TW201127781A - Devices for high-frequency technology, liquid-crystalline media and compounds - Google Patents

Description

201127781 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用於高頻技術之新穎裝置、尤其是用於高 頻設備（特定而言天線）、尤其用於千兆赫茲區之裝置，其 係在微波或毫米波區内作業。該等裝置使用特定液晶化學 化合物或由其構成之液晶介質用於（例如）使可調諧相控陣 列天線或基於「反射陣列」之微波天線之可調諧單元的微 波發生相移。 【先前技術】 最近，業内亦已提出用於高頻技術用（尤其用於微波技 術用）裝置中之液晶介質，例如DE 10 2004 029 429 A及JP 2005-120208 (A)中所述。 長期以來，液晶介質已用於電光顯示器（液晶顯示器-LCD)中以顯示資訊。 然而，最近，業内亦已提出用於微波技術用裝置中之液 晶介質，例如，DE 10 2004 029 429 A及 JP 2005-120208 (A) 中所述。 液晶介質在高頻技術中之有工業價值之應用係基於其介 電性質（尤其對於千兆赫茲區）可藉由可變電壓得以控制之 性質。此可構造不含任何移動部件之可調諧天線（Gaebler， A.，Moessinger，A.，Goelden，F.等人，「Liquid Crystal-Reconfigurable Antenna Concepts for Space Applications at Microwave and Millimeter Waves」，International Journal of Antennas and Propagation，第 2009卷，文件編號 876989，（2009)，第 1至7 151886.doc 201127781 頁，DOI:10.1155/2009/876989)。

Penirschke, A., Muller, S., Scheele, P., Weil, C., Wittek, Hock，C· and Jakoby，R. :「Cavity Perturbation Method f〇r Characterisation of Liquid Crystals up to 35 GHz」，第 34屆歐洲微 波會議(European Microwave Conference)- Amsterdam，第 545至 5斗8頁尤其闡述了已知單液晶物質K15 (Merck KGaA， Germany)在9 GHz頻率下之性質。 DE 10 2004 029 429 A闡述液晶介質在微波技術、尤其 移相器中之用途。DE 10 2004 029 429 A業已研究液晶介 質在相應頻率範圍中之性質。 然而，迄今已知之組合物受到缺點之困擾。除其他缺陷 外，大部分缺陷會不利地產生高損耗及/或不充分相移或 低材料品質（η)。 就在高頻技術中之應用而言，需要具有特定、迄今為止 相當獨特之傑出性質、或性質組合之液晶介質。 因此，業内需要具有經改良性質之新穎液晶介質。特定 而言，必須減小在微波區中之損耗且必須改良材料品質。 另外，業内仍需要改良裝置之低溫特性。在此，需要改 良作業性質亦及儲存穩定性二者。 因此，業内迫切需要具有適用於相應實際應用之性質之 液晶介質》

Larios-Lopez, L., Navarro-Rodriguez, D., Arias-Marin, E. M., Moggio, I.及Reyes-Casteneda, C. V.，Liquid Crystals, 2003第 30 卷，第4期，第423至433頁闡述具有5個及具有7個苯環之寡 151886.doc 201127781 (對本基），其在末端位置中且在一些側向位置中由炫氧基 取代。該等化合物均具有高熔點。

Banerjee M·，Shukla，R·及 Rathore, R.，j. Am· Chem· s〇c 2009，第131卷，第178(M786頁及相關「支援資訊 (supporting inf〇rmati〇n)」闡述末端經取代之六_及七-對_ 伸苯基，其同樣均為高熔點化合物。 下式之側向經取代十苯基

R

R (其中k=l、2或3且R=正己基或正十二烷基）揭示於Rehahn， Μ‘及 Galda，P.，Synthesis 1996，第 614 至 620 頁（D〇l: 10_1055/s-1996-4260)中。 在中心伸苯基環上具有額外烷基取代基之貝斯特蘭 (bistolan)化合物（亦稱作三苯基二乙炔）已充分為熟習此項 技術者所知。 舉例而言，Wu，S.-T.，Hsu，C._S.及 shyu，K._F，Appl

Phys. Lett·，74 (3)，（1999)，第 344-346頁揭示下式含側向 甲基之各種液晶貝斯特蘭化合物： ch3

CnH2n+1-^C=C-^-C=CHQ^mH2m+1 Ο

除含側向曱基之此類液晶貝斯特蘭化合物外，Hsu，C S.，ShyU，K. F·，Chuang，Y. YiWu，s _T” Liq Cryst，27 (2)，（2〇00)，第283至287頁亦揭示含側向乙基之相應化合 151886.doc -6- 201127781 物並提出其尤其在液晶光學相控陣列中之用途。 除下式之強介電正性異硫氰基貝斯特蘭化合物外， Dabrowski, R., Kula5 p.5 Gauza, S., Dziadiszek, J., Urban, S.及 Wu, S.-T·，IDRc 08，（2008)，第 35 至 38 頁亦提及在中 心環上具有側向曱基及無側向曱基之介電中性貝斯特蘭化 合物

A. Gaebler，F. Goelden，S· Miiller，A· Penirschke及R. Jakoby 「DirectSimulationofMaterialPermittivitesusinganEigen-Susceptibility Formulation of the Vector Variational Approach」， 12MTC 2009-國際儀器與量測技術會議（International Instrumentation and Measurement技術 Conference), Singapore, 2009 (IEEE)，第463至467頁闡述了已知液晶混合物E7(同 樣，Merck KGaA，Germany)之相應性質。 DE 10 2004 029 429 A闡述液晶介質在微波技術、尤其 移相器中之用途。DE 10 2004 029 429 A業已研究液晶介 質在相應頻率範圍中之性質。另外，其亦提及包含以下化 合物之液晶介質：下式化合物： 151886.doc

CnH2n+-

與下式化合物： £ 201127781

F

及

CnH2n+r~^^-C=C—NCS o 然而’該等迄今已知之組合物受到嚴重缺點之困擾。除 其他缺陷外’大部分缺陷會不利地產生高損耗及/或不充 分材料品質。 就該等應用而言’需要具有特定、迄今為止相當獨特之 傑出性質、或性質組合之液晶介質。 因此’業内需要具有經改良性質之新穎液晶介質。具體 而言，必須減小在微波區中之損耗且必須改良材料品質。 另外，業内需要改良裝置之低溫特性。在此，亦 良作業性質及貯存期。 要改 因此，業内迫切需要具有適用於相應實際應用之性質之 液晶介質。 【發明内容】 令人驚奇地，現在已發現可獲得用於高頻技術之裝置， 其不具有先前技術之材料的缺點或僅具有相當少 田 董之上述 缺點，若選擇，使用液晶化合物或包含該等化合物 質。 D 介 因此，本發明係關於用於高頻技術或用於電磁波譜之微 波區及/或毫米區之裝置，其特徵在於其含有包含組份A或 151886.doc 201127781 由其組成之液晶介質，該組份A包含一或多種（較佳）式工化 合物，其具有6個至15個5員、6員或7員環、較佳M-連接 之伸笨基環，該等環可視情況經取代

其中 R及R 彼此獨立地表示鹵素（較佳為F或C1)、各自具有 1至15個C原子之未經氟化之烷基或經氟化之烷 基或未經氟化之烷氧基或經氟化之烷氧基、或 ' 各自具有2至15個C原子之未經氟化之烯基或經 氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之 烷氧基烷基或經氟化之烷氧基烷基，其中，另 外’一或多個「-CH2-」基團可彼此獨立地由 具有3至6個C原子、較佳具有4或6個C原子之環 烷基代替，且另一選擇為，另外，Rn&R丨2中 之一者或與R丨2二者均表示H， 較佳地， R及R 彼此獨立地表示各自具有1至7個c原子之未經 氟化之烷基或未經氟化之烷氧基、或各自具有 2至7個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之 烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基， 尤佳地， 151886.doc 201127781 R11 表不具有1至7個c原子之未經氟化之烷基、 或各自具有2至7個C原子之未經氟化之烯 基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基 烷基，且 尤佳地， R12 表不各自具有1至7個C原子之未經氟化之烷基 或未經氟化之烷氧基，且 L11 至 L14 i 在每次出現時在每一情形下彼此獨立地表示 H、具有1至15個C原子之烷基、F或C1，且 表示在ό至15、較佳6或8至12、且尤佳6或9至 1〇之範圍内之整數， 且較佳地 所存在取代基中之至少二者 L11 至 L14 具有不為Η之含義，且其較佳表示烷基，且 R11 表示 CnH2n+1 或 CH2=CH-(CH2)Z，且 R12 表示 CmH2in+丨或 O-CmHh+丨或（CH2)Z-CH=CH2， 且其中 η及m 彼此獨立地表示在〇至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為1至5，且 Z 表示〇、1、2、3或4’較佳為〇或2。 本發明同樣係關於式I化合物，其中R"及R!2二者均具有 不為Η之含義。 較佳者為式I化合物或式I化合物之用途，其中 在i等於6至8之情形下， 151886.doc -10- 201127781 L至L4在每次出現時在每一情形下彼此獨立地表示 H、具有1至8個C原子（尤其具有2至5個（：原子） 之院基、F或C1，且 所存在取代基L11至1^4中之較佳至少二者表示烷基， 在i等於9至12之情形下， L至L14在每次出現時在每一情形下彼此獨立地表示 H、具有3至10個C原子（尤其具有4至8個^原子） 之烧基、F或C1，且 所存在取代基L"至之較佳至少三者、尤佳至少四者 表不燒基， 在i等於13至15之情形下， L至L 在每次出現時在每一情形下彼此獨立地表示 H、具有5至15個（：原子（尤其具有6至12個〇原 子）之烷基、F或C1，且 1 表示在6至15、較佳6或8至12且尤佳6或9至1〇 之範圍内之整數，且 所存在取代基L"至L"中之較佳至少四者、尤佳至少六者 表示炫基。 組份A較佳具有在大於_5.〇至小於1〇 〇範圍内之介電各向 異性且由具有8個或更多個5員、6員或7㈣之化合物組 成。 尤佳者係具有液晶相之式“匕合物。 在本發明一較佳實施例中”且份A包含-或多種幻化合 物’其較佳選自式IA及IB化合物之群： 151886.doc -11· 201127781

C Η 丨 2n+1 ΙΑ

C„H

Ή2η+1

IB 其中 n及m 彼此獨立地表示1至U、較佳3至12之整數， P 表示1至4、較佳2之整數， q (p+q) 表示1至6、較佳1或4之整數，且 表示4至12、較佳4、6或8之整數。 在本發明一較佳實施例中，組份A包含一或多種式认化 合物’其選自式IA-1及IA-3化合物之群：

IA-1

151886.doc k IA-2 •12· 201127781

κ 表示2。 在本發明一較佳實施例中’組份 77 Α包含一或多種式汨化 合物’其選自式IB-1及IB-2化合物之群.

IB-2。 在本發明又一較佳實施例中，用於高頻技術之裝置含有 液晶介質，其除包含組份A之外，亦包含至少一種其他組 份（組份B)，該組份B同樣較佳具有在大於-5.0至小於10·0範 圍内之介電各向異性且由一或多種式IV化合物組成

其中

S 151886.doc •13· 201127781

至、a43V- w 中之一或多者表示

R43 表示 R至R 彼此獨立地具有針對R】1所給出之含義，較佳為 各自具有1至15個C原子之未經氟化之烷基或未 經氟化之烷氧基 '或各自具有2至15個C原子之 未經氣化之婦基、未經氟化之烯氧基或未經氟 化之烷氧基烷基， 較佳地， R41及R42彼此獨立地表示各自具有1至7個C原子之未經 氟化之烧基或未經氟化之炫氧基、或各自具有 2至7個C原子之未經氟化之稀基、未經說化之 烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基， 尤佳地， 151886.doc • 14· 201127781 表不具有1至7個C原子之未經氟化之烷基、或 各自具有2至7個C原子之未經氟化之烯基、未 經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基，且 尤佳地， R42 ± , 表不各自具有1至7個c原子之未經氟化之烷基 或未經氟化之烷氧基，且 較佳地， R43 主- 表不具有1至5個C原子之未經氟化之烷基、具 有3至7個C原子之未經氟化之環己基、各自具 有4至12個C原子之未經氟化之烷基環己基或未 經氟化之環己基烷基、或具有5至15個^原子之 未經氟化之烷基環己基烷基，較佳為正烷基， 尤佳為甲基、乙基或正丙基， z 及 Z42 彼此獨立地表示 _C = C-、-CF=CF-、-CF=CH-、 -CH=CF或-CH=CH-，較佳為或-CF=CF-， 較佳地，z41及z42二者均表示 -CsC·。 根據本發明又一較佳實施例，用於高頻技術之裝置含有 液晶介質，該液晶介質包含 第組伤，即組份A，其由一或多種上文給出之式I化 合物組成，及 或夕種其他组份，其選自下文定義之組份6至£之 群， 組伤B，其較佳具有在大於_5.〇至小於1〇〇之範圍内之 介電各向異性且較佳由上文給出之式IV化合物組成， 151886.doc 201127781 _強介電正性組份，即組份C，其具有Π).()或更大之介電 各向異性， 強介電負性組份’組份D’其具有-5.0或更小之介電各 向異性， 又一組份，即組份Ε，其同樣具有在大於_5 〇 王’、 iO.O範圍内之介電各向異性且由具有至多5個$3 0員、6員 或7員環之化合物組成。 5員環之典型實例係

及其他 6員環之典型實例係

7員環之典型實例係 及 15I886.doc 201127781 5員、6員及7員環亦包括飽和及部分 環 观和環、以及雜 出於本申請案之目的’在將化合物

f曰派為組份A成E 個7員環 時。，由該等環中之兩者組成之稠合環系統，即，例如兩個 5貝％、一個5員環及一個6員環、一個5員環及 或兩個6員環，例如，

視為該等5員、6員或7員環中之一者。 相應地’將由在縱向方向上納人分子中之該等環中 者或更多者之組合組成的稍合環系統，例如，、之

視為該等5員、6員或7員環中之二者。 相反’在橫向方向 例如， s 鯽入刀子中之稠合環系 151S86.doc 201127781

視為該等5員或6員 員％中之—者。 本毛明同樣係關於緊鄰之前之液晶介質及彼等下文 者及其在電光顯示器及高頻技術用裝置中之用途 【實施方式】 在本發明一較佳實施例中，液晶介質包含 、較佳式IVA化合物 R43

XVA R41— 151886.doc -18 · 201127781 其中各參數具有上文給出之含義。 式IVA化合物尤佳選自式IVA_^IVA_3、較佳式IVA1&/ 或IVA-2及/或IVA-3、較佳式IVA-1及IVA-2之化合物之 群’該等化合物更佳主要由其組成，甚至更佳基本上由其 組成且極佳完全由其組成： CHg r-_^_c=c_^_csc_<q^r42 iva_ ι

R

C=C p2^5

IVA-2

IVA-3 其中 A4 表示具有1至6個C原子之環烷基，較佳環丙 基、環丁基或環己基’尤佳環丙基或環己基且 極佳環丙基， 且其他參數具有上文針對式I所述之相應含義，且較佳 地， R41 表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基，且 R 表不具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具 有1至7個C原子之未經氟化之烷氧基。 151886.doc •19· 1 201127781 本發明之該等介質較佳包含一種組份匚且不包含組份 D，或反之亦然。 除組份A外，本發明之該等介質亦較佳包含選自兩個組 份C及D及視情況額外組份8及/或組份E之組份。 本發明之該等介質較佳包含兩個、三個或四個、尤佳兩 個或二個選自組份A至E之群之組份。該等介質較佳包含 -組份A及組份B，或 -組份A及組份C，或 -組份A、組份B及組份C，或 -組份A、組份B及/或組份C及組份E，或 -組份A及組份D，或 -組份A、組份B及組份D，或 -組份A、組份B及/或組份d及組份E。 強介電正性組份，即組份C之介電各向異性為較佳20 0 或更高、更佳25.0或更高、尤佳30.0或更高且極佳4〇〇或 更高。 強介電負性組份，即組份D之介電各向異性為較佳_7 0 或更小、更佳-8.0或更小、尤佳-10.0或更小且極佳_i5.〇或 更小。 在本發明一較佳實施例中，組份C包含一或多種選自式 IIA至IID化合物之群之化合物：

IIA 151886.doc -20- 201127781

IIB

IIC

IID 表示各自具有1至15個c原子之未經氟化之烷基 或未經氟化之烷氧基、或各自具有2至15個C原 子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未 經氟化之烧氧基烷基，較佳為烷基，尤佳為正 烷基， 表示H、各自具有1至5、較佳！至3、尤佳3個（： 原子之未經氟化之烧基或未經氟化之院氧基，

彼此獨立地且若其出現一次以上則該等亦 在每一情形下彼此獨立地表示

151886.doc •21 - 201127781 ♦ 或F ，較佳

η及m 彼此獨立地表示1或2，較佳地， (n+m) 表示3或4，且尤佳地， η 表示2， X2 表示F、Cl、-CF3或-OCF3，較佳F或C1，尤佳 F， Υ2 表示F、C卜-CF3、-OCF3或CN，較佳CN，且 ζ2 表示Η或F。 式IIA之較佳化合物係相應子式ΠΑ_丨之化合物 其中R21具有上文給出之含義。 式ΙΙΒ之較佳化合物係相應子式πβ·1&Πβ_2之化合物：

151886.doc

F F •22- 201127781

IIB-2 其中R21具有上文給出之含義。 式lie之較佳化合物係相應子式iic·丨及nc_2之化合物：

cf2-o

F

IIC-2 其中R 、R及又2具有上文給出之相應含義。 式IID之較佳化合物係相應子式nD丨之化合物

卜 cf2-〇 f 其中R21具有上文給出之相應含義。 在本發明一較佳實施例中，組份D包含一或多種選自式 IIIA及IIIB化合物之群之化合物：

201127781 其中 R31 及 R32 彼此獨立地具有上文針對式ΠΑ中之R21所述含 義， 且較佳地 R31 表示 CnH2n+i 或 CH2=CH-(CH2)Z，且 R32 表不 CmH2m+丨或 〇_CmH2m+丨或（CH丄_ch=CH2， 且其中 η及m 彼此獨立地表示在〇至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為丨至5，且 Z 表示〇、1、2、3或4，較佳為〇或2。 此處，特定而言，（r3i&r32)之較佳組合係（CnH2n+i及

CmH2m+1)及（CnH2n+1 及 〇_cmH2m+1)。 式IIIB之較佳化合物係子式IIIB_丨及πΐΒ_2之化合物：

IIIB-2 其中 11 各自具有上文針對式ΠΙΒ給出之含義，且較值 彼此獨立地表示在1至7之範圍内之整數。 在本申明案一較佳實施例中，液晶介質額外包含又一組 份（組份E)’其較佳由—或多種選自式V至IX化合物之蛘之 化合物組成： 151886.doc •24- v201127781

VIII

VI VII

IX 其中 L51 表示 R51 或 X51， L52 表示 R52或 X52， R51及R52彼此獨立地表示H、具有1至17個、較佳3至1 〇 個C原子之未經氟化之燒基或未經氟化之烧氧 基、或具有2至15個、較佳3至1〇個C原子之未 經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化 之烷氧基烷基，較佳係烷基或未經氟化之烯 基， X51及X52彼此獨立地表示Η、F、Cl、-CN、_NCS、 _SF5、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧 基或具有2至7個c原子之氟化烯基、未經氟 化或經I化之稀氧基或未經氟化或經氣化之烧 氧基燒基’較佳為氟化烧氧基、I化稀氧基、 151886.doc -25· 201127781 F或Cl，且

至 彼此獨立地表示

L 表示R61，且在Z61及/或Z62表示反式-CH=CH-或 反式-CF=CF-之情形下，其另一選擇為表示 X61， 62 L 表示R62 ’且在Z61及/或Z62表示反式-CH=CH-或 反式-CF=CF-之情形下，其另一選擇為表示 X62， R61及R62 彼此獨立地表示Η、具有1至17個、較佳3至10 個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧 基、或具有2至I5個、較佳3至10個C原子之未 151886.doc •26- 201127781 經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化 之燒氧基烧基，較佳係烧基或未經氟化之稀 基， x61 及 x62 彼此獨立地表示F或Cl、-CN ' -NCS、-SF5、具 有1至7個C原子之氟化烷基或烷氧基、或具有2 至7個C原子之氟化烯基、烯氧基或烷氧基烷 基，較佳係-NCS， Z61 及 z62 之一者 表示反式-CH=CH-、反式-CF = CF-或-C=C-且其另一者獨立地表示反式-CH=CH-、反式-CF=CF-或單鍵，較佳地，二者中之一 者表示-OC-或反式-CH=CH-且另一者表示單 鍵，且

151886.doc -27- 201127781

F F

F F 表示R71或X71， L72 R71 及 R72 表示R72或X72， 彼此獨立地表示H、具有1至17個、較佳3至10 個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧 基、或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未 經氟化之稀基、未經氟化之婦氧基或未經I化 之烧氧基烷基，較佳係烷基或未經氟化之烯 基’ X71 及 X72 彼此獨立地表示Η、F、cn、-CN、-NCS、-SF5、 具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基、 或具有2至7個c原子之氟化烯基、未經氟化或 經氣化之烯氧基或未經氟化或經氟化之炫:氧基 &基’較佳為氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或 α，且 Z71 及 Z73 彼此獨立地表示反式-CH=CH-、反式-CF=CF-、_C=C-或單鍵，較佳地，其中之一或多者表 示單鍵，且尤佳地其皆表示單鍵，且 151886.doc a71

•28· 201127781 彼此獨立地表示

R81及R82 彼此獨立地表示Η、具有1至15個、較佳3至10 個C原子之未經氟化之烧基或燒氧基、或具有2 至15個、較佳3至10個（：原子之未經氟化之烯 基、烯氧基或烧氧基烧基’較佳為未經氟化之 烷基或烯基， Ζ8丨及Ζ82中之一者 表示反式-CH=CH-、应斗α ^ 久式-CF=CF- 或-CEC-且其另一者獨立地表示反式_CH=CH_ 、反式-CF=CF-或單鍵，較佳地，二者中之一 者表示-OC-或反式-CH=CH-且另_者表示單 鍵，且 151886.doc -29· 201127781

L91 L92 R91 及 R92 表示R91或X91， 表示R92或X92， 彼此獨立地表示H、具有1至15個、較佳3至1〇 個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基、或具有2 至15個、較佳3至1〇個c原子之未經氟化之稀 基、烯氧基或烷氧基烷基’較佳為未經氟化之 烧基或稀基， X91 及 X92 彼此獨立地表示Η、F、Cl、-CN、-NCS、-SF5、 具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烧氧基、 或具有2至7個C原子之氟化烯基、未經氟化或 經氟化之烯氧基或未經氟化或經氟化之烷氧基 烧基’較佳為氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或 cn，且 151886.doc •30· 201127781 Z至Z 彼此獨立地表示反式_CH=CH-、反式-CF=CF-、-GC-或單鍵，較佳地，其中之一或多者表 不單鍵，且尤佳地其皆表示單鍵，

彼此獨立地表示

或 且其中式IIIA化合物不包括式YHb合物。 在本發明一較佳實施例中，液晶介質包含一或多種式V 化合物、較佳選自式V-1至V-3、較佳式V-1及/或V-2及/或V-3、較佳式V-1及V-2化合物之群之化合物，更佳主要由其 組成、甚至更佳基本上由其組成且極佳完全由其組成：

V-1 151886.doc • 31 - 201127781

V-2 V-3 其中各參數具有上文針對式V所述之相應含義，且較佳 地， R . 表示具有1至7個C原子之未經氟化之炫(基或具 有2至7個C原子之未經氟化之烯基， R52 表示具有1至7個c原子之未經氟化之烷基或具 有2至7個C原子之未經氟化之烯基或具有1至7 個C原子之未經氟化之烷氧基， X51 及 X52 彼此獨立地表示F、Cl、-〇CF3、-CF3、_CN、-NCS 或-SF5 ’ 較佳為F、cn、-OCF3 或-CN。 式V-l化合物較佳選自式V-la至γ-id化合物之群，更佳 地該等式V化合物主要由其組成、甚至更佳地基本上由其 組成且極佳地完全由其組成：

V-la V-lb 151886.doc -32· 201127781

V-lc V-ld 其中各參數具有上文針對式ν·1所述之相應含義，且其中 Υ51及Υ52在每一情形下彼此獨立地表示H*F，且較佳 地， R 表示燒基或埽基，且 χ51 表示 F、Cl 或-〇CF3。 式V-2化合物較佳選自式乂_2&至乂_26化合物之群及/或選 自式V-2f及V-2g化合物之群，更佳地該等式v化合物主要 由其組成、甚至更佳地基本上由其組成且極佳地完全由其

V-2a V-2b V-2c V-2d 151886.doc -33- 201127781

R52 R52

V-2e V-2f V-2g 其中在每一情形下，式V-2a化合物不包含式V-2b及V-2c化 合物’式V-2b化合物不包含sV_2c化合物且式V_2e化合物 不包含式V-2f化合物，且 其中各參數具有上文針對式所述之相應含義，且其中 Y51及Y52在每一情形下彼此獨立地表示Η或F，且較佳 地， R51 表示烷基或烯基， R52 表示燒基、烯基或烷氧基，較佳為烷基或歸 基，且較佳地， Υ51及Υ52中之一者表示Η且另一者表示Η或F，較佳同樣 表示Η。 式V-3化合物較佳係sv_3a化合物：

F

其中各參數具有上文針對式V]所述之相應含義，且其中 151886.doc •34· 201127781 較佳地， X51 表示F、C卜較佳為f， X52 表示 F、C1 或-OCF3，較佳為-〇CF3。 在本發明一甚至更佳之實施例中，式V化合物選自 至V-Id化合物之群、較佳選自^。及孓丨d化合物之群更 佳地該等式V化合物主要由其組成、甚至更佳地基本上由 其組成且極佳地完全由其組成。 式V-la化合物較佳選自式Had及v_la_2化合物之群， 更佳地該等式V化合物主要由其組成、甚至更佳地基本上 由其組成且極佳地完全由其組成：

V-la-1 V-la-2 具有上述含義且較佳表示CnH2n+i，其中 表示在0至7之範圍内的整數，較佳在1至5之範 圍内，且尤佳為3或7。 式V-lb化合物較佳係式化合物：

V-lb-1 151886.doc -35- 201127781 其中 R51 具有上述含義且較佳表示CnH2n+1，其中 η 表示在0至15之範圍内的整數，較佳在丨至7之 範圍内，且尤佳為1至5。 式V-lc化合物較佳選自式v-lc-l至V-lc-4化合物之群、 較佳選自式V-1 ο 1及V-1 c-2化合物之群，更佳地該等式v 化合物主要由其組成、甚至更佳地基本上由其組成且極佳 地完全由其組成：

F F

V-lc-l V-lc-2 V-lc-3 V-lc-4 其中 R 具有上述含義且較佳表示CnH2n+1，其中 n 表示在0至15之範圍内的整數，較佳在1至7之 範圍内’且尤佳為1至5。 式\^^化合物較佳選自式¥_1(11及孓1(1_2化合物、較佳 式V-ld-2化合物之群，更佳地該等式v化合物主要由其組 151886.doc -36- 201127781 成、甚至更佳地基本上由其組成且極佳地完全由其組成

V-ld-l V-ld-2 其中 R51 具有上述含義且較佳表示CnH2n+1，其中 η 表不在0至15之範圍内的整數，較佳在1至7之 範圍内’且尤佳為1至5。 式V 2a化口物較佳選自式乂_2&]及v_2a_2化合物、較佳 式❿-1化合物之群，更佳地該等式V化合物主要由其組 成甚至更佳地基本上由其組成且極佳地完全由其組成：

V-2a-l

V-2a-2 其中

R 51

R 52 具有上述含義且較伟矣- 平父佳表不CnH2n”或CH2=CH- (CH2)z，且 具有上述含義且較佳矣_ 表不 丨或 〇-CmH2m+l 或 (CH2)Z-CH=CH2，且其中

S 151886.doc -37· 201127781 η及m 彼此獨立地表示在〇至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為1至5，且 ζ 表示〇、1、2、3或4,較佳為〇或 特定而言，在式V-2a-l之情形下，（rm及R52)之較佳組合 #(CnH2n+1&CmH2m+1)、（cnH2n+1A〇-CmH2m+1)、（CH2=CH_ (CH2)Z 及 CmH2m+1)、（ch2=CH，（CH2)z 及 〇_cmH2 +1)及 (CnH2n+1A(CH2)z-CH=CH2)。 較佳之式V-2b化合物係式v_2b-l化合物：

F

V-2b-l 其中 R51 具有上述含義且較佳表示CnH2l^或CH2=CH_ (ch2)z，且 R52 具有上述含義且較佳表示CmH2m+1或〇_CmH2m+1或 (CH2)Z-CH=CH2，且其中 η及m 彼此獨立地表示在0至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為⑴，且 ζ 表示〇、1、2、3或4,較佳為〇或2。 此處，特定而言，（R51 & + y

CmH2in+l)。 及R )之較佳組合係（CnH2n+i及 較佳之式V-2c化合物係式V2ci化合物： 151886.doc •38- 201127781 V-2c-l 其中 R51 具有上述含義且較佳矣+ 权住衣不CnH2n+1或CH2=CH- (ch2)z，且 R52 具有上述含義且較佳表示cmH2m+1或0_cmH2m+1或 (CH2)z_CH=CH2，且其中 n及m 彼此獨立地表示在 你υ芏15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為1至5,且 z 表示〇、1、2、3或4,較佳為〇或2。 此處， 特定而言，（R51及R52、夕2人 及R )之較佳組合係（CnH2n+i及 CmH2m+ 1 ) 〇 較佳之式V-2d化合物係式v_2d_ i化合物： V-2d-l 其中 R51 具有上述含義且較佳砉 平乂住衣不CnH2n+丨或CH2=CH- (ch2)z，且 R52 具有上述含義且較佳表示CmH2m+1或〇_CmH一或 (CH2)Z-CH=CH2，且其中 η及m 彼此獨立地表示在〇至 王U之辄圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為丨至5，且 z 表示〇、1、2、3或4,較佳為〇或2。 此處， 特疋而5，（R及尺52)之較佳組合係（CnH2n+1及 151886.doc S •39- 201127781

CmH2ni+l) 0 較佳之式V_2e化合物係式v_2ei化合物：

F F r51-〇 其中 V-2c-l R51 具有上述含義B ± 我且較佳表不CnH2n+丨或CH2=CH· (ch2)z，且 R52 具有上述含義且較佳表示CmH2m+I或〇_CmH2m+1或 (CH2)Z-CH=CH2，且其中 η及m 2 彼此獨幻也表示在0至15之範圍π的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為1至5,且 表示0、1、2、3或4,較佳為〇或2。 此處，特定而言，（R”及R52)之較佳組合係（IK⑷及〇_

CmH2m+l) 0 較佳之式V- 2 f化合物係式v_ 2 f_ 1化合物：

F F r51-1> OOr52 其中 V-2f-l R51 具有上述含義且較佳表示CnH2n+i或CH2=ch_ (CH2)z，且 R52 具有上述含義且較佳表示CmH2m+丨或〇CmH2m+i或 (CH2)Z-CH=CH2，且其中 η及m 彼此獨立地表示在〇至15之範圍内的整數，較 151886.doc -40- 201127781 佳在1至7之範圍内’且尤佳為1至5,且 表示0、1、2、3或4，較佳為〇或2。此處，特定而言，（R”及R52)之較佳組合係（CnH2n+i& CmH2m+1)及(CnH2n+1 及0-CmH2m+1)、尤佳（CnH2n+ACmH2m+i)。較佳之式V-2g化合物係式v_2g_i化合物：

Z

F F

V-2g-l 其中 51 八有上述含義且較佳表示G&n + i或cH2 = ch_ (ch2)z，且 具有上述含義且較佳表示或 (CH2)Z-CH=CH2，且其中 彼此獨立地表示在0至15之範圍内的整數較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為1至5,且 表不〇、1、2、3或4，較佳為〇或2。特定而言，月52 及R )之較佳組合係（CnH2n+1及 CmH2m+i)及（CnH2n+I 及 〇_c .. mii2m+1)、尤佳（CnH2n+1 及〇·C 1J1H2m+ 1 ) 〇式…化合物較佳選自式Vw_4化合物之群更佳地 該等式Μ化：物主要由其組成、甚至更佳地基本上由其組 成且極佳地元全由其組成：

R

R η及m 此處

C=C-^3y___R62 VI-1 151886.doc •41 · 201127781

R

VI-2

R

VI-3

VI-4 其中 Z61及Z62 表示反式_CH=CH-或反式-CF=CF-，較佳為 反式-CH=CH_，且其他參數具有上文式VI中給 出之含義，且較佳地， R61及R62彼此獨立地表示Η、具有1至7個C原子之未經氟 化之烷基或烷氧基或具有2至7個c原子之未經 氟化之烯基， Χ62 主· 不F、C卜-CN或-NCS ’較佳為_NCS， 且

中之一者表示

151886.doc -42- 201127781 彼此獨立地表示

R61 R62 表示 CnH2n+i 或 ch2=CH-(CH2)z，且 表示 CmH2m+1 或 〇_CmH2m+i 或（CH2)z_ch=CH2，且 其中 η及m 彼此獨立地表示在0至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為1至5，且 z 表不0、1、2、3或4,較佳為〇或2。 式vi-i化合物較佳選自式VIla&viib化合物之群 佳選自式VJ-la化合物，更佳地該等式¥1化合物主要由= ”且成、《 i更佳地基本上由其組成1極佳地完全由其組 151S86.doc 43· i 201127781

VI-la VT-lb 其中 R61 具有上述含義且較佳表示CnH2n+1或Ch2=CH- (ch2)z，且 r62 具有上述含義且較佳表示CmH2m+1或Q_CmH2m+1或 (CH2)Z-CH=CH2，且其中 η及m 彼此獨立地表示在0至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為1至5，且 z 表示0、1、2、3或4,較佳為〇或 此處 ，特定而言，（R61及R62)之較佳組合係（CnH2…及 CmH2m + 〇及（CnH2n+丨及’在式VI-la之情形下尤 佳為（CnH2n+1及CmH2m+1)且在式vm之情形下尤佳為 (CnH2n+1 及 Od”）。 式VI-3化合物較佳係式VI-3 a化合物：

VI-3a 其中各參數具有上文式VI-3中給出之含義，且較佳地， R61 具有上述含義且較佳表示CnH2n+1，其中 η 表示在〇至7之範圍内的整數，較佳在1至5之範 151886.doc -44· 201127781 圍内，且

X62 表示F、C卜 〇CF3、-CN或-NCS，較佳為 _NCS 式VI-4化合物較佳係式vi-4a化合物：

VI-4a 其中各參數具有上文式VI_4中給出之含義，且較佳地， 61 R 具有上述含義且較佳表示CnH2n+1，其中 表示在0至7之範圍内的整數，較佳在1至5之範 η 圍内，且

X 62 表示F、Cl、〇CF3、_CN或_NCS ’ 較佳為 _NCS 其他較佳之式VI化合物係下式之化合物： 151886.doc

CnHa ：n+1

CnH2l n+1

CnH2l n+1

c=c

c三c

CnH2l n+1

〇CF. i •45· 201127781 其中 n 表示在0至7之範圍内的整數’較佳在1至5之範 圍内。 式VII化合物較佳選自式VII-1至VII-6化合物之群，更佳 地該等式VII化合物主要由其組成、甚至更佳地美本上由 其組成且極佳地完全由其組成：

VII-1

VII-2 VII-3 VII-4 VII-5 VII-6 其中式VII-5化合物不包含VII-6化合物，且 151886.doc -46- 201127781 其中各參數具有上文針對式VII所述之相應含義， Y71及Y72 各自彼此獨立地表示Η或F， 且較佳地 R?1 表示各自具有1至7個C原子之未經氟化之烷基 或烧氧基、或具有2至7個C原子之未經氟化之 烯基，

R 72 表示各自具有1至7個（：原子之未經氟化之烷基 或院氧基、或具有2至7個C原子之未經氟化之 烯基，且 -72 X 尤佳地 表示F、α、或-〇Cf3，較佳為F，且 R 具有上述含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH- (ch2)z，且

R 具有上述含義且較佳表示CmH2m+i或〇_CmH2m+i或 (CH2)Z-CH=CH2，且其中 η及m

Z 彼此獨立地表示在0至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為丨至5，且 表示〇、1、2、3或4，較佳為〇或2。 式VII-1化合物較佳選自式化合物之群， 更佳地該等式VII-1化合物主要由其組成、甚至更佳地基 本上由其組成且極佳地完全由其組成：

151886.doc VII-ia -47· 201127781

F F

VII-lb VII-lc

Vll-ld 其中x72具有上文針對SVII_2給出之含義，且 R?I 具有上述含義且較佳表示CnH2n+1，其中 η 表示1至7、較佳2至6、尤佳2、3或5，且 2 表示0、1、2、3或4，較佳為〇或2，且 X72 較佳表示F。 式VII-2化合物較佳選自式VII_2a及VII_2b、較佳式VII 2a化合物之群，更佳地該等式νΠ_2化合物主要由其組成、 甚至更佳地基本上由其組成且極佳地完全由其組成··

VII-2a VII-2b 151886.doc •48- 201127781 其中 R71 具有上述含義且較佳表示CnH2川或CH2=CH_ (CH2)z，且 R72 具有上述含義且較佳表示CdM或或 (CH2)z-CH=CH2，且其中 * η及m 彼此獨立地表示在0至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為丨至5，且 Z 表示0 ' 1、2、3或4，較佳為〇或2。 此處’特定而言，(Rm之較佳組合係(cu C„H2m+1)及（CnH2n+1 及 〇_CmH2m+i)、尤佳（cu CmH2m+l)。 式VII-3化合物較佳係式vii_3a化合物：

其中 R71 具有上述含義且較佳矣+ , 取儿平乂住表不CnH2n+丨或CH2=ch_ (ch2)z，且 R72 具有上述含義且較佳表示CmH2m+1或〇_CmH2m+1或 (CH2)z-CH=CH2，且其中 η及m 彼此獨立地表示在〇至丨5之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為1至5,且 z 表示〇、1、2、3或4，較佳為〇或2。 此處，特定而言，（R71及R72、 汉κ )之較佳組合係（CnH2n+丨及 151886.doc .49- 201127781

CmH2m+I) ^ (CnH2n+I ^ 〇.CmH2m+]) . # (CnH2n+] ^

CmH2m+l) 式VII-4化合較佳為化合物，其令 R7丨 具有上述含義且較佳矣-pu 表不 CnH2n+1 或 ch2=ch (CH2)z，且 R72 具有上述含義且較佳矣+ r ^ 权住表不CmH2m+丨或〇-CmH2m+丨或 (CH2)Z-CH=CH2，且其中 η及m 彼此獨立地表示在〇至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為丨至5，且 z 表不0、1、2、3或4,較佳為〇或2。 此處，特定而言，（R7】及r72)之較佳組合係（CAW!* 匚心㈣）及（CnH2n+丨及〇_CmH2m+〇、尤佳（CnH2n +丨及 CmH2m+l)。 式VII-5化合物較佳選自式vn_5a&νΠ·5ΐ)、較佳式νπ 5a化合物之群，更佳地該等式VII-5化合物主要由其組成、 甚至更佳地基本上由其組成且極佳地完全由其組成：

F P C rr

R72 VII-5a VII-5b 具有上述含義且較佳表示CnH2n+1或CH2=CH- 151886.doc •50· 201127781 (ch2)z，且 R72 具有上述含義且較佳表示cmH2m+1或0-CniH2m+1或 (CH2)Z-CH=CH2，且其中 η及m 彼此獨立地表示在〇至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為丨至5，且 2 表示〇、1、2、3或4,較佳為〇或2。 此處，特定而言，（R、R72)之較佳組合係（CnH㈣及

CmH2m+1)及（CnH2n+1 及 〇_CmH2m+i)、尤佳（c而…及 1)。

式VII-6化合物較佳選自式v„_6a及vn_6b化合物之群， 更佳地該等式VII-6化合物主要由其組成、甚至更佳地基 本上由其組成且極佳地完全由其組成 F F F

R72

Vll-6a R72 VII-6b 其中 R 具有上述含義且較佳表示CnH2n+1或ch2 = CH- (CH2)z，且 R 具有上述含義且較佳表示CmH2m+1或〇_CmH2m+1或 (CH2)z-CH=CH2，且其中 η及m 彼此獨立地表示在0至15之範圍内的整數，較 151886.doc -51 . 201127781 佳在1至7之範圍内’且尤佳為1至5，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳為〇或2。 此處，特定而言，（R71及R72)之較佳組合係（CnH2n+i及

CmH2m+1)及（CnH2n + l 及 0-CmH2m+1)、尤佳（CnH2 +1 及

CmH2m+i) 0 本申請案之液晶介質較佳包含總共0-40%、較佳〇 3〇% 且尤佳5-25%之式VIII化合物。 式VIII化合物較佳選自式vm-丨至νιπ_3化合物之群更 佳地該等式VIII化合物主要由其組成、甚至更佳地基本上 由其組成且極佳地完全由其組成：

c=c Υ81 γ82

R 82 VIII. 1

cscO~

R 82 VIII-2

c=c

R 82 VIII-3 其中 ΊΥ82中之—者表示H且另一者表示H或F，且 ，、有上述含義且較佳表示Cn%…或 (CH2)z，且

R 82 具有上述含義且較佳表示CmH2m+i或 或（ch2)z_ch=ch2，且其中 15I886.doc -52- 201127781 η及m 彼此獨立地表示在0至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為1至$，且 2 表示0、1、2、3或4，較佳為〇或2。 此處，特定而言，（R8〗及R*2)之較佳組合係及 CmH2m+1)及（CnH2n+1 及 〇_CmH2m+i)、尤佳（CnH2n+i 及 CmH2m+l)。 式VIII-1化合物較佳選自式¥111七至乂1111(：化合物之 群，更佳地該等式Vlll-i化合物主要由其組成、甚至更佳 地基本上由其組成且極佳地完全由其組成：

VIII-la VIII-lc 其中 R81 R82 n及m 具有上述含義且較佳表示CnH2n+1或Ch2=CH· (CH2)z，且 具有上述含義錢佳表示CmH2m+1__CmH2m+i或 (CH2)Z-CH=CH2，且其中 彼此獨立地表示在0至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為1至5，且 151886.doc -53- 201127781 Z 表不0、1、2、3或4，較佳為0或2。 此處’特定而言，（R1R82)之較佳組合係（CnH2n+1及 CmH2m+1)及（CnH2n+1 及 〇_CmH2m+i)、尤佳（Cnu CfnH2m+l)。 式VIII-2化合物較佳係以下化合物，其中 R81 具有上述含義且較佳表示CnH2n+i或CH2=CH- (ch2)z，且 R82 具有上述含義且較佳表示CmH2ni+丨或〇_CmH2m+1或 (CH2)Z-CH=CH2，且其中 η及m 彼此獨立地表示在〇至丨5之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為1至5，且 z 表不0、1、2、3或4,較佳為〇或2。 此處，特定而言，（R«i及R82)之較佳組合係（CnHwi及 CmH2m+1)、（CnH2n+1 及 0_CmH2m+〇 及（CH2=ch (ch2)z 及 CmH2m + i)、尤佳（CnH2n+1<^CmH2m + 1)。 式VIII-3化合物較佳係以下化合物，其中 R 具有上述含義且較佳表示CnH2n+丨或CH2=CH· (CH2)z，且 R 具有上述含義且較佳表示CmH2m+1或或 (CH2)z_CH=CH2，且其中 η及m 彼此獨立地表示在〇至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為1至5，且 z 表示0、1、2、3或4,較佳為〇或2。 此處，特定而言，（R81及R82)之較佳組合係（CnH2n+1及 151886.doc •54· 201127781

CmH2m+l)及（CnH2n+1 及 〇-CmH2m+l)。 式IX化合物較佳選自式IX_1至IX_3化合物之群更佳地 該等式IX化合物主要由其組成、甚至更佳地基本上由其組 成且極佳地完全由其組成：

F

且 其中 R 具有上述含義且較佳表示CnH2n+i或CH2=ch_ (CH2)z，且 R 具有上述含義且較佳表示CmH2m+i或或 151886.doc •55- 201127781 (CH2)Z-CH=CH2，且其中 n及m 彼此獨立地表示在〇至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為丨至5，且 2 表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 此處，特定而言，（R91及R92)之較佳組合係（CnHh+i及 CmH2m+i)及（CnH2n+l 及 〇-CmH2m+i)。 本申請案之液晶介質較佳包含總共5_3〇%、較佳1〇 25% 且尤佳15-20%之式IX化合物。 式IX-1化合物較佳選自式化合物之群更 佳地該等式IX-1化合物主要由其組成、甚至更佳地基本上

IX-la IX* lb IX-lc IX-ld 151886.doc • 56 - 201127781

其中各參數具有上文給出之含義，且較佳地， R91 具有上述含義且較佳表示CnH2n+1，且 η 表示在0至15之範圍内的整數，較佳在丨至7之 範圍内’且尤佳為1至5,且 X92 較佳表示F或C1。 式ΙΧ-2化合物較佳選自式IX_2aAIX_2b化合物之群更 佳地該等式IX-2化合物主要由其組成、甚至更佳地基本上 由其組成且極佳地完全由其組成： r91-〇 -〇-^-〇-r92 IX-2a r91-〇 -〇-^-〇-R92 IX-2b 其中 R91 具有上述含義且較佳表示CnH2n+i或CH2=ch_ (CH2)Z，且 R92 具有上述含義且較佳表示CmH2m+1^CmH2m+1或 (CH2)Z-CH=CH2，且其中 η及m 彼此獨立地表示在〇至15之範圍内的整數，較 佳在1至7之範圍内，且尤佳為1至5，且 z 表示0、1、2、3或4,較佳為〇或2。 151886.doc •57· 201127781 此處，特定而言，（rM及r92)之較佳組合係（CnH2n+i及 CmH2m+ 1) 〇 式IX-3化合物較佳係式ix-3a&lx_3b化合物： F f

IX-3a

〇-CmH2 IX-3b 其中 R9】 具有上述含義且較佳表示CnH2n+丨或CH2=CH· (CH2)z，且 具有上述含義且較佳表示CmH2m+i或〇CmH2m+i或 (CH2)Z-CH=CH2，且其中 彼此獨立地表示在0至15之範圍内的整數較 佳在1至7之範圍内’且尤佳為1至5，且 表示0、1、2、3或4,較佳為〇或2。 特定而言’（R91及R92)之較佳組合係（CnH2n+i及 CmH2m+1)及（CnH2n+〗及 〇-CmH2m+1)、尤佳（CnH2n+i 及 〇_ CmH2m+l) 0 在本發明一較佳實施例中，介質包含一或多種介電各向 異性大於3之式V-1之介電正性化合物。 本發明之液晶介質較佳包含10%或更少、較佳5%或更 少、尤佳2%或更少、極佳1%或更少、且尤其絕對不含僅 具有兩個或更少的5員及/或6員環之化合物。

R 92 n及m z 此處 151886.doc •58- 201127781 在本發月t佳實施例中，介質包含—或多種式w化合 物。 在本發明又—較佳實施例中，介質包含-或多種式VII 化合物。 舌等縮寫（首子母縮略詞）之定義闡述於下表D中或可參 ' 見表A至C。 本發明之液晶介質較佳包含選自式I、II、IV及V、較佳 π及IV化合物之群、或選自式卜⑴、以及V、較佳卜 III及IV化合物之群的化合物、更佳主要由其組成、甚至更 佳基本上由其組成且極佳完全由其組成。 在本申凊案中，當提及組合物包含時意指相關實體（即 介質或、，且伤）較佳以i Ο。/。或更高且極佳或更高之總濃度 包含一或多種所述組份或化合物。 就此而δ ’主要由其組成意指相關實體包含5 5 %或更 咼、較佳60%或更高且極佳7〇%或更高之一或多種所述組 份或化合物。 就此而言’基本上由其組成意指相關實體包含8〇%或更 高、較佳90%或更高且極佳95%或更高之一或多種所述組 - 份或化合物。 ，就此而言，完全由其組成意指相關實體包含98%或更 南、較佳99%或更高且極佳10〇·〇%之一或多種所述組份或 化合物。 亦可視情況且有利地將上文未明確提及之其他液晶原化 合物用於本發明介質中。該等化合物已為熟習此項技術者 151886.doc -59- 201127781 所熟知。 本發明之液晶介質的透明點為較佳90〇C或更高、更佳 l〇〇°C或更高、甚至更佳12(TC或更高、尤佳150°C或更高 且極佳170eC或更高。 本發明介質之向列相較佳地至少自20°C或更低延伸至 90°C或更高（較佳高達100°C或更高）、更佳地至少自〇。〇或 更低延伸至120°C或更高、極佳地至少自-1 〇。〇或更低延伸 至140°C或更高且尤其至少自-20°C或更低延伸至150°C或 更局。 在1 kHz及20°c下，本發明液晶介質之Δε較佳為1或更 向、更佳2或更向且極佳3或更高。 在589 nm (NaD)及20°C下，本發明液晶介質之Δη較佳在 0.200或更高至0.90或更低之範圍内、更佳地在0.250或更 高至0.90或更低之範圍内、甚至更佳在0.300或更高至0.85 或更低之範圍内且極佳地在0.350或更高至0.800或更低之 範圍内。 在本申請案一較佳實施例中，本發明液晶介質之Δη較佳 為〇_50或更高、更佳為0.55或更高。 根據本發明，以總混合物計，液晶介質中式I之各化合 物的總使用濃度為較佳1%至20%、更佳2%至15%、甚至更 佳3%至12%且極佳5%至10%。 在其中液晶介質包含一或多種選自式ΙΙΑ及IID化合物之 群之化合物的本發明實施例中，較佳如下應用其他化合 物。 151886.doc • 60 · 201127781 以總混合物計，選自式IIA及IID化合物之群之化合物的 總使用濃度為較佳1%至30%、更佳2%至20%、甚至更佳 3%至18%且極佳4%至16%。 以總混合物計，式IV化合物之總使用濃度為較佳10%至 100%、更佳30%至95%、甚至更佳40%至90%且極佳50%至 90%。 液晶介質較佳包含總共70%至100%、更佳80%至100%且 極佳90%至100%且特定而言95%至100°/。之式I、IIA、IIB、 IIC、IID及 IV 至 IX、較佳式 I、IIA、IIB、IIC、IID及 IV化 合物、更佳主要由其組成且極佳完全由其組成。 在其中液晶介質包含一或多種選自式IIIA及IIIB化合物 之群之化合物的本發明實施例中，較佳如下應用其他化合 物。 以總混合物計，選自式ΙΙΑ及ΙΙΒ化合物之群之化合物的 總使用濃度為較佳1%至60%、更佳5%至55%、甚至更佳 7%至50%且極佳10%至45%。 若液晶介質僅包含一或多種式ΙΙΙΑ化合物但無式ΙΙΙΒ化 合物，則以總混合物計，式ΙΙΙΑ化合物的總使用濃度為較 佳10%至60%、更佳20%至55%、甚至更佳30%至50%且極 佳 35%至 45%。 若液晶介質僅包含一或多種式ΙΙΙΒ化合物但無式ΙΙΙΑ化 合物，則以總混合物計，式ΙΙΙΒ化合物的總使用濃度為較 佳5%至45%、更佳10%至40%、甚至更佳15%至35%且極佳 20%至 30%。 151886.doc -61 - 201127781 若液晶介質包含一或多種式IIIA化合物及一或多種式 IIIB化合物二者，則以總混合物計，式IIIA化合物的總使 用濃度為較佳5%至5 0%、更佳10%至45%、甚至更佳15% 至30%且極佳20%至25%;且以總混合物計，式IIIB化合物 的總使用濃度為較佳1%至35%、更佳5%至30%、甚至更佳 7%至25%且極佳10%至20%。 在此實施例中，以總混合物計，式I化合物之總使用濃 度為較佳1%至20%、更佳2%至15%、甚至更佳3%至12%且 極佳5%至10%。 液晶介質較佳包含總共70%至100%、更佳80%至100%且 極佳90%至100°/。且特定而言95%至100%之式I、ΠΙΑ、IIIB 及IV至IX、較佳式I、ΠΙΑ及/或IIIB及/或IV化合物、更佳 主要由其組成且極佳完全由其組成。 在本發明一尤佳實施例中，液晶介質包含一或多種式V 化合物及一或多種式VI化合物。 在本發明之又一尤佳實施例中，液晶介質包含一或多種 式V化合物及一或多種式VII化合物。 本發明之液晶介質同樣較佳包含一或多種式V化合物、 一或多種式VI化合物及一或多種式VIII化合物。 若本申請案之液晶介質包含一或多種式V化合物，則該 等化合物之總濃度較佳係10%至30%、較佳15%至25%且尤 佳 18%至 22%。 若本申請案之液晶介質包含一或多種式VI化合物，則該 等化合物之總濃度較佳係15%至35%、較佳18%至3 0%且尤 151886.doc -62- 201127781 佳 22%至 26%。 若本申凊案之液晶介質包含一或多種式νπ化合物，則 該等化合物之總濃度較佳係4%至25%、較佳8%至2〇%且尤 佳 10%至 14%。 右本申請案之液晶介質包含一或多種式νιπ化合物，則 該等化合物之總濃度較佳係15%至35%、較佳18%至3〇。/〇且 尤佳22%至26%。 若本申請案之液晶介質包含一或多種式ιχ化合物，則該 等化合物之總濃度較佳係5%至25%、較佳1〇%至2〇%且尤 佳 13%至 17%。 在本申請案中’表達「介電正性」描述魟>3〇之化合 物或組份’「介電中性」描述_152Δε<3 〇之彼等化合物 或組份’且「介電負性」描述Aed.S之彼等化合物或組 份。Δε係在1 kHz頻率及20。〇下測得。相應化合物之介 電各向異性係根據向列相主體混合物中相應個別化合物 之10/。之溶液的結果來破定。若主體混合物中相應化合 物之溶解度低於1 〇%，則濃度降至5%。測試混合物之電 谷係在具有垂直配向之單元及具有平行配向之單元二者 中測得。該兩種類型單元之單元厚度均為約2〇 μπι ^施 加電壓係頻率為1 kHz之矩形波且均方根值通常為〇·5 ν 至1 .〇 V，但其始終經選擇以低於相應測試混合物之電容 閾值。 此處適用以下定義。 △ ε= (ε|卜ε丄)及 151886.doc 201127781 ε平均 ξ (ε I I + 2 ε丄)/ 3 。 用於介電正性化合物之主體混合物係混合物ZLI-4792， 且用於介電中性及介電負性化合物之主體混合物係混合物 ZLI-3086 ’ 二者皆來自 Merck KGaA，Germany。化合物之 介電常數的絕對值係自添加目標化合物後主體混合物之應 值之變化來測得。將該等值外推至100%之所關注化合物 之濃度。 如此量測在20eC之量測溫度下具有向列相之組份，所有 其他組份皆如化合物一樣進行處理。 在本申請案中表達閾值電壓係指光閾值且係針對1 〇%之 相對反差（V丨〇)，且表達飽和電壓係指光飽和且係針對9〇〇/〇 之相對反差（V%) ’在該兩種情形中，另外明確說明之情形 除外。電容閾值電麗（V〇)(亦稱作Freedericks閾值（VFr))僅 在明確提及時使用。 除非另有明確說明，否則在本申請案中所述之參數範圍 皆包括極限值。 所述用於各性質範圍之不同上限及下限值彼此組合而產 生其他較佳範圍。 除非另有明確說明，否則在整篇本申請案中，皆使用以 下條件及定義。所有濃度皆表示為重量百分比且係關於相 應混合物整體，所有溫度皆以攝氏度表示且所有溫度差皆 以度數差表示。所有物理性質皆係根據「Merck Liquid

Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」，Status， 1997年11月，]yierck KGaA，Germany測得，且除非另有明 15lS86.doc -64- 201127781 確說明，否則係在20°C之溫度下引用。光學各向異性（Δη) 係在589.3 nm之波長下測定。介電各向異性（Δε)係在1 kHz 之頻率下測定。閾值電壓以及其他電光性質係使用Merck KgaA，Germany生產之測試單元來測定。用於測定Αε之測 試單元具有約20 μιη之單元厚度。電極係具有1.13 cm2面積 及保護環之圓形ITO電極。定向層係來自Nissan Chemicals，Japan之SE-1211(用於垂直定向（ε|丨））及來自 Japan Synthetic Rubber，Japan之聚酿亞胺 AL-1054(用於均 勻定向（ε丄)）。電容係使用頻率響應分析器Solatron 1260且 使用具有0.3 Vrnls電壓之正弦波來測定。電光量測中所用 之光係白光。此處使用利用來自Autronic-Melchers， Germany之市售DSM儀器之設定。已在垂直觀察下測定特 性電壓。已分別在10%、50%及90%相對反差下測定閾值 (V1〇)、中間灰度（V50)及飽和（V90)電壓。 研究液晶介質在微波頻率區中之性質，如A. Penirschke， S. Mtiller，P. Scheele，C. Weil，M. Wittek，C. Hock及 R. Jakoby:「Cavity Perturbation Method for Characterization of Liquid Crystals up to 35GHz」，第 34屆歐洲微波會議-Amsterdam，第545至548頁中所述。

亦在此方面進行比較（A. Gaebler，F. Golden，S. Mtiller， A. Penirschke及R. Jakoby 「Direct Simulation of Material Permittivites ...」，12MTC 2009 -國際儀器與量測技術會議 (International Instrumentation and Measurement Technology Conference)，Singapore, 2009 (IEEE),第 463 至 467 頁及 DE 151886.doc -65- 201127781 10 2004 029 429 A)，其中同樣詳細闡述量測方法。 將液晶引入聚四氟乙烯（PTFE)毛細管中。毛細管具有 180 μιη之内徑及350 μιη之外徑。其有效長度為2.0 cm。將 經填充毛細管引入共振頻率為30 GHz之空腔的中央。此空 腔長6.6 mm、寬7.1 mm且高3.6 mm。然後施加輸入信號 (源），並使用市售向量網路分析器來記錄輸出信號之結 果。 在使用填充有液晶之毛細管量測及不使用填充有液晶之 毛細管量測之間，使用共振頻率及Q因子之變化藉助以下 文獻中之等式10及11來測定相應目標頻率下的介電常數及 損耗角：A. Penirschke，S. Mtiller，P. Scheele, C. Weil, M. Wittek，C. Hock及R. Jakoby: 「Cavity Perturbation Method for Characterization of Liquid Crystals up to 35GHz」，第 34屆 歐洲微波會議-Amsterdam,第545至548頁，如其中所 述。 藉由在磁場中對準液晶來獲得垂直及平行於液晶指向矢 之性質的分量值。為此，使用永磁體之磁場。磁場之強度 為0.35特斯拉（tesla)。相應地對準磁體且然後相應地旋轉 90〇 ° 較佳裝置係移相器、變容器、無線及無線電波天線陣 列、匹配電路自適應濾波器及其他裝置。 在本申請案中，除非另有明確說明，否則術語「化合 物」意指一種化合物及複數種化合物二者。 在一較佳實施例中，本發明液晶介質在每一情形下之向 151886.doc -66- 201127781 列相至少自-20 C延伸至80°C、較佳自·3(Γ(：延伸至85〇c且 極佳自_4(TC延伸至1〇(TC ^該相尤佳延伸至12〇。(：或更 高、較佳至140°C或更高且極佳至16〇〇(：或更高。此處表 達具有向列相思指，一方面在相應溫度之低溫下觀察不到 層列相及結晶，且另一方面在加熱時向列相不出現透明。 在相應溫度下使用流量式黏度計實施低溫研究，且藉由在 層厚度為5 μιη之測試單元中儲存達至少i 〇〇小時來進行檢 查。在南狐下，所有透明點均係在毛細管中藉由習用方法 量測。 此外’本發明液晶介質之特徵在於在可見區中具有高光 學各向異性。589 nm下之雙折射率較佳為〇2〇或更高、尤 佳0.25或更咼、尤佳0.30或更高、尤佳〇4〇或更高且極佳 0.45或更高。另外’雙折射率較佳為〇 或更低。 在本發明一較佳實施例中，所用液晶介質之正介電各向 異性（Δε)之值（在1 kHz下量測）為較佳〇5或更高、更佳1或 更尚、尤佳2或更高且極佳3或更高。介電各向異性尤佳地 介於1.8或更高與15.0或更低之間，更佳介於2〇或更高與 10_0或更低之間’尤佳介於3_0或更高與8.〇或更低之間且 極尤介於3.5或更高與6.0或更低之間。 然而，在一些實施例中，有利用地使用介電各向異性為 負值之液晶。在此情形下，介電各向異性較佳小於或等 於-2.5，尤佳小於或等於-4.0且極佳佳小於或等於_5 〇。此 實施例中Δε之值較佳介於1.5或更高與15.0或更低之間，尤 佳介於1.8或更高與12.0或更低之間且極佳介於2.0或更高 151886.doc •67- 201127781 與10.0或更低之間。 此外’本發明液晶介質之特徵在於在微波區中具有高各 向異性。在約8.3 GHz下之雙折射率為（例如）較佳0J4或更 高、尤佳0，15或更高 '尤佳〇·2〇或更高 '尤佳〇25或更高 且極佳0.3 0或更高。另外，雙折射率較佳為〇8〇或更低。 微波區中之介電各向異性定義為 ΔεΓ = (ε r，| | · εΓ，丄)〇 可調諧度（τ)定義為 τ ξ (ΔεΓ / ε r，| 丨）。 材料品質（η)定義為 η = (τ / tan δε r，max )，其中 最大介電損失係 tan δε r，max· ξ max. { tan δε r 丄；tan δε r，丨丨}。 較佳液晶材料之材料品質（η)係4·5或更高、較佳5或更 高、較佳ό或更高、較佳1〇或更高、較佳15或更高、較佳 17或更尚、更佳20或更高、尤佳25或更高且極佳3〇或更 高。 一般而言，液晶介質之材料品質與其介電各向異性（例 如在1 kHz下）相關。在1 kHz下具有較大介電各向異性（Δε) 之液晶介質之情形下的材料品質小於彼等在丨下具有 較小（Δε)者之情形下的材料品質。然而，在1 kHzT具有較 小介電各向異性（Δε)之液晶介質更難以進行電定址。 本發明之較佳者為材料品質之特徵在於根據其如下表中 所示介電各向異性之液晶介質。 151886.doc -68- 201127781 Δε η之限值 較佳 更佳 尤佳 0至<1 >40 >45 >50 1至<2 >35 >40 >45 2至<3 >30 >35 >40 3至<4 >25 >30 >35 4至<5 >20 >25 >30 5至<6 >15 >20 >25 在相應裝置中，較佳液晶材料之移相器品質為1 5°/dB或 更高、較佳20°/dB或更高、較佳30°/dB或更高、較佳 40°/dB或更高、較佳50°/dB或更高、尤佳80°/dB或更高且 極佳100°/dB或更高。 所用液晶係單一物質或混合物。其較佳具有向列相。 式I化合物可根據以下一般反應方案（反應方案I至IV)獲 得。 式I化合物（其中i = 6或其中i= 10)係有利地根據（例如）反應 方案III或IV獲得。 s 151886.doc 69- 201127781 反應方案i

Pd觸媒，鹼 Pd觸媒，鹼

Br

Pd觸媒，鹼

Br

151886.doc -70- 201127781

反應方案II

其中，在方案I及II中，

Li在每一情形下彼此獨立地具有上文針對式 出之含義，即 1^具有針對L11給出之含義， L4具有針對L14給出之含義， 111、11、0、15及9表示〇、1或2，且 和（m+n+〇+p+q)表示 3 至 7。 具有側向甲基取代基之化合物可根據方案j來製備。此 目的所需起始材料溴碘甲苯可自市面購得。另一選擇為，

S 151886.doc -71- 201127781 可依照與以下方案III類似之程序。可省略此處之第二步 驟，即盤與格氏化合物（Grignard compound)之反應。在此 情形下，醛直接還原為曱基。

反應方案III

R

B(〇H)2

pd觸媒，鹼

R

其中 R 在每一情形下彼此獨立地表示如 佳為烷基， 叱義之Rn，較 151886.doc •72. 201127781

η 表示2及視情況3，較佳為2，且 R" 在每一情形下彼此獨立地表示較佳具有1至11個 佳具有1至7個且極佳具有2至5個C原子之烷基。 反應方案IV 稼基 -Br

b(oh)2 Pd觸媒，鹼 尤

Br- 院墓 统基

Br

烧基

Or

R

Pd觸媒，鹼 ¥ 烧基

Pd觸媒，鹼 烧基

Br

-Or 烷基 1/2

Pd觸媒，鹼 烧基 烧基

院基 烧基

S 151886.doc -73- 201127781 其中 R 在每一情形下彼此獨立地表示如式I中定義之 R11，較佳為烷基，且 「烧基」較佳表示具有1至15個C原子之烷基。 術語「烧基」較佳涵蓋具有1至15個碳原子之直鏈及具 支鏈跪基、以及環烧基，尤其係直鏈基團曱基、乙基、丙 基、丁基、戊基、己基及庚基、以及環丙基及環己基。具 有2至10個碳原子之基團通常較佳。 術語「烯基」較佳涵蓋具有2至丨5個碳原子之直鏈及具 支鏈烯基，尤其係直鏈基團》尤佳之烯基係C2至C7_1E_烯 基、C4-至C7-3E-歸基、C5-至C7-4-稀基、C6-至C7-5-烯基 及c7-6-烯基，尤其係匕·至CWE_烯基、C4至C7_3E烯基 及C5-至C7-4-烯基。更佳之烯基之實例係乙烯基、iE_丙烯 基、1E-丁烯基、1E_戊烯基、1E己婦基、1E庚烯基、3_ 丁烯基、3E-戊烯基、3E_己烯基、3E庚烯基、‘戍烯基、 4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z_庚烯基、5_己烯基及6_庚烯基 及諸如此類。具有至多5個碳原子之基團通常較佳。 術語「氟烷基」較佳涵蓋具有末端氟之直鏈基團，即氟 甲基、2·氟乙基、3·氟丙基、4氟丁基、5氟戊基、6氟 己基及7-氟庚基。然而，不排除氟之其他位置。 術語「氧雜烷基」或「烷氧基烷基」較佳涵蓋式 cnH2n+1-(HCH2)m之直鍵基團，其中各自彼此獨立地 表示1至10之整數。較佳地，η為1且111為1至6。 含有乙稀基末端基團之化合物及含有甲基末端基團之化 151886.doc 201127781 合物具有低旋轉黏度。 在本申請案中，高頻技術及超高頻技術二者均表示應用 _之頻率在1 MHz至1 ΤΗζ、較佳1 GHz至500 GHz、更佳 2 GHz至300 GHz、尤佳約5 GHz至150 GHz之範圍内且極 佳在約10 GHz至80 GHz之範圍内。 本發明液晶介質可以常規濃度包含其他添加劑及對掌性 摻雜劑。以總混合物計，該等其他成份之總濃度在至 10%、較佳〇.1%至6%之範圍内。所用個別化合物各自之濃 度較佳在0_1%至3。/。之範圍内。在本申請案中，該等及類 似添加劑之濃度並不計入液晶介質之液晶組份及液晶化合 物之濃度值及範圍内。 本發明液晶介質由複數種化合物、較佳3至種、更佳4 至20種且極佳4至15種化合物組成。該等化合物係以習用 方式加以混合。一般而言，將以較少量使用之期望量化合 物洛於以較大里使用之化合物中。若溫度高於以較高濃度 使用之化合物之透明點，則尤其易於觀察到溶解過程之完 成。然而，亦可以其他習用方式來製備介質，例如使用可 為（例如）化合物之同系或低共熔混合物之所謂的預混合 物或使用所謂「多瓶」系統（其成份自身係即用之混合 物）。 所有溫度（例如，液晶之熔點T(C，N)或T(c，s)、自層列 (s)相至向列（N)相之轉變溫度T(S，N)及透明點t(n，…皆係 以攝氏度表示。所有溫度差皆係以度數差表示。 在本發明令且尤其在以下實例中，液晶原化合物之結構 151886.doc -75- 201127781 係由縮寫（亦稱作首字母縮略詞）央 j术表不。在該等首字 略詞中，使用下表八至。將化學式縮寫如了。所有基： CnH2n+1、Cmii2m+1 及 ClH21+1 或 Cnii2n」、cl ^ 及 c收1 】皆 表示分別具有n、m及HSC原子之直鏈烷基或烯基較2 1E-烯基，其中n、爪及丨分別彼此獨立地表示1至9、較佳夏 至7、或2至9、較佳2至7之整數。C〇H2〇+】表示具^至厂 較佳1至4個C原子之直鏈烷基、或具有！至7、較佳丨至4個 C原子之具支鏈烷基。 表A列出用於化合物核心結構之環要素的代碼，而表b 展示連接基團。表C給出左手側或右手側末端基團之代碼 之含義。表D結合化合物各自之縮寫展示其闡釋性結構。 表A :環要素

151886.doc 201127781

tH

tHI tH2f (1,4N)

tH2fl 151886.doc -77- 201127781

κ L F P(〇) P(c3) P(c4) P(c5) P(c6) 表B : E V

PI(c3) PI(c4) PI(c5) PI(c6)

連接基團 -ch2ch2- z -co-o- -CH=CH- ZI -O-CO- 151886.doc -78- 201127781 X -CF=CH- 0 -CH2-O- XI -CH=CF- 01 -O-CH2- B -CF=CF- Q -CF2~0- T -C=C- Qi -0-CF2- W -CF2CF2- T -c 三 c- 表C :末端基團 左手側 單獨使用 右手側 -n- CnH2n+l~ -n ~CnH2n+l -nO- CnH2n+r〇- -nO -0-CnH2n+l -V- ch2=ch- -V -ch=ch2 -nV- CnH2n+rCH=CH- -nV -CnH2n-CH=CH2 -Vn- CH2=CH- CnH2n+1- -Vn -CH=CH-CnH2n+1 -nVm- CnH2n+rCH=CH- CniH2m- -nVm -CnH2n-CH=CH-CmH2m+i -N- N三C- -N -ON -S- S=C=N- -S -N=C=S -F- F- -F -F -CL- Cl- CL -Cl -M- cfh2- -M -cfh2 -D- cf2h- -D -cf2h -T- cf3- -T -cf3 -MO- cfh2o - -OM -ocfh2 -DO- CF2HO - -OD -ocf2h -TO- CF30- -OT -ocf3 -OXF- cf2=ch-o- -OXF -o-ch=cf2 -A- H-C^c- -A -C=C-H -nA- CnH2n+l-C=C- -An -C=C-CnH2n+l -NA- NeC-OC- -AN -CeC-C 三N 與其他一起使用 151886.doc •79· i 201127781 -· · •A·· · ·· -C=C- 癱· -oc- CH=CH- -•••V … -CH=CH -...Zr···- -CO-O- -CO-O- -•••ZI …》 -O-CO- ~···ΖιΙ··· -O-CO- '••K …· -CO- -CO- -…w···- -CF=CF- -•••W … •CF=CF- 其中η及m各自表示整數，且三個點「…」係來自此表格之 其他縮寫的佔位符。 下表結合各自之縮寫來展示闡釋性結構。展示該等結構 以闡釋縮寫規則之含義。此外，其代表較佳使用之化合 物。 表D :闞釋性結構 闡釋性結構展示尤佳使用之化合物。 組份A之化合物的實例 CH3-(CH2)

(CH2)3-CH3

6*P-1，相序：C 197°C N330.4°C I ch3-(ch

(CH2)3-CH3 CH3-(CH2)/ (CH2)2'CH, 6*P-2，相序：C 174°C N 252.7°C I 151886.doc -80 - 201127781

10*P-1 (k=2)，相序：c 154eC N283.9〇c I

10*P-2 (k=2)，相序：C 103°C N 199.9°C I

10*Ρ·3 (k=2)，相序：C 147°C N238.4°C I 組份B之化合物的實例 Ρ〇^2〇·Μ

CnH2n+r-^^^-CEC-<^3^C5C~^3~ CmH2m+1 PTP(o)TP-n-m ,^0^20+1

CnH2n+rH0KCECH〇-CECH0l·- 0-CmH2m+1 PTP(o)TP-n-Om 151886.doc • 81 - 201127781

PTP(i3)TP-n-m， 相序：n=m=2: C 99°C N (45.4)°C I ;

11=111=3: Tg -30 C C 68 C N 76.2〇C I * n=m=4: C 44〇C N 49.5〇C I

PTP(i3)TP-n-Om

PTP(c3)TP-n-m > 相序：n=m=3: Tg-43°C C 46°C N 86.0°C I ;

n=m=4: C 72〇C N 84.5〇C I

PTP(c3)TP-n-Om

PTP(c4)TP-n-m >

相序：n=m=4: Tg -39〇C C 69〇C N 70.1°C I lS1886.doc • 82 - 201127781

PTP(c4)TP-n-Om

PTP(c5)TP-n-m

PTP(c5)TP-n-Om

PTP(c6)TP-n-m， 相序：n=m=3: Tg -23 °C I

PTP(c6)TP-n-Om

Po^2o+1 PTP(o)TP-n>X, X= F, Cl

S 151886.doc •83- 201127781

PT(l,4N)BP-n-m,

相序：n=3, m=4: Tg -34°C C 67°C N 180.6°C I ; n=m=4: Tg -37°C C 65〇C N 162.0〇C I

PT(l,4N)BP-n-Om 組份C之化合物的實例 c„h2

cf2-

PGUQU-n-F

CPBZU-n-F

CPBZG-n-N 151886.doc • 84 - 201127781 Ίη+ί

PUQGUQU-n-F

F F F PUQGUQGU-n-F=PU[QGU]2-n-F

F F F

F F D(fN)UQU-n-F 組份D之化合物的實例

151886.doc -85 - 201127781

C„H 2m+1

〇—CmH2m+1 組份E之化合物的實例 具有3個6員環之化合物

F

,=\ 户

CnH2n+r~^_ PGP-n-i

CnH2n+1—γPGP-n-m V (CH2)-C=CH2

(ch2)-c=c-c,h2I+1

F F

CnH2n+r~~、>— F

GGP-n-F •86- 151886.doc 201127781

CnH2n+i

ci GGP-n-CL

CnH2n+i

F PGIGI-n-F

Cl 具有4個6員環之化合物

CmH 2m+1

s 151886.doc -87- 201127781 所用極性化合物之闡釋性結構：

F F ^η^2η+ί

F F

PPGU-n-F

PGUQU-n-F 較佳使用之其他中性化合物的闡釋性結構：

C„H 2m+1 CGPC-n-m 151886.doc • 88 - 201127781

CnH2n+i

CCZPC-n-m

CO-O

CmH 2m+1

CnH2n+1_

CPGP-n-m

CmH 2m+1 ^n^2n+

(CH2)-C=CH2 CPGP-n-mV

—<0~(CH2)ir^=H_C|H2,+1

CPGP-n-mVI 所用其他極性化合物之闡釋性結構：

F F

CnH2n+i

F CGU-n-F ^n^2n+

CCPUn-F

CnH2n+i

CCGU-n-F s 151886.doc -89- 201127781 F F CnH2

F F CPGU-n-F

CPGU-n-OT

下表（表E)展示可用作本發明液晶原介質中之穩定劑之 闡釋性化合物。該等化合物及類似化合物在介質中之總濃 度較佳為5%或更小。

表E

151886.doc -90- 201127781

151886.doc -91 - 201127781

151886.doc -92- 201127781

在本發明一較佳實施例中，液晶原介質包含一或多種選 自來自表E之化合物之群的化合物。 下表（表F)展示較佳可用作本發明液晶原介質中之對掌 性掺雜劑之闡釋性化合物。

表F

CN

CN CB 15

c6h13-ch-o I ch3 CM 21

ch2-ch-c2h5

I ch3 CM 44

CM 45 c2h5 s 151886.doc -93- 201127781 c8h17o-^ CM 47

C8H17~^

CN

Ch οβη13ο—( o

Co o

O-CH-C I CH. R/S-811

ooc

>—( O )—COO R/S-1011 H”C5、H 尸^ H 尸^ 〇 ^-〇i；H-C6H13

F R/S-2011 -94- 151886.doc 201127781

在本發明-較佳實施例中’液晶原介質包含一或多種選 自來自表F之化合物之群的化合物。 、 本申請案之液晶原介質較佳包含兩種或更多種（較佳*種 或更多種）選自由來自上表之化合物組成之群的化合物。 本發明之液晶介質較佳包含： • 7種或更多種、較佳8種或更多種選自表D化合物之群的 化合物，較佳係具有3個或更多、較佳4個或更多個不同 式的化合物。 實例 以下實例可闡釋本發明而不以任何方式限制本發明。 然而’熟習此項技術者根據物理性f可明瞭可達成之性 質及其可改良之範圍。拉中__ , 固特疋而由此可對熟習此項技術 刀限疋較佳可達成之各種性質之組合。 1518S6.doc •95- 201127781 物質實例 物質實例1 化合物之製備

將24.0 g偏硼酸鈉溶解於60.0 ml去礦質化水中。然後相 繼添加1.50 g合成級雙（三苯基膦）氯化鈀（II) (l5 2% pd)、 0.100 ml氫氧化肼（約100%純）及25.0 g 2-溴-5-氣苯甲搭， 並在環境溫度下將該混合物檟:拌10 min。隨後逐滴添加 19.7 g溶於120.0 ml四氫呋喃中之硼酸鹽，並將該混合物加 熱至沸騰。在回流下將該混合物加熱丨6 h。對產物進行習 用純化。獲得黃色油狀物。 步驟1.2

首先引入甲基氯化鎂存於四氫呋喃中之18 〇 ml 2〇%溶 151886.doc -96- 201127781 液。將11.2 g來自最終步驟之產物溶解於1〇〇 ml ΤΗρ中並 在約5°C之溫度下冷卻的同時進行逐滴添加。隨後在5〇c之 溫度下將反應混合物擾摔1 h。對產物進行習用純化。声 得澄清淡黃色黏性油狀物。 步驟1.3

在環境溫度下將9.20 g來自最終步驟之產物於氮氣氛下 溶解於150.0 ml四氫呋喃中。然後逐滴添加49 〇 ml三氟化 硼/乙醚複合物溶液（合成級）。在此添加期間，反應混合物 之>盈度升至約28 °C。隨後逐份添加17.40 g氰基棚氫化鈉。 在此期間’溫度升至約35°C。隨後在回流下將混合物加熱 7 0 h。獲得6 0 g黃色黏性油狀粗製產物。對產物進行習用 純化。 步驟1.4

將7.20 g來自最終步驟之產物與13.3 g雙（頻哪醇基）二 硼、490.0 mg叁（二亞苄基丙酮）二鈀（〇)、510 mg 2-二環己 基膦基-2·，4·，6·-三異丙基聯苯及7.70 g乙酸鉀一起溶解於 151886.doc .97· 201127781 100·0 ml 1，4-二噁烷中。在回流下將混合物於i〇(rc下加熱 16 h。對產物進行習用純化。 步驟1.5

Br

將3.00 g來自最終步驟之產物與1.28 g合成級4,4，_二漠 苯、300.0 mg叁（二亞苄基丙酮）二鈀（〇)、35 〇 mg 2_二環 己基膦基-2'，6·-二曱氧基聯苯及4.80 g單水合磷酸鉀（在 140°C下自三水合墙酸鉀經16 h後製得）一起溶解於5〇.〇 Μ·二噁烷中。在回流下將反應混合物於i〇〇°c下加熱16 h。 分離出粗製產物（藍綠色晶體）。對產物進行習用純化。 該產物具有相序C 197°C N 330.4。(： I，且自存於ZLI-4792中之5°/。溶液外推，Δε為2.8且Δη為0.351。 物質實例2 以與物質實例1類似之方式製備以下化合物：

為簡便起見，此處僅詳細闡述最終合成步驟。 151886.doc • 98 · 201127781

將3.80 g硼酸酯與^的g 44，_二溴聯苯（合成級）、90.0 mg叁（二亞苄基丙二鈀（〇)、i7〇 mg 2二環己基膦基· 2·，6’-二甲氧基聯苯及5 8〇 g單水合磷酸鉀（在14〇t>c下自三 水合磷酸鉀經16 h後製得）一起溶解於5〇.〇 mi丨，4_二噁烷 中。在回流下將反應混合物於1 〇〇。〇下加熱丨6 h。分離出 粗製產物。對產物進行習用純化。獲得淡褐色晶體。 該產物具有相序C 174°C N 252.7eC I，且自存於ZLI-4792中之5〇/〇溶液外推，心為1 6且心為〇 319。 物質實例3 化合物之製備

步驟3.1

Br CH* + CH3-(CH2)ir-(CH2)irCH3 151886.doc -99- 201127781 將 33.50 j j . j υ g j 中。添加200 m 8.5 ml溴（特純） 境溫度下授拌16 合物再攪拌50 h i，4-一-正-十二院基苯溶解於100 ml二氯甲燒 mg碘（雙昇華）作為觸媒。隨後快速逐滴添加 在排除光的同時將褐色反應混合物於環 M h。然後再添加ι〇〇 ml二氣甲烧’並將混 σ切丹摞件50 h。分離出粗製產物（淡黃色晶體）並進行習 用純化。獲得白色晶體。 步驟3.2 ch3-(ch2)v

首先引入20.0 g來自最終步驟之產物、1〇〇〇 ml甲苯（特 純）、12.0 g無水碳酸鈉（特純）及5〇〇 ^1去礦質化水並將其 升溫至在約75°C至80°C之範圍内之溫度，同時進行劇烈攪 拌。隨後添加0.40 g四（三苯基膦）Pd(0)，並逐滴添加9.40 g 棚酸存於5 0.0 ml乙醇（無水，特純）中之溶液。有利地，預 先使硼酸之醇溶液輕輕升溫以使硼酸完全溶解。在回流下 將反應混合物加熱16 h。分離出粗製產物（褐色油狀物）並 進行習用純化。獲得澄清油狀物。 151886.doc -100· 201127781 步驟3.3

Pd觸媒，鹼 將13.60 g來自最終步驟之產物溶解於100.0 ml 1,4-二》惡 烷（特純）中。隨後添加0.40 g PdCl2-dppf(雙二苯基膦基二 茂鐵二氯鈀）、5.5 0 g雙（頻哪醇基）二硼及5.40 g乙酸鉀（特 純）’並在回流下將反應混合物加熱4 h。分離出粗製產物 (黑色油狀物）並進行習用純化。獲得油狀產物。 步驟3.4

將3.00 g 4-溴-4，-碘聯苯溶解於8〇〇 ml曱苯（特純）中。隨 後相繼添加3.00 g無水碳酸鈉（特純）、5〇 〇鮒去礦質化 水、6.20 g來自最終步驟之產物。分離出粗製產物^褐色 晶體）並進行習用純化。獲得黃褐色晶體。 £： 151886.doc • 101 - 201127781 步驟3.5

在緩慢加熱的同時將4·7〇 g來自最終步驟之產物及〇 “Ο 雙（頻哪醇基）二硼溶解於25〇 ml丨，4_二噁烷（特純）中。然 後，首先添加200.0 mg PdCl2(PCy3)2(雙三環己基膦基二氣 化纪）且隨後添加3.5 0 g氟化纪及一滴水。在1 〇〇°c之溫度 下將反應混合物於氮氣氛下攪拌16 h。分離出粗製產物（黃 色晶體）。對產物進行習用純化。獲得黃色晶體。 該產物具有相序C 103°C N 199.9°C I，且自存於ZLI-4792中之5%溶液外推，Δε為0.3且Δη為0.25 5。 物質實例4 以與物質實例3類似之方式製備以下化合物：

151886.doc -102- 201127781 為簡便起見，此處僅詳細闡述最終合成步驟。

在緩慢加熱的同時將丨.70 g來自最終步驟之產物及〇28〇 g 雙（頻哪醇基）二硼溶解於1〇 〇 ml 14_二噁烷中。然後首g 先添加8〇·〇 mg PdCWPCy;)2(雙三環己基膦基二氯化鈀）且 隨後添加1·40 g氟化鈀。在回流下將反應混合物於氮氣氛 下加熱16 h。對產物進行習用純化。獲得黃色晶體。飞 該產物具有相序C 15代N 283.9。〇：〗，且自存 4792中之5%溶液外推，^為3 〇且^為〇 3〇8。 物質實例5 以與物質實例3類似之方式製備以下化合物：

η = 2 /~CH2-CH(-C2H5)-(CH2)3-CH3 為簡便起見，此虛说4 Λ 此處僅洋細闌述最終合成步驟 151886.doc -103· 201127781

在緩慢加熱的同時將5.0 g來自最終步驟之產物及0.863 g 雙（頻哪醇基）二硼溶解於35.0 ml 1,4-二噁烷中。然後，首先 添加250 mg PdCl2(PCy3)2(雙三環己基膦基二氯化鈀）且隨後 添加1.40 g氟化鈀及1滴水。在1〇〇°c之溫度下將反應混合物 於氮氣氛下攪拌16 h。分離出粗製產物（非晶形淺黃色/淺黃 色-橙色物質）。對產物進行習用純化。獲得淺灰色晶體。 該產物具有相序C 147°C N 238.4。(： I，且自存於ZLI-4792中之10%溶液外推，為〇.4且Δη為0.267。 應用實例 比較實例1 在20°C下對已知液晶化合物4’-戊基-4-氰基聯苯（亦稱為 5CB 或 K15，Merck KGaA，Darmstadt, Germany)之尤其在 微波區中之物理性質進行研究。 表1 :化合物K15在30 GHz下之性質 T/eC Sr,II εα τ tai^r,|| tan δε，Γ，丄 η 20 2.87 2.55 0.110 0.0114 0.026 43~ 此化合物具有相序C 23°C N 35.rc且在26°C之溫度ΤΔε 151886.doc •104· 201127781 為11.0並且在29C之溫度下Δε為9.9，且自存於ZLI-4 792中 之10%溶液外推，Δε為20.1且Δη為0.212。 該化合物具有極低材料品質且尤其極不適於微波區中之 應用’此乃因其具有極窄之相範圍及相當低之η。 比較實例2 藉由 Hsu，C. S.，Shyu，K. F” Chuang，Υ· Υ.及 Wu, S.-T·， Liq. Cryst·，27 (2)，（2000)，第283至287頁之方法來製備具 有縮寫PTP(2)TP-6-3之液晶物質’並研究其尤其在微波區 中之物理性質。該化合物具有向列相且透明點為1 〇 8。 表2 :化合物PTP(2)TP-6-3在30 GHz下之性質 T/°C edl εΓ，丄 τ tan5E>r>|| ίδηδε，Γ，丄 η 20 3.17 2.38 0.249 0.0018 0.0063 40 22 3.22 2.44 0.242 0.0018 0.0064 38 該產物具有相序Tg -54°C N 119.2°C，且自存於ZLI-4792 中之10%溶液外推，Δε為1.8且Δη為0.393。 儘管該化合物適於微波區（尤其相移器）中之應用，但其 具有低Δε。 表3 :各個實例在30 GHz及20°C下之性質的比較 實-例 液晶 Δε Sr, II £r,± τ tan 8er，max. η 比較實例1 Κ15 20 2.87 2.55 0.110 0.026 4.3 比較實例2 Ρ2-6-3* 0.4 3.17 2.38 0.249 0.0063 40 比較實例2 Ρ2-6-3* 0.4 3.22s 2.44s 0.242s 0.0064s 38s 1 Μ-1 0.8 3.15 2.38 0.244 0.0057 45 2 Μ-2 t.b.d. 3.18 2.40 0.245 0.0055 46 3 Μ-3 0.8 3.14 2.37 0.245 0.0054 45 4 Μ-4 2.4 3.18 2.39 0.248 0.0074 34 5 Μ-5 0.9 3.13s 2.40s 0.233δ 0.0052δ 45备— 6 Μ-6 3.0 3.23 2.42 0.250 0.0085 30 注釋：*): P2-6-3: PTP(2)TP-6-3 > §):在T=22°C 下，且 t.b.d.:欲測定。 151886.doc -105 - 201127781 實例1 製備具有如下表中所示組成及性質之液晶混合物Μ-1並 研究其尤其在微波區中之物理性質。

組成 物理性皙 化合物 Τ(Ν,Ι) = 118.5 °C 編號 縮寫 ne(20°C, 589.3 nm) = t.b.d· 1 ΡΤΡ(2)ΤΡ-6-3 95.0 n〇(20°C, 589.3 nm) = t.b.d. 2 6*?-\ 1〇 ε| i (20°C, 1 kHz) 口 3.4 Σ 100.0 Δε(20°〇, 1 kHz) = +U.8 ki (20°C) = 11.7 pN K3 (20eC) = 52.2 pN 注釋：t.b.d.:欲測定。 表4 :混合物M-1在30 GHz下之性質 T/°C Er,|| EU X tan5e；rj | tan δεχ 丄 η 20 3.15 2.38 0.244 0.0013 0.0057 45 此混合物極其適於微波區（尤其移相器）中之應用。 實例2 製備具有如下表中所示組成及性質之液晶混合物M-2並 研究其尤其在微波區中之物理性質。 組成 物理性質 化合物 T(N,I) = 115.5 °C 編號 縮寫 ne(20°C, 589.3 nm) t.b.d. 1 ΡΤΡ(2)ΤΡ-6-3 93.0 n〇 (20°C, 589.3 nm) 二 t.b.d. 2 10*Ρ-1 L〇 ε| | (20°C, 1 kHz) = tb.d. Σ 100.0 Δε(20°〇, 1 kHz) = t.b.d. 注釋：t.b.d·:欲測定。 表5:混合物M-2在30 GHz下之性質 T/°C ε：,|| £rsl X tan5e>r,|| tanSEX 丄 η 20 3.18 2.40 0.245 0.0015 0.0055 46 此混合物極其適於微波區（尤其移相器）中之應用。 實例3 151886.doc -106- 201127781 製備具有如下表中所示組成及性質之液晶混合物M-3並 研究其尤其在微波區中之物理性質。

組成 物理性質 化合物 Τ(Ν,Ι) = 116.5 °C 編號 縮寫 ne(20°C, 589.3 nm) = t.b.d. 1 ΡΤΡ(2)ΤΡ-6-3 90.0 n〇(20°C, 589.3 nm) = t.b.d. 2 10*Ρ-3 10.0 ε| I (20°C, 1 kHz) = 3.4 Σ 100.0 Δε(20°〇, 1 kHz) = +0.8 k! (20°C) = 12.47 pN K3 (20°C) = 51.2 pN 注釋：t.b.d.:欲測定。 表6:混合物M-3在30 GHz下之性質 T/°C ErJI 6r,± X tan8E>r>|| 加δε，Γ，丄 η 20 3.14 2.37 0.245 0.0015 0.0054 45 此混合物極其適於微波區（尤其移相器）中之應用。 實例4 製備具有如下表中所示組成及性質之液晶混合物M-4並 研究其尤其在微波區中之物理性質。 組成 物理性質 化合物 T(N,I) = 123.5 °c 編號 縮寫 11^(20^,589.3 ^) = t.b.d. 1 ΡΤΡ(2)ΤΡ-3-1 10.0 n〇(20°C, 589.3 nm) = t.b.d. 2 ΡΤΡ(2)ΤΡ-6-3 63.0 ε| | (20°C, 1 kHz) = 5.2 3 ΡΤΡ(2)ΤΡ-3-05 10.0 Δε(20°〇, 1 kHz) = 2.4 4 PGUQU-3-F 5.0 kj (20°C) = t.b.d. pN 5 PU[QGU]2-5-F 5.0 K3(20°C) = t.b.d. pN 6 10*P-3 7.0 Σ 100.0 注釋：t.b.d.: 欲測定， PU[QGU]2-5-F: PUQGUQGU-5-F， 相序： C 86°C N 236.4°C I。 表7:混合物M-4在30 GHz下之性質 T/°C Sr, || Sr，丄 X tan6£；rj | tan5£,r；i η 20 3.18 2.39 0.248 0.0021 0.0074 34 151886.doc -107- 201127781 此混合物極其適於微波區（尤其移相器）中之應用。特定 而言，其具有相對較高之。 實例5 製備具有如下表中所示組成及性質之液晶混合物Μ-5並 研九其尤其在微波區中之物理性質。

組成 物理性質 化合物 T(N，I) = 119.0 °C 編號 縮寫 〜(20〇(：，589.3 nm) = t.b.d. 1 ΡΤΡ(2)ΤΡ-6-3 70.0 n〇 (20°C? 589.3 nm) = t.b.d. 2 PTP(c3)TP-4-4 10.0 ε|| (20。。，1 kHz) = 3.6 3 ΡΤ(1，4Ν)ΒΡ-3-4 10.0 As(20°C, 1 kHz) = +0.9 4 10*P-3 10.0 k, (20°C) = 10.9 pN Σ 、、七趣 100.0 K3 (20°C) = 46.4 pN 注釋：t.b.d.:欲測定。 表8:混合物M-5在30 GHz下之性質 T/°C ErJI Sr,丄 X tan δε, r, || tan r , η 22 3.13 2.40 0.233 0.0015 0.0052 45 此混合物極其適於微波區（尤其相移器）中之應用。 實例6 具有下表中所示組成及性質之液晶铷Μ。 組成 物理性質 化合物 T(N,I) = 129.5 °c = t b d 編號 縮寫 ne (20°C, 589.3 nm) 1 ΡΤΡ(2)ΤΡ-3-1 15.0 n〇(20°C, 589.3 nm) = t.b.d. 2 ΡΤΡ(2)ΤΡ-3-3 15.0 ε| | (20°C, 1 kHz) = 6.5 3 4 ΡΤΡ(2)ΤΡ-3-05 15.0 Δε(20°0,1 kHz) = 3.0 ΡΤΡ(2)ΤΡ-6-3 42.0 k, (20°C) = t.b.d. 5 6 D(fN)UQU-3-F 8.0 K3 (20°C) = t.b.d. 10*Ρ-3 5.0 -Σ 100.0 注釋 :t.b.d·:欲測定且 D(fN)UQU-3-F，相序： C 80°C N 120°C I. ----- 151886.doc -108 · 201127781 表9:混合物M-6在30 GHz下之性質 T/°C εΓ，ΙΙ εΓ，丄 τ tan5e；r；|| tan5e，r，丄 η 20 3.23 2.42 0.250 0.0023 0.0085 30 此混合物極其適於微波區（尤其移相器）中之應用。特定 而言，其具有相對較高之Δε。 151886.doc -109·

Claims (1)

1. 201127781 七、申請專利範圍： 1· 一種用於高頻技術或用於電磁波譜之微波區及毫米波區 之裝置’其特徵在於其含有液晶介質，該液晶介質由一 或多種含有6至15個5員、6員或7員環之化合物組成，或 j於其含有自身包含組份A之液晶介質，該組份A自身由 一或多種含有6至15個5員、6員或7員環之該等化合物組 成。 2.如β求項1之裝置’其特徵在於請求項1中所提及含有6 至15個5員、6員或7員環之該等化合物係式丨化合物 L11\ L12 Rl4^tR12 τ |_13 厂γΐ4 I 其中 R及尺彼此獨立地表示鹵素、各自具有αΐ5個C原 子之未經氟化之烷基或經氟化之烷基或未經 氟化之烷氧基或經氟化之烷氧基、或各自具 有2至15個C原子之未經氟化之烯基或經氟化 之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷 氧基烷基或經氟化之烷氧基烷基，其中，另 外，一或多個「-CH2·」基團可彼此獨立地由 具有3至6個C原子、較佳具有4或6個c原子之 環烷基代替，且另一選擇為，另外，Rl丨及 R中之一者或RU與R12二者均表示H， L11至L14在每次出現時在每一情形下彼此獨立地表示 1518S6.doc 201127781 H、具有1至15個C原子之烷基、F或Cl，且 P 表示在6至15之範圍内之整數。 3.如請求項1及2中任一項之裝置，其特徵在於其含有包含 組份B之液晶介質，該組份b由一或多種式IV化合物組成

   IV 其中

   中之—或多者表示

   R41 至 R43 Z41 及 Z42 彼此獨立地具有請求項丨中針對Rii所給出含 義中之一者，且 彼此獨立地表不-C^C-、_cf=CF_、 、-CH=CF 或-CH=CH- 〇 151886.doc 201127781 月求項1或2之裝置’其特徵在於除組份a外，該液晶 ;丨質另外包含一或多種選自以下組份之群的組份，即組 份B至E : !伤B，其係具有在大於_5 〇至小於1〇 〇之範圍内之介 電各向異性且較佳由一或多種請求項3中給出之式iv化 合物組成的組份， 強介電正性組份，即組份C，其具有1〇或更大之介電 各向異性， 強介電負性組份，即組份D，其具有5或更大之值之介 電各向異性， ，’且伤E，其係同樣具有在大於_5 〇至小於1〇 〇範圍内之 ’丨電各向異性且由至多5個5員、6員或7員環之化合物組 成的組份。 5. 如請求項4之裝置，其特徵在於該液晶介質包含組份c。 6. 如。月求項5之裝置，其特徵在於該液晶介質包含組份d。 7·如請求項5之裝置，其特徵在於該液晶介質包含組份E。 8. —種液晶介質，其特徵在於其包含 組伤A ’其由一或多種如請求項2中所述式I化合物組 成，及 另外或多種組份，其選自以下組份之群，即組份β 至Ε : 八係具有在大於_5.〇至小於1〇 〇之範圍内之介 電各向異H且較佳由請求項3中給出之式iv化合物組 成的組份， £ 151886.doc 201127781 9. 10. 11. 12. 13. 14. 15. 16. 強介電正性組份，即組份C，其具有ι〇或更大之介電 各向異性， 強介電負性組份’即組份D，其具有5或更大之值之介 電各向異性， 組份E ’其係同樣具有在大於_5 〇至小於1〇 〇範圍内之 介電各向異性且由至多5個5員、6員或7員環之化合物 組成的組份。 如凊求項8之液晶介質，其特徵在於該液晶介質包含組 份B 〇 如請求項8及9中任一項之液晶介質，其特徵在於該液晶 介質包含組份C。 如請求項8及9中任一項之液晶介質，其特徵在於該液晶 介質包含組份D。 一種如請求項8至u中任一項之液晶介質的用途，其係 用於高頻技術之裝置中。 種製備液晶介質的方法，其特徵在於將如請求項2所 述之一或多種式I化合物與一或多種其他化合物及/或與 一或多種添加劑混合。 一種產生如請求項丨至7中任一項之裝置的方法，其 在於使用如請求項中任__項之液晶介質。 種移相窃’其特徵在於其包含一或多個如請求項1至7 中任一項之裝置。 -種微波天線陣列，其特徵在於其包含一或多個如請求 項1至7中任一項之裝置。 151886.doc 201127781 列之方法’其特徵在於該一或多個 項之裝置係電定址或可電定址。 1 7· —種調譜微波天線陣 如請求項1至7中任— 18. —種式I化合物，

   其中 R及尺彼此獨立地表示函素、各自具有原 子之未經氟化之烷基或經氟化之烷基或未經 氟化之烷氧基或經氟化之烷氧基、或各自具 有2至15個C原子之未經氟化之烯基或經氟化 之稀基未經氟化之浠氧基或未經氟化之烧 氧基烷基或經氟化之烷氧基烷基，其中，一 或多個「-CH2·」基團可另外彼此獨立地由具 有3至6個C原子、較佳具有4或6個c原子之環 烷基代替， L至L 在每次出現時在每一情形下彼此獨立地表示 Η、具有1至15個C原子之烷基、，且 Ρ 表示在6至15之範圍内之整數。 19. 一種製備如請求項丨之式丨化合物之方法，其特徵在於藉 由纪催化之同型偶合及/或交又偶合將來自芳基餐醋化 •合物之產物或一或多種中間體連接至芳基_自素化合物或 三氟甲磺酸芳基酯化合物。 151886.doc 201127781 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

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