TW200925859A - Detection of speculative precharge - Google Patents

Description

200925859 : 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 .. 本發明所揭示係關於記憶體系統領域，更詳細地說， *係關於記憶體控制器之設計。 【先前技術】 隨著近期電腦系統複雜度的增加，技術上的加強導致 於處理器速度之增加，系統效能的最佳化變得越來越困 難’系統效能常取決於該系統之記憶體頻寬（bandwidth) 〇和總體延遲（latency)。因此，以最低之總體延遲來存取記 憶體’並且使用最高之記憶體頻寬可以增進且（或）最佳化 該系統的效能。當存取該記憶體和完成給定記憶體要求 (request)所需要之時間增加，該系統便會慢下來。因此， 任何存取時間上的減少和（或）該記憶體之總體處理能力的 增加都可以増進系統的效能。.

很夕的系統使用動態隨機存取記憶體（J)ynam丨C

〇 random access memory，DRAM)，包含桌上型電腦、圖形轉 換卡（graphic adapter card )和筆記型電腦和其他。DRAM 裝置提供許多優於其他記憶體技術的優點，包含最常被注 思、的靜態隨機存取記憶體（static random access memory， SRAM)裝置。這些優點中最重要的係較高之儲存密度和較少 之功率消耗。然而，這些優點來自於當該DRAM裝置内之記 憶體單元和其他組件接受每一個接下來的存取所耗費之大 量時間延遲，例如在讀取/寫入存取的前後。這種延遲包括 進行列預充電（row precharge)、列更新（row refresh)^ 94440 200925859 : 列激活（row act i vat ion)所需的時間。為了在遭遇這些延 遲時可以更精確地管理並控制記憶體的操作，額外的指令 (被傳送於讀取/寫入存取之間）被創造也因此造成額外的 «面積消耗（overhead)。現今所使用之DRAM中有很高的比重 _都屬於雙倍資料傳輸率同步動態隨機存取記憶體 (double-data-rate synchronous DRAM，DDR SDRAM)家族。 001^01^^(包含001^和001^3)藉由在以該系統時脈為 基礎之閃控信號（strobe signal)之上升邊緣和下降邊緣 ❹（rising and fal 1 ing edges)轉換資料，相較於單倍資料 傳輸率SDRAM可以達到較高之頻寬。這樣的方法有效地使 該轉換率加倍，因此改善了系統效能而不需要增加該記憶 體匯流排之操作頻率。為了進一步增進DRAM的效能，該記 憶體元件往往以分頁組構（page configuration)被存取， 其中該DRAM的列可以被激活或開啟，該列位址控制器信號 (row address strobe, RAS)不需要維持確立（asserted)， 〇同時利用個別的行位址控制器（column address strobe, CAS)信號進行多重讀取或寫入。這樣的操作容許在相同列 之内連續地讀取或寫入以避免該延遲（通常與預充電和列 存取有關），並且於突然增加的資料轉換（burst data transfers)中提供顯著的系統效能改善。 一般而言，在進行記憶體分頁讀取或寫入記憶體分頁 之操作前’該記憶體分頁需要被開啟。該DRAM控制器可以 在讀取/寫入指令後立即地關閉該分頁，或決定讓該分頁保 持開啟。然而，該DRAM控制器之該有限容量可能妨礙該 7 94440 200925859 .:DRAM能夠處理許多之開啟分頁。因此，該DRAM控制器被 要求關閉一些開啟的分頁，即使保持該等分頁.開啟將可消 除一些於未來之轉換中之存取延遲。因此，該DRAM控制器 *之限制可能成為利用DRAM運作優點之障礙。 ' 於比較過稍後將敘述之本發明和以上之先前技術 後，對於習知技術者而言其他與先前技術相關之議題將變 得顯而易見。 【發明内容】 ❹ 一種系統（如：電腦系統）可能包括連接至DRAM匯流 排之DRAM裝置，以及被組構以管理和控制該DRAM裝置之 存取之DRAM控制器。如果該分頁尚未開啟，則在記憶體分 頁可以被存取以進行讀取或寫入操作前，該記憶體分頁可 能需要被開啟。該DRAM控制器可能於存取該分頁之讀取/ 寫入要求之後接著立即關閉先前開啟之分頁，或者該DRAM 控制器可能決定將該分頁保持開啟。如果該DRAM控制器之 0容量具有限制而無法處理過多開啟之分頁，於一些例子中 該DRAM控制器可能被要求關閉一個或更多個開啟之分 頁，即使將該些分頁保持開啟可以藉由消除所需要之額外 激活（α開啟新分頁）和預充電（以關閉開啟之分頁）指令以 達到相當程度上減少記憶體之存取時間的效果。該DRAM 匯流排之總體處理能力（throughput)可以被改善，儘管該 DRAM控制器之容量具有限制而無法同時處理過多開啟之 分頁。於一組實施例中，該DRAM控制器可以被組構以根據 有效率之分頁策略來操作，進而決定那些開啟之分頁保持 8 94440 200925859 '開啟和那些開啟之分頁被關閉，以將激活和預充電指令減 至最少，該等激活和預充電指令需要在接下來之讀取/寫入 •存取過程中被發出。 ； 記憶體控制器（如：dram控制器）可以被組構以根據三 層次自動預充電預測演算法來操作以改善記憶體之存取。 该DRAM控制器可以藉由追蹤每一個DRAM記憶庫之 刀頁活動之歷史來最佳化分頁之使用。給定記憶庫之最近 存取的歷史可以致能（印化丨幻該DRM控制器以決定是否 ❹在讀取/寫入操作之後開始自動預充電對應於該被存取之 分頁的該列，或是否保持開啟該被存取之分頁。如果該分 頁應該被保持在開啟，則給定記憶庫之最近存取之歷史也 可以決定該分頁在被關閉之前應該被保持開啟（和閒置）多 久的時間。因此，該DRAM控制器可以被組構以每記憶庫為 基礎追蹤分頁命中（對於DRAM之特定記憶庫中已開啟之列 所提出之要求）、分胃落空（對於DRAM中特定記憶庫之列所 ❹提出之要求，其中該特定記憶庫不具有任何已開啟之列）、 以及分頁衝突（對於dram中特定記憶庫之列所提出之要 求，其中該特定記憶庫已具有已開啟之其他不同列）之歷 史，但對並非以記憶庫為基礎之以第一階為基礎之歷 出自動充電之預測。 於一組實施例中，該DRAM控制器可以包含分頁表 (Page Table)，其t每一條項目（entry)可記錄對給定記憶 體記憶庫之最後四筆歷史存取。該mam控制器也可包含記 憶體記憶庫歷史表（Memory Bank Hist〇ry Table>於記憶 9 94440 200925859 •體要求臝得裁決之後，該記憶體控制器可以指示 (indication)來更新該記憶體記憶庫歷史表，其中該指示 •係是否該要求在該給定記憶體記憶庫中所對應= 頁與該先剛之記憶體要求相同。這種方式實上 ^ 否該要求係分頁命中不同，因為分頁落空可能會二直要求 在給定記憶庫中最近被存取過（即使現在已關閉）之記情體 分頁。 " 一旦有要求透過裁決而被選定，則可進行預測。根據 ©選定，該最後Μ個（如：三個）對該有疑慮之記憶庫之存取 加上剛才選定之該存取可以用來對該記憶體記憶庫歷史表 才示示（i ndex)。該§己憶體a憶庫歷史表可以於完成預測後之 該週期（cycle)被更新。該更新可以對於被該對應之M+1 位元（如：4位元，其中Μ等於3)記憶庫歷史資訊（1^故 history information)所標示之位置中所儲存之值來進 行，其中該M+1位元記憶庫歷史資訊儲存於有疑慮之該記 ❹憶庫之該DRAM分頁表。於一組實施例中，該預測之更新可 以基於可靠計數器（confidence counter)而發生。記憶體 記憶庫歷史表中每一條項目均可以包含]^位元（如：2位元） 之可靠計數值。如果該預測係正確的，該DRAM控制器可以 增加該可靠計數值（於最大值飽和）。如果該預測係不正確 的，該DRAM控制器可以減少該可靠計數值。該dram控制 盗接著可以更新該預測值’只要該計數器達到一特定值 (如：0)。於其他實施例中，該計數值可以由低開始增加， 而該最大值可被用以當作該預測值可以被更新之指示。該 10 94440 200925859 -歷史、預測及可靠計數值之更新不可對於要求進行，該等 要求之自動預充電決定（aut〇-precharge decision)係決 .定於記憶庫命中（Bank Hit)或記憶庫衝突（Bank .Conflict)，如下所進一步描述。 疋否彳丁列中其他迫切之要求被轉移目苗準向（target toward)特定DRAM記憶庫之狀態可能取代該被該記憶體記 憶庫歷史表中之該預測值所指示之自動預充電預測。例 如，儲存於該記憶體記憶庫歷史表中並對應於該當前記憶 ❺體要求之該預測值可以預測該當前之讀取/寫入要求應該 被送至該具有被致能之自動預充電之DRAM。然而，該要求 佇列可以包含一個或更多個迫切之要求，該等迫切之要求 與該當則§己憶體要求正在猫準相同之dram分頁。這種情形 才曰出自動預充電可能無法於此種案例中帶來好處。 於-組實施例中，一旦迫切之記憶體要求被選定為該 當則記憶體要求（如：由裁決產生），產生之記憶庫命中和 ❹記憶庫衝突信號（分別對應於該有疑慮之記憶體記憶庫内 之潛在分頁命中和分頁落空）可以被用以限制該記憶庫歷 史預測。如果該DRAM控制器判斷沒有任何該迫近之記憶體 要求將造成分頁命中或分頁衝突（也就是說，沒有任何該迫 近之記憶體要求係要求存取該有疑慮之記憶體記憶庫》該 DRAM控制器可根據該記憶庫歷史預測針對該當前記憶體 要求來設定該自動預充電（如上所述）。如果沒有任何迫切 之記憶體要求將會造成分頁命中，但該迫切之記憶體要求 中至少一個將會造成分頁衝突，則該自動預充電將會針對 π 94440 200925859 該當4記憶體要求而被致能。如果該迫切之記憶體要求中 至少一個將會造成分頁衝突，則該自動預充電將會針對該 •當前記憶體要求而被停用。 / 如果該讀取/寫入要求沒有自動預充電，則該DRAM控 制器可以使用閒置週期計數器（id 1 e eye 1 e counter)以判 斷已開啟之分頁於維持閒置一段特定長度時間後是否應該 被關閉。於一個實施例中’該DRAM分頁表中之每一條項目 均可以追蹤給定之已開啟記憶體分頁已開啟多久的時間。 ® ‘該閒置週期计數器到達可編程之極限（pr〇grammabie 1 imi t)，該DRAM控制器可以關閉該已開啟之記憶體分頁。 於可編程之固定數量之時脈週期（pr〇grammable Hxed number of clock cycle)之後’該DRAM控制器可以關閉非 作用（inactive)之分頁，或者於固定數量之時脈週期之後 關閉非作用之分頁’其中該-固定數量之時脈週期係以該 DRAM分頁表項目歷史（dram page entry history)為基礎 ❹被動態調整。 【實施方式】 如此處所使用的，「對給定記憶體記憶庫提出記憶體 要求」或「對已開啟/關閉之記憶體分頁提出記憶體要求」 意指該記憶體要求正在要求存取該給定記憶體記憶庫和 (或）該已開啟/,已關閉之記憶體分頁。換言之，例如該詞句 「對已開啟之分頁提出記憶體要求」等同於「記愫體要长 正在要求存取已開啟之分頁」。類似地，「記憶體要求瞎 準給疋記憶庫」、或「§己憶體要求晦準已開啟/已關閉之分 94440 12 200925859 頁」意指該記憶體要求正在要求對該給定記憶體記憶庫和 (或）該已開啟/已關閉之記憶體分頁作存取。 . 第1圖顯示基本範例系統10 0之方塊圖，範例系統1 〇 〇 *可為電腦系統’其中處理單元113係組構有被連結至記憶 體控制器103之處理器核心1 〇 1。記憶體控制器1 〇3可被 連接至記憶體匯流排111，透過記憶體匯流排Η丨，記憶體 控制器103可以調整對記憶體1〇5之存取以促進處理單元 113和記憶體105間之資料交換。於所屬技術領域中具有 ❹通常知識者將了解系統1 〇〇可以多種作法被實施，圖示所 顯示為基本之組構，其中記憶體之存取由記憶體控制器所 控制。 於一組實施例中，記憶體控制器1〇3可包括：次電路 (sub circuit)和/或組件，包含用以支持系統1〇〇所需要 之功能範圍（range of functionality)之暫存器。例如， 記憶體控制器103可以包含許多種緩衝器（buffer)以緩衝 ❹於記憶體105和處理器核心1〇1間被轉換之資料，記憶體 控制器103也可被分割成多個次控制方塊（sub_c〇ntr〇1 blocks)。類似地，記憶體1〇5可以包含許多種記憶體元件 或多種組構之記憶體裝置，以透過記憶體匯流排U1來適 應與3己憶體10 3間之介面。具有許多種可能以及可考慮之 實施例。 於一組實施例中，記憶體105可以為DRAM，而記憶體 控制态10 3因而為dram控制器。於又一組實施例中，記憶 體105可以包括：雙倍資料傳輸率DRAM(DDR DRAM)，如： 13 94440 200925859 由ddm控制器103所控制之卯R3記憶體。於一組實施例 中⑽AM控制器1 〇3可以被組構以管理並控制對⑽μ裝 ，置中記憶體分頁之存取。於記憶體分頁被存取以進行讀取 •或寫入操作之前，該記憶體分頁必須被開啟。卯趟控制器 103可以跟隨於該讀取人寫入存取之後關閉已開啟之分 頁，或可以決定保持該分頁為開啟。於一組實施例中，跗訄 控制β 103可以被組構以根據有效率之分頁策略來操作， 因此改善DRAM匯流排lu之總體處理能力即使麵控制 器103無法立即地處理大量之開啟之分頁，其中該分頁策 略係被設計以減少於接下來之讀取/寫入存取間所發出之 激活和預充電指令。 當與DRAM 105相連繫，DRAM控制器1〇3可以被操作 以處理導致三種不同型態之錢體存取之讀取和寫入要 求。該第-種型態之記憶體存取對應於對DRAM 1〇5中特定 記憶庫之列提出之要求，其中該特定記憶庫具有另一個已 開啟且不同之列，此種存取被稱為分頁衝突。於分頁衝突 之案例中’該分頁首先經由預充電指令而被關閉，然後經 由激活指令被開啟，以使DRAM1〇5準備好接受要求之讀取 /寫入操作。該第二種記憶體存取對應於對DRAM 1〇5中特 定記憶庫之列提出之要求’其中該特定記憶庫不具有任何 已開啟之列，此種存取被稱為分頁落空。於分頁落空之案 例中，該v頁首先經由激活指令而被開啟，以使DRAM j 準備好接受要求之讀取/寫人操作。該第三種記憶體存取對 應於對DRAM 105中特定記憶庫之列提出之要求，其中該特 94440 14 200925859 二憶庫不具有已開啟之列，此種存取被稱為分頁命中。 ^頁命中之案财，該要求之讀取操作可被進行而 .:，，、需準備dram 105以接受要求之讀取/ 不需要先進行額外之指令。 口此 〇 n因此，較佳將DRAM控制器103以將分頁命中之數量 2大化以及將分頁衝突和分頁落空之數量最小化之方式组 構以重新排序讀取/寫人要求。結果，當與要求流（咖酿 0 requests)t^^lt^^(stream of addresses) 未㈣分頁命中，則_控制器1()3可以被操作以有助於 分頁洛空為下一個較好之選擇而不是分頁衝突。因此，為 了達到最佳之效能，DRAM控制器i 〇 3可以被組構以進行三 層次自動預充電預測演算法。 第2圖係圖示出DRAM控制器1〇3被組構以進行三層 次自動預充電預測演算法之一個可能實施例。於,曰施 例中’ DRAM控制器！03可以利用DRM分頁表！〇6來支援 ❹達特定數量之開啟分頁（於一些實施例中為犯個開啟分 頁）。DRAM分頁表106可以晶片選擇信號和記憶庫選擇信 號為基礎而被下標示，因而涵蓋了每一個記憶庫，並且可 以被用於儲存列位址和每一個記憶庫最近之記憶庫歷史資 訊。繼Μ分頁们06也可被用於判斷是否讀取/寫入要求 導致^頁命中、分頁落空或分頁衝突，且判斷是否應該對 於當則之讀取/寫入要求進行自動預充電。位址地圖 _address卿）可以從處理器核心m接收對應於當前 讀取/寫入要求之位址，並且可以產生該標示（查詢）信號以 94440 15 200925859 :查詢（lookuP)對應於DRAM分頁表1〇6中該當前要求之分 頁。 • 輸入之指令可被放置於DRAM控制器要求佇列114(DCQ) ，中，該DCQ 114可以被組構以容納特定數量之項目（於一些 貝施例中為12條項目）。DCQ 114可因此被組構以儲存讀 取、寫入、預先取得（prefetch)和DRAM位址資訊、分頁命 中/落空/衝突資訊以及要求優先資訊，該要求優先資訊對 應於該寫入、讀取和預先取得指令。一經獲得該以上資訊， 〇 DCQ114便可以被分配（aii〇cated)，而一旦該完整之指令 序列（command sequence)已被完成則DCQ 114便可以被反 分配（deal locate)。此外，DCQ 114可以於每一次DRAM分 頁表106改變時被更新。該排隊中之指令之裁決係由裁決 器112所進行，該裁決係根據特定之優先計劃和（或）多種 要求類型之優先牲，並且以至少一個接收自DRAM.分頁表 1〇6之分頁資訊和接收自時序檢測方塊110(timing check ❹block)之時序檢測資訊為基礎。一般而言，對於輸入指令 之裁決可根據許多可能之優先計劃中的一個或更多個來進 行’而每一個優先計劃係根據特定之系統效能和記憶體效 能需求而被設計。例如，較舊之要求（〇lder request)可以 藉由額外之機制來接收到超過較近之要求之優先權，以適 §地避免最舊之項目（〇ldest entry)被置之不理超過特定 次數。其他之可能性包含選擇分頁命中超過分頁落空，其 中分頁落空則被選擇超過分頁衝突。熟悉習知之技術者將 可以了解到分頁利用之最佳化也可以於多種不同之裁決電 16 94440 200925859 -路中進行，而其他許多優先計劃（雖然這裡沒有明確揭露） 係可能且可預期的。一旦來自於DCQ 114之指令經由裁決 •而被選疋，則該選定之指令（和與該指令相關之位址資訊） 將、屋由夕工器116並透過墊片（pad)124a而被提供至Dram 105 〇 ⑽AM控制器103也可以分別包含後端讀取和寫入佇列 120和118。寫入佇列118可以於指令部份已完成以及 DCQ114已經被反分配之後被用來儲存特定數量（於一些實 〇施例中為6)之寫入信號要求。寫入佇列可以因此促造 讀取之資料以更精確之時間方式自該記憶體控制器資料緩 衝器離開。讀取佇列12〇可以於指令部份已完成以及 DCQ114已經被反分配之後被用來儲存特定數量（於一些實 施例中為6)之寫入信號要求。讀取佇列120可以因此促進 (在DDR記憶體的例子中）DDR觸發信號dqs和資料接收器 (receiver)之控制’並促進先進先出（FIFO)缓衝器112之 ❽接收以為了轉換資料至該反相時脈領域。 隹自動預充電預測之分頁利用最佳化： DRAM控制器1〇3可以藉由追蹤DRAM 105中每一個記 憶庫之分頁污動的歷史來將分頁利用最佳化。對於任何給 定記憶庫之最近要求之歷史可以幫助判斷是否dram控制 斋103應該跟隨在讀取/寫入操作之後開始自動預充電，或 保持該記憶體分頁為開啟。如果決定該分頁應該被保持開 啟，該歷史也可以被用以決定該分頁在被關閉之前應該被 保持開啟（可能雄持閒置）多久之時間。於一組實施例中， 17 94440 200925859 DRAM 105中每一個分頁之歷史係可以被追蹤。然而，當以 上方法不能被實現於硬體中之情況下，DRAM控制器1 〇 3可 .•以被組構以根據記憶庫為基礎（如··使用Dram分頁表1〇6) *來追縱分頁命中、分頁落空和分頁衝突之歷史，同時對於 非以記憶庫為基礎之以第一階記憶庫為基礎之歷史（利用 記憶庫歷史表108和DRAM分頁表106)作出預測。 記憶廉展步: Ο

Q 如前所述，DRAM控制器1〇3可以追蹤DRAM 105中每 一個記憶庫之分頁活動的歷史。記憶庫歷史表1〇8中每一 條項目均可以包含預測，該預測係基於（儲存於肫趨分頁 表106中之）給定記憶體記憶庫中最後四個分頁存取之歷 史。於要求從裁決器112赢得裁決而變成該當前之要求 後，該記憶庫歷史可以根據是否該當前之要求與對該記憶 庫之該先刚之要求均係對於該記憶庫内相同之⑽想分頁 所提出而被更新。換言之，因為追蹤係根據記憶庫為基礎 來進行，這種指示與是否該當前之要求為分頁命中之指示 有些許不同。例如’當前之要求可能導致分頁落空，但該 當前之要求可能正在對該當前被要求之記憶庫中最近一次 被要求之分頁提出要求’導致該#前之要求在追縱 對於該被要求之e憶庫之分頁所作之存取時由該被要求之 己隐庫之繞點而§被認為係„命中”。換句話說，分頁落空 可以實際地指示該當前之要求本來可以係分頁命中，該被 ίί之並未過早被關閉。要是該分頁並未被關閉，該 备别之要求可能已經導致分頁命中或分頁衝突，而非分頁 94440 18 200925859 -落空。也應該注意的是，當該當前所描述之實施例之預先 取得和寫入不會導致分頁歷史表1〇8的更新時，其他實施 .例可以被組構成不同之形式。 第3圖顯示圮憶庫歷史表108如何被存取以及如何被 更新之一個貫施例。如該實施例所示，進入記憶庫歷史表 108之項目可以包括：自動預充電預測位元（Ap)，其可具 有數值”1”以指示自動預充電係被預測，或數值”〇”以指示 未預測到自動預充電。然而，在其他實施例中，該Ap的數 〇值指示自動預充電預測可以被指定以不同於已顯示之前 例，只要清楚該指定之數值所期望指示者係為何。如第3 圖所不，記憶庫歷史表108可以容納個別對應於4位元標 不之16條項目（210) ’其中每一個標示係根據對應於該四 個對於給定記憶庫最近之分頁存取/要求之該記憶庫歷史 而被構成。換句話說，對於該當前:被要求之分頁中之預測 項目之存取的該標示係根據該最後三次對於該當前被要求 ❹之記憶庫之存取（也就是，儲存kDRAM分頁表之記憶庫歷 史資訊106)加上該當前之要求為基礎。 對於給定之分頁之預測可以在裁決器112已選择該當 前之要求後被進行，並且可以包含利用如上所述之標示數 值來存取記憶庫歷史表丨08中對應之預測值。如第3圖所 不’該二位兀206(其係對應於該三個最近先前之存取對該 當前被要求之記憶庫存取之該歷史）加上該當前要求（如 可以被用以構成該標示以存取記憶庫歷史表1〇8中對於該 當削被要求之分頁之預測值。期望對該預測值之該存取於 94440 19 200925859 -一個時脈週期内被進行，為了防止甴額外之時脈週期所造 成之延遲分頁命中。 .. 於一組實施例中，該標示係可藉由多工該晶片選擇信 /號/記憶庫選擇信號和分頁命中信號，以及自該分頁表1〇6 多工該記憶庫歷史而被產生。應該要注意的一點係，於其 他實施例中項目之數量可以不同，該數量係最少由正在被 追縱之最近之要求/存取所決定，而於所屬領域中具有通常 知識者將了解可能之變動並不被第3圖中所示之該實施例 〇所限制。例如，如果對於記憶庫之該五個最近之存取/要求 係被追縱’則記憶庫歷史表108係可以被32條項目（可根 據五位元標示而被存取）所組構，該五位元標示包括：四位 =之舊記憶庫歷史加上該當前（新的）記憶庫歷史。於所有 貝施例中，被追蹤之最近存取之數量可以被指定以不同於 .4,而且許多實施例中被追蹤之.最近存取之數量可能係小於 或大於4 〇 ❹ 於跟隨在該預測之後之該時脈週期過程中，記憶庫歷 史表108可以接著被更新。如第3圖所示，跟隨在該預測 之後°己隐庫歷史表108可以藉由更新對應於該標示之該 項目數值來作更新，其中該標示係被獲得自 DRAM分頁表 ⑽之該四位元記憶庫歷史所定義，也就是該四個位元 202)對應於該最近i前對該當前被要求之記憶庫提出之 二個存取之該歷史。如果該當前之要求導致分頁命中， 該AP可被更新為，，〇，，（於某些實施例中，課題也針對於將在 之後更詳加描述之可靠計數器）。如果該當前之要求導致分 94440 20 200925859 :頁衝突，AP可以被更新為”Γ，（再次地，於某些實施例中， 課題針對於該可靠計數器）。如果該當前之要求導致分頁落 空’ ΑΡ可以被更新為”0”如果該當前被要求之列係為該被 /要求記憶庫中最近被存取/被要求之列，否則Αρ可以被更 -新為”1”（再一次地，於某些實施例中，課題針對於該可靠 計數器）。一旦記憶庫歷史表1〇8已經被更新，對應於分頁 表106中該當前被要求之記憶庫的該記憶庫歷史項目也可 以被更新以反映該新的記憶庫歷史，該記憶庫歷史目前包 〇含該當前發生或完成之記憶體存取。 如上述所提及，於一組實施例中，記憶庫歷史表丨 中該預測值ΑΡ之更新可以額外地根據可靠計數器來進 行。δ己憶庫歷史表108中每一條項目也可以包括對應之Ν 位元可靠計數器值。該計數器可以增加，如果其對應之記 憶庫之該預測係正確且飽和於該位元數所決定之數值。斜 如，如果記憶庫歷史表108中每一條項目均具有對應之二 ❹位元可靠5十數器’則該計數器可以飽和於數值3。如杲該 預測係不正確’則該計數器可增加 '當該計數器達到〇， 則該預測值（例如，記憶庫歷史表108中ΑΡ所對應之該數 值）可被翻轉，指示出一串不正確之預測。於戶斤屬領域具有 通常知識者將了解該计數器值可以包括如指定之任何位元 數’而且其中所使用之該正確數字係僅為範例。 J動預充電預測演篡法： 對於如上所描述之該記憶庫歷史所作之追縱係可以 被用作自動預充電預測演算法之部份，該自動預充電預測 21 94440 200925859 -演算法係執行於DRAM控制器103,可包含三種層次之預測。 度这_丄··未來於DCQ 114之要求可以被用以決定給定 .•記憶庫中最近被存取之DRAM分頁是否應該跟隨於該存取 -之後立即被關閉，或者是否應該被保持開啟。也就是說， DCQ 114中其他迫切之要求是否被瞄準向特定之⑽分頁 之該狀態可以被用以進行層次丨之自動預充電預測。因 /此’DCQ 114中每一個迫切之要求均可以被評估以決定該 的要求係對於那一個給疋§己憶庫，以及是否該要求係對於該 Ό給定記憶庫甲該當前開啟之分頁。於一組實施例中，此評 估可針對㈣啟之分頁騎（以及其對應之給定記憶庫）， 該分頁係被該當前正在處理中之記憶體要求所存取。也就 是說’每-個迫切之要求均可以被評估以決定是否係為對 $在被存取之該記憶庫和⑷分頁之要求，並決定是否該 當前正在處理中之記.憶體要求係被送至具有被致能或被停 用之自動預充電之DRAM記憶體。反應於DCQ1U中該迫切 ❾要求之評估所作之動作可以為以下四種之一。 —()如果'又有任何DCQ 114中迫切之要求係對於該給 疋之記it庫内之分頁所提出（也就是說，沒有任何迫切之要 求係對於該給定記憶庫内之分頁所提出.，因而不會導致該 :疋。己隱庫中該開啟之分頁產生分頁命中或分頁衝突)，然 ^根據上述該記憶庫歷史分段（secti〇n)中該記憶庫歷史 貝訊可進仃層次2之預測（也進一步閱讀之後之層次2項 ^ ’並且該當前正在處理中之記憶體要求之該自動預充電 可以因此被設定。 94440 22 200925859 Ο (Β)如果沒有任何DCQ 114中迫切之要求係對於該給 定之記憶庫内該開啟之分頁所提出（也就是說，沒有任何對 •於該給定記憶庫内之分頁所提出之迫切之要求认 :定記憶庫中該開啟之分頁產生分頁命中，但迫切之要=中° f少-個會導致分頁衝突），接著自動預充電可以針對該當 别正在處理之記憶體要求而被致能（為了跟隨在該當前記 億體要求之後關閉該給定記憶庫中該開啟之分頁）而不論 圮憶庫歷史表1〇8中對應之預測係如何。 、（^)如果DCQ 114中對於該給定記憶庫之所有迫切之 要求係對㈣給定記憶庫中朗啟之分頁（也就是說，對於 該給定記憶庫之所有迫切之要求會導致該、 產生分頁命中)，接著該給定記憶庫中;= 前記憶體存取之後被進行' 隨於該田 ❹ ⑼如果DCQ U4中對於該給定記憶庫 了，少—個係對於該衫記憶庫中該開啟之分頁，^ 切之要求係對於該給定記憶庫中關閉之分頁所 &出（也“說’對於該給定記憶庫之迫切要求中至，，、 會導致該給定記情庫中兮 y 個 等迫切之要求中之分頁產生分頁命中，且該 憶庫中該開分頁衝突)’接著該給定記 心刀貝可Μ被保持開啟，也 隨於該當前記憶體存取之後被進行二= 總…，情況⑹和情況。 口从厌疋疋否DCQ 114 94440 23 200925859 庫中該開啟 給定記憶庫） 中該迫切之要求中至少一個係對於該給定記憶 之分頁所提出，接著該當前記憶體要求（對於該 之自動預充電應該被停用。 歧1:如果沒有DGQ丨財之迫切要求係對該給定 記憶庫内之DRAM分頁所提出（如前述層次1(A)中所描 述）’最近之記憶庫歷史資訊可以被用以預測是否該:ram 分頁應該跟隨於該存取之後立即被關閉，或是否應該被保 持開啟。s亥預測可以被存取於記憶庫歷史表1 〇 8中如同先^ 〇前所述之記憶庫歷史中所描述者。 層.次3 :如果分頁已經基於層次1或層次2之預 測而被關閉，則該DRAM分頁可以被保持開啟，但是自該分 頁最後一次被存取後已保持閒置持續一段特定數量（可編 程）之時脈週期之後該分頁可以被關閉。 應該再次留意的係該DRAM分頁表1 〇 6中該記憶庫歷 史、記憶庫歷史表108中該預測值以及該對應之可靠計數 〇器值係不可以被要求所更新，其中該要求之自動預充電係 決定於如前述之層次1(A)中所描述之層次1預測。 類似地’預先取得（prefetches)和寫入之要求係不可 以導致利用記憶庫歷史表108來產生預測，或導致記憶庫 歷史表108之更新。自動預充電是否係與這些型態之要求 一起被進行也可以由前述之層次1 (A)中所描述之層次1預 測所決定。然而，DRAM控制器10 3係可以被組構以初始化 在自動預充電後之該突發性寫入（burst write)中之最後 寫入要求，以及初始化預先取得，以及初始化可能如任何 24 94440 200925859 :其=求般影響分頁命中/分頁衝突之寫入要求。 β ^ ^ 預充電預測凟算法可以被用以預 ，9㈣失㈣應該針對讀取/寫入要求而被進行。如果 —之八冩入要求之自動預充電，當該開啟 之刀頁疋否應該被關閉時 持開啟但是閒置一段長時p問通依然維持。如果該分頁維 &長Μ，可能係該記憶庫歷史預測已 能招致分頁衝控制請可 =因此被組構以包含對應於每—個_ ❹置週期計數器⑽ecyclec_ter)以追縱 分/ 經開啟多久。於一細本被η丄 ^ ° 組Λ施例中，當對應於該開啟之分頁之 該間置之週期計數器達到料之限制，則DRAM控制器103 =作以_該開啟（閒置)之分頁。於—組實施例中，該 ，疋之限制係可以被編程。因此，_控制器⑽可以於 特定數量之時脈週期之後（如：128個週期於實施例中）關 閉非作用（閒置）之分頁’或於動態調整之特定時脈循環數 ❹（例如.16, 32, 64, 96等週期）之後關閉非作用之分頁，其

2該動態調整係可基於對應㈣RAM分頁表歷史1〇6中該特 定之記憶體分頁之該記憶庫歷史項目。X 第4圖顯示三層次自動預充電預測演算法中一部份之 個只施例之流程圖，該演算法係被記憶體控制器所執 行，例如第1圖和第2圖之記憶體控制器1〇3。輸入之記 憶體要求（可能係該記憶體控制器所接收到之記憶體要求） "T以如同迫切之記憶體要求般被儲存於仔列（4〇2)。鍺存於 該佇列中該迫切之記憶體要求中的一個可以被選擇以進行 94440 25 200925859 處理（Processing)/供應（serving)、和自該佇列中被移 除並且被該選疋之§己憶體要求所要求之給定記憶體分頁 • ·.(和對應之給定記憶體記憶庫）可以被識別（4 〇 4 )。基於當前 預測值，是否關閉或保持該給定記憶體分頁開啟之預測將 被產生，該當前預測值係對應於對該給定記憶體記憶庫之 最近存取之歷史（406)。-旦該預測已被產生，未來預測值 可以被更新，其中該未來預測值係對應於對該給定記憶體 記憶庫之最近先前記憶體存取之給定數量（412)。該記憶體 〇佇列中該迫切之記憶體要求係可以被分析以決定是否至少 -個儲存於該儲存中之該迫切記憶體要求中係正在對該給 疋兄憶體記憶庫提出存取之要求（41 〇 )。 、如果410中之該分析指示至少一個儲存於該儲存中之 該迫切記憶體要求中係正在對該給定記憶體記憶庫提出存 取之要求（也就是說’至少一個儲存於該佇列中之該迫切纪 憶體要求係正瞄準該給定記憶體記憶庫中之記憶體分° ❹頁）’儲存於該佇列中之該迫切記憶體要求可以被用來決定 是否該給定記憶體分頁應該被關閉或保持開啟 、 (414, 418)。如果’相反地，該41〇中之分析指示沒有任何 一個儲存於該儲存中之該迫切記憶體要求中係正在對該給 定記憶體記憶庫提出存取之要求，則該給定記憶體分頁可 以根據產生於406(416)中之預測而被關閉或保持開啟。 、如果418或416中其中之-指示該給定記憶體分頁應 該被關閉，-旦該選定之記憶體要求對於該給定記憶體分 頁之存取已完成（並且’於一些實施例中係在該記憶體被再 94440 26 200925859 罢該給定記憶體分頁可以被關閉(422)。如 ’、疋〇給定記憶體分頁應該被維持開啟，於該選定之纪 ••It要2對於該給定記憶體分頁之存取已完成之後被保持 • 並且可㈣—段敎長度時間之後被關閉，如 果遠給疋讀體分頁於該特^長度時間内係維持閒置 U26)。該特定時間長度可以依據時脈週期而被測量出來， 並且可被編程。例如，該給定記憶體分.頁可以於維持閒置 長達128個時脈週期之後被關閉。於特定實施例中，該時 ❹脈週期之數量可以基於對該給定記憶體記憶庫之該最近存 取歷史而被動態調整。例如，基於對該給定記憶體記憶庫 之該最近存取歷史，該128個時脈週期可比被調整為 16, 32, 64個時脈週期等等。於一些實施何中，一旦4〇6中 該預測已被產生，則該該演算法可進一步包含更新該給定 記憶體記憶庫之最近存取歷史，並且更新對該給定記憶體 記憶庫之最近存取歷史之對應之預測值。 〇 &裡應該留意的係第4圖中之流程圖並沒有具體指出 當該選定之記憶體存取對該給定記憶體分頁作實際存取發 生之情況。於一組實施例中，於關於對該給定記憶體分頁 之未來存取之該判斷已經被產生之後，對該給定記憶體分 頁之該存取可能發生。於另一組實施例中，該存取可發生 於當該判斷係正在被產生’或甚至該判斷被產生前。然而， 該判斷係被產生以判斷一旦該選定之記憶體要求對於該給 定記憶體分頁之存取已完成後（於特定實施例中，係於該記 憶體被另一記憶體要求存取前），該給定記憶體分頁應該為 94440 27 200925859 什麼狀況。因此，於一些實施例中，一旦關於對該給定記 憶體分頁之未來存取之該判斷已經被產生，該選定之記憶 •體要求（指令）伴隨對應該被選定之記憶體指令之該自動預 充電指標（indi cator) —起被指向該記憶體（以存取該給定 記憶體分頁）。如果預測該給定記憶體分頁應該被關閉，該 自動預充電指標可以被致能’而如果預測該給定記憶體分 頁被保持開啟，則該自動預充電指標可以被停用。一旦該 選定s己憶體要求對該給定記憶體分頁之存取已完成，則致 ❹能之自動預充電可以導致對應於該給定記憶庫中之該給定 此憶體分頁之該列之自動預充電。跟隨於該選定記憶體要 求對該給定記憶體分頁之該存取完成之後，則停用之自動 預充電可以導致對應於該給定記憶庫中之該給定記憶體分 頁之該列之不改變狀態（unchanged state)。 、DRAM控制器可因此被組構以重新排序讀取/寫入要 求’進而使該分頁命中數最大化並且最小化該分頁衝突凄 ❹，/、中該重新排序可以被自動預充電預測所通知以預須 是否預充電應該跟隨於讀取/寫入要求之後，為了在不需； 追蹤組構於該DRAM中夕你1 e丨八百 AM中之個別分頁之情況下達到最佳化之 效能。 解ξί 發月已參考特定之實施例而被描述之同時，可明 定實施例之圓式及詳細說明並不欲用來限㈣ = = = :定形式。按照前面所教示者，其他的修 專利=的本發明將涵蓋所有落於如所附申請 ^ ^疋之本發明之精神和範圍内之修飾、等效 94440 28 200925859 和替代内容。 【圖式簡單說明】 ,· 本發明之其他態樣可藉由閱讀上述之詳細說明及參 考附加圖示而變得明顯，其中·· 帛1圖係範例系統之方塊圖，該範例系統包括被組構 =經由記憶體匯流排來控制對記憶體之存取之記憶體控制 ， 帛2圖係第1圖中該記憶體控制器之一個實施例 ❹份邏輯之方塊圖； 第3圖係顯示該記憶庫歷史表根據一個實施例所作之 存取與更新之結構圖； 第4圖係圖不三層次自動預充電預測演算法中部份步 驟之一個實施例之流程圖； . … u 荷疋貫方包 不炉^ Γ 暸解到此處特定實施例之圖式及詳細說明並 將………〜·之特疋形式’反之’本發明 〇 雖,、、、本發料#易作各種之修飾和替代形式，但是 〇係由圖式中之範例顯示及詳細說明本發明之特定實施 例。然而，廄膝紘5丨丨.LL 士 •丄. 精神和範圍内之修飾、 【主要元件符號說明】 100 系統 101 處理器核心 103 記憶體控制器 104 位址地圖 94440 29 200925859 '105 記憶體 106 DRAM分頁表 108 記憶庫歷史表 110 時序檢測方塊 111 記憶體匯流排 112 裁決器 113 處理單元 114 DRAM控制器要求佇列 ❹116 多工器 118 寫入佇列 120 讀取佇列 122 接收器先進先出缓衝器 124a 墊片 202 四位元· 206 三位元 ^ 208 當前要求 210 16條項目 402、 404 、 406 、 410 、 412 、 414 416、 418 、 422 、 424 、 426 步驟 步驟^ 30 94440

Claims (1)

1. 200925859 十、申請專利範圍： 1. 一種管理記憶體存取之方法，該記憶體具有複數個記 • 憶體記憶庫’該方法包括： 識別當前記憶體要求所要求的給定記憶體分頁， 其中，該給定記憶體分頁係位於該複數個記憶體記憶 庫之給定記憶體記憶庫中； 根據對該給定記憶體記憶庫之最近記憶體存取的 歷史所對應之當前預測值判斷該給定記憶體分頁是否 應該被關閉或保持開啟； 一該‘則記憶體要求對該給定記憶體分頁之存 取完成，則進行以下其中一個步驟： ^關閉該給定記憶體分頁，以回應導致決定該給定 S己憶體分頁應該被關閉之該判斷；或 Q 2· =保持該給定記憶體分頁為開啟，以回應導致決定 該給疋记憶體分頁應該被保持開啟之該判斷。 =睛專利範圍第1項之方法，其中，該進行以下其 ^ —個步驟係於該記憶體被再次存取之前並於該當前 ί憶體要求對該給定記憶體分頁之存取完成之後進 復包括： 如申請專利範圍第1項之方法 判斷等待存取該記憶體之—個或更多個額外之記 :“要求中/又有一個正在要求該給定記憶體記憶庫中 <s己憶體分頁； /、中’該判斷該給定記憶體分頁是否應該被關閉 94440 31 200925859 或保持開啟係進行 要求中沒有一 丁口應該一個或更多個額外記憶體 憶體分頁之該要求該給定記憶體記憶庫中之記 如申請專利範圍 體要求對該给定復包括於該當前記憶 定記憶體分頁-特㈣子取完成之後關閉該給 分頁於該特定長度時間期:維持Γ置回應該給定記憶趙 申=利觀圍第1項之方法’復包括根據： 纪C憶體記憶庫之第一數量之最近之前的 °己隐體存取所對應的第-資訊；以及 所2當前記憶體要求對該給定記，隨分頁之該存取 子應之第二資訊’獲得該當前預測值。 如申請專利範圍第丨@ $ 士 、 法，其中，該第一資訊指 :]該…疋記憶體記憶庫之該第一數量之最近之前的 •體存取有多少係對該給定記憶體分頁所提出。 ^申”月專利祀圍第5項之方法，復包括於該獲得該當 别預測值之後明確指出未來預測值，其中，該明確指 出^未來預測值係根據對該給定記憶體記憶庫之第二 數量之最近之前的記憶體存取所對應之資訊而進行。 如申請專利範圍第7項之方法，其中，該第二資訊指 二對該給定記憶體記憶庫之該第二數量之最近之前的 記憶體存取有多少係對該給定記憶體分頁所提出。 —種記憶體控制器，被組構以控制對具有一個或更多 個記憶體記憶庫之記憶體之存取，該記憶體控制器包 ❹ ❹ 4. 5. 6. 94440 32 9. 200925859 分頁表，被組構以儲存對於該—個或更多個記憶 •. 體記憶庫之各者之個別記憶體記憶庫存取歷史； • 把憶體記憶庫歷史表’具有複數條項目，其中， 該複數條項目之每一條項目均被組構以儲存個別之預 測值，該預測值係對應於偭別之記憶體記憶庫存取歷 史資訊，該記憶體記憶庫存取歷史資訊係儲存於該一 個或更多個記憶體記憶庫之一者之該分頁表；、 〇 其中，該記憶體控制器係可操作以識別被當前記 憶體要求所猫準之給定記憶體分頁，其中，該給定記 憶體分頁係位於該一個或更多個記憶體記憶庫之給定 記憶體記憶庫中； 其中，該記憶體控制器係可操作以自該記憶體笵 憶庫歷史分頁獲得當前测值，其中，該t前預測值 係基於儲存於該分頁表中對於該給定記憶體記憶庫之 〇 該至少個別記憶體記憶庫存取歷史資訊，和其中，該 當前預測值指示該記憶體控制器是否該記憶體控制器x 應該關閉該給定記憶體分頁或保持該記憶體分頁開 啟；以及 其中，當沒有迫切之記憶體要求正瞄準該給定記 憶體記憶庫，一旦該當前記憶體要求對該給定記㈣ 分頁之存取被完成，則該記憶體控制器係可根據該當 Μ預測值所指示的來操作以關閉或保持該給定記憶體 分頁開啟；以及 94440 33 200925859 其中’該迫切之5己憶體要求包括一個或更多個等 待存取該記憶體之額外記憶體要求。 10. 如申請專利範圍第9項之記憶體控制器，其中，該記 憶體控制器係可操作以自該記憶體記憶庫歷史表之給 疋項目獲得該當鈿預測值’其中’該給定項目之位置 係決定於： 儲存於該分頁表中對於該給定記憶體記憶庫之至 少一部分該個別記憶體記憶庫存取歷史資訊；以及 〇 對應於該當前記憶體要求之記憶體記憶庫存取資 訊0 11. 如申請專利範圍第9項之記憶體控制器，復包括被組 構以儲存該迫切之記憶體要求之仵列。 12. 如申請專利範圍第11項之記憶體控制器，其中，該記 憶體控制益係可以操作以發送該當前記憶體要求至該 記憶體以對於該當前記憶體要求對該給定記憶體分頁 _ 存取。 13·如申請專利範圍第12項之記憶體控制器，其中，該記 憶體控制器係可以操作以自該㈣中選擇下一個記憶 體要求、於發送該當前記憶體要求至該記憶體之後自 2作列移除該下一個記憶體要求、並且如同處理該當 前記憶體要求一般來處理該下一個記憶體要求。 14.如申明專利範園第〗3項之記憶體控制器，其中，該記 憶體控制器係可以根據特定優先計劃來操作以選擇該 下一個記憶體要求。 94440 34 200925859 15·如申請專利範圍第13項之記憶體控制器，其中，= 先計劃包括將優先權給予儲存於該佇列中正在該優 r 給定記憶體分頁之記憶體要求。 求該 _ 16.如申請專利範圍第13項之記憶體控制器，其中，該 先計劃包括將優先權給予儲存於該佇列中之吃憶^優 求，該記憶體要求係正在要求該一個或更多個記= 忒隱庫之對應者中之已開啟之個別記憶體分頁。 17. 如申請專利範圍第13項之記憶體控制器，其中，診兮 ❹憶、體控制器係可以操作以接收輸人之記憶體要求1 且於記憶體要求自該佇列中移除時將該輸入之記憶體 要求儲存於該仔列。 18. 如申請專利範圍第9項之記憶體控制器，其中，當該 迨切之記憶體要求中沒有一個正瞄準該給定記憶體分 頁，並且該迫切之記憶體要求中至少一者係正瞄準該 給定記憶體記憶庫中關閉之記憶體分頁時，一旦該當 ❹ 前記憶體要求對該給定記憶體分頁之存取被完成，該 足憶體控制器係可以操作以關閉該給定記憶體分頁。 19. 如申請專利範圍第9項之記憶體控制器，其中，當該 L切之s己憶體要求中沒有一個正瞄準該給定記憶體記 憶庫中任何關閉之記憶體分頁，並且該迫切之記憶體 要求中至少一者係正瞄準該給定記憶體分頁時，一旦 該當前記憶體要求對該給定記憶體分頁之存取被完 成，該記憶體控制器係可以操作以保持該給定記憶體 分頁開啟。 35 94440 200925859 ,20.如申請專利範圍第9項之記憶體控制器，立中，每該 迫切之記憶體要求中至少—者係正料該給定記= Γ分頁’並且該迫切之記憶體要求中至少—者係正猫準 .該給定記憶體記憶庫中關閉之記憶體分頁時，一旦該 當前記憶體要求對該給定記憶體分頁之存取被完成， 該記憶體控制器係可以操作以保持該給定記憶體 開啟。 21. 如申請專利範圍第9項之記憶體控制器，盆中，於碎 〇得該當前預測值之後，該記憶體控制器係可以操作二 更新儲存於該記憶體記憶庫歷史表中之未來預測值。 22. 如申請專利範圍第21項之記憶體控制器，其中，該記 憶體控制器係可以操作以更新儲存於該記憶體記憶庫 歷史表之給定項目内之該未來預測值，其中，該給定 •項目之位置係蚊於儲存於該給定記憶體記憶庫中該 分頁表内之該個別記憶體記憶庫存取歷史資訊。 ❾23.如申明專利範圍第22項之記億體控制器，其中，儲 於該給定記憶體記憶庫中該分頁表内之該個別記憶體 記憶庫存取歷史資訊係包括於對該給定記憶體記憶庫 之特定數量之最近先前的記憶體存取期間指示該給定 記憶體記憶庫中那-些記憶體分頁係被存取之資訊。 24.如申請專利範圍f 21項之記憶體控㈣，其中，該記 憶體控制H係可以操作以識別對應於該#前記憶體要 求之記憶體存取狀態，其中，該記憶體存取狀態係以 下其中一種： 94440 36 200925859 分貝斧甲， _ 以姐〜片Ί尔匕經開啟； 開啟之分頁； 分頁落空，扣示於該給定記憶體記憶庫中不具有 分頁衝突 扣不該給定記憶體分頁係未開啟以及 於該給定記憶體記憶庫中另一個記憶體分頁係門啟. 其中，該記憶體控制器係可操作以根據該幵記㈣ 存取狀態來更新該未來預測值。 25. Ο 如申請專利範圍第24項之記憶體控制器； 其中，當該記憶體存取狀態係為分頁命中，該記 憶體控制器係可以操作以更新該未來預測值，以指示 該給定記憶體分頁應該維持開啟； 其中，當該記憶體存取狀態係為分頁衝突，該記 憶體控制器係可以操作以更新該未來預測值，以指示 該給定記憶體分頁應該被關閉； 其中，當該記憶體存取狀態係為分頁落空，並且 ❹ 該給定記憶體記憶庫内最近開啟之分頁並非該給定記 憶體分頁’則該記憶體控制器係可以操作以更新該未 來預測值，以指示該給定記憶體分頁應該被關閉；以 及 其中，當該記憶體存取狀態係為分頁落空，並且 該給定記憶體記憶庫内最近開啟之分頁係為該給定記 憶體分頁.，則該記憶體控制器係可以操作以更新該未 來預測值，以指示該給定記憶體分頁應該維持開啟。 26.如申請專利範圍第24項之記憶體控制器，其中，該記 37 94440 200925859 ； 憶體記憶庫歷史表中每—條項目均_進— 儲存個別之可靠計數器值； ,· Μ，該記憶體㈣器係可以操作以將該未來預 - 測值儲存於該記憶體記憶庫歷史表中之給定項目内. 以及 、 其中’該记憶體控制器係可以操作以根 體絲狀態及儲存於該給定項目内之該個別之可靠^ 數器值來更新該未來預測值。 ❹27.如申請專利範圍第26項之記憶體控制器，其中，當該 可罪計數器值係特定數值，'該記憶體控制器係可以操 作以更新該未來預測值。 28. 如申請專利範圍第27項之記憶體控制器，其中，該特 定數值係〇。 29. 如申請專利範圍第27項之記憶體控制器，其中，該記 憶體控制器係可以操作用以： ❹ 增加該個別之可靠計數器值，當： 一旦該當前記憶體要求對該給定記憶體分頁之存 取已完成’該當前預測值指示該給定記憶體分頁應該 被關閉並且該記憶體控制器關閉該給定記憶體分頁； 或 一旦該當前記憶體要求對該給定記憶體分頁之存 取已完成’該當前預測值指示該給定記憶體分頁應該 被保持開啟並且該記憶體控制器保持該給定記憶體分 頁為開啟；以及 38 94440 200925859 ， ' 減少該個別之可靠計數器值，當： 一旦該當前記憶體要求對該給定記八 ，· ’該當前預測值指示該給定記憶體:頁2 .該記憶體控制器保持該給定記憶體分頁i =該當前記憶體要求對該給定記憶體分頁 取已元成，該當前預測值指示該給定記憶體分 被保持開啟並且該記憶體控制 …k © 頁。 利态關閉該給定記憶體分 30.如申請專利範圍第29項之記憶體控制器； 女叙—旦該個別之可靠計數11值已達到特定最 1值，該記憶體控制器係可以操作以停止該個別之 可罪計數器值之增加；以及 其中該特定數值係〇。 31 -種管理記憶體存取之方法，該記憶體具有複數個記 ❹ 憶體纪憶庫，該方法包括： 、接收複數個記憶體要求並且將該接收之記憶體要 求如同迫切之s己憶體要求一般健存於仔列内； 選擇儲存於該佇列内該迫切之記憶體要求中的一 個，並且自該佇列移除該選定之記憶體要求； 識別給定記憶體分頁以及對應的給定記憶體記憶 庫’其中’該§己憶體記憶庫係被該選定之記憶體要求 所要求： 基於對該給定記憶體記憶庫之最近記憶體存取之 39 94440 200925859 歷史所對應之預測值， 該被關閉或保持開啟之預周該給定s己憶體分頁是否應 • 判斷沒有任何儲存於兮p ^ Λ ' 、七及X — 士 这知列中之該迫切記情體I .求絲在存取該給定記_記憶庫； 回應該判斷，進行以下其中—個步驟： *對該選定之記憶體要求致能自動預充電，以回應 ¥致於該給定記憶體分頁應該被關閉之該預測之該作 出預測；或 作 對該選定之記憶體停用該自動預充電，以回應導 致於該給定記憶體分頁應該被保持開啟之該預測之該 作出預測。 Ο 94440 40