TW201023671A - A method of making a top-emission type organic light-emitting diode and a product made therefrom - Google Patents

Description

201023671 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係與有機發光二極體有關，特別是指一種具高 散熱之上發光型有機發光二極體之製作方法及其結構。 【先前技術】 有機發光二極體（organic light-emitting diode，OLED) 係以一有機發光層疊置於一上電極及一下電極之間，當 上、下電極受到驅動產生電壓時，有機發光層内部則產生 電子電洞結合反應使有機發光材料内部電子受到激發，然 後以極快的速度躍遷回基態能階並發出特定波長之可見 光；因此將有機發光二極體製作為矩陣像素元件可應用於 顯示器裝置使具有快速之電致發光反應，尤其各像素對應 之有機發光二極體之下電極可配合由主動式電晶體元件所 驅動，當顯示器裝置愈趨大尺寸需求時，仍然可達成快速 驅動顯示之反應。至於使各有機發光二極體之下電極接設 ;主動式電體元件，上電極以具南光穿透率之導電材質 構成一共同電極，以此製成之上發光型有機發光二極體 (top-emission organic light-emitting diodes，TEOLEDs )顯 示器裝置雖可獲得較大之顯示開口率，然若以如IT〇等透 明導電玻璃材質提供上電極最佳之光穿透率，卻同時具有 高電阻係數特性，使上電極所構成之共同電極產生不:要 之電壓梯度；因而為避免各像素之上、下電極對有機發光 層之壓降不均致使顯示效果不均，往往需將有機發光二極 4 201023671 體操作在高亮度以致高電流密度之條件下，進而使有機材 料谷易因為過熱產生結晶而導致劣化’造成顯示器震置之 使用壽命降低。 縱使美國物理協會於2001年所發表之應用物理期刊

(Applied Physics Letters)第 78 期 P.544-540 中，由 L.S

Hung與C.W. Tang等人揭露一種半透明陰極結構 (Semitransparent cathode)，係使用極薄的 LiF/Al 雙層結 .構與一層薄Ag層來作為有機發光二極體之陰極結構，陽 極則使用透明的IT0電極並於背面塗佈金屬Ag反射層， 整體元件結構可疊置為Ag / ITO / NPB 75nm / Alq3 75nm / LiF 〇.3nm / A1 0.6nm / Ag 20nm / Alq3 52nm 以實現上發光 型有機發光二極體之製作；該有機發光二極體雖於發光面 之陰極結構具有光穿透性及低電阻性，然為使有機材料朝 陽極所發出之光可穿過陽極由金屬Ag反射回上方再穿過 陰極發出’陽極所需使用之透明IT0材質仍具有高電阻係 • 數特性’致使二極體在操作時容易產生電極過熱之現象。 另’美國物理協會於2003年所發表之應用物理期刊第 83期p.5127_5129 中，由Chieh-Wei Chen與Ping-Yuan Hsieh 等人揭露一種以金屬Ag形成上發光型有機發光二極體之 陽極結構’使該有機發光二極體之陽極具有光反射性及低 電阻性，該有機發光二極體係將Ag表面經以紫外線照射形 成之臭氧（UV-ozone)進行氧化處理，使Ag產生化學變化 並於表面形成一層Ag2〇 (2Ag + 03 -> Ag20+ 02)，由於 Ag2〇之費米能階（Fermi level)介於4.8-5.1之間為符合P型 5 201023671 半導體特性，可有利於Ag陽極透過Ag2〇將電洞注入有機 層，整體元件結構可疊置為Ag/Ag2O/m-MTDATA30nm/ a -NPD 20nm / Alq3 50nm / LiF 0.5nm / A1 lnm / Ag 20nm / Te〇2 40nm以實現上發光型有機發光二極體之製作；然， 以具有尚光反射係數之Ag金屬材質作為該有機發光二極 體兩側之電極，反而使該有機發光二極體具有強烈的微共 振腔（microcavity)效應，不但因出射光有較高之方向性 亦即其韓射半波寬較窄’致使視角受到侷限，且不同視角 亦產生不同之色頻變化，降低該有機發光二極體所製成顯 示器之顯示品質。 爾後’美國物理協會於2004年所發表之應用物理期刊 第84期P.4614-4616中’由R.B. Pode與C.J· Lee等人揭露一種 由錄金屬陽極及半透明金屬陰極Ca 10nm/Ag l〇nm所製 成之上發光型有機發光二極體’不但可以達到7〇 %的穿透 率’且陰極朝有機材料之表面僅有14%的光反射率，因而 降低由兩側金屬電極之Fabry-Perot干涉所導致之微共振腔 效應’整體元件結構可疊置為Ni 200nm /a-NPD 50nm /Alq3 35nm /BCP 5nm /Ca lOnm /Ag lOnm以實現上發光型 有機發光二極體之製作；加入Ca層為使Ca/Ag之雙層陰極 、、’σ構具有較早一Ag層為高之光穿透率’且由於ca為容易與 水氣形成氧化反應，故包覆特定厚度之Ag層同時有防止Ca 氧化之作用’然Ca材質卻具有較高的片電阻（sheet resistance)特性，若欲增加(^層厚以降低陰極片電阻，卻 因顧及光穿透率之條件使用以阻擋Ca氧化之人§層厚度受 6 201023671 到限制，故容易增加Ca氧化機率而影響陰極的電子注入特 1·生使降低陰極導電率，因*在陰極片電阻之影響下致使陰 極之電能利用效率降低。 外’。當0咖&件進入商品化階段時，其如何將 I於操作下所產生的熱能散逸 ，必定將是一重大設計 =里，但目别對於散熱技術運躲有機發光二極體之部 分’卻尚未有任何研究探討，因此本專利將以此研究為主 轴。 【發明内容】 ®此’本㈣之主要目的乃在於提供—種上發光型有 機，光一極體之製作方法及其結構，可使有機發光二極體 操作過程所產生的熱得到有效的散逸，提升長 下的使用壽命。 ^ 本發明之另一目的乃在於提供一種使有機發光二極體 • '作過程具有高度平坦性之製作方法及其結構，避免有機 發光一極體之局部電極產生尖端放電，有效提升有機發光 —極體之發光亮度及發光效率。 、為達成前揭目的，本發明所提供之一種上發光型有機 發光一極體之製作方法及其結構係利用一種散熱材料作 為上發光型有機發光二極體之基板，並於基板上設有一具 緣特1±之平坦I，再於該平坦層上疊置陽極層、有機層 ^ 層，由於基板為南熱傳導係數的材質，對於有機發 光二極體内部於高電流密度、高亮度操作下所產生的熱， 7 201023671 可藉由基板傳導出去，有效降低有機發光二極體内部累積 之熱能’縣錢發光二_在長_操作林速損毀； 由於平坦層可使絲表面平純，避錢續製成之陽極層 及陰極層發生局部電荷累積之現象而產生之尖端放電效 應’進㈣免錢相部有機_之魏，㈣大幅提高 有機發光二極體之使用壽命，並具有良好的發光亮度及發 光效率。 【實施方式】 以下，兹配合若干圖式列舉對應之較佳實施例，用以 對本發明之組成構件及功效作進—步說明，其中所用各圖 式之簡要說明如下： 第-圖係為本發明第一較佳實施例所提供之結構示意 圖； 第二圖係為本發明第二較佳實施例所提供之方法流程 isi · 園， 第二圖係為上述第二較佳實施例所提供製作之該有機 發光二極體相較於制有機發光二極體之電流密度電愿曲 線圖； 第四圖係為上述第二較佳實施例所提供製作之該有機 發光二極體相較於習用有機發光二極體之亮度對電流密度 曲線圖； 第五圖係為上述第二較佳實施例所提供製作之該有機 發光二極體相較於習用有機發光二極體之發光效率對電流 8 201023671 密度曲線圖； 第六圖係為上述第二較佳實施例所提供製作之該有機 發光二極體相較於習用有機發光二極體之功率效率對電流 . 密度曲線圖； 第七圖A及第七圖B分別為習用有機發光二極體及上 述第二較佳實施例所提供製作之該有機發光二極體於正常 操作電壓下之熱影像分佈圖，其中第七圖A為利用傳統玻 • 璃為基板，而第七圖B為利用高散熱之銅金屬為基板； 第八圖A及第八圖B分別為習用有機發光二極體及上 述第二較佳實施例所提供製作之該有機發光二極體於較高 操作電壓下之熱影像分佈圖，其中第八圖A為利用傳統玻 璃為基板，而第八圖B為利用高散熱之銅金屬為基板。 請參閱如第一圖所示，為本發明第一較佳實施例所提 供之一上發光型有機發光二極體丨，可製作為矩陣分佈之 圖案以設置於主動式矩陣元件上由主動元件驅動操作或設 • 置於被動式矩陣元件上透過被動元件獲得外部驅動電源， 該有機發光二極體1係利用具有高熱傳導係數之金屬材質 _該有機發光二極體1之-基板1G，並於該基板1〇上 先後疊置-平坦層20、-陽極層3G、—有機層4〇以及一 陰極層50，其中： 該基板10可以較之一般玻璃材質或常用之透明導電 玻璃有高於2個級數之熱傳導係數之材質製成，使該有機 發光二極體1具有較習用之有機發光二極體更佳之散熱功 效’該基板1G並可選用易於拋光或研磨製程之材質，使後 9 201023671 續疊置之材料具有適當之製程平整度；以本實施例所提供 該基板ίο之材質可為金屬或金屬半導體混合物等，同時具 有高熱傳導係數及易於研磨製程之條件。 - 該平坦層20係以薄的絕緣材質所製成，使該金屬基板 1G與該陽極層如具有電性隔絕效果，更可提供後續製程 之該陽極層30、有機層40及陰極層50得以維持平整的表 面，避免電壓施加於該陽極層30及陰極層5〇時於不平整 藝㈣位因電場強度增加而產生電荷累積，進而造成該二極 體1局部電壓崩潰的機制’更可避免該有機層4〇製程厚度 不均，因而造成該有機層40於該二極體丨操作過程發生局 劣化之現象；以本實施例所提供該平坦層可以如樹脂 等有機絕緣材質或如氧化物等無機絕緣材質所製成之薄 膜。 < 該陽極層30為具有高功函數的金屬材質所製成，以有 效提供電洞注入該有機層40,當然為配合製成於該平坦層 Φ 20之上，該陽極層3〇之材質選用除以顧及最佳之導電率， 亦可以一或多層之導電金屬形成，使該陽極層3〇與該平坦 . 層20具有穩固之製程接合能力，且電洞得以有效注入該有 機層40 ;以本實施例所提供該陽極層3〇先後疊置有一陽 極接觸層31及一陽極注入層32，該陽極接觸層31為同時 與該平坦層20及該陽極注入層32具有良好製程接合能力 之導電金屬材質，具有較該陽極注入層為低之片電阻值以 作為接觸電極之用，該陽極注入層32為具有高功函數之金 屬材質所製成以利於電洞有效注入該有機層4〇。 201023671 該有機層40係以多層之有機元件材料堆疊製成，包括 一電洞傳輸層41及一電子傳輸層42 ’使電洞及電子分別 自該陽極層30及陰極層50注入該有機層40後具有最佳之 電洞及電子傳輸能力，且有效阻擋注入該有機層40之電洞 及電子分別進入該陰極層50及陽極層30，使所有注入該 有機層40之電子及電洞皆能結合或再結合為電子電洞 對’以有效發出特定波長之光；以本實施例所提供該有機 層40更具有一電洞注入層43，可提高電洞自該陽極注入 層32注入該電洞傳輸層41之效率，至於該電子傳輸層42 本身即可為電子電洞對之結合處故同時為具發光特性之材 料。 該陰極層50為配合達成該有機發光二極體1之上發光 型特性，材質選用上同時兼具導電率及高光穿透率之特 性:因此可以一或多層之導電金屬材質製成具透光性之金 屬薄膜。以本實施例所提供該陰極層5 〇係先設有一具低功 函數及高光穿透率之陰極注入層51，再以高導電率之金屬 薄膜形成—陰極接觸層52 ;該陰極注入層51包括有先後 疊置，一緩衝層511及一傳導層512，該緩衝層5ΐι係以 金私或鹼土族元素之氧化物或氟化物製成為具極化特性 ^非金屬”，可與具N型半導體特性之電子傳輸層^ 七一導電陡之傳導層512之間具有良好之鍵結反應，可降 ^電子自該傳導層512注入該電子傳輸層42之能障；該陰 妾觸層52為具有低片電阻特性之金屬材質，可製成 "性之薄膜結構並維持高導電係數，同時具有不易氧化之 11 201023671 特性以保護該傳導層512，避免該傳導層512與空氣或濕 氣接觸發生氧化而因此降低該陰極層5〇之導電性。 請參照如第二圖所示，係為本發明所提供第二較佳實 施例之該上發光型有機發光二極體丨之製作方法’包括有 下述流程：

1.取適當厚度及面積之-金屬材質，先絲該金屬材 質表面之異物，將一側表面經研磨、拋光後再清洗並烘乾 以形成該基板10;若以銅金屬作為該基板1〇之材質為例Y (1) 先以拭鏡紙將銅金屬表面異物拭去，並利用氮氣搶將 殘留物吹掉； (2) 使用自動研磨機，將銅金屬一側表面以水砂紙分別經 粗磨及細磨後，再以鑽石研磨片拋光； (3) 置入超音波清洗機，分別經丙酮、甲醇以及去離子水 震洗，再以氮氣搶吹乾； (4) 置入烤箱去除多餘的水氣。 2·取-樹脂材佈於該基板1G上，並湘旋轉塗 佈方式使該躺材料形絲面平整之特定膜厚，該樹脂材 料固化後即形成該平坦層20 ;當然若為達更高之平整产， 可利用俗稱之光硬化樹脂（UV膠）經紫外光照射^固 化以形成該平坦層20。 3.以物理氣相沈積方式將一第一陽極材料及一第二 陽極材料先後製程於料㈣2〇上，且形成具有特定圖案 之该陽極接觸層31及陽極注入層32 ;若 \0 右以Α1金屬及Au 金屬勿別為第-％極材料及第二陽極材料為例，利用蒸鑛 12 201023671 32即可為如下步 方式形成該陽極接觸層3丨及陽極注入層 驟·

(1)於該基板10與平坦層20所構，、 置一具有特定圖案之陽極層光罩， 空腔體之旋轉台上； (2)將第一陽極材料置於一鎢舟中； (3 )提供該金屬蒸錢真空腔體内約為4xl〇-6 ton·之真空壓 力， 工 (?加熱該第_陽極材料，以熱驗法將第—陽極材料透 過陽極層光罩沈積於該平坦層2G上形成特定圖案之該陽 極接觸層3卜配合以―膜厚計監控膜厚並控制沉積速率約 為 12-13 A/sec ; (5)將第二陽極材料置於—鎢舟巾，以熱練法將第二陽 極材料透過陽極層光罩沈積於該陽極接觸層31上形成特 定圖案之該陽極注入層32,控制沉積速率約為01_〇2 A/sec並配合以一膜厚計監控膜厚。 4.提供三種有機材料’以如下述之物理氣相沈積方式 先後沈積於該陽極注入層32上以形成該有機層40，當中 形成該電洞注入層41可使用如m-MTDATA [4,4',4,,-tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylam ine]具有下例結構式之電洞注入材料 13 201023671

形成該電洞傳輸層 42 可使用如 NPB [N,N'-di(naphthalen-l-yl)-N，N'_diphenyl-benzidine]具有下 例結構式之電洞傳輸材料

Alq3[Tris-(8-hydroxy_quinolinato)-aluminium]具有下例結構 式之綠光發光材料

(1)提供一有機薄膜蒸鍍系統，具有一真空腔體、多數個 蒸鍍源以及一溫控器； 14 201023671 (2)於該基板10、平坦層20與陽極層30所構成之一蒸 鍍基材上設置一有機層光罩，共同置入該真空腔體之旋轉 台上； (3 )將該電洞注入材料置於其中一蒸鍍源； (4) 提供真空腔體約2.0xl(T6t〇rr之真空壓力；

(5) 加熱該電洞注入材料，以熱蒸鍍法將該電洞注入材料 透過有機層光罩沈積於該陽極層30上形成具有特定圖案 之該電洞注入層41，並以該溫控器控制該電洞注入材料之 沉積速率，以一膜厚計監控所形成該電洞注入層41之薄膜 厚度； ' (6 )以該電洞傳輸材料取代該電洞注入材料以重複步驟 (3)〜（6)，使該電洞傳輸材料透過有機層光罩沈積於該 電洞注入層41上形成具有特定圖案之該電洞傳輸層; (7)以該綠光發光材料取代該電洞傳輸材料以重複步驟 (3)〜（6)，使該綠光發光材料透過有機層光罩沈積於哼 電洞傳輸層42上形成具有特定圖案之該電子傳輸層43厂 5.以物理氣相沈積方式將一第一陰極材 一 陰 極材料及一第三陰極材料先後製程於該有機層40上，/ 具有特定圖案之$陰極注入層51及陰極接觸層52 ·=成 LiF、Al金屬及Ag金屬分別為第一陰極材料、第二2若以 料及第二陰極材料為例，利用蒸鍛方式形成兮,,· 材 5U、傳導層512及陰極接觸層52即可為如下步^緩衝層 (1 )於遠基板1〇、平坦層20、陽極層3〇與有 構成之一蒸鍍基材上方設置一具有特定圖案之^ 40所 15 201023671 罩’共同置入-金屬蒸鍍真空腔體之旋轉台上； ⑺將第—陰極材料置於-鶴舟中； (3)提供該金屬驗真空腔體内約為祕6_之真空壓 力， 、 (4)加熱該第—陰極材料，以熱驗法將第 過陰極層先罩沈積於該電子傳輪層43上形成特二= 該緩衝層叫，控制沉積速率約為G.lA/see，並配=一 膜厚計監控膜厚僅約2 A ;

⑴重複步驟（2)〜⑷並先後以該第二及第三陰極材 料取代該第—陰極材料，使該第二陰極材料以約為（U A/sec之"4速率沈積於該緩衝層511上形成該傳導層 512，使該第三陰極材料以約為〇 5 A/sec之沉積速率沈積 於該傳導層512上形成該_制層52，並配合以一膜厚 計監控整體該陰極層50之膜厚不超過2〇 nm。 凊配合如第三至第六圖所示，為本發明所提供以具導 熱性之基板製成之該有機發光二極體丨與一般玻璃基板所 製成之有機發光二極體元件相較之光電特性，以銅金屬材 質所製成之該基板10為例，第三圖之電流密度電壓曲線圖 顯示，對於以銅金屬為基板之電流密度曲線η與以一般玻 璃材質為基板之電流密度曲線12而言，在操作電壓16 V 之前，不同基板元件之電特性仍維持相同，表示使用不同 基板材質製作之有機發光二極體元件，元件電流注入特性 不會有所影響；然而，當操作電壓高於16 V時，玻璃基板 製作之元件即瞬間燒毁，反之使用銅基板之元件，則能持 201023671 續正常操作，直至20 V亦不會燒毁，此結果顯示出銅基板 因具散熱的功能，能有效逸散元件内部產生的熱能，進而 提升元件的壽命與高電流密度下的操作穩定度。第四圖之 亮度對電流密度曲線圖顯示，對於以銅金屬為基板之亮度 曲線L1與以一般玻璃材質為基板之亮度曲線L2而言，以 UV膠於銅基板上旋轉塗佈20秒且轉速為4000 ipm所製成 之元件’其元件可以承受高達250 mA/cm2之高操作電流密 度而不會燒燦，係因為銅的熱傳導係數約397 W/m · K， 響 反之玻璃只有1.38 W/m · K，所以銅比玻璃材料有更好的 散熱效果，使上發光型有機發光二極體能承受更高的操作 電流密度；加上利用旋塗之UV膠可用以改善銅基板表面 粗链度，避免因銅基板表面尖端突起而產生尖端放電或刺 穿元件，降低元件壽命與發光特性。第五圖之發光效率對 電流密度曲線圖以及第六圖之功率效率對電流密度曲線圖 顯示’使用銅金屬材質所製成之該基板1〇，能有效散逸該 • 有機發光二極體1内部在高亮度或高電流密度操作下所產 生的焦耳熱，因而能避免該有機層40内部有機材料結晶 化，因此’當電流密度持續增加時，以銅金屬為基板之發 光效率曲線Eil與功率效率曲線Ewl下降的幅度分別相較 於以玻璃材質為基板之發光效率曲線Ei2與功率效率曲線 Ew2會較平緩，使該有機發光二極體衰減速度變慢，而得 到較佳元件壽命；反之以玻璃為基板之元件，當元件操作 電流密度大於80 mA/cm2即瞬間燒毀。 睛配合如第七及第八圖所示’為配合熱影像量測將二 17 201023671

極體7C件上不同熱量分佈之區域顯示為熱影像圖，其中， 第七圖A及第八圖A為玻璃基板製成之發光二極體元件之 ^衫像分佈圖，係以T〇、TL纟了卜TH分別表示元件局 . 部位置之最低及最高溫度影像分佈，·第七圖B及第八圖B 為銅基板製成之發光二極體元件之熱影像分佈圖，係以 :〇 TL及ΤΓ、TH’分別表示元件局部位置之最低及最高 二度衫像分佈。第七圖A顯示，玻璃基板製成⑽於正常 籲 _電壓下，陽極電壓供應處A所對應電性連接元件陽極 之局邛间皿T1為34.2C ;而以相同偏壓下，第七圖B _ 鋼基板製成元件之陽極及陰極電壓供應處A，、c，具有均勻 之低恤分佈T0為25.8 c，且基板之周圍散熱溫度T1，並無 特別顯著之溫差。此外，第八圖A顯示，當玻璃基板製成 疋件操作至I5 V接近崩潰電麼時，陽極電廢供應處A所 對應電性連接元件陽極之局部高溫丁11達57 8。(：；反觀第 八圖B中以銅基板製成之元件則可持續操作至2〇v，且陽 • 滅陰極電壓供應處A’、C’之元件溫度能持續維持均勻之 低溫分佈TL’在26.2t： ’同時基板之周圍散熱溫度TH，並 . 糾職著之溫差，此是因為祕板能有效且快速地逸散 #元件操作時所產生的熱[再者，玻璃基板元件在操作 時’產生之熱能會累積在元件發光處；而銅基板元件的熱 成’則可以傳導至基板周圍部分，藉以有效且快速降低高 電流密度下，元件所累積之焦耳熱對元件所造成之影響。 值得一提的是，本發明所提供製作該上發光型有機發 光二極體1之各層材質結構，除了上述實施例所例舉者， 201023671

更有所提供之多種可能材質結構及其製作方式W d卜:明第二較佳實施例所提供者，係為該基板10可2 如乳化料具金屬半導體特性之材質所取代， 可1 磨製程技術進行研磨抛光處理；可利於製程 導體研 取得’以有效掌控製程技術之準確性。、ν機台之 2㈣第四較佳實施例所提供者，係為該 可為如二軋化矽等無機絕緣材質， 5 曰20 參 成，或可以矽材料氧化為二氧化矽所形二二::形 =並以轉體薄㈣賴财財控餘技術之準= ㈣述者僅為本發明之較佳可行實施例而已， t 明書及申請專利範_為之等效結機 變化，理應包含在本發明之專利範圍内。 201023671 【圖式簡單說明】 第一圖係為本發明第一較佳實施例所提供之結構示意 圖； 第二圖係為本發明第二較佳實施例所提供之方法流程 圖； 第三圖係為上述第二較佳實施例所提供製作之該有機 發光一極體相較於習用有機發光二極體之電流密度電壓曲 線圖； 弟四圖係為上述第二較佳實施例所提供製作之該有機 發光二極體相較於習用有機發光二極體之亮度對電流密度 曲線圖； 第五圖係為上述第二較佳實施例所提供製作之該有機 發光二極體相較於習用有機發光二極體之發光效率對電流 密度曲線圖； 第六圖係為上述第二較佳實施例所提供製作之該有機 籲發光二極體相較於習用有機發光二極體之功率效率對電流 密度曲線圖； 第七圖A及第七圖B分別為習用有機發光二極體及上 述第二較佳實施例所提供製作之該有機發光二極體於正常 操作電壓下之熱影像分佈圖，其中第七圖A為利用傳統玻 璃為基板，而第七圖B為利用高散熱之銅金屬為基板； 第八圖A及第八圖B分別為習用有機發光二極體及上 述第二較佳實施例所提供製作之該有機發光二極體於較高 操作電壓下之熱影像分佈圖，其中第八圖A為利用傳統玻 20 201023671 璃為基板，而第八圖B為利用高散熱之銅金屬為基板。 【主要元件符號說明】 1上發光型有機發光二極體 10基板 20平坦層 30陽極層 31陽極接觸層 32陽極注入層 40有機層 41電洞傳輸層 42電子傳輸層 ® 43電洞注入層 50陰極層 51陰極注入層 511緩衝層 512傳導層 52陰極接觸層 11、12電流密度曲線 LI、L2亮度曲線 Eil、Ei2發光效率曲線 Ewl、Ew2功率效率曲線 A、A’陽極電壓供應處 C、C’陰極電壓供應處 TO、TO’、TL、TL’最低溫度影像分佈 T卜TT、ΤΗ、TH，最高溫度影像分佈 21

Claims (1)

1. 201023671 七、申請專利範圍： 1 -種上發光型有機發光二極體之製作方法，係包 括有以下步驟·· 選取一較玻璃為高熱傳導係數之導熱材 以及， 使該基板與上述有機發光二極體之電極電性絕緣，該 有機發光二極體係自與該基她對之另—侧發光。

   2依據申印專利範圍第1項所述上發光型有機發光 二極體之製作方法，該基板係以金屬材質或金屬半導體化 合物材質擇一所製成。 3 ·依據申請專魏㈣2項所述上發光型有機發光 體之製作方法，該基㈣將該導歸# 所製成。 —4·依據中請專職圍第1項所述上發光型有機發光 體之製作H该基板仙設置_絕緣材質達成與該 有機發光二極體之電極電性絕緣。 一 5·依射請專利_第4項所述上發光型有機發光 二極體之製作方法，係塗佈有機絕緣材料於該基板上經固 化製成該絕緣材質。 6 ·依據巾請專利棚第4或第5項所述上發光型有 機發光—極體之製作方法，該絕緣材質係以—樹脂材料旋 轉塗佈於該基板上經固化製成。 7依據申凊專利範圍第6項所述上發光型有機發光 二極體之製作方法，該絕緣材質係為經紫外光照射後固化。 22 201023671 8 .依據巾請專利_第7項所述上發光型有機 二極體之製作方法，該絕緣材硬化触材料^ 外光照射所製成。 、％ 9 ·依據申請專·圍第4項所述上發光型有機 二極體之製作方法，該絕緣材質係為—無機材料以 薄膜製程設於該基板上。

   10.依據申請專利範圍第9項所述上發光型有機 發光二極狀製作方法，賴雜f係以二氧切材質所 11·依據申請專利範圍第9項所述上發光型有機 發光二極體之製作方法，係以化學氣相_法或以氧化成 長方法擇一者將該絕緣材質形成於該基板上。 1 2 · —種有機發光二極體，係包括有： 一基板，為較玻璃為高熱傳導係數之導熱材質； 平坦層，設於該基板，該平坦層為不具導電性之絕 緣材質； —第一電極層，設於該平坦層； —有機層，設於該第一電極層，該有機層為以多層有 材料堆疊製成’其中至少—層有機材料具發光性；以及， 該一第二電極層，設於該有機層，該第二電極層具有較 ^第電極層為高功函數之金屬材質，該有機發光二極體 ^自該有機層產生特定波長之光線，並經該第二電極層穿 透出光。 13·依據申請專利範圍第12項所述之有機發光 23 201023671 極體4基板<熱傳導係數大於玻璃材質 100倍以上。 14依據申請專利範圍第12項所述之有機發光 極體°亥基板之熱傳導係數為大於3〇0 w/m · K。 15·依據申請專利範圍第12項所述之有機發光 二極體’該平坦層為HHb之樹脂。 1 6 ·依據申請專利範圍第1 5項所述之有機發光 H坦層為經料光照射之光硬化樹脂。 17·依據申請專利範圍第12項所述之有機發光 -極體’ 4平坦層為固化之半導體氧化物。 1 8 ’依據申請專利範圍第1 2項所述之有機發光 ’該第-及第二電極層分別為該有機發光二極體之 陽極及陰極。 19·依據申請專利範圍第18項所述之有機發光 -極體’該第-電極層係具有陽極接觸層及_陽極注入 層，該陽極接觸層設於該平坦層，該陽極注入層設於該陽 • 極接觸層，該陽極注入層具有較該陽極接觸層為高之金屬 功函數。 , 2 0 ·依據申請專利範圍第19項所述之有機發光 一極體’該陽極接觸層具有較該陽極注入層為低之片電阻。 21 ·依據申請專利範圍第丄8項所述之有機發光 一極體，該第二電極層係具有一非導電性之緩衝層及一導 電性之傳導層，該緩衝層設於該有機層，該傳導層設於該 緩衝層，該傳導層與該有機層相接觸所產生之電子能障係 大於電子自該傳導層通過該緩衝層再注入該有機層之能 24 201023671 障。 22·依據申請專利範圍第21項所述之有機發光 二極體，該第二電極層更具有一陰極接觸層，設於該傳導 層，該陰極接觸層具有較該傳導層為低之化學反應活性。 2 3 ·依據申請專利範圍第2 1項所述之有機發光 二極體，該陰極接觸層具有較該傳導層為低之片電阻。 2 4 _依據申請專利範圍第1 8項所述之有機發光 二極體，該有機層係具有一電子傳輸層，用以產生可見光， 該第二電極層設於該電子傳輸層上。 2 5 _依據申請專利範圍第1 8或第24項所述之 有機發光二極體，該有機層係具有一電洞注入層及一電洞 傳輸層，該電洞注入層設於該第一電極層上，該第一電極 層與該電洞傳輸層相接觸所產生之電洞能障係大於電洞自 該第一電極層注入該電洞注入層之能障。 25