TW200929518A - Light emitting diode - Google Patents
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200929518 九、發明說明: .【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種發光二極體,尤其涉及一種具有較佳 散熱效果之發光二極體。 【先前技術】 目前,發光二極體(Light Emitting Diode,LED)因具光 質佳及發光效率高等特性而逐漸取代冷陰極螢光燈(Cold Cathode Fluorescent Lamp,CCFL),成為照明裝置中之發光 ❹元件’具體可參閱Michael S. Shur等人於文獻Proceedings of the IEEE, Vol. 93,No. 10 (2005 年 10 月)中發表之 “Solid-State Lighting: Toward Superior Illumination” 一 文。 發光二極體於使用過程中之穩定性容易受周圍溫度之 影響,例如,當溫度過高時’發光二極體晶片之發光強度 容易發生衰減,從而導致其使用壽命變短。 有鑒於此,提供一種可獲得較佳散熱效率之發光二極 ❹體實為必要。 【發明内容】 下面將以實施例說明一種具有較佳散熱效率之發光二 極體。 一種發光二極體’其包括一個發光二極體晶片,一個 第一導電塊,一個第二導電塊以及一個透明封裝體。該發 光二極體晶片具有一第一電極和一第二電極,該第一導電 塊上形成一碗杯以容納承載該發光二極體晶片,該發光二 7 200929518 .極體晶片之第一雷& &斗蛛 -該第一導電塊作為一—導電塊形成電性連接,以使 .二與該第-導電境電絕緣,該發 :第= 與該第二導雷坆报士带日月之第—電極 發光二極體之第:“’連接’以使該第二導電塊作為該 m:該透明封裝體覆蓋於該發光二極 日曰月弟-導電塊及第二導電塊之上。 第4=Τ’本發明之發光二極體利用於塊狀之 C)利用碗杯以容納承載該發光二極趙晶片’且 Μ 以及第—導電塊作為該發光二極體之第 i電ΐ:!二電極,因此’其並不需要對該第-導電塊及 -導電塊進彳Τ彎折,從而不存於應力之問題。且由於該 發,二極體晶片是設置於該塊狀之第—導電塊上,因此, 該第-導電塊可對發光二極體晶片進行散熱以降低該發光 二極體晶片之溫度’從而延長該發光二極體晶片之壽命, 並使該發光二極體具有較佳之散熱效率。進一步地,由於 ❾該發光二極體晶片係設置於該塊狀之第一導電塊之碗杯 上,而該塊狀之第一導電塊是採用同種材質一體成型,因 此,該第一導電塊之熱膨脹係數相同,於使用中不會由於 熱膨脹係數不同而產生裂痕,導致水氣沿裂痕進入該碗杯 中腐蝕該發光二極體晶片。 【實施方式】 下面結合附圖將對本發明實施例作進一步之詳細說 明。 請參閱圖1及圖2’本發明第一實施例提供之一種發光 8 200929518 .二極體100,該發光二極體100包括一個發光二極體晶片 - 110,一個第一導電塊120,一個第二導電塊130,以及一 個透明封裝體140。 該發光二極體晶片110上具有一個第一電極111以及 一個第二電極112。於該第一電極111.以及第二電極112上 施加一定之電壓可使該發光二極體晶片110發光。 該第一導電塊120為一塊狀結構,其上形成一碗杯121 以容納承載該發光二極體晶片110。具體地,於該第一導電 ❹塊120之一表面上開設一凹槽,從而形成該碗杯121。該碗 杯121可藉由對該第一導電塊120進行衝壓、蝕刻、擠制、 切削或其他成型方式而形成。該第一導電塊120與該發光 二極體晶片110之第一電極111間形成電性連接,以使該 第一導電塊120作為該發光二極體100之第一電極。於本 實施例中,該第一導電塊120藉由一導線161與該發光二 極體晶片110之第一電極111間形成電性連接。該第一導 電塊120可採用鋁、銅等導電材料製成。優選之,該第一 〇 ¥導電塊120之碗杯121上可塗敷一層反射層,其可採用銀 或其他高反射率物質而製成,以增加增個發光二極體100 之發光效率。該發光二極體晶片110可藉由一黏膠黏附於 該第一導電塊120之碗杯121上。 該第二導電塊130為一個塊狀結構,其與該第一導電 塊120電絕緣。具體地,該第二導電塊130與第一導電塊 120之間設置一絕緣體150,以電絕緣該第二導電塊130與 該第一導電塊120,該絕緣體150可採用塑膠材質製成。該 9 200929518 第二導電塊130與該發光二極體晶μ 11〇之第 之間形成電性連接,以使兮笔一—電極112 極_ 100之接/使該第-導電塊m作為該發光二 — 於本實施财,該第二導電塊130 糟由另料162與該發光二極體11〇之第二電極出 間形成電性連接。”二㈣塊謂可為— 其橫截面可為矩形,正方 狀、,,。構 ㈣-莫雷換” η ㈣—角形,多邊形或圓形等等。 該第一¥電塊130可採用紹、銅等導電材料製成。 Ο 該透明封裝體⑽覆蓋住該發光二極體晶片⑽,第一 導電塊120以及第二導電塊13〇上以將其封裝於一起。該 =封裝體140可採用環氧樹脂(ep〇xy)、矽樹脂㈣ 或其他透明絕緣材質製成。該透明封裝體⑽内可推 光粉,以將該發光二極體晶片11〇所發出之光轉換㈣他 顏色之光,如白光。該透明封裝體14〇具有一相對於該發 先二極體晶片之表面141,該表面141可為圓孤形或平板 形,以對該發光二極體晶片11G所發出之光產生聚光作用, 然後出射。且該發光二極體之第—導電塊⑽以及第 電塊130均位於該透明封裝體14〇之覆蓋區域内(如圖^斤 示)。 〃請:併參閱圖3’該發光二極體⑽之第—導電塊12〇 及第二導電塊13G可藉由表面黏著方式設置於—電路板 細上。具體地,該電路板2〇〇之第一表面21〇上塗敷有對 應於第一導電塊12〇之第一導電膠22〇,以及對應於第二導 電塊130之第二導電膠23〇,將該發光二極體之第一導 電塊120及第一導電塊13()對應設置於該電路板細之第 200929518 一導電膠220及第二導電膠230上,然後置入一錫爐,從 •而將該發光二極體100安裝於該電路板200上。該電路板 .200之第二表面240上可設置一散熱元件250以對該發光二 極體100及該電路板200進行散熱。優選之,該第一導電 膠220及第二導電膠230可為錫膏。. 本發明之發光二極體100利用於塊狀之第一導電塊 120上形成碗杯121以容納承載該發光二極體晶片110,且 利用該第一導電塊120以及第二導電塊130作為該發光二 〇極體100之第一電極及第二電極,因此,其並不需要對該 第一導電塊120及第二導電塊130進行彎折,從而不存於 應力之問題。且由於該發光二極體晶片110是設置於該塊 狀之第一導電塊120上,因此,該第一導電塊120可對發 光二極體晶片110進行散熱以降低該發光二極體晶片110 之溫度,從而延長該發光二極體晶片110之壽命。進一步 地,由於該發光二極體晶片110是設置於該塊狀之第一導 電塊120之碗杯121上,而該塊狀之第一導電塊120是採 ®用同種材質一體成型,因此,該第一導電塊120之熱膨脹 係數相同,於使用中不會由於熱膨脹係數不同而產生裂 痕,導致水氣沿裂痕進行碗杯121,腐蝕該發光二極體晶片 110 ° 請參閱圖4,本發明第二實施例提供之一種發光二極體 300,該發光二極體300與第一實施例所提供之發光二極體 100大致相同,其不同在於,該發光二極體300進一步包括 一次黏著基台370,該發光二極體晶片310以覆晶方式(Flip 11 200929518 chip)設置於該次黏著基台37〇上。 具體地,該次黏著基台370包括一絕緣基板(未標示) •以及开)成於該絕緣基板上之金屬電路(圖未示)。該發光二 極體晶片310之第一電極311及第二電極312藉由金屬凸 塊380接合於該次黏著基台37〇上,該金屬凸塊可為 ,球。藉由該次黏著基台37〇上之金屬電路及連接該次黏 著基台370與該第一導電塊32〇及第二導電塊33〇之導線 39〇,該發光二極體晶片310之第一電極311與第二電極312 ©分別與該第-導電塊32〇及第二導電塊33〇形成電性連 接。該絕緣基板可採用石夕,氮化銘,氧化皱,二氧化石夕, 鑽石,類鑽石等材質製成。 θ綜上所述,本發明確已符合發明專利之要件,遂依法 提出專利申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施方 式基自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案 技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化,皆 ❹應涵蓋於以下申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 -圖1係本發明第一實施例所提供之一種發光二極體 示意圖。 圖2係如圖1所示之發光二極體之仰視圖。 一圖3係如圖1所示之發光二極體安裝於一電路板上之 不意圖。 —圖4係本發明第二實施例所提供之一種發光二極體之 12 200929518 * 【主要元件符號說明】 發光二極體 100 , 300 - 發光二極體晶片 110 , 310 發光二極體晶片之第一電極 111 , 311 發光二極體晶片之第二電極 11.2,312 第一導電塊 120 , 320 碗杯 121 第二導電塊 130 , 330 ❹ 透明封裝體 140 透明封裝體之表面 141 絕緣體 150 導線 161 , 162 , 390 電路板 200 電路板之第一表面 210 第一導電膠 220 Ο 第二導電膠 230 電路板之第二表面 240 散熱元件 250 次黏著基台 370 金屬凸塊 380 13
Claims (1)
- 200929518 十、申請專利範圍: 1.一種發光二極體,其包括 一個發光二極體黑^!,# & , ^ „ 片該發光二極體晶片具有一第一雷炻 和一第二電極; 步电極 一個第一導電塊,該筮— °弟 $電塊上形成一碗杯以容納居# 該發光二極體晶片,贫议,_ 谷納承載 一導電塊形A H 光二極體晶月之第一電極與該第 極體之一第一電極; 勹邊嗌先一 〇 個第·一導電塊,盆盘兮楚 ^ ,、興該第一導電塊電絕緣,該發弁-技 體晶片之第二電極盘兮第— 第二導電塊作為該發光-極俨 使該 一極體之一第二電極,該 塊與該第二導電塊均為一塊狀結構; 私 個透明封裝體’其覆蓋於該發光二極體晶 塊及第二導電塊上。 乐¥電 2.如申請專利範圍第i項所述之發光二極體,其中,進一步 包括-絕緣體’其設置於該第一導電塊與第二導電塊之= ◎以將該第一導電塊與第二導電塊電絕緣。 3一·如申請專利範圍帛i項所述之發光二極體,其中,該發光 =極體晶片之第一電極藉由一導線與該第一導“電 性連接,該發光二極體晶片之第二電極藉由另一導線與該 第二導電塊形成電性連接。 〃 4.如申請專利範圍第i項所述之發光二極體,其中’該發光 二極體之第一導電塊與第二導電塊以表面黏著方式設置於 一電路板上。 14 200929518 5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體,其中,該發光 二極體之第一導電塊與第二導電塊均位於該透明封裝體之 覆蓋區域内。 6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體,其中,該第一 導電塊之碗杯上塗覆一反射層。 7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體,其中,該發光 二極體晶片藉由一黏膠設置於該第一導電塊之碗杯上。 8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體,其中,進一步 〇包括一次黏著基台以及分別連接該次黏著基台與該第一導 電塊及第二導電塊間之導線,該發光二極體晶片以覆晶方 式没置於該次黏著基台上,且藉由該次黏著基台及導線, 該發光二極體晶片之第一電極與第二電極分別與該第一導 電塊及第二導電塊形成電性連接。 9. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體,其中,該發光 '一極體曰曰片错由金屬凸塊接合於該次黏著基台上。 ❹1〇·+如申請專利範圍第8項所述之發光二極,其中’該次 黏著基台包括一絕緣基板以及一形成於該絕緣基板上之金 15
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