TW200932815A - Protection of carbon nanotubes - Google Patents
Protection of carbon nanotubes Download PDFInfo
- Publication number
- TW200932815A TW200932815A TW097144406A TW97144406A TW200932815A TW 200932815 A TW200932815 A TW 200932815A TW 097144406 A TW097144406 A TW 097144406A TW 97144406 A TW97144406 A TW 97144406A TW 200932815 A TW200932815 A TW 200932815A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- composition
- group
- materials
- temperature
- sample
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/168—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/32—Hydrogen storage
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
200932815 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於包括碳奈米管及保護材料之組合物°本發 明進一步係關於印刷該組合物並於含軋氣氛中燒製該組合 物之方法且係關於藉由此方法製造之器件° 本申請案根據35 U.S.C. §119(e)主張2〇〇7年11月15曰申 請之美國臨時申請案第60/988,144號之優先權且主張該申 請案之權利,出於所有目的,該案之全文作為本文之一部 分以引用的方式倂入本文中。 【先前技術】 人們發現碳奈米管("CNT")在電子及材料工業中正得到 越來越多的應用。在各種應用中,碳奈米管在處理期間於 高溫下暴露於含氧氣氛中,且暴露於此類環境損害CNT之 最終使用性能。CNT在其最終使用期間亦可暴露於侵蝕性 化學條件,此導致老化及期望性質之過早喪失。 碳奈米管係主要得自卷成圓柱形之石墨薄片的自組裝奈 米結構[Iijima,·/Vaiwre,1991,354, 56-58]。若此等奈米結 構包含單圓枉管時,則將其稱為單壁碳奈米管 (SWNT)[Iijima 等人’ WaiMre 1993,363,603-605,及 Bethune等人,1993,363, 605-607]。具有兩個或更 多個同心管之CNT分別稱為雙壁碳奈米管(DWNT)及多壁 碳奈米管(MWNT)。SWNT之直徑通常可介於約0.4 nm至3 nm之間,且長度介於約1 〇 nm至0 · 1公分之間。適用於本文 之CNT包括但不限於單壁碳奈米管(S WNT)、雙壁碳奈米 136263.doc 200932815 管(DWNT)、多壁碳奈米管(MWNT)、小直徑碳奈米管 (SDCNT’通常具有小於約3 nm之直徑,而無論其擁有管 壁之數量如何)及其組合。 已發現CNT適用於各種應用中,包括導電及高強度複合 材料m電池之電極材料、高效場㈣顯示器及輕射 源以及功能奈米級器件[Baughman等人&以加匕2002, 297,787-792]。然:而’其廣泛應用之主要障礙仍然、係涉及 ,其合成且尤其其純化之高成本。所有製造CNT之方法皆產 生具有碳質雜質之產物。另外,大多數製造CNT之方法使 用金屬觸媒或經支撐金屬觸媒,其作為經碳包覆之雜質殘 存於產物中。 術語"未純化CNT"或"未處理CNT" —般係指包含CNT及 雜質之CNT材料,其通常呈仍與合成觸媒殘餘物及通常其 他形式之碳結合的如此製造狀態。一些合成觸媒殘餘物可 係使CNT氧化或其他方式降解之觸媒。其他未純化CNTi •括彼等已藉由雷射燒姓製備者且其含有來自合成觸媒之鎳 及姑殘餘物。 目前,SWNT可以多種方法製得,包括電弧放電、雷射 爐燒蝕(如美國專利第6,183,714號中所論述)及化學氣體沈 積(CVD) ^ HiPC0製程係金屬催化之高壓一氧化碳製程。儘 管正努力擴大該等材料的生產’但所有當前已知合成方法 皆導致產物中存在大量雜質。舉例而言,經碳包覆之金屬 殘餘物通常佔由HiPco製程所製得CNT材料的2〇·3〇 wt%(NikoIaev等人,Ze"·,1999,313,91-97), 且在電弧放電製程中所形成產物中約60 wt%為非奈米管 136263.doc 200932815 納入碳奈米管之組合物可用於場發射顯示器件及製造該 等器件之方法中,其論述於美國專利第02/074,932號、第 04/017,141號、第 〇4/169,166 號及第 〇4/170,925號中,且出 於所有目的,每一該等專利之全文作為本文之一部分倂入 本文中。 . CNT可暴露於其中之化學侵蝕性條件包括於超過25〇它 φ <溫度下暴露於含氧氣氛中及暴露於場發射顯示器件運作 之條件下。化學侵蝕性條件亦可包括暴露於自由基物質及 高層大氣及外層空間中之強輻射。 舉例而言,碳奈米管在平板顯示器之生產及作業中可經 歷破壞性條件。已提出具有以下之平板顯示器:使用場發 射電子源(即,場發射材料或場發射器(例如碳奈米管之 陰極及受到由該場發射器發射之電子轟擊時能夠發射光之 磷光體。平板顯示器係藉由將所期望材料經由一系列高分 ❹ 辨率印刷步驟沈精於某狀卜搂请议以a w λ .
器貧實施疊印。 I36263.doc 200932815
有各種方法可用於將碳奈米管附接至基板以作為顯示器 中之發射源’如上文所述。然而,附接之構件必須能承受 製把場發射器陰極放置於其t之裝置的條件及其使用之周 圍條件(例如通常為真空條件及溫度高達45Gt)並在此條件 下維持其完整性。有機材料通㈣於適用於將碳奈米管連 同任一抗氧材料一起附接至基板之組合物中。較佳方法為 以期望圖案將含有碳奈米管及有機聚合物之膏組合物絲網 印刷至基材上且隨後燒製經乾燥圖案化膏。該膏亦可含有 玻璃料、金屬粉末或金屬塗料或其混合物。對於多種應用 而言’例如彼等需要較精細分辨率者,較佳處理包含絲網 印刷進—步包含光引發劑及光可硬化單體之膏、光圖案化 經乾燥之膏及燒製所得圖案化膏。 含有碳奈米管之可印刷組合物通常懸浮於油墨介質十。 該介質之作用係將顆粒成份(即CNT及任一其他固體組份) 懸浮及分散於膏或油墨t且為諸如絲網印刷等典型圖案化 製程提供適當流變性。該介質通常包含聚合物組合及溶 齊卜可用於可印刷組合物之聚合物實例為纖維素樹°脂⑽ 如乙基纖維素)及各種分子量之醇酸樹脂。通常應對該聚 合物組合加以選擇以完全溶於選定溶劑中。 油墨介質中之溶劑賦予膏或油墨必要流動性及乾燥性。 丁基卡必醇(butyl carbitol)、丁基卡必醇乙酸酯二丁芙 卡必醇、鄰苯二甲酸二丁自旨及以醇為適用於基於:錢 系統之實例。亦可使用水作為溶劑。該等及其他溶劑經調 136263.doc 200932815 配以獲得所期望黏度及揮發性要求。可使用表面活性劑以 改良顆粒之分散。諸如油酸及硬脂酸等有機酸及諸如卵磷 脂或Gafac®磷酸酯等有機磷酸酯係典型表面活性劑。dna 及RNA可用作CNT之表面活性劑。 若欲將絲網印刷膏光圖案化,則該膏含有光引發劑、可 顯影黏結劑及光可硬化單體,該光可硬化單體包含(例如) 至少一種具有至少一個可聚合乙稀系《團之可加成聚合乙 0 烯系不飽和化合物。諸如來自杜邦(DuPont)之Fodel®膏組 〇物等可光成像厚膜調配物適用於此目的。其在含有諸如 光引發劑及光單體等可光成像成份之有機介質尹含有呈精 、’、田顆粒形式之固體及視情況少量低熔點玻璃料。通常,均 勻膏層係以受控厚度絲網印刷於基板上。將該層於低熱下 洪乾以乾燥。具有期望圖案之接觸光罩經放置與該膜緊密 接觸且將其曝露於紫外(UV)輻射。然後,使該膜於稀碳酸 納水溶液中顯影。小至1G _之特徵尺寸可藉由使該等經 〇 絲網印刷之厚臈光成像來製造。 因此在具有碳奈米管之組合物中存在對保護材料之需 要,該保護材料在其暴露於由器件製造或運作所致之侵蝕 • &及潛在破壞性條件(例如上述許多條件)期間將保護碳奈 ;;若該保護材料無需作為塗層施於碳奈米管以提供期 望保護,則其將特別有用。 【發明内容】 在一個實施例中,本發明提供包含碳奈米管及一或多種 ,、護材料之物質組合物,其中該組合物之氧化起始溫度 136263.doc 200932815 (如藉由升溫熱重分析所確定)超出Cnt純淨物開始氧化之 溫度至少約5°C。 在另一實施例令’本發明提供包含碳奈米管及一或多種 保護材料之物質組合物,其中等溫熱重分析在約35〇〇c至 約450°c之範圍内之溫度下實施】小時後結束時,該組合物 試樣之質量為在測試開始時該試樣重量的至少約85〇/〇。 在又一實施例中’本發明提供包含呈混合物形式的碳奈 φ 米管及一或多種保護材料之物質組合物,該等保護材料係 選自由B、Mo、Ta及W組成之金屬群及/或由下述組成之化 合物群:MoP、MoB2、WP、W03、W02、LaB6、TaN、
TaS2、Mo03、BC、鉍玻璃、A1BI2、BN、MgB2、ZrB2、 TiB2、AsBg、CeB4、YBi2、MgB2、TaB、TaB2、NbB2、 MoS2、Sb203、GeSe2、A1203、TiN、Ge02、MoSi2 及 ws2。 在再一實施例中’本發明提供測試用於保護碳奈米管之 Φ 材料的方法。 【實施方式】 本文揭示保護材料’其一種或其組合與具有碳奈米管之 組合物混合以在碳奈米管暴露於侵轴性及潛在破壞性條件 期間保護碳奈米管。舉例而言,其保護材料可使碳奈米管 抵抗可在高溫下發生之氧化且可進一步提高出現CNT快速 氧化的起始溫度。儘管本發明並不限於作業之任一特定理 論,但由保護材料所提供對CNT之有益作用可捕獲或分解 CNT附近之氣相自由基從而在CNT附近提供氧化犧牲材料 136263.doc • 10· 200932815 或使得CNT之表面更有力抵抗氧化。 適用於本發明之保護材料包括一或多種材料,其選自由 B、Mo、Ta及W組成之金屬群及/或由下述組成之化合物 群:MoP、MoB2、WP、W03、W02、LaB6、TaN、TaS2、 Mo03、BC、絲玻璃、A1B12、BN、MgB2、ZrB2、TiB2、 AsB6、CeB4、YB12、MgB2、TaB、TaB2、NbB2、MoS2、 Sb203、GeSe2、A1203、TiN、Ge02、MoSi2 及 WS2。本文 所用保護材料可自諸如Aldrich (Milwaukee, WI)或Alpha Aesar(A Johnson Matthey公司分公司,Ward Hill,MA)等 供應商購得。 在替代實施例中’適用於本發明之保護材料包括一或多 種材料’其選自由B及W組成之金屬群及/或由下述組成之 化合物群:MoP、MoB2、WP、W03、LaB6、TaS2、BC、 A1B12、BN、MoS2、Sb2〇3及 WS2 0 在其他替代實施例中,適用於本發明之保護材料包括一 Ο 或多種材料,其選自由B、Mo、Ta及W組成之金屬群及/或 由下述組成之化合物群:m〇b2、wp、w〇3、w〇2、
LaB6、TaN、Mo〇3、BC、絲玻璃、m〇S2、及 MoSi2。 在其他替代實施例中,適用於本發明之保護材料包括一 或多種材料,其選自由B、M〇、7&及1組成之金屬群及/或 由下述組成之化合物群:M〇B2、wp、w〇3、、 LaB6、TaN、Mo〇3、Bc、鉍玻璃、M〇S2、M〇p、、 A1B12、BN、Sb03、WS2及 M〇Si2。 在其他替代實施例中,適用於本發明之保護材料包括一 136263.doc 200932815 或多種材料’其選自由B及W組成之金屬群及/或由下述組 成之化合物群:MoB2、WP、W03、LaB6、BC及 M〇S2。
本文所用保護材料可為本文所揭示保護材料總群之所有 成員中的任一個或多個。然而,該保護材料亦可為彼等本 文所揭示保護材料總群之亞群中之成員的任一個或多個, 其中該亞群係藉由自總群中排除任一個或多個其它成員而 形成。因此,在此情況下,保護材料不僅可為任何大小之 任一亞群中之任一種或多種保護材料,其可選自為總群中 個別成員之所有各種不同組合的保護材料總群,且因此亦 可在不存在一或多個經排除以形成亞群之總群成員的情況 下選擇或使用任-亞群中之成員。此外,經由自保護材料 總群中排除各成員所形成之亞群可為總群之個別成員以 致保護材料係在不存在除選定個別成員外之所有其他總群 成員的情況下使用。 本文所用保護材料係#由將其與石炭奈米管混合在沈積或 塗覆於或另外施加於欲使用碳奈米管之器件上之組合物中 來使用。舉例而言,該等保護材料可與碳奈米管—起懸浮 於用於絲網印刷或另外用於圖案化之油墨或膏㈣質中, 如上文所述。在本發明之組合物中,該組合物可含有數量 (在各個實施例中)以該組合物之總重量計為約〇〇1赠。至 約3〇 Wt%或約〇.01爾約…或約〇.〇1 wt%之碳奈米管。 本文所揭示保護材料之特徵在於於測試條件下之 該等測試條件將該等保護材料歸類為能夠使得該(等^料 136263.doc 12 200932815 與碳奈米管之組合物與碳奈米管純淨物(即未混合有保護 材料)在相同條件下之性能相比:(a)氧化開始溫度增加及/ 或(b)因氧化的重量損失的量下降。本文歸為引起此一氧化 溫度增加及/或重量損失下降之保護材料與在相同條件下 歸為以下材料之其他材料(不適用於本文)相反:(a)使組合 物之氧化溫度增加很少或無增加或重量損失降低很少或未 降低及/或(b)似乎實際上促進組合物中CNT之氧化。 一種闡釋適用作本文保護材料之材料的有利性能以及不 適用於本文之材料的不利性能之方法涉及使用熱重分析 ("TGA”),例如升溫或等溫TGA。TGA係業内已知技術且 闡述於ASTM標準中,例如E2008-08及E2402-05。出於此 目的,TGA 可於(例如)得自 TA Instruments-Waters LLC (109 Lukens Drive,New Castle DE 19720)之 Hi-Res TGA 2950熱重分析儀上實施,包括使用TA Instruments之軟體-"Universal Analysis 2000"軟體(3.88 版)分析所得結果。 當藉由TGA分析碳奈米管及保護材料之組合物時,試樣 可(例如)含有約25 wt% CNT及約75 wt°/。保護材料。該分析 可於空氣或選定氣體中實施,且溫度曲線可(例如)以室溫 (例如約25°C )開始,且隨後可使試樣之溫度以約l〇°C /min 升溫至約500°C。可使用軟體繪製一條與初始重量相切之 線且可在快速重量損失起始後繪製與曲線斜率相切之第二 條線。該二條線之交叉點可視作氧化起始溫度。隨後可自 CNT及保護材料之組合物的氧化起始溫度中減去CNT純淨 物之氧化起始溫度。若欲測試之試樣由於所吸收水分的乾 136263.doc 13- 200932815 燥而顯示出較小初始重量損失,則須藉由將初始重量定為 200°C下之重量來對此作出修正且所有隨後重量皆參考該 重量。 當藉由升溫TGA以上文所述方式測試時,含有本文所用 . 保護材料之組合物的氧化起始溫度(在各個實施例中)超出 CNT純淨物的氧化起始時溫度至少約5<t或至少約i〇t>c或 至少約15°C或至少約2〇。〇或至少約25°C。 φ 或者,當藉由升溫TGA分析碳奈米管及保護材料之組合 物時,試樣可(例如)含有約25 wt% CNT及約75 wt%保護材 料。可於空氣或選定氣體中實施該分析,且溫度曲線可 (例如)以室溫(例如約25。〇開始,且隨後可使試樣之溫度 以約l〇°C/min升溫至約50〇。〇。記錄所得溫度曲線之圖示 之拐點,亦記錄200。(:與45(TC之間之最終重量保持百分 比本文所用CNT及保護材料之組合物之拐點可為約35〇 °c或更高且在約20(rc與約450t之間之最終重量保持(在 ❹ 各個實施例中)大於約85。/。或大於約90。/。或大於約95%或大 於約98% » 或者,當藉由TGA分析碳奈㈣及保護材料之組合物 時,試樣可(例如)含有約25 wt% CNT及約75糾%保護材 料§刀析可於空氣或選定氣體中實施,且溫度曲線可 (例如)以室溫(例如約25。〇開始,且隨後可使試樣之溫度 盡可能快地(例如以約·之速率)升溫至選定溫度, 且隨後測^該試樣在該溫度下在6〇分鐘之時期内的重量損 失量。為$測等溫重量損失所選^溫度可(例如)為升至可 136263.doc •14- 200932815 施發生氧化之位準的溫度,例如約35〇t或更高、約4〇〇。(: 或更尚、约425t或更高或約450。(:或更高。在實施如上文 斤述則試之前’可能需要在相同選定溫度下對保護材料實 施等溫TGA測言式1小日夺以確定且冑當修正因該保護材料自 身所致之任何質量變化。 ❹ 入當於選定溫度下藉由等溫TGA以上文所述方式測試時, 3有本文所用保護材料之組合物在該測試結束時之質量 (在各個實施财)可為在該測試開始時該試樣重量的至少 約85%或至少約9G%或至少約95%或至少約燃。 。-般而1:,25%或更高之^量損失表示碳奈米管之完全 損失仁在一些實例中保護材料可保持一些水分,且因此 通常在200。(:之前即觀察到初始重量損失。將此計入分析 中。一些候選無機氧化保護添加劑實際上可被氧化,且若 保留氧則重量將增加’或若該候選材料之—些部分作為氣 相物質損失則重量將進—步減少。該等效果通常極為明 顯。最後’可能存在瞬間重量損失之若干情況;此通常指 不具有真實火焰之燃燒而非平穩、持續氧化。 本文之組合物可用於陰極總成、三極管總成及/或場發 射器件及其製造方法中,其論述於美國專利㈣賴,⑽ 第 〇4/〇17,141 號、第 〇4/169,166 號及第 04/170,925 號 中’出於所有目的’每-㈣專利之全文作為本文之一部 分併入本文中。陰極總成可含有(無特定順序)基板、陰極 電極1子場發射器及電荷耗散層。除含有與陰極總成相 同之7L件外’三極管總成亦可含有閘極電極“昜發射器件 136263.doc •15- 200932815 含有陰極總成或三極管總成及陽極總成,其中陽極總成可 含有基板、陽極電極及鱗光體層。本發明之組合物可作為 電子場發射器,此乃因其含有電子發射材料(即CNT)。 實例 提供下述實例以闡明本發明之具體實施例,且本發明不 以任何方式受限於該等實例。應瞭解,下述實例中所揭示 之方法僅代表本發明之實例性實施例,且在本文所述之具 ❿ 體實施例中可實施多種改變而仍獲得相同或相似結果,此 並未背離本發明之精神及範圍。 一般程序 將藉由爐雷射燒蝕(根據美國專利第6,183,714號)製備之 碳奈米管與購自 Aldrich (Milwaukee,WI)或 Alpha Aesar(A Johnson Matthey公司分公司,Ward Hill, ΜΑ)之候選保護 材料粉碎。在實驗室磨機[CertiPrep 5100混合機/磨機, SPEX,LLC (Metuchen,NJ)]t將候選材料粉碎。將碳奈米 〇 管(約25 mg)添加至2 mL不銹鋼研磨小瓶中並隨後添加約 75 mg候選材料,然後添加7 mm不錢鋼研磨球。將該容器 蓋上並用電膠帶密封,然後放置於小型實驗室磨機中持續 5 min。然後藉由熱重分析來分析經粉碎的試樣。 於 Hi-Res TGA 2950熱重分析儀(ta instruments-Waters LLC,109 Lukens Drive,New Castle, DE 19720)上實施熱重 分析。使用 ΤΑ Instruments 之軟體("Universal Analysis 2000"軟體,3.88版)對結果實施分析。稱量約2_15 mg 一定 尺寸之試樣並將其加入敞開鉑盤令。在空氣中以4〇 m丨/min 136263.doc • 16- 200932815
氣危實施該等为析。於室溫下開始分析並以_ /min升溫 至5〇〇C。許多試樣由於吸收的水分乾燥而顯示小初始重 量損失。為對此進行修正,將初始重量定為實c下之重 量且所有隨後重量皆參考該重量。使用適用於該儀器之軟 體繪製—條與初始重量相切之線且於快速重量損失起始後 緣製與曲線斜率相切之第二條線。該等二線之交又點視作 氧化起始溫度。自奈米管與候選保護材料之經粉碎混合物 之氧化起始溫度中減去純奈米管之氧化起始溫度。然後, 藉由自經粉碎混合物之起始溫度中減去純奈米管之起始溫 度來計算保護指數(Protection lndex)。 %為大於5之PI值係合意的;纟於⑽之以值較佳。據認 為彼等獲得大於5之PI的試樣已賦TCNT以保護。彼等獲 得負Η值之試樣為促氧化劑,其實際上使得⑽更易氧 化。該類中之化合物包括鐵、銘及錦氧化物,其可於觸媒 殘餘物中發現。其亦包括Ag、Sn〇2、Ti〇2、V2〇5、
Cr2〇3、Fe2〇3、NiCo〇2、Ni〇、Cu〇、以〇2、pd〇、p叫、
Pb02及 Ru02。 -般而言’ 25%之重量損失表示碳奈米管之完全損失 但亦須考慮額外因素。若候選無縣絲護添加劑已保持 -些水分,則通常在靴之前即觀察到初始重量損失。 將:計入分析中一些候選無機氧化保護添加劑實 被巩化’且若保留氧則重量將增加,或若該候選材料 些部分作為氣相物質損失則重量將進—步減少。通常該 136263.doc -17· 200932815 等效果極為明顯。最後,存在瞬間重量損失之若干情況; 此通常指示具有真實火焰之燃燒而非平穩、持續之氧化。 實例1-硫化钥之初始評價 將藉由爐雷射燒蝕製備之碳奈米管(25 mg)與硫化鉬(75 mg,Alfa Aesar,批料號 100935, [/377_33-5],FW 16〇 〇8)組 合。將該混合物連同7 mm不銹鋼研磨球放入實驗室磨機 . [CertiPreP 5100 混合機 / 磨機,SPEX,LLC (Metuchen,NJ)] ❹ 之2 mL不銹鋼研磨小瓶中。將該容器蓋上並用電膠帶密 封,然後研磨5 min。然後藉由熱重分析來分析經充分混 合、粉碎的試樣。 於Hi-Res TGA 2950熱重分析儀上實施熱重分析。使用 TA InstrumentSi軟體對結果實施分析。稱量約2i5 mg量 之試樣至敞開銘盤中。在空氣中以4〇禮論氣流實施該等 为析。於環境溫度下開始分析並以丨〇乞/min升溫至 °C。熱迹線展示於圖1A中。氧化起始出現於454t,遠高 ❹ *未保護碳奈米管時觀察到的32〇t。因此,據認為此硫 化翻已為CNT提供保護。 實例2-許多試樣之初始評價 藉由該方法評價之其他化合物列舉於表丨中。對於試樣 乾燥之修正使得所有質量於2〇〇°C下均為1 00%。不具有添 加劑之碳奈米管之對照試樣展示於該表之中間且該對照試 樣之上或之下緊挨其之化合物與對照相比無統計上的差 "展示於圖1中之闡釋性實例表示所觀察行為之範圍。 圖1A係硫化銷(有用保護材料),如上述實例i中所論述。 136263.doc -18- 200932815 圖IB闡釋鎢粉末之保護作用。圖1C闡釋氧化鎢基本上未 顯示作用。圖1D闡釋NiCo02係促氧化劑,其可使得氧化 起始提前。 表1 :表現保護劑、促氧化劑及介於該兩種材料之間之材 料之選定材料之氧化起始溫度及保護指數("ΡΓ)。 化合物 拐點溫度 (°C)
PI
MoS2Β TaS2 ws2微米級 參
W奈米級 W03奈米級ws2 A1B12MoP Sb203 BN LaB6 MoB2 BC MoS2奈米級 GeSe2 Mo奈米級 M〇〇3 W〇2 TaN 發烟Al2〇3 TiN Ge02 Bi玻璃料 MoSi2 W03 Pt02 對照 發烟Ti〇2 Ta奈米級 WC AIN 454474 21006632410963107821009 9 653 5210<99·998877776'554444Φ3222221 1 111 444433 33333333333333333333333 3 333 }5)65585 3211774352107421 13lc9877 7766555543332222 ο ο·3·4·6 136263.doc -19- 200932815
Sn02奈米級 312 -7 NbP 310 -9 NbO 310 -9 鉛玻璃料 309 -10 TiSi 308 -11 ΑΤΟ 307 -12 TiC 306 -13 AI2O3 307 -12 CuZnFe2〇5 305 -14 Ti02 304 -15 ZnTi03 304 -15 Si〇2氧相二氧化矽 304 -15 凹凸棒石 304 -15 Bi203 301 -18 ITO 300 -19 發烟Si02 298 -21 ΙΠ2〇3 293 -26 PdO 293 -26 V2〇5 292 -27 Fe203 291 -28 Ce3ZrOg 289 -30 Ag奈米級 287 -32 BaFe2〇4 287 -32 BaTi03 286 -33 Cr203 285 -34 Sn粉末 285 -34 NiO 284 -35 NiCo02 283 -36 Fe2Ni04 283 -36 CuO 264 -55 Ru〇2 262 -57 Ag奈米級 239 -80 實例3-混合保護劑之初始評價 為測試保護材料組合之效能,對碳奈米管與A1B12及 A1N(其來自展示於表1中之測試)之預混合試樣加以組合並 充分混合。然後以相同方式測試試樣且其顯示於400°C下 開始氧化。此係優於分別發現於380°C及376°C下之A1B12 及A1N之個體中任一者的改良。 二次等溫評價之一般程序 136263.doc -20- 200932815 使彼等在上述筛選方法中有價值之試樣接受二次測試。 在-次測試中’再次藉由TGA測試來自初步㈣之粉碎試 樣。將試樣盡可能快地(約2⑽。c/min)加熱至人意溫度且 隨後於該溫度下監測質量隨時間之變化並持V;小時。於 35(TC、鐵、425t及爾下實施該等實驗。重量損失 百分比表㈣每—彼等溫度下之氧化速度。-錢護材料 於所有m·度下自賦予氧化穩定性而其他保護材料僅於一些 較低溫度下賦予穩定性。存在若干其中質量隨著保護材料 緩慢氧化而實際上增加的值得注意m對於彼等材料 而言’在不具有碳奈米管之情況下對保護材料實施對照測 試以使可對具有與不具有奈米管之兩種氧化速度進行比較 以確保不存在潛在CNT氧化。若至少一半的碳奈米管能經 受1小時的加熱則認為試樣通過該測試。 實例4 -钥奈米粉末之二次等溫評償 將藉由爐雷射燒蝕製備之碳奈米管(25 mg)與鉬奈米粉
末(75 mg,Aldrich 目錄號 577987-5g,<l〇0nm)組合。將該混 合物連同7 mm不銹鋼研磨球放入實驗室磨機[CerUprep 5100混合機/磨機’SPEX,LLC(Metuchen,NJ)]之2mL不 銹鋼研磨小瓶中。將該容器蓋上並用電膠帶密封,然後研 磨5 min。然後藉由熱重分析來分析經充分混合、粉碎的 試樣。 於Hi-Res TGA 2950熱重分析儀上實施熱重分析。使用 TA Instruments之軟體對結果實施分析。稱量4份不同的約 2-15 mg—定尺寸之試樣並將其加入敞開銘盤中。在空氣 136263.doc -21 · 200932815 中以40 ml/min氣流實施該等分析。於室溫(約25°c )下開始 分析並盡可能快地升溫至350〇c ’且隨後於該溫度下在6〇 分鐘時期内監測重量損失百分比。同樣於4〇〇t:、425^及 450C下为析各個試樣。熱迹線展示於圖2a中。在升溫過 程期間初始重量損失之後,於350它及4〇(rc下經過1小時 重量實質上無變化’於425〇c下經過1小時增加3%且於45〇 C下經過1小時質量增加8%。因此’認為硫化鉬已為CNT 提供保護。 實例S-許多試樣之二次評價 認為在初始篩選中起保護作用且藉由二次方法評價之其 他化合物列舉於表2中。應注意,在一或多個條件下,開 始5個試樣實際上質量増加,此表明保護材料經歷一定程 度的氧化。因此第一種化合物(g卩,矽化鉬)至少部分地氧 化為氧化鉬及二氧化矽。另一材料之犧牲氧化係保護碳奈 米管免於氧化之方法。對試樣乾燥進行修正使得所有質量 Φ 於350 C下均為100%初始重量(350-1)。 不具有添加劑之碳奈米管之對照試樣展示於該表之中間 .且該對照試樣之上或之下緊挨其之化合物與對照相比無統 計上的差異。展示於圖2中之闡釋性實例表示所觀察行為 之範圍。圖2A為鉬奈米粉末(來自實例3之良好保護材 料)。圖2B闌釋六硼化鑭之保護作用,其中於所有溫度下 在質篁上僅有輕微減少。圖2C闡釋磷化鎢於35(rc下有保 護作用’但該保護作用於更高溫度下效力降低以致於450 c下1小時後所有碳奈米管均消失。圖2D闞釋鎢奈米粉末 136263.doc •22- 200932815 於3 50 C及400 C下提供一些保護,但於更高溫度下,在重 量上存在相對較快的初始下降’其因鎢奈米粉末的隨後氧 化及重量增益而不被覺察。 表2 :多種化合物在4個不同溫度下之持續保護指數(展示 重量損失百分比)。 raw.…-.V.»-™. ........ „ SPI425 ]SPl450™ f-·.·™ -..............4-V. --w~.- ...
化合物 rMoSi2j HZTIT— 藏 =¾奈来级 J^〇bJ'3—: 307¾ TiaN — :Mo03 LaB6 ;BC^ '一 W02 ~ f〇3奈米奴 ^WMrS'-liyS««yhv-XNSfcSWAW^SW^S1.YvAM.-A-V,l,,'W.1.,1.1V...AV,VliWW, 玻璃料 rMoS2 1,·/.-^^^--ν·-ΜΛ· A·.-. [MoP |A 旧 12 VJIV ;lvvrrtw ;Sb203 il^S2 ~ .卜‘ BN — :Pb IWS2 rWS2 WP r.Vv.^V..-Λν,..^ ίΛΝ.... Μ查米緣 AI203 ❹ 評償場發射器件中之氣化保護的一般方法 * 使用包含兩個電極(其中一個作為陽極或集電極且另一 • 個作為陰極)之平板發射量測單元對所得試樣實施場發射 測試。陰極由安裝於聚四氟乙烯(PTFE)支架中之銅塊組 成。將銅塊凹陷於PTFE之1英忖xl英叶(2.5 cm X 2.5 cm)區 域之中且將試樣基板安裝至銅塊以借助銅帶使該銅塊與試 樣基板之間達成電接觸。將高壓引線附接至銅塊。使陽極 136263.doc -23- 200932815 與試樣相距一定距離保持平行,該距離可改變,但一旦選 定,則其對於試樣之既定量測組而言保持固定。除非另有 說明’否則使用1.25 mm之間距。由塗覆有氧化銦錫之玻 璃板組成之陽極係藉由化學氣體沈積來沈積。然後用得自
Electronic Space Products International之標準的基於ZnS之 磷光體(磷光體Ρ·31,139型)塗覆該陽極。將電極附接至該 ' 氧化銦錫塗層。 將測試裝置插入真空系統中且將該系統抽真空至低於1 ❹ -5 xlO·托(1.3xl0-3 Pa)之基本壓力。將於6〇 Hz頻率下具有3 psec的典型脈衝寬度之負電壓脈衝施加於陽極且量測發射 電流隨所施加電壓之變化。用相機記錄由發射電流導致磷 光體發射的影像。 實例6-評價用硫化鉬保護之 場發射器件中之氧化保護 於3個不同條件下研究藉由爐雷射燒蝕製備之碳奈米 ⑩ 管。對於3份試樣,量測發射電流隨所施加電壓之變化。 於1/1000工作循環之下量測所有試樣。在帶式爐中於420 °C下燒製所有3份試樣且隨後將帶活化。所得結果展示於 圖3中。頂部曲線係在氮氣氛中燒製之未經保護的材料且 代表該系統之最佳性能。底部曲線係在空氣而非氮氣中於 420 C下燒製之相同試樣。由於碳奈米管之氧化發射顯著 減少。中部曲線係相同但含有在空氣中於42〇下燒製之 硫化奈米顆粒之材料。在氮氣中燒製之試樣發射減少但 其明顯比在空氣中燒製且無硫化鉬之試樣好。 136263.doc •24- 200932815 當本文闡述或建立了數值範圍時’該範圍包括其端點及 所有在該範圍内之個別整數及小數,而且亦包括其中之每 一較窄範圍,其由彼等端點及内部整數及小數之所有各種 可能組合形成所述範圍内各數值的較大群之亞群而形成, 如同每一彼等較窄範圍已被明確闡述一般。當本文所述數 值範圍大於闡述值時,該範圍仍然係有限的且由在本文所 ' 述本發明之上下文内可行的值限制其上限。當本文所述數 β 值範圍小於闡述值時,則該範圍係由非零值限制其下限。 在本說明書中,除非在用法的上下文中另有明確說明或 說明相反情況,否則,本文所列舉之數量、尺寸、範圍、 調配物、參數及其他數量及特徵(尤其當由詞語”約"進行修 飾時)未必精確且亦可為大約及/或大於或小於所述值(若合 意)’此反映公差、轉換因數、舍入、量測誤差及諸如此 類而且亦包括在彼等值之所述值之外但在本發明之上下 文中具有與所述值等效之功能及/或操作性之情況。 ❹ 【圖式簡單說明】 圖1 :利㈣升溫之初始測試之圖示:a)硫化翻之抗氧 . π劑保€ ; b)鎢粉末之抗氧化劑保冑;c)w〇3顯示無作 用;d)NiCo〇2顯示促氧化。 圖2 . -次等溫測試之圖示a)銷奈米粉末;^六蝴化鋼; c)磷化鎢;d)鎢奈米粉末。 圖3 :經保護及未經保護及經氮燒製的碳㈣管發射器 之性能:◊於I氣氛中燒製;〇於空氣中在有MoS2保護之 下燒製,□於空氣中在無保護劑之情況下燒製。 136263.doc •25·
Claims (1)
- 200932815 十、申請專利範園: ;種物質組合物,纟包含碳奈米管及一或多種保護材 料其中該、組合物具有超出CNT純淨物之氧化起始溫度 至夕約5(:之氧化起始溫度(如藉由升溫熱重分析確定)。 2. 月求項1之組合物,其中該組合物包含以該組合物之 總重量叶之量為約〇.01 至約20 wt%之碳奈米管。 3, 士叫求項1之組合物,其進一步包含聚合物、溶劑、光 ϋ &劑 ' 光可硬化單體、光酸產生劑及酸增溶 組份中的一或多種。 4.如咕求項丨之組合物,其係呈可印刷之膏或油墨之形 式。 5 .如吻求項1之組合物’其中該組合物之試樣在約35〇<»C至 約45〇°C範圍内之溫度下實施丨小時等溫熱重分析結束時 具有為該測試開始時該試樣重量的至少約85%之質量。 6. 如明求項1之組合物’其中該保護材料包含一或多種材 ❹ 料’其選自由B、Mo、Ta及W組成之金屬群及/或選自由 下述組成之化合物群:M〇p、m〇B2、WP、W03、W02、 LaB6、TaN、TaS2、Mo03、BC、叙玻璃、A1B12、BN、 Ta、MgB2、ZrB2、m、AsB6、CeB4、yBi2、MgB2、 TaB、TaB2、NbB2、m〇S2及 WS2。 7, 如請求項1之組合物,其中該保護材料包含一或多種材 料’其選自由Β、Mo、Ta及W組成之金屬群及/或由下述 組成之化合物群:MoB2、WP、W〇3、W〇2、LaB6、 TaN、Mo〇3、BC、鉍玻璃、MoS2、MoP、TaS2、 136263.doc 200932815 A1Bu、BN、Sb03、WS2及 MoSi2。 8. 一種陰極總成、三極管總成或電子場發射器,其包含如 請求項1之組合物。 9. 一種物質組合物,其包含碳奈米管及一或多種保護材 料,其中該組合物之試樣在約350°C至約450°C範圍内之 度下實施1小時等溫熱重分析結束時具有在該測試開 始時該試樣重量的至少約85%之質量。 10. 一種物質組合物’其包含呈混合物的碳奈米管及一或多 響 種材料,該等材料係選自由B、Mo、Ta及W組成之金屬 群及/或選自由下述組成之化合物群:MoP、MoB2、 WP、W03、W02、LaB6、TaN、TaS2、Mo〇3、BC、鉍 玻璃、A1B12、BN、Ta、MgB2、ZrB2、TiB2、AsB6、 CeB4、YB12、MgB2、TaB、TaB2、NbB2、MoS2及 WS2。 136263.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US98814407P | 2007-11-15 | 2007-11-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200932815A true TW200932815A (en) | 2009-08-01 |
Family
ID=41016637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097144406A TW200932815A (en) | 2007-11-15 | 2008-11-17 | Protection of carbon nanotubes |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100288980A1 (zh) |
EP (1) | EP2209738A2 (zh) |
JP (1) | JP2011502945A (zh) |
KR (1) | KR20100097146A (zh) |
CN (1) | CN101861282A (zh) |
TW (1) | TW200932815A (zh) |
WO (1) | WO2009108226A2 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI734487B (zh) * | 2020-04-28 | 2021-07-21 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 奈米纖維致動器及其製備方法 |
US11190114B2 (en) | 2020-04-28 | 2021-11-30 | Tsinghua University | Nano manipulater |
US11532448B2 (en) | 2020-04-28 | 2022-12-20 | Tsinghua University | Laser remote control switching system |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110177322A1 (en) * | 2010-01-16 | 2011-07-21 | Douglas Charles Ogrin | Ceramic articles and methods |
US8225704B2 (en) | 2010-01-16 | 2012-07-24 | Nanoridge Materials, Inc. | Armor with transformed nanotube material |
US9273398B2 (en) | 2010-01-16 | 2016-03-01 | Nanoridge Materials, Inc. | Metallized nanotubes |
US9017854B2 (en) | 2010-08-30 | 2015-04-28 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | Structural energy storage assemblies and methods for production thereof |
KR101758765B1 (ko) | 2011-05-31 | 2017-07-17 | 한국전자통신연구원 | Cnt 밀도가 제어된 cnt 에미터의 제조방법 |
CN104992983B (zh) * | 2015-06-02 | 2017-10-20 | 西北工业大学 | 一种p型导电薄膜TaxMo1‑xS2及制备方法 |
CN106367631B (zh) * | 2016-08-31 | 2017-12-26 | 宁波新睦新材料有限公司 | 一种高耐磨性铜基复合材料及其制备方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6183714B1 (en) * | 1995-09-08 | 2001-02-06 | Rice University | Method of making ropes of single-wall carbon nanotubes |
JP2000516708A (ja) * | 1996-08-08 | 2000-12-12 | ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ | ナノチューブ組立体から作製された巨視的操作可能なナノ規模の装置 |
US6683783B1 (en) * | 1997-03-07 | 2004-01-27 | William Marsh Rice University | Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes |
US6361861B2 (en) * | 1999-06-14 | 2002-03-26 | Battelle Memorial Institute | Carbon nanotubes on a substrate |
AT407754B (de) * | 1999-09-29 | 2001-06-25 | Electrovac | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer nanotube-schicht auf einem substrat |
US7449081B2 (en) * | 2000-06-21 | 2008-11-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for improving the emission of electron field emitters |
EP1390319A1 (en) * | 2001-05-16 | 2004-02-25 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition with reduced resistance |
US6643165B2 (en) * | 2001-07-25 | 2003-11-04 | Nantero, Inc. | Electromechanical memory having cell selection circuitry constructed with nanotube technology |
US6706402B2 (en) * | 2001-07-25 | 2004-03-16 | Nantero, Inc. | Nanotube films and articles |
US7317277B2 (en) * | 2002-04-24 | 2008-01-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electron field emitter and compositions related thereto |
WO2004009673A1 (en) * | 2002-07-22 | 2004-01-29 | Aspen Aerogels, Inc. | Polyimide aerogels, carbon aerogels, and metal carbide aerogels and methods of making same |
US20040170925A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-09-02 | Roach David Herbert | Positive imageable thick film compositions |
US7618704B2 (en) * | 2003-09-29 | 2009-11-17 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Spin-printing of electronic and display components |
US7824620B2 (en) * | 2004-09-21 | 2010-11-02 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Nano- and micro-scale structures: methods, devices and applications thereof |
US7645497B2 (en) * | 2005-06-02 | 2010-01-12 | Eastman Kodak Company | Multi-layer conductor with carbon nanotubes |
US7446044B2 (en) * | 2005-09-19 | 2008-11-04 | California Institute Of Technology | Carbon nanotube switches for memory, RF communications and sensing applications, and methods of making the same |
KR100822799B1 (ko) * | 2006-04-25 | 2008-04-17 | 삼성전자주식회사 | 나노크기의 도전성 구조물을 위한 선택적인 촉매 형성 방법및 선택적인 나노크기의 도전성 구조물 형성 방법 |
US8124043B2 (en) * | 2007-03-16 | 2012-02-28 | Honda Motor Co., Ltd. | Method of preparing carbon nanotube containing electrodes |
-
2008
- 2008-11-14 WO PCT/US2008/083492 patent/WO2009108226A2/en active Application Filing
- 2008-11-14 EP EP08873021A patent/EP2209738A2/en not_active Withdrawn
- 2008-11-14 CN CN200880116201A patent/CN101861282A/zh active Pending
- 2008-11-14 US US12/738,999 patent/US20100288980A1/en not_active Abandoned
- 2008-11-14 KR KR1020107012757A patent/KR20100097146A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-11-14 JP JP2010534198A patent/JP2011502945A/ja not_active Abandoned
- 2008-11-17 TW TW097144406A patent/TW200932815A/zh unknown
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI734487B (zh) * | 2020-04-28 | 2021-07-21 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 奈米纖維致動器及其製備方法 |
US11190114B2 (en) | 2020-04-28 | 2021-11-30 | Tsinghua University | Nano manipulater |
US11532448B2 (en) | 2020-04-28 | 2022-12-20 | Tsinghua University | Laser remote control switching system |
US11811337B2 (en) | 2020-04-28 | 2023-11-07 | Tsinghua University | Nanofiber actuator and method for making the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100288980A1 (en) | 2010-11-18 |
CN101861282A (zh) | 2010-10-13 |
WO2009108226A2 (en) | 2009-09-03 |
JP2011502945A (ja) | 2011-01-27 |
KR20100097146A (ko) | 2010-09-02 |
EP2209738A2 (en) | 2010-07-28 |
WO2009108226A3 (en) | 2009-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200932815A (en) | Protection of carbon nanotubes | |
JP5725420B2 (ja) | カーボンの凝集アセンブリを製造する方法 | |
KR101389848B1 (ko) | 전자 방출원용 페이스트 및 전자 방출 소자 | |
US20030222560A1 (en) | Catalytically grown carbon fiber field emitters and field emitter cathodes made therefrom | |
KR20030047888A (ko) | 촉매적 성장 탄소 섬유 전장 이미터 및 그로부터 제조된전장 이미터 캐쏘드 | |
JP2005122930A (ja) | ナノスケールカーボンチューブペースト及び電子放出源 | |
KR20090113907A (ko) | 애노드 코팅을 구비한 전계 방출 소자 | |
JP2005524198A (ja) | 電子電界エミッタおよびそれに関連する組成物 | |
KR20050014430A (ko) | 평판 표시소자의 전자 방출원 형성용 조성물 및 이로부터제조되는 전자 방출원 | |
JP2009032697A (ja) | 電子放出源、電子放出素子及び電子放出源の製造方法 | |
JP2008200608A (ja) | 導電性フッ素樹脂薄膜の製造方法および導電性フッ素樹脂薄膜 | |
Bellucci et al. | Screening electromagnetic interference effect using nanocomposites | |
JP5655776B2 (ja) | 電子放出源用ペースト、これを用いた電子放出源および電子放出素子ならびにこれらの製造方法 | |
Chen et al. | Low-temperature CVD growth of carbon nanotubes for field emission application | |
JP2012501047A (ja) | 電界放出素子における空気焼成カソードアセンブリを作製する方法 | |
Yoon et al. | Improved field emission stability and uniformity of printed carbon nanotubes prepared using high energy-milled glass frit | |
Kim et al. | Fabrication of carbon nanotube paste using photosensitive polymer for field emission display | |
Machida et al. | Improvement in field emission uniformity from screen-printed double-walled carbon nanotube paste by grinding | |
Lisunova et al. | The influence of organophilic clay on field electron emission uniformity and lifetime of screen printed carbon nanotube film | |
KR101758765B1 (ko) | Cnt 밀도가 제어된 cnt 에미터의 제조방법 | |
Cho et al. | A simple method to fabricate high-performance carbon nanotube field emitters | |
Lee et al. | Optimization of field emission properties from multi-walled carbon nanotubes using ceramic fillers | |
Sim et al. | Carbon nanotube pastes for field emission prepared by adding metallic and oxide nanoparticle fillers | |
JP2011204675A (ja) | 電子放出源用ペーストおよびこれを用いた電子放出源と電子放出素子、ならびにこれらの製造方法。 | |
Bellucci | Electronic transport properties in carbon nanotubes |