TW201017915A - Solar cell substrates and methods of manufacture - Google Patents

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Description

201017915 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明實施例通常係關於光伏特電池及光伏特電池的 製造。特別地，本發明實施例係關於改進太陽能電池製 造的方法（尤其是在雷射刻劃期間）。 【先前技術】 φ 光伏特電池（pv)或者太陽能電池是將太陽能轉化成 直流（DC)電能的材料接合元件《3當暴露在太陽光（由 來自光子的能量組成）時，太陽能電池p_n接合的電場 隔開自由電子和電洞對，由此產生光_伏特。當太陽能電 池連接到電負載時，從η側到p側的電路允許電子流 動，同時PV電池接合元件的面積和其他參數決定可用 電流。電功率是電子和電洞重新組合時産生電流乘以電 壓的乘積。 © 在過去的二十年太陽能電池已經得到了顯著地發展， 實驗效率已經從1980年的低於約5%增加到2008年的幾 乎40%。最常見的太陽能電池材料是矽，其係單晶發或 者多晶矽晶圓形式》由於形成矽基太陽能電池產生電的 攤鎖成本高於使用傳統方法産生電的成本，所以已經在 努力減少形成太陽能電池的成本》尤其是，薄膜技術能 夠實現流線化、大批量.地製造太陽能電池以及大大降低 的矽消耗。 3 201017915
薄膜太陽能元件通常由沉積在玻璃板上的多個薄材料 層組成。目前’占主導的太陽能電池薄膜基於所謂單接 合構造中的非晶矽（α-Si )，該單接合構造中，透明導 電氧化物（TCO )層沉積在玻璃基板上，而非晶梦沉積 在 TCO層上’背接觸包括在α梦層上的換銘氧化辞 (ΑΖΟ )層’在ΑΖΟ層上的銘層，和在銘層上的犯乂。 串聯接合元件包括沉積在玻璃上的透明導電氧化物 (tco)層、沉積在TCO層上的α矽層，以及在α矽層 上的背接觸，該背接觸包括在α矽層上的ΑΖ〇層在 ΑΖΟ層上的銀層和在銀層上的Niv。 目前，在太陽能電池和PV板組裝成pv模組和太陽能 板之前，從很多小的矽薄板或者晶圓作爲材料單元開始 製造它們，並加工成單個的光伏特電池。通常用刻劃工 藝將這些玻璃板再分成大量（1〇〇和2〇〇之間）的單個 太陽能電池，該工藝還對相鄰電池界定了電互聯。這一 刻劃産生了低電流活性「帶」，通常只有51〇贿寬， 其串聯電連接以產生具有數安培電流的高功率（通常從 數十瓦到數百瓦）。雷射刻劃能夠實現下—代薄膜元件 的大批量生産，且雷射刻劃在質量上、速度上和穩定性 上優於機械刻劃方法。 現有的使用雷射刻劃製造太陽能板的工藝可能會帶來 門題尤其疋當在AZ〇層上使用銀製造背接觸時。特別 地，在雷射刻劃期間，鉬π a 间銀可能從AZO剝離，其可能導致 在刻劃的帶區域中梅士、^ ^成碎月和缺陷，其可能導致太陽能 201017915 電池70件中的短路。另外，由於銀從AZ〇層剝離，也就 疋減少了從太陽能電池的反射，所以太陽能電池可能承 受其他的問題。這可能導致01矽層産生更多的電流。因 此，需要高效太陽能電池ρ_η接合形成以改進太陽能電 池的製造工藝。 【發明内容】 本發明的方案包括光伏特電池以及製造光伏特元件的 ® 方法。在一個實施例中，製造光伏特元件的方法包括在 玻璃基板上沉積透明導電氧化物層；在透明導電氧化物 層上沉積矽層；在矽層上形成背接觸，包括形成沉積在 矽層上的氧化辞層，在矽層上沉積中間層，和在中間層 上沉積銀層；雷射刻劃穿過背接觸。 在一個實施例中’沉積一定厚度的中間層，使得波長 在約550nm和850nm之間的光穿過元件的透射係在穿過 φ 背接觸中沒有中間層的光伏特元件之光透射的5%變動 範圍之間。在一個實施例中，沉積一定厚度的中間層， 使得波長在約80〇nm* 100011111之間的光在元件中的反 射係在穿過背接觸中沒有中間層的光伏特元件之光反射 的約5%變動範圍之間。 在一個或者多個實施例中，雷射刻劃穿過背接觸不會 引起銀層的剝落。在-個實施例中，中間廣包括Cr Ti、
Si，Cr、Ti、M4 Si的氧化物及其組合中的一種 5 201017915 或者多種。例如，中間層可包括Cr的氧化物，比如
Cr2〇3。在一個或者多個實施例中，中間層的厚度小於約 35A ’並且在具體實施例中，小於約2〇a。 在一個實施例中，沉積一定厚度的中間層，使得波長 在約550nm* 850nm之間的光穿過元件的透射係在穿過 背接觸中沒有中間層的光伏特元件之光透射的5%變動 範圍之間。在另一個實施例中，沉積一定厚度的中間層， 使得波長在約800nm和1 OOOnm之間的光在元件中的反 射係在穿過背接觸中沒有中間層的光伏特元件之光反射 的約5 %變動範圍之間。 本發明的另一個方案，光伏特電池包括在玻璃基板上 的透明導電氧化物層；在透明導電氧化物層上的矽層； 以及包括AZO層、厚度小於約35人的中間層、以及在 中間層上的銀層之背接觸。在一個實施例中，中間層包 括Cr、Ti、Mo、Si，Cr、Ti、Mo和Si的氧化物及其組 合中的一種或者多種。在具體實施例中，中間層包括 Cr203。在另一個具體實施例中，中間層的厚度小於約 20A。在一個實施例中，中間層具有一厚度，使得波長在 約5 50nm和850nm之間的光穿過元件的透射係在穿過背 接觸中沒有中間層的光伏特元件之光透射的5%變動範 圍之間。在另一個實施例中，中間層具有一厚度，使得 波長在約800nm* 1000nm之間的光在元件中的反射係 在穿過背接觸中沒有中間層的光伏特元件之光反射的約 5%變動範園之間。 201017915 【實施方式】 在描述本發明的幾個示例性實施例之前，應理解的 是’本發明不侷限於下面描述中所提出的結構或者工藝 步驟的細節。本發明能夠用於其他實施例以及以多種方 式實施或者實現。 如在這一說明書和所附權利要求中所使用，除非上下 文中另外明確指出，否則單數形式「一個」、「該」包 ® 括多個所指物件。應理解的是，這裏描述的雷射刻劃工 藝可應用於所有類型的薄膜太陽能電池製造，包括基於 CdTe (碲化鎘）和cigs (銅銦鎵硒）的那些薄膜太陽能 電池製造。 參考第1—6圖，示出了太陽能電池製造工藝的示例性 實施例。從第1圖開始’以玻璃板或者基板1〇〇開始製 造太陽能電池。玻璃板的示例性厚度是約3 mn^在本領 域，實際上將該玻璃基板稱作玻璃上板，因爲太陽光將 w 穿過該支撐玻璃。在太陽能電池的製造期間，首先，在 玻璃基板100上沉積連續的、均勻的TCO (透明導電氧 化物）層110。TCO層110的厚度通常是數百納米eTC〇 層最終形成太陽能電池的前電極❶用於TCO層的適當材 料包括AZO和Sn〇2，並且可以通過任何適當的工藝（諸 如，化學氣相沉積或者濺射）沉積TCO層。 201017915 現在參考第2圖，在TCO層沉積之後，接下來是雷射 刻劃工藝（通常將其稱作⑴，其刻劃帶ιΐ5穿過整個 TCO層厚度。如第3圖所示，在該第―次刻劃工藝Η 之後在TCO層上沉積ρ型和η型發層並且砍層 通常是0矽。矽層的總厚度通常是0.5-3 μιη的量級，通 常通過化學氣相沉積或者其他適當的工藝來沉積該層。 參考第4圖，矽沉積步驟之後是第二次雷射刻劃步驟 (通常稱作Ρ2) ’其完全切割冑125穿過矽層咖。如 ^ 第5圖所示，形成後電極的金屬背接觸130沉積在梦層 120上。金屬背接觸13〇可以是任何合適的金屬，例如 鋁、銀或者鉬，並且可以通過適當的沉積工藝例如物理 氣相沉積來沉積這一背接觸。通常，金屬背接觸13〇將 包括數個單獨的層，將在下面更詳細描述。現在參考第 6圖，使用第三次刻劃工藝（稱作ρ3 )刻劃帶135穿過 金屬背接觸130和矽層120。然後用後表面玻璃疊層密 在具體實施例_，在串聯接合元件的製造期間，背接 觸130可包括覆蓋α秒層的若干層。在特定結構中首 先在ct矽層上沉積ΑΖΟ層，然後在ΑΖΟ層上沉積銀層。 其後，可在銀層上沉積NiV層《應理解的是，本發明不 侷限於用於背接觸130的具體金屬。 在對AZO層上具有銀層的元件p3切割期間，已經觀 察到在刻劃區域中的銀具有剝落和導致缺陷的趨勢，其 帶來不良的電.池性能》第8圖是放大1〇〇倍的sem照片， 201017915 /不出了對具有包括AZO上的銀之背接觸的太陽能電池進 仃P3雷射刻劃之後的銀片狀剝落（flaking)(黑色顆 =。相信剝離和剝落是由於銀和AZ〇材料的不良黏結。 厘改善銀和㈣層的黏結性的—種方法是增加銀層的 厚又，但是這沒有帶來顯著的改進。此外，研究了氧氬 電漿，藝，其似乎改善了银和AZ〇層之間的黏結性，然 而，很難控制散佈在沉積腔室中電漿的均勻性。 鲁 ㉟後考慮在背接觸的銀和AZO層之間的中間層提供多 種材料。然而，必須仔細考慮在太陽能電池的銀層下添 加任何材料層，因爲銀層不僅在導電中起到極其重要的 功能，而且還反射光。因此，銀和AZ〇層之間的中間層 的應用必須不能負面影響太陽能電池中的反射或者電池 中光透射。 考慮幾種中間層的材料候選者。在選擇用於中間層的 適當材料時必須考慮幾種標準。一個因素是幾種金屬和 . 氧的生成熱。最初’和氧具有較高生成熱的材料是有利 的。然而，由於形成金屬氧化物的困難性，所以從考慮 中去除了具有理想生成熱的某些材料。另一個考慮的因 素是金屬氧化物膜的透明度和它們對於銀層反射率以及 太陽能電池中光透射的影響。考慮的材料包括Ta、人卜 V、Cr、Ti和Mo。選作良好候選材料作爲中間膜層的材 料包括Cr、Ti、W和Ni。此外，選擇具有Ag、Ti、w、 Ni和Si的銀合金作爲中間層的候選材料。在這些材料 中，選擇CrxOy材料用於進一步測試。 201017915 現在參考第7圖，根據本發明實施例示出了層狀結構 的一個具體實施例。玻璃基板i 00示作有TCO層11〇、α 秒層120和金屬背接觸130。金屬背接觸130包括三個 層。開始’在α矽層上沉積ΑΖΟ層132，並在沉積銀層 136之前沉積Cr層134作爲背接觸的中間層。Cr層134 幫助增加AZO層132和Ag層136之間的黏結性。此外， 薄Cr層將和來自AZO膜的〇2反應成Cr203。下面討論 的進一步測試揭示了 Cr203是透光的並且沒有減少太陽 能電池中的反射。中間層134的厚度必須是這樣的厚 度’其使得層134不吸收光並且不負面地影響在太陽能 電池内的反射β對於Cr層，確定了具有約15入_ 20人範 圍厚度的鉻層提供最佳結果。 總之’中間層必須滿足在太陽能電池使用中可接受的 幾個標準。中間層應當通過薄金屬濕潤AZO表面增加黏 結性和/或在AZO和Ag之間提供良好的化學反應。該層 必須足夠薄以至於不吸收所有的光並且就成本和製造而 言是合理的。因此，理想的是提供可以通過諸如物理氣 相沉積濺射工藝而沉積的材料。 在進行初次實驗來確定Cr是用於中間層的最佳材料 之後’進行性能測試’以保證Cr將是太陽能電池應用中 可接受的。第9圖示出了具有第7圖所示結構和P3雷射 刻劃的背接觸的太陽能電池。如第9圖所示並和第8圖 (其沒有使用中間層）相比，沒有銀顆粒的剥落，並且銀 黏結得很好。 10 201017915 在確定中間Cr層在AZO和Ag之間提供了可接受的黏 結性之後，然後進行背接觸的AZO和銀層之間具有中間
Cr層的膜的透射和反射測試，以保證中間層沒有負面影 響太陽能電池性能。在450A厚的AZO層上沉積具有不 同Cr層厚度（70 A、50 A、35 A和20 A)的四種樣品， 並在每一個Cr層上沉積2000A厚的銀層。如第1〇圖所 示的利用分光計獲得的透射結果表示，2〇a層厚度與沒 有中間層的樣品表現相似。因此，確定了具有小於約
35A ’尤其是小於約2〇A的Cr層，提供最佳結果。當然 應理解的是，不同的材料可能需要不同的層厚度實現可 接受的結果。 接下來對具有約2〇A、5〇A和70A厚度的中間Cr層的 樣品進行反射測試，將它們和標準AZO/Ag背接觸比較。 在每個樣tm中’ AZO厚度是450A而銀層厚度是2000A。 第η圖示出了反射結果。具有約2〇A厚度的Cr層的樣 品顯示出_似於標準樣品的結果。具有標準樣品反射約 4%之間的反射的樣品提供了可接受的結果。 使用透射電子顯微鏡（TEM )檢測具有加人中間背接 觸層的樣品，並及笛1 rat j. j* 亚且第12圖在鄰近層的示意圖的地方示出 了 TEM圖如第12圖所見，Cr中間層從TEM圖上是 不明顯，其或許是由於&層爲約2〇A厚度的事實。 測試由中間Cr背接觸層構成的元件的太陽能電池性 '來^疋t間層是否負面影響太陽能電池性能。測試 了單接口和串聯接合太陽能電池的性能。具有中間Cr背 11 201017915 接觸層的單接合太陽能電池展現出可接受的性能。通過 在玻璃上形成TCO層製成樣品，用DI水清洗它，然後 使用PECVD沉積矽層。然後使用濺射形成具有四個不同 層AZO、Cr和Ag的背接觸。在可從Newport Oriel得到 的電流和電壓測量工具上測試樣品。結果顯示由具有背 接觸（AZO/Cr/Ag )樣品産生的電流（Jsc )與用具有 AZO/Ag樣品表現類似，表明Cr沒有降低太陽能電池的 性能。 單接合 背接觸 AZO/Ag AZO/A1 AZO/Cr/Ag 7〇ACr AZO/Cr/Ag 5〇ACr AZO/Cr/Ag 2〇ACr PMA之前 CE(%) 7.34 7.84 7.41 7.74 7.80 Jsc (mA/cm2) 12.42 12.35 11.78 12.23 12.42 Voc (V) 0.889 0.917 0.903 0.908 0.907 FF (%) 66.4 69.3 69.7 69.7 69.3 Rsh (Ohm) 3339 4285 3786 3540 3893 Rs (Ohm) 19 18 18 18 17 PMA之後 CE(%) 8.17 8.22 7.91 8.17 8.34 Jsc (mA/cm2) 12.59 12.32 11.89 12.33 12.58 Voc (V) 0.910 0.928 0.906 0.912 0.910 FF (%) 71.3 72.9 73.4 72.7 72.9 Rsh (Ohm) 3533 5093 4286 3658 4303 Rs (Ohm) 13 14 13 13 13 12 201017915 測試具有中間Cr背接觸層的串聯接合電池，來確定太 ~能電池的性能是否是可接受的。通過在玻璃上形成 TCO層製成樣品’用DI水清洗它，然後使用PECVD沉 積梦層。然後使用濺射形成具有四個不同層AZO、Cr和 Ag的背接觸。在可從Newport Oriel得到的電流和電壓 測量工具上測試樣品。在下表中可以看出，就類似的Jsc 和效率（CE% )而言，Cr的存在沒有降低太陽能電池的 _ 性能。串聯接合太陽能電池的測試顯示出在背接觸中具 有薄中間Cr層的太陽能電池展現出與具有Az〇/Ag背接 觸結構的太陽能電池類似的電池性能。第13圖示出了相 比於在沒有中間層的AZO上沉積有Ag的標準電池，對 在Ag和AZO背接觸層之間具有20A厚的中間Cr層的 太陽能電池的下部和上部的QE (量子效率）測量值的比 較。從第13圖以及下表中可以看出，對於有非常 小的差別。 串聯結 背接觸 AZO/Ag AZO/Cr/Ag2〇A Cr PMA之前 CE(%) 9.67 9.91 Jsc (mA/cm2) 11.41 11.24 Voc(V) 1.291 1.326 FF (%) 65.6 66.5 Rsh (Ohm) 2676 4136 Rs (Ohm) 30 29 13 201017915 _ PMA之後 〜CE (%) __Jsc (mA/cm2) 10.26 10.53 11.54 11.40 Voc(V) 1.318 1.355 —FF (%) 一 Rsh (Ohm) __ 67.4 68.2 2536 3323 一 Rs (Ohm) _ 24 22 對具有中間Cr層的串聯接合的30cmx30cm太陽能電 池模組的進一步測試産生了可接受的特性，並顯示出可 以焊接Ag材料用於匯流排工藝，並且8〇〇小時的環境測 試是可接受的。與對30cmx30cm模組上具有6.3W ( 8.6 %效率）的標準相比，串聯接合太陽能電池展現出7.3 W (9.97%效率）。 可以在真空沉積腔室中進行根據本發明實施例的太陽 能電池的製造。真空沉積腔室可以是單獨的腔室或者是 板處理系統的一部分。在一些情況中，真空沉積腔室可 以是多腔室系統的一部分。玻璃基板1 0 〇可以是適於太 陽能電池製造時使用的玻璃板。可以使用約50mm><50mnl 或更大的板尺寸《用於太陽能電池製造的典型板尺寸可 以是約lOOmmxlOOmm或更大’例如約156mmx 156mm 或更大的尺寸；然而，使用更小或者更大的尺寸也是有 利的’例如也可以使用約400mmx500mm的尺寸。太陽 能板的厚度例如可以是幾百微米，例如在約1 〇〇微米到 約350微米。每個板可適合形成單一的p_n接合、雙接 201017915 合、三接合、隧道接合、p-i-n接合或者由適於太陽能電 池製造的的半導體材料産生的任何其他類型的接 合。在另一個實施例中’至少板表面可在其上包括p型 矽材料。 可以利用任何適當的雷射刻劃工具進行雷射刻劃工藝 PI、P2和P3。刻劃目前是幾十微米量級的寬度。ρι刻 劃工藝通常使用高達8W的近IR的雷射，而p2和p3工 藝通常僅僅需要幾百毫瓦的綠色光輸出（green 〇utput)。 ® 如上所述形成太陽能電池之後，可通過退火熱處理電 池。而且，可對該板進行多種佈線配置和/或表面處理 步驟。 適當的真空沉積腔室可包括多種化學氣相沉積腔室。 如上所指出，通過電漿增強化學氣相沉積（PECVD )來 >儿積梦層。可將PECVD系統配置成處理多種類型的板， 例如多種板尺寸的，可從Santa Clara，Calif的Applied φ Materials有限公司的分公司ΑΚΤ得到，多個平行板射頻 (RF )等離子增強化學氣相沉積（PEC Vd )系統。然而， 應當理解的是，本發明在其他系統結構中也有用，比如 其他化學氣相沉積系統和任何其他膜沉積系統。 對於太陽能電池結構，可以在板上沉積附加層。例如， 可以在板的前面和/或後面沉積一個或者多個鈍化層或 者抗反射塗覆層。而且，可以使用任何適當的構圖技術， 包括但不局限於乾刻蝕、濕刻蝕、雷射鑽孔、化學機械 喷射刻蝕以及其組合在板上構圖多個特徵。 15 201017915 儘管這裏已經參考具體實施例對本發明進行了描述， 但是應理解的是這些實施例僅僅是對本發明的原理和應 用的說明。可以使用其他的CVD腔室、調節氣體流動速 度、壓力、電漿密度和溫度實現CVD、pVD和這裏的其 他工藝’以便於在實際沉積速度時獲得高質量膜β應理 解的是’本發明的實施例包括根據板尺寸.、腔室條件等 等以及其他的，對這裏所述的任何處理參數/變數遞増 或者遞減。對本領域技術人員顯而易見_的是，在不脫離 〇 本發明的精神和範圍的條件下，可以對本發明的設備和 方法作出多種變形和變化。因此，本發明旨在包括落在 所附申請專利範圍和它們的等價物的範圍内的變形和變 化〇 【圖式簡單說明】 第1圖示意性地描述了用透明導電氧化物塗覆的玻璃 基板； 第2圖示出了在已經雷射刻劃帶穿過透明導電氧化物 層之後’第1圖的玻璃基板； 第3圓示出了已經在透明導電氧化物層上沉積矽層之 後’第2圓的玻璃基板，· 第4圖示出了已經雷射刻劃矽層之後，第3圖的玻璃 基板； 第5圖示出了已經在矽層上沉積金屬層之後，第4圖 16 201017915 的玻璃基板； 第6圖示出了已經雷射刻劃金屬層和下面的透明導電 氧化物層之後，第5圖的玻璃基板； 第7圖示出了根據本發明的實施例在太陽能電池上的 層狀結構； 第8圖示出了根據現有技術雷射刻劃模組的TEM (透 射電子顯微鏡法）照片； f 9圖示出了根據本發明實施例製造的雷射刻劃太陽 . 能電池的TEM照片； 第10圖示出了和沒有中間層的樣品相比，包括中間 Cr層的樣品關於透射對波長的曲線圖； 第11圖示出了和沒有中間層的樣品相比，包括中間 Cr層的樣品關於反射對波長的曲線圖； 第12圖示出了根據本發明實施例製造的包括中間層 的樣品的TEM照片； _ 第13圖示出了和根據本發明實施例製造的太陽能電 池相比，根據現有技術方法製造的串聯接合太陽能電池 關於QE對波長的曲線圖。 【主要元件符號說明】 100 基板 110 TCO層 120 矽層 125 切割帶 130 背接觸 132 AZO層 17 201017915 134 Cr 層 136
Ag層
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Claims (1)

  1. 201017915 七、申請專利範園·· 1· 一種製造一光伏特元件的方法，包括： 在一玻璃基板上沉積一透明導電氧化物層； 在該透明導電氧化物層上沉積一矽層； 在該矽層上形成一背接觸，包括形成一沉積在該矽 層上的氧化鋅層、在該矽層上沉積一中間層、以及在該 中間層上沉積一銀層；和 ©雷射刻劃穿過該背接觸》 2·如申請專利範圍第i項所述之方法，其中該中間 層係沉積有-厚度，使得波長在約55〇⑽和85〇⑽之 間的光穿過該元件的透射，係在穿過一背接觸中沒有一 中間層的光伏特元件之光透射的5%變動範圍之間。 3·如申請專利範圍第丨項所述之方法，其中該中間 ® 層係沉積有一厚度，使得波長在約800nm* 1〇〇〇nm之 間的光在該元件中的反射，係在穿過—f接觸中沒有— 中間層的光伏特元件之光反射的約5%變動範圍之間。 4·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中雷射刻 劃穿過該背接觸沒有導致該銀層的剝落。 5·如申請專利範圍第4項所述之方 ^ 再〒該中間 19 201017915 層包括Cr。 6·如申請專利範圍第1項所述之方涑 層包括Cr、Ti、M〇、以，c”们 ，，其中該中間 其組合中的—者或多者。 1 〇和幻的氧化物及 7.”請專利範圍第】項所述 層包括一 Cr的氧化物。 决其中該中間 ❹ 層包1:專利範固第7項所述之方法，其…間 層二度如:::3:第1項所述…’其中該中 間 1〇 ·如申請專利範圍第7項所述之方 間層的厚度小於約3 5 Α。 法’其中該中 …如中請專利範圍第1G項所述之方法，其中該中 間層的厚度小於約2〇A。 12·如申請專利範圍第丨丨項所述之方法其中該中 間層係沉積有一厚度，使得波長在約550 nm* 85〇 nm 之間的光穿過該元件的透射，係在穿過一背接觸中沒有 20 201017915 中間層的光伏特元件之光透射的5% μ思#、*中請專利範圍第11項所述之方法，其中該中 β 、沉積有一厚度，使得波長在約800nm和1〇〇〇nm :門的光在該元件中的反射’係在穿過一背接觸中沒有 中間層的光伏特元件之光反射的約5%變動範圍之間。 14 · 一種光伏特電池，包括： 透明導電氧化物層，位於一玻璃基板上； 一石夕層’位於該透明導電氧化物層上；以及 一背接觸，包括AZ0層、一厚度小於約35 A的中 間層、和一在該中間層上的銀層。 15·如申請專利範圍第14項所述之光伏特電池，其 中該中間層包括Cr、Ti、M〇、Si，Cr、Ti、M〇和义的 氧化物及其組合中的一者或多者。 16·如申請專利範圍第14項所述之光伏特電池其 中該中間層包括Cr2〇3。 17·如申請專利範圍第16項所述之光伏特電池其 中該中間層的厚度小於約2〇A。 18·如申請專利範圍第17項所述之光伏特電池，其 21 201017915 中該中間層具有—厚度，使得波長在約550 nm和850 nm 之間的光穿過該元件的透射，係在穿過一背接觸中沒有 一中間層的光伏特元件之光透射的5%變動範圍之間。 ❿ 19·如申請專利範圍第17項所述之光伏特電池，立中該 中間層具有一厚度，使得波長在約8〇〇nm和脑嫌之 間的光在該元件中的反射，係在穿過—背接觸中沒有一 '間層的光伏特元件之光反射的約5%變動範圍之間。
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