201103699 ' 六、發明說明： . 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用於進行半導體晶圓等之研磨的 • CMP(化學機械研磨，Chemical Mechanical Polishing)之 . 研磨墊的調和（修整（dressing)或銳化處理）之CMP調和器 (Conditioner)及其製造方法。 本案係依據2009年4月27日申請之日本發明專利申 請第2009-107858號、及2009年7月3日申請之日本發明 專利申請第2009-158619號主張優先權，並在此援用該等 之内容。 【先前技術】 隨著半導體產業之進展，高精密度地精整金屬、半導 體、陶瓷等之表面的加工方法之必要性提高，特別是，在 半導體晶圓中，除了要求其積體度之提升，亦要求奈米級 之表面精整。為了對應該高精密度之表面精整，一般係對 半導體晶圓進行使用多孔性之CMp墊（pad)的CMp研磨。 CMP塾係隨著研磨時間經過而產生阻塞或壓縮變形， 其表面狀態會逐漸變化。如此一來，會產生研磨速度之降 低或不均勻研磨等不良現象。因此，採取藉由定期地對CMP 塾之表面進行磨光（Grinding)加工，將⑽塾之表面狀態 保持為—定，以維持良好之研磨狀態的作法。 就用以對CMP塾進行磨光加工之CMp_和器而言， 如專利文獻1所τ，已知有—種具備本體（基材或、 形成在本體之表面（朝向⑽塾侧之面）的鍍覆層 、及藉由 3 321966 201103699 該鏟覆層固定於台金之鑽石磨粒者。 (專利文獻1)日本特開2002-239905號公報 就其他之CMP調和器而言，亦有一種記載於專利文獻 2者。這是在調和器本體之調和面形成分散磨粒而固定之 磨粒層。調和器本體係陶瓷製，且在磨粒層中藉由低溫燒 結陶瓷形成有保持並固定磨粒之結合層。 (專利文獻2)日本特開2008-132573號公報 然而，半導體係隨著極細線化，亦期望其表面研磨加 工更加精密化。因此，半導體研磨用之墊表面的調和亦必 須更高精密度地控制，且期望以輕荷重進行調和。然而， 在前述CMP調和器中，由於考慮耐蝕性而主要在本體使用 不鏽鋼或陶瓷，因此加上了調和器本身之重量，而難以以 輕荷重進行調和。 為了達成以輕荷重進行調和，亦檢討本體之樹脂化。 然而，為樹脂本體時，雖可進行CMP調和器之輕量化，但 在將鑽石磨粒直接固定在樹脂本體時，樹脂會因調和而被 切削，而對調和性能造成不良影響。 因此，必須藉由固定有鑽石磨粒之金屬板來覆蓋樹脂 本體。然而，雖可藉由電解鍍覆層直接固定在樹脂，但密 接力不足而會發生鑽石磨粒之脫落等問題。因此亦可考慮 使用燒結黏結劑等來固定鑽石磨粒，但與以電解鍍覆層所 進行之固定相比較，在成本方面較為不利。此外，亦有因 熱衝擊而在鑽石磨粒内部產生微小裂痕的可能性，因此依 然有鑽石磨粒破碎之危險性。 4 321966 201103699 而言，已知有專利文 就使用習知之接著劑的接著技術 獻3、4所記載者。 號公報 號公報 (專利文獻3)日本特開2〇〇5_171185 (專利文獻4)日本特開平1〇_211664 【發明内容】 ㈣=Γ樣態的CMP調和器係在細裝置之研磨 墊對向接觸的調和面蚊有鑽石磨粒者，i中，前述鑽石 金⑽覆層而固定在前述CMP調和器本體上’ 刚：7調和器本體係以樹脂所形成。包含前述鑽石磨粒 之金屬層與前述本體係在分獅成衫同構件後一體 地接合。A時’可將CMP調和器進行輕量化，且抑制因熱 衝擊等所造成之内部裂痕的產生，同時均勻地將鑽石磨粒 固定在本體。 在本發明之另一態樣的CMP調和器中，在前述金屬鍍 覆層之外周端部設置有彎曲部，該彎曲部係沿著前述本體 之側面側遍及全周朝前述金屬鍍覆層之厚度方向彎曲。此 情形時，金屬鍍覆層之剛性會變高，且確保調和面之平坦 度。由於鑽石磨粒均勻地固定在調和面，因此防止漿料從 外周部滲入接著面，而有助於接著強度之確保。 前述CMP調和器亦可由聚苯醚、聚苯硫醚之類的工程 樹脂所形成。此情形時，依用途可選擇耐熱性、耐蝕性高 之本體材料。 本發明之另一樣態的CMP調和器之製造方法係用以製 造在與CMP裝置之研磨墊對向接觸的調和面固定有鑽石磨 321966 5 201103699 粒之CMP調和器的方法，該方法係包含以下步驟：在CMP 調和器本體上之調和面形成基底鍍覆層的步驟；在前述基 底鐘覆層之上形成Ni打底鑛覆層之步驟；在前述Ni打底 鍍覆層上排列配置鑽石磨粒之步驟；復使埋入鍍覆層成長 於前述Ni打底鍍覆層之上而固定前述鑽石磨粒之步驟；以 及以塗覆層塗覆前述調和面整體之步驟。此情形時，可在 調和面製造均勻地固定有鑽石磨粒的CMP調和器。 本發明之另一樣態的CMP調和器之製造方法係用以製 造在與CMP裝置之研磨墊對向接觸的調和面固定有鑽石磨 粒之CMP調和器的方法，該方法係包含以下步驟：在金屬 鍍覆層成長用基板上形成基底鍍覆層的步驟；在前述基底 鍍覆層之上形成Ni打底鍍覆層之步驟；在前述Ni打底鍍 覆層上排列配置鑽石磨粒之步驟；復使埋入鍍覆層成長於 前述Ni打底鍍覆層之上而固定前述鑽石磨粒之步驟；以塗 覆層塗覆前述調和面整體之步驟；以及將包含前述鑽石磨 粒之金屬鍍覆層從前述成長用基板予以剝離，並將該金屬 鍍覆層貼附在樹脂製之CMP調和器本體的前述調和面之步 驟。此情形時，可容易地輕量化且將樹脂本體與包含鑽石 磨粒之金屬鐘覆層一體化。 亦可復包含以下步驟：在形成前述基底鍍覆層後，將 穿孔成預定圖案之遮罩貼附在前述基底鍍覆層上，並將鑽 石磨粒排列配置在前述遮罩之孔圖案内的步驟；以及藉由 底側鍍覆層暫時固定前述鑽石磨粒，然後剝離前述遮罩， 使埋入鍍覆層成長而正式固定前述鑽石磨粒之步驟。此情 6 321966 201103699 形時撕可任意地控制鑽石磨粒之排列配置圖案。 - 暫咖定前述鑽石餘之步驟與 磨粒之步驟係可分別分為 过鑽石 :包含前述鑽石磨粒之金屬=思人來進盯，亦使可包含··在 ;，覆層:厚度方向彎曲之,曲部與 成長之步驟。此情形時，可製造確保調和面之平:产=也 調和面均:地固定有鑽石磨粒之金屬錢覆層。一又在 依據則述各樣態，可挺供 均勾地固定有鑽石磨粗之=一種輕量化且在本雜穩定且 本發明之另-樣= =材上，且在表面突出形成有切刀的金屬置： 别述切刀對於與前述表面對向配置之 2由 的CMP墊調和器，其中，义、+、* 堂也于磨先加工 :述基材及前述金屬板係二;料::：
材側的面之至少一方，形成有朝向對向之前述面突出2 端抵接在該面的突部。 ®且月IJ 依據本發明之另一樣態的CMP墊調和器，在基 向金屬板側的面、及金屬板之朝向基材側的面之至少一朝 方，形成有朝向對向之前述面突出之突部’且前述 前端係抵接在該對向之前述面。突部之前端與其對向2 係抵接且藉由接著劑而接著，並且在基材與金屬板 置於突部以外之間隙的接著劑亦接著基材與金屬板，因^ 基材與金屬板係彼此穩固地接著成定位狀態。 7 321966 201103699 石著基材與金屬板之接著方向（亦即基材與金屬板之 積層方向）之彼此的定位係藉由突部之前端與其對向之面 的抵接而精確度佳地進行。詳細而言，將接著劑塗布在對 向之面彼此之間並相互按壓而接著時’接著劑係介置於突 部之前端與其對向之面之間，而在相互按壓突部之前端與 其對向之面而使之抵接時，多餘之接著劑會流動於突部以 外之間隙部分。 藉由上述構成，不論接著劑之份量或塗料濃淡、及相 互推壓基材與金屬板之力量的分配;等為何，皆可精確度佳 地進行突部之前端與其對向之面的抵接。因此可高精確度 地進行在基材之朝向金屬板側的面、與金屬板之朝向基材 側的面之彼此定位，防止該等面以彼此非平行方式傾斜配 置’並且可彼此穩定地接著該等基材與金屬板。 藉由以上述方式形成突部，接著劑與形成有前述突部 之面之間的接著面積會增大，因此基材與金屬板之接著強 度更為提高。再者，藉由在突部之前述前端以外的外面（亦 即侧面等）塗布接著劑，前述外面係發揮錨定之效應，因此 特別是充分地確保相對於與前述面正交之方向中之使基材 與金屬板分離之剝離方向的接著強度。 前述突部之前端亦可形成在與該對向之前述面的平 面。此情形時，可充分地提升彼此抵接之前述前端與前述 面之密接度。因此，前述之接著強度會充分地提升。 前述突部係形成複數個，亦可將從其形成之前述面突 出之南度设疋為彼此相同。此時，在將該等突部分散在其 8 321966 201103699 * 形成之前述面的狀態下’分別抵接於前述突部之對向的 - 面。因此’能以基材穩疋地支持金屬板。該等之突部係將 從其形成之前述面突出之高度設定為彼此相同，因此能以 ： 基材更穩定地支持金屬板’而且可充分地確保突部與其對 ； 向面之接觸面積，接著強度亦會提升。 亦可在前述金屬板之外周部形成筒狀之覆蓋部，該覆 蓋部係以沿著前述金屬板之厚度方向的方式覆蓋前述基材 之外周部。此時，可提升金屬板本身之剛性，並且可確保 配置有切刀之前述表面的平坦度。由於覆蓋部之形狀，而 將前述覆蓋部的開口緣部配置成與CMP墊分離，因而防止 研磨加工用之漿料從基材與金屬板之間侵入，前述接著強 度會長期地穩定。 ★藉由設置覆蓋部，在接著基材與金屬板時，可將在該 等基材與金屬板之間從中央朝外側流動之多餘的接著劑到 達外部為止的距離設為較長。因此，防止接著劑從基材與 金屬板之間漏出至外部。 亦可在前述基材之朝向金屬板側之面的外周緣部形 成有凸曲面部，在前述金屬板之朝向前述基材侧的外周緣 部，形成有對應前述凸曲面部之形狀的凹曲面部。此時， $著基材與金屬板時，由於凸·部與凹曲面部係以彼 笔如 肝，丨置於基材與金屬板之間的接 考劑予以密封。以防止接荖麻 邱, 伐者劑從對向之凸曲面部與凹曲面 奴間朝外《動，為化出至外部。 亦可在前述基材形成有與前述覆蓋部之開口緣部抵 321966 9 201103699 接之環狀的折曲部。此時，在接著基材與金屬板時，即使 如前所述從中央朝外側流動之多餘的接著劑到達前述開口 緣。P時’亦藉由折曲部限制I亥接著劑車月t外部流動。因此， 可防止接著劑漏出至外部。 在本發明之另一樣態的CMP墊調和器中，前述突部亦 可將於其形成之前述面的面積率設定在2〇至了8%之範圍 内。此時，充分地確保前述突部之與對向之面的接著面積， 並且確保接著強度。 在對CMP墊進行磨光加工時，對於從前述CMp墊施加 在金屬板的外力，突部會穩定地支持前述金屬板。因此， 對於CMP墊之磨光性能穩定。 在基材與金屬板之間的突部以外之部分充分地確保 有供多餘之接著劑逸退（收容）的間隙，以使基材與金屬板 之位置精確度更高。 當突部之前述面積率設定為未達2〇%時，則無法充分 確保基材與金屬板之接著面積，且接著強度會減低。此時， 會有金屬板從基材剝離之虞。在對CMp墊進行磨光加工之 際，對於從前述CMP墊施加在金屬板的外力，突部將無法 穩定地支持金屬板，前述金屬板之表面變得容易變形，而 且切刀之與CMP墊的接觸變得不均勻，磨光性能亦變得不 穩定。 在將突部之前述面積率設定為超過78%時，即使介置 在突部之前端與其對向之面之間的接著劑中之多餘接著劑 在接著基材與金屬板時被推壓在基材與金屬板之間，亦難 321966 10 201103699 '以朝前述間隙流動。此時，基材與金屬板係在彼此傾斜之 - 狀態下接著，切刀之與CMP墊的接觸變得不均勻，而且磨 光性能變得不穩定。 ·· 前述突部亦可設定為隨著從其形成之前述面的中央 : 越朝外侧，使其前端之面積逐漸增大。此時，突部所支持 之金屬板係隨著從中央往外侧逐漸抑制其變形，因此可提 升強度。 在對CMP塾進行磨光加工時，在旋轉之cmp塾調和器 的金屬板中，外侧之部分係比其中央更較多與CMp墊接 觸，而且被施加比較大之外力，藉由前述之構成，該金屬 板之外側的部分係比中央更相對於前述外力具有高的剛- 性。因此，防止金屬板變形，使對於CMP墊之磨光性能穩 定。 依據前述樣態的CMP墊調和器，可彼此精確度佳地定 位在其間介置有接著劑之基材與金屬板，並且可使基材與 金屬板穩定地接著，使接著強度提升》 【實施方式】 (第1實施形態） 以下，就本發明之實施形態1詳細地說明。第1圖係 顯示本發明實施形態之CMP調和器π之概略圖。CMP調和 器11係由以軸線為中心之大致圓板狀的本體12、金屬 鍍覆層16及鑽石磨粒18所構成。本體12之材質雖為樹脂 即可，但就理想例而言’可列舉PPE、PPS等玻璃移轉溫度 211°C、吸水率0· 050%之聚苯系樹脂材料。金屬鍍覆層16 11 321966 201103699 係復由基底鍍覆層118、Ni打底鍍覆層120、底部錄覆層 110及埋入鍍覆層112所構成。亦可在埋入鍍覆層1丨2之 上復形成塗覆層（省略圖示）。 本體12之配置於研磨墊（省略圖示）側之面的外周之 角部12A係遍及全周被施以倒角而呈R形狀。金屬鍍覆層 1·6係設置在配置於本體12之研磨墊侧的面上，在金屬鍍 葭層16之外周端部中，形成有沿著前述本體12之外周的 角。卩12Α之R形狀而朝金屬鑛覆層16之厚度方向弯曲的彎 曲部114。角部12Α之剖面的曲率半徑雖並未被限定，但 較佳為0. 1至3. Omm ’更佳為〇. 5至1. 〇_。彎曲部114 之剖面亦以具有同等之曲率半徑為佳。 鑽石磨粒18之平均粒徑較佳為大致一致。鑽石磨粒 18之平均粒徑雖未被限定，但以例如14〇至25〇#^者等 為佳。鑽石磨粒18係排列在配置於金屬鍍覆層16之研磨 墊側的面上，且形成調和面14。磨粒之排列配置亦可依據 格子狀等預定規則而排列配置。 如第2圖所示’複數個鑽石磨粒18係排列配置在M ^底鍍覆層120上，且從該Ni打底鍍覆層上埋入形成有底 #艘覆層110及埋入鍍覆層n2，藉此單層地固定在調和 面14。在埋入鍍覆層112之與底部鍍覆層11〇對應的部 位形成有隆起達底部鍍覆層no之厚度份的段部U2A。 =此’鑽石磨粒18係從埋入鍍覆層112之段部112A表面 大出達預定量（較佳為平均磨粒徑之10至30%左右）。以 改善耐钱性等為目的，亦可在金屬錢覆層16上復形成有貴 12 321966 201103699 金屬鍛覆專塗覆層（省略圖示）。 CMP s周和器11係使調和面14平行地與CMP裝置之研 磨墊表面相對向並接觸，且在從前述研磨墊之旋轉軸線分 : 離之位置繞著前述軸線01旋轉，同時使本體12本身亦朝 - 塾表面之内外周擺動’或使用於前述研磨塾之調和。 接著，說明本發明之實施形態的CMP調和器之製造方 法。第3A圖至第3F圖及第4A至第4E圖係顯示CMP調和 器11之製造方法的一實施形態。在本方法令，金屬鍍覆層 16及本體12係分別製造成不同零件。 在以不鏽鋼等導電體形成之圓板狀的金屬鍍覆層成 長基板116上，藉由噴流鍍覆形成有8〇#m厚度之基底鍍 覆層118,在該基底鍵覆層ns之上，形成有&以m之厚度 的Ni打底鍍覆層丨2〇(參照第3A圖）^在本實施形態中， 任一鍍覆層皆作成為Ni鍍覆層。金屬鍍覆層成長基板116 之外徑及上端外周部116A的剖面形狀係形成與本體12之 形狀相同的形狀，因此彎曲部114亦與金屬鍍覆層16 一體 地形成。 接著’將以預定之圖案穿孔之密封遮罩122貼附在Ni 打底鍍覆層120上（參照第3B圖及第4A圖），並且在鍍覆 浴槽中使鑽石磨粒18沈降於密封遮罩ία的孔中而配置 (參照第4B圖）。在本實施形態中，使用例如粒徑# 1〇〇之 鑽石磨粒，此時密封遮罩122之厚度為例如8〇#m，孔徑 為 250 /z m。 然後’藉由底部鐘覆層11〇暫時固定鑽石磨粒(參 13 321966 201103699 μ弟儿圖、第扣圖）。在本實施形態中 進行之暫時固定係在以下2步驟進行:首先 =層 之第1步驟；及替換鍍覆槽再埋入 第1步驟與第2步驟之間，去=之第2步驟。在 A rbf除未沈降於密封遮罩122之 孔中的鑽石磨粒、及因在1個孔中沈降有2個以 粒而固定不完全的鑽石磨粒。 1 展口P鑛覆層110進行之智 時固定步驟係在步驟1進行，亦可在暫時固定後去除固ί 不完全的鑽石磨粒。 交古陈U疋 在鑽石磨粒18之暫時固定完成後，剝離密封遮罩 122(參照第4D圖），並藉由喷流鍵覆形成埋人鑛覆層112, 以埋入鑽石砥粒18進行正式固定（參照第汕圖、第佔 圖）。在本實施形態中，正式固定之步驟亦分為2步驟來進 行，埋入鍍覆層112之厚度最後為叫m。藉由分成2步 驟進行正式固定，即可正確地控制埋入鍍覆層U2之厚 度。正式固定之步驟亦可以1步騾來進行。以耐蝕性之改 善等為目的，亦可在埋入鍵覆層112上復形成有厚度16 /z m之塗覆層。 使用刀尖銳利之刀等，將形成在金屬鍍覆層成長基板 116上之包含鑽石磨粒18的金屬鍍覆層16從金屬鍍覆層 成長基板116予以剝離（參照第3E圖）。被剝離之金屬鍍覆 層16係在外周部形成有環狀之彎曲部114而增加機械性強 度，藉此金屬鑛覆層16不會因殘留應力等而變形，得確保 平坦度。 最後，將金屬鍍覆層16貼附在以其他步驟製作之樹 14 321966 201103699 脂製造的本體12(參照第3F圖）。本體12亦可藉由機械加 ' 工而形成’亦可藉由射出成型而形成。在本實施形態中， 將金屬鍍覆層16貼附於本體12之步驟係使用例如2液混 • 合型之接著劑而進行。亦可使用雙面膠帶來取代接著劑。 : 或者’亦可籍由挿入成型同時進行本體12之成型與金屬鍍 覆層16之貼附。 藉由設置彎曲部114’則在將金屬鍍覆層16安裝在本 體12時不需要進行對位。藉由將彎曲部114覆蓋至本體 12之側面的一部分’在調和中金屬鍍覆層16與本體12之 交界不會與漿體接觸，且漿體不會進入金屬鍍覆層16與本 體12之交界，因而防止金屬鍍覆層16從本體1.2之剝離。 藉由將本體12設成樹脂製而實現輕量化，並且比不 鏽鋼製之本體更容易製造，藉此有助於CMP調和器之成本 降低。在使用如聚碳酸酯之類耐熱性差之樹脂時，被研磨 之曰曰圓的平坦性雖不充分，但在使用玻璃移轉溫度211 C、吸水率〇, 050%之ppo、pps樹脂時可獲得良好之平坦 性。 藉由以金屬鍍覆層16固定鑽石磨粒18，即可將鑽石 磨粒均勻地固定在本體。此外，可依用途選擇耐熱性、耐 蝕性高之本體的材料。 藉由本案記载之方法，可容易地製作具備樹脂製之本 體且在調和面均勻地固定有鑽石磨粒之⑶p調和器。而且 可將調和面上之鑽石砥粒的排列配置作成為任意圖案。 在本實施形態中，樹脂製之本體12及包含鑽石磨粒 321966 15 201103699 18之金屬鍍覆層16雖係分別地製作，但亦可在配置於本 體12之研磨墊之側的面上直接地形成包含鑽石磨粒18之 金屬鍍覆層16 ° 在上述實施形態中，如第14圖所示，準備在金屬板 2102之朝向CMP墊側的表面2102A(第14圖中之上表面） 突出固定有鑽石磨粒（切刀2112)者，並藉由接著劑B2將 金屬板2102之朝基材2103側的面2102B(第14圖中之下 表面）、及樹脂製之基材2103之朝金屬板2102側的面 2103A(第14圖中之上表面）彼此接著。 然而’如前所述使用接著劑B2將金屬板21〇2與基材 2103予以接著時’可能有以下之課題。如第15圖所示， 將金屬板2102與基材2103予以接著時，由於介置於金屬 板2102與基材2103之間的接著劑B2之分量或塗覆不均、 及將金屬板2102與基材2103彼此推壓之力量的分配等， 會有對向之金屬板2102之面2102B與基材2103之面2103A 在彼此傾斜之狀態下接著之情形。此時，配置在金屬板 2102之表面2102A的鑽石磨粒2112係不均勻地與cmp塾 接觸’而無法精確度佳地對CMP塾進行磨光加工。 再者，在進行金屬板2102與基材2103之接著時，在 將金屬板2102與基材2103彼此推壓之力量過強或接著劑 B2之分量過多之狀況下，會有剩餘之接著劑以會從金屬 板21P2與基材2103之間溢出外部，而損及製品之外觀之 情形。 此外，在第15圖之例中，金屬板21〇2之面21〇2b與 321966 16 201103699 基材2103之面2103A雖皆作成為平面，但此時會有無法對 '於朝與該等面21·、21〇3Α正交之方向（剝離方向）施加的 外力確保接著強度之情形。 • 因此，亦謀求一種：可彼此精確度佳地對其間介置有 :接著劑之基材與金屬板進行定位’並且可穩定地予以接 者且接著強度咼之塾調和器。在以下之第2實施形 態中，解決該問題。 (第2實施形態） 如第5圖及第6圖所示，本發明之第2實施形態之CMp 塾調和If 21係具備.呈圓板狀且以轴線〇 &中心旋轉之基 材22’及在表面26A突出形成有鑽石磨粒（切刀）28之圓板 狀的金屬鍍覆板（金屬板）26°CMP墊調和器21係使用在CMP 裝置者，藉由鑽石磨粒28對於對向配置在金屬鍍覆板％ 之表面26A的CMP墊（省略圖示）施行磨光加工。CMp墊係 對半導體晶圓等施行研磨加工。 ^基材22與金屬鍍覆板％係藉由接著劑B2而彼此接 著。在本實施形態中，係採用2液混合型者作為接著劑B2。 基材22係由工程塑膠等樹脂材料所形成。在本實施 形態中，基材22係由PPE、PPS等玻璃移轉溫度211。〇、 吸水率0.050%之聚苯系樹脂材料所形成。 在基材22中之朝金屬鍍覆板26側（第5圖中之上側） 的面22A的外周緣部，形成有沿著基材22之周方向延伸之 環狀的凸曲面部22C。 在基材22之面22A形成有複數個圓柱狀或圓板狀之 321966 201103699 哭部23。突部23係朝向其形成之面22A所面向之金屬鍍 覆板26之朝基材22側（第5圖中之下側）的面26B突出， 且前端抵接在面26B。突部23之前端係形成為與其對向之 面26B對應的平面。 穴部23之直徑係設定在例如1至5咖之範圍内。該 等突部23係將距其形成之面22A的突出高度（即沿著轴線 〇2之高度）設定為彼此相同。突部23之高度係設定為例如 〇.1至1.0mm之範圍内。該等突部23係彼此隔開配置，在 鄰接之突部23彼此之間設置有可收容接著劑β2之間隙。 在第6圖之俯視中，突部23之合計面積佔面22Α之全面積 的面積率係設定為2〇至78%之範圍内。 如第7圖所示’金屬鍍覆板26係由基底鍍覆層218、 Ni打底鍍覆層220、底部鍍覆層210及埋入艘覆層212所 構成。亦可在埋入鍍覆層212之上復形成有塗覆層（省略圖 示）。 在第5圖中，在金屬鍍覆板26之面26B的外周緣部， 以與基材22之凸曲面部22C對向之方式形成有凹曲面部 26C。凹曲面部26C係在金屬艘覆板26之外周緣部中，形 成以沿著周方向之方式延伸的環狀。在本實施形態中，在 該等凸曲面部22C與凹曲面部26C之間形成有用以收容接 著劑B2之間隙。 凹曲面部26C係在金屬鍍覆板26之外周部中，形成 有以沿著前述金屬鍍覆板2 6之厚度方向（亦即軸線〇方向） 之方式覆蓋基材22之外周部的筒狀之覆蓋部25 ^覆蓋 321966 18 201103699 中之下端緣部）係無間隙地密著 • 25之開口緣部（亦即第5圖 一 在基材2之外周面。 在第7圖中，鑽石磨知丁 ih, 梁极28之平均粒徑係大致一致。 鑽石磨粒28係從金屬鍍覆拓古 復扳之朝CMP墊側的表面26A突 出，並且排列配置在前述表面26A，以形成調和_。該 等鑽石磨粒28之排列配置亦可依據格子狀等預线則而 排列配置。 如圖所*，複數（多數）個鑽石磨粒28係排列配置在 Ni打底鍍覆層220上，且從該Ni打底鍵覆層上埋入形成 有底部鍍覆層210及埋入錢覆層212，藉此將鑽石磨粒單 層固定在調和面24。藉此，鑽石磨粒28係從埋入鍵覆層 212之表面突出達預定之量。為了改善耐钱性等目的，亦 可在金屬錢覆板26形成有貴金屬等塗覆層。 以上述方式構成之CMP墊調和器21係使調和面以平 行地與CMP裝置之CMP墊表面對向並與之接觸，且在從前 述CMP墊之旋轉軸線分離之位置繞著前述軸線〇2旋轉，同 時使基材22本身亦朝CMP塾表面之内外周擺動，或使用於 前述CMP塾之調和。 接著，利用第8A圖至第8F圖及第9A至第9E圖說明 CMP塾調和器21之製造方法。⑽塾調和器21之金屬鐘覆 板26及基材22係分別製造成不同零件。 首先’說明金屬鍍覆板26之製造。 如第8A圖所示，在以不鑛鋼等形成之金屬錢覆板成 長基板216上，藉由喷流鍍覆形成有8〇#m厚度之基底鍍 321966 19 201103699 覆層218,在該基底鍍覆層218之上，形成有0.5am厚度 的Ni打底鍍覆層220。在本實施形態中，任一鍍覆層皆作 成為Ni鍍覆層。金屬鍍覆板成長基板216之形狀係設定為 與前述金屬鍍覆板26之面26B對應之形狀，因此藉由形成 金屬鍍覆板26，覆蓋部25及其凹曲面部22C亦與前述金 屬錢覆板26 —體地形成。亦可使用例如SUS滚軋鋼板，來 取代使用如上述方式製作之由基底鍍覆層218及Ni打底鍍 覆層220所構成之Ni鍍覆層。亦可藉由衝壓加工等對平板 狀之SUS滾軋鋼板施予拉伸（drawing)加工，而使用成型為 第8A圖所示之形狀者。 接著，如第8B圖及第9A圖所示，在將以預定之圖案 (格子狀等）穿孔之密封遮罩222貼附在Ni打底鍍覆層22〇 上（或前述SUS滾軋鋼板上）後，如第9β圖所示，在鍍覆浴 槽中使鑽石磨粒28沈降於密封遮罩222的孔内而配置。在 本實施形態中，使用平均粒徑#100之鑽石磨粒28，例如， 將密封遮罩222之厚度設為80/ζιη ’孔徑設定為25〇//m。 然後，如第9C圖所示，藉由底部鍍覆層11〇暫時固 疋鑽石磨粒28。在本實施形態中，以底部鍍覆層21〇進行 之暫時固定係在以下2步驟進行：首先將鑽石磨粒28埋入 15/zm之第1步驟；及替換鍍覆槽再埋入35"ra之第2步 驟。在第！步驟與第2步驟之間，分別去除未沈降於密封 遮罩222之孔内的鑽石磨粒、及因在1個孔内沈降有2個 以上鑽石磨粒而岐不完全的鑽石磨粒。以底部鍍覆層 則進行之暫時固定步驟係在步驟i進行，亦可在暫時固 321966 20 201103699 ‘ 定後去除固定不完全的鑽石磨粒。 — 如此，在暫時固定鑽石磨粒28後，如第9D圖所示， 剝離密封遮罩222。 ； 接著，如第8D圖及第9E圖所示，藉由喷流鍍覆形成 - 埋入鍍覆層212，以埋入鑽石砥粒28進行正式固定。在本 實施形態中，正式固定之步驟亦分為2步驟來進行，埋入 鍍覆層212之厚度最後為60 。藉由分成2步驟進行正 式固定，即可正確地控制埋入鍍覆層212之厚度。正式固 定之步驟亦可以1步驟來進行。以耐蝕性之改善等為目 的，亦可在埋入鍍覆層212上復形成有厚度16//m之塗覆 層。 接著，如第8E圖所示，使用刀尖銳利之刀等，將包 含鑽石磨粒28的金屬鍍覆板26從金屬鍍覆層成長基板 216予以剝離。被剝離之金屬鍍覆板26係藉形成有覆蓋部 25而增加機械性強度，藉此金屬鍍覆板26不會因殘留應 力等而變形，得確保平坦度。 另一方面，基材22係藉由射出成形而成形。藉由在 模具内填充溶融之工程塑膠等樹脂材料後使之固化並從模 具取出，而形成具有前述構成之基材22。基材22亦可藉 由射出成形以外之機械加工等形成。 最後，如第8F圖所示，在基材22上貼附金屬鍍覆板 26。在本實施形態中，將金屬鍍覆板26貼附於基材22之 步驟係使用2液混合型之接著劑B2而進行。 接著劑B2係在貼合該等基材22與金屬鍍覆板26之 21 321966 201103699 前，使用供料器機器人，在基材22之面22A或金屬鍍覆板 26之面26B的至少一方塗布大致均勻一定量。將接著劑B2 之塗布量設定為與面22A、26B彼此之間的突部23以外之 間隙部分相當的分量，在塗布在突部23之前端面時，確保 設計接著面積’並且可充分地獲得設計接著力，因而更為 理想。 在將金屬鍛覆板26貼合在基材22時，在金屬鐘覆板 26設置有覆蓋部25，因此前述覆蓋部25之開口緣部係以 沿著外周面的方式被導引，而不需要金屬鍍覆板26與基材 2 2之彼此對位。如以上之方式，製造CMP塾調和器21。 如以上說明，依據本實施形態之CMP墊調和器21，在 基材22之朝金屬鍍覆板26側的面22A，形成有朝對向之 金屬鍍覆板26的面26B突出之突部3，前述突部23之前 端係抵接於其對向之面26B。突部23之前端與面26B抵接 並藉由接著劑B2而接著，並且在基材22與金屬鍍覆板26 之間，介置於突部23以外之間隙的接著劑B2亦接著該等 基材22與金屬鍍覆板26，因此基材22與金屬鍍覆板26 係在彼此定位之狀態下穩固地接著。 ✓〇者基材22與金屬板26之轴線〇2方向之彼此的定 位係藉由突部23之前端與其對向之面26B的抵接而精確度 佳地進行。詳細而言，將接著劑B2塗布在對向之面22A、 26B彼此之間並相互推壓而接著時，接著劑B2係介置於突 部23之前端與其對向之面26B之間，而在該等相互推壓而 抵接時，剩餘之接著劑B2會流動於突部23以外之間隙部 22 321966 201103699 . 分。 - 藉由上述構成，不論接著劑B2之份量或塗料濃淡、 及相互推壓基材22與金屬鍍覆板26之力量的分配等為
:何’皆可精確度佳地進行突部23之前端與其對向之面26B :的抵接。因此’可高精確度地進行基材22之朝向金屬鍍覆 板26側的面22A、與金屬鍍覆板26之朝向基材22側的面 26B之彼此定位，以防止該等面22Α、26β以彼此非平行方 式傾斜配置’並且可彼此穩定地接著該等基材22與金屬錢 覆板26。 藉由以上述方式形成突部23，形成有接著劑Β2與前 述大部23之面22Α之間的接著面積會增大，因此基材22 與金屬鏡覆板26之接著強度更為提高。再者，藉由在突部 23之剛端以外的外面（第5圖所示之符號23C)塗布接著劑 ’刚述外面23C係發揮錨定之效果，因此特別是充分地 確保相對於軸線〇2方向中之使基材22與金屬鍍覆板26 分離之剝離方向的接著強度。 突部23之前端亦可形成在與該對向之面26B對應的 2面’因而可充分地提升彼此抵接之前述前端與面26]8之 密接度。因此，前述之接著強度會充分地提升。 由於突部23係形成複數個，故可在將該等突部23分 散在其形成之面22A的狀態下，分別抵接於前述突部23 之對向的面26B。因此，能以基材22穩定地支持金屬鍍覆 板26。該等之突部23係將從其形成之面22A突出之高度 °又定為彼此相同’因此能以基材22更穩定地支持金屬鍍覆 23 321966 201103699 板26，而且可充分地確保突部23與其對向之面26B的接 觸面積，接著強度亦會提升。 形成有筒狀之覆蓋部25，該覆蓋部25係從金屬鍍覆 板26的外周部以延伸於前述金屬鍍覆板26之厚度方向（亦 即軸線02方向）的方式覆蓋基材22之外周部中之金屬鍍覆 板26側的部分。藉此，可提升金屬鍍覆板26本身之剛性， 並且確保配置有鑽石磨粒28之表面26A的平坦度。 由於覆蓋部25之形狀，而將前述覆蓋部之開口緣部 配置成與CMP墊分離，因而防止研磨加工用之漿料從基材 22與金屬鍍覆板26之間侵入，前述接著強度會長期地穩 定。 藉由設置覆蓋部5，在接著基材22與金屬鍍覆板26 時，可將在該等基材22與金屬鍍覆板26之間從直徑方向 之中央朝外側流動之剩餘的接著劑B2到達外部為止的距 離設為較長。因此，防止接著劑B2從基材22與金屬鍍覆 板26之間漏出至外部。 突部23係將其形成之面22A的面積率設定在20至78 %之範圍内，因而充分地確保與前述突部23之對向之面 26B的接著面積，並且確保接著強度。 在對CMP塾進行磨光加工時，對於從前述CMP墊施加 在金屬鏟覆板26的外力，突部23會穩定地支持前述金屬 鐘覆板26。因此，對於CMP塾之磨光性能穩定。 在基材22與金屬鍍覆板26之間的突部23以外之部 分充分地確保有供剩餘之接著劑B2逸退（收容）的間隙，以 24 321966 201103699 使基材22與金屬艘覆板26之位置精確度更高。 當犬部23之前述面積率設定為未達2〇%時，則無法 確保基材22與金屬鍍覆板26之接著面積，且接著強度會 . 減低。此時，會有金屬鍍覆板26從基材22剝離之虞。在 對CMP墊進行磨光加工之際，對於從前述CMp墊施加在金 屬鏡覆板26的外力，突部23將無法穩定地支持金屬錢覆 板％，别述金屬鏟覆板26之表面26A變得容易變形，而 且鑽石磨粒28之與CMP墊的接觸變得不均勻，磨光性能亦 變得不穩定。 在將大部23之前述面積率設定為超過78%時，即使 介置在突部23之前端與其對向之面26B之間的接著劑於 中之剩餘接著劑在接著基材22與金屬鏟覆板26時被推壓 在基材與金屬板之間，亦難以朝前述間隙流動^此情形時， 基材22與金屬鍵覆板26係在彼此傾斜之狀態下接著，鑽 =磨粒2 8之與cMP㈣接觸變得不均…而且磨光性能變 得不穩定。 往不鐘麵制+ 1 4·^ & ‘《 .
之PP〇、PPS樹脂時耐熱性佳之工 /藉由將基材22作成樹脂製而實現輕量化’並且比以 L溫度211。〇吸水率〇 〇5〇% 工程塑膠，半導體晶圓即可 321966 25 201103699 獲得良好之平坦性。 藉由利用前述金屬鍍覆板26之構成固定鑽石磨粒 28,即能以所希望之配置、突出量將鑽石磨粒28固定在基 材2 2。此外，由於金屬鑛覆板2 6及基材2 2係被製造為不 同構件，因此可依用途選擇耐熱性、耐蝕性高之基材22 的材料。 依據前述製造方法，可比較容易地製作具備樹脂製之 基材22，且在調和面24均勻地固定有鑽石磨粒28之CMP 墊調和器21。 (第3實施形態） 接著，利用第10圖及第11圖說明本發明第3實施形 態。 對於與前述實施形態相同之構件標記同一符號，並省 略其說明。 第3實施形態之CMP墊調和器221與前述實施形態之 CMP墊調和器21不同之點在於：突部23係設定為隨著從 其形成之面22A的中央朝外側，使其前端之面積逐漸增大。 在第10圖中，在基材22之面212A立設有複數個圓 柱狀或圓板狀之突部23，並且該等突部23係形成為彼此 同一形狀。再者，在本實施形態中之CMP墊調和器211中， 該等突部23係配置成從面22A之直徑方向中央朝外側逐漸 變密。 使鄰接之突部23彼此的間隔從面22A之中央朝外側 逐漸變窄，而配置該等突部23。藉此，突部23之前端的 26 321966 201103699 平面之面積整體而言係隨著從前述中央朝外側逐漸增大。 . 如以上說明，依據本實施形態之CMP墊調和器211， 將突部23之前端面積設定為隨著從其形成之面22A的中央 ； 朝外側逐漸增大，因此突部23所支持之金屬鍍覆板26係 . 設成隨著從中央朝外側逐漸被抑制其變形，以提升強度。 在對CMP墊進行磨光加工之際，在旋轉之CMP墊調和 器21的金屬鍍覆板26中，比其中央更外側之部分係多處 與CMP塾接觸，而且被施加比較大之外力，藉由前述之構 成，金屬鍍覆板26之比中央更外側的部分係相對於前述外 力具有高的剛性。因此，防止金屬鍍覆板26變形，使相對 於CMP墊之磨光性能穩定。 第11圖係顯示第3實施形態之CMP墊調和器211之 變形例。 如第11圖所示，CMP墊調和器211係在基材22之面 22A形成有複數個圓柱狀或圓板狀之突部23，該等突部23 係為配置在面22A之直徑方向之内側者及配置在外側者， 形狀彼此不同。 更詳細言之，該等突部23中之配置於面22A之直徑 方向外侧的突部23之直徑係設定成比配置在直徑方向内 側之突部23的直徑更大。藉此，各個突部23之前端面的 面積係隨著從面22A之中央朝外側逐漸增大。 (第4實施形態） 接著，利用第12圖說明本發明第4實施形態。 對於與前述實施形態相同之構件標記同一符號，並省 27 321966 201103699 略其說明。 第4實施形態之CMP墊調和器231係在其基材以之 面22A的外周緣部，形成有沿著周方向延伸且呈環狀之凸 曲面部232C。 凸曲面部232C之高度係以對應於立設在面2以之突 部23的突出高度之方式設為與前述突部23之前端齊平， 並且其形狀係對應於對向之金屬鍍覆板26之面2诎的凹曲 面部26C而形成。藉此，基材22之凸曲面部232C及金屬 鍍覆板26之凹曲面部26C係以彼此密接之方式抵接。 在金屬鍵覆板26之外周部形成有筒狀之覆蓋部235， 該覆蓋部235係以沿著前述厚度方向（第12圖之上下方向） 朝基材22側延伸，並且覆蓋前述基材22之外周部。覆蓋 部235係從基材22之外周面中之沿著前述厚度方向的金屬 鍍覆板26側（第12圖中之上側）之端部覆蓋中央部。覆蓋 部235之開口緣部係配置在基材22之外周面中之金屬鍛覆 板26的相反側（第12圖中之下側）之端部。覆蓋部235之 内周面係密接在基材22之外周面。 在覆蓋部235中之前述金屬鍵覆板26側的基端部 分，配置有前述凹曲面部26C。從覆蓋部235之凹曲面部 26C中之前述金屬鑛覆板26側的相反侧之端部（下端部）至 前述開口緣部之沿著前述厚度方向的距離Η係設定在例如 0. 1至6. Omm之範圍内。 在基材22之外周面的下端部’形成有環狀之折曲部 (突條部）22D，該折曲部22D係朝直徑方向外側突出，並且 321966 28 201103699 •沿著周方向延伸。在折曲部22D之上表面，抵接有覆蓋部 - 235之開口緣部。在折曲部22D中，朝向直徑方向外側的 面係設定為與朝向覆蓋部235之直徑方向外側的面齊平。 ； 如以上說明，依據本實施形態之CMP墊調和器231， - 在接著基材22與金屬鍍覆板26之際，由於凸曲面部232C 與凹曲面部26C係以彼此密接之方式抵接，因此將介置於 基材22與金屬鍍覆板26之間的接著劑B2予以密封。以防 止接著劑B2從對向之凸曲面部232C與凹曲面部26C之間 往外部流動。 由於在基材22形成有與金屬鍍覆板26之覆蓋部235 之開口緣部抵接之環狀的折曲部22D，因此在接著基材22 與金屬鍍覆板26時，即使如前所述從中央朝外側流動之剩 餘的接著劑B2到達前述開口緣部時，亦藉由折曲部22D 限制該接著劑B2朝更外部流動。因此，可防止接著劑B2 漏出至外部。 (第5實施形態） 接著，利用第13圖說明本發明第5實施形態。 對於與前述實施形態相同之構件標記同一符號，並省 略其說明。 第5實施形態之CMP墊調和器241係在金屬鍍覆板26 之朝基材22側的表面26B具有複數個朝向對向之面22A 突出且前端抵接於面22A的突部213。 金屬鍍覆板26之突部213係分別配置在基材22中鄰 接之突部23彼此之間（前述間隙）。該等突部213係形成為 29 321966 201103699 圓柱狀或圓板狀，其前端係形成為與面22A對應的平面。 突部213之距該面26B之突出高度係設定為彼此相同。 在基材22之面22A的外周緣部，亦可形成從面22A 凹陷之積存部22E。積存部22E係沿著前述外周緣部之周 方向而形成為環狀，而且與金屬鍍覆板26之凹曲面部26C 相對向配置。 如以上說明，依據本實施形態之CMP墊調和器241， 在金屬鑛覆板26之朝基材22側的面26B，形成有朝其對 向之面22A突出的突部213，前述突部213之前端抵接於 面22A。基材22與金屬鑛覆板26係除了前述接著以外， 突部213之前端與其對向之面22A相抵接並藉由接著劑B2 而接著，接著強度更為提升。 此情形時，藉由將接著劑B2塗布在突部213中之前 述前端以外的外表面（第13圖所示之符號213C)，前述外 面213C係發揮錨效果，因此相對於前述剝離方向之接著強 度會更為增大。 由於在基材22之面22A的外周緣部形成有從面22A 凹陷之積存部22E，因此在接著基材22與金屬鍍覆板26 時無法完全進入前述間隙之多餘的接著劑B2會流動於積 存部22E内且被收容，以防止該接著劑B2從該等基材22 與金屬鍍覆板26之間漏出至外部。 本發明並未限定於前述實施形態，在不脫離本發明主 旨之範圍内，可進行各種變更。
例如，在第2至第5實施形態中，在基材22之面22A 30 321966 201103699 ‘形成有突部23,在第4實施形態中’除了基材22之突部 - 23以外，在金屬鍍覆板26之面26B形成有突部213，但本 發明並非限定於該等實施形態。 ； 突部23、213係在基材22之面22A及金屬鍍覆板26 . 之面26B中之至少一方’形成為朝對向之面26B、22A突出 且其前端抵接於面26B、22A即可。因此，例如在金屬銀覆 板26之面26B形成有突部213 ’在基材22未形成有突部 23亦無妨。 突部23、213之形狀並非限定於前述實施形態所說明 之圓柱狀或圓板狀者。就突部23、213之形狀而言，可使 用圓柱狀或圓板狀以外之多角柱狀或多角板狀、條紋狀、 格子狀、環板狀、圓弧板狀、放射上等各種形狀。然而， 較佳為多餘之接著劑B2可自由地流動在突部23、213彼此 之間的形狀。 在前述實施形態中，雖形成有複數個突部23、213， 但並未限定於此，突部23、213亦可只形成1個。然而， 此情形時較佳為突部23、213之形狀形成可穩定支持金屬 鍍覆板26者。 在金屬鍍覆板26之製造中，金屬鍍覆板成長基板216 之形狀係設定為對應金屬鍍覆板26之面26B的形狀，藉由 形成金屬鍍覆板26，覆蓋部25及其凹曲面部26C亦會一 體也形成在w述金屬鍍覆板，但本發明並非限定於此。 例如#可首先在製作平板狀之金屬鍍覆板26後， 對該金屬鍍覆板26之外周緣部施予衝壓加卫或拉伸加 321966 31 201103699 工，形成圓板狀之金屬鍍覆板26的外形，並且形成覆蓋部 25、235或其凹曲面部26C。金屬鍍覆板26雖藉由Ni鍍覆 層所形成，但亦可使用Ni鍍覆以外之其他金屬材料，以形 成金屬板26。詳細言之，例如使用平板狀之SUS滾軋鋼板 作為金屬板26,並藉由衝壓等對前述SUS滾軋鋼板進行拉 伸加工，以成型為具有前述覆蓋部25、235之形狀。 亦可將藉由CVD(化學氣相蒸鍍）法被覆鑽石膜所構成 之其他切刀形成為以雷射加工等形成之切刀形狀來使用， 以取代在金屬鍍覆板26之表面26A固定鑽石磨粒28而構 成之切刀。 亦可在基材22之面22A的外周緣部形成凸傾斜部， 以取代形成凸曲面部22C、232 c，該凸傾斜部係隨著從前 述面2 2 A之直徑方向内側朝外側逐漸往沿著軸線0 2方向之 金屬鍵覆板2 6側的相反側傾斜。 此時，亦可在金屬鍍覆板26之面26B的外周緣部形 成凹傾斜部，以取代凹曲面部26C，該凹傾斜部係隨著從 前述面26B之直徑方向内側朝外側逐漸往沿著軸線02之基 材22側傾斜。該等凸傾斜部與凹傾斜部亦可構成為彼此緊 密地抵接。 此外，亦可將前述實施形態及變形例適當地組合構 成。在不脫離本發明之主旨的範圍内，亦可適當地將前述 實施形態之構成要素更換為習知之構成要素。 以上係說明本發明之較佳實施例，但本發明並不限定 在上述實施例。在不脫離本發明之主旨的範圍内，可進行 32 321966 201103699 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示從本發明實施形 觀看之剖面圖。 .構成之附加、省略、更換及其他變更。本發明並不限定在 '上述之說明’而僅由添附的申請專利範圍所限定。 態之CMP調和器之側面 大圖 係本發明貫施形態之CMP調和器之磨粒層的放 第3A圖至第3F圖係顯示用以製造本發明一實施形態 的實，形態之CMP調和器之各步驟的剖面圖。 第4A圖至第4E圖係顯示用以製造本發明-實施形態 的實施形紅GMP調和||之各步㈣斜磨粒固定部之放 大剖面圖。 第5圖係顯示本發明第2實施形態之CMP墊調和器之 側剖面圖。 第6圖係第5圖之A-A剖面的圖。 第7圖係將本發明第2實施形態之CMP墊調和器之切 刀予以放大顯示的侧剖面圖。 第8A圖至第8F圖係說明本發明第2實施形態之cmp 墊調和器之製造順序的圖。 第9A圖至第9E圖係說明在本發明第2貫施形態之cmp 墊調和器之製造中之切刀的製造順序之局部放大圖。 第10圖係顯示本發明第3實施形態之CMP墊調和器 之侧剖面圖。 第11圖係顯示本發明第3實施形態之CMP墊調和器 33 321966 201103699 之變形例的侧剖面圖。 第12圖係顯示本發明第4實施形態之CMP墊調和器 的側剖面圖。 第13圖係顯示本發明第4實施形態之CMP墊調和器 的側剖面圖。 第14圖係說明在CMP墊調和器中之基材與金屬板之 接著的圖。 第15圖係說明在CMP墊調和器中之基材與金屬板之 接著的圖1 3 【主要元件符號說明】 11 CMP調和器 12 本體 12A 角部 14 調和面 16 金屬鍍覆層 18 、 2112 鑽石磨粒 110 、 210 底部鍍覆層 112 、 212 埋入鍍覆層 112A 段部磨石 114 彎曲部 116 、 216 金屬鍍覆層成長基板 116A 上端外周部 118 、 218 基底鍍覆層 120 、 220 Ni打底鍍覆層 122 、 222 密封遮罩 21 ' 211 ' 221 ' 231 > 241 CMP墊調和器 22 、 2103 基材 2102 金屬板 2102A 基材2103之朝金屬板2102側的面 2102B 金屬板2102之朝基材103側的面 22A 基材之朝金屬鑛覆板侧的面 22C、232C 凸曲面部 22D 折曲部 34 321966 201103699 • 22E 積存部 23、213 突部 • 23C 突部之外面 25、235 覆蓋部 26 金屬鍍覆板（金屬板） ：26A 金屬鍍覆板之朝CMP墊侧的表面 . 26B 金屬鍵覆板之朝基材側的面 26C 凹曲面部 28 鑽石磨粒（切刀） B2、Bs 接著劑 \ 35 321966