TW201005978A - Method and apparatus for manufacturing solar battery - Google Patents

Description

201005978 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係與太陽電池之製造方法及太陽電池之製造裝置 有關’詳細而言，係與可以低成本檢測構造缺陷並予以修 復的太陽電池之製造方法及太陽電池之製造裝置有關。 【先前技術】

從能源之高效率利用的觀點’近年來太陽電池越來越受 一般所廣泛利用。尤其，利用矽單結晶之太陽電池係在每 單位面積之能源轉換效率上表現優異。然而，另一方面， 利用矽單結晶之太陽電池由於使用將矽單結晶結晶塊切片 後之石夕晶圓，因此在結晶塊之製造上耗費大量能源，製造 成本高。尤其’欲實現設置於室外等之大面積的太陽電池 的情形，如利用矽單結晶以製造太陽電池，在現狀係相當 才匕費成本。因而’可以更低價製造之利用非晶（非晶質）矽 薄膜的太陽電池係作為低成本的太陽電池而普及D 非晶石夕太陽電池係使用所謂pin接合之層構造的半導體 膜，而該pin接合係如受光則發生電子與電洞的非晶矽膜（i 型）藉由p型及η型之矽膜所夾住。在此半導體膜之兩面係 分別形成有電極。藉由太陽光而發生之電子與電洞係藉由 Ρ型· η型半導體之電位差而活潑移動，藉由將其連續地反 覆而在兩面之電極產生電位差。 就如此之非晶矽太陽電池的具體構成而言，係採用如下 構成· 4如在玻璃基板將Tc〇(Transparent Conductive

Oxide:透明導電氧化物）等之透明電極作為下部電極予以成 139496.doc 201005978 膜，在其上形成包含非晶石夕之半導體膜、及成為上部電極 之Ag膜等。 在包含如此之包含上下電極與半導體膜的光電轉換體的 非晶砂太陽電池中，如僅在基板上以廣面積將各層均一成 ' 膜’則具有電位差小，電阻值變大的問題。基於此因，譬 ' 如形成將光電轉換體依每特定尺寸作電性劃分之劃分元 件，藉由將相互鄰接之劃分元件彼此作電性連接，而構成 非晶梦太陽電池。 具體而言，係採用如下構造：於在基板上以廣面積已均 一形成的光電轉換體，使用雷射光等形成被稱為切射線 (切割道）之溝，而製得多個長方形之劃分元件將此釗分 元件彼此作電性串聯連接。 然而，在如此之構造的非晶矽太陽電池中，於製造階段 已知會產生右干構造缺陷。譬如，在非晶矽膜之成膜時， 藉由微粒子之混入或產生小孔，而使上部電極與下部電極 • 有局部性短路的現象。又，在基板上形成光電轉換體後， 藉由切割線而分割為多個劃分元件之際，沿著此切割線， 作為上部電極之金屬膜熔融而到達下部電極，而使上部電 -極與下部電極亦有局部性短路的現象。 如此般，在光電轉換體中，如產生夾著半導體膜而在上 4電極與下部電極之間呈局部性短路的構造缺陷，則會引 起發電電壓下降或光電轉換效率下降的缺失。基於此因， 在先前之非晶矽太陽電池的製造步驟上，係藉由檢測V此 之短路等構造缺陷，除去已產生構造缺陷之處而修復缺失。 139496.doc 201005978 譬如，曰本特開平9_266322號公報及曰本特開2〇〇2_ 203978號公報揭示了如下方法：將偏壓電壓施加於以切割 線所分割之各個劃分元件全體，藉由紅外線感測器檢測出 在短路處所產生的焦耳熱，藉由此方式，而規定存在著構 造缺陷的劃分元件。又’以CCD攝影機等將全部劃分元件 之表面作放大觀察之方法，或藉由照射光而測定並比較各 劃分兀件之FF(fUl factor:曲線因子），而規定存在著構造缺 陷之劃分元件的方法，亦已為一般所知。 、 然而’在將偏壓電壓施加於上述劃分元件全體而檢測缺 陷的方法方面，雖可作劃分元件内的概略之缺陷位置的規 定，但規定精確之位置卻有困難，又，具有亦需要紅外線 感測器之掃描等，檢測精度或用於檢測之裝置成本較大的 問題。 又，由於將偏壓電壓施至缺陷處呈發熱程度，因此亦有 對半導體膜賦予損傷之虞。 在以CCD攝衫機等作放大觀察而檢測缺陷的方法方面， 有必要使攝影機跨太陽電池全區域作掃描，尤其，如太陽 電池為大面積的情形’則具有在構造缺陷的檢測上既麻煩 耗寺的待解決問題。又，亦有無法檢測出未顯現於表層 的缺陷之虞。 在照射光而測定各劃分元件之即的方法方面，雖可檢測 出存在著缺陷的劃分元件本身，但欲規定劃分元件内之何 處存在著缺陷卻有困難。 然後’在該等上述缺陷檢測方法方面，由於僅可規定概 139496.doc 201005978 略之缺陷位置’因此在以雷射光等修復缺陷處之際，必須 廣範圍除去半導體膜’故具有非僅作為太陽電池之特性不 佳’亦有在外觀上不佳的問題。 又，在僅規定概略之缺陷位置而施加偏壓電壓以除去缺 化的it形’係有必要提高偏壓電壓。’然而，如施加高於所 耑、上之偏壓電壓，則具有對未產生缺陷之正常部分賦予 損傷的問題。 【發明内容】 本發明係有鑑於上述實情而研發，目的在於提供一種太 陽電池之製造方法及太陽電池之製造裝置，其係不會對太 陽電池之光電轉換體賦予大損傷，以短時間正確規定構造 缺陷之發生處，可確實除去及修復已規定之構造缺陷。 為了解決上述待解決問題，本發明係提供如次之太陽電 池的製造方法，亦即，本發明之第丨樣態的太陽電池之製 造方法係形成光電轉換體，其係包含複數個劃分元件，相 互鄰接之前述劃分元件彼此電性連接；在前述光電轉換體 之中，規定具有構造缺陷之劃分元件（缺陷劃分規定步 驟）；從相互鄰接之前述劃分元件彼此之間測定複數處之 電阻值所獲得之電阻值的分布規定缺陷部位，藉由比方 式，而在前述劃分元件内限定存在著前述構造缺陷的部位 (缺陷部位規定步驟），將偏壓電壓施加於存在著前述構造 缺陷的部位而除去前述構造缺陷（修復步驟）。 在本發明之第1樣態的太陽電池之製造方法中，對在限 定存在著前述構造缺陷的部位之際（缺陷部位規定步騾）使 139496.doc 201005978 用於電阻值之測定的測定端子，在除去前述構造缺陷之際 (修復步驟）係以施加施加偏壓電壓為佳。 在本發明之第1樣態的太陽電池之製造方法中，在限定 存在著前述構造缺陷的部位之際（缺陷部位規定步驟），係 以將電阻值之測定密度至少改變2階段以上作測定為佳。 在本發明之第1樣態的太陽電池之製造方法中，在限定 存在著前述構造缺陷的部位之際（缺陷部位規定步驟），在 電阻值之測定上係以使用4探針式之電阻測定裝置為佳。 又’本發明係提供如次之太陽電池的製造裝置。 亦即，本發明之第2樣態的太陽電池之製造裝置係具有 包含複數個劃分元件之光電轉換體的太陽電池之製造裝 置’其包含電阻測定部，其係在前述光電轉換體之中，為 了在具有構造缺陷之前述劃分元件内限定存在著構造缺陷 的部位’而在相互鄰接之前述劃分元件彼此之間測定複數 處之電阻值。 根據本發明之第1樣態的太陽電池之製造方法，最初在 缺陷劃分規定步驟中，篩選包含具有構造缺陷之劃分元件 的太陽電池’僅將具有缺陷之太陽電池，在缺陷部位規定 步驟中正確規定缺陷之存在部位。藉由此方式，則可以高 效率製造無構造缺陷之太陽電池。 此外，在缺陷部位規定步驟中，由於可在劃分元件内正 確規定缺陷之存在位置，因此可以修復步驟僅除去包含缺 陷之最小限度的區域。既不使作為太陽電池之特性大幅度 下降，且不損及外觀，而可作缺陷處的修復。 139496.d〇, 201005978 又，根據本發明之第2樣態的太陽電池之製造裴置，係 包含電阻測定部，其係為了規定構造缺陷之位置，而在劃 分兀件彼此之間測定複數處之電阻值。基於此因，故可在 劃分7L件内正確規定缺陷之存在位置，以修復步驟僅除去 包含缺陷之最小限度的區域。既不使作為太陽電池之特性 • 大幅度下降，且不損及外觀，而可作缺陷處的修復。 【實施方式】 ❹ 以下’根據圖式’針對與本發明有關之太陽電池的製造 方法、及使用其之本發明的太陽電池之製造裝置進行說 明。再者，本實施型態係為了更良好理解本發明之旨趣而 具體說明，如未作特別指定之情況，則不限定本發明。 圖1係顯示藉由本發明之太陽電池的製造方法所製造的 非晶矽型太陽電池之要部的一例之放大立體圖。又，圖 2(a)係顯示圖1之太陽電池的層構成之剖面圖。圖以…係將 以圖2(a)之符號B所示部分放大後的剖面放大圖。太陽電 • 池1〇係具有光電轉換體12，其係形成於透明絕緣性之基板 11的第1面Ua(-方之面）。基板㈣譬如以玻璃或透明樹 脂等太陽光之穿透性優良且具有对久性的絕緣材料形成即 •可。太陽光係射入該基板丨丨之第2面llb(另一方之面）。 在光電轉換體12中，從基板11起係依序疊層著第一電極 層（下部電極）13、半導體層14、及第二電極層（上部電 極）15。第一電極層（下部電極）13如包含透明之導電材料， 譬如TCO、ITO (indium Tin 〇xide:銦錫氧化物）等光穿透 性之金屬氧化物即可。又，第二電極層（上部電極如藉 139496.doc 201005978 由Ag、Cu等導電性之金屬膜而形成即可。 半導體層14係譬如圖2(b)所示般，具有pin接合構造，其 係在p型非晶矽膜17與η型非晶矽膜18之間夾著丨型非晶矽 膜16而構成。然後，當太陽光射入此半導體層14，則產生 電子與電洞，電子與電洞係藉由p型非晶矽膜丨7與n型非晶 矽膜18之電位差而活潑移動，藉由將其連續地反覆而在第 一電極層13與第二電極層15之間產生電位差（光電轉換 光電轉換體12係藉由切割線（切割道）19而被分割為外形 呈長方形之多個劃分元件21、21…《此劃分元件21、2ΐ. 係相互作電性劃分，且在相互鄰接之前述劃分元件21彼此 之間電性串聯連結。藉由此方式，光電轉換體12係具有劃 刀元件21、21…全部電性_聯連結之構造。在此構造中， 可取出高電位差的電流。切割線19係藉由如下方式形成： 譬如，在基板11的第丨面lla均一形成光電轉換體12後藉 由雷射光等在光電轉換體12以特定之間隔形成溝。 再者，在構成如此之光電轉換體12的第二電極層（上部 電極）1 5之上，係以進一步形成包含絕緣性樹脂等的保護 層（未圖示）為佳。 說明用於製造以上之構成的太陽電池之製造方法。圖3 係圖3係將本發明之太陽電池的製造方法作階段性顯示的 抓程圖。在其中，尤其針對從構造缺陷之檢測至修復為止 的步驟作詳細敘述。 首先，如圖1所示般，在透明基板u之第丨面11&之上形 成光電轉換體12(光電轉換體之形成步驟·pl)。就光電轉換 139496.doc 201005978 體12之構造而言’譬如’如為從基板11第1面lla起係依序 疊層著第-電極層(下部電極)13、半導體㈣、及第二電 極層（上部電極）15的構造即可。 在如此之光電轉換體12的形成步驟之中，如圖4(a)所示 般有發生如下缺失的情形：藉由雜質等混入（污染）於半 . $體層14所產生的構造缺陷A1、或細微之小孔在半導體層 Η產生的構造缺陷八2等。如此之構造缺陷αι、μ係使第 籲 冑極層13與第二電極層15之間呈局部性短路（漏電），使 發電效率下降。 接著，朝光電轉換體12譬如照射雷射光線等，形成切割 線（切割道）19，❿分割為呈長方形之多個劃分元件21、 21·.·(劃刀元件之形成步驟：p2)。 在如此之切割線19的形成步驟之中，如圖4(a)所示般， 有發生如下缺失的情形：藉由雷射照射位置之偏離等，而 構成第二電極層15之金屬熔融並流下至切割線19的溝内， ❹ 藉由此方式而產生的構造缺陷A3等。如此之構造缺陷A3 係使第一電極層13與第二電極層15之間呈局部性短路（漏 電），使發電效率下降。 在以以上之步驟所形成的太陽電池10中，首先，係規定 . 存在著上述從A1至A3所代表之構造缺陷的劃分元件21、 21·..(缺陷劃分規定步驟：p3)。在此缺陷劃分規定步驟 中，就規定存在著構造缺陷之劃分元件21、21…的具體方 法而言，譬如，可舉出電阻值之測定、FF(mi fact〇r:西線 因子）之測定等。 139496.doc -11 - 201005978 藉由電阻值之測定而&定存纟I構造缺陷之劃分元件2 ^ 的情形，係如圖5所示般，沿著長方形的劃分元件21之長 度方向L設定若干測定點，在相互鄰接之劃分元件η '门 彼此之間測定電阻值，從此測定值之分布則可規定存在著 構造缺陷之劃分元件21 s(缺陷劃分元件）。 譬如，在包含12〇個劃分元件之太陽電池中，測定相互 鄰接之劃分元件彼此之電阻值的一例，係如圖6所示。根 據此圖6所示測定結果，如比較第35個劃分元件與第％個 劃分元件’則很明顯第35個劃分元件之電阻值呈下降。亦 即，可預測在第35個劃分元件係存在著成為短路之原因的 構造缺陷。同樣的，亦可預測在第1G9個劃分元件亦存在 著構造缺陷。 在如此之缺陷劃分規定步驟中，藉由電阻值之測定而規 定存在著構造缺陷之劃分元件的情形，作為測定方法可舉 出若干方法。譬如’如為τ列方法即可：使㈣定裝置將 劃分元件彼此之電阻值以—次之探針的上下運動完成測定 的方法，而該測定裝置係沿著劃分元件21之長度方向[以 特定之間隔排列著多個探針；或是，使探針沿著劃分元件 21之長度方向L掃描，在特定之測定點反覆探針的上下運 動作測定的方法等。 在如此之缺陷劃分規定步驟的電阻值之測定中，如使用 :列方法中任一種亦可：施加特定值之偏壓電壓的方法； 藉由以兼作電流值之測定的丨組2支探針進行之2探針式的 方法；或是，藉由包含2組4支探針之4探針式的方法其 139496.doc -12· 201005978 係使用於特定值的偏麼電流之施加的探針、及用於電屋值 之測定的探針作分開進行。從該等電壓值與電流值算出電 阻值。 ㈣’在如此之缺陷劃分規定步驟中，在藉由電阻值之 測^的方法以外，譬如採用如下方法亦可，其係將特定之 光量的照明光照射於太陽電池’依各自之各劃分元件進行 FF(fill factor:曲線因子）之測定，比較相互鄰接之劃分元件 彼此的FF之值，將打之值特別低落之劃分元件作為存在著 構造缺陷的劃分元件予以規定。 經過以上之缺陷劃分規定步驟而被發現存在著構造缺陷 之劃分兀件的太陽電池，係被送至以下說明之缺陷部位規 定步驟。另一方面，將未發現存在著構造缺陷之劃分元件 的太陽電池直接作為良品，經過保護層之形成步驟p6等予 以製品化。 在上述缺陷劃分規定步驟中被發現存在著構造缺陷之劃 分元件的太陽電池，係進而被送至在劃分元件内限定存在 著構造缺陷之部位的步驟（缺陷部位規定步驟：p4)。在此 缺陷部位規定步驟中’係僅對在前步驟之缺陷劃分規定步 驟中被視為存在著構造缺陷之劃分元件，沿著其長度方向 L測定鄰接之劃分元件2 1之間的電阻值。此時之在長度方 向L上的電阻值之測定間隔（測定密度），係比前步驟之缺 陷劃分規定步驟的電阻值之測定間隔更細而進行測定。 譬如，如圖7(a)所示般’在被視為存在著構造缺陷r之 劃分元件21s的長度方向L之全區域，依各特定之測定間隔 139496.doc •13- 201005978 τ 1 (測定密度）在鄰接之劃分元件2丨之間進行電阻值的測 定。藉由此電阻值的測定，在劃分元件21s的長度方向L上 規定構造缺陷R之概略位置。測定間隔T1係譬如為2〇 程度即可。 譬如’在長度方向L之長度為14〇〇 mm的長方形之劃分 兀件（存在著1處缺陷）中，測定與鄰接的劃分元件之間的電 阻值之一例’係如圖8所示。根據此圖8所示測定結果，朝 向從劃分元件之一方的端部之距離為25〇 mm附近，電阻 值係呈下降。存在著引起短路之構造缺陷的情形，係如此 般，可觀察到，越接近缺陷之存在位置則電阻值呈持續漸 減傾向。因而，如在劃分元件21s的長度方向L以特定間隔 持續測定電阻值，並觀察其電阻值的變化，則可限定在劃 为元件21s内構造缺陷存在於哪個位置。 如以上般，在劃分元件2ls的長度方向^上規定構造缺陷 R之概略位置後，係以更正確規定存在著構造缺陷r的位 置為佳。亦即，如上述般，在劃分元件21s的長度方向L上 規定構造缺陷R之概略位置後，係以將此位置之前後⑽麵 程度之間，以比別述測定間隔τ丨更細的測定間隔丁2測定與 鄰接的劃分元件之間的電阻值為佳（參考圖7_。測定間 隔係譬如設定為2 mm程度，以比規定上述概略之缺陷 位置的步驟H)倍程度更細的精度，正確規㈣造缺陷k 存在位置。 在如此之缺陷部位規定步驟之電阻值的測定中，如使用 下列方法令任一種亦可：施加特定值之偏塵電麼的方法； 139496.doc •14· 201005978 藉由以兼作電流值之測定的1組2支探針進行之2探針式的 方法；或是’藉由包含2組4支探針之4探針式的方法，其 係使用於特定值的偏壓電流之施加的探針、及用於電壓值 之測定的探針作分開進行。從該等電壓值與電流值算出電 . 阻值。 ' 再者，有關如此之缺陷部位規定步驟，在本實施型態 中，係使電阻值的測定間隔作2階段變化而規定缺陷之位 φ 置，但如進而設為將測定間隔變更為3階段以上，以更正 確規定在劃分元件内之缺陷的位置亦可。 另一方面，在上述缺陷部位規定步驟（p4)上，如使用如 圖10⑷所示之探針單元u亦可，其係沿著劃分元件2is的 長度方向L以間隔T2形成有多個探針。首先，最初，依特 定之各廣測定間隔T1，間歇性僅對探針χι施加偏壓電流 (電壓）’以規定構造缺陷R之概略位置。 接著，如圖10⑻所示般，對被視為存在著構造缺陷尺之 • 1間(亦即，在已賦予偏壓電流(電壓)之探針間電阻值最低 的區間）之探針X2施加偏壓電流（電壓）。此時，由於以比 最初之廣測定間㈣更窄之探針的形成間隔T2作測定，因 此可更正確規定在劃分元件内之構造缺陷尺的位置。 纟此般使用著劃分元件2! s的長度方向l將探針以間 隔T2作細密排列的探針單元u，#由將施加偏壓電流（電 廢）之探針作適宜變更，則無需將探針往長度方向l移動而 僅選擇供應偏壓電流之探針，即可迅速檢測出構造缺陷r 的位置。 139496.doc 15 201005978 端：：其他之檢測方法，如採用在測定中變更測定之 、Β ϋ之方法亦可。譬如，使用圖1〇⑷及⑻所示裝 置之情形，最初係將端子的間隔設定得相對較大而測定電 阻值’在檢測出比臨界值更低的電阻值之情形時、或是電 阻值比-定之比率降得更低之情形時，則縮小端子的間隔 依每個端子作測定。在每個端子之測定上，在電阻值變為 比臨界值更高之情形、或是恢復為正常值之情形，則恢復 為原先之間隔進行測定β 進而’作為其他之檢測方法，如採用如下方法亦可：決 定複數個臨界值’依每個臨界值而變更端子之測定間隔。 譬如，先決定電阻值之臨界值Α、Β、及c(a>b>c)。電阻 值為臨界值八以上之情形’係隔開1〇端子間隔作測定如 為臨界值A以下’係隔開5端子間隔作測定，如為臨界值β 以下’係隔開2端子間隔作測定，如為臨界值c以下，則以 各端子作測定。在電阻值變大的情形，相反地每當超出臨 界值則擴大測定間隔作測定。具有缺陷的情形，由於電阻 值呈逐漸變化（參考圖8)’因此藉由如此般依每個臨界值變 更測疋間隔，則可迅速且正確檢測出缺陷位置。 又，在5亥等之檢測方法中，係針對使用如下裝置之情形 作說明：如圖10般將多個端子並排，讓使用於測定之端子 的間隔作變化。在移動端子的同時並作測定的情形時以 依每個臨界值變更測定間隔或移動速度的方法亦可實現。 如在劃分兀件21s的長度方向L上已規定構造缺陷R的正 確位置，接著，修復太陽電池之構造缺陷R(修復步驟： 139496.doc • 16 - 201005978 P5)。在修復步驟中，係僅對如下處的附近作限定性施加 偏壓電流，僅使存在著構造缺陷尺之部分的半導體層及電 極蒸發予以去除：該處係經過上述缺陷劃分規定步驟及缺 陷部位規定步驟而規定存在著構造缺陷R(參考圖7(匀及圖 • 4(b))。 • 在此修復步驟上，由於以缺陷部位規定步驟已規定缺陷 之在劃分元件内的正確存在位置，因此可僅將包含構造缺 鲁 陷R之最小限度範圍從E1至E3予以除去。亦即，將圖4⑷ 所示構造缺陷A1〜A3之各個以圖4(b)的符號從E1至E3所示 之方式予以除去。 又，在本發明方面，如配合已測定之電阻值而改變修復 用之偏壓電壓亦可。具體而言，由於當電阻值小時則缺陷 部分大的情形為多，因此藉由加大偏壓電壓則可以短時間 除去缺陷。又，由於當電阻值大時則缺陷部分小的情形為 多，因此藉由減小偏壓電壓則可避免施加多於所需的高電 ❿ $。在本發明方面，由於規定缺陷之位置並在其附近測定 電阻值，因可測定缺陷部分之正確電阻值且可選擇適切 之偏壓電壓。 在此6復步驟中，作為施加用於缺陷修復之偏塵電流的 方法，藉由使用對探針供應缺陷修復用之偏壓電流的方 法’則可更進一步高效率以㈣間進行從缺陷位置之規定 缺復為止的上述步驟，而該探針係用於前步驟（缺 陷部位規定步驟）上之電阻值的測定。 圖9係顯不在4探針式之電阻測定裝置附加缺陷修復用之 139496.doc -17- 201005978 偏壓電流電路後之電路的概念圖。在此電阻測定、修復裝 置中’在電阻測定時，係如以實線所示電路般，從一方之 一組的探針B1 (第1組）供應電阻測定用之偏壓電流wi，測 定電流值A ’且使用另一方之一組的探針B2(第2組）測定電 壓值V而算出電阻值。 另一方面’在缺陷修復時，係切換為以虛線所示電路， 從探針B 1供應比電阻測定用之偏壓電流W1更高之電壓的 缺陷修復用之偏壓電流W2，將包含缺陷的部位予以除去 (修復）。 如以上般，在經過缺陷劃分規定步驟、缺陷部位規 定步驟（P4)、修復步驟（p5)而規定且已除去存在於劃分元 件之構造缺陷的太陽電池，係被送至保護層形成步驟 (P6)，進行後步驟的處理。 在如此之太陽電池的製造方法中係設為’最初在缺陷劃 分規定步驟中’篩選包含具有構造缺陷之劃分元件的太陽 電池。其後，僅將具有構造缺陷之太陽電池，在缺陷部位 規定步驟中正確規定缺陷之存在部位，因此可以高效率製 造無構造缺陷之太陽電池。 此外，在缺陷部位規定步驟中，由於可在劃分元件内正 確規定缺陷之存在位置，因此可以修復步驟僅除去包含缺 陷之最小限度的區域。既不使作為太陽電池之特性大幅度 下降’且不損及外觀，而可作缺陷處的修復。 本發明的太陽電池之製造裝置具有電阻測定部，其係在 圖7(a)至圖7(b)所示缺陷部位規定步驟中，為了規定構造 139496.doc 201005978 缺陷E之位置，而在劃分元件21彼此之間測定複數處之電 阻值。此電阻測定部係由2探針式或4探針式之電阻測定裝 置、及使劃分元件21與探針沿著長邊度方向£作相對移動 之移動裝置所構成。進而，本發明的太陽電池之製造裝置 如包含缺陷修復用偏壓電路（參考圖9)的話，則可將劃分元 件内之從缺陷之位置規定到修復為止以一個裝置以良好效 率在短時間内作處理，而該缺陷修復用偏壓電路係對電阻 測定裝置之探針施加缺陷修復用之偏壓電流。 如以上所詳述般，本發明可在製造太陽電池的方法及裝 置上發揮功效，而其係已抑制對光電轉換體之損傷，正確 規定構造缺陷之發生處，及確實除去並修復規定之構造缺 陷。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示非晶矽型太陽電池之要部之一例的放大立體 圖； • ffl2(a)、（b)係顯示非晶石夕型太陽電池之-例的剖面圖； 圖3係顯示本發明之太陽電池的製造方法之概要的流程 園， ()(b)係顯示構造缺陷之存在例與缺陷修復後之模 ，樣的剖面圖； 圖5係顯示缺陷劃分規定步驟之模樣的說明圖； 圖6係顯示缺陷劃分規定步驟中之電阻值的 圖； 圖7(a)-(c)係顯示缺陷部位規定步驟之模樣的說明圖； 139496.doc •19- 201005978 圖8係顯示缺陷部位規定步驟中之電阻值的測定例之 圖， 圖9係顯示本發明的太陽電池之製造裝置的電阻測定部 之一例的電路圖；及 圖10(a)、（b)係顯示本發明的太陽電池之製造裝置的電 阻測定部之一例的概略圖。 【主要元件符號說明】 10 太陽電池 11 基板 12 光電轉換體 13 第一電極 14 半導體層 15 第二電極 19 切割線 21 劃分元件 139496.doc -20-

Claims (1)

1. 201005978 七、申請專利範圍： 一種太陽電池之製造方法，其特徵為： 形成光電轉換體，其係包含複數個劃分元件，相互鄰 接之前述劃分元件彼此電性連接； 在前述光電轉換體之中，規定具有構造缺陷之割分元 件； 從相互鄰接之前述劃分元件彼此之間測定複數處之電 阻值所獲得之電阻值的分布規定缺陷部位，藉由此方 式，在前述劃分元件内限定存在著前述構造缺陷的部 位；及 將偏壓電壓施加於存在著前述構造缺陷的部位而除去 前述構造缺陷。 2. 如請求項1之太陽電池之製造方法，其中 對在限定存在著前述構造缺陷的部位之際使用於電阻 值之測定的測定端子，在除去前述構造缺陷之際係施加 偏壓電壓。 3. 如請求項1或2之太陽電池之製造方法，·其中 在限定存在著前述構造缺陷的部位之際，係將電阻值 之測定密度至少改變2階段以上作測定。 4_如請求項1或2之太陽電池之製造方法，其中 在限定存在著前述構造缺陷的部位之際，在電阻值之 測定上係使用4探針式之電阻測定裝置。 5. —種太陽電池之製造裝置，其特徵為具有包含複數個劃 分元件之光電轉換體，包含： 139496.doc 201005978 電阻測定部，其係在前述光電轉換體之中，為了在具 有構造缺陷之前述劃分元件内限定存在著構造缺陷的部 位，而在相互鄰接之前述劃分元件彼此之間測定複數處 之電阻值。 139496.doc