TW200905770A - Chuck for wafer probing tester and wafer probing tester with the same - Google Patents
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Description
200905770 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及探測檢測器 摄制於、目|丨11之載σ及利用這些(此載台)的 才木測檢測裔。具體地說, 卹技玫叫 ^及把冷卻空氣供應到内部的冷 的探測檢測器。 木料測器的載台及利用此載台 【先前技術】 Θ半冷體兀件的後製程是從確認晶圓(W; Wafer) 上的半導體瑕疵的晶圓檢杳 # a U %查開始。爲了檢查這些晶圓,以 省σ (Chuek)支樓上述晶圓(w),支撑於上述晶圓(w)上的半 ^ ^件連接探針(PrGbe),而檢查其品質的晶圓探測檢測 W $泛使用。這時’ i述晶圓探測檢測器同時進行把上 ,晶圓上的半導體元件加熱@听左右之後,進行可檢測 尚溫檢查。 ^如上述的晶圓探測檢測器’如圖1所示,具備包括支 铋上述a曰圓(w)的載台(10)。進行高溫檢查時,上述載台(1〇) 與上述晶圓(w)同時被加熱。因此,檢測之後,爲了下一 個晶圓(W)的檢測,需要充分冷卻。 爲了達到上述目的,傳統的晶圓探測檢測器包括在其 内部設有冷卻流路(11)的載台(10)、及供應空氣並通過上述 冷卻流路(11)的空氣泵(20 )。 上述載台(10)如圖2所示’在一定深度的内部設有a 卻流路(11)。上述冷卻流路(11)以從上述載台(1〇)外部到中 心方向按螺旋形形成的流入道(lla)、及在上述载台(1〇)中 5 200905770 心轉換18(Τ並按螺旋形與上述流入道(na)並列連通上述載 台(1 〇)外部的流出道(11 b)組成。 上述空氣泵(2 0 )把常溫空氣供應到上述流入道(丨丨a)。 上述二氣泵(2〇 )供應的空氣按順序通過上述流入道(1 } 和上述流出道(llb),並冷卻上4載台⑽。被供應的常 溫空氣吸取上述载台(10)的熱’從而上述流入道(11a)通過 到上述机出道(1 1 b)時,溫度逐漸升高。因此,通過上述流 出道(Ub)排出到上述載台(10)外部的空氣爲高溫空氣。 這些傳統的晶圓探測檢測器設在上述載台(1〇)内部的 上ϋ抓入道(11 a)和上述流出道⑴b)相互鄰接。因此,供應 到上述流入道(1 la)的常溫空氣不僅吸收上述載台的 熱,而且也奪取通過上述流出道(llb)内部的高溫空氣的 熱。 即,通過上述流入道(lla)的常溫空氣和通過上述流出 道(lib)的高溫空氣之間相互傳送熱,而降低對上述載台⑽ 的冷卻效率。 尤其,如目2所示,因爲上述流入道⑴a)和上述流出 道(m)相互鄰接的形態所以上述流人道⑴a)的人口部分和 上述流出道(lib)的出口部分並排形成,從而常溫空氣鄰接 最高溫狀態的空氣。 另方面,兩個物體之間的傳熱量與兩個物體之間的 溫度差成正比。如上述的通過上述流人道OU)的常溫空氣 和通過上述流出道(llb)的高溫空氣之間的傳熱送更活躍。 因此這些更降低對上述載台(10)的冷卻效率。 6 200905770 【發明内容】 本發明爲了解決如上 台内部的空氣和排出。 — 4了敢小化供應到載 迅逮二 爲了解決如上被日日 包括不n吉/- %問題’本發明的探測檢測器的載台, 包括不冋直徑的多個的 ° 接的另—個c型環 &之中的任何—個-端連接鄰 環中心對應上述載、=形成一個通道,上述多個Μ 環之中最大直徑的的冷卻路;連通上述多個C型 通路:及連通上Ρ彳 端與上述載台外部的第一連 山~… 述夕個C型環之中最小直徑的c型環另一 W上述載台外部的第二連通路的冷卻流路構成;並以空 乳通過冷卻流路達到冷卻的目的。 上述探測檢測器的載台上述多個c型環,各㈣之間 的開放部朝向相同方向排列,上述第二連通路位於上述開 口郤,並不與上述多個C型環連接。 上述探測檢測器的載台,€氣流入到上述第一連通 路,並從上述第二連通路流出,而被冷卻。 上述探測檢測器的載台,可使-20°c至0。(:冷卻空氣通 過上述冷卻流路。 並且,本發明的探測檢測器由包括不同直徑多個的C 型環之中的任何一個_端連接鄰接的另一個C型環一端, 而形成一個通道,上述多個C型環中心對應上述載台的中 心而形成的冷卻路;連通上述多個c型環之中最大直徑的 C型環另一端與上述载台外部的第一連通路;及連通上述 200905770 c型核另一端與上述載台外部 多個c型環之中最小直徑的 的第二連通路的冷卻流路,且設在載台;及把空氣加壓供 應到上述冷卻流路,而冷卻上述載台的空氣供應部組成。 上述載台在上述多個c型環各個開口部朝相同方向排 列,上述第二連通路位於上述開口部,並不與上述多個c 型環連接。 上述探測檢測器中,上述冷卻流路另外包括可把空氣冷 卻到-20°C至〇。〇的冷卻器。 【實施方式】 以下,參照附圖詳細說明本發明的實例,使之在本發 二所屬的領域具通常知識者易於實行。但是,本發明可二 體現成各種形態,其範圍並不限定於實例。 以下,參照圖3及圖4,具體說明根據本發明實例的 探測檢測器的結構及作用。根據本發明實例的探測檢測器 包括載台(100; Chuck)、空氣供應部(扇)、及冷卻器(3〇〇)。 一上述載台(1 00)安置在晶圓上,並作爲檢測物件的半導 士在匕日日圓上。在上述載台(100)上面放入上述晶圓(w) 日才’上迹載台(100)吸附上述晶圓(w)並安置於其上面,並 在檢測期間支撐上述晶圓(w)。因此,上述載台(⑽)對上 述晶圓(W)進行高溫檢測日夺,與上述晶圓(w)一起被加熱。 迟載σ ( 1 00)對上述晶圓(w)進行高溫檢測之後,爲 了榀測下一次個格的晶圓(W)檢測,使載台冷卻到常溫25 °C 至 28〇C。 (100)内部具備通過空氣的冷卻 爲了這些,在上述載台 200905770 抓路(1 1 ο)。上述冷卻流路⑴〇)爲了使上述空氣供應部(㈣) 供應的空氣通過’設在上述载台(⑽)内部的通道。即,上 Μ氣供應部(200)供應的空氣通過上述冷卻路(⑴), 同時冷卻上述載台(100)。 以下,更詳細地說明上述冷卻流路(110)。 上述冷卻流路(110)如圖4所示,包括冷卻路(111卜第 連通路(112)、及第二連通路(11 3)。上述冷卻路(⑴)以 述載口(1 00)中心作爲中心的不同直徑的多個c型環以相 互連接的形態形成在上述載台〇〇〇)内部。 这時,上述多個C型環之中的任何一端與最鄰接的另 個c型壤的—端相互連通。在此,上述多個c型環之中 的任何-端與最鄰接的另—自c型環的—端相互連通時, 上述夕個C型壞相互連接,而形成—個長長的通道。 在上述冷卻路(111),上述多個c型環的開放部分朝向 相同方向排列。如此排列的上述多個c型環開放部分設有 上述第二連通路(113)。 以弟二連通路⑴3)如下述,因爲冷卻上述載台(100) 之後’被加熱的空氣通過第二連通路,故上述冷卻路(⑴) 的形狀是最大限度地隔離^空氣通過的上述第二連通路 (Π 3)和通過低溫空氣的上述冷卻路(1 U)。 上述第-連通路⑴2)是把上述多個c型環之中最大直 徑的C型環另—端⑴Ia)與上述載台(⑽)外部連通的通 迢。根據上述空氣供應部(2〇〇)供應的空氣通過上述第 一連通路(1 12)流入到上述冷卻路(1 u)。 9 200905770 上述第二連通路(113)是把上述多個c型環之中最小直 谷的C型壌另一端(lllb)與上述载台(100)外部連通的通 迢第一連通路(113)形成上述冷卻流路(11〇),並位於朝向 相同方向排列的上述多_ C型環開放部分。上述空氣供應 4 ( 200 )供應的空氣通過第—連通路(112)及上述冷卻路 (111) 亚經過上述第二連通路(11 3)排出在上述載台(100) 外部。 在本發明的實例’上述空氣供應部(2〇〇)供應的空氣流 =上述第一連通路(112),通過上述冷卻路(ιιι)排出到上述 弟二連通路(113)。但是,其方向並不限定於這些,也可流 入到上述第二連通路(113),並排出到上述第—連通路 (112) 。 如此形成上述冷卻流路(11〇)時’剛剛流入的空氣流過 的上述第一連通路(112)區間位於上述載台(1〇〇)外圓周面, 肌入之後經過長距離即將排出的空氣流過上述第二連通路 (1 13)的區間位於上述載台(1〇〇)中心部。 另一方面,流入到上述第一連通路(112)並沒多久的空 氣來說是相對低溫。流人之後經過長距離即將排出的空氣 吸收上述載台(1〇〇)熱’而相對來說是高溫。然後,兩個物 月且之間的熱傳送正比例於兩個物體之間的溫差。 因此,如上述形成上述冷卻流路(11〇)時,通過鄰接的 冷卻流路(_的空氣幾乎不存在溫差,故通過上述冷卻流 路(110)的空氣之間幾乎不發生熱傳送。所以,流入到上述 冷卻流路(11〇)的空氣大部分用來冷卻上述載台(1〇〇)。 200905770 具體地說,在上述冷卻流路(110)剛剛流入的空氣流過 的部分越接近在上述冷卻流路(110)内部經過長距離的空氣 流動部分,應吸收上述載台(100)熱的空氣已經吸收了通過 鄰近冷卻流路(110)的上述載台(100)熱,而吸收加熱空氣的 可能性大。 因此,上述冷卻流路(110)結構是剛剛流入的低溫空氣 流動的部分和在上述冷卻流路(110)經過長距離流動的高溫 空氣通過的部分隔離。所以,被供應的空氣更容易吸收上 述載台(100)的熱。 另一方面,上述空氣供應部(200)作爲一種空氣泵(Air pump),把外部空氣引入到内部之後,進行加壓並供應到 上述冷卻流路(1 10)。上述空氣供應部(200)使用一般的空氣 泵即可。 上述冷卻器(300)冷卻供應到上述冷卻流路(1 10)的空 氣。上述冷卻器(300)使用普通空氣冷卻器,而達到通過其 内部的空氣及接觸此空氣的製冷劑之間的傳熱,冷卻空氣 的目的。常溫空氣被上述冷却器(300)冷却到-20°C至〇°C。 上述冷卻器(300)最好位於上述空氣供應部(200)和上述 冷卻流路(110)之間。因此,上述空氣供應部(200)將空氣供 應到上述冷卻器(3 00)内部時,上述冷卻器(3 00)冷卻流動其 内部的空氣。如此冷卻的空氣被供應到上述冷卻流路 (1 10)。但是,上述冷却器(300)位置並不限定於這些。 比如,上述冷卻器(300)可位於上述空氣供應部(200)。 即,上述冷卻器(300)位於在上述空氣供應部空氣流入部 11 200905770 刀,並冷部流入到上述空氣供應部(2〇〇)的空氣。這時,上 述空氣供應部(200)加壓冷卻的空氣,並供應到上述冷卻流 路(110) 〇 像這樣通過上述冷卻器(300),上述空氣供應部(2〇〇) 可以把冷卻空氣供應到上述冷卻流路(丨丨〇)。比常溫空氣溫 度低的通過上述冷卻流路(110),更有效率地冷卻上述載台 (1 〇〇)。並且,爲了對上述晶圓(W)進行低溫檢測,可以把 上述載台(1 0 〇 )冷卻到常溫以下。 以下,具體說明根據本發明實例的晶圓探測檢測器的 動作及使用狀態。 一般,對檢測物件晶圓(w)的高溫檢測完畢後,從載 。(100)拿出上述晶圓(w)時,利用空氣供應部(2〇〇)和冷卻 益(300)冷卻上述載台(1〇〇)。 爲了這些,上述空氣供應部(2〇〇)加壓空氣並連續供應 到上述載台(100)内部的冷卻流路(11〇)裏。這時,上述冷卻 器(3〇〇)把供應到上述冷卻流路⑴〇)的$氣連續冷卻到_2〇 °C 至 0°c。 然後,上述冷卻器(300)冷卻的空氣流入到上述冷卻流 亚吸收熱’而冷卻上述載台(1〇())。在此,冷卻空氣 桃入到上述冷㈣流路⑴G)的第—連通路⑴2),流過形成在 上述載台(m)外圓周“部的冷卻路(111),並冷卻上述載 台(100) 〇 *經過上述冷卻路(111),吸收上述載台(刚)熱而被加熱 的空乳’ it過上述冷卻流路⑴〇)的第:連通路⑴3)排出。 12 200905770 即,流入到上述第一連通路(112)的冷卻空氣通過的通道和 乂上iC載σ (1 〇 〇)吸收熱而被加熱的空氣排出的通道被隔 離。因此,流入空氣和排出空氣之間不發生傳熱’有效地 冷卻上述載台(100)。 之後,一般設在上述載台(100)的溫度感應部(未圖示) 測定上述载台(_),並與f溫做比較。上述溫度感應部的 測定值與常溫相同時’上述空氣供應部(2⑽)和上述冷卻器 (300)的動作被中斷,對上述載台(1〇〇)的冷卻程序完畢。 如上述,上述晶圓探測檢測器具備冷卻器(3〇〇),從而 冷郃空氣冷卻上述載台(1〇〇)時,根據設定值把上述载台 (100)冷郃到比常溫更低的溫度,從而實現低溫檢測。 即,上述溫度感應部的測定值達到已設定的常溫以下 ^中斷上述空氣供應部(200)和上述冷卻器(300)的動作, 亚把上述載台(1 00)可冷卻到常溫以下的特定溫度。在此狀 態下,把檢測物件晶圓(w)安置於載台(丨〇 〇)並進行檢測時, 上述晶圓探測檢測器對上述晶圓(w)進行低溫檢測。 在上述只詳細說明了本發明記載的實例,但是該行業 者在本發明技術思想範圍内可有不同改變及修正^這些改 變及修正應屬於專利要求範圍内。 工業應用性 根據廷些本發明的晶圓探測檢測器,爲了儘量隔離流 入空氣的流路和流出空氣的流路,在内部從载台外圓周部 向中心邛方向形成冷卻流路,儘量防止流入空氣和流出空 氣之間發生傳熱。 13 200905770 因此,被供應空氣不發生高溫空氣的熱損失,全部使 用爲上述載台冷卻上’從而極大化上述载台的冷卻效率。 並且,具備冷卻器,把冷卻空氣供應到上述冷卻流路, 從而更迅速地冷卻上述載台。 亚且,使冷卻空氣經過冷卻流路,並冷卻上述載台。 爲了對晶圓進行低溫檢測’把上述載台冷卻到比常溫更低 的溫度。 【圖式簡單說明】 圖1是傳統探測檢測器的概略立體圖。 圖2是圖1中之傳統探測檢測器之載台的Α·Α截面視 圖。 圖3是本發明的探測檢測器之載台的概略立體圖。 圖4是圖3中之本發明的探測檢測器之載台的截 面視圖。 【主要元件符號說明】 100 :載台 1 1 0 :冷卻流路 111 :冷卻路
Ilia:冷卻路的多個c型環中最大直捏環的另一端部分
Ulb:冷卻路的多個0型環中最小直徑環的另-端部分 1 12 :第一連通路 1 13 :第二連通路 200 :空氣供應部 3 00 :冷卻器 14
Claims (1)
- 200905770 十、申請專利範圍: 1、一種探測檢測器之载台,其特徵在於: 設在探測檢測器,支撐晶圓的載台, 冷卻流路包括不同直徑多個c型環之中的任何一個C 型環的:端連接鄰接的另一個c型環一端,而形成一個通 道政上述多個C型環中心對應上述載台的中心而形成的冷 部路, 連通上述多個C型環之^ . 取大直徑的c型環另-端與 以載口外部的第一連通路;及 連通上述多個C型環之中f |β ^ 卜W L 衣之中最小直徑的C型環另一端與 上这載台外部的第二連通路; A着上述冷却流路通過空氣並冷卻。 2、根據申請專利範圍第!項的探測檢測器之載台,其 特被在於.上述多個C型淨,久a λ ’、 方向排列,M C^,各兩端之間的開放部按相同 上述第二連通路位於上述 型環連接。 (開放。P,亚不與上述多個C 3、 根據申請專利範圍第1項 特徵在於:空氣流入到上述第一連通路’7:之载々台,其 通路流出,而被冷卻。 K上述第二連 4、 根據申請專利範圍第i至3 檢測器之载台,其特徵在於:㈣至何-項的探測 逑冷卻流路。 主冷卻空氣通過上 於 探測檢測器,其特徵在 15 200905770 檢測載台晶圓的探測檢測器,包括: 具備不同直徑多個的c型環 -端連接鄰接的另一…環—端,而…型環的 述多個c型環中心對應上述載台的中心=成 道’上 τ 叩肜成的冷卻路; 上述多個c型環之中最大直徑的c型環另-端與 之載口外部的第一連通路;及 、連通上述多個C型環之中最小直徑的c型環另一端與 t述載台外部的第:連通路的冷卻流路;並設有此冷卻流 路的載台;及 把空氣加壓供應到上述冷卻流路,並冷卻上述載台的 空氣供應部。 口 、6、根據申請專利範圍第5項的探測檢測器,其特徵在 ;上述載台在上述多個C型環各個開放部按相同方向排 歹J上述第二連通路位於上述開放部,並不與上述多個 型環連接。 7、根據申請專利範圍第5或6項的探測檢測器,其特 徵在於:另外包括把空氣冷卻到-2(TC至0。(:,並供應到上 述冷卻流路的冷卻器。 十一、圖式: 如次頁 16
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070074752A KR20090011306A (ko) | 2007-07-25 | 2007-07-25 | 웨이퍼 프로빙 검사장치용 척 및 이를 구비한 웨이퍼 프로빙 검사장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200905770A true TW200905770A (en) | 2009-02-01 |
Family
ID=40307307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097110719A TW200905770A (en) | 2007-07-25 | 2008-03-26 | Chuck for wafer probing tester and wafer probing tester with the same |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20090011306A (zh) |
CN (1) | CN101354403A (zh) |
TW (1) | TW200905770A (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102305882A (zh) * | 2011-05-25 | 2012-01-04 | 上海集成电路技术与产业促进中心 | 测试载片台 |
TWI600911B (zh) * | 2015-08-27 | 2017-10-01 | Seiko Epson Corp | Electronic parts conveying apparatus and electronic parts inspection apparatus |
JP6918042B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2021-08-11 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置装置 |
KR20190132307A (ko) | 2019-11-13 | 2019-11-27 | 주식회사 쎄믹스 | 웨이퍼 냉각 척 |
CN110940910A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-03-31 | 广东利扬芯片测试股份有限公司 | 载盘降温系统及晶圆测试设备 |
KR102673746B1 (ko) * | 2021-10-20 | 2024-06-10 | 주식회사 쎄믹스 | 프로버의 콤보 척 |
-
2007
- 2007-07-25 KR KR1020070074752A patent/KR20090011306A/ko not_active Application Discontinuation
-
2008
- 2008-03-26 TW TW097110719A patent/TW200905770A/zh unknown
- 2008-04-08 CN CNA200810092142XA patent/CN101354403A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090011306A (ko) | 2009-02-02 |
CN101354403A (zh) | 2009-01-28 |
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