TW200932815A - Protection of carbon nanotubes - Google Patents

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TW200932815A TW097144406A TW97144406A TW200932815A TW 200932815 A TW200932815 A TW 200932815A TW 097144406 A TW097144406 A TW 097144406A TW 97144406 A TW97144406 A TW 97144406A TW 200932815 A TW200932815 A TW 200932815A
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Description

200932815 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於包括碳奈米管及保護材料之組合物°本發 明進一步係關於印刷該組合物並於含軋氣氛中燒製該組合 物之方法且係關於藉由此方法製造之器件° 本申請案根據35 U.S.C. §119(e)主張2〇〇7年11月15曰申 請之美國臨時申請案第60/988,144號之優先權且主張該申 請案之權利,出於所有目的,該案之全文作為本文之一部 分以引用的方式倂入本文中。 【先前技術】 人們發現碳奈米管("CNT")在電子及材料工業中正得到 越來越多的應用。在各種應用中,碳奈米管在處理期間於 高溫下暴露於含氧氣氛中,且暴露於此類環境損害CNT之 最終使用性能。CNT在其最終使用期間亦可暴露於侵蝕性 化學條件,此導致老化及期望性質之過早喪失。 碳奈米管係主要得自卷成圓柱形之石墨薄片的自組裝奈 米結構[Iijima,·/Vaiwre,1991,354, 56-58]。若此等奈米結 構包含單圓枉管時,則將其稱為單壁碳奈米管 (SWNT)[Iijima 等人’ WaiMre 1993,363,603-605,及 Bethune等人,1993,363, 605-607]。具有兩個或更 多個同心管之CNT分別稱為雙壁碳奈米管(DWNT)及多壁 碳奈米管(MWNT)。SWNT之直徑通常可介於約0.4 nm至3 nm之間,且長度介於約1 〇 nm至0 · 1公分之間。適用於本文 之CNT包括但不限於單壁碳奈米管(S WNT)、雙壁碳奈米 136263.doc 200932815 管(DWNT)、多壁碳奈米管(MWNT)、小直徑碳奈米管 (SDCNT’通常具有小於約3 nm之直徑,而無論其擁有管 壁之數量如何)及其組合。 已發現CNT適用於各種應用中,包括導電及高強度複合 材料m電池之電極材料、高效場㈣顯示器及輕射 源以及功能奈米級器件[Baughman等人&以加匕2002, 297,787-792]。然:而’其廣泛應用之主要障礙仍然、係涉及 ,其合成且尤其其純化之高成本。所有製造CNT之方法皆產 生具有碳質雜質之產物。另外,大多數製造CNT之方法使 用金屬觸媒或經支撐金屬觸媒,其作為經碳包覆之雜質殘 存於產物中。 術語"未純化CNT"或"未處理CNT" —般係指包含CNT及 雜質之CNT材料,其通常呈仍與合成觸媒殘餘物及通常其 他形式之碳結合的如此製造狀態。一些合成觸媒殘餘物可 係使CNT氧化或其他方式降解之觸媒。其他未純化CNTi •括彼等已藉由雷射燒姓製備者且其含有來自合成觸媒之鎳 及姑殘餘物。 目前,SWNT可以多種方法製得,包括電弧放電、雷射 爐燒蝕(如美國專利第6,183,714號中所論述)及化學氣體沈 積(CVD) ^ HiPC0製程係金屬催化之高壓一氧化碳製程。儘 管正努力擴大該等材料的生產’但所有當前已知合成方法 皆導致產物中存在大量雜質。舉例而言,經碳包覆之金屬 殘餘物通常佔由HiPco製程所製得CNT材料的2〇·3〇 wt%(NikoIaev等人,Ze"·,1999,313,91-97), 且在電弧放電製程中所形成產物中約60 wt%為非奈米管 136263.doc 200932815 納入碳奈米管之組合物可用於場發射顯示器件及製造該 等器件之方法中,其論述於美國專利第02/074,932號、第 04/017,141號、第 〇4/169,166 號及第 〇4/170,925號中,且出 於所有目的,每一該等專利之全文作為本文之一部分倂入 本文中。 . CNT可暴露於其中之化學侵蝕性條件包括於超過25〇它 φ <溫度下暴露於含氧氣氛中及暴露於場發射顯示器件運作 之條件下。化學侵蝕性條件亦可包括暴露於自由基物質及 高層大氣及外層空間中之強輻射。 舉例而言,碳奈米管在平板顯示器之生產及作業中可經 歷破壞性條件。已提出具有以下之平板顯示器:使用場發 射電子源(即,場發射材料或場發射器(例如碳奈米管之 陰極及受到由該場發射器發射之電子轟擊時能夠發射光之 磷光體。平板顯示器係藉由將所期望材料經由一系列高分 ❹ 辨率印刷步驟沈精於某狀卜搂请议以a w λ .
器貧實施疊印。 I36263.doc 200932815
有各種方法可用於將碳奈米管附接至基板以作為顯示器 中之發射源’如上文所述。然而,附接之構件必須能承受 製把場發射器陰極放置於其t之裝置的條件及其使用之周 圍條件(例如通常為真空條件及溫度高達45Gt)並在此條件 下維持其完整性。有機材料通㈣於適用於將碳奈米管連 同任一抗氧材料一起附接至基板之組合物中。較佳方法為 以期望圖案將含有碳奈米管及有機聚合物之膏組合物絲網 印刷至基材上且隨後燒製經乾燥圖案化膏。該膏亦可含有 玻璃料、金屬粉末或金屬塗料或其混合物。對於多種應用 而言’例如彼等需要較精細分辨率者,較佳處理包含絲網 印刷進—步包含光引發劑及光可硬化單體之膏、光圖案化 經乾燥之膏及燒製所得圖案化膏。 含有碳奈米管之可印刷組合物通常懸浮於油墨介質十。 該介質之作用係將顆粒成份(即CNT及任一其他固體組份) 懸浮及分散於膏或油墨t且為諸如絲網印刷等典型圖案化 製程提供適當流變性。該介質通常包含聚合物組合及溶 齊卜可用於可印刷組合物之聚合物實例為纖維素樹°脂⑽ 如乙基纖維素)及各種分子量之醇酸樹脂。通常應對該聚 合物組合加以選擇以完全溶於選定溶劑中。 油墨介質中之溶劑賦予膏或油墨必要流動性及乾燥性。 丁基卡必醇(butyl carbitol)、丁基卡必醇乙酸酯二丁芙 卡必醇、鄰苯二甲酸二丁自旨及以醇為適用於基於:錢 系統之實例。亦可使用水作為溶劑。該等及其他溶劑經調 136263.doc 200932815 配以獲得所期望黏度及揮發性要求。可使用表面活性劑以 改良顆粒之分散。諸如油酸及硬脂酸等有機酸及諸如卵磷 脂或Gafac®磷酸酯等有機磷酸酯係典型表面活性劑。dna 及RNA可用作CNT之表面活性劑。 若欲將絲網印刷膏光圖案化,則該膏含有光引發劑、可 顯影黏結劑及光可硬化單體,該光可硬化單體包含(例如) 至少一種具有至少一個可聚合乙稀系《團之可加成聚合乙 0 烯系不飽和化合物。諸如來自杜邦(DuPont)之Fodel®膏組 〇物等可光成像厚膜調配物適用於此目的。其在含有諸如 光引發劑及光單體等可光成像成份之有機介質尹含有呈精 、’、田顆粒形式之固體及視情況少量低熔點玻璃料。通常,均 勻膏層係以受控厚度絲網印刷於基板上。將該層於低熱下 洪乾以乾燥。具有期望圖案之接觸光罩經放置與該膜緊密 接觸且將其曝露於紫外(UV)輻射。然後,使該膜於稀碳酸 納水溶液中顯影。小至1G _之特徵尺寸可藉由使該等經 〇 絲網印刷之厚臈光成像來製造。 因此在具有碳奈米管之組合物中存在對保護材料之需 要,該保護材料在其暴露於由器件製造或運作所致之侵蝕 • &及潛在破壞性條件(例如上述許多條件)期間將保護碳奈 ;;若該保護材料無需作為塗層施於碳奈米管以提供期 望保護,則其將特別有用。 【發明内容】 在一個實施例中,本發明提供包含碳奈米管及一或多種 ,、護材料之物質組合物,其中該組合物之氧化起始溫度 136263.doc 200932815 (如藉由升溫熱重分析所確定)超出Cnt純淨物開始氧化之 溫度至少約5°C。 在另一實施例令’本發明提供包含碳奈米管及一或多種 保護材料之物質組合物,其中等溫熱重分析在約35〇〇c至 約450°c之範圍内之溫度下實施】小時後結束時,該組合物 試樣之質量為在測試開始時該試樣重量的至少約85〇/〇。 在又一實施例中’本發明提供包含呈混合物形式的碳奈 φ 米管及一或多種保護材料之物質組合物,該等保護材料係 選自由B、Mo、Ta及W組成之金屬群及/或由下述組成之化 合物群:MoP、MoB2、WP、W03、W02、LaB6、TaN、
TaS2、Mo03、BC、鉍玻璃、A1BI2、BN、MgB2、ZrB2、 TiB2、AsBg、CeB4、YBi2、MgB2、TaB、TaB2、NbB2、 MoS2、Sb203、GeSe2、A1203、TiN、Ge02、MoSi2 及 ws2。 在再一實施例中’本發明提供測試用於保護碳奈米管之 Φ 材料的方法。 【實施方式】 本文揭示保護材料’其一種或其組合與具有碳奈米管之 組合物混合以在碳奈米管暴露於侵轴性及潛在破壞性條件 期間保護碳奈米管。舉例而言,其保護材料可使碳奈米管 抵抗可在高溫下發生之氧化且可進一步提高出現CNT快速 氧化的起始溫度。儘管本發明並不限於作業之任一特定理 論,但由保護材料所提供對CNT之有益作用可捕獲或分解 CNT附近之氣相自由基從而在CNT附近提供氧化犧牲材料 136263.doc • 10· 200932815 或使得CNT之表面更有力抵抗氧化。 適用於本發明之保護材料包括一或多種材料,其選自由 B、Mo、Ta及W組成之金屬群及/或由下述組成之化合物 群:MoP、MoB2、WP、W03、W02、LaB6、TaN、TaS2、 Mo03、BC、絲玻璃、A1B12、BN、MgB2、ZrB2、TiB2、 AsB6、CeB4、YB12、MgB2、TaB、TaB2、NbB2、MoS2、 Sb203、GeSe2、A1203、TiN、Ge02、MoSi2 及 WS2。本文 所用保護材料可自諸如Aldrich (Milwaukee, WI)或Alpha Aesar(A Johnson Matthey公司分公司,Ward Hill,MA)等 供應商購得。 在替代實施例中’適用於本發明之保護材料包括一或多 種材料’其選自由B及W組成之金屬群及/或由下述組成之 化合物群:MoP、MoB2、WP、W03、LaB6、TaS2、BC、 A1B12、BN、MoS2、Sb2〇3及 WS2 0 在其他替代實施例中,適用於本發明之保護材料包括一 Ο 或多種材料,其選自由B、Mo、Ta及W組成之金屬群及/或 由下述組成之化合物群:m〇b2、wp、w〇3、w〇2、
LaB6、TaN、Mo〇3、BC、絲玻璃、m〇S2、及 MoSi2。 在其他替代實施例中,適用於本發明之保護材料包括一 或多種材料,其選自由B、M〇、7&及1組成之金屬群及/或 由下述組成之化合物群:M〇B2、wp、w〇3、、 LaB6、TaN、Mo〇3、Bc、鉍玻璃、M〇S2、M〇p、、 A1B12、BN、Sb03、WS2及 M〇Si2。 在其他替代實施例中,適用於本發明之保護材料包括一 136263.doc 200932815 或多種材料’其選自由B及W組成之金屬群及/或由下述組 成之化合物群:MoB2、WP、W03、LaB6、BC及 M〇S2。
本文所用保護材料可為本文所揭示保護材料總群之所有 成員中的任一個或多個。然而,該保護材料亦可為彼等本 文所揭示保護材料總群之亞群中之成員的任一個或多個, 其中該亞群係藉由自總群中排除任一個或多個其它成員而 形成。因此,在此情況下,保護材料不僅可為任何大小之 任一亞群中之任一種或多種保護材料,其可選自為總群中 個別成員之所有各種不同組合的保護材料總群,且因此亦 可在不存在一或多個經排除以形成亞群之總群成員的情況 下選擇或使用任-亞群中之成員。此外,經由自保護材料 總群中排除各成員所形成之亞群可為總群之個別成員以 致保護材料係在不存在除選定個別成員外之所有其他總群 成員的情況下使用。 本文所用保護材料係#由將其與石炭奈米管混合在沈積或 塗覆於或另外施加於欲使用碳奈米管之器件上之組合物中 來使用。舉例而言,該等保護材料可與碳奈米管—起懸浮 於用於絲網印刷或另外用於圖案化之油墨或膏㈣質中, 如上文所述。在本發明之組合物中,該組合物可含有數量 (在各個實施例中)以該組合物之總重量計為約〇〇1赠。至 約3〇 Wt%或約〇.01爾約…或約〇.〇1 wt%之碳奈米管。 本文所揭示保護材料之特徵在於於測試條件下之 該等測試條件將該等保護材料歸類為能夠使得該(等^料 136263.doc 12 200932815 與碳奈米管之組合物與碳奈米管純淨物(即未混合有保護 材料)在相同條件下之性能相比:(a)氧化開始溫度增加及/ 或(b)因氧化的重量損失的量下降。本文歸為引起此一氧化 溫度增加及/或重量損失下降之保護材料與在相同條件下 歸為以下材料之其他材料(不適用於本文)相反:(a)使組合 物之氧化溫度增加很少或無增加或重量損失降低很少或未 降低及/或(b)似乎實際上促進組合物中CNT之氧化。 一種闡釋適用作本文保護材料之材料的有利性能以及不 適用於本文之材料的不利性能之方法涉及使用熱重分析 ("TGA”),例如升溫或等溫TGA。TGA係業内已知技術且 闡述於ASTM標準中,例如E2008-08及E2402-05。出於此 目的,TGA 可於(例如)得自 TA Instruments-Waters LLC (109 Lukens Drive,New Castle DE 19720)之 Hi-Res TGA 2950熱重分析儀上實施,包括使用TA Instruments之軟體-"Universal Analysis 2000"軟體(3.88 版)分析所得結果。 當藉由TGA分析碳奈米管及保護材料之組合物時,試樣 可(例如)含有約25 wt% CNT及約75 wt°/。保護材料。該分析 可於空氣或選定氣體中實施,且溫度曲線可(例如)以室溫 (例如約25°C )開始,且隨後可使試樣之溫度以約l〇°C /min 升溫至約500°C。可使用軟體繪製一條與初始重量相切之 線且可在快速重量損失起始後繪製與曲線斜率相切之第二 條線。該二條線之交叉點可視作氧化起始溫度。隨後可自 CNT及保護材料之組合物的氧化起始溫度中減去CNT純淨 物之氧化起始溫度。若欲測試之試樣由於所吸收水分的乾 136263.doc 13- 200932815 燥而顯示出較小初始重量損失,則須藉由將初始重量定為 200°C下之重量來對此作出修正且所有隨後重量皆參考該 重量。 當藉由升溫TGA以上文所述方式測試時,含有本文所用 . 保護材料之組合物的氧化起始溫度(在各個實施例中)超出 CNT純淨物的氧化起始時溫度至少約5<t或至少約i〇t>c或 至少約15°C或至少約2〇。〇或至少約25°C。 φ 或者,當藉由升溫TGA分析碳奈米管及保護材料之組合 物時,試樣可(例如)含有約25 wt% CNT及約75 wt%保護材 料。可於空氣或選定氣體中實施該分析,且溫度曲線可 (例如)以室溫(例如約25。〇開始,且隨後可使試樣之溫度 以約l〇°C/min升溫至約50〇。〇。記錄所得溫度曲線之圖示 之拐點,亦記錄200。(:與45(TC之間之最終重量保持百分 比本文所用CNT及保護材料之組合物之拐點可為約35〇 °c或更高且在約20(rc與約450t之間之最終重量保持(在 ❹ 各個實施例中)大於約85。/。或大於約90。/。或大於約95%或大 於約98% » 或者,當藉由TGA分析碳奈㈣及保護材料之組合物 時,試樣可(例如)含有約25 wt% CNT及約75糾%保護材 料§刀析可於空氣或選定氣體中實施,且溫度曲線可 (例如)以室溫(例如約25。〇開始,且隨後可使試樣之溫度 盡可能快地(例如以約·之速率)升溫至選定溫度, 且隨後測^該試樣在該溫度下在6〇分鐘之時期内的重量損 失量。為$測等溫重量損失所選^溫度可(例如)為升至可 136263.doc •14- 200932815 施發生氧化之位準的溫度,例如約35〇t或更高、約4〇〇。(: 或更尚、约425t或更高或約450。(:或更高。在實施如上文 斤述則試之前’可能需要在相同選定溫度下對保護材料實 施等溫TGA測言式1小日夺以確定且冑當修正因該保護材料自 身所致之任何質量變化。 ❹ 入當於選定溫度下藉由等溫TGA以上文所述方式測試時, 3有本文所用保護材料之組合物在該測試結束時之質量 (在各個實施财)可為在該測試開始時該試樣重量的至少 約85%或至少約9G%或至少約95%或至少約燃。 。-般而1:,25%或更高之^量損失表示碳奈米管之完全 損失仁在一些實例中保護材料可保持一些水分,且因此 通常在200。(:之前即觀察到初始重量損失。將此計入分析 中。一些候選無機氧化保護添加劑實際上可被氧化,且若 保留氧則重量將增加’或若該候選材料之—些部分作為氣 相物質損失則重量將進—步減少。該等效果通常極為明 顯。最後’可能存在瞬間重量損失之若干情況;此通常指 不具有真實火焰之燃燒而非平穩、持續氧化。 本文之組合物可用於陰極總成、三極管總成及/或場發 射器件及其製造方法中,其論述於美國專利㈣賴,⑽ 第 〇4/〇17,141 號、第 〇4/169,166 號及第 04/170,925 號 中’出於所有目的’每-㈣專利之全文作為本文之一部 分併入本文中。陰極總成可含有(無特定順序)基板、陰極 電極1子場發射器及電荷耗散層。除含有與陰極總成相 同之7L件外’三極管總成亦可含有閘極電極“昜發射器件 136263.doc •15- 200932815 含有陰極總成或三極管總成及陽極總成,其中陽極總成可 含有基板、陽極電極及鱗光體層。本發明之組合物可作為 電子場發射器,此乃因其含有電子發射材料(即CNT)。 實例 提供下述實例以闡明本發明之具體實施例,且本發明不 以任何方式受限於該等實例。應瞭解,下述實例中所揭示 之方法僅代表本發明之實例性實施例,且在本文所述之具 ❿ 體實施例中可實施多種改變而仍獲得相同或相似結果,此 並未背離本發明之精神及範圍。 一般程序 將藉由爐雷射燒蝕(根據美國專利第6,183,714號)製備之 碳奈米管與購自 Aldrich (Milwaukee,WI)或 Alpha Aesar(A Johnson Matthey公司分公司,Ward Hill, ΜΑ)之候選保護 材料粉碎。在實驗室磨機[CertiPrep 5100混合機/磨機, SPEX,LLC (Metuchen,NJ)]t將候選材料粉碎。將碳奈米 〇 管(約25 mg)添加至2 mL不銹鋼研磨小瓶中並隨後添加約 75 mg候選材料,然後添加7 mm不錢鋼研磨球。將該容器 蓋上並用電膠帶密封,然後放置於小型實驗室磨機中持續 5 min。然後藉由熱重分析來分析經粉碎的試樣。 於 Hi-Res TGA 2950熱重分析儀(ta instruments-Waters LLC,109 Lukens Drive,New Castle, DE 19720)上實施熱重 分析。使用 ΤΑ Instruments 之軟體("Universal Analysis 2000"軟體,3.88版)對結果實施分析。稱量約2_15 mg 一定 尺寸之試樣並將其加入敞開鉑盤令。在空氣中以4〇 m丨/min 136263.doc • 16- 200932815
氣危實施該等为析。於室溫下開始分析並以_ /min升溫 至5〇〇C。許多試樣由於吸收的水分乾燥而顯示小初始重 量損失。為對此進行修正,將初始重量定為實c下之重 量且所有隨後重量皆參考該重量。使用適用於該儀器之軟 體繪製—條與初始重量相切之線且於快速重量損失起始後 緣製與曲線斜率相切之第二條線。該等二線之交又點視作 氧化起始溫度。自奈米管與候選保護材料之經粉碎混合物 之氧化起始溫度中減去純奈米管之氧化起始溫度。然後, 藉由自經粉碎混合物之起始溫度中減去純奈米管之起始溫 度來計算保護指數(Protection lndex)。 %為大於5之PI值係合意的;纟於⑽之以值較佳。據認 為彼等獲得大於5之PI的試樣已賦TCNT以保護。彼等獲 得負Η值之試樣為促氧化劑,其實際上使得⑽更易氧 化。該類中之化合物包括鐵、銘及錦氧化物,其可於觸媒 殘餘物中發現。其亦包括Ag、Sn〇2、Ti〇2、V2〇5、
Cr2〇3、Fe2〇3、NiCo〇2、Ni〇、Cu〇、以〇2、pd〇、p叫、
Pb02及 Ru02。 -般而言’ 25%之重量損失表示碳奈米管之完全損失 但亦須考慮額外因素。若候選無縣絲護添加劑已保持 -些水分,則通常在靴之前即觀察到初始重量損失。 將:計入分析中一些候選無機氧化保護添加劑實 被巩化’且若保留氧則重量將增加,或若該候選材料 些部分作為氣相物質損失則重量將進—步減少。通常該 136263.doc -17· 200932815 等效果極為明顯。最後,存在瞬間重量損失之若干情況; 此通常指示具有真實火焰之燃燒而非平穩、持續之氧化。 實例1-硫化钥之初始評價 將藉由爐雷射燒蝕製備之碳奈米管(25 mg)與硫化鉬(75 mg,Alfa Aesar,批料號 100935, [/377_33-5],FW 16〇 〇8)組 合。將該混合物連同7 mm不銹鋼研磨球放入實驗室磨機 . [CertiPreP 5100 混合機 / 磨機,SPEX,LLC (Metuchen,NJ)] ❹ 之2 mL不銹鋼研磨小瓶中。將該容器蓋上並用電膠帶密 封,然後研磨5 min。然後藉由熱重分析來分析經充分混 合、粉碎的試樣。 於Hi-Res TGA 2950熱重分析儀上實施熱重分析。使用 TA InstrumentSi軟體對結果實施分析。稱量約2i5 mg量 之試樣至敞開銘盤中。在空氣中以4〇禮論氣流實施該等 为析。於環境溫度下開始分析並以丨〇乞/min升溫至 °C。熱迹線展示於圖1A中。氧化起始出現於454t,遠高 ❹ *未保護碳奈米管時觀察到的32〇t。因此,據認為此硫 化翻已為CNT提供保護。 實例2-許多試樣之初始評價 藉由該方法評價之其他化合物列舉於表丨中。對於試樣 乾燥之修正使得所有質量於2〇〇°C下均為1 00%。不具有添 加劑之碳奈米管之對照試樣展示於該表之中間且該對照試 樣之上或之下緊挨其之化合物與對照相比無統計上的差 "展示於圖1中之闡釋性實例表示所觀察行為之範圍。 圖1A係硫化銷(有用保護材料),如上述實例i中所論述。 136263.doc -18- 200932815 圖IB闡釋鎢粉末之保護作用。圖1C闡釋氧化鎢基本上未 顯示作用。圖1D闡釋NiCo02係促氧化劑,其可使得氧化 起始提前。 表1 :表現保護劑、促氧化劑及介於該兩種材料之間之材 料之選定材料之氧化起始溫度及保護指數("ΡΓ)。 化合物 拐點溫度 (°C)
PI
MoS2Β TaS2 ws2微米級 參
W奈米級 W03奈米級ws2 A1B12MoP Sb203 BN LaB6 MoB2 BC MoS2奈米級 GeSe2 Mo奈米級 M〇〇3 W〇2 TaN 發烟Al2〇3 TiN Ge02 Bi玻璃料 MoSi2 W03 Pt02 對照 發烟Ti〇2 Ta奈米級 WC AIN 454474 21006632410963107821009 9 653 5210<99·998877776'554444Φ3222221 1 111 444433 33333333333333333333333 3 333 }5)65585 3211774352107421 13lc9877 7766555543332222 ο ο·3·4·6 136263.doc -19- 200932815
Sn02奈米級 312 -7 NbP 310 -9 NbO 310 -9 鉛玻璃料 309 -10 TiSi 308 -11 ΑΤΟ 307 -12 TiC 306 -13 AI2O3 307 -12 CuZnFe2〇5 305 -14 Ti02 304 -15 ZnTi03 304 -15 Si〇2氧相二氧化矽 304 -15 凹凸棒石 304 -15 Bi203 301 -18 ITO 300 -19 發烟Si02 298 -21 ΙΠ2〇3 293 -26 PdO 293 -26 V2〇5 292 -27 Fe203 291 -28 Ce3ZrOg 289 -30 Ag奈米級 287 -32 BaFe2〇4 287 -32 BaTi03 286 -33 Cr203 285 -34 Sn粉末 285 -34 NiO 284 -35 NiCo02 283 -36 Fe2Ni04 283 -36 CuO 264 -55 Ru〇2 262 -57 Ag奈米級 239 -80 實例3-混合保護劑之初始評價 為測試保護材料組合之效能,對碳奈米管與A1B12及 A1N(其來自展示於表1中之測試)之預混合試樣加以組合並 充分混合。然後以相同方式測試試樣且其顯示於400°C下 開始氧化。此係優於分別發現於380°C及376°C下之A1B12 及A1N之個體中任一者的改良。 二次等溫評價之一般程序 136263.doc -20- 200932815 使彼等在上述筛選方法中有價值之試樣接受二次測試。 在-次測試中’再次藉由TGA測試來自初步㈣之粉碎試 樣。將試樣盡可能快地(約2⑽。c/min)加熱至人意溫度且 隨後於該溫度下監測質量隨時間之變化並持V;小時。於 35(TC、鐵、425t及爾下實施該等實驗。重量損失 百分比表㈣每—彼等溫度下之氧化速度。-錢護材料 於所有m·度下自賦予氧化穩定性而其他保護材料僅於一些 較低溫度下賦予穩定性。存在若干其中質量隨著保護材料 緩慢氧化而實際上增加的值得注意m對於彼等材料 而言’在不具有碳奈米管之情況下對保護材料實施對照測 試以使可對具有與不具有奈米管之兩種氧化速度進行比較 以確保不存在潛在CNT氧化。若至少一半的碳奈米管能經 受1小時的加熱則認為試樣通過該測試。 實例4 -钥奈米粉末之二次等溫評償 將藉由爐雷射燒蝕製備之碳奈米管(25 mg)與鉬奈米粉
末(75 mg,Aldrich 目錄號 577987-5g,<l〇0nm)組合。將該混 合物連同7 mm不銹鋼研磨球放入實驗室磨機[CerUprep 5100混合機/磨機’SPEX,LLC(Metuchen,NJ)]之2mL不 銹鋼研磨小瓶中。將該容器蓋上並用電膠帶密封,然後研 磨5 min。然後藉由熱重分析來分析經充分混合、粉碎的 試樣。 於Hi-Res TGA 2950熱重分析儀上實施熱重分析。使用 TA Instruments之軟體對結果實施分析。稱量4份不同的約 2-15 mg—定尺寸之試樣並將其加入敞開銘盤中。在空氣 136263.doc -21 · 200932815 中以40 ml/min氣流實施該等分析。於室溫(約25°c )下開始 分析並盡可能快地升溫至350〇c ’且隨後於該溫度下在6〇 分鐘時期内監測重量損失百分比。同樣於4〇〇t:、425^及 450C下为析各個試樣。熱迹線展示於圖2a中。在升溫過 程期間初始重量損失之後,於350它及4〇(rc下經過1小時 重量實質上無變化’於425〇c下經過1小時增加3%且於45〇 C下經過1小時質量增加8%。因此’認為硫化鉬已為CNT 提供保護。 實例S-許多試樣之二次評價 認為在初始篩選中起保護作用且藉由二次方法評價之其 他化合物列舉於表2中。應注意,在一或多個條件下,開 始5個試樣實際上質量増加,此表明保護材料經歷一定程 度的氧化。因此第一種化合物(g卩,矽化鉬)至少部分地氧 化為氧化鉬及二氧化矽。另一材料之犧牲氧化係保護碳奈 米管免於氧化之方法。對試樣乾燥進行修正使得所有質量 Φ 於350 C下均為100%初始重量(350-1)。 不具有添加劑之碳奈米管之對照試樣展示於該表之中間 .且該對照試樣之上或之下緊挨其之化合物與對照相比無統 計上的差異。展示於圖2中之闡釋性實例表示所觀察行為 之範圍。圖2A為鉬奈米粉末(來自實例3之良好保護材 料)。圖2B闌釋六硼化鑭之保護作用,其中於所有溫度下 在質篁上僅有輕微減少。圖2C闡釋磷化鎢於35(rc下有保 護作用’但該保護作用於更高溫度下效力降低以致於450 c下1小時後所有碳奈米管均消失。圖2D闞釋鎢奈米粉末 136263.doc •22- 200932815 於3 50 C及400 C下提供一些保護,但於更高溫度下,在重 量上存在相對較快的初始下降’其因鎢奈米粉末的隨後氧 化及重量增益而不被覺察。 表2 :多種化合物在4個不同溫度下之持續保護指數(展示 重量損失百分比)。 raw.…-.V.»-™. ........ „ SPI425 ]SPl450™ f-·.·™ -..............4-V. --w~.- ...
化合物 rMoSi2j HZTIT— 藏 =¾奈来级 J^〇bJ'3—: 307¾ TiaN — :Mo03 LaB6 ;BC^ '一 W02 ~ f〇3奈米奴 ^WMrS'-liyS««yhv-XNSfcSWAW^SW^S1.YvAM.-A-V,l,,'W.1.,1.1V...AV,VliWW, 玻璃料 rMoS2 1,·/.-^^^--ν·-ΜΛ· A·.-. [MoP |A 旧 12 VJIV ;lvvrrtw ;Sb203 il^S2 ~ .卜‘ BN — :Pb IWS2 rWS2 WP r.Vv.^V..-Λν,..^ ίΛΝ.... Μ查米緣 AI203 ❹ 評償場發射器件中之氣化保護的一般方法 * 使用包含兩個電極(其中一個作為陽極或集電極且另一 • 個作為陰極)之平板發射量測單元對所得試樣實施場發射 測試。陰極由安裝於聚四氟乙烯(PTFE)支架中之銅塊組 成。將銅塊凹陷於PTFE之1英忖xl英叶(2.5 cm X 2.5 cm)區 域之中且將試樣基板安裝至銅塊以借助銅帶使該銅塊與試 樣基板之間達成電接觸。將高壓引線附接至銅塊。使陽極 136263.doc -23- 200932815 與試樣相距一定距離保持平行,該距離可改變,但一旦選 定,則其對於試樣之既定量測組而言保持固定。除非另有 說明’否則使用1.25 mm之間距。由塗覆有氧化銦錫之玻 璃板組成之陽極係藉由化學氣體沈積來沈積。然後用得自
Electronic Space Products International之標準的基於ZnS之 磷光體(磷光體Ρ·31,139型)塗覆該陽極。將電極附接至該 ' 氧化銦錫塗層。 將測試裝置插入真空系統中且將該系統抽真空至低於1 ❹ -5 xlO·托(1.3xl0-3 Pa)之基本壓力。將於6〇 Hz頻率下具有3 psec的典型脈衝寬度之負電壓脈衝施加於陽極且量測發射 電流隨所施加電壓之變化。用相機記錄由發射電流導致磷 光體發射的影像。 實例6-評價用硫化鉬保護之 場發射器件中之氧化保護 於3個不同條件下研究藉由爐雷射燒蝕製備之碳奈米 ⑩ 管。對於3份試樣,量測發射電流隨所施加電壓之變化。 於1/1000工作循環之下量測所有試樣。在帶式爐中於420 °C下燒製所有3份試樣且隨後將帶活化。所得結果展示於 圖3中。頂部曲線係在氮氣氛中燒製之未經保護的材料且 代表該系統之最佳性能。底部曲線係在空氣而非氮氣中於 420 C下燒製之相同試樣。由於碳奈米管之氧化發射顯著 減少。中部曲線係相同但含有在空氣中於42〇下燒製之 硫化奈米顆粒之材料。在氮氣中燒製之試樣發射減少但 其明顯比在空氣中燒製且無硫化鉬之試樣好。 136263.doc •24- 200932815 當本文闡述或建立了數值範圍時’該範圍包括其端點及 所有在該範圍内之個別整數及小數,而且亦包括其中之每 一較窄範圍,其由彼等端點及内部整數及小數之所有各種 可能組合形成所述範圍内各數值的較大群之亞群而形成, 如同每一彼等較窄範圍已被明確闡述一般。當本文所述數 值範圍大於闡述值時,該範圍仍然係有限的且由在本文所 ' 述本發明之上下文内可行的值限制其上限。當本文所述數 β 值範圍小於闡述值時,則該範圍係由非零值限制其下限。 在本說明書中,除非在用法的上下文中另有明確說明或 說明相反情況,否則,本文所列舉之數量、尺寸、範圍、 調配物、參數及其他數量及特徵(尤其當由詞語”約"進行修 飾時)未必精確且亦可為大約及/或大於或小於所述值(若合 意)’此反映公差、轉換因數、舍入、量測誤差及諸如此 類而且亦包括在彼等值之所述值之外但在本發明之上下 文中具有與所述值等效之功能及/或操作性之情況。 ❹ 【圖式簡單說明】 圖1 :利㈣升溫之初始測試之圖示:a)硫化翻之抗氧 . π劑保€ ; b)鎢粉末之抗氧化劑保冑;c)w〇3顯示無作 用;d)NiCo〇2顯示促氧化。 圖2 . -次等溫測試之圖示a)銷奈米粉末;^六蝴化鋼; c)磷化鎢;d)鎢奈米粉末。 圖3 :經保護及未經保護及經氮燒製的碳㈣管發射器 之性能:◊於I氣氛中燒製;〇於空氣中在有MoS2保護之 下燒製,□於空氣中在無保護劑之情況下燒製。 136263.doc •25·

Claims (1)

  1. 200932815 十、申請專利範園: ;種物質組合物,纟包含碳奈米管及一或多種保護材 料其中該、組合物具有超出CNT純淨物之氧化起始溫度 至夕約5(:之氧化起始溫度(如藉由升溫熱重分析確定)。 2. 月求項1之組合物,其中該組合物包含以該組合物之 總重量叶之量為約〇.01 至約20 wt%之碳奈米管。 3, 士叫求項1之組合物,其進一步包含聚合物、溶劑、光 ϋ &劑 ' 光可硬化單體、光酸產生劑及酸增溶 組份中的一或多種。 4.如咕求項丨之組合物,其係呈可印刷之膏或油墨之形 式。 5 .如吻求項1之組合物’其中該組合物之試樣在約35〇<»C至 約45〇°C範圍内之溫度下實施丨小時等溫熱重分析結束時 具有為該測試開始時該試樣重量的至少約85%之質量。 6. 如明求項1之組合物’其中該保護材料包含一或多種材 ❹ 料’其選自由B、Mo、Ta及W組成之金屬群及/或選自由 下述組成之化合物群:M〇p、m〇B2、WP、W03、W02、 LaB6、TaN、TaS2、Mo03、BC、叙玻璃、A1B12、BN、 Ta、MgB2、ZrB2、m、AsB6、CeB4、yBi2、MgB2、 TaB、TaB2、NbB2、m〇S2及 WS2。 7, 如請求項1之組合物,其中該保護材料包含一或多種材 料’其選自由Β、Mo、Ta及W組成之金屬群及/或由下述 組成之化合物群:MoB2、WP、W〇3、W〇2、LaB6、 TaN、Mo〇3、BC、鉍玻璃、MoS2、MoP、TaS2、 136263.doc 200932815 A1Bu、BN、Sb03、WS2及 MoSi2。 8. 一種陰極總成、三極管總成或電子場發射器,其包含如 請求項1之組合物。 9. 一種物質組合物,其包含碳奈米管及一或多種保護材 料,其中該組合物之試樣在約350°C至約450°C範圍内之 度下實施1小時等溫熱重分析結束時具有在該測試開 始時該試樣重量的至少約85%之質量。 10. 一種物質組合物’其包含呈混合物的碳奈米管及一或多 響 種材料,該等材料係選自由B、Mo、Ta及W組成之金屬 群及/或選自由下述組成之化合物群:MoP、MoB2、 WP、W03、W02、LaB6、TaN、TaS2、Mo〇3、BC、鉍 玻璃、A1B12、BN、Ta、MgB2、ZrB2、TiB2、AsB6、 CeB4、YB12、MgB2、TaB、TaB2、NbB2、MoS2及 WS2。 136263.doc
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