TW201001476A - Field emission device and method for fabricating cathode emitter and zinc oxide anode - Google Patents
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Description
201001476 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種場發射發光元件及其發射陰極與氧 化鋅陽極之製備方法，尤指一種適用於改善發光強度及均 5勻性之场發射發光元件及其發射陰極與氧化鋅陽極之製備 方法。 【先前技術】 電子場發射理論最早是在1928年由R. h_ Fowler與L. W 10 Nordheim共同提出，當在兩導電體間施加高電壓，電子在 陰極表面與真空區的位能會降低’同時位能障壁厚度減 小，當電壓很大時，位障厚度小到電子可以不必越過位障 高度，便可直接穿隧障壁進入真空中，電子便可大量自陰 極表面發射出來，此即場發射的基本機制。場發射顯示器 15的基本結構大致上是由陽極板（螢光板）、陰極板（尖端底板） 和隔離器所組成的，兩片平板中間是真空狀態（< 1〇_7 t〇rr)，陽極板為氧化銦錫玻璃基板，其上塗有螢光粉，陰 極板是由場發射陣列所組成。 1968年，C· A. Spindt首先提出以場發射電子元件做為 2〇顯示器的可行性，在玻璃基板上製作出場發射陣列陰極 板’其電子源結構呈尖錐狀’材料主要以鉬金屬為主，但 此結構的大小受基材上製作圓孔所需的微影技術與製作金 屬錐的蒸鍍技術的影響，因而嚴重地限制了顯示器成品的 大小，此外，Spindt型場發射子的尖端也容易因為損耗而降 5 201001476 低壽命。 目前極為熱門的場發射顯示器是奈米碳管場發射顯示 器（carbon nanotube — field emission display，CNTFED)，奈 米碳管是日本Iijima教授在1991年發現的，奈米碳管具有極 5 佳導電性，且在幾何上的長度與直徑（Aspect Ratio)比非常 大，因此有很好的場發射特性，由於奈米碳管具有極佳的 場發射特性，各研究團隊皆把奈米碳管和顯示器結合，應 用在開發奈米碳管場發射陰極板或場發射背光板技術。 目前發展中的奈米碳管場發射顯示器陰極板或場發射 10 背光板製備技術主要有網印法、化學氣相沉積法（CVD)直接 生長碳管、電鍍法、電泳法以及無電鍍法等製程，但這些 方法目前都各自面臨一些問題。 化學氣相沉積法（CVD)直接生長奈米碳管製程雖然具 有可在基板上直接成長均勻的奈米碳管、可成長定向排列 15 (Well Aligned)的碳管、以及可藉由催化劑顆粒圖案化 (Pattern)而選區定址成長碳管等優點，但若欲成長出場發射 性良好之碳管，其製程較繁複且設備昂貴，且生長溫度通 常高於玻璃基板之軟化溫度（Tg，約為550°C)，而且碳管與 基板之附著性亦不佳，壽命較短，亦無法控制單一碳管之 20 品質，目前多屬於研究的階段，工業上較少實際的運用。 網印法是目前工業上應用於大尺寸化最有潛力之主流 技術，其使用高分子溶劑、玻璃粉、銀膠，和碳管混合後 塗佈，再經高溫烘烤移除不必要之高分子溶劑，其具有製 程簡單、無尺寸放大限制以及成本較CVD直接生長碳管法 201001476 便宜的優點，但是碳管與基板之黏著性不佳、奈米碳管消 耗量大、需要移除漿料中的有機溶劑、烘烤製程造成部分 碳管燒損、發射發射體不均勻、發光均句性差等問題，均 為網印技術上面臨之瓶頸。 5 電泳法（ElectroPhoretic)使用的方法是改變奈米碳管表 面電性，再經由通電方法使奈米碳管聚集於電極之上，再 力以:t、乾，雖然可改善網印法碳管分佈均勻性不佳之問 題，並節省成本，但碳管與基板之附著性仍然不是很好， 而且鑛層之厚度平坦均勻性亦不足，場發射源壽命及發光 10 均勻性仍有改善之空間。 電鍍法（Electroplating)是一種製程簡單且成本便宜的 方法’主要係先將分散好的奈米碳管置入電解槽之中，再 經由通電方式使奈米碳管與還原的金屬共同沉積在陰極表 面，此法可提升奈米碳管與基材間的附著性，然而在電鍍 15 過程中’會遭遇陰極表面的電流密度分佈不均，影響奈米 碳管分佈在金屬鍍層的均勻性，導致場發射發射體不均 勻、發光均勻性差等問題。 無電電鍍法（Electroless Plating)是一種製程簡單、設備 便宜、可大面積化的方法’主要是利用奈米碳管與還原的 20 金屬共同沉積在基材表面，得到一奈米碳管與金屬的複合 鑛膜，以提升奈米碳管與基材間的附著性，此外，所獲得 之場發射發射體分佈均勻佳，可有效增益發光均勻性，然 而無電鍍溶液本身是一個熱力學不穩定的體系，壽命短， 在進行析鍍過程中，如pH值過高、局部過熱或某些雜質影 201001476 響（如奈米碳管），使鍍液中出現一些具催化活性之微小析出 物，引起鍍液發生不可控制之激烈自催化反應，造成整批 鍍液毁損。 因此，就現有之技術而言，找尋一種技術可同時滿足 5 低成本、減化製程、大型化的需求、改善碳管與基板之黏 著性、增加場發射源壽命、以及發光均勻度的問題，是目 前產業發展的重點。 另一方面，螢光粉被用在發光和顯示器產品上，已達 ( 半個世紀之久。螢光粉的種類非常繁多，大體上可區分為： 10 有機螢光粉、螢光顏料、無機螢光粉及放射性元素等。現 今在顯示器陽極板主要發展趨勢係以開發低電壓高效率的 -螢光材料、螢光材料薄膜化、大面積製造為主。至目前為 止，開發的低壓螢光材料中以氧化鋅備受矚目，其在極低 的電壓下（10-1000V)即可激發螢光（藍綠光），並發出遠高於 15 其他螢光體的亮度，特別是在單色顯示器應用。 舉凡關於氧化鋅螢光薄膜的製程技術有溶膠-凝膠法 ( (Sol-Gel)、有機金屬化學氣相沉積法（Metal Organic
Chemical Vapor Deposition，MOCVD)、分子束蟲晶法 (Molecular Beam Epiaxy，MEB)、脈衝雷射沉積法（Plused 20 Laser Deposition，PLD)、交直流設頻磁控錢鍵法（RF DC Magnetron Sputtering)、離子束增強沉積法（Ion Beam Enhanced Deposition, IBED)、電子搶蒸鑛法（Electron Beam Evaporation)、熱氧化法（Thermal Oxidation)、無電電鑛法 (Electroless Plating)等。在這些沉積法之中，有些沉積法溫 8 201001476 度太高使得基板材料受限（如玻璃基板），有些則是設備成本 太1¾ ’難以使製程大面積化或量產化，其中，以無電電錢 法直接沉積氧化鋅薄膜最符合上述低製程溫度、低成本、 薄膜化、及量產化需求，但是此法所獲得的氧化鋅薄膜品 5質較上述其他方法差。因此，如何開發一種低成本、高品 質、薄膜化及可量產的氧化鋅薄膜生長技術，是目前產業 發展急需思考的。 【發明内容】 1〇 本發明之主要目的係在提供一種場發射發光元件之發 射陰極及氧化鋅陽極之製備方法，其改善發射體與基材間 之附著性，提升氧化辞薄膜發光效率，且同時滿足降低成 本、簡化製程、大型化、量產及增加場發射源壽命之訴求。 為達成上述目的，本發明提供一種場發射發光元件之 15發射陰極的製備方法，包括：⑷將一基材浸入一辞溶液中， 並藉由電化學法，於該基材表面沉積一辞鍵層；⑻將表面 形成有該鋅鑛層之該基材置入一化成液_，並進行化成反 應，使該辞鍍層氧化為-氧化鋅膜，·⑷將表面形成有該氧 化鋅膜之該基材浸沒於一表面改質奈米碳材水溶液，而該 2〇表面改質奈米碳材水溶液係提供複數個表面改質夺米碳 材·，俾使該些表面改質奈米碳材之一端吸附於該氧化辞膜 上’以及⑷烘烤該氧化鋅膜。據此，本發明得以製得氧化 鋅/奈米碳材複合材發射陰極。 9 201001476 ▲於上述發射陰極之製備方法中，於基材浸入鋅溶液 則’該基材可先經過表面前處理（如，脫脂處理或粗化處 理），以提昇表面清潔度和粗糙度。 胃於上述發射陰極之製備方法中，辞溶液和化成液為流 场分佈均勻之溶液，因&，透過電化學反應，可依序於基 材上獲得一膜厚均勻之鋅鍍層和氧化辞膜。 於上述發射陰極之製傷方法中，該化成反應較佳係於 20〜80°C下進行，而氧化辞膜較佳係於⑽〜3奶下進行洪 10 15 於上述發射陰極之製備方法中，電化學法可為電錢法 或無電電鑛法’而鋅溶液可為電鍍鋅化學鑛液或無電電鑛 鋅化學鑛液H電鑛鋅化學鍍液及無電電鍍鋅化學鑛 液無特殊限制’只要其可藉由電鑛法或無電電鐘法而形成又 鑛鋅層即可。_制，電_化學舰可包括-電鑛鋅 主劑、、-光澤劑、一安定劑、一金屬抑制劑、一 PH調二劑 及冷劑，無電電鑛鋅化學鑛液可包括硫酸辞、乙二胺四 乙酸、擰檬酸、腈基三乙酸、氣化鈦、一 PH調節劑及一溶 。力上述發射陰極之製備方法中，化成液無特殊限制， 只要其可與鍍辞層發生反應而形成氧化鋅膜即可。較佳 為，該化成液包括三價鉻離子、乙二酸、石肖酸納、^酸 根離子、銘離子、一 pH調節劑及一溶劑。 於上述發射陰極之製備方法令，該表面改質夺米碳材 水溶液可包括複數個奈米碳材、一非離子型界面活性劑、 201001476 一陰離子型界面活性劑及水。其中，奈米碳材可為習知任 一種奈米碳材’例如’單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管、少 2奈米碳管、多壁奈米碳管、奈米碳纖、奈米螺旋碳纖、 不米鑽石或其組合，陰離子型界面活性劑可為習知任一種 5㈣子型界面活性劑，以作為表面改.質劑，例如，辛基硫 酉=鈉、十二烷基硫酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉、十二烷基苯 續酸或其組合·，而非離子型界面活性劑可為習知任一二含 C 醇基^界面活性劑，例如，聚乙二醇（PEG)、C〇-89〇、Triton χ-刚等。據此，該奈米碳材可經過超音波分散、純化和表 10面改質’使奈米碳材表面帶負電性而均勻分散在水溶液之 中。 於上述發射陰極之製備方法中，由於製程溫度不高， 因此基材並無特殊限制，其可為金屬基材（如：鐵、始、錄、 不銹鋼、低碳鋼等金屬材料製備的金屬板、金屬網、金屬 15線）、玻璃基材、或錮錫氧化（ΙΤΟ)玻璃基材。 ”、Τ上所述本發明製備氧化鋅/奈米碳材複合材發射陰 ' 歡㈣係利用具導電性之氧化鋅膜因在成料為膠體狀 :對於帶負電性的表面改質奈米碳材具良好的吸附性， 當分散均勻的表面改質奈米碳材吸附在氧化辞膜表面後， 2〇可透過烘箱進行高溫烘烤處理，使得原本具有陣列孔洞的 皮膜經過脫水而相變形成__表面緻密的皮膜，透過此原 田氧化辞皮膜由膠態轉換成固態時，吸附在孔洞内的 表面改質奈米碳材會因皮膜的修補作用，使得表面改質奈 米石反材之一端鑲入氧化鋅皮膜内，即可形成一附著力佳且 201001476 均勻性良好的氧化鋅/奈米碳材複合材發射陰極。 此外，本發明更提供一種場發射發光元件之氧化鋅陽 極的製備方法，包括：（a)將—基材浸入一鋅溶液中，並藉由 電化學法，於該基材表面沉積一鋅鍍層；以及（^藉由熱氧 5法，使該鋅鍍層氧化為氧化鋅層。據此，本發明得以:基 材表面製成可電致發光之高透光性氧化辞導電層。 土 ,於上述氧化鋅陽極之製備方法中，於基材浸入鋅溶液 Γ* 刖，該基材可先經過表面前處理（如，脫脂處理或粗化處 理），以提昇表面清潔度和粗糙度。 10 ⑥上述氧化鋅陽極之製備方法中’鋅溶液為流場分佈 均勻之溶液，因此，透過電化學反應，可於基材上獲得一 膜厚均勻之辞鍍層。 於上述氧化鋅陽極之製備方法中，熱氧法較佳係 15 20 250〜65(TC、5〜觸_氧氣流量下進行，而使用之氧氣較 佳係純度為9 0〜9 9·99%之氧氣。 、於上述氧化鋅陽極之製備方法中’電化學法可為電錢 法或無電電鍍法，而辞溶液可為電料化學鑛液或無電電 鍍鋅化子鑛液。其中’電鍍鋅化學鑛液及無電電鑛辞化學 ，液無特殊限制，只要其可藉由電錄法或無電電鑛法而形 成鑛辞層即可。舉例說明，電_化學麟可包括-電錢 =劑、-紐劑、—安定劑、—金屬抑·、—卿節 劑及一溶劑，無電電鍍鋅化學鑛液可包括硫酸鋅、乙二胺 =酸、檸檬酸、腈基三乙酸、氯化鈦、—ρΗ調 — 溶劑。 12 201001476 > :上：氧化鋅陽極之製備方法中，由於製程溫度不 =因此基材並無特殊限制，其可為習知任—種基材，較 佳為，玻璃基或銦錫氧化（ITO)玻璃基材。 據此，本發明製備陽極氧化鋅螢光材料之原理係利用 5鋅鏡膜在高溫通氧熱處理過程中，辞與氧會形成一可電致 發光性的氧化鋅薄膜，透過添加不同氧氣流量，改變氧化 鋅薄膜中辞和氧的比例，可獲得不同發光特性的陽極螢光 材料。 上述製備技術可應用於場發射燈管（直立管、圓管、螺 10旋^等）、單面平面式場發射照射器、單面平面式場發射顯 示器、雙面發光面板式場發射照射器、或雙面發光面板式 場發射顯示器等等場發射發光元件中。 據此，本發明更提供一種場發射發光元件，包括：一陰 極，其包括一第一基材、一披覆於該第一基材表面之氧化 is鋅膜、及複數個分散於該氧化鋅膜表面之表面改質奈米碳 材，其中，該些表面改質奈米碳材之一端係吸附於該氧化 鋅膜上；至少一陽極，其包括一第二基材及一坡覆於該第 一基材表面之螢光材料層，其中，該陽極之該螢光材料層 係面向該陰極之該些表面改質奈米碳材；以及至少一隔離 20器，係設置於陰極與陽極之間，以固定陰極與陽極之間距。 於上述之場發射發光元件中，該螢光材料層可為氧化 辞層，其可藉由上述之氧化辞陽極製備方法製得，另一方 面’該陰極亦可藉由上述之發射陰極製備方法製得。 13 201001476 於上述之場發射發光元件中，該些表面改質奈米碳材 可由複數個奈米碳材經由一陰離子型界面活性劑表面改質 =獲得。其中，奈米碳材可為單壁奈米碳管、雙壁奈米碳 管、少壁奈米碳管、多壁奈米碳管、奈米碳纖維、奈米螺 5 旋碳纖、奈米鑽石或其組合。 【實施方式】 本發明之主要内容為氧化鋅/奈米碳材複合材發射陰 10 15 極及陽極氧化鋅螢光材料之製作技術，並將此兩項技術結 合以尋求於場發射元件的應用。 氧化鋅/奈米碳材複合材發射陰極主要特點，係將基材 依序經過鋅鍍層沉積和化成處理，使得基材表面覆蓋一層 氧化鋅膜’由於此氧化鋅膜為具有導電性之半導體材料， 且其在成膜時表面含有高密度的微小陣列孔洞（請參照圖i 所不）’ a此當基材置人表面改f奈米碳材水溶液並進行後 續的烘烤處理時’《氧⑽膜表㈣碳材可藉由該些孔 洞雙高溫密合的行為（請參照圖2所示），讓碳材鎮入皮膜内 部提升碳材㈣力’此外’亦可錢篩選储分佈密度並 增加其均勻性。據此’本技術除了可㈣碳材與基材之附 者性、提升發度，亦符合降低成本、減化製程、大 型化及增加場發射源壽命的訴求。 另一方面，氧化辞陽極氧化鋅螢光材料主要特點，係 將基材（如玻璃、則玻璃等）先經過表面前處理，提升表面 清潔度和粗糙度，再將基材依序經過_層沉積（―般玻璃 20 201001476 化學鍍鋅沉積；ITO玻璃電鍍鋅 一 之基材放入高溫爐，並通 古· /、-人，將含鋅鍍層 熱溫度的控制，使其 虱阿’皿處理，藉由氧流量與加 化辞導電薄媒(請參;二面干形)成::電致發光之高透光氧 法搭配熱氧法的技術！^ 據此，本發明藉由電化學 除了可降低製程溫氧化辞 :低製作成本、減化製程、可量產、大型化、及二 貝及薄膜化的氧化㈣叙訴^ 相㈣ 1〇 在金屬板上進行氧化鋅/奈米碳材複合材發射陰 將基材（本實施例係採用金屬板，即鐵板）先經過表面脫 月曰處理’再將基材浸入電鑛鋅化學溶液，以電鑛法進行鋅 鑛層沉積，然後把含鋅鍍層的基材置入化成液，並在贼 15加熱環境下，進行氧化鋅膜製作，其次，將含氧化鋅膜之 基材浸沒於少壁奈米碳管水溶液，然後再經過l5(rc烘烤處 理5分鐘。圖4為場發射發光測試圖，其中，陽極板係為一 市售商品。由圖4證實，此技術確實可成功製造出—發光亮 度面且均勻性佳的氧化鋅/奈米碳材複合材陰極發射體。 ί〇 本實施例製備鋅鍍層所使用之化學鋅溶液為日本j A s CO公司所生產’其組成份及成分濃度如下表一所示： 表一、電鍍鋅化學溶液組成（溶劑為水） 成分 成份濃度（g/L〗 " 鋅主劑D305 8〜15 ~— 15 201001476 一丨一--- (Zn:l69g/L, NaOH:700g/L) 净劑 9000A 10 〜15 光澤劑9000B 0.2〜2 女定劑 7〜15 金屬抑制劑H6024 — 2〜8 pH調節劑（氫氧化鈉） pH值 9〜11
本實施例製備氧化鋅膜所使用之化成液的組成份及成 分濃度如下表二所示。 表二、化成液組成（溶劑為水） 成分 成份濃度（M) 三價絡離子 0.05-1.5 乙二酸 0.06 〜2 _ 1 硝酸鈉 0.01 〜0.5 '~ 次磷酸根離子 0.1-1 — 钻離子 0.005-0.2 ~-- pH調節劑（硝酸） pH值 ' 1 ~4 ------ 本實施例所使用之少壁奈米碳管水溶液組成如下表= 所示： 表三、少壁奈米碳管之水溶液組成 成分 成份濃度（g/L)
16 201001476 0.001-1 〇· 1 〜0·6 〇· 1 〜0·6 少壁奈米碳管 —--- ~, 非離子界面活性劑 陰離子界面活性劑 罝^在金屬網上進行氧化鋅/奈米碳材複合材發射陰 極製備 將基材（本實施例係採用金屬網，即不鏽鋼網）先經過 5表面脫脂處理，再將基材浸入電鍍辞化學溶液（如上表一所 不）’以電鍍法進行鋅鍍層沉積，然後把含鋅鍍層的基材置 入化成液（如上表二所示），並在55-c加熱環境下，進行氧化 辛膜製作其-人，將含氧化鋅膜之基材浸沒於少壁奈米碳 管水溶液（如上表三所示），然後再經過20(rc烘烤處理5分 10 f。圖5為場發射發光測試圖，其中，陽極板係為一市售商 品。由圖5證實’本實施例所製得之氧化鋅/奈米碳材複合 材陰極發射體具有發光亮度高及均勻性佳的發光特性。 在金屬絲上進行氧化鋅/奈米碳材複合材發射陰 15 極製備 將基材（本實施例係採用金屬絲，即鎳絲）先經過表面 脫脂處理，再將基材浸入電鍍辞化學溶液（如上表一所示）， 以電鍍法進行鋅鍍層沉積，然後把含辞鍍層的基材置入化 成液（如上表二所示），並在65t加熱環境下，進行氧化鋅膜 2〇 2作’其次，將含氧化鋅膜之基材浸沒於少壁奈米碳管水 溶液（如上表三所示），然後再經過30(rc烘烤處理5分鐘。圖 17 201001476 6為場發射發光測試圖’其中’陽極板係為一市售商品。由 圖6證實，本實施例所製得之氧化鋅/奈米碳材複合材陰極 發射體具有發光亮度高及均勻性佳的發光特性。 5 在金屬絲上進行氧化辞/奈米碳材複合材發射陰 極製備 "
將基材（本實施例係採用金屬絲，即鐵絲）先經過表面 脫脂處理，再將基材浸入電鍍辞化學溶液（如上表一所示）， 以電鍍法進行鋅鍍層沉積，然後把含辞鍍層的基材置入化 成液（如上表二所示）’並在3〇°c加熱環境下，進行氧化鋅膜 製作，其次，將含氧化鋅膜之基材浸沒於多壁奈米碳管水 溶液，然後再經過100。(：烘烤處理5分鐘。圖7為場發射發光 測忒圖，其中，陽極板係為一市售商品。由圖7證實，本實 施，所製得之氧化鋅/奈米碳材複合材陰極發射體具有發 光亮度高及均勻性佳的發光特性。 其中，本實施例所使用之多壁奈米碳管水溶液組成如 下表四所示：
18 201001476 直跑例五、在玻璃基板上進行氧化辞/奈米碳材複合材發射 陰極製備 將基材（本實施例係採用玻璃基板）先經過表面脫脂和 粗化處理，再將基材浸人無電鑛辞化學溶液，以無電電鑛 法進行鋅㈣沉積，然後把含_層的基材置人化成液(如 上表二所示），並在8代加熱環境下，進行氧化辞膜製作， 其次，將含氧化鋅狀歸料於奈米錢水溶液，然後 350°C烘烤處理5分鐘。圖8為場發射發光測試圖，其 :陽極板係為-市售商品。由圖8證實，本實施例所製得 奈米碳材複合材陰極發射體具有發光亮度高及 均勻性佳的發光特性。 纖ic: μ ^實施例所使用之無電鑛辞化學溶液及奈米碳 纖水浴液組成分別"表五及六所示··
201001476 成分 成份濃度（g/L) 奈米碳纖 0.01 〜2 非離子界面活性劑 0· 1 〜0.6 陰離子界面活性劑 0· 1 〜0_6 f施例六、在ITO玻璃基板上進行氧化鋅/奈米碳材複合材 發射陰極製備 將基材（本實施例係採用ITO玻璃基板）先經過表面脫 5 脂和粗化處理，再將基材浸入無電鍍鋅化學溶液（如上表五 所示），以無電電鍍法製備出具圖像形貌之辞鍍層，然後把 含鋅鍍層的基材置入化成液（如上表二所示），並在3(rc加熱 環境下，進行氧化鋅膜製作，其次，將含氧化鋅膜之基材 浸沒於單壁奈米碳管水溶液，然後再經過2〇〇〇c烘烤處理5 10分鐘。圖9為場發射發光測試圊，其中，陽極板係為一市售 商品。由圖9證實，本實施例所製得之氧化鋅/奈米碳材複 合材陰極發射體具有發光亮度高及均勻性佳的發光特性。 其中，本實施例所使用之單壁奈米碳管水溶液組成如 下表七所示： 15 表七、單壁奈米碳管水溶液組成 成分 成份濃度（g/L) 單壁奈米碳管 0.001 〜0.005 非離子界面活性劑 0.1-0.6 ~~' ——-—1 20 201001476 陰離子界面活性劑 0.1〜0.6 實雄例七、在金屬板上進行氧化鋅/奈米碳材複合材發射陰 極製備 將基材（本實施例係採用金屬板，即鐵板）先經過表面脫 5 脂處理，再將基材浸入無電鍍鋅化學溶液（如上表一所示）， 以電鍍法進行鋅鍍層沉積，然後把含鋅鍍層的基材置入化 成液（如上表二所示），並在40°C加熱環境下，進行氡化鋅膜 製作，其次，將含氧化鋅膜之基材浸沒於奈米鑽石水溶液， 然後再經過150。(：烘烤處理5分鐘。實驗證實，此技術確實 1〇 可成功製造出一發光亮度高且均勻性佳的氧化鋅/奈米碳 材複合材陰極發射體。 其中，本實施例所使用之奈米鑽石水溶液組成如下表 七所示： 表八、奈米鑽石水溶液組成 成分 成份濃度k/L、
非離子界面活性劑 0.001 〜0.005 0.1 ~0.6 陰離子界面活 性劑 〇· 1 〜0.6 15 、在玻璃基板上進行陽極商透光性氧化鋅導電榮 光材料製備 基材（本實施例係採用玻璃基板）先經過表面脫脂和粗 21 201001476 化處理，再將基材浸入無電鍍鋅化學溶液（如上表五所示）， 以無電電鍍法製備鋅鍍層，然後將含辞鍍層之基材放入25〇 C咼溫爐中，並通氧氣5或i〇〇sccm高溫處理。透過光激發 5 10 .15 20 光光譜儀檢測得知，本方法所製備的氧化鋅螢光材料在波 長470〜51 Onm有藍綠光的激發光，如圖1〇所示。 复_施例九、在ΠΌ玻璃基板上進行陽極高透光性氧化鋅導電 螢光材料製備 基材（本實施例係採用ϊ T 〇玻璃基板）先經過表面脫脂 處理，再將基材浸入無電鍍辞化學溶液（如上表五所示），以 無電電鍍法製備辞鍍層，然後將含鋅鍍層之基材放入65〇它 爐中，並通氧氣5或iOOsccm高溫處理。透過光激發光 光譜儀檢測得知，I方法所製備的氧化鋅t光材料在波長 470〜51〇nm有藍綠光的激發光。 盘在金屬板上進行氧化鋅/奈米碳材複合材發射阶 極製備 = ^將基材（本實施例係採用金屬板，即鐵板）先經過表面脫 脂處理，再將基材浸入電鍍鋅化學溶液（如上表一所示），以 電鍍法進行辞鍍層沉積，然後把含辞鍍層的基板置入化成 液（如上表二所示）’在25〇c加熱環境下，進行氧化鋅膜製 乍其'人，將含氧化鋅膜之基材浸沒於少壁奈米碳管水溶 液(如上表三所示）’然後再經過20(TC烘烤處理5分鐘。下圖 η =場發射發光測試圖，其中，陽極板係為一市售商品。 其結果顯示，由於化成溫度低，反應過慢，導致氧化鋅膜 22 25 201001476 成型性變差’進而使奈米碳管難以附著在基材表面，場發 射發射體發光均勻性因此降低。 盘照例士·、在金屬網上進行氧化鋅/奈米碳材複合材發射陰 5極製備 ； 將基材（本實施例係採用金屬網，即鐵網）先經過表面脫 脂處理，再將基材浸入電鍍鋅化學溶液（如上表一所示），以 电鍍法進行鋅鑛層沉積，然後把含鋅鍍層的基材置入化成 液（如上表二所示），在85艽加熱環境下，進行氡化鋅膜製 10 作，其次，將含氧化辞膜之基材浸沒於少壁奈米碳管水溶 液（如上表三所示），然後再經過200°c烘烤處理5分鐘。製程 結束後，以場發射掃描式電子顯微鏡(FE_SEM)觀察陰極奈 米碳管被氧化鋅膜包覆情況。其結果顯示，由於化成溫度 太高，反應過快’導致氧化鋅膜附著力不佳，大量皮膜掉 15落在鍍液裡面，使得場發射發射體發光效能差。 I照Μ三-、在玻璃基板上進行氧化鋅/奈米碳材複合材發射 陰極製備 將基材（本實施例係採用玻璃基板）先經過表面脫脂和 2〇粗化處理，再將基材浸入無電鍍辞化學溶液（如上表五所 不）’以無電電鍍法進行鋅鍍層沉積，然後把含鋅鍍層的基 材置入化成液（如表二所示），在55<t加熱環境下，進行氧化 ^膜製作’其次’將含氧化鋅臈之基材浸沒於奈米碳管水 溶液（如上表三所示），然後再經過9(rc烘烤處理5分鐘。下 25圖12為场發射發光測試圖，其中，陽極板係為一市售商品。 23 201001476 其結果顯示，由於烘烤溫度低，膠態的氧化辞膜無法有效 脫水，讓表面具有孔洞的氧化辞膜密合，導致碳管不能办 整鑲入皮膜内部，碳管附著力因此降低，使得 = 體發光效能差。 尬觀、在玻絲板上進行氧化鋅/奈米碳材複 陰極製備 將基材（本實施例係採用玻璃基板）先經過表面脫脂和 粗化處理，再將基材浸入無電鍍鋅化學溶液（如上表五所 10示）’以無電電鍍法進行鋅鍍層沉積，然後把含辞鍍層的基 材置入化成液（如上表二所示^在乃力加熱環境下，進行氧 化鋅膜製作，其次，將含氧化辞膜之基材浸沒於奈米碳管 水溶液（如上表三所示）’然後再經過4〇〇。(：烘烤處理5分鐘。 其結果顯示，由於供烤溫度太過，謬態的氧化辞膜在高溫 15過程中脫水太快，造成皮膜裂化，導致陰極發射體毀損讓， 使得陰極無法進行場發射。 里在玻璃或ITO玻璃基板上進行陽極高透光性氧化 辞導電螢光材料製備 20 基材（本實施例係採用玻璃或ITO玻璃基板）先經過表 面脫脂和粗化處理，再將基材浸入無電鍍鋅化學溶液（如上 表五所示）’以無電電鍍法製備鋅鍍層，然後將含鋅鍍層之 基材放入150°C高溫爐中，並通氧氣5或1〇〇8(；(；111高溫處理。 透過光激發光光譜儀檢測得知，由於加熱溫度不足，使得 25 氧化鋅薄膜無法生成’所以在波長470〜51 Onm並無藍綠光的 24 201001476 激發光產生。 在玻璃或ιτο玻璃基板上進行陽極高透光性氧化 辞導電螢光材料製備 5 基材（本實施例係採用玻璃或ITO玻璃基板）先經過表 面脫脂和粗化處理，再將基材浸入無電鍍鋅化學溶液（如上 表五所示），以無電電鑛法製備辞鑛層，然後將含鋅鑛層之 基材放入700°C高溫爐中，並通氧氣5或1〇〇sccm高溫處理。 透過場發射電子顯微鏡得知，由於加熱溫度過高，導致氧 10氣與鋅鍍層在形成氧化鋅薄膜過程中產生龜裂，造成薄膜 掉落。 下表九及十分別為氧化鋅/奈米碳材複合材發射陰極 及氧化辞導電螢光材料之實施例與對照例結果整理表。 15 表九、氧化鋅/奈米碳材複合材場發射陰極 有無場發射發光
有；均勻性差 25 201001476 對照例四 玻璃 壁碳管 55〇C 400°C 無 表十、陽極高透光性氧化鋅導電螢光材料 基材類別 氧氣流量 (seem) 加熱溫度 有無螢光發光 實施例八 玻璃 5 或 100 250〇C 有 實施例九 IITO玻璃 5 或 100 650〇C 有 對照例五 玻璃或ITO玻離 5 或 100 150°C 無 對照例六 玻璃或ITO玻離 5 或 100 700°C 氧化鋅薄膜掉落 5 例一-、氧化鋅/奈米碳材複合材場發射燈管 請參見圖13A及13B，其分別係本實施例場發射燈管之 不意圖及其陰極放大示意圖。本實施例之場發射燈管主要 包括·陰極11，其包括第一基材1U(金屬絲）、披覆於第一基 材πι表面之氧化鋅膜112、及複數個分散於氧化辞膜ιΐ2表 10面之表面改質奈米碳材113，其中，表面改質奈米碳材113 之一端係吸附於氧化鋅膜112上，請參見圖13B ;陽極12， 其包括第二基材121(玻璃管）及披覆於第二基材表面之螢光 材料層（圖未緣’本實施例為氧化鋅材料），其中，陽極12 之螢光#料層122係面向陰極u之表面改質奈米碳材⑴； 15 、及隔離器（圖中未繪）’係設置於陰極11與陽極12之間，以 固極11與陽極12之間距。本實施例之場發射燈管可放 出高亮度且均勻性佳之藍綠光。 20 =顯::發光面板式氧化辞，奈米碳材複合材場發射 26 201001476 明參見圖14A及14B，其分別係本實施例場發射照射器 或顯不器之示意圖及其陰極放大示意圖。本實施例之單面 發光面板式場發射照射器或顯示器主要包括：依序設置之 反光板23、玻璃板24及陰極21，其中，陰極21包括第一基 5材211(金屬網）、披覆於第一基材211表面之氧化辞膜212、 及複數個分散於氧化鋅膜212表面之表面改質奈米碳材 213，其中，表面改質奈米碳材213之一端係吸附於該氧化 f ' 鋅膜212上，請參見圖14B;陽極22,其包括第二基材221(玻 璃板）及彼覆於第二基材221表面之螢光材料層222(本實施 10例為氧化鋅材料）’其中，陽極22之螢光材料層222係面向 陰極21之表面改質奈米碳材213 ;以及隔離器（圖中未繪）， 係没置於陰極21與陽極22之間，以固定陰極21與陽極22之 間距。其中’本實施例所使用之反光板23為具反射光線之 金屬材料。本實施例之場發射照射器或顯示器可放出高亮 15 度且均勻性佳之藍綠光。 G |_置例三、單面發光面板式氧化鋅/奈米碳材複合材場發射 照射器或顯示器 請參見圖15 A及15B，其分別係本實施例場發射照射器 20 或顯示器之示意圖及其陰極放大示意圖。本實施例之單面 發光面板式場發射照射器或顯示器主要包括：依序設置之 反光板33及陰極31 ’其中，陰極31包括第一基材311(玻璃 板）、彼覆於第一基材311表面之氧化鋅膜312、及複數個分 散於氧化辞膜312表面之表面改質奈米碳材313，其中，表 25 面改質奈米碳材313之一端係吸附於氧化鋅膜312中，請參 27 201001476 見圖15B;陽極32’其包括第二基材321(玻璃板）及彼覆於 第二基材321表面之螢光材料層322(本實施例為氧化鋅材 料）’其中’陽極32之螢光材料層322係面向陰極31之表面 改質奈米碳材313 ;以及隔離器（圖中未繪），係設置於陰極 5 3 1與陽極32之間，以固定陰極31與陽極32之間距。其中， 本實施例所使用之反光板33為具反射光線之金屬材料。本 實施例之場發射照射器或顯示器可放出高亮度且均勻性佳 之藍綠光。 此外，本實施例亦提供圖像化陰極之態樣，請參見圖 10 bC及15D ’其氧化鋅膜312及表面改質奈米碳管313形成於 第一基材311之部份表面，而形成圖像化陰極。 .1置例旦、雙面發光面板式氧化鋅/奈米碳材複合材場發射 照射器或顯示器 15 請參見圖MA及16B ’其分別係本實施例場發射照射器 或顯示器之示意圖及其陰極放大示意圖。本實施例之雙面 (, 發光面板式場發射照射器或顯示器主要包括：一玻璃板 44，設置於玻璃板44兩相對表面之陰極41，其中，陰極41 包括第一基材411 (金屬網）、披覆於第一基材411表面之氧化 2〇 鋅膜412、及複數個分散於氧化鋅膜412表面之表面改質奈 米碳材413 ’其中，表面改質奈米碳材413之一端係吸附於 乳化鋅膜412上’請參見圖16B ;複數個陽極42，其包括第 二基材421(玻璃板）及披覆於第二基材421表面之螢光材料 層422’其中，陽極42之螢光材料層422係面向陰極41之表 25 面改質奈米碳材413 ;以及隔離器（圖中未繪），係設置於陰 28 201001476 極41與陽極42之間’以固定陰極41與陽極42之間距。本實 施例之場發射照射器或顯示器可放出高亮度且均勻性佳之 藍綠光。 5 雙面發光面板式氧化鋅/奈米碳材複合材場發射 照射器或顯示器 °月 > 見圊17A及17B，其分別係本實施例場發射照射器 Γ； 或顯示器之示意圖及其陰極放大示意圖。本實施例之雙面 發光面板式場發射照射器或顯示器主要包括：陰極51，其包 1〇括第一基材51 U玻璃板）、披覆於第一基材511兩相對表面之 氧化鋅膜512、及複數個分散於氧化辞膜512表面之表面改 質奈米碳材513，其中，表面改質奈米碳材513之一端係吸 附於氧化辞膜512上，請參見圖17B ;複數個陽極52，其包 括第二基材521(玻璃板）及披覆於第二基材521表面之螢光 15材料層522，其中，陽極之螢光材料層522係面向陰極51之 表面改質奈米碳材513 ;以及隔離器（圖中未繪），係設置於 、 陰極51與陽極52之間，以固定陰極51與陽極52之間距。本 實施例之場發射照射器或顯示器可放出高亮度且均勻性佳 之藍綠光。 2〇 此外，本實施例亦提供圖像化陰極之態樣，請參見圖 17C及17D，其氧化鋅膜512及表面改質奈米碳管513形成於 第一基材511之部份表面，而形成圖像化陰極。 上述貫施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所 主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限 25 於上述實施例。 29 201001476 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之氧化辞膜未烘烤的表面形貌。 圖2係本發明之氧化鋅膜烘烤處理後的表面形貌。 圖3係本發明之氧化鋅薄膜的表面形貌。 圖4係本發明實施例一之場發射發光測試圖。 圖5係本發明實施例二之場發射發光測試圖。 圖6係本發明實施例三之場發射發光測試圖。 圖7係本發明實施例四之場發射發光測試圖。 10 15
L 20 圖8係本發明實施例五之場發射發光測試圖。 圖9係本發明實施例六之場發射發光測試圖。 圖10係本發明實施例七之氧化辞螢光光譜圖。 圖11係本發明對照例一之場發射發光測試圖。 圖12係本發明對照例三之場發射發光測試圖。 圖13Α及13Β分別係裝置例一場發射燈管之示意圖及其陰 極放大示意圖。 圖14Α及14Β分別係裝置例二場發射照射器或顯示器_ 意圖及其陰極放大示意圖。 τ"之不 圖15Α至15Β分別係裝置例三場發射照射器或顯示。。一 意圖及其陰極放大示意圖。 ’不益之示 圖 15C及15D係裝置例三場發射照射器或顯 陰極放大示意圖。 示器之圖像化 器或顯示器之示 圖16Α至16Β分別係裝置例四場發射照射 意圖及其陰極放大示意圖。 30 201001476 圖17A至17B分別係裝置例五場發射照射器或顯示器之示 意圖及其陰極放大示意圖。 圖17C及17D係裝置例五場發射照射器或顯示器之圖像化 陰極放大示意圖。 5 【主要元件符號說明】 11，21，31，41，51 陰極 - 111，211，311，411，511 第一基材 ( 112, 212, 312, 412, 512 氧化鋅膜 113, 213, 313, 413, 513 表面改質奈米碳材 12, 22, 32, 42, 52 陽極 221, 321, 421, 521 第二基材 222, 322, 422, 522 螢光材料層 23, 33 反光板 24, 44 玻璃板 31
Claims (1)
- 201001476 十、申請專利範圍： ^ 一種場發射發光元件，包括： 陰極’其包括一第一基材、一彼覆於該第一基材表面 之乾化鋅膜、及複數個分散於該氧化鋅膜表面之表面改質 5 奈米碳材’其中，該些表面改質奈米碳材之一端係吸附於 該氧化鋅膜上； 至少一陽極，其包括一第二基材及一彼覆於該第二基材 表面之螢光材料層，其中，該陽極之該螢光材料層係面向 該陰極之該些表面改質奈米碳材；以及 10 至少一隔離器，係設置於該陰極與該陽極之間，以固 定該陰極與該陽極之間距。 2. 如申請專利範圍第1項所述之場發射發光元件，其 中’該螢光材料層為氧化鋅層。 3. 如申請專利範圍第1項所述之場發射發光元件，其 15 中’該些表面改質奈米碳材係由複數個奈米碳材經由一陰 離子型界面活性劑表面改質而獲得。 4_如申請專利範圍第3項所述之場發射發光元件，其 令，5亥些奈米碳材為單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管、少壁 奈米碳官、多壁奈米碳管、奈米碳纖維、奈米螺旋碳纖、 20 奈米鑽石或其組合。 5. —種場發射發光元件之發射陰極的製備方法，包 括： (a)將一基材浸入一辞溶液中，並藉由電化學法，於該 32 201001476 基材表面沉積一辞鑛層； (b)將表面形成有該鋅鍍層之該基材置入一化成液中， 並進行化成反應，使該鋅鍍層氧化為一氧化鋅膜； (C)將表©形成有該氧化鋅狀該歸浸沒於—表面改 質奈米碳材水溶液中，而該表面改f奈米碳材水溶液係提 供複數個表面改質奈米碳材，俾使該些表面改質奈米碳材 之一端吸附於該氧化辞膜上；以及 (d)烘烤該氧化鋅膜。 1020 6_如申請專利範圍第5項所述之製備方法，其中，於 該基材浸入該鋅溶液前，該基材係先經過表面前處理。 7.如申請專利範圍第5項所述之製備方法，其中，該 電化學法為電鑛法或無電電鐘法。 8.如申請專利範圍第5項所述之製備方法，其中，該 鋅溶液為電鍍鋅化學鍍液或無電電鍍鋅化學鍍液。 9·如申請專利範圍第8項所述之製備方並中，該 電锻鋅化學鑛液包括-電鑛辞主劑、—光澤劑、定劑、 —金屬抑制劑、一 pH調節劑及一溶劑。 10. 如申請專利範圍第8項所述之製備方法，其中，該 無電電鑛鋅化學鑛液包括硫酸鋅、乙二胺四乙酸、摔樣酸、 腈基三乙酸、氣化鈦、一 pH調節劑及一溶劑。 11. 如申請專利範圍第5項所述之製備方法，其中，該 化成液包括三價鉻離子、乙二酸m次磷酸根離子二 钻離子、一 pH調節劑及一溶劑。 33 201001476 12. 如申請專利範圍第5項所述之製備方法，其中，該 表面改質奈米碳材水溶液包括複數個奈米碳材、一非離子 型界面活性劑、一陰離子型界面活性劑及水。 13. 如申請專利範圍第12項所述之製備方法，其中，該 5 10 15 20 ，奈米碳材為單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管、少壁奈米碳 官、多壁奈米碳管、奈米碳纖維、奈米螺旋碳纖、奈米鑽 石或其組合。 14. 如申請專利範圍第12項所述之製備方法，其中，該 陰離子型界面活性劑為辛基硫酸納、十二燒基硫酸納、十 二烷基苯磺酸鈉、十二烷基苯磺酸或其組合。 15. 如申請專利範圍第12項所述之製備方法，其中，該 非離子型界面活性劑為一含醇基之界面活性劑。 16. 如申請專利範圍第5項所述之製備方法，其中，於 步驟（b)中，該化成反應係於2〇〜8(rc下進行。 、 17. 如申請專利範圍第5項所述之製備方法，其中，於 步驟（d)中，該氧化辞膜係於1〇〇〜35〇t下進行烘烤。、 18. 如申請專利範圍第5項所述之製備 '， 基材之材料為金屬、玻璃或銦錫氧化玻璃。 、，“ 19·如申請專利範圍第5項所述之製備方法， :發射發光元件為一場發射燈管、—單面平面式場發:: ^一單面平面式場發射顯示器、—雙面發Μ _ 毛射照射H、或-雙面發光面板式場發射顯^。 括20. -種場發射發光元件之氧化鋅陽極的製備方法，包 34 201001476 (a) 將一基材浸入一辞溶液中，並藉由電化學法，於該 基材表面沉積一鋅鍍層；以及 (b) 藉由熱氧法，使該鋅鍍層氧化為氧化鋅層。 5 10 15 20 21.如申請專利範圍第2〇述之製備方法，其令，於該基 材次入該辞溶液前，該基材係先經過表面前處理。 22·如申請專利範圍第2〇述之製備方法，其中，該電化 學法為電鍍法或無電電鍍法。 X .23.如申請專利範圍第2〇述之製備方法，其中，該鋅溶 液為電鍍鋅化學鍍液或無電電鍍辞化學鍍液。 合 24.如申請專利範圍第23項所述之製備方法，其中，該 電鑛鋅化學鍍液包括-電鍍鋅主劑、—光澤劑、—安定劑二 一金屬抑制劑、一 pH調節劑及一溶劑。 25·如申請專利範圍第23項所述之製備方法，其中， 無電電鍍辞化學錢液包括硫酸鋅、乙二胺四乙酸、檸樣酸二 腈基二乙酸、氯化鈦、一PH調節劑及一溶劑。 26.如申請專利範圍第20項所述之製備方法，其中，談 基材之材料為玻璃或銦錫氧化玻璃。 s 一 27.如申請專利範圍第2〇項所述之製備方法，其中， 熱氧法係使用純度為9〇〜99.99%的氧氣。 〜 28. 如申請專利範圍第2〇項所述之製備方法， 熱氧去係於氧氣流量為5〜l〇〇sccm下進行。 5 29. 如申請專利範圍第2〇項所述之製備方 熱氧法係於250〜65CTC下進行。 、，該 35 201001476 30.如申請專利範圍第20項所述之製倩方去， 場發射發，元件為一場發射燈管、一單面平面去式:發中射: 射器、一單面平面式場發射顯示器、一雙面發光面板式場 發射照射器 '或一雙面發光面板式場發射顯示器。 36
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