200948240 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種由金屬箔所成鋁配線形成用轉印薄 膜及鋁配線之形成方法，更詳言之，係關於可輕易地形成 厚膜鋁配線，且可獲得電特性或平滑性優異之鋁配線之鋁 配線形成用轉印薄膜。 @ 【先前技術】 近年來，對於電路基板或顯示器面板中之鋁配線加工 ，已朝高密度化及高精細化進展。伴隨著高密度化、高精 細化，而要求鋁配線之尺寸變小，例如由於配線之線寬變 細，因而更進一步要求導電性的提升。 過去，該等鋁配線之成形方法已知有以電鍍法、真空 製程之蒸鍍法、濺射法等形成金屬膜，塗佈光阻劑、進行 曝光、顯像，隨後以蝕刻液形成鋁配線之方法。 〇 然而，上述電鍍法、真空製程之蒸鍍法、濺射法在步 驟之生產量慢，尤其，爲了改善導電性而使金屬膜形成爲 厚膜會有生產量更慢等之問題。又外，若底層之表面平滑 性不良，則亦有與底層追隨性、金屬膜之平滑性不良之問 題 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 本發明係基於以上之問題而完成者。 -4- 200948240 本發明之第一目的係提供一種適用於鋁配線（例如， 印刷電路基板、多層電路基板、多晶片模組、LSI、軟性 面板顯示器之電極及反射板等）之形成之鋁配線形成用轉 印薄膜’及使用該鋁配線形成用轉印薄膜之鋁配線形成方 法。 本發明之第二目的係提供一種相較於過去之製造方法 ’可實質地改善作業性，即使金屬膜以厚膜形成時製造效 率亦優異之鋁配線製造方法。 本發明之第三目的係提供一種表面平滑性優異之鋁配 線形成方法。 [解決課題之方法] 解決上述目的之本發明係鋁配線形成用轉印薄膜，其 特徵爲爲在支撐薄膜上層合（A)光阻層、（B)鋁層及（ C )黏著層， ❹ 其較佳樣態係上述鋁配線形成用轉印薄膜爲： 上述（B)鋁層係藉由鋁箔形成， 上述（B)銘層之厚度爲1〜20μιη， 上述（C )黏著層爲熱硬化性樹脂組成物。 又本發明爲一種鋁配線形成方法，其特徵爲包含下列 步驟： 在基板上藉由使上述鋁配線形成用轉印薄膜之黏著層 與基板抵接之方式進行轉印，在基板上形成層合體之步驟 ，使構成該層合體之（Α)光阻層進行曝光處理而形成光 -5- 200948240 阻圖型之潛像之步驟；使上述（A)光阻層經顯像處理使 光阻圖型顯像化之步驟：以及使上述（B )鋁層經蝕刻處 理形成對應於光阻圖型之鋁配線之步驟。 [發明效果] 依據本發明之鋁配線形成用轉印薄膜及鋁配線之形成 法，係可製造作業性良好，使鋁層成爲厚膜時之製造效率 亦優異，阻抗値低之電極。另外，由於不受基板表面粗糙 度之影響，因此表面平滑性優異，而可獲得亦可作爲反射 板之優異鋁配線。 【實施方式】 <鋁配線形成用轉印薄膜> 本發明之鋁配線形成用轉印薄膜係在支撐薄膜上依序 層合（A)光阻層、（B)鋁層及（C)黏著層。又，本發 〇 明之鋁配線形成用轉印薄膜亦可爲在支撐薄膜上依序層合 (B)鋁層及（C)黏著層者。 (A )光阻層 本發明中形成光阻層之材料可使用習知之光阻劑。光 阻劑爲負型，亦可爲正型，但由於負型較容易形成本發明 之鋁配線形成用轉印薄膜而較好。 本發明中之光阻層例如含有感光性單體、光聚合起始 劑及結合劑。 -6- 200948240 感光性單體 感光性單體爲藉由曝光聚合而改變對顯像液溶解性之 物質，例如藉由曝光聚合，曝光部份成爲鹼不溶性或鹼難 溶性之物質。至於感光性單體，若使用藉由該曝光成爲鹼 不溶性等之物質時，則有可輕易地賦予曝光部分與未曝光 部份之對比，使鋁配線之高精細化或鋁配線形狀易受控制 φ 之優點。至於藉由該曝光而成爲鹼不溶性等之物質可舉例 爲例如含有乙烯性不飽和基之化合物，較好爲多官能性（ 甲基）丙烯酸酯。 上述含有乙烯性不飽和基之化合物之具體例可舉例爲 乙二醇、丙二醇等烷二醇之二（甲基）丙烯酸酯類；聚乙 二醇、聚丙二醇等聚烷二醇之二（甲基）丙烯酸酯類；兩 端羥基聚丁二烯、兩端羥基聚異戊間二烯、兩端羥基聚己 內酯等兩端羥基化聚合物之二（甲基）丙烯酸酯類； 〇 甘油、1，2,4-丁三醇、三羥甲基烷、四羥甲基烷、季 戊四醇、二季戊四醇等三價以上之多價醇之聚（甲基）丙 烯酸酯類；三價以上之多價醇之聚烷二醇加成物之聚（甲 基）丙烯酸酯類；1，4-環己二醇、1,4-苯二醇類等環式多 元醇之聚（甲基）丙烯酸酯類；聚酯（甲基）丙烯酸酯、 環氧基（甲基）丙烯酸酯、胺基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯 、醇酸樹脂（甲基）丙烯酸酯、聚矽氧樹脂（甲基）丙烯 酸酯、螺烷（spirane )樹脂（甲基）丙烯酸酯等寡聚（甲 基）丙烯酸酯類等，該等可單獨使用或組合兩種以上使用 200948240 該等中，最好使用三羥甲基丙院三丙嫌酸醋。 上述多官能性（甲基）丙烯酸酯之分子量以 1 00〜2,000 佳 ° 本發明之光阻層中之感光性單體之含有比例相對於 100質量份之黏合樹脂，通常爲5〜2 00質量份，較好爲 30〜130質量份。 ❹ 光聚合起始劑 光聚合起始劑之具體例可舉例爲苄基、苯偶因、二苯 甲酮、樟腦醌、2 -羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮、1-羥基環 己基苯酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2-甲基-[4’-(甲 硫基）苯基]-2-嗎啉-1-丙酮、2-苄基-2-二甲胺基-1- ( 4-嗎 啉基苯基）-丁 -1-酮等羰基化合物；偶氮異丁腈、4-疊氮 基苯甲醛等之偶氮化合物或疊氮化合物；硫醇二硫醚、雙 〇 ( 2,4,6-三甲基苯甲醯基）-苯基膦氧化物等有機硫化合物 :苯甲醯過氧化物、二-第三丁基過氧化物、第三丁基過 氧化氫、枯基過氧化氫、對薄荷烷過氧化氫等有機過氧化 物；1，3-雙（三氯甲基）-5-(2’-氯苯基）-1,3,5-三嗪、2-[2-(2-呋喃基）乙烯基]-4,6-雙（三氯甲基）-1，3,5-三嗪 等三鹵甲烷類；2,2’-雙（2-氯苯基）4,5,4’，5’-四苯基 1，2’-雙咪唑等咪唑二聚物等。該等可單獨使用或組合兩種 以上使用。 本發明之光阻層中之光聚合起始劑含有比例相對於 -8- 200948240 100質量份之感光性單體，通常爲1〜100質量份，較好爲 1〜50質量份。 黏合樹脂 黏合樹脂可使用各種樹脂，但以使用以30~100質量％ 比例含有鹼可溶性樹脂之黏合樹脂較佳。此處所謂「鹼可 溶樹脂」爲具有可藉由鹼性顯像液溶解，實現標的之顯像 φ 處理程度之溶解性之性質。若使用鹼可溶性樹脂，則有例 如藉由改變含有羧基之單體之含量而可控制相對於鹼顯像 液之溶解速度或鋁配線形狀之優點。 該鹼可溶性樹脂之具體例可舉例爲例如（甲基）丙烯 酸系樹脂、羥基苯乙烯樹脂、酚醛清漆樹脂、聚酯樹脂等 〇 該等鹼可溶性樹脂中，最佳者可舉例爲下述單體（甲 )與單體（丙）之共聚物’單體（甲）'單體（乙）及單 〇 體（丙）之共聚物等丙烯酸系樹脂。 單體（甲）：含有羧基之單體類 丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸、衣 康酸、檸康酸、仲康酸、桂皮酸、琥珀酸單（2-(甲基） 丙烯醯氧基乙酯）、ω·羧基-聚己內酯單（甲基）丙烯酸 .酯等。 單體（乙）：含有〇Η基之單體類 -9- 200948240 (甲基）丙烯酸2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基 丙酯、（甲基）丙烯酸3-羥基丙酯等含有羥基之單體類； 鄰一羥基苯乙烯、間一羥基苯乙烯、對一羥基苯乙烯等含 有酚性羥基之單體類等。 單體（丙）：其他可共聚合之單體類 (甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基 φ )丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基） 丙烯酸正月桂酯、（甲基）丙烯酸苄酯、（甲基）丙烯酸 縮水甘油酯、（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸二 環戊烯酯等單體（甲）以外之（甲基）丙烯酸酯類；甲 基- α-(羥基甲基）丙烯酸酯、乙基_α-(羥基甲基）丙烯 酸酯、正丁基-α-(羥基甲基）丙烯酸酯等具有α_羥基甲 基之丙烯酸酯；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等芳香族乙烯系單 體類；丁二烯、異戊間二烯等共軛二烯類；聚苯乙烯、聚 G (甲基）丙烯酸甲酯、聚（甲基）丙烯酸乙酯、聚（甲基 )丙烯酸苄酯等聚合物鏈之一端具有（甲基）丙烯醯基等 聚合性不飽和基之巨單體類等。 上述單體（甲）與單體（丙）之共聚物，及單體（甲 )、單體（乙）及單體（丙）之共聚物係藉由在源自單體 (甲）之共聚合成分之存在而成爲具有鹼可溶性者。其中 單體（甲）、單體（乙）及單體（丙）之共聚物就（Α) 無機粉體之分散安定性或後述對鹼顯像液之溶解性之觀點 而言爲最佳。 -10- 200948240 該共聚物中源自單體（甲）之共聚合成分之含有率較 好爲5~60質量％，最好爲10〜40質量％，源自單體（乙） 之共聚合成分之含有率較好爲1〜50質量％，最好爲5〜30 質量％。 至於本發明中使用之鹼可溶性樹脂之最佳組成舉例爲 甲基丙烯酸/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸環己酯共聚物、 甲基丙烯酸/甲基丙烯酸2-羥基丙酯/甲基丙烯酸正丁酯共 ❹ 聚物、及甲基丙烯酸/琥珀酸單（2-(甲基）丙烯醯氧基乙 酯）/甲基丙烯酸2-羥基丙酯/甲基丙烯酸正丁酯共聚物等 〇 上述鹼可溶性樹脂之分子量 Mw較好爲 5,000〜 5，000,〇〇〇，更好爲 10,000〜300,000 ° 本發明之光阻層較好係藉由加熱或曝光使其硬化。若 可使光阻層硬化，則在後述鋁層之蝕刻步驟前藉由使光阻 層硬化，使光阻層與鋁層接著變強固，即使在強的條件下 〇 進行蝕刻處理，亦可防止光阻層自鋁層脫離。 本發明之光阻層厚度通常爲 〇.1~40μιη，較好爲 0.5 〜2 0 μπχ 〇 任意成分 本發明之光阻層中亦可含有顏料、增黏劑、可塑劑、 分散劑、顯像促進劑、接著助劑、光暈防止劑、平流劑、 保存安定劑、消泡劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、增感劑 、鏈轉移劑等各種添加劑作爲任意成分。 -11 - 200948240 (B) 鋁層 本發明之鋁層實質上不含鋁以外的成分。 鋁層較好以金屬箔形成。至於金屬箔之製法並無特別 限制，可使用以壓延法、電著法等製造之鋁箔。 鋁層厚度以10 μιη較佳。若鋁層厚度小於1 μηι ’則 製作鋁配線形成用轉印薄膜時之與光阻層或黏著層之貼合 0 變困難。若鋁層厚度大於20μιη，則蝕刻時溶解去除鋁層 需要長時間，此期間容易造成光阻層自鋁層剝離等問題。 (C) 黏著層 黏著層較好爲由本發明之薄膜製造鋁配線時，介於鋁 層與基板之間且具有將鋁層接著在基板上之機能之熱硬化 性樹脂組成物。 〇 熱硬化性樹脂組成物 本發明之熱硬化性樹脂組成物中使用之熱硬化性樹脂 可舉例爲例如苯酚樹脂、環氧樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺 樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯、聚醯亞胺、（甲 基）丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂等。 又，熱硬化性樹脂組成物亦可使用含有上述樹脂與交 聯劑之組成物。 至於交聯劑並無特別限制，但以同一分子內含有兩個 以上乙烯性不飽和鍵、環氧基、（烷氧基）三聚氰胺基等 -12- 200948240 交聯性化合物較佳。該等化合物可依據使用條件適度的與 自由基產生劑、酸產生劑、鹼性觸媒、多價羧酸酐等交聯 反應助劑或觸媒組合使用。 具有乙烯性不飽和雙鍵之交聯劑可舉例爲多官能性之 (甲基）丙烯酸酯類作爲較佳之化合物。具體而言，二官 能性（甲基）丙烯酸酯舉例爲例如 ARONICS M-210、 ARONICS M-240、ARONICS M-6200 (東亞合成化學工業 ❹ （股）製）、KAYARAD DDDA、KAYARAD HX-220、
KAYARAD R-604 (日本化藥（股）製）、V260、V312、 V33 5HP (大阪有機化學工業（股）製）（市售品）等。 三官能性以上之（甲基）丙烯酸酯舉例爲例如三羥甲基丙 烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、叁丙烯醯氧基乙基 磷酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、 二季戊四醇六丙烯酸酯等。具體而言，舉例爲 ARONICS M-3 09、ARONICS M-400、ARONICS M-40 5 ' ARONICS ❹ M-450、ARONICS M-7100、ARONICS M-803 0 ' ARONICS M-8060 (東亞合成化學工業（股）製）、KAYARAD DPHA 、 KAYARAD TMPTA 、 KAYARAD DPCA-20 、 KAYARAD DPCA-30、KAYARAD DPCA-60、KAYARAD DPCA-120 (日本化藥（股）製）、V-295、V-3 00、V-360 、V-GPT、V-3PA、V-400 (大阪有機化學工業（股）製） 、PPZ (出光石油化學（股）製）等市售品。 該等中，以 ARONICS M-400、KAYARAD DPHA 等三 官能性以上之多官能性（甲基）丙烯酸酯可較好地使用。 -13- 200948240 如上述之具有乙烯性不飽和雙鍵之交聯劑亦可兩種以上組 合使用。 具有環氧基之交聯劑之較佳化合物可舉例爲多官能性 縮水甘油醚類。具體而言舉例爲 EPICOTE 1001、 EPICOTE 1 002 、 EPICOTE 1 003 、 EPICOTE 1004 、 EPICOTE 1 007 、 EPICOTE 1009 、 EPICOTE 10 10 、 EPICOTE 828 (商品名：油化蜆殻環氧（股）製）等雙酚 U A型環氧樹脂；EPICOTE 807 (商品名；油化蜆殼環氧（ 股）製）等雙酚F型環氧樹脂；EPICOTE 152 > EPICOTE 154 (商品名；油化蜆殻環氧（股）製）、EPPN 201、 EPPN 202 (商品名；日本化藥（股）製）等雙酚酚醛清漆 型環氧樹脂；EOCN 102、EOCN 103S、EOCN 104S、1020 、1 025、1 027 (商品名；日本化藥（股）製）、EPICOTE 180S75(商品名；油化蜆殻環氧（股）製）等甲酚酚醛清 漆型環氧樹脂；EPICOTE 1032H60、EPICOTE XY-4000 ( Q 商品名；油化蜆殼環氧（股）製）等多酚型環氧樹脂、 CY-175、CY-177、 CY-179、ALUDALIGHT CY-182、 ALUDALIGHT CY-1 92、1 84 (商品名；汽巴嘉基（股）製 )、ERL-4234、4299、4221、4206 (商品名；UCC 公司製 )、SHODAIN 5 09 (商品名；昭和電工（股）製）、 EPICLON 200、EPICLON 400 (商品名；大日本油墨（股 )製）、EPICOTE 871、EPICOTE 8 72 (商品名；油化蜆 殼環氧（股）製）、ED-5 66 1、ED-5662 (商品名； CELANESE塗料（股）製）等之環狀脂肪族環氧樹脂； -14- 200948240 EPOLIGHT 100MF (共榮社油脂化學工業（股）製）、 EPIOL TMP (曰本油脂（股）製）等之脂肪族聚縮水甘油 醚等。 具有（烷氧基）三聚氰胺構造之交聯劑可舉例爲例如 六羥甲基三聚氰胺、六羥丁基三聚氰胺、部分羥甲基化三 聚氰胺及其烷化物，四羥甲基苯并胍胺、部分羥甲基化苯 并胍胺及其烷化物等。 0 熱硬化性樹脂組成物中之交聯劑之含有比例相對於 1〇〇重量份之上述黏合樹脂，通常爲1~1 〇〇〇重量份，較好 爲1~200重量份。 另外，爲了加強強度、抑制熱硬化時之收縮，可於黏 著劑層中含有塡充劑。 支撐薄膜 本發明之鋁配線形成用轉印薄膜係藉由在支撐薄膜上 〇 層合（A)光阻層，在該（A)光阻層上層合（B)鋁層， 且在該（B)鋁層上層合（C)黏著層而形成。 上述支撐薄膜以同時具有耐熱性及耐溶劑性之具有可 撓性之樹脂薄膜較佳。藉由使支撐薄膜具有可撓性’可藉 由輥塗佈器塗佈糊狀組成物，且可捲成輥狀之狀態保存且 供給。形成支撐薄膜之樹脂可舉例爲例如聚對苯二甲酸乙 二酯、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚醯亞胺、聚 乙烯醇、聚氯乙烯、聚氟乙烯等含氟樹脂、尼龍、纖維素 等。支撐薄膜之厚度可爲例如20〜wo»1111。支撐薄膜之表 -15- 200948240 面較好經離型處理。藉此’在轉印步驟中可輕易的進行支 撐薄膜之剝離操作。 保護薄膜 本發明之鋁配線形成用轉印薄膜可在其黏著層上設置 保護薄膜。至於保護薄膜’可舉例爲例如聚對苯二甲酸乙 二酯、聚乙烯薄膜及聚氯乙烯醇系薄膜等。 〇 鋁配線形成用轉印薄膜之製造方法 本發明之鋁配線形成用轉印薄膜可如例如下列般製造 光阻層之形成 將光阻層中含有之上述成分混練調製糊狀光阻組成物 ，將其塗佈於支擦薄膜上，形成光阻層。至於塗佈光阻組 ❹ 成物之方法可舉例爲網版印刷、輥塗佈法、旋轉塗佈法、 澆鑄塗佈法等各種方法。塗佈後可依據需要使組成物乾燥 鋁層之形成 在光阻層上形成鋁層之方法可舉例爲例如在光阻層上 層合鋁箔等金屬箔之方法。 黏著層之形成 -16- 200948240 黏著層係藉由塗佈在上述鋁層上而形成。塗佈黏著層 之方法較好爲效率良好地形成膜厚均勻性優異之膜厚較大 的塗膜者，具體而言，由輥塗佈之方法、由刮板之塗佈方 法、由簾式塗佈之方法、由金屬線塗佈之方法等。 隨後，依據需要使鋁配線形成用轉印薄膜乾燥。乾燥 溫度通常爲50~150°C，乾燥時間通常爲〇.5~3 0分鐘。 φ <鋁配線形成方法> 本發明之鋁配線形成方法包含在基板上依序層合（C )黏著層、（B)鋁層及（A)光阻層形成層合體之層合步 驟（i)，使上述層合體經曝光處理，在上述（A)光阻層 上形成光阻圖形之潛像之曝光步驟（Η)，使經歷上述曝 光步驟之上述層合體進行顯像處理，於上述（Α)光阻層 上使光阻圖形顯在化之顯像步驟（iii )，使經歷上述顯像 步驟之上述層合體經蝕刻處理，形成對應於光阻圖型之鋁 層之鋁配線之蝕刻步驟（iv )。 (i )層合步驟 層合步驟係在（C)黏著層上層合（B)鋁層，在該（ B)鋁層上層合（A)光阻層之順序層合而在基板上形成層 合體之步驟。 至於基板並無特別限制，可依據用途而使用玻璃基板 、塑膠基板等。又基板之表面上可依據需要以矽烷偶合劑 等藥品處理、電漿處理、以及離子電鍍法、濺射法、氣相 -17- 200948240 反應法及真空蒸鍍法等進行薄膜形成處理之前處理。 上述層合體之形成方法可舉例爲例如使用本發明之鋁 配線形成用轉印薄膜，將該（A)光阻層、（B)鋁層及（ C)黏著層轉印在玻璃基板上之方法。 此處轉印條件爲例如加熱輥之表面溫度爲4 0〜1 4 0 °C， 加熱輥之輥壓爲 〇.1〜l〇kg/cm2，加熱輥之移動速度爲 0.1〜10m/分鐘。此等操作（轉印步驟）可藉由層合裝置進 行。而且，亦可使基板預熱，預熱溫度可爲例如40〜140°C 〇 又亦可使用具備（A)光阻層、（B)鋁層及（C)黏 著層中之一層或兩層之鋁配線形成用轉印薄膜，將該等依 序轉印於玻璃基板上。或者亦可與上述本發明之鋁配線形 成用轉印薄膜之製造方法相同，於基板上塗佈黏著組成物 ，經乾燥形成黏著層，於其上層合金屬箔而形成，再於其 上塗佈光阻組成物，經乾燥形成光阻層。 (Π)曝光步驟 透過曝光用光罩於光阻層表面上進行紫外線等幅射線 之選擇性照射（曝光）之方法，或以掃描雷射光之方法等 ，在光阻層上形成鋁配線之潛像。 輻射線照射裝置可使用微影法中一般使用之紫外線照 射裝置，製造半導體及液晶顯示裝置時使用之曝光裝置、 雷射裝置等，而非限定於特別者。 -18- 200948240 (iii )顯像步驟 使上述層合體經顯像處理，使光阻圖型於光阻層上顯 在化。 顯像處理條件並無特別限制，可依據光阻層之種類， 適當選擇顯像液之種類、組成、濃度、顯像時間、顯像溫 度、顯像方法（例如浸漬法、振動法、淋洗法、噴佈法、 槳葉法等）、顯像裝置等。 ❹ 顯像液 本發明之製造方法之顯像步驟中使用之顯像液以使用 鹼顯像液較佳。 鹼顯像液之有效成分可舉例爲例如氫氧化鋰、氫氧化 鈉、氫氧化鉀、磷酸氫鈉、磷酸氫二銨、磷酸氫二鉀、磷 酸氫二鈉、憐酸二氫銨、磷酸二氫鉀、碟酸二氫鈉、矽酸 鋰、矽酸鈉、矽酸鉀、碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、硼酸鋰 〇 、硼酸鈉、硼酸鉀、氨水等無機鹼性化合物；四甲基氫氧 化銨、三甲基羥基乙基氫氧化銨、單甲胺、二甲胺、三甲 胺、單乙胺、二乙胺、三乙胺、單異丙胺、二異丙胺、乙 醇胺等有機鹼性化合物等。 鹼顯像液可藉由將上述鹼性化合物之一種或兩種以上 溶解於水等之中而調製。鹼性顯像液中之鹼性化合物濃度 通常爲〇.〇〇1~1〇質量％。以鹼顯像液顯像處理之後，通常 進行水洗處理，顯像溫度通常爲20〜50°C。 -19- 200948240 (iv )蝕刻步驟 使經歷上述顯像步驟之上述層合體經蝕刻處理，溶解 去除鋁層之不要部份，藉此形成對應於光阻圖型之鋁層之 鋁配線。 蝕刻處理條件並無特別限制，而可依據鋁層之種類適 當選擇蝕刻液之種類、組成、濃度、處理時間、處理溫度 、處理方法（例如浸漬法、搖動法、淋洗法、噴佈法、槳 φ 葉法）、處理裝置等。 蝕刻處理方法 本發明中之蝕刻處理方法可使用將上述層合體浸漬於 蝕刻液中之浸漬法。該浸漬法中使用之蝕刻液種類只要是 可蝕刻形成上述鋁層之金屬則無特別限制，但可使用例如 酸性水溶液、鹼性水溶液。酸性水溶液可使用硝酸、硫酸 、鹽酸、磷酸、乙酸及該等之混合水溶液。鹼性水溶液可 ❹ 使用與上述鹼顯像液相同者。至於其濃度可爲例如 0.0 1〜1 0質量％。另外，該等蝕刻液中之浸漬溫度可爲例 如20〜5 0 °c，浸漬時間可爲例如1〜60分鐘。 至於蝕刻液，若以可使用與顯像步驟中使用之顯像液 相同溶液之方式選擇光阻層之種類，則可連續的以同一步 驟進行顯像步驟及蝕刻步驟，可藉由步驟之簡化而實現製 造效率之提高。若在添加於上述光阻層中之黏合樹脂中使 用鹼可溶性樹脂，則可使顯像液與鈾刻液成爲相同鹼性溶 液，藉此以連續同一步驟進行顯像步驟及蝕刻步驟。該情 -20- .200948240 況下’基於上述理由，藉由將層合體浸漬於爲蝕刻液且爲 顯像液之溶液中，進行顯像步驟及蝕刻步驟而較佳^ 光阻硬化處理 又本發明中在蝕刻步驟中有引起光阻層自鋁層剝離之 現象。爲防止該狀況，使光阻層硬化，進行強固光阻層與 鋁層之接著之處理爲有效。至於使光阻層硬化之方法可舉 0 例爲將層合體加熱使光阻層硬化之加熱硬化，以及使層合 體曝光使光阻層硬化之曝光硬化等。亦即，本發明中在曝 光潛像形成步驟之後之顯像步驟之前，或者在顯像步驟之 後蝕刻步驟之前進行加熱硬化步驟，或者在顯像步驟之後 蝕刻步驟之前進行曝光硬化步驟較佳。 進行加熱硬化時之溫度通常爲l〇〇~3 00°C，較好爲 120〜2 20°C。硬化時間爲2~60分鐘。 進行曝光硬化時，較好進行紫外線等之輻射線照射（ φ 曝光）。至於輻射線照射裝置可使用與上述曝光步驟中使 用者相同之裝置。 使光阻層硬化之方法就更有效的防止光阻層自鋁層剝 離之方面而言，以加熱硬化者較佳。 (v )其他步驟 對於上述蝕刻步驟中獲得之鋁配線’可依據需要進行 光阻層之剝離、黏著層之硬化。 至於光阻之剝離方法可適當的選擇以臭氧或電漿之灰 -21 - 200948240 化而剝離，以氫氧化鈉溶液、碳酸鈉溶液等鹼性水溶液剝 離，以單乙醇胺、二甲基亞颯、N-甲基吡咯啶酮溶液等有 機溶劑剝離。 在黏著層上使用熱硬化性樹脂時係進行黏著層之硬化 〇 硬化條件宜在符合黏著層之熱硬化性樹脂特性之加熱 條件下進行，但通常爲100〜300°c，較好爲180〜3 00°C。硬 ϋ 化時間爲30〜120分鐘。加熱方法可適當的選擇加熱板、 烘箱等。 藉由使黏著層硬化，可改善耐藥品性或因熱循環等之 耐久性，而使形成之鋁配線之信賴性提高。 鋁配線之用途 本發明可使用比過去之電鍍法，或爲真空製程之蒸鍍 法、濺射法更簡易之步驟形成鋁配線。此外，可容易在鋁 〇 配線上形成厚膜，獲得電特性及平滑性優異之鋁配線。本 發明所得鋁配線之用途可舉例爲印刷電路板、多層電路板 、多晶模組、LSI、及平面面板顯示器等之鋁配線或反射 板。 [實施例] 以下針對本發明之實施例加以說明，但本發明並不受 該等之限制。另外，以下之「份」表示「質量份」。又， 實施例中之各評價方法說明於下。 -22- 200948240 [鹼可溶性樹脂之分子量] 以東曹股份有限公司製造之凝膠滲透層析儀（GPC) (商品名HLC-802A )測定換算成聚苯乙烯之重量平均分 子量。 <實施例1> (1)鋁配線形成用轉印薄膜之製作 Φ 使用100份之甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸環己酯/甲 基丙烯酸= 50/3 5/15 (質量％ )共聚物（Mw=3 0,000 )作爲 鹼可溶性樹脂、3 3 .3份聚丙二醇丙烯酸酯（η与1 2 ’東亞 合成製之「Μ270」）作爲感光性單體，及16_6份三羥甲 基丙烷ΕΟ改質之三丙烯酸酯（η%2，東亞合成製之「 Μ360」），以及15份之作爲光聚合起始劑用之2-苄基-2-二甲胺基-1- ( 4-嗎啉基苯基）-丁 -卜酮（汽巴特用化學品 公司製之「IRG3 69」，使該等在攪拌脫泡裝置中混練後， 〇 藉由以三輥分散，調製光阻組成物。以刮板塗佈器，在由 聚對苯二甲酸乙二酯薄膜構成之支撐薄膜（寬度200mm， 長度30m，厚度38μπι )上塗佈該光阻組成物，形成厚度 1 0 μ m之光阻層。 在該光阻層上層合厚度1 2μιη之銘箱，形成厚度1 2μηι 之鋁層。 使用100份之作爲黏合樹脂之甲基丙烯酸正丁酯/甲 基丙烯酸苄酯=3 0/7 0(質量％)共聚物（\^=100,000)、 5〇份作爲交聯劑之二季戊四醇六丙烯酸酯，及40份作爲 -23- 200948240 溶劑之甲氧基丙基乙酸酯，使該等在攪拌脫泡裝置中混練 後，藉由以三輥分散，調製黏著組成物。以刮板塗佈器將 該黏著組成物塗佈於鋁層上，形成厚度5μηι之黏著層。 如上述般製作鋁配線形成用轉印薄膜。 (2 )鋁配線之形成 (i )層合步驟 ❹ 在表面粗糙度Ra約5000埃之基板上藉由轉印上述鋁 配線形成用轉印薄膜，於基板上形成依序層合有黏著層、 鋁層及光阻層之層合體。 (ii)曝光潛像形成步驟 相對於上述層合體光阻層，透過線寬60μιη、空間寬 度60μιη之長條狀負型用曝光光罩，以超高壓水銀燈照射 i線（波長365 nm之紫外線），此時之曝光量以365 nm之 ❹ 雷射測定換算成照度爲200mJ/cm2。 (iii) 顯像步驟 以液溫30。(：之0.3質量％碳酸鈉水溶液作爲顯像液’ 以淋洗法對經歷上述曝光潛像形成步驟之層合體進行顯像 處理6 0秒，接著，使用超純水進行水洗。 (iv) 蝕刻步驟 使經歷上述加熱硬化步驟之層合體在液溫25 °C、4質 -24- 200948240 量％氫氧化鈉水溶液之蝕刻液中浸漬20分鐘，形成鋁配線 (3 )所得鋁配線之評價 所得鋁箔鋁配線之電阻率低如3.2 μΩ · cm，又，確認 表面有光澤且表面平滑性良好。 φ 〈實施例2> 除將黏著組成物改變成下列以外，餘與實施例1相同 製作鋁配線形成用轉印薄膜。 將50份作爲熱硬化性樹脂之環氧樹脂之EPICOTE 1004(Mw=1600，油化蜆殼環氧（股）製）以及50份甲 基丙烯酸縮水甘油酯/丙烯腈/甲基丙烯酸甲酯=5 0/2 0/3 0 ( 質量％)共聚物（Mw= 1 1 0,000 )溶解於50份之乙酸丁酯 溶纖素中，成爲均勻之樹脂溶液。隨後，添加5份之咪唑 〇 系化合物之2P4MHZ (四國化成工業（股）製造）作爲環 氧硬化劑，獲得黏著組成物。 使用製作之上述鋁配線形成用薄膜，如實施例1般形 成鋁配線。所得鋁箔鋁配線之電阻率低如3.2μΩ . cm，又 ，確認表面有光澤且表面平滑性良好。 <比較例1 > (1 )以蒸鍍形成金屬膜 將具有與實施例1、2使用者相同程度之表面粗糙度 -25- 200948240 之基板置於真空蒸鍍機中，使用蒸鍍材料A1，抽真空至 10_4t〇rr，形成2μϊη之A1蒸鍍膜。由於在平滑性差之基板 上直接蒸鏡，因此會有部分未蒸鍍之部分，此外，表面無 光澤，確認爲表面平滑性爲不良之狀態。 在以蒸鍍形成之上述金屬膜上，以刮板塗佈器塗佈與 實施例1同樣之光阻組成物，形成厚度1 Ομιη之光阻層。 隨後，與實施例1同樣進行曝光、顯像、蝕刻，獲得鋁配 ❿ 線。 所得鋁配線觀察到缺陷，且無光澤，表面平滑性爲不 良之狀態。 <比較例2 > (1)以鋁糊料形成金屬膜 使用100份片狀鋁粉、20份作爲黏合樹脂之甲基丙烯 酸正丁酯/甲基丙烯酸2-乙基己酯=40/60 (質量％)共聚物 ❹ (Mw=l 00,000 )、10份作爲交聯劑之二季戊四醇六丙烯 酸酯及1 〇份作爲溶劑之萜品醇，使之經攪拌脫泡裝置混 練後，以三輥分散，調製鋁糊料組成物。以刮板塗佈器將 所得鋁糊料塗佈於具有與實施例1、2中使用者相同程度 之表面粗糙度之基板上’在100 °c下乾燥10分鐘。隨後， 在2 80°C下進行30分鐘後烘烤’獲得膜厚ΙΟμπι之金屬膜 。電阻率測定結果爲ι〇〇μΩ · cm以上之値，爲導電性不 良之結果。 -26-