TW201030717A - Display device, method for driving the same, and electronic apparatus - Google Patents

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Yukihito Iida
Mitsuru Asano
Katsuhide Uchino
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Description

201030717 六、發明說明： -. 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種顯示裝置、一種其驅動方法及—種電 子設備。更具體而言，本發明係關於一種具有一像素矩陣 (每一像素包含一電光元件）之平面（扁平面板）顯示裝置、 一種用於驅動該顯示裝置之方法及一種電子設備。 【先前技術】 近年來，在用於顯示影像之顯示裝置領域中，具有一像 素矩陣（像素電路，每一像素包含一發光元件）之平面顯示 裝置已迅速地日益增加。平面顯示裝置（舉例而言，包含 有機EL元件之有機電致發光（EL)顯示裝置，該等有機 元件利用其中向一有機薄膜施加一電場誘發發光之一現 象）已被開發且正被商業化。 由於可用10 V或更小之一所施加電壓來驅動有機EL元 件，因此功率消耗低。另外，因自發射特性，有機EL元件 不使用為液晶顯示裝置所必需之一光源（背光）。此外因 回應速度高達約數微妙，有機EL元件在移動影像之顯示期 間不引起後像。 如在液晶顯示裝置中’有機EL顯示裝置可使用簡單的 (被動）矩陣及主動矩陣驅動方案。近年來，包含具有主動 元件（例如’絕緣閘極場效應電晶體（—般而言，薄膜電晶 體（TFT)))之像素電路之主動矩陣顯示裝置之開發已極大地 加速。 一般而吕，眾所周知，有機EL元件之電流_電壓特性（ι_ 142814.doc 201030717 I特性）隨時間而劣化（稱為隨時間劣化）。此外，因製造製 程^變化，一驅動電晶體之一臨限電遷vth或形成該驅動 .體中之—通道之—半導體薄膜之遷移率μ(後文中稱為 驅動電晶體之遷移率Ρ」）隨時間而改變或每一像素不 同。 、 因此’為將有機EL元件之發光照度維持在—恒^位準而 L又以上影響’该等像素電路中之每—者經組態以具有 φ用於補償有機肛元件之特性改變之-功能，且亦具有用於 校正:驅動電晶體之臨限電壓她之改變（後文中稱為「臨 限值校正」）及校正—驅動電晶體之遷移率μ之改變（後文 中稱為遷移率权正」）之校正功能（例如，參見曰本未審 " 查專利申請公開案第2006-133542號）。 、 【發明内容】 然而，在相關技術之一像素電路中之電位設定中，一像 素中之-驅動電晶體之閘極與陰極之間的一m路導致一有 參缺陷的像素不發光。另外，出現另一問題：在轉移之前的 數個像素中之照度改變之—區域（後文中稱為一「照度改 變區域」）被察覺為-線性缺陷。就可見度而t，不准許 針對照度之-改變基於顯示區域中不發光像素之數目提供 .—標準。㈣而言，對於照度之-增加，甚至不准許一個 . 不發光像素。特定而言，若在顯示區域中照度增加，則存 在察覺到一線性缺陷之一問題。 此外，在相關技術之一像素電路中，—儲存電容器與一 輔助電容器係配置成彼此毗鄰，且連接至彼等電容器之佈 142814.doc 201030717 線提供於相同層中。在製造製程期間因該相同層上之灰塵 或類似物而存在該相同層中之佈線彼此短路之危險。佈線 之間的一短路導致使其與該等佈線導電之驅動電晶體之閘 極與有機EL元件之陰極之間的一短路。驅動電晶體之閘極 與有機EL元件之陰極之間的一短路涉及以下問題：不照亮 ’ 其中已出現短路之一有缺陷的像素且將沿轉移方向在前面 ， 的數個像素中之一照度改變區域察覺為一線性缺陷。就可 見度而s，不准許針對照度之一改變基於顯示區域中不發 光像素之數目提供一標準。特定而言，對於照度增加，甚 @ 至不准許一個不發光像素。特定而言，若在顯示區域中照 度增加，則存在察覺到一線性缺陷之一問題。 因此期望，儘管在一像素内一驅動電晶體之閘極與一陰 / 極彼此電短路，雖然一有缺陷的像素可能不被照亮但亦 — 不將一照度改變區域察覺為一線性缺陷。 亦期望防止在一驅動電晶體之閘極電極與一陰極電極之 間出現一電短路，以使得因該短路可不將一 一照度改變區域察覺為線性缺陷。 像© 本發明之一實施例提供一種顯示装置，該顯示裝置包 含：一像素陣列單元，其具有配置成一矩陣之像素，每一 像素具有包含一有機電致發光元件、一驅動電晶體、一寫 / 入電晶體及-儲存電容器之一電路組態，其中該有機電致' 發光兀件之—陽極電極係連接至該驅動電晶體之一源極電 s驅動電晶體之一閘極電極係連接至該寫入電晶體之 源極電極或;^極電極’且㈣存電容^係連接於該驅動 142814.doc -6 - 201030717 電晶體之該閉極與源極電極之間，·掃描線，其等經安置以 用於該像素陣列單元中之該等像素之個別列且經組態以將 一掃描信號供應至該等寫人電晶體之該等閘極電極；電源 線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等像素之該 等個別列且經組態以選擇性地將一第一電位及低於該第一 電位之-第二電位供應至該等驅動電晶體之該等沒極電 ★ ’及m其等經安置以用於該像素陣列單元中之該 等像素之個別行且經組態以選擇性地將一視訊信號及一視 訊信號參考電絲應至㈣“電晶以料㈣電極或 ，極電極。該視訊信號參考電位供應至該等信號線達一週 週期期間該掃描信號在—先前列中之像素之驅動 ㈣1、體S等掃描線’且當執行對—當前像素中之該驅 2電阳體之臨限值校正時，該視訊信號 電致發光元件之-陰極電極之__電位彼此㈣。 Φ 之實施例亦提供一種用於驅動該顯示裝置、用於 電極之一 更位及該有機電致發光元件之該陰極 電位以便具有一相同電位值之方法。 本發明之實施例亦提供一種包含 備，Ψ銪一奸 f上达顯不裝置之電子設 玄顯不裝置係提供於該電子設備之-外般中。 在本發明之實施例中，一視訊 極之—雷A 机爹T電位與一陰極電 、·^· S史定以具有一相同電位， 像素内在值藉此即使在於一 亨内在一驅動電晶體之閘極電極 一電短路^ 陰極電極之間出現 位怪定。情形下’亦可使先前像素列中之像素之參考電 142814.doc 201030717 本發明之另-實施例提供-種顯示裝置，該顯示裝置包 含：一像素陣列單元，其具有配置成-矩陣之像素，每一 像素具有包含一電光元件、一驅動電晶體、一寫入電晶 體、,-儲存電容器及一輔助電容器之一電路組態，其中該 電光7L件之—第—電極係連接至該驅動電晶體之—源極電 極，该驅動電晶體之一閘極電極係連接至該寫入電晶體之 曰源極電極歧極電極，師存電容器係連接於該驅動電 阳體之4閘極與源極電極之間，且該辅助電容器係、連接於 該電光疋件之該第一電極與該電光元件之一第二電極之 h儲存電谷器與該輔助電容器係配置成彼此她鄰。該 儲存電容器之使其與該驅動電晶體之該閘極電極導電之一 佈線與該輔助電容器之使其與該電光元狀該第二電極導 電之一佈線係提供於不同層中。 本發明之實施例亦提供一種包含上述顯示裝置之電子設 備’该顯示裝置係提供於該電子設備之一外殼中。 在本發明之實施例中，一儲存電容器之使其與一驅動電 a曰體之閘極電極導電之一佈線與一輔助電容器之使其與一 電光元件之一第二電極導電之一佈線係提供於不同層中。 此可有效避免在該等佈線之間出現一短路。 一電光元件可係一有機EL元件，其具有充當一陽極電極 之一第一電極及充當一陰極電極之一第二電極。提供於不 同層中之佈線可係安置於一基板之一扁平表面及該基板上 之一絕緣膜之一扁平表面上之主要佈線，且不包含提供於 該等層之間的觸點及類似物。 142814.doc • 8 - 201030717 根據本發明之一實施例，即使一驅動電晶體之閘極與陰 極彼此電短路，雖然一有缺陷的像素可能不被照亮，但亦 . 可防止一照度改變區域被察覺為一線性缺陷。 . 根據本發明之另一實施例，可有效地避免在一驅動電晶 體之閘極電極與一電光元件之一第二電極之間出現一電短 路。因此，雖然一有缺陷的像素可能不被照亮，但可防止 一照度改變區域被察覺為一線性缺陷。 【實施方式】 現在將闡述本發明之一實施例。本闡述將按如下次序給 出： 1 ·根據本實施例之顯示裝置（系統組態' 像素電路及電 v 路操作） v 2 ·由驅動電晶體之閘極與陰極之間的短路所引起的問 題（等效電路及定時波形圖） 3·根據本實施例之實例組態（像素電路、系統組態及驅 A 動方法） 4·應用實例（電子設備中之應用之各種實例） 5.根據本實施例之實例組態（像素電路、系統組態、佈 線結構及驅動方法） / L根據本實施例之顯示裝置 _ 系統組態 圖1係示意性地顯示根據本實施例之一主動矩陣顯示裝 置之組態之一系統組態圖。 現在將給出對一電流驅動型電光元件之一闡逑，其發光 142814.doc 201030717 照度根據在裝置（例如，其中以實例方式使用一有機el元 件作為一像素（像素電路）之一發光元件之一主動矩陣有機 EL顯示裝置）中流動之一電流之一電流值而改變。 如圖1中所顯示，一有機EL顯示裝置1〇〇經組態以包含： 一像素陣列單元1 〇2，其具有配置成一二維矩陣之像素 (PXLC)lOl ;及一驅動單元，其配置於像素陣列單元1〇2周 圍以驅動像素101。用於驅動像素1〇1之該驅動單元包含 (例如）一水平驅動電路103、一寫入掃描電路1〇4及一供電 掃描電路105。 像素陣列單元102具有掃描線WSL-1至WSL-m、電源線 DSL-1至DSL-m及信號線DTL-1至DTL-n以用於m列η行像 素陣列。掃描線WSL-1至WSL-m及電源線1)乩_1至1)讥_111 經安置以用於個別列，且信號線DTL-1至DTL-n經安置以 用於個別像素行。 像素陣列單元102通常界定於一透明絕緣基板（例如，一 玻璃基板）上，且具有一平面（扁平）面板結構。像素陣列單 元102中之像素1〇1中之每一者皆可使用一非晶矽薄膜電晶 體（TFT)或一低溫多晶石夕tft形成。在其中使用低溫多晶石夕 TFT之一情形下，亦可將水平驅動電路1〇3、寫入掃描電路 104及供電掃描電路105安裝於其上界定像素陣列單元ι〇2 之顯示面板（基板）上。 寫入掃描電路104可係由一移位暫存器或其他適合裝置 形成，該移位暫存器用於與一時鐘脈衝仏同步地依序移位 (轉移）一開始脈衝sp。為將一視訊信號寫入像素陣列單元 142814.doc -10- 201030717 102中之像素1〇1中，寫入掃描電路1〇4依序將寫入脈衝（掃 描信號）WS1至WSm供應至掃描線珮队-丨至WSL m。因 • 此，按逐列次序掃描（線依序掃描）像素陣列單元102中之像 素 101。 供電掃描電路105可係由一移位暫存器或任一其他適合 •裝置形成，該移位暫存器用於與時鐘脈衝ck同步地依序移 位開始脈衝sp。與由寫入掃描電路1〇4執行之線依序掃描 同步，供電掃描電路105選擇性地將電源線電位dsi至 DSm(其等在一第一電位Vcc H與低於該第一電位H之 第一電位Vcc—L之間切換）供應至電源線DSL_〗至dsl_ m。因此，可控制像素1〇1之發光/不發光。 、水平驅動電路103適當地選擇對應於照度資訊之一視訊 、仑號（其係自一 k號供應源（未顯示）供應）之一信號電壓 Vslg(後文中亦簡稱為_「信號電壓」）與—信號線參考電 位V〇中之一者，且經由信號線DTL-1至DTL-n(例如）在一 φ 逐列基礎上將該選定者寫入像素陣列單元102中之像素1〇1 中換5之，水平驅動電路103採用其中逐列（逐線）寫入一 視訊信號之-信號電壓Vin之一線順序寫入驅動模式。 L號線參考電位v〇係視訊信號之信號電壓Vh基於其之 . 電壓（例如’對應於黑色位準之一電壓）。此外，第二電 - 位Vcc_L設定為低於信號線參考電位v〇之一電位，舉例而 C»低於電位Vo-Vth(其中Vth指示一驅動電晶體之臨限 電壓）之電位，較佳地，足夠低於電位v0_vth之一電 位。 142814.doc 201030717 像素電路 圖2係顯示像素(像素電路)1〇1中之# 一者之一具體實例 組態之一電路圖。 如圖2中所顯示，像素101具有一電流驅動型電光元件， 其發光照度根據在裝置（例如，作為一發光元件之一有機 ELtl件1D)中流動之一電流之一電流值而改變。像素ι〇ι具 有一像素組態，其除有機EL元件1D以外還包含一驅動電 晶體1B、一寫入電晶體1A及一儲存電容器1C，亦即，具 有兩個電晶體（Tr)及一個電容器（c)之一 2Tr/lc像素組態。 在具有以上組態之像素1〇1中，使用一 N通道TFT來實施 驅動電晶體1B及寫入電晶體1A中之每一者。然而，本文 中所使用之電晶體（亦即，驅動電晶體1B及寫入電晶體ia) 之導體組合僅係一實例，且可採用電晶體之任一其他組 合0 有機EL元件1D具有連接至經共同安置以用於所有像素 ιοί之一共同電源線1H之一陰極電極。驅動電晶體具有 連接至有機ELtl件1D之一陽極電極之一源極電極及連接 至電源線DSL(DSL-1至DSL-m)之一没極電極。 寫入電晶體1A具有連接至掃描線wSL(wSL-1至WSL-m) 之一閘極電極、連接至信號線]〇1^(1)1^_1至1)1<]^11)之一個 電極（源極電極或汲極電極）及連接至驅動電晶體1B之一閘 極電極之另一電極（汲極電極或源極電極）。 儲存電容器1C具有連接至驅動電晶體⑶之閘極電極之 一個電極及連接至驅動電晶體1B之源極電極（有機El元件 142814.doc -12- 201030717 1D之喊極電極）之另' 電極。 在具有一2Tr/lC像素組態之像素101中，回應於經由掃 描線WSL自寫入掃描電路1〇4施加至閘極電極之一掃描信 號WS使寫入電晶體1A變為一導電狀態。因此，對對應於 照度資訊之視訊信號（其係經由信號線DTL自水平驅動電路 103供應）之信號電壓Vin或信號線參考電位v〇進行取樣並 將其寫入於像素101中。 將所寫入信號電壓Vin或信號線參考電位v〇施加至驅動 電晶體1B之閘極電極’且亦將其儲存於儲存電容器1C 中。當電源線DSL(DSL-1至DSL-m)之電位DS設定為第一 電位Vcc_H時’自電源線DSL給驅動電晶體1B供應一電流 且將對應於儲存於儲存電容器1C中之信號電壓Vin之電壓 值的電流值之一驅動電流供應至有機EL元件1D以驅動有 機EL元件1D發射光。 有機EL顯示裝置之電路操作 接下來’將參考圖3中所顯示之一定時波形圖及圖4 A至 圖6C中所顯示之操作解釋圖來闡述具有以上組態之有機 EL顯示裝置100之電路操作。在圖4A至6C中所顯示之操作 解釋圖中，為簡化圖解說明，由開關符號來表示寫入電晶 體1A。由於有機EL元件1D具有一電容性組件，因此亦圖 解說明一 EL電容器11。 圖3中所顯示之定時波形圖圖解說明掃描線WSL( WSL-1 至WSL-m)之電位（寫入脈衝）wS之改變、電源線DSL(DSL-1至DSL-m)之電位DS(Vcc_H或Vcc—L)之改變及驅動電晶體 142814.doc -13- 201030717 1B之閘極電位Vg及源極電位Vs之改變。 (發光週期） 在圖3中所顯示之定時波形圖中，在時間tl之前，有機 EL元件1D係處於一發光狀態中（發光週期p在該發光週期 中，電源線DSL之電位DS設定為第一電位vcc_h且寫入電 晶體1A係處於一不導電狀態中。 在此週期期間’驅動電晶體1B經設定以便在飽和區中操 作。因此，如圖4 A中所顯示，對應於驅動電晶體丨B之一 閘極·源極電壓Vgs的一驅動電流（汲極-源極電流）Ids係透 過驅動電晶體1B自電源線DSL供應至有機el元件1D。因 此’有機EL元件1D以對應於驅動電流Ids之電流值之一照 度發射光。 (臨限值校正準備週期） 線依序掃描之一新的場開始於時間”處。如圖4b中所顯 示，電源線DSL之電位DS自第一電位（後文中稱為一「高 電位」）Vcc_JO々換至足夠低於信號線DTL之信號線參考電 位Vo-Vth之第二電位（後文中稱為一「低電位」）Vcc_L。 此處’有機EL元件1D具有一臨限電壓vei且共同電源線 1H具有一電位Vcath。若低電位vcc_L滿足條件 Vcc_L<Vel+Vcath ’則驅動電晶體1B之源極電位Vs大致等 於低電位Vcc—L。因此，有機El元件id進入反向偏壓狀態 且光熄滅。 然後，如圖4C中所顯示’在時間t2處，掃描線WSL之電 位WS自低電位側至高電位側之過渡使寫入電晶體1 a變為 142814.doc • 14 · 201030717 導電狀態。此時’由於信號線參考電位Vo係自水平驅動電 路03供應至號線DTL ’因此驅動電晶體m之閘極電位 . Vg °又疋為仏號線參考電位Vo。此外，驅動電晶體1B之源 .. 極電位Vs設定為足夠低於信號線參考電位V〇之電位
Vcc_L。 此時，驅動電晶體1B之閘極_源極電壓Vgs設定為一電位 V〇-VcC-L。此處’必需建立電位關係Vo-Vcc_L>Vth，乃 因除非電位V〇-Vcc_L大於驅動電晶體⑺之臨限電壓Vth否 則不執行下文所闡述之臨限值校正操作。因此，藉助驅動 電晶體1B之固定（設定）為信號線參考電位v〇之閘極電位 及没定為低電位Vcc_L之源極電位Vs執行初始化之一操作 、 係用於準備臨限值校正之一操作。 v (第一臨限值校正週期） 然後’如圖4D中所顯示’在時間13處，電源線DSL之電 位DS自低電位Vcc_L切換至高電位Vcc_H。然後，驅動電 φ 晶體1B之源極電位乂3開始增加，且一第一臨限值校正週期 開始。驅動電晶體1B之源極電位Vs在第一臨限值校正週期 期間之增加允許驅動電晶體1B之閘極-源極電壓VgS具有一 . 預定電位Vxl。電位Vxl係儲存於儲存電容器ic中。 ， 隨後，如圖5A中所顯示，在此水平週期（iH)之第二半週 • 期隨其開始之時間t4處，視訊信號之信號電壓vin自水平 驅動電路103供應至信號線DTL，因此致使信號線DTL之電 位自信號線參考電位Vo過渡至信號電壓Vin。在此週期期 間，信號電壓Vin寫入於另一列中之像素中。 142814.doc 15 201030717 此時’為防止信號電壓Vin寫入於當前列中之像素中， 掃描線WSL之電位WS自高電位侧至低電位侧之一過渡使 寫入電晶體1A變為不導電狀態。因此，驅動電晶體1]3之 閘極電極係與信號線DTL分離且變得浮動。 當驅動電晶體1B之閘極電極浮動時’由於連接於驅動電 晶體1B之閘極與源極之間的儲存電容器1 c，若驅動電晶 體1B之源極電位Vs改變，則驅動電晶體⑺之閘極電位Vg 亦根據（或跟隨）源極電位Vs之改變而改變。此稱為基於儲 存電容器1C之一自舉操作。 即使在時間t4之後’驅動電晶體1 b之源極電位vs亦繼續 增加且最終增加Val(Vs=Vo-Vxl+Val)。此時，因該自舉 操作，驅動電晶體1B之閘極電位Vg亦根據源極電位^之 增加而增加Val(Vg=Vo+Val)。 (第二臨限值校正週期） 在時間t5處，下一水平週期開始，且如圖沾中所顯示， 掃描線WSL之電位WS自低電位側至高電位側之一過渡使 寫入電晶體1A變為導電狀態。同時，信號線參考電位v〇 代替信號電壓Vin自水平驅動電路103供應至信號線〇1^， 且一第二臨限值校正週期開始。 在該第二臨限值校正週期期間，由於使寫入電晶體丨八變 為導電狀態，因此寫入信號線參考電位v〇。因此，驅動電 晶體1B之閘極電位Vg再次初始化為信號線參考電位v〇。 此時，根據閘極電位Vg之下降，源極電位％亦減小。然 後，驅動電晶體1B之源極電位％再次開始增加。 142814.doc -16· 201030717 然後’驅動電晶體1B之源極電位Vs在第二臨限值校正 週期期間之增加允許驅動電晶體〗B之閘極_源極電壓Vgs具 有一預定電位Vx2。電位Vx2係儲存於儲存電容器1(：中。 隨後，如圖5C中所顯示，在此水平週期（1H)之第二半週 期隨其開始之時間t6處，視訊信號之信號電壓Vin自水平 驅動電路1 〇3供應至信號線DTL，因此致使信號線之電 位自偏移電壓V〇過渡至信號電壓Vin。在此週期期間，信 號電堡Vin寫人於另-列（其令已執行先前寫人之列之後的 列）中之像素中。 此時，為防止像素中之信號電壓vin寫入於當前列中， 掃描線WSL之電位WS自高電位側至低電位側之一過渡使 寫入電晶體1A變為不導電狀態。因此，驅動電晶體⑺之 閘極電極係與信號線DTL分離且變得浮動。 ’驅動電晶體1B之源極電位V S亦繼續
(第三臨限值校正週期） 即使在時間t6之後，驅動 增加且最終增加Va2(Vs=V 作’驅動電晶體1B之闡炻‘
且 第二臨限值校正週期開妒 在該第三臨限值校正週期期 間，由於使寫入電晶體1A變 H2814.doc •17- 201030717 為導電狀態，因此寫入信號線參考電位ν〇β因此，驅動電 晶體1Β之閘極電位Vg再次初始化為信號線參考電位ν〇。 此時，根據閘極電位Vg之下降，源極電位Vs亦減小。然 後，驅動電晶體1B之源極電位Vs再次開始増加。 驅動電晶體1B之源極電位vs之增加允許驅動電晶體1B 之閘極·源極電壓Vgs收斂至驅動電晶體1B之臨限電壓
Vth。因此，對應於臨限電壓Vth之電壓係儲存於儲存電容 器1C中。 如上文所闡述執行三次之臨限值校正操作允許偵測像素 中之每一者之驅動電晶體1B之臨限電壓vth及將對應於臨 限電壓Vth之電壓儲存於儲存電容器ic中。為在三個臨限 值校正週期期間致使一電流流入儲存電容器1C中時防止一 電流流入有機EL元件1D中’設定共同電源線丨η之電位 Vcath從而可使有機EL元件ID處於一切斷狀態中。 (信號寫入週期&遷移率校正週期） 然後’如圖6A中所顯示’在時間18處，掃描線WSL之電 位WS至低電位側之一過渡使寫入電晶體ία變為不導電狀 態。同時，信號線DTL之電位自偏移電壓v〇切換至視訊信 號之信號電壓Vin。 由於使寫入電晶體1A變為不導電狀態，因此驅動電晶體 1B之閘極電極變得浮動。然而，閘極-源極電壓vgs等於驅 動電晶體1B之臨限電壓vth且因此使驅動電晶體1B處於一 切斷狀態中。因此，汲極·源極電流Ids不在驅動電晶體1B 中流動。 142814.doc -18 - 201030717 隨後’如圖6B中所顯示，在時間t9處，掃描線wsl之電 位WS至高電位側之一過渡使寫入電晶體1 a變為導電狀 態°因此’對視訊信號之信號電壓vin進行取樣並將其寫 入於像素101中。信號電壓Vin藉由寫入電晶體丨八之寫入允 許驅動電晶體1B之閘極電位Vg增加信號電壓vin。 然後，當藉由視訊信號之信號電壓Vin驅動驅動電晶體 1B時’使驅動電晶體1B之臨限電壓Vth與對應於儲存於儲 存電容器1C中之臨限電壓Vth之電壓相抵消，藉此執行臨 限值校正。下文將闡述臨限值校正之一原理。 此時，由於有機EL元件1D最初處於切斷狀態（高阻抗狀 態）中，因此根據視訊信號之信號電壓Vin自電源線DSL流 入驅動電晶體1B中之電流（汲極_源極電流Ids)流入有機EL 元件1D之EL電容器II中。因此，開始EL電容器Η之充 電。 因EL電容器II之充電，驅動電晶體1B之源極電位％隨 時間增加。由於此時驅動電晶體1B之臨限電壓Vth之變化 已經校正（臨限值校正），因此驅動電晶體1B中之汲極-源極 電流Ids相依於驅動電晶體1B之遷移率μ。 然後’當驅動電晶體1Β之源極電位ν s增加達到一電位 Vo-Vth+Δν時，驅動電晶體1Β之閘極-源極電壓VgS係由 Vin+Vth-Δν給出。亦即，自儲存於儲存電容器lc中之電 壓減去源極電位Vs之增加量AV(Vin+Vth-AV)，換古之， 放電儲存電容器1C中之電荷。因此，施加一負回饋。因 此’源極電位V s之增加量ΔΥ表示負回饋的量。 142814.doc -19· 201030717 因此，机入驅動電晶體1B之汲極_源極電流ids係輸入至 驅動電晶體1B之閘極，亦即，沒極·源極電流此係負回饋 至閘極-源極電壓Vgs ,藉此消除驅動電晶體⑺之汲極_源 極電流Ids對遷移率μ之相依性。亦即，執行用於校正每一 像素之校正遷移率μ之變化的遷移率校正。 更具體而言，視訊信號之信號電壓Vin越高，汲極_源極 電流Ids越大，且因此負回饋量（校正量）Δν之絕對值越 大。因此’可根據發光照度位準來執行遷移率校正。當視 訊信號之信號電壓Vin保持恆定時，驅動電晶體1Β之遷移 率μ越高’負回饋量AV之絕對值越大。因此，可消除每一 像素之遷移率μ之變化。下文將闡述遷移率校正之一原 理。 (發光週期） 然後’如圖6C中所顯示，在時間tlO處，掃描線WSL之 電位WS至低電位側之一過渡使寫入電晶體丨a變為不導電 狀態。因此’驅動電晶體1B之閘極電極係與信號線DTL分 離且變得浮動。 驅動電晶體1B之閘極電極變得浮動，且同時驅動電晶體 1B中之汲極-源極電流Ids開始流入有機EL元件1D中。因 此，有機EL元件1D之陽極電位根據驅動電晶體1B中之沒 極-源極電流Ids增加。 有機EL元件1D之陽極電位之增加等效於驅動電晶體1B 之源極電位Vs之增加。當驅動電晶體1B之源極電位Vs增 加時，驅動電晶體1B之閘極電位Vg亦因儲存電容器1C之 142814.doc • 20- 201030717 自舉操作而根據其增加。 此時，若假定自舉增益係1(理想值），則閘極電位Vg之 . 增加量等於源極電位Vs之增加量。因此，驅動電晶體18之 . 閘極-源極電壓Vgs在發光週期期間保持於由Vin+Vth_AV給 出之一恆定值。然後，在時間tl丨處，信號線DTL之電位係 . 自視訊信號之信號電壓Vin切換至信號線參考電位v〇。 如自上文所闡述之操作可理解，在本實例中，針對總共 參 3H週期提供臨限值校正週期，亦即，在其期間執行信號寫 入及遷移率校正之一 1H週期及m週期前面的2h週期。因 此，可確保一足夠時間週期作為臨限值校正週期。此確保 、 可偵測驅動電晶體1B之臨限電壓Vth且可將其儲存於儲存 、 電容器1C中，且亦確保可可靠地執行臨限值校正操作。 " 雖然針對3H週期提供臨限值校正週期，但此僅係一實 例。右可於在其期間執行信號寫入及遷移率校正之一出週 '内確4呆足夠長度之臨限值校正週期，則無需針對先前 • 水平週期設定一臨限值校正週期。相反，若出週期之長度 因經改良之解析度而短且即使針對3H週期提供之臨限值校 正週期不足夠’則亦可針對4H週期或更多週期設定臨限值 校正週期。 ' 2.由驅動電晶體之閘極與陰極之間的短路所引起的問題 . 等效電路 斤顯不之其中驅動電晶體⑺之閘極與 陰極1H彼此電短你支 .^ 電路之像素電路之一等效電路。在此操作定 時處，以實你丨古4 , J方式，如圖4D、SB及5D中所顯示，寫入視 142814.doc •21· 201030717 訊信號參考電位Vo。 以此方式’驅動電晶體1B之閘極g與陰極iH之間的用導 線連接以具有一低阻抗之一電短路在寫入電晶體1A接通時 引起視訊信號線DTL、驅動電晶體1B之閘極g與一陰極1只 之間的導電。因此，供應至視訊信號線DTL之視訊信號參 考電位Vo被拉至陰極電位Vcath。 圖7B係顯示其中已出現圖7A中所顯示之缺陷之一顯示 狀態之一示意圖。不照亮一有缺陷的像素，亦即，如圖7a 中所顯示，其中驅動電晶體1B之閘極g與陰極出彼此電短 路之一像素。此外，沿轉移方向在前面的數個像素形成一 照度改變區域。該照度改變區域相依於轉移方向，且始終 出現於沿轉移方向在前面的側上。 定時波形圖 圖8係當已出現圖7A中所顯示之缺陷時之一定時波形 圖。此外，在圖7A中，以實例方式，關係▽〇>¥(^11成 立。在圖8中所顯示之定時波形圖中，與像素、11_6至、11+2 相關聯地表示具有掃描線數目之掃描線之定時，且像素Vn 係一有缺陷的像素。使用DTX來表示視訊信號電位之改 變。在圖8中，週期（A)至（1〇中之每一者對應於一個水平週 期（1H)。
如圖7A中所顯示，若驅動電晶體⑺之閘極g與陰極111彼 此電短路，則在圖8中所顯示之週期（F)至⑺中出現一問 題。在彼等週期内，於對應於有缺陷的像素Vn之掃描線 WSL至尚電位侧之一過渡之時間，供應至視訊信號線DTL 142814.doc •22· 201030717 之電位被拉至陰極電位Vcath。 因此，在像素Vn-4至Vn-i中之每—者中，直接在對視訊 . 信號電位之取樣之前的視訊信號參考電位Vo被拉至陰極電 . 位VQth。因此，驅動電晶體1B之閘極g之輸入信號具有由
Vin’=Vsig-Vcath 而非 Vin=Vsig-Vo給出之一振幅。 在圖8中’由於Vo>Vcath成立，因此具有比基於視訊信 號參考電位Vo之振幅較高之一振幅的一信號係等效地寫入 • 於像素Vn-4至Vn-i中之每一者中。此導致像素¥11_4至¥111 中增加之照度位準。因此，在有缺陷的像素前面的數個像 素中照度增加，其被察覺為一線性照度增加區域。在有缺 、 陷的像素Vn中，視訊信號電位Vsig亦被拉至陰極電位 、 Vcath，從而導致自其不發光。 - 3 ·根據本實施例之實例組態 像素電路 圖9A係圖解說明根據本實施例之一像素電位之設定之一 φ 實例之一電路圖。該像素電路包含一有機EL·元件1D、一 驅動電晶體1B、一寫入電晶體丨八及一儲存電容器lc。 具體而言，有機EL元件iD之一陽極電極係連接至驅動 電晶體1B之一源極電極，且驅動電晶體丨B之一閘極電極 . 係連接至寫入電晶體1A之一源極電極或汲極電極。儲存電 . 容器1C係進一步連接於驅動電晶體1B之閘極與源極電極 之間。 信號線DTL係連接至寫入電晶體丨a之汲極電極或源極電 極。寫入電晶體1A之一閘極電極係連接至一掃描線（未顯 142814.doc •23- 201030717 示），且給出一預定定時。一電源線DSL係連接至驅動電晶 體1B之汲極電極。 在像素電路之以上組態中’在本實施例中，施加至信號 線DTL之視訊信號參考電位v〇與有機EL元件1D之一陰極 電極之電位（陰極電位）乂以让具有一相同電位（亦即，一電 位Va)。因此，即使在圖8中所顯示之週期至（j)内視 訊信號參考電位V〇亦不被拉至高於或低於電位Va之一電 位。此可防止跨越前面的像素出現一照度改變區域。
注意，視訊信號參考電位ν〇及陰極電位Vcath*相對於 其他驅動電位設定為所期望值，且滿足例如圖3中所顯示 之臨限值校正操作之驅動條件。為將視訊信號參考電位 及陰極電位Vcath設定為相同電位值，除調整視訊信號參 考電位Vo從而等於陰極電位Vcath以外，亦可調整陰極電 位Vcath從而等於視訊信號參考電位v〇。另一選擇為，可 調整視訊信號參考電位乂〇及陰極電位Vcath從而等於其他
恆定電位。較佳地，電位Va設定為現有設定電位v〇或 Vcath，藉此滿足圖3中所顯示之驅動條件。 系統組態 圖ίο係顯示本實施例之—實例m㈣圖。如圖 中所顯示冑機EL顯示裝置丨〇〇經組態以包含：一像素 陣列早7L 102，其具有配置成一二維矩陣之像素 (LC)l〇l，及_驅動單元，#配置於像素陣列單元周 圍、驅動像素1G1。用於驅動像素1()1之該驅動單元包含 (例如）-水平驅動電路1〇3 ' 一寫入掃描電路刚及一供電 142814.doc •24· 201030717 掃描電路105。 像素陣列單元1〇2具有掃描線WSL-1至WSL-m、電源緣 DSL-1至DSL-m及信號線DTL-1至DTL-n以用於m列n行像 素陣列。掃描線WSL-1至WSL-m及電源線〇81^1至1)儿_〇1 經安置以用於個別列’且信號線DTL-1至DTL-n經安置以 用於個別像素行。以上組態係與圖丨中所顯示之系統組態 相同。 在本實施例中，自信號線DTL-1至DTL-n施加至像素1〇1 之一視訊信號參考電位Vo與像素101中之每一者中之有機 EL·元件之陰極電極之電位（陰極電位）設定為相同電位。 陰極電位作為一共同電位供應至個別像素1〇1之有機el 元件。因此，電位Va供應至一共同佈線C〇M，使該共同 佈線COM與個別像素1〇丨中之有機el元件之陰極電極導 電。 自信號線DTL-1至DTL-n施加之視訊信號參考電位v〇亦 設定為電位Va。水平驅動電路1〇3選擇性地將一信號電位 Vin及視訊信號參考電位v〇供應至信號線〇1^_1至〇几-11。 因此’水平驅動電路103執行控制以便在選擇視訊信號參 考電位Vo時供應電位Va。 因此，一視訊信號參考電位供應至一信號線達一週期， 在該週期期間一掃描信號在先前像素列之驅動期間供應至 一掃描線，因此防止視訊信號參考電位被拉至高於或低於 電位Va之一電位達一週期’在該週期期間對當前像素中之 一驅動電晶體執行臨限值校正。亦即，即使當一驅動電晶 142814.doc -25- 201030717 體之一閘極與一有機EL元件之一陰極彼此電短路時，亦可 防止跨越前面的像素出現一照度改變區域。 驅動方法 圖11係圖解說明根據本實施例之用於驅動—顯示裝置之 一方法之一定時波形圖。圖丨丨中所顯示之定時波形圖類似 於圖3中所顯示之定時波形圖之處在於重複一發光週期、 臨限值校正週期及一取樣週期&遷移率校正週期，而不同 之處在於供應至一信號線之一視訊信號參考電位係設定為 電位Va，其與陰極電位相同。 視訊信號線電位（D T L )選擇性地在視訊信號v丨n與視訊信 號參考電位Va之間切換。視訊信號參考電位係設定為電位 Va，藉此在臨限值校正週期内將驅動電晶體之閘極電位 (Vg)設定為電位va。由於所有像素皆係基於相同電位， 因此可維持照度一致性。 圖12係备已因驅動電晶體1B之閘極g與陰極！只之間的一 電短路而在根據本實施例之圖9A中所顯示之像素組態中引 起一缺陷時之一定時波形圖。在圖12中所顯示之定時波形 圖中與像素Vn_6至vn+2相關聯地表示具有掃描線數目 之掃描線之定時，且像素Vn係一有缺陷的像素。使用DTL 來表示視訊信號電位之改變。在圖12中，週期（A)至（l)中 之每一者皆對應於一個水平週期（1H) » 如圖9A中所顯示，若驅動電晶體⑺之閘極g與陰極出彼 此電短路’則—現有組態可在圖12中㈣示之週期（F)至 (J)中引起-問題。亦即，在彼等週期内，在對應於有缺陷 142814.doc 201030717 的像素Vn之掃描線WSL至高電位側之一過渡之時間，供應 至視訊信號線DTL之電位被拉至陰極電位Vcath(參見由圖 中所顯示之虛線所指示之部分）。 在本貫施例之組態中，相反，施加至視訊信號線DTl之 視訊信號參考電位Vo係等於電位Va，且陰極電位乂以讣係 等於電位Va。亦即，執行控制以使得視訊信號參考電位 Vo與陰極電位Vcath係設定為相同電位Va。 因此，在像素Vn-4至Vn-1中之每一者中，直接在對視訊 信號電位之取樣之前的視訊信號參考電位V〇係等於電位 Va ’因此提供與其他像素之準則相同的準則。因此，驅動 電晶體1B之閘極g之輸入信號具有由出之一 振幅，從而不導致在有缺陷的像素Vn前面的數個像素之照 度增加。 在上文所闡述之實施例中’已以實例方式闡述了對包含 有機EL元件作為像素1〇1之電光元件之一有機el顯示裝置 之應用。然而，本發明之實施例並不限於此應用實例，且 可應用於包含一電流驅動型電光元件（發光元件）之任一顯 示裝置’該電流驅動型電光元件之發光照度根據在該裝置 中流動之一電流之電流值而改變。 此外，像素101每一者具有以實例方式包含兩個電晶體 (Tr)及一個電容器（C)之一2Tr/lC像素組態。然而，本發明 之實施例並不限於此，且可應用於任一其他像素組態，例 如包含四個電晶體（Tr)及一個電容器（C)之一 4Tr/1C像素組 態。 142814.doc •27- 201030717 4.應用實例 根據上文所闡述之本實施例之顯示裝置可應用於圖13至 17G中以實例方式所顯示之各種電子設備中。該顯示裝置 可應用於任一領域中之電子設備中所使用之顯示裴置，其 經組態以使得一電子設備之一視訊信號輸入或一電子設備 ·- 中所產生之一視訊信號可顯示為一影像或視訊，例如一數 位相機、一筆記本大小的個人電腦、一行動終端裝置（例 如一行動電話）及一視訊相機。 使用根據本實施例之顯示裝置作為任—領域中之電子設❿ 備中之一顯示裝置可提供一所顯示影像之經改良品質。因 此，有利地，各種電子設備皆允許影像之高品質顯示。 根據本實施例之顯示裝置亦可包含具有一密封組態之一 / 模組。舉例而言’可形成一顯示模纽以便附接至玻璃或类員 似物之面向像素陣列單元1〇2之一透明面向部分。該透日月-面向部分可具有-遽色器、一保護性膜及類似物且亦可 具有一光屏蔽膜。該顯示模組可具有經细態以自外部輸入 :信號或類似物或將一信號或類似物輸出至一像素陣列單© 7L之-電路單元、—撓性印刷電路（Fpc)及類似物。 下文將闡述其t可應用本實施例之顯示裝置之電子設備 之具體實例。 圖13係顯示根據本實施例之—應用實例之—電視機之外 觀之：透視圖。根據該應用實例之電視機包含一視訊顯示 螢幕单几1〇7 ’其具有-前部面板⑽、-滤光玻璃109及 類{物T藉由使用根據本實施例之顯示裝置來Μ視$ 142814.doc •28- 201030717 顯示螢幕單元107。 圖14A及14B係顯示根據本實施例之另一應用實例之一 數位相機之外觀且分別顯示該數位相機之前部及後部之透 視圖。根據本應用實例之數位相機包含用於發射閃光之一 發光單元111、一顯示單元112、一選單開關i 13、一快門 按鈕114。可藉由使用根據本實施例之顯示裝置來實施顯 示單元112。
圖15係顯示根據本實施例之一應用實例之一筆記本大小 的個人電腦之外觀之一透視圖。根據本應用實例之筆記本 大小的個人電腦具有：一主體121，其包含經操作以輸入 子符或類似物之一鍵盤122;及一顯示單元123，其用於顯 不一影像。可藉由使用根據本實施例之顯示裝置來實施顯 示單元123。 圖16係顯示根據本實施例之一應用實例之一視訊相機之 外觀之一透視圖。根據本應用實例之視訊相機包含：—主 單7G 131 ; —透鏡132，其安置於該視訊相機之一側表面上 以便朝向前部定向且經組態以拍攝一對象；一開始/停止 開關133，其經操作以用於拍攝；及一顯示單元134。可藉 由使用根據本實施例之顯示裝置來實施顯示單元134。 ^ 圖PA至係顯示根據本實施例之一應用實例之—行 動終端裝置（例如’-行動電話）之外部視圖。圖nA及= 分別係處於其打開狀態中之該行動電話之—前視圖及—側 視圖。圖^、17卜17卜171?及17(}分別係處於其閉人狀 態中之該行動電話之一前視圖、一左側視圖、一右側視 142814.doc -29. 201030717 圖、一俯視圖及一仰視圖。根據本應用實例之行動電話包 含一上部外殼141、一下部外殼142、一連接部分（此處， 一鉸鏈部分）143、一顯示器144、一子顯示器145、一晝面 燈146及一相機147。可藉由使用根據本實施例之顯示裝置 來實施顯示器144或子顯示器丨45。 現在將給出本發明之實施例之用於避免一驅動電晶體之 一閘極電極與一電光元件之一第二電極之間的一電短路之 其他特徵之一闡述。 圖1 8Α至1 8C係圖解說明一像素之一佈線結構之圖示。 圖18A係該像素之—平面圖，且圖18B及18C係沿圖i8A之 線XVIIIB-XVIIIB與XVIIIC_XVIIIC所截取之橫截面圖。如 在圖18A中所顯示之一圖案佈局中，一儲存電容器I。與一 輔助電容器1J大致經配置以使得（就藉此所佔據之區域及 圖案佈局效率而言）儲存電容器⑴之至少一個側與輔助電 谷器1J之至少一個側彼此此鄰。 如圖18B之橫截面圖中所顯示，儲存電容器1(：與辅助電 容器1J經配置以使得第一電極〇1在一玻璃基板上彼此毗鄰 且第二電極藉助該等第一電極〇1與該等第二電極之間的一 閘極絕緣膜Ml整體地形成於一多晶矽電極p_Si中。當使用 —低溫多晶矽製程來形成一多晶矽電極卜“時，儲存電容 器1C與輔助電容器υ係由平行扁平板以將第一電極〇丨形成 為第一金屬佈線且將第二電極形成為一多晶矽電極p_Si2 此一方式形成。 在圖18C中，為圖解說明圖18B中所顯示之佈線佈局與 1428l4.doc 201030717 充當圖7A所顯示之儲存電容器1C及輔助電容器1J之上部電 極及下部電極之間的關係，圖18C中之圓括號中之編號表 示圖7A中所顯示之電極之參考編號。充當儲存電容器
之第電極D1(g)之第一金屬佈線係連接至驅動電晶體1B 之閘極g，且充當第二電極之多晶矽電極係連接至 驅動電晶體1B之源極s。此外，充當辅助電容器丨了之第一 電極Dl(lH)之第一金屬佈線係連接至有機£1^元件1〇之陰 極1H，且充當第二電極之多晶矽電極p_Si(s)係連接至驅動 電晶體1B之源極s。 然而，在低溫多晶矽製程中，由於難以極好地避免因在 製造製程期間所產生之灰塵或類似物而出現圖案缺陷，因 此亦可採用TFT製造製程中之雷射修復技術。特定而言， 因相同層中之佈線中之一圖案缺陷導致的一短路以顯著高 於中間層佈線中之一短路之速率的一速率出現。 亦即，在圖18A至18C中，儲存電容器1C與輔助電容器 1J之第一電極D1係彼此毗鄰地提供於相同層（第一金屬佈 線）中。因此，灰塵或類似物很可能在製造製程中附接至 佈線，從而導致其間出現一短路之一危險。佈線之間的短 路對應於圖7A中所顯示之驅動電晶體1B之閘極g與有機 元件ID之陰極（驅動電晶體1B之源極s)之間的一短路，且 可引起一有缺陷的像素及在轉移方向前面的像素的照度之 一改變。 5.根據本實施例之實例組態 像素電路 142814.doc 201030717 請係圖解說ι像素電位之設定之_電路圖 電路包含-有絲元件1D、—驅動電晶體iB、i = 晶體1A及一儲存電容器1匚。 具體而言，有機EL元件1D之一陽極電極係連接至驅動 電晶體1B之一源極電極，且 、 呢莉电日日體1B之—閘極電極 係連接至寫人mA之—源極電極或沒極電極1存電 容器⑴係進一步連接於驅動電晶體ib之閘極與源極電極 之間。另外’-辅助電容心係連接於有機EL元件1〇之 陽極（第一電極）與陰極（第二電極）之間。 信號線DTL係連接至寫入電晶體1A之沒極電極或源極電 極。寫入電晶體1A之一閘極電極係連接至一掃描線（未顯 不）’且給出一預定定時。一電源線DSL係連接至驅動電晶 體1B之汲極電極。 在像素電路之以上組態中，在本實施例中，儲存電容器 1C與輔助電容器ij係配置成彼此献鄰，且儲存電容器I。之 佈線（使其與驅動電晶體1B之閘極電極導電）與輔助電容器 1J之佈線（使其與有機EL元件1D之陰極電極導電）係提供於 不同層中，此構成一特徵。 此外’在本實施例中，在像素電路之以上組態中，儲存 電容器1C之佈線（使其與驅動電晶體1B之源極電極導電）與 輔助電容器1J之佈線（使其與有機EL元件1D之陽極電極導 電）係提供於不同層中。 因此’由於儲存電容器1C之佈線（使其與驅動電晶體1B 之閘極電極導電）與輔助電容器1J之佈線（使其與有機els 142814.doc •32- 201030717 件1=之陰極電極導電）係提供於不同層中，因此與其中其 等提供於相同層中之情形相比較可更有效地避免在該等佈 . 線之間出現一短路。 .. 本文中，以上佈線係主要佈線，其等係安置於一基板之 扁平表面及該基板上之一絕緣膜上之一扁平表面上且 不包含提供於層之間的觸點及類似物。在本實施例中，以 上佈線中之一者係由一第一金屬佈線形成且另一者係由多 曰曰矽形成，其係相對於該第一金屬佈線藉助其間之一閘極 W 絕緣膜形成。 系統組態 、 圖1〇係顯示本實施例之一實例之-系、统組態圖。如圖1〇 斤顯示 有機EL顯示裝置1 〇 〇經組態以包含：一像素 陣列單元102，其具有配置成一二維矩陣之像素 (PXLC)lOl ,及一驅動單元，其配置於像素陣列單元〖ο]周 圍以驅動像素101。用於驅動像素1〇1之該驅動單元包含 ❿（例如）一水平驅動電路103、一寫入掃描電路1〇4及一供電 掃描電路105。 像素陣列單元1〇2具有掃描線WSL-1至WSL-m、電源線 DSL-1至DSL_m&信號線〇1^_1至1)几_11以用於爪列n行像 . 素陣列。掃描線WSL-1至WSL-m及電源線DSL-isDSL_m - 係經安置以用於個別列，且信號線DTL-1至DTL-n經安置 以用於個別像素行。以上組態係與圖丨中所顯示之系統組 態相同。 佈線結構 142814.doc •33- 201030717 圖19A至20係圖解說明根據本實施例之一實例佈線結構 之圖示。圖19A係一平面圖，且圖19B及19C係分別沿圖 19A之線XIXB-XIXB與XIXC-XIXC所截取之橫截面圖。圖 20係沿圖19A之線XX-XX所截取之一橫截面圖。如在圖 19A中所顯示之一圖案佈局中，儲存電容器ic與輔助電容 1J經配置以使得（就藉此所佔據之區域及圖案佈局效率 而言）儲存電容器1C之至少一個侧與輔助電容器1J之至少 一個側彼此毗鄰。 儲存電容器1C係形成為具有一第一電極D1及充當一第 二電極之一多晶石夕電極p-Si之一平行扁平板，且輔助電容 器1J係形成為具有一第一電極D1及充當一第二電極之一多 晶矽電極p-Si'之一平行扁平板。因此，在本實施例中，藉 由使用分離多晶矽電極代替一積體電極來實施儲存電容器 1C及輔助電容器1J之第二電極。 此外，儲存電容器1C之電極（使其與驅動電晶體1B之閘 極g導電）與輔助電容器1J之電極（使其與有機EL元件iD之 陰極1H導電）係提供於不同佈線層中。亦即，儲存電容器 1C之電極（使其與驅動電晶體iB之閘極g導電）與輔助電容 器1J之電極（使其與有機EL元件1D之陰極1H導電）中之一者 係界定於一第一金屬佈線層中，且另一者係界定於一多晶 矽電極p-Si層中。 圖19B及19C顯示佈線之具體實例。在該等圖中，圓括 號中之編號對應於圖9B中所顯示之電極之編號。 首先，在圖19B中所顯示之具體實例中，儲存電容器I。 142814.doc -34· 201030717 經組態以使得充當第一金屬佈線之第一電極D1 (g)係連接 至驅動電晶體1B之閘極g且充當第二電極之多晶矽電極& . Si(s)係連接至驅動電晶體iB之源極s。辅助電容器u經組 • 態以使得充當第一金屬佈線之第一電極D1 (s)係連接至驅 動電晶體1B之源極s且充當第二電極之多晶矽電極& Si\lH)係連接至有機EL元件ID之陰極1H。 因此，儲存電容器1C之電極Dl(g)(使其與驅動電晶體1B 參 之閘極g導電）與輔助電容器1J之電極（多晶矽電極p_ Si’（lH) ’使其與有機EL元件1D之陰極m導電）係提供於不 同佈線層中。由於此等佈線不在相同層中，因此可實現其 中較不可能因在製造製程期間所產生之灰塵或類似物而出 、 現一短路之一結構。 此外，在以上佈線結構中，儲存電容器1C與辅助電容器 1J之第二電極亦係提供於不同佈線層中。由於該等層係藉 助對角地固持於其間之一絕緣層而定位，因此與其中第二 Φ 電極係提供於相同層中之情形相比較可顯著減少一圖案短 路之危險。 接下來，在圖19C中所顯示之具體實例中，儲存電容器 ic經組態以使得充當第一金屬佈線之第一電極Di(s)係連 . 接至驅動電晶體1B之源極s且充當第二電極之多晶矽電極 p Si(g)係連接至驅動電晶體丨B之閘極g。辅助電容器u經 組態以使得充當第一金屬佈線之第一電極D1(1H)係連接至 有機EL元件1D之陰極出且充當第二電極之多晶矽電極 Si (s)係連接至驅動電晶體丨B之源極s。換言之，圖19C中 142814.doc -35- 201030717 所顯不之佈線結構具有與圖19 B中所顯示之各別電容器之 電極之佈線之間的連接關係相反之一連接關係。 因此，儲存電容器1C之電極D 1(g)(使其與驅動電晶體1B 之閘極g導電）與辅助電容器U之電極（多晶矽電極p_ Sr(lH) ’使其與有機EL元件ID之陰極1H導電）係提供於不 同佈線層中。由於此等佈線不在相同層中，因此可實現其 中較不可能因在製造製程期間所產生之灰塵或類似物而出 現一短路之一結構。 此外，在以上佈線結構中，儲存電容器1C與輔助電容器 1J之第一電極亦係提供於不同佈線層中。由於該等層係藉 助對角地固持於其間之一絕緣層而定位，因此與其中第二 電極係提供於相同層中之情形相比可顯著減少一圖案短路 之危險。 圖20係沿圖19A之線XX-XX所截取之—橫截面圖。在圖 20中’圖解說明圖1 9B中所顯示之電極之間的佈線關係。 如較早所闞述’儲存電容器1C之電極（多晶矽電極p_Si(s)， 使其與驅動電晶體1B之源極s導電）與辅助電容器丨】之電極 Dl(s)(使其與有機EL元件1D之陽極（亦即，驅動電晶體1B 之源極s)導電）係提供於不同佈線層中。然而，期望使各別 電極彼此導電，乃因該等電極表示同一節點。 因此，如在圖20中所顯示，延伸穿過中間層絕緣膜M1 及M2之一接觸孔CH1係連接至輔助電容器u之電極 D1 (s) ’且延伸穿過中間層絕緣膜m2之一接觸孔CH2係連 接至儲存電容器ic之電極（多晶矽電極p_Si(s))。使用一第 142814.doc •36· 201030717 —金屬佈線D2來使接觸孔CH1與接觸孔CH2彼此導電。 具有與圖20中所顯示之儲存電容器1(：及辅助電容器1;之 _ 電極之間的連接關係相反之一連接關係的一類似結構可應 用於圖19C中所顯示之電極之間的佈線關係。 驅動方法 圖Π係圖解說明根據本實施例之用於驅動一顯示裝置之 一方法之一定時波形圖。圖n十所顯示之定時波形圖類似 ❹於圖3中所顯示之定時波形圖之處在於重複一發光週期、 臨限值校正週期及一取樣週期&遷移率校正週期。 在根據上文所闡述之本實施例之像素佈局（佈線結構） 中，雖然儲存電容器1C與輔助電容器丨了彼此毗鄰，但在驅 、 動電晶體1B之閘極g與有機EL元件1D之陰極1H之間較不可 " 能出現一短路，因此減少出現一有缺陷的像素。因此，執 行上文所闞述之驅動方法以防止出現圖8中所顯示之不能 發射光之之一有缺陷的像素以使得視訊信號線D T L之電位 • 在圖8中所顯示之週期（F)至⑴期間不被拉至陰極電位 Vcath或不產生其照度增加之像素。 在上文所闡述之實施例中，已以實例方式闡述了對包含 有機EL元件作為像素101之電光元件之一有機El顯示裳1 . 之應用。然而，本發明之實施例並不限於此應用實例，且 可應用於包含一電流驅動型電光元件（發光元件）之任—顯 示裝置，該電流驅動型電光元件之發光照度根據在裝置中 流動之一電流之電流值而改變。 此外，像素101每一者具有以實例方式包含兩個電晶體 142814.doc • 37- 201030717 (Tr)及一個電容器（C)之一 2Tr/lc像素組態。然、而，本發明 之實施例並不限於此，且可應用於任__其他像素組態，例 如包含四個電晶體（Tr)及一個電容器（c)之—4Tr/ic像素組 態。 、 本申請案含有與繼日在日本專利局提出申請 之曰本優先權專利申請案JP Η 曰在日本專利局提出中請之2__316551中所揭示之標的 物相關之標的物，該等申請案之全部内容藉此以引用方式 併入本文中。 熟習此項技術者應理解，可端視設計要求及其他因素而 作出各種修改、組合、子組合及變更，只要其等係在隨附 申請專利範圍及其等效内容之範嘴内。 【圖式簡單說明】 圖1係示意性地顯示根據本發明之一實施例之一主動矩 陣有機EL·顯示裝置之組態之一系統組態圖； 圖2係顯示一像素（像素電路）之一具體實例組態之一電 路圖； 圖3係圖解說明根據本發明之實施例之主動矩陣有機el 顯示裝置之操作之一定時波形圖； 圖4A至4D係圖解說明根據本發明之實施例之主動矩陣 有機EL顯示裝置之電路操作之圖示（第—部分）； 圖5 A至5D係圖解說明根據本發明之實施例之主動矩陣 有機EL顯示裝置之電路操作之圖示（第二部分）； 圖6A至6C係圖解說明根據本發明之實施例之主動矩陣 142814.doc -38- 201030717 有機EL顯示裝置之電路操作之圖示（第三部分）； 圖7A及7B係圖解說明一驅動電晶體上之—短路之六文應 . 之圖.不， 圖8係當已出現一缺陷時之一定時波形圖； 圖9 A及9B係圖解說明根據本實施例之一像素電位之設 • 定之一實例之電路圖； 圖10係顯示根據本實施例之一顯示裝置之—實例之一系 統組態圖； 參 圖11係圖解說明根據本實施例之用於驅動一顯示裝置之 一方法之一定時波形圖； 圖12係當一缺陷已出現於根據本實施例之像素組態中時 '· 之一定時波形圖； ·- 圖13係顯示根據本實施例之一應用實例之一電視機之外 觀之一透視圖； 圖14A及14B係顯示根據本實施例之另一應用實例之一 φ 數位相機之外觀且分別顯示該數位相機之前部與後部之透 視圖； 圖15係顯示根據本實施例之另一應用實例之一筆記本大 * 小的個人電腦之外觀之一透視圖； .- 圖16係顯不根據本實施例之另一應用實例之一視訊相機 之外觀之一透視圖； 圖17A至17G係顯示根據本實施例之另一應用實例之一 订動電話之外部視圖，其中圖17八及I”分別係處於其打 開狀態中之該行動電話之一前視圖及一側視圖，且圖 142814.doc -39· 201030717 17C、17D、17E、17F及17G分別係處於其閉合狀態中之該 行動電話之一前視圖、一左側視圖、一右側視圖、一俯視 圖及一仰視圖； 圖1 8 A至1 8C係圖解說明一像素之一佈線結構之圖示， 其中圖18A係該像素之一平面圖，且圖18B及18C係沿圖 18八之線又¥1113-又¥1113與乂¥111(：-又¥111(：所截取之橫截面 園， 圖19A至19C係圖解說明根據本實施例之一實例佈線結 構之圖示（第一部分）；且 圖20係圖解說明根據本實施例之該實例佈線結構之一圖 示（第二部分）。 【主要元件符號說明】 1A 寫入電晶體 1B 驅動電晶體 1C 儲存電容器 1D 有機EL元件 1H 共同電源線 11 EL電容器 1J 輔助電容器 100 有機EL顯示裝置 101 像素 102 像素陣列單元 103 水平驅動電路 104 寫入掃描電路 142814.doc -40- 201030717
105 供電掃描電路 107 視訊顯示螢幕單元 108 前部面板 109 濾光玻璃 111 發光單元 112 顯示單元 113 選單開關 114 快門按鈕 121 主體 122 鍵盤 123 顯示單元 131 主單元 132 透鏡 133 開始/停止開關 134 顯示單元 141 上部外殼 142 下部外殼 143 連接部分 144 顯示器 145 子顯示器 146 鏡畫燈 147 相機 CHI 接觸孔 CH2 接觸孔 142814.doc -41 - 201030717 ck 時鐘脈衝 COM 共同佈線 D1 第一電極 D2 第二金屬佈線 DS 電源線電位 DSL 電源線 DTL 信號線 g 閘極 Ids >及極-源極電流 Ml 中間層絕緣膜 M2 中間層絕緣膜 p-Si 多晶碎電極 p-Si' 多晶碎電極 s 源極 sp 開始脈衝 Va 電位 Vo 視訊信號參考電位 WS 寫入脈衝 WSL 掃描線 142814.doc -42-

Claims (1)

  1. 201030717 七、申請專利範圍·· 1· 一種顯示裝置，其包括： . 像素陣列单元’其具有配置成一矩陣之像素，每/ • 像素具有包含一有機電致發光元件、一驅動電晶體、一 寫入電晶體及一儲存電容器之一電路組態，其中該有機 電致發光元件之一陽極電極係連接至該驅動電晶體之一 源極電極，該驅動電晶體之一閘極電極係連接至該寫入 電晶體之一源極電極或汲極電極，且該儲存電容器係連 接於該驅動電晶體之該閘極與源極電極之間； 掃描線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等
    電晶體之該等閘極電極； 電源線’其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等
    該等汲極電極；及
    之該驅動電晶體之臨限值校正 號係在一先前列中之像素之 ’且當執行對一當前像素中 正時’該視訊信號參考電位 142814.doc 201030717 與該有機電致發光元件之一陰極電極之一電位彼此相 等。 2’如研求項1之顯示裝置’其中該視訊信號參考電位經調 整從而等於該陰極電極之該電位。 3·如請求項丨之顯示裝置，其中該陰極電極之該電位經調 整從而等於該視訊信號參考電位。 4. 一種顯示裝置，其包括： 一像素陣列單元’其具有配置成一矩陣之像素，每— 像素包3 . 一電光元件；一寫入電晶體，其經組態以寫 入視讯信號；一儲存電容器，其經組態以儲存由該寫 入電阳體所寫入之該視訊信號；及一驅動電晶體其經 組態以基於儲存於該儲存電容器中之該視訊信號驅動該 電光元件； 掃描線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等 像素之個別列且經組態以將一掃描信號供應至該等寫入 電晶體； 電源線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等 像素之該等個別列且經組態以選擇性地將—第一電位及 低於該第一電位之一第二電位供應至該等驅動電晶體之 汲極電極；及 乜號線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該等 像素之個別行且經組態以選擇性地將一視訊信號及一視 訊信號參考電位供應至該等寫入電晶體， 其中該視訊信號參考電位係供應至該等信號線達—週 142814.doc -2- 201030717 5. ❹ ❹ 期，在該週期期間該掃描信號係在一先前列中之像素之 °動』間供應至該等掃描線’且當執行對—當前像素中 u驅動電晶體之臨限值校正時，該視訊信號參考電位 與該電光件之-共同電位彼此相等。 一種用於驅動-顯示|置之方法，該顯示裝置包含：― 像素陣列單70 ’其具有配置成-矩P車之像素，每-像素 具有1：路组態’其中—有機電致發光元件之—陽極電 係連接至-驅動電晶體之一源極電極，該驅動電晶體 之。閘極電極係、連接至_寫人電晶體之—源極電極或沒 和電極且一儲存電容器係連接於該驅動電晶體之該閘 極與：極電極之間；掃描線，其等經安置以用於該像素 口單元中之δ亥等像素之個別列且經組態以將一掃描信 號供f至料寫人電晶體之該等祕電極；電源線，其 等、&女置以用於該像素陣列單元中之該等像素之該等個 別列讀組態以選擇性地將—卜電位及低於該第一電 第一電位供應至該等驅動電晶體之該等汲極電極 :原極電極，及化號線，其等經安置以用於該像素陣列 单70中之該等像素之個別行且經組態關擇性地將一視 訊信號及-視訊㈣參考電位供應至該等寫人電晶體之 該等汲極電極，該方法包括以下㈣： 將該視訊信號參考電位供應至該等信號線達一週期， 在該週期期間該掃描信號係在—先前列中之像素之驅動 期間供應至該等掃描線；及 當執行對—當前像素中之該驅動電晶體之臨限值校正 142814.doc 201030717 時，》又疋該視訊信號參考電位及該有機電致發 一陰極電極之一電位以便具有一相同電位值。70件之 6. —種電子設備，其包括： 一顯不裝置，其提供於該電子設備之一外殼中 該顯示裝置包含 1豕I陣列单元，其具有配置成一矩陣之像素，每 一像素具有包含一有機電致發光元件、一驅 一寫入電s曰體及一儲存電容器之一電路組態，其中該有 機電致發光元件之-陽極電極係連接至該驅動電晶：之 一源極電極，該驅動電晶體之一閘極電極係連接至該寫 入電晶體之一源極電極或汲極電極，且該儲存電容器係 連接於該驅動電晶體之該閘極與源極電極之間， ^掃描線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該 等像素之個別列且經組態以將一掃描信號供應至該等寫 入電晶體之該等閘極電極， 電源線，其荨經安置以用於該像素陣列單元中之該 等像素之該等個別列且經組態以選擇性地將一第一電位 及低於該第一電位之一第二電位供應至該等驅動電晶體 之該等汲極電極，及 信號線，其等經安置以用於該像素陣列單元中之該 等像素之個別行且經組態以選擇性地將一視訊信號及一 視訊信號參考電位供應至該等寫入電晶體之該等汲極電 極或源極電極， 其中該視訊信號參考電位係供應至該等信號線達一週 142814.doc 201030717 期，在該週期期間該掃描信號係在一先前列中之像素之 驅動期間供應至該等掃描線，纟當執行對一當前像素中 之該驅動電晶體之臨限值校正時，該視訊信號參考電位 與該有機電致發光元件之一陰極電極之一電位彼此相 等。 一種顯示裝置，其包括： 像素陣列單元，其具有配置成一矩陣之像素，每一
    像素具有包含一電光元件、一驅動電晶體、一寫入電晶 體、一儲存電容器及一辅助電容器之一電路組態，其中 該電光70件之一第一電極係連接至該驅動電晶體之一源 極電極，該驅動電晶體之一閘極電極係連接至該寫入電 晶體之一源極電極或汲極電極，該儲存電容器係連接於 。亥驅動電晶體之該閘極與源極電極之間，且該辅助電容 器係連接於該電光元件之該第一電極與該電光元件之一 第二電極之間， 其中該儲存電容器與該輔助電容器係配置成彼此毗 鄰，且 其中該儲存電容器之使其與該驅動電晶體之該閘極電 極導電之一佈線與該輔助電容器之使其與該電光元件之 ”亥第二電極導電之一佈線係提供於不同層中。 8·—種顯示裝置，其包括： —像素陣列單元，其具有配置成一矩陣之像素，每一 像素具有包含一電光元件、一驅動電晶體、一寫入 ,g曲 电日日 菔、—儲存電容器及一辅助電容器之一電路組態，其中 142814.doc 201030717 Λ電光疋件之—第—電極係連接至該驅動電晶體之-源 曰 °亥驅動電晶體之一閘極電極係連接至該寫入電 體之源極電極或没極電極，該错存電容器係連接於 該驅動電晶體之該閘極與源極電極之間且該輔助電容’ 器係連接於該電光元件之該第-電極與該電光元件之-' 第一電極之間， 其中5亥儲存電容器與該辅助電容器係配置成彼此毗 鄰，且 其中该儲存電容器之使其與該驅動電晶體之該源極電_ 極導電之—佈線與該輔助電容器之使其與該電光元件之 該第一電極導電之一佈線係提供於不同層中。 9. 10. 11. 如π求項7或8之顯示裝置’其中該等不同層中之—者係^ 第佈線層且另一層係一多晶碎層。 如請求項7至9中之任一項之顯示裝置，其中該電光元件* 係一有機電致發光元件， 其中該第一電極係一陽極電極，且 其中該第二電極係一陰極電極。 ❹ 一種電子設備，其包括： 一顯不裝置，其提供於該電子設備之一外殼中， 該顯示裝置包含 ‘ 一像素陣列單元，其具有配置成一矩陣之像素每 ， 一像素具有包含一電光元件、一驅動電晶體、—寫入電_ 晶體、一儲存電容器及一輔助電容器之一電路組態，其 中該電光元件之一第一電極係連接至該驅動電晶體之一 142814.doc -6 · 201030717 源極電極，該驅動電晶體夕 SB ^ ^ , 日體之—閘極電極係連接至該寫入 電晶體之一源極電極或汲搞银· 及極電極，該儲存電容器係連接 於該驅動電晶體之該閘極盥湃 性興原極電極之間，且該輔助電 容器係連接於該電光元件之兮筮 书兀* 干之該第一電極與該電光元件之 一第二電極之間， 其中該儲存電容器與該辅助電容器係配置成彼 鄰，且
    其中錢存電容器之使其與該驅動電晶體之該閉極 '極導電之-佈線與該辅助電容器之使其與該電光元件 之該第二電極導電之—佈線係提供於^同層中。
    142814.doc
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