TW200937512A - Method for grinding, transferring and sawing a wafer by using a supporting fixture - Google Patents

Description

200937512 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種用以研磨、輸送及切割晶圓之方 法，更特別有關於一種用以研磨晶圓的方法，研磨時可利 用中空外框輔助研磨膠帶固定該晶圓。 【先前技術】 在半導體封裝製程中，通常是先將晶圓切割成一顆顆的 晶粒（die)12，再將這些晶粒做成各具功能的半導體封裝構 造。第1至5圖顯示習知用以切割8吋晶圓的方法。參考 第1圖，提供一晶圓1〇,其具有一主動表面16及一背面 14。將一研磨膠帶2〇貼附於該晶圓1〇的主動表面16上。 參考第2圖，藉由機械研磨裝置5〇將該晶圓1〇的背面 研磨（grinding)。參考第3圖，將一切割膠帶（DicingTape)4〇 黏貼於研磨後之該晶圓1〇的背面14上。參考第4圖將 該研磨膠帶20自該晶圓10的主動表面16上移除，並藉由 該切割膠帶40將該晶圓10固定於晶圓架18上。參考第5 圖，以一分割機器之切割刀60沿切割道31切割晶圓1〇, 用以分離晶粒12。 然而，就習知用以切割8吋晶圓的方法而言，研磨後之 薄晶圓的厚度通常小於4密爾（m i i s)。由於研磨後之薄晶圓 會產生翹曲且輸送時並無任何工具支㈣晶圓，因此研磨 後之薄晶圓可能會發生晶圓破裂（Wafer Break)。 方法利用研磨步驟、晶 於單一機台内完成（In 雖然習知用以切割12对晶圓的 圓固定步驟及膠带移除步驟整合 01301-TW/ASE2050 200937512

Line Module)，但是仍無法避免研磨後之薄晶圓可能會發生 晶圓破裂。 因此，便有需要提供一種用以研磨、輸送及切割晶圓之 方法，能夠解決前述的問題。 【發明内容】 本發明之一目的在於提供一種用以研磨晶圓的方法，坪 磨時可利用該中空外框辅助該研磨膠帶固定該晶圓，因此 〇 研磨時之晶圓可得到較佳的固定。 本發明之另一目的在於提供一種用以輸送晶圓的方 法，輸送時可湘中空外框及研磨膠帶支撐研磨後之薄晶 圓因此研磨後之薄晶圓不會發生晶圓破裂。 為達上述目的，本發明提供一種用以研磨晶圓的方法， 包含下列步驟：提供一晶圓，其具有_主動表面及一背面; 提供-研磨膠帶及-中空外框，其中該研磨膠帶包含一邊 =份'-連接部分及一中央部份’該連接部分係位於該 緣部份與該中央部份之間；將該研磨#帶之份貼 =Γ之主動表面，並將該研磨银帶之邊緣部份貼附 於該中工外框上；將該研磨膠帶之連接部份穿入一大 環體與一小尺寸環體之間，其中 4· Dβj尺寸衣體係配置於該 〇尺寸％體内；將該研磨膠帶之中央部份及該中空外框固 定於一托架上；以及將該晶圓之背面研磨。 此：::Λ圓之背面:料空外框之間具有預定距離，因 =: 不會研磨到該中空外框。再者，由 於研磨時可利用該中空外框輔助該研磨膠帶 ‘， 01301-TW/ASE2050 6. 200937512 因此研磨時之晶圓可得到較佳的固定。 驟：m另Λ供—種用以輸送晶圓的方法，包含下列步 研磨膠帶及一令空外柩，苴 ，袄仏於 .一、外杧其令該研磨膠帶包含一邊緣部 二:：=:分及一中央部份，該連接部分係位於該邊緣 中央部份之間；將該研磨踢帶之t央部份貼附於 =圓之主動表面’並將該研磨膠帶之邊緣部份貼附於該 ❹ 中=上；將該中空外框固定於一托架上；以及將該晶 圓由第一位置輸送至一第二位置。 由於輸送時可制該巾空外框及該研㈣帶支樓研磨 後之薄晶圓，因此研磨後之薄晶圓不會發生晶圓破裂。. 為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯，下文將配合所附圖示，作詳細說明如下。 【實施方式】 參考第6圖，其顯示本發明之—實施例之用以切割晶圓 ®之方法。參考第？8及71?圖，在步驟102中，提供一晶圓 21〇(諸如8吋或12吋晶圓），其具有一主動表面216、:背 面214及複數個縱向及橫向之切割道231，其中該背面 係相對於該主動表面216，且該等切割道231係位於該主 動表面216上’藉以界定出複數個晶粒212。該晶圓21〇 之主動表面216上係設有積體電路（Integrated c卜euit ; 1(：) (圖未示）。 參考第8a及8b圖’在步驟104中，提供一研磨膠帶 220及一中空外框230’其中該研磨膠帶22〇包含一邊緣部 01301-TW/ASE2050 200937512 份222、一連接部分224及一中央部份226，該連接部分 224係位於該邊緣部份222與該中央部份226之間。在步 驟1〇6中’將該研磨膠帶220之中央部份226貼附於該晶 圓210之主動表面216，並將該研磨膠帶22〇之邊緣部份 222貼附於該中空外框230上。 參考第9a及9b圖，在步驟108令，藉由將一大尺寸環 體232與-小尺寸環體234分別朝下（如箭頭加所示）與 朝上（如箭頭235所示）壓迫該研磨膠帶22〇而使該小尺寸 環體234配置於該大尺寸環體232内，進而將該研磨膠帶 220之連接部份224穿入該大尺寸環體232與該小尺寸環 體234之間，如帛10圖所示。由於該小尺寸環體⑼頂升 該晶圓210，因此該晶圓210之背面214與中空外框23〇 之間具有一預定距離D。該預定距離D大於或等於該大尺 寸環體232與該小尺寸環體234之厚度之任一者。該大尺 寸環體232與該小尺寸環體234可具有相同厚度。 參考第11圖’在步驟110中，藉由一第一真空吸力， 將該研磨膠帶220之中央部份226及該中空外框23〇分別 固定於一研磨桌（Grinding Table)236及一真空架（Vacuum H〇lder)238上。該真空架238僅吸附該中空外框23〇。該 研磨桌236及該真空架238係可為習知製程專用之托架。_ 參考第1.2圖，在步驟112中，藉由一研磨裝置25〇將 該sa圓210的’面214研磨’以完成本發明之用以研磨晶 圓的步驟。由於該晶圓210之背面214與該中空外框23〇 之間具有該預疋距離D’因此研磨該晶圓21〇的背面214 01301-TW/ASE2050 200937512 時不會研磨到該中空外框230。再者，由於研磨時可利用 該中空外框230辅助該研磨膠帶22〇固定該晶圓2ι〇 此研磨時之晶圓21〇可得到較佳的固定。在步驟中， 藉由釋放該第一真空吸力，解除該研磨膠帶220之中央部 伤226及該中空外框23〇在該研磨桌2%及該真空架2 ° 上的固定。 參考第13圖’在步驟116中，藉由一第二真空吸力， 將該中空外框230 ©定於另一真空架238’上。該真空架 238,僅吸附該t空外框23。。在步驟ιΐ8中將研磨後之薄 晶圓210’輸送下一個製程機台，亦即由一第一位置輸送至 一第一位置，以完成本發明之用以輸送晶圓的步驟。由於 輸送時可利用該中空外框23〇及該研磨膠帶22〇支撐研磨 後之薄晶圓210’，因此研磨後之薄晶圓21〇，不會發生b曰 破裂（Wafer Break) 〇 X 曰日 參考第I4圖’在步驟120中，將該大尺寸環體m與 ❹該小尺寸環體234分別朝上（如箭頭233,所示）與朝下（如箭 頭235’所示）移除。在步驟122中，解除該研磨膠帶細之 黏性。舉例而言，可藉由照射紫外線（uv)或加熱而解除該 研磨膠帶220之黏性。 參考第圖’在步驟124中’將一切割膠帶24〇貼附 於研磨後之該晶圓21〇,之背面214上。該切割膠帶24〇會 如同該研磨膠帶220 —樣，該切割膠帶24〇之邊緣將會貼 於中空外框230上。參考第16圖，在步驟126中、，將該研 磨膠帶220自該晶圓210,之主動表面216上移除，並=由 01301-TW/ASE2050 9 200937512 將該晶圓21°，固定於該中空外框23。上 參考第17圖’在步驟128中’以一 湖沿該等切割道加切割該晶圓川，，用以分離ST 如此以兀成本發明之用以切割晶圓的方法。

另外，本發明提供-種用於晶圓的支樓 ⑴具有—主動表面216。該支撐治具包含—中空外框:圓〇 及研磨膠冑220。該研磨膠帶22〇包含一邊緣部份如、 一連接部》224及-中央部份226，其中該連接部分224 係位於該邊緣部份222與該中央部份咖之間，該 份222係貼附於該中空外框23(^，且該中央部份以係 貼附於該晶圓21G之主動表面216，如第8圖所示。 該支撐治具另包含一大尺寸環體232及一小尺寸環體 234。該小尺寸環體234係配置於該大尺寸環體232内，其 中該研磨膠帶220之連接部份224係穿入該大尺寸環體232 與該小尺寸環體23.4之間，如第1〇圖所示。 〇 雖然本發明已以前述實施例揭示，然其並非用以限定本 發明，任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不 脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種之更動與修改。 因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者 為準。 【圖式簡單說明】 第1至5圖為先前技術之用以切割晶圓的方法之立體示 意圖。 第ό圖為本發明之一實施例之用以切割晶圓的方法之 01301-TW/ASE2050 10 200937512 流程圖。 第7、8a、8b、9a、9b及10至17圖為本發明之該實施 例之用以切割晶圓的方法之立體或剖面示意圖。 ❹

【主要元件符號說明】 10 晶圓 12 晶粒 14 背面 16 主動表面 18 晶圓架 20 研磨膠帶 31 切割道 40 切割膠帶 50 機械研磨裝置 60 切割刀 102 步驟 104 步驟 106 步驟 108 步驟 110 步驟 112 步驟 114 步驟 116 步驟 118 步驟 120 步驟 122 步驟 124 步驟 126 步驟 128 步驟 210 晶圓 2105 晶圓 212 晶粒 214 背面 216 主動表面 220 研磨膠帶 222 邊緣部份 01301-TW7ASE2050 11、 200937512 224 連接部分 226 中央部份 230 中空外框 231 切割道 232 環體 234 環體 236 研磨桌 238 真空架 240 切割膠帶 250 機械研磨裝置 260 切割刀 D 距離 .12 01301-TW/ASE2050

Claims (1)

1. 200937512 十、申請專利範圍： 1、一種用以研磨晶圓的方法，包含下列步驟： 提供一晶圓，其具有一主動表面及一背面； 提供一研磨膠帶及一中空外框，其中該研磨膠帶包含 一邊緣部份、一連接部分及一中央部份，該連接部分係 位於該邊緣部份與該中央部份之間； 將該研磨膠帶之中央部份貼附於該晶圓之主動表 €> 面，並將該研磨膠帶之邊緣部份貼附於該中空外框上； 將該研磨膠帶之連接部份穿入一大尺寸環體與一小 尺寸環體之間，其中該小尺寸環體係配置於該大尺寸環 體内； 將該研磨膠帶之中央部份及該中空外框固定於一托 架上；以及 將該晶圓之背面研磨。 ❹2、依_請專利範圍第丨項之方法，其中藉由將該大尺寸環 體與該小尺寸環體分別朝下方向與朝上方向壓迫該研 磨膠帶而使該小尺寸環體配置於該大尺寸環體内，進而 將該研磨膠帶之連接部份穿入該大尺寸環體與該小尺 寸環體之間。 3依申請專利範圍第2項之方法，其中該晶圓之背面與_ 空外框之間具有一預定距離。 4、依_請專利㈣第3項之方法，其中該預定距離不小勞 該大尺寸環體與該小尺寸環體之厚度之任一者。 ' 01301-TW/ASE2050 13 200937512 5、 依申請專利範圍第4項之方法，其中該大尺寸環體與該 小尺寸環體具有相同厚度。 6、 依申請專利範圍第1項之方法，其中該托架包含一真空 架，其吸附該中空外框。 7、 一種用以輸送晶圓的方法，包含下列步驟： 提供一晶圓，其具有一主動表面及一背面； 提供於一研磨膠帶及一中空外框，其中該研磨膠帶包 含一邊緣部份、一連接部分及一中央部份，該連接部分 係位於該邊緣部份與該中央部份之間； 將該研磨膠帶之中央部份貼附於該晶圓之主動表 面，並將該研磨膠帶之邊緣部份貼附於該中空外框上； 將該t空外框固定於一托架上；以及 將該晶圓由一第一位置輸送至一第二位置。 依申响專利範圍第7項之方法，另包含下列步驟： 將該研磨膠帶之連接部份穿入一大尺寸環體與一小 尺寸環體之間，其中該小尺寸環體係配置於該大尺寸環 體内。 9、 依申請專利範圍第8項之方法，其中藉由將該大尺寸環 體與該小尺寸環體分別朝下方向與朝上方向廢迫該研 磨膠帶而使該小尺寸環體配置於該大尺寸環體内’進而 將該研磨0帶之連接部份穿入# A尺寸環體與該小尺 寸環體之間。 10、 依申凊專利範圍第9項之方法其中該晶圓之背面與 01301-TW/ASE2050 14 200937512 中空外框之間具有一預定距離。 11、 依申請專利範圍第10項之方法，其中該預定距離不 小於該大尺寸環體與該小尺寸環體之厚度之任一者。 12、 依申請專利範圍第之方法，其中該大尺寸環體 與該小尺寸環體具有相同厚度。 13、 依申請專利範圍帛7項之方法，其中該托架包含一真 空架’其吸附該t空外框。 Ο 14、 一種用以切割晶圓之方法，包含下列步驟： 提供一晶圓，其具有一主動表面、一背面及複數個縱 向及橫向之切割道，其中該等切割道係位於該主動表面 上，藉以界定出複數個晶粒； 提供一研磨膠帶及一中空外框，其中該研磨膠帶包含 一邊緣部份、一連接部分及一中央部份，該連接部分係 位於該邊緣部份與該中央部份之間； 將該研磨膠帶之中央部份貼附於該晶圓之主動表 面，並將該研磨膠帶之邊緣部份貼附於該中空外框上； 將該研磨膠帶之連接部份穿入一大尺寸環體與一小 尺寸環體之間，其中該小尺寸環體係配置於該大尺寸環 體内； 藉由一第一真空吸力’將該研磨膠帶之中央部份及該 中空外框固定於一托架上； 將該晶圓的背面研磨； 藉由釋放該第一真空吸力，解除該研磨膠帶之中央部 01301-TW/ASE2050 · 15 、 200937512 . · 份及該中空外框在該托架上的固定； 藉由一第二真空吸力，將該中空外框固定於該托架 上； 將該晶圓輸送； 將該大尺寸環體與該小尺寸環體移除； 將一切割膠帶貼附於研磨後之該晶圓之背面上； ❿ 將該研磨膠帶自該晶圓之主動表面上移除；以及 沿該等切割道切割該晶圓，用以分離該等晶粒。 15、 依申請專利範圍第14項之方法，其中藉由將該大尺 寸環體與該小尺寸環體分別朝下方向與朝上方向壓迫 該研磨膠帶而使該大尺寸環體配置於該小尺寸環體 内，進而將該研磨膠帶之連接部份穿入該大尺寸環體與 該小尺寸環體之間。 16、 依申凊專利範圍第1 5項之方法，其中該晶圓之背面 〇 與中空外框之間具有一預定距離。 17、 依申請專利範圍第16項之方法，其中該預定距離不 小於該大尺寸環體與該小尺寸環體之厚度之任一者。 18、 依申請專利範圍fl7項之方法，其中該大尺寸環體 與該小尺寸環體具有相同厚度。 19、 依申請專利範圍第14項之方法，其中該托架包含一 第一真空架，且該第一真空架藉由該第一真空吸力而吸 附該中空外框。 2〇、依申請專利範圍第14項之方法，其中該托架包含一 01301-TW/ASE2050 16 200937512 第二真空架，且姑哲 . 〜第二真空架藉由該第二真空吸力而吸 附該中空外框。 21 該晶圓具有一主動表面 、一種用於晶ΙΙΙλαιμ , 日日圓的支撐治具 該支撐治具包含： 一中空外框；以及 研磨膠帶，包含-邊緣部份、-連接部分及-中央 -AjJ j 甘 ψ Λ .

   〇 ' ^連接部分係位於該邊緣部份與該中央部份 之門該邊緣部份係貼附於該中空外框上，且該中央部 份係貼附於該晶圓之主動表面。 、 22、依申晴專利範圍第21項之支撐治具，另包含： 一大尺寸環體；以及 一小尺寸環體，配置於該大尺寸環體内，其中該研磨 膠帶之連接部份係穿入該大尺寸環體與該小尺寸環體 之間。 ^申明專利範圍第22項之支撐治具，其中該晶圓之 为面與該中空外框之間具有一預定距離。 24、依申請專利範圍第23項之支撐治具，其中該預定距 離不小於該大尺寸環體與該小尺寸環體之厚度之任一 者。 25 '依申請專利範圍第24項之支撐治具，其中該大尺寸 環·體與該小尺寸環體具有相同厚度。 01301^TW/ASE2050 17