TW200921822A - Method for raising chamber temperature and heating apparatus thereof - Google Patents

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Description

200921822 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種反應室的升溫方法及其升溫裝置，特 別是，其能於短時間内升溫並達均溫狀態。 【先前技術】 半導體元件被製作完成後進入一測試程序，在測試過程中，隨 著半導體元件性能的不同，測試裝置可分成在高溫'室溫或低溫環境 中測試半導體元件，一般測試裝置係包括一浸泡室（soakchamber)， 以I、預熱或預冷半導體元件，以及一測試室(testchamber)用以對被預 熱或預冷之半導體元件進行測試。 當半導體元件必須在高溫條件下進行測試時，需先使預熱室及 貝·!減至的環i兄預先處在一設定溫度下，因此一般會分別於預熱室及測 试室中設置一加熱器及一風扇，以便藉由加熱器使預熱室及測試室之 内部溫度上升且將内部之水蒸發，並利用風扇將蒸汽排出。 二 然而此種單純利用加熱器使環境溫度升高並將水分蒸發的設 a十’十分耗時且耗費能量，例如將溫度由〇度提昇至9〇度時，即需 費時90分鐘才能使整個環境達到等溫狀態；因此如何有效降低加熱 時間且可快速翻等溫環境 ，即為本發明之目標。 【發明内容】 升、、^^去了解決上述問題，本發明目的之一係在提供一種反應室 恤，，藉由乾空氣的充入反應室，改變整個反 空氣流（air flow)的分佑 n ，且利用反應室之内部壓力的增加將含有水分的空氣排 5 200921822 〈衣衩，進而具有降低成本之優點。 為了達到|_、+、 升溫方法，^^ ^ 6、’本發％之—實施職供—種反應室 應室内與反應室^^應室内的空氣；以及充人-乾空氣至反 ，νω 的空氣混合，且將反應室内的空氣排出。 室，升提供—種升溫裝置，錢期於一反應 内的空翁.、 力口熱器5曼置於反應室内，以加熱反應室 氣。、 及軋體供應器連接反應室，用以提供一乾空 以下藉由具體實蘭配合所_圖式詳加，當更容易瞭解 明之目的、技術内容、特點及其所達成之功效。 【實施方式】 明參閱第1圖所示為本發明一實施例反應室升溫方法示意圖， 係在反應至(chamber)内設置一加熱器(heater)i2,於此實施例中， 反應室係為-職室1G，糊加熱器12加細試室㈣之空氣；並 充入一乾空氣，如圖式中箭號14所示為乾空氣的注入與流動示意， 使乾空氣與加熱後之熱空氣混合，且促使麟室1G⑽空氣流（air flow)產生改變，如圖式中箭號16所示即為熱空氣流動示意；之後， 由於乾空氣的持續充入，測試室1〇内之壓力變大，進而將測試室1〇 内之空氣排出，如圖式中箭號18所示即為空氣排出示意，於此實施 例中，所排出之空氣係為含有水分之空氣。 在上述實施例中’乾空氣係由測試室10側邊輸入造成空氣流的 改變；於另一實施例中，反應室係為一預熱室2〇，如第2圖所示，乾 空氣係由預熱室20上方充入預熱室20内，使預熱室20内的空氣流 產生變化’如圖式中箭號14所示為乾空氣的注入及流動方向示意， 200921822 箭號16所示即為熱空氣流動示意，同樣地，隨著乾空氣的持續充入， =將預齡20时有水分之空㈣出，如圖式中#號18所 含水分之空氣排出示意。 因此’隨著反應室内含水空氣的減少，將可大幅降低反應室内 =度’硫使加熱H職生的減可财舰提高反應室内之溫 進而可在較短的時間内將反應室内的溫度提高至某—設定溫度並 達之環境。於另—實施财，反應室内更可連接於—排氣裝置 (圖中未不），如風扇，以加速空氣的排出速率。 〜第/圖所示即為本發明之升溫測試結果示意圖，如圖所示，隨 :乾空氣的注人，加熱器在1G分鐘的加熱時_即可將反應室内的 /皿度由G度提昇至9G度，且在20分鐘的加鱗肋，制等溫之環 境，以停止加熱器之運作；在其他的測試結果方面，本發明亦可在2〇 分鐘内將反應室的溫度由_1()度提昇至9G度且達到轉環境，抑或在 23分鐘内將溫度由_3〇度提昇至9〇度且達到等溫環境；與習知需於 ^分鐘財能將反應室的溫度由〇度提昇至9Q度她而言，本發明 實具備有減少加熱H的加麟間崎低成本之優點。 \ 第4圖所示為本發明一實施例之升溫裝置示意圖，此升溫裝置 係應用於-反應室3G，以加速反應室3G升溫至預定之溫度，升溫裂 置包括-加熱器32，-般係設置於反應室3Q畴的上方，以加埶整 個反應室30内之空氣；以及一氣體供應器34，係與反應室3〇連接， 以提供一乾空氣至反應室3〇内。 '接續上述說明，虽反應至為一測試室時，氣體供應器由反應室 ϋ邊充2乾工减反應室内；當反應室為-預熱室時，氣體供應器則 反應室上方充入乾空氣’而無論由哪個方向充入乾空氣，皆會改變 反應室之空氣流狀態，且增加反應室_部壓力，使含水分之空氣被 排出。在另-實施财，更可將—概裝置連接反魅，常用:為一 風扇，以加速將反應室内之氣體排出。 200921822 並择ΛΤ""，树_域从故崎肢齡_空氣流， 室rt修力而將空氣排出，使得加熱器在較短的時間内 ,μ至内的溫度提㊉之某—設定溫度，且達到等溫之環境 有降低成本之優點。 〃 以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特 點’其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之内容 並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依 本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本 餐明之專利範圍内。 【圖式簡單說明】 第1圖所示為本發明一實施例測試室升溫方法示意圖。 第2圖所示為本發明另一實施例預熱室升溫方法示意圖。 第3圖所示為本發明之升溫測試結果示意圖。 第4圖所示為本發明一實施例之升溫裝置示意圖。 200921822 【主要元件符號說明】 10 測試室 12 加熱器 14 前號 16 箭號 18 箭號 20 預熱室 30 反應室 32 加熱器 34 氣體供應器

Claims (1)

  1. 200921822 十、申請專利範圍： 1. 一種反應室升溫方法，包含： - 加熱一反應室内的空氣；以及 充入一乾空氣至該反應室内，與該反應室内的空氣混合，且將 > 反應室内的空氣排出。 2. 如請求項1所述之反應室升溫方法，更包含排氣之步驟，以加速 排出該反應室内的空氣。 3. 如請求項1所述之反應室升溫方法，其中所排出之該反應室内的 空氣為含有水分之空氣。 f 4.如請求項1所述之反應室升溫方法，其中該反應室係為一測試室 或一預熱室。 5. —種升溫裝置，其係應用於一反應室，該升溫裝置包含： 一加熱器，設置於該反應室内，以加熱該反應室内的空 氣；以及 一氣體供應器，連接該反應室，用以提供一乾空氣。 6. 如請求項5所述之升溫裝置，更包含一排氣裝置，連接該反應 室，用以排出該反應室内的空氣。 7_如請求項6所述之升溫裝置，其中所排出之該反應室内的空氣為 含有水分之空氣。 8. 如請求項6所述之升溫裝置，其中該排氣裝置係為一風扇。 9. 如請求項6所述之升溫裝置，其中該反應室係為一測試室或一預 献室。 ，、、、j- 10
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56147040A (en) * 1980-04-16 1981-11-14 Hitachi Ltd Device for producing dust at constant rate
US4336443A (en) * 1981-01-22 1982-06-22 Benedetto Joseph M Modular bake oven for drying varnished electrical components
DE3434000C1 (de) * 1984-09-15 1986-02-06 Werner & Pfleiderer Backofen mit Heissluftumwaelzheizung
US4908231A (en) * 1986-09-08 1990-03-13 Bgk Finishing Systems, Inc. Automobile coating heat treating process
JPH05126901A (ja) * 1991-10-31 1993-05-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体テスト装置
JPH07113841A (ja) * 1993-10-15 1995-05-02 Hitachi Ltd 温度サイクル試験方法及びその実施装置
JPH07294595A (ja) * 1994-04-28 1995-11-10 Ando Electric Co Ltd 高低温槽にキャリアが循環するオートハンドラ
US5568692A (en) * 1994-11-09 1996-10-29 Durr Industries, Inc. Paint drying oven with radiant energy floor
US5606640A (en) * 1995-11-21 1997-02-25 Murphy; Willard J. Towel warming cabinet with heated air from attached hair dryer circulating through towel rack and downwardly over the towel
US5793019A (en) * 1996-10-23 1998-08-11 Driquik, Inc. Electric infra-red and forced air oven
JP3547006B2 (ja) * 1999-11-11 2004-07-28 松下電器産業株式会社 ガス放電パネルの製造方法およびその製造装置
KR20020017270A (ko) * 2000-08-29 2002-03-07 김정곤 팬 속도 감지장치를 가진 반도체 디바이스 테스트 핸들러
US7116900B2 (en) * 2003-04-01 2006-10-03 Radiant Optics, Inc. Radiant energy source systems, devices, and methods capturing, controlling, or recycling gas flows
KR20050026603A (ko) * 2003-09-09 2005-03-15 삼성전자주식회사 과열증기 조리장치
KR100735099B1 (ko) * 2005-07-06 2007-07-06 삼성전자주식회사 제습장치

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