TW200947574A - Machine fault detection method - Google Patents

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Description

200947574 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種機台瑕疫彳貞測之方法,且特別是 有關一種複數個機台在處理半導體製品時所產生根源由失 誤(Root Cause Error)之機台瑕疵偵測之方法。 【先前技術】
Ο 按’良率(Yield)在專業半導體製造廠中是一個非常 重要性的指標,一方面,良率代表半導體製造廠的半導體 製造技術’另一方面,良率也反映出半導體製造技術所需 的成本,攸關乎整個半導體製造廠的獲利率。因此,如何 提高良率,是大多數半導體製造廠所關注的問題。 在半導體製造廠中,半導體製品(Wafer_in_Pr〇cess, WIP)都必須經過許多個半導體製程機台及其上百個以上的 製程章驟,如化學沉積、離子注入、光罩、研磨等等製程 來π成。其中在半導體製程中任何—個製程步驟都可) 響半導體製品的品質特性,如電性功效與’: 的狀^影響半導體製品的良率。因此,若是能 到異常=生,就缺早加轉決問題、減低生產成本貞J 目前已經存在-些設計於檢查與 :,如,中華民國專利證號卿5名稱為導二: 機台產出良率相難分析之方法、系統 $程 ,,請參照第-圖,係揭露—種半導體製程^子】 相關性分析之方法,翻用―電齡統 步^良率 i咖-半導體製程應用軟體,選取所要以 200947574 晶圓之良率記錄資料. 所經過一半導體製程她二1〇統計晶圓在半導體製程中 分析半導體製頻率、 錄資料,產生一 的影響;S 1 3 0根據良率記 析半導體製程機台對1 4 ◦利訂駭值,分 百分比限定值,產生—A坆成的影響,s1 5 0依據一 6 〇計算高百分比分,組及—低百分比組,· Η 果;S 1 7 0比較異常^^7比組’產生—異常分析結 Ο 體製程機台是否異常.^、、"果與異常轉值’分析半導 異常狀態之半導體8 Q依據分析結果,檢測具有 之半導體製程機台,製迕:主:及S 1 9 0利用調整過後 m 表以半導體產品。
Correlati〇n)大部 裝置相關性(此__七 率,或者,找出單單一半導體製程機台良 對於大邻_ 半導賴程機台對良率所造成的影響, 法或設備而言,並不能有效找出在多數 μ步^錢對良率料的轉體製賴台。 炎"本發明人有感上述缺失之可改善,且依據多年 來從事此方面之相關經驗,悉心觀察且研究之,並配合學 =之運用’而提出—種設計合理且有效改善上述缺失之本 發明。 【發明内容】 、因此本發明之目的,在於提供一種機台瑕疲值測之方 法,利用關聯姓法職Hi複數個半導體製域台中的一根 源由失誤(Root Cause Error),達到提升良率、降低生產 200947574 成本、及效率監控的目的。 根據本發明之上述目的,本發明提出一種機台瑕疵偵 測之方法,應用於複數個機台,該些機台分別用以處理至 少一半導體製品(Wafer-in-Process,WIP),包括下列步 驟:提供該半導體製品之一統計資料庫;進行一關聯性探 勘演算,產生一支持度與一信賴度;設定一臨界值 (Threshold) ;以及判斷該支持度與該信賴度是否符合超 過該臨界值;若是,找出該支持度與該信賴度相對應的該 ❹ 統计資料庫中的一根源由失誤(Root Cause Error);若否, 重複上述步驟。 、 本發明係根據統計資料庫中使用關聯性法則,具有以 ' 下有益效果: C一)、找出一、或組群相關的半導體製程機台之根源由失 誤所導致之報廢的半導體製品,達到提升良率,降低生產 成本,及效率監控的目的。. (二)、設定臨界值,找出一、或組群相關的半導體製程機 © 台之預測性的根源由失誤所導致之報廢的半導體製品,達 到提升良率,降低生產成本,及效率監控的目的。 (二)、有效偵測半導體製程中機台瑕疵的危害風險,達到 預防性之安全操作的目的。 為了使本發明之敘述更加詳盡與完備,以下發明内容 :’提供許多不同的實施例或範例,可參照下列描述並配 D圖式’用來瞭解在不同實施例中的不同特徵之應用。 【實施方式】 凊參照第二圖所繪示,本發明實施例提供一種機台瑕 7 200947574 疵偵測之方法S 2 0 0,應用於複數個機台,該些機台分 別用以處理至少一半導體製品(Wafer_in_Pr〇cess一 ^), 包括下列步驟:流程步驟s 2 0 2、流程步驟8 2 〇 4、 流程步驟S 2 0 β、以及流程步驟S 2 0 8。
Ο 其中該些機台為複數個半導體製程機台,舉例說明, 至夕包含為乾蚀刻機台、爐管機台、薄膜沉積機台、及濺 又機σ專。乾餘刻機台係用於進行複晶餘刻,氧化層敍刻 及金屬層蝕刻;爐管機台係用於進行複晶沉積,氧化及氧 化,沉積;薄膜沉積機台,係用於進行氮氧化矽,電漿強 化氮化矽’紫外線穿透加強氮化矽,電漿強化二敦化石夕, 磷破璃及硼磷玻璃;濺鍍機台,係用於進行金屬濺鍍。 執行流程步驟S 2 0 2,首先提供該半導體製品之一 統计資料庫,該統計資料庫記錄根據該半導體製品相對應 該二半導體製程機台的複數個製程參數,請參照第三圖, 其包含有:複數個晶片組、複數個半導體製程、複數個半 導體製程機台、複數個製程時間記錄、好/壞值、及複數 =良率記錄值。隨後根據該統計資料庫,利用關聯及資料 二勘技術’找到在該統計資料庫其中之―的+導體製程造 、低良率及壞值其巾之…或相關的半導體製程機台。 執行流程步驟s 2 0 4,㈣將該半㈣製品所經 、數個半導體製程機台的腔室(Ghamber)加以序號並 表’請參照第四圖’並將轉移至上述步驟中的統計 ^庫内’隨後使用-關聯性法㈣職恤㈤她小. ,性法則又稱為購物籃分析(Market此咖
Ly s鮮鄉計資料庫,制該統計資料庫之複; 聯! 生·貝料’將該統計資料庫中該些關聯性資料,如1 200947574 些半導體製程機台的項目集合,經該關聯性法則的演算 後,计算產生該統計資料庫相對應的支持度,該支持度代 表其中之一的項目集合在該統計資料庫所佔有的比例。 執行流程步驟S 2 0 6 ’接著執行一資料探勘技術, 該資料探勘技術探勘該統計資料庫中該些關聯性資料其中 之,產生一饧賴度,該信賴度代表同時出現的項目集合 在該統計資料庫的比例,請參照第五圖。 ❹ 上執仃流程步驟S 2 0 8,設定一臨界值(Thresh〇ld), "亥^界值可由使用者自行定義、或電腦自動設定。 否穿步驟S 2 1 〇,判斷該支持度與該信賴度是 值,界值’若該支持度與該信賴度超過該臨界 值,持度與該信賴度未超過爾 對應【1 2 ’找出該支持度與該信賴度相 φ 測之:示,為本發明實施例之機台酬 理器包括一資料庫6〇2以及-中央處 經由該中2理 =該些半導體製程機台的記錄資料, 出該:料庫用以計算得 2、-‘體圖〈斤繪不,其申包含有-電腦系統7 0 入該軟體介^7 η」ί、以及一電腦螢幕畫面7 0 6。輸 2中,一電腦程式载入至該電咖 人口瑕疵偵測之方法,經過運算結果經 200947574 由資料傳輸顯示在該電腦螢幕晝面了 Q 6上,該電腦榮幕 ,面7◦6為上述統計資料庫的結果,有不同組群相關的 半導體製程機台’造成處理半導體製品時所產生根源由失 誤的機台瑕疵。 本發明係根據該統計資料庫中使用該關聯性法則與習 知比較,達到下列效果: (一) 找出一、或組群相關的半導體製程機台之根源由失 誤所導致之報廢的半導體製品; (二) 設定臨界值,找出一、或組群相關的半導體製程機 台之預測性的根源由失誤所導致之報廢的半導體製品; (二)有效偵測半導體製程中機台瑕疵的危害風險,與習 知比較之下,達到提升良率、降低生產成本、效率監控、 預防性之安全操作的目的。 雖然本發明已以—較佳實施繼露如上,㊈ 以限定本發明,任何熟習此技藝者,在 本發= 神和範_,當可作各種之更動與潤飾,耻 護把圍當視後附之申請專圍所界定者轉。 ,、 【圖式簡單說明】 Π 體製程機台良率分析_程圖。 第三圖 第四圖 第五圖 第六圖 第-圖A本發明實施例之步驟流程圖。 為本發明實施例之關聯性法則圖示(一)。 為本發明實施例之關聯性法則圓示(二)。 為本發明實施例之關聯性法則圖示(三)。 =發明實施例之機台瑕鋪測之方法系統架 200947574 第七圖為本發明實施例之電腦螢幕畫面之示意圖。 【主要元件符號說明】 [習知] 流程步驟 S100—S190 [本發明] 流程步驟 S200-S212 資料庫 Θ 0 2 中央電腦處理器 604 ® 電腦系統702 軟體介面 704 電腦螢幕晝面 706
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Claims (1)

  1. 200947574 十、申請專利範圍: 1. 一種機台瑕疵偵測之方法,應用於複數個機台,該 些機台分別用以處理至少一半導體製品 (Wafer-in-Process,WIP),包括下列步驟: 提供該半導體製品之一統計資料庫; 進行一關聯性探勘演算,產生一支持度與一信賴度; 設定一臨界值(Threshold);以及 判斷該支持度與該信賴度是否符合超過該臨界值;若 ❹ 是’找出該支持度與該信賴度相對應的該統tf資料庫中的 一根源由失誤(Root Cause Error);若否,重複上述步驟。 2 .如申請專利範圍第1項所述之機台瑕疵偵測之方 法,其中該些機台為複數個半導體製程機台。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之機台瑕耗測之方 ❹ 法’其中該些半導體製程機台為乾敍刻機台、爐、 薄膜沉積機台、及濺鍍機台。 σ 申f專利範圍第1項所述之機台瑕_測之方 法,其中该統計資料庫包含複數 】之方 個晶片組、複_半導®製程、複數個半二 :數個製程時間記錄、複數個奸/壞值、及=口錄 法,第算1 進項4述之測之方 、 步更包έ 一關聯性演算與 12 200947574 一資料探勘技術。 6 .如申請專利範圍第5項所述之機台瑕疵偵測之方 法,其中該關聯性演算為搜尋該統計資料庫,得到該統計 資料庫之複數個關聯性資料。 7 .如申請專利範圍第5項所述之機台瑕麻偵測之方 法,其中該資料探勘技術為探勘該統計資料庫中該些關聯 ❿ 性資料其中之一。 8. 如申請專利範圍第7項所述之機台瑕疵偵測之方 法,其中該支持度係由該些關聯性資料其中之一佔在該統 計資料庫中之該些關聯性資料的比例。 9. 如申請專利範圍第7項所述之機台瑕疵偵測之方 法,其中該信賴度係由同時出現的該些關聯性資料佔在該 〇 統計資料庫中之該些關聯性資料的比例。 10. —種機台瑕疵偵測之方法,應用於複數個機台, 該些機台分別用以處理至少一半導體製品,包括下列步驟: 提供該半導體製品之一統計資料庫,該統計資料庫記 錄相對應該些機台之複數個製程參數; 進行一關聯性演算’搜尋該統計資料庫’得到δ亥統計 資料庫之複數個關聯性資料,產生一支持度; 執行一資料探勘技術’探勘該統計資料庫中該些關聯 13 200947574 性資料其中之一,產生一信賴度; 找出該支持度與該信賴度相對應的該統tf資料庫中的 一根源由失誤;以及 若無該根源由失誤,重複上述步驟。 1 1 .如申請專利範圍第10項所述之機台瑕疵偵測 之方法,其中該關聯性法則更包括下列步驟:設定一臨界 值,判斷該支持度與該信賴度是否符合超過該臨界值。 1 2.如申請專利範圍第1 0項所述之機台瑕疵偵測 之方法,其中該些機台為複數的半導體製程機台。 1 3.如申請專利範圍第1 0項所述之機台瑕疵偵測 之方法,其中該些半導體製程機台為乾蝕刻機台、爐管機 台、薄膜沉積機台、及滅鑛機台。 © 1 4.如申請專利範圍第10項所述之機台瑕疵偵測 之方法,其中該些製程參數包含複數個資料,該些資料為 複數個晶片組、複數個半導體製程、複數個半導體製程機 台、複數個製程時間記錄、複數個好/壞值、及複數個良率 記錄值。 1 5 .如申請專利範圍第1〇項所述之機台瑕疵偵測 之方法,其中該支持度係由該些關聯性資料其中之一佔在 該統計資料庫中之該些關聯性資料的比例。 14 200947574 1 6.如申請專利範圍第1 〇 之方法,其中該信賴度係由同時規之機台瑕庇偵測 枓庫巾之該些_性資料的比例。 Ο 15
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