201003673 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一碎片減輕裝置，尤其係使用在用於遠紫 外線輻射（EUV-radiation)及/或軟X射線之一輻射單元中之 碎片減輕裝置，其包括至少一個箔截阻件，該箔截阻件具 有一中心轴線及若干在一徑向上相對於該中心軸線而於一 内底座與一外底座之間延伸之箔。本發明亦關於此一碎片 減輕裝置在該用於遠紫外線及/或軟χ射線之一輻射單元中 之該輻射源與該收集器之間之配置。 【先前技術】 碎片減輕裝置尤適用於發出波長範圍在約丄麵至2〇⑽ 之間之遠紫外線（EUV)輻射或軟又射線之輻射單元中。一 範例性應用領域為生產具有尺寸僅為數毫微米的結構之積 體電路所需之EUV微影術技術。 用於EUV微影術之Euv輻射單元包括作為關鍵元件之一 2出該㈣_之㈣源及_用以將—光罩之結構投影至 一晶圓基板上之„光學器件。在Ευν微影術中，由於未 知適用於此波長範圍之有 另欢远射尤學組件，該等光學組件 為反射鏡。該所需之Ευν輕 相耵你田屯漿放電形成，該電 水放電形成該輕射單亓夕兮 之4輕射源。除了該EUV輻射之 外’此一電漿亦可發出帶雷 + f電的或不可電之微粒，該等微粒 可〉儿積於該照明光學器件
is j+ - ^ ^ 之°亥#先予表面上。根據該£UV 季田射源之種類，此算料 ώ 此寺U粒可包括中性原子、離子、不同化 予稠度之簇群或微滴。— 輻射/原發出之非要求之微粒 139702.doc 201003673 之總體係稱為碎片。在— 之兮第於工 "uv輻射早Μ，鄰近該輻射源 = 亦稱為收集器-主要受此等碎片所污染。為 學組件，…該《二 器之=ΓΓ減輕之方法是在該Euv輻射源與該收集 間供應一種緩衝氣體。就原子或離子而言，兮等砕片 …原子之碰撞而速度降低且偏離其等之 初始飛行方向。若續矯疮# ㈣ι體之μ夠高1料碎片微 粒可在其飛往該收集器之途中被完全截阻。 碎片Η 若該碎片亦包含可聚集物質 ^日,丨斗斗孟屬原子或金屬點 滴，則忒该EUV輻射源與該华 •, ,, w L x收果益之間使用一額外的碎片 減U置。此—碎片減輕裝置包括—結構，其具有若干通 道允許该輻射直接通過達 體交互作用而偏離之該碎片材=’其中因與該緩衝氣 等壁上且因此不到達該收集器。 冓之
U 各種已4之碎片減輕裝置包括若干如卿GW⑺6 a】中 所揭不之以一平行、和1^1 门 之薄；或蜂巢結構形成方式配置 :4片“，缚片或“者在本申請案中均稱為謂叫 由於形成該結構之該等壁之該等薄箱會截阻該碎片微粒， 因此該等簿結構亦稱為箱截 ^ ^ .^ ^ ^ M 件此一箔截阻件之該等箔 較且由金屬，諸如鋼、鎢、 或由梦酸鹽材料製成。已提出‘或類似抗高溫金屬製成 4 人 匕知出泊截阻件結構之若干不同形 式，其組合EUV輻射之—高 。又先透明性及一可收集碎片微 〃 、表面。“吏用若干具有-中心軸線及數個相對 139702.doc 201003673 =心軸線在-徑向方向上延伸 之間的距離在該徑向 該荨-泊 , φ e增大。形成於該等羯之間之數個 =碎=度係有利於有效地截―阻件 又巧寻碎片娬粒。此外，有 件内建立起-緩衝氣體1声右干小里通道’在該辖截阻 〇 巧达、度區域相較於在一具有若+ θ 寬通道之結構中（建立）較 、有Ή父 ψ ^ Η έ- 易延亦改善該箔截阻件之 料片減輕功能。繁於該箱 牛之 心軸線處之碎片減扣午之上这。又计，鄰近該中 月減幸工效果將相對佳，而徑向 之該外部之碎片減輕效果則較差。 -軸線 二'Π: Μ揭示—碎片減輕裝置，在該裳”，兮 =包括_。—組嶋_截阻件之—J 奴向上之一内底座延伸，且—組外箱係 底座朝向該箱截阻件之-外橫截面内之—中心軸 伸。該内横截面與該外橫截面大轴線而延 小於外荡之數量，以使兮内^ 内落之數量可 與該外橫截面上之該等之距離 茨寺泊之間之—距離近似。 【發明内容】 本發明之一目的係提供一碎片減輕裝置 之先前技術之箱截阻件，本發明之一箱截 ^之上逑 面之外部及内部之良好截阻效率及一改良之_合—其橫截 該目的係藉由使用根據技術方案1之該碎片性。 達成。此裝置之若干優點實施例為該等附屬言主/至衣f而 物或係於該描述之後續部分中描述。 項之心的 所提出之碎片減輕裝置包括 冷哉阻件，其含有 \39702.doc 201003673
-個中心轴線及若干第，該等第―猪在―徑向上相對 於該中心軸線於一内底座與一外底座之間延伸。若干第二 羯係配置於該等第一猪之間的中間空間中，該等第1自 該外底座朝向該中心軸線延伸之一距離小於該内底座與該 外底座之間之距離。該術語底座意指任何固定物或其他使 該等箱機械地固定於該個別位置之結構。該等羯可機械地 固定至此—底座或僅由此-底座引導，（例如）以允許該等 箱於其相應箔平面内因熱膨脹而移動。亦可由將於此描述 之後文中解釋的若干定距元件形成該底座。 由於若干配置於此等中間空間中之若干額外第二猪使得 該羯截阻件之該等徑向外部中之該等第一猪之間的中間空 間變窄’所提出之碎片減輕裝置使碎片減輕效果得以改 良。此外，該等第—落於該内底座與該外底座之間之延伸 保證了該猪截阻件之機械穩定性，即便是在旋轉該落戴阻 件之情形下。肖等第—箱較佳係僅被固定至-底座（外底 座或内底座）且由另一庙庙g處 展座（相應的内底座或外底座）所引 導，以允許其在徑向上於該等底座中之一者中移動。利用 所提出L且件結構，對於大的收集角，尤其當用於一 輻射系統中時，該等箔之間通道寬度增加而帶來之不 利便可避免。該等中間（第：⑽在該㈣阻件之該徑向外 區中之配置使得在此外區㈣碎片微粒之截阻更為有效。 在收市角極大之情形下’其為自該源發射至該落截阻件之 該中心軸線之該㈣uv射線或碎#飛純叙大肖声 數個第三落係可配置於該等第二箱與該等第1之間之該 139702.doc 201003673 等中間空間中，該等第三羯自該外底座朝向該中心軸線延 伸之-距離係小於該等第二落在此方向上㈣之該距離。 熟悉此項技術者可顯而易見，根據預期效果或該收集角之 高度，此措施可繼續採用額外的第四箔、第五箔以及更 多。 乂大收集角度進行有效之碎片減輕之另—可能性是於該 等第一箱之間配置兩個或數個第二羯，該等第二结朝向該 中心軸線延伸一第—距離，且將該數量較少之第三箔連接 至該等第二蕩之若干徑向内緣或—内底座，該等第三猪自 :等内緣或該内底座朝向該中心軸線延伸之第二距離。該 第-距離及該第：距離係經選擇线和小於㈣底座與該 外底座間之該距離。 /為了更進—步提高該落截阻件之機械穩定性，數個底座 係設於該等第二笛、第三落等之該等徑向内緣上。為簡潔 :明起見’在下文中’_統稱為該等第二羯，即使該 冷截阻件可3有第三箔、第四箔I，該等解釋同樣適用。 該底座係由設計並配置於料第二羯上之若干定距元件所 形成以使忒寺第二箔中心地居於或等距地位於兩個相鄰 :兩個第-羯之間，而不使該等第二箱固定至該等第_ X料歧㈣使該等第1㈣在其等之對 :泊平面内獨立地移動。此等移動之發生係可源於該等 V白之不同孰膨脹。s ^另一方面，利用該等定距元件，該箄笔 2可維持其等相以之相對側向位置，錢該整個^ 件之構造極具機械穩定性。料定距元件可與該等相鄰 139702.doc 201003673 猪接觸或維持一極小之距離，使該該等簿在1等之平面内 始終可獨立地移動。該等定距元件可例如藉由交替地使該 寺第二fl之該等内緣的部分朝向—相鄰箱之—側彎曲並朝 向該相對之相鄰猪之另—側.彎曲而形成。在另一實施例 中，該等定距元件係由若干獨立之片材形成，該等片材可 包括若干中心槽，若干形成於該等第二箱之該等徑向内緣 上之‘鰭狀物可延伸穿過該等中心槽。該等鰭狀物之後係藉 由例如朝向該等定距元件適當彎曲或焊接至該等线元件 而被固定至該等定距元件之相對之側上。 二斤提出之碎片減輕裝置亦較佳包括至少一個用於供應緩 衝氣體至㈣截阻件之氣體供應源的饋進管。此一或此數 個饋進管較宜配置料外底座上，但部分緩衝氣體亦可由 若干饋進管自該内底座供應。 斤提出之碎片減輕裝置不限於使用一單一箔截阻件單 兀而可具有若干連續配置於由該等箔形成之該等通道之 方向上之右干箔截阻件，以允許輻射直接通過。明顯地， 此仵片減輕裝置可例如由一靜止箔截阻件及一與其相距 -空間之旋轉箱截阻件組成，其中此空間可用以供應 氣體。 所提出之碎片減輕裝置之一較佳應用為配置於一用以産 生EUV輻射及/或軟χ射線之輻射單元中。該碎片減輕裝置 係配置於S亥幸§身于源與該收集器之間以A集所發出之輻射， 如此項技術中所已知的。該輻射源與該收集器之間之該光 軸之後可與該箔截阻件之該中心轴線重合。該收集器可包 I39702.doc 201003673 括數個同中心地配置於該光轴 周圍之收集器外殼。在此情 形下，戎等疋距元件可經配置 ,,. 使其專在該輻射源與該等 收集器外设之對應之邊緣之間之古成 間之—直線上延伸。藉由此措 施’由該等定距元件造成之降旦/ ^之“與該等收集n外殼之該等 邊緣之位置重合且因此較之π 钗之不具此等定距元件之一箔截阻 件’該陰影不會增加輕射招生+ Atf· Μ耵相失或僅極小量地增加輻射損 失。 該等第二箱之該等徑向内緣形成以平行於此等直線在該 輻射源與該等收集料殼之該等對應邊緣之間延伸。在另 一實施例中，僅該第二箱之㈣向内緣之—部分係以此方 式形成，其他形成之部分係大體形成爲平行於該光車由而延 伸。該等定距元件之後僅配置於此等㈣之該第一部分 上。 該等第二箔之該等徑向内緣亦可形成以沿大體平行於該 光軸或中心軸線之若干直線而延伸。不論所提供之定距元 件，忒等徑向内緣之至少一部分係大體平行於自該輻射源 延伸至该等對應内緣之該等直線而形成，這避免了該箔截 阻件之該内區（其中僅配置有該等第一箔）與該外區（該等第 二落亦於其中延伸）之間之輻射損失梯度。當然，此效應 亦可利用該等徑向内緣之其他形式而達成。如上文已提及 的’此等解釋及實施例亦適用於可選擇之第三箔、第四箔 等等。 【實施方式】 本發明之此等及其他態樣自下文所述之該等實施例將顯 139702.doc -10· 201003673 而易見且係以該等實施例為參來加以闊明。 所提出之碎片減輕裝置係於 關、不限制由該等請求項所界定1 =該等隨附圖相 加以描述。 之保濩範圍之若干範例來 圖1指的是此項技術中一 -m^^ # 。之碎片減輕裝置。圖2顯示 ,风凡整泊截阻件或僅形成一箔截 阻件之-部分，例如 料成泊截 。亥靜止部分或該箔截 片減輕裝置係配置於—發 賴件此等碎 用中之一輻射單 ^射，例如用於微影術應 。該£1^源2正發射有 8,但同時亦發射不需 ,巾之hUV#田射 ,,^ m # 0 ^ +片微粒9。該EUV輻射穿過該 u 该收集益3收集並導向至該微影系 統。s亥寺碎片微粒9之求 t hl· Ψ ^ Φ “务生於一箔截阻件系統中， 在此實施例中，該箔截阻 牛系、、充包括一圍繞一中心軸線J 0 而旋轉之旋轉箔截阻件5及—音φ々 静止治截阻件4。該箔截阻件 糸統之該中心軸線通當徊 χ ^ ^ 不—疋與由該源與該收集器界定 之光轴重合。該抑制係因 ^ 由5亥軋體供應源6饋入該系統中 之该緩衝氣體造成<3在琴$ 在4治截阻件系統之前方及後方區域 申，即該EUV源側及該收隹σ 一 欠集盗側，該氣體係由數個該等圖 中未顯示之真空幫浦所抽吸。 人們發ί見為了有效地抑制該等碎片微粒，在數羞米之 交互作用距離上所需之緩衝氣體之壓力爲約5 Pa至50 Pa (冷壓）。該等氣體原子之眉 曰 原子S在理想情形下應約等於待 截阻之該等原子與離子之 原子里以確保—有效的動量轉 移。此外’上述之此^戌# >白戴阻件之兩個箔之間之自由空間 139702.doc 201003673 不應多大，然則僅由該緩衝氣體致使微弱偏離之碎片微粒 仍可穿過該箔截阻件結構。若由箔截阻件之該 ^ /成之通道在一垂直於碎片微粒速度方向之方向上狹 乍，則載獲該等微弱偏離微粒之機會較大。 在 g 游戴阻件中使用若干相對狹窄之通道之另—優點 是，較之具有寬廣通道之一結構，該通道結 支對 高之緩衝氣體流動阻力。這表示，若使用此-狹窄^ 則相較於一官虐处姐+ m /又於I廣結構，在該落截阻件系統内建立—緩 體同搶度區域較易。因此該碎片減輕功能將得以改良。繁 於此^原因，落截阻件之實際設計為使用一寬度為約及小 於2毛米之通道。若該結構之該通道宮疮审本 傅 < 為逋迢X度更大，則該等碎 片減輕功能被大幅度削弱。 當前使用之實際羯截阻件系統常包括許多在一徑向上相 對於δ亥光軸而配置之簿嚐 . 1之潯治，亦如圖2b所示意性顯示的，因 為此構形相對容易實現。 兀了在圖2b中看出，該等箔間之 该寺通道之寬度並非固 F 口疋不變，而是該結構之内部寬度 (13)較小，即用於小 町收集角，而外部（14)之寬度則較
大’即用於大的收养角。L '、 口此该洎截阻件之該等内部之碎 片減輕效果將相對佳而今堂 而°亥4外部之碎片減輕效果較差。 對於用於未來EUV微影術中 Τ Τ之问功率系統，人們強烈要 求有效地利用盡可能多的來 /± 不自該源之有用輻射。這表示需 使用一極大之收集角7，守 收集角7係界定為所使用之來自 該源之光的外邊界至該收隼 果盗3糸統之該光軸之角度7，如 圖1中所顯示。特別地，& ^ 曰在大批量製造半導體電路之當 139702.doc 201003673 前系統概念將使用-60度或更大之收集角。蓉於上述之論 證，對於此等大的收集角，該碎片減輕功能之效率將相對 低且該收集器光學器件之使用壽命過短致使此一系統之操 作不夠經濟。 圖3顯示根據本發明之—碎片減輕裝置之—實施例，其 中圖3遺示-側視圖，且圖3晴示一橫截面a/a之一正視 圖’其與圖2至圖6之每—圖中的情形相同。在圖3之該實 f ㈣中’除了該等在㈣截阻件之該内底座25與該外底座 、12之間延伸之们1(在此申請案中亦稱為第-幻以外，另 有若干中間箔1 5(在此申請案中亦稱為第二箔)位於該等第 石11之間之π亥中間空間中之該徑向外箔截阻件區域中。 -或數個中間箔15被引入每對第一箔η之間。藉由此方 式，得以填充處於徑向外位置之兩個箱&間之該大距離 !4(見圖2b)，並改善此處之碎片減輕。在此實施例中，該 等中間猪15之該等徑向内緣16經導向平行於該中心轴線， 彡可與❹統之該光軸i重合。該等中Μ 15係安裝於該 外底座12，而其内緣16無任何額外支撐物。 在圖4之又-實施例中，該等中㈣以該等徑向内緣 16經形成以在-線條之方向上自該源2延伸至該收集⑸之 一外殼之該邊緣。該箄中問炫,《> —# y 发寻甲間V白15之该等徑向内緣16係進一 步受-由圖8至圖U所示之由若干定距元件形成之底座ι8 支撐。該底座18係以這種方式放置，使得其位於一收集器 外殼之該投射陰影區域17内，如該圖中兩條虛線所指示。 以此方式，由於吸收輻射將由該收集器外底座邊緣以某種 139702.doc 201003673 方式吸收，該底座18不阻擋來自該源2之額外光。根據至 該光軸1之射線角增大，該箔截阻件之光透射以一角度呈 現出階梯式減少，該角度相當於該等中間羯15發揮效能並 引入-額外光陰影時之角度。此階梯式減少造成所透射之 輻射束之-不均句‘欧’且因此該微影系統中可能需要其他 補償構件。 在圖5之該實施例中，該等中㈣15經形成使得其徑向 内緣16僅-部分由一底座18支撐，且另—部分係形成為平 行於該絲！，如目3所示。以此方式，相較於圖4，由於 以該等中間is 15可發揮效能的射線角而言，該μ緣至該 源2之距離增大，且因此由該馆邊緣造成之陰影較小，這 使得隨著射線肖增加，該光透射逐漸減小，因此該光透射 根據射線角之急劇減小而不甚明顯。此效應亦可藉由該等 落之該等徑向内緣之其他設計來達成，例如使用圖Η中所 指示之形式。 在圖12之該實施例中，該等中間箔15係形成有若干彎曲 徑向内緣16 ’使得此等内緣16至靠近該輕射源之該光軸i 之一距離大於内緣16與該輻射源間之距離。藉由 如就圖5之該實施例所解釋的，該光透射根據射線角1發 生之急劇減小不太顯著。雖然在圖12a中，該等中間箔15 未設有定距元件’圖12b顯示形成該等中間箱。上之該底 座18之此等定距元件之-可能的配置。該底座18係以這種 方式放置於該等中間箱15上，使得其位於_收集器外殼之 該投射陰影區域17内，如該圖中兩條虛線所指示。以:匕方 139702.doc 201003673 式，由於該吸收輻射將由該收集器外殼以某種方式吸收， 該底座18不阻擋來自該源2之額外光。 在圖6之該實施例中，顯示的為—用於較大收集角7之落 截阻件，其係用於大批量製造。由於此處需覆蓋之至該光 軸1之距離較大，使用了兩組不同之中間们5,在上文描 j中係稱為第：肢第三。此措施確保了即使對於大的 徑向距離，該等箔通道不會變得過寬。 …圖7顯示一實施例之一細節，在此實施例中，每個中間 箱15配置有-個以上底座18。這進_步提高了該羯截阻件 之機械穩定性且係可建議用於相對大之中間箱Η，其可應 用於一適於大收集角之箱截阻件。如可自圖7看出此實 把例之β亥等不同底座！ 8係始終配置於該陰影與該收集器3 之一收集器外殼之該邊緣重合之該等落的位置處。這避免 了額外之輻射損失。 圖8顯示一底座18之一尤具優點之設計之一實例，其包
U 括至v _疋距片或定距元件19。該定距元件㈣附接至 X中間/1 1 5且係以此一方式形成’以致其使該中間箱^定 位於兩個相鄰箱U之間之該空間的中心處。為此，該定距 凡件19具有觸及或幾乎觸及此等相鄰箱n之若干側邊。圖 8顯不橫截面B/B之一側視圖橫截面D/D，視圖b)及橫 截面C/C之一視圖c)。 ，免該等定距元件19固定且剛性地連接至該兩個相鄰落 11是很重要的。藉由維持—鬆動連接，該等不同落Mb 可在該個別落平面中之—方向上在彼此上滑動。這表示， 139702.doc -15- 201003673 即便兩個相鄰箔在該箔截阻件系統之大功率操作期間具有 不同之溫度，此等箔之熱膨脹將不會導致該等箔或該整個 伯截阻件結構發生彎曲及形變。相反地，由於該等中間箔 ^具有一以一定距元件19為主之底座18且其等之相鄰箔" 可允許自由地於彼此上滑動，每個落可在其箱平面内熱致 地延伸’因此該等箱通道之幾何形狀維持大體恒定。這樣 的好處在於該EUV㈣之光透射在變化之熱負載條件下 持大體恒定。 ’' —Μ距元件19另—可有利地利用之設計態樣係將該定距 =件19之該等觸及該等相鄰落之邊緣定形為成—直線且使 &些邊緣至該等相鄰落之該距離最小化。此處可使用之— 典型間隙為1叫至30 _。藉由此小間隙，位於每㈣U 之左侧與右側之兩個定距元件19限制其等在與該等心觸 及之區域中之潛在形變，尤其是彎曲。因&，上述… 整箱截阻件結構之所有定距元㈣與將其等以： =料Μ形成-相對堅固結構，而該等定距元件^ 數個β 1 1及中間續〗$姑颅、Α Ί冶15被壓迫並維持直形且平面的。 圖9顯示形式各里中卜 一定距元件：，：：:…件19之四個實例。圖 ,,η ^ ” 4乎封閉該中間箔15與該等相鄰 :=該中間空間，使得由該定距元件㈣隔之該等 二間之間成乎無緩衝氣體0* . 距元件19之不同設計，心=圖9b及圖9c中顯示的爲定 放部，使得緩衝氣體流；存：=距元件19類似於孔或開 該等空間之間ϋ彳H存在於由該等定距元件19分隔之 。吏于邊治戴阻件系統中之該緩衝氣體之總 139702.doc -16- 201003673 的壓力分佈發生改變。圖9d顯示一由該中間箔15之一或數 個區形成之疋距元件19，該等區段向兩個相鄰箔11彎曲 以維持該等箱11與該等中間猪15之間之機械距離。同時， 一緩衝氣體流可通過該等定距元件丨9。 圖10顯示一較大箱截阻件結構之一實例，其中所使用的 為一第二組中間箱15，亦稱為第三箱。為了填充與該羯截 阻件轴線相距-大段距離之該等主猪u之間之大段距離， f 此處於每對主箱11之間使用兩個外中間羯15。此等中間洛 係由一較大之定距元件20所連接。一内中間箱15係附接至 2個較大定距元件20且係於其内緣連接至一如上述形成之 定距兀件19。該等定距元件19及2〇每個與其相鄰之主箔u 形成-小間隙且獲得與上述之相同各項功能及優點。 圖11顯示該等定距元件19與該等中間元件15之間之連接 之兩個實例。在圖lla中，每個中間15具有一安裝籍狀物 22，其係經由—槽或開口 21穿刺該對應之定距元件^。例 J 如’藉由如圖爪中顯示之該安裝鰭狀物22之若干焊接接 頭23或彎曲部24，可達成一牢固之機械連接。亦可利用先 前技術的其他方案將該箔連接至該等定距元件19。 為了增加該羯截阻件區域内之緩衝氣體密度且據此提高 碎片減輕效率，該外笛底座12係可設計為一實心之障壁， 用以阻擋所注入緩衝氣體，使得其包封該整個羯戴阻件結 構之至少-部分以將所注入之緩衝氣體限制於該猪截阻件 區域内。被注入該猪截阻件結構内側之緩衝氣體之後可僅 經由對該緩衝氣體流動造成-相對高的流動阻力之該等狹 139702.doc -17- 201003673 窄绪通道流動至該猪截阻件外側。以 之該中心區域中之氣體注入 心該落截阻件 相對高，4 # 处之局。卩緩衝氣體密度係 J Γ7等双仵片減輕效率提高。 雖然本發明已於該等 此等闡釋及描述為闡釋或範二: 於該等所揭示之實施例。上述及該::= = 項之學習，在〜！ 本揭示及該等附加請求 時，熟悉此項技術者亦可瞭解並 減輕裝置不限於—單一嗜截二式/如’所提出之碎片 早泊戳阻件，即亦可以一 針對所發射輻射之方向使用 ^ =用於所提出之碎片減輕裝置之該設計。此外，只 等：：成：揭示之功能，作為用於該等額外羯之底座的該 寺疋距70件可具任何設計。 在=等請求項中，該詞語「包括」（’ =或步驟’且不定冠詞「一」（、或「⑽」)不排除 ^若干措⑽於互不相同之附屬請求項中所引用這 事貫並不指此等措施不可有利地加以組合。該等請求項 之該等參考符號不應視為限制此等請求項之範圍。 【圖式簡單說明】 圖1顯示此項技術中已知之—碎片減輕裝置； 圖2包括圖2a及圖2b，顯示此項技術中已知之一碎片減 輕裝置； 圖3包括圖3a及圖3b，顯示根據本發明之一碎片減輕裝 139702.doc •18- 201003673 置之一第一實例； 圖4包括圖4a及圖4b ’顯示根據本發明之一碎片減輕裝 置之一第二實例； 圖5包括圖5a及圖5b，顯示根據本發明之一碎片減輕裝 置之一第三實例； 圖6包括圖6a及圖6b，顯示根據本發明之一碎片減輕裝 置之一第四實例； 圖7為一顯示若干定距元件之—配置之實例. 圖8包括圖8a、8b及8c，為—顯示若干定距元件之一配 置之數個視圖之一實例； 圖9包括圖9a、外及％及9(1，為數個定距元件之該設計 之若干實例； 圖10為另一顯示數個定距元件之該配置之實例；
圖11包括圖11 a及11 b，為雨梅1 4姑-把A 两啕個顯不數個定距元件安裝至 該等箔之實例；及 ~ 圖12包括圖12a及12b，為另土加时- 為另兩個顯不根據本發明之_ 有若干定距元件之碎片減輕裝置及一不具 ，、 減輕裝置之實例。 凡牛之碎片 【主要元件符號說明】 1 光軸 2 EUV 源 3 收集器 4 靜止箔截阻件 5 旋轉箔截阻件 139702.doc -19- 201003673 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 用於氣體供應之單元 收集角 EUV輻射 碎片微粒之飛行軌道 中心轴線 箔 外箔底座 徑向内位置處之箔通道寬度 徑向外位置處之箔通道寬度 中間箔 中間箔之内緣 一收集器外殼之投射陰影區域 底座 定距元件 定距元件 定距元件上之開口 中間箔上之安裝鰭狀物 焊接接頭 安裝鰭狀物之彎曲部 内箔底座 139702.doc -20-