TW200917887A - Self-luminescent type element, illumination device and display device - Google Patents

Description

200917887 九、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本：明係關於一種自發光型元件及照明裝 =之::::於利用配置於電極層間之發光層所產= ⑽使用此自發光型元件之照日^以 【先前技術】 帝广 具有多層構造之自發光型元件係被定電流或定 ^壓驅動。於第9圖中表示作為如此之自發光型元件的有 機發光二極體（〇_1〇〇之構成。此有機發光二極體1〇〇 係具有電極層1G3、發光層1G5、電極層⑽以此順序疊層 於基板m、1〇2之間的構成。 曰 么光層105係成為電洞注入層丨〇5a、電洞輸送層 l〇5b、有機發光層105c、電子輸送層i〇5d、電子注入^ 105e以此順序疊層之構成。 此有機發光二極體係若於電極層1〇3與電極層 104之間施加電壓，發光層1〇5會發光，#此，會從基板 101或基板102側朝外部照射光。 以在此種有機發光二極體1 〇 〇有起因於初期不良、長 年劣化等所造成的不佳情形或發光效率降低等現象而發光 層105本身發熱，或元件本身發熱之虞。為保護免受發熱 之影響，在使用有機發光二極體1〇〇之照明裝置及顯示裝 置中，多以外掛設有由PTC熱敏電阻（thermister)或保險 絲等所構成之保護電路（PTC熱敏電阻例如參照特許第 320396 5 200917887 2936057號“報、特許第3214546號公報、特許第37〇1113 號a報4寺開第2000-109615號公報、特許第26831 1 3號 公報）。 於第1〇圖表示ptc熱敏電阻的概略構造。pTC熱敏電 阻U〇係具有於電極m、112之間配置PTC材料113之構 成PTC材料113若溫度上昇，電阻值會變大，由此，使 電流不易流動於電極111、112間。 因此，藉由使含如此之PTC熱敏電阻等的保護電路適 壯；自卷光型元件、由多數之自發光型元件所構成的照明 展置及顯示裝置，俾於元件之溫度上昇時使電流不易流動 而防止發熱。 【發明内容】 然而，若以外掛設有如此之保護電路，製造成本會上 昇，同時裝置全體會大型化。 置=在具有多數之自發光型元件的照明裝置或顯示裝 一其平均輪出依發光區域而異，以及於多數之自發光型 化件間有製造參差不齊等，俾每一自發光型元件，長年劣 5進行h形會相異，而在相同之裝置内產生起因於發光 ^ 低之熱變明頒之區域、與不會發熱之區域。 、驗而’在具有使多數之自發光型元件陣列排列的自發 述件陣列排列之照明裝置或顯示裝置中，即使設有上 *之保護電路’無法對應於個別之發熱區域而防止發 〇 亦g — P ’即使在個別區域之電流值或溫度超過基準值， 右裝置全；+恭、+ π 組<电>瓜值或溫度未超過基準值，亦無法使保護 6 320396 200917887 電路作動。因此，在上述照明裝置或顯示裝置中，僅設有 保護電路，並無法防止特定區域的發熱。 —^於上述照明裝置或顯示裝置僅設有保護電路時， 右保護電路作動，則包含產生發熱之個別區域在内之全區 域^停止作動。因此，只可以正常作動之區域保護全體之 明亮而繼續使用時，全體之照明功能亦會喪失。 另外，在如此之裝置中，為對應於個別之發熱區域， /所刀d之每一發光區域、每一自發光型元件陣列排列、 ，而多數之每―多數自發光型元件等的每-保護單位上配 叹上逑外掛之保護電路，製造成本大幅地增大，不切實際， 而且裝置會大型化。 本發明係為解決如此之課題所構成者，其目的在於提 供一種可侧且㈣地防止目長年劣化等 型元件之發熱，同時可謀求省空間化之自發光❹件= 明裝置以及顯示裝置。 $達成上述目的’本發明係—種自發光型元件，其係 ”備第1電極層、第2電極層、與配置於此等之電極層間 且於此等之電極層間使電流流動以進行發光之發光層，其 特徵在於：具備依據溫度上昇而限制使前述第丄及第2之 電極層間流動的電流量之功能性層。 若依如此所構成之本發明’自發光型元件係在一般的 作動狀態，藉由使電流流動於第！電極層與第2電極層之 間’而使發光層發光而作為發光元件功能。亦即，在此一 般的作動狀態，因功能性層保持於—般之設定溫度範圍内 320396 7 200917887

.之比較低溫’故可良好地維持第U 間的導通狀態。 罘2電極層之 ，光二長年變化所造成之發光效率的降低等，發 •先層專之溫度會上昇至設定範圍以卜’十由印、 •時，藉此溫度上昇，功能性層會 ’二溫度上昇 二! 置。猎此，可抑制元件溫度的上昇，可個別且 廉4貝地防止元件發熱。 別且 繼在本發明中’因可藉功能性層實現此電流限制 :署故相較於如習知般設有外掛保護 ，可 明裝置全體的省空間化。 才」轟衣恥 又，在本發明中較佳係進一 第2電極声之門姐右ά、薛ώ丄 ；弟1電極層與前述 :之:=::r性之有二= 作、.s 此地所構成之本發明，可夢導雷展， 進對鄰接之層之電洞或電子之注入。尤1，二爲曰， 於發光層與魏性層 俾 層宜設 層，而可提昇發光效率。電而或電子注入於發光 再且，在本發明中較佳係第2電極層 依如此地所構成之本發明，亦可不另 :電^若 故可使構成簡單化。 百弟2電極層， 並且，在本發明中，具體上係於第1及 間依序疊層發光層與功能性層。又，在另_ 、極f 1及第2之電極層間依序疊 ^系於弟 又，在另-態樣中係第〗之電極層、二= x尤層、導電層與功 320396 8 200917887 能性層之第2電極層依序疊層。又，在另—態樣中係第] 之電極層、發光層、與功能性層之第2電極層依序叠層。

並且，在本發財較錢發光疊層有有機發光層或並 機發光層。若依如此地所構成之本㈣，可以具有有機發 光層或無機發光層之型式的任一者構成自發光型元件。X 並且，為達成上述目的，本發明之照明裝置係具備上 述自發光型it件。若依如此地所構成之本發明，與上述自 發光型元件同樣地可個別且廉價地防止元件之發熱，同時 可謀求發光裝置全體之省空間化。 繼而 ± 1從社以複數之自發光型元件構成照明裝置 二各自發光型元件個別地具有電流限制功能，故對於各 發先型π件不個別地設有外掛保護電路 價地謀求裝置之省空間化，同時並可保護各自發光型元ί 免於受發熱之影f。 尤i兀件 再且，為達成上述之目的，本發明之 上述自發光型元件之陣列排列.^ l 衮置知/、備 L + 早幻排歹]依如此地所構成之本發 明，與上述照明裝置同樣地，盔 ,.^ w ., _ …而對各自發光型元件個別 ^又^卜掛保4電路，而.可個別地且廉價地進—步謀求裝

置之嗜空間化’同時祐可·粗罐々A 丨J %亚可保遵各自發光型元孰 影響。具體地，在本發明$ _壯 克又么”、'之 ㈣4置中，藉保護電路之内 藏化，可進灯仃動雷每望 可m _ 寺之移動機器的更省空間化。又， 電流保護。 ^ _之顯4域或像素單元之過 【實施方式】 320396 9 200917887 • 以下，參照附圖而說明有關本發明之實施形態。首券 ，藉第！圖、第2圖，說明本發明之第^實施形態所得到的 :發件°在第1實施形態中係表示使本發明之自發 光型兀件適用於有機ELL元件之例。 又 第1圖係本發明之第1實施形態所得到的自發光型亓 件之截面圖，第2圖係第！圖之更詳細截面圖。 其乂第\圖所示，第1實施形態之有機元件“系成為於 =12上$層電極们4、功能性層16、發光層15、電極 θ ，進一步以基板11被覆電極層13之構成。 基板Π、12為玻璃基板。基板u、12係至少任 :透過可見光者，於玻璃基板以外，可使用塑勝、高分子 缚膜、石夕基板（基板）等。基板之厚度係依有機el元件】 之用途(例如，顯示器、照明、可撓性顯示器等)而 —般為約50#m至2_。 /、 電極層13、14係形成層狀之陽極、陰光 層15使電流流動之角色。又，電極辱η 钯任於么先 辟/ y 月巴x電極層13、係分別為層 d發光層15使電流流動之角色，亦可為層狀。 I月14之中’至少位於照射光之方向者係透明或半 月。又’於電極層13、14以外亦可設有補助電極層。 構^電極層13、14之材料係金屬、導電性之金屬氧化 =错金屬薄膜等。具體上，係氧化銦、氧化鋅、 :化錫、銦錫氧化物(_、銦鋅氧化物、金、翻、銀、銅、 亦二、鎂或鎮/銀合金等之金屬或這些金屬之氧化物。又， 亦可進-步採取於此等之金屬等形成紹、銀、鉻等之多層 320396 10 200917887 構造。又，亦可❹料胺或其衍生物、㈣吩或其街生 物等之有機透明導電膜。 電極層13、14之厚度係可依目的而適當設定，但為 -至左右’更宜為別⑽幻“，更宜為2〇⑽至 50〇nm。電極層13、14係可藉真空蒸鍍法、濺鑛法、離子 鑛法、電鐘法、喷墨塗佈法、網版印刷法等而形成。 發光層15係以電極層13、14而施加電壓以進行發光。 例如，如# 2圖所示，發光層15係具有依序疊層電洞 注入層15a、電洞輸送層15b、有機發光層❿、電子輸送 層15d、電子注入層15e的構成。構成各層之材料係可使 用公知者。 電洞注入層15a係為提昇電洞注入之效果，故鄰接電 極層13而配置。 為形成電洞注入層158之電洞注入層材料並無特別限 =，而可使用公知者。具體上係可❹例如銅酜菁等之敗 菁（Phthalocyanine)錯合物、4,4,，4，，-三（3-甲基苯基苯基 胺基）三苯基胺等之芳香族胺衍生物、踪（hydraz〇ne)衍= 物、味唾衍生物、三销生物、㈣衍生物、具有胺基之 噁二唑衍生物、聚噻吩等。 杏洞注入層l5a之厚度宜為5至3〇〇nm左右。這是因 為當厚度不足5nm時有製造困難之傾向，而若厚度超過 300nm，所施加之電壓有變大之傾向之緣故。 電洞輸送層15b係可提昇對有機發光層15c之電洞輸 送效果的效率，故可鄰接電洞注入層15而配置。 320396 11 200917887 用以形成電洞輸送層15b之電洞輸送層材料並無特別 限制，而可適宜使用公知之材料。呈 N NJ - - ^ Λ Μ /〇 八-上如可使用例如 一本基-Ν，Ν _二（3—甲基笨基）4,4，—二 (TPD)、_4,4，_雙叫卜关 私基聯本基 之芳香族胺衍生物等。本基胺基]聯苯基）等 電洞輸送層155之厚度係無特別限制，而可依目的之 ，計而適當變更，但宜為5幻⑽左右。這是因為當厚 度不足5nm時，製造變困難，或盔 / 次热法充分得到電洞輸送之 效果的傾向，若厚度超過1〇〇nm，所施 傾向之緣故。 另又穴之 有機發光層15(：係鄭接於電洞輸送層说及電子輸送 層15d而配置，從兩側之層所輪送的電洞與電子會再处 合、激發，俾朝向外部而發光。構成有機發光層❿之材 料’可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。 具，地，構成有機發光層15c之低分子化合物係蔡衍 生物、葱或其衍生物、花或其衍生物、聚次甲基系、氧雜 心糸、香豆素系、菁系等之色素類、8,㈣琳或其衍生 物之金屬錯合物、芳香族胺、四苯基環戊二稀或其衍生物、 或四苯基丁二烯或其衍生物等。 又，具體地，構成有機發光層15c之低分子化合物係 聚^其衍生物及共聚物、聚芳縣、其衍生物及共聚物、 聚芳禮基亞乙婦基、其衍生物及共聚物、聚芳基胺、其衍 生物及共聚物等。 又’構成發光層15之有機發光層15c的構成材料，亦 320396 12 200917887 .可使用以銀為中心金屬之Ir(ppY)3、Btp2lr(acac)、以麵 為中心金屬之PtOEP、以銪為中心金屬之Eu(TTA)3phen ‘等、可顯示三重態發光之材料。 • 電子輪达層i5d係為於有機發光層15c提昇電子輸送 層效果之效率，鄰接於有機發光層15c而配置。 供帝形成，子輸达層15d之材料並無特別限制，而可使具 二性之公知的材料。具體上係可使用例如聚環烴 (糸歹J何生物、雜環化合物、三（8_啥琳配位基）銘等。 朽^子注人層❿係用以提昇電子注人之效果，鄰接電 極層14而配置。 丹丨较电 用以形成電子注入屏〗+ +， 限制曰156之電子注入層材料係無特別 一^驗等广具體上’可使用^、 又，屯子注入層15e之厚度宜為3至50nm 乂太« 因為厚度不足3nra時，有报難製造之—工、。每疋 所施加之雷屦右皤备 ' 、向，若超過50nm， 1 &加之電壓有變大之傾向之緣故。 又，在本實施形態中係發 輪送層/有機發光層/電子輪送润注入層/電洞 相鄰之層相接。以下相同）所 /入層（「/」係表示 如以下之構成。 '不限於此，而亦可為 a) 有機發光層 b) 電洞輪送層/有機發光層 c) 有機發光層/電子輸送層 d) 電洞輪送層/有機發光層/電子輸送層 320396 13 200917887 e) 電洞注入層/有機發光層 f) 有機發光層/電子注入層 g)電洞注入層/有機發光層/電子注入層 h )電洞注入層/電洞輸送層/有機發光層 〇電洞輸送層/有機發光層/電子注入層 J)電洞注入層/電洞輸送層/有機發光層/電子注入芦 k)電洞注入層/有機發光層/電子輪送層 θ ◦有機發光層/電子輸送層/電子注入層 m)電洞注入層/有機發光層/電子輸送層/電子注入層 ')電洞注入層/電洞輸送層/有機發光層/電子輪送； 0)電洞輸送層/有機發光層/電子輸送層/電子注入^ =電m層/電洞輸送層/有機發光層/電子輸送層/電子 >玉入層 上述構1實施形態之構成。功能性層16 門:據溫度上昇，而具有限制於電極層14及電極層^之 曰1 /敢動之電'流量的功能之層。 功能性層16係一般電阻值低，確保電極層i3、 之，好導電狀態。但，功能性層16係藉周圍溫度之上昇 功2性層16本身之發熱，層溫度會上昇，若超過特定之 值’凰度，層之電阻值與一般之值相較而增大至相當程度 2成為限制電流量之溫度依存型的電流限制元件產生 月b。亦即功能性層16係具有依據溫度上昇而電阻值上昇 pTc(p0sltlve temperature c〇efficient)熱敏電阻功截 或依據溫度上昇而從導電體變化成絕緣體之保險絲功能 320396 14 200917887 由具有PTC熱敏電阻功能之PTC材粗 層16係X件溫度為特定之閾值溫度以下時，功能性声16 全體之電阻值為數至數十Ω，較佳係具有非常低至數m Ω至數百m◦之值，但若元件溫度 、w古 又工幵，超過特定之閾值 &度，具有電阻值急劇上昇之特性。溫择 1βΑΑ+ 汁饤1王，皿度了時之功能性層 1 6的電阻值R係可以下式表示。 R=R。· exp{ α (1/Τ 至 1/Τ。）} 但，R〇係溫度Τ〇時之電阻值，α為熱敏電阻係數 (thermister coefficient)。 功能性層16之設計電阻特性係可依有機EL元件丨之 使用目的與環境而具有寬度。功能性们6係在閾值溫度 (threshold temperature)以下時其電阻值較佳係控制於 數πιΩ至數百之間，若超過閾值溫度，電阻值急劇或徐 緩地上昇，最後到達閾值溫度以下之電阻值的1〇8倍以下。 闕值溫度宜為6〇至10(rc，更宜為60至8(rc，功能性層 16之電阻值若超過閾值溫度，伴隨溫度上昇，呈指數函數 地或線性地上昇。 構成功能性層16之PTC材料係例如於聚合物中導電性 微粒子約均一地分散之構成。藉此構成，可得到安定之熱 敏電阻特性。 構成PTC材料之聚合物係聚乙浠、聚丙稀、聚偏氟乙 烯、聚氯化乙烯、聚醋酸乙烯、離子聚合物樹脂、聚烯烴 等。 工 構成PTC材料之導電性微粒子係碳黑、石墨、碳纖維、 15 320396 200917887 .導電性晶絲、導電性陶莞粉、鎳、銅、金、銀、鐵、絡等。 -μ又，功能性層〗6係不限定於上述構成，而亦可於由表 面5又有多數之微小凹凸的上述導電性微粒子所構成之層之 間配置由上述聚合物所構成之薄膜層的疊層體。於此疊層 體：：藉由形成於表面之導電性微粒子的微小凹凸，二 形成V電性微粒子的分散狀態。 力ι丨生層16不限定於上述構成’而可以具有打◦熱敏 電阻特性之材料形成。 ”、 又’功能性層16係若為閾值溫度以下 16^t4 4 ’亦可使用此作為電極層之構成。 (效果其)_Γ ’說明以上述之實施形態的自發光型元件之作用 源，元件1之電極層13與電極層14連接外部電 7電流驅動’於電極層13與電極層14之間施加定 圍：之ίί層15即發光。於有機机元件1中流動設定範 電2電W時，功能性層16保持數至數百㈤之間的 低，因長年劣化等有機EL元件1之發光效率降 性層！6。i 熱量增加，發光層15之熱傳遞至功能 元件中，ηΓ 率降低，在被定電流驅動之有機乩 16之、、w产虽曰13、14間之電麗上昇。藉此，若功能性層 昇，广值件;力能:層16之電阻值會急劇地上 、有機乩…之電力供給(含有遮斷)。如此地， 320396 16 200917887 -藉由限制於有機乩元件1之電力供給(含 .EL元件1係可防止發熱。 有遮_)，有機 ‘ 如此地在本貫施形態中係使可防止 — C功能性層16形成於有機EL元 ：1 Π :EL元件之照明裝置及顯示農置==容 易’且’無需如習知般設有外掛保護電路 有機EL元件1之發光裝置的省空間化。 某未 ，發光=ΓΓ4圖說明以本發明之第2實施形態的自 ^兀*件。在以下之實施形態中對鱼 的構成要素賦予相同的符號， 明 Am目同 重複的說明。 寸就主要說明相異之部分而省略 、車接：：、3圖所不，在第2實施形態之有機EL元件1中係 道=光層15與功能性層16之間而設有導電層 發光層二為了補助電子及電洞之層間的移動，促進 於導電Θ 而設於發光層15與功能性層16之間。 = 所含有的材料係可舉例如金屬 二=半透明之金屬薄膜、導電性之有機化合物 旗二屬:《導電性之金屬氧化物膜、半透明之金屬薄 且體例可兴彳，“之金屬氧化物臈、半透明之金屬薄獏之 性之!:舉例如與前述之電極層…“相 材料、電洞輸送層材:例述之一層 同的材料。藉此導電層層材料所說明之材料相 ,^ 均 了長歼發光層〗5之發光效率。 弟4圓所不，發光層]5可形成與第i實施形態同樣 320396 17 200917887 之層構造。 •即使在如此所構成之第2實施形態的有機EL元伴. .果。 、弟1貫施形悲之有機乩元件相同的作用效 接著依據第5圖說明以本發明 光型元件。 之；3貧施形態的自發 如第5圖所示，在第3實施形態之有 第2實施形態同樣地連光 中〃 而执右墓^ ” Α尤廣15與功能性層16之間 口又有¥电層17，但與第1及第 雷炻层1 /1 . 矛z月細形怨相異’不設有 曰 ，發光層1 5之構成係可盥第1每f y & π 樣做法。 J 〇弟1灵轭形態同 在第3實施形態中形成省 功能性岸IfiM〜 層4之構成，而使用 層:=代電極層14。藉此，可使有⑽元们之 中，亦第所二成之第3實施形態的有機EL元件1 果。x 〃弟1貫施形態之有機虹元件相同的作用效 接著依據第6圖說明以本發 光型元件。 料月之弟4霄施形態的自發 如弟6圖所示，在第4^ # 從第3實施p f ^之有機EL元件1中係 弟3貝㈣恶之構成省略導電層】 2實施形態相異 傅战興弟1及第 Μ Ί ^ , 有電極層14。發光層15之構成可盥 弟1霄施形態同樣做法。 構烕了/、 即使在第4實施形態之構成中 舟取r亦與弟3實施形態之 320396 18 200917887 _構成同樣，可使用功能性層16取 實施形態中，_由φ 電極層14。如此在第4 • Τ猎由令略電極層U及導電岸17 単化。 于电層17 ’使構成簡 » 即使在如此所構成第 -士+ # 弟4只知形態的有機PT孑A ! 中，亦可發揮與第有機1凡件1 果。 β啊Μ疋件相同的作用效 接著依據第7圖說明以本發 EL元件1。 昂13只施形態的有機 f 如第7圖所示’第5實施形態之 板12上疊層電極層u 係於基 於其柘丨？ μ田s 5同日Τ並挟住絕緣層18， 於基板12上$層電極層14、功能性層16牛 發光層15與功能性層〗 步以被覆 板11被覆此等編… 成導電層17’具有以基 芦^厂 構成。功能性層16與發光層15係ΙΜ邑缝 層Ϊ 8而區隔兩端部。葬 、猎，，、邑緣 此有機EL元件H 、緣層18而鄰接之層係電氣絕緣。 第7二Γ以光微影银刻技術等而形成。 弟7圖所不之有機EL元件i係並非只 於構成笫ϊ同私_ 丄 升，、朝同度方向疊層 稱成弟】圖所不之有機乩 且曰 成之構成。 备層千面地展開而形

在本實施形態之有機EL 極層14夕叶丄甲係於電極層13與雷 1 之/施加Μ流，發光層〗5進行發光。电 辦加右因^化等發光層15之發光效率降低而發執量 :加因：電流驅動’電極層13與電極 。: 汁。進一步於功能性声 堡上 能性層16之溫产赶過曰羊：S 15之熱傳遞而來。若功 度超過某闕值，電阻值會急劇地上昇，故可 320396 19 200917887 限制於有機EL元件i之電力供給。藉地，可防止有機乩 兀件1之發熱。 、 在本實施形態之有機EL元件1中，無需如習知般設有 外掛保護電路，故可謀求發光裝置的省空間化。又。又 其次，依據第8圖而說明本發明之第6實施形態的照 -第8圖係照明裝置2之正面圖。照明褽置2係具備於 同一基板12上配置之有機EL元件1Ga乃至lp)的狀 第8圖中4x4)之陣列排列、與端子部2a、訃。有機乩元 件1係與上述貫施形態記載相同者。端子部^％係 連接於各有機EL元件i之電極層13、u，成為可仏 部電源。又’在第8圖中省略基板u之圖示。’口 照明裝置2係藉定電流驅動，於端 定電流而發光。 Zb間机動 若長期間使用照明裝置2,則由於 效:全體地降低，變換成熱之比率增大。二= ^ 士 h、16、U、lffi、ln、lG、1?相較於其以外者而劣化 ::’由於端子部2a、2bfs1定電 卜= 蝴之有㈣元件…】。、…】 ：一:广 11。 、1 j、Ik、 電流集中之有機EL元件1亮产卜曰门士 著。此時，若電汽隹 又歼，同纷發熱很 其功能性層16之電脸心u以m皿度超過某« 動於功能性層1 β之雷 電々“艮難; 电阻值上升之有機虹元件而在j 320396 20 200917887 -劣化快之有機EL元件1與發熱均衡之部分成為安定，以 .全部之有舰元件！保持閾值以下之溫度的亮度會進行發 光。 x -元件Π !L广11產生免點’電流集中時’此有機el 逮地發熱。照明裝置2蚊電流驅動，故對有 凡件11以外之有機EL元件1係電流供給即受限制，

热法以意圖之哀戶#库、杜—找， 又f市J 之”二 光。但，若有機a元件Η 地：二=則功能性層16之電阻值的電阻值急劇 什對電阻值上昇之有機Ε丨 地受限制，而隼中於有機Fi」 1电流供給大幅 於周邊之有機I : 牛11之電流即均等地分配 乃邊之有枝件卜因此，有機乩 以下之溫度的亮度會進行發光，其周呆持：, 即以所意圖之亮度進行發光。 有械虹几件丨 等造形態之照明裝置2中，因長年劣化. 流時生於特定之有親元件1集中電 合上曰* 士 錢凡件1的功能性層16之電阻值 幵。由此，電流即分配於其他之有機H 值 抑制電流集中之有機EL元件Μ發熱。騎！，而可 在本實施形態之㈣裝置2 _，於 之層構造中形成功能性層16，故可 機E“件1 機EL元件；1之發熱。 廉知地防止各有 '、*叙本I月之知明裳置係只限制（遮斷）於長丰/μ 的電流’其他之元件係繼續發光，故成二八之元件 使長年劣化，亦可防止發熱，故可長全^用又， 320396 21 200917887 - 在上述實施形態中，照明穿# p ^ + .二=構藉此陣_⑽二 ==: 型式、或由"二:二^元…所構成之 域複數地八刻㈣ 數牛之排列所構成的發光區 域複數地刀割配置之型式等的照明裝置。 再且，可使第8圖所示之有機Ff :適用於顯示裝置。亦即，此時，端二 的列排列之列方向、行方向之各有機EL元件丨 A人立而子。繼而，藉由適當地組合端子部2a、2b中之 二人為子，可使有機EL元件}選擇性地點亮。 裝置藉此’可使用有⑽元件1的陣列排列構造作為顯示 藉由如此地構成’可於顯示裳置内使保護電路内藏 可進例如可進行行動電話等之移動機器更省空間化。並且， 電流:護顯不兀件全體、個別之顯示區域或像素單元之過 在上述實施形態中係使用有機發光材料而形成發光層 機二有層，表示自發光型元件為有機el元件或： 料㈣Γ5脰之例，但不限定於此，而就使用無機發光材 成發光層之無機發光層而言，亦可使自發光型元件 作為無機有機發光二極體。

、再且’在上述實施形態中係功能性層16之電阻值設 ^使某溫度閾值於邊境急劇地變化’但不限定於此，:溫 -上昇同時地缓慢地例如使電阻值以線性關係上昇之方Z 320396 22 200917887 來設定。 • 再且，上述實施形態中係將具有功能性層16由具有依 據溫度上昇之可變電阻特性之熱敏電阻功能構成，但不限 疋於此，而可使功能性層16具有超過閾值溫度時成為絕緣 狀恶之保險絲功能。 "' 產業上之利用可能柹 、右依本發明，可提供一種可個別且廉價地防止長年劣 化等所產生的自發光型元件之發熱，同時並可謀求省空間 化之自發光型元件及照明裝置以及顯示裝置。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明之第1實施形態所得到的自發光型元 件之截面圖。 第2圖係本發明之第1實施形態所得到的自發光型元 件之更洋細截面圖。 第3圖係本發明之第2實施形態所得到的自發光型元 件之截面圖。 第4圖係本發明之第2實施形態所得到的自發光型元 件之更詳細截面圖。 ^圖係本發明之第3實施形態所得到的自發光型元 件之截面圖。 件之本發明之第4實施形態所得到的自發光型元 1千之截面圖。 第7圖係本發明之第能 件之截面圖。 《5貫訑开〜所侍到的自發光型元 320396 23 200917887 第8圖係本發明之窜 a 、 之弟6貫施形態所得到的自發光塑π 件之截面圖。 弟9圖係習知例之白名义μ 1丨 ^ 妁乏自發光型元件之截面圖。 第10圖係習知例之ρΤΓ # HC熱敏電阻的截面圖。 【主要元件符號說明】 1 有機EL元件 2a、2b端子部 13、14電極層 15a 電洞注入層 有機發光層 電子注入層 導電層 有機發光二極 104電極層 105a 電洞注入層 105c 有機發光層 105e 電子注入層 111 ' 112 電極 15c 15e 17 100 103 2 Π ' 12 15 15b 15d 16 18 101 > 105 105b 105d 110 113 照明裝置 基板 發光層 電洞輸送層 電子輪送層 功能性層 絕緣層 102基板 發光層 電洞輪送層 電子輸送層 熱敏電阻 PTC材料 32〇396 24

Claims (1)

1. 200917887 •十、申請專利範圍： J· 光型元件，其係具備：第1電極層、第 極層、與配置於此等之電極層間且使電流 弟2電 電極層間以進行發光之發光層，其特徵在^ ^此等之 具備依據溫度上昇而限制流動於前述第 之電極層間的電流量之功能性層。第2 2·如申請專利範圍第μ之自發二型元件， 前述第1電極層與前述第2電 ：：^ —步於 屬、導電性之金屬氧化物臈、半透明之金屬薄膜及2 性之有機化合物的材料所構成之導電層。、. 3. t申請專利範圍第1或2項之自發光；元件，其中能、 弟2電極層為前述功能性層。 返 4. 如申請專利範圍第丨項之自發 _ 1及前述第2之電極層間依序聂 ：述第 A 序·^層則述發光層與前述功 月匕性層。 I 圍第2項之自發光型元件，其中於前述第 之電極層間依序4層前述發光層、前述導電芦 與前述功能性層。 a 6.如申請專利範圍第3項之自發光型元件，其中前述第、 =極層、前述發光層、前述導電層與前述功能性層之 弟2電極層依序疊層。 7·如申請專利範圍第3項之自發光型元件，其中前述第卜 ^電極層、前述發光層、與前述功能性層之第2電極層 依序疊層。 320396 25 200917887 8.如申=專利範圍第丨至7項中任一項之自發光型元件， /、中刖述發光層含有有機發光層或無機發光層。 二種照明裝置，其係具備如中請專利範圍第項中 任—項之自發光型元件。 〇.—種顯示裝置，其係具 任一項之自發光型元件^ 申請專利範圍第1至8項中 11陣列排列。 320396 26