TW201138009A - Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method - Google Patents

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201138009 • 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於載台裝置、曝光裝置、驅動方法及曝光方 法、以及元件製造方法。 本申請係基於2009年9月28曰提申之美國專利暫時申 請61/272,472號及2010年9月22日提申之美國申請12/ 887,915號主張優先權，將其内容援用於此。 【先前技術】 一直以來，於製造半導體元件（積體電路等）、液晶顯示 元件等電子元件（微型元件）之微影製程’主要係使用步進重 複（step & repeat)方式之投影曝光裝置（所謂之步進機）、或 步進掃描（step & scan)方式之投影曝光裝置（所謂之掃描步 進機（亦稱掃描機））等。 此種曝光裝置所使用之作為曝光對象之晶圓或玻璃板 件等基板，曰漸地（例如，晶圓是每1〇年）大型化。現在雖 以直徑30〇mm之300mm晶圓為主流，但使用直徑45〇mm 之45〇mm晶圓時代之到來已迫在眉睫。一旦採用450mm之 晶圓後，能從一片晶圓擷取之晶粒（晶片）數量將為現行 3〇〇麵晶圓之2倍以上，對成本之降低有貢獻。再者，就 能源、水及其他資源之有效利用而言’亦可減少、丄晶片所 需使用之所有資源，而被賦予高度之期待。 從一片晶圓擷 圓之曝光處理 另一方面，若晶圓之尺寸達到45〇mm， 取之晶粒（晶片）數量雖增多，但相對地一片晶 5 201138009 因此，作為極力抑制產 所需之時間亦增加而使產能降低 能降低之方法，係者吾始田 _ _ . 亏里抓用一種同時進行對一個晶圓載台 上之晶圓之曝光處理與在其他晶圓載台上之晶圓更換、對 準等處理之雙載台方式（參照例如專利文獻卜3等）。 [專利文獻] [專利文獻1 ]美國發明直妥丨@ 图赞明專利第6, 590, 634號說明書 [專利文獻2 ]美國發明直μ哲 ， 间货奶寻利第5, 969, 441號說明書 [專利文獻3 ]美國發明直4 f @ 间赞明專利第6, 208, 407號說明書 【發明内容】 之、而’如上述之習知技術中仍存在如下之問題。 由於45〇随之晶圓為大面積且薄，因此在晶圓載台上 更換時，係難以直接採用習4 π s ^ 秌用ι知之晶圓更換裝置進行更換， 且即使使用特殊之更拖 、、置/、更換亦需長時間，有即使係 雙載台方式之曝井奘菩女γ 虞。 裝置亦不—定能充分地使產能提升之 又’此問題並不限於健讲 於雙載台方式之曝光裝置，使用- 口載口之曝光裝置中亦同樣會產生。 本發明之態樣，θ Μ 士 Α , ^ /、目的在於提供能有助產能提升之載 口裝置、曝光裝置、驅動 動方去及曝光方法、以及元件製造方 法0 本發明一態樣之載 移動體’具有延伸於第 第1方向大致正交之第 台裝置，其特徵在於，具有：第i 1方向之導引構件，移動於與前述 2方向，一對第2移動體，設置成 6 201138009 可沿前述導引構件獨二 和卫·於則述第]古 述第1移動體之移動而鱼& ^移動自如，藉由 … 與則述導㈣-起移動*由 方向；以及保持構件，可保持:::::起移動於前述第: 體支承成至少在包含前心述-對第2移動 平面内移動自如。 方向及則述第2方向之二維 本發明-態樣之曝光裝置，係藉由 。裝置之物體進行曝光，其特徵在於： 2保持於載 台裝置作為前述載台裝置。 别5己載之載 本發明-態樣之驅動方法，係使保持有物 件在包含第1方向及與前述第！方向正交之第2方：持構 維平面内移動，其特徵在於，具有：使具有延 述之二 方向之導引構件…移動體移動於前述第2方向之第牛 1 驟，使設置成可沿前述導引構件獨立移動自如於前述第1 方向之-對第2移動體’藉由前述第丨移動體之移動而盘 =述導引構件-起移動於前述第2方向之步驟；以及藉: 則述一對第2移動體支承保持前述物體之前述保持構件， :使前述-對帛2移動體沿前述導引構件同步移動，以使 别述保持構件移動於前述第1方向之步驟。 本發明一態樣之曝光方法，係驅動保持物體之載台， 藉由能量束對前述物體進行曝光，其特徵在於：使用先前 記載之驅動方法驅動前述載台。 本發明之態樣’即使係對大型基板進行處理時亦能有 助產能提升。 201138009 【實施方式】 以下根據圖1〜圖2 9説明本發明之一實施形態之載 台裝置 '曝光裝置、驅動方法及曝光方法、以及元件製造方 法。 圖1中概略顯示了一實施形態之曝光裝置1〇〇之構 成此曝光义置10〇係步進掃描（step & scan)方式之投影曝 光裝置、即所謂之掃描機。如後所述，本實施形態，設有 才又衫光學系統PL，以下，將與此投影光學系統p]L之光軸 AX平仃之方向設為z軸方向、在與此正交之面内使標線片 一曰圓相對掃榀之方向設為γ軸方向 '與Z軸及Y軸正交 方向<•又為X軸方向，並以繞χ軸、γ軸及Ζ軸之旋轉（傾 斜）方向分別設為ΘΧ、方向來進行説明。 曝光裝置100，如jFI 1 π- _ _ 圖所不’具備配置於底盤12上之 —γ側端部附近之曝光站（處理位置）_、配置於底盤12上 之Η冑端部附近之測量站（處理位置）300、配置於測量站

::與前述曝光站200之間之中央台(支承襄置)130、具有 兩個晶圓載台WSTH，WST2之載e f f ST ,^ 心戰口衮置ST、以及此等之控 制系統等。此處’底盤12係 '、被防振機構U略圖示）大致水 平行地）支承於地面上⑽12由平板狀 WST1，WST2之移動時之導引面。 執。 ^站·具備照明系統1G、標線片載台咖、 早兀PU、以及局部液浸裝置8等。 " 照明系、统10 '係例如美國發明專 τ %公開苐2003/ 201138009 025 890號說明書等一 照度均勻化光學二1:含光源、含光學積分器等之 明光學率统昭線片遮簾等(皆未圖示)之照 先二糸統。照明系統:1。’將以標線片遮簾(亦稱 統）規定之標綠y u L ^ 1 ^ ^ 光用光，二击、 縫狀照明區域1錢藉照明光（曝 為昭明光:1大致均勾之照度加以照明。此處，作 於準分子雷射光（波長193蛛 於‘線片載台RST上，於其圖案面(圖… 成有電路圖案等之標線…皮以例如真空吸附方式加以固 疋。軚線片載台RST ’可藉由例如包含線性馬達等之桴線 片載台驅動系統u(圖丨中未圖示，參照圖6)於灯平= 微幅驅動’且於掃描方向（圖1中之紙面内左右方向即Y車由 方向）以既定掃描速度驅動。 標線片載台麟在灯平面内之位置資訊（含h方向 之旋轉資訊），係以標線片雷射干涉儀（以下，稱「標線片干 涉儀」）13’透過固^於標線片載台rst之移動鏡15以例 如0.25nm程度之分析能力隨時檢測。標線片干涉儀b之 測量値被送至主控制裝置2 〇 (圖i中未圖示，參照圖6)。 投影單元pu配置於標線片載台RST之圖i中之下方。 才又汾單元PU藉由被未圖示支承構件支承成水平之主框架 BD透過设於其外周部之突緣部flg支承。投影單元pu包 含鏡同40、與由被保持於鏡筒4〇内之複數個光學元件所構 成之投影光學系統PL。作為投影光學系統PL，係使用例如 兩側遠心且具有既定投影倍率（例如1/4倍、1/5倍或i / 8倍等）之折射光學系統。因此，在以來自照明系統丨〇之 9 201138009 照明光IL·照明標錄y d ^ …’片R上之照明區域IAR後，藉由通過圖 案面與投影光學糸姑ΰτ吐 圆 ' PL之第1面（物體面）大致一致配置之 標線片R之昭明伞Ττ 之 、先1L’經由投影光學系統PL(投影單元Ρυ) 將U區域IAR内之標線片r之電路圖案之縮小像（電路 圖案之°卩刀縮小像）’形成在配置於投影光學系統PL之第2 面（像面）側表面塗有光阻（感應劑）之晶圓（物體）W上與前 述…、月區域IAR共輕之區域（以T，&稱曝光區域）iA。 接著藉由保持標線片R之標線片載台rst與保持晶 圓W之曰曰圓微動載台（保持構件；以下簡稱為微動載台） WFS1 (或WFS2)之同步驅動，相對照明區域iar(照明光江) 使標線片R移動於掃描方向(¥軸方向），並相對曝光區域 IA(照明光IL)使晶圓w移動於掃摇方向（γ軸方向），以進 行晶圓W上之一個照射區域（區劃區域）之掃描曝光，於該 照射區域轉印私線R之圖案。亦即，本實施形態，係以

照明系統10及投影光學系統PL於晶圓w上生成標線片R 之圖案，以照明光IL使晶圓W上之感應層（光阻層）曝光以 於晶圓W上形成該圖案。 局部液浸裝置（液浸裝置）8，包含液體供應裝置5、液 體回收裝置6(圖1中皆未圖示，參照圖6)及嘴單元（液浸構 件）32等。嘴單兀32，如ϋ 1所示，R圍繞保持構成投影光 學系統PL之最像面側（晶圓w側）之光學元件、此處係透鏡 (以下，亦稱「刖端透鏡」）191之鏡筒4〇下端部周圍之方 式，透過未圖示之支承構件懸吊支承於支承投影單元ρυ等 之主框架BD。本實施形態中，主控制裝置2()控制液體供 10 201138009 應裝置5(參照圖6)經由嘴單元32冑液體Lq供應至前端透 鏡191與晶圓w之間，並控制液體回收萝罢 教置6(參照圖6)經

由嘴單元32從前端透鏡191與晶圓w之M , <間回收液體。此 時’主控制裝置20係以所供應之液體之|盥仏 夏興所回收之液體 之量怪相等之方式控制液體供應裝置5與液體回收裝置6。 因此，在前端透鏡丨91與晶圓W之間隨時更換並保持—定 量之液體Lq(參照圖1)。本實施形態中，作 1F苟上述液體係使 用ArF準分子雷射光（波長193nm之光）可透射之純水。 此外，於曝光站200設有微動載台位置測量系統（測量 裝置，第1測量裝置）7〇A，其包含從主框架Ββ透過支承構 件72A被以大致懸臂狀態支承（被支承—端部附近）之測量 臂7 1A。不過為了說明之方便，關於微動载台位置測量系統 70A係留待後述之微動載台之說明後再予說明。 測量站300具備：對準裝置99,係以懸吊狀態固^ 主框架BD ;以及微動載台位置測量系統（測量裝置，第2 測量裝置）70B’其包含從主框架BD透過支承構件72B被以 懸臂狀態支承（被支承一端部附近）之測量臂71B。微動載台 位置測量系統70Β與前，述微動載台位置測量系統7〇 豆 方向相反但具有同樣之構成。 對準裝置99,包含圖2所示之五個對準系統AL1，AL2i 〜AL24。若詳述之，如圖2所示，在通過投影單元pu之中 心（投影光學系統PL之光軸AX、本實施形態中亦與前述曝 光區域IA之中心一致）且與γ軸平行之直線（以下稱為基準 軸）LV上，以檢測中心位於自光軸八又往+ 丫側相隔既定距 11 201138009 離之位置之狀態配置有第一對準系，统AL1。隔著第一對準 系統AL1於X軸方向—側與另—側，分別設有相對基準轴 LV大致對稱地配置檢測中心之第二^準系統al2i，al22、 以及ALL，ALL。亦即，五個對準系統ALl，al2i〜al24， 其檢測中心沿X軸方向配置。第二對準系統al2丨， AL23, AL24，保持於能在χγ平面内移動之保持裝置（滑 件）。對準系統AL1，AL2!〜 AL24均使用影像處理方式之 FIA(Field Image Alignment(場像對準））系統。來自對準系統 AL1，AL2i〜AL24之攝影訊號係供應至主控制裝置2〇(參照 圖6)。此外，圖1中，包含五個對準系統ali, al2i〜al24 及保持此等之保持裴置（滑件）在内顯示為對準裝置99 ^此 外關於對準裝置99之詳細構成，係揭示於例如國際公開 第 2008/056735 號。 中央。130如圖2所示，位於測量站3〇〇與前述曝光 站200之間之位置，以其中心大致一致於前述基準軸[V上 之方式配置。中央纟13〇如圖3所示，具備配置於底盤 内部之驅動裝置132、被該驅動裝置132上下驅動之軸 134、固定於軸134上端之俯視χ字形之台本體136。中央 台130之驅動裝置132藉由主控制裝置2〇控制（參照圖6)。 本實施形態之曝光裝置丨00，具備為了進行晶圓更換而 將載置於台本體136之微動載台WFS1或WFS2搬送至卸載 位置兼裝載位置、亦即晶圓更換位置ULp/Lp之機器臂 140(參照圖1及圖2)。機器臂14〇藉由主控制裝置2〇控制 (參照圖6)。 12 201138009 如圖4及圖5所示’載台裝置ST具備藉由γ馬達测 之驅動而移動之Υ粗動載台（第1移動體）YC1、藉由γ馬達 ΥΜ2之驅動而移動之γ粗動載台（第i移動體）犯、藉由X 馬達XMi之驅動而獨立移動之一對χ粗動載台(第2曰移動 體）WCS卜藉由X馬達ΧΜ2之驅動而獨立移動之—對X粗 動載台（第2移動體）WCS2、保持晶圓w且移動自如地支承 於X粗動載台WCS1之微動載台WFS1、以及保持晶圓w 且移動自如地支承於X粗動載台WCS2之微動載台WFS2。 藉由此等Y粗動載台YC1與χ粗動載台WCS1構成第 1載台單7GSU1，藉由γ粗動載台YC2與χ粗動載台wcs2 構成第2載台單元SU2。 藉由一對X粗動載台WCS1及微動載台WFS][構成上 述晶圓載台WST1。同樣地，藉由一對χ粗動載台WCS2 及微動載台WFS2構成上述晶圓載台WST2。微動載台 WFS卜WFS2係藉由微動載台驅動系統（驅動裝置）52A(參照 圖6)相對X粗動載台WCS卜WCS2*別被驅動於六自由度 方向（Χ、γ、ζ、0X、0y、θ Z))。 晶圓載台WST1 (粗動載台WCS1)之XY平面内之位置 資訊（亦含θ z方向之旋轉資訊）以晶圓載台位置測量系統 16A測量。又，位於曝光站200之粗動載台WCS1所支承之 微動載台WFS1 (或微動載台WFS2)之六自由度方向（χ、γ、 Z、0 χ、0 y、0 z)之位置資訊係以微動載台位置測量系統 70A測量。晶圓載台位置測量系統1 6A及微動載台位置測 量系統70A之測量結果’為進行X粗動載台WCS1、微動 13 201138009 載台 WFS1(或WFS2)之位置控制而被供應至主控制裝置 20(參照圖6)。晶圓載台WST2(X粗動載台WCS2)之XY平 面内之位置資訊（亦含0 z方向之旋轉資訊）以晶圓載台位置 測量系統16B測量。又，位於測量站300之X粗動載台WCS2 所支承之微動載台WFS2(或WFS1)之六自由度方向（X、Y、 Ζ、0 X、0 y、0 ζ)之位置資訊係以释動載台位置測量系統 70B測量。晶圓載台位置測量系統16B及微動載台位置測 量系統70B之測量結果，為進行X粗動載台WCS2、微動 載台 WFS2(或WFS1)之位置控制而被供應至主控制裝置 20(參照圖6)。 於X粗動載台WCS1支承有微動載台WFS1 (或WFS2) 時，該微動載台WFS1 (或WFS2)與粗動載台WCS1在X、Y、 0z之三自由度方向之相對位置資訊，可藉由設於粗動載台 WCS1與微動載台 WFS1(或 WFS2)間之相對位置測量器 22A(參照圖6)測量。同樣地，於粗動載台WCS2支承有微 動載台WFS2(或WFS1)時，該微動載台WFS2(或WFS1)與 粗動載台WCS2在X、Y、0z之三自由度方向之相對位置 資訊，可藉由設於粗動載台 WCS2與微動載台 WFS2(或 WFS1)間之相對位置測量器22B(參照圖6)測量。 作為相對位置測量器22A，22B可使用編碼器等，該編 碼器包含以設於例如微動載台WFS 1，WFS2之光栅為測量 對象之分別設於X粗動載台 WCS1，WCS2之至少兩個讀 頭，根據該讀頭之輸出，測量微動載台WFS 1, WFS2在X 軸方向、Y軸方向、以及θ z方向之位置《相對位置測量器 14 201138009 22A，22B之測量結果被供應至主控制裝置2〇(參照圖幻。 進而，本實施形態之曝光裝置1〇〇中，如圖7所示， 於投影單元pu附近設有可動板片BL。可動板片BL可被板 片驅動系統58(圖7中耒圖示，參照圖6)驅動於2軸方向及 Y軸方向。可動板片B L係由於+ γ側之上端部形成有較其 他部分突出之突出部之板狀構件構成。 本實施形態中，可動板片BL之上面對液體Lq為撥液 性本霄施形態中，可動板片B L，包含例如不鏽鋼等金屬 製基材與形成於该基材表面之撥液性材料之膜。撥液性材 料包含例如 PFA(Tetra fluoro ethylene_perflu〇r〇 ether cop〇iymer)、PTFE(Poly tetra flu〇r〇 ethylene)、鐵氟龍 (註冊商標）等。此外，形成膜之材料亦可係丙烯酸系樹脂、 矽樹脂。又，可動板片BL整體，亦可係以PFA、pTFE、 鐵氟龍（註冊商標）、丙烯酸系樹脂、及石夕樹脂之至少一個形 成。本實施形態中，可動板片BL之上面對液體Lq之接觸 角係例如90度以上。 可動板片BL能從一γ側卡合於粗動載台WCS1所支 承之微動載台WFS1(或WFS2)，在其卡合狀態下，與微動 載台WFS1(或WFS2)上面一起形成外觀上一體之全平坦面 (參照例如圖1 6)。可動板片BL係被主控制裝置2〇透過板 片驅動系統58驅動，以在與微動載台WFS1 (或WFS2)之間 進行液浸空間（液體Lq)之移交◎此外，可動板片BL與微動 載台WFS1 (或WFS2)之間之液浸空間（液體Lq)之移交，待 後詳述。 15 201138009 除此之外，本實施形態之曝光裝置丨〇〇中於標線片 載台RST之上方，如例如美國發明專利第5,646,413號說明 書等所詳細揭示’ 置有具有CCD ♦攝影元件並將曝光波 長之光（本實施形態中為照明光IL)作為對準用照明光之影 像處理方式之一對標線片對準系統RAi、RA2(gI !中，標線 片對準系統RA2隱藏在標線片對準系統之紙面内側）。 一對標線片對準系統RAi、RAz係用於在微動載台 wFS1(WFS2)上之後述測量板片緊挨在投影光學系統pL下 方之狀態，由主控制裝置2Q透過投影光學系統凡檢測標 線片R上所形成之一對標線片對準標記（圖示省略）之投影 像、與對應之測量板片上之一對第i基準標記，以檢測投 影光學系統PL所形成之標線片R之圖案之投影區域中心與 測量板片上之基準位置、亦即一對第M基準標記之中心的 一 乃耵早糸珧RA丨、RA2之檢測訊號經由未圖 不之訊號處理系統供應至主控制裝置2〇(參照圖 其次，詳述載台裝置ST各部之構成等。 此外，圖5中為了使理解容易，僅圖示第^載台單元 則周邊之構成。又，第2載台單元SU2周邊之構成，由 於與晶圓載台WST1及其周邊之馗忐刼门 冉门迹之構成相同，因此以下僅代 表性地說明晶圓載台WST1。 Y馬達彻，係由在底盤12之乂方向兩側緣於丫方 α延伸设置之固定件150與設於γ粗動载台⑽之x方向

兩端之可動件151A構成β γ馬達YM 咬ϊ Μ 2 ’係由上述固定件 150與設於γ粗動載台ye〗之γ 士 a 戰口 C2之X方.向兩端之可動件ί51Β 16 201138009 構成。亦即，係在γ黾ν Λ T, 在馬達彻、彻共用固定件 成。固定件150具備沿γ方向排 ：15〇之構 1 Γ- 1 Α Λ f - &久磁石，可動付· 、1B具傷沿Y方向排列之線圈。 vah姐二、丨々ω 丨Υ馬違ΥΜ1、 構成將曰曰圓載台WSTl、赠2及γ粗動載”⑴ Υ方向之動圈型線性馬達。此外，此處雖例舉 線性馬達說明，但亦可係動磁型之線性馬達。 ,Μ二固二# 150係藉由設於各自之下面之未圖示氣體 ㈣軸承、例Μ氣軸承在底盤12上方隔著既^空隙被懸 子支承。藉此，因在晶圓載台WST1、WST2或丫粗動载台 YC1、YC2之Y方向之移動而產生之反作用力使固定： 作為γ方向之γ配衡質量塊移動往相反方向移動並 藉由動量守恆之法則抵銷此反作用力。 Υ粗動載台YCi具有設於可動件151Α、151Α間並延 伸於X方向之X導件（導引構#卿，藉由設於其底面之複 數個非接觸軸承、例如空氣軸承94被懸浮支承於底盤η 上0 又，於Υ粗動載台YC1，如圖4所示，於較長方向（χ 軸方向）中央之γ軸方向一側（+χ側）端部以較前述驅動軸 3 4之直仅大之寬度使面對該驅動軸1 3 4之側開口而形成有 缺口 96。更详言之，缺口 96，係沿該驅動軸134之相對移 動路徑形成為在使γ粗動載台YC1移動至藉由台本體136 使支承微動載台WFS 1之位置時亦不與驅動軸13 4干涉。 於X導件XG1設有構成χ馬達χΜΐ之固定件ι52。χ 馬達ΧΜ1之可動件ι53Α如圖5所示，設在於χ方向貫通 17 201138009 X粗動載台WCSl、供χ導件xgI插通之貫通孔154。 一對X粗動載台WCS 1 ’藉由設於其底面之複數個非接 觸軸承、例如空氣軸承95分別被懸浮支承於底盤1 2上， 藉由X馬達XM1之驅動而沿X導件XG1彼此獨立地移動 於X方向。於Y粗動載台YC1，除了 χ導件XG1以外尚設 有配δ又有Y線性馬達（將X粗動載台w c s 1驅動於γ方向） 之固定件之X導件XGY1。又，在X粗動載台WCS1，於在 X方向貫通該X粗動載台WCS1之貫通孔155(參照圖5) 設有Y線性馬達之可動件！ 56A。此外，亦可不設置γ線性 馬達，而設置空氣軸承，藉此作成於γ方向支承χ粗動載 台WCS1之構成。 如圖5及圖8所示，於各粗動載台wcs}之χ方向外 側端部，具備一對側壁部92與固定於側壁部92各自之上 面之一對固定件部93。粗動載台WCS1，其整體為一具有 上面之X軸方向中央部及Y軸方向兩側面開口之高度較低 之箱形形狀。亦即，於粗動載台WCS1内部形成有貫通於γ 軸方向之空間部》 一對固定件部93各自如圖5、圖8及® 9所示，分別 由外形與ΧΥ平面平行之板狀構件構成，於其内部收容有由 用以驅動微動載台WFS1(或WFS2)之由複㈣線圈構成之 ，圈單元⑶。此處，微動载台WFS1與微動載台界⑻為 完全相同之構成，亦同樣地被以非接觸方式支承於粗動載 台WCS1並被驅動，以下僅代表性地舉出微動載台則 來說明。 18 201138009 微動载台WFSl，如圖s β 軸方向為較m 9所不，具備由俯視以 =較長方向之八角形板狀構件構成之本 及刀別固定在本體部81較 以 對可動件部82。 較長方向-端部與另-端部之— 射：體部81由於需作成後述編碼器系統之測量光束(雷 射光)可在其内部行進 里尤束(雷 & ^丄 係以先此透射之透明材料形 成。又，本體部81為了降低在其内部之空 ：： 之影響而係形成為中實（於内 料最好係低熱膨脹率，在本實施开間此外’透明材 午*本貫施形_巾，作為一例係使用 口成石央（玻璃）等。此外，本體 叔 1之登體雖亦可以透明 材科構成’但亦可僅編碼器系統之測量光束所透射之部分 :透明材料構成’或僅此測量光束所透射之部分形成為中 貫0 於微動載台WFS1々本體部81上面中央設有以真*吸 附等保持晶圓W之晶圓保持具（未圖示）。此外，晶圓保持 具可與微動載台WFS i 一體形成，亦可相對本體部8 1，透 過例如靜電夾頭機構或夾鉗（clamp)機構等、或以接著等加 以固定。 再者，於本體部81上面、晶圓保持具（晶圓w之載置 區域）外側，如圖8及圖9所示安裝有中央形成有較晶圓 W(晶圓保持具）大一圈之圓形開口且具有對應本體部8丨之 八角形外形（輪廓）之板片83。板片83表面施有對液體“ 之撥液化處理（形成有撥液面）。板片83係以其表面全部（或 一部分）與晶圓w表面成為同一面之方式固定於本體部81 19 201138009 之上面。又，於极 之-Y側端部，如圖9所示，以其表 面與板片83之表面、亦即曰 P日日囫W表面大致成為同一面之狀 態設置有於X軸方向細長） 焚之長方形之測量板片86。於測量 板片86表面，至少形忐士 ι、上 . 成有則述一對第1基準標記與以主對 準糸統A L1檢測之第2其，隹4» j· / a· 一 基準b S己（第1及第2基準標記皆省 略圖示）。 如圖8所示，於本體都 A。丨81上面之較晶圓w大一圈之區 域，水平（與晶圓W表面巫彡-、 平仃）地配置有二維光栅（以下單稱 為光柵）RG。光柵rg包令以γ缸+人上 3以X軸方向為週期方向之反射型 繞射柵格（X繞射柵格）盘以γ紅士人认 h、以Y軸方向為週期方向之反射型繞 射栅格（Y繞射柵格）。 光拇RG之上面被你难娃从 ^ 极保邊構件、例如覆罩玻璃（未圖示）覆 蓋。本實施形態中，於保梓而g口爱s + 士 饰符面即覆罩玻璃之上面設有吸附 保持晶圓保持具之前述真空吸附機構。此外，本實施形能 中，覆罩玻璃雖設置成覆蓋本體部81上面之大致全面，但 亦可設置成僅覆蓋包含光柵RG之本體部8ι i面之一部 刀又保濩構件（覆罩玻璃）雖亦可以與本體部8丨相同之 ㈣形成，但並不限於此，亦可以例如金屬、心形成保 護構件’或亦可以薄膜等構成。 本體部81，由圖8可知，係由形成有往較長方向兩端 部外側突出之突出部之整體為八角形板狀構件構成，其配 置有光柵RG之中央區域形成為其厚度實質均勻之板狀。 各可動件部82具有板狀構件82a，該板狀構件82&位 於隔著固定件部93之Z方向兩側且與χγ平面平行。於兩 20 201138009 片板狀構件82a之間，以非接觸方式插入有粗動載台wcsi 之固定件部93端部。又，於板狀構件…之内部收容有後 述磁石單元MU。 此處，如前所述’由於粗動載台WCS1於Y軸方向兩 側面開口，因此在將微動載台WFS1裝著於粗動載台wcsi 時’只要進行微動載台WFS1之z轴方向定位以使固定件 部93分別位於板狀構件82a、82a之M 甘々 δ/a之間，其後使微動載台 WFS1移動（滑動）於γ軸方向即可。 试動載台驅動糸統5 2 A，具右箭'+、-p去. • 井有刖述可動件部82所具有 之一對磁石單元MU、固定侏邱θ丄 ’ 、 千 u疋件93所具有之線圈單元CU。 進一步詳述此點。如圖1 〇、阁丨】Λ 口 圖11Α、以及圖11Β所示， 在固定件部93内部之~ X側媳卹 , / J & °卩後數個（此處為十二個） 俯視長方形狀之ΥΖ線圈（以下，'* a仏β ^ 乂下適當的簡稱為「線圈」）55、 5 7於Y軸方向以等間隔分別配置之卩$丨# @ _ 彳置之2列線圈列，於X軸方 向相隔既定間隔配置。YZ線圈55，里古 不固）：>，具有在上下方向（2軸方 向）重疊配置之俯視長方形肤 办狀之上部繞組55a與下部繞組 55b。又，在固定件部93之内 且係上述兩列線圈列之間， 配置有以Y軸方向為長邊方仓 瓊方向之細長俯視長方形狀之一個 X線圈（以下，適當地簡稱「後 環圈J )56 此情形下，兩列線 圈列與X線圈56係在x軸方向 门以荨間隔配置。包含兩列線 圈列與X線圈56構成線圈單元cu。 此外，以下說明中，雖仫 雖係針對一對固定件部93中之一 方固定件93及此固定件部9 所支承之可動件部82進行說 明，但另一方（X側）之固定 干。P 93及可動件部82，係與 21 201138009 此等為相同構成且發揮相同功能。 在構成微動載台WFS1之可動件部82 一部分之+ z側 之板狀構件仏内部’ U X軸方向為長邊方向之俯視長方 形，複數個（此處為十個）之永久磁石65a、67aK γ轴方向 以等間隔配置而構成兩列磁石列。兩列磁石列於X軸方向 相隔既定間隔配置。又，兩列磁石列分別與線圈55、”對 向配置。 ’ 複數個永久磁石65a，如圖11Β所示，係於γ軸方向 父互排列有上面側ζ側）為Ν極且下面側Ζ側）為S極 之永久磁石、以及上面側（+2側）為s極且下面側（―2側） 為N極之永久磁石。由複數個永久磁石67a構成之磁石列 與由複數個永久磁石6 5 a構成之磁石列為相同構成。 又，在板狀構件82a内部且係上述兩列磁石列之間，與 線圈56對向配置有在X軸方向分離配置之以γ軸方向為較 長方向之一對（兩個）永久磁石66al、66a2e如圖11A所示， 永久磁石66a 1之上面側（+ z側）為n極且下面側（一z側） 為S極，永久磁石66a2之上面側（+Z側）為s極且下面側（一 Z側）為N極。 藉由上述複數個永久磁石658、67&及6631、66&2構成 磁石單元MU之一方。 於一Z側之板狀構件82a内部，亦，如圖11A所示以與上 述+ Z側板狀構件82a相同之配置配置有永久磁石65b、 66bl、66b2、67b。藉由此等永久磁石 65b、66bl、66b2、 67b構成磁石單元MU之另一方。此外，一 z側板狀構件82a I- 22 201138009 内之永久磁石65b、66bl、66b2、67b’在圖10中係相對磁 石65a、66al、66a2、67a在紙面深側重疊配置。 此處，微動載台驅動系統52A中，如圖丨1B所厂、，_ Y軸方向相鄰配置之複數個永久磁石（沿γ軸方向依序為永 久磁石65al〜65a5)’係將複數個永久磁石65a及複數個γζ 線圈55在Υ軸方向之位置關係（各自之間隔）設定為，在相 鄰之兩個永久磁石65al及65a2分別對向於γζ線圈55]之 繞組部時’與此等相鄰之永久磁石65a3不對向於與上述 線圈55丨相鄰之γζ線圈552之繞組部（與線圈中央之中空部 或捲繞有線圈之站、例如鐵芯對向）。4匕夕卜，永久磁石2 及如，分別與YZ線圈552相鄰之γζ線圈％之繞组部 對向。永久磁石65卜67心6713^轴方向之間隔亦相 照圖11Β)。 是以，微動載台驅動系統52Α中，例如係在圖ηΒ所 不狀態下，如圖12Α所示，若對線圈A、％之上部繞組 及下部繞組分別供應從+Ζ方向觀看為往右 於線圈55丨、553作用—Υ方向 屯机 刀（勞倫絲力），作為其反作 用而於水久磁石65a、65b > 笼“ “ 料用+ ”向之力。藉由此 専力之作用，微動載台WFS1即

相對袓動載台WCS 1往+ Y 方向移動。與上述情形相反地， Μ ^ 4-7 -ir ^ - 對線圈、553分別供 心 向觀看為往左旋轉之電产，料叙身 料如知淑， 电 微動載台WFS 1即相 對粗動載台WCS1往一 γ方向移動。 藉由對線圈57供應電流，能扃 夕、隹—雨 在與水久磁石67(67a、67b) 之間進仃電磁相互作用而將 科口 WFSI驅動於γ軸方 23 201138009 二=制裝置2〇,藉由控制對各線圈供應之電流，據以 控制微動載台WFS1之γ軸方向位置。 又，微動載台驅動系站ς ο Λ 系，，先52Α ’例如在圖11Β所示狀態 下’如圖12B所示在分別料持闽< c 另J對線圈55s之上部繞組供應從+ z 方向觀看為往左旋轉之電流、對下部繞組供應從+Z方向觀 看為往右旋轉之電流後’即分別於線圈552與永久磁石65a3 之間產生吸引力、於線圈％與永久磁石65b3之間產生斥 力，微動载台WFS1藉由此等吸引力及斥力而相對粗動載台 WCS1往上方(+z方向）、亦即往懸浮方向移動。主控制裝 置〇藉才工制對各線圈供應之電流，以控制懸浮狀態之微動 載台WFS 1在Z軸方向之位置。 又，在圖11A所示狀態下’如圖12c所示’若對線圈 56供應從+ Z方向觀看為往右旋轉之電流，於線圈56作用 + X方向之力，作為其反作用而分別於永久磁石 及66bl 66b2作用-X方向之力，微動載台即相對 粗動載台WCS1往—X方向移動。又，與上述情形相反地， 若對線圈56供應從+ Z方向觀看為往左旋轉之電流，於永 久磁石66a卜66a2及66M、66b2作用+ X方向之力，微動 載台WFSi相對粗動載台WCS1往+ X方向移動。主控制裝 置20，藉控制對各線圈供應之電流，據以控制微動載台 WFS 1之X軸方向位置。 由上述説明可知，本實施形態中’主控制裝置2〇係對 排列於Y軸方向之複數個Yz線圈55、57每隔一個供應電 流’據以將微動載台WFS 1驅動於Υ軸方向。且與此並行 24 201138009 地，主控制裝置2〇對Yz線圈“、57中未使用於將微動裁 台WFS1驅動往γ轴方向之線圈供應電流，據以使往Μ 方向之驅動力以外之往；7 ·*· a ^ Z軸方向之驅動力產生，而能使微 動載台WFS 1從粗動載台wcs ] 軟< 口 WLM懸汗。又，主控制裝置 視微動載台刪轴方向位置依序切換電流供應對象 之線圈’據以-邊維持微動載台WFS1相對粗動載台WCS1 之懸浮狀態亦即非接觸狀態、一邊將微動載台WFS1驅動於 Y轴方向。又，主控制裝罟tV At + # 利哀罝20亦迠在使微動載台WFS 1從 粗動載台WCS1懸浮之狀態下’除γ軸方向外獨立地將其 驅動於X軸方向。 又，主控制裝置20,亦可藉由使彼此不同大小之γ車由 方向之驅動力（推力）作用於微動載台WFS1之+又側可動件 部82與一X側可動件部82’據以使微動載台職“軸 旋轉（Θ z旋轉）。 同樣地，主控制裝i 20’亦可藉由使彼此不同之懸浮 力作用於微動載台WFS 1之+ X側可動件部82與—χ側可 動件部82,據以使微動載台评”丨繞γ軸旋轉㈧丫驅動 進一步地，主控制裝置20,亦可微動載台wfsi之各 可動件部82使彼此不同之浮力作用於γ軸方向之+側與— 側，據以使微動載台WFS1繞Χ軸旋轉（0χ驅動）。、 由以上説明可知，本實施形態，可藉由微動載台驅動 系統52Α，將微動載台WFS1相對粗動載台wcsi以非接觸 狀態懸浮支承’且相對粗動載纟WCS1以非接觸方式往六 自由度方向（X、Y、Z、0x、6>y、0Z)驅動。 25 201138009 本實施形態之曝光裝置1 0 0，在進行對a圓^ 对日日圓W之步進 掃描方式之曝光動作時，微動載台WFS I之XV i^ 〜十面内之位 置資訊（含θζ方向之位置資訊）係由主控制裝置2〇使用後 述微動載台位置測量系統70Α之編碼器系統73(參照圖6) 加以測量。又，微動載台WFS1之位置資訊被送至主控制裝 置20，主控制裝置20根據此位置資餌控制微動載台 之位置。 相對於此，在晶圓載台WSTl(微動載台WFsi)位於微 動載台位置測量系統70A之測量區域外時，晶圓載台 wsti(及微動載台WFSl)之位置資訊係由主控制裝置 用晶圓載台位置測量系統l6A(參照圖！及圖6)加以測量。 晶圓載台位置測量系統l6A，如圖i所示，包含對粗動載台 wcsi側面之反射面照射測距光束以測量晶圓載台wsti : XY平面内之位置資讯（含0 z方向之旋轉資訊）之雷射干涉 儀。此外’晶圓載台WSTl在XYJ}L面内之位置資訊可取 代上述晶圓載台位置測量系統l6A而以其他測量裝置、例 如編碼器系統加以測4。此情形了，可於例如底I 12之上 面配置二維標尺、於粗動載台 頭。 WCS1之底面安裝編碼器讀 、微動载台WFS2與上述微動載台WFS1完全同樣地構 成，可取代微動載台WFS1以非接觸方式支承於粗動載台 Wcs卜此情形下，係以粗動載台WCS1與被粗動載台WCS1 支承之微動載纟WFS2構成晶圓載台WST1，以微動載台 WFS2所具備之一對可動件部（各—對磁石單元則)與粗動 26 201138009 載台WCS1之一對固定件部93(線圈單元CU)構成微動載台 驅動系統52A。又，以此微動載台驅動系統52A，將微動載 台WFS2相對粗動載台WCS 1以非接觸方式驅動於六自由度 方向。 又，微動載台WFS2、WFS1能分別以非接觸方式使之 支承於粗動載台WCS2,係以粗動載台WCS2與被粗動載台 WCS2支承之微動載台 WFS2或 WFS1構成晶圓載台 WST2。此情形下，以微動載台WFS2或WFS1所具備之一 對可動件部（各一對磁石單元MU)與粗動載台WCS2之一對 固定件部93(線圈單元CU)構成微動載台驅動系統52B(參照 圖6)。又，以此微動載台驅動系統52B，將微動載台WFS2 或WFS1相對粗動載台WCS2以非接觸方式驅動於六自由度 方向。 此外，粗動載台WCS2係以與粗動載台WCS 1相反面 向，亦即Y粗動載台YC2之缺口 96朝向Y軸方向之另一 側（-Y側）開口之面向配置於底盤1 2上。 其次，說明微動載台位置測量系統70A(參照圖6)之構 成，該微動載台位置測量系統70A係用於測量被位於曝光 站200之粗動載台 WCS1可移動地保持之（構成晶圓載台 WST1)之微動載台WFS1或WFS2之位置資訊。此處，係說 明微動載台位置測量系統70A測量微動載台WFS 1之位置 資訊之情形。 ^ 微動載台位置測量系統70A，如圖1所示，具備在晶圓 載台WST1配置於投影光學系統PL下方之狀態下，插入粗 27 201138009

動載台WCS 1内部之空間部内之測量臂71A。測量臂71A 係透過支承構# 72A以懸臂狀態支承(支承一端部 於 主框架BD。 f ’、 測量臂71A，係以γ軸方向為長邊方向、具有高度方 向(Ζ軸方向)尺寸大於寬度方向(χ軸方向)之縱長長方形刊 面之四角柱狀（亦即長方體狀）之構件’將可使光透射之相^ 材料、例如玻璃構件予以貼合複數層所形成。測量臂Η'， 除收容後述編碼器讀頭（光學系統）之部分外，形成為中實。 測量臂71Α，如前所述，在晶圓載台WST1配置於投影光學 系統PL下方之狀態下，前端部插入粗動載台1之空間 郤内，如圖1所不，其上面對向於微動載台WFS1之下面（更 正確而言為本體部81(圖1中未圖示，參照圖8等）下面）。 測里臂71A之上面’係在與微動載台WFS1之下面之間形 成有既定空隙、例如數mm程度之空隙之狀態下，配置成與 微動載台WFS1之下面大致平行。 一 微動載台位置測量系統7GA，如圖6所示，具備編碼器 系統73與雷射干涉儀系統％。編碼器系統”，包含測量 微動載。WFS 1之X軸方向位置之χ線性編碼器、測 量微動載台WFS1之γ轴方向位置之一對γ線性編碼器 73ya 73yb。編碼器系統73，係使用與例如美國發明專利 第7,238,931號說明書及美國發明專利申請公開帛2007/ 2 = 121豸說明書等所揭示之編碼器讀頭（以下適當地簡稱 =貝頭）相同構成之繞射干涉型讀頭。不過，本實施形態中， 貝貝係如後述’光源及受光系統（含光檢測器）配置於測量臂 28 201138009 卜P僅先千糸統係在測量臂71A内 盥#嫵Rr料A U #、亦即配置成 與先柵RG對向。以下，將配置於 系統稱為讀頭。 …1A内部之光學 編碼器系統7 3係以一個X讀 WPQ1 ± α貝碩測量例如微動載台 WFS 1之X軸方向位置 醫^ 以對Υ項碩測量Υ軸方向之位 。:Ρ，以使用光栅反…繞射栅格測量微動載台侧丨 轴方向位置之X讀頭構成前述又線性編碼器73χ，以 用光柵RG之Υ繞射柵格測量微動載台卿以之γ軸方 向位置之一對Y讀頭構成一對γ線性編碼器乃”、乃沖。 此外，關於編碼器系統73，由於已記載於日本特願簡 2236 1等，因此此處省略其說明。 主控制裝置20’係根據編碼器系統73之測量結果，決 定，動載台則之γ軸方向及乂軸方向之位置。亦即、 實施开八4中，主控制裝置2〇可藉由使用編碼器系統73， 在將標線片11之圖案轉印至微動載台WFS1上所載置之晶 圓J之既定照射區域時，能恆在緊鄰曝光位置之下方（微動 載。WFS1之背面側）進行微動載台WFS1之χγ平面内之 曰資汛之測量。又，主控制裝置20根據一對γ讀頭之測 I値之差，測量微動載台WFS1之02方向之旋轉量。 丄田射干涉儀系統7 5，使三條測距光束從測量臂7 1 A之 ^端部射入微動載台WFS i之下面。雷射干涉儀系統75， ”備刀別照射此等三條測距光束之三個雷射干涉儀7。〜 75c(參照圖6)。雷射干涉儀系統乃中，三條測距光束與z 軸平仃地射出。三條測距光束在χγ平面上之射出位置所構 29 201138009 成之三角形之重心配置成與照射區域（曝光區域）IA之中心 即曝光位置一致。本實施形態中，主，控制裝置2〇係使用雷 射干涉儀75測量微動載台WFS1之Z軸方向位置、0 z方 向及方向之旋轉量之資訊。 此外，關於雷射干涉儀系統7 5，由於亦已記載於曰本 特願2009 - 122361等，因此此處省略其說明。 由以上説明可知，主控制裝置20可藉由使用微動載台 位置測量系統70A之編碼器系統73及雷射干涉儀系統75， 測量微動載台WFS 1之六自由度方向之位置。此情形下，於 編碼器系統7 3，由於測量光束在空氣中之光路長極短且大 致相等，因此能幾乎忽視空氣波動之影響。因此，可藉由 編碼器系統73高精度地測量微動載台WFS 1於XY平面内 (亦含0 z方向）之位置資訊。又，編碼器系統73於X軸方 向及Y軸方向之實質的光柵上之檢測點、及雷射干涉儀系 統75之Z軸方向之微動載台WFS下面上之檢測點，分別 與曝光區域IA之中心（曝光位置）一致，因此能將所謂阿貝 誤差之發生抑制至實質上可忽視之轾度。因此，主控制裝 置20可藉由使用微動載台位置測量系統70A，在無阿貝誤 差之情形下，高精度地測量微動載台WFS 1之X軸方向、γ 軸方向及Z軸方向之位置。又，粗動載台W C S 1位於投影 單元PU下方’於粗動載台WCS 1可移動地支承有微動載台 WFS2時’主控制裴置20可藉由使用微動載台位置測量系 統70A，測量微動載台WFS2之六自由度方向之位置。特別 是，可在無阿貝誤差之情形下，高精度地測量微動載台 30 201138009 WFS2之χ轴方向、γ轴方向及4方向之位置。 如圖二測量站所具備之微動載台位置測量系統_， =所不’雖與微動载台位置測量“ 但為相同構成。因此 々也石對稱， …辟 載台位置測量系統鳩所1備 之測量臂71Β，係以γ軸方向為長 備 近透過支承構件72Β從主框竿BD大：向，其+”則端部附 王框木BD大致懸臂支承。 WCS2位於對準裝置99下方，當於粗動載台 裝置20°可η支承有微動載台WFS2或WFS1時，主控制 ::wr或_之六自由度方向之位置。特別是;: =貝决差之情形下’高精度地測量微動載纟卿 刪…轴方向、Y軸方向及2軸方向之位置。 :6係顯示曝光裝置100之控制系統之主要構成。控 制系統，係以主控制梦番 、置2〇為中心構成。主控制裝置2〇， …作站(或微電腦)等，係統籌控制 :2A_載f驅動、以及微動載台驅動 2B等曝光裝置100之構成各部。 本實施形態之曝光裝置丨〇〇，在製造元件時係對保持 於：動載台W⑶(位於曝光站2〇〇)之一方微動載台(此處例 > :WFS 1)所保持之晶圓w進行步進掃描方式之曝光於 圓上之複數個照射區域分別轉印標線片r之圖案。 此^進掃描方式之曝光動作，係藉由主控制裝f 20,根據 1、行之SB圓對準之結果（例如將以全晶圓增強型對準 (EM)所得之晶圓W上各照射區域之排列座標，轉換為以 31 201138009 第2基準標記為基準之座標的資訊）、及標線片對準之结果 等，反覆將微動載台WFS1往用以使‘晶圓w上之各照=區 域曝光之掃描開始位置(加速開始位置)移動之照射區域間 移動動作、以及以掃描曝光方式將形成於標線丨r之圖案 轉印於各照射區域之掃描曝光動作，藉此來進行。此外了 上述曝光動作係在將液體持於前端透鏡ΐ9ι與晶圓w 間之狀態下'亦即藉由液浸曝光來進行，係依自位於 + Υ側之照射區域往位於—γ側之照射區域之順序進行。此 外，關於EGA，係詳細揭示於例如美國發明專利第4, 78〇 617號說明書等。 、 ’ ’ 本實施形態之曝光裝置100中，係在上述—連串曝光 動作中，藉由主控制Μ 20使用微動載台位置測量:统 70Α測量微動載台WFS1(晶圓w)之位置，並根據此測量結 果控制晶圓W之位置〇 此外，上述掃描曝光動作時，雖需於γ軸方向以高加 速度驅動晶圓W，但本實施形態之曝光裝置1〇〇，主控制裝 置20於掃描曝光動作時，係如圖13Α所示，原則上不驅動 粗動載台WCS1而僅將微動載台WFS1驅動於γ軸方向（視 需要亦包含其他五自由度方向）（參照圖13Α之黑箭頭卜據 以於Υ軸方向掃描晶圓W。此係由於與驅動粗動载台WCS J 之情形相較，僅使微動載台WFS1移動之方式驅動對象之重 置較輕，月b以尚加速度驅動晶圓W而較有利之故。又，士 前所述，由於微動載台位置測量系統7〇A之位置測量精度 高於晶圓載台位置測量系統16A，因此在掃描曝光時驅動微 32 201138009 動載台WFS 1是較有利的。 _此外，圖UA及13B中，係省略了 γ粗動載台YCk 圖示，且圖13B以後之圖式中亦適當省略圖示。 另一方面，在X軸方向進行照射區域間移動（步進）動作 時，由於微動載台WFS1往χ轴方向之可移動量較少因 此主控制裝置20’如圖13Α所示，藉由將一對粗動載台 WCS1 一體驅動於χ軸方向，以使晶圓w移動於X軸方向。 本實施形態中，係與在—微動載台上對上述晶圓〜進 行曝光之動作並行地’在另一微動載台上進行晶圓更換及 晶圓對準之至少一部分。 (並行處理動作） 以下，說明本實施形態之曝光裝置⑽中，使用兩個 微動載台刪卜WFS2進行之並行處理動作。 圖14’係顯示微動載台WFS1位於曝光站2〇〇,對該微 動載σ WFS1所保持之晶圓w進行上述曝光，且微動載二 侧2位於測量站3⑽，對該微動載台謂2所保持之晶圓 W進行曝光處理前之對準處理中之狀態。 上述對微動載台WFS2所保持之晶圓w進行之對準， 大略係以下述方式進行。亦即，在晶圓對準時，主控制裝 置20首先為了將微動栽台跑2上之測量板片％定位於緊 鄰第一對準系統ΑΧ 1下方 、 卜万駆動微動載台WFS2並使用第 ^對準系、统AL1檢測第2基準標記。接著，主控制裝置μ :、例如美國發明專利申請公開第2刪㈣⑷號說明金 等所揭示’使晶圓載台WST2(粗動載纟则2及微動載: 33 201138009 WFS2)往例如_γ方向移動， 晶圓載台WST2,於每次定^其移動路徑上之複數處定位 ΔΤ9 s , 母人&位時使用對準系、统AL1，AL2)〜 AL24之至少一個檢測出對 .住旱‘、，、射區域（取樣照射區域）之對 準標記之位置資訊。例如， 對 右考置進行四次之定位之情形 主控制裝置20係在進行例如 Λ ^ ^ 月心 '^第—次之定位時，使用第一對 準系統AL1、第二對準系統 樣照射區域之對準標記（以下亦稱為取樣標記），在進行第二 次之定位時，使用對準系統au、AL2i〜AL24，檢測u 上之五個取樣標記’在進行第三次之定位時，使用對 準糸統AL1、AL21〜AL24檢測五個取樣標記，在進行第四 次之定位時，使用第-對準系統AU、第二對準系統AL22, AL2；3檢測三個取樣標記 益 "&藉此，與以單一對準系統依序檢 ❹六處之對準標記之情形等㈣’可在更短時間内取得 合計十六處之對準照射區域中對準“之位置資訊。此情 形下，係與上述晶圓載自WST2之移動動作連動，對準系 統ALl，AL22, AL23分別檢測依序配置於檢測區域（相當於 :如檢測光之照射區域）内之沿γ轴方向排列之複數個對準 標記（取樣標記）。是以，在上述對準標記之測量時，無須使 晶圓載台WST2移動於χ軸方向。 、 本實施形態中，主控制裝置2〇包含第2基準標記之檢 測在内，於晶圓對準時，係使用包含測量臂71β之微動載 台位置測量系統70Β進行晶圓對準時粗動載台WCS2所支 承之微動载台WFS2在χγ平面内之位置測量。不過，並不 限於此，當晶圓對準時之微動載台WFS2之移動係與粗動載 34 201138009 旦糸2體進订時，亦可—邊透過前述晶is載台位置測 測量晶圓w之位置_邊進行晶圓對準。又由 膜」里站3GG與曝光站2G0為分離，因此在晶圓對準時與 時’微動載台WFS2之位置係在不同之座標系統上作管 里因此，主控制裝置20將以晶圓對準所得之晶圓w上之 各照射區域之排列座標，轉換為以帛2 &準標記為基準之 排列座標。 如上述結束對微動載台WFS2所保持之晶圓w進行之 晶圓對準。 圖1 9A係簡略顯示對此晶圓w之晶圓對準結束後之階 段之粗動載台WCS1、WCS2之位置關係。 主控制裝置20 ’在使晶圓載台WST2待機於如圖19A 所示之位置之狀態下，等待對微動載台WFS1上之晶圓W 之曝光結束。 圖16係顯示曝光結束後一刻之晶圓載台WST1之狀 態。 主控制裝置20在曝光結束前’如圖1 5之白箭頭所示， 透過板片驅動系統5 8從圖7所示之狀態將可動板片BL往 下方驅動既定量。藉此，如圖15所示’可動板片BL上面 與位於投影光學系統PL之下方之微動載台WFS 1 (及晶圓 W)上面位於同一面上。接著，主控制裝置20在此狀態下等 待曝光結束。 接著，在曝光結束後，主控制裝置20透過板片驅動系 統58將可動板片BL往+ Y方向驅動既定量（參照圖1 6中 35 201138009 之白箭頭），並使可動板片BL接觸於或隔著3〇〇_左右之 空隙靠近於微動載台侧。亦即，主控制裝置2〇，係將可 動板片BL與微動载台WFSi設定為並列狀態。 其次，主控制裝置20如圖17所示，Γ邊維持可動板 片BL與微動載台WFS1之並列狀態，一邊與晶圓載台wsti 一體地將可動板M BL.驅動往+ Y方向（參照圖17之白箭 頭）。藉此，在與前端透鏡191之間保持之液體“所形成之 液浸空間，係從微動載台WFS1移交至可動板片bl。圖17, 係顯示以液體Lq形成之液浸空間從巧動載台wfsi移交至 可動板片BL前一刻之狀態。在此狀態下，在前端透鏡μ 與微動載台WFS1及可動板片BL之間保持有液體… 接著，如圖18所示，液浸空間從微動載台WFS1移交 至可動板片BL後，主控制裝置2〇係將保持微動載台wfsi 粗動載σ WCS1再往+ Y方向驅動，並使其移動至在前述 待機位置保持微動載台WFS2並待機之粗動載台wcs2附 近。藉此，如圖1 9B所示，成為粗動載台wcsi於内部空 間收容中央台130’且在緊鄰中央台i3〇上方支承微動載台 WFS1之狀態。亦即，藉由粗動載台WCS1將微動載台 搬送至緊鄰中央台13〇上方。圖2〇係以俯視圖顯示此時之 曝光裝置100之狀態。不過，可動板片BL之圖示係省略。 於其他俯視圖亦同。 接著’主控制裝置2〇透過中央台13〇之驅動裝置132 將台本體136往上方驅動，並使其從下方支承微動載台 WFS1 〇 ° 36 201138009 其次，在此狀態下:·，主控制裝置2〇解除未圖示之鎖止 機構’而如圖8(b)及圖21所示，使—對乂粗動載台My 分別沿X導件XCH往彼此分離之方向移動。藉此，微動载 台WFS1即可從粗動教台WCS1 _。因此，主控制裝置 20,如圖19C之白箭頭所示地將支承有微動載台則之 台本體1 3 6往下方驅動。 此後，主控制裝f 20使一 粗動載台wcsi彼此接 近並移動至保持微動載台之位置。 其次，主控制裝置2G使粗動載台WCS2A致接觸於粗 動载台WCS1，且透過微動載台驅動系統似、則將微動 載台WFS2如圖19D<白箭頭所示往—γ方向驅動，以將 微動載台WFS2從粗動載台WCS2移載（滑移）至 WCS1 〇 其次，主控制裝置20使支承有微動載台WFS2之粗動 載口 WCS 1如圖22A中之白箭頭所示移動往—γ方向，將 在與月"而透鏡191之間保持之液浸空間從可動板片bl移交 至微動載自WFS2。Λ液浸空間（液體Lq)之移交係以與前 述之液次區域從微動載台WFS 1往可動板片之移交相反 之程序進行。 ， 接著，主控制裝置2〇在曝光開始前，使用前述一 線片對·準_备D A ” 上 乐、，先RA〗、RA2、及微動載台WFS2之測量板片86 +第1基準標記等，以與一般掃描步進機相同之程 j例如’美國發明專利第5,646,41 3號說明書等所揭示之程 序）進行標線片對準。圖22B，係將標線片對準中之微動載 37 201138009 台WFS2與保持此之粗動載台wcs 1 _鈕Ss 一 起顯不。之後，主批 制裴置20根據標線片對準之結 工 ^ 不，、日日圓對準之結果（以晶 圓W上各照射區域之第2基準樟 ^ +彳己為基準之排列座標）進行 步進知描方式之曝光動作，將標 a 于铩線片R之圖案分別轉印至 晶圓W上之複數個照射區域。 匕曝九動作，在標線片對準 後，係使微動載台WFS2暫時返回至二 W主Y側，依晶圓W上 之+ Y側照射區域往一Y側照射區域之順序進行。 與上述之液浸空間區域之移交、 L ' 砂又铋線片對準及曝光並 行地，進行如以下之a〜f之動作。 a.亦即，藉由主控制裝置2〇 乂既疋程序將機器臂14〇 往X軸方向、γ軸方向及2軸方 神乃问驅動（參照圖23及圖24 之白箭頭）’中央自U0之台本體136上所載置之保持已曝 光晶圓W之微動載台WFS1，藉由機器f 14〇搬送至晶圓 更換位置ULP/ LP。圖24係顯千掷备讲△ 曰 斤、顯不微動載台WFS 1已被搬送 至晶圓更換位置ULP/ LP之妝能。+也 μ ~ 乂 <狀態此時，對微動載台WFS2 上之晶圓W之曝光仍持續進行。 b.接著，在晶圓更換位置’藉由未圖示之卸載臂及裝載 臂將微動載台WFS2上之已曝光之晶圓…更換成曝光前之 新的晶圓W。此處之卸載臂及裝載臂例如分別具有所謂貝 努里夾具。此處，於晶圓更換位置設置有未圖示之台，晶 圓更換係在微動載纟WFS1U WFS2)載置於台上之二熊; 進行。微動載纟刪1(或WFS2)位於台上時，由微㈣台 WFS1之晶圓保持具（圖示省略）與晶圓w之背面形成之減壓 至（減壓空間）係透過未圖示之供氣管路及配管連接於與加 38 201138009 厂^體之供給源連以供氣用卜又，由微動” 之曰曰圓保持具（圖示省略）與晶圓w之背面口幻 壓空間）係透過未圖示之供氣管路及配管連接於真=至。（滅 載夺糟由主控制裝置2〇使供氣用泵作動， 晶圓保持對a圓w 勃 進行 /、對日日回W之吸附解除、以及藉由從下 壓氣體以輔助貝努里灸 人出加 外’包含吸附晶圓中之時 此 MW 時點在内’在泵之停止狀態(非作動 狀態）下，伤Μ 士土固_ 。、开介動 一卡 未圖7^之單向閥之作關閉供氣管路。另 方面’在晶圓裝載時， 、志廠〜咖 軾子藉由主控制裝置2〇使真空泵作動， 減屋至内之氣體經由排 两併氣e路及配官排出至外部 内成為負壓，開始晶圓伴 至 BM示将具對日日圓W之吸附。 壓室内成為既定之壓力^#丄 安者減 力（負[)時，猎由主控制裝置2〇停止 真工泉真二果停止後，藉由未圖示之單尚Η夕你 .妇fc名與狄 m 曰由不固不之早向闕之作用關閉 排氣g路。因此，即使维&~ _ M更維持減壓至之減壓狀態，不將用以 真空吸引減壓室内之氣 :孔體之管體4連接於微動載a WFS1 (或WFS2)，晶圓w + , 切戰。 曰日圓W亦保持於晶圓保持具。因此，能 將微動載台WFSl(WFS：>、％a去必 "b 2)從粗動載台分離而無障礙地搬送。 C _在晶圓更換德，益 ^ 曰由主控制裝置20，將裝載臂ι4〇 依既定程序驅動於X站 竿由方向、Y軸方向及z軸方向，保持 新的晶圓W之微動載4 wpci 1 保符 戰。WFS1破裝載臂140搬送至中央台 130之台本體136上。罔3 _ 圖25係顯示微動載台WFS 1搬送至 中央台〗30上之動作ρ 已、'，°束之狀態。搬送結束後，中央台 130之台本體136藉由▲ ^ 王&制裝置2〇，透過驅動裝置】32 往上方被驅動既定量。 fc時’在微動載台WFS2上係持續進 39 201138009 行晶圓w之曝光。 d. 其次，藉由主控制裝置20，蔣在對準結束位置附近 待機之粗動載台WCS2往一γ方向驅動，藉此支承於台本體 136上之微動載台WFSi係如圖26所示，安裝於粗動載台 WCS2。其後’將台本體136下降驅動既定量。藉此，微動 載台WFS1支承於粗動載台WCS2。 e. 其次，藉由主控制裝置20將粗動載台WCS2往+ γ 方向驅動，而移動至測量站3〇〇。 f·其後，支承於粗動載台WCS2之微動載台WFSi上之 第2基準標記之檢測、微動載台WFS i上之晶圓w之對準 等，係以與前述相同之程序進行。接著，藉由主控制裝置 20將依晶圓對準之結果取得之晶圓w上之各照射區域之排 列座標轉換成以第2基準標記為基準之排列座標。此情形 亦使用微動載台位置測量系統70B進行對準時之微動載台 WFS 1之位置測量。圖27係顯示進行微動載台wFS 1上之 晶圓W之對準中之狀態。 圖27之狀態，係與前述圖14之情形相同之狀態，亦 即對位於曝光站200之微動載台WFS2所保持之晶圓W進 行上述曝光，且對位於測量站300之微動載台WFS 1所保持 之晶圓W進行對準中之狀態。 其後’藉由主控制裝置20，依序使用微動載台WFS1、 WFS2反覆進行與前述相同之並行處理，連續對複數片晶圓 W進行曝光處理。 此外’上述實施形態中’雖說明了粗動載台WCS 1係 40 201138009 在於内部空間收容有中央台130之狀態下，更換支持於粗 動載台WCS1之微動載台之程序，但並不限定於此，其程 序亦可係例如粗動載台WCS2在於内部空間收容中央台1 30 之位置將微動载台WFS2移交至台本體136後，使微動載台 WFS1從粗動載台WCSi滑移，其後使粗動載台wcsi移動 至於内部空間收容中央台130之位置，而從台本體136承 接微動載台WFS1。 如以上所詳細說明’根據本實施形態之曝光裝置100， 主控制褒置20 ’能將保持在曝光站200已進行曝光之晶圓 w之微動載台（WFS1或WFS2)從粗動載台wCSi移交至中 央台130之台本體136:並藉由機器臂14〇將台本體136上 之微動載台搬送至晶圓更換位置ULP/ LP。又，主控制裝 置20 ’能將保持在曝光站2〇〇已進行曝光之晶圓w之微動 载台（WFS1或WFS2)從粗動載台WCS1移載至粗動載台 WCS2,從粗動載台WCS2移交至中央台13〇之台本體I%， 並藉由機器臂140將台本體136上之微動載台搬送至晶圓 更換位置ULP/LP。無論係何者，皆在保持已曝光之晶圓 w之微動載台被搬送至晶圓更換位置uLp〆(位於連結曝 光站200與測量站300之路徑以外之位置）後進行將已曝光 晶圓更換成新的晶圓之晶圓更換。是以，能與對一個微動 載台上所料之晶圓之曝光動作至少—部分並行地，在晶 圓更換位置ULP/LP晶圓更換，即使以透過與習知相同之 手法難以進行晶圓更換之45Gmm㈣等作為處理對象亦 能在幾乎不使產能降低之情況下實現晶圓處理。 41 201138009 又’根據本實施形態之曝光裝..置1〇〇，於微動載台 WFS卜WFS2之與XY平面實質平行之一面分別設有形成= 光柵RG之測量面。微動載台WFS1(或WFS2)被粗動載台 WCS1 (或WCS2)保持成可沿χγ平面相對移動。又微動載 台位置測量系統70A(70B)具有X讀頭，該χ讀頭係於粗動 載台WCS 1之空間部内配置成與形成有光柵RG之測量面對 向，對測量面照射測量光束並接收該測量光束之來自測量 面之光。接著，藉由微動載台位置測量系統70A(70B)，根 據其X讀頭之輸出測量微動載台WFS1(WFS2)之至少在 平面内之位置資訊（包含0 z方向之旋轉資訊）。是以，能藉 由所謂背面測量精度良好地測量微動載台WFS1(WFS2)在 XY平面内之位置資訊。接著，藉由主控制裝置20，透過微 動載台驅動系統52A '或（微動載台驅動系統52A及粗動載 台驅動系統51A)、（或透過微動載台驅動系統52B、或（微動 載台驅動系統52B及粗動載台驅動系統5 1B))，根據以微動 載台位置測量系統70A(或70B)測量乏位置資訊，使微動栽 台WFS1(WFS2)單獨或與WCS1 (或WCS2)—體被驅動。又， 如上所述’由於不需於微動載台上設置上下動構件，因此 即使採用上述背面測量亦不會特別產生問題。 又’本實施形態中，由於在保持於微動載台WFS 1、 WFS2之狀態下搬送晶圓w，因此能容易地搬送大面積且薄 之晶圓W’進而能有助於產能之提升。 又’根據本實施形態之曝光裝置j 00，由於能精^良好 地驅動微動載台WFS1(或WFS2)，因此能與標線片載台 42 201138009 RST(標線片R)同步精度良好地驅動載置於此微動載台 WFS1(或WFS2)之晶圓W，而能藉由掃描曝光將標線片r 之圖案精度良好地轉印至晶圓W上。 以上，雖參照附圖說明了本發明之實施形態，但本發 明當然不限定於上述例。上述例中所示之各構成構件之各 種形狀或組合僅為一例’可在不脫離本發明主旨之範圍内 基於設計要求等進行各種變更。 例如’上述實施形態中，雖為使用載台裝置ST(具有第 1、第2載台單元SU1、SU2)之構成，但並不限定於此亦 可適用於如圖5所示僅使用一台載台單元之情形。此情形 下，只要改為在X粗動載台WCS1與未圖示搬送裝置之間 移父Μ動載台WFS 1之程序即可。此情形下，在與前端透鏡 191之間保持之液浸空間（液體Lq)之移交亦可使用前述可 動板片BL ’亦可為於γ粗動載台YC i設置液浸空間移交用 之移交構件之構成。 與晶圓上面大致同 在产置移交構件之情形，只要使具有 一面之表面之移交構件與微動載台 相隔微小間隙相鄰設置，且配置於在微動載台wFs i 移動至測罝站300時，在緊鄰投影光學系統PL下方移交液 π空間（液體Lq)之位置即可。 > 皮夕，上述實施形態中，雖係於微動載台上面、亦即 與晶圓對向之而恶士 "有光栅，但不限於此，光柵亦可形成 Π:::，/ 圓：… 带，亦I、/ 或對微動載台之裝著位置產生偏差之情 形亦爿b追隨該膨脹 偏至浏里日日圓保持具（晶圓）之位置。 43 3 201138009 又’光柵亦可配置於微動載台下面，此情形下，由於從編 碼器讀頭照射之測量光束不在微動載台内部行進，因此不 需將微動載台作成可供光透射之中實構件，能將微動載台 作成中空構造並於内部配置配管、配線等，而能使微動載 台輕量化。 此外，上述實施形態中，雖微動載台WFS 1、WFS2能 驅動於全六自由度方向，但並不限於此，只要至少能在與 χγ平面平行之二維平面内移動即可。又，微動載台WFs丄、 WFS2亦可以接觸方式支承於粗動載:台wcsi ' WCS2。因 此，作為將微動載台相對粗動載台或中繼載台加以驅動之 微動載台驅動系統，亦可是將例如旋轉馬達與滾珠螺桿（或 進給螺桿）加以組合者。 又，上述實施形態中，在測量站3〇〇對晶圓w之測量 雖係進行例如對準標記測量（晶圓對準），但除此之外（或代 替此方式）亦可進行面位置測量，其係測量晶圓貿表面在投 影光學系統PL之光轴AX方向之位置。此時，可例如美國 發明專利申請公開帛職/ 0088843 ?虎說明書所揭示，'與 面位置測量同時地進行保持晶圓之微動載台之上面之面位 置測量，iM吏用此等之結果進行曝光時之晶B %之聚焦調 又，上述實施形態雖係針對曝光裝置1〇〇為液浸型曝 光裝置之情形作了説明，但不限於此，本發明亦可非常入 適地適用於不透過液體（水）進行晶圓w : 裝置。 之曝先之乾式曝光 201138009 此外，上述實施形態中 進機之情形作了説明，但不 進機等靜止型曝光裝置。即 測罝搭載有曝光對象物.體之 量此載台之位置之情形不同 測量誤差之產生幾乎為零， 地定位載台，其結果，即能 物體上。又，本發明亦可適 以合成之步進接合（step & 置。 雖係針對本發明適用於掃描步 限於此’本發明亦能適用於步 使疋步進機等’藉由以編碼器 載台之位置’與使用干涉儀測 地’此使空氣波動引起之位置 可根據編碼器之測量値高精度 以面精度將標線片圖案轉印至 用於將照射區域與照射區域加 stitch)方式之縮小投影曝光裝 又，上述實施形態之曝光裝置1〇〇中之投影光學系統 不限於縮小系統，可以是等倍及放大系統之任一者，而投 影光學系統PL不限於折射系統’可以是反射系統及折反射 系統之任一者，此投影像可以是倒立像及正立像之任一者。 又，照明光IL不限於ArF準分子雷射光（波長i93nm)， 亦可以設KrF準分子雷射光（波長248nm)等紫外光、或F2 雷射光（波長157nm)等真空紫外光。亦可使用例如美國發明 專利第7，G23,61G號說明書所揭示之，以摻有鉢（或铒及鏡兩 者）之光纖放大器，將從DFB半導體雷射或光纖雷射振盪出 之紅外線區或可見區的單一波長雷射光予以放大作為真空 紫外光，並以非線形光學結晶將其轉換波長成紫外光之2 波。 J ' '卜句噼元衮置 100之照日月 光IL不限於波長i〇〇nm以上之光，當然亦可使用未滿波肩 45 201138009 100nm之光。本發明亦能適用於使用例如軟χ線區域（例如

5〜15nm 之波長帶）之 EUV(Extreme Ultraviolet)光之 EUV 曝光裝置。除此之外，本發明亦能適用於使用電子射線或 離子束等帶電粒子束之曝光裝置。 又，上述實施形態中，雖使用於具光透射性之基板上 形成既定遮光圖案（或相位圖案’減光圖案）的光透射性光罩 (標線片），但亦可使用例如美國發明專利第6,778,257號說 明書所揭示之電子光罩來代替此光罩，該電子光罩（亦稱為 可變成形光罩、主動光罩、或影像產生器，例如包含非發 光型影像顯示元件（空間光調變器）之一種之DMD(Digital Micro — mirror Device)等）係根據欲曝光圖案之電子資料來 形成透射圖案、反射圖案、或發光圖案。使用該可變成形 光罩之情形時，由於裝載晶圓或玻璃板等之載台係相對可 I成形光罩被掃描，因此使用編碼器系統及雷射干涉儀系 統測量此載台之位置，即能獲得與上述實施形態同等之效 果。 、 此外，上述實施形態中待形成圖案之物體（被照射能量 束之曝光對象之物體）並不限於晶圓，亦可係玻璃板、陶瓷 基板、膜構件、或者光罩基板等其他物體。 曝光裝i 1〇〇之用途並不限定於半導體製造用之曝光 裝置，亦可廣泛適用於例如用來製造將液晶顯示元件圖案 轉印至角型玻璃板之液晶用曝光裝置，或製造有機此、薄 膜磁頭、攝影元件（CCD等）、微型機器及DNA晶片等的曝 光裝置。X，除了製造半導體元件等微型元件以外為了 46 201138009 製造用於光曝光裝置、EUV(極遠紫外線）曝光裝置、χ射線 曝光裝置及電子射線曝光裝置等的標線片或光罩，亦能將 本發明適用於用以將電路圖案轉印至玻璃基板或矽晶圓等 之曝光裝置。 又，本實施形態之曝光裝置100,可將包含各構成要素 之各種次系統，以保持既定之機械精度、電氣精度、光學 精度之方式組裝來製造。為確保此等各種精度，於組裝前 後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調 整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各 種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統 至曝光裝置之組裝製程，係包含各種次系統相互之機械連 接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從 各種次系統至曝光裝置之組裝製程前，係有各次系統個別 之 '組裝製程。當各種次系統至曝光裝置之組裝製程結束 後，即進行综合調整，；以確保曝光裝置整體之各種精度。 此外，曝光裝置之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管 理之潔淨室進行。 其次，說明在微影製程中使用了上述實施形態之曝光 裝置及曝光方法之微型元件之製造方法。圖28，係顯示微 型兀件（1C或LSI等半導體晶片、液晶面板、cCI) '薄膜磁 頭、微型機器等）的製造例流程圖。 、 首先，步驟S10(設計步驟）中，係進行微型元件之功能 /性能设計（例如半導體:元件之電路設計等），並進行用以實 現該功能之圖案設計。接著，步驟S11(光罩製作步驟）中， 47 201138009 係製作形成有所設計電路圖案之光罩（標線片）。另一方面 步驟m(晶圓製造步驟）中，係使用各等材料來製造晶圓。 其次，步驟S13(晶圓處理步驟）中，係使用在步驟w 〜步驟S12所準備的光罩與晶圓，如後述般，藉由微影技 術等將實際電路㈣成於晶H次，步驟S14(元件組 裝步驟）中’使用在步驟S13所處理之晶圓進行元件組裝。 於此步驟S 14巾，係視需要而包含切割製程、接合製程及 封裝製程（晶片封入）等製程。於此步驟S14中’係視必要情 形而包含切割製程、接合製程及封裝製程（晶片封入p最 後，步驟S15(檢查步驟)中’係進行在步驟Sl4製作之微型 元件的動作確認測試、耐久測試等檢查。在經過上述步驟 後微型元件即告完成，並將之出貨。 圖29，係顯示半導體元件中步驟su之詳細步驟例之 圖。 步驟S21 (氧化步驟），係使晶圓表面氧化。步驟 S22(CVD(化學氣相沉積）步驟），係於晶圓表面形成絕緣 膜。步驟S23(電極形成步驟），係藉由蒸鍍將電極形成於晶 圓上。步驟S24(離子植入步驟），係將離子植入晶圓。以上 步驟S21〜步驟S24之各步驟，係構成晶圓處理之各階段的 前處理步驟，並視各階段所需處理加以選擇並執行。 晶圓處理的各階段中，當結束上述前處理步驟時，即 如以下進行後處理步驟。此後處理步驟中，首先，步驟 S25(光阻形成步驟），將感光劑塗布於晶圓。接著，步驟 S26(曝光步驟），使用以上說明之微影系統（曝光裝置）及曝 48 201138009 光方法將光罩之電路圖案轉印至晶圓。其次，舟稱 7邵S27(顯 影步驟）’使曝光之晶圓顯影，步驟S28(M刻步驟），- / 賴·由名生 刻除去光阻殘存部分以外部分之露出構件。接著，步驟 S29(光阻除去步驟）中，除去結束蝕刻後不需要之光阻。藉 由反覆進行此等前處理:步驟及後處理步驟，來於晶圓上形 成多重電路圖案 本發明之一實施形態之載台裝置’係藉由使一對第2 移動體沿導引構件往彼此分離之方向移動，而能將以—對 第2移動體支承之保持構件在保持有物體之狀態下從—對 第2移動體容易地解除支承並使之脫離。 本發明之一實施形態之曝光裝置，即使在處理大型化 之基板之情形，亦可將以一對第2移動體支承且保持基板 之保持構件在保持有基板之狀態下從一對第2移動體容易 地解除支承並使之脫離後進行更換等。 本發明之一實施形態之驅動方法，係藉由使一對第2 移動體沿導引構件往彼此分離之方向移動，而能將以一對 第2移動體支承之保持構件在保持有物體之狀態下從一對 弟2移動體容易地解除支承並使之脫離。 本發明之一貫施形態之曝光方法’即使在處理大型化 ·» 之基板之情形，亦可將以一對第2移動體支承且保持基板 之保持構件在保持有基板之狀態下從一對第2移動體容易 地解除支承並使之脫離後進行更換等。 【圖式簡單說明】 49 201138009 圖1係概略顯示一實施形態之曝光裝置之構成的圖。 圖2係省略圖1之曝光裝置一部分後所示之俯視圖。 圖3係放大圖1之中央台附近後所示之圖。 圖4係載台裝置之外觀立體圖。 圖5係載台裝置之局部分解立體圖。 圖6顯示圖1之曝光裝置之控制系統構成之方塊圖。 圖7係用以說明圖1之曝光裝置所具備之可動板片之 圖8係顯示X粗動載台已分離之狀態之晶圓載台之前 視圖 圖9係顯示晶圓載台之俯視圖。 圖10係顯示構成微動載台驅動系統之磁石單元及線圈 單元之配置的俯視圖。 圖11A係從_ γ方向所視、構成微動載台驅動系統之 磁石單元及線圈單元之配置的側視圖。 圖11B係從+ X方向所視、構成微動載台驅動系統之 磁石單元及線圈單元之配置的側視圖。 圖12A係用以說明將微動載台驅動 軸方向時之驅 動原理的圖。 之驅 圖12B係用以說明將微動載台驅動於 叙；5 平田万向時 動原理的圖。 之驅 圖12C係用以說明將微動載台驅動於 叙E 神万向時 動原理的圖。 之圖 圖13A係用以說明掃描曝光時之晶圓之驅動 万/套 50 201138009 圓之驅動方法之圖。 卜第2並行處理之圖。 可動板片之間進行之液 可動板片之間進行之液 圖13B係用以說明步進時 ▽ <晶 圖14係使用微動載台進行之第 圖1 5係用以說明在緝動載台與 浸空間（液體Lq)之移交之圖。 圖1 6係用以說明在微動載台與 浸空間（液體Lq)之移交之圖。 圖1 7係用以說明在微動截A彻 初取σ與可動板片之間進行之液 浸空間（液體Lq)之移交之圖。 圖18係用以說明在微動載台與可動板片之間進行之液 浸空間（液體Lq)之移交之圖。 圖19A係用以說明使用微動載台進行之並行處理之圖。 圖19B係用卩說明使用微動載台進行之並行處理之圖。 圖19C係用以說明使用微動載台進行之並行處理之圖。 圖19D係用以說明使用微動載台進行之並行處理之圖。 圖20係與圖19B之狀態對應之俯視圖。 圖2 1係用以說明使用微動載台進行之並行處理之圖。 圖22A係用以說明使用微動載台進行之並行處理之圖。 圖22B係用以說明使用微動載台進行之並行處理之圖。 圖23係用以說明使用微動載台進行之並行處理之圖。 圖24係用以說明使用微動載台進行之並行處理之圖。 圖25係用以說明使用微動載台進行之並行處理之圖。 圖20係用以說明使用微動載台進行之並行處理之圖。 圖27係用以說明使用微動載台進行之並行處理之圖。 圖2 8係顯示微型元件之製程一例之流程圖。 51 201138009 圖29係顯示圖28之晶圓處理步驟之詳細步驟一例之 圖。 【主要元件代表符號】 5 液體供應裝置 6 液體回收裝置 8 局部液浸裝置（液浸裝置） 10 照明系統 11 標線片載台驅動系統 12 底盤. 13 標線片干涉儀 15 移動鏡 ’ 16A，16B 晶圓載台位置測量系統 20 主控制裝置（控制裝置） 22A，22B 相對位置測量器 32 嘴單元（液浸構件） 40 鏡筒 5 1 A, 5 1 B 粗動載台驅動系統 52A, 52B 微動載台驅動系統(驅動裝置） 55, 57 YZ 線圈 55ls 552, 553 YZ 線圈 55a 上部繞組 55b 下部繞組 56 X線圈 52 201138009 5 8 板片驅動糸統 65a, 65b 永久磁石 65al, 65a2, 65a3, 65a4, 65a5 永久磁石 65bl, 65b2, 65b3, 65b4, 65b5 永久磁石 66a 1, 66a2 永久磁石 66b 1, 66b2 永久磁石 67a, 67b 永久磁石 70A 微動載台位置測量系統（測量裝置、第1測量裝 置） 70B 微動載台位置測量系統（測量裝置、第2測量裝 置） 71A, 71B 測量臂 72A, 72B 支承構件 73 編碼器系統 73X X線性編碼器 73ya, 73yb Y線性編碼器 75 雷射干涉儀系統 75a, 75b, 75c 雷射干涉儀 81 本體部 82 可動件部 82a 板狀構件 83 板片 86 測量板片 92 側壁部 53 201138009 93 固定件部 94, 95 空氣軸承 96 缺口 99 對準裝置 100 曝光裝置 130 中央台（支承裝置） 132 驅動裝置 134 軸 136 台本體 140 機器臂 150 固定件 151 A 可動件 152 固定件 153A 可動件 154, 155 貫通孔 156 X驅動用線圈 156A 可動件 191 透鏡（光學元件、光學構件） 200 曝光站（處理位置、第 1處理位置） 300 測量站（處理位置、第 2處理位置） AL1, AL2i〜 AL24 對準系統 ΑΧ 光軸 BD 主框架 CU 線圈單元 54 201138009 FLG 突緣部 IA 曝光區域 IAR 照明區域 IL 照明光

Lq 液體 MU 磁石單元 PL 投影光學系統 PU 投影單元 R 標線片 RA! ' RA2 標線片對準系統 RG 光桃 RST 標線片載台 ST 載台裝置 SU1, SU2 第1、第2載台單元 ULP/LP 晶圓更換位置 W 晶圓（物體） WCS1, WCS2 X粗動載台（第2移動體） WFS1, WFS2 晶圓微動載台（保持構件、微動載台） WST1, WST2 晶圓載台 XG1, XG2 X導件（導引構件） XGY1 X導件 XM1 X馬達 YC1, YC2 Y粗動載台（第1移動體） YM1, YM2 Y線性馬達 55

Claims (1)

1. 201138009 七、申請專利範圍： 1 笛-種載台裝置，其特徵在於， 第1移動體，具有延伸於 〃 於與前述筮丨七& 、币1方向之導引構件，移動 :方向大致正交之第2方向； 子第2移動體，設置 ‘ 述第1方向移動自如，藉由前这Γ述導引構件獨立於前 述導引構件—起移動於一” 移動體之移動而與前 移動於刖述第2方向；以及 可保持物體且被前述2移動體支承 移動自如W述第1方向及前述第2方向之二維平面内 構件具有::專利範圍第1項之載台裝置，其中，前述保持 量之從與保持前述物體之保持面相反側之面進行測 量面’且具有可從與前述保持面相反側測量前述測 取得與前述保持構件位置相關之資訊之測量裝置。 3:申請專利範圍第2項之載台裝置，其中，前述保持 前、/至少一部分具有光可於其内部行進之中實部，且於 叫呆^面側具有與前述中實部對向配置之前述測量面； 少於則述測量面配置以與前述第丄方向及第2方向之至 夕一方平行之方向為週期方向之光栅； 前，别述測直裝置，藉由從前述相反側將測量光束照射於 ^述測置面，並接收來自前述光柵之前述測量光束之返回 一以測量刖述保持構件在前述二維平面内之位置資訊。 4.如申請專利範圍第2或3項之載台裝置，其中，前述 里裒置係在對前述物體進行既定處理之處理位置測量與 56 201138009 前述保持構件位置相關之資訊。 5.如申請專利範圍第1 i 4項中仁 具有設於-對前述第2移動體盘：、壬-項之載台裝置’其 述保持構件相對-對前述第2移=持構件之\將前 動裝置。 杪動體以六自由度驅動之驅 6·如申請專利範圍第 具備分别目士 1 貝f任—項之載台裝置，其 刀別有月_』述第丨移動體 2載台單开义.股與别迷第2移動體之第丨、第 ’别述第1及第2載a簞- 前述保持構件並獨立移動。冑…，可分別支承個別之 7·如申凊專利範圍第6 △ 量#罟. 之载口裝置’其具有：第1測 測量I $ 1 π & 牛之别述物體之保持面相反側 J里與支承於前述第1載a 、 關之資訊；以及 〇疋之則述保持構件之位置相 第2測量裝置，係在與 從i你，、則述弟1測量裝置不同之位置， 破與則述保持構件之前述 於前述第2載▲ 持相反側測量與支承 σ Χ之刚述保持構件之位置相關之資訊。 例專利範圍第7項之载台裝置，其中，前述第】 、置裝置係在對前述物體 普φ此丄 弟處理之第1處理位置測 里/、别述物體位置相關之資訊； 、 前述第2測量裝置係在進行前述第 理夕筮^ ^ 2 第處理位置測量與前述物體位置相關之資訊。 9’如申請專利範圍第8項中任一項之载台裝置， :、、有控制裝置’該控制裝置係控制成使前述保持構 處第1載台單元與前述第2載台單元之間更換。 ’ 57 201138009 Η).如申請專利範圍第9項之載台裝置 置’該支承裝置係在前述第1處理位置與前逃第！= 置之間支承前述保持構件。 乐2處理位 η.如申請專利範圍第10項之載台裝置 义 制裝置’在前述支承裳置與前述第2移動體之、移 保持構件時，係使前述一對第2 間移父別述 往彼此相反方向移動。 移動體在則述導引構件上 12. —種曝光裝置，係藉由能量 物體進行曝光，其特徵在於： ’、夺於载台裝置之 之載台裝置作 具備申請專利範圍第1至11項中任一 為前述載台裝置》 其中，前述物 13. 如申請專利範圍第12項之曝^裝置 體之更換，係與前述保持構件一體進行。 14. 如申請專利範圍第 步具備：光學構件，…山 曝先裝置，其進- 液浸裝置，具有科述能量束之射出面，·以及 體之前if保垃、該光學構件與保持於前述第2移動 保持構件之間供應液體之液浸構件。 種兀件製造方法，其特徵在於，包含： 吏用申明專利範圍第12至14項中任一項之曝光穿置 使物體曝光之步驟H 頁之曝先4置 ::刖述已曝光之物體顯影之步驟。 驅動方法，係使保持有物體之保持構件在包含 第〗方向及與前逑苐 移動，其特徵在於且右交之第2方向之二维平面内 具有· 58 201138009 使具有延伸於前述第1 移動於前述第2方向之步驟；°之導引構件之第1移動體 :方向述導::構:獨立移動自如於前… 前述導引構件 冑猎由則述第1移動體之移動而與 二1丨！ 了—起移動於前述第2方向之步驟；以及 槽由前述一對第2 持構侔B *二 移動體支承保持前述物體之前述保 冓件，且使前述一對第2孩紅 ’、 動，以佶 移動體沿前述導引構件同步移 “保持構件移動於前述第！方向之步驟。 分二：請專利範圍第16項之驅動方法，其中，係設置 :、有別述第"多動體與前述第2移動體之第i、第2栽 :广在前述二維平面内分別獨立驅動被第1載台單元 承之一保持構件與被第2載台單元支承之另一保持構件。 18.如申請專利範圍第16或17項之驅動方法其具有 二前.述保持構件之前述物體之保持面相反側測量與前述 保持構件之位置相關之資訊之步驟。 L9.—種曝光方法，係、驅動保持物體之載台，藉由能量 束對前述物體進行曝光，其特徵在於： 使用申請專利範圍帛16至18項中任一項之驅動方法 驅動前述載台。 2〇.—種元件製造方法，其包含： 使用申請專利範圍第19項之曝光方法使物體曝光之動 作；以及 使已曝光之前述物體顯影之動作。 59