TW201120045A - Anthanthrene based compound and semiconductor device - Google Patents

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TW201120045A
TW201120045A TW099119492A TW99119492A TW201120045A TW 201120045 A TW201120045 A TW 201120045A TW 099119492 A TW099119492 A TW 099119492A TW 99119492 A TW99119492 A TW 99119492A TW 201120045 A TW201120045 A TW 201120045A
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semiconductor device
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TW099119492A
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Norihito Kobayashi
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Sony Corp
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Description

201120045 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於蒽嵌蒽基化合物及包括由該蒽嵌蒽基化 合物所構成之半導體層的半導體裝置。 【先前技術】 近年來’包括由有機半導體材料所構成之半導體層的 半導體裝置受到關注。相較於包括由無機材料所構成之半 導體層的形態’此半導體裝置中，半導體層可於低溫塗覆 和澱積。因此’此半導體裝置有利於實現大面積且可形成 於耐熱性低的撓性基板（如塑膠）上。亦希望降低成本及多 功能化。 目前，構成半導體層之有機半導體材料，例如，具有 下列結構式的多並苯（PO^acene)化合物（如蒽、萘和並五 苯）經廣泛硏究。
蒽 並四苯 (萘） 並五苯 這些多並苯化合物中，預期隨著環長度的拉長，π-系統變寬，在相鄰的分子之間形成較大的軌域重疊，藉此
S -5- 201120045 增進載體移動性。但是’通常’並五苯係能夠安定存在之 具有最高環長度的並苯化合物’而獨立環長度超越並六苯 的多並苯化合物不安定。因此，難分離此類多並苯化合物 (請參考 Journal of Organic Chemistry, 1999，V ο 1. 64，pp. 2505-2512 ；和 Journal of The American Chemical Society, 2006，Vo 1. 128，pp.2873-2879)。此外，作爲構成寬 π-系 統的方式，曾報導鍵結多個多並苯化合物而得的低聚多並 苯化合物（請參考 JP-A-2004-107257 ; Angewante Chemie， International Edition, 2003, Vο 1. 42，pp. 1 1 59- 1 1 62 ；和
Journal of Applied Physics, 2004，V o 1. 95, pp. 5 7 9 5- 5799) ° 【發明內容】 發明總論 但是，作爲構成單元的多並苯化合物在其分子中具有 反應活性位置（特定言之，例如，以五並苯爲例，6 -位置 和12-位置的電子密度高，此6-位置和12-位置係反應活 性位置）且易因氧、光、水、高溫之類引發分解反應，且 其在大氣中的安定性無法令人滿意。因此，即使在低聚多 並苯化合物中，只要其具有此多並苯化合物，可視爲該分 子難以得到安定性。 據此’希望提供在大氣中之具有有利安定性的蒽嵌蒽 基化合物及包括由此蒽嵌蒽基化合物所構成之半導體層的 半導體裝置。 -6- 201120045 根據本發明的第一體系，提供一種以下列結構式（1) 表示的蒽嵌蒽基化合物（低聚二硫族元素（dichalcogeno)蒽 嵌蒽基化合物）。
[___) I__ I [___) I I-- -1 A鏈段 B鍵段 C鏈段 f 根據本發明的第二體系，提供一種以下列結構式（2) 表示的蒽嵌蒽基化合物（低聚二硫族元素蒽嵌蒽基化合 物）。
根據本發明的第一體系，亦提供一半導體裝置，其包 括基板，該基板上有閘極電極、閘極絕緣層、源極/汲極 電極和形成通道的區域，其中該形成通道的區域係由根據 本發明的前述第一體系之蒽嵌蒽基化合物（低聚二硫族元 素葱嵌恵基化合物）所構成。 根據本發明的第二體系’亦提供一半導體裝置，其包 括基板’基板上有聞極電極、閘極絕緣層、源極/汲極電 極和形成通道的區域，其中該形成通道的區域係由根據本 201120045 發明的前述第二體系之蒽嵌蒽基化合物（低聚二硫族元素 恵嵌恵基化合物）所構成。 丰良據本發明的第一體系之蒽嵌蒽基化合物或構成根據 本發明的第一體系的半導體裝置之形成通道的區域之蒽嵌 蒽基化合物（下文中將通稱爲“根據本發明之第一體系的蒽 嵌蒽基化合物等”）中， X代表第16族元素； η代表0至20的整數； m代表1至9的整數； A鏈段鍵結至B鏈段的位置是1-位置至5-位置和7-位置至1 1 -位置中之至少一者； B鏈段鍵結至A鏈段的位置是1-位置至5-位置和7-位置至1 1-位置中之至少一者； B鏈段鍵結至C鏈段的位置是1 -位置至5-位置和7-位置至1 1-位置中之至少一者； C鏈段鍵結至B鏈段的位置是1-位置至5-位置和7-位置至1 1 -位置中之至少一者。 A鏈段鍵結至B鏈段的位置不須要一直與B鏈段鍵 結至C鏈段的位置相同；且B鏈段鍵結至C鏈段的位置 不須要一直與C鏈段鍵結至B鏈段的位置相同。此處， n = 〇時，當然，提供不同的解讀，A鏈段鍵結至C鏈段的 位置係1 ·位置至5 -位置和7 -位置至1 1 -位置中之至少一 者；及C鏈段鍵結至A鏈段的位置係1-位置至5-位置和 7-位置至1 1-位置中之至少一者。此外，在n = 2或更高的 201120045 情況中，B鏈段可彼此以直鏈鍵結，可彼此以部分支鏈狀 態鍵結，或可彼此以環狀鍵結。類似地，m是2或更高的 情況中，C鏈段可彼此以直鏈鍵結，可彼此以部分支鏈狀 態鍵結，或可彼此以環狀鍵結》 同樣地，在根據本發明的第二體系之蒽嵌蒽基化合物 或構成根據本發明的第二體系的半導體裝置之形成通道的 區域之蒽嵌蒽基化合物（下文中將通稱爲“根據本發明之第 二體系的蒽嵌蒽基化合物等”）中， X代表第1 6族元素； [Y]和[Z]的每一者獨立地代表選自烷基、環烷基、烯 基、炔基、芳基、芳烷基、芳族雜環、雜環基、烷氧基、 環烷氧基、芳氧基、烷硫基、環烷硫基、芳硫基、烷氧_ 基、芳氧羰基、胺磺醯基、醯基、醯氧基、醯胺基、胺甲 醯基、脲基、亞磺醯基、烷磺醯基、芳磺醯基、胺基、氟 化烴基、氰基、硝基、羥基、锍基和矽烷基中之一者的官 能基； η代表0至20的整數； m代表1至9的整數； A鏈段鍵結至[Y]的位置是1-位置至5-位置和7-位置 至1 1 -位置中之至少一者； B鏈段鍵結至[Y]的位置是1-位置至5-位置和7-位置 至11-位置中之至少一者； B鏈段鍵結至[Z]的位置是1-位置至5-位置和7-位置 至11-位置中之至少一者； -9 - 201120045 c鏈段鍵結至[Z]的位置是1-位置至5·位置和7· 至1 1-位置中之至少一者。 Α鏈段鍵結至[Υ]的位置不須要一直與Β鏈段鍵 [Y]的位置相同；且B鏈段鍵結至[Z]的位置不須要一 C鏈段鍵結至[Z]的位置相同。此處> n = 0時’當然’ 不同的解讀，A鏈段鍵結至[Z]的位置係1-位置至5, 和7-位置至1 1 -位置中之至少一者；及C鏈段鍵結 的位置係1-位置至5-位置和7-位置至11-位置中之至 者。同樣地，[Y]鍵結至A鏈段、[Y]鍵結至B鏈段 鍵結至B鏈段、[Z]鍵結至C鏈段的鍵結位置不重要 η是2或更高的情況中，B鏈段可彼此以直鏈鍵結， 此以部分支鏈狀態鍵結，或可彼此以環狀鍵結。類似 m是.2或更高的情況中，C鏈段可彼此以直鏈鍵結， 此以部分支鏈狀態鍵結，或可彼此以環狀鍵結。 此外，在根據本發明之第一體系或第二體系的蒽 基化合物等（下文中一般簡稱爲“根據本發明之體系的 蒽基化合物等”）中，取代基Ri、R2、R3、R4、R5、 R8、R9 ' R!。和Rii中之每一者獨立地代表選自氫原 烷基、環烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、芳族雜 雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、烷硫基、環 基、芳硫基、烷氧羰基、芳氧羰基、胺磺醯基、醯基 氧基、醯胺基、胺甲醯基、脲基、亞磺醯基、烷磺醯 芳磺醯基、胺基、鹵素原子、氟化烴基、氰基、硝基 基、疏基和砂院基中之一者的取代基·》根據本發明之 •位置 結至 直與 提供 •位置 至[Z] 少一 、[Z] 。在 可彼 地， 可彼 嵌蒽 蒽嵌 R 7、 子、 丨環、 院硫 :、醯 丨基、 ;、羥 .體系 -10- 201120045 的蒽嵌蒽基化合物等中，更佳地，取代基R,、R 2、R 3、 R4、R5、R7、R8、R9、R1C)和Rh中之每一者獨立地代表 選自烷基、烯基、芳基、芳烷基、芳族雜環和鹵素原子的 取代基》 此處，烷基的例子包括甲基、乙基、丙基、異丙基、 三級丁基 '戊基、己基、辛基和十二基。烷基爲直鏈或支 鏈並不重要。此外，環烷基的例子包括環戊基和環己基； 烯基的例子包括乙烯基；炔基的例子包括乙炔基；芳基的 例子包括苯基和萘基；芳烷基的例子包括甲芳基、乙芳 基、異丙芳基和正丁芳基；芳族雜環的例子包括吡啶基、 噻吩基、呋喃基、噠哄基、嘧啶基、吡哄基、三畊基、咪 唑基、哌唑基、噻唑基、唾唑啉基和酞哄基；雜環基的例 子包括吡咯啶基、咪唑啶基、嗎啉基（morpholyl)和噁唑啶 基：院氧基的例子包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、戊氧基 和己氧基；環烷氧基的例子包括環戊氧基和環己氧基；芳 氧基的例子包括苯氧基和萘氧基；烷硫基包括甲硫基、乙 硫基、丙硫基、戊硫基和己硫基；環烷硫基的例子包括環 戊硫基和環己硫基；芳硫基的例子包括苯硫基和萘硫基； 烷氧羰基的例子包括甲氧羰基、乙氧羰基、丁氧羰基和辛 氧羰基；芳氧羰基的例子包括苯氧羰基和萘氧羰基；胺磺 醯基的例子包括胺磺醯基、甲胺磺醯基、二甲胺磺醯基、 環己胺磺醯基、苯胺磺醯基、萘胺磺醯基和2-吡啶胺磺 醯基；醯基的例子包括乙醯基、乙羰基、丙羰基、環己羰 基、辛羰基、2-乙基己羰基、十二烷基羰基、苯羰基、萘 -11 - 201120045 羰基和吡啶羰基；醯氧基的例子包括乙醯氧基、乙羰氧 基、辛羰氧基和苯羰氧基；醯胺基的例子包括甲羰胺基、 乙羰胺基、二甲羰胺基、戊羰胺基、環己羰胺基、2-乙基 己羰胺基、苯羰胺基和萘羰胺基；胺甲醯基的例子包括胺 羰基、甲胺羰基、二甲.胺羰基、環己胺羰基、2-乙基己胺 羰基、苯胺羰基、萘胺羰基和2-吡啶基胺羰基；脲基的 例子包括甲脲基、乙脲基、環己脲基、十二烷基脲基、苯 脲基、萘脲基和2-吡啶基胺基脲基；亞磺醯基的例子包 括甲亞磺醯基、乙亞磺醯基、丁亞磺醯基、環己基亞磺醯 基、2-乙基己基亞磺醯基、苯亞磺醯基、萘亞磺醯基和2_ 吡啶碁亞磺醯基；烷磺醯基的例子钽括甲磺醯基、乙磺醯 基、丁擴醯基、環己擴醯基、2_乙基己磺醯基和十二院基 磺醯基；芳磺醯基的例子包括苯磺醯基、萘磺醯基和2_ 吡啶基磺醯基；胺基的例子包括胺基、乙胺基、二甲月安 基、丁胺基、2-乙基己胺基、苯胺載、萘胺基和2_吡陡基 胺基；鹵素原子的例子包括氟原子、氯原子、溴原子和碘 原子；而氟化烴基的例子包括氟甲基、三氟甲基、五氟& 基和五氟苯基。此外，例子可爲氰基、硝基、羥基和蔬 基。矽烷基的例子包括三甲矽烷基、三異丙基矽院基、三 苯基矽烷基和苯基二乙基矽烷基。此處，前文例示的取代 基之各者可經前述取代基之任何一者進一步取代。此外， 這些取代基中之多者可以彼此鍵結形成環。 根據本發明之體系的蒽嵌蒽基化合物包括前述較丨圭申莫 式，X爲氧原子之模式爲更佳者。 -12- 201120045 根據本發明之體系的蒽嵌蒽基化合物等中 (單體單元）在大氣中安定，且重覆單元（單體| 7Γ -系統（具有更多芳族環）。即根據本發明之 蒽基化合物等中的單體單元的6-位置和12-位 子各者經第1 6族元素取代，因此，6 -位置和1 反應活性位置。因此，化合物不易因氧、光、 類引發分解反應且在大氣中的安定性極佳。此 子之間形成較大的軌域重疊，並可增進載體移 根據本發明之體系，能夠提供在大氣中具有高 牢度、耐熱性、耐水性和耐溶劑性且亦具有高 之安定的有機半導體材料。因此，藉由以根據 系的蒽嵌蒽基化合物等構成形成通道的區域， 之體系的半導體裝置（有機電晶體）能夠展現; 性，且即使在大氣壓中於高溫熱處理之後，亦 安定性和高載體移動性。此外，根據本發明之 蒽基化合物等具有高安定性，因此，能夠寬化 之製法的寬度。 較佳體系之說明 藉由參考附圖，下文以下列實例爲基礎地 發明之體系。但本發明不限於這些實例，且實 和材料之改變僅爲例示。依下列順序解釋。 1 · 根據本發明之第一體系的蒽嵌蒽基化 本發明之第二體系的蒽嵌蒽基化合物·，根據本 ，重覆單元 I元）具有寬 體系的蒽嵌 置處的碳原 2-位置並非 水、高溫之 外，相鄰分 動性。即， 耐氧性、光 載體移動性 本發明之體 根據本發明 高載體移動 能夠維持高 體系的蒽嵌 半導體裝置 描述根據本 例中的數値 合物；根據 發明之第一 -13- 201120045 體系的半導體裝置；根據本發明之第二體系的半導體裝 置；及與全體相關之解釋 2. 實例1(根據本發明之第一體系的蒽嵌蒽基化合 物） 3· 實例2 (實例1之修飾） 4 . 實例3 (根據本發明之第二體系的蒽嵌蒽基化合 物） 5 . 實例4 (根據本發明之第一體系和第二體系的半 導體裝置及其他） [根據本發明之第一體系的蒽嵌蒽基化合物；根據本 發明之第二體系的蒽嵌蒽基化合物：根據本發明之第一體 系的半導體裝置；根據本發明之第二體系的半導體裝置； 及與全體相關之解釋] 根據本發明之體系的蒽嵌蒽基化合物等中，X代表第 16族元素。此處的“第16族元素，’是指週期表第16族的 元素；氧（0)、硫（S)、硒（Se)、碲（Te)和釙（p〇)歸類於其 中。亦將此元素稱爲氧族元素或硫族元素（chalcogen)。此 外’ A鏈段、B鏈段和C鏈段各者本身係有機半導體材 料，其藉由以下列包括氫原子的取代基之任何一者取代二 氧雜蒽嵌蒽基化合物（特定言之，6,12-二氧雜蒽嵌蒽（所謂 的迫-咕噸並咕噸（peri-xanthenoxanthene)，有時簡稱爲 “PXX”）的1-位置至5-位置及7-位置至-11位置而得。 在根據本發明之第一體系或第二體系之半導體裝置 (下文中有時簡稱爲“根據本發明之半導體裝置”）係由底閘 -14 - 201120045 極/底接觸型場效應電晶體（FET)所構成的情況中，此底 閘極/底接觸型FET包括 (A) 形成於基板上的閘極電極； (B) 形成於閘極電極上的閘極絕緣層； (C) 形成於閘極絕緣層上的源極/汲極電極；和 (D) 介於源極/汲極電極之間並形成於閘極絕緣層上 之形成通道的區域。 或者，在根據本發明之半導體裝置係由底閘極/頂接 觸型FET所構成的情況中，此底閘極/頂接觸型FET包 括 (A) 形成於基板上的閘極電極； (B) 形成於閘極電極上的閘極絕緣層； (C) 形成於閘極絕緣層上之形成通道的區域及形成通 道的延伸區域；和 (D) 在形成通道的延伸區域上形成的源極/汲極電 極。 或者，在根據本發明之半導體裝置係由頂閘極/底接 觸型FET所構成的情況中，此頂閘極/底接觸型FET包 括 (A) 形成於基板上的源極/汲極電極； (B) 在基板上，於介於源極/汲極電極之間形成之形 成通道的區域； (C) 形成於形成通道的區域上之閘極絕緣層；和 (D) 形成於閘極絕緣層上的閘極電極。 -15- 201120045 或者，在根據本發明之半導體裝置係由頂閘極/頂接 觸型FET所構成的情況中，此頂閘極/頂接觸型FET包 括 (A) 形成於基板上之形成通道的區域和形成通道的延 伸區域； (B) 形成於形成通道的延伸區域上的源極/汲極電 極； (C) 形成於源極/汲極電極和形成通道的區域上之閘 極絕緣層；和 (D) 形成於閘極絕緣層上的閘極電極。 此處，基板可以由以氧化矽爲基礎的材料（例如， Si〇x 和旋塗玻璃（spin-on glass)’（SOG);氮化砂（SiNY); 氧化鋁（A1203);或高介電常數金賜氧化物絕緣膜）所組 成。基板由此材料所組成的情況中’基板可形成於適當地 選自下列材料之載體上（或在載體的上部中）上。即’載體 和/或前述基板以外的基板之例子包括有機聚合物’如聚 甲基丙烯酸甲酯（PMMA)、聚乙烯醇（PVA)、聚乙烯基酚 (PVP)、聚醚楓（PES)、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚對酞酸乙 二酯（PET)和聚萘酸乙二酯（PEN)(|t有聚合物材料模式， 例如由聚合物材料所組成的撓性塑膠膜、塑膠板或塑膠基 板）；和雲母。藉由使用由此撓性聚合物材料所構成的基 板，例如，半導體裝置可以建構在顯示裝置或具有曲線形 狀的電子裝置中或與其整體化。基板的其他例子包括各式 各樣的玻璃基板、各式各樣之表面上具有絕緣膜的玻璃基 -16- 201120045 板、石英基板、其表面上具有絕緣膜的石英基 上具有絕緣膜的矽基板、和各種合金或各種金 基板（如不銹鋼）。作爲具有絕緣性質的載體， 可以選自前述材料。載體的其他例子包括導1 如，金屬（如金）製的基板、高方向性石墨製造 銹鋼基板等）。此外，取決於半導體裝置的形 半導體裝置可用於載體上。此載體可製自前述 構成閘極電極、源極/汲極電極和佈線的 包括金屬，如鉛（Pt)、金（Au)、鈀（Pd)、 (Mo)、鎳（Ni)、鋁（A1)、銀（Ag)、鉅（Ta)、 (Cu)、駄（Ti)、姻（In)和錫（Sn);及含有此金 金；由此金屬所構成的導電粒子；由含有此金 構成的導電粒子；及導電材料，例如含雜質的 使用各包括此元素的層之層合材料。此外，作 電極、源極/汲極電極和佈線的材料，亦可 (導電聚合物），例如聚（3,4-乙二氧基噻吩）/ 酸[PEDOT/PSS]。構成閘極電極、源極/汲極 的材料可以相同或不同。 雖然形成聞極電極、源極/汲極電極和佈 其構成材料而改變’其例子包括物理蒸氣通 法）；各式各樣的化學蒸氣激積法（c V D法），令 法；旋塗法：各式各樣的印刷法，如網版印刷 刷法、平版印刷法、反白平版印刷法、凹版印 觸法’各式各樣的塗佈法，如氣刀塗佈法、葉 板、其表面 屬製的金屬 適當的材料 重性基板（例 的基板、不 態和構造， 任何材料。 材料的例子 鉻（Cr)、鉬 鎢（W)、銅 屬元素的合 屬之合金所 聚矽。可以 爲構成閘極 爲有機材料 聚苯乙烯磺 電極和佈線 線的方法視 設積法（PVD !括 MOCVD 法、噴墨印 刷法和微接 片塗佈法、 -17- 201120045 棒塗佈法、刮刀塗佈法、擠壓塗佈法、反向輥塗佈法轉 移輥塗佈法、凹版塗佈法、接觸塗佈法、澆塗法噴塗 法 '間隙孔塗佈法、壓輥塗佈法和浸泡塗佈法；壓印法； 剝離法；陰影遮蔽法；鍍敷法，如電鑛法、無電鍍敷法和 它們的組合；及噴霧法。須要時，此方法可以與形成圖案 的技術倂用。此外’ PVD法的例子包括（a)各式各樣的真 空蒸氣澱積法’例如電子束加熱法.耐加熱法、閃蒸殿積 法和加熱坩鍋的方法；（b)電漿蒸氣澱積法：（〇各式各樣 的濺鍍法’如二極體濺鍍法、直流||濺鍍法、直流電磁電 管濺鍍法、無線電濺鏟法、磁電管濺鍍法、離子束濺鏟法 和偏壓濺鑛法；和（d)各式各樣的離子鍍敷法，如直流電 (DC)法、RF法、多陰極法、活化反應法、電場蒸氣殿積 法、無線電頻離子鍍敷法和反應性離子鍍敷法。 此外，構成閘極絕緣層之材料的例子包括無機絕緣材 料’如以氧化矽爲基礎的材料、氮化矽（SiNY)和金屬氧化 物高介電常數絕緣膜；和有機絕緣材料，如聚甲基丙烯酸 甲酯（PMMA)、聚乙烯基酚（PVP)和聚乙烯醇（PVA)。這些 材料可以倂用。以氧化矽爲基礎的材料的例子包括氧化矽 (SiO,) > BPSG ' PSG、BSG、AsSG、PbSG、氧氮化砂 (SiON)、SOG(旋塗玻璃，spin-on glass)和低介電常數材 料（例如，聚芳基醚、環全氟烴聚合物、苯並環丁烯、環 狀氟烴樹脂、聚四氟乙烯、氟芳基醚’‘聚氟醯亞胺、非晶 狀碳和有機SOG)。 或者，閘極絕緣層可藉由令閘極電極表面氧化或氮化 -18 - 201120045 而形成’或者藉由令氧化物膜或氮化物膜澱積在閘極電極 表面±而得到。令閘極電極表面氧化的方法取決於構成閘 極電極表面的材料，且其例子包括使用〇2電漿的氧化法 和陽極氧化法。此外，令閘極電極表面氮化的方法取決於 構成閘極電極的材料，且其例子包括使用n2電漿的氮化 法。或者’例如，使用Au製的閘極電極時，可以藉由以 具有能夠與閘極電極形成化學鍵的官能基之絕緣性分子 (例如一個末端經锍基修飾的直鏈烴），藉浸泡法塗佈閘極 電極’而以自身組裝的方式在閘極電極表面形成閘極絕緣 層。 用以形成形成通道的區域，或形成通道的區域及形成 通道的延伸區域之方法的例子包括前述各式各樣的PVD 法；旋塗法；前述各式各樣的印刷法；前述各式各樣的塗 佈法；浸泡法；澆塗法；和噴塗法。根據情況，添加劑 (例如’所謂的摻雜材料，如η-型雜質和p-型雜質）可加至 根據本發明之第一體系和第二體系的蒽嵌蔥基化合物。 根據本發明之體系的半導體裝置施用於顯示器裝置或 各式各樣的電子裝置時，可以製造成在載體上集合有許多 半導體裝置之整體的積體電路，或者個別半導體裝置可經 切割而製成不連續組件而分別使用。此外，半導體裝置可 經樹脂密封。特定百之，根據本發明的體系之半導體裝置 可用於液晶顯示器裝置、有機電發光設備、電子紙、各式 各樣的感知器、RFID (無線電頻辨識卡）等。 -19- 201120045 【實施方式】 實例1 實例1係關於根據本發明之第一體系的蒽嵌蒽基化合 物。實例1的蒽嵌蒽基化合物係以下列結構式（1)表示的 蒽嵌蒽基化合物（低聚二硫族元素蒽嵌蒽基化合物）：
A鏈段、B鏈段和C鏈段之各者本身是有機半導體材 料’其係以包括氫原子的前述取代基之任一者取代二氧雜 蒽嵌蒽基化合物（特定言之，6,12-二氧雜蒽嵌蒽（所謂的 迫-咕噸並咕噸，“PXX”）的1-位置至5-位置或7-位置至 1 1位置而得。此處，X代表第1 6族元素；η代表0至20 的整數；m代表1至9的整數》 同樣地，A鏈段鍵結至B鏈段的位置是1 ·位置至5-位置和7-位置至1 1 -位置中之至少一者；B鏈段鍵結至A 鏈段的位置是1-位置至5-位置和7-位置至11-位置中之至 少一者；B鏈段鍵結至c鏈段的位置是1 -位置至5-位置 和7-位置至1 1 -位置中之至少一者；C鏈段鍵結至B鏈段 的位置是1-位置至5-位置和7-位置至11-位置中之至少一 者。 實例1中，X是氧（0)元素；η是〇;而m是1。因 -20- 201120045 此，B鏈段不存在；提供不同的解讀在於A鏈段鍵結至C 鏈段的位置是1-位置至5-位置和7-位置至U-位置中之至 少一者；及C鏈段鍵結至A鏈段的位置是1 -位置至5 -位 置和7-位置至1 1-位置中之至少一者。特定言之，A鏈段 鍵結至C鏈段的位置是3 -位置，而C鏈段鍵結至A鏈段 的位置是10-位置。此外，A鏈段中，取代基、R2 ' R4、R5、R7、R8、R,。和Rh中之每一者是氫原子；而R9 是芳烷基，特定言之，乙基芳基，且更特定爲乙基苯基。 此外，C鏈段中，取代基Ri、R2、R4、R5、R7、R8、Rio 和Rn中之每一者是氫原子；而R3是芳烷基，特定言 之，乙基芳基，且更特定爲乙基苯基。 更特定言之，實例1代表以下列結構式（3 )表示的蒽 嵌蒽基化合物。此外，實例1的蒽嵌蒽基化合物的合成圖 示於圖1A。即，等當量的3,9_二溴迫-咕噸並咕噸和對_ 乙基苯基硼酸在鈀觸媒存在時進行 Suzuki -Miyaur a 交錯 偶合反應（請參考 Miyaura， N. and Suzuki, A., J.Chem.Soc·，Chem.Commun.,1979,866 ;和 Miyaura，N·， Yamada， K. and Suzuki, A., Tetrahedron Lett·， 1 979,343 7) ’藉此得到化合物（a)。然後，化合物（a)和0.5 當重的雙（頻那醇）二硼院（bis(pinacolato)diboron)在16觸 媒存在下，進行Suzuki-Miyaura交錯偶合反應，藉此得 到化合物（b)。此外，等當量的化合物（a)和化合物（b)在鈀 觸媒存在下’進行Suzuki-Miyaura交錯偶合反應，藉此 得到結構式（3 )表示的化合物。 -21 - 201120045
實例1或下文描述的實例2至3各者的蒽嵌蒽基化合 物中’重覆單元（單體單元）在大氣中安定。即，由於在實 例1或下文描述的實例2至3各者中之單體單元（其主要 骨架由PXX所構成）的6-位置和12·.位置的碳原子經第16 族兀素（特定言之，氧元素）取代，所以這些位置不再是反 應活性位置；且此化合物不易因氧、光、水 '高溫之類引 發分解反應’且其在大氣中的安定性無法令人滿意。此 外’重覆單元（單體單元）具有寬π -系統。即，化合物具 有多個芳環’且其7Γ-電子共軛範圍變寬。據此，實例j 或下文描述的實例2至3各者的蒽嵌蒽基化合物在相鄰分 子間形成較大的重疊軌域（所謂的Ti； - 7Γ堆疊等），並可增 進其載體移動性。即，根據實例1或下文描述的實例2至 3各者，能夠提供在大氣中具有高耐氧性、光牢度、耐熱 性、耐水性和耐溶劑性且亦具有高載體移動性之安定的有 機半導體材料。因此，如下文所述者，藉由以實例1或下 文描述的實例2至3各者的蒽嵌蒽基化合物構成有機電晶 體之形成通道的區域，有機電晶體能夠展現高載體移動 性，且即使在大氣壓中於高溫熱處埋之後，亦能夠維持高 安定性和高載體移動性。此外，實例1或下文描述的實例 2至3各者的蒽嵌蒽基化合物等具有高安定性，因此，能 -22- 201120045 夠寬化半導體裝置之製法的寬度。 實例2 實例2係實例1之修飾。實例1中，η是0，而在實 例2中，η是1。 特定言之，Α鏈段鍵結至Β鏈段的位置是3 -位置；Β 鏈段鍵結至A鏈段的位置是10-位置。同樣地，B鏈段鍵 結至C鏈段的位置是3 -位置；C鏈段鍵結至B鏈段的位 置是1 〇-位置。A鏈段中，取代基R,、R2、R4、R5、R7、 R8、R1Q和Ru中之每一者是氫原子；而119是芳烷基，特 定言之，乙基芳基，且更特定爲乙基苯基。B鏈段中，取 代基R,、R2、R4、r5、R7、Rs、Rio和Rh中之每一者是 氫原子。此外。C鏈段中，取代基R,、R2、R4、R5、R7、 R8' Rio和Rn中之每一者是氫原子；而尺3是芳烷基，特 定言之’乙基芳基，且更特定爲乙基苯基。 Μ #定言之，實例2代表以下列結構式（4)表示的蒽 嵌葱基化合物。此外，實例2的蒽嵌蒽基化合物的合成圖 示於圖1 Β °即，3，9 -二溴迫-咕噸並咕噸和2當量的化合 物（5)在IG觸媒存在時進行suzuki_Miyaura交錯偶合反 應’得到結構式（4)表示的化合物。
-23- 201120045 實例3 實例3係關於根據本發明之第二體系的蒽嵌蒽基化合 物。實例3的蒽嵌蒽基化合物係以下列結構式（2)表示的 蒽嵌蒽基化合物（低聚合的二硫族元索蒽嵌蒽基化合物）：
下列式（2)中， X代表第16族元素； η代表0至20的整數； m代表1至9的整數；和 [Y]和[Z]的每一者獨立地代表選自烷基、環烷基、烯 基、炔基、芳基、芳烷基、芳族雜環、雜環基、烷氧基、 環烷氧基、芳氧基、烷硫基、環烷硫基、芳硫基、烷氧羰 基、芳氧羰基、胺磺醯基、醯基、醯氧基、醯胺基、胺甲 醯基、脲基、亞磺醯基、烷磺醯基、芳磺醯基、胺基 '氟 化烴基、氰基、硝基、羥基、锍基和矽烷基中之一者的官 能基。 同樣地，A鏈段鍵結至[Y]的位置是1-位置至5-位置 和7 -位置至1卜位置中之至少一者；B鏈段鍵結至[Y ]的位 置是1-位置至5-位置和7_位置至11-位置中之至少一者； B鏈段鍵結至[Z]的位置是1-位置至5-位置和7-位置至 1 1 -位置中之至少一者；C鏈段鍵結至[Z ]的位置是1 -位置 -24- 201120045 至5-位置和7_位置至1 1-位置中之至少一者。 實例3中，X是氧（0)元素；η是〇;而！^是1。因 此，B鏈段和[Y]不存在；提供不同的解讀在於A鍵@ _ 結至[Z]的位置是1-位置至5-位置和7-位置至11_位Ψ 之至少一者。特定言之，Α鏈段鍵結至[Ζ]的位置是 置；而C鏈段鍵結至[Z]的位置是10-位置。此外，a鍵段 中，取代基Ri、R2、R4、R5、R7、R8、R1〇和Rh中之每 一者是氫原子；而Rg是芳院基，特定言之，乙基芳基， 且更特定爲乙基苯基。此外，C鏈段中，取代基R,、 R4、Rs、R7、Re、Rio和R|1中之每一者是氧原子；而R 是芳烷基，特定言之，乙基芳基，且更特定爲乙基苯基。 此外，[Z]是芳基，特定爲苯基。 更特定言之，實例3代表以下列結構式（5)表示的葱 嵌蒽基化合物。此外，實例3的蒽嵌蒽基化合物的合成圖 示於圖2。即，伸對苯基二硼酸和2當量的化合物（3)在把 觸媒存在時進行Suzuki-Miyaura交錯偶合反應，藉此得 到結構式（5 )表示的化合物。
實例3中，例如，n亦可爲〗。特定言之，例如，a 鏈段鍵結至[Y]的位置是3-位置，而B鏈段鍵結至[Y]的位 -25- 201120045 置是10-位置，此外，B鏈段鍵結至[Z]的位置是3·位置’ 而C鏈段鍵結至[Z]的位置是1 〇 -位置。此外’ A鏈段 中，取代基 Ri、R2、Κ·4、Rs、R7、Rs、Rio 和 Rl1 中之每 —者是氫原子；而R9是芳烷基’特定言之，乙基芳基’ 且更特定爲乙基苯基。此外，B鏈段中’取代基Rl' R2、 R4、R5、R7、Rs、Rio和Rii中之每一者是氫原子。此 外，C鏈段中，取代基Ri、R2、R4、R5、R7、Rs、Rio和 Ru中之每一者是氫原子；而Rs是芳烷基，特定言之，乙 基芳基，且更特定爲乙基苯基。此外，[Y]是芳基，特定 爲苯基。同樣地，[Z]是烷基，特定爲乙基。 實例4 實例4係根據本發明之第一體系和第二體系的半導體 裝置。實例4的半導體裝置（特定言之，場效應電晶體 (FET))包括基板，該基板上具有閘極電極、閘極絕緣層、 源極/汲極電極、和形成通道的區域，其中該形成通道的 區域係由前述結構式（1)表示之蒽嵌蒽基化合物所構成。 或者，實例4的半導體裝置包括基板，該基板上具有閘極 電極、閘極絕緣層、源極/汲極電極、和形成通道的區 域，其中該形成通道的區域係由前述結構式（2)表示之蒽 嵌蒽基化合物所構成。 更特定言之，如圖3A的部分截面圖所示者，實例4 的半導體裝置係所謂的底閘極/頂接觸型FET(更特定言 之，TFT)，其包括 -26- 201120045 (A)形成於基板1 0、1 1上的閘極電極1 2 ; (Β)形成於閘極電極1 2上的閘極絕緣層1 3 ; (C) 形成於閘極絕緣層1 3上之形成通道的區域1 4和 形成通道的延伸區域14Α ;和 (D) 形成於形成通道的延伸區域1 4Α上的源極/汲 極電極1 5。 基板1 〇、11由係由玻璃基板構成的基板1 〇及形成於 其表面上並製自Si〇2的絕緣膜11所構成；閘極電極12 和源極/汲極電極15每一者由金屬薄膜所構成；而閘極 絕緣層1 3由Si 02所構成。此外，形成通道的區域1 4和 形成通道的延伸區域14A每一者由實例1至3中描述的 蒽嵌蒽基化合物中之任一者所構成，閘極電極1 2和閘極 絕緣層1 3形成於絕緣膜1 1上。 底閘極/頂接觸型FET(特定言之，TFT)的製法細節 描述於下文中。 [步驟5 00A] 首先’閘極電極1 2形成於基板（玻璃基板1 〇，其表 面上具有由Si02形成的絕緣膜U)上。特定言之，藉平版 印刷法’電阻層（未示）（其中，移除欲形成閘極電極1 2的 部分）形成於絕緣膜1 1上。然後，藉真空蒸氣澱積法，作 爲接觸層的鉻（Cr)層（未示）和作爲閘極電極12的金（Au)層 連續澱積在整個表面上，然後移除電阻層。藉此，基於所 謂的剝離法，得到閘極電極1 2。 [步驟51 0A] -27- 201120045 然後，在包括閘極電極12的基板（絕緣膜11)上形成 閘極絕緣層1 3。特定言之，藉濺鍍法，在閘極電極1 2和 絕緣膜1 1上形成由Si02製得的閘極絕緣層1 3。澱積閘極 絕緣層1 3的期間內，藉由以硬光罩覆蓋閘極電極1 2的一 部分，能夠以不採用光蝕刻法的方式形成閘極電極1 2的 放電部分（未示）。 [步驟5 20A] 然後，形成通道的區域14和形成通道的延伸區域 1 4 A形成於閘極絕緣層1 3上。特定言之，藉真空蒸汽澱 積法，澱積前述實例1至3中描述之蒽嵌蒽基化合物中之 任一者。 [步驟5 3 0 A ] 然後，在形成通道的延伸區域14A上形成源極/汲 極電極1 5，以使得以在二者之間形成通道的區域1 4。特 定言之，藉真空蒸氣澱積法，作爲接觸層的鉻（Cr)層和作 爲源極/汲極電極15的金（Au)層連續形成於整個表面 上。藉此可得到圖3 A所示的結構》澱積源極/汲極電極 15的期間內，藉硬光罩覆態形成通道的延伸區域14A的 一部分，能夠以不採用光蝕刻法的方式形成源極/汲極電 極1 5。 [步驟5 4 0 A ] 最後，絕緣層（未示）（其爲鈍化膜）形成於整個表面 上：開口形成於源極/汲極電極1 5上部的絕緣層上；佈 線材料層形成於包括開口內側的整個表面上；且之後此佈 -28- 201120045 線層形成圖案。因此，可以得到形成於絕緣層上之佈線 (未示）連接至源極/汲極電極15的底閘極/頂接觸型 FET(TFT)。 FET不限於圖3 A所示之所謂的底閘極/頂接觸型 FET，此外，所形成的FET亦可爲所謂的底閘極/底接 觸、所謂的頂閘極/頂接觸型或所謂的頂閘極/底接觸 型。 一種所謂的底閘極/底接觸型FET(更特定言之， TFT)，圖3B出示其部分截面圖，包括 (A)形成於基板1〇、11上的閘極電極12; (B )形成於閘極電極1 2上的閘極絕緣層1 3 ; (C) 形成於閘極絕緣層1 3上的源極/汲極電極1 5 ; 和 (D) 位於源極/汲極電極1 5之間並形成於閘極絕緣 層1 3上之形成通道的區域1 4。 底閘極/底接觸型TFT的製法細節描述於下文中。 [步驟500B] 首先，類似於步驟500 A，閘極電極1 2形成於基板 (絕緣膜1 1 )上；然後，類似於步驟5 1 0A，閘極絕緣層1 3 形成於閘極電極1 2和絕緣膜1 1上。 [步驟5 1 0 B ] 然後，由金（Au)層所構成的源極/汲極電極15形成 於閘極絕緣層1 3上。特定言之，藉光蝕刻法，形成電阻 層（其中欲形成源極/汲極電極1 5的部分經移除）。然 -29- 201120045 後’類似於步驟500 A，藉真空蒸氣澱積法，作爲接觸層 的鉻（Cr)層（未示）和作爲源極/汲極電極is的金（Au)層連 續激積在電阻層和閘極絕緣層1 3上，然後，移除光阻 層。藉此，藉所謂的剝離法，能夠得到源極/汲極電極 15 〇 [步驟5 2 0 B ] 然後，藉與步驟5 2 0 A中相同的方式，在閘極絕緣層 1 3的一部分上，在源極/汲極電極1 5之間形成形成通道 的區域1 4。藉此可能夠得到圖3 B所示結構。 [步驟530B] 最後，藉由執行與步驟5 40A中相同的步驟，可得到 底閘極/底接觸型FET(TFT)。 —種所謂的頂閘極/頂接觸型FET(更特定言之， TFT)，圖4A出示其部分截面圖，包括 (A) 形成於基板10、1 1上之形成通道的區域14和形 成通道的延伸區域14A ; (B) 形成於形成通道的延伸區域1 4 A上的源極/汲 極電極1 5 ; (C) 形成於源極/汲極電極15和形成通道的區域14 上的閘極絕緣層1 3 ;和 (D) 形成於間極絕緣層13上的鬧極電極12。 頂閘極/頂接觸型TFT的製法細節描述於下文中。 [步驟5 00C] 首先，藉與步驟520 A相同的方法，形成通道的區域 -30- 201120045 1 4和形成通道的延伸區域14 A形成於基板（玻璃基板1 〇， 且其表面上具有由Si 02製的絕緣膜1 1 )上。 [步驟5 1 0 C ] 然後，源極/汲極電極1 5形成於形成通道的延伸區 域1 4 A上，以使得以在二者之間形成通道的區域1 4。特 定言之，藉真空蒸氣澱積法，作爲接觸層的鉻（Cr)層（未 示）和作爲源極/汲極電極15的金（Au)層連續澱積在整個 表面上。源極/汲極電極15的澱積期間，藉硬光罩覆蓋 形成通道的延伸區域1 4 A的一部分，能夠以未採用光蝕 刻法地的方式形成源極/汲極電極1 5。 [步驟5 20C] 然後，在源極/汲極電極1 5和形成通道的區域1 4上 形成閘極絕緣層1 3。特定言之，藉由旋塗法，令PVA澱 積在整個表面上，可得到閘極絕緣層1 3。 [步驟5 3 0C] 然後，在閘極絕緣層1 3上形成閘極電極1 2。特定言 之，藉真空蒸氣澱積法，作爲接觸層的鉻（Cr)層（未示）和 作爲閘極電極12的金（Au)層連續澱積在整個表面上。藉 此可得到圖4 A所示結構。澱積閘極電極1 2的期間內， 藉由以硬光罩覆蓋閘極絕緣層13的一部分’可以未採用 光蝕刻法的方式形成閘極電極1 2。最後’藉由執行與步 驟 540A相同的步驟，可得到頂閘極/頂接觸型 FET(TFT) ° 一種所謂的頂閘極/底接觸型FET(更特定言之， -31 - 201120045 TFT)，圖4B出示其部分截面圖，包括 (A) 形成於基板10、11上的源極/汲極電極15; (B) 形成於基板10、11上，位於源極/汲極電極15 之間之形成通道的區域1 4 ; (C) 形成於形成通道的區域14上的閘極絕緣層13; 和 (D) 形成於閘極絕緣層1 3上的閘極電極1 2。 頂閘極/底接觸型TFT的製法細節描述於下文中。 [步驟5 0 0 D ] 首先，源極/汲極電極15形成於基板（玻璃基板 1〇’其表面上具有由Si〇2形成的絕緣膜11)上。特定言 之’藉真空蒸氣澱積法，形成作爲接觸層的鉻（Cr)層（未 示）和作爲源極/汲極電極1 5的金（Ανι)層。澱積源極/汲 極電極15的期間內，藉由以硬光罩覆蓋基板（絕緣膜u) 的一部分’可藉未採用光蝕刻法的方式形成源極/汲極電 極1 5 〇 [步驟510D] 然後’藉由與步驟52〇Α中相同的方式，將形成通道 的區域1 4在介於源極/汲極電極1 5之間，形成於基板 (絕緣膜1 1 )上。事實上，形成通道的延伸區域14Α形成 於源極/汲極電極15上。 [步驟5 2 0 D ] 然後’以與步驟5 2 0C相同的方式，閘極絕緣層1 3形 成於源極/汲極電極15和形成通道的區域14上（事實 -32- 201120045 上，在形成通道的區域1 4和形成通道的延伸區域1 4 A 上）。 [步驟5 3 0D] 然後，以與步驟5 3 0 C相同的方式，閘極電極1 2形成 於閘極絕緣層1 3上。藉此可得到圖4B所示結構。最後， 藉由執行與步驟5 4 〇 A相同的步驟，可得到頂閘極/底接 觸型 FET(TFT)。 已經藉較佳實例描述本發明。但本發明不限於這些實 例。半導體裝置的結構和形態、製造條件和製造方法僅爲 例示且可經合宜地改變。藉根據本發明之體系得到的半導 體裝置施用或應用於顯示器裝置或各式各樣的電子裝置 時，可以製造成在載體或承載元件上集合有許多FET之整 體的積體電路，或者個別FET可經切割而製成不連續組 件而分別使用。 本申請案含括2009年7月1日向日本專利局提出申 請之日本優先專利申請案JfP2〇〇9-l 5 645 9中所揭示的標的 物，茲將該案全文以引用方式納入本文中。 嫻於此技術者應瞭解取決於設計要求和其他因素，只 要其在所述申請專利範圍或其對等物的範圍內，可施以各 式各樣的修飾、組合、次組合和改變。 【圖式簡單說明】 圖1 A和圖1 B分別係實例1和實例2之蒽嵌蒽基化 合物的合成圖。 -33- 201120045 圖2係實例3之蒽嵌蒽基化合物的合成圖。 圖3A係所謂底閘極/頂接觸型場效應電晶體的部分 截面圖；而圖3B係所謂的底閘極/底接觸型場效應電晶 體的部分截面圖。 圖4A是所謂的頂閘極/頂接觸型場效應電晶體的部 分截面圖；而圖4B是所謂的頂閘槌/底接觸型場效應電 晶體的部分截面圖。 【主要元件符號說明】 I 0 :基板 II :絕緣膜 1 2 :鬧極電極 1 3 :閘極絕緣層 1 4 ·’形成通道的區域 14A :形成通道的延伸區域 1 5 :源極/汲極電極 -34-

Claims (1)

  1. 201120045 七、申請專利範圍 !· 一種以下列結構式（1 )表示的蒽嵌蒽基化合物：
    A鏈段 B鍵段' C鏈段 其中 X代表第16族元素； η代表0至20的整數； m代表1至9的整數； A鏈段鍵結至B鏈段的位置是1-位置至5-位置和7-位置至1 1 -位置中之至少一者； B鏈段鍵結至A鏈段的位置是1 -位置至5-位置和7-位置至1 1 -位置中之至少一者； B鏈段鍵結至C鏈段的位置是1-位置至5-位置和7-位置至1 1 -位置中之至少一者； C'鏈段鍵結至B鏈段的位置是1-位置至5-位置和7-位置至1 1 -位置中之至少一者；和 取代基 Ri、R_2、Κ·3、Κ·4、Κ·5、Κ·7、Κ·8、R9、Rl。和 Rh中之每一者獨立地代表選自氫原子、烷基、環烷基、 烯基 '炔基、芳基、芳烷基、芳族雜環、雜環基、烷氧 基、環烷氧基、芳氧基、烷硫基、環烷硫基、芳硫基、烷 氧羰基、芳氧羰基、胺磺醯基、醯基、醯氧基、醯胺基、 -35- 201120045 胺甲醯基、脲基、亞磺醯基、烷磺醯基、芳磺醯基、胺 基、鹵素原子、氟化烴基、氰基、硝基、羥基、锍基和矽 烷基中之一者的取代基。 2. 如申請專利範圍第1項之蒽嵌蒽基化合物’其中 取代基 R|、R2、R3、R4、Rs、R7、Rs、R9、Ri。和 Rll中之每一者獨立地代表選自烷基、烯基、芳基、芳院 基、芳族雜環和鹵素原子的取代基。 3. 如申請專利範圍第1項之蒽嵌蒽基化合物，其中 X是氧元素。 4. 一種以下列結構式（2)表示的蒽嵌蒽基化合物：
    其中 X代表第16族的元素； [Y]和[Z]的每一者獨立地代表選自烷基、環烷基、烯 基、炔基、芳基、芳烷基、芳族雜環、雜環基、烷氧基、 環烷氧基、芳氧基、烷硫基、環烷硫基、芳硫基、烷氧羰 基、芳氧羰基、胺磺醯基'醯基、醯氧基、醯胺基、胺甲 醯基、脲基、亞磺醯基、烷磺醯基、芳磺醯基、胺基、氟 化烴基、氰基、硝基、羥基、锍基和矽烷基中之一者的官 能基； -36- 201120045 η代表0至2〇的整數； m代表1至9的整數； A鏈段鍵結至[Y]的位置是1-位置至5-位置和7-位置 至1 1-位置中之至少一者； B鏈段鍵結至[Y]的位置是1-位置至5-位置和7-位置 至1 1-位置中之至少一者； B鏈段鍵結至[Z]的位置是1-位置至5-位置和7-位置 至11-位置中之至少一者； C鏈段鍵結至[Z]的位置是1-位置至5-位置和7-位置 至1 1-位置中之至少一者；和 取代基 Ri、R2、R3、R4、R5、R7、Rs、R9、Rio 和 中之每一者獨立地代表選自氫原子、烷基、環烷基、 烯基、炔基、芳基、芳烷基 '芳族雜環、雜環基、烷氧 基、環烷氧基、芳氧基、烷硫基、環烷硫基、芳硫基、烷 氧羰基、芳氧羰基 '胺磺醯基 '醯基、醯氧基 '醯胺基' 胺甲醯基、脲基、亞磺醯基、烷磺醯基、芳磺醯基、胺 基、鹵素原子、氟化烴基、氰基、硝基、羥基、锍基和砂 烷基中之一者的取代基。 5. 如申請專利範圍第4項之蒽嵌蒽基化合物’其中 取代基 R,、R2、R3、、R5 ' R7、Rs、R9、Ri。和 中之每一者獨立地代表選自烷基、烯基、芳基、芳院 基、芳族雜環和鹵素原子的取代基。 6. 如申請專利範圍第4項之蒽嵌蒽基化合物’其中 X是氧元素。 -37- 201120045 7. —種半導體裝置，其包含： 基板，而其上具有下列： 閘極電極， 閘極絕緣層， 源極/汲極電極，和 形成通道的區域，其中 該形成通道的區域係由如申請專利範圍第1項之蒽嵌 蒽基化合物所構成。 8. —種半導體裝置，其包含： 基板，而其上具有下列： 閘極電極， 閘極絕緣層， 源極/汲極電極，和 形成通道的區域，其中 該形成通道的區域係由如申請專利範圍第4項之蒽嵌 蒽基化合物所構成。 9. 如申請專利範圍第7或8項之半導體裝置，其中 取代基 Rl、R_2、Κ·3、R4、R5、Κ·7、Κ·8、R9、Rio 和 Rh中之每一者獨立地代表選自烷謠、烯基、芳基、芳烷 基、芳族雜環和鹵素原子的取代基。 10. 如申請專利範圍第7或8項之半導體裝置，其中 X是氧元素。 -38-
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