TW200905770A - Chuck for wafer probing tester and wafer probing tester with the same - Google Patents

Chuck for wafer probing tester and wafer probing tester with the same Download PDF

Info

Publication number
TW200905770A
TW200905770A TW097110719A TW97110719A TW200905770A TW 200905770 A TW200905770 A TW 200905770A TW 097110719 A TW097110719 A TW 097110719A TW 97110719 A TW97110719 A TW 97110719A TW 200905770 A TW200905770 A TW 200905770A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
stage
air
cooling
ring
flow path
Prior art date
Application number
TW097110719A
Other languages
English (en)
Inventor
Eung-Su Kim
Jeong-Do Nam
Si-Yong Choi
Gyun Jeong
Original Assignee
Secron Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Secron Co Ltd filed Critical Secron Co Ltd
Publication of TW200905770A publication Critical patent/TW200905770A/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

200905770 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及探測檢測器 摄制於、目|丨11之載σ及利用這些(此載台)的 才木測檢測裔。具體地說, 卹技玫叫 ^及把冷卻空氣供應到内部的冷 的探測檢測器。 木料測器的載台及利用此載台 【先前技術】 Θ半冷體兀件的後製程是從確認晶圓(W; Wafer) 上的半導體瑕疵的晶圓檢杳 # a U %查開始。爲了檢查這些晶圓,以 省σ (Chuek)支樓上述晶圓(w),支撑於上述晶圓(w)上的半 ^ ^件連接探針(PrGbe),而檢查其品質的晶圓探測檢測 W $泛使用。這時’ i述晶圓探測檢測器同時進行把上 ,晶圓上的半導體元件加熱@听左右之後,進行可檢測 尚溫檢查。 ^如上述的晶圓探測檢測器’如圖1所示,具備包括支 铋上述a曰圓(w)的載台(10)。進行高溫檢查時,上述載台(1〇) 與上述晶圓(w)同時被加熱。因此,檢測之後,爲了下一 個晶圓(W)的檢測,需要充分冷卻。 爲了達到上述目的,傳統的晶圓探測檢測器包括在其 内部設有冷卻流路(11)的載台(10)、及供應空氣並通過上述 冷卻流路(11)的空氣泵(20 )。 上述載台(10)如圖2所示’在一定深度的内部設有a 卻流路(11)。上述冷卻流路(11)以從上述載台(1〇)外部到中 心方向按螺旋形形成的流入道(lla)、及在上述载台(1〇)中 5 200905770 心轉換18(Τ並按螺旋形與上述流入道(na)並列連通上述載 台(1 〇)外部的流出道(11 b)組成。 上述空氣泵(2 0 )把常溫空氣供應到上述流入道(丨丨a)。 上述二氣泵(2〇 )供應的空氣按順序通過上述流入道(1 } 和上述流出道(llb),並冷卻上4載台⑽。被供應的常 溫空氣吸取上述载台(10)的熱’從而上述流入道(11a)通過 到上述机出道(1 1 b)時,溫度逐漸升高。因此,通過上述流 出道(Ub)排出到上述載台(10)外部的空氣爲高溫空氣。 這些傳統的晶圓探測檢測器設在上述載台(1〇)内部的 上ϋ抓入道(11 a)和上述流出道⑴b)相互鄰接。因此,供應 到上述流入道(1 la)的常溫空氣不僅吸收上述載台的 熱,而且也奪取通過上述流出道(llb)内部的高溫空氣的 熱。 即,通過上述流入道(lla)的常溫空氣和通過上述流出 道(lib)的高溫空氣之間相互傳送熱,而降低對上述載台⑽ 的冷卻效率。 尤其,如目2所示,因爲上述流入道⑴a)和上述流出 道(m)相互鄰接的形態所以上述流人道⑴a)的人口部分和 上述流出道(lib)的出口部分並排形成,從而常溫空氣鄰接 最高溫狀態的空氣。 另方面,兩個物體之間的傳熱量與兩個物體之間的 溫度差成正比。如上述的通過上述流人道OU)的常溫空氣 和通過上述流出道(llb)的高溫空氣之間的傳熱送更活躍。 因此這些更降低對上述載台(10)的冷卻效率。 6 200905770 【發明内容】 本發明爲了解決如上 台内部的空氣和排出。 — 4了敢小化供應到載 迅逮二 爲了解決如上被日日 包括不n吉/- %問題’本發明的探測檢測器的載台, 包括不冋直徑的多個的 ° 接的另—個c型環 &之中的任何—個-端連接鄰 環中心對應上述載、=形成一個通道,上述多個Μ 環之中最大直徑的的冷卻路;連通上述多個C型 通路:及連通上Ρ彳 端與上述載台外部的第一連 山~… 述夕個C型環之中最小直徑的c型環另一 W上述載台外部的第二連通路的冷卻流路構成;並以空 乳通過冷卻流路達到冷卻的目的。 上述探測檢測器的載台上述多個c型環,各㈣之間 的開放部朝向相同方向排列,上述第二連通路位於上述開 口郤,並不與上述多個C型環連接。 上述探測檢測器的載台,€氣流入到上述第一連通 路,並從上述第二連通路流出,而被冷卻。 上述探測檢測器的載台,可使-20°c至0。(:冷卻空氣通 過上述冷卻流路。 並且,本發明的探測檢測器由包括不同直徑多個的C 型環之中的任何一個_端連接鄰接的另一個C型環一端, 而形成一個通道,上述多個C型環中心對應上述載台的中 心而形成的冷卻路;連通上述多個c型環之中最大直徑的 C型環另一端與上述载台外部的第一連通路;及連通上述 200905770 c型核另一端與上述載台外部 多個c型環之中最小直徑的 的第二連通路的冷卻流路,且設在載台;及把空氣加壓供 應到上述冷卻流路,而冷卻上述載台的空氣供應部組成。 上述載台在上述多個c型環各個開口部朝相同方向排 列,上述第二連通路位於上述開口部,並不與上述多個c 型環連接。 上述探測檢測器中,上述冷卻流路另外包括可把空氣冷 卻到-20°C至〇。〇的冷卻器。 【實施方式】 以下,參照附圖詳細說明本發明的實例,使之在本發 二所屬的領域具通常知識者易於實行。但是,本發明可二 體現成各種形態,其範圍並不限定於實例。 以下,參照圖3及圖4,具體說明根據本發明實例的 探測檢測器的結構及作用。根據本發明實例的探測檢測器 包括載台(100; Chuck)、空氣供應部(扇)、及冷卻器(3〇〇)。 一上述載台(1 00)安置在晶圓上,並作爲檢測物件的半導 士在匕日日圓上。在上述載台(100)上面放入上述晶圓(w) 日才’上迹載台(100)吸附上述晶圓(w)並安置於其上面,並 在檢測期間支撐上述晶圓(w)。因此,上述載台(⑽)對上 述晶圓(W)進行高溫檢測日夺,與上述晶圓(w)一起被加熱。 迟載σ ( 1 00)對上述晶圓(w)進行高溫檢測之後,爲 了榀測下一次個格的晶圓(W)檢測,使載台冷卻到常溫25 °C 至 28〇C。 (100)内部具備通過空氣的冷卻 爲了這些,在上述載台 200905770 抓路(1 1 ο)。上述冷卻流路⑴〇)爲了使上述空氣供應部(㈣) 供應的空氣通過’設在上述载台(⑽)内部的通道。即,上 Μ氣供應部(200)供應的空氣通過上述冷卻路(⑴), 同時冷卻上述載台(100)。 以下,更詳細地說明上述冷卻流路(110)。 上述冷卻流路(110)如圖4所示,包括冷卻路(111卜第 連通路(112)、及第二連通路(11 3)。上述冷卻路(⑴)以 述載口(1 00)中心作爲中心的不同直徑的多個c型環以相 互連接的形態形成在上述載台〇〇〇)内部。 这時,上述多個C型環之中的任何一端與最鄰接的另 個c型壤的—端相互連通。在此,上述多個c型環之中 的任何-端與最鄰接的另—自c型環的—端相互連通時, 上述夕個C型壞相互連接,而形成—個長長的通道。 在上述冷卻路(111),上述多個c型環的開放部分朝向 相同方向排列。如此排列的上述多個c型環開放部分設有 上述第二連通路(113)。 以弟二連通路⑴3)如下述,因爲冷卻上述載台(100) 之後’被加熱的空氣通過第二連通路,故上述冷卻路(⑴) 的形狀是最大限度地隔離^空氣通過的上述第二連通路 (Π 3)和通過低溫空氣的上述冷卻路(1 U)。 上述第-連通路⑴2)是把上述多個c型環之中最大直 徑的C型環另—端⑴Ia)與上述載台(⑽)外部連通的通 迢。根據上述空氣供應部(2〇〇)供應的空氣通過上述第 一連通路(1 12)流入到上述冷卻路(1 u)。 9 200905770 上述第二連通路(113)是把上述多個c型環之中最小直 谷的C型壌另一端(lllb)與上述载台(100)外部連通的通 迢第一連通路(113)形成上述冷卻流路(11〇),並位於朝向 相同方向排列的上述多_ C型環開放部分。上述空氣供應 4 ( 200 )供應的空氣通過第—連通路(112)及上述冷卻路 (111) 亚經過上述第二連通路(11 3)排出在上述載台(100) 外部。 在本發明的實例’上述空氣供應部(2〇〇)供應的空氣流 =上述第一連通路(112),通過上述冷卻路(ιιι)排出到上述 弟二連通路(113)。但是,其方向並不限定於這些,也可流 入到上述第二連通路(113),並排出到上述第—連通路 (112) 。 如此形成上述冷卻流路(11〇)時’剛剛流入的空氣流過 的上述第一連通路(112)區間位於上述載台(1〇〇)外圓周面, 肌入之後經過長距離即將排出的空氣流過上述第二連通路 (1 13)的區間位於上述載台(1〇〇)中心部。 另一方面,流入到上述第一連通路(112)並沒多久的空 氣來說是相對低溫。流人之後經過長距離即將排出的空氣 吸收上述載台(1〇〇)熱’而相對來說是高溫。然後,兩個物 月且之間的熱傳送正比例於兩個物體之間的溫差。 因此,如上述形成上述冷卻流路(11〇)時,通過鄰接的 冷卻流路(_的空氣幾乎不存在溫差,故通過上述冷卻流 路(110)的空氣之間幾乎不發生熱傳送。所以,流入到上述 冷卻流路(11〇)的空氣大部分用來冷卻上述載台(1〇〇)。 200905770 具體地說,在上述冷卻流路(110)剛剛流入的空氣流過 的部分越接近在上述冷卻流路(110)内部經過長距離的空氣 流動部分,應吸收上述載台(100)熱的空氣已經吸收了通過 鄰近冷卻流路(110)的上述載台(100)熱,而吸收加熱空氣的 可能性大。 因此,上述冷卻流路(110)結構是剛剛流入的低溫空氣 流動的部分和在上述冷卻流路(110)經過長距離流動的高溫 空氣通過的部分隔離。所以,被供應的空氣更容易吸收上 述載台(100)的熱。 另一方面,上述空氣供應部(200)作爲一種空氣泵(Air pump),把外部空氣引入到内部之後,進行加壓並供應到 上述冷卻流路(1 10)。上述空氣供應部(200)使用一般的空氣 泵即可。 上述冷卻器(300)冷卻供應到上述冷卻流路(1 10)的空 氣。上述冷卻器(300)使用普通空氣冷卻器,而達到通過其 内部的空氣及接觸此空氣的製冷劑之間的傳熱,冷卻空氣 的目的。常溫空氣被上述冷却器(300)冷却到-20°C至〇°C。 上述冷卻器(300)最好位於上述空氣供應部(200)和上述 冷卻流路(110)之間。因此,上述空氣供應部(200)將空氣供 應到上述冷卻器(3 00)内部時,上述冷卻器(3 00)冷卻流動其 内部的空氣。如此冷卻的空氣被供應到上述冷卻流路 (1 10)。但是,上述冷却器(300)位置並不限定於這些。 比如,上述冷卻器(300)可位於上述空氣供應部(200)。 即,上述冷卻器(300)位於在上述空氣供應部空氣流入部 11 200905770 刀,並冷部流入到上述空氣供應部(2〇〇)的空氣。這時,上 述空氣供應部(200)加壓冷卻的空氣,並供應到上述冷卻流 路(110) 〇 像這樣通過上述冷卻器(300),上述空氣供應部(2〇〇) 可以把冷卻空氣供應到上述冷卻流路(丨丨〇)。比常溫空氣溫 度低的通過上述冷卻流路(110),更有效率地冷卻上述載台 (1 〇〇)。並且,爲了對上述晶圓(W)進行低溫檢測,可以把 上述載台(1 0 〇 )冷卻到常溫以下。 以下,具體說明根據本發明實例的晶圓探測檢測器的 動作及使用狀態。 一般,對檢測物件晶圓(w)的高溫檢測完畢後,從載 。(100)拿出上述晶圓(w)時,利用空氣供應部(2〇〇)和冷卻 益(300)冷卻上述載台(1〇〇)。 爲了這些,上述空氣供應部(2〇〇)加壓空氣並連續供應 到上述載台(100)内部的冷卻流路(11〇)裏。這時,上述冷卻 器(3〇〇)把供應到上述冷卻流路⑴〇)的$氣連續冷卻到_2〇 °C 至 0°c。 然後,上述冷卻器(300)冷卻的空氣流入到上述冷卻流 亚吸收熱’而冷卻上述載台(1〇())。在此,冷卻空氣 桃入到上述冷㈣流路⑴G)的第—連通路⑴2),流過形成在 上述載台(m)外圓周“部的冷卻路(111),並冷卻上述載 台(100) 〇 *經過上述冷卻路(111),吸收上述載台(刚)熱而被加熱 的空乳’ it過上述冷卻流路⑴〇)的第:連通路⑴3)排出。 12 200905770 即,流入到上述第一連通路(112)的冷卻空氣通過的通道和 乂上iC載σ (1 〇 〇)吸收熱而被加熱的空氣排出的通道被隔 離。因此,流入空氣和排出空氣之間不發生傳熱’有效地 冷卻上述載台(100)。 之後,一般設在上述載台(100)的溫度感應部(未圖示) 測定上述载台(_),並與f溫做比較。上述溫度感應部的 測定值與常溫相同時’上述空氣供應部(2⑽)和上述冷卻器 (300)的動作被中斷,對上述載台(1〇〇)的冷卻程序完畢。 如上述,上述晶圓探測檢測器具備冷卻器(3〇〇),從而 冷郃空氣冷卻上述載台(1〇〇)時,根據設定值把上述载台 (100)冷郃到比常溫更低的溫度,從而實現低溫檢測。 即,上述溫度感應部的測定值達到已設定的常溫以下 ^中斷上述空氣供應部(200)和上述冷卻器(300)的動作, 亚把上述載台(1 00)可冷卻到常溫以下的特定溫度。在此狀 態下,把檢測物件晶圓(w)安置於載台(丨〇 〇)並進行檢測時, 上述晶圓探測檢測器對上述晶圓(w)進行低溫檢測。 在上述只詳細說明了本發明記載的實例,但是該行業 者在本發明技術思想範圍内可有不同改變及修正^這些改 變及修正應屬於專利要求範圍内。 工業應用性 根據廷些本發明的晶圓探測檢測器,爲了儘量隔離流 入空氣的流路和流出空氣的流路,在内部從载台外圓周部 向中心邛方向形成冷卻流路,儘量防止流入空氣和流出空 氣之間發生傳熱。 13 200905770 因此,被供應空氣不發生高溫空氣的熱損失,全部使 用爲上述載台冷卻上’從而極大化上述载台的冷卻效率。 並且,具備冷卻器,把冷卻空氣供應到上述冷卻流路, 從而更迅速地冷卻上述載台。 亚且,使冷卻空氣經過冷卻流路,並冷卻上述載台。 爲了對晶圓進行低溫檢測’把上述載台冷卻到比常溫更低 的溫度。 【圖式簡單說明】 圖1是傳統探測檢測器的概略立體圖。 圖2是圖1中之傳統探測檢測器之載台的Α·Α截面視 圖。 圖3是本發明的探測檢測器之載台的概略立體圖。 圖4是圖3中之本發明的探測檢測器之載台的截 面視圖。 【主要元件符號說明】 100 :載台 1 1 0 :冷卻流路 111 :冷卻路
Ilia:冷卻路的多個c型環中最大直捏環的另一端部分
Ulb:冷卻路的多個0型環中最小直徑環的另-端部分 1 12 :第一連通路 1 13 :第二連通路 200 :空氣供應部 3 00 :冷卻器 14

Claims (1)

  1. 200905770 十、申請專利範圍: 1、一種探測檢測器之载台,其特徵在於: 設在探測檢測器,支撐晶圓的載台, 冷卻流路包括不同直徑多個c型環之中的任何一個C 型環的:端連接鄰接的另一個c型環一端,而形成一個通 道政上述多個C型環中心對應上述載台的中心而形成的冷 部路, 連通上述多個C型環之^ . 取大直徑的c型環另-端與 以載口外部的第一連通路;及 連通上述多個C型環之中f |β ^ 卜W L 衣之中最小直徑的C型環另一端與 上这載台外部的第二連通路; A着上述冷却流路通過空氣並冷卻。 2、根據申請專利範圍第!項的探測檢測器之載台,其 特被在於.上述多個C型淨,久a λ ’、 方向排列,M C^,各兩端之間的開放部按相同 上述第二連通路位於上述 型環連接。 (開放。P,亚不與上述多個C 3、 根據申請專利範圍第1項 特徵在於:空氣流入到上述第一連通路’7:之载々台,其 通路流出,而被冷卻。 K上述第二連 4、 根據申請專利範圍第i至3 檢測器之载台,其特徵在於:㈣至何-項的探測 逑冷卻流路。 主冷卻空氣通過上 於 探測檢測器,其特徵在 15 200905770 檢測載台晶圓的探測檢測器,包括: 具備不同直徑多個的c型環 -端連接鄰接的另一…環—端,而…型環的 述多個c型環中心對應上述載台的中心=成 道’上 τ 叩肜成的冷卻路; 上述多個c型環之中最大直徑的c型環另-端與 之載口外部的第一連通路;及 、連通上述多個C型環之中最小直徑的c型環另一端與 t述載台外部的第:連通路的冷卻流路;並設有此冷卻流 路的載台;及 把空氣加壓供應到上述冷卻流路,並冷卻上述載台的 空氣供應部。 口 、6、根據申請專利範圍第5項的探測檢測器,其特徵在 ;上述載台在上述多個C型環各個開放部按相同方向排 歹J上述第二連通路位於上述開放部,並不與上述多個 型環連接。 7、根據申請專利範圍第5或6項的探測檢測器,其特 徵在於:另外包括把空氣冷卻到-2(TC至0。(:,並供應到上 述冷卻流路的冷卻器。 十一、圖式: 如次頁 16
TW097110719A 2007-07-25 2008-03-26 Chuck for wafer probing tester and wafer probing tester with the same TW200905770A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070074752A KR20090011306A (ko) 2007-07-25 2007-07-25 웨이퍼 프로빙 검사장치용 척 및 이를 구비한 웨이퍼 프로빙 검사장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200905770A true TW200905770A (en) 2009-02-01

Family

ID=40307307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097110719A TW200905770A (en) 2007-07-25 2008-03-26 Chuck for wafer probing tester and wafer probing tester with the same

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20090011306A (zh)
CN (1) CN101354403A (zh)
TW (1) TW200905770A (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102305882A (zh) * 2011-05-25 2012-01-04 上海集成电路技术与产业促进中心 测试载片台
TWI600911B (zh) * 2015-08-27 2017-10-01 Seiko Epson Corp Electronic parts conveying apparatus and electronic parts inspection apparatus
JP6918042B2 (ja) * 2019-03-26 2021-08-11 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置
KR20190132307A (ko) 2019-11-13 2019-11-27 주식회사 쎄믹스 웨이퍼 냉각 척
CN110940910A (zh) * 2019-12-17 2020-03-31 广东利扬芯片测试股份有限公司 载盘降温系统及晶圆测试设备
KR102673746B1 (ko) * 2021-10-20 2024-06-10 주식회사 쎄믹스 프로버의 콤보 척

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090011306A (ko) 2009-02-02
CN101354403A (zh) 2009-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200905770A (en) Chuck for wafer probing tester and wafer probing tester with the same
TW392274B (en) Semiconductor wafer holding apparatus and semiconductor wafer storage chamber
CN104977542B (zh) 二次电池的测试装置
JPH04329656A (ja) 基板冷却装置
JP2012127959A5 (zh)
CN102313471B (zh) 冷却系统的功能监视和/或控制方法及相应的冷却系统
CN109826687A (zh) 一种用于发动机台架试验的润滑油温度控制系统和方法
TWI414798B (zh) 可執行冷測/熱測之電子元件測試分類機
CN106404829B (zh) 基于热流修正的chf测量方法
CN115213120A (zh) 一种高低温智能测试装置及其测试方法
CN107690259B (zh) 电子元件温控模块及具备该模块的检测设备
CN109883854A (zh) 一种测试待测试样高温下应力应变的装置和方法
CN107843707A (zh) 两点四线电压测量消除导电杆材质影响的变压器绕组材质鉴别方法
EP3652841A1 (en) Assembly and method for connecting ends of generator stator coils with manifold
CN107576686A (zh) 一种导热介质材料导热能力测试装置及测试方法
JP2009144952A (ja) 蒸気監視装置
RU2619037C2 (ru) Экспериментальная установка для изучения теплообменных аппаратов
JP7398037B2 (ja) 冷却システム
CN206378442U (zh) 一种管状保温层导热系数测试装置
CN107887291A (zh) 连接通孔的电迁移寿命时间测试装置及其测试方法
CN205538031U (zh) 一种用于温度监测器的校准装置
JP4055892B2 (ja) 冷媒の温度制御方法、冷却方法及び冷却装置
CN207976337U (zh) 一种材料的拉伸破坏温度的检测装置
TW201243340A (en) Probe station
US9380223B2 (en) Device for contactlessly testing passive routing substrates