TW201000656A - Evaporation source, film formation apparatus, and film formation method - Google Patents

Description

201000656 、發明說明： 【發明所屬之技術領域^ ，係關於—種蒸鑛源、成膜裝置以及成 法’心別疋關於收納於蒸鑛源之材料容器的材料填充。 【先前技術】 應用蒸鑛技術於製造機器時，維翻 (洛發速度）對於提高成膜速度而高 r，已知，方法:於====: •之材料氣化速度 、，°果來°周整加熱轉之溫度以控制維持固定. (例如，請參考專利文獻）。 進行於材料容11之材料於處理程序前 密产，、^，触舰财細4來提紐料之填充 ^度使材料魏驗_勻㈣㈣轉固定之材料氣 先加財驗材料容器預 所含有^ ^ 内讀_藉_絲將材料内部 举型的材料，為使其可安定地 份與不純物去除後，而提供•之用。特別是昇 洛鐘係必須有充足之熟化時 間 4 201000656 專利文獻：日本特開第2005-325425號公報。 【發明内容】 …但是，前述之溫度控制在材料之消耗過程中，因材 料τ均勻的:肖耗或材料崩塌等而使得材料之蒸發面積 ，變’有時會因此造成材料蒸發量的變動。又:、有時前 =====不均勻性一 成藥丸狀，再將4 考慮將材料預先固化製 收納至材料容器之方法，作需要增 加—將材料；化之步驟而使生產性變差。〜、 件來材：明5供-種藉_^ 置以及成膜方法。材枓填充密度的蒸_、成膜裝 亦即’為解決前述之問 供-種蒸_，其σ，施例係提 料.相齐杜甭有·—材枓谷态，係用以收納材 料元：，，：;加熱收納於該材料容器之材 -該平板之壓迫板: =由該加熱元件“熱使氣化後的材料 過， 數個貫孔;以及-彈性元件，係利用：= 迫元件對材料的壓迫力。 水蜓和该壓 依據前述結構，材料容器内的材料可 '内後，被壓迫元件之平板壓迫。此時，施加= 201000656 G迫力會因彈性元件之彈性力而緩和。藉由該適度之壓 追使材料於容器内自然地形成藥丸狀（固化）。形成藥 丸狀之材料則受加熱元件加熱而氣化而成為材料分 子，並通過形成於壓迫元件的平板之複數個貫孔而 至成膜處理之^^側。 、' 藉此，由於材料的蒸發面積係等於壓迫元件之平板 與该材料的接觸面積，故可使其蒸發面積經常維持固 定。因此可避免例如於材料之消耗過程中，因材料不 勾的消耗或材料㈣等使得材#之蒸發面積改變的門 題。因蒸發面積係維持固^’故材料之蒸發 拉

=薄:果可使得成膜速度維持固定，並形成品S 在此所指之氣化並非單指由液相變化 現象’亦包含由固相不經由液相 =目之 (亦即昇華）之現象。 1接-化成為氣相 =的外周緣宜位於該材料容_ ;，之外周緣’即設置於材料容器開口的 =元件係以套置的方式裝内= 入後件㈣的平板來壓=^ 依據前述結構，由於該平板 才枓。 料之整體表面，故可於該材料之敕可貼合於該材 之壓迫力。藉此，即便於材料消=科表面施加均等 固 仍經常維持固定，並可使得材料:材料之蒸發面積 定。 叶之裔發速度經常維持 6 201000656 該壓迫元件宜連結一傳送路徑，該傳送路徑可將通 過該複數個貫孔的材料分子搬運至實施成膜處理之處 理容器。 使該處理容器内處於所期望之減壓狀態，並藉由該 蒸鍍源外部的壓力與透過該傳送路徑連通至該處理容 器的該蒸鍍源内部的壓力之壓力差，可使得該壓迫元件 壓迫材料。 此時，該蒸鍍源外部和内部之壓力差宜為l〇3Pa以 上。 該蒸鍍源外部宜為大氣壓力，而蒸鍍源内部宜為 102Pa以下之真空壓力。 該壓迫元件處宜設置有用以搬運該材料分子之惰 性氣體的導入口。 該導入口宜位於與該平板之壓迫面相距一特定距 離處。若適當地設計該平板之壓迫面與該導入口之間的 距離，可使材料分子順暢地進入載體氣體（惰性氣體） 中。藉此，可有效率地使用材料分子來進行成膜，於提 高成膜速度的同時亦可抑制其變動。 該導入口至該平板之壓迫面的特定距離，宜依據將 通過該複數個貫孔的材料分子搬運至實施成膜處理之 處理容器的該傳送路徑之傳導性而決定。該材料分子是 否能順暢地進入載體氣體（惰性氣體）中之條件係受到 自該材料容器内之平板至該導入口為止的擴散距離所 影響，而自材料容器搬運至處理容器的材料分子數量係 7 201000656 受到該傳送路徑之傳導性所影響。 該加熱元件宜與該平板相鄰設置，並直接加熱該形 成有複數個貫孔的平板。特別是當該平板係由一具有厚 度之多孔體（porous)所形成時，直接加熱該平板可有 效率地使該材料氣化。 該平板宜為單片沖孔元件、兩片以上沖孔元件之重 疊組合或多孔元件中任一項所構成。該材料容器内所收 納之材料宜為有機材料。 又，為解決前述問題，本發明另一實施例則提供一 種成膜裝置，其係將該蒸鍍源與傳送路徑連結，將通過 該平板的材料分子由該傳送路徑搬運至處理容器，並於 該處理容器内使該材料分子蒸鍍於被處理物。 較佳地，係具有複數個蒸鍍源，將各蒸鍍源分別地 與該傳送路徑之分叉路徑連結’將通過該平板的材料分 子由該傳送路徑之分叉路徑搬運至處理容器，並於該處 理容器内使該材料分子蒸鍍於被處理物。 又，為解決前述問題，本發明再一實施例則提供一 種成膜方法，其係將材料收納於材料容器；以加熱元件 加熱收納於該材料容器之材料；以具有形成複數個貫孔 的平板之壓迫元件壓迫收納於該材料容器之材料；以彈 性元件之彈性力緩和該壓迫元件對該材料的壓迫力，同 時使該加熱元件加熱氣化後的材料分子通過形成於該 平板之複數個貫孔；將通過該複數個貫孔的材料分子搬 運至處理裝置；以及以該搬運後材料分子讓被處理物成 201000656 膜。 此時，宜將成膜該膜之處理容器保持在一特定之真 空壓力，並藉由該蒸鍍源外部的壓力與透過傳送路徑連 通至該處理容器的該蒸鍍源内部的壓力之壓力差，使得 該壓迫元件壓迫該材料。 可藉由彈性元件之壓縮量而推測材料之殘餘量，並 藉以決定補充材料的時機。 如前述之說明，依本發明便可提高材料容器内部之 材料填充密度。 【實施方式】 以下便依照圖式詳細說明本發明之實施例。另外， 下述說明及圖式中，具有相同結構與功能之構成元件則 給予相同之符號並省略其說明。又，本說明書中的lsccm 係為（1(Γ6/60) m3/sec。 首先，參照第1圖說明本發明實施例相關之6層連 續成膜裝置。第1圖係6層連續成膜裝置10之概略縱 剖面圖。該6層連續成膜裝置10為一成膜裝置之實施 例，其係於搬入至處理容器内之玻璃基板（以下簡稱為 基板G)上形成一有機膜。 6層連續成膜裝置10係具有6具蒸鍍源100、處理 容器200、6條傳送路徑300以及6個閥門400。各蒸 鍍源100皆為相同之構造。蒸鍍源100係由不銹鋼 (SUS)等金屬所構成。由於石英等不易與有機材料發 9 201000656 ^反應’蒸·⑽亦可由塗佈有石料之金屬所構 於蒸_ 100内部枚納不同種類之有機材料邮， 並埋設有加_ 1G5。加_⑽錢接 ，溫度調節器5。0係施力舰給加熱器^ 熱器105之蒸缝源100加熱至所期望的溫 度為而㈣有機材料氣化。另外，該加熱器ig5係 加熱收納於蒸獅⑽之材料的加熱元件之-實施例。 ^條傳祕徑之1係分職該6具基 〇〇連結’另端係貫穿處理容器而分別與6 2喷出 機構205連結。各傳送路徑3⑼係安裝有閥門·，在 進订成㈣開啟以將蒸魏⑽所氣化之有機分 =處理容器·’在停止成膜時則關以停 化 之有機分子。 /各，出機構205皆為-中空之矩形構造，且相互斗 =地等間㈣置。蒸麟丨⑽所氣化之有機分子係通發 傳达路徑300，並自設置於各噴出機構2〇5上部中央之 =口處噴出。分隔壁21〇係設置於各噴出機構2〇5之 曰’將各噴出機構205 II隔以防止各相鄰噴出機構2〇 之上部開口所分別喷出的有機分子相互混合。 滑動機構215係具有載置台215a、支 =執機仙5c。載置台⑽係由該支撐體⑽所支 牙。基板G係由設置於處理容器2⑻之閘閥22〇處搬 入’並藉由高壓電源（圖中未顯示）所施加之高壓電而 201000656 :二二2接::1軌機構2UC係安裝於處理容器200 沿吏:容=吸附於载置台收之基板G係 «處理μ 200之較長方向滑

於各喷出機構挪之上方處作平行移動使W基板G 處理容器200係使用一排氣裝置 氣，使其保持於10“㈤以下之真空t g =里合為200之傳送路徑議和處理容器 型環225，藉此可保持處理容器= π之孔m方面，6具蒸鑛源⑽料置於大氣 之中。依據前述結構，蒸鑛源丨。。内部之 ⑹⑽以下，蒸_⑽外部之大氣動約為^ (Pa)’故產生103 (pa)以上之壓力差。 粬广各蒸鍍源100之側壁處係設置有貫通該側壁之載 體氣體的導入口。該載體氣體之導入口係藉由氣體管路 Lg連結至氣體流量控制器_、閥門以及氣體供應 源800。自氣體供應源8〇〇供給之氬氣（Ar)係藉由氣 體流量控制器600和閥門700控制其流量和供給時機， 亚供給至各蒸鍍源100之内部。該氬氣係一用以將於各 蒸鍍源100内部氣化後之有機分子搬運至各喷出機構 205的載肢氣體。另外，作為載體氣體之氣體並未限定 使用氬氣（argon )，亦可使用氦氣（helium )、氪氣 (krypton )或氤氣（xen〇n )等惰性氣體。 控制益900係具有圖中未顯示之儲存區域（R〇M 或RAM專）、輸出入i/F ( interfaCe )以及cpu等元件。 11 201000656 CPU係使用該儲存區域中所 計算施加於各加埶哭1Λς Q禋貝枓或私式，來 器500。X，控制、器_ 1電壓值並傳送至溫度調節 氣的同時，# :尸°°於指不氣體供應源800供給氬 量並對閥⑽G指示供給^ 载體氣體之流 參照顯示第1圖中]， 成膜時，最多可混人收柄&的第2圖，各有機膜於 機材料。例如，在欲使用 1的3種有 啟該收納有用卩成膜之材遍气機材枓、此合成膜時，開 侧，而_彳狀細_ =門 該加熱器Π)5加熱而氣化的有機分二:結二 駐傳送路徑300之分又路徑内‘ = = = 機構205内，並由上部開 σ麟搬運至唷出 如此一來，便 1⑻處賀出而附著於基板G。 本實: 所期望之特性的有機膜。 之之6層連續成膜裝置係將第2圖所示 述結構，基板G便於第^ 以-定之速度前進。如此—來就:=2°5之上方處 该基板G之祕轉層切 二 層、第2層之電洞傳輸層、第3 f主入 之綠發光層、第5層之红發光㊉：：X、、第4層 Μ。甘&# 1 , 炙先層以及第6層之電子傳輸 i声；^ 5層之藍發光層、綠發光層以及紅發 = 再結合來發光之發光層。又， 方之至屬層係利用錢錢（sputtering )所形成。 201000656 藉此’於玻璃基板上形成將有機層夾置於陽極

Unode)及陰極（cath〇de)之爽芯構造的有機電發光 元件β施加电壓於有機電發光元件之陽極及陰極時，電 洞自陽極左入至该有機層而電子自陰極注入至該有機 層/主入之私洞及電子則於有機層内再結合並同發出 光芒。 、，雨述成膜難在材料之消耗過程巾，因材料不均句 ^消，或材料崩場等使材*之蒸發面積改變，而材料之 j里k動，其結果將導致成膜速度的變動並影響膜的 該問題，亦f考慮將材料預先固化製成藥丸 化之牛：ί材料谷态之方法，但其需要增加-將材料固 化之步驟使生產性變差。 本發明實施例相關之6層連續成膜裝置10 =:=部及内部之壓力的壓力差來提高材料 詳細說明。 、充讀叮便針_結構進行 干，i (C)係將—蒸鍍源100放大，並顯 2機構及其内部有機材料之填 具有材料容器110、壓迫元株11ς U疾、鍍/原係 ^ 19, ^ 、兀件115、伸縮管120以及螺 U25。材料容器11〇係形成為凹狀，复内部之凹陷處 :收納有顆粒狀有機材料ma。該有機材料萨 熱器105之加熱而氣化。 W+ma係措由加 壓迫元件115之前端具有平板ma 與材料容器110係以套置重人 1 、牛 去罝置口女裴。也就是說，平板 13 201000656 115a之外周緣係位於材料容器110之開口的内周緣 處，並以套置的方式裝入材料容器110内部。如第5圖 之放大顯示，平板115a係由多孔性金屬所構成。 多孔性金屬係為多孔之金屬，其内部之氣孔相互連 通而形成複數個貫孔。氣孔直徑（通稱孔徑）例如為 3mm以下且氣孔率為50°/。時，可藉由平板115a之壓迫 面115al充份地壓迫有機材料ma，並使氣化之有機分 子通過多孔性金屬内部之氣孔間的間隙，自傳送路徑 300搬運至處理容器。另外，作為平板115a所使用之多 孔元件亦可使用多孔石英來代替多孔金屬。 依據前述結構，平板115a之壓迫面115al與有機 材料ma之表面整體貼合，可於材料的蒸發表面整體施 加均勻之壓迫力。藉此，無關有機材料之消耗而可使得 該材料之蒸發面積經常維持固定。其結果，材料之蒸發 速度亦經常維持固定。 平板115a係固定於凸緣115b，伸縮管120之一端 係固定於凸緣115b之突出部上緣處，伸縮管120之另 端係使用一螺栓125固定。材料容器110係以螺栓125 而可自由拆裝地安裝於壓迫元件115。也就是於補充材 料時，係將材料容器110由壓迫元件115拆除，待材料 補充後，再藉由螺栓125安裝至壓迫元件115。另外， 伸縮管120係一利用彈性力來緩和壓迫元件115對有機 材料ma的壓迫力之實施例，其他亦可使用板狀彈簧或 彈簧。 14 201000656

(有機材料之藥丸狀固化） — 依據前述結構，將蒸鍍源100設置於大氣之中，故 ^链源、100之外部便承受約105 (Pa)之大氣壓力。相 ，於此，處理容器200係藉由排氣裝置進行排氣而保 為^2 (Pa)以下之真空壓力。蒸鍍源100内部則 (Pa)以下之壓力。如第1圖所示，傳送路徑300 處理容器200連通。因此傳送路徑300的内部及 迫几件1 1 ς I 2 之凸緣115b的内部會成為相同於處理容器 内部的真空壓力之減壓狀態。 D ίο3如此—來，當蒸鍍源100之外部及内部的壓力差達 第以上時’便能從大氣側朝向真空侧施加壓力。 圖（b)中，由於該壓力差使得材料容器ιι〇之 力，氣側）朝向壓迫元件115側（真空側）施加壓 迫。t 則承受壓迫元件115之平㈣5a的壓 材料J之=伸縮管120之彈性力來緩和施加於有機 11() i 因此，有機材料ma收納於材料 固:然地承受適當之壓返而形= 元件分子並通過形成於壓: 傳送至成膜數個貫孔，通過傳送路徑_ :料之材;_機 地固化’而氣化後之有機分子可通過平 15 201000656 之氣孔間隙（貫孔）而傳送至處理容哭。 依據前述結構，可避免例如於有機材料邮 過程中，材料因不均勻的消耗或材料崩垆 發面:二問題;亦即，因該有機材; 充後一 4圖U))，抑==: (第4圖（c))均維持固定，，其結 心 ma之蒸發速度亦經常維持固定，:件有機材料 可有效地形成品質優良之有•。輪纽不會變動而 推_材料之殘 餘量，亚付知補充材料適當之時機。 ^ ^ f需使得蒸鍵源、1 〇 0之外部及内部的壓力差 達10 (Pa)以上，蒸鍍源1% 力是 壓力下，只需達到前述之壓力# 4亚未限定於大氣 粉狀的有機材料固化。 卩可在H益中將 二==蒸發面至栽懸氣體導入口的距離） 壓迫元件115之侧壁處係設置有導 ^ 之Μ料Din。若能確認平 板，之堡追面115al至栽趙氣體導入口 &的距離匕 對成膜速^影響，便能藉由適當地設計該距離卜，來 使有勤子順暢地進入載體氣體（⑽心糾，即 性氣體）!;其結果，可錢率地使用有機分子實施成 膳，亚提面成膜速度且可有效地形成品質優良之有機 膜。 16 201000656 (第1實驗） 本發明人藉由實驗而求出該距離h之適當數值。實 驗中，於如第6圖所示之實驗用材料容器110内部的材 料分子傳送路徑之最上端處設置一孔徑r為φΙΟηιιη之 卽流孔口。材料容益110則設置2個載體氣體導入口 ini、in2以及2個材料投入位置Pu、Ρ1。材料容器110 之中間位置係設置多孔金屬P，編號1之材料投入位置 係作為多孔金屬P正上方之位置Pu，編號2之材料投 入位置係作為拆下多孔金屬P後之容器内底部P1，於各 位置投入相同之有機材料。 載體氣體導入口 ini係設置於與多孔金屬P相距 10mm處（距離該容器之底部66mm處），載體氣體導 入口 in2係設置於距離該容器之底部19mm處。該多孔 金屬下方之有機分子及載體氣體係可通過該多孔金屬 傳送至上方。另外，本實驗係使用氬氣作為載體氣體。 實驗條件係如第7圖（a)所示，條件A之有機材 料位置為Pu、氬氣導入口為in 1，兩者皆位於多孔體P 上方，有機材料之蒸發面至氬氣導入口 ini的距離推測 約為5mm。條件B至E中，有機材料皆放置於容器内 底部之有機材料位置P1。又，氬氣於條件C及條件D 係由導入口 ini處導入，於條件B及條件E則係由導入 口 in2處導入。條件B至E中，有機材料之蒸發面至氬 氣導入口的距離推測約分別為14mm、61 mm、51 mm、 4mm ° 17 201000656 實驗結果如第7圖⑴所示。根據該結果 材料之*發面至氬氣導人σ的距純短之條件A仪 件E中，其對應於氬氣流量的成膜速度較快，且隨掩 ===成膜速度加快。另-方面，有機“ 之瘵4面至虱虱導入口的距離較長之條件B至d 其，應於氬氣流量的賴速度較慢，且隨著增加的 流量而該成膜速度減慢。 ’、的 士由，述結果可知，節流孔口之孔徑『設定為㈣軸 日守，以、㈣nun作為門摄值可區分成膜效率增加之 及效率減慢之群組。亦即，有機材料之基發面: =口的距離為10mm以下時，其成膜速度較 Ik著增加氣體的流量可更有效率地來成膜。、 (第2實驗） ' 之孔5:3=將安裝於容器最上端處之節流孔口

:二㈣_綠5mm，並調查材料之基菸 虱體導入口 in的距離h對成膜速度之影壑X ，之條件如第8(a)圖所示，條件a、d、f㈣ 流孔二之孔杈r係㈣醜，條件b、c、E的、: 之孔徑r係φ〇.5ιηηι。條件A "L 材料位置朽及氬氣導入口 i/二之匕任一項中’該有機 方，而就有峨Uitir於多孔計之下 條件“係17麵:'、、

D係6mm ;條件E、F 係5mm。條件3至£中 十 部的有機材料位置Pl。又==於容器内之底 入％所有條件中之氬氡係由導 18 201000656 入口 in2處導入。又’弟2貫驗係使用與弟1貫驗不相 同之有機材料。 實驗結果如第8 (b)圖所示，根據該結果，節流 孔口之孔徑r為(|)0.5mm，在有機材料之蒸發面至氬氣導 入口的距離較短（5mm與6mm )之條件C與條件E時， 雖然其成膜速度較快，但隨著增加氬氣的流量而該成膜 速度減慢，於其它條件A、B、D、F中之成膜速度較慢， 且隨著增加氬氣的流量而該成膜速度減慢。 根據前述兩個實驗可推論下述結果。首先，於第1 實驗中，可知成膜速度和有機材料之蒸發面至載體氣體 導入口的距離h具有高相依性。這是當有機材料之蒸發 面至載體氣體導入口之間的傳送路徑之擴散距離h增 長時，在擴散氣化後之有機分子時無法到達載體氣體導 入口處之有機分子的比例增高，由於有機分子無法有效 率地進入載體氣體的流路中，而使其成膜速度減慢。於 該狀況中，即使增加載體氣體之流量，但由於隨著增加 載體氣體的流量而進入載體氣體之有機分子的數量並 未改變，故其成膜速度減慢。 因此，適當地設計該距離h係重要關鍵，例如，節 流孔口之孔徑r為φΐ0mm時，將該距離h設定為10mm 以下，可使有機分子順暢地進入載體氣體中。其結果， 可將有機分子有效率地利用於成膜，而提高成膜速度且 可有效地形成品質優良之有機膜。 其次，於第2實驗中，可知成膜速度和節流孔口之 19 201000656 孔控Γ亦有相當程度之相依性。這是因為自材料容裔搬 運至處理容器之材料分子的數量受到傳送路徑之傳導 性影響。 亦即，在條件C及條件Ε的節流孔口之孔徑為較 小之φ0.5mm，且材料至導入口的距離h為較短之5mm 與6mm時，傳導性會變小而載體氣體流動不易，加上 氣化後之有機分子於擴散時，由於傳遞至載體氣體之導 入口處的有機分子比例較高，使得有機分子可輕易地進 入該朝向容器内部前進之載體氣體中，故而加快成膜速 度。當載體氣體之流量增加時，相較於增加載體氣體之 流量，由於進入載體氣體之有機分子的數量不變，故成 膜速度減慢。 另一方面，如條件A及條件B，當該材料至導入口 之距離為較長之17mm時，無關傳導性之大小，因與前 述第1實驗相同之理由，有機分子難以進入載體氣體之 氣流中，故使得成膜速度降低。再者，增加氬氣氣體的 流量時，相較於氣體流量所增加之氬氣氣體的數量，由 於該有機分子的數量變少，故使得成膜速度越見低落。 再者，如條件D及條件F中該節流孔口之孔徑r 為較大之φ 1 〇mm，且該材料至導入口之距離h為較短之 5 mm和6mm時，傳導性會增大，而載體氣體則較易流 動。但是，此條件在氣化後之有機分子於擴散時，由於 傳遞至載體氣體導入口的有機分子之比例提高，相較於 條件C及條件E，有機分子則較難以進入載體氣體中， 20 201000656 但相較於條件A及條件B’有機分子則較輕易進入載體 氣體t H與條件A及條件B相比，成膜速度^ 高，即使增加載體氣體的流量，其成膜逮度幾乎維持於 1.0 (a.u_)。另外’載體氣體流量增多時，由於相較於 載體氣體流量的增加，有機氣體進入載體氣體十的量並 未改變，故使得成膜速度稍微下降。 依照前述結果’設置於蒸錢源1〇〇的載體氣體導入 Π in之位置’與平板115a之壓迫面115al ‘二二多遠 至為重要’在卽流孔口之孔徑r為φ 1 〇mm時，該距離宜 為10mm以下。又，導入口 in至平板U5a之壓迫面115al 的特定距離，宜對應搬運材料分子至處理容器2〇〇之傳 送路徑的傳導性（即為節流孔口之孔徑r)來決定最適 當之數值。 本實施例之蒸鍍源100係考量前述各實驗之結 果’來適當地設計材料表面（材料之蒸發面）至载體氣 體導入口之距離h。藉此，可使成膜速度大幅提高。又， 本實施例相關之蒸鑛源1〇〇的蒸鍍面即為平板115&之 壓迫面ll5al，其至載體氣體導入口 in之距離不因材料 之消耗量而產生變動，因此，可使蒸鍵速度保持固定。 如前述說明’依照本實施例可利用蒸鍍源之外部和 内部的壓力差來提高材料容器内之有機材料填充密 度’而將蒸鍍速度以及成膜速度提升且保持固定。山 前述實施例中，各部位之動作係相互關連，可考虞 其相互之關連，而替換該一連串之動作。然後，藉由兮 21 201000656 替換步驟，蒸鍍源之實施態樣便可作為使用該蒸鍍源之 成膜裝置以及成膜方法之實施態樣。 以上雖已參照圖式說明本發明適用之實施樣態，但 本發明當然並不限定於前述實施樣態中。明顯地，熟悉 此項技術之人士在不悖離申請專利範圍之記載範疇内 係可想到各種變更或修改，其均應視為仍落於本案申請 專利範圍所界定之範圍中。 例如，該蒸鍍源100並未限定於前述之結構。例 如，第4圖所示之蒸鍍源100中，螺栓125以及伸縮管 120係固定於壓迫材料115側，亦可如第9圖所示，將 螺栓125以及伸縮管120固定於材料容器110侧。 又，有機材料不限定係以埋設於材料容器110之加 熱器105來間接加熱，亦可藉由設置於平板115a之加 熱元件130來直接加熱，特別是當平板115a係由具有 厚度之多孔體（porous)所構成時，藉由直接加熱該平 板115a，可有效率地使有機材料氣化。 又，平板115 a不限定使用多孔金屬，例如，亦可 使用如第10圖（a)所示，使用具有所期望開口率之單 片沖孔金屬ll5cl，抑或如第10圖（b)所示，使用2 片沖孔金屬115cl之隔離重疊構造，於任一態樣中，設 置於壓迫元件115前端的沖孔金屬115cl表面均會成為 壓迫面115al。另外，平板115a亦可使用2片以上之沖 孔金屬重疊而形成，又，沖孔元件不限定使用金屬，亦 可使用例如石英等介電體。 22 201000656 前述實施例之6層連續成膜裝置10中，可進行成 膜處理之玻璃基板尺寸亦可大於73〇mm χ 92〇mm以 上。例如，處理容器200可進行連續成膜處理73〇mm χ 92〇mm (處理室内的尺寸：1 〇〇〇mm χ 1190mm)之 G4.5 基板尺寸或1100mm xl300mm (處理室内的尺寸. 腿）之仍基板尺寸。又，前述實施例 之6層連續成膜裝置1G所處理之被處理體 璃基板，亦包含直徑例如·™二: 有機材料。本發明相關的材料不限定為 亦可作為用以製造液晶顯示^蒸贿於形成有機膜， 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明實施例相 縱剖面圖。 層連續成膜装置之 第2圖係第1圖中之Μ線剖面圖。 =3圖侧4施教6層稍成 有機EL·結構圖。 衣夏所开》成之 第4(a)〜4(c)圖係用以說明同— 源中壓縮材料之少驟圖。 貝轭例之蒸鍍 第5圖係同，實施例的壓迫元件之平 土 =圖係同二實施例之實驗用蒸錢源之剖：；圖。 a)圖係R1施例之第1實驗的實驗條件列 23 201000656 表。 第7 (b)圖係第1實驗之結果圖表。 第8(a)圖係同一實施例之第2實驗的實驗條件列 表。 第8 (b)圖係第2實驗之結果圖表。 第9圖係同一實施例之蒸鑛源的變形例之示意圖。 第10 (a)〜10 (b)圖係同一實施例的壓迫元件之 平板的變形例之示意圖。 【主要元件符號說明】 10 6層連續成膜裝置 100 蒸鑛源 105 加熱元件、加熱元件 110 材料容器 115 壓迫元件 115a 平板 115al 壓迫面 115b 凸緣 115cl 沖孔金屬 120 伸縮管 125 螺拴 130 200 加熱元件、加熱元件 處理容器 205 喷出機構 24 201000656 210 分隔壁 215 滑動機構 215a 載置台 215b 支撐體 215c 滑執機構 220 閘閥 225 0型環 300 傳送路徑 400 閥門 500 溫度調節器 600 氣體流量控制器 700 閥門 800 氣體供應源 900 控制器 G 基板 Lg 氣體管路 ma 有機材料 P 多孔體 25

Claims (1)

1. 201000656 七、申請專利範圍： 1. 一種蒸鍍源，其具備有： 一材料容器，係用以收納一材料； 一加熱元件，係用以加熱收納於該材料容器之材料； 一壓迫元件，係具有一形成有複數個貫孔的平板， 且利用該平板之壓迫面來壓迫收納於該材料容器之 材料，並使得經該加熱元件加熱而氣化的材料分子 通過該複數個貫孔；以及 一彈性元件，係利用彈性力來缓和該壓迫元件對材 料的壓迫力。 2. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍源，其中該平板的外 周緣係位於該材料容器之開口的内周緣處。 3. 如申請專利範圍第2項之蒸鍍源，其中該壓迫元件 係以套置的方式裝入該材料容器内，並藉由設置於 已裝入之壓迫元件前端的平板來壓迫該材料。 4. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍源，其中該壓迫元件 係連結一傳送路徑，該傳送路徑係將通過該複數個 貫孔的材料分子搬運至實施成膜處理之處理容器。 5. 如申請專利範圍第2項之蒸鍍源，其中該壓迫元件 係連結一傳送路徑，該傳送路徑係將通過該複數個 貫孔的材料分子搬運至實施成膜處理之處理容器。 6. 如申請專利範圍第3項之蒸鍍源，其中該壓迫元件 係連結一傳送路徑，該傳送路徑係將通過該複數個 貫孔的材料分子搬運至實施成膜處理之處理容器。 26 201000656 7. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍源，其中使該處理容 器内處於所期望之減壓狀態，並藉由該蒸鍍源外部 的壓力與透過該傳送路徑連通至該處理容器的該蒸 鍍源内部的壓力之壓力差，使該壓迫元件壓迫材料。 8. 如申請專利範圍第2項之蒸鍍源，其中使該處理容 器内處於所期望之減壓狀態，並藉由該蒸鍍源外部 的壓力與透過該傳送路徑連通至該處理容器的該蒸 鍍源内部的壓力之壓力差，使該壓迫元件壓迫材料。 9. 如申請專利範圍第3項之蒸鍍源，其中使該處理容 器内處於所期望之減壓狀態，並藉由該蒸鍍源外部 的壓力與透過該傳送路徑連通至該處理容器的該蒸 鍍源内部的壓力之壓力差，使該壓迫元件壓迫材料。 10. 如申請專利範圍第4項之蒸鍍源，其中使該處理容 器内處於所期望之減壓狀態，並藉由該蒸鍍源外部 的壓力與透過該傳送路徑連通至該處理容器的該蒸 鍍源内部的壓力之壓力差，使該壓迫元件壓迫材料。 11. 如申請專利範圍第5項之蒸鍍源，其中使該處理容 器内處於所期望之減壓狀態，並藉由該蒸鍍源外部 的壓力與透過該傳送路徑連通至該處理容器的該蒸 鍍源内部的壓力之壓力差，使該壓迫元件壓迫材料。 12. 如申請專利範圍第6項之蒸鍍源，其中使該處理容 器内處於所期望之減壓狀態，並藉由該蒸鍍源外部 的壓力與透過該傳送路徑連通至該處理容器的該蒸 鍍源内部的壓力之壓力差，使該壓迫元件壓迫材料。 27 201000656 如申請專利範圍 ， ， ▼丁 w tan 十 * 7S 一^，·贫判又"q、 7 讲又/ΛΚ 外部和内部的壓力差為103Pa以上。 1《如申請專利範圍第8項之蒸鍍源，其中該 外部和内部的壓力差為l〇3Pa以上。 … 15.:申請專利範圍第9項之蒸鍍源，其中該 外部和内部的壓力差為103Pa以上。 X ’、 K ^申請專利範圍第1G項之蒸鑛源，其中該 外部和内部的壓力差為103pa以上。 …、原之 17·如申請專利範圍第n項之蒸鍍源，其 外部和内部的屢力差為103pam 〇 d源之 18·如申請專利翻第12項之蒸鑛源，其中該 外部和内部的壓力差為103Pa以上。<r、、、又"、之 19·如申請專利範圍第13項之蒸 =氣壓力，該細之内部為 2。：==第14項之蒸鏡源，其中該蒸錢源之 真空^力’該蒸鍵源之内部為1仏以下之 21·如申請專利範圍第15 外部為'、'、鍍源其中該蒸鍍源之 真空^ 该㈣又源之内部為WPa以下之 外^明專利華巳圍第16項之蒸鍵源，复中今+£获、原 氣壓力’該蒸錄源之内部為 28 201000656 23. 如申請專利範圍第17項之蒸鍍源，其中該蒸鍍源之 外部為大氣壓力，該蒸鍍源之内部為l〇2Pa以下之 真空壓力。 24. 如申請專利範圍第18項之蒸鍍源，其中該蒸鍍源之 外部為大氣壓力，該蒸鍍源之内部為l〇2Pa以下之 真空壓力。 25. 如申請專利範圍第1至24項中任一項之蒸鍍源，其 中該壓迫元件處設置有用以搬運該材料分子之惰性 氣體之導入口。 26. 如申請專利範圍第25項之蒸鍍源，其中該導入口係 設置於與該平板之壓迫面相距一特定距離處。 27. 如申請專利範圍第26項之蒸鍍源，其中該導入口至 該平板之壓迫面的特定距離係依據將通過該複數個 貫孔的材料分子搬運至實施成膜處理之處理容器的 傳送路徑之傳導性所決定的。 28. 如申請專利範圍第1至24項中任一項之蒸鍍源，其 中該加熱元件係與該平板相鄰設置，並直接加熱該 形成有複數個貫孔的平板。 29. 如申請專利範圍第25項之蒸鍍源，其中該加熱元件 係與該平板相鄰設置，並直接加熱該形成有複數個 貫孔的平板。 30. 如申請專利範圍第26項之蒸鍍源，其中該加熱元件 係與該平板相鄰設置，並直接加熱該形成有複數個 貫孔的平板。 29 201000656 31. 如申請專利範圍第27項之蒸鍍源，其中該加熱元件 係與該平板相鄰設置，並直接加熱該形成有複數個 貫孔的平板。 32. 如申請專利範圍第1至24項中任一項之蒸鍍源，其 中該平板係由單片沖孔元件、兩片以上沖孔元件之 重疊組合或多孔元件中之任一者所構成。 33. 如申請專利範圍第25項之蒸鍍源，其中該平板係由 單片沖孔元件、兩片以上沖孔元件之重疊組合或多 孔元件中之任一者所構成。 34. 如申請專利範圍第26項之蒸鍍源，其中該平板係由 單片沖孔元件、兩片以上沖孔元件之重疊組合或多 孔元件中之任一者所構成。 35. 如申請專利範圍第27項之蒸鍍源，其中該平板係由 單片沖孔元件、兩片以上沖孔元件之重疊組合或多 孔元件中之任一者所構成。 36. 如申請專利範圍第28項之蒸鍍源，其中該平板係由 單片沖孔元件、兩片以上沖孔元件之重疊組合或多 孔元件中之任一者所構成。 37. 如申請專利範圍第29項之蒸鍍源，其中該平板係由 單片沖孔元件、兩片以上沖孔元件之重疊組合或多 孔元件中之任一者所構成。 38. 如申請專利範圍第30項之蒸鍍源，其中該平板係由 單片沖孔元件、兩片以上沖孔元件之重疊組合或多 孔元件中之任一者所構成。 30 201000656 39. 如申請專利範圍第31項之蒸鍍源，其中該平板係由 單片沖孔元件、兩片以上沖孔元件之重疊組合或多 孔元件中之任一者所構成。 40. 如申請專利範圍第1至24項中任一項之蒸鍍源，其 中該材料容器内所收納之材料為有機材料。 41. 如申請專利範圍第25項之蒸鍍源，其中該材料容器 内所收納之材料為有機材料。 42. 如申請專利範圍第26項之蒸鍍源，其中該材料容器 内所收納之材料為有機材料。 43. 如申請專利範圍第27項之蒸鍍源，其中該材料容器 内所收納之材料為有機材料。 44. 如申請專利範圍第28項之蒸鍍源，其中該材料容器 内所收納之材料為有機材料。 45. 如申請專利範圍第29項之蒸鍍源，其中該材料容器 内所收納之材料為有機材料。 46. 如申請專利範圍第30項之蒸鍍源，其中該材料容器 内所收納之材料為有機材料。 47. 如申請專利範圍第31項之蒸鍍源，其中該材料容器 内所收納之材料為有機材料。 48. 如申請專利範圍第32項之蒸鍍源，其中該材料容器 内所收納之材料為有機材料。 49. 如申請專利範圍第33項之蒸鍍源，其中該材料容器 内所收納之材料為有機材料。 50. 如申請專利範圍第34項之蒸鍍源，其中該材料容器 31 201000656 内所收納之材料為有機材料。 51. 如申請專利範圍第35項之蒸鍍源，其中該材料容器 内所收納之材料為有機材料。 52. 如申請專利範圍第36項之蒸鍍源，其中該材料容器 内所收納之材料為有機材料。 53. 如申請專利範圍第37項之蒸鍍源，其中該材料容器 内所收納之材料為有機材料。 54. 如申請專利範圍第38項之蒸鍍源，其中該材料容器 内所收納之材料為有機材料。 55. 如申請專利範圍第39項之蒸鍍源，其中該材料容器 内所收納之材料為有機材料。 56. —種成膜裝置，其特徵在於：將如申請專利範圍第 1至55項所記載之蒸鍍源與傳送路徑連結，將通過 該平板的材料分子由該傳送路徑搬運至處理容器， 並於該處理容器内使該材料分子蒸鍍於被處理物。 57. 如申請專利範圍第56項之成膜裝置，其具有複數個 該蒸鍍源，將各蒸鍍源分別地與該傳送路徑之分叉 路徑連結，將通過該平板的材料分子由該傳送路徑 之分叉路徑搬運至處理容器，並於該處理容器内使 該材料分子蒸鍍於被處理物。 5 8. —種成膜方法，其包含有： 將材料收納於材料容器；以加熱元件加熱收納於該 材料容器之材料；以具有形成複數個貫孔的平板之 壓迫元件壓迫收納於該材料容器之材料；以彈性元 32 201000656 件之彈性力緩和該壓衫件對該材料賴迫力，同 時使該加熱元件所加減化㈣材料分子通過形成 於該平板之複數個貫孔；將通過該複數個貫孔的材 =分子搬運至處理H以及以該搬運 讓被處理物成臈。 寸刀于 59.=申請專利範圍第58項之成膜方法， =處理容器保持在所期望之真空壓力 =顯的墨力與透過傳綱連通4;由； 内部之壓力的壓力差 件壓迫該材料。 使传该壓迫元 6〇.如申請專利範圍 器 由彈性元件之】C9項:成膜方法’其係藉 内之材料的時機來決定補充收納於言亥材料容