TW200914922A - Method of forming multi layer thin film using laser - Google Patents

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200914922 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係與一種形成多層膜的方法相關，更特定是關 於一種形成多層膜的方法，其中用來修復一金屬圖樣之漏 電缺陷（open defect)的金屬層黏力被提高了 ，並在該金屬 薄膜上額外沉積一層鈍化層來防止金屬薄膜被隨意地 (arbituary)破壞。 【先前技術】 隨著半導體技術快速進展，液晶顯示器（LCDs)已朝向 體積小、重量輕的趨勢發展，而且已有高效能LCD產品進 入市場。 L C D s具有諸如體積小、重量輕、低耗電等優點，因 此目前許多資料處理設備都會加裝LCDs。 一般來說，這些LCD s都是使用液晶胞進行光線調節 的顯示裝置，其是將電位供應到排成特定方式的液晶上， 以將排成一特定方式的液晶轉變成另一特定排列方式，且 液晶胞的光學變化所發射出的光線，例如雙折射、旋光力、 二色光、和光散射性，可透過分子排列而被轉換成視覺變 化。 LC D是利用將一上、下板及構成像素單元的液晶，形 成及摩擦一配向膜以排列液晶，黏合上、下板，並在所黏 合的上、下板間形成的間隙中注入液晶而製成。 以上述方法製成的LCD有一金屬圖樣（例如，資料線 200914922 或是共用電極線）並具有電子傳導性。此LCD可能會 線缺陷，例如漏電或短路。 一般來說，依據缺陷的分布情形、數量和類形可 有可接受程度的缺陷分成因圖樣損失所造成的缺陷以 圖樣短路所造成的點缺陷。另一方面，當L C D出現任 線缺陷時，此L C D將沒有商品價值。因此，修復線缺 相當重要的。 在多種用來修復線缺線的方法中，有一種方法是 雷射化學氣相沉積法（CVD)，其係將一種金屬氣體注 晶面板之玻璃基板的缺陷部分，並以雷射光照射基板 復該缺陷。 第1圖是傳統用來形成薄膜的設備之簡圖。 此用來形成薄膜的設備包括一供給氣體單元1， 提供用於修復之氣體狀態的金屬材料；一雷射 5，用 射一雷射光束以光分解自供給氣體單元1所喷出的氣 一光學單元4，用來調整傳輸路徑並聚焦自雷射5所 之雷射光束；一腔室7，用來在從該光學單元4所發 雷射以及從供給氣體單元 1所提供的氣體之間實施 解；和一控制單元6，用來控制該供給氣體單元1、該 單元4和該雷射5。 上述用來形成薄膜的設備可依據以下原則來修復 屬線的開放式缺陷。 在製造LCD的製程中於沉積金屬圖案結束後，執 測試製程。若在測試過程中偵測到該金屬圖案（如， 出現 將具 及因 一種 陷是 使用 入液 來修 用來 來照 體； 發出 出的 光分 光學 一金 行一 閘極 6 200914922 線、共用電極線或資料線）之一漏電缺陷，則使用上述用來 形成薄膜的設備來修復此缺陷。 首先，將一基板8載入至設備中，然後移動光學單元 - 4至產生缺陷位置的坐標上，接著該雷射5可發出一雷射 , 光束。該雷射5以脈衝方式發出一雷射光束，用以形成能 暴露出金屬線特定表面的接觸孔，之後，再次以脈衝方式 發出一雷射光束。在此，將儲存在供給氣體單元1的原料 / 氣體，亦即，由一金屬氣體和一惰性氣體所形成的混合物， \ 供應到腔室 7内，原料氣體中所含的金屬氣體執行光分 解，使金屬材料可沉積在該資料限的開放部分上，讓該開 放部分可與資料線的其他部分彼此電連接在一起。 但是，以上所述的傳統方法卻有以下的問題。 雷射光束是以掃描方式（即，一面移動一面照射）照 射，因此處理時間較長，且當缺陷區域有外來物時，將很 難沉積一薄膜層。 此外，因為在現存薄膜上形成另一薄膜期間，由於厚 I 度的差異將使得步覆蓋率（Step coverage)下降，或是形成 通孔使得水會在清潔期間滲入基板。 此外，當重疊區域的厚度過高時，因薄膜層本身黏性 之故，將使薄膜層與現存薄膜分離。 此外，由於薄膜層本身黏性低，薄膜層上的阻力升高， 使得薄膜在清潔後的處理期間，可輕易地與現存薄膜分離。 【發明内容】 7 200914922 因此，本發明目地在克服上述問題，因此本發 之一為提供一種用來形成多層薄膜的方法，其中提 用來修復金屬圖樣上之開放缺陷的金屬薄膜的黏性 該金屬薄膜上額外沉積一鈍化層，以防止該金屬薄 意地移除。 依據本發明一態樣，可透過提供一種用來形成 薄膜的方法而達成上述及其他目地。該方法可用來 金屬圖樣上的一開放式缺陷，該方法包含：透過照 射光束在具有該開放式缺陷的金屬圖樣上，而形成 接觸孔和一第二接觸孔；利用照射一雷射光束而能 屬薄膜來填充該第一接觸孔和該第二接觸孔；利用 雷射光束而在該第一接觸孔和該第二接觸孔之間形 屬薄膜，以連接該第一接觸孔和該第二接觸孔；和 由SixNy和Si02組成的鈍化層，來保護形成在該第 孔和該第二接觸孔之間的該金屬薄膜。 較佳是，該鈍化層是利用照射波長在1 93〜400 的一雷射光或是產生一電漿，然後透過化學氣相沉 成的。 此外，較佳是，上述形成該第一接觸孔和該第 孔、以該金屬薄膜來填充該第一接觸孔和該第二接 在該第一接觸孔和該第二接觸孔之間形成一金屬薄 形成該鈍化層之步驟中，至少一步驟是利用一遮 行，該遮罩上有一具有指定圖樣的開口。 較佳是，該方法更包含改良該金屬圖樣上一區 明目地 高了一 ，並在 膜被任 一多層 修復一 射一雷 一第一 以一金 照射一 成一金 形成一 一接觸 nm 間 積而形 二接觸 觸孔、 膜以及 罩來執 域之表 8 200914922 面，金屬層是沉積在該表面上，以便在形成該第一接觸 和該第二接觸孔之前，用來提高金屬薄膜的黏性。較佳男 上述改良該金屬圖樣上一區域之表面的步驟是利用照射 長在1 93〜4 0 0 nm間的一雷射光或是以一電漿產生灰化 方式來執行。此外，較佳是，此改良該金屬圖樣上一區 之表面的步驟是以一遮罩來執行，該遮罩上有一具有指 圖樣的開口。 此外，較佳是，上述形成該第一接觸孔和該第二接 孔的步驟是利用照射以下任一者，包括紅外光雷射光束 可見光雷射光束 '紫外光雷射光束，以及以該金屬薄膜 填充該第一接觸孔和該第二接觸孔來執行的；或是在該 一接觸孔和該第二接觸孔之間形成該金屬薄膜的步驟是 用照射波長比藍紫光還短之雷射光束來執行的。 【實施方式】 以下將透過發明說明來解釋本發明其他態樣與優點 習知技藝人士可透過這些說明來了解並實施本發明。 以下將參照附圖2來說明本發明用以形成金屬薄膜 方法。 首先，在具有開放部分的金屬圖樣上形成金屬薄膜 前，先利用預清潔（ρ Γ e - c 1 e a n i n g)來修掷一即將形成金屬 膜之金屬圖案之區域的表面（S41)。此表面修飾的目地在 提高金屬薄膜的黏性，使得金屬薄膜可有效地黏附到金 圖樣上。在此，利用UV雷射光束或電漿灰化來實施預 孔 ϊ 波 的 域 定 觸 、 來 第 利 的 之 薄 於 屬 清 9 200914922 潔處理。 之後，形成接觸孔。當金屬圖樣上 在具有開放部分的金屬圖樣上形成兩個 的接觸孔’以便形成金屬薄膜（S42-〗）， 入兩接觸孔内’使得接觸孔内充滿此金， 方面，當金屬圖樣上沒有形成形成絕緣 雷射光切割移除金屬圖樣上一特定厚度 提高金屬薄膜對於即將形成金屬薄膜 (S42-2)。之後’在兩接觸孔間形成金屬 孔可透過金屬薄膜而連接（S44)。利用上 膜，藉此修復金屬圖樣上的開放部分。 後，當有由導電材料（ITO/IZO)所構成的 形成時’利用雷射光進行絕緣照射，使 料層可彼此隔離而絕緣（§45)。 之後’形成可保護上述金屬薄膜層， 化層較佳是由SixNy和Si02所構成。如 樣’利用雷射光進行化學氣相沉積或是 此鈍化層。無論是哪一種情況，也可使 層形狀的之指定圖樣的遮罩。 最後’對所獲得的產物執行後-清潔 以下’將參照附圖3〜8來說明本發 膜的方法。 第3A〜3B圖示出利用從一第一雷 外光、可見光或紫外光雷射光束10形成 形成絕緣膜層時， 可貫穿該金屬圖樣 並將一金屬氣體注 屬氣體（S43)。另一 層時’則利用UV 的連接區域，藉以 之·區域的黏附力 薄膜’使得兩接觸 述方法形成金屬薄 待形成金屬薄膜之 薄層圍繞薄層區域 得薄膜層與導電材 的鈍化層（S46)。鈍 步驟S43和S44 — 電漿沉積，來形成 用配合本發明純化 處理（S47)。 明用以形成金屬薄 射震盪器發出的紅 ,接觸孔44。 10 200914922 如第3 A~3B圖所示，做為一將被處理的標的物來說， 一金屬圖樣4 1被沉積在一玻璃基板4 0上，接著沉積一絕 緣層42在此金屬圖樣41上。 較佳是，金屬圖樣4 1並沒有任何缺陷。但是，當金屬 圖樣4 1具有一開放部分4 5時，此金屬圖樣4 1的開放部分 4 5必須被修復。因為絕緣層 4 2是沉積在此金屬圖樣41 上，因此所形成的接觸孔必須貫穿絕緣層4 2。 為了修復金屬圖樣41上的開放部分4 5，需要兩個接 觸孔4 4。在此，先形成一接觸孔，接著在雷射光移除時再 形成另一接觸孔，或是以強度均勻的雷射光束透過一大面 積遮罩同時照射，而能同時生成兩接觸孔。可利用一光束 產生單元來增加雷射光束10的尺寸，此光束產生單元將在 以下文章中詳細說明，因此可同時形成兩個接觸孔。 在此，可調整雷射光束1 0的輸出量，使得當形成接觸 孔4 4時，金屬圖樣4 I可被雷射光束1 0熔化而黏附到接觸 孔4 4的壁上。亦即，當形成接觸孔4 4時，其是貫穿金屬 圖樣4 1以及絕緣層4 2而形成的。 第3A圖是截面視圖，第3B圖則是平面視圖。第3B 圖示出兩接觸孔4 4，介於兩接觸孔4 4之間的開放部分4 5 和一圍繞金屬圖樣41而廣泛分佈的導電材料4 3。 第4A和4B圖示出利用沉積而以金屬薄膜來填充上述 兩接觸孔44的情形。 注入金屬源氣體（由一金屬氣體與一惰性載氣所形成 的混合氣體）到配備有一視窗的腔室内，並以一第二雷射震 11 200914922 盪器產生一雷射光束1 1，以此雷射光束1 1照射金屬1 3來 填充接觸孔44。 如第4 A和4 B圖所示，隨著雷射光束1 1的照射，接 觸孔4 4可被注入腔室内的金屬源所充滿。在此，可使用一 藍光雷射或是一紅外光雷射。 在形成接觸孔44期間，利用雷射光照射，使得從金屬 圖樣4 1熔化的金屬部分黏附到接觸孔4 4的表面，而使接 觸孔可被金屬薄膜完全填滿。藉此，可提高黏附性的可靠 程度並降低金屬圖樣與金屬薄膜4 6之間的電阻。 第4B圖示出已被金屬薄膜46完全填滿的接觸孔44。 第 5 A〜5C圖示出透過沉積金屬薄膜而連接兩接觸孔 44的連接部份。 在如同以金屬薄膜4 6填充接觸孔一樣的方式，以藍光 或紫外光雷射1 2進行照射，因而在兩接觸孔44之間形成 金屬薄膜46而使兩接觸孔44可彼此連接。 在此，可依據缺陷部分經由環繞方式（roundabout way) 直接連接兩接觸孔4 4。詳言之，當缺陷部分有外來物質存 在時，利用一環繞方式來連接兩接觸孔44。在此情況下， 以和上述相同的方式，在進行移除的同時，以雷射光照射 (亦即，掃描方式），或是在光學單元已被固定（一種阻隔照 射方式）的情況下，經由一遮罩立即以強度均勻的雷射光束 照射一較大面積。可利用一光束成形單元來達成放大雷射 光束的目地。第5A圖示出使用掃描法，透過照射一雷射 光束來沉積金屬薄膜的方法。第5 B和5 C圖則分別示出以 12 200914922 遮罩沉積而成的金屬薄膜。 當接觸孔 44是以一掃描方法利用環繞方式加以連接 時，會在環繞方式彎曲部分形成重疊區域4 7，如第5 A圖 所示。由於雷射光束是在相同部分照射兩次，形成在重疊 區域4 7的金屬薄膜4 6的厚度將比形成在其他區域之金屬 薄膜46的厚度來得大，因此會造成厚度上的差異。但是， 當金屬薄膜46使用遮罩沉積而成時，就不會有上述的重疊 問題並可縮短上述製程時間。若是接觸孔4 4是利甩直接連 接方式進行連接時，較佳是以狹缝或遮罩來調整雷射光束 的大小，以便縮短處理時間。 當利用上述方法完成金屬薄膜4 6的沉積後，即已修復 金屬圖樣4 1上的開放部分4 5。 待形成金屬薄膜4 6之後，若是環繞該薄層區域有一導 電材料形成，則此導電材料與薄層間必須彼此為電性隔離。 第6A和6B圖示出導電材料與薄層之間彼此隔絕的情 形。第6A圖示出以掃描方式（a scan method)照射一雷射光 束的情形，第 6B圖則示出以一阻隔照射方式（block shot m e t h o d)來照射一雷射光束的情形。 亦即，待形成金屬薄膜4 6之後，以紅外光、可見光或 紫外光雷射光束環繞金屬薄膜4 6進行照射，因此可切斷圍 繞金屬薄膜46之導電材料43。第6A和6B圖示出金屬薄 膜4 6和導電材料4 3彼此經由一切割部分3 8來隔絕。 在以雷射光束照射而使金屬薄膜4 6與導電材料4 3彼 此隔離期間，可使用具有均一強度的雷射光束和經由一遮 13 200914922 罩來照射一較大區域。 第7圖和第8A、8B圖示出依據本發明另一實施方式， 當金屬圖樣4 1上並未形成絕緣層時，具有一開放部分之金 屬圖樣4 1的連接情形。第8 A圖示出以掃描方法照射一雷 射光束的情形，第8 B圖則示出以阻隔照射方式（b 1 〇 c k s h 〇 t m e t h o d)來照射一雷射光束的情形。 由於金屬圖樣41會被氧化，即使金屬圖樣41上並未 形成絕緣層亦然，因此並不傾向在金屬圖樣4 1上直接沉積 一薄層。因此，為了提高金屬薄膜的黏附力，使用紫外光 雷射11等從金屬圖樣41 一連接區域上切割下一定厚度。 待金屬圖樣4 1被切割後，在腔室内注入一金屬源氣 體，接著在欲被切割下一定厚度的金屬圖樣41之連接區域 表面上，利用照射一藍光或紫外光雷射1 2的方式進行填充 並連接兩區域。 如上述，以掃描方式來照射一雷射光束，或是使用具 有均一強度的雷射光束並經由一遮罩來照射一較大區域。 第9圖示出依據本發明用來形成一金屬薄膜的設備。 如第9圖所示，依據本發明用來形成一金屬薄膜的設 備包括：用來發出雷射光束的雷射震盪器l〇a和10b;用 來放大並調整雷射光束使雷射光束可符合一缺陷部分之尺 寸的光束成形單元20; —配有視窗的腔室30，雷射光束可 通過該視窗並到達内含可在一區域上形成一薄膜之材料的 腔室，可自該區域上移除缺陷部分；利用光學單元 Ha、 11 b、1 2及1 3來調整雷射光束的路徑使雷射光束可照射在 14 200914922 一基板上；和一監控單元50，以即時監控該薄膜是 確地沉積在欲求區域上。 雷射震盪器包括一第一雷射震盪器l〇a和一第 震盪器l〇b 。 第一雷射震盪器l〇a產生一雷射光束以形成接 而且自第一雷射震盪器l〇a所產生的雷射光束可以 紅外光雷射、可見光雷射或紫外光雷射光束。第二 盪器l〇b產生一雷射光束，以在欲形成一金屬薄膜 上執行表面修飾，在該些接觸孔之間形成一金屬薄 是形成一鈍化層，而且自第二雷射震盪器l〇b所產 射光束可以是一種波長比藍紫外光雷射或紫外光雷 更短的雷射光束。較佳是，從第二雷射震盪器1 〇 b 的雷射光束的波長在193 nm ~ 400 nm間。雷射震 依據個別製程所需之雷射光束的特性來分享其角色 可視情況增加或減少雷射震盪器的數目。 光束成形單元20包括光束成形器21a和21b以 狹缝2 2。光束狹缝2 2可依據個別製程的需要來調 光束的大小和形狀。當調整雷射光束的大小時，利 有4個葉片的X和Y軸馬達（即，每一軸有兩個葉. 制其葉片來調整光束的大小，在調整光束的形狀時 據製程挑選必要的遮罩圖案來調整光束的形狀。此 可使用配有多個開口的遮罩來取代光束狹缝2 2。 每一個光束成形器21a和21b都包括有一個光 器，用來擴張從每一個雷射震盪器1 〇a和1 Ob所發 否備正 二雷射 觸孔， 是一種 雷射震 的區域 膜，或 生的雷 射光束 所產生 盪器可 ，因此 及光束 整雷射 用總計 4 )並控 ，可依 外，也 束擴張 出來雷 15 200914922 射光束的大小，以及一個均質器，以使雷射光束的 均勻分布。一開始從每一雷射震盪器1 〇 a和1 0 b所 的雷射具有一高斯形狀，且能量集中在中央，這種 束並不適合用來在一時間内（即，一次）照射一大 域。因此，需利用光束成形單元20將雷射光束擴大 擴大後的雷射光束可一次照射所欲處理的部分。 光束狹缝2 2的功用是將經由光束成形器2 1所 均質化的雷射光束，加以分裂成為符合缺陷部分尺 的光束。 監控單元50包括一 C CD攝影機5 1和一聚焦 51。 第1 0 A和1 0 B圖比較性地示出通過光束成形單 與之後的雷射光束的形狀。第1 〇 A圖比較性地示出 束成形器2 1 a和2 1 b之前與之後的雷射光束的形狀。 圖中的左圖示出一高斯曲線圖，顯示雷射光束通過 形器2 1 a和2 1 b之前的能量分布情形。第1 0 A圖中 示出一曲線圖，顯示雷射光束通過光束成形器2U 之後能量均勻分布的情形。第1 0B圖示出使用光束 的情形。依據一即將照射光束之缺陷部分（亦即，將 的部分）的大小來調整光束狹缝2 2。換言之，透過 水平地移動葉片3 1來調整光束狹缝22的大小。 此外，依據製程選定遮罩，因此，遮罩可依據 理的缺陷部分的大小而有各式尺寸。第1 1 A〜1 1 G圖 據本發明遮罩的各式實施方式，以下將詳細說明。 能量可 發出來 雷射光 範圍區 ，使得 放大、 寸大小 控制器 元之前 通過光 第10A 光束成 的右圖 和2 1b 陕缝22 被處理 垂直及 所欲處 示出依 16 200914922 監控單元50包括一用來顯示製程的CCD攝影機 和一用來自動調整照射到基板4 0上之雷射光束焦點 焦控制器5 2。 以下，將簡單說明以上述金屬薄膜形成設備來形 屬薄膜的製程。 由第一雷射震盪器l〇a震盪產生的雷射光束，可 絕緣膜形成接觸孔在一金屬圖樣上。在此，絕緣膜可 SixNy和Si02，並可使用一種有機膜、金屬膜或殘餘ί 下稱為絕緣膜）等其他膜層來取代。當然，只有在金屬 上有絕緣層時，才會貫穿絕緣層而形成接觸孔。而當 薄膜沒上有絕緣層時，就會省略掉此步驟。但是，即 形成絕緣膜或其他膜層，因金屬圖樣氧化而使得無法 地形成金屬薄膜時，較佳是以雷射光束來照射金屬圖 藉以移除其上的氧化物層。 待形成接觸孔後，利用注入一由金屬氣體和一惰 體組成的混合物到腔室中，並照射一第二雷射光束， 以金屬薄膜來填充該些接觸孔。待接觸孔已充滿金屬 後，在接觸孔間沉積金屬薄膜，因而使接觸孔彼此連 而可修復金屬圖樣的開放部分。 第11A~11G圖示出依據本發明之遮罩的各式圖樣

第1 1 A圖示出用來實施預清潔之遮罩的圖樣；第 圖示出用來形成接觸孔之遮罩的圖樣；且第11C圖示 一金屬薄膜來填充接觸孔之遮罩的圖樣。第11D圖示 過一環繞方式來連接接觸孔之遮罩的圖樣，且第Π E 5 1， 的聚 成金 貫穿 以是 ft (以 薄膜 金屬 使不 恰當 樣’ 性氣 而可 薄膜 接， 〇 1 1B 出以 出透 圖示 17 200914922 出直接連接接觸孔之遮罩的圖樣。 第11F圖示出用來隔離一金屬薄膜與環繞該金屬薄膜 之一導電材料的遮罩的圖樣。 第1 1 G圖示出用來照射一雷射光束，以在一金屬薄膜 上形成可保護該金屬薄膜之鈍化層（例如，氮化物層）的遮 罩的圖樣。 如上述，可依據製程（例如，用來形成接觸孔的製程或 是用來連接接觸孔之製程）來選擇各式圖樣的遮罩。此外， 當接觸孔為彼此連接時，可依據連接方法（如，直接連接獲 透過環繞方式連接）來選擇不同圖樣的遮罩。 依據本發明，在具有開放缺陷的金屬圖樣上形成金屬 薄膜之前，必須先對即將要沉積金屬薄膜的區域進行預清 潔，藉以提高金屬薄膜的黏附力。 此外，形成一可保護金屬薄膜的鈍化層，藉此可大幅 降低金屬薄膜被任意移除的風險。 此外，利用照射雷射光來形成接觸孔和金屬薄膜，可 縮短修復金屬圖樣上開放缺陷的時間。 此外，如果開放缺陷中存在有外來物質，則透過環繞 方式來連接接觸孔，因此可修復金屬圖樣上的開放缺陷。 此外，可避免在環繞方式的彎曲處產生薄膜重疊的現象。 此外，形成接觸孔時，將金屬薄膜熔化並移除絕緣層， 且黏附在孔表面上的金屬可被金屬薄膜完全覆蓋，因此可 提高黏性的可靠性並降低金屬圖樣與金屬薄膜間的電阻。 此外，避免產生厚度差異，以及避免產生步覆蓋或管 18 200914922 穿孔。 此外，使用光束成形單元來保持輸出光束均勻並可依 據目標區域的形狀來調整欲照射之光束的形狀。 此外，即使未在金屬圖樣上形成絕緣層，還是需將金 屬圖樣上形成的氧化金屬層加以移除，使得當金屬薄膜沉 積在金屬圖樣上時，可提高金屬薄膜對金屬薄膜的黏附力。 雖然已參照特定實施例詳細敘述本發明精神，然而該 等實施例僅是用於說明本發明，而非限制本發明。須了解 熟悉此技術者可在不偏離本發明範圍及精神的情況下變化 或修改該實施例。 【圖式簡單說明】 第1圖是傳統用來形成薄膜的設備之簡圖； 第2圖為本發明用來形成金屬薄膜之方法流程圖； 第3 A和3 B圖詳細說明依據本發明用來形成接觸孔的 方法； 第4A和4B圖為依據本發明以金屬薄膜來填充接觸孔 的簡圖； 第5A〜5C圖是依據本發明利用金屬薄膜來連接接觸 孔的簡圖； 第6 A和6 B圖是依據本發明將金屬薄膜與環繞此金屬 薄膜之一導電材料加以隔離的圖； 第7圖是當未在金屬圖樣上形成絕緣層時，利用切割 移除一指定厚度之金屬圖樣的操作簡圖； 19 200914922 第8 A和8 B圖是依據本發明在接觸孔間形成金屬薄膜 的簡圖； 第9圖是依據本發明用來形成金屬薄膜之設備的示意 圖， 第10A和10B圖比較地示出光束通過光束成形單元之 前與之後的形狀； 第11A-11G圖示出遮罩的各種實施方式。 f 【主要元件符號說明】 1 供給氣體單元 2、 3 儲存罩元 4 光學單元 5 雷射 6 控制單元 7 腔室 ^ 8 基板 10 ' 11 雷射光束 10a 第一雷射震盪器 10b 第二雷射震盪 11a ' lib' 12 ' 13 光學單 元 13 金屬 20 光束成形單元 21a 、2 1 b 光束成形器 22 光束狹缝 30 腔室 3 1 葉片 40 玻璃基板 41 金屬圖樣 42 絕緣層 43 導電材料 44 接觸孔 45 開放部分 46 金屬薄膜 47 重疊區域 48 切割部分 50 監控單元 20

Claims (1)

1. 200914922 十、申請專利範圍： 1. 一種形成一多層薄膜的方法，該些薄膜是可用來修 復一金屬圖樣上的開放式缺陷，該方法包含： 利用照射一雷射光束在具有該開放式缺陷的金屬圖樣 上，而形成一第一接觸孔和一第二接觸孔； 利用照射一雷射光束而能以一金屬薄膜來填充該第一 接觸孔和該第二接觸孔； 利用照射一雷射光束而在該第一接觸孔和該第二接觸 孔之間形成一金屬薄膜，以連接該第一接觸孔和該第二接 觸孔；和 在形成於該第一接觸孔和該第二接觸孔之間的該金屬 薄膜的上方表面形成一鈍化層，來保護形成在該第一接觸 孔和該第二接觸孔之間的該金屬薄膜。 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該鈍化層 是由SixNy或Si02組成。 3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該鈍化層 是利用照射一雷射光束而經由化學氣相法沉積而成的。 4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該雷射光 束的波長在1 9 3〜4 0 0 n m間。 21 200914922 5. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該鈍化層 是利用產生電漿而經由化學氣相法沉積而成的。 6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含在形成 該第一接觸孔與該第二接觸孔之前，先修飾該金屬圖樣上 即將用來形成該金屬薄膜之區域的表面，以提高該金屬薄 膜的黏附力。 7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中修飾該金 屬圖樣上即將用來形成該金屬薄膜之區域的表面的動作是 利用照射一雷射光束來執行。 8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該雷射光 束的波長在1 9 3〜400 nm間。 9.如申請專利範圍第6項所述之方法，其中修飾該金 屬圖樣上即將用來形成該金屬薄膜之區域的表面的步驟是 利用電漿灰化來執行。 1 0.如申請專利範圍第7或9項所述之方法，其中修飾 該金屬圖樣上即將用來形成該金屬薄膜之區域的表面的步 驟是利用具有一指定圖樣之開口的遮罩來執行。 22 200914922 1 1 .如申請專利範圍第1項所述之方法，其中形成該 一接觸孔與該第二接觸孔之步驟是利用照射選自以下之 的雷射來執行，包含：紅外光雷射、可見光雷射及紫外 雷射。 1 2.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中以該金 薄膜來填充該第一接觸孔與該第二接觸孔之步驟，或是 該第一接觸孔與該第二接觸孔之間形成該金屬薄膜的 驟，是利用一波長比紫外光雷射還要短的雷射光束來執 的。 1 3 .如申請專利範圍第1項所述之方法，其中至少一 以下操作是利用具有一指定圖樣之開口的遮罩來執行的 該些操作包含：形成該第一接觸孔與該第二接觸孔、以 金屬薄膜來填充該第一接觸孔與該第二接觸孔、在該第 接觸孔與該第二接觸孔之間形成該金屬薄膜、和形成該 化層。 第 光 屬 在 步 行 種 ， 該 鈍 23