201015620 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種基板處理裝置，且更明確而言，係關 於一種能夠均勻地加熱真空腔室内之基板安放部件且減少 用於加熱基板安放部件之感應加熱單元的功率消耗的基板 處理裝置。 本申請案主張2008年9月5曰申請之韓國專利申請案第 10-2008-87774號、2008年9月5日申請之韓國專利申請案第 10-2008-87775號、2008年9月18日申請之韓國專利申請案 第10-2008-91 71 6號以及2009年8月21曰申請之韓國專利申 請案第10-2009-77726號的優先權，以及根據35 usc §119而自其產生之所有益處，該等專利申請案之内容以全 文引用之方式併入本文中。 【先前技術】 一般而言，半導體設備、有機設備及太陽能電池設備係 藉由沈積複數個薄膜並對其進行蝕刻以獲得所要特性來製 造的。基板處理裝置在等於或大於大約3〇〇β(：之高溫下執 行沈積及蝕刻薄膜的過程。在此點上，上面沈積有薄膜之 基板的溫度在薄膜沈積製程中充當非常重要的因素。亦 即，在基板之溫度不均勻的情況下，薄膜之沈積速率可能 下降此外，在沈積溫度較低或基板之溫度在薄膜沈積製 程期間並未均勻地維持的情況下，薄膜之特性可能改變或 薄膜之品質可能惡化。 因此I知基板處理裝置藉由加熱真空腔室内安放基板 143081.doc 201015620 之基板安放部件來加熱基板。此加熱單元使用與基板安放 部件整合之電加熱器，或使用光學加熱器，該光學加熱器 使用腔室外部之輻射熱來加熱安置於腔室中的基板安放部 件。 - 最近’藉由使用安置於真空腔室中之高頻感應加熱單元 ^ 來將基板安放部件加熱至等於或大於大約400。(：的高溫。 此為藉由使用由感應加熱單元產生之感應磁場使感應電流 I 流經基板安放部件來加熱基板安放部件的方案。因此，除 非將感應加熱單元加熱至較高溫度，否則僅可能將基板安 放部件加熱至目標溫度。 一般而言，感應加熱單元安裝於鄰近於基板安放部件之 區中。亦即，感應加熱單元安置於基板安放部件下方以加 熱具有較大面積的基板安放部件。然而，由於感應加熱單 /C並未如上所述被加熱至較高溫度，因此在感應加熱單元 安置於基板安放部件下方的情況下，被加熱至較高溫度之 Φ 基板安放部件的熱量可能被感應加熱單元帶走。亦即，感 應加熱單元充當基板安放部件之熱損失的主要原因。而 且，需要更多功率來補償基板安放部件之熱損失。 另一問題在於基板安放部件之中心區的溫度因安置於基 板安放部件下方之感應加熱單元而變為高於邊緣區之溫 度。因此，當沈積薄膜時，薄膜之均勻性惡化。 【發明内容】 本發明提供一種能夠藉由將單獨的絕熱單元安置於基板 安放部件與感應加熱單元之間來防止基板安放部件之2損 143081.doc 201015620 失’且藉由減少感應加熱單元之功率損失來使基板加熱之 效率最大化的基板處理裝置。 本發明進一步提供一種能夠藉由將絕熱體安置於絕熱單 元中以防止絕熱體暴露於腔室之反應空間來減少由於絕熱 體而導致之顆粒或灰塵的產生，且因此延長絕熱體之替換 時間的基板處理裝置。 ， 本發明再進一步提供一種能夠藉由在腔室外部調節基板 — 安放部件與感應加熱單元之間的距離來均勻地控制基板安 放部件之溫度，且改良裝備正常運行時間之效率的基板處 ❹ 理裝置。 根據例示性實施例，一種基板處理裝置包含：腔室，其 中具有反應空間；基板安放部件，其安置於該腔室之該反 應空間中以使基板安放於其上；感應加熱單元，其用以加 熱該基板安放部件；以及至少一高度調節單元其用以根 據該基板安放部件之溫度調節區，在該腔室之外部選擇性 地調節該感應加熱單元之高度。 ❹ 該高度調節單元可穿透該腔室，且可連接至安置於基座 下方之該感應加熱單元。 、 該高度調節單元可包含：線圈固定支樓件’·絕緣體，立 圈Γ支樓件之下部部分；抽，其朝向該絕緣體 穿透該腔室；上部支律件及下部切件，其分 == 室之外側及内側，其中該轴安置於該上部支 部支撑㈣之間；波紋管，其用以使該_下 ㈣控制器’其用以控制 143081.doc * 6 - 201015620 該線圈固定支撐件朝該波紋管之下部部分的移動。 基板處理裝置可進一步包含：複數個驅動馬達，其對應 於該距離控制器；以及感測器支撐件，感測設備附接至該 感測器支撐件，該感測器支撐件安置於該波紋管與該距離 控制器之間的空間中，其中該感測設備使用感測器及量具 中之一者。 該絕緣體可包含石英及陶瓷材料中之一者，包含AlO、 AIN、BN或 SiC。 基板處理裝置可進一步包含安置於該感應加熱單元與該 基板戈放部件之間的絕熱部件，其中該系邑熱部件可使用不 透明石英、SiC及陶瓷中之一或多者。 基板處理裝置可進一步包含安置於該感應加熱單元與該 基板女放部件之間的絕熱部件，其中該絕熱部件可包含： 絕熱體、安置於反應空間中且將該絕熱體收集於其中的下 部主體，以及覆蓋該下部主體的上部蓋，且該絕熱體可使 用氧化鋁系列之絕熱體、矽石系列之絕熱體以及碳氈中之 一或多者。 感應加熱單元可安置於該腔室内；窗口部件可安置於該 感應加熱單元上方；絕熱部件可安置於該窗口部件上方； 且複數個支撐輪軸可安置於該窗口部件與該絕熱部件之 間。 基板處理裝置可進一步包含安置於該基板安放部件下方 且其中收藏絕熱體的絕熱部件，該絕熱體使用氧化鋁系列 之絕熱體、矽石系列之絕熱體以及碳氈中之一或多者，其 143081.doc 201015620 中該感應加熱單元可安置於該絕熱部件内，且該高度調節 單元可穿透該腔室之一部分以連接至該絕熱部件。 感應加熱單元可包含：至少一感應線圈，其安置於絕熱 部件下方；以及功率供應源，其用以向該感應線圈提供高 頻功率，其中該高度調節單元連接至該感應線圈。 根據另一例示性實施例，一種基板處理裝置包含：腔 至，其中具有反應空間；基板安放部件，其安置於該腔室 中以使基板安放於其上；感應加熱單元，其用以經由感應 加熱來加熱該基板安放部件；窗口部件，其安置於該感應 加熱單元上方；以及至少一絕熱部件，其安置於該感應加 熱單元與該窗口部件之間。 基板處理裝置可進一步包含安置於該窗口部件與該絕熱 部件之間的複數個支撐輪轴。 絕熱部件可阻擋輻射熱，且使用不影響感應加熱的不透 明石英、SiC及陶瓷中之一或多者。 、邑熱4件可包3 .絕熱體、安置於該反應空間中且將該 絕熱體收集於其中的下部主體’以及覆蓋該下部主體的上 部蓋，且該絕熱體可使用氧化鋁系列之絕熱體、矽石系列 之絕熱體以及碳乾中之一或多者。 基板處理裝置可進一步包含高度調節單元，該高度調節 單元使該感應加熱單元上T移動，以控㈣錢加熱單元 與該基板安放部件之間的距離。 一根據再-例示性實施例，一種基板處理裝置包含：腔 至，其中具有反應空間；基板安放部件，其安置於該腔室 143081.doc • 8 - 201015620 中以使基板安放於其上；絕熱部件，其安置於該基板安放 部件下方且其中收藏絕熱體；以及感應加熱單元，其安置 於該絕熱部件中，以經由感應加熱來加熱該基板安放部 件。 忒絕熱部件可包含：安置於該反應空間中且將該絕熱體 收集於其中的下部主體，以及覆蓋該下部主體的上部蓋， 且該絕熱體可使用氧化铭系列之絕熱體、梦石系列之絕熱 體以及碳鼓中之一或多者。 【實施方式】 自以下結合隨附圖式而進行之描述可更詳細地理解例示 性實施例。 在下文中’將參看隨附圖式詳細描述特定實施例。然 而，本發明可以不同形式實施，且不應被解釋為限於本文 所陳述之實施例。相反’提供此等實施例係為了使本發明 將4盡且完整，且將本發明之範疇完全傳達給熟習此項技 術者此外，才目同或相似參考標號表示相同或相似的組成 凡件，儘管它們在本發明之不同實施例或圖式中出現。 圖1說明根據本發明第一實施例之基板處理裝置的橫截 面圖。圖2說明根據第一實施例之絕熱部件及窗口部件的 概念性透視圖。圖3說明根據第一實施例之絕熱部件的概 :性平面圖。圖4說明根據第一實施例之修改的感應加熱 單元的概念性平面圖。圖5至圖9說明用於闡釋根據第—實 施例之修改的絕熱部件之形狀的概念性橫截面圖。 參看圖1至圖3，根據第一實施例之基板處理裝置包含： 143081.doc 201015620 具有内部反應空間之腔室100、將基板10安放於腔室1〇〇内 的基板安放部件200、經由高頻感應加熱來加熱基板安放 部件200的感應加熱單元300，以及安置於基板安放部件 200與感應加熱單元3〇〇之間的絕熱部件400。如圖1中所描 述’基板處理裝置進一步包含：安裝於感應加熱單元3〇〇 上方的窗口部件500，以及將處理氣體注射至被加熱之基 板10上的氣體注射部件600 ^儘管未圖示，但基板處理裝 置可進一步包含：調節腔室1〇〇内之壓力的壓力調節單 元’以及排空腔室1 00之内部的排氣單元。 腔室100以具有内部空間之管形形狀形成。在本文中， 腔室100可以圓柱形形狀或多邊形管形狀形成。儘管未圖 示，但腔室100可包含腔室主體及腔室前導部，其彼此組 合以可拆卸。 基板10安置於腔室100之反應空間中。在本文中，提供 基板安放部件200以將基板10安放於反應空間中。在此實 施例令，使用高頻電流之電磁感應原理以電磁場加熱基板 安放部件200 ’從而將基板安放部件200上之基板10加熱至 ifj達處理溫度。 如圖1所示，基板安放部件200包含：上面安放有基板1〇 的主圓盤210、連接至主圓盤210之中心的驅動輪軸22〇, 以及經由驅動輪轴220移動主圓盤210的驅動元件230。 主圓盤210以與基板1〇之形狀相同的板形形狀形成。主 圓盤210包含其中安放至少一基板的安放區係有效的。主 圓盤2 10使用能夠由高頻感應加熱（亦即，高頻電流之電磁 143081.doc -10- 201015620 感應）加熱至等於或大於大約3〇〇°c之溫度的材料。較佳的 疋’主圓盤210由能夠被加熱至最大〗4〇〇〇c之材料形成。 驅動輪軸220連接至反應空間中之主圓盤21〇，且延伸至 腔室100之外部。在此點上，驅動輪軸22〇穿透腔室1〇〇之 底板且連接至驅動元件230。因此，腔室1〇〇之底板可具有 穿透凹槽。儘官未圖示，但可向穿透凹槽之圓周提供諸如 波紋管之密封元件，從而密封腔室之内部。在本文 中，驅動輪軸220由具有低導熱率的材料形成。此係因為 驅動輪轴220之一端連接至被加熱之主圓盤21〇，且因此若 驅動輪軸220之導熱率較高，則主圓盤21〇之熱損失可能增 加。 驅動元件230向驅動輪軸220提供向上及向下的力或旋轉 力，以使主圓盤210向上或向下或旋轉。驅動元件230可使 用包含複數個馬達的級。 儘管未圖示，但基板安放部件200可進一步包含複數個 起模頂桿（lift pin)以幫助裝載及卸載基板1〇β 在此實施例中’基板處理裝置包含感應加熱單元3 〇〇， 其安置於基板安放部件200之主圓盤21〇下方，以經由高頻 感應加熱來加熱主圓盤210。如上文所提及，感應加熱單 元300使用高頻電流之電磁感應原理來加熱主圓盤21〇。 感應加熱單元300包含：高頻電流所流經之感應線圈 3 10、用以向感應線圈3 10提供高頻功率的高頻功率供應源 320，以及用以冷卻感應線圈310的冷卻元件330。 如圖3所示’感應線圈3 10以螺旋形狀配置。因此，有可 143081.doc 11 201015620 能向基板安放部件200產生均勻的高頻磁場。在此點上， 主圓盤210之表面温度可根據感應線圈31〇與基板安放部件 200之間的距離長度及/或繞阻線圈之間的間隔而改變。圖 3展示調諳線圈之間的間隔係恆定的。然而，本發明不限 於此實施例，且隨著自感應線圈3 1〇之中心區至邊緣區， 間隔可減小。因此，有可能防止熱量集中於基板安放部件 200之中心區。 圖1說明具有螺旋形狀之感應線圈31〇安置於與主圓盤 210之底部表面平行的平面上。亦即，感應線圈31〇與主圓 盤21 0之間的距離長度維持恆定。然而，本發明不限於此 實施例，且在基板安放部件200之中心區處感應線圈31〇與 基板安放部件200之間的距離長度可大於在基板安放部件 2〇〇之邊緣區處感應線圈31〇與基板安放部件2〇〇之間的距 離長度。因此，有可能均勻地維持基板安放部件2〇〇之頂 部表面的溫度分佈。此係因為向基板安放部件2〇〇提供之 感應磁力根據感應線圈310之高度而改變。 高頻功率供應源320向感應線圈3 10提供高頻功率。在此 點上’高頻功率在大約1 0 kW至大約4〇〇 kW之功率強度範 圍及大約10 KHz至大約1 MHz之頻率範圍内。由感應線圈 310產生之高頻磁場根據高頻功率之功率強度及頻率而改 變°因此，可將基板安放部件200加熱至各種溫度。 高頻功率供應源320在此實施例中安置於腔室ι〇〇之外部 且經由單獨導線電連接至感應線圈3 10係有效的。 感應加熱單元300之構造不限於此實施例，且可以不同 143081.doc -12- 201015620 方式改變。詳s之，感應線圈31 〇可以各種方式配置。亦 即，如圖4中所說明，感應加熱單元3〇〇可包含複數個感應 線圈310a至310d，其為同心的且分別具有具不同直徑之圓 環形狀。而且，感應線圈310a至310d可單獨地操作。為此 目的，如圖4中所示，可進一步使用分別連接至感應線圈 3 10 a至310 d的複數個高頻功率供應源3 2 〇 a至3 2 〇 d來獨立地 向感應線圈310a至3 10d供應高頻功率。因此，有可能藉由 根據需要改變咼頻功率之頻率及功率強度來均勻地加熱基 板安放部件200。此外，有可能將基板安放部件2〇〇劃分為 複數個區’且將感應線圈安置於該等區中之每一區下方， 其中安置於該複數個區下方之感應線圈獨立地操作。藉 此，可彼此單獨地調節經劃分之基板安放部件2〇〇的該複 數個區的溫度。 在本文中，將感應線圈310安置成鄰近於基板安放部件 200之由高頻感應加熱加熱至較高溫度的下部部分。因 此，基板女放部件200之熱量可傳輸至感應線圈3丨〇。感應 線圈3 10由具有優良傳導性之金屬材料（諸如銅）形成。然 而’諸如銅之金屬材料容易受熱變形。因此，在此實施例 中，進一步在感應線圈310之内部或外部安置用於冷卻感 應線圈3 10的冷卻元件330，其中冷卻元件33〇使用冷卻流 體。亦即，冷卻元件330可藉由將冷卻流體注射至感應線 圈3 10之内部空間來冷卻感應線圈31〇。而且，儘管未圖 不，但冷卻元件330可進一步包含纏繞感應線圈31〇之單獨 覆蓋主體，且因此藉由將冷卻流體注射至覆蓋主體與感應 143081.doc -13· 201015620 線圈3 10之間的空間中來冷卻感應線圈3 1 0。 在本文中，儘管感應線圈310由冷卻元件330冷卻，但基 板安放部件200之熱量亦被冷卻元件330帶走。基板安放部 件200之熱量可經由繞匝感應線圈之間的空間傳輸至腔室 100的底板。因此，應當供應熱損失反映於其上的功率以 將基板安放部件200加熱至高達目標溫度。因此，功率消 耗可能增加。 在此實施例中，絕熱部件400安裝於基板安放部件2〇〇與 感應加熱單元300之間，以便防止基板安放部件2〇〇之熱損 毫 失。另外’在此實施例中，如圖丨至圖3中所說明，窗口部 件500安置於絕熱部件4〇〇與感應加熱單元3〇〇之間，以防 止感應加熱單元300被供應至腔室100之處理氣體污染。 在此實施例中，絕熱部件4〇〇安置於窗口部件5〇〇上方， 亦即，在基板安放部件200下面。因此，至基板安放部件 200之下部部分的熱損失可被切斷，且感應加熱單元3〇〇之 功率消耗減少。 囪口部件500如圖2中所示在中心具有穿透孔，且以類似⑬ 於基板安放部件200之板形形狀形成。在此實施例中窗 口部件500以圓形板形狀形成。窗口部件5〇〇由能透過電磁 力之材料形成。亦即，窗口部件5〇〇使用不會被高頻感應 加熱的材料。因此，窗口部件5⑼可不受感應加熱單元则 U㈣㈣響β而且’有可能使高頻磁場之變 形或阻擋減至最小。 用不在腔室1 〇〇中產生顆粒的材料形成窗口部件500係有 143081.doc 201015620 效的，因為窗口部件500安置於腔室loo之反映空間中。使 用石英作為窗口部件5〇〇係有效的。 窗口部件500可具有大於感應加熱單元3〇〇之繞匝感應線 圈3 1 〇之整個直徑的直徑。此係因為窗口部件$〇〇安置於感 應加熱單元300之感應線圈310上方，以防止反應空間中之 副產物附著至感應線圈3 10。 接著，將絕熱部件400安置於窗口部件5〇〇上方。
絕熱部件400由具有低導熱率之材料形成。該導熱率可 小於大約10 W/mk。藉此，有可能減少被加熱至較高溫度 之基板安放部件200的熱損失。較佳的是，絕熱部件4〇〇使 用能夠阻擋輻射熱（亦即，紅外線）或具有低透射率的材 料亦即有可庇藉由阻擋輻射熱來防止腔室之底板 或感應加熱單元300被輻射熱加熱。 用不會被感應加熱單元3 〇 〇之感應加熱現象加熱之材料 形成絕熱部件400係有效的。較佳地，絕熱部件4〇〇由不影 響高頻磁場的材料形成。因此，有可能不干擾向基板安放 部件200提供之感應加熱。 絕熱部件400由不在腔室1〇〇中產生顆粒的材料形成。亦 即’絕熱部件400安置於腔室1〇〇之反應空間巾。因此，絕 熱部件400與供應至腔室⑽中之處理氣體起反應，且因此 充當顆粒源。 在此實施例中，絕熱部件·可使用不透明石英、沉及 陶瓷中之一或多者。 如圖2及圖3中所示 絕熱部件400以在中心具有穿透孔 14308l.doc •15· 201015620 之板形形狀形成。亦即，结叙 Ρ 絕熱部件400可以類似於基板安 放部件200之圓形板形狀形成。 如圖中所*可用為了製造之簡單性而組合的複數個部 分形成絕熱部件400。舉例而言，如圖3所示，藉由組合4 個具有風扇形狀之絕熱主體來形成絕熱部件4〇〇。本發明 不限於此實施例。構成絕熱部件4〇〇之絕熱主體的數目可 小於或大於4。 如圖1至圖3中所說明，絕熱部件4〇〇之每一絕熱主體藉 由複數個支撐輪轴501附接至窗口部件5〇〇 ^絕熱部件4〇〇 藉由支撐輪軸501與窗口部件5〇〇分離。有可能藉由使絕熱 部件400與窗口部件5〇〇分離來增強絕熱部件4〇〇之絕熱效 果。在本文中’複數個支撐輪軸5〇1使用具有棍形形狀之 石英係有效的。支撐輪軸5〇1可充當固定構件。根據需 要’可進一步使用固定部件來固定支撐輪轴5〇1，以及絕 熱部件400及窗口部件5〇〇。 如圖1中所說明’絕熱部件400之直徑類似於基板安放部 件200之主圓盤21 〇之底部側的直徑係有效的。較佳的是， 絕熱部件400之直徑大於感應加熱單元3〇〇之感應線圈31〇 的最大直徑。因此’有可能藉由覆蓋基板安放部件2〇〇之 整個底部側來阻擋穿過基板安放部件200之底部側的熱損 失。 絕熱部件400不限於上文所述之形狀，且可以各種形狀 形成。將參看圖5至圖9來描述根據絕熱部件400之改變對 基板處理裝置所作的各種修改。 14308].doc -16· 201015620 首先，在圖5中所描述之修改中，絕熱部件400包含：絕 熱主體410 ’其以對應於基板安放部件2〇〇之底部侧的板形 形狀形成；以及突出主體420’其在絕熱主體410之邊緣區 處向上突出，以對應於基板安放部件2〇〇之側壁。有可能 藉由用突出主體420覆蓋基板安放部件2〇〇之側壁來防止穿 過基板安放部件200之側壁的熱損失。將基板安放部件2〇〇 之侧壁配置成鄰近於腔室1〇〇之内部側壁。因此，基板安 放部件200之熱損失可能由於腔室1 〇〇之内部侧壁而發生。 可藉由如圖5所示將具有絕熱特性之突出主體420安置成對 應於基板安放部件200之側壁來防止熱損失。在此修改 中，絕熱主體410及突出主體42〇以單體形式形成。然而， 本發明不限於此修改。亦即，絕熱主體4丨〇可與突出主體 420分離。 在圖5所說明之修改中，複數個基板可安放於基板安放 «Ρ件200上。而且，窗口部件5〇〇可附接至絕熱部件之 底部側。凹槽可形成於窗口部件5〇〇之底部側，且因此感 應加熱單元300之感應線圈31〇可進入及退出該凹槽。藉 此，可防止對感應線圈31〇之污染。 在圖6所說明之修改中，絕熱部件4〇〇可包含絕熱主體 及在絕熱主體410之邊緣區處向下延伸的延伸主體 43〇。可藉由將感應加熱單元300安置於延伸主體430及絕 ·、、、體410之内部空間中來防止對感應加熱單元_之感應 線圈3H)的污染。因此，在此修改中可省略上述實施例中 所描述的窗口部件5⑽。亦即，感應線圈3iq安置於絕熱主 143081.doc -17- 201015620 體410下方，且因此與處於高溫之基板安放部件2〇〇熱隔 離。由於延伸主體430安置於感應線圈31〇之側向上，因此 有可能阻擋反應副產物或未反應氣體在感應線圈31〇之側 向上流入。 在圖7所說明之修改中，可將絕熱部件4〇〇形成為其中心 區處之厚度大於其邊緣區處之厚度。可在基板安放部件 200之中心區處可能發生多得多的熱損失時使用此絕熱部 件400。亦即，可藉由將絕熱部件4〇〇形成為中心區處之厚 度大於邊緣區處之厚度來增強絕熱部件4〇〇之中心區處的 絕熱效果。 在圖7中’絕熱部件400及窗口部件500固定於驅動輪軸 220上。因此’當基板安放部件2〇〇上升或下降時，絕熱部 件400及窗口部件500亦同時上升及下降。藉此，基板安放 部件200與絕熱部件4〇〇之間的距離長度可維持恆定。本發 明不限於此修改。絕熱部件4〇〇及窗口部件5〇〇可經由單獨 的固定構件固定於腔室100之底板上。 在圖8所說明之修改中，可將絕熱部件4〇〇形成為其邊緣 區處之厚度大於其中心區處之厚度。可在基板安放部件 200之邊緣區處可能發生多得多的熱損失時使用此絕熱部 件400。亦即，可藉由將絕熱部件4〇〇形成為邊緣區處之厚 度大於中心區處之厚度來減少基板安放部件2〇〇之邊緣區 處的熱損失。 在圖9所說明之修改中，將絕熱部件4〇〇形成為具有隨著 自中心區至邊緣區而變大的厚度。 143081.doc 201015620 不限於上文之描述’基板處理裝置可進一步包含複數個 絕熱部件。上文之描述展示單一層之絕熱部件4〇〇 ^然 而’本發明不限於此，且可藉由使用複數個層之絕熱部件 400來進一步增強絕熱效果。 在下文中，將闡釋根據不使用絕熱部件4〇〇之比較性實 例、使用不透明石英作為絕熱部件4〇〇之第一實施例，以 及使用陶瓷作為絕熱部件4〇〇之第二實施例的實驗結果。 表1描述量測被提供至感應加熱單元3 〇〇以使基板安放部 件200之主圓盤210的溫度升高至高達8〇〇°c的功率的結 果。 [表1] 功率 絕熱效果 比較性實例 66 kW 1倍 第一實施例 42 kW 1.57 倍 第二實施例 38 kW 1.74 倍 如表1中所示，在不使用絕熱部件400之比較性實例的情 況下，需要66 kw之功率將基板安放部件2〇〇之主圓盤21〇 加熱至高達8G(TC。㈣，在使料透明^英作為絕熱部 件400之第-實施例中，需要42請之功率。在使用陶究作 為絕熱部件400之第二實施例十，需要％請之功率。亦 即’請注意’使料熱料_之情況下的功率消耗低於 :使用絕熱部件400之情況下的功率消耗。因&，有可能 藉由使用絕熱部件彻來增強功率效率。此意謂可藉由使 用低得多的功率將基板安放部件2〇〇加熱至高達目標溫 143081.doc 19 201015620 度。 如上文所述’基板安放部件200由感應加熱單元3〇〇加 熱。藉由將基板10安放於被加熱之基板安放部件2〇〇上， 基板10亦被加熱至高達較高溫度。 藉由經由氣體注射部件600將處理氣體注射至腔室1〇〇中 之被加熱基板10上來形成薄膜。 上文之實施例中所展示之修改的描述可應用於其它修 改。在下文中’將描述本發明之其它實施例。下文將省略 與對第一貫施例之闡釋重疊的闡釋。而且，下文將展示之 描述可應用於第一實施例。 圖1 〇說明根據本發明第二實施例之基板處理裝置的橫截 面圖。圖11說明根據第二實施例之絕熱部件的分解透視 圖。圖12說明根據第二實施例之絕熱部件的平面圖。圖】3 說明根據第二實施例之修改的絕熱部件的平面圖。圖丨4至 圖16說明用於闡釋根據第二實施例之修改的絕熱部件之形 狀的概念性橫截面圖。 參看圖10至圖12，根據第二實施例之基板處理裝置包 含：腔室1100 ’其具有内部反應空間；基板安放部件 1200，其在腔室11〇〇中使基板1〇1〇安放於該基板安放部件 1200上；感應加熱單元13〇〇，其經由高頻感應加熱來加熱 基板安放部件1200 ;以及絕熱部件1400，其安置於基板安 放部件1200與感應加熱單元13〇〇之間且其中收藏絕熱體 1410。 在此實施例中，其中收藏絕熱體1410之絕熱部件14〇〇安 143081.doc •20- 201015620 置於基板安放部件1200與感應加熱單元13 〇〇之間，以防止 基板安放部件1200之熱損失’使得感應加熱單元13〇〇之功 率消耗可減少。 有可能藉由在感應加熱單元1300之感應線圈13 1〇上方安 置絕熱部件1400來防止感應線圈丨3丨〇被供應至腔室丨丨〇〇之 反應空間的處理氣體污染。 如圖10至圖12中所說明，絕熱部件14〇〇包含：絕熱體 1410、其中收藏絕熱體141〇之下部主體1420，以及覆蓋下 ® 部主體1420之上部蓋1430。 絕熱體1410以在其中心區具有穿透孔的板形形狀形成。 絕熱體141 0安置於執行感應加熱之感應加熱單元13〇〇與經 由感應加熱而被加熱之基板安放部件12〇〇之間。因此，較 佳的是，絕熱體1410之直徑等於或小於基板安放部件12〇〇 之主圓盤1210的直徑。根據另一實施例’絕熱體141〇之直 徑可大於主圓盤1210之直徑。然而，當考慮腔室ιι〇〇之大 φ +以及下部主體1420及上部蓋143〇之大小時，絕熱趙i4i〇 之直徑小於基板安放部件12〇〇之直徑係有效的。 絕熱體1410由具有低導熱率之材料形成。該導熱率可小 於大約10 W/mK。因此，有可能減少被加熱至較高溫度之 基板安放部件1200的熱損失。 較佳較’將能夠阻擒ϋ射熱（亦即，紅外線）或具有低 透射率之材料用做絕熱體1410。亦即，有可能藉由阻撞輕 射熱來防止腔室1100之底板或感應加熱單元13〇〇被輕射熱 加熱。 143081.doc 21 201015620 用不會被感應加熱單元1300之感應加熱現象加熱的材料 形成絕熱體1410係有效的《較佳地，絕熱體1410由不影響 高頻磁場之材料形成。因此，有可能不干擾向基板安放部 件1200提供之感應加熱。 為滿足上述特性，絕熱體1410使用氧化鋁系列之絕熱 體、矽石系列之絕熱體以及碳氈中之一或多者。絕熱體 1410具有絕熱功能優良且價格較低之優點。 然而’在絕熱體1410暴露於腔室1100之内部的先前技術 中’因絕熱體1410之低硬度而出現顆粒喷出現象（particle blowing phenomenon)。而且’由於絕熱體1410之密度較 低’因此歸因於低密度而產生之氣孔中含有熱量，且因此 其減小了導熱率。由於絕熱體1410中之氣孔含有空氣中存 在之各種材料’因此因該等材料之放氣而發生污染。絕熱 體1410與腔室11〇〇内之副產物或處理氣體起反應，且因此 絕熱體1410之腐蚀或姓刻發生。因此，絕熱體141〇之替換 經常發生。然而，在此實施例中，藉由使用下部主體1 及上部蓋1430密封絕熱體1410來解決上述問題。下部主體 1420及上部蓋1430具有耐熱性，且因此在高溫下不變形。 另外’下部主體丨420及上部蓋1430具有耐化學性，且因此 不與製造過程中所使用之化學物質起反應。 因此有可此藉由將絕熱體1410安置於藉由將下部主體 1420與上部蓋143〇組合在一起而構造之主體的内部空間 中，來防止歸因於由絕熱體1410引起之放氣或顆粒喷出而 導致的污染，且防止絕熱體1410被蝕刻或腐蝕。 143081.doc -22- 201015620 藉由將下部主體1420與上部蓋1430組合在一起而形成之 主體使絕熱體1410與其外部（亦即，弊室11〇〇之内部環境） 完全隔離。因此，保護絕熱體1410不受外部影響，且可防 止對絕熱體1410之染以及由於絕熱體141〇而導致之對腔室 1100内部的污染。 在本文中’下部主體1420及上部蓋1430之硬度大於絕熱 體1410之硬度係有效的。因此，有可能保護絕熱體141〇不 受外力影響。而且，由於下部主體142〇及上部蓋143〇暴露 於腔室11〇〇之反應空間’因此下部主體1420及上部蓋143〇 使用不與副產物或處理氣體起反應的材料係有效的。 在此實施例中’較佳的是，使用石英作為下部主體142〇 及上部蓋1430。可使用陶瓷作為下部主體1420及上部蓋 1430。可使用siC作為下部主體1420及上部蓋1430。 如圖U中所示，下部主體1420包含：在其中心具有輪轴 穿透孔的底板1421、在底板1421之邊緣區處向上突出的第 一突出侧壁1422，以及在穿透孔與底板1421的邊界處向上 突出的第二突出側壁1423。將絕熱體1410收藏在由底板 1421以及第一突出側壁1422及第二突出側壁1423形成的空 間中。因此，如圖12中所說明’絕熱體1410以帶形形狀形 成。 在本文中，底板1421以類似於基板安放部件1200之主圓 盤1210之形狀的圓形板形狀形成。底板1421之形狀可根據 主圓盤1210之形狀而改變。 基板安放部件1200之驅動輪軸1220穿透底板1421中心處 143081.doc -23- 201015620 之輪轴穿透孔。因此，下部主體142〇可安置於基板安放部 件1200之下部部分中。另外，基板安放部件讓之移動 (亦即，上升及下降）或旋轉可不受包含下部主體】42〇之絕 熱部件14 0 0干擾。 接著，如圖11中所示，上部蓋143〇包含：在其中心具有 輪轴孔的上部板1431、在上部板1431之邊緣區處向下延伸 的第-延伸側壁1432’以及在輪軸孔與上部板·之邊界 處向下延伸的第二延伸側壁1433。亦即，在此實施例中， 上部蓋1430及下部主體1420形成為具有相同形狀。 如上文所提及，絕熱體1410安置於下部主體1420内。接 著，將上部蓋1430與下部主體142〇組合，使得上部蓋143〇 之第一延伸側壁1432附接至下部主體142〇之第一突出側壁 1422，且第二延伸側壁1433附接至第二突出側壁1423。因 此，絕熱部件丨400形成。將如上文所述而形成之絕熱部件 1400固定至腔室1100之底板上係有效的。 如圖12中所說明，可使用諸如黏合劑、螺栓或螺桿之固 定構件1401來組合下部主體142〇與上部蓋143〇。在本文 中，固定構件1401可在自突出側壁1423及1423之底部穿透 犬出側壁1423及1423之後固定至延伸側壁1432及1433。 絕熱部件1400不限於上文所示之描述。可以各種方式來 形成絕熱部件1400。 在下文中，將參看圖式來描述對絕熱部件丨4〇〇之修改。 對下文將闡釋之修改的描述可應用於上文所提及之實施 例，且對該等修改申之每一者的描述可應用於其它修改。 14308】 .doc -24- 201015620 、、圖13中所描述之修改中，絕熱部件圖可形成為被劃 刀成複數個部分。舉例而言，如圖13中所示，可藉由組合 4個具有風扇形狀之絕熱主體1400a、1400b、1400c及 來以圓形板形狀形成絕熱部件14〇〇 ^在本文中， 第至第四絕熱主體1400a、HOOb、1400c及l4〇〇d中之每 者包含絕熱體141G、T部主體142G及上部蓋⑷^。有可 能藉由形成具有經劃分之複數個部分的絕熱部件14〇〇來增 強絕熱部件1400之製造及可處理性。而且，有可能藉由針 對該複數個部分中之每一者調節絕熱體⑷〇之電荷量或厚 度’或者改變裝至該複數個部分中之每一者中的絕熱體 1410的種類’來改變該複數個部分中之每-者的絕熱特 性因此，可執行根據基板安放部件]2〇〇之熱差異的絕 熱。 、 如圖14中所說日月’絕熱部件剛包含：具有杯形形狀之 下部主體1420，其上部部分係開口的且其中含有絕熱體 1410 ;以及上部蓋1430 ’其覆蓋下部主體1420之上部部 刀。絕熱部件1400進一步包含沿著下部主體142〇與上部蓋 之黏合平面附接的密封片1440。 在本文中，上部蓋143〇以板形形狀形成，且附接至下部 主體1420之第-突出側壁⑽及第二突出側壁刚。在此 點上’密封片_沿|上部蓋143〇與下部主體142〇之黏合 劑平面之側面附接。較佳地，如圖14中所示，密封片144〇 附接至上部蓋1430之外側以及下部主體142〇之第一突出側 壁1422及第二突出側壁1423。此外，密封片144〇附接至下 143081.doc •25· 201015620 部主體1420之底板1421之背表面的一部分以及上部蓋1430 之頂表面的一部分。 在本文中，下部主體1420及上部蓋1430可由密封片1440 穩固地組合。而且’有可能有效地防止絕熱體丨41 〇之放氣 或顆粒喷出。 如圖14中所說明，絕熱部件1400連接至基板安放部件 1200之驅動輪轴1220，且因此可與基板安放部件1200—起 移動。藉此，絕熱部件1400與基板安放部件1200之間的距 離長度可維持恆定。可將複數個基板安放於基板安放部件 1200之主圓盤1210上。 在圖15所說明之修改中，雙凹（c〇ncav〇 c〇ncave)圖案 1424及1434可形成於絕熱部件丨4〇〇之下部主體1420及上部 蓋1430之組合平面上。亦即，如圖15中所示，凹入圖案 (concave pattern)1424形成於下部主體142〇之突出侧壁 1422及1423處，且對應於凹入圖案1424之凹下圖案 (concavo pattern)1434形成於上部蓋143〇之延伸側壁1432 及1433處。在此點上，凹入圖案之位置可隨凹下圖案之位 置而改變，或者凹入圖案及凹下圖案可針對該等側壁中之 每一者而彼此錯開。 經由形成於組合平面上之雙凹圖案，下部主體142〇及上 部蓋1430之組合平面的垂直截面可改變為彎曲線形狀而非 直線形狀。因此，有可能防止處理氣體進入組合平面中， 且防止放氣以及顆粒穿過組合平面而跑出。 在圖16所說明之修改中，感應加熱單元13〇〇可安置於絕 143081.doc • 26 - 201015620 熱部件1400之下部主體1420的内部區處。亦即，感應加熱 單元13 00之感應線圈1310可安裝於其中收藏絕熱體141〇的 下部主體1420中。此意謂感應加熱單元η 〇〇可安置於由下 部主體1420及上部蓋1430構造之主體的内部空間中，且感 應線圈1310可安置於絕熱體1410内。 藉此’感應線圈13 10被阻擋於其外部環境（亦即腔室 1100之内部空間）之外，且因此可防止對感應線圈丨3丨〇之 污染。在此點上，絕熱體1410安置於感應線圈131〇上方係 有效的。因此，有可能防止感應線圈131〇被加熱。 在此修改中，電線所穿透之孔可安置於下部主體142〇之 一侧’其中該電線將感應線圈13 10與高頻功率供應源13 2 〇 電連接。 另外，複數個絕熱體1410可堆疊於絕熱部件14〇〇中。因 此，可進一步增強絕熱效果，而且，可堆疊複數個絕熱部 件。基板處理裝置可進一步包含收藏並密封經組合之下部 主體1420及上部蓋1430的單獨殼體。亦即，下部主體Μ:。 及上部蓋1430中之每一者可形成為包含兩個層。在此點 上，該兩個層可具有相同或不同的品質。舉例而言，内部 層使用陶瓷且外部層使用石英。 如上文所述，基板安放部件1200由感應加熱單元13〇〇加 熱。基板1010因為正安放於被加熱之基板安放部件12⑽ 上，所以亦被加熱至較高溫度。有可能藉由將包含絕熱體 1410之絕熱部件1400安置於感應加熱單元13〇〇與基板安放 部件1200之間來防止基板安放部件12〇〇之熱量被傳輸至感 143081.doc •27· 201015620 應加熱單元1300。因此，可防止基板安放部件1200之熱損 失’且可保護感應加熱單元13 〇〇不受熱量侵入。 接著，藉由經由氣體注射部件1500將處理氣體注射至腔 室1100中之被加熱基板1010上來形成薄膜。當然，可藉由 注射處理氣體來執行蝕刻。 在下文中，將描述能夠減少基板安放部件1200之熱損失 之根據第三實施例的基板處理裝置。下文將省略與第一及 第二實施例之闡釋重疊的闡釋。而且，下文將展示之描述 可應用於第一及第二實施例。 _ 圖1 7說明根據本發明第三實施例之基板處理裝置的橫載 面圖。 參看圖17，根據第三實施例之基板處理裝置包含：腔室 1100 ’其具有内部反應空間；基板安放部件丨2〇〇，在腔室 1100中將基板1010安放於基板安放部件1200上；感應加熱 單元13 00 ’其經由尚頻感應加熱來加熱基板安放部件 1200，絕熱部件14〇〇，其安置於基板安放部件12〇〇與感應 加熱單元1300之間且其中收藏絕熱體141〇 ;以及環形絕熱 ❹ 部件1600，其安置於腔室11〇〇之側壁與基板安放部件12〇〇 之側壁之間’且其中包含環形絕熱體161〇。 環形絕熱部件16〇〇以纏繞基板安放部件12〇〇之侧壁的環 形形狀形成。較佳以圓形環形狀形成環形絕熱部件16〇〇。 環形絕熱部件1600以類似於上文所述之絕熱部件1400之形 狀的形狀形成係有效的。亦即，環形絕熱部件1600包含： 收藏環形絕熱體161〇之下部環形主體162〇，以及覆蓋下部 143081.doc -28- 201015620 環形主體1620之上部環形蓋1630。 在此實施例中，有可能藉由將環絕熱部件丨600安置於基 板安放部件1200之側壁與腔室丨丨00之側壁之間來防止由於 腔室1100之側壁而導致的基板安放部件丨2〇〇之熱損失。 在下文中，將闡釋根據不使用絕熱部件1400之第一比較 性實例、在基板安放部件12〇〇與感應加熱單元13〇〇之間安 置不透明石英窗口的第二比較性實例、在基板安放部件 1200與感應加熱單元1300之間安置陶瓷板的第三比較性實 例，以及在基板安放部件12〇〇與感應加熱單元丨3〇〇之間安 置絕熱部件1400的實施例的實驗結果。在本文中，使用氧 化铭系列之絕熱體作為絕熱部件丨4〇〇之絕熱體丨4丨〇。亦 即’絕熱體1410使用了 Al2〇3。 表2描述量測提供至感應加熱單元13〇〇以將基板安放部 件1200之主圓盤121〇加熱至高達參考溫度（亦即8〇〇。〇)的功 率的結果。 [表2] 參考溫度(°c) 功率(k\\〇 第一比較性實例 800 66 第一比較性實例 800 48 第三比較性實例 800 38 實施例 800 23.4 如表2中所示，在不使用絕熱部件1400之第一比較性實 例的情況下’需要66 kw之功率來將基板安放部件12〇〇之 主圓盤1210加熱至南達刪。c。然、而，請注意，在根據實 143081.doc -29- 201015620 施例安置絕熱部件1400的情況下，僅需要23·4 kw之功率 便將主圓盤12 10加熱至高達相同的溫度，亦即8〇〇£>c。在 使用陶瓷板或不透明石英窗口的情況下，亦達成了功率減 少。但在根據實施例使用氧化鋁系列之絕熱體的情況下， 功率消耗變為最低。亦即，有可能藉由使用絕熱部件14〇〇 來增強功率效率。此意謂有可能使用低得多的功率將基板 安放部件1200加熱至高達所要溫度。 在下文中’將描述能夠均勻地控制基板安放部件12〇〇上 之溫度的根據本發明第四實施例的基板處理裝置。下文將 省略與第一至第三實施例之闡釋重疊的闡釋。而且，下文 將展示之描述可應用於第一至第三實施例。 圖1 8說明根據本發明第四實施例之基板處理裝置的橫截 面圖。圖19說明根據第四實施例之感應加熱方案之高度調 節單元的視圖’且更明確而言，說明圖18中之A區的放大 圖。圖20說明根據第四實施例之基板安放部件的平面圖。 圖21說明根據第四實施例之高度調節單元的分解透視圖。 圖22說明沿著圖21中所描述之B-B，線截取的橫截面圖。圖 23說明根據第四實施例之熱量產生單元及基板安放部件的 橫截面圖。圖24說明根據第四實施例之線圈固定設備的透 視圖。圖25說明根據第四實施例之修改的熱量產生單元及 基板安放部件的平面圖。 參看圖18 ’根據第四實施例之基板處理裝置21 〇5包含： 腔室2 110 ’其為重要組件且因此界定密封之反應區r ;基 板安放部件2120,在腔室2110内將基板2010安放於基板安 143081.doc -30- 201015620 放部件2120上，其中基板2010為處理對象；氣體分配板 2140’其上形成複數個注射孔2118以上下穿透，從而允許 處理氣體均勻地注射至反應區R;以及升降器總成2145， 其用以控制基板安放部件2120之升降移動。 基板處理裝置21 05進一步包含感應加熱單元218〇，亦即 熱里產生單元，其以感應加熱方案操作且安裝於基板安放 部件2120下方，且線圈（亦即具有複數個匝之線圈）可用作 感應加熱單元2180。 自女裝成穿越腔室2110之反應氣體供應路線216〇向氣體 分配板2140提供反應氣體。腔室211〇進一步包含排氣單元 2165，其在經由外部抽吸系統（未圖示）使用之後排空反應 區R中剩餘之反應氣體。 在此實施例中，基板處理裝置21〇5進一步包含複數個高 度調節單元2170，其穿透腔室2110之底板且選擇性地控制 感應加熱單元21 80之高低，亦即基板安放部件2145與線圈 之間的距離。 感應加熱單元21 80具有之結構優點在於’可在不拆卸及 組裝腔室2110的情況下，藉由其中内裝有驅動馬達（未圖 示）之高度調節單元2170來容易地控制感應加熱單元218〇 之高低。 儘管圖令未詳細展示，但由高度調節單元217〇調節之感 應加熱單元2180在基板安放部件2120下方之空間中上下移 動’使得可調節基板安放部件2120與感應加熱單元2180之 間的距離長度。此係因為在感應加熱期間，加熱溫度取決 143081.doc -31- 201015620 於感應線圈與加熱主體之間的距離長度而變得不同。 因此，有可能藉由在腔室2110之外部安裝高度調節單元 2170來滿足需要諸如50(rc、6〇(TC及70(TC之快速溫度變 化的多溫度條件，其中高度調節單元217〇為容易控制感應 加熱單元2180之高低的外部線圈系統。在此點上，感應加 熱單元2180可用作用於藉由加熱基板安放部件212〇來加熱 安放於基板安放部件2120上之基板2010的構件。 如上文所述，有可能在不拆卸及組裝腔室211〇的情況 下’藉由在腔室2110之外部安裝高度調節單元2170以控制 · 感應加熱單元21 80之高低，來容易地調節感應加熱單元 2180之高低。 在下文中’將參看隨附圖式詳細描述根據本發明第四實 施例之感應加熱方案的高度調節單元。 如圖19及圖20中所說明，基板安放部件21 20安置於腔室 2110内’且感應加熱單元2180安置於基板安放部件2110下 方。此外，安裝有複數個高度調節單元2170，其固定感應 加熱單元2180且穿過穿透孔TH而穿透腔室2110 » Θ 在本文中，將感應加熱單元2180設計成繞線轉子形狀， 其直徑基於基板安放部件2120之中心軸而變大。亦即，如 圖25中所說明，感應加熱單元2180包含：線圈2180a，其 在鄰近於支撐基板安放部件2120之支撐軸21 82的開始點 2184a與鄰近於基板安放部件2120之邊緣區的結束點2184b 之間具有複數個匝；以及功率供應源（未圖示），其向線圈 2180a提供交流電。基板安放部件2120由向線圈2180a供應 143081.doc -32· 201015620 電流時所產生之磁場間接加熱，且最終基板2010由基板 2010安放於其上之基板安放部件2120加熱。 如圖23中所示，基板安放部件2120處之溫度分佈的均勻 性直接受線圈2180a之匝之間的第一距離T1以及線圈2180a 與基板安放部件2120之間的第二距離T2影響。若第一距離 T1及第二距離T2中之每一者維持怪定，則基板安放部件 2120之中心區因基板安放部件212〇之上面未安放基板2〇1〇 之邊緣區的熱損失而具有比邊緣區高的溫度。因此，為了 補償溫度分佈之不均勻性，線圈218〇a中之匝之間的第一 距離T1及基板安放部件2120與線圈2180a之間的第二距離 T2經配置以隨著自基板安放部件2丨2〇之中心區至邊緣區而 變小。因此，感應加熱單元21 80以螺旋線圈形狀配置。感 應加熱單元2180安裝於與基板安放部件2120之底部分離大 約5 mm至大約50 mm的區中。基板安放部件2120與感應加 熱單元2180之間的距離不限於大約5 mm至大約5 0 mm的範 圍’且可被設定為小於5 mm或大於50 mm。 如圖18中所示，複數個高度調節單元2170經安裝以量測 被感應加熱單元2180加熱之基板安放部件2120的溫度，且 保證均勻的溫度分佈，其中可獨立地控制該複數個高度調 /tAt ng — ^ i _ _ 即早7G 2170 ’以局部調節基板安放部件2丨2〇與線圈2 i 8〇a 之間的第二距離T2。該複數個高度調節單元2170可安置於 第一、第二、第三及第四設定區]?1、？2、1)3及1>4中，在該 等設定區處’穿過基板安放部件212〇之中心的垂直及水平 線與線圈2180a相交，如圖20中所示。第一至第四設定區 14308l.doc -33- 201015620 PI、P2、P3及P4中之每一者包含安裝該複數個高度調節單 元2170的複數個點21 86。 基板女放部件2120與線圈2180a的第二距離T2可由連接 至線圈2180a之對應於該複數個點2186的該複數個高度調 節單元2170局部調節。該複數個高度調節單元217〇獨立地 操作。如圖25中所說明，圖21中之高度調節單元217〇可進 一步文裝於線圈2180a處，其中點21 86之間的距離在鄰近 於基板安放部件2120之邊緣區的區中變得較大。如圖25中 所示’除了穿過基板安放部件2120之中心的垂直及水平線 在该處與線圈2 1 80a相交的第一至第四設定區pi、p2、j>3 及P4之外，尚度調節單元2170可進一步安裝於兩條透視線 在該處彼此相交的第五、第六、第七及第八設定區p5、 Ρό、P7及P8中，其中該兩條透視線中之每一者穿過垂直線 及水平線與基板安放部件2120之中 心之間的空間。第五至 第八設定區Ρ5、Ρ6、Ρ7及Ρ8中之每一者包含複數個點 2186’其數目小於第一至第四設定區、ρ2、ρ3及ρ4中之 每一者中所包含之點的數目。 圖20及圖25中所描述之該複數個高度調節單元217〇所處 之複數個點21 8 6為一實例，且因此可以各種方式界定於對 應於具有複數個匝之線圈2180a的區中。 儘管上文之描述係基於設定區而提供的，但其不限於 此’且可根據感應加熱單元2180之感應線圈的位置來調節 尚度。亦即’如上文所述，在感應加熱單元2180之感應線 圈為經劃分之線的形狀而非繞線轉子形狀的情況下，每一 143081.doc • 34· 201015620 線之高度可不同。在此點上，如上文所提及，基板安放部 件2120與感應加熱單元2180之間的距離長度由高度調節單 元217〇調節。因此’有可能調節每一設定區之溫度。 在此實施例中，儘管高度調節單元21 70中之任何一者具 有缺陷或被損壞，但可容易地僅修理具有缺陷或被損壞之 焉度調即單元2170或用新的高度調節單元來替換該高度調 節單元2170。 不同於先前技術，本發明可藉由在不拆卸及組裝腔室 2110之内部組件的情況下在腔室211 〇之外部安裝驅動馬達 (未圖示）來容易地改變感應加熱單元218〇之高低，使得有 可能容易地控制基板安放部件2120上之溫度均勻性。 因此，由於無需拆卸及組裝腔室211 〇之内部組件以保證 溫度均勻性，因此可減少不必要的用於執行拆卸及組裝的 時間。而且，由於溫度由腔室211〇外部之波紋管（未圖示） 控制，因此不用擔心腔室211〇之内部受污染，以及腔室 2110之内部組件暴露於外部。因此，可延長腔室211〇之内 部組件的壽命。 具體而言，由於有可能藉由即使在需要多溫度條件之沈 積製程中亦針對每一溫度調諧均勻性且驗證位置來針對製 造過程中之每一溫度而調節感應加熱單元218〇之高低，因 此當在基板上形成薄膜時可增強薄膜之品質。 在下文中，將詳細描述根據第四實施例之高度調節單 元。 參看圖21及圖22，高度調節單元217〇包含：線圈固定支 143081.doc -35- 201015620 撐件2 1 72，其安置於最上部分處；絕緣體21 73，其纏繞線 圈固疋支撐件2172之下部部分；轴2171，其穿過穿透孔 (例如圖19中之穿透孔TH)朝向絕緣體2173之下部部分穿透 腔至（例如圖19中之腔室211 〇)的内部；上部支撐件2174及 下部支撐件2175 ’其分別安裝於腔室之外側及内側，用以 維持腔室内部之真空狀態，其中轴2 i 7丨安置於上部支撐件 2174與下部支撐件2175之間；波紋管2176，其安置於下部 支撲件2175下方以防止外部氣體之供應且用於軸2171之升 降移動’以及距離控制器217 8，其控制線圈固定支撐件 2 172之高低且安置於波紋管21 76下方。 如圖24中所說明，線圈固定支撐件2172連接至支撐線圈 2 180a之線圈固定設備21 90。線圏固定設備21 90包含圍繞 線圈2180a之支撐件2190a以及自支撐件2190a向下延伸且 具有連接孔2190b的兩個配置部件2190c。圖21中之線圈固 定支撐件2 172包含：分別對應於圖24中之兩個配置部件 2 190c的兩個配置平面2172a ’以及穿透兩個配置平面 2172a的固定孔2172b。如圖24中所示，若支樓線圈218〇a 之線圈固定設備2190之兩個配置部件2190c與兩個配置平 面2172a對準，則螺栓2192穿透固定孔2172b及連接孔 2190b，且螺栓2192之末端以螺帽2194緊固。 安置於線圈固定支撐件2172與上部支撐件21 74之間的空 間中的絕緣體21 73經設計以阻擋電流在線圈固定支撑件 2172與距離控制器2178之間的流動，且因此可使用具有優 良絕緣特性之石英及陶瓷材料中的一者，包含A10、 143081.doc •36· 201015620 AIN、BN或SiC。上部支撐件2174及下部支撐件2175對應 於圖19中之穿透孔TH而與腔室2110之内部及外部組合，且 提供可穿過穿透孔TH執行軸2171之上下移動的路徑。 對應於圖19中之穿透孔TH的下部支撐件2175連接至波 紋官2176。波紋管21 76執行以下功能：當軸2171穿透腔室 2110以上下移動時，密封腔室211〇之内部使其與外部隔 離。距離控制器2178安裝於波紋管2176下方且連接至軸 2171 ’從而調節線圈固定支撐件2172之高度。由於距離控 制器2178女裝於腔室211〇之外部，因此可在不拆卸腔室 211〇之情況下局部控制基板安放部件212〇與線圈218〇&之 間的距離。距離控制器2178可由驅動馬達（未圖示）操作。 商度調節單元2170進一步包含安裝於波紋管2176與距離 控制器2178之間的感測器支撐件2177，其中感測設備（未 圖不）附接至感測器支撐件2177。附接至感測器支撐件 2177之感測設備的作用為感測感應加熱單元之高低。感測 設備可包含感測器或量具。 在本文中，感應加熱單元固定至線圈固定支撐件2172, 且感應加熱單元之高低可隨著轴2171在腔室内上下移動而 變化。亦即，在本發明中，可藉由使用安裝於腔室外部之 距離控制器2178上下移動軸2171穿過波紋管2176，來容易 地控制内裝至線圈固定支撐件2172中之感應加熱單元的高 低。因此，可在不拆卸及組裝腔室的情況下控制感應加熱 單元之高低’且製造過程得以簡化。 不同於先前技術，由於本發明無需針對溫度均勻性之調 143081.doc •37· 201015620 諧過程’因此不需要對腔室之㈣組件進行拆卸及組裝。 而且’由於省略了此使溫度下降以拆卸腔室之内部組件的 過程，因此可使裝備操作之有效性最大化；可不污染腔室 之内部；且可延長腔室之内部組件的壽命。 另外，由於有可能藉由安裝與距離控制器2178整合之電 馬達來滿足多溫度條件，因此增強了溫度均勻性，且可藉 ， 由使用作為外部線㈣統之高度調節單元217g來精確地& 制感應加熱單元之高低。而且，由於即使在需要多溫度條 件之製程中亦有可能在執行製造過程時藉由針對每―溫冑 _ 調諧均勻性並驗證位置來針對每一溫度而改變感應加熱單 元之高低’因此可增強薄膜之品質。 如上文所提及，根據此實施例之描述可應用於上文所闡 釋之實施例。舉例而言，第四實施例中所闡釋之高度調節 單元可應甩於第-實施例。亦即，第四實施例中之高度調 節單元可使第一實施例中之感應線圈上下移動。藉此，有 可能區分感應線圈在中心區與邊緣區處之高度。另外，例 如在感應加熱單元安置於其中如帛二實施中所*含有絕熱 〇 體之絕熱部件内的情況下，高度調節單元可穿透絕熱部件 之一端以連接至感應加熱單元之感應線圈。在此情況下， - 感應線圈在絕熱部件之内部空間中上下移動。本發明不限 於此’且高度調節單元可調節其中安置有感應加熱單元之 絕熱。卩件的尚度。在本文中，絕熱部件可根據基板安放部 件之對應區而以經劃分之形狀形成。 在下文中’將參看圖18至圖25描述用於控制基板安放部 143081 .doc -38- 201015620 件2120之溫度分佈的方法。 在第一步驟中，藉由向感應加熱單元218〇供應電流來將 基板安放部件2120加熱至高達基板處理過程中所需要之溫 度，且在複數個量測點（未圖示）處量測基板安放部件2丨 之溫度，且因此將測得之溫度分類為第一區及第二區，其 中該第一區高於基板處理過程中所需要之溫度，且該第二 區低於基板處理過程中所需要之溫度。 在第二步驟中，藉由控制對應於第一區之高度調節單元 2170來使基板安放部件212〇與線圈218〇3之間的距離變 寬，且藉由控制對應於第二區之高度調節單元217〇來使基 板女放部件2120與線圈21 80a之間的距離變窄。 在第二步驟中，藉由向感應加熱單元218〇供應電流來將 基板女放部件2120加熱至高達基板處理過程中所需要之溫 度，且在該複數個量測點處量測基板安放部件212〇之溫 度。因此，若保證了均勻的溫度分佈，則執行基板處理過 程。若產生第-區及第二區’則重複第一及第二步驟。 如上文所述，根據本發明，有可能藉由在基板安放部件 與感應加熱單元之間安置絕熱部件來防止基板安放部件之 熱損失。 而且’有可能藉由防止基板安放部件之熱損失來用較低 之感應加熱功率將基板安放部件加熱至高達較高溫度，且 因此減少感應加熱單元之功率損失。 此外，有可能均勻地維持基板安放部件之溫度分佈。 另外’有T能藉由形成包含用諸如石英之材料密封之絕 143081.doc -39- 201015620 熱體的絕熱部件來增強基板安放部件之絕熱效果，其中絕 熱體具有優良的絕熱效果及較低的價格，且可不在腔室内 使用。 除此之外’有可能在不拆卸處理腔室之情況下，藉由在 處理腔室外部調節安置於基板安放部件下方之感應線圈的 高度，來容易地保證基板安放部件之均勻溫度分佈。詳言 之，由於當調節基板安放部件與線圈之間的距離時省略了 腔室之拆卸，因此腔室之拆卸及組裝時間係不必要的。因 此，改良了裝備操作之有效性。腔室内部暴露於空氣之頻 率得以減少，且因此腔室之壽命可延長。 儘官已參看特定實施例描述了沈積裝置，但其不限於 此。因此，熟習此項技術者將容易理解，可在不脫離由附 加之申凊專利範圍界定之本發明之精神及範疇的情況下， 對本發明作各種修改及改變。 【圖式簡單說明】 圖1說明根據本發明第一實施例之基板處理裝置的橫截 面圖； 口部件的概念 圖2說明根據第一實施例之絕熱部件及窗 性透視圖； 圖3說明根據第一實施例之絕熱部件的概念性平面圖； 圖4說明根據第一實施例之修改的感應加熱單元的概冬 性平面圖； 心 圖5至圖9說明用於闡釋根據第一實施例之修改的絕熱部 件之形狀的概念性橫截面圖； 、 143081.doc 201015620 二實施例之基板處理裝置的橫截 圖ι〇說明根據本發明第 面圖； 圖11說明根據第二實施例之絕熱部件的分解透視圖； 圖12說明根據第二實施例之絕熱部件的平面圖. 圖13說明根據第二實施例之修改的絕熱部件的平面圖； 圖14至圖16說明用於闡釋根據第二實施例之修改的絕熱 部件之形狀的概念性橫截面圖；
圖17說明根據本發明第三實施例之基板處理裝置的橫截 面圖； 圖1 8說明根據本發明第四實施例之基板處理裝置的橫截 面圖； 圖19說明根據第四實施例之感應加熱方案的高度調節單 元的視圖； 圖20說明根據第四實施例之基板安放部件的平面圖； 圖21說明根據第四實施例之高度調節單元的分解透視 TS3 · 團» 圖22說明沿著圖21中所描述之B_B，線截取的橫截面圖； 圖23說明根據第四實施例之熱量產生單元及基板安放部 件的橫截面圖； 圖24說明根據第四實施例之線圈固定設備的透視圖；以及 圖25說明根據第四實施例之修改的熱量產生單元及基板 安放部件的平面圖。 【主要元件符號說明】 14308l.doc -41 · 201015620 100 腔室 200 基板安放部件 210 主圓盤 220 驅動輪轴 230 驅動元件 300 感應加熱單元 310 感應線圈 310a〜310d 感應線圈 320 高頻功率供應源 320a〜320d 高頻功率供應源 330 冷卻元件 400 絕熱部件 410 絕熱主體 420 突出主體 430 延伸主體 500 窗口部件 501 支撐輪軸 600 氣體注射部件 1010 基板 1100 腔室 1200 基板安放部件 1210 主圓盤 1220 驅動輪軸 1300 感應加熱單元 143081.doc -42- 201015620 1310 感應線圈 1320 高頻功率供應源 1400 絕熱部件 1400a〜1400d 絕熱主體 1401 固定構件 1410 絕熱體 1420 下部主體 1421 底板 1422 第一突出側壁 1423 第二突出側壁 1424 凹入圖案 1430 上部蓋 1431 上部板 1432 延伸側壁 1433 延伸側壁 1434 凹下圖案 1440 密封片 1500 氣體注射部件 1600 環形絕熱部 1610 環形絕熱體 1620 下部環形主體 1630 上部環形蓋 2010 基板 2105 基板處理裝置 43- 143081.doc 201015620 2110 腔室 2118 注射孔 2120 基板安放部件 2140 氣體分配板 2145 升降器總成 2160 反應氣體供應路線 2165 排氣單元 2170 高度調節單元 2171 軸 2172 線圈固定支撐件 2173 絕緣體 2174 上部支撐件 2175 下部支撐件 2176 波紋管 2177 感測器支撐件 2178 距離控制器 2180 感應加熱單元 2180a 線圈 2182 支撐軸 2184a 開始點 2184b 結束點 2186 點 2190 線圈固定設備 2190a 支撐件 143081.doc -44 - 201015620 2190b 連接孔 2190c 配置部件 2192 螺栓 2194 螺帽 A 區 PI 〜P4 第一至第四設定區 P5 〜P8 第五至第八設定區 R 反應區 T1 第一距離 T2 弟一距離 TH 穿透孔 143081.doc -45-