TW200926471A - Touch panel and displaying device using the same - Google Patents

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Kai-Li Jiang
Liang Liu
Shou-Shan Fan
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Hon Hai Prec Ind Co Ltd
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200926471 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種觸摸屏及顯示裝置,尤其涉及一種採 用奈米碳管作透明導電層的觸摸屏及使用該觸摸屏的= 裝置。 ” μ 【先前技術】 ❹ ❹ 近年來,伴隨著移動電話與觸摸導航系統等各種電子 設備的高性能化和多樣化的發展,在液晶等顯示設備的前 面安裝透光性_摸屏的電子設備逐步增加。這樣的電子 =備的利用者通過觸摸屏,—邊對位于觸摸屏背面的顯示 設備的顯示内容進行視覺確認,—邊利用手 ^壓觸摸屏來進行操作。故,可以操作電子設備的各種= 月fc» 0 按照觸摸屏的工 摸屏分爲四種類型, 及表面聲波式。其中 能力强應用較爲廣泛 作原理和傳輸介質的不同,現有的觸 分別爲電阻式、電容式、紅外線式以 電容式觸摸屏因準確度較高、抗幹擾 式觸術中的電容式觸摸屏(請參見“連續薄膜電1 ,李樹本等,光電子技術,v〇"5 屬雷梅 ^ 破璃基板,一透明導電層,以及多個$ 屬電極。在該雷宜4'叙丄 ^ ,u ^ 璃。透M ㈣ 玻璃基板的材料爲納㈣ 导冤層爲例如銦錫氧化 (ΑΤΟ)等透明材料 H錦鍚乳化物 金屬(例如銀)心φ 過㈣具有低電阻的導電 /成。電極間隔設置在透明導電層的各個 200926471 .角處。此外,透明導電層上塗覆有防護層。該防護層由液 體玻璃材料通過硬化或緻密化工藝,並進行熱處理後,硬 化形成。 ❹ ❹ 當手指等觸摸物觸摸在觸摸屏表面上時,由于人體電 場,手指等觸摸物和觸摸屏中的透明導電層之間形成一個 耦合電容。對于高頻電流來說,電容爲直接導體,手指等 觸摸物的觸摸將從接觸點吸走一個很小的電 分別從觸摸屏上的電極中流出,並且流經這四個 流與手指到四角的距離成正比,觸摸屏控製器通過對這四 個電流比例的精確計算,得出觸摸點的位置。 故,透明導電層對于觸摸屏爲一必需的部件,先前技 術中透明導電層通常採用IT0層,然,IT〇層作爲透明導 電層具有機械和化學耐用性不够好等缺點。進一步地,採 用ΙΤΟ層作透明導電層存在電阻阻值分布不均勻的現象, 導致現有的電容式觸摸屏存在觸摸屏的分辨率 不高等問題。 -爾啤度 有鑒于此,確有必要提供一種分辨率高、精確度高及 耐用的觸摸屏,以及使用該觸摸屏的顯示裝置。又同 【發明内容】 明導:Γ摸屏’嫩:一基體;一透明導電層,該透 月¥電層設置于上述基體的—表面;以及至少兩個電極, 該至少兩個電極間隔設置並與該透明導電層電連接。1 :,所述的透明導電層包括至少兩個重叠的奈米碳管層了 母一奈米碳管層包括多個定向排列的奈米碳管,且相^的 200926471 兩個奈米碳管層中的奈米碳管沿同一方向排列。 種顯不裝置’其包括:—觸摸屏,該觸摸屏包括一 •基體,一透明導電層,該透明導電層設置于上述基體的— 表面,以及至少兩個電極,該至少兩個電極間隔設置並與 該透明導電層電連接;一顯示設備,該顯示設備正對且靠 近觸摸屏的基體設置。其中,所述的透明導電層包括至少 兩個重叠米碳管層,每一奈米碳管層包括多個定向排 列的不米石厌官’且相鄰的兩個奈米碳管層中的奈米碳管沿 同一方向排列。 與先前技術相比較,本技術方案提供的觸摸屏及顯示 裝置具有以下優點:其一,透明導電層包括至少兩個重叠 的奈^碳管層,由于奈米碳管層具有較好的力學性能,從 而使得上述的透明導電層具有較好的機械强度和韌性, 故,採用上述的奈米碳管層作透明導電層,可以相應的提 高觸摸屏的耐用性,進而提高了使用該觸摸屏的顯示裝置 ❹的对用性。其二,上述奈米碳管層中的奈米碳管層包含多 個不米石反官,上述的奈米碳管在每一奈米碳管薄膜中定向 排列且相鄰的兩個奈米碳管層中的奈米碳管沿同一方向 排列。故,採用上述的奈米碳管層作透明導電層,可使得 透明導電層具有均勻的阻值分布,從而提高觸摸屏及使用 該觸摸屏的顯示裝置的分辨率和精確度。 【實施方式】 1下將結合附圖對本技術方案作進一步的詳細說明。 請參閱圖1和圖2,觸摸屏2〇包括一基體22、一透明 200926471 導電層24、一防護層26及至少兩個電極28。基 -第一表面221以及與第-表自221相對的第二表 1 • 222。透明導電層24設置在基體22的第一表面221上;上 •述至少兩個電極28分別言史置在透明導·24㈣個角處 或邊上,且與透明導電層24形成電連接,用以在透明導電 層24上形成等電位面。防護層26可直接設置在透明導電 層24以及電極28上。 所述基體22爲一曲面型或平面型的結構。該基體22 由玻璃、石英、金剛石或塑料等硬性材料或柔性材料形成。 所述基體22主要起支撑的作用。 所述透明導電層24包括至少兩個重叠的奈米碳管 層,每一奈米碳管層包括多個定向排列的奈米碳管,且相 鄰的兩個奈米碳管層中的奈米碳管沿同一方向排列。 進一步地,上述每一奈米碳管層可以爲一個奈米碳管 薄膜或多個平行且無間隙的鋪設的奈米碳管薄膜。在每一 ❾個奈米碳管層中,奈米碳管沿同一方向排列。可以理解, 由于上述的奈米碳管層中的奈米碳管薄膜可以平行且無間 隙的鋪設’故,上述奈米碳管層的的長度和寬度不限,可 根據實際需要製成具有任意長度和寬度的奈米碳管層。此 外’由于上述奈米碳管層中的奈米碳管薄膜還可重叠設 置,故,上述奈米碳管層的厚度也不限,可根據實際需要 製成具有任意厚度的奈米碳管層。 進一步地,上述的每個奈米碳管層中的每一奈米碳管 薄膜都包括多個首位相連且擇優取向排列的奈米碳管束, 200926471 =鄰的奈米碳管束之間通過凡德瓦爾力連接。由于奈米碳 官薄膜具有的勃性,可以彎折,故本技術方案實施例 中的不'米碳5薄臈可爲平面結構也可爲曲面結構,從而本 技術方案提供的透明導電層24及觸摸屏也可爲曲面結 構或平面結構。 ❹ ❹ 本實施例中,該奈米碳管薄膜的寬度與奈米碳管陣列 所生長的基底的尺寸有關,該奈米碳管薄膜的長度不限, 可根據實際需求製得。本實施例中採用4英寸的基底生長 超順排奈米奴官陣列,該奈米碳管薄膜的寬度可爲〇爪厘 米:1〇厘米,該奈米碳管薄膜的厚度爲G5奈米〜微米。 所述奈米碳管包括單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管及多壁 奈f碳管中的—種或几種。當奈米碳管薄膜中的奈米碳管 爲皁壁奈米碳管時’該單壁奈米碳管的直徑爲〇 5奈米〜5〇 奈米。當奈米碳管薄膜中的奈米碳管爲雙壁奈米碳管時, 該雙壁奈米碳管的直徑冑1G奈来〜5()奈米。當 薄膜中的奈米碳管爲多壁奈米碳管時,該多壁奈米碳管二 直徑爲1.5奈米〜50奈米。 B ^ 本技術方案實施例透明導電I 24製備方法 括 以下步驟: 枯 步驟-:提供一奈米碳管陣列,優選地, 順排奈米碳管陣列。 局超 本技術方案實施例提供的奈米碳管陣列爲單壁夺 管陣列、雙壁奈米碳管或多壁奈米碳管陣列。本實施例中反 超順排奈米碳管陣列的製備方法採用化學氣相沈積法,1 200926471 具體步驟包括:(a)提供一平整基底,該基底可選用p型 或N型石夕基底,或選用形成有氧化層的石夕基底,本實施例 .優選爲採用4英寸的石夕基底;(b)在基底表面均句形成一 催化劑層,該催化劑層材料可選用鐵(Fe)、鈷(c〇)、鎳 (Νι)或其任意組合的合金之一;(c)將上述形成有催化 劑層的基底在700〜90(TC的空氣中退火約3〇分鐘〜9〇分 鐘,(d)將處理過的基底置于反應爐中,在保護氣體環境 ❹下加熱到500〜74(TC,然後通入碳源氣體反應約5〜3〇分 鐘’生長得到超順排奈米碳管陣列,其高度爲2〇〇〜4〇〇微 米。該超順排奈米碳管陣列爲多個彼此平行且垂直于基底 生長的奈米破管形成的純奈米碳管陣列。通過上述控製生 長條件,該超順排奈米碳管陣列中基本不含有雜質,如無 定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等。該奈米碳管陣列中的 奈米碳管彼此通過凡德瓦爾力緊密接觸形成陣列。該奈米 碳管陣列與上述基底面積基本相同。 ❹ 本實施例中碳源氣可選用乙炔、乙烯、甲烷等化學性 質較活潑的碳氫化合物,本實施例優選的碳源氣爲乙炔; 保護氣體爲氮氣或惰性氣體,本實施例優選的保護氣體爲 氬氣。 可以理解,本實施例提供的奈米碳管陣列不限于上述 製備方法。也可爲石墨電極恒流電弧放電沈積法、激光蒸 發沈積法等。 步驟二:採用一拉伸工具從奈米碳管陣列中拉取獲得 —奈米碳管薄膜。其具體包括以下步驟:(a)從上述奈米 11 200926471 碳管陣列中選定一定寬度的多個奈来碳管片斷’本實施例 優採用具有一定寬度的膠帶接觸奈米碳管陣列以選定 • -定寬度的多個奈米碳管片斷;(b)以一定速度沿基本垂 直于奈米石反官陣列生長方向拉伸該多個奈来碳管片斷,以 形成一連續的奈米碳管薄臈。 在上述拉伸過程中,該多個奈米碳管片段在拉力作用 下沿拉伸方向逐漸脫離基底的㈣,由于凡德瓦爾力作 ❹用,該選定的多個奈米碳管片斷分別與其他奈米碳管片斷 τ尾巧地連續地被拉出,從而形成一奈米碳管薄膜。該 奈米奴官薄膜包括多個首尾相連且定向排列的奈米碳管 束。該奈米碳管薄膜中奈米碳管的排列方向基本平行于奈 米碳管薄膜的拉伸方向。 ” γ驟一.製備兩個奈米碳管層,並重叠設置,從而形 成透明導電層24。 取上述製備的兩個奈米碳管薄膜分別作一奈米碳管 ❿層、,即母-奈米碳管層包括一個奈来碳管薄膜。重叠設置 述的兩個不米碳官層,並使得到上述兩個奈米礙管層中 的定向排列的奈米碳管沿同一方向排列。可以理解,由于 奈米碳管薄獏中奈米碳管的排列方向基本平行于奈求碳管 薄膜的拉伸方向,故,可以使得上述的兩個奈米碳管層之 間的奈米碳管都沿著平行于奈米碳管薄膜的拉伸方向排 列。 叫參閱圖3,該奈米碳管薄膜爲擇優取 奈米碳管束首尾相連形杰的且古 堤形成的具有一疋寬度的奈米碳管薄 12 200926471 膜。該奈米碳管薄膜中奈米碳管的排列方向基本平行于奈 求碳管薄膜的拉伸方向。該直接拉伸獲得的定向排列的奈 .米碳管薄膜比無序的奈米碳管薄膜具有更好的均勻性,即 .具有更均勻的厚度以及更均勻的導電性能。同時該直接拉 伸獲得奈米碳管薄膜的方法簡單快速,冑纟進行工業化應 用。 可以理解,由于本實施例超順排奈米碳管陣列中的奈 ❹米碳管非常純淨,且由于奈米碳管本身的比表面積非常 大’所以該奈米碳管薄膜本身具有較强的粘性。因此,該 奈米碳管薄膜作爲透明導電層24可直接㈣在基體22的 一個表面上。 另外,可使用有機溶劑處理上述粘附在基體22上的奈 米碳管層。具體地,可通過試管將有機溶劑滴落在奈米碳 管層表面浸满整個奈米碳管層。該有機溶劑爲揮發性有機 溶劑’如乙醇、甲醇、丙酮、二氣乙院或氣仿,本實施例 ©中採用乙醇。所述至少兩個奈米碳管層經有機溶劑浸潤處 理後,在揮發性有機溶劑的表面張力的作用下,每一奈米 碳管層中的平行的奈米碳管片斷會部分聚集成奈米石1.管 束,因此,該奈米碳管薄膜可牢固地貼附在基體表面,且 表面體積喊小,祕降低,具有良好的機械强度絲性。 可以理解,所述透明導電層24和基體22的形狀可以 根據觸摸屏20的觸摸區域的形狀進行選擇。例如觸摸屏 20的觸摸區域可爲具有一長度的長線形觸摸區域、三㈣ 觸摸區域及矩形觸摸區域等。本實施例中,觸摸屏的觸 13 200926471 摸區域爲矩形觸摸區域。 也可摸區域’透明導電層24和基體22的形狀 . 形。爲了在上述的透明導電層24上形成均勻的電 ‘阻網絡,需在該透明導電層24的四個角處或四邊上分別形 土::電二28。上述的四個電極28可由金屬材料形成。 在本實施财,基體22爲玻璃基板,所述四個電 極28爲由銀或銅等低電阻的導電金屬鐘層或者金屬猪片 ❹組成的條狀電極28。上述電極28間隔設置在上述的透明 導電層24同-表面的四個邊上。可以理解,上述的電極 28也可以設置在透明導電層24的不同表面上或基體π的 ^表面上’其關鍵在于上述電極28的設置能使得在透明 V電層24上形成等電位面即可。本實施例中,所述電極 28設置在透明導電㉟24的遠離基體的一個表面上。所述 電極28可以採用濺射、電鐘、化學鐘等沈積方法直接形成 在透明導電層24上。另外,也可用銀膠等導電枯結劑將上 ❹述的四個電極28粘結在透明導電層24上。 可以理解’所述的金屬電極28亦可設置于透明導電層 24與基體22之間,且與透明導電層24電連接,並不限于 上述的設置方式和粘結方式。只要能使上述的電極28與透 明導電層24上之間形成電連接的方式都應在本發明的保 護範圍内。 進一步地’爲了延長透明導電層24的使用壽命和限製 耦合在接觸點與透明導電層24之間的電容,可以在透明導 電層24和電極之上設置一透明的防護層26,防護層26可 14 200926471 、氧切、笨並環丁烯(励)、聚®旨膜或丙烯酸 树月曰專形成。該防護層26具有4的硬度’對透明導電層 24起,騎用。可以理解,還可通過特殊的卫藝處理,從 =使仔防4層26具有以下功能’例如减小炫光、降低反射 等。 ^在本實施例中,在形成有電極28的透明導電層24上 設置—二氧化石夕層用作防護層26,該防護層26的曰硬度達 ❹=7Η(Η爲洛氏硬度試驗中,卸除主試驗力後,在初試驗 下壓痕殘留的深度)。可以理解,防護層26的硬度和厚 度可以根據需要進行選擇。所述防護層26可以通過導電銀 膠直接粘結在透明導電層24上。 ―此外’爲了减小由顯示設備產生的電磁幹擾,避免從 觸摸屏2G發出的信號産生錯誤,還可在基體22的第二表 面222上設置一屏蔽層25。該屏蔽層乃可由銦錫氧化物 薄膜(ιτο)、銻錫氧化物薄Μ (ΑΤ〇)或奈米碳管薄膜等 透明導電材料形成。所述的奈米碳管薄膜可以爲定向排列 的或其匕結構的奈米碳管薄膜。本實施例中,該屏蔽層^ 的〜體、、Ό構可與㈣導電層24相同。該奈米碳管薄膜作爲 電接地點’起到屏蔽的作用,從而使得觸摸屏20能在無幹 擾的環境中工作。 請參閱圖4及圖2,本技術方案實施例提供一顯示裝 置1〇〇,該顯示裝置100包括一觸摸屏20’ 一顯示設備30。 :顯示設備30正對且靠近觸摸屏2〇的基體第二表面功 又置進ν地,上述顯示設備30與觸摸屏20間隔—預 15 200926471 定距離設置或集成設置。 所述顯示設備30可以爲液晶顯示器、場發射顯示器、 電漿顯示器、電致發光顯示器、真空螢光顯示器及陰極射 線管等顯示設備中的一種。 請參閱圖5及圖2,進一步地,當顯示設備30與觸摸 屏20間隔一定距離設置時,可在觸摸屏20的屏蔽層25 遠離基體22的一個表面上設置一鈍化層104,該鈍化層104 可由氮化石夕、氧化石夕、苯並環丁烯、聚S旨膜、丙烯酸樹脂 ® 等材料形成。該鈍化層104與顯示設備30的正面間隔一間 隙106設置。具體地,在上述的鈍化層104與顯示設備30 之間設置兩個支撑體108。該鈍化層104作爲介電層使用, 所述鈍化層104與間隙106可保護顯示設備30不致于由于 外力過大而損壞。 當顯示設備30與觸摸屏20集成設置時,可將上述的 支撑體108直接除去,而將鈍化層104直接設置在顯示設 φ備30上。即,上述的鈍化層104與顯示設備30之間無間 隙地接觸設置。 另外,上述的顯示裝置100進一步包括一觸摸屏控製 器40、一顯示設備控製器60及一中央處理器50。其中, 觸摸屏控製器40、中央處理器50及顯示設備控製器60三 者通過電路相互連接,觸摸屏控製器40連接電極28,顯 示設備控製器60連接顯示設備30。 本實施例觸摸屏20及顯示裝置100在應用時的原理如 下:觸摸屏20在應用時可直接設置在顯示設備30的顯示 16 200926471 面上。觸摸屏控製器40根據手指等觸摸物7〇觸摸的圖標 或菜單位置來定位選擇信息輸入,並將該信息傳遞給中央 .處理器50。中央處理器50通過顯示器控製器6〇控製顯示 設備30顯示。 具體地,在使用時,透明導電層24上施加一預定電 壓。電壓通過電極28施加到透明導電層24上,從而在該 透明導電層24上形成等電位面。使用者一邊視覺確認在觸 摸屏20後面設置的顯示設備3〇的顯示,一邊通過手指或 筆等觸摸物70按壓或接近觸摸屏2〇的防護層26進行操作 時,觸摸物70與透明導電層24之間形成一耦合電容。對 于高頻電流來說,電容爲直接導體,因而,手指從接觸點 =走了-部分電流。這個電流分別從觸摸屏2〇上的電極中 流出,且流經這四個電極的電流與手指到四角的距離成正 =,觸摸屏控製器4〇通過對這四個電流比例的精確計算, 得出觸摸點的位置。之後,觸摸屏控製器40將數字化的觸 ®摸位置數據傳送給中央處理器50。然後,中央處理器5〇 接受上述的觸摸位置數據並執行。最後,中央處理器50 將該觸摸位置數據傳輸給顯示器控製器,從而在顯示設 備30上顯示接觸物7〇發出的觸摸信息。 本技術方案實施例提供的觸摸屏20及顯示裝置1〇〇 優點其—,透明導電層24包括至少兩個重叠設 從hi管層、,由于奈米碳管層具有較好的力學性能’ 性故^述的透明導電層24具有較好的機械强度和動 知用上述的奈米碳管層作透明導電層24,可以相 17 200926471 應的提冋觸摸屏2〇的财用性,進而提高了使用該觸摸屏的 顯=裝置100的耐用性。其二,上述奈米碳管層中的奈米 '碳=膜包含多個奈米礙管,且上述的奈米碳管在每一奈 j峡g薄膜中定向排列,且相鄰的兩個奈来碳管層中的奈 米石反s /口同一方向排列。故,採用上述的奈米碳管層作透 明導電層24’可使得透明導電層具有均㈣阻值分布,從 而提高觸摸屏20及使用該觸摸屏的顯示裝置100的分辨率 ❹^口精確度。其二,採用本技術方案製備奈米碳管層,由于 可直接U基體22上形成透明導電層24,無需賤射和 加熱等工藝,故,降低了觸摸屏20和顯示裝置100的製作 成本,簡化了製作工藝。 知上所述,本發明確已符合發明專利之要件,遂依法 提出專利申請。惟,以上所述者僅爲本發明之較佳實施例, 自不此以此限製本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝 =人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化,皆應涵 ©蓋于以下申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1為本技術方案實施例的觸摸屏的結構示意圖。 圖2為沿圖1所示的線ΙΙ-ΙΓ的剖視圖。 圖3爲本技術方案實施例的透明導電層的奈米碳管薄 膜的掃描電鏡圖。 圖4為本技術方案實施例的顯示裝置的結構示意圖。 圖5為本技術方案實施例的顯示裝置的工作原理示意 圖。 18 200926471 【主要元件符號說明】 顯示裝置 100 純化層 104 間隙 106 支撑體 108 觸摸屏 20 基體 22 第一表面 221 •第二表面 222 透明導電層 24 屏蔽層 25 防護層 26 電極 28 顯示設備 30 觸摸屏控製器 40 ❿中央處理器 50 顯示設備控製器 60 觸摸物 70 19

Claims (1)

  1. 200926471 十、申請專利範圍 1. 一種觸摸屏,其包括·· 一基體; 導電層設置于所述基體的一表 兩個電極間隔設置並與該透明 一透明導電層,該透明 面;以及 至少兩個電極,該至少 導電層電連接,
    二=于一,所述透明導電層包括至少兩個重叠的奈 2官層,母—奈米碳管層包括多個定轉列的奈米 二二且相㈣兩個奈米碳管層中 方向排列。 2. =申Γ專利範圍S 1項所述的觸摸屏,其中,所述奈 ::厌&層包括一奈米碳管薄膜或多個平行無間隙鋪 设的奈米碳管薄膜。 3. 如tr專利範圍第2項所述的觸摸屏’其中,所述奈 ❹#S薄膜進—步包括多個奈米碳管束片段,每個奈 米反S束片·^具有大致相等的長度且每個奈来碳管 ?片/:由多個相互平行的奈米碳管束構成,所述奈米 石反官束片段兩端通過凡德瓦爾力相互連接。 4. 如申請專利範圍第3項所述的觸摸屏,盆中,所述奈 米碳管薄膜的厚度爲0.5奈米〜1〇〇微米二 5. 如申請專利範圍第1項所述的觸摸屏’盆中’所述奈 米碳管包括單壁奈来碳管、雙壁奈米碳管及多璧奈米 碳管中的一種或几種。 20 200926471 6. 如申請專利範圍第5項所述的觸摸屏,其中,所述單 壁奈米碳管的直徑爲0.5奈米〜5〇奈米,雙壁奈米碳 &的直徑爲1.0奈米〜50奈米,多壁奈米碳管的直徑 爲1.5奈米〜5〇奈米。 7. 如申請專利範圍第1項所述的觸摸屏,其中,所述至 少兩個電極爲金屬鍍層或者金屬箔片。 8. 如申請專利範圍第1項所述的觸摸屏,其中,所述至 少兩個電極間隔地設置在透明導電層遠離基體的一 表面上。 9. 如申請專利範圍第8項所述的觸摸屏,其卜所述至 少兩個電極通過一導電銀膠設置在透明導電層上。 10. 如申請專利範圍帛丄項所述的觸摸屏,其卜所述觸 摸屏進一步包括一防護層,該防護層設置于透明導電 層的遠離基體的一個表面上。 11. 如申明專利乾圍帛10項所述的觸摸屏,其中,所述 ❹㈣層的材料爲氮切、氧切、苯並環丁稀、聚醋 膜或丙烯酸樹脂。 12.如申請專利範圍帛1項所述的觸摸屏,其中,所述顧 摸屏爲平面觸摸屏或曲面觸摸屏。 如申叫專利圍第!項所述的觸摸屏,其中,所述遵 體的材料爲玻璃、石英、金剛石或塑料。 ,申明專利犯圍第1項所述的觸摸屏,其中,所述觸 ί屏進一步包括—屏蔽層’該屏蔽層設置于上述基靡 ⑽透明導電層的—表面上’所述屏蔽層爲銦錫氧# 21 200926471 15 16 e 17. 18. 物薄膜、銻錫氧化物薄膜或奈米碳管薄膜。 如申請專利範圍第14項所述的觸摸屏,其中,所述 奈米碳管薄膜包括多個奈米碳管,該多個奈米碳管在 所述奈米碳管薄膜中定向排列。 一種顯示裝置,其包括: -觸摸屏,該觸摸屏包括—基體;—透明導電層,該 透明導電層設置于上述基體的一表面;以及至少兩個 電極’該至少兩個電極間隔設置並與該透明導電層電 連接; 顯不设備’該顯示設備正對且靠近觸摸屏的基體遠 離透明導電層的一表面設置; 其改良在于,所述透明導電層包括至少兩個重叠的奈 =管層,每-奈米碳管層包括多個定向排列的奈米 厌s且相鄰的兩個奈米碳管層中的奈米碳管沿同一 方向排列。 如申請專利範圍第16項所述的顯示裝置,其甲,所 逑顯不設備爲液晶顯示器、場發射顯示器、電衆顯示 f '電致發光顯示器、真空螢光顯示器及陰極射線管 中的一種。 如申請專利範圍第16項所述的顯示裝置,其中,所 j示設備與觸摸屏間隔設置或集成設置。 如申請專利範圍第16項所述的顯示裝置,其中,所 :觸摸屏進—步包括一鈍化層,該鈍化層設置于觸摸 屏和顯示設備之間’與觸摸屏相接觸設置,與顯示設 22 19. 200926471 備間隔一定距離設置。 20.如申請專利範圍第19項所述_ 述純化層的材料爲氣化石夕、氧化—置,其中,所 酯膜或丙烯酸樹脂。 、本並環丁烯、聚 21 如申請專利範圍第20項所述的顯示裝置, ❹ 裝置進一步包括-觸摸屏控製器、-顯示設備 控I态及一中央處理器,其中,觸摸屏控製器、中央 處理器及顯示設備控製器三者通過電路相互連接, 觸摸屏控製器連接觸摸屏的電極,顯示設備控製器連 接顯示設備。 23
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