TW201038142A - Plasma Processing System - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 143
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 26
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000000491 multivariate analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
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Description
201038142 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電漿處理裝置,特別是關於以取得的參 數値爲基礎來診斷裝置狀態之電漿處理裝置。 【先前技術】 爲了於半導體晶圓等的表面形成微細電路或電子裝置 Ο ,一般使用電漿蝕刻等之電漿處理。於半導體裝置之製造 工程中,被要求高製造良率,在發生致命的處理異常前, 檢測其徵兆的技術爲所期望。另外,爲了製造產出的提升 ’於電漿處理裝置之異常發生時,期望能在短期間恢復。 作爲發生致命的處理異常前能檢測其徵兆的技術,於 專利文獻1 (日本專利特開20〇4_131777號公報)公開有 :檢測電漿的異常放電,以異常放電的次數爲基礎來進行 被處理物之管理的方法。另外,於專利文獻2(日本專利 Ο 特開2004-200323號公報)公開有:在處理異常連續發生 時,當成電漿處理裝置爲處於致命的異常狀態,將處理予 以中斷之方法。另外’於專利文獻3 (日本專利特開 2006-324316號公報)公開有··收集電發處理裝置之裝置 參數’於參數和正常狀態不同的情形時,診斷爲異常之技 術。 【發明內容】 但是’一般在電漿處理中,如專利文獻1般,對異常 -5- 201038142 和正常之間設定明確的臨界値進行判斷之方法,並無法順 利地發揮功能。原因何在?此係處理狀況經常存在變動, 將正常之處理判斷爲異常、將異常之處理判斷爲正常之錯 誤判定,並無法避免。 特別是在載置被處理物之工作台中,於被處理物和工 作台之間夾有極細微的異物之情形時,處理雖正常地結束 ’但處理裝置之參數卻爲異常之狀況經常會有。在此種情 形時’儘管正常地結束,但卻被判定爲異常而使處理停止 ,導致裝置的稼動率降低。 於專利文獻2中,考慮此點,只在處理異常連續的情 形時,才停止處理。但是有變動之情事,異常處理一旦正 常化’也有之後再度成爲異常之情形,只將連續之異常檢 測爲異常,會導致漏掉處理裝置之失常。 另外’如專利文獻3所示般,一般爲藉由收集處理參 數’來判斷處理爲異常或正常之方法。但是,只是收集參 數’大多無法掌握異常的原因。原因何在呢? 一般在發生 處理異常之情形,複數的處理參數顯示異常値。在此種狀 況下’要查明異常的原因,多數需要依賴熟練技術人員的 經驗與直覺,難於進行迅速的處置。 本發明係有鑑於此等問題點所完成者,爲提供:可以 高精度地檢測裝置的異常發生,另外,能容易地探索異常 的原因之電漿處理技術。 本發明爲了解決前述課題,採用如下之手段。 具備:具有對所被供給之處理氣體施加高頻電力,來 -6- 201038142 產生電漿之電漿產生手段、及載置被處理基板之試料台的 處理室;及 依循事先所被設定的處理條件,來產生電漿,逐次地 對被載置於前述試料台上的被處理基板施以電漿處理,且 逐次收集表示電漿處理的狀態之參數値的控制用計算機, 前述控制用計算機,係具備:於每一特定期間將收集 的裝置參數値偏離事先設定的基準値之次數予以記錄之記 0 錄部、及以前述次數爲基礎,來計算裝置參數値偏離基準 値的機率之機率計算部、及比較前述發生機率與事先設定 的設定値,來診斷裝置狀態的比較部。 本發明係具備以上的構造,可以高精度地檢測裝置的 異常發生,另外,可以容易地探索異常的原因。 【實施方式】 [實施型態1 ] 〇 以下,一面參照所附圖面一面說明第1實施型態。第 1圖係說明關於本發明之第1實施型態的電漿處理裝置之 構造圖。於用以處理被處理物之電漿處理室100內,具備 有:供給處理氣體之氣體供給手段101、調整處理氣體的 排氣,來控制電漿處理室100內的壓力之閥門103、氣體 排氣手段102、及測定電漿處理室101內的壓力之壓力計 104° 另外,電漿處理室100內具備有:用以產生電漿之電 漿產生手段106,電漿產生手段106,係具備有:對該手 201038142 段供給電力之高頻電源109,以及調整電力供給路徑的阻 抗之調諧器108。 另外,於電漿處理室100內設置有:載置被處理物 107並予以支撐之工作台105,工作台105具備有:對前 述工作台施加電壓之高頻電源111及調整阻抗之調諧器 1 1 0。另外,利用電子迴旋器共鳴來產生電漿之情形時, 於處理室100的周圍配置作爲電磁鐵之線圈。 本實施型態之電漿處理裝置,進而具備控制用計算機 1 1 2,控制用計算機1 1 2係具備:取得壓力計1 04之壓力 指示値、閥門103的開度、高頻電源109、111的輸出電 力値、調諧器1 0 8、1 1 0檢測之阻抗値、反射電力値等之 處理參數的處理參數取得手段1 1 3。 第2圖係表不控制用計算機112之詳細圖。如前述般 ’計算機112係具備:接收處理參數之處理參數取得手段 113,將接收的處理參數發送至將處理參數間的因果關係 予以圖式化之圖式化手段202及第1比較部203。 圖式化手段202係將接收的處理參數間之因果關係予 以圖式化,顯示於顯示部2 0 9。作爲圖式化手法,可以使 用:SGS演算法、WL演算法、PC演算法、登普斯特( Dempster)之共變數選擇,圖形化模式、多變量分析等之 已知的方法。 第1比較部203係判定處理參數値是否脫離事先決定 的輸出範圍(第1基準値)。在脫離第1基準値的情形時 ’判斷處理參數爲異常,在沒有脫離之情形時,判斷爲正 -8 - 201038142 常。 第1比較部203所下之此種判斷,於記錄部204中被 當成履歷進行記錄。機率計算部205係計算以被記錄於記 錄部204之履歷爲基礎,在事先決定的期間內,被判斷爲 異常之機率。 機率計算部205所計算出的機率値,被送至第2比較 部206,比較是否在事先決定的第2基準値以上。在第2 〇 基準値以上的情形時,藉由警報手段207,發出電漿處理 裝置爲異常狀態之警報。另外,藉由控制用計算機11 2所 計算之結果,則被顯示於外部的顯示部209。 接著,說明於前述第1比較部中,被與處理參數値比 較之事先決定的輸出範圍(第1基準値)。前述輸出範圍 係表示裝置正常地動作之範圍。因此,期望由至目前爲止 的處理資料之記錄來統計性地決定。但是,對於異常的處 理條件,個別地決定時,欠缺泛用性。 〇 第3圖係說明具備有產生標準的處理參數値(模式値 )之模式式製作部201之控制用計算機圖。第3圖中’控 制用計算機1 1 2係具備:將各處理參數的相關關係轉換爲 模式式之模式式製作部20 1 ’產生對於任意的處理參數之 標準的處理參數値。例如,將某處理參數値與其他的處理 參數値的關係以線性一次多變數函數予以近似地描述時’ 對於任意的處理參數,可以算出正常裝置本來所持有之處 理參數値(模式値)。 如此,可以藉由控制用計算機112來算出正常的處理 -9 - 201038142 參數的範圍,使用此値可以彈性地決定第1比較部203所 使用的基準値,能更提高裝置的泛用性。 例如’將前述處理參數的模式値和實際的參數値的偏 差予以統計性地調查時,可以決定正常的裝置本來持有之 處理參數値的範圍。以此値爲基礎來決定前述基準範圍時 ,來處理正常裝置的任意狀態,變得非常地便利。另外, 此處雖描述以線性1次多變數函數來近似地描述某處理參 數値與其他的處理參數的關係之方法,當然也可以假定非 線性函數等的其他方法來描述模式式。 於第3圖中,處理參數取得手段1 1 3所取得的處理參 數被發送至模式式製作部201、圖式化手段202及第1比 較部203 。 模式式製作部201以接收的處理參數爲基礎,製作描 述對於任意的處理參數之處理參數群的回應之模式式。接 著,模式式製作部2 0 1將藉由所製作的模式式之響應値( 計算値)發送至第1比較部2〇3。第1比較部203將接收 的處理參數(實測値)和藉由模式式之響應値(計算値) 予以比較,計算兩者之差或差的絕對値或差的平方等,來 算出藉由模式式之響應與處理參數値的分離程度。之後, 以前述分離程度爲基礎,判斷處理參數値是否從藉由模式 式之響應値脫離。在沒有脫離之情形時,判斷處理裝置爲 正常,在脫離之情形時,判斷處理裝置爲異常。 第1比較部203的前述判斷被發送至記錄部204,記 錄部2 04將接收的判斷予以記錄。此後之動作,係與第2 -10- 201038142 圖所示例子的情形相同。 第4圖係表示第丨比較部2 〇 3所算出的處理參數的計 算値與實測値(實驗値)的差之曲線。對於橫軸所示之處 理步驟的延伸數’縱軸所示之處理參數的計算値和實測値 的差’幾乎如白雜訊(white noise)般的動作。 因此’決定某臨界値(例如針對從藉由模式式之響應 値的偏差’計算分散σ m()del,將臨界値設爲3 σ m()del ), Ο ___ 參數的計算値和實測値之差的絕對値超過臨界 値的情形時,診斷爲裝置狀態屬於異常之規則時,變成電 漿處理裝置處於異常狀態之警報會被頻繁地發出。此種狀 態,成爲將正常狀態誤判爲異常狀態,不單使得裝置的稼 動率降低’也損及警報的可靠性。另外,如將臨界値設定 得太大’即使是電漿處理裝置真的成爲異會狀態之情形時 ,也會無法檢測出異常。 第5圖係將在特定期間(例如過去2 0步驟之間), 〇 出現異常判定之機率設定在縱軸之曲線,此種曲線可以藉 由機率計算部205來獲得。如前述般,處理參數的計算値 與實測値的差,幾乎爲如白雜訊般,電槳處理裝置在爲正 常狀態的情形下,出現異常之判定的機率低。但是,電漿 處理裝置一真正成爲異常狀態時,出現異常判定的機率增 大。因此,可以提高警報的可靠性。第5圖中,雖將出現 異常的判定之機率超過60%時,定義爲裝置真正地處於異 常狀態,但藉由此設定’能以高機率地檢測裝置真正的異 常狀態。 -11 - 201038142 第6圖係表示將處理參數的因果關係予以輸出之圖式 化手段2〇2的輸出圖。第6圖所示之各參數的名稱與其意 義,係如第13圖所示般。另外,第6圖中之[X]— [Y]的 表示,係表示Y爲X的原因。 第7圖係表示閥門103之開度[F]發生異常的情形中 之圖式化手段的輸出圖。圖中,將藉由模式式之計算値與 實測値之差超過臨界値的處理參數(F、Ο、P、I)予以剖 面線處理來表示。在參數[F]之外,有因果關係之其他的 參數(0、P、I )的實測値,也從藉由模式式之計算値偏 離而顯示異常之値。但是,藉由尋求因果關係,可以容易 地推測參數[F](閥門1 3的開度)爲故障的原因。 如此’藉由將處理參數的因果關係予以圖式化,推測 電漿處理裝置的故障原因變得容易,能夠縮短維修時間。 另外’如第7圖般,於表示因果關係之圖中,藉由將處理 參數由基準範圍偏離者以和正常的參數不同的顏色或模樣 來表示,能夠視覺性地容易掌握故障原因。 作爲異常檢測的例子,說明工作台i 05之更換時期的 推算方法。於電漿處理裝置中,被處理物107係被藉由電 漿被加熱。因此,爲了冷卻被處理物107的目的,於工作 台105內設置有冷卻手段。此時,於被處理物107和工作 台1〇5之間,爲了提高熱傳導率的目的,塡充有氦等之熱 傳導性高的傳熱性氣體。在工作台105與被處理物107密 接的情形時,前述傳熱性氣體幾乎不洩漏,因此,供給量 可以少。可是’在工作台1 05的表面逐漸磨耗,傳熱性氣 -12- 201038142 體從間隙洩漏,必要的氣體供給量增加。因此,藉由監視 前述氣體的供給量,可以掌握工作台105的消耗狀況。 然而,於極小的異物夾在工作台105與被處理物107 的間隙之情形時,會有傳熱性氣體洩漏的情形。即工作台 1 0 5的消耗即使沒有相當程度地進行,而必要的供給量增 加。 第8圖係表示供給至工作台之傳熱性氣體的供給量的 〇 時間變化圖。如圖所示般,得知隨著工作台的時間變化進 行,工作台1 0 5的更換時期接近,傳熱性氣體供給量的實 際値增加。另外,得知直到該時期爲止,有時候突發性地 供給量增加。在該種狀況下,單單設定對於供給量之臨界 値,想要檢測工作台1 0 5的更換時期,由圖得知並無法順 利爲之。 相對於此,如計算超過事先設定的基準値之機率時, 計算結果如第8圖所示之曲線般。在此例子之情形時,於 G 機率超過60%時,以促使進行工作台105的更換之方式, 藉由警報手段207來發出警報,可以容易地通報更換時期 〇 如以上說明般,如依據本發明之第1實施型態,係計 算收集到的裝置參數値脫離事先設定的基準範圍之現象的 發生機率,將計算的發生機率和事先設定的基準値比較, 來診斷裝置狀態,針對裝置異常,可以發出可靠性高的警 報。另外,且使用做成的因果關係圖,可以快速地進行原 因之探究。 -13- 201038142 [實施型態2] 第9圖係說明關於本實施型態之控制用計算機圖。如 第9圖所示般,控制用計算機112係具備接收處理參數之 處理參數取得手段113,將取得的處理參數發送至將處理 參數間的因果關係予以圖式化之圖式化手段202及記錄部 204。此時,圖式化手段202係將接收的處理參數的因果 關係予以圖式化。 記錄部204係將接收的處理參數値當成履歷予以記錄 。記錄部204所保持的履歷係藉由統計處理部805而被讀 入,計算出特定期間中之處理參數的最頻繁値。所計算的 最頻繁値係於第2比較部206中,被與事先決定的基準値 (第2基準値)比較,如超過基準値,則被判斷爲電漿處 理裝置的狀態爲異常,藉由警報手段207對運轉人員發出 警報。另外,此等藉由計算機112的分析結果,係被顯示 於顯示部209。 第1 〇圖係與實施型態1相同,表示設置有模式式製 作部201及第1比較部203之例子圖。第1 0圖中,處理 參數取得手段U 3係將取得的處理參數發送至模式式製作 部201、圖式化手段202及第1比較部203。 模式式製作部201係從接收的處理參數製作描述對於 任意的處理參數之處理參數群的響應之模式式。接著,模 式式製作部201將藉由製作的模式式之響應値(計算値) 發送至第1比較部203。第1比較部203比較接收的處理 -14- 201038142 參數(實測値)和藉由模式式之響應値(計算値),計算 兩者之差或差的絕對値或差的平方等,來算出藉由模式式 之響應與處理參數値的分離程度。之後,以前述分離程度 爲基礎,判斷處理參數値是否從藉由模式式之響應値脫離 。在沒有脫離之情形時,判斷處理裝置爲正常,在脫離之 情形時,判斷處理裝置爲異常。 第1比較部2〇3的前述判斷被發送至記錄部204,記 0 錄部204將接收的判斷予以記錄。被保持在記錄部204的 記錄係藉由統計處理部805而被讀入,計算出對於特定期 間中之第1比較部203的輸出的最頻繁値。此後之動作, 係與第9圖的例子的情形相同。 第11圖係表示第1比較部2 03所算出的處理參數的 計算値與實測値的差之最頻繁値的時間變化圖。橫軸爲處 理步驟的延伸數,縱軸爲最頻繁値。和第4圖比較時,變 成容易掌握雜訊變少之舉動。此是最頻繁値之統計量,如 〇 和平均等之統計量相比,爲雜訊耐受性高之穩定的指標的 關係所致。 第1 2圖係表示供給至工作台之傳熱性氣體的供給量 (實測値)的時間變化及最頻繁値的時間變化圖。如第1 2 圖所示般’藉由使用最頻繁値,實測値和計算値的偏差的 突發性之增加可被忽視,知道能夠正確地追隨偏差變化的 趨勢。 另外’做爲前述最頻繁値之代替,即使使用最小値也 可以獲得同樣的效果。另外,對於事先決定的範圍,處理 -15- 201038142 參數値逐漸減少之趨勢的情形中,代替最頻繁値而使用最 大値也可以獲得同樣的效果。另外,在雜訊充分小之情形 時,也可以使用移動平均等之統計量,在想要處理雜訊本 身之情形時,也可以使用分散或標準偏差等之統計量。 如以上說明般,如依據第2實施型態,藉由使用最頻 繁値、最大値、最小値等之統計指標,可以發出可靠性高 的警報,能適切地檢測裝置的異常發生時期。 【圖式簡單說明】 第1圖係說明關於第1實施型態之電漿處理裝置的構 成圖。 第2圖係說明控制用計算機的詳細圖。 第3圖係說明具備有模式式製作部之控制用計算機圖 〇 第4圖係表示處理參數的計算値和實測値(實驗値) 之差的圖。 第5圖係表示在特定期間出現異常的判定之機率圖。 第6圖係表示圖式化手段的輸出例圖。 第7圖係表示診斷裝置的異常原因並予以視覺化之例 子圖。 第8圖係表示供給至工作台之導熱性氣體的供給量的 時間變化圖。 第9圖係說明關於第2實施型態之控制用計算機圖。 第1 0圖係說明具備有關於第2實施型態之模式式製 -16- 201038142 制用計算機圖。 1圖係表示處理參數的計算値和實測値之差的最 時間變化圖。 2圖係表示導熱性氣體的供給量(實測値)的時 最頻繁値的時間變化圖。 3圖係說明第6圖所示之各參數的名稱與其意義 作部的控 第1 頻繁値的 第1 間變化及 第1 之圖。 ❹ 【主要元 100 : 101 : 102 : 103 : 104 : 105 : 〇 106: 107 : 108 : 109 : 110: 111: 112: 113: 201 : 件符號說明】 電漿處理室 氣體供給手段 氣體排氣手段 閥門 壓力計 工作台 電漿產生手段 被處理物 調諧器 高頻電源 調諧器 筒頻電源 控制用計算機 參數取得手段 模式式製作部 -17- 201038142 2 Ο 2 :圖式化手段 2 0 3 :第1比較部 2 04 :記錄部 2 0 5 :機率計算部 206:第2比較部 209 :外部顯示部 8 0 5 :統計處理部
Claims (1)
- 201038142 七、申請專利範圍: 1· 一種電漿處理裝置,其特徵爲: 具備:具有對所被供給之處理氣體施加高頻電力,來 產生電漿之電漿產生手段、及載置被處理基板之試料台的 處理室;及 依循事先所被設定的處理條件,來產生電漿,逐次地 對被載置於前述試料台上的被處理基板施以電漿處理,且 〇 逐次收集表示電漿處理的狀態之參數値的控制用計算機, 前述控制用計算機,係具備:於每一特定期間將收集 的裝置參數値偏離事先設定的基準値之次數予以記錄之記 錄部、及以前述次數爲基礎,來計算裝置參數値偏離基準 値的機率之機率計算部、及 比較前述發生機率與事先設定的設定値,來診斷裝置 狀態的比較部。 2. —種電漿處理裝置,其特徵爲: 〇 具備:具有對所被供給之處理氣體施加高頻電力,來 產生電漿之電漿產生手段、及載置被處理基板之試料台的 處理室;及 依循事先所被設定的處理條件,來產生電漿,逐次地 對被載置於前述試料台上的被處理基板施以電漿處理,且 逐次收集表示電漿處理的狀態之參數値的控制用計算機, 前述控制用計算機,係具備:將表示電漿處理裝置的 狀態之複數的參數値的相關關係予以格式化,並將特定裝 置的裝置參數之模式値予以輸出之模式製作部、於每一特 -19- 201038142 定期間將收集的前述特定裝置的裝置參數値偏離以前述模 式製作部所產生的裝置參數的模式値爲基礎所設定的基準 値之次數予以記錄之記錄部、以前述次數爲基礎,計算裝 置參數値偏離基準値之機率的機率計算部、及比較前述發 生機率與事先設定的基準値來診斷裝置狀態的比較部、以 及顯示表示前述收集的電漿處理裝置的各裝置參數與參數 間的因果關係之圖的顯示部。 3. —種電漿處理裝置,其特徵爲: 具備:具有對所被供給之處理氣體施加高頻電力,來 產生電漿之電漿產生手段、及載置被處理基板之試料台的 處理室:及 依循事先所被設定的處理條件,來產生電漿,逐次地 對被載置於前述試料台上的被處理基板施以電漿處理,且 逐次收集表示電漿處理的狀態之參數値的控制用計算機, 前述控制用計算機,係具備:將收集的裝置參數値當 成履歷予以記錄的記錄部、以記錄部所保持的記錄爲基礎 ,來計算特定期間中之處理參數的最頻繁値的統計處理部 、將藉由統計處理部所計算的最頻繁値和基準値比較來診 斷裝置狀態的比較部。 4. 一種電漿處理裝置,其特徵爲: 具備:具有對所被供給之處理氣體施加高頻電力,來 產生電漿之電漿產生手段、及載置被處理基板之試料台的 處理室;及 依循事先所被設定的處理條件,來產生電漿,逐次地 -20- 201038142 對被載置於前述試料台上的被處理基板施以電漿處理,且 逐次收集表示電漿處理的狀態之參數値的控制用計算機, 前述控制用計算機,係具備:將表示電漿處理裝置的 狀態之複數的參數値的相關關係予以格式化,並將裝置參 數之模式値予以輸出之模式製作部、於每一特定期間將收 集的前述裝置參數値與前述模式製作部所產生的裝置參數 的模式値的偏差予以記錄之記錄部、以記錄部所保持的記 〇 錄爲基礎,計算特定期間中之處理參數的偏差之最頻繁値 之統計處理部、及將藉由統計處理部所計算的最頻繁値與 基準値比較來診斷裝置狀態的比較部、以及顯示表示前述 收集的電漿處理裝置的各裝置參數與參數間的因果關係之 圖的顯示部。 5 .如申請專利範圍第2項所記載之電漿處理裝置, 其中,偏離前述基準範圍的裝置參數,係以和其它的裝置 參數不同的顏色來表示。 Ο 6.如申請專利範圍第3或4項所記載之電漿處理裝 置’其中,使用最大値或最小値來代替最頻繁値。 -21 -
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009096052A JP2010250959A (ja) | 2009-04-10 | 2009-04-10 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201038142A true TW201038142A (en) | 2010-10-16 |
Family
ID=42933393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098128043A TW201038142A (en) | 2009-04-10 | 2009-08-20 | Plasma Processing System |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100258246A1 (zh) |
JP (1) | JP2010250959A (zh) |
KR (1) | KR101066973B1 (zh) |
TW (1) | TW201038142A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI599272B (zh) * | 2012-09-14 | 2017-09-11 | 蘭姆研究公司 | 根據三個或更多狀態之功率及頻率調整 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8501631B2 (en) | 2009-11-19 | 2013-08-06 | Lam Research Corporation | Plasma processing system control based on RF voltage |
KR101843443B1 (ko) | 2011-10-19 | 2018-05-15 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 설비 및 그의 관리방법 |
US9842725B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-12-12 | Lam Research Corporation | Using modeling to determine ion energy associated with a plasma system |
US9320126B2 (en) | 2012-12-17 | 2016-04-19 | Lam Research Corporation | Determining a value of a variable on an RF transmission model |
US9114666B2 (en) * | 2012-02-22 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system |
US10157729B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-12-18 | Lam Research Corporation | Soft pulsing |
US10128090B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-11-13 | Lam Research Corporation | RF impedance model based fault detection |
US9295148B2 (en) | 2012-12-14 | 2016-03-22 | Lam Research Corporation | Computation of statistics for statistical data decimation |
US9462672B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-10-04 | Lam Research Corporation | Adjustment of power and frequency based on three or more states |
US9316675B2 (en) * | 2012-09-06 | 2016-04-19 | Mks Instruments, Inc. | Secondary plasma detection systems and methods |
US9155182B2 (en) | 2013-01-11 | 2015-10-06 | Lam Research Corporation | Tuning a parameter associated with plasma impedance |
US9620337B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Determining a malfunctioning device in a plasma system |
US9502221B2 (en) | 2013-07-26 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Etch rate modeling and use thereof with multiple parameters for in-chamber and chamber-to-chamber matching |
US9594105B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-03-14 | Lam Research Corporation | Cable power loss determination for virtual metrology |
US10950421B2 (en) | 2014-04-21 | 2021-03-16 | Lam Research Corporation | Using modeling for identifying a location of a fault in an RF transmission system for a plasma system |
JP2023105744A (ja) * | 2022-01-19 | 2023-07-31 | 株式会社Screenホールディングス | 支援装置、支援方法および支援プログラム |
CN117724005B (zh) * | 2024-02-05 | 2024-05-31 | 东莞市晟鼎精密仪器有限公司 | 一种中频宽幅等离子电源智能监控系统及方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0152355B1 (ko) * | 1994-03-24 | 1998-12-01 | 가나이 쓰토무 | 플라즈마 처리장치 및 처리방법 |
JP3630931B2 (ja) | 1996-08-29 | 2005-03-23 | 富士通株式会社 | プラズマ処理装置、プロセスモニタ方法及び半導体装置の製造方法 |
US7000193B1 (en) * | 2002-02-07 | 2006-02-14 | Impink Jr Albert J | Display to facilitate the monitoring of a complex process |
JP4274747B2 (ja) * | 2002-06-25 | 2009-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置 |
JP2004160449A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-06-10 | Seiko Epson Corp | デバイス製造装置及びデバイスの製造方法、電子機器 |
JP3960911B2 (ja) * | 2002-12-17 | 2007-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法および処理装置 |
WO2005057993A1 (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Daihen Corporation | 高周波電力供給システム |
JP4620524B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2011-01-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP4754419B2 (ja) | 2006-07-03 | 2011-08-24 | 学校法人立命館 | プラズマ異常放電診断方法、プラズマ異常放電診断システム及びコンピュータプログラム |
-
2009
- 2009-04-10 JP JP2009096052A patent/JP2010250959A/ja not_active Withdrawn
- 2009-07-29 US US12/511,220 patent/US20100258246A1/en not_active Abandoned
- 2009-07-30 KR KR1020090069800A patent/KR101066973B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-08-20 TW TW098128043A patent/TW201038142A/zh unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100258246A1 (en) | 2010-10-14 |
KR20100113006A (ko) | 2010-10-20 |
KR101066973B1 (ko) | 2011-09-22 |
JP2010250959A (ja) | 2010-11-04 |
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