本發明係關於式M之化合物
其中 R
M
為具有1至20個C原子之烷基，其為直鏈或分支鏈的，且其未經取代，經F、Cl或CN較佳經F單取代或多取代，且其中一或多個CH
2
基團在各情況下彼此獨立地視情況經-O-、-S-、-NR
01
-、-SiR
01
R
02
-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-CY
01
=CY
02
-或-CºC-以使得O原子及/或S原子不彼此直接連接的方式置換，較佳為具有1至9個C原子、較佳具有2至5個C原子之正烷基或正烷氧基，具有2至9個C原子、較佳具有2至5個C原子之烯基、烯氧基或烷氧基烷基，或較佳具有至多9個C原子之鹵化烷基、鹵化烯基或鹵化烷氧基，較佳為較佳具有至多9個C原子之單氟化、二氟化或寡氟化烷基、烯基或烷氧基，最佳為較佳具有至多9個C原子之正烷基、正烷氧基、烯基、烯氧基或烷氧基烷基， Y
01
及Y
02
彼此獨立地表示F、Cl或CN，且可替代地，其中之一者可為H，且 R
01
及R
02
彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基。 如文獻(例如，諸如Houben-Weyl, Methoden der organischen Chemie [Methods of Organic Chemistry], Georg-Thieme-Verlag, Stuttgart之標準著作)中所描述，可藉由本身已知之方法，確切而言在已知且適合於該等反應之反應條件下製備通式M之化合物。本文中可使用此處未更詳細提及之本身已知之變化形式。 視需要，起始物質亦可藉由不將其與反應混合物分離而是緊接著將其進一步轉化成通式M之化合物而原位形成。 在實例中藉助於實例描述根據本發明之通式M之化合物之合成。起始物質可藉由一般可使用之文獻程序來獲得或為可商購的。DE4409431A1中描述嘧啶衍生物之較佳合成途徑，且熟習此項技術者可容易地改變該等途徑以製備式M之化合物適應。 下文參考方案1闡述尤其適合根據本發明之化合物的合成途徑。
方案 1 .
式M之化合物之合成。基團R
M
具有上文所定義之含義，X表示Cl、Br或I。 經適合取代之聯苯
酸(
1
)可如文獻中及以下合成實例中所描述來加以製備。嘧啶-2-甲腈
2
為可商購的。 方案1應僅視為說明性的。熟習此項技術者將能夠進行所呈現合成之對應變化，且亦遵循其他適合的合成途徑，以獲得式M之化合物。 根據以上描繪之合成，本發明在一實施例中亦涵蓋製備式M之化合物之一或多種方法。 因此，本發明涵蓋一種用於製備式M之化合物之方法，其中該方法包含使4-氯嘧啶-2-甲腈、4-溴嘧啶-2-甲腈或4-碘嘧啶-2-甲腈(
2
)在過渡金屬催化之偶合反應(例如，鈴木偶合(Suzuki coupling)、熊田偶合(Kumada coupling)或類似偶合)中進行反應以得到4-芳基-嘧啶甲腈的方法步驟。 該方法及反應混合物之後續處理可基本上以分批反應之形式或在連續反應程序中進行。連續反應程序涵蓋(例如)在連續攪拌槽反應器、級聯攪拌反應器、環流或錯流反應器、流管或微反應器中之反應。必要時，反應混合物視情況藉由以下方式處理：經固相過濾；層析；不可混溶相之間的分離(例如，萃取)；吸附至固體載體上；藉由蒸餾、選擇性蒸餾、昇華、結晶、共結晶或藉由膜上奈米過濾來移除溶劑及/或共沸混合物。 如已經提及，通式M之化合物可用於液晶介質中。因此，本發明亦係關於一種包含至少兩種液晶化合物、包含至少一種通式M之化合物的液晶介質。 式M之化合物較佳地選自式M-1及M-2之化合物之群
其中烷基表示具有2至7個C原子之非分支鏈烷基，且烯基表示具有2至7個C原子之烯基。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質另外包含一或多種式I之化合物
其中
較佳為
， 尤其較佳為
， L
1
表示具有1至6個C原子之烷基、具有3至6個C原子之環烷基或具有4至6個C原子之環烯基，較佳為CH
3
、C
2
H
5
、
n
-C
3
H
7
(-(CH
2
)
2
CH
3
)、
i
-C
3
H
7
(-CH(CH
3
)
2
)、環丙基、環丁基、環己基、環戊-1-烯基或環己-1-烯基，且尤其較佳為CH
3
、C
2
H
5
、環丙基或環丁基， X
1
表示H、具有1至3個C原子之烷基或鹵素，較佳為H、F或Cl，且尤其較佳為H或F，且極尤其較佳為F， R
11
至R
14
彼此獨立地表示各自具有1至15個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，各自具有2至15個C原子之未經氟化烯基、未經氟化烯氧基或未經氟化烷氧基烷基，或各自具有至多15個C原子之環烷基、烷基環烷基、環烯基、烷基環烯基、烷基環烷基烷基或烷基環烯基烷基，且可替代地，R
13
及R
14
中之一者或兩者亦表示H， 較佳地， R
11
及R
12
彼此獨立地表示各自具有1至7個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，或各自具有2至7個C原子之未經氟化烯基、未經氟化烯氧基或未經氟化烷氧基烷基， 尤其較佳地， R
11
表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，或各自具有2至7個C原子之未經氟化烯基、未經氟化烯氧基或未經氟化烷氧基烷基，且 尤其較佳地 R
12
表示各自具有1至7個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，且 較佳地 R
13
及R
14
表示H，具有1至5個C原子之未經氟化烷基，具有3至7個C原子之未經氟化環烷基或環烯基，各自具有4至12個C原子之未經氟化烷基環己基或未經氟化環己基烷基，或具有5至15個C原子之未經氟化烷基環己基烷基，尤其較佳為環丙基、環丁基或環己基，且極尤其較佳地，R
13
及R
14
中之至少一者表示正烷基，尤其較佳地甲基、乙基或正丙基，且另一者表示H或正烷基，尤其較佳地H、甲基、乙基或正丙基。 根據本發明之液晶介質極其適合用於高頻技術或電磁波譜之微波區及/或毫米波區的組件中。本發明係關於介質之此用途且係關於此等組件。 在本發明之第一較佳實施例中，用於高頻技術之組件含有一種液晶介質，該液晶介質包含由一種、兩種或更多種式M之化合物組成的組分A。 根據本發明之另一較佳實施例，用於高頻技術之組件含有包含以下之液晶介質 - 第一組分，組分A，其由一或多種上文所提及之式M之化合物組成，及 - 一或多種選自下文所定義之組分B至F之群的其他組分， - 一種組分，組分B，其由一或多種式I及/或式IA之化合物組成， - 一種強正介電組分，組分C，其具有10.0或更大之介電各向異性， - 一種強負介電組分，組分D，其具有-5.0或更小之介電各向異性， - 另一組分，組分E，其具有在大於-5.0至小於10.0範圍內之介電各向異性且由具有七個或更多個、較佳八個或更多個五員環或六員環之化合物組成，及 - 另一組分，組分F，其同樣具有在大於-5.0至小於10.0範圍內之介電各向異性且由具有至多六個五員環或六員環之化合物組成。 五員環之典型實例為
六員環之典型實例為
及
。 五員環及六員環亦包括飽和及部分飽和環以及雜環。 出於本申請案之目的，由兩個此等環(亦即，兩個五員環、一個五員環及一個六員環或兩個六員環)組成的稠環系統，諸如
， 在指定組分B或E之化合物時計作一個此等五員環或六員環。 相對應地，由三個或更多個此等環(該等環在縱向方向上併入至分子中)之組合組成的稠環系統，諸如
， 計作兩個此等五員環或六員環。 相比而言，在橫向方向上併入至分子中之稠環系統，諸如
， 計作一個此等五員環或六員環。 本發明同樣係關於前述液晶介質且係關於下文描述之彼等液晶介質，並且係關於該等液晶介質在電光顯示器中且特定言之在用於高頻技術之組件中的用途。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分B包含一或多種式I之化合物，該等化合物較佳地選自式I-1至式I-4、較佳式I-1及/或式I-2及/或式I-3及/或式I-4、較佳式I-1及式I-2之化合物的群，此等化合物更佳地主要由其組成，甚至更佳地基本上由其組成且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 L
1
表示具有1至6個C原子之烷基，具有2至6個C原子之烯基，具有3至6個C原子之環烷基或具有4至6個C原子之環烯基，較佳為CH
3
、C
2
H
5
、
n
-C
3
H
7
(-(CH
2
)
2
CH
3
)、
i
-C
3
H
7
(-CH(CH
3
)
2
)、-CH=CH
2
、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環戊-1-烯基或環己-1-烯基，且尤其較佳為CH
3
、C
2
H
5
、環丙基或環丁基， X
1
表示H、具有1至3個C原子之烷基或鹵素，較佳為H、F或Cl，且尤其較佳為H、F或CH
3
，甚至更佳為H或F，且極尤其較佳為F， 且其他參數具有上文針對式I所指示之各別含義，且較佳地 R
11
表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，且 R
12
表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，或具有1至7個C原子之未經氟化烷氧基，且 R
13
及R
14
中之一者表示甲基、乙基或正丙基，且 R
13
及R
14
中之另一者表示H、甲基、乙基或正丙基。 在本發明之一尤其較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分B包含一或多種式I-1之化合物，該等化合物較佳地選自式I-1a-1至式I-1a-12及式I-1b-1至式I-1b-12之化合物之群
其中參數具有如上文在式I-1下所給出之含義，且較佳地 R
11
及R
12
彼此獨立地表示具有2至7個C原子之烷基(例如，丙基或己基)，或各自表示丙基、丁基、戊基或己基。 在本發明之一極尤其較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分B包含一或多種式I之化合物，該等化合物較佳地選自式I-1a-2、式I-1a-5、式I-1a-7、式I-1a-8、式I-1a-9、式I-1a-10、式I-1b-5、式I-1b-7、式I-1b-8、式I-1b-9、式I-1b-10之化合物之群，其中參數具有上文給出之含義，且尤其較佳地 R
11
及R
12
彼此獨立地表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，或具有1至6個C原子之未經氟化烷氧基， 尤其較佳地 R
11
及R
12
中之一者表示烷基且另一者表示烷基或烷氧基， 且極尤其較佳地，R
11
及R
12
具有彼此不同的含義。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分B包含一或多種式I-2之化合物， 其中較佳地 R
11
及R
12
彼此獨立地表示具有2至7個C原子之烷基(例如，丙基或己基)，或各自表示丙基、丁基、戊基或己基。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分B包含一或多種式I-3之化合物，該等化合物較佳地選自式I-3a-1至式I-3a-3及式I-3b-1至式I-3b-3、較佳式I-3a-2、式I-3b-2之化合物之群，
其中參數具有上文在式I-3下所給出之含義，且較佳地 R
11
及R
12
彼此獨立地表示具有2至7個C原子之烷基(例如，丙基或己基)，或各自表示丙基、丁基、戊基或己基。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分B包含一或多種式I-4之化合物，該等化合物較佳地選自式I-4a-1至式I-4a-3及式I-4b-1至式I-4b-3、較佳式I-4b-2之化合物之群，
其中參數具有上文在式I-4下所給出之含義，且較佳地 R
11
及R
12
彼此獨立地表示具有2至7個C原子之烷基(例如，丙基或己基)，或各自表示丙基、丁基、戊基或己基。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質包含一或多種式IA之化合物
其中 r表示0或1，
其中Y表示S或O， 且其中在1,4-伸苯基中，較佳不相鄰的一個C-H基團或複數個CH基團、較佳一個CH基團或兩個CH基團、尤其較佳一個CH基團可經N替換，且 L
0
在每次出現時彼此獨立地表示H、Br、Cl、F、-CN、-NCS、-SCN、SF
5
、C
1
-C
10
烷基、C
1
-C
10
烷氧基、C
3
-C
6
環烷基或單氟化或多氟化之C
1
-C
10
烷基或烷氧基，較佳為H、F或C
1
-C
3
烷基 R
03
及R
04
各自彼此獨立地表示具有1至15個C原子之鹵化或未經取代烷基，另外，其中此等基團中之一或多個CH
2
基團可各自彼此獨立地經-CºC-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-(CO)O-、-O(CO)-、-(CO)-、-O-或-S-以使得O原子或S原子不彼此直接連接的方式置換，且視情況彼此獨立地，R
03
亦可表示乙炔基(亦即，-C
º
CH)且R
04
亦可表示H，並且 R
05
及R
06
各自彼此獨立地表示具有1至6個、較佳具有1至4個、尤其較佳具有1、2或3個C原子之鹵化或未經取代烷基，另外，其中此等基團中之一或多個CH
2
基團可各自彼此獨立地經-CºC-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-(CO)O-、-O(CO)、-(CO)-、-O-或-S-以使得O原子或S原子不彼此直接連接的方式置換。 根據本發明，式IA之化合物較佳地選自式IA-1至式IA-7之化合物：
其中R
03
及R
04
具有上文針對式IA所指示之含義，且較佳地，彼此獨立地表示具有1至7個C原子之烷基。 在本發明之一較佳實施例中，組分C包含一或多種選自式IIA及式IIB之化合物之群的化合物，
其中 R
21
表示各自具有1至15個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，或各自具有2至15個C原子之未經氟化烯基、未經氟化烯氧基或未經氟化烷氧基烷基，較佳為烷基，尤其較佳為正烷基， R
22
表示H，各自具有1至5個、較佳1至3個、尤其較佳3個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，
n及m彼此獨立地表示1或2，較佳地 (n+m)表示3或4，且尤其較佳地 n表示2， X
2
表示F、Cl、-CF
3
或-OCF
3
，較佳為F或Cl，尤其較佳為F。 式IIA之較佳化合物為對應子式IIA-1之化合物
其中R
21
具有上文給出之含義。 式IIB之較佳化合物為對應子式IIB-1及子式IIB-2之化合物
其中R
21
、R
22
及X
2
具有上文給出之各別含義。 在本發明之一較佳實施例中，組分D包含一或多種選自式IIIA及式IIIB之化合物之群的化合物：
其中 R
31
及R
32
彼此獨立地具有上文在式IIA下針對R
21
所指示之含義， 且較佳地 R
31
表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
且 R
32
表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
， 且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
31
及R
32
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)。 式IIIB之較佳化合物為子式IIIB-1及IIIB-2之化合物
其中 n及m各自具有上文針對式IIIB給出之含義，且較佳彼此獨立地表示在1至7範圍內之整數。 在本發明之一較佳實施例中，組分E包含一或多種下式IV之化合物：
其中 R
41
及R
42
彼此獨立地具有上文在式I下針對R
11
所指示之含義中之一者， L
41
至L
44
在每次出現時在各情況下彼此獨立地表示H、具有1至5個C原子之烷基、F或Cl，且 p表示7至14、較佳8至12且尤其較佳9至10範圍內之整數， 且較佳地 所存在之取代基L
41
至L
44
中之至少兩者具有除H以外之含義，且 R
41
表示C
n
H
2n+1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
42
表示C
m
H
2m+1
或O-C
m
H
2m+1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
， 且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 在本申請案之一較佳實施例中，液晶介質另外包含另一組分，組分F，其較佳地由一或多種選自式V至式IX之化合物之群的化合物組成：
其中 L
51
表示R
51
或X
51
， L
52
表示R
52
或X
52
， R
51
及R
52
彼此獨立地表示H，具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化烯基、未經氟化烯氧基或未經氟化烷氧基烷基，較佳為烷基或未經氟化烯基， X
51
及X
52
彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF
5
，具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基，或具有2至7個C原子之氟化烯基、未經氟化或氟化烯氧基或未經氟化或氟化烷氧基烷基，較佳為氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl，且
L
61
表示R
61
，且在Z
61
及/或Z
62
表示反-CH=CH-或反-CF=CF-的情況下，亦可替代地表示X
61
， L
62
表示R
62
，且在Z
61
及/或Z
62
表示反-CH=CH-或反-CF=CF-的情況下，亦可替代地表示X
62
， R
61
及R
62
彼此獨立地表示H，具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化烯基、未經氟化烯氧基或未經氟化烷氧基烷基，較佳為烷基或未經氟化烯基， X
61
及X
62
彼此獨立地表示F或Cl、-CN、-NCS、-SF
5
，具有1至7個C原子之氟化烷基或烷氧基，或具有2至7個C原子之氟化烯基、烯氧基或烷氧基烷基，較佳為-NCS， Z
61
及Z
62
中之一者表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-，且另一者獨立於其地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵，較佳地，其中之一者表示-C≡C-或反-CH=CH-且另一者表示單鍵，且
L
71
表示R
71
或X
71
， L
72
表示R
72
或X
72
， R
71
及R
72
彼此獨立地表示H，具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化烯基、未經氟化烯氧基或未經氟化烷氧基烷基，較佳為烷基或未經氟化烯基， X
71
及X
72
彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF
5
，具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基，或具有2至7個C原子之氟化烯基、未經氟化或氟化烯氧基或未經氟化或氟化烷氧基烷基，較佳為氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl，且 Z
71
至Z
73
彼此獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-、-C≡C-或單鍵，較佳地其中之一或多者表示單鍵，尤其較佳地全部表示單鍵，且
R
81
及R
82
彼此獨立地表示H，具有1至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化烷基或烷氧基，或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化烯基、烯氧基或烷氧基烷基，較佳為未經氟化烷基或烯基， Z
81
及Z
82
中之一者 表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-，且另一者獨立於其地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵，較佳地，其中之一者表示-C≡C-或反-CH=CH-且另一者表示單鍵，且
L
91
表示R
91
或X
91
， L
92
表示R
92
或X
92
， R
91
及R
92
彼此獨立地表示H，具有1至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化烷基或烷氧基，或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化烯基、烯氧基或烷氧基烷基，較佳為未經氟化烷基或烯基， X
91
及X
92
彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF
5
，具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基，或具有2至7個C原子之氟化烯基、未經氟化或氟化烯氧基或未經氟化或氟化烷氧基烷基，較佳為氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl，且 Z
91
至Z
93
彼此獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-、-C≡C-或單鍵，較佳地其中之一或多者表示單鍵，且尤其較佳地全部表示單鍵，
且其中式IIIA之化合物不包括在式VI之化合物內。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質包含一或多種式V之化合物，該等化合物較佳地選自式V-1至式V-3、較佳地式V-1及/或式V-2及/或式V-3、較佳地式V-1及式V-2之化合物之群，該液晶介質更佳地主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由該等化合物組成：
其中參數具有上文針對式V所指示之各別含義，且較佳地 R
51
表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，或具有2至7個C原子之未經氟化烯基， R
52
表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，或具有2至7個C原子之未經氟化烯基，或具有1至7個C原子之未經氟化烷氧基， X
51
及X
52
彼此獨立地表示F、Cl、-OCF
3
、-CF
3
、-CN、-NCS或-SF
5
，較佳為F、Cl、-OCF
3
或-CN。 式V-1之化合物較佳地選自式V-1a至式V-1d之化合物之群，更佳地，此等式V之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中參數具有上文針對式V-1所指示之各別含義，且其中 Y
51
及Y
52
在各情況下彼此獨立地表示H或F，且較佳地 R
51
表示烷基或烯基，且 X
51
表示F、Cl或-OCF
3
。 式V-2之化合物較佳地選自式V-2a至式V-2e之化合物之群及/或選自式V-2f及式V-2g之化合物之群，更佳地，此等式V之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中在各情況下，式V-2a之化合物不包括在式V-2b及式V-2c之化合物內，式V-2b之化合物不包括在式V-2c之化合物內，且式V-2e之化合物不包括在式V-2f之化合物內，且 其中參數具有上文針對式V-1所指示之各別含義，且其中 Y
51
及Y
52
在各情況下彼此獨立地表示H或F，且較佳地 R
51
表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，或具有2至7個C原子之未經氟化烯基， R
52
表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，或具有2至7個C原子之未經氟化烯基，或具有1至7個C原子之未經氟化烷氧基， X
51
表示F、Cl或-OCF
3
，且較佳地 Y
51
及Y
52
中之一者表示H且另一者表示H或F，較佳地同樣表示H。 式V-3之化合物較佳地為式V-3a之化合物：
其中參數具有上文針對式V-1所指示之各別含義，且其中較佳地 X
51
表示F或Cl，較佳地F， X
52
表示F、Cl或OCF
3
，較佳地OCF
3
。 在本發明之一甚至更佳實施例中，式V之化合物選自化合物V-1a至V-1d之群，較佳地選自化合物V-1c及V-1d之群，更佳地，此等式V之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成： 式V-1a之化合物較佳地選自式V-1a-1及式V-1a-2之化合物之群，更佳地，此等式V之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R
51
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
，其中 n表示0至7範圍內、較佳1至5範圍內之整數，且尤其較佳為3或7。 式V-1b之化合物較佳地為式V-1b-1之化合物：
其中 R
51
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
，其中 n表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數。 式V-1c之化合物較佳地選自式V-1c-1至式V-1c-4之化合物之群，較佳地選自式V-1c-1及式V-1c-2之化合物之群，更佳地，此等式V之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R
51
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
，其中 n表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數。 式V-1d之化合物較佳地選自式V-1d-1及式V-1d-2之化合物之群，較佳為式V-1d-2之化合物，更佳地，此等式V之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R
51
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
，其中 n表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數。 式V-2a之化合物較佳地選自式V-2a-1及式V-2a-2之化合物之群，較佳為式V-2a-1之化合物，更佳地，此等式V之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R
51
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
52
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之在式V-2a-1之情況下，(R
51
及R
52
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)、(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)、(CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
及C
m
H
2m + 1
)、(CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
及O-C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
)。 式V-2b之較佳化合物為式V-2b-1之化合物：
其中 R
51
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
52
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
51
及R
52
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)。 式V-2c之較佳化合物為式V-2c-1之化合物：
其中 R
51
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
52
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
51
及R
52
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)。 式V-2d之較佳化合物為式V-2d-1之化合物：
其中 R
51
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
52
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
51
及R
52
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)。 式V-2e之較佳化合物為式V-2e-1之化合物：
其中 R
51
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
52
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
51
及R
52
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)。 式V-2f之較佳化合物為式V-2f-1之化合物：
其中 R
51
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
52
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
51
及R
52
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)，尤其較佳為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)。 式V-2g之較佳化合物為式V-2g-1之化合物：
其中 R
51
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
52
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
51
及R
52
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)，尤其較佳為(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)。 式VI之化合物較佳地選自式VI-1至式VI-4之化合物之群，更佳地，此等式VI之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 Z
61
及Z
62
表示反-CH=CH-或反-CF=CF-，較佳地反-CH=CH-，且其他參數具有上文在式VI下給出之含義，且較佳地 R
61
及R
62
彼此獨立地表示H，具有1至7個C原子之未經氟化烷基或烷氧基，或具有2至7個C原子之未經氟化烯基， X
62
表示F、Cl、-CN或-NCS，較佳為-NCS， 且
R
61
表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
62
表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2， 其條件為式VI-2之化合物不包括在式VI-1之化合物內。 式VI-1之化合物較佳地選自式VI-1a及式VI-1b之化合物之群，較佳地選自式VI-1a之化合物，更佳地，此等式VI之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R
61
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
62
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
61
及R
62
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)，在式VI-1a之情況下，尤其較佳為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)，且在式VI-1b之情況下，尤其較佳為(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)。 式VI-3之化合物較佳地為式VI-3a之化合物：
其中參數具有上文在式VI-3下所給出之含義，且較佳地 R
61
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
，其中 n表示0至7範圍內、較佳1至5範圍內之整數，且 X
62
表示-F、-Cl、-OCF
3
、-CN或-NCS，尤其較佳地-NCS。 式VI-4之化合物較佳地為式VI-4a之化合物：
其中參數具有上文在式VI-4下所給出之含義，且較佳地 R
61
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
，其中 n表示0至7範圍內、較佳1至5範圍內之整數，且 X
62
表示F、Cl、OCF
3
、-CN或-NCS，尤其較佳地-NCS。 式VI之其他較佳化合物為下式之化合物：
其中 n表示0至7範圍內、較佳1至5範圍內之整數。 式VII之化合物較佳地選自式VII-1至式VII-6之化合物之群，更佳地，此等式VII之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中式VII-5之化合物不包括在式VII-6之化合物內，且 其中參數具有上文針對式VII所指示之各別含義，且較佳地 R
71
表示各自具有1至7個C原子之未經氟化烷基或烷氧基，或具有2至7個C原子之未經氟化烯基， R
72
表示各自具有1至7個C原子之未經氟化烷基或烷氧基，或具有2至7個C原子之未經氟化烯基，且 X
72
表示F、Cl或-OCF
3
，較佳為F，且 尤其較佳地 R
71
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
72
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 式VII-1之化合物較佳地選自式VII-1a至式VII-1d之化合物之群，更佳地，此等式VII-1之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中X
72
具有上文針對式VII-2所給定之含義，且 R
71
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
，其中 n表示1至7，較佳地2至6，尤其較佳為2、3或5，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2，且 X
72
較佳地表示F。 式VII-2之化合物較佳地選自式VII-2a及式VII-2b、較佳地式VII-2a之化合物之群，更佳地，此等式VII-2之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R
71
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
72
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
71
及R
72
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)，尤其較佳為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)。 式VII-3之化合物較佳地為式VII-3a之化合物：
其中 R
71
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
72
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
71
及R
72
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)，尤其較佳為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)。 式VII-4之化合物較佳地為式VII-4a之化合物：
其中 R
71
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
72
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
71
及R
72
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)，尤其較佳為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)。 式VII-5之化合物較佳地選自式VII-5a及式VII-5b、較佳地式VII-5a之化合物之群，更佳地，此等式VII-5之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R
71
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
72
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
71
及R
72
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)，尤其較佳為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)。 式VII-6之化合物較佳地選自式VII-6a及式VII-6b之化合物之群，更佳地，此等式VII-6之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R
71
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
72
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
71
及R
72
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)，尤其較佳為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)。 式VIII之化合物較佳地選自式VIII-1至式VIII-3之化合物之群，更佳地，此等式VIII之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 Y
81
及Y
82
中之一者表示H且另一者表示H或F，且 R
81
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
82
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
81
及R
82
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)，尤其較佳為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)。 式VIII-1之化合物較佳地選自式VIII-1a至式VIII-1c之化合物之群，更佳地，此等式VIII-1之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R
81
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
82
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
81
及R
82
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)，尤其較佳為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)。 式VIII-2之化合物較佳地為式VIII-2a之化合物：
其中 R
81
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
82
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
81
及R
82
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)、(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)及(CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
及C
m
H
2m + 1
)，尤其較佳為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)。 式VIII-3之化合物較佳地為式VIII-3a之化合物：
其中 R
81
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
82
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
81
及R
82
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)。 式IX之化合物較佳地選自式IX-1至式IX-3之化合物之群，更佳地，此等式IX之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中參數具有上文在式IX下所指示之各別含義，且較佳地
且 其中 R
91
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
92
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
91
及R
92
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)。 式IX-1之化合物較佳地選自式IX-1a至式IX-1e之化合物之群，更佳地，此等式IX-1之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中參數具有上文所給出之含義，且較佳地 R
91
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
，且 n表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 X
92
較佳地表示F或Cl。 式IX-2之化合物較佳地選自式IX-2a及式IX-2b之化合物之群，更佳地，此等式IX-2之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R
91
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
92
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
91
及R
92
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)。 式IX-3之化合物較佳為式IX-3a及式IX-3b之化合物：
其中 R
91
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
n
H
2n + 1
或CH
2
=CH-(CH
2
)
Z
，且 R
92
具有上文所指示之含義且較佳地表示C
m
H
2m + 1
或O-C
m
H
2m + 1
或(CH
2
)
Z
-CH=CH
2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R
91
及R
92
)之較佳組合為(C
n
H
2n + 1
及C
m
H
2m + 1
)及(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)，尤其較佳為(C
n
H
2n + 1
及O-C
m
H
2m + 1
)。 下文在表D中指示用於本申請案中之化合物之縮寫(首字母縮寫)之定義，或自表A至表C顯而易見。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式I-1及/或式I-2及/或式I-3及/或式I-4之化合物。 液晶介質或液晶介質之組分A較佳地包含選自式I-1a-1至式I-1a-12、尤其較佳地式I-1a-2之化合物的一或多種化合物，極尤其較佳地一或多種式I-1a-2之化合物，及選自式I-1a-1及式I-1a-3至式I-1a-12之化合物之群的一或多種化合物，以及一或多種式I-1b-1至式I-1b-12及/或式I-2及/或式I-3及/或式I-4之化合物。 在本發明之一另外較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含選自式I-1b-1至式I-1b-12之化合物之群，尤其較佳地選自式I-1b-5及/或式I-1b-7及/或式I-1b-8及/或式I-1b-9及/或式I-1b-10之化合物之群的一或多種化合物，及選自式I-1a-1至式I-1a-12，較佳地式I-1a-2之化合物之群的一或多種化合物，及/或一或多種式I-2及/或式I-3及/或式I-4之化合物。 在本發明之一另外較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式I-2之化合物及一或多種式I-1之化合物，較佳地式I-1a (較佳地式I-1a-2)及/或式I-1b之化合物，及/或一或多種式I-3及/或式I-4之化合物。 在本發明之一另外較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式I-3之化合物及一或多種式I-1之化合物，較佳地式I-1a (較佳地式I-1a-2)及/或式I-1b之化合物，及/或一或多種式I-2及/或式I-4之化合物。 在本發明之一另外較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式I-4之化合物及一或多種式I-1之化合物，較佳地式I-1a (較佳地式I-1a-2)及/或式I-1b之化合物，及/或一或多種式I-2及/或式I-3之化合物。 在本發明之一較佳實施例中，介質包含一或多種具有大於3之介電各向異性之式V-1之正介電化合物。 在本發明之一較佳實施例中，介質包含一或多種式IA之化合物。 在本發明之一較佳實施例中，介質包含一或多種式VI之化合物。 在本發明之一較佳實施例中，介質包含一或多種式I及/或式IA及式VI之化合物。 在本發明之一另外較佳實施例中，介質包含一或多種式VII之化合物。 在本申請案中，與組合物有關之「包含」意謂，所述實體(亦即介質或組分)包含所指示的組分或化合物，較佳地以10%或更多且極佳20%或更多之總濃度。 在此方面，「主要由……組成」意謂，所述實體包含55%或更多，較佳地60%或更多且極佳70%或更多的所指示之組分或化合物。 在此方面，「基本上由……組成」意謂，所述實體包含80%或更多，較佳90%或更多且極佳95%或更多的所指示之組分或化合物。 在此方面，「完全由……組成」意謂，所述實體包含98%或更多，較佳99%或更多且極佳100.0%的所指示之組分或化合物。 上文未明確提及之其他液晶原基化合物亦可視情況及有利地用於本發明之介質中。此類化合物為熟習此項技術者已知。 液晶介質包含呈1%至30%，較佳地2%至20%且尤其較佳地4%至10%之總濃度的式M之化合物。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質包含呈式IA之化合物之5%至80%，更佳地10%至60%且尤其較佳地20%至40%之總濃度的式IA之化合物。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質包含呈整體混合物之10%至90%，更佳地40%至80%且尤其較佳地50%至70%之總濃度的式I及/或VI之化合物。 在液晶介質包含選自式IIA及IIB之化合物之群的一或多種化合物的本發明之實施例中，較佳地如下採用其他化合物。 較佳地以整體混合物之1%至30%，更佳地2%至20%，甚至更佳地3%至18%且極佳地4%至16%之總濃度來使用選自式IIA及IIB之化合物之群的化合物。 較佳以整體混合物之0%至20%，更佳地2%至15%且極佳地5%至10%之總濃度來使用式IV之化合物。 在本發明之液晶介質包含一或多種選自式IIIA及IIIB之化合物之群的化合物的實施例中，較佳地如下採用其他化合物。 較佳地以整體混合物之1%至60%，更佳地5%至55%，甚至更佳地7%至50%且極佳地10%至45%之總濃度來使用選自式IIIA及IIIB之化合物之群的化合物。 若液晶介質僅包含一或多種式IIIA之化合物，但不包含式IIIB之化合物，則較佳地以整體混合物之10%至60%，更佳地20%至55%，甚至更佳地30%至50%且極佳地35%至45%之總濃度來使用式IIIA之化合物。 若液晶介質僅包含一或多種式IIIB之化合物，但不包含式IIIA之化合物，則較佳地以整體混合物之5%至45%，更佳地10%至40%，甚至更佳地15%至35%且極佳地20%至30%之總濃度來使用式IIIB之化合物。 若液晶介質包含一或多種式IIIA之化合物及一或多種式IIIB之化合物兩者，則較佳地以整體混合物之5%至50%，更佳地10%至45%，甚至更佳地15%至30%且極佳地20%至25%之總濃度來使用式IIIA之化合物，且較佳地以整體混合物之1%至35%，更佳地5%至30%，甚至更佳地7%至25%且極佳地10%至20%之總濃度來使用式IIIB之化合物。 較佳地以整體混合物之1%至20%，更佳地2%至15%，甚至更佳地3%至12%且極佳地5%至10%之總濃度來使用式IV之化合物。 在本發明之一尤其較佳實施例中，液晶介質包含一或多種式V之化合物及一或多種式VI之化合物。 在本發明之一另外尤其較佳實施例中，液晶介質包含一或多種式V之化合物及一或多種式VII之化合物。 根據本發明之液晶介質同樣較佳地包含一或多種式V之化合物、一或多種式VI之化合物及一或多種式VIII之化合物。 若根據本申請案之液晶介質包含一或多種式V之化合物，則此等化合物之濃度較佳地為總計10%至30%，較佳地15%至25%且尤其較佳地18%至22%。 若根據本申請案之液晶介質包含一或多種式VI之化合物，則此等化合物之濃度較佳地為總計25%至85%，較佳地45%至70%且尤其較佳地50%至60%。 若根據本申請案之液晶介質包含一或多種式VII之化合物，則此等化合物之濃度較佳地為總計0.5%至10%，較佳地1%至8%且尤其較佳地2%至5%。 若根據本申請案之液晶介質包含一或多種式VIII之化合物，則此等化合物之濃度較佳地為總計1%至20%，較佳地2%至15%且尤其較佳地5%至10%。 若根據本申請案之液晶介質包含一或多種式IX之化合物，則此等化合物之濃度較佳地為總計1%至20%，較佳地2%至15%且尤其較佳地5%至10%。 在另外較佳實施例中，根據本發明之介質包含 - 一或多種式CCP-V-m，較佳地CCP-V-1之化合物； - 一或多種式CPP-n-m之化合物； - 一或多種選自式PZP-n-N及PZG-n-N，較佳地PZG-4-N之化合物之群的化合物； - 一或多種式PVG-n-S，較佳地PVG-3-S之化合物； - 一或多種式PGUQU-n-F，較佳地選自化合物PGUQU-3-F、PGUQU-4-F及PGUQU-5-F的化合物。 在本申請案中，表述正介電描述其中Δε＞3.0之化合物或組分，介電中性描述其中-1.5≤Δε≤3.0之彼等化合物或組分且負介電描述其中Δε＜-1.5之彼等化合物或組分。在1 kHz之頻率及20℃下測定Δε。各別化合物之介電各向異性由各別個別化合物於向列主體混合物中之10%溶液之結果決定。若於主體混合物中之各別化合物之溶解度小於10%，則濃度降低至5%。測試混合物之電容在具有垂直配向之單元及具有均質配向之單元兩者中測定。兩種類型之單元之單元厚度為約20 µm。施加之電壓為頻率為1 kHz且有效值通常為0.5 V至1.0 V之矩形波，但始終將其選擇為低於各別測試混合物之電容性臨限值。 以下定義應用在此處。 De º (e
½½
- e
^
)且 e
平均
º (e
½½
+ 2 e
^
) / 3 。 用於正介電化合物之主體混合物為混合物ZLI-4792，且用於介電中性及負介電性化合物之主體混合物為混合物ZLI-3086，兩者均來自Merck KGaA, Germany。由在添加相關化合物時主體混合物之各別值的變化來測定化合物之介電常數之絕對值。該等值趨近100%相關化合物濃度。 如此在20℃之量測溫度下量測具有向列相之組分，所有其他組分如化合物一樣處理。 在以下兩種情況下，除非另外明確說明，否則本申請案中表述臨限電壓係指光學臨限值且針對10%相對對比度給出(V
10
)，且表述飽和電壓係指光學飽和度且針對90%相對對比度給出(V
90
)。若明確提及，則僅使用電容性臨限電壓(V
0
)，亦稱為弗雷德里克臨限值(Freedericks threshold，V
Fr
)。 除非另外明確說明，否則在本申請案中所指示之參數範圍均包括極限值。 所指示之用於各種範圍特性之不同上限值及下限值彼此組合產生其他較佳範圍。 除非另外明確說明，否則在本申請案中應用以下條件及定義。所有濃度均以按重量計之百分比給出且係關於各別整體混合物，所有溫度均以攝氏度給出且所有溫度差異均以不同度數給出。除非另外明確說明，否則根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」, Status 1997年11月, Merck KGaA, Germany來測定所有物理特性，且針對20℃之溫度給出。在589.3 nm之波長下測定光學各向異性(Δn)。在1 kHz頻率下測定介電各向異性(Δε)。使用Merck KGaA, Germany生產之測試單元測定臨限電壓以及所有其他電光特性。用於測定Δε之測試單元之單元厚度為約20 µm。電極為具有1.13 cm
2
面積及保護環之圓形ITO電極。定向層為用於垂直定向(ε
||
)之來自Nissan Chemicals, Japan之SE-1211，且用於均質定向(ε
⊥
)之來自Japan Synthetic Rubber, Japan之聚醯亞胺AL-1054。使用Solatron 1260頻率回應分析器，使用正弦波以0.3 V
rms
之電壓來測定電容。 用於電光量測之光為白光。此處所使用之裝置使用可購自Autronic-Melchers, Germany之DMS儀器。已在垂直觀測下測定特徵電壓。已分別對於10%、50%及90%相對對比度測定臨限電壓(V
10
)、中灰電壓(V
50
)及飽和電壓(V
90
)。 研究關於液晶介質在微波頻率區中之特性，如A. Penirschke等人, 「Cavity Perturbation Method for Characterization of Liquid Crystals up to 35 GHz」, 34
th
European Microwave Conference-Amsterdam, 第545至548頁中所描述。就此而言亦比較，A. Gaebler等人, 「Direct Simulation of Material Permittivites …」, 12MTC 2009 - International Instrumentation and Measurement Technology Conference, Singapore, 2009 (IEEE), 第463至467頁，及DE 10 2004 029 429 A，同樣詳細地描述一種量測方法。 將液晶引入至圓柱形聚四氟乙烯(PTFE)或石英毛細管中。毛細管內半徑為180 μm且外半徑為350 μm。有效長度為2.0 cm。在19 GHz之共振頻率下，將經填充毛細管引入至圓柱形空腔之中心中。此空腔長度為11.5 mm且半徑為6 mm。隨後施加輸入信號(源)，且使用商業向量網路分析器記錄輸出信號之結果。對於其他頻率，相對應地調適空腔尺寸。 藉助於A. Penirschke等人, 「Cavity Perturbation Method for Characterisation of Liquid Crystals up to 35GHz」, 34
th
European Microwave Conference - Amsterdam, 第545至548頁中之方程式10及11如其中所描述，使用在填充有液晶之毛細管之情況下之量測與在不存在填充有液晶之毛細管之情況下之量測之間的共振頻率及Q因子之變化，來測定對應目標頻率下之介電常數及損耗角。 藉由液晶在磁場中之配向，獲得垂直且平行於液晶之引向器之組分特性值。為此目的，使用永久磁體磁場。磁場強度為0.35特斯拉。相對應地設定磁體之配向，且接著相對應地旋轉90°。 較佳組件為移相器、變容器、無線及無線電波天線陣列、匹配電路可調適濾波器及其他組件。 在本申請案中，除非另外明確說明，否則術語化合物意謂一種化合物及複數種化合物兩者。 根據本發明之液晶介質較佳地在各情況下具有至少-20℃至80℃、較佳-30℃至85℃且極尤其較佳-40℃至100℃之向列相。向列相尤其較佳地擴大至120℃或更高，較佳地擴大至140℃或更高，且極尤其較佳地擴大至160℃或更高。表述具有向列相此處意謂，一方面，在對應溫度在低溫下未觀察到近晶相及結晶，且另一方面，在加熱時向列相不發生清除。用流動黏度計，在對應溫度下進形低溫研究，且藉由在層厚度為5 µm之測試單元中之儲存倉檢驗至少100小時。在高溫下，藉由習知方法在毛細管中量測清澈點。 此外，根據本發明之液晶介質表徵為在可見區中之較高光學各向異性。 在589 nm (Na
D
)及20℃下之根據本發明之液晶介質之Δn較佳地在0.200或更高至0.90或更低範圍內，更佳地在0.300或更高至0.85或更低範圍內，甚至更佳地在0.400或更高至0.800或更低範圍內。 在本發明之一較佳實施例中，所採用之液晶介質具有正介電各向異性(Δε)。此正介電各向異性較佳地為1.8或更大及15.0或更小，更佳地在2.0或更大至10.0或更小之間，尤其較佳地在3.0或更大至8.0或更小之間，且極尤其較佳地在3.5或更大至6.0或更小之間。 在本發明之此較佳實施例中，其中所採用液晶介質具有負介電各向異性(Δε)，其值較佳地在1.5或更大至15.0或更小之間，尤其較佳地在1.8或更大至12.0或更小之間，且極尤其較佳地在2.0或更大至10.0或更小之間。 此外，根據本發明之液晶介質之特徵在於在微波區及/或毫米波區中之較高各向異性。在約8.3 GHz下，雙折射率例如較佳為0.14或更高，尤其較佳地0.15或更高，尤其較佳地0.20或更高，尤其較佳地0.25或更高，且極尤其較佳地0.30或更高。此外，雙折射率較佳為0.80或更低。 根據本發明之液晶介質之清澈點較佳為90℃或更高，更佳地100℃或更高，甚至更佳地120℃或更高，尤其較佳地150℃或更高，且極尤其較佳地170℃或更高。 微波區域中之介電各向異性定義為 De
r
º (e
r , ½½
- e
r , ^
)。 可調諧性(τ)定義為 t º (De
r
/ e
r , ½½
)。 材料品質(η)定義為 h º (t / tan d
e r,max.
)，其中 最大介電耗損為 tan d
e r,max.
º max. { tan d
e r, ^ ,
; tan d
e r, ½½
}。 在19 GHz下量測，較佳液晶材料之材料品質(η)為6或更高，較佳地8或更高，較佳地10或更高，較佳地15或更高，較佳地17或更高，較佳地20或更高，尤其較佳地25或更高，極尤其較佳地30，且特定言之40或更高或甚至50或更高。 在19 GHz下量測，在對應組分中，較佳液晶材料之相移位品質為15°/dB或更大，較佳地20°/dB或更大，較佳地30°/dB或更大，較佳地40°/dB或更大，較佳地50°/dB或更大，尤其較佳地80°/dB或更大，且極尤其較佳地100°/dB或更大。 然而，在一些實施例中，亦有可能使用具有負值介電各向異性之液晶。 所採用之液晶為個別物質或混合物。其較佳地具有向列相。 術語「烷基」較佳地涵蓋各自具有1至15個碳原子之直鏈及分支鏈烷基以及環烷基，特定言之，直鏈基團甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基及庚基以及環丙基及環己基。具有2至10個碳原子之基團一般為較佳的。 術語「烯基」較佳地涵蓋具有2至15個碳原子之直鏈及分支鏈烯基，特定言之直鏈基團。尤其較佳烯基為C
2
至C
7
-1E-烯基、C
4
至C
7
-3E-烯基、C
5
至C
7
-4-烯基、C
6
至C
7
-5-烯基及C
7
-6-烯基，尤其C
2
至C
7
-1E-烯基、C
4
至C
7
-3E-烯基及C
5
至C
7
-4-烯基。其他較佳烯基之實例為乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基及其類似物。具有至多5個碳原子之基團一般為較佳的。 術語「氟烷基」較佳地涵蓋具有末端氟之直鏈基團，亦即，氟甲基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基及7-氟庚基。然而，不排除其他位置之氟。 術語「氧雜烷基」或「烷氧基烷基」較佳地涵蓋式C
n
H
2n + 1
-O-(CH
2
)
m
之直鏈基團，其中n及m各自彼此獨立地表示1至10之整數。較佳地，此處n為1且m為1至6。 含有乙烯基端基之化合物及含有甲基端基之化合物具有低旋轉黏度。 在本申請案中，高頻技術及超高頻技術二者均表示具有在1 MHz至100 THz，較佳地1 GHz至30 THz，更佳地2 GHz至10 THz，尤其較佳地約5 GHz至5 THz範圍內之頻率的應用。 根據本發明之液晶介質可包含以常用濃度中之其他添加劑及對掌性摻雜劑。以整體混合物計，此等其他成分之總濃度在0%至10%，較佳地0.1%至6%範圍內。所使用之個別化合物之濃度各自較佳地在自0.1%至3%範圍內。當提及本申請案中之液晶介質之液晶組分及液晶化合物之值及濃度範圍時，不考慮此等及類似添加劑之濃度。 根據本發明之液晶介質由複數種化合物，較佳地3至30種，更佳地4至20種，且極佳地4至15種化合物組成。以習知方式混合此等化合物。一般而言，以較小量使用之所需量之化合物溶解於以較大量使用之化合物中。若溫度高於以較高濃度使用之化合物的清澈點，則尤其易於觀測溶解過程之完成。然而，亦可能以其他習知方式製備介質，例如使用所謂的預混合物(其可為例如化合物之同源或共晶混合物)，或使用所謂的「多瓶」系統(其本身成分為備用混合物)。 所有溫度，諸如熔點T(C,N)或T(C,S)、近晶(S)轉化成向列(N)相T(S,N)及液晶之清澈點T(N,I)，均以攝氏度給出。所有溫度差均以差異度數給出。 在本發明中且尤其在以下實例中，液晶原基化合物之結構藉助於縮寫(亦稱為縮寫字)來指示。在此等縮寫字中，化學式如下使用下表A至表C來進行縮寫。所有基團C
n
H
2n + 1
、C
m
H
2m + 1
及C
l
H
2l + 1
或C
n
H
2n - 1
、C
m
H
2m - 1
及C
l
H
2l - 1
分別表示具有n、m及l個C原子之直鏈烷基或烯基(較佳地1
E
-烯基)，其中n、m及l彼此獨立地分別表示1至9 (較佳地1至7)或2至9 (較佳地2至7)之整數。C
o
H
2o + 1
表示具有1至7個、較佳1至4個C原子之直鏈烷基，或具有1至7個、較佳1至4個C原子之分支鏈烷基。 表A列舉用於化合物之核心結構之環形元素之代碼，而表B展示鍵聯基團。表C給出左側或右側端基之代碼之含義。表D展示化合物之說明性結構及其各別縮寫。
表 A ： 環形元素 表 B ： 鍵聯基團 表 C ： 端基
其中n及m各自表示整數，且三個點「...」為用於來自此表之其他縮寫之占位符。 下表展示說明性結構以及其各別縮寫。展示此等以便說明縮寫規則之含義。此外，其表示較佳使用之化合物。
表 D ：說明性結構
說明性結構展示尤其較佳採用之化合物。 組分A之化合物之實例
組分B之化合物之實例
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}且m ' {1;2;3;4;5;6;7}) 組分C之化合物之實例
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}且m ' {1;2;3;4}) 組分D之化合物之實例
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}且m ' {1;2;3;4;5;6;7}) 組分E之化合物之實例 具有三個6員環之化合物
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}, m ' {1;2;3;4;5;6;7}且k ' {0;1;2;3;4}，較佳地0或2,且l ' {0;1;2;3}) 具有四個6員環之化合物
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}且m ' {1;2;3;4;5;6;7}) 所採用之極性化合物之說明性結構：
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}) 較佳採用之其他中性化合物之說明性結構：
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}, m ' {1;2;3;4;5;6;7}且k ' {0;1;2;3;4}，較佳地0或2,且l ' {0;1;2;3}) 所採用之其他化合物之說明性結構：
(n ' {1;2;3;4;5;6;7})
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}; m ' {1;2;3;4;5;6;7})
下表表E展示可用作根據本發明之液晶原基介質中之穩定劑的說明性化合物。介質中之此等及類似化合物之總濃度較佳為5%或更低。
表 E 在本發明之一較佳實施例中，液晶原基介質包含選自來自表E之化合物之群的一或多種化合物。 根據本申請案之液晶原基介質較佳地包含兩種或更多種、較佳四種或更多種選自由來自上表之化合物組成之群的化合物。 根據本發明之液晶介質較佳地包含 - 七種或更多種、較佳八種或更多種選自來自表D之化合物之群的化合物、較佳具有三個或更多個、較佳四個或更多個不同式的化合物。
實例
以下實例說明本發明而不以任何方式限制本發明。然而，由可獲得之特性及可修改之範圍之物理特性，其對於熟習此項技術者為明晰的。特定言之，因此，熟習此項技術者充分定義可較佳地獲得之各種特性之組合。
合成實例 S1 步驟 1 將16.3 g (0.67 mol)鎂屑置放於圓底燒瓶中90 ml THF的液面下且緩慢添加含70 ml 1-溴-4-己基苯(150 g，0.622 mol)之400 ml THF。藉由添加一滴溴來起始反應。在反應開始後，以使得反應保持在回流下之方式添加己基溴溶液之其餘部分。在添加完成之後，使反應物回流1 h，使其冷卻至-25℃且用100 ml THF稀釋。接著，添加含75 ml (0.67 mol)硼酸三甲酯之90 ml THF，使得溫度保持在-25℃至0℃之間。添加另一份100 ml THF，且在0℃至5℃下攪拌反應物1 h。添加水且用鹽酸酸化混合物。用MTB醚萃取，隨後蒸發溶劑，產生呈無色固體狀之4-己基苯
酸(藉由HPLC測得純度86%)。
步驟 2 將22.7 g (15 mmol)四硼酸鈉四水合物溶解於100 ml水中，且添加1.4 g (2 mmol) 氯化雙(三苯基膦)鈀(II)及兩滴氫氧化肼鎓。在5 min之後，添加25 g步驟1之4-己基苯
酸及含20.4 g 1-溴-3,5-二氟苯(10 mmol)之100 ml THF，且使反應物回流隔夜。蒸發溶劑且用正庚烷經由矽膠過濾殘餘物，得到呈無色晶體狀之1,3-二氟-5-(4-己基苯基)苯。
步驟 3 將29.3 g 1,3-二氟-5-(4-己基苯基)苯溶解於350 ml THF中，使其冷卻至-70℃，且逐滴添加42 ml己基鋰(己烷中30%，0.104 mol)。在-65℃下攪拌混合物一小時且逐滴添加含15.4 ml (0.135 mol)硼酸三甲酯之50 ml THF。再過一小時之後，使其升溫至-10℃且用濃鹽酸水解。用水洗滌溶液，真空移除溶劑，且殘餘物經熱庚烷處理、過濾且乾燥，得到呈無色固體狀之2,6-二氟-4-(4-己基苯基)苯
酸。
步驟 4 在惰性氛圍下將40 ml水、4.4 g (52.2 mmol)碳酸鈉、10 g (31 mmol) 2,6-二氟-4-(4-己基苯基)苯
酸及4.8 g (26 mmol) 2-氰基-5-溴嘧啶溶解於80 ml THF中，且添加27 mg雙(第三丁基磷基)鈀(0) (52 mmol)。使反應物回流4 h且在室溫下攪拌隔夜。真空移除溶劑，且藉由用甲苯之矽膠管柱層析來純化粗產物。自異丙醇結晶，獲得呈無色晶體狀之5-[4-(4-己基苯基)-2,6-二氟-苯基]嘧啶-2-甲腈(PUM-6-N)。 以類似於實例S1之方式，獲得以下化合物：
使用實例
製備比較實例C-1及混合物實例M-1，且如下表中所展示來表徵。
比較實例 C - 1 混合物實例 M - 1 表 1 ：
以上比較實例C-1與混合物實例M-1之比較展示，出人意料地，藉由使用PUM-6-N替代UMU-6-N，可獲得具有更高澄清溫度及更低旋轉黏度的液晶混合物(M-1)。同時，M-1具有極類似極佳應用特性，甚至具有經改良材料品質η。 製備混合物實例M-2至M-6，且如下表中所展示來表徵。
混合物實例 M - 2 混合物實例 M - 3 混合物實例 M - 4 混合物實例 M - 5 混合物實例 M - 6
表2.
如表2中所展示，含有PUM-n-N之混合物均展示較高材料品質(η)及較低損耗(τ)，此使得該等混合物非常適合於於微波區及/或毫米波區中之應用，特定言之適合於移相器。
其中RM
具有技術方案1中所指示之含義，係關於包含該等化合物之液晶混合物，係關於此等液晶介質之用途，特定言之在用於高頻技術之組件中之用途，且係關於含有根據本發明之介質之此類型組件，且係關於此等組件之製造及用途。根據本發明之該等組件尤其適合作為微波區及毫米波區中之移相器，適用於微波及毫米波陣列天線，且尤其適用於所謂的可調諧「反射陣列」。
用作用於研究化合物的主體混合物，該等化合物經提議用於微波應用中且描述於以下文獻中：F. Gölden, 「Liquid Crystal Based Microwave Components with Fast Response Times: Materials, Technology, Power Handling Capability」, Dissertation, Technische Universität Darmstadt, 2009, (D17
)；A. Lapanik, 「Single compounds and mixtures for microwave applications, Dielectric, microwave studies on selected systems」, Dissertation, Technische Universität Darmstadt, 2009, (D17
)；「Nematic LC mixtures with high birefringence in microwave region」, A. Lapanik、F. Gölden、S. Müller、A. Penirschke、R. Jakoby及W. Haase,Frequenz
2011, 65, 15-19；「Highly birefringent nematic mixtures at room temperature for microwave applications」, A. Lapanik、F. Gölden、S. Müller、R. Jakoby及W. Haase,Journal of Optical Engineering
(以上文獻係在線發表的)以及特許公開文件WO2013/045029。 在EP2935513 A1中，提出將具有以下結構之極性嘧啶衍生物作為用於微波應用之液晶混合物中之共組分：
。 然而，迄今為止已知之組合物或個別化合物一般具有缺點。除其他不足以外，其中大多數導致不利地高損耗及/或不適當的相移或不適當的材料品質。然而，舉例而言，一些個別化合物不具有有利的液晶相且具有極高的熔點，反過來其他物質又缺乏足夠高的光學各向異性(Δn)值及介電各向異性(Δε)值。
其中 RM
為具有1至20個C原子之烷基，其為直鏈或分支鏈的，且其未經取代，經F、Cl或CN較佳經F單取代或多取代，且其中一或多個CH2
基團在各情況下彼此獨立地視情況經-O-、-S-、-NR01
-、-SiR01
R02
-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-CY01
=CY02
-或-CºC-以使得O原子及/或S原子不彼此直接連接的方式置換，較佳為具有1至9個C原子、較佳具有2至5個C原子之正烷基或正烷氧基，具有2至9個C原子、較佳具有2至5個C原子之烯基、烯氧基或烷氧基烷基，或較佳具有至多9個C原子之鹵化烷基、鹵化烯基或鹵化烷氧基，較佳為較佳具有至多9個C原子之單氟化、二氟化或寡氟化烷基、烯基或烷氧基，最佳為較佳具有至多9個C原子之正烷基、正烷氧基、烯基、烯氧基或烷氧基烷基， Y01
及Y02
彼此獨立地表示F、Cl或CN，且可替代地，其中之一者可為H，且 R01
及R02
彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基。 如文獻(例如，諸如Houben-Weyl, Methoden der organischen Chemie [Methods of Organic Chemistry], Georg-Thieme-Verlag, Stuttgart之標準著作)中所描述，可藉由本身已知之方法，確切而言在已知且適合於該等反應之反應條件下製備通式M之化合物。本文中可使用此處未更詳細提及之本身已知之變化形式。 視需要，起始物質亦可藉由不將其與反應混合物分離而是緊接著將其進一步轉化成通式M之化合物而原位形成。 在實例中藉助於實例描述根據本發明之通式M之化合物之合成。起始物質可藉由一般可使用之文獻程序來獲得或為可商購的。DE4409431A1中描述嘧啶衍生物之較佳合成途徑，且熟習此項技術者可容易地改變該等途徑以製備式M之化合物適應。 下文參考方案1闡述尤其適合根據本發明之化合物的合成途徑。
方案 1 .
式M之化合物之合成。基團RM
具有上文所定義之含義，X表示Cl、Br或I。 經適合取代之聯苯
酸(1
)可如文獻中及以下合成實例中所描述來加以製備。嘧啶-2-甲腈2
為可商購的。 方案1應僅視為說明性的。熟習此項技術者將能夠進行所呈現合成之對應變化，且亦遵循其他適合的合成途徑，以獲得式M之化合物。 根據以上描繪之合成，本發明在一實施例中亦涵蓋製備式M之化合物之一或多種方法。 因此，本發明涵蓋一種用於製備式M之化合物之方法，其中該方法包含使4-氯嘧啶-2-甲腈、4-溴嘧啶-2-甲腈或4-碘嘧啶-2-甲腈(2
)在過渡金屬催化之偶合反應(例如，鈴木偶合(Suzuki coupling)、熊田偶合(Kumada coupling)或類似偶合)中進行反應以得到4-芳基-嘧啶甲腈的方法步驟。 該方法及反應混合物之後續處理可基本上以分批反應之形式或在連續反應程序中進行。連續反應程序涵蓋(例如)在連續攪拌槽反應器、級聯攪拌反應器、環流或錯流反應器、流管或微反應器中之反應。必要時，反應混合物視情況藉由以下方式處理：經固相過濾；層析；不可混溶相之間的分離(例如，萃取)；吸附至固體載體上；藉由蒸餾、選擇性蒸餾、昇華、結晶、共結晶或藉由膜上奈米過濾來移除溶劑及/或共沸混合物。 如已經提及，通式M之化合物可用於液晶介質中。因此，本發明亦係關於一種包含至少兩種液晶化合物、包含至少一種通式M之化合物的液晶介質。 式M之化合物較佳地選自式M-1及M-2之化合物之群
其中烷基表示具有2至7個C原子之非分支鏈烷基，且烯基表示具有2至7個C原子之烯基。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質另外包含一或多種式I之化合物
其中
， 尤其較佳為
， L1
表示具有1至6個C原子之烷基、具有3至6個C原子之環烷基或具有4至6個C原子之環烯基，較佳為CH3
、C2
H5
、n
-C3
H7
(-(CH2
)2
CH3
)、i
-C3
H7
(-CH(CH3
)2
)、環丙基、環丁基、環己基、環戊-1-烯基或環己-1-烯基，且尤其較佳為CH3
、C2
H5
、環丙基或環丁基， X1
表示H、具有1至3個C原子之烷基或鹵素，較佳為H、F或Cl，且尤其較佳為H或F，且極尤其較佳為F， R11
至R14
彼此獨立地表示各自具有1至15個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，各自具有2至15個C原子之未經氟化烯基、未經氟化烯氧基或未經氟化烷氧基烷基，或各自具有至多15個C原子之環烷基、烷基環烷基、環烯基、烷基環烯基、烷基環烷基烷基或烷基環烯基烷基，且可替代地，R13
及R14
中之一者或兩者亦表示H， 較佳地， R11
及R12
彼此獨立地表示各自具有1至7個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，或各自具有2至7個C原子之未經氟化烯基、未經氟化烯氧基或未經氟化烷氧基烷基， 尤其較佳地， R11
表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，或各自具有2至7個C原子之未經氟化烯基、未經氟化烯氧基或未經氟化烷氧基烷基，且 尤其較佳地 R12
表示各自具有1至7個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，且 較佳地 R13
及R14
表示H，具有1至5個C原子之未經氟化烷基，具有3至7個C原子之未經氟化環烷基或環烯基，各自具有4至12個C原子之未經氟化烷基環己基或未經氟化環己基烷基，或具有5至15個C原子之未經氟化烷基環己基烷基，尤其較佳為環丙基、環丁基或環己基，且極尤其較佳地，R13
及R14
中之至少一者表示正烷基，尤其較佳地甲基、乙基或正丙基，且另一者表示H或正烷基，尤其較佳地H、甲基、乙基或正丙基。 根據本發明之液晶介質極其適合用於高頻技術或電磁波譜之微波區及/或毫米波區的組件中。本發明係關於介質之此用途且係關於此等組件。 在本發明之第一較佳實施例中，用於高頻技術之組件含有一種液晶介質，該液晶介質包含由一種、兩種或更多種式M之化合物組成的組分A。 根據本發明之另一較佳實施例，用於高頻技術之組件含有包含以下之液晶介質 - 第一組分，組分A，其由一或多種上文所提及之式M之化合物組成，及 - 一或多種選自下文所定義之組分B至F之群的其他組分， - 一種組分，組分B，其由一或多種式I及/或式IA之化合物組成， - 一種強正介電組分，組分C，其具有10.0或更大之介電各向異性， - 一種強負介電組分，組分D，其具有-5.0或更小之介電各向異性， - 另一組分，組分E，其具有在大於-5.0至小於10.0範圍內之介電各向異性且由具有七個或更多個、較佳八個或更多個五員環或六員環之化合物組成，及 - 另一組分，組分F，其同樣具有在大於-5.0至小於10.0範圍內之介電各向異性且由具有至多六個五員環或六員環之化合物組成。 五員環之典型實例為
及
。 五員環及六員環亦包括飽和及部分飽和環以及雜環。 出於本申請案之目的，由兩個此等環(亦即，兩個五員環、一個五員環及一個六員環或兩個六員環)組成的稠環系統，諸如
， 在指定組分B或E之化合物時計作一個此等五員環或六員環。 相對應地，由三個或更多個此等環(該等環在縱向方向上併入至分子中)之組合組成的稠環系統，諸如
， 計作兩個此等五員環或六員環。 相比而言，在橫向方向上併入至分子中之稠環系統，諸如
， 計作一個此等五員環或六員環。 本發明同樣係關於前述液晶介質且係關於下文描述之彼等液晶介質，並且係關於該等液晶介質在電光顯示器中且特定言之在用於高頻技術之組件中的用途。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分B包含一或多種式I之化合物，該等化合物較佳地選自式I-1至式I-4、較佳式I-1及/或式I-2及/或式I-3及/或式I-4、較佳式I-1及式I-2之化合物的群，此等化合物更佳地主要由其組成，甚至更佳地基本上由其組成且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 L1
表示具有1至6個C原子之烷基，具有2至6個C原子之烯基，具有3至6個C原子之環烷基或具有4至6個C原子之環烯基，較佳為CH3
、C2
H5
、n
-C3
H7
(-(CH2
)2
CH3
)、i
-C3
H7
(-CH(CH3
)2
)、-CH=CH2
、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環戊-1-烯基或環己-1-烯基，且尤其較佳為CH3
、C2
H5
、環丙基或環丁基， X1
表示H、具有1至3個C原子之烷基或鹵素，較佳為H、F或Cl，且尤其較佳為H、F或CH3
，甚至更佳為H或F，且極尤其較佳為F， 且其他參數具有上文針對式I所指示之各別含義，且較佳地 R11
表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，且 R12
表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，或具有1至7個C原子之未經氟化烷氧基，且 R13
及R14
中之一者表示甲基、乙基或正丙基，且 R13
及R14
中之另一者表示H、甲基、乙基或正丙基。 在本發明之一尤其較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分B包含一或多種式I-1之化合物，該等化合物較佳地選自式I-1a-1至式I-1a-12及式I-1b-1至式I-1b-12之化合物之群
其中參數具有如上文在式I-1下所給出之含義，且較佳地 R11
及R12
彼此獨立地表示具有2至7個C原子之烷基(例如，丙基或己基)，或各自表示丙基、丁基、戊基或己基。 在本發明之一極尤其較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分B包含一或多種式I之化合物，該等化合物較佳地選自式I-1a-2、式I-1a-5、式I-1a-7、式I-1a-8、式I-1a-9、式I-1a-10、式I-1b-5、式I-1b-7、式I-1b-8、式I-1b-9、式I-1b-10之化合物之群，其中參數具有上文給出之含義，且尤其較佳地 R11
及R12
彼此獨立地表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，或具有1至6個C原子之未經氟化烷氧基， 尤其較佳地 R11
及R12
中之一者表示烷基且另一者表示烷基或烷氧基， 且極尤其較佳地，R11
及R12
具有彼此不同的含義。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分B包含一或多種式I-2之化合物， 其中較佳地 R11
及R12
彼此獨立地表示具有2至7個C原子之烷基(例如，丙基或己基)，或各自表示丙基、丁基、戊基或己基。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分B包含一或多種式I-3之化合物，該等化合物較佳地選自式I-3a-1至式I-3a-3及式I-3b-1至式I-3b-3、較佳式I-3a-2、式I-3b-2之化合物之群，
其中參數具有上文在式I-3下所給出之含義，且較佳地 R11
及R12
彼此獨立地表示具有2至7個C原子之烷基(例如，丙基或己基)，或各自表示丙基、丁基、戊基或己基。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分B包含一或多種式I-4之化合物，該等化合物較佳地選自式I-4a-1至式I-4a-3及式I-4b-1至式I-4b-3、較佳式I-4b-2之化合物之群，
其中參數具有上文在式I-4下所給出之含義，且較佳地 R11
及R12
彼此獨立地表示具有2至7個C原子之烷基(例如，丙基或己基)，或各自表示丙基、丁基、戊基或己基。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質包含一或多種式IA之化合物
其中 r表示0或1，
其中R03
及R04
具有上文針對式IA所指示之含義，且較佳地，彼此獨立地表示具有1至7個C原子之烷基。 在本發明之一較佳實施例中，組分C包含一或多種選自式IIA及式IIB之化合物之群的化合物，
其中 R21
表示各自具有1至15個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，或各自具有2至15個C原子之未經氟化烯基、未經氟化烯氧基或未經氟化烷氧基烷基，較佳為烷基，尤其較佳為正烷基， R22
表示H，各自具有1至5個、較佳1至3個、尤其較佳3個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，
其中R21
具有上文給出之含義。 式IIB之較佳化合物為對應子式IIB-1及子式IIB-2之化合物
其中R21
、R22
及X2
具有上文給出之各別含義。 在本發明之一較佳實施例中，組分D包含一或多種選自式IIIA及式IIIB之化合物之群的化合物：
其中 R31
及R32
彼此獨立地具有上文在式IIA下針對R21
所指示之含義， 且較佳地 R31
表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
且 R32
表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
， 且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R31
及R32
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)及(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)。 式IIIB之較佳化合物為子式IIIB-1及IIIB-2之化合物
其中 n及m各自具有上文針對式IIIB給出之含義，且較佳彼此獨立地表示在1至7範圍內之整數。 在本發明之一較佳實施例中，組分E包含一或多種下式IV之化合物：
其中 R41
及R42
彼此獨立地具有上文在式I下針對R11
所指示之含義中之一者， L41
至L44
在每次出現時在各情況下彼此獨立地表示H、具有1至5個C原子之烷基、F或Cl，且 p表示7至14、較佳8至12且尤其較佳9至10範圍內之整數， 且較佳地 所存在之取代基L41
至L44
中之至少兩者具有除H以外之含義，且 R41
表示Cn
H2n+1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R42
表示Cm
H2m+1
或O-Cm
H2m+1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
， 且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 在本申請案之一較佳實施例中，液晶介質另外包含另一組分，組分F，其較佳地由一或多種選自式V至式IX之化合物之群的化合物組成：
其中 L51
表示R51
或X51
， L52
表示R52
或X52
， R51
及R52
彼此獨立地表示H，具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化烯基、未經氟化烯氧基或未經氟化烷氧基烷基，較佳為烷基或未經氟化烯基， X51
及X52
彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF5
，具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基，或具有2至7個C原子之氟化烯基、未經氟化或氟化烯氧基或未經氟化或氟化烷氧基烷基，較佳為氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl，且
其中參數具有上文針對式V所指示之各別含義，且較佳地 R51
表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，或具有2至7個C原子之未經氟化烯基， R52
表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，或具有2至7個C原子之未經氟化烯基，或具有1至7個C原子之未經氟化烷氧基， X51
及X52
彼此獨立地表示F、Cl、-OCF3
、-CF3
、-CN、-NCS或-SF5
，較佳為F、Cl、-OCF3
或-CN。 式V-1之化合物較佳地選自式V-1a至式V-1d之化合物之群，更佳地，此等式V之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中參數具有上文針對式V-1所指示之各別含義，且其中 Y51
及Y52
在各情況下彼此獨立地表示H或F，且較佳地 R51
表示烷基或烯基，且 X51
表示F、Cl或-OCF3
。 式V-2之化合物較佳地選自式V-2a至式V-2e之化合物之群及/或選自式V-2f及式V-2g之化合物之群，更佳地，此等式V之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中在各情況下，式V-2a之化合物不包括在式V-2b及式V-2c之化合物內，式V-2b之化合物不包括在式V-2c之化合物內，且式V-2e之化合物不包括在式V-2f之化合物內，且 其中參數具有上文針對式V-1所指示之各別含義，且其中 Y51
及Y52
在各情況下彼此獨立地表示H或F，且較佳地 R51
表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，或具有2至7個C原子之未經氟化烯基， R52
表示具有1至7個C原子之未經氟化烷基，或具有2至7個C原子之未經氟化烯基，或具有1至7個C原子之未經氟化烷氧基， X51
表示F、Cl或-OCF3
，且較佳地 Y51
及Y52
中之一者表示H且另一者表示H或F，較佳地同樣表示H。 式V-3之化合物較佳地為式V-3a之化合物：
其中參數具有上文針對式V-1所指示之各別含義，且其中較佳地 X51
表示F或Cl，較佳地F， X52
表示F、Cl或OCF3
，較佳地OCF3
。 在本發明之一甚至更佳實施例中，式V之化合物選自化合物V-1a至V-1d之群，較佳地選自化合物V-1c及V-1d之群，更佳地，此等式V之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成： 式V-1a之化合物較佳地選自式V-1a-1及式V-1a-2之化合物之群，更佳地，此等式V之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R51
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
，其中 n表示0至7範圍內、較佳1至5範圍內之整數，且尤其較佳為3或7。 式V-1b之化合物較佳地為式V-1b-1之化合物：
其中 R51
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
，其中 n表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數。 式V-1c之化合物較佳地選自式V-1c-1至式V-1c-4之化合物之群，較佳地選自式V-1c-1及式V-1c-2之化合物之群，更佳地，此等式V之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R51
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
，其中 n表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數。 式V-1d之化合物較佳地選自式V-1d-1及式V-1d-2之化合物之群，較佳為式V-1d-2之化合物，更佳地，此等式V之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R51
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
，其中 n表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數。 式V-2a之化合物較佳地選自式V-2a-1及式V-2a-2之化合物之群，較佳為式V-2a-1之化合物，更佳地，此等式V之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R51
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R52
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之在式V-2a-1之情況下，(R51
及R52
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)、(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)、(CH2
=CH-(CH2
)Z
及Cm
H2m + 1
)、(CH2
=CH-(CH2
)Z
及O-Cm
H2m + 1
)及(Cn
H2n + 1
及(CH2
)Z
-CH=CH2
)。 式V-2b之較佳化合物為式V-2b-1之化合物：
其中 R51
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R52
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R51
及R52
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)。 式V-2c之較佳化合物為式V-2c-1之化合物：
其中 R51
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R52
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R51
及R52
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)。 式V-2d之較佳化合物為式V-2d-1之化合物：
其中 R51
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R52
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R51
及R52
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)。 式V-2e之較佳化合物為式V-2e-1之化合物：
其中 R51
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R52
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R51
及R52
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)。 式V-2f之較佳化合物為式V-2f-1之化合物：
其中 R51
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R52
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R51
及R52
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)及(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)，尤其較佳為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)。 式V-2g之較佳化合物為式V-2g-1之化合物：
其中 R51
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R52
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R51
及R52
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)及(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)，尤其較佳為(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)。 式VI之化合物較佳地選自式VI-1至式VI-4之化合物之群，更佳地，此等式VI之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 Z61
及Z62
表示反-CH=CH-或反-CF=CF-，較佳地反-CH=CH-，且其他參數具有上文在式VI下給出之含義，且較佳地 R61
及R62
彼此獨立地表示H，具有1至7個C原子之未經氟化烷基或烷氧基，或具有2至7個C原子之未經氟化烯基， X62
表示F、Cl、-CN或-NCS，較佳為-NCS， 且
其中 R61
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R62
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R61
及R62
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)及(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)，在式VI-1a之情況下，尤其較佳為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)，且在式VI-1b之情況下，尤其較佳為(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)。 式VI-3之化合物較佳地為式VI-3a之化合物：
其中參數具有上文在式VI-3下所給出之含義，且較佳地 R61
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
，其中 n表示0至7範圍內、較佳1至5範圍內之整數，且 X62
表示-F、-Cl、-OCF3
、-CN或-NCS，尤其較佳地-NCS。 式VI-4之化合物較佳地為式VI-4a之化合物：
其中參數具有上文在式VI-4下所給出之含義，且較佳地 R61
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
，其中 n表示0至7範圍內、較佳1至5範圍內之整數，且 X62
表示F、Cl、OCF3
、-CN或-NCS，尤其較佳地-NCS。 式VI之其他較佳化合物為下式之化合物：
其中 n表示0至7範圍內、較佳1至5範圍內之整數。 式VII之化合物較佳地選自式VII-1至式VII-6之化合物之群，更佳地，此等式VII之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中式VII-5之化合物不包括在式VII-6之化合物內，且 其中參數具有上文針對式VII所指示之各別含義，且較佳地 R71
表示各自具有1至7個C原子之未經氟化烷基或烷氧基，或具有2至7個C原子之未經氟化烯基， R72
表示各自具有1至7個C原子之未經氟化烷基或烷氧基，或具有2至7個C原子之未經氟化烯基，且 X72
表示F、Cl或-OCF3
，較佳為F，且 尤其較佳地 R71
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R72
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 式VII-1之化合物較佳地選自式VII-1a至式VII-1d之化合物之群，更佳地，此等式VII-1之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中X72
具有上文針對式VII-2所給定之含義，且 R71
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
，其中 n表示1至7，較佳地2至6，尤其較佳為2、3或5，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2，且 X72
較佳地表示F。 式VII-2之化合物較佳地選自式VII-2a及式VII-2b、較佳地式VII-2a之化合物之群，更佳地，此等式VII-2之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R71
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R72
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R71
及R72
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)及(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)，尤其較佳為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)。 式VII-3之化合物較佳地為式VII-3a之化合物：
其中 R71
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R72
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R71
及R72
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)及(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)，尤其較佳為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)。 式VII-4之化合物較佳地為式VII-4a之化合物：
其中 R71
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R72
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R71
及R72
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)及(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)，尤其較佳為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)。 式VII-5之化合物較佳地選自式VII-5a及式VII-5b、較佳地式VII-5a之化合物之群，更佳地，此等式VII-5之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R71
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R72
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R71
及R72
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)及(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)，尤其較佳為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)。 式VII-6之化合物較佳地選自式VII-6a及式VII-6b之化合物之群，更佳地，此等式VII-6之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R71
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R72
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R71
及R72
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)及(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)，尤其較佳為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)。 式VIII之化合物較佳地選自式VIII-1至式VIII-3之化合物之群，更佳地，此等式VIII之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 Y81
及Y82
中之一者表示H且另一者表示H或F，且 R81
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R82
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R81
及R82
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)及(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)，尤其較佳為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)。 式VIII-1之化合物較佳地選自式VIII-1a至式VIII-1c之化合物之群，更佳地，此等式VIII-1之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R81
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R82
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R81
及R82
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)及(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)，尤其較佳為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)。 式VIII-2之化合物較佳地為式VIII-2a之化合物：
其中 R81
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R82
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R81
及R82
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)、(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)及(CH2
=CH-(CH2
)Z
及Cm
H2m + 1
)，尤其較佳為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)。 式VIII-3之化合物較佳地為式VIII-3a之化合物：
其中 R81
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R82
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R81
及R82
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)及(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)。 式IX之化合物較佳地選自式IX-1至式IX-3之化合物之群，更佳地，此等式IX之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中參數具有上文在式IX下所指示之各別含義，且較佳地
其中參數具有上文所給出之含義，且較佳地 R91
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
，且 n表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 X92
較佳地表示F或Cl。 式IX-2之化合物較佳地選自式IX-2a及式IX-2b之化合物之群，更佳地，此等式IX-2之化合物主要由、甚至更佳地基本上由且極尤其較佳地完全由其組成：
其中 R91
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R92
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R91
及R92
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)。 式IX-3之化合物較佳為式IX-3a及式IX-3b之化合物：
其中 R91
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn
H2n + 1
或CH2
=CH-(CH2
)Z
，且 R92
具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm
H2m + 1
或O-Cm
H2m + 1
或(CH2
)Z
-CH=CH2
，且其中 n及m彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7且尤其較佳1至5範圍內之整數，且 z表示0、1、2、3或4，較佳為0或2。 特定言之，此處(R91
及R92
)之較佳組合為(Cn
H2n + 1
及Cm
H2m + 1
)及(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)，尤其較佳為(Cn
H2n + 1
及O-Cm
H2m + 1
)。 下文在表D中指示用於本申請案中之化合物之縮寫(首字母縮寫)之定義，或自表A至表C顯而易見。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式I-1及/或式I-2及/或式I-3及/或式I-4之化合物。 液晶介質或液晶介質之組分A較佳地包含選自式I-1a-1至式I-1a-12、尤其較佳地式I-1a-2之化合物的一或多種化合物，極尤其較佳地一或多種式I-1a-2之化合物，及選自式I-1a-1及式I-1a-3至式I-1a-12之化合物之群的一或多種化合物，以及一或多種式I-1b-1至式I-1b-12及/或式I-2及/或式I-3及/或式I-4之化合物。 在本發明之一另外較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含選自式I-1b-1至式I-1b-12之化合物之群，尤其較佳地選自式I-1b-5及/或式I-1b-7及/或式I-1b-8及/或式I-1b-9及/或式I-1b-10之化合物之群的一或多種化合物，及選自式I-1a-1至式I-1a-12，較佳地式I-1a-2之化合物之群的一或多種化合物，及/或一或多種式I-2及/或式I-3及/或式I-4之化合物。 在本發明之一另外較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式I-2之化合物及一或多種式I-1之化合物，較佳地式I-1a (較佳地式I-1a-2)及/或式I-1b之化合物，及/或一或多種式I-3及/或式I-4之化合物。 在本發明之一另外較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式I-3之化合物及一或多種式I-1之化合物，較佳地式I-1a (較佳地式I-1a-2)及/或式I-1b之化合物，及/或一或多種式I-2及/或式I-4之化合物。 在本發明之一另外較佳實施例中，液晶介質或液晶介質之組分A包含一或多種式I-4之化合物及一或多種式I-1之化合物，較佳地式I-1a (較佳地式I-1a-2)及/或式I-1b之化合物，及/或一或多種式I-2及/或式I-3之化合物。 在本發明之一較佳實施例中，介質包含一或多種具有大於3之介電各向異性之式V-1之正介電化合物。 在本發明之一較佳實施例中，介質包含一或多種式IA之化合物。 在本發明之一較佳實施例中，介質包含一或多種式VI之化合物。 在本發明之一較佳實施例中，介質包含一或多種式I及/或式IA及式VI之化合物。 在本發明之一另外較佳實施例中，介質包含一或多種式VII之化合物。 在本申請案中，與組合物有關之「包含」意謂，所述實體(亦即介質或組分)包含所指示的組分或化合物，較佳地以10%或更多且極佳20%或更多之總濃度。 在此方面，「主要由……組成」意謂，所述實體包含55%或更多，較佳地60%或更多且極佳70%或更多的所指示之組分或化合物。 在此方面，「基本上由……組成」意謂，所述實體包含80%或更多，較佳90%或更多且極佳95%或更多的所指示之組分或化合物。 在此方面，「完全由……組成」意謂，所述實體包含98%或更多，較佳99%或更多且極佳100.0%的所指示之組分或化合物。 上文未明確提及之其他液晶原基化合物亦可視情況及有利地用於本發明之介質中。此類化合物為熟習此項技術者已知。 液晶介質包含呈1%至30%，較佳地2%至20%且尤其較佳地4%至10%之總濃度的式M之化合物。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質包含呈式IA之化合物之5%至80%，更佳地10%至60%且尤其較佳地20%至40%之總濃度的式IA之化合物。 在本發明之一較佳實施例中，液晶介質包含呈整體混合物之10%至90%，更佳地40%至80%且尤其較佳地50%至70%之總濃度的式I及/或VI之化合物。 在液晶介質包含選自式IIA及IIB之化合物之群的一或多種化合物的本發明之實施例中，較佳地如下採用其他化合物。 較佳地以整體混合物之1%至30%，更佳地2%至20%，甚至更佳地3%至18%且極佳地4%至16%之總濃度來使用選自式IIA及IIB之化合物之群的化合物。 較佳以整體混合物之0%至20%，更佳地2%至15%且極佳地5%至10%之總濃度來使用式IV之化合物。 在本發明之液晶介質包含一或多種選自式IIIA及IIIB之化合物之群的化合物的實施例中，較佳地如下採用其他化合物。 較佳地以整體混合物之1%至60%，更佳地5%至55%，甚至更佳地7%至50%且極佳地10%至45%之總濃度來使用選自式IIIA及IIIB之化合物之群的化合物。 若液晶介質僅包含一或多種式IIIA之化合物，但不包含式IIIB之化合物，則較佳地以整體混合物之10%至60%，更佳地20%至55%，甚至更佳地30%至50%且極佳地35%至45%之總濃度來使用式IIIA之化合物。 若液晶介質僅包含一或多種式IIIB之化合物，但不包含式IIIA之化合物，則較佳地以整體混合物之5%至45%，更佳地10%至40%，甚至更佳地15%至35%且極佳地20%至30%之總濃度來使用式IIIB之化合物。 若液晶介質包含一或多種式IIIA之化合物及一或多種式IIIB之化合物兩者，則較佳地以整體混合物之5%至50%，更佳地10%至45%，甚至更佳地15%至30%且極佳地20%至25%之總濃度來使用式IIIA之化合物，且較佳地以整體混合物之1%至35%，更佳地5%至30%，甚至更佳地7%至25%且極佳地10%至20%之總濃度來使用式IIIB之化合物。 較佳地以整體混合物之1%至20%，更佳地2%至15%，甚至更佳地3%至12%且極佳地5%至10%之總濃度來使用式IV之化合物。 在本發明之一尤其較佳實施例中，液晶介質包含一或多種式V之化合物及一或多種式VI之化合物。 在本發明之一另外尤其較佳實施例中，液晶介質包含一或多種式V之化合物及一或多種式VII之化合物。 根據本發明之液晶介質同樣較佳地包含一或多種式V之化合物、一或多種式VI之化合物及一或多種式VIII之化合物。 若根據本申請案之液晶介質包含一或多種式V之化合物，則此等化合物之濃度較佳地為總計10%至30%，較佳地15%至25%且尤其較佳地18%至22%。 若根據本申請案之液晶介質包含一或多種式VI之化合物，則此等化合物之濃度較佳地為總計25%至85%，較佳地45%至70%且尤其較佳地50%至60%。 若根據本申請案之液晶介質包含一或多種式VII之化合物，則此等化合物之濃度較佳地為總計0.5%至10%，較佳地1%至8%且尤其較佳地2%至5%。 若根據本申請案之液晶介質包含一或多種式VIII之化合物，則此等化合物之濃度較佳地為總計1%至20%，較佳地2%至15%且尤其較佳地5%至10%。 若根據本申請案之液晶介質包含一或多種式IX之化合物，則此等化合物之濃度較佳地為總計1%至20%，較佳地2%至15%且尤其較佳地5%至10%。 在另外較佳實施例中，根據本發明之介質包含 - 一或多種式CCP-V-m，較佳地CCP-V-1之化合物； - 一或多種式CPP-n-m之化合物； - 一或多種選自式PZP-n-N及PZG-n-N，較佳地PZG-4-N之化合物之群的化合物； - 一或多種式PVG-n-S，較佳地PVG-3-S之化合物； - 一或多種式PGUQU-n-F，較佳地選自化合物PGUQU-3-F、PGUQU-4-F及PGUQU-5-F的化合物。 在本申請案中，表述正介電描述其中Δε＞3.0之化合物或組分，介電中性描述其中-1.5≤Δε≤3.0之彼等化合物或組分且負介電描述其中Δε＜-1.5之彼等化合物或組分。在1 kHz之頻率及20℃下測定Δε。各別化合物之介電各向異性由各別個別化合物於向列主體混合物中之10%溶液之結果決定。若於主體混合物中之各別化合物之溶解度小於10%，則濃度降低至5%。測試混合物之電容在具有垂直配向之單元及具有均質配向之單元兩者中測定。兩種類型之單元之單元厚度為約20 µm。施加之電壓為頻率為1 kHz且有效值通常為0.5 V至1.0 V之矩形波，但始終將其選擇為低於各別測試混合物之電容性臨限值。 以下定義應用在此處。 De º (e½½
- e^
)且 e平均
º (e½½
+ 2 e^
) / 3 。 用於正介電化合物之主體混合物為混合物ZLI-4792，且用於介電中性及負介電性化合物之主體混合物為混合物ZLI-3086，兩者均來自Merck KGaA, Germany。由在添加相關化合物時主體混合物之各別值的變化來測定化合物之介電常數之絕對值。該等值趨近100%相關化合物濃度。 如此在20℃之量測溫度下量測具有向列相之組分，所有其他組分如化合物一樣處理。 在以下兩種情況下，除非另外明確說明，否則本申請案中表述臨限電壓係指光學臨限值且針對10%相對對比度給出(V10
)，且表述飽和電壓係指光學飽和度且針對90%相對對比度給出(V90
)。若明確提及，則僅使用電容性臨限電壓(V0
)，亦稱為弗雷德里克臨限值(Freedericks threshold，VFr
)。 除非另外明確說明，否則在本申請案中所指示之參數範圍均包括極限值。 所指示之用於各種範圍特性之不同上限值及下限值彼此組合產生其他較佳範圍。 除非另外明確說明，否則在本申請案中應用以下條件及定義。所有濃度均以按重量計之百分比給出且係關於各別整體混合物，所有溫度均以攝氏度給出且所有溫度差異均以不同度數給出。除非另外明確說明，否則根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」, Status 1997年11月, Merck KGaA, Germany來測定所有物理特性，且針對20℃之溫度給出。在589.3 nm之波長下測定光學各向異性(Δn)。在1 kHz頻率下測定介電各向異性(Δε)。使用Merck KGaA, Germany生產之測試單元測定臨限電壓以及所有其他電光特性。用於測定Δε之測試單元之單元厚度為約20 µm。電極為具有1.13 cm2
面積及保護環之圓形ITO電極。定向層為用於垂直定向(ε||
)之來自Nissan Chemicals, Japan之SE-1211，且用於均質定向(ε⊥
)之來自Japan Synthetic Rubber, Japan之聚醯亞胺AL-1054。使用Solatron 1260頻率回應分析器，使用正弦波以0.3 Vrms
之電壓來測定電容。 用於電光量測之光為白光。此處所使用之裝置使用可購自Autronic-Melchers, Germany之DMS儀器。已在垂直觀測下測定特徵電壓。已分別對於10%、50%及90%相對對比度測定臨限電壓(V10
)、中灰電壓(V50
)及飽和電壓(V90
)。 研究關於液晶介質在微波頻率區中之特性，如A. Penirschke等人, 「Cavity Perturbation Method for Characterization of Liquid Crystals up to 35 GHz」, 34th
European Microwave Conference-Amsterdam, 第545至548頁中所描述。就此而言亦比較，A. Gaebler等人, 「Direct Simulation of Material Permittivites …」, 12MTC 2009 - International Instrumentation and Measurement Technology Conference, Singapore, 2009 (IEEE), 第463至467頁，及DE 10 2004 029 429 A，同樣詳細地描述一種量測方法。 將液晶引入至圓柱形聚四氟乙烯(PTFE)或石英毛細管中。毛細管內半徑為180 μm且外半徑為350 μm。有效長度為2.0 cm。在19 GHz之共振頻率下，將經填充毛細管引入至圓柱形空腔之中心中。此空腔長度為11.5 mm且半徑為6 mm。隨後施加輸入信號(源)，且使用商業向量網路分析器記錄輸出信號之結果。對於其他頻率，相對應地調適空腔尺寸。 藉助於A. Penirschke等人, 「Cavity Perturbation Method for Characterisation of Liquid Crystals up to 35GHz」, 34th
European Microwave Conference - Amsterdam, 第545至548頁中之方程式10及11如其中所描述，使用在填充有液晶之毛細管之情況下之量測與在不存在填充有液晶之毛細管之情況下之量測之間的共振頻率及Q因子之變化，來測定對應目標頻率下之介電常數及損耗角。 藉由液晶在磁場中之配向，獲得垂直且平行於液晶之引向器之組分特性值。為此目的，使用永久磁體磁場。磁場強度為0.35特斯拉。相對應地設定磁體之配向，且接著相對應地旋轉90°。 較佳組件為移相器、變容器、無線及無線電波天線陣列、匹配電路可調適濾波器及其他組件。 在本申請案中，除非另外明確說明，否則術語化合物意謂一種化合物及複數種化合物兩者。 根據本發明之液晶介質較佳地在各情況下具有至少-20℃至80℃、較佳-30℃至85℃且極尤其較佳-40℃至100℃之向列相。向列相尤其較佳地擴大至120℃或更高，較佳地擴大至140℃或更高，且極尤其較佳地擴大至160℃或更高。表述具有向列相此處意謂，一方面，在對應溫度在低溫下未觀察到近晶相及結晶，且另一方面，在加熱時向列相不發生清除。用流動黏度計，在對應溫度下進形低溫研究，且藉由在層厚度為5 µm之測試單元中之儲存倉檢驗至少100小時。在高溫下，藉由習知方法在毛細管中量測清澈點。 此外，根據本發明之液晶介質表徵為在可見區中之較高光學各向異性。 在589 nm (NaD
)及20℃下之根據本發明之液晶介質之Δn較佳地在0.200或更高至0.90或更低範圍內，更佳地在0.300或更高至0.85或更低範圍內，甚至更佳地在0.400或更高至0.800或更低範圍內。 在本發明之一較佳實施例中，所採用之液晶介質具有正介電各向異性(Δε)。此正介電各向異性較佳地為1.8或更大及15.0或更小，更佳地在2.0或更大至10.0或更小之間，尤其較佳地在3.0或更大至8.0或更小之間，且極尤其較佳地在3.5或更大至6.0或更小之間。 在本發明之此較佳實施例中，其中所採用液晶介質具有負介電各向異性(Δε)，其值較佳地在1.5或更大至15.0或更小之間，尤其較佳地在1.8或更大至12.0或更小之間，且極尤其較佳地在2.0或更大至10.0或更小之間。 此外，根據本發明之液晶介質之特徵在於在微波區及/或毫米波區中之較高各向異性。在約8.3 GHz下，雙折射率例如較佳為0.14或更高，尤其較佳地0.15或更高，尤其較佳地0.20或更高，尤其較佳地0.25或更高，且極尤其較佳地0.30或更高。此外，雙折射率較佳為0.80或更低。 根據本發明之液晶介質之清澈點較佳為90℃或更高，更佳地100℃或更高，甚至更佳地120℃或更高，尤其較佳地150℃或更高，且極尤其較佳地170℃或更高。 微波區域中之介電各向異性定義為 Der
º (er , ½½
- er , ^
)。 可調諧性(τ)定義為 t º (Der
/ er , ½½
)。 材料品質(η)定義為 h º (t / tan de r,max.
)，其中 最大介電耗損為 tan de r,max.
º max. { tan de r, ^ ,
; tan de r, ½½
}。 在19 GHz下量測，較佳液晶材料之材料品質(η)為6或更高，較佳地8或更高，較佳地10或更高，較佳地15或更高，較佳地17或更高，較佳地20或更高，尤其較佳地25或更高，極尤其較佳地30，且特定言之40或更高或甚至50或更高。 在19 GHz下量測，在對應組分中，較佳液晶材料之相移位品質為15°/dB或更大，較佳地20°/dB或更大，較佳地30°/dB或更大，較佳地40°/dB或更大，較佳地50°/dB或更大，尤其較佳地80°/dB或更大，且極尤其較佳地100°/dB或更大。 然而，在一些實施例中，亦有可能使用具有負值介電各向異性之液晶。 所採用之液晶為個別物質或混合物。其較佳地具有向列相。 術語「烷基」較佳地涵蓋各自具有1至15個碳原子之直鏈及分支鏈烷基以及環烷基，特定言之，直鏈基團甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基及庚基以及環丙基及環己基。具有2至10個碳原子之基團一般為較佳的。 術語「烯基」較佳地涵蓋具有2至15個碳原子之直鏈及分支鏈烯基，特定言之直鏈基團。尤其較佳烯基為C2
至C7
-1E-烯基、C4
至C7
-3E-烯基、C5
至C7
-4-烯基、C6
至C7
-5-烯基及C7
-6-烯基，尤其C2
至C7
-1E-烯基、C4
至C7
-3E-烯基及C5
至C7
-4-烯基。其他較佳烯基之實例為乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基及其類似物。具有至多5個碳原子之基團一般為較佳的。 術語「氟烷基」較佳地涵蓋具有末端氟之直鏈基團，亦即，氟甲基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基及7-氟庚基。然而，不排除其他位置之氟。 術語「氧雜烷基」或「烷氧基烷基」較佳地涵蓋式Cn
H2n + 1
-O-(CH2
)m
之直鏈基團，其中n及m各自彼此獨立地表示1至10之整數。較佳地，此處n為1且m為1至6。 含有乙烯基端基之化合物及含有甲基端基之化合物具有低旋轉黏度。 在本申請案中，高頻技術及超高頻技術二者均表示具有在1 MHz至100 THz，較佳地1 GHz至30 THz，更佳地2 GHz至10 THz，尤其較佳地約5 GHz至5 THz範圍內之頻率的應用。 根據本發明之液晶介質可包含以常用濃度中之其他添加劑及對掌性摻雜劑。以整體混合物計，此等其他成分之總濃度在0%至10%，較佳地0.1%至6%範圍內。所使用之個別化合物之濃度各自較佳地在自0.1%至3%範圍內。當提及本申請案中之液晶介質之液晶組分及液晶化合物之值及濃度範圍時，不考慮此等及類似添加劑之濃度。 根據本發明之液晶介質由複數種化合物，較佳地3至30種，更佳地4至20種，且極佳地4至15種化合物組成。以習知方式混合此等化合物。一般而言，以較小量使用之所需量之化合物溶解於以較大量使用之化合物中。若溫度高於以較高濃度使用之化合物的清澈點，則尤其易於觀測溶解過程之完成。然而，亦可能以其他習知方式製備介質，例如使用所謂的預混合物(其可為例如化合物之同源或共晶混合物)，或使用所謂的「多瓶」系統(其本身成分為備用混合物)。 所有溫度，諸如熔點T(C,N)或T(C,S)、近晶(S)轉化成向列(N)相T(S,N)及液晶之清澈點T(N,I)，均以攝氏度給出。所有溫度差均以差異度數給出。 在本發明中且尤其在以下實例中，液晶原基化合物之結構藉助於縮寫(亦稱為縮寫字)來指示。在此等縮寫字中，化學式如下使用下表A至表C來進行縮寫。所有基團Cn
H2n + 1
、Cm
H2m + 1
及Cl
H2l + 1
或Cn
H2n - 1
、Cm
H2m - 1
及Cl
H2l - 1
分別表示具有n、m及l個C原子之直鏈烷基或烯基(較佳地1E
-烯基)，其中n、m及l彼此獨立地分別表示1至9 (較佳地1至7)或2至9 (較佳地2至7)之整數。Co
H2o + 1
表示具有1至7個、較佳1至4個C原子之直鏈烷基，或具有1至7個、較佳1至4個C原子之分支鏈烷基。 表A列舉用於化合物之核心結構之環形元素之代碼，而表B展示鍵聯基團。表C給出左側或右側端基之代碼之含義。表D展示化合物之說明性結構及其各別縮寫。表 A ： 環形元素 
表 B ： 鍵聯基團 
組分B之化合物之實例
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}且m ' {1;2;3;4;5;6;7}) 組分C之化合物之實例
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}且m ' {1;2;3;4}) 組分D之化合物之實例
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}且m ' {1;2;3;4;5;6;7}) 組分E之化合物之實例 具有三個6員環之化合物
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}, m ' {1;2;3;4;5;6;7}且k ' {0;1;2;3;4}，較佳地0或2,且l ' {0;1;2;3}) 具有四個6員環之化合物
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}且m ' {1;2;3;4;5;6;7}) 所採用之極性化合物之說明性結構：
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}) 較佳採用之其他中性化合物之說明性結構：
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}, m ' {1;2;3;4;5;6;7}且k ' {0;1;2;3;4}，較佳地0或2,且l ' {0;1;2;3}) 所採用之其他化合物之說明性結構：
(n ' {1;2;3;4;5;6;7})
(n ' {1;2;3;4;5;6;7}; m ' {1;2;3;4;5;6;7})
下表表E展示可用作根據本發明之液晶原基介質中之穩定劑的說明性化合物。介質中之此等及類似化合物之總濃度較佳為5%或更低。表 E 
在本發明之一較佳實施例中，液晶原基介質包含選自來自表E之化合物之群的一或多種化合物。 根據本申請案之液晶原基介質較佳地包含兩種或更多種、較佳四種或更多種選自由來自上表之化合物組成之群的化合物。 根據本發明之液晶介質較佳地包含 - 七種或更多種、較佳八種或更多種選自來自表D之化合物之群的化合物、較佳具有三個或更多個、較佳四個或更多個不同式的化合物。實例
以下實例說明本發明而不以任何方式限制本發明。然而，由可獲得之特性及可修改之範圍之物理特性，其對於熟習此項技術者為明晰的。特定言之，因此，熟習此項技術者充分定義可較佳地獲得之各種特性之組合。合成實例 S1 步驟 1 
將16.3 g (0.67 mol)鎂屑置放於圓底燒瓶中90 ml THF的液面下且緩慢添加含70 ml 1-溴-4-己基苯(150 g，0.622 mol)之400 ml THF。藉由添加一滴溴來起始反應。在反應開始後，以使得反應保持在回流下之方式添加己基溴溶液之其餘部分。在添加完成之後，使反應物回流1 h，使其冷卻至-25℃且用100 ml THF稀釋。接著，添加含75 ml (0.67 mol)硼酸三甲酯之90 ml THF，使得溫度保持在-25℃至0℃之間。添加另一份100 ml THF，且在0℃至5℃下攪拌反應物1 h。添加水且用鹽酸酸化混合物。用MTB醚萃取，隨後蒸發溶劑，產生呈無色固體狀之4-己基苯
將22.7 g (15 mmol)四硼酸鈉四水合物溶解於100 ml水中，且添加1.4 g (2 mmol) 氯化雙(三苯基膦)鈀(II)及兩滴氫氧化肼鎓。在5 min之後，添加25 g步驟1之4-己基苯
將29.3 g 1,3-二氟-5-(4-己基苯基)苯溶解於350 ml THF中，使其冷卻至-70℃，且逐滴添加42 ml己基鋰(己烷中30%，0.104 mol)。在-65℃下攪拌混合物一小時且逐滴添加含15.4 ml (0.135 mol)硼酸三甲酯之50 ml THF。再過一小時之後，使其升溫至-10℃且用濃鹽酸水解。用水洗滌溶液，真空移除溶劑，且殘餘物經熱庚烷處理、過濾且乾燥，得到呈無色固體狀之2,6-二氟-4-(4-己基苯基)苯
在惰性氛圍下將40 ml水、4.4 g (52.2 mmol)碳酸鈉、10 g (31 mmol) 2,6-二氟-4-(4-己基苯基)苯
及
彼此獨立地表示
表示
、
、
或
，L1表示H、具有1至6個C原子之烷基、具有3至6個C原子之環烷基或具有4至6個C原子之環烯基，X1表示H或具有1至3個C原子之烷基或鹵素，R11至R14彼此獨立地表示各自具有1至15個C原子之未經氟化烷基或未經氟化烷氧基，各自具有2至15個C原子之未經氟化烯基、未經氟化烯氧基或未經氟化烷氧基烷基，或各自具有至多15個C原子之環烷基、烷基環烷基、環烯基、烷基環烯基、烷基環烷基烷基或烷基環烯基烷基，且或者，R13及R14中之一者或兩者亦表示H。
至
彼此獨立地表示
