 另外，在加壓•加熱工程中，即使在Au4A1合金生成 前，成長速度快的Au5A12被生成，也會因爲被施加壓力， 所以如圖1 0，圖1 1所示，可抑制上述的科肯達爾孔洞的生 成。另外，在圖10中是將電極51a的膜厚設爲1.0 μιη時的例 子。 相對於此，將在無加壓下製造的半導體晶片內藏配線 基板的AuAl合金層521部分的剖面像顯示於圖12，作爲比 較例。由圖12也可明確，在無加壓下製造半導體晶片內藏 -38- 201138023 配線基板時，形成有空孔B 1。 而且，構成柱形凸塊52a的Au與構成導體圖案30 (焊 墊3 1 )的Cu會互相擴散。藉此，如圖1 〇所示，來自柱形凸 塊的連接部52與焊墊31的界面形成有CuAu合金層5 22 ( CuAu3合金層）。Cu-Au合金是只要25 0°C程度以上的加熱 便可生成，若根據上述的加壓•加熱條件，則可形成 CuA\i3合金層。 並且，柱形凸塊52a是藉由被消耗於固相擴散接合的 Au的殘留，成爲電性連接由Au-Al合金所構成的AuAl合金 層521與由Cu所構成在界面具有CuAu3合金層的焊墊31之連 接部5 2。如此，在加壓•加熱工程中，將柱形凸塊5 2 a與 焊墊3 1的連接狀態設爲直接性的接合狀態。 另外，構成焊墊3 1的Cu是採用比連接部52 (柱形凸塊 52a )的Au更低彈性率材爲理想。如此一來，可使根據半 導體晶片50與絕緣基材20的熱膨脹率的差之熱應力集中於 由Cu所構成的焊墊3 1。藉此，如圖1 3所示，可使裂縫產生 於焊墊3 1，而來緩和被施加於半導體晶片50的熱應力。因 此，如圖14所示，可抑制裂縫產生於半導體晶片50，進而 能夠抑制半導體晶片50破壊。 以上，如圖6所示，可取得一種半導體晶片50會被內 藏於絕緣基材20，半導體晶片50會藉由熱可塑性樹脂來密 封，半導體晶片50與外部連接用電極35會藉由配線部來電 性連接，半導體晶片50與放熱構件60會藉由放熱配線部來 熱性地連接之基板。 -39- 201138023 然後，對於此基板，從絕緣基材20的一面20a側來形 成以外部連接用電極35作爲底面的孔，在孔內配置電鍍膜 等的導電構件之後，在導電構件上形成焊錫球70，藉此可 取得圖1所示的配線基板1 〇。 其次，說明有關上述實施形態所示的配線基板1 0及其 製造方法的特徵部分的效果。 本實施形態是在形成配線基板1 0時，以熱可塑性樹脂 薄膜22a〜22d能夠至少每隔1片位置，且與半導體晶片50 的電極51a形成面及該電極形成面的背面鄰接之方式層疊 複數片的樹脂薄膜21a〜21d，22a〜22d而成爲層疊體。 因此，可藉由加壓•加熱，以構成熱可塑性樹脂薄膜 22a〜22d的熱可塑性樹脂作爲接著材料來使複數片的樹脂 薄膜21a〜21d，22a〜22d —起一體化。並且，至少可藉由 與半導體晶片50鄰接的熱可塑性樹脂薄膜22b，22c來密封 半導體晶片50。而且，可藉由上述加壓•加熱，以導電性 膏40a中的導電性粒子作爲燒結體來與導體圖案30—起形 成配線部。因此，可使配線基板1 0的製造工程簡素化。 又，本實施形態是藉由此加壓•加熱工程，將構成焊 墊31的Cu及構成柱形凸塊52a的Au予以固相擴散，藉此形 成CuAu合金層522的同時，將電極51a的A1與構成柱形凸塊 52a的Au予以固相擴散，藉此不存在作爲金屬單體的A1， 形成由Au-Al合金所構成的AuAl合金層521。亦即，電極 51a是在與連接部52對向的部位的厚度方向成爲AuAl合金 層52 1。因此，即使在高溫的使用環境中，還是可抑制Au -40- 201138023 的擴散所造成科肯達爾孔洞的發生。甚至，可在同一工程 (加壓•加熱工程）形成AuAl合金層521及CuAu合金層522 的同時’在同一工程（加壓.加熱工程）密封AuAl合金層 52 1及CuAu合金層522，進而能夠使製造工程簡素化。 以上’若根據本發明，則可一面提升半導體晶片的連 接可靠度’一面使半導體晶片內藏配線基板的製造工程簡 素化，縮短製造時間。 並且’本實施形態是在柱形凸塊52 a與焊墊31的界面 具有CuAu合金層5 22的同時，在半導體晶片50與柱形凸塊 52 a之間的至少一部分具有AuAl合金層521，藉此可使被內 藏的半導體晶片的連接可靠度提升。 而且，在形成層疊體的層疊工程之前，在半導體晶片 5 〇與基板（熱硬化性樹脂薄膜2 1 b )之間配置熱可塑性樹 脂薄膜22b，以熱可塑性樹脂的熔點以上的溫度來一面加 熱一面加壓。因此，在將溫度提高至熱可塑性樹脂的熔點 以上的期間，可使熱可塑性樹脂具有流動性，藉由加壓來 使位於柱形凸塊52a與焊墊3 1之間的熱可塑性樹脂移動’ 使柱形凸塊52 a直接接觸於焊墊3 1 ’而可使柱形凸塊52a與 焊墊3 1成爲壓接狀態。 此時，溶融後的熱可塑性樹脂會接受壓力而流動’密 封半導體晶片50與基板（熱硬化性樹脂薄膜21b )之間’ 包含柱形凸塊5 2 a與焊墊3 1的連接部的周圍。因此’可確 保在各連接部間的電性絕緣性。並且’可提升連接部的連 接可靠度。 -41 - 201138023 並且，在柱形凸塊52a與焊墊3 1成爲壓接狀態的時間 點終了覆晶安裝工程（加熱•加壓），藉由在加壓•加熱 工程所接受的加壓·加熱，使柱形凸塊52a與焊墊3 1成爲 接合狀態。由於是在如此利用加壓·加熱工程的熱及壓力 下使柱形凸塊52a (連接部52 )與焊墊3 1成爲接合狀態， 所以相較於壓接狀態，可提升半導體晶片50的電極51 a與 焊墊3 1的電性連接可靠度。 而且，在覆晶安裝工程是先使柱形凸塊52a與焊墊31 成爲壓接狀態，在利用加壓•加熱工程的熱及壓力下，使 柱形凸塊52 a與焊墊31成爲接合狀態。因此，相較於在覆 晶安裝工程中，使柱形凸塊52a與焊墊31成爲接合狀態， 然後實施加壓•加熱工程的方法，可縮短製造時間。 另外，若在層疊工程之前不使柱形凸塊52a接觸於焊 墊3 1，在加壓•加熱工程，使柱形凸塊5 2 a接觸於焊墊3 1 ，且成爲接合狀態，則藉由軟化後的熱可塑性樹脂的緩衝 效果，柱形凸塊52a會不易被推進作爲第2薄膜的熱可塑性 樹脂薄膜22b。其結果可想像在柱形凸塊52a與焊墊31之間 殘留有熱可塑性樹脂。 對於此，本實施形態是在層疊工程之前，使柱形凸塊 52a與焊墊31成爲壓接狀態，因此可藉由加壓•加熱工程 的加壓•加熱來使柱形凸塊52a與焊墊31確實地成爲接合 狀態。 並且，本實施形態是只在熱硬化性樹脂薄膜2 1 a〜2 1 d 形成導體圖案30，在熱可塑性樹脂薄膜22a〜22d不形成導 •42- 201138023 體圖案3 0。因此，在加壓•加熱工程等，即使熱可塑性樹 脂軟化，接受壓力而流動，也會因爲導體圖案3 0是被固定 於熱硬化性樹脂薄膜21a〜2 Id，所以可抑制導體圖案30的 位置偏移。因此，適於內藏細間距對應的半導體晶片50的 配線基板1 〇。 可是，在兩面具有電極51的半導體晶片50中，一旦固 相擴散接合電極5 1，則在加壓•加熱工程的期間中，由於 固體會接觸於半導體晶片50，因此被施加於半導體晶片50 的壓力（沖壓）會變高。特別是將設於兩面的電極5 1予以 一起固相擴散接合，則被施加於半導體晶片5 0的壓力（沖 壓）會變更高。相對的，本實施形態是在半導體晶片50的 一面側，藉由Au的固相擴散來電性連接電極5 1 a與焊墊3 1 ，另一方面，在半導體晶片5 0的相反的面側，藉由溶融後 的Sn的液相擴散來電性連接電極51b ’ 51c與焊墊32 ’ 33。 因此，可在液相側緩衝被施加於半導體晶片5 0的壓力。因 此，雖將一方設爲使用柱形凸塊5 2 a的固相擴散來細間距 對應，但還是可降低在加壓·加熱工程被施加於半導體晶 片5 0的壓力，提升半導體晶片50的可靠度。 又，由於本實施形態是採用不含玻璃纖維等的無機材 料或無機塡充物的樹脂薄膜，作爲熱可塑性樹脂薄膜22b ，2 2 c，所以藉此亦可降低在加壓·加熱工程施加於半導 體晶片5〇的壓力。 (第2實施形態） -43- 201138023 第1實施形態是顯示在將半導體晶片50予以覆晶安裝 於作爲基板的熱硬化性樹脂薄膜21b時，將柱形凸塊52a推 進貼附於熱硬化性樹脂薄膜2 1 b的焊墊形成面上的熱可塑 性樹脂薄膜22b，而來確保與焊墊3 1的壓接狀態之例。 相對的，本實施形態的特徵是如圖1 5 ( a ) ， （ b )所 示般，在熱硬化性樹脂薄膜21b的焊墊形成面，以貫通孔 2 5能夠掩藏焊墊3 1的方式來貼附一在對應於焊墊3 1的位置 設有貫通孔25的熱可塑性樹脂薄膜22b。 圖15(a) ，（b)所示的例是按照每個焊墊31來設置 貫通孔25。藉此，在柱形凸塊52a與焊墊31的各連接部之 間，因爲位有熱可塑性樹脂薄膜22b，所以在覆晶安裝工 程中，軟化後的熱可塑性樹脂容易覆蓋連接部。亦即，雖 設置貫通孔2 5，但容易確保在各連接部間的電性絕緣性， 可容易提升連接部的連接可靠度。 另外，當半導體晶片50的電極5 1 a爲細間距時，焊墊 3 1也成爲細間距。因此，難以形成比焊墊3 1 (例如直徑 30 μηι )更小的貫通孔25。然而，與用以形成層間連接部40 的導通孔（貫通孔）不同，在貫通孔25未被充塡導電性膏 40a，且也不是規定電性連接半導體晶片50的電極51a與焊 墊31的連接部52的體格者。因此，有關貫通孔25是即使比 焊墊3 1大也可以，因此比起導通孔，貫通孔形成的自由度 高，可按照每個焊墊3 1來設置。 然後，以構成熱可塑性樹脂薄膜22b的熱可塑性樹脂 的玻璃轉移點（換言之，熱可塑性樹脂軟化的軟化點）以 -44- 201138023 上的溫度來一面加熱一面加壓’而將半導體晶片5〇予以覆 晶安裝於熱硬化性樹脂薄膜2 1 b。藉此，使半導體晶片50 的柱形凸塊52 a經由貫通孔25來壓接至所對應的焊墊31的 同時，以軟化後的熱可塑性樹脂來密封半導體晶片50與熱 硬化性樹脂薄膜21b之間。 利用如此的方法也可達成與第1實施形態所示的製造 方法同樣的效果。 又，若根據本實施形態所示的製造方法，則在形成柱 形凸塊52a與焊墊3 1的壓接狀態時，亦可不使熱可塑性樹 脂薄膜22b溶融。只要在構成熱可塑性樹脂薄膜22b的熱可 塑性樹脂的玻璃轉移點以上的溫度一面加熱一面加壓下， 以軟化後的熱可塑性樹脂來密封半導體晶片50與熱硬化性 樹脂薄膜21b之間即可。換言之，只要將半導體晶片50熱 壓接於熱可塑性樹脂薄膜22b即可。由於熱可塑性樹脂薄 膜22b是在覆晶安裝前預先設置貫通孔25，所以相較於第1 實施形態所示的方法，可容易形成壓接狀態。 因此，若熱量相同，則可以比第1實施形態所示的方 法更短的時間來形成柱形凸塊52a與焊墊3 1的壓接狀態及 藉由熱可塑性樹脂薄膜22b的密封構造。亦即，可更縮短 在覆晶安裝工程的加熱•加壓時間，進而縮短配線基板1 0 的製造時間。 並且，若加熱•加壓時間及加壓條件相同，則可以比 第1實施形態所示的方法更少的熱量來確保柱形凸塊52 a與 焊墊3 1的壓接狀態。 -45- 201138023 另外，貫通孔2 5是可在將熱可塑性樹脂薄膜2 2b貼附 於熱硬化性樹脂薄膜2 1 b之前形成’或在貼附之後形成。 本實施形態是在貼附之後，在熱可塑性樹脂薄膜22b之對 應於焊墊3 1的位置，藉由C02雷射等來形成貫通孔25。若 採用如此的方法，則可位置精度佳地形成貫通孔2 5。 另一方面，在貼附之前藉由雷射光的照射等來形成貫 通孔25時，在貼附熱可塑性樹脂薄膜22b時，可一面加熱 —面加壓與該樹脂薄膜22b之貫通孔25的形成位置不同的 位置來貼附。由於加熱·加壓與貫通孔25的形成位置不同 的位置來貼附，所以可防止貫通孔25的崩潰（閉塞）。因 此，在將半導體晶片50安裝於基板時，可在短時間使柱形 凸塊5 2 a與焊墊3 1成爲壓接狀態。 本實施形態是顯示按照每個焊墊3 1來設置貫通孔25的 例子，但亦可每複數的焊墊3 1設置1個貫通孔25。例如圖 16(a) ， （b)所示的例子，複數的焊墊31是1邊10個配 置成一列的矩形環狀，貫通孔25是各邊亦即對於10個的焊 墊31設置1個的貫通孔25。亦即，在垂直方向的其中一方 向形成長的貫通孔25。 藉此，相較於圖15 (a) ， （b)所示每1個的焊墊31 設置1個的貫通孔2 5的構成，可不依焊墊3 1間的間隔（間 距）來形成貫通孔25。亦即，貫通孔25的形成自由度高， 適於細間距。 以上，說明有關本發明的較佳實施形態，但本發明並 非限於上述的實施形態，亦可在不脫離本發明的主旨範圍 -46- 201138023 內實施各種的變形。 上述的實施形態中是採用在形成半導體單元80之後， 進行層疊工程及加壓•加熱工程的例子’但本發明並非限 於此。在層疊工程中，亦可在分離半導體晶片50、第1薄 膜（熱硬化性樹脂薄膜2 1 b )及第2薄膜（熱可塑性樹脂薄 膜2 2b )的狀態下層疊。亦即，亦可使半導體晶片50與第1 薄膜（熱硬化性樹脂薄膜2 1 b )隔著第2薄膜（熱可塑性樹 脂薄膜22b )來分離於柱形凸塊52a與焊墊31相向的方向之 狀態下層疊。亦即，在圖5所示的層疊工程中，亦可在配 置有半導體單元8 0的空間中，配置熱硬化性樹脂薄膜2 1 b 、熱可塑性樹脂薄膜2 2b、半導體晶片5 0 (從紙面下側依 序）配置。然後，在加壓•加熱工程是使熱可塑性樹脂薄 膜22b—邊溶融一邊推進柱形凸塊52 a，而藉由固相擴散接 合來接合焊墊31與柱形凸塊52a、及電極51 a與柱形凸塊 52a。如此一來，可省略形成半導體單元80的工程，進而 能夠縮短半導體晶片內藏配線基板的製造時間。 並且，構成絕緣基材20的複數片的樹脂薄膜的構成並 非限於上述例。樹脂薄膜的片數並非限於上述例（8片） 。只要可內藏半導體晶片50即可。 熱可塑性樹脂薄膜的構成材料亦非限於上述例。例如 ，即使是由PEEK/PEI所構成者也可採用與上述例不同比率 者。又，亦可採用PEEK/PEI以外的構成材料，例如液晶聚 合物（LCP )等。又，亦可採用FEP(四氟乙烯-六氟丙烯 共聚物）、PFA (四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物）、 -47- 201138023 pps (聚苯硫樹脂）等。 爲了抑制在加壓•加熱工程之往半導體晶片50的局部 性的應力施加，熱可塑性樹脂薄膜22a〜22d是顯示使用不 具無機材料或無機塡充物的薄膜之例，該無機材料是被使 用於玻璃纖維、聚芳醯胺纖維等的基材，該無機塡充物是 爲了熔點或線膨脹係數的調整而被添加者，但亦可採用含 該等的熱可塑性樹脂薄膜22a〜22d。然而，如上述般，有 關使用於密封半導體晶片50的熱可塑性樹脂薄膜（在本實 施形態是2片的熱可塑性樹脂薄膜22b，22c )，爲了抑制 往半導體晶片5〇之局部性的應力施加，較理想是使用不具 無機材料或無機塡充物的薄膜，該無機材料是被使用於玻 璃纖維、聚芳醯胺纖維等的基材，該無機塡充物是爲了熔 點或線膨脹係數的調整而被添加者。 熱硬化性樹脂薄膜的構成材料亦非限於上述例。例如 ，亦可採用包含被使用於玻璃纖維、聚芳醯胺纖維等的基 材的無機材料之薄膜。又’亦可採用熱硬化性聚醯亞胺以 外的熱硬化性樹脂。 又’複數片的樹脂薄膜亦可爲不含熱硬化性樹脂薄膜 ’只含熱可塑性樹脂薄膜的構成。又，亦可爲熱可塑性樹 脂薄膜的片數比熱硬化性樹脂薄膜多，在層疊狀態下一部 分熱可塑性樹脂薄膜連續的構成。 在本實施形態是顯示作爲第1薄膜的熱硬化性樹脂薄 膜21b的例子’作爲覆晶安裝有半導體晶片5〇的基板。然 而’亦可採用熱可塑性樹脂薄膜作爲第1薄膜。又，亦可 -48- 201138023 使用包含第1薄膜之複數片的樹脂薄膜來構成基板。 在本實施形態是顯示爲了提升放熱性，而於絕緣基材 2 0的一面2 0 b固定放熱構件6 0的例子。又，顯示爲了同樣 提升放熱性，而於半導體晶片50設置虛擬電極51c，且在 虛擬電極5 1 c連接放熱配線部（焊墊3 3及層間連接部42 ) 的例子。然而，亦可爲至少不具一方的構成。若爲放熱構 件6 0及放熱配線部之中只具有其中一方的構成，則雖比圖 1所示的構成差，但相較於皆不具的構成，可提升放熱性 〇 並且，將放熱構件60設於絕緣基材20的一面20b全面 ，但亦可爲在一面2 Ob的一部分固定放熱構件6 0的構成， 或在絕緣基材20的兩面20a，20b的兩面分別固定放熱構件 6 0的構成。 在本實施形態是顯示半導體晶片50會在兩面具有電極 51，且電極51爲包含作爲提供電性的連接機能的電極之 AuAl合金層521，電極5lb、及虛擬電極51c的例子。然而 ，亦可爲與放熱配線部同時不具虛擬電極51c的構成。又 ，半導體晶片50亦可爲只在一面具有電極51 ( AuAl合金層 521)的構成。電極51只要至少含設有柱形凸塊52a的電極 5 1 a即可。 例如半導體晶片50可在一面具有作爲電極的AuAl合金 層5 2 1，在相反側的面只具有虛擬電極5 1 c的構成即可。此 情況，如上述般，若將虛擬電極51c與焊墊33的電性連接 設爲液相擴散，則可抑制在加壓•加熱工程被施加於半導 -49- 201138023 體晶片50的壓力（沖壓）。 又，如圖1 7所示的變形例那樣’半導體晶片內藏配線 基板10a亦可爲半導體晶片50會在一面側具有電極51 ( AuAl合金層521) ’在相反側的面不具電極51的構成。此 情況，由於在未設置電極5 1的面是未連接配線部、放熱配 線部，因此要比在加壓•加熱工程中，藉由軟化的熱可塑 性樹脂薄膜22c，在兩面具有電極51的構成更可抑制施加 於半導體晶片50的壓力（沖壓）。 又，樹脂薄膜的厚度或導體圖案3 0的厚度亦非限於上 述例。但，有關在層疊方向，與半導體晶片50鄰接，密封 半導體晶片50的熱可塑性樹脂薄膜22b，22c是如上述般， 採用厚度5μπι以上者爲理想。 【圖式簡單說明】 圖1是表示藉由第1實施形態的製造方法所形成之半導 體晶片內藏配線基板的槪略構成的剖面圖。 圖2是表不圖1所不的半導體晶片內藏配線基板的製造 工程中，層疊於安裝有半導體晶片的基板之樹脂薄膜的準 備工程的剖面圖。 圖3(a)〜（d)是表示在圖1所示的半導體晶片內藏 配線基板的製造工程中，將半導體晶片予以覆晶安裝於基 板的工程的剖面圖。 圖4是表示在圖3所示的工程中，在基板的焊墊形成面 貼附第2薄膜的狀態的平面圖。 -50- 201138023 圖5是表示在圖1所示的半導體晶片內藏配線基板的製 造工程中，層疊工程的剖面圖。 圖6是表示在圖1所示的半導體晶片內藏配線基板的製 造工程中，加壓•加熱工程的剖面圖。 圖7是圖1所不的半導體晶片內藏配線基板之連接部的 擴大圖。 圖8是藉由第1實施形態的製造方法所形成的半導體晶 片內藏配線基板之柱形凸塊形成時的連接部的剖面像。 圖9是藉由第1實施形態的製造方法所形成的半導體晶 片內藏配線基板之半導體晶片內藏配線基板之半導體單元 的形成工程後的連接部的剖面像。 圖10是藉由第1實施形態的製造方法所形成的半導體 晶片內藏配線基板之加壓•加熱工程後的連接部的剖面像 〇 圖1 1是圖1 0的點線部分XI的擴大像。 圖12是藉由比較例的製造方法所形成的半導體晶片內 藏配線基板之加壓•加熱工程後的連接部的剖面像。 圖1 3是藉由第1實施形態的製造方法所形成的半導體 晶片內藏配線基板之加壓•加熱工程後的連接部的剖面像 〇 圖1 4是圖1 3的半導體晶片部分的擴大像。 圖15是表示在第2實施形態的製造工程中，將半導體 晶片予以覆晶安裝於基板的工程中，在基板的焊墊形成面 貼附第2薄膜的狀態圖，（a )是平面圖，（b )是沿著（£ -51 - 201138023 )的VIIB-VIIB線的剖面圖。 圖1 6是表示貼附第2薄膜的狀態的變形例圖，（a )是 平面圖，（b)是沿著（〇的VIIIB-VII1B線的剖面圖。 圖1 7是表示變形例的半導體晶片內藏配線基板的槪略 構成的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 0 :半導體晶片內藏配線基板 20 :絕緣基材 20a :—面 2 1 a〜2 1 d :熱硬化性樹脂薄膜 22a〜22d :熱可塑性樹脂薄膜 23 :空洞部 24 :搭載區域 25 :貫通孔 3 〇 :導體圖案 3 1〜3 2 :焊墊 3 4 :橫配線部 3 5 :外部連接用電極 40〜42 :層間連接部 40a :導電性膏 50 :半導體晶片 5 1 a、5 1 b :電極 51c:虛擬電極 -52- 201138023 5 2 :連接部 52a :柱形凸塊 5 3 :絕緣膜 6 0 :放熱構件 7 〇 :焊錫球 80 :半導體單元 521 : AuAl合金層 5 22: Cu Au合金層