TW200902592A - Polymers containing sulfo group and intermediate thereof, and organic electroluminescent element containing the polymer - Google Patents

Description

200902592 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於含有磺基之高分子化合物及其中間體。再者， 本發明係關於含有該化合物之有機電致發光元件。 【先前技術】 、近年來’盛行研發使用有機化合物之功能性材料。最近則於 〜進行研發元件構成材料使用有機化合物之有機電致發光元件 (electroluminescent element:EL 元件）。 久 有機電致發光元件具有在陽極與陰極間夾持含有螢 化合物薄膜之構造，係將電子及電洞(h〇le)注入該薄膜中使其再結 〇而產生激子(exciton)，利用此激子失活時之放光而發光之元。 ^機電致發光元件能夠以約數V〜數十v之直流低電 ，由選擇螢絲有機化合物之麵而能·出各種顏色紅色、 冬=光杜具，特徵之有機電致發光元件期望能夠應 用於各種發光兀件、顯示元件等。 最近，由於能夠依印刷法進行圖案化(pattemi

使用共⑽、發光高分子#做#光性 之J 件(高分子有機電致發光元件：高分子有機虹 為有利於大晝面TV面板或可撓性4型顯示器之材料。 有，電致發光元件在雜間僅單獨制發杨 輸層或電子傳輸層，但由提升元件特性及ί命^ I的:通常在祕陽極使^制注人層。關於高分子有機電致發 光70件之制 >认層之(制注人材料） ^ 及同刀子質子駄之聚(笨乙烯磺酸)(以下簡寫為 (以下簡寫為PEDOT / PSS)(參照專敝獻 ） 基胺聚合物(參照專敝獻2)#。 ）及3杨基之二方 專利文獻1 :曰本特開2000 - 91081號公報 200902592 專利文獻2 .巾國專辦請公㈣脱7666號說明書 【發明内容】 「發明欲解決之課題」 上述PEDOT / PSS對有機溶劑欠缺溶解性係 分散液狀S。在有機電解纟人f f财為溶劑之 題，由於=水分引起元件短路等問 難之問題。又，因解作元件時操作因 ρςς从會、士杜山θ 同刀子PEDOT使用過剩之高分子蕃 故亦被^曰出具有凝聚性而難 具有使用_T / PSS之物 ^ 再者’ 改善其效率及壽命。 ^㈣致發先7L件，期望 含树基之三芳基胺聚合物，雖然專利文獻2 性，但對有機溶劑之溶解度未必充分。 劑之办解 其效ΐ及分子化合物之_致發光元件，期望更加提升 明ί目的，在於提供適合有機電致發光元件之新穎古八 及含有該化合物之有機電致發光：r刀 解決課題之方法」 τ 本發明者等為達成上述課題而悉心探究結果， 之具四苯基噻吩骨架之新穎高分子化合物，可溶於=只基 ，性，能夠形成均句之薄膜’使用該化合物之結果 命之有機電致發光元件，乃完成本發明。 ι件長哥 亦即’本發明提供以下⑴〜(19)項。 (ρ「齡縣之高分子化合物，麵徵觸於 具有至少1個一般式(1): 于鏈中 [化1] 200902592

(式中’ Z1〜Z4表示取代基。pl、p2為〇〜5之整數，p3、p4 為0二4之，數。Ar1與Ar2表示被取代或未被取代之1價芳族基， Y表不2價1縮合多環芳族基、或以伸烷基或單鍵連結之2價芳族 基。但二Arl與Ar2表示之1價芳族基上之取代基剔除胺基。） 表示之重複單位之高分子化合物，導入續基之結構。 (2)如(1)項之含績基之高分子化合物，其於一般式(1) 表示之基為選自一般式1)〜(a-9)及(b_ 1)〜(b~4)之^ ^ 基，且Ar1、Ar2、Y、及與噻吩環鍵結之4個苯環中 壬一個 基取代。 至…固經磺 [化2]

(a-D

(a-2) (a-3)

(a4) (a-5) (a-6)

200902592 (式中，一X—為由擇自於_〇---s---c〇___S〇_ > ，j)2 、__SiH2—、一SiMe2 —所構成群組中之基，Rai〜Ra3表示 虱原子、烷基、或芳族基。） [化3]

Rb1Rb2

(b-1) i2

Rb3Rb4N

J2 (b-2)

(b-3)

_V I

Rb8 ’ Rbl〜Rb2表示碳原子數2以上之烧基或芳族基，Rb3〜 原子、烧基或芳族基，Rbl及Rb2、Rb3及rM、Rb5及Rb6、 整可互相鍵結成環。k2〜k4、11〜i3、j1〜表示0〜1之 之至=^2)項之料基之高分子化合物，其巾，上述P1〜〆 上ΐ上之整數，上述Μ可彼此相同或相異，分 、織、絲、-取娜、：_基、及 -(〇)l-D (la) ~~〇(C = 〇)—D (2a) -(C = 〇)〇-〇 (3a) 原子未^代或被取代之直鏈狀、支鏈狀或環狀碳 A之烷基、未被取代或被取代之碳原子數4〜12之丨π 7^20 表示之基所構成群組中之基。 200902592 (4) 如⑴或(2)項之含續基之面分子化合物，其中，上述pi〜p4 各為0。 又，本發明亦包含下述各項： (5) —種有機電致發光元件材料，係由(1)〜(4)任一 之高分子化合物構成。 3 ^ (6) 種有機電致發光元件材料，其特徵為能約將(!)〜(4)任一 項之含磺基之高分子化合物溶解於有機溶劑之狀熊使用。 極性ΪΪ⑹項之有機電致發光元件材料，其中^述有機溶劑為 小1 ΪΓί有機電致發光元件，其特徵為在1對電極間，夾持至 ί所^ 1種如⑴〜(4)任—狀含魏之高分子化合物之 之人有機電致魏元件，其中，含有如⑴〜(4)任-項 3尹'基之问力子化合物之層為電荷注入傳輸層。 、 為電有機電致發光元件，其中，上述電荷注入傳輸層 電洞之峨致發罐，其中，至少賤2層上述 ⑴表子化合物，在其高分谢具有至少1個一般式 [化4]

Af2 (Z3)p3 (Z4)p4 ⑴ 盔η (1中Z〜Z表示取代基。pl、p2為0〜5之整數，, ί 1，之严數。Arl與：表報取代絲被取代之H ‘其 γ表不2舰衫縣域、紗躲錢單族 200902592 基。但，Ar與Ar表示之1價方族基上之取代基剔除胺基。） (13) —種有機電致發光元件材料’係由(12)項之高分子化合物 構成。 (14) 一種有機電致發光元件材料，其特徵為能夠將(I〕)項之高 分子化合物溶解於有機溶劑之狀態使用。 、° (15) —種有機電致發光元件，其特徵為在丨對電極間，夾持至 少1層含有至少1種如(12)項之高分子化合物之層所構成。 (16) 如(15)項之有機電致發光元件’其中，含有上述高分子化 合物之層為電荷注入傳輸層。 (17) 如(16)項之有機電致發光元件，μ，上述電荷注 層為電洞注入傳輸層。 (18) 如(17)項之有機電致發光元件，其中，至少具 声 電洞注入傳輸層。 、 曰 (19) 一種有機電致發光元件，其特徵為由夾持至少〗層含有至 少1種如(1)項之含磺基之高分子化合物之層，且夾持至少〗層含 有至少1種如(12)項之高分子化合物之層所構成。 曰 「發明效果」 =本發明，能夠提供可溶於有機溶劑且無凝雜，能夠形 分子化合物；又#由使賴化合物，可製得高效 年及長哥命之有機電致發光元件。 【實施方式】 以下詳細說明本發明。 至小續基之高分子化合物’係對於在高分子鏈中具有 構(而在古=⑴表不之重複單位之高分子化合物導入續基之結 分子化中具有至少1個—般式⑴表示之重複單位之高 中間體(以下稱為「中間體高分子化合物」)。 [化5] 200902592

(Z3)p3 tz\4 ⑴ (式中，，〜^矣_ 為0〜4之整數。Afl 基。P卜P2為0〜5之整數，p3、p4 表示2價縮合多二^表不被取代或無取代之1價芳族基，γ 但，"丨與^2表 、土、或以伸烷基或單鍵連結之2價芳族基。 20 績基數並無特別限取代基剔除胺基。） 個m.5〜10個_，之平均續基數為〇.1 基或1價雜與ΑιΊ立表示1價芳族基，包含1價芳族 為無取代或被取無取代或被取代均可。如此等基 〜難好，麵子數之環之碳原子數以6 或被取代之芳族雜環細 f f面’如此等基為無取代 〜2❹更好。Arl與Ar2以相同之基較好’相同4 芙nArl之ί族煙基或芳族雜環基之具體例，可舉例如笨 基、1-奈基、2-#基、蒽基、2_蒽基、9_葱基、 (phenanthryl)、2-菲基、3-菲基、4_菲基、9一菲基、2—氟—菲美、 申苯基、2-聯伸苯基、“基(解_、2_錄、4_祐基 ㈣(flu_yl)、5-苊(acenaphthalenyl)、3-螢蒽基(fluoranthen沖、 1-聯伸三苯基(triphenylenyi)、2-聯伸三苯基、丨—稠四苯基 (naphthacenyl)、2-稠四苯基、9-稠四苯基、3—花基①㈣邮）、 4-喹啉基、2-喹啉基、4-吼啶基、3-呢啶基、2—吡啶基、2一 嘧啶基、3-嘧啶基、4-嘧啶基、5-嘧啶基、3~嗒畊基(pyridazinyl)、 4-°荅D井基、2-比U井基(pyrazinyl)、 12 200902592 二苯3并基、2-科知基、4_:龄夫喃基、2— 吩_ 2吩基(thienyl)、2—嗟吩基、二苯并齡_ 4—基、二苯并噻 * Λ—、2寺錄、2-苯并辦基、2—苯并麵基、2-苯 开味唾基、咔唑-3—基(carbazdyl)、 2 - > 3 - . 4 - > nm^ - 4 - 4基、間聯二笨-3 -基等。

(〇)l-d 〇(C = 0)—D ^與Ar2之芳族烴基絲_縣上之取代基，可舉例如藥 基、羥基、及一般式(la)〜(3a) (la) (2a) -(C=〇)〇-D (3a) 科’it7!未被取代餘取代之直鏈狀、支雜或環狀碳 二if〜8之烷基、未被取代或被取代之碳原子數4〜12之1價 、未被取代或被取代之碳原子數7〜2〇之芳烧基，l為〇、 以:？式义)表示之基較好。而—般染)表示 J基以L為G較好。Ar與Ar2之芳族烴基或芳族雜環基上之取 二之取代位置並無翻關。又，取代數亦無關，但以。〜 好。 干又 D之被取代或無取代之直鏈狀、支鏈狀或環狀烧基之具體 歹如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁 ί 2三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、第三戊i、正己基:ι -3ΐ、4—I基~2-戊基、2-乙丁基、2—乙己基、正庚基、1-^ί、， 卜 甲庚基、 2-丙戊基、 2,2-二甲己基、 2,6-一曱己基、3,5,5-三曱戊基、 一環己基、環己甲基、環戊基、2-乙丁基、3,3-二曱丁基、u_ 一曱己基、1 -降箱基(norb〇myi)、2 _降宿曱基、 13 200902592 丁f、1 一甲環戊基、4-甲環己基、3—甲環w ::\3~二甲環己基、2,5-二甲環己基、26 It!// 甲氧甲基、乙氧 甲基、正辛氧甲基、正甲癸:氧甲:氧2 正丙氧乙基、2_異丙氧乙基、乙氧乙基、2-2-正己氧乙基、2~(2，-乙丁心其、ΐ基 正戊氧乙基、 氧乙基、2-(2，-乙己氣)乙Α 2 正庚氧乙基、2-正辛 甲氧丙基、I乙氧^ 壤己氣乙基、甲氧丙基、3一 3-正丙氧丙基、3_異丙氧 戊氧赃、3 -(正己氧)丙基、3 _ (2，—乙丁(裳丁二)丙基广(正 ίίίΐ广正两氧丁基、4-異丙氧丁基、4-正巧ίί、_ 正22:64 —二氧其丁基、5 —曱氧戊基、5 '乙氧戊基' 5 -戊基、6-乙乳己基、6_異丙氧己基、6_ 正己乳己基、4 -甲氧環己基、7_乙氧庚λ 6一 甲氧辛基、四氫糠基(tetrahydr〇furfmyl)、土 - (2,_2正_5_2乙甲H氧I)乙基、，2-(2:-乙氧乙氧基)乙基、2― 乙基、2 - (4, 氧^乙氧基)丙基、2 -稀丙氧 基)丙基、3 - (2, :稀丙氧丙基、3 - (2,-己稀氧 烯丙氧丁基、 (1’ —環己稀氧基)丙基、4 - 美Λ氧甲甲基二IS乙基、2—苯乙氧乙基、2-"节氧基)乙 乙基、3—¥氧丙基、3_(4’—甲氧f Id) 氧甲氧基)乙基、2-(4，-甲节氧甲氧基)乙基、，乳丁基2—(， 其J氧严、广甲苯氧基甲基、3—甲苯氧基甲基、2-甲苯氧 |甲基、4 -甲乳本乳基甲基、4 _ &苯氧基甲基、4 _氯苯氧基甲 200902592 2-氣苯氧基甲基、2-苯氧乙基、2-(4甲苯氧基)乙基、2-(4，-乙苯氧基)乙基、2-(4，-甲氧苯氧基)乙基、2~(4，-氯苯氧基)乙基、 2-(4’-漠苯氧基)乙基、2-(1’一萘氧基)乙基、2_(2，—萘氧基)乙基、3— 苯氧丙基、3-(2’-萘氧基)丙基、4-苯氧丁基、4_(2，_乙苯氧基)丁 基、5-(4’-第三丁苯氧基)戊基、6_(2’一氯苯氧基)己基、8_苯氧辛 基、2-(2，-苯氧乙氧基)乙基、3-(2’-苯氧乙氧基)丙基、4_(2,一苯氧 乙氧基)丁基、 正丁硫甲基、正己硫甲基、2-甲硫乙基、2—乙硫乙基、2-正 丁硫乙基、2-正己硫乙基、2-正辛硫乙基、2一正癸硫乙基、3_甲 硫丙基、3-乙硫丙基、3-正丁硫丙基、4—乙硫丁基、4_正丙硫丁 基、4-正丁硫丁基、5-乙硫戊基、6—甲硫己基、6_乙硫己基、6_ 正丁硫己基、8-甲硫辛基、2-(2，-甲氧乙硫基)乙基、4_(3，—乙氧丙 硫基)丁基、2-(2，-乙硫乙硫基)乙基、2—烯丙硫乙基、2—节硫乙基、 3二(4’_甲节硫基)丙基、4_节硫丁基、2—(2，_节氧乙硫基)乙基 _ 卞硫丙硫基)丙基、 2 -苯硫乙基、2 - (4,-甲氧苯硫基)乙基、2 _ (2, _苯 基)乙基、3 - (2, _苯硫乙硫基)丙基、 （本氧乙硫 2 -，乙基、2 - Μ丙基、3 _躺基、3 _經丁基、4 _經丁基、 -羥己5 -羥庚基、8 _經辛基、2 _經環己基等。 D之絲基包含丨價芳贿基或丨鮮麵環基。 或被取代，。絲等基為無取代或被取代之芳族煙1 時，構成该基之環之碳原子數以6〜12較好 二 被取代之芳族雜環基時，構成丄 D „芳族雜環基之具體例， 、5—厄、4_噎琳基、2_啥琳基、4—咖定基、^二暴2 口疋基、2—嘴咬基、4—痛〇定其 土 2比 吡縣、 嘧疋基、定基、3-嗒卩井基、4,井基、2— 3—咬喃基、2—°夫喃基、2—苯并知基、4-二苯并吱喃基、2_ 15 200902592 基 4吩基、2-齡基、二苯并料味基、二苯㈣吩_ ^ 并味Ϊ基、2—苯并•基、2—苯聽哇基、苯 2 -本基苯基、3 -苯基苯基、4苯其 D之芳族基上之取代基，可舉例土 土專° 狀或環狀炫基等。 自素原子，直鏈狀、支鏈 在此，鹵素原子可舉例如氟原子、教 碳原或雜絲轉取代錢錢 =炫原其t 鏈狀、支鏈狀或代或被取代i直 代之直鏈狀、支鏈狀或環狀炫基所舉例如D之無取代或被取 D之無取代或被取代之礙原子數7〜 可舉例如苄基、α -甲苄基、α _乙琴其—元土之/、體例， 基、石-甲苯乙基，二甲¥基、“二t基广甲苯乙 基、仁甲节基、3—?节基、2—甲节基、仁^^乙基味甲苯乙 ' 4-* Λ d2 1 ' 4~ 仁本乙苄基、仁苯节基、4 = 4本基苄基、 氧苄基、2-乙氧苄λ、4—/丁备!4基基、仁甲氧苄基、2—甲 4-正癸t '正丁氧卞基、4~正庚氧节基、 〜认二=基=基' 氧节基、4-乙烯氧甲节美 ;++乳甲节基、4-稀丙 节基、3~苯氧节^ ▲ 4乳卞基 ' 仁本乙氧¥基、4-苯氧 节基甲氧节基、4-氟 二苯甲基十萘曱基Uli基、2—斜基、3,4—二鮮基、 γ表不2價縮合多環芳族基、或以伸烧基連結之2價芳族基 16 200902592 或以單鍵連結之2價芳族基。 縮合多環芳貝芳族基之情形說明如下。此等2價 縮合多環芳族二包〜3G之縮合多環芳族基較好Y之 雜環基族烴基及2價縮合多環芳族 之縮合多縣#^ °若縣為無取代或被取代 數10〜25更好。另1方原子數幻0〜3〇較好，碳原子 ^雜環鱗，錄之麵 環芳族縮合多 =基，具有直鏈狀、支鏈狀=基=基支= 狀、例錢原子、⑽子、_子或_子。直鏈 或環狀數1〜8之直鏈狀、支鏈狀 取代之芳族烴碳原子數4〜12之無取代或被 2,6-環f族基可舉例如士萘二基、丨，5-萘二基、 45K-其=一基，花二基、2,7斗坐二基、3,6—味唾二基、 i笨t夫;，美;,苯并:塞吩二基、3,7-二苯并噻吩二基、2,8-开夭南一基、3,7-二苯并呋喃二基等。 中縮合多環芳族基以2價縮合多環芳族烴絲好，其 二基特別::基、丨，萘二基、9，10-葱二基、2,7-*二基、^ 2價形表示以織連結之2價芳族基或以單鍵連結之 伸烷基可為無取代或被取代。無取代或被取代之伸烷基為直 17 200902592 鏈狀、支鏈狀或環狀之伸烷基。 伸烷基以碳原子數1〜6之伸烷基較好，碳原子數丨〜3之伸 烧基更好。 伸烧基上之取代基如烷基、芳族基或芳烷基。 之、之絲為無取代或被取代之直鏈狀、支鏈狀或環狀 之烧基。具體例，如甲基、三氟甲基、乙基、 正丁基、異丁基、第二丁基、第=美、 丙基 :第「戊基、正己基小甲戊基、4 一甲基一2_戊基、2_乙 J暴、2 -乙己基、正庚基、甲己基、正辛基、 1 -甲庚基、2-丙戊基、正壬基、2,2-二甲庚基、2,6 _ _ 甲癸一三甲己基、正癸基、卜乙辛基、正十二燒；、卜 1 -、己1土其不十:絲、1 —己庚基、正十四絲、正十五絲、 1己辛基、正十六烧基、 乙美3f其^己甲基、（1 _異丙環己基)甲基、（2 ~異丙環己基) ^基％戊基、2-乙丁基、3,3_二甲丁基、u_二 、異萡基、1 —降萡基、2 -降萡甲基、丨-雙環[$ 土丄-金剛烷基(adama幽yl)、3 —降金剛烷基(n〇rad 1 —金剛烷甲基、環丁其、Ί田#丄、# , ianyl) 己丁基卜甲環戊基、4—甲環己基、3-甲環 、3,4 —二甲環己基、W二曱環己基二三ί環 3广第__;广：1己基、2,6-二異丙環己基、4-第三丁環己基、 環e基苯環己基、2 _苯環己基、環庚基、環辛基、 %十二烷基、環十四烷基等。 衣千！ 伸烧基上之烧基以碳原子數2至2〇之烧基較好。 環美伸ίίΐίΪίί包含無取㈣皮取代之芳族烴基或芳族雜 叙雜縣賴之碳軒數為6〜3〇 較好厂、戈或被取代之芳族雜環基以構成環之碳原子數為3〜3〇 方族基或芳麵環基之具體例，可舉例如Afl與W所示之 200902592 具體例。 方方矢煙基或方族雜環基之取代基，如直鍵狀、支鏈狀或環狀 之烷基，並以碳原子數1〜8較好。取代基之具體例，可舉例如D 所示之烷基。 伸烧基上之方烧基，以無取代或被取代之碳原子數7〜2〇之 芳烷基較好。芳烷基之具體例，可舉例如D所示之芳烷基。 無取代或被取代之伸烷基之具體例，可舉例如亞甲伸乙 ^、伸丙基、U-環伸丙基、1,2-環伸丙基、環伸丁1j卜 環伸戊基、1，2-環伸戊基、ΐ，ι一環伸己基、丨，2_環伸已美、丨 伸，基、3-甲基—1，1—環伸己基、3,3,5_三甲基_ u—‘伸己基， 八虱-4,7—甲橋一 5H—伸茚一 5,5—基 A > u- 一本亞甲基、l，l—二苄亞甲基等。 Y為以伸烷基連結之2價芳絲或以^ ，2價芳族基包含2價之芳族烴基及芳: 被取代。若該基為無取代 如絲為無取代或被取代之芳麵面’ 〜30較好，碳原子數4〜20 t好。 基之厌原子數以4 2價芳族基之具體例，可舉例如u 伸苯基、1，2-萘二基、M—萘二基、i 5’ 基伸本基、M- 蒽二基、2,7—第二基、3,6—第二基、二、6 匕一基、9，10— 茈ί基”2,7-咔唾二基、3,6~咔唑二基、4，5:味唑一it、!，7— 二基、2,8-二笨并吱喃二基、4,6〜味一f…卡唾 吩二基、3,7-二苯并噻吩二基等。开夫南一基、2,8-二笨并噻 2價芳族基以2價芳族烴基輕杯， 苯基、1,4-伸笨基、U2_萘二基^ |中^ 伸苯基、1，3-伸 合❶ ，奈二基、丨，5-萘二基特別適 2價芳族基之取代基，可舉 準例如_素原子，直鏈狀、支鍵狀或 200902592 環狀之燒基，及1價芳族基。 ’直子子:氯原子、漠原子或礙原子。 碳好數1〜8較好料樣找細無取錢餘代均可，並以 之芳^基續崎柯，細錄子數3〜30 具體S。丄基或方麵雜環基之具體例，可舉例如與Ar2所示之 狀、糊餘代之直鏈 體例’可舉例如D所示之院美。反原子數1〜8較好。取代基之具 子化合物，芳族基時’本發明之含磺基之高分

⑴ 為整基°pl、p2為0〜5之整數，p3、P4 Y表示2價么二:^„代或未被取代之1價芳族基， 1)〜(a-9)之#口」方*土。中，7表示之基為選自一般式(a- Y、及與嗔吩ΐ f分子鏈中至少具有1個Ar1、Ar2、 [化7]鍵、、Ό個本裱中至少1個被磺基取代之重複單位。 20 200902592

(a-1)

(a-2)

(a-3)

Ra3 (a-6) (a-5)

(式中’ 一X—為擇自於由 —S〇2—、 氫原子、烷基、或芳族基 . 0—、〜S---CO- ' -SO- ' flH2; : — SlMe「所構成群組中之基，Ral〜Ra3表示 —以一 〇—、—s—較好。 會H R ! 之烧基如★直鏈狀、支鏈狀環狀之烧基，並以碳原子 之1二ϋ又二方族基以碳原子數4〜12之無取代或被取代 之1價方族煙基及^族雜環基較好。 R〜R33之烷基之具體例，可舉例如甲基、乙基、正丙基、異 3其正I基：ΐ丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、 新戊基、第三戊基、正己基、丨_甲戊基、4_曱_2_戊基、2〜 乙丁基、2-乙己基、正庚基小曱己基'正辛基、卜甲庚其、 2一-丙戊基、正壬基、2,2-二甲庚基、2,6_二曱_4_庚基、3^〜 亡甲己基、正癸基、1 -乙辛基、正十二炫基、卜甲癸基、’正 三燒基、1 -己庚基、正十四烷基、正十五烷基、〗一已辛基、正 21 200902592 十六炫基 '正十七烧基、1 -辛壬基、正十八炫基、正十九院基、 1 -癸十一烷基、正二十烷基'正二十二烷基、正二十四烷 r其環=環ί甲基、Γ ~異丙環己基)曱基、(2_異丙環己基) 乙基、裱戊基、2 -乙丁基、3,3 _二甲丁基、！，卜二甲己基 基、異萡基、1 -降猫基、2 -降苗甲基小雙環[2,2,2]辛基小 金剛烧基、3 -降金剛燒基、^金剛烧甲基、環丁基、！ 基、4-甲環己基、3-甲環已基、2 _曱環己基、2,3_ 2甲气己基、2,6 ~二甲環己基、3,4 -二甲環己基、3,5 -二 H 4 ί6 -三曱環己基、3’3,5 -三甲環己基、2,6 -二異丙 苯環己基、環庚基、環辛基、環十二烧基、環十四^己基 氧:Sit曱基二正丁氧曱基、正己氧甲基、(2-乙丁氧 2 s氧甲基、2_甲氧乙基、2-乙氧乙基、 其基、甘丙氧乙基、2 一正丁氧乙基、2一正戊氧乙 3-甲氧丙基、3·乙2 —奶梅、2_甲氧丙基、 基、3 —異丙氧丙基、3_(正丁氧基)丙基、3-(正 itiSi ：3 ： Τ '3 -(" 十一翻其、减·^己基丙基（癸氧基)丙基、3 —(正 ΐϊΐί 11 ' 3 - ' 4 - 4 U 4 —正丙氧丁基、4 -異丙氧丁基、4 - 丁基、 環己基、7-乙氧庚基、7〜Ί己基、4_甲氧 癸基、10 -正丁氧癸農、”8 _甲齡基、—曱氧 土 2乙乳十一烷基、12-異丙氧十二烷 22 200902592 基、四氫糠基、 4 r I、—7甲^乙氧基)乙基、2—(2’一乙氧乙氧基)乙基、2-(2,-正丁 ίίϊίί ί、卜2,—乙氧乙氧基)丙基、2~烯丙氧乙基、2餐 基、3-烯丙氧丙基、3—(2，_己烯氧基)丙基、3—(2，—庚 烯乳基)丙基、3-(1，-環己烯氧基)丙基、4_烯丙氧丁基、节某、 2-苄氧乙基、2-苯乙氧乙基、2—(4，—曱苄氧基)乙基、2—(2，_甲甲‘ f乙基、2-(4’-氟？氧基)乙基、2_(4，_氯节氧基)乙基、3_节氧丙 ，、3-(4，-曱氧节氧基)丙基、4—节氧丁基、2—作氧甲氧 2-(4’-甲苄氧甲氧基)乙基、 Α 苯氧甲基、4-甲苯氧基甲基、3-曱苯氧基甲基、2_甲苯氧基 甲基、4-甲氧苯氧基甲基、4-氣苯氧基曱基、4—氯苯氧基甲基广 2-氣苯氧基曱基、2_苯氧乙基、2_(4，—曱苯氧基)乙基、2_(4,— 乙苯氧基)乙基、2-(4，-曱氧苯氧基)乙基、2一(4，—氣苯氧基)乙基、 2- (4’-臭苯氧基)乙基、2-(1，-萘氧基)乙基、2—(2，-萘氧基)乙基、3— 苯氧丙基、3-(2’-萘氧基)丙基、4-苯氧丁基、4-(2,-乙苯氧基)丁 基、5-(4’-第三丁苯氧基)戊基、6—(2，—氣苯氧基)己基、8_苯氧辛 基、10-苯氧癸基、10 — (3,-氯苯氧基)癸基、2 — (2,-苯氧乙氧基) 乙基、3 - (2,-苯氧乙氧基)丙基、4 - (2’ -苯氧乙氧基)丁基、 正丁硫曱基、正己硫曱基、2-曱硫乙基、2-乙硫乙基、2-正 丁硫乙基、2-正己硫乙基、2-正辛硫乙基、2-正癸硫乙基、3-曱 硫丙基、3-乙硫丙基、3-正丁硫丙基、4-乙硫丁基、4-正丙硫丁 基、4-正丁硫丁基、5-乙硫戍基、6-曱硫己基、6-乙硫己基、6-正丁硫己基、8-甲硫辛基、2-(2，-曱氧乙硫基)乙基、4-(3，-乙氧丙 硫基)丁基、2-(2，-乙硫乙硫基)乙基、2-烤丙硫乙基、2-节硫乙基、 3— (4’—曱苄硫基)丙基、4—苄硫丁基、2-(2,一苄氧乙硫基)乙基、3-(3 ’->硫丙硫基)丙基、 2 -苯硫乙基、2 - (4’ -甲氧苯硫基)乙基、2 - (2’ -苯氧乙硫 基)乙基、3 - (2,-苯硫乙硫基)丙基、 2-羥乙基、2-羥丙基、3-羥丙基、3-羥丁基、4-羥丁基、 23 200902592 6-經己基、5 ~經廣其0 „ . 基、2 -經環已基等庚基、8 —經辛基、1〇~經癸基、12 -針二烧

Ral 〜]^a3 + 朴 萃基、1-¾:基、2 ^族基之具體例，可舉例如苯基、K萘基、2_ 、Μ;ί、:忿笨葱2基二!;基、2,基、3_菲基、‘ !-稠四苯基、=苯基、聯伸三苯基、 基、2—嗔吩夷、9 = &甘井土、—D夫喃基、2-吱喃基、3—嗟吩 “、2H ΓΙ^基、2-射基、2-苯并嗟吩基、2-苯并吱 it坐基細基、2—苯并伽基、2-苯并料基、3斗坐1 ^ - 3~fX^ ' - 4 - ^ , 基、土 、葬—本-2 一基、間聯三苯-4-基、間聯三笨一 3一 2-乙4笼Γί、3—甲苯基、2~甲苯基、4-乙苯基、3_乙苯基、 乙^基正丙苯基、4_異丙苯基、2異丙苯基、4一正丁 丁!義3：苯基、4—第二丁苯基、2_第二丁苯基、4-第三 戍^、Γΐ二丁苯基、2-第三丁苯基、4_正戊苯基、4~显 基；第三戊苯基、4 —正己苯基、4 —正庚苯基、4 -正ί ίίΐ (2,—乙己基)苯基、4—第三辛苯基、4—正壬苯基、4 六本土、4-正十二炫苯基、4 —正十四烧苯基、4_正十六 Ϊ'正十八烷苯基、4 _環戊苯基、4 _環己苯基、4 _ (4，-第 己基)苯基、4-(4’-甲環己基)苯基、3 _環己苯基、2_ 匕革基、 衣 田·/:乙基~卜萘基、6_正丁基- 2-萘基、2,3-二甲苯基、2,4-二 ^基、2,5~二甲苯基、3,4—二甲苯基、3,5-二f苯基、2,6-二甲 2,3,5一三甲苯基、3,4,5—三甲苯基、2,4—二乙苯基、U6-三 本基、2,4,6-三甲苯基、2,6-二乙苯基、2,6-二異丙苯基、2 6— 24 200902592 二異丁苯基、2,4-二第三丁苯基、2,5-二第三丁苯基、3,5-二第三 丁^基、2,4-二戊苯基、2,5_二第三戊苯基、4,6_二第三丁基一 2一 甲苯基、5-第三丁基一 2—甲苯基、4_第三丁基_2,6_二甲苯基、 2,3,5,6 -四曱苯基、 + 5-節滿基(5_indanyl)、lw—四氫_ 5_蔡基、四氫一 6— 萘基、 曱氧苯基、3-甲氧苯基、2-曱氧苯基、4_乙氧苯基、2 -乙氧苯基、3 —正丙氧苯基、4—異丙氧苯基、2 _異丙氧苯基、4 -，丁氧苯^基、4-異丁氧苯基、2_異丁氧苯基、2_第二丁氧苯基、 -，戊氧笨基、4 -異戊氧苯基、2 —異戊氧苯基、2 _新戊氧苯 土 正己氧苯基、2_(2’-乙丁基)氧苯基、4_正辛氧苯基、4_ =氧苯基、4 -正十二院氧絲、4 _正十吨氧笨基、4 _ ^燒氧苯基、4 -正十人錄苯基、4 _環己氧笨基、2 _環己氧= 2-曱氧基-基、5-乙氧基-基、6-正己氧基 萘基、 1-萘基、4-曱氧基-1-萘基、仁正丁

1-萘基、6-乙氧基-2-萘基、訌正J -2-蔡基、7一甲氧基-2—蔡基、7—H2:f: 甲氧苯基、2,6 2,3 -二曱氧苯基、2,4 —二甲氧苯基、2,5 [甲)本基、3,4-二曱氧苯基、3,5-二曱氧笨基 H5 一二正丁氧苯基、2_甲氧基—4—甲苯基、2-甲氧一其^本 :本基、2-甲基—4—曱氧苯基、3_曱基—4 【土田 ^5-甲氧苯基、3_乙基—5_甲氧苯基、基、3~曱 笨基、2—-曱氧基_6_乙氧苯基、3,4,5_三甲氣笨基^ —乙氧 4-氟本基、3-氟苯基、2-氟苯基、4-氯笨基、λ 氯苯基、4—溴苯基、2_演苯基、4_氣_卜萘基、4 = :、2〜 ，-2-萘基、2,3-二氟苯基、2,4-二氟苯基、2,5__二翁<^土、6'' 7氟苯基、3,4~二氟苯基、3,5-二氟苯基、2,3二二U'、2,6~ 氯笨基、2,5-二氯苯基、2,6—二氯苯基、3,4—二氯笨基基 25 200902592 笨基、2,5-二>臭苯基、2,4,6-三氯苯基、2,3,6-三演苯基、3,4,5〜三 亂本基.、2,4-一亂-1-奈基、1，6-二氣-2-蔡基、 2-氟-4-曱苯基、2 -氟-5 _曱苯基、3 _氟-2 _甲苯基、3 ~ 敗-4 -曱笨基、4 -氟-2 -曱苯基、5 -氟-2 -甲苯基、2 一氣__ 4 -曱苯基、2 -氣-5 -曱苯基、2 -氣-6-曱笨基、3_氣_2__ 曱苯基、4 -氣-2 -曱苯基、4 -氯-3 -曱苯基、2 -氣一 4,6 -二 甲苯基、2 -氟-4 -甲氧苯基、2 -氟-6 -曱氧苯基、3_敗，_4T 乙氧苯基、5-氣-2-甲氧苯基、6-氯-3-甲氧苯基、5_氯— 2,4 -二甲苯基、2 -氯-4 -硝苯基、4 -氯-2 -硝苯基、 4-三氟曱苯基、3 _三氟甲苯基、2 _三氟曱笨基、35_ 氟曱基)苯基、 ’ 4-三氟曱氧苯基、 4-烯丙苯基、2-烯丙苯基、2-異丙烯笨基、4-苄苯基、2-苄 ^基、4一(4’~曱苄基)苯基、4-異丙苯基苯基、4-(4,-曱氧異丙苯基) 4本基本基、3 -本基苯基、2 -苯基苯基、4 - (4,-曱笨基) f基三4-(/’-乙苯基;)苯基、4_(4，_異丙苯基)苯基、4_0，第 三丁苯基)笨基、4 - (4,-正己苯基)苯基、4 __ (4, _正辛苯基)苯基、 ^ (4 -甲氧苯基)苯基、4-(4’-乙氧苯基)苯基、4_(4，_正 I氧、2 — (2’ —甲氧苯基)苯基、4 — (4,—氟苯基)苯基、4 -(-乳本基)苯基、3 -曱基-4 -苯基、2 —曱氧基_ 5 _苯基苯 基、3 -甲氧基-4 -苯基苯基、 氧甲苯基、4—乙氧甲苯基、4—正丁氧甲苯基、3-曱氧甲 t氧乙基)苯基、4—(2’—乙氧乙氧基)苯基、4-(2，-正丁 二^土)本基、4-(3’-乙氧丙氧基)苯基、4_乙稀氧苯基 、4一稀兩 关其土4\;稀丙氧苯基、4—(4’-戊稀氧基)苯基、4—烯丙氧基~卜 不基、^丙氧甲苯基、4—(2，_婦丙氧乙氧基)苯基、 4-卞氧苯基、2-苄氧苯基、4—苯乙氣茉基、4—f4，_縈芊惫其 本基、4~(4’—甲节氧基)苯基、4—(4，-甲鮮氧基)苯基、4二(3，-乙^ 26 200902592 ί 基—萘基、5—(4’m 基)—l 萘基、6— 5甲节觸—2—蔡基、7—节氧基—2-蔡基、 基、苯基、2—苯氧苯基、4—(4，—甲苯氧基)苯 i其H甘)本基、4—(4，一氯苯氧基)苯基、4—苯氧基一卜 4 Ϊ装萘基、7—苯氧基' 2-萘基、4-苯氧甲苯基、 Η2，-(4, Ϊ氧ϋ苯基：4—[2’—(4，—曱苯氧基）乙氧基]苯基、 苯$、(4—甲乳本乳基）乙氧基]苯基、ΗΠ-氯苯氧基）乙氧基] r 2乙Γ苯基、3—乙釀苯基、2—乙釀苯基、4—乙幾苯基、2一乙 4-/1 — .Γ基、6~乙醯―2—萘基、6—正丁羰_2-萘基、 4-(4,-/苯f、4~(4，—f ¥基)鮮基、4—苯鮮基、 Λϋΐϋ t r氯苯基)鮮基、4—苯縣—^萘基、 正丙氧淨笑^ 甲氧^本基、4~乙氧羰苯基、3—乙氧羰苯基、4一 苯基、二“ 氧鮮基、4—正己氧鮮基、心正癸氧毅 基U气雜i本土二4—乙氧羰基—卜萘基、6-甲氧羰基~2_萘 氧氯纖;么I以【以％=氧=、、 二以讎鮮基、 基、2Ξίίί二―乙醯基、2-乙醯氧苯基、4-乙羰氧苯 幾氧笼A 4正續氧苯基、4—正賴氧苯基、仁正辛 $本基、4-壤，氧苯基、3_環己幾 ^基乂t丁錄基，萘基、5~㈣氧基—I-萘基、6乙幾氧 $其4、ΐ、7—氧基—2~萘基、4-稀丙幾氧苯基、4~魏氧 本基、4-苯乙幾氧苯基、6—节幾氧基一 2_萘基％ 卞祕 4-苯幾氧„、4-(4’_甲苯基)幾氧苯基、4乎甲苯基)幾氧 土、-(4’-氯苯基)織苯基、φ_(2，—氯苯基齡苯基、-笨幾 27 200902592 氧基-1-秦基、6-苯幾氧基-2-萘基、7-苯羧氧基-2-萘基、 4-曱硫苯基、2-曱硫苯基、2-乙硫苯基、3-乙硫ϋ、4_ 正丙硫本基、2 -異丙硫苯基、4 -正丁硫苯基、2 -異丁硫苯基、 2 -新戊苯基、4 -正己硫苯基、4 -正辛硫苯基、4 -環己硫苯^、 4-苄硫苯基、3-苄硫苯基、2-苄硫苯基、4-(4’-氯苄硫基)笨 基、4-苯硫苯基、3-苯硫苯基、2-苯硫苯基、4-(4’-曱苯硫基)笨 基、4-(3 -曱苯硫基)苯基、4-(4’-曱氧苯硫基)苯基、4—(4’-氯苯硫 基)苯基、2-乙硫基-1-萘基、4-甲硫基-1—萘基、6_乙硫基_ 2_ 秦基、6-苯硫基-2-蔡基、 4-硝苯基、3-硝苯基、2-硝苯基、3,5-二硝苯基、4-硝基-1-萘基、4-甲醯苯基、3-甲醯苯基、2-曱醯苯基、4-曱醯基-1 一萘 基、1-甲醯基-2-萘基、 不 4-吼洛唆苯基、4-旅咬苯基、4-味琳苯基、4-(N-乙旅味基) 本基、4-吼洛咬基-1—蔡基、 4-胺苯基、3-胺苯基、2-胺苯基、4-(N-曱胺基)苯基、3-(N-曱胺基)苯基、4-(N-乙胺基)苯基、2-(N-異丙胺基)苯基、4-(N-正丁胺基)苯基、2-(N-正丁胺基)苯基、4-(N-正辛胺基)苯基、4-(N-正十二烷胺基)苯基、4-(N-¥胺基)苯基、4-(N-苯胺基)苯基、2-(N-苯胺基)苯基、 4-(N，N-二甲胺基)苯基、3-(N，N-二曱胺基)苯基、4-(Ν,Ν-二 乙胺基)苯基、2-(Ν，Ν-二甲胺基)苯基、2-(Ν,Ν-二乙胺基)苯基、 4-(Ν，Ν-二正丁胺基)苯基、4—(Ν，Ν-二正己胺基)苯基、4-(Ν-環己-Ν-曱胺基)苯基、4-(Ν，Ν-二乙胺基)-1-萘基、4-(Ν-苄基-Ν-苯胺 基)苯基、4-(Ν，Ν-二苯胺基)苯基、4-[Ν-苯基-Ν-(4-曱苯)胺基] 苯基、4-[Ν，Ν-二(3，—曱苯)胺基]苯基、4_[Ν，Ν-二(4，-曱苯)胺基] 苯基、4-[Ν，Ν-二(4，-曱氧苯)胺基]苯基、2- (Ν，Ν-二苯胺基)苯基、 4-羥苯基、3-羥苯基、2-羥苯基、4-甲基-3-羥苯基、6-甲 基-3-羥苯基、2-羥基-1—萘基、8-羥基-1-萘基、4-羥基-1— 萘基、1-羥基-2-萘基、6-羥基-2-萘基、4-氰苯基、2-氰苯基、 28 200902592 4-氰基-1-萘基、6-氰基-2-萘基等。 本發明之含續基之高分子化合物 有至少Η固-般式⑴表示之重複單位之古；^字=勿子鏈中具 (sulfonation)而製得。 间刀子化s物進行磺化 一般式(1)中，以Z1〜Z4矣千夕而也甘 ^與般式⑴ 广P4以〇〜2之整數較好，〇叫之整數更好戈。 相同之取，基，且P1〜p4為彼此相同之整數較好。為彼此 高分ΐ化；1個一般式⑴表示之重複單位之 至於鹽並無_限定成鹽。 ^三甲胺、三乙胺、錢、味料有機胺類或與胺基酸n鹽 高4化般式⑴表示之重複單位之 為_〜_〇；；，^iQt5=寺^定’換算成苯乙烯時 子化合物缝平均奸科_。 高分子化合r式⑴表示之重複單位之 等取代而實縣镇=|之爾、赫、咖基、羥基 芳族ΐ時單鍵連結之2價 至少具有^個在-較佳為高分子鍵中 [化8] 29 200902592

(式中，Z1〜Z4表示取代基。p卜p2為〇〜5之整數，P3、P4 為0〜4之整數。Ar1與Ar2表示被取代或未被取代之1價芳族基， Υ表示以伸烷基連結之2價芳族基或以單鍵連結之2價芳族基。） Υ表示之基為選自一般式(b - 1)〜(b — 4)中之任一個基，且 Ar1、Ar2、Y、及與噻吩環鍵結之4個笨環中至少1個被磺基取代 之重複單位。 [化9]

(b·3) (b-4) (式中’ Rbl與Rb2表示碳原子數2以上之烷基或芳族基，Rb3 〜Rb8表示氫原子、烷基或芳族基，Rbl與Rb2、Rb3與RM、Rb5與

Rb6、Rb7與Rb8可互相鍵結成環。k2〜k4、il〜i3、jl〜j3表示〇 〜1之整數）。

Rbl、Rb2之碳原子數2以上之烷基’可舉例如無取代或被取代 之直^1狀、支鏈狀或環狀之烷基’並以碳原子數2〜12較好。 R、R 2之碳原子數2以上之烷基之具體例，如乙基、正丙基、 異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊 200902592 基、新戊基、第三戊基、正己基小甲戊基、4_甲基_2 乙己基、正庚基、1 -甲已基、正辛基、卜^庚 基、2-丙戊基、正壬基、2,2_二$庚基、2,6_二甲基_4_ 3,5,5-二曱己基、正癸基、卜乙辛基、正十二烧基、 土 乙基=戍基、2-乙丁基、3,3-二甲丁基、丨，卜二甲己 ί剛2基^，基、2 —降苗甲基、1 —雙環[2,2,2]辛基土、1 - f5、4: 甲環己基、2_甲環已基、&二甲環己1 戊 ，:一甲衣己基、2,6~二甲環己基、3,4—二T環己基、3 5 -二 ΐΐί基4、ΐ，6 ~三甲環己基、3,3,5 '三甲環己基、2,6~ ^異丙 i環己基、3 ―第三丁環己基、4 —苯環己基、2 — 本％己基、ί哀庚基、環辛基、環十二烷基等。 炉—U,《族基，以碳原子數3〜3G之無取代或被取代之1 h方知烴基或1價芳族雜環基較好，且碳原子數4〜12之無 或被之^價芳族烴基或1價芳族雜環基更好。 R、R之芳族基之具體例，如苯基、丨_萘基、2_萘基、 仁喹啉基、2-喹啉基、4_吡啶基、3_吡啶基、2_n比咬基、2〜 射基、4-做基、5_奢定基、3_塔哄基、4_塔卩井基、2一。比哄基、 3-吱喃基、2-吱喃基、2-苯并呋喃基、4—二苯并呋喃基、2一 二苯并σ夫π南基、 3-嗟吩基、2-噻吩基、二苯并噻吩—4_基、二笨并噻吩_ 2一 基、 、，2_嘈唑基、2-噻唑基、2-苯并噚唑基、2_苯并噻唑基、2—笨 并坐基、σ卡唾-3-基、 鄰-聯苯基、間-聯苯基、對-聯苯基等。

Rbl與Rb2可相同或相異。 R〜R之烷基’可舉例如無取代或被取代之直鏈狀、支鏈狀 或環狀之烷基，並以碳原子數丨〜12較好。 31 200902592

Rb3〜Rb8之烷基之具體例’如曱基、三氟甲基、乙基、正丙基、 異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、旦土戍 基、新戊基、第三戊基、正己基、丨-甲戊基、4 -甲基_2_戊基、 2 -乙丁基、2 -乙己基、正庚基、1 _甲己基、正辛基、j —甲庚 基、2-丙戊基、正壬基、2,2-二曱庚基、2,6_二甲基—4 —庚基、 3,5,5 -三甲己基、正癸基、乙辛基、正十二烧基、 環^基、環己甲基、（1-異丙環己基)曱基、（2_異丙環己基) 乙基、j戊基、2_乙丁基、3,3 -二曱丁基、u -二甲己基、萡 基、異萡基、1 - P描基、2 -降范曱基、！ _雙環P，2,2]辛基、】_ 金剛烷基、3 -降金剛烷基、丨_金剛烷曱基、環丁基、丨_曱環戊 基、4-甲環己基、3-曱環己基、2-曱環己基、2,3 —二甲環己基、 2,5:二曱環己基、2,6_二甲環己基、3,4-二甲環己基、3,5-二 :環己基、2,4,6-三甲環己基、3,3,5 -三曱環己基、2,6-二異丙 =基、4 -第三丁環己基、3_第三丁環己基、4_苯環己基、2一 苯環己μ基、環庚基、環辛基、環十二烷基等。 R=〜Rb8K之芳族基之較適合具體例，與Rl、R2之芳族基相同。 R，R4、Rb5與#6、妒7與Rb8可相同或相異。 時’ 5W與RM、W與WW W互相鍵結成環 日子’構成％之碳原子數以3〜12較好。 在^其ί體例如環丙烷、環丁烷、環戊烷、環己烷、環庚烷、環 螓、環癸烧、環十一院、環十二烧、雙環t2.2.1]庚烧、 雙衣[3丄1]庚烧、金剛烷、八氫—4,7_甲基_ 5H—茚烷(indane)等環。 f發明之含磺基之高分子化合物，例如可將在高分子鏈中具 ^少1個一般式(1)表示之重複單位之高分子化合物進行磺化而 一般式(1)中，以ζι〜ζ4表示之取代基可彼此相同或相異 二羧基、羥基、胺基、一取代胺基、二取代胺基、及一般式(la) -(O)l-D (la) 32 200902592

〇(〇 = 0)—D ~(C = 〇)〇 —D (2a) (3a) 表不無取代或被取代之直鏈狀、支鏈狀或環狀之石山 ，子數1〜8之烧基、無取代或被取代之碳原子數4〜 族基、無取代或被取代之碳原子數7〜2〇之芳燒基， j賈广 表示之基所構成群組中選擇之基，而以ζ!〜ζ4 ^ϋ 兮較適合具體例，可舉例如與一般式(1)中W與Αγ2之芳族 方族雜環基上之取代基相同之取代基。 方Λ焱基或 pi〜ρ4以〇〜2之整數較好，〇〜】之整數更好。又 各為相同之取代基，且ρ1〜ρ^為相同之整數較好。 又，在高分子鏈中具有至少〗個―般式⑴表示之 南/刀子化合物導人雜之含縣之高好化合物，亦可趟。 胺於特別3 ’可舉例如鋰、鈉、鉀、鈣、銘等無i鹽；， 等。-甲版、二乙胺、錢、味琳等有機胺類或與胺基酸類之鹽 ^，在高分子鏈中具有至少丨個一般式⑴表示之重 =子化合物，其數平均分子量並無特舰定，以絲Ϊ烯換算 =為^000〜1000000，並以3〇〇〇〜5〇〇〇〇〇較好，4_〜雇觸更 發明之含％基之高分子化合物之數平均分子量亦相同。 古八ϋί分ΐ鏈中具有至少1個一般式⑴表示之重複單位之 聚合反應部位之末端官能基，以被取代或未被 古古、f土、二取代胺基、直鏈狀、支鏈狀或環狀烷基、具 ί 環狀絲之烧氧基、羧基、餘、經基 等取代而實施末端處理亦可。 巧明之在高分子鏈中具有至少i個一般式⑴表示之重複單 =^刀子化合物導入績基結構之含確基之高分子化合物，及在 Z刀a Ϊ中具有至少1個-般式(1)表示之重複單位之高分子化合 物之具體例可例示如下，但本發明不受此等具體例之限定。 於下式(R- 1) ’表示一般式⑴中Z1〜Z4為氫原子之一般式， 33 200902592 於下示表1〜表17中，各相對應之具體例以Y、Ar1、Ar2之組合 表示。 ' [化 10]

/ 34 200902592 [表i] 例示化合物編號 Y Ar Ar A-1 ό ό A-2 φ CeH17 Φ CsHn A-3 令 令 C3H7^CH3 A-4 A-5 bo A~6 ΌΟ Ό3 A~7 CsHitCsH^ CeHi^CsHu A-8 h3c ch3 HsC CH3 A-9 >? A-10 甘 A-1 1 甘 七 ΑΊ2 A-13 甘 ^0¾ A-15 -^¾ 35 200902592 [表2] 例示化合物編號 Y Arz B-1 ό ό 巳-2 Φ c^1? ^Η„ 巳-3 令 c3hAh3 CgHj^CHs 巳-4 ~Ο^Ό 巳-5 \Χ) 6-6 ΌΟ ΌΟ 巳-7 CeH,r 〇8Hir ^0¾ C8H,7C8H)7 巳-8 H3C CH3 -0¾ H3C CH3 B-9 b 巳-10 -8- 巳，1 1 B-12 -8- 巳-13 Ό B-14 χΡο -0¾ 6-15 ''Φο 36 200902592 [表3] 例示化合物編號 | Y Ar' Ar2 C-1 ό ό C-2 t Φ CbH，7 C-3 t C#/人 CH3 令 c3h7^〇H3 C-4 t ^o~o C-5 t bm C-6 OD C-7 t CgHiT CeH^CgH^ C-8 t Η3〇 ch3 H3C CH3 ^0¾ C-9 t C-10 t b b c-1 1 t -o C-12 -o ~ύ C-13 t -ο C-14 t ^Po C-15 t 37 200902592 [表4] 例示化合物編號 Y Ar' Ar2 D-1 CeH17CeH17 ό ό D-2 QH17 CqH17 Φ CeH17 D-3 --QrQ- QH-17 CbH17 C3H7^CH3 c3h7^ch3 D-4 CeH17CeH17 D-5 CeHt7 CeH17 b^> D-6 Xi<y ΌΟ X» D~7 ^β^ιτ,ΟβΗυ ''Φο Ce^17 〇βΗ·(7 D-8 CgH17 CgH1? H3c ch3 H3C ch3 D-9 CeHi7QH-i7 D-10 CgH17 CeH17 D-11 CeHiV1^ -0 D-12 ^Ct0^ 0ΒΗ17〇βΗ17 -0 D-13 XtQ- Ό D-14 CeHi7CeHi7 ~'Φ〇 ^0¾ D-15 CeH^CgHfi 38 200902592 [表5] 例示化合物編號 Y Ar' Ar E-1 db ό ό E-2 db E-3 ob 〇3Η7^Η3 E-4 xxp- 3S E-5 Xrp~ oo b-o b-o E_6 GO OD E-7 〇〇 ^^17,〇8^ΐ7 ^0¾ E-8 ob h3c ch3 H3C CHs ''Φο E-9 OcQ- 3b E- 10 X)rp^ db b E-11 db -O E-12 XtO- oo -o E-13 XiS>~ ss Ό E-14 XxS>~ oo E- 15 X)rp-~ db ^0¾ 39 200902592 [表6] 例示化合物编號 Y Ar' Ar F-1 ό 6 F-2 xxp- F-3 c3h,ch3 F-4 ~^D^O F-5 b-o b-o F-6 OD F-7 CeHi7 C8H,7 CsHi? CeHp F-8 h3c ch3 h3c CH3 ^>b F-9 F-10 b b F-1 1 -o F-12 F-13 -o ~o F-14 -Op- -0¾ F-15 ''Φα 200902592 [表7] 例示化合物編號 Y Ar Ar* G-1 ό ό G-2 I G-3 令 Csh/^ 立 G-4 ~o~o G—5 xxfy \]r^ G-6 ΌΟ xo G-7 CsHl^CgHp C9H17 CaH^ G-8 h3c ch3 ^0¾ H3C CHa ^>0 G-9 h «3-10 b b G-11 Λ3 G-12 XXfl^ ~o G-13 <y G-14 -0¾ ^5¾ G-1S -0¾ 41 200902592 [表8] 例示化合物編號 Y Ar Ar2 H- 1 6 ό H-2 Χϊ^> Φ csh17 CeH17 H-3 Χφ Qv,CH3 於 令 c3h7^ch3 令 c3h7-^ch3 H-4 Χφ ~o~o H-5 Xip hrO H-6 tip QLch3 ΌΟ X» H- 7 Vki.CH3 ΟθΗ,τ 〇8Η17 CeHi7 C8H17 H-8 Xip H3。 CH3 咕ch3 H-9 tip ULch3 H-10 Xip b 42 200902592 [表9] 例示化合物編號 Υ Ar' Ar2 H- 1 1 Xip -D H- 12 Η - 13 Xip Η- 14 ''Φο Η- 15 kX.CH3 43 200902592 [表 10] 例示化合物編號 Y Ar Ar 1-1 ό ό 1-2 1-3 c3h7^ch3 Ca^CHs 1-4 ^OO 1-5 b-o 1-6 ΌΟ 1-7 ^8^17 CeH17 1-8 h3c ch3 ''Φα H3C CHs 卜9 1-10 b 1-11 1-12 -〇 1-13 Ό 1-14 ^Po 1-15 ^Po ~~Φ〇 44 200902592 [表 11] 例示化合物編號 Y Ar Ar J-1 ό ό J-2 J-3 C3H7^ch3 C3H7-^CH3 ϋ-4 J - 5 \}〇 J-6 ΌΟ X» J-7 ^0¾ ^8^17 CeH^ ^5¾ J-8 h3c CH3 HaC CHa J-9 J- 10 b J-11 &5 J-12 &5 J-13 -〇 Ό J- 14 -13¾ J— 1 5 ''Φο 45 200902592 [表 12] 例示化合物編號 Y Ar Ar K-1 % ό ό K-2 % K-3 % C3H7^CH3 K-4 ~〇^〇 K-5 K-6 % OD K-7 CeHiT.CsHu CeH17 C8Hf7 K-8 % H3C CH3 ''0^3 H3c CH3 'Ob K-9 % K-10 % b b K-1 1 % -ϋ -o K-12 % K-13 % -o ~o K-14 % -^5¾ K-15 % -^Po 46 200902592 [表 13] 例示化合物編號 Y Ar' Ar L-1 Xp(X ό ό L-2 L-3 Xp(X C3h/~ch3 c3h7^ch3 L-4 χΡ(Χ L-5 xptx bo L-6 lP(X ΌΟ xo L-7 lP(X ^8^17,CeH|7 Ce^17 〇βΗ·)7 L-8 Jp(X H3C CHa HaC CH3 L-9 /P(X b L-10 Xp(X b L-1 1 xpcx -〇 L-12 Xp(X L-13 Xp(X o L-14 Xp(X -0¾ L-15 lP(X ^0¾ 47 200902592 [表 14] 例示化合物編號 Υ Ar' Ar8 M-1 αρ ό ό M-2 αρ 0¾ CgH” M-3 ΟςΡ 令 〇3η/όη3 M-4 αρ ~0~^C} Μ _5 αρ b-o tyO Μ-6 αρ 而 ΌΟ VO Μ-7 而 Cbhi&C^)17 ''0b Μ _8 αρ ρχχ h3c ch3 ^>D HsC CH3 Μ-9 αρ b Μ-10 αρ b b M-11 ρχχ -t> Μ- 12 ορ mx Μ-13 ορ ΡΌ, -o -o Μ- 14 Οφ βη ^5¾ Μ-15 ΟςΟ ρχχ ^0¾ 48 200902592 [表 15] 例示化合物編號 Y Ar Ar2 N-1 ό ό N-2 N-3 CgH?人CH3 C3H7^CH3 N-4 ^C^C} -Qr<} N-5 \y〇 N-6 ΌΟ X» N-7 ^8^17,〇βΗΐ7 ^0¾ CeHi7 CgHp N-8 HaC CH3 '~dh H30 CHa N-9 N-10 b b N-11 N-12 N-13 -o N-14 ^5¾ N-15 ^5¾ 49 200902592 [表 16] 例示化合物編號 Y Ατ' Ar 0-1 ^Cr ό 6 0-2 0-3 '(fvr CsH7^H3 C3h/-CH3 0-4 0-5 bo bo 0-6 ΌΟ Ό0 0-7 ιΛτ CgHiTFCgH^ ^>D 义 C8Hi7 -15¾ 0-8 H3c ch3 HaC CHa ^0¾ 0-9 0-10 ύΛτ b b 0-11 χΛτ -〇 0-12 0-13 χΛτ -o 0-14 -15¾ 0-15 Ό^οτ -^5¾ 50 200902592 [表 17] 例示化合物編號 Y Ar1 Ar P-1 -CO cir ό ό P~2 cir P-3 -CO C& C3hAh3 Cg^^CHa P-4 jp dr ^0^0 P-5 -CO dr b-o ^rQ P-6 -xp C〇r OD P-7 -xp C& CgH^ ^8^17 C$H17 ^0¾ P-8 -CO dr HaC CH3 H3C CH3 ^>o P-9 -CO oir P-10 cxr b P- 1 1 or P-12 4p ccr -o P- 13 -CO -o -o P- 14 -CO oir ^0¾ ^pQ P-15 -CO CCr -(5¾ 51 200902592 β其^，說明在高分子鏈中具有至少i個一般式(1)表示之重複 旱立^南分子化合物導入績基之化合物之製造方法。 1個一般式(1)表示之重複 早位之尚分子化合物，例如可將一般式(3)表示之化合物 Η—I^Ar1) - Y - N(Ar2) - Η ⑶ (式中，Ar1、Ar2及Υ如同一般式(i)所定義。） 與·一般式(4)表示之化合物 [化 11]

⑷ f為齒素原子，Zl〜Z4、Pl〜ρ4如同前述定義。） 在严存在下以Pd觸媒等進行聚合而製造。 氟?子、氣原子、演原子、碘原子等。 有至少丨，可將在高分子鍵中具 製造。 '()表不之重禝早位之鬲分子化合物進行磺化而 化二Γ吏ίϊΐ” ’如硫酸、發煙硫酸、三氧化硫、三氧 則無^限定' 、醢胺硫酸等，而桃劑之使用量 嘴.三氧化硫錯合物、^·三氧化硫錯合物、二 化硫錯合物、三甲胺物三氧':硫:以錯合物、三乙胺·三氧 要不下或在溶劑中進行。反應所使用溶劑只 要不衫響反應之進仃則無特麻定，可舉例如二氣代、氯仿、 52 200902592 四氯化石，、-氯乙燒、四氯乙院等氯化有機溶劑，·液態二氧化硫、 二，化极、，酸、醋酸酐、醋酸乙醋等酯類；二乙醚等醚類；苯、 甲Ϊ、一！苯、硝基甲烧、硝基苯、正丁醇、異丁醇、第三丁醇、 乙腈:四虱吱喃、二概、二甲基甲酿胺、二甲基乙酿胺、u_ 二甲基-2-味唑啶酮、N—甲基吡咯啶酮等。 门反度由—2〇度〜150度(以攝氏(⑽㈣溫度表示；以下 同。）之範圍選擇即可，反應時間為數分鐘〜96小時。又，由氯硫 酸合成磺醯氯，將此水解亦可製得。 μ 高分子化合物之單離方法並無_限定。如生成物 = 取錄崎離進行單離，如生成物 ，㈣細在減壓下麟溶劑之方法，或添加 適虽/谷;=1彳使析出後進行濾取或離心分離之方法。 應i成物形成硫義時，過紐先用水絲以去除過剩 ίΓ田將所得硫酸鹽用驗進行中和處理即可去除硫酸。驗 ，屬、驗土金屬等之氫氧化物或離子交換樹脂等。 本夕ΐΐ明ϋ分子化合物如須要精製時，能夠採用已知當做常 =如使用再結晶法、再沈澱法、管柱層析法、溶 ^洗如(污泥、sludge)、使用活性碳等之吸附處理、離子交換 處理甘=子交換膜、透析膜、逆渗顧、超過_等之處理方法。 其"人說明本發明之有機電激發光材料。 -把it之有機電激發光材料係由在高分子鏈中具有至少1個 之重複#之高分子化合物導入績基結構之含確基 域中間體巧分子化合物在其高分子鍵中 、又式(1)表示之重複單位之高分子化合物所構成， 有機電致發統件之電洞注人輸送材料、發光材 ^料送材料而使用。又’本發明之有機電致發光元件 液或將本發明之高分子化合物進行單離或精製後溶解於特 53 200902592 定溶劑使用。牲令、々十， 苯、乙笨、特劑可舉例如己烷、庚烷、癸烷、曱苯、 〜二甲萘等烴系溶劑，丙酮、曱乙酮、曱異丁酮、環己 甲 乙笨 鲷等酮系溶劑，-羞二二Ά 烷、四氣乙丄；ί 氣仿、四氣甲烷、二氣乙烷、三氣乙 醋、醋酸丁醋、科L一乳本、亂曱本等鹵化煙系溶劑’醋酸乙 丁醇、戊I己醇=酉旨、乳酸乙酉旨等醋系溶劑，曱醇、两醇、 乙二醇、含氟已醇Hi己醇、甲基賽路蘇(C—)、乙基赛路蘇、 氧乙烧、i if ί醇系溶劑，二丁醚、四氫吱喃、二°號、二曱 醯胺、相系溶劑，Ν，Ν—二甲基甲酸胺、Ν，Ν-二甲基! 等極性溶劑1比略烟、仏二甲基一 2—味錢酮、二甲亞石風 其次說明本發明之有機躲發光元件 人右tr月之有機電致發光元件絲1 _極間，夾持至少1芦 S合i之含縣之高分子化合物及/或其中間體“ 有至少1種發光成分之發光層而構成。考^光ί 用化δ物之電洞注入及電洞傳輸、電子注入及電子傳輸之各 了月平，因應需要設置含電洞注入成分之電洞傳輪層及/ 注入成分之電子傳輸層亦可。 例如，發光層所使用化合物，其電洞注入功能、電洞傳輸功 或電子注入功能、電子傳輸功能良好時，發光層可兼具電洞 ，輸注入層及/或電子傳輸注人層型式之元件構成何形成單層型 兀件構成。又，發光層缺少電洞注入功能及/或電洞傳輸功能時， 可在發光層之陽極方設置電洞注入傳輸層形成雙層型元件構成； 而發光層缺少電子注入功能及/或電子傳輸功能時，可在發光層之 陰極方設置電子注入傳輸層形成雙層型元件構成。再者，以^洞 注入傳輸層與電子注入傳輸層夾持發光層之三層型元件構成亦 可。 又，電洞注入傳輸層、電子注入傳輸層及發光層等各層以單 層構造或多層構造均可，而電洞注入傳輸層及電子注入傳^層， 54 200902592 其各層可分別設置具有注入功能之層與傳輪功能之層。 於本發明之有機電致發光元件，本發明之含磺 體高分子化合物以當做電荷注入傳輸層及/或i光層 而ϊ荷注1輸層有電洞注人傳輸層及電 于/王八得輸層，但尤其以電洞注入傳輸層更好。 於本發明之有機電致發光元件，本發明之含 八 合物或其中間體高分子化合物可單獨使用或多數併用。刀 ππ 之有機電致發光元件之構造並無特別限定。可舉列如 (1} %極2/電洞注入傳輸層3/發光層4/電子注入傳轸居

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S2)、（EL _ 3)陽極2/發光層4/電子 =I ί於，+亦可形成將發光層4時洞注入傳輸層5”、電=入 ^ I光層4/電子注入傳輸層5/陰極6型元件(圖5)。又， il子電桎ίϊΤ構造生、其發光層4為發光成分以單層形式夾持在 水成 發光成分4a及電子注人成分5a而以單^式 電極間形式之元件構造(圖6);於(EL_ 7)，其發^層) 二’4 :電'同注人傳輸成分3a及發光成分4a而以單層形^夾持在1 ； ^(EL - ^ ί 形式祕在1料極間 合物具紅少2縣林剌之高分子化 在各有，ϊ發光元件並不_蚊於此等元件構造， u j之兀件’祕⑨置多數電洞注人傳輸層，光戶、電 h赞九層u電邮人傳輸成分與發光成分之混合層及/或 55 200902592 發光層與電子注入傳輸層之間設置發光成分及電子注入傳輸成分 之混合層。 較適合之有機電致發光元件之構造，為(EL -型元件、(EL 一 2)型元件、（EL - 5)型元件、（EL _ 6)型元件或(EL _ 7)型元件，並 以(EL - 1)型元件、（EL _ 2)型元件、（EL - 5)型元件或(EL - 7)型元 件更好》 以下詳細說明本發明之有機電致發光元件之構成要素。又， 以圖1所示(EL-1)陽極/電洞注入傳輸層/發光層/電子注入傳輸 層/陰極型元件說明之。 於圖1，1為基板、2為陽極、3為電洞注入傳輸層、4為發光 層、5為電子注入傳輸層、6為陰極、7為電源。 本發明之機錢發統件讀紐丨域較好，基板並益 制限定’但以義至半_之基板辦，細f如賴玻璃了 巧石夕，玻璃等玻璃，聚酯、聚碳酸酯、聚鐵、㈣颯、聚丙稀酸 酉曰、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯、聚乙烯等透明性高分子。又， ί ，透明_板、石英、透明喊或組合此等之複合板 專構，之基板。再者’亦可將濾、色膜、變色膜、介電反射膜盘基 板組合，以控制發光顏色。 w、 陽極2以使用功函餘大之金屬、合金或導電性化合物 ^亟=料較好。使用於陽極之電極材料，如金、銘、銀、銅、^、 二、=飢，、氧化銦(In2〇3)、氧化鍚(Sn〇2)、氧化 Tin0xlde、銦鍚氧化物）、聚嗟吩吼 等^ = =或多數併，此等電極材料，可如以蒸 法在基板上形成陽極。又，陽極以單層盖 切料柯，-麟定為5 功能==電===。丨__注入之 56 200902592 本發明之有機電致發光元件之電洞注入傳輸層，使用至少j 種本發明之含磺基之高分子化合物或其中間體高分子化合物及/或 其他^有電洞注入傳輸功能之化合物(如酞衍生 物、三芳基胺衍生物、三芳基甲烷衍生物、噚唑衍生物、腙 (hydrazone)衍生物、1，2一民(stilbene)衍生物、吡唑啉(pyrazoline)衍 生物〜聚石夕院衍生物’聚苯基乙烯⑦吻咖邮咖^邮⑽、？?％ 及其衍生物、聚嗔吩及其衍生物、聚_ N一乙烯味嗤等)而形成。具 有電洞注入傳輸功能之化合物可單獨使用或多數併用。 ^發明之有機電致發光元件，以電洞注入傳輸層含有本發明 之含磺基之高分子化合物或其中間體高分子化合物較好。能夠在 本發明之有機電致發光元件使用之其他具有電洞注入傳輸功能之 化合物，以三芳基胺衍生物(如4,4—雙[N-苯基— N-(4，，-曱苯基)胺 基]-U’-聯笨、4,4-雙[N-苯基-N-(3，，-甲苯基)胺基]—U，—聯"苯、 4,4-雙[N-本基一 n-(3’’-甲氧苯基)胺基]—ΐ，ι’_聯苯、4,4一雙[N-苯 基_ N—G’’—萘基)胺基H，l，-聯苯、3,3-二甲基-4,4-雙[N-苯基- (3’’-甲苯基)胺基卜u，—聯苯、以_雙[4, _ [N，N_雙(4” —曱 苯基)胺基]苯基]環已烷、9，10 -雙[N - (4,-甲苯基）-N - (4” -正 丁苯基）胺基]菲、3,8 -雙(N，N -二苯胺基）-6_苯基菲啶 (phenanthridine)、 \甲基-Ν,Ν-雙[4”，4，，-雙[N，,N，<(4-曱苯基)胺基]聯笨_ =基]苯胺、N，N-雙[4-(二苯胺基)苯基]—Ν,Ν’-工苯基-；1，3-二胺基 苯N，N''雙[4~(二苯胺基)苯基]-N，N，-二苯基-1,4-二胺基苯t 5,5’=雙[4-(雙[4-曱苯基]胺基)苯基_2,2，:5，，2，，_三噻吩、1，3,5—參 (二苯胺基)苯、4,4，，4” _參(9H-咔唑_ 9-基)三笨基胺、4,4，，’4，，一i [N，=-雙(4”-第三丁聯苯_4，，，，—基)胺基]三苯基胺、 二苯胺基)笨]等]，聚噻吩及其衍生物、聚_N—乙烯咔唑 物較好。 ’丁王 如本發明之含磺基之高分子化合物或其中間體高分子化合物 與其他具有電洞注入傳輸功能之化合物併用時，在電洞注入&輸 57 200902592 層中所占有之此等高分子化合物含量以0.1質量％以上較好，05 〜99.9質量％以上更好，3〜97質量％以上最好。 . 人又，如本發明之含磺基之高分子化合物或其中間體高分子化 5物與其他具有電洞注入傳輸功能之化合物併用時，可將由本發 明之含磺基之高分子化合物或其中間體高分子化合物構成之層與 ^其他具有電洞注入傳輸功能之化合物構成之層予以層疊。層疊 %可在由本發明之含磺基之高分子化合物或其中間體高分子化合 物構成之層上面層疊由其他具有電洞注入傳輸功能之化合物構成 之層。 又，於電洞注入傳輸層，可併用具有電洞注入傳輸功能之化 合物與電子接受性化合物。電子接受性化合物可舉例如除日本特 開平1卜28375〇號公報記載之TBPAH(參(4 _漠苯基)六氣録酸銘) ，FeCK氯化鐵）、日本特開2003 _ 31365號公報記載之參(五 氟苯基)甲硼烷等硼化合物等之路易士酸。併用電子接受性化合物 時，電子接受性化合物含量以電洞注入傳輸層之〇1〜5〇質量％範 圍較好。 ^ 發光層4係含具有電洞及電子注入功能、電洞及電子傳輸功 能、電洞與電子之再結合生成激子功能之化合物之層。 發光層使用本發明之含續基之高分子化合物或其中間體高分 子化合物及/或其他具有發光功能之化合物之至少1種而形成。 其他具有發光功能之化合物，可舉例如吖β定鋼衍生物、喧吖 酮竹生物、二酮°比略并比洛(diketopyrrolopyrrole)衍生物、多環芳 知:化合物[如紅螢稀(mbrene)、蒽、四革(tetracene)、祐、花、窟、 十環烯、蔻(coronene)、四苯基環戊二烯、五苯基環戊二烯、9,10-二笨基蒽、9,10-雙(苯乙基)蒽、Μ—雙(9‘_乙炔基蒽基)苯、4,4，· 雙(9”-乙炔基蒽基)聯苯、二苯并[f,f]二茚[1，2,3_cd: 1，，2，,3，-lm]茈衍 生物]’三芳基胺衍生物(如前舉之具有電洞注入傳輸功能之化合 物）’有機金屬錯合物[如參(8-羥基喹淋)鋁、雙(1〇—笨并[y喹淋） 鈹、2-(2’-經苯基)苯并嗔嗤之鋅鹽、4—羥基β丫β定之鋅鹽、3_經基 58 200902592 汽^(flavone)之鋅鹽、5-經基黃酮之鈹鹽、5_羥基黃酮之鋁鹽]， 1，2-芪衍生物[如1，1，4,4-四苯基-ι，3_丁二烯、4,4, 一雙(2,2-笑基) 聯苯、4,4，KU，2—三苯基)乙烯基聯苯]， 一香豆素(cmnarin)衍生物(如香豆素！、香豆素6、香豆素7、香 豆素30、香豆素1〇6、香豆素138、香豆素15卜香豆素152、香 豆素153、香豆素307、香豆素31卜香豆素314、香豆素334、香 五素338、香豆素343、香豆素5〇〇)，哌喃衍生物(如DCM1、 DCMf) 嘈酮(oxazone)衍生物(如尼羅紅通eRed)，苯并噻唑衍生 ，，苯并嘈唑衍生物，苯并咪唑衍生物，吡畊衍生物，桂皮酸酯 =生物，聚_N-乙烯咔唑及其衍生物，聚噻吩及其衍生物，聚亞 苯及其衍生物，聚苐及其衍生物，聚苯乙炔及其衍生物，聚聯苯 乙炔及其衍生物，聚三苯乙炔及其衍生物，聚亞萘乙炔及其衍生 物，聚嗟吩乙块(Polythienylenevinylene)及其衍生物等。其中，以 吖啶酮衍生物、喹吖酮衍生物、多環芳族化合物、三芳基胺衍生 物、有機金屬錯合物及1，2-芪衍生物較好，多環芳族化合物、有 機金屬錯合物更好。 一本發明之有機電致發光元件，以發光層含有本發明之含磺基 之高分子化合物或其中間體高分子化合物較好。 / 如本發明之含磺基之高分子化合物或其中間體高分子化合物 與其=具有發光功能之化合物併用時，在發光層中所占有本發明 之含磺基之高分子化合物之比例，以調節為〇 〇〇1〜99 999質量〇/〇 較好。 又，發光層如J.Appl. Phys.，65,3610(1989)、曰本特開平5 -214332號公報記載’由主(host)化合物與客(guest)化合物形成亦可。 ,本發明之含磺基之高分子化合物或其中間體高分子化合物可 當做發光層之主化合物使用，亦可當做發光層之客化合物使用。 如本發明之含磺基之高分子化合物或其中間體高分子化合物當做 主化合物而形成發光層時，客化合物可使用如上述其他具有發光 功月&之化合物’其中以多環芳族化合物較好。 59 200902592 一如本發明之含磺基之高分子化合物或其中間體高分子化合物 當做主化合物而形成發光層時，客化合物使用量以主化合物之 0·001〜40質量％較好，0.01〜30質量％再好，0.01〜20質量％更 好。發光層使用本發明之含磺基之高分子化合物或其中間體高分 子化=物§做主化合物，並使用至少丨種其他具有發光功能之化 合物當做客化合物而形成。 本發明之有機電致發光元件，以發光層含有本發明之含磺基 之高分子化合物或其中間體高分子化合物當做主化合物較好。、 如本發明之含磺基之高分子化合物或其中間體高分子化合物 當做主化合物與其他具有發光功能之化合物併用時，在發光層中 所占有本發明之含磺基之高分子化合物或其中間體高分^化合 物’以40.0〜99.9質量％較好，60.0〜99.9質量％更好。 客化合物材料使用量，以本發明之含磺基之高分子化合物或 其中間體咼分子化合物之〇 〇〇1〜4〇質量％較好，〇 〜質量％ 再好，0.1〜20質量％更好。又，客化合物材料可單獨使用，或多 數併用。 ,如本發明之含續基之高分子化合物或其中間體高分子化合物 當做客化合物材料而形成發光層時，主化合物材料以多環芳族化 合物、二芳基胺衍生物、有機金屬錯合物及1，2_芪衍生物較好， 多環芳族化合物、有機金屬錯合物更好。 ,如本發明之含續基之高分子化合物或其中間體高分子化合物 當做客化合物材料使用時，該化合物使用量以0.001〜質量％較 好’ 0.01〜30質量％再好，〇·ι〜20質量％更好。 、 電子注入傳輸層5係含具有使電子容易由陰極注入之功能及/ 或傳輸被注入電子之功能之化合物之層。 使用於電子注入傳輸層之具有電子注入功能之化合物，可舉 例如有機金屬錯合物、嶒二唑衍生物、三唑衍生物、三畊衍生物、 託衍生物、喹啉衍生物、喹今咻衍生物、二苯醌(diphenylquin〇ne) 衍生物、硝基取代苐酮(fluorenone)衍生物、硫哌喃二氧化物衍生 200902592 物專。又，有機金屬錯合物如參(8-經基啥琳)紹等有機銘錯合物、 雙(10-苯并[h]喹琳)鈹等有機鈹錯合物、5_羥基黃酮之鈹鹽、5_經 .基黃酮之鋁鹽等。其中，以有機鋁錯合物較好，具有無取代或被 . 取代8_羥基喹啉配位基之有機鋁錯合物更好。具有無取代或被取 代8-羥基喹啉配位基之有機鋁錯合物，如一般式(a)〜(c)表示之化 合物。 ⑹3-A1 ⑻ (式中’ E表示無取代或被取代之8-經基喧琳(qUin〇iin〇iate)配 位基。） (E)2—A1-0-M (b) (式中’ E如同上述定義’ 〇—μ表示苯紛(phenolate)配位基， Μ表示具有苯基之碳原子數6〜24之烴基。） (E)2-Al-〇-Al-(E)2 (c) (式中，Ε如同上述定義。） 具有無取代或被取代8-羥基啥琳配位基之有機銘錯合物之具 體例，如參(8-羥基喹啉)鋁、參(4—曱基-8-羥基喹啉)銘、參(5-甲基-8-羥基喹啉)銘、參(3,4-二曱基-8-羥基喹啉)銘、參(4,5-二甲基-8-羥基喹琳)鋁、參(4,6-二曱基-8-羥基喹琳)鋁、雙(2-曱基-8-羥基喹琳)(苯紛)鋁、雙(2—曱基-8-羥基喹琳)(2-曱基苯 酚)铭、雙(2-曱基-8-羥基喹琳)(3-曱基苯紛)鋁、雙(2-甲基_ 8-羥基喹琳)(4-曱基苯盼)鋁、雙(2—曱基-8-羥基喹琳)(2-苯基苯紛) 鋁、雙(2-曱基-8-羥基喹琳)(3-苯基苯驗)鋁、雙(2-曱基-8-羥基 ： 喹啉)(4-苯基苯紛)鋁、雙(2-曱基-8-羥基喹啉)(2,3-二甲基苯紛) 鋁、雙(2-曱基-8-羥基喹啉)(2,6-二曱基苯驗)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(3,4-二曱基苯盼)鋁、雙(2—曱基-8-羥基喹啉)(3,5-二曱 基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(3,5-二第三丁基苯酚)鋁、 雙(2-曱基-8-羥基喹啉)(2,6-二苯基苯酴)鋁、雙(2-甲基- 8-羥基喹啉)(2,4,6-三苯基苯酚)銘、雙(2-曱基-8-羥基喹啉)(2,4,6-三曱基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(2,4,5,6-四甲基苯酚) 200902592 銘、雙(2-甲基-8-羥基金淋)（1-萘紛)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹 啉)(2-萘酴)鋁、雙(2,4—二曱基-8-羥基喹淋)(2-苯基苯紛)鋁、雙 (2,4-二甲基-8-經基喧琳)(3-苯基苯齡)|呂、雙(2,4—二甲基- 8-經 基喧琳)(4-苯基苯紛)鋁、雙(2,4一二甲基-8一羥基喹啉)(3,5-二甲基 苯紛)銘、雙(2,4-二甲基-8-羥基喹啉)(3,5-二第三丁基苯紛)鋁、 雙(2-曱基-8-經基啥琳)|呂一側氧基一雙(2一曱基一 8_經基喧 啉)鋁、 雙(2,4-二曱基一 8—羥基喹琳)鋁-“ _側氧基_雙(2,4_二曱 基:8-羥基喹琳)鋁、雙(2—曱基_ 4—乙基—8_羥基喹琳)鋁_ # _ 側氧基-雙(2-曱基—4-乙基- 8-羥基喹琳)鋁、雙(2-曱基- 4-曱 氧基-8-羥基喹琳)鋁_ "—側氧基—雙(2_甲基_ 4_甲氧基_ 8_ ^基喹啉)鋁、雙(2-曱基_ 5—氰基_ 8_羥基喹啉)鋁_ " _侧氧 土-雙(2-甲基-5-氰基一 8-羥基喹琳)鋁、雙(2_曱基_ 5_三氟曱 基一 8—羥基喹啉)鋁—侧氧基-雙(2-曱基-5-三氟曱基- 8-羥基喹琳)鋁。 具有電子注入功能之化合物，可單獨使用或多數併用。 使用功函數較小之金屬、合金躲化合物當做 ° ’父子。使用於陰極之電極材料，如鐘、經-銦合金、鈉、 氟化鐘 $，合，、約、鎮、鎂_銀合金、鎂_銦合金、銦、舒、欽、 :i乙:紹、銘—鐘合金、銘-詞合金、銘-鎂合金 石墨泊等。此等電極材料可單獨使用或多數併用。 噴可如以蒸鍍法、猶法、離子蒸鍍法、離子 P g)、麵離子束法等方法在電子注人傳輸層上形 resistancj^tii構造或多層構造均可。陰極之片電阻⑽eet 而不同，下較好。陰轉度因所制雜材料 之有機雷致菸二-二〜〇〇nm，並以10〜5〇〇nm較好。本發明 之至少-得較好之電激發光效應旧極或陰極 透月或+透明較好，通常以電激發光之透光率為 62 200902592 70%以上而設定陽極或陰極之材料、厚度較好。 M St發日f之有機電致發光树，在電洞注人傳輸層、發光 層及電子从傳輸層之至少〗層巾，可含有單線態氧雜劑(singlet oxygen queneher)。單線態氧泮熄劑並無彻值定，如紅螢稀、錄 錯合物' ΐ*苯^異苯并呋喃，其中以紅螢烯較好。 含有單線態氧淬熄劑之層並無制限定，以發光層或電洞注 入，輸巧好’電洞注人傳輸層更好。又，如電洞注人傳輸層含 有單線態氧料麟，在電洞注人傳輸層巾均勻含有，或在與電 洞注入傳輸層鄰接之層(如發光層、具有發光功能之電子注入傳輸 近含有均可。單_氧雜齡量為構成含有層(如電洞注入 傳輸層)全量之0.01〜50質量％，並以〇〇5〜3 好，〇」 〜20質量％更好。 λ本發明之有機電場發光元件之形成方法並無特別限定，如真 玉蒸鑛法、離子化蒸鏟法或溶液塗布法均可使用。 含有本發明之高分子化合物之層如為電洞注入傳輸層時，電 洞注入傳輸層之形成方法以使用溶液塗布法較好，溶液塗布法可 舉例如旋轉塗布法、鑄模法、微凹板塗布法、凹板塗布法、棒塗 法、細線，塗法(wirebarcoating)、浸潰塗布法、輥塗法、喷塗法、 Langmuir s —Blodgett成膜法、網板印刷法、柔板印刷法(Fiex〇 pHnting)、平板印刷法、喷墨印刷法(ink jet printing)等。 又，發光層之形成方法可使用真空蒸鑛法、離子化蒸鍍法或 溶，塗布法。發光層如含有本發明之高分子化合物時或如含有具 發光功能之高分子化合物時，發光層以使用溶液塗布法形成較 好。發光層如含有具發光功能之化合物時，可使用真空蒸鍍法、 離子化蒸鍍法或溶液塗布法形成。又，電子注入傳輸層成方 法可使用真空蒸鍍法、離子化蒸鍍法或溶液塗布法。 以，液塗布法形成各層時，將形成各層之成分或其成分與黏 合樹脂等溶解或分散於溶劑當做塗布液。溶劑可舉例如有機溶劑 (己烷、辛烷、癸烷、曱苯、二曱苯、乙苯、丨_曱萘等烴系溶劑二 63 200902592 :甲二乙=異7_、環己酮等酮系溶劑，二氯甲院、氯仿、 氯曱烧—氣乙燒、二氯乙烧、四氯乙 甲苯等鹵化烴系溶劑，萨酴7t虱本一虱本虱 西匕醋酸曰、醋酸丁酉旨、醋酸戊酉旨、乳酸乙 、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、環己醇、甲基 、ί'ί穌、^二醇、含_等醇系溶劑，二丁趟、四 t酼吐二巧、—甲氧乙烧、苯甲醚等趟系溶劑，Ν，Ν—二曱基 主::甲基乙醯胺、1-甲基~2-吡咯啶酮、ι,3—二甲基〜 二：定酮一曱亞石風等極性溶劑等），水等 。將電洞注入傳輸層、發光層、電子注入傳J層 ^ 7刀政fffW，分散方法可使用球磨機、砂磨機、塗料振盪 益(pamt shaker)、研磨機_恤)、均質器等分散成微粒狀之方法。 日if ί確基之高分子化合物或其中間體高分子化合物 ^合於甲本物系溶劑時’麵彡成含有該高分子化合物之層後， ^上層使驗綠麵“㈣層疊。尤其，職冑分子化合物 虽做電洞注入傳輸層使用時，可依塗布而能夠層疊發光層， 於上述之有機電致發光元件構成(EL - 2)。 又，此夠使用於電洞注入傳輸層、發光層、電子注入傳輸層 #各層之黏合樹脂，可舉例如聚_Ν一乙烯咔唑、聚芳酯、聚苯乙 ^聚醋、聚石夕氧烧、聚甲基丙稀酸甲酉旨、聚丙婦酸甲g|、聚驗、 聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺亞胺、聚對二甲苯、聚乙 1三聚苯醚、聚醚砜、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物， =苯乙炔(Polyphenylenevinylene)及其衍生物，聚苐及其衍生物， 聚噻吩乙炔(Poly thienylene-vinylene)及其衍生物等高分子化合 物。黏合樹脂可單獨使用或多數併用。塗布液濃度並無特別限定二 I依所實施之塗布法設定為適合製作所希望厚度之濃度範圍，通 =設定為0.1〜50質量％，並以〇.5〜30質量％較好。使用黏合樹 脂時，其使用量並無特別限定，通常以黏合樹脂含率為形成電洞 注入傳輸層、發光層、電子注入傳輸層等各層成分與黏合樹脂緘 量(如形成單層型元件_為各成分之總量)之5〜999 f 64 200902592 用，並以10〜99質量〇/0較好。 *怎Ϊ洞注入傳輸層、發光層、電子注入傳於居蓉夂思 並無特別限定，通常為5nm〜5_。’輸層等各層之膜厚度 又，以上述條件製作之本發明 與氧氣或水分等接觸之目的，可設置光元件，為防止 裝，性物質中(石蠟、液體石蠟、矽元件封 石石反齓化合物)以保護。使用於伴考 反亂化s物油、含沸 子材料(如錢_、高分 乙稀、聚酉旨、聚碳酸醋、聚醯胺、聚g曰環=酮樹脂、聚苯 ，苯、聚乙烯、聚判，無機材料(ϋ醯=胺、聚對 性玻璃、金屬氧化物、金屬氮^金形 =、 化物）’及光固化性樹脂。使用於禪 ^屬叙化物、金屬硫 數併用。保護層可為單層構造或多^造 可單獨使用或多 層可在馳表面設置層（中間 菁衍生物等。材負有機合物、聚魏、芳族胺触物、酖 處理ίί用電極、如陽極可將其表面以酸、氨/過氧化氫、或電衆 用，致發光元件，通常當做直流驅動型元件使 動型，或陣trix)驅動型等被動驅 1權電阳體)型M(金屬"絕緣體-金屬、metal - 30V 目軸1)型等主動1_型亦可。驅動賴通常為2〜 液曰面拓笼^有機電致發光元件，可使用於面板型光源(如時鐘、 種ΐ干ΐίίΛ光），各種發光元件(如代替LED等發光元件），各 身訊顯示元件(個人電腦監視器、手機·隨身終端用 *，、真不)]各種標識、各種感測器等。 65 200902592 又，本發明之有機電致發光元件，能夠使用於向來使用導電 性高分子材料(PEDOT/PSS)之有機半導體、有機薄膜電晶體 (TFT)、電解電容器、光電轉換元件、電變色元件(g^D)、抗靜電 劑等之用途。 實施例 以下舉實施例再詳細說明本發明，但本發明不受下述實施例 之限定。 又，各實施例中之分子量，依凝膠滲透層析法(GelPermeati〇n Chromatography ’ GPC)測定並求聚苯乙烯換算之數平均分子量。 (GPC分析條件） 裝置：凝膠滲透層析儀GPC 101 (Shodex公司製） 檢測器：示差折射計(Differentialrefractometer) 管柱：GPC K - 806LX3 (8.0mm I.D. x 30cm、Shodex 公司製) 管柱溫度：40°C 溶劑：氯仿 注入量：100//1 流速：1 ml/min 標準物質：單分散性聚苯乙稀(Shodex公司製） 紫外線吸收光譜使用下列裝置測定，並求取最大吸收波長（λ max) ° (UV(Xmax)) 使用日本島津製作所製紫外線可見光線分光光度計UV-2500PC 測定。 成膜性評價以原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope，AFM) 觀察表面粗糙度進行確認。 (AFM測定條件） 裝置：Seiko Instruments製掃描探針顯微鏡Si>I - 3800N 分析條件：

測定模式：DFM 66 200902592 懸臂(cantilever) : SI-DF20 測定範圍.5//m χ 5/zm 續基數依元素分析決定。 [實施例1] 製造例示化合物A - 1 在氮氣流下，將參(二苯亞基丙酮)二把與三三美 膦33.7mg之鄰二曱苯(4mL)溶液加入ΚΝ，_:苯基二4_^ 一二 1.4lg、2,5:雙(4’-演苯基)-3,4-二苯基嗔吩2 36g、第三丁醇納"^ 2〇g ，鄰，甲苯50mL〃之混合物中。在氮氣環境下’於⑶。。授摔4小 ni應1回^至轉後倒入丙酮6〇〇mL+，並濾取析出物。 所付固體以水H細洗滌後溶解於甲苯。此 法，後倒入丙酮中，濾取析出物，在減壓下乾燥，得； 色固體即為例不化合物Α-1之高分子化合物2 、 數平均分子量：30000 UV( λ max) : 369nm(甲苯) [實施例2] 製造例示化合物A-2 。實施^ =用N，=广辛笨基从萘二胺叫以代 I N，N -一本基-1，4-秦一胺1.4lg外，其他依實施例i記 法’得例示化合物A-2之高分子化合物2 7g。 執之方 數平均分子量：36000 [實施例3] 製造例示化合物A-3 l-7g 記載 、於實施例：！ ’除使用N，N，-雙(仁第二戊苯基H，4_萘二胺 以代替N，N’-j^苯基-I，4-萘二胺！.4lg外，其他依實施例j 之方法，得例示化合物A-3之高分子化合物2 7 數平均分子量：31000 ' [實施例4] 製造例示化合物A-7 67 200902592 於實施例卜除使用N，N，-雙{2—(9,9，—二辛基)第基}—M—荠二 胺3.9g以代替N，N，-二苯基-1，4-萘二胺1.41g外，其他依實二例 1記載之方法，得例示化合物A-7之高分子化合物3 7g。 數平均分子量：26000 * [實施例5] 製造例示化合物B - 1 於實施例1，除使用Ν,Ν’-二苯基-ι，5_萘二胺14〇g以代替 N，N’-二苯基-1，4-萘二胺1.41g外’其他依實施例i記載之方法， 得例示化合物B-1之高分子化合物2.22g。 / 數平均分子量：25000 UV(Amax) : 373nm(曱苯） [實施例6] 製造例示化合物B-3 於實施例卜除使用Ν,Ν，-雙(4-第二戊苯基H,5_萘二胺19g 以代替N，N’-二^苯基-1,4-萘二胺1.41g外，其他依實施例丨記載 之方法’得例示化合物B-3之高分子化合物2.5g。 數平均分子量：20300 [實施例7] 製造例示化合物B-6 於實施例1 ’除使用N，N’-雙(2-萘基)-1，5_萘二胺i jg以代替 ：Ν，>ί’-二苯基-1，4-萘二胺1.41g外，其他依實施例1記載之方法， 得例示化合物B-6之高分子化合物2.5g。 ' 數平均分子量：31000 [實施例8] 製造例示化合物B-7 於實施例卜除使用N，N’-雙{2-(9,9，-二辛基)第基}_4,5一萘二 胺3.9g以代替Ν，Ν’-二苯基-1,4-萘二胺i.4ig外，其他依實施例 1記載之方法，得例示化合物B-7之高分子化合物4.¾。 數平均分子量：39000 68 200902592 [實施例9] 製造例示化合物C- 1 於實施例1’除使用>^’-二苯基-9，1〇-蒽二胺1.5§以代替 -N，N，-二苯基-1，4_萘二胺1.41g外’其他依實施例1記裁之方法， 得例示化合物C-1之而分子化合物2.3g。 數平均分子量：16000 [實施例10] 製造例示化合物C-2 於實施例1 ’除使用N，N’-雙(4-辛苯基)_9，10一蒽二胺2 5g以 r 代替N，N’-二苯基-1,4-萘二胺1.41g外，其他依實施例1記载之 方法，得例示化合物C-2之高分子化合物2.6g。 數平均分子量：19800 [實施例11] 製造例示化合物C-6 於實施例1 ’除使用N，N，-雙(2-萘基)_9，1〇—蒽二胺i.Qg以代 替N，N，-二苯基-1，4-萘二胺1.41g外，其他依實施例1記载之 法，得例示化合物C-6之高分子化合物2.7g。 數平均分子量：29000 [實施例12] 、 製造例示化合物C-7 : 於實施例1，除使用Ν,Ν，-雙{2-(9,9，-二辛基)苐基9 1〇—茛 • 二胺4.2g以代替Ν,Ν，-二苯基-1，4-萘二胺L41g外，其他依^ 例1記載之方法’得例示化合物C-7之高分子化合物3>8g。 ^ 數平均分子量：36000 [實施例13] 製造例示化合物D - 1 於實施例1，除使用N，N，-二苯基-9,9，-二辛基_ 2 7_筢一股 N，N’-二苯基—萘二胺Mlg外，其他依實施例1 "己戟之方法，得例示化合物D—!之高分子化合物3 〇g。 69 200902592 數平均分子量：26700 [實施例14] 製造例示化合物D-2 _於實施例1，除使用N，N，-雙(4-辛苯基)-9,9，-二辛基__ 2 7一苐 二胺Wg以代替N，N，-二苯基-1，4-萘二胺1.41g外，其他依實施 例1 S己載之方法’得例示化合物D-2之高分子化合物 數平均分子量：33000 [實施例15] 製造例示化合物D-4 於實施例1，除使用N，N，-雙(4-聯苯)-9,9，-二辛基__ 2 7一第二 以代替N，N，—二苯基—M—萘二胺141g外，其他依實^ 。己載之方法，得例示化合物D4之高分子化合物3.2g。 數平均分子量：29100 [實施例16] 製造例示化合物D-5 於實施例1’除使用>^，-雙(3-聯苯)-9,9，-二辛美_27一第二 ，3$喊替N，N，—二苯基一 M_萘二胺Ulg外，“依實“ °己栽之方法，得例示化合物D-5之高分子化合物3.4g。 數平均分子量：22200 [實施例17] 製造例示化合物D - 6 於實施例1 ’除使用Ν,Ν，-雙(2-萘基)—9,9，-二辛基_ 2 7_第二 以代替Ν,Ν，-二苯基-Μ-萘二胺；Ulg外，“依實施；; 5己戴之方法’得例示化合物D-6之高分子化合物3 15g。 數平均分子量：22000 [實施例18] 製造例示化合物D-8 於實施例1，除使用N，N，-雙{2-(9,9’-二甲基)葬基丨一9 9,一二辛 基' 2,7-第二胺3.4g以代替N，N，—二苯基_ M_萘二^ uig ^；， 200902592 其他依實施例1記載之方法，得例示化合物D_8之高分子化合物 3.4g 〇 數平均分子量：18000 [實施例19] 製造例示化合物D-9 -於實施例1 ’除使用Ν,Ν’-雙(3-嗟吩基)-9,9，-二辛基-2,7-第 二胺j.5g以代替Ν,Ν，-二苯基-i，4_萘二胺L41g外’其他依實施 例1記載之方法’得例示化合物D_9之高分子化合物3 6g。 數平均分子量：30600 [實施例20] 製造例示化合物D - 10 於實施例1，除使用N，N，-雙(3-咬喃基)-9,9，-二辛基-2,7~第 二胺j.3g以代替N，N，-二苯基-1，4-萘二胺1.41g外，其他^實施 例1記載之方法，得例示化合物D_1〇之高分子化合物2 8g。 數平均分子量：27200 [實施例21] 製造例示化合物D - 11 一於實施例1 ’除使用Ν,Ν，-雙(2-吡啶基)一9,9，-二辛基-2,7-第 二胺2.4g以代替ν,Ν，-二苯基_ 1，4-萘二胺1.41g外，其他依實施 例1記载之方法’得例示化合物D—η之高分子化合物2 9g。 數平均分子量：24000 [實施例22] 製造例示化合物D - 12 於貫施例1，除使用N，N，-雙(3-°比咬基)~9,9，-二辛基-2,7-苐 二胺f .4§以代替Ν,Ν，-二苯基-1，4-萘二胺l.4lg外，其他依實施 例1記載之方法’得例示化合物D-12之高分子化合物2.7g。 數平均分子量：17000 [實施例23] 製造例示化合物D - 13 71 200902592 於實施例1，除使用朗，_雙(4_吼啶基)_9,9，—二辛基_2,7—苐 H以代替N，N，-二苯基-1，4-萘二胺1.41g外，其他依實施 例1圯載之方法，得例示化合物D_13之高分子化合物3 • 數平均分子量：31500 [實施例24] 製造例示化合物D - 14 於實施例1’除使用N，N，-雙(2-二苯并呋喃基)—9,9，_二辛基-2,7=第二胺3.2g以代替N，N，一二笨基_ M_萘二胺Ulg外，其他 依實施例1記載之方法’得例示化合物D_14之高分子化合物31g。 數平均分子量：28000 [實施例25] 製造例示化合物D - 15 於貫施例1，除使用Ν,Ν，-雙(2-二苯并噻吩基)—9,9，-二辛基_ 2,7-苐二胺3.3g以代替ν，Ν’-二苯基-1,4-萘二胺i.4ig外，其他 依實施例1把載之方法，得例示化合物D-15之高分子化合物 2.95g 〇 數平均分子量：26200 [實施例26] 製造例示化合物E- 1 於實施例1，除使用Ν,Ν，-二苯基-9,9，-二苯基—2,7一第二胺 :2.lg以代替Ν，Ν’-二苯基-1，4-萘二胺1.41g外，其他依實施例1 記載之方法，得例示化合物E-1之高分子化合物3.lg。 數平均分子量：26000 [實施例27] 製造例示化合物E-2 於實施例1，除使用N，N，-雙(4-辛苯基)-9,9，-二苯基-2,7-苐 二胺3_lg以代替N，N’-二苯基-1,4-萘二胺1.41g外，其他依實施 例1記載之方法，得例示化合物E-2之高分子化合物3.〇g。 數平均分子量：21600 72 200902592 [實施例28] 製造例示化合物E-6 於實施例1，除使用N，N，-雙(2-萘基)一9,9，-二苯基-2,7_苐二 胺2.5g以代替N，N’-二笨基-ι，4_萘二胺〗.4lg外，其他依實施例 1記載之方法’得例示化合物E-6之高分子化合物3.2g。 數平均分子量：23900 [實施例29] 製造例示化合物E-7 於實施例1’除使用N，N，-雙{2-(9,9，-二辛基)第基}-9,9，-二苯 基-2,7-苐二胺4.7g以代替ν,Ν，-二苯基-1，4-萘二胺i.41g外， 其他依實施例1 §己载之方法，得例示化合物E—7之高分子化合物 4.4g。 數平均分子量：32200 [實施例30] 製造例示化合物F - 1 、於實施例卜除使用N，N，-二苯基-2,8-二苯并呋喃二胺ug 以代替Ν，Ν’-^苯基-1，4-萘二胺l.41g外，其他依實施例j記載 之方法，得例示化合物F-1之高分子化合物2.4g。 數平均分子量：15000 [實施例31] 製造例示化合物F-2 於實施例卜除使用N，N，-雙(4-辛苯基)-2,8-二笨并呋喃二胺 2_4g以代替]^，1^-二苯基-1，4-萘二胺1.41名外，其他依實施例1 記载之方法，得例示化合物F-2之高分子化合物2.9g。 數平均分子量：14800 [實施例32] 製造例示化合物F-6 於實施例1，除使用Ν,Ν，-雙(2-萘基)—2,8-二苯并呋喃二胺 L9g以代替Ν，Ν’-二苯基_ 1，4-萘二胺1.41g外，其他依實施例1 73 200902592 §己載之方法，得例示化合物F—6之高分子化合物2 6 數平均分子量：19500 ’ [實施例33] 製造例示化合物F-7 /實施例1，除使用凡;^，_雙{2_(9,9，—二辛基)苐基2,8—二苯 二胺4.1g以代替N，N’—二苯基_ M—萘二胺丨叫外，其他 、也例1記載之方法，得例示化合物F_7之高分子化合物3 5go 數平均分子量：18000 [實施例34] 製造例示化合物G - 1 、於實施例1，除使用N，N，-二苯基-2,8-二苯并噻吩二胺i.5g =替取’-士苯基-i，4—萘二胺i.41g外，其他依實施例i記載 之方法，得例示化合物G-1之高分子化合物2.7g。 數平均分子量：20200 [實施例35] 製造例示化合物G-2 於實施例1，除使用N，N，-雙(4-辛苯基)_2,8—二苯并噻吩二胺 H以代替N，N，-二苯基-M-萘二胺L41g外，其他依實施例！ °戟之方法，得例示化合物G-2之高分子化合物2 5g。 數平均分子量：19000 [實施例36] 製造例示化合物G-6 於實施例1，除使用Ν,Ν，-雙(2-萘基)_2,8—二笨并噻吩二胺 j以代替Ν，Ν—二苯基_丨，4—萘二胺丨狗外，其他依實施例1 5己載之方法’得例示化合物G-6之高分子化合物2.4g。 數平均分子量：22400 [實施例37] 製造例示化合物G-7 於實施例1 ’除使用N，N，-雙{2-(9,9’-二辛基)第基m，8_二苯 74 200902592 并噻吩二胺4.2g以代替N，N，—二苯基_ 萘二胺141g外，其他 依實施例1記載之方法，得例示化合物G_7之高分子化合物3 數平均分子量：17300 [實施例38] 製造例示化合物Η- 1 於實施例1，除使用Ν，Ν，-二苯基_丨―(9,9，_二曱第基)一3 7_ 唑二胺,2.3g以代替N，N，-二苯基_ 萘二胺141g外，其他依實 施例1記載之方法，得例示化合物H—丨之高分子化合物2 數平均分子量：38900 ^ [實施例39] 製造例示化合物Η-2 於實施例1，除使用Ν，Ν，—雙(4一辛苯基)—^(9,9，—二曱 气)_3;7斗1二胺3.2/以代替_，-二苯基萘二胺叫 他依貫酬1記载之方法，得例示化合物η_2之高分子化 合物3.1g。 數平均分子量：37000 [實施例40] 製造例示化合物H-6 於實施例1 ’除使用Ν,Ν，-雙(2-萘基(9,9，—二曱· i,lgf “Siί 3;Γ〇Γ化合物H—6之高分子咖 [實施例41] 製造例示化合物Η-7 於實施例1，除使用Ν，Ν，_^{2 ， 二曱·Η，7-啊二胺“二^—一辛基臟}，，9 — 甘Α g代替Ν,Ν，-二苯基-Μ-萘二胺 1.41g外’其他依實施例1記恭 4 土 ’ τ 子化合物4.2g。 载方法’得例示化合物H—7之高分 數平均分子量：20200 75 200902592 [實施例42] 製造例示化合物I - 1 於實施例1 ’除使用Ν,Ν-二笨基-ι，8一祐(pyrene)二胺1.6 以代替N，N’-二苯基_ 1,4-萘二胺1.41g外，其他依實施例}記 之方法，得例示化合物1-1之高分子化合物2.6g。 數平均分子量：22700 [實施例43] 製造例示化合物1-2 於實施例1，除使用Ν,Ν，-雙(4-辛笨基)—芘二胺2.6g以 替N，N’-二苯基_ 1，4-萘二胺1.41g外，其他依實施例i記载之方 法’得例示化合物1-2之高分子化合物2.8g。 數平均分子量：28500 [實施例44] 製造例示化合物I - 6 於實施例卜除使用Ν,Ν’-雙(2-萘基卜丨，^芘二胺21g以代替 2，N二苯基_ ι，4-萘二胺i.4lg外，其他依實施例丨記載之方法， 件例示化合物1-6之高分子化合物3.0g。 數平均分子量：25100 [實施例45] 製造例示化合物1-7 〜於實施例1 ’除使用Ν,Ν，-雙{2-(9,9，-二辛基)第基卜^一芘二 知4.3g以代替ν，Ν —一本基-1，4-秦二胺l.4lg外，其他依實施例 1記載之方法，得例示化合物1-7之高分子化合物3 9g。、 數平均分子量：21000 [實施例46] 製造例示化合物J - 1 、於實施例1，除使用Ν,Ν -—本基-6，12-鹿(chrysene)二胺1.7g 以代替N，N’-二苯基-1,4~萘二胺1.41g外，其他依實施例丨記載 之方法，得例示化合物J-1之高分子化合物2.9g。 76 200902592 數平均分子量：31000 [實施例47] 製造例示化合物J-2 於實施例1，除使用N，N’-雙(4-辛苯基)_6，12_窟二胺2 7g以 代替N，N’-二苯基-1，4-萘二胺1.41g外’其他依實施例i記載之 方法，得例示化合物J-2之高分子化合物3.1g。 數平均分子量：20000 [實施例48] 製造例示化合物J - 6 於實施例1，除使用N，N，-雙(2-萘基)—6，12-窟二胺2.2g以代 替N，N’-二苯基-1，4-萘二胺1.41g外，其他依實施例1記载之方 法，得例示化合物J-6之高分子化合物2.8g。 數平均分子量：19000 [實施例49] 製造例示化合物J-7 一於實施例1，除使用Ν,Ν，-雙{2-(9,9，-二辛基)苐基}—6，12—窟 二胺4.4g以代替Ν,Ν’-二苯基-1，4-萘二胺i.4ig外，其他依實施 例1記載之方法，得例示化合物J-7之高分子化合物3.8g。 數平均分子量：18000 [實施例50] 製造例示化合物K - 1 、於實施例1，除使用N，N，-二苯基-6,12-茈(perylene)二胺l.8g 以代替N，N，-二苯基-1，4-萘二胺1.41g外，其他依實施例1記载 之方法’得例示化合物K-1之高分子化合物2.9g。 數平均分子量：22000 [實施例51] 製造例示化合物K-2 、於實施例1，除使用N，N，-雙(4-辛笨基)-632-茈二胺2.8g以 代替N，N’-二苯基-1，4-萘二胺1.41g外，其他依實施例1記载之 77 200902592 方法’得例示化合物K-2之高分子化合物3.1g。 數平均分子量：24000 [實施例52] 製造例示化合物K-6 於實施例1 ’除使用Ν,Ν，-雙(2-萘基)-6，12〜茈二胺2 3g以 替N，N’-二苯基_ 1，4-萘二胺1.41g外，其他依實施例i記載之方 法’仔例不化合物K-6之南分子化合物2.9g。 數平均分子量：19000 [實施例53] 製造例示化合物K-7 於實施例1，除使用Ν,Ν，-雙{2-(9,9，-二辛基)苐基}—6，12一茈 二胺4.5g以代替Ν，Ν’-二苯基-1,4-萘二胺丄叫外，其他依實施 例1記載之方法，得例示化合物K-7之高分子化合物4 〇g。、 數平均分子量：20500 ° ' [實施例54] 製造例示化合物L - 1 V .. 在氮氣流下，將參(二苯亞基丙酮)二鈀32 0mg盥三第三丁某 =?二鄰-待甲二 倒入丙酮中，滤取析出物，在減壓下於 層f法精製後 化合物w之高分子化合物下Μ ’碎色固體即為例示 數平均分子量：24600 UV( λ max) : 309nm(曱笨) [實施例55] 製造例示化合物L-2 於實施例54,除使用1,1，-雙的—（4 _ 琢己烧4.5g以代替m[N-笨基令胺基)]環己烧3^g 78 200902592 外，其他依實施例54記載之方、本，p _ /L人& τ ^ 化合物5 2g。 戰万法，仵例不化合物L_2之高分子 數平均分子量：32100 [實施例56] 製造例示化合物L-6 6 4雔u’一雙㈣2 一蔡基)一(4-胺苯基)]環己烧 3 6g 乂代# 1 1-又[N-本基-(4_胺苯基)]環己烧3 他依 貫施例54記載之方法，得例示化合物w 數平均分子量：33600 ° ^ g [實施例57] 製造例示化合物L-7 於實施例54’除使用U，〜細_ {2_ (9,9, _ (4 -胺苯基)]環己烧7.3g以代# la _雙阳_笨基二 f^其^依實施例54記載之方法，示化合物^ 7之尚分子化合物8.0g。 數平均分子量：25900 [實施例58] 製造例示化合物Μ - 1 於實施例54，除使用4,4, _ (9Η _科冬基_。胃_ 9 _ lidene))-雙[N -苯基苯胺]3.5g以代替la _雙 笨基)]環己烧外，其他依實施例54記载之方法^例示化 合物Μ _ 1之面分子化合物5.0g。 數平均分子量：19800 [實施例59] 製造例示化合物Μ - 2 於實施例54,除使用4,4，-(9Η-亞第―9 辛苯基)苯胺]5.1g以代替1，1 -雙[Ν _笨基_(4 、 3.00g外，^^實施例54記载之方法，得例示化合物^_2之 高分子化合物6.〇g。 79 200902592 數平均分子量：30200 [實施例60] 製造例示化合物Μ-6 奸於實施例54 ’除使用4,4，_(9Η-亞第-9-基)_雙[Ν~(2-萘基) 笨胺]4.2g以代替1，1-雙[Ν-苯基-(4-胺苯基)]環己炫3.〇〇g外， 其他依實施例54記載之方法，得例示化合物之高分子化合 物 5.5g 〇 數平均分子量：21300 [實施例61] 製造例示化合物Μ-7 於實施例54，除使用4,4,—（姐_亞苐_ 9 _基）_雙以_ {2 _ ϋ，9’二辛基)第基》苯胺]7.9g以代替雙[Ν_苯基_(4 一胺 苯基)]環己烷3.00g外，其他依實施例54記載之方法，得例示化 合物Μ - 7之高分子化合物6.〇g。 數平均分子量：23100 [實施例62] 製造例示化合物N - 1 於實施例54，除使用N，N，_二苯基_ 2,2, _二胺基聯苯2 4g 以代替1，1-雙[N-苯基_(4-胺苯基)]環己烷3 〇〇g外，其他依實 施例54記載之方法，得例示化合物n-ι之高分子化合物3 8g。 數平均分子量：24600 [實施例63] 製造例示化合物N-2 於實施例54，除使用N，N，-雙(4 —辛苯基）_ 2,2, _二胺基聯 苯5.9g以代替1，1 -雙[N _苯基一（4 _胺苯基)]環己烧3 〇〇g外， 其他依實施例54記载之方法，得例示化合物N_ 2之高分子化合 物 4.6g。 數平均分子量：32100 [實施例64] 200902592 製造例示化合物N-6 於實施例54，除使用N，N’-雙(2-萘基)-2,2、二胺基聯苯3.〇g 以代替1，1-雙[N-苯基-(4-胺苯基)]¾己烧3.0g外，其他依實施例 54記載之方法，得例示化合物N-6之高分子化合物4 2g。 數平均分子量：33900 [實施例65] 製造例示化合物N-7 於實施例54，除使用N，N’ -雙{2 - (9,9, ~二辛基)第基} 一 2,2’-二胺基聯苯6心以代替1，1-雙[1^_苯基_(4_^苯^)]環 己烧3.00g外，其他依實施例54記載之方法，得例示化合物n _ 7 之高分子化合物7.0g。 數平均分子量：29400 [實施例66] 製造例示化合物Ο - 1 於實施例54,除使用3,3，_ (卜甲亞乙基）雙[n_苯基苯 ίϋ乂代替1,1 一雙.苯基' (4 ~胺苯基)]環己烧3聊外， 實施例54域之方法’得例示化合物Q —1之高分子化合 物 3.6g。 數平均分子量：21900 [實施例67] 製造例示化合物Ο-2 於實施例54，除使用3 v n 基)苯胺]4.2g以代替J用H (匕甲亞乙基)—雙[NS— (4 —辛苯 外，其他依實施例54記載本基/(4-胺苯基)]環己Y.〇〇g 化合物4.7g。 方法，得例不化合物〇 _ 2之咼分子 數平均分子量：189〇〇 [實施例68] 製造例示化合物0 ~ 6 於實施例54，除使用n，η 之用甲亞乙基)-雙[Ν-(2_萘基)苯_ 200902592 3.3g以代替1，1-雙[N-苯基-(4-胺苯基)]環己烷3.〇〇g外，其他依 實施例54記載之方法，得例示化合物〇—6之高分子化合物5 2g。 數平均分子量：27100 [實施例69] 製造例示化合物〇-7 於實施例54，除使用3,3，-(1-曱亞乙基）-雙[N- {2-(9,9’-二辛基)第基}苯_7.〇§以代替1,1-雙的-苯基-(4-胺 苯基)]環己烧3.00g外’其他依實施例54記載之方法，得例示化 合物Ο - 7之高分子化合物6,4g。 數平均分子量：30400 [實施例70] 製造例示化合物p- 1 於實施例54,除使用n，N，-二苯基-(1，Γ-聯萘)-2,2，-二胺 3.0g以代替1，1-雙[Ν-苯基-(4_胺苯基)]環己烷3.〇〇g外，其他依 實施例54 4載之方法，得例示化合物p—i之高分子化合物仏经。 數平均分子量：30100 [實施例71] 製造例示化合物P-2 於實施例54 ’除使用n，N，-雙(4-辛苯基)-(1，Γ-聯萘)-2,2，-二 胺4.6g以代替1，1-雙[Ν-笨基-(4-胺苯基)]環己烷3.00g外，其他 依實施例54記載之方法’得例示化合物p_2之高分子化合物5 4g。 數平均分子量：11900 [實施例72] 製造例示化合物P-6 於實施例54 ’除使用尺以，_雙(2_萘基)一(〗]，_聯萘^_2,2，_二胺 3.7g以代替U-雙[N-苯基-(4-胺苯基)]環己烷3.00g外，其他依 實施例54 s己載之方法，得例示化合物p_6之高分子化合物4 7g。 數平均分子量：20300 [實施例73] 82

200902592 製造例示化合物P-7 於實施例54 ’除使用N，N，-雙{2-(9,9，-二辛基)第基HU，— 聯萘)-2,2’-二胺7.4g以代替1，1-雙[N-苯基-(4—胺苯基)]環己烷 3.00g外’其他依實施例54記載之方法，得例示化合物p_7之高 分子化合物6.0g。 數平均分子量：27400 [實施例74] 製造含增基之南分子化合物’在南分子鍵中具有至少1個如 下重複單位，即例示化合物A- 1表示之重複單位中之至少丨個苯 壤被續基取代 將實施例1製得例示化合物A-1之高分子化合物2 〇〇g溶解 於氣仿64.7g後’在氮氣流下，加入98%硫酸3〇g，室溫下授^ J 5 小時。此反應液倒入乙腈300ml中後，濾取析出物。^斤得固體用 乙腈洗滌至濾液之pH為5後，於6(TC減壓乾燥8小時，得褐色 固體之粗生成物2.08g。溶解此粗生成物2.08g於50〇/〇甲醇水、容液 200ml，再加入陰離子交換樹脂（0rgan〇公司製八她二 IRA400-OHAG)2(X)ml後’在室溫下勝5小時。齡陰離子交換 樹脂後，將濾液濃縮至乾涸，於7(TC減壓乾燥7小時。所_ 溶解於曱醇50ml後，用甲苯i〇0mi進行再沈澱，得褐色俨 標化合物2g。該化合物可溶解於甲醇，不溶解於曱苯。 化合物在溶液狀態下未觀察到凝聚性。 考，該 又，每重複單位之平均磺基數由下列計算式計算。

平均磺基數={(例示化合物A-1)之重複單位分子晋 f分=(%)-(=示化合物A_ D之重複單位中之硫 C ί-量)f原子量X 1〇〇_硫元素分析值(％) X (續基^ 硫元素分析值：10.5% 重複單位之平均磺基數·· 1.9個 UV(Amax) : 371nm(MeOH) 83 200902592 [實施例75] 製造含磺基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少i個如 下重複單位，即例示化合物A-6表示之重複單位中之至 環被續基取代 於實施例74，除使用實施例3製得例示化合物A_ 6之言八 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物A_丨之高八^ 合物2.0g以外，其他進行實施例74記載之操作，得目 化合物2.4g。 " 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 數0 ' 重複單位之平均磺基數：3.5個 [實施例76] 製造含磺基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少丨個如 下重複單位’即例示化合物B - 1表示之重複單位中之至少i個 環被磺基取代 於貫施例74，除使用實施例5製得例示化合物b _ 1之高八 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物a_ i之高分^ 合物2.0g以外’其他進行實施例74記載之操作，得目標高分子 化合物2.0g。 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 數。 重複單位之平均磺基數：2.0個 UV( λ max) ： 368nm(MeOH) [實施例77] 製造含磺基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少丨個如 下重複單位，即例示化合物B-6表示之重複單位中之至少丨個笨 環被磺基取代 於實施例74，除使用實施例7製得例示化合物B_6之高分 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物a-丨之高分 84 200902592 外，其錢彳%域之齡，得目標高分子 數。又’依據實關74記狀方法，計算每重複單位之平均續基 重複單位之平均磺基數：3.3個 [實施例78] 下合物’衫分子鏈Μ妓少1個如 下重複皁位，即例不化合物C - i表示之重複 t 環被磺基取代 τ心王夕丨個本 於實施例74，除使用實關9製得例示化合物c _ 八 子化合物2.Gg以代替實細1製得例示化合物a丨 八^ =物2=。外’其他進行實施例74記載之操作，得目^分子 數。又’依據實_ 74記載之方法，計算每重複單位之平均續基 重複單位之平均磺基數：1.9個 [實施例79] 製造含縣之高分子化合物’在高分子財 下重複單位，即例示化合物C― 6表示蝴 I ς = 環被績基取代 1個本 於實施例74，除使用實施例U製得例示化合物c 子化合物2.Gg以鋪實關丨製得例示化合物A_ ^刀 數 外，热_關％記載讀作，得目^分子 又，依據實關74記狀料，計算每錢單奴平均縣 重複單位之平均磺基數：3.8個 [實施例80] 製造含雜之高分子化合物，在高分子射具有至少丨個如 85 200902592 下重複單位’即例示化合物D_ 1表示之重複單位中之至少！ 壤被續基取代 於貫施例74 ’除使用貫施例13製得例示化合物〇 _ 1古八 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物a -丨之言八$二 合物2.0g以外，其他進行實施例74記載之操作，得目彳^八 化合物2.0g。 '、呵刀 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 重複單位之平均磺基數：2.0個 [實施例81] 1個如 1個苯 製造含續基之高分子化合物，在高分子鏈中且有至少 下重複單位，即例示化合物D - 4表示之重複單位中之至小 環被磺基取代 夕 於實施例74，除使用實施例15製得例示化合物D _ 4 八 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物a — 1之言八^ 合物2.Gg以外，其他進行實施例74記載之操作，得目標& 化合物2.4g。 又，依據實關74記狀方法’計算每魏單蚊平均續基 重複單位之平均磺基數：3.7個 [實施例82] 環被磺基取代 於實施例74，除使用實施例17製得娜化合物d _ 6 子化合物2.Gg賊替實_丨製得例桃合物A_丨 _ 苡物I以外’其他進行實施例％記載之操作’得目標高分子 又’依據實_ 74域之方法，計算每重鮮位之平均績基 86 200902592 數。 重複單位之平均磺基數：3.9個 [實施例83]

製造含績基之高分子化合物’在高分子鍵中具有至少1個如 下重複單位’即例示化合物D - 8表示之重複單位中之至少i — 環被磺基取代 I 於實施例74 ’除使用實施例18製得例示化合物d _ 8之言八 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物a_ 1之高分^ 合物2_0g以外’其他進行實施例74記載之操作，得目八 化合物2.3g。 ’刀于 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 重複單位之平均磺基數：3.5個 [實施例84] 1個如 1個苯 製造含續基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少 下重複單位，即例示化合物D - 9表示之重複單位中之至小 環被續基取代 於實施例74，除使用實施例19製得例示化合物D _ 9 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物A_丨之古八=刀 合物2.0g以外’其他進行實關74記載 g = 化合物1.9g。 卞曰知问刀子 數 又’依據實施例74記載之方法’計算每重複單位之平均石黃基 重複單位之平均磺基數：1.9個 [實施例85] 在高分子鏈中具有至少1個如 表示之重複單位中之至少i個 製造含磺基之高分子化合物， 下重複單位，即例示化合物D - 10 本線被項基取代 於實施例74，除烟實施例20製得例示化合物D _ 1〇之高 87 200902592 分子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物a_丨之古八 化合物2.0g以外，其他進行實施例74記載之操作 子化合物1.8g。 言曰私南分 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 數。 、土 重複單位之平均磺基數：2.0個 [實施例86] 製^3_含％基之咼分子化合物，在咼分子鏈中具有至 下重複單位’即例示化合物D - 11表示之重複單位中 =

苯環被磺基取代 MSI 於實施例74，除使用實施例21製得例示化合物D_ u 分子化合物2.0g以代替實施例丨製得例示化合物A_丨之古八= 化合物2.Gg以外，其他進行實關74記載之操作，得 子化合物1.9g。 不、冋刀 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 數。 、土 重複單位之平均磺基數：1.9個 [實施例87] 製造含續基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少〗 於實施例74，除使用實施例22製得例示化合物D_ 12之古 分子化合物2.0g以代替實施例丨製得例示化合物A_ i之言八= 以外，其他進行實施例％記載之操作，得目^分 于化合物1.7g。 又’依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均 數。 、 重複單位之平均磺基數：1.8個 [實施例88] 88 200902592 ▲ 含％基之咼分子化合物，在高分子鏈中具有至少1個如 下重複單位，即例示化合物D - 13表示之重複單位 苯環被磺基取代 於實施例74，除使用實施例23製得例示化合物D_ 13之高 分子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物A_ 1之高分子 化合物2.0g以外，其他進行實施例74記載之操作，得目^ 子化合物2.0g。 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 數0 ^ 重複單位之平均磺基數：2.0個 [實施例89] 製造含增基之咼分子化合物，在高分子鏈中具有至少1個如 下重複單位，即例示化合物D-14表示之重複單位中之至少1個 本壞被績基取代 於實施例74 ’除使用實施例24製得例示化合物D _14之古 分子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物丨之高八^ 化合物2.0g以外，其他進行實施例74記載之操作，得目分 子化合物1.9g。 ° 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 數0 、 重複單位之平均磺基數：1.9個 [實施例90] 製造含績基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少丨個如 下重複單位’即例示化合物D - 15表示之重複單位中之至小 苯壞被績基取代 於實施例74，除使用實施例25製得例示化合物15之言 分子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物a -丨之高分^ 化合物2.0g以外’其他進行實施例74記載之操作，得目^二八 子化合物1.8g。 89 200902592 又’依據實麵74記載之方法，計算每重複單位之平均績基 重複單位之平均磺基數··丨.9個 [實施例91] 1個如 1個笨 製造含績基之高分子化合物，在冑分询巾呈有至少 下重複單位，即例示化合物E M絲之重位中 環被磺基取代 ^ 於實施例74，除使用實施例26製得例示化合物E _】之 子化合物2.Gg以鋪實關丨製_獅合物A_丨之 = 2.〇g以外，其他進行實施例74記載之操作，得目標 化合物1.8g。 又’依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均石黃基 數。 、 重複單位之平均磺基數：2.0個 [實施例92] 1個如 1個笨 製造含磺基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少 下重複單位，即例示化合物E - 6表示之重複單位中之至,卜 壤被績基取代 於實施例74，除使用實施例28製得例示化合物E _ 6之古八 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物A_ 1之高八^刀 合物2.0g以外，其他進行實施例74記载之操作，得目分子 化合物2.7α。 數 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 重複單位之平均磺基數：3.2個 [實施例93] 製造含磺基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少丨 下重複單位，即例示化合物F - 1表示之重複單位中之至 環被磺基取代 + 200902592 於實施例74 ’除使用實施例30製得例示化合物F _丨之高分 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物a— 1之高分^ 合物2.0g以外，其他進行實施例74記载之操作，得目分子 化合物2.0g。 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 數。 重複單位之平均磺基數：2.0個 [實施例94] 製造含磺基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少丨個如 下重複單位，即例示化合物F-6表示之重複單位中之至少丨個 環被確基取代 於實施例74 ’除使用實施例32製得例示化合物ρ _ 6之言八 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物1之高分^化 合物2.0g以外，其他進行實施例74記載之操作，得目分子 化合物2.4g。 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 重複單位之平均磺基數：3.5個 [實施例95] 1個如 1個苯 製造含磺基之高分子化合物’在高分子鏈中亘有至少 下重複單位，即例示化合物G - 1表示之重複單位中之至少 環被磺基取代 夕 於實施例74 ’除使用實施例34製得例示化合物〇 _丨言八 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物A — 1之高八^ 合物2.0g以外’其他進行實施例74記載之操作，得目 化合物2.1g。 數 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 重複單位之平均磺基數：1.9個 200902592 [實施例96] 製造含續基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少1個如 下重複單位’即例示化合物G - 6表示之重複單位中之至少丨個苯 環被磺基取代 於實施例74 ’除使用實施例36製得例示化合物g _ 6之高分 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物a __ 1之高分子化 合物2.0g以外’其他進行實施例74記載之操作，得目標高分子 化合物2.6g。 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 數。 ' 重複單位之平均磺基數：3.4個 [實施例97] 製造含續基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少1個如 下重複單位，即例示化合物Η - 1表示之重複單位中之至少丨個苯 環被磺基取代 於實施例74，除使用實施例38製得例示化合物η - 1之高分 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物a - 1之高分《^化 合物2.0g以外，其他進行實施例74記載之操作，得目標高分子 化合物2.1g。 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 數。 重複單位之平均磺基數：2.0個 [實施例98] 製造含橫基之高分子化合物，在咼分子鏈中具有至少1個如 下重複單位，即例示化合物H - 6表示之重複單位中之至少丨個苯 環被續基取代 於實施例74 ’除使用實施例40製得例示化合物η _ 6之高分 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物a - 1之高分子化 合物2.0g以外’其他進行實施例74 §己載之操作，得目彳分子 92 200902592 化合物2.6g。 又’依據實關74域之方法，計算每重鮮位之平均續基 數0 重複单位之平均續基數：3.4個 [實施例99] 製造含磺基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少丨個 下重複單位，即例示化合物I- 1表示之重複單位中之至少〗 壞被績基取代 於實施例74，除使用實施例42製得例示化合物卜i之言八 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物A_丨之高分ϋ 合物2.0g以外，其他進行實施例74記载之操作，得目彳^分子 化合物2.1g。 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 數。 、土 重複單位之平均磺基數：1.9個 [實施例100] 製造含續基之高分子化合物，在高分子鏈巾具註少丨個如 _示化合物卜6表示之重複單位中之至少1個笨 %被崎基取代 於實施例74，除使用實施例44製得例示化合物卜6之言八 子化合物2.0g以代替實施例丨製得例示化合物A_ 1之高分=刀 合物2.0g以外，其他進行實施例74記載之操作，得目分 化合物2.8g。 又，輯實_ 74記載之^法’計算每重鮮位之平均續基 重複單位之平均磺基數：3.2個 [實施例101] 下舌績f之高分子化合物’在高分子鏈中具有至少1個如 下重複早位，即例7IT化合物卜丨表示之重複單財之至少i個苯 93 200902592 環被磺基取代 於實施例74，除使用實施例46製得例示化合物j_丨之高分 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物a _ 1之高分^化 合物2.0g以外，其他進行實施例74記載之操作，得目標高分子 化合物2.2g。 ° 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均磺基 數。 、土 重複單位之平均磺基數：2.4個 [實施例102] 製造含續基之南分子化合物，在高分子鏈中具有至少1個如 下重极单位’即例不化合物J - 6表示之重複單位中之至少1個苯 環被磺基取代 於實施例74，除使用實施例48製得例示化合物6之高分 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物A〜1之高分 合物2.0g以外，其他進行實施例74記載之操作，得目標高分子 化合物2.5g。 ° 又’依據實施例74記載之方法’計算每重複單位之平均續基 數。 重複單位之平均磺基數：2.9個 [實施例103] 製造含續基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少丨個如 下重複單位，即例示化合物K - 1表承之重複單位中之至少1個苯 環被磺基取代 於實施例74，除使用實施例50製得例示化合物κ - 1之高分 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物A - 1之高分^ 合物2.0g以外，其他進行實施例74 5己载之操作，得目標高分子 化合物1.9g。 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均續基 數。 K 土 94 200902592 重複單位之平均磺基數：2.0個 [實施例104] 製造含磺基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少〗個如 下重複單位，即例示化合物K - 6表示之重複單位中之至少丨個笨 壞被續基取代 於實施例74，除使用實施例52製得例示化合物κ _ 6之高分 子化合物2.0g以代替實施例1製得例示化合物Α_丨之高分子化 合物2.0g以外，其他進行實施例74記載之操作，得目^高分子 化合物2.6g。 又，依據實施例74記載之方法，計算每重複單位之平均旛基 數。 ” 重複單位之平均磺基數：2.9個 [實施例105] 製造含磺基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少丨個如 下重複單位’即例示化合物L - 1表示之重複單位中之至少1個苯 環被磺基取代 將實施例54製得之高分子鏈中具有至少丨個以例示化合物 L-1表示之重複單位的高分子化合物2.〇〇g溶解於氣仿64/7g後， 在氮氣流下，加入98%硫酸30g，室溫下攪拌L5小時。此反應液 倒入乙腈300ml中後，濾取析出物。所得固體用乙腈洗滌至濾液 之pH為5後，於60°C減壓乾燥8小時，得褐色固體之粗生成物 2.00g。溶解此粗生成物1.94g於50%曱醇水溶液2〇〇m卜再加入 陰離子交換樹脂(Organo 公司製 Amberlite IRA400-〇HAG)200ml 後，在室溫下攪拌5小時。濾除陰離子交換樹脂後，將濾液濃縮 至乾涸，於70°C減壓乾燥7小時。所得固體溶解於曱醇5〇1111後， 用甲苯100ml進行再沈澱，得褐色固體之目標化合物19〇g。該化 合物可溶解於曱醇，不溶解於甲苯。再者，該化合物在溶液狀態 下未觀察到凝聚性。 又，每重複單位之平均磺基數由下列計算式計算。 95 200902592 平均磺基數={(例示化合物L-1)之重複單位分子量χ硫元 素分析值(％) —(例示化合物L- 1)之重複單位中之硫數χ硫 量X 100} + {硫原子量χ 100 —硫元素分析值(％) χ (確基分子 量一氫原子量)} 土习 硫元素分析值：9.5% 重複單位之平均磺基數：1.9個 UV( λ max) ： 304nm(MeOH) [實施例106] 製造含續基之高分子化合物，在高分子鏈中具有至少1個如 下重複單位，即例示化合物L-6表示之重複單位中之至少丨個 環被續基取代 於實施例105 ’除使用實施例56製得例示化合物L_ 6之言 分子化合物2.0g以代替實施例54製得例示化合物l_丨之高分g 化合物2.0g以外，其他進行實施例105記載之操作，得目彳^八 子化合物2.4g。 又，依據實施例105記載之方法，計算每重複單位之平均續 基數。 八 重複單位之平均磺基數：2.9個 [實施例107] 製造含續基之高分子化合物’在高分子鏈中具有至少1個如 下重複單位，即例示化合物Μ - 1表示之重複單位中之至少i 苯環被磺基取代 於實施例1〇5，除使用實施例58製得例示化合物M_丨之古 分子化合物2.0g以代替實施例54製得例示化合物l_〗之高分= 化合物2.0g以外’其他進行實施例1〇5記載之操作，得目八 子化合物2.0g。 ―刀 又，依據實施例105記載之方法，計算每重複單位之平均磺 基數。 / 重複單位之平均磺基數：2.0個 96 200902592 [實施例108] 製造含增基之咼分子化合物’在高分子鏈中且有至 下重複單位，即例示化合物M- 6表示之重複單&中 ，如 苯環被磺基取代 M® 於實施例105，除使用實施例60製得例示化合物M _ ^ 分子化合物2.0g以代替實施例54製得例示化合物L_丨之一=向 化合物2.0g以外，其他進行實施例105記載之°操作 J = 子化合物2.5g。 曰刀 又 基數 ，依據實施例105記載之方法，計算每重複單位之平均磺 重複單位之平均磺基數：3.0個 [實施例109] 製造含確基之咼分子化合物，在高分子鏈中具有至少1 下重複單位，即例示化合物N - 1表示之重複單位中之至 環被磺基取代 本 於實施例105，除使用實施例62製得例示化合物N_〗之言 分子化合物2.0g以代替實施例54製得例示化合物L_ 1之高分^ 化合物2.0g以外，其他進行實施例1〇5記載之操作，得目分 子化合物2.2g。 ° 又，依據實施例105記載之方法，計算每重複單位之平均磺 基數。 八 重複單位之平均磺基數：2.0個 [實施例110] 製造含續基之咼分子化合物’在咼分子鏈中具有至少1個如 下重複單位’即例示化合物N - 6表示之重複單位中之至少丨個苯 環被續基取代 於實施例105，除使用實施例64製得例示化合物N _ 6之高 分子化合物2.0g以代替實施例54製得例示化合物L_丨之高分子 化合物2.0g以外’其他進行實施例105記载之操作，得目^高分 97 200902592 子化合物2.6g。 又，依據實施例1〇5記載之方法，計算每重複單位之 基數。 习尹、 重複單位之平均磺基數：2.8個 [實施例111] 製造含續基之尚分子化合物’在南分子鍵中具有至少1個士 下重複單位’即例示化合物0 - 1表示之重複單位中之至少丨+ 環被磺基取代 於實施例105，除使用實施例66製得例示化合物〇 — i古 分子化合物2.0g以代替實施例54製得例示化合物[_ 1之古八^ 化合物2.0g以外，其他進行實施例1〇5記载之操作，二=八 子化合物2.1g。 知冋刀 基數。 又，依據實施例105記載之方法，計算每重複單位之平均磺 重複單位之平均磺基數：1.9個 [實施例112] 1個如 1個苯

製造含磺基之高分子化合物’在高分子鏈中具有至少 下重複單位，即例示化合物〇 - 6表示之重複單位中之至,丨、 環被磺基取代 V 於實施例105 ’除使用實施例68製得例示化合物〇〜 分子化合物2.0g以代替實施例54製得例示化合物 化合物2.0g α外，其他進行實施例105記載 g = 子化合物2.6g。 行曰镙间刀 基數又’錄實施記紅方法，計算每重鮮位之平均續 重複單位之平均磺基數：2.9個 [實施例113] 製造含續基之高分子化合物，在高分子鏈_且有至 下重複單位，即制b合物P_】絲之重複單位^至少】 98 200902592 環被磺基取代 於實施例105，除使用實施例70製得例示化合物p _丨_、 子化合物2.0g以代替實施例54製得例示化合物丨之古^向分 合物2.0g以外，其他進行實施例105記載之操作 化合物2.2g。 问分子 其數又，依據實施例105記載之方法，計算每重複單位之平均磺 重複單位之平均磺基數：1.9個 [實施例114] 製造含％基之咼分子化合物’在高分子鏈中具有至 下重複單位’即例示化合物P-6表示之重複單位中之 ^ 環被續基取代 1固本 於實施例105，除使用實施例72製得例示化合物p _ 6 子化合物2.0g以代替實施例54製得例示化合物L _丨之含=冋/刀 合物2.0g α外’其他進行實_ 105記載之操 ^ = 化合物2.5g。 丁《鈿同分子 美數^，依據實關1〇5記載之方法，計算每重複單位之平均續 重複單位之平均磺基數：3.0個 [實施例115] 製作有機電致發光元件 將具有厚度200nm之ITO透明電極(陽極)之诂璁 ，洗，、Semico dean(FU_hi化學公司製）、超純^、兩^用 乙醇進行超音波洗條。此基板以氮氣乾燥後再用 =，使用實施例74所得含龜高分子化合物之f醇溶二 =匕合物2Gmg於甲醇4mL之溶液)當做電洞注二料，(^ 法在ITO透明電極上形成厚度2〇nm之膜，爯 輥塗 壓乾燥(靴、3G分鐘）’形成電洞注人傳輪^ 基板固於蒸織置之gim並將蒸赌減壓Ul〇_4pa。 99 200902592 ，將N，N’-二(1-萘基)_n，n’-二苯基聯苯胺以蒸鍍速度〇2nm/sec =鍍成40nm厚度，其次將參(a_羥基喹琳)鋁以蒸鍍速度〇 2nm/sec :鑛成50nm厚度。再將氟化鐘以蒸鍍速度〇 2nm/sec蒸鍍成〇 5nm 厚度。其上蒸鑛銘當做陰極，製作有機電致發光元件(有機EL元 件-A1)。 ， ^又，蒸鍍以維持蒸鍍槽減壓狀態下實施。外加直流電壓於製 Ϊ之^^電致發光元件’在5(rC、乾燥環境下，以10mA/cm2之 疋，^岔度(constant current density)連續驅動。初期碟認 4.03V、 發光免度285cd/m2之綠色發光。將該元件在i〇〇〇c下放置1小時， 確認其發光特性無大改變。 表18列示測定發光亮度相對於初期亮度衰減達20%及50%之 時間結果。 [比較例A1]有機電致發光元件之壽命評價 於貫施例115，將當做電洞注入材料之實施例74所得含磺基 高分子化合物以前述PED0T/PSS(拜耳Bayer公司製、商品名稱 BaytronP)式⑺代替外，其他與實施例115相同操作，製成有機電 致發光元件(有機EL元件-A2)，比較元件之發光壽命。 其發光亮度相對於初期亮度衰減達2〇%及5〇%之時間，以有 機EL元件_ A1為1〇〇時之相對值示如表18。 [化 12]

PEDOT 100 200902592 [表 18] 有機EL元件-Ai 實施例115

電洞注入材料 之化合物 PEDOTOSS" 發走(壽命 哀減20% '!〇〇 衰減50% "Too " 1 7 電洞^ 本發明之含雜之高分？化合物當做

% A主入材枓之本發明之有機E 比較時表現較長之發光壽命。丨A!與有機EL兀件—A2 [實施例116]成膜性評價 合物将肖分？化合物之T醇雜(雜高分子化 在加熱板上進行減壓 [實施例117]成膜性評價 實施例76所得高分子化合物喊替實關74所得高分 ，並以與實施例116相同方法進行成膜與觀察時，形成 表面均句之膜。以AFM測定表面粗糙度之結果示如表19。取 [比較例Α2]成膜性評價 使用前述PED0T/PSS(拜耳Bayer公司製、商品名稱Baytr〇np =)以代替實施例74所得高分子化合物，並以與實施例116 進行成膜與觀察’與使用實施例74所得高分子化合物進行 =者比較咖之職參差。以AFM測絲面概度之結果示如表 [比較例A3]成膜性評價 使用將市售且能夠取得之以式(8)表示之聚合物(ADS公司 1、分子量28000、ADS254BE)績基化所得含磺基三芳基胺聚合 101 200902592 物(以下簡稱「式⑻之績酸取代物」）以代替實施例7 無法成膜 [化 13] 以與實施例116相同方法試行成膜時，對於τϋΐ

(8) 式(8)之磺酸取代物以下述方法合成。 將式⑻絲之聚合物_Gg轉域仿】 下，加入98%硫酸6g，室溫下·半4 二：:： 60ml中後，濟取析祕。祕靜7 ^倒入乙腈 始於斤固體用乙腈洗條至遽液之PH為5 ί 小時，得褐色固體之目標化合物〇.38g。 數。又’依據實施例74域之方法，計算每重複單位之平均續基

r 結果’顯示本發明之含續基之高分子化合物較 i if 現贼狀成膜性。 [貫施例118]製作有機電致發光元件 102 200902592 將具有厚度200nm之ITO透日代極(陽極)之玻璃基板，使用 中性洗劑、Semico dean(FUmUChi化學公司製）、超純水、丙酉同、 乙醇進行超音波洗滌。此基板以氮氣乾燥後再用uv/臭氧洗 首先，使用實施例105所得含績基之高分子化合物之甲醇溶^ =分子化合物2Gmg於甲醇4mL之溶液)當做電洞注入(以 輥錄在ITQ義雜上職厚度施，再於加 行減壓乾燥_。(：、30分鐘），形成電洞注入傳輸層。其次槪= 玻，基板固定於蒸《置之®定H上，並將級槽減壓至 蒸鍍成4〇腿厚度，其次將參(8 —經基喧琳)銘以基鍍 速度〇.2nm/Sec蒸鍍成50nm厚度。再將氟化鐘以蒸鍍速度 〇.2nm/sec蒸鍵成〇.5nm厚度。其上蒸鍍鋁當做陰極，製 致發光元件(有機EL元件-B1)。 ㈣有機電 又’蒸鑛以維持蒸鍍槽減壓狀態下實施。外加直流 ^之有機電致發光元件，在贼、乾燥環境下，以 疋電流密度(constant current density)連續驅動。初期確認4 〇5V、 發光焭度288cd/m2之綠色發光。將該元件在]〇(rc下放 確認其發光特性無大改變。 f 相列不測定發光亮度相對於初期亮度衰減達20%及50%之

Bf間結果。 [比較例B1]有機電致發光元件之壽命評價 於貫施例118’將當做電洞注入材料之實施例1〇5所得美 ，分子化合物以前述PED0T/PSS(拜耳Bayer公司製、商品^ =ΓΡ)ί(7)代替外-，其他與實施例118相同操作，製成有機電 杳光元件(，機EL元件-Β2)，比較元件之發光壽命。 其發光凴度相對於初期亮度衰減達2〇%及5〇%之時以 機EL元件-Β1為1〇〇時之相對值示如表2〇。 103 200902592 [化 14]

η PEDOT so3h

PSS

[表 20] 元件編嚴~~ 電洞注入材料 發光壽命 衰減20% 衰減50% 實施例118 有機EL ~ Β1 實施例105記载 之化合物 100 100 比較例Β1 有機~ B2 PEDOT/PSS 1 8 由表20之結果，可知使用本發明之含磺基之高分子化合物當 做電洞注入材料之本發明之有機EL元件_ m與有機el元件— B2比較時表現較長之發光壽命。 [實施例119]成膜性評價 使用實施例105所得高分子化合物之甲醇溶液(溶解高分子化 合物20mg於甲醇4mL之溶液），以輥塗法在玻璃基板上形成厚度 60=n之膜。表面觀察在加熱板上進行減壓乾燥(1〇〇艺、3〇分鐘） 所得膜之表面時，形成表面均匀之膜。以AFM測定表面粗糙度之 結果不如表21。 [比較例B2]成膜性評價 使用前述PEDOT/PSS(拜耳Bayer公司製、商品名稱Baytr〇nP) 式(7)以代替實施例105所得高分子化合物，並以與實施例119相 同方法進行成膜與觀察，與使用實施例105所得高分子化合物進 104 200902592 行成膜者比較時膜之厚度有參差。以八]7撾測定表面粗糙度之結果 示如表21。 [比較例B3]成膜性評價 使用比較例A3所得之以式(8)表示之磺酸取代物以代替實施 例105所得高分子化合物，並以與實施例119相同方法試行成膜 時，但難溶於甲醇，無法成膜。 [表 21] ------ j ~~~-- 表面粗糙度Ra/nm 實施例119 實施例105記載之化合物 0.56 比較例B2 "PEDOT/PSS ~-- 1.02 比較例B3 ^式(8)之磺酸取代&~-- 不能成膜 由表21之結果，顯示本發明之含磺基之高分子化合物較 BaytronP及式⑻之磺酸取代物表現極良好之成膜性。 [實施例120]〜[實施例157] 、 成膜性評價 使用實施例75、實施例77〜實施例1〇4、實施例丨〇6〜實施 例114所得含確基之尚分子化合物以代替實施例74所得高分子化 合物，並以與實施例116相同方法進行成膜與觀察時，形成表面 均匀之膜。以AFM測定表面粗糙度之結果示如表22。 [表 22] 試料 表面粗链度Ra/nm 實施例120 實施例75記載之化合物 0.46 實施例121 實施例77記載之化合物 0.61 實施例122 實施例78記載之化合物 0.56 實施例123 實施例79 s己載之化合物 0.46 實施例124 實施例80圮載之化合物 0.49 實施例125 實施例81記载之化合物 _· ———------J 0.53 105 200902592 實施例126 實施例82記載之化合物 0.41 實施例127 實施例83記載之化合物 0.62 實施例128 實施例84記載之化合物 0.40 實施例129 實施例85記載之化合物 0.52 實施例130 實施例86記載之化合物 0.38 實施例131 實施例87記載之化合物 0.37 實施例132 實施例88記載之化合物 0.41 實施例133 實施例89記載之化合物 0.65 實施例134 實施例90記載之化合物 0.61 實施例135 實施例91記載之化合物 0.55 實施例136 實施例92記載之化合物 0.36 實施例137 實施例93記載之化合物 0.45 實施例138 實施例94記載之化合物 0.35 實施例139 實施例95記載之化合物 0.39 實施例140 實施例96記載之化合物 0.37 實施例141 實施例97記載之化合物 0.42 實施例142 實施例98記載之化合物 0.52 實施例143 實施例99記載之化合物 0.56 實施例144 實施例100記載之化合物 0.55 實施例145 實施例101載之化合物 0.51 實施例146 實施例102記載之化合物 0.52 實施例147 實施例103記載之化合物 0.45 實施例148 實施例104記載之化合物 0.53 實施例149 實施例106記載之化合物 0.39 實施例150 實施例107記載之化合物 0.41 106 200902592 實施例151 實施例108 A載之化合物 "〇38~~ 實施例M2 實施例109記栽之化合物 0.53 實施例153 實施例110記載之化合物 0.46 實施例154 實施例111記載之化合物 0.61 實施例155 實施例112記載之化合物 υ.47 實施例156 實施例113記載之化合物 實施例157 實施例114記載之化合物 U.45 比較例A2 PEDOT/PSS 1.02 比較例A3 式(8)之磺酸取代物 不能成膜 由表22之結果，顯示本發明之含續基之高分子化合物較 BaytronP及式(8)之續酸取代物表現極良好之成膜性。 [貫施例158]製作有機電致發光元件(續體評價） 將具有形成了之圖案、厚度150nm之ITO透明電極之玻璃基 板(濺鍍成膜品、片電阻15Ω)，依序使用中性洗劑、Semic〇 dean(FUnmChi化學公司製）、超純水、丙酮、異丙醇進行超音波洗 滌後，以氮氣吹氣乾燥，最後再用紫外線臭氧洗滌。其次，使用 實施例75所得含磺基之高分子化合物之曱醇溶液(2 〇重量％)，以 親塗法形成厚度65nm之膜，在加熱板上進行減壓乾燥(丨⑻。◦、j 小時），形成第1電洞注入傳輸層。 μ 其次，將American Dye Source公司製高分子化人物 =S259BE(式14)之二甲苯溶液(2·0重量％)，以親^形成厚度 nm之、在加熱板上、氣氣環境下進行加熱處理〇。^、1々 時），形成第2電洞注入傳輸層。 [化 15] 107 (14) 200902592

〇βΗΐ7 CeHi7 將聚筅(式 其次’將第2電洞;i人傳輪層以二甲笨 15)之二曱苯溶液(1.2重量％)，以輥塗法 ^^後’ 加熱板上進行減壓乾燥(140¾、八，二度6〇nm之膜，在 [化16] 77、里’形成發光層。

CeH|7 CeHi7 (15) 其次，將此賴基板固定於驗裝置之 (Molybdenum boat)^ 〇.2rmVsec ΐ 度，其次使用鶴舟將紹加熱，以蒸錢速产2 〇 '、、、:、.細厚 厚产紹®告倣险極，办忐；放制二 又. sec蒸鍍成100nm 極？，件製作。如此製得 ?具有2mm X 2mm尺寸之發光面積部分。概 件:以IT〇為陽極，丨為陰極，外加直流電機 板觀察發光。發光売度以Topcon輝度計BM - 8測定。 土 外加直電壓於製得之有機電致發光元件，在乾燥環境下， 以lOmA/cm之定電流密度連續驅動。初期確認5 5V、發光亮度 154cd/m2之藍色發光。由初期發光亮度500cd/m2經2〇〇 時 驅動’其亮度減低率為24%。結果示如表23。 只 [實施例159]〜[實施例178] 於實施例158形成電洞注入傳輪層時，使用實施例77、79、 8 卜 82、83、84、86、90、9卜 94、96、98、100、ΗΠ、1〇4、105、 108、110、111、113所得含續基之高分子化合物以代替實施例75 所得含磺基之高分子化合物，並依實施例158記載之操作製作有 機電致發光元件。並與實施例158相同，外加直流電壓於該元件， 測定該元件特性，結果示如表23。 108 200902592 [比較例c -1] 於實施例158形成電洞注入傳輸層時，使用前述 PEDOT/PSS(拜耳Bayer公司製、商品名稱BaytronP)式(7)以代替 實施例75所得高分子化合物，並依實施例158記載之操作製作有 機電致發光元件。並與實施例158相同，外加直流電壓於該 測定該元件特性，結果示如表23。 、w ，

[表 23] _ 109

200902592 實施例174 實施例105 化合物一' 143 5.9 25 實施例175 實施例108記載之化合物 160 5.8 22 實施例176 實施例110記载之化合物 141 6.0 25 實施例177 實施例111記载之化合物 149 5.5 24 實施例178 實施例113記載之化合物 162 5.4 26 比較例C-1 PED0T/PSS 105 5.4 55 [實施例179] 將具有厚度150nm、形成了圖案之IT〇透明電極之玻璃基板 (濺鍍成膜品、片電阻15Ω)，依序使用中性洗劑、Semic〇 dean(FunmChi化學公司製）、超純水、丙酮、異丙醇進行超音波洗 務後，以氮氣吹氣乾燥，最後再用紫外線臭氧洗條。其次， 述PEp〇T/PSS以報塗法形成厚度65nm之膜，在加熱板上進 壓乾燥(2GG°C、1小時）’形成第丨電洞注人傳輸層。其次，將實 施例2所得含續基之高分子化合物之甲苯溶液(15重量⑽，以輥 塗法形成厚度5Gnm之膜，在加熱板上、氮氣魏下進行加熱 (180C、1小時），形成第2電洞注入傳輸層。 其次’將第2電洞注入傳輸層以二甲苯洗條處理後，將 聚第之二甲苯溶液(1.2重量％) ’以輥塗法形成厚度6Qnm之膜 加熱板上進行減壓乾燥(14CTC、30分鐘），形成發光層。其次、 此=基板_於蒸鍍裝置之固定器上，使_舟將氟化鐘以基 鍍速度0.2nm/Sec蒸鍍成〇.5nm厚度後，使用鎢舟將鋁加熱，以蒸 鍍速度2.0nm/sec蒸鍍形成100nm厚度鋁層完成陰極。如此得’、 之有機電致發光元件具有2mm X 2mm尺寸之發光面積部分。於 此有機電致發光元件，以IT0為陽極，LiF/Al為陰極，外加直汗 電壓，透過玻璃基板觀察發光。發光亮度以T〇pc〇n輝度 m 測定。 〇 外加直流電壓於製得之有機電致發光元件，在乾燥環境下， 110 200902592 以10m^/cm2之定電流密度連續驅動。初期確認5 6v、發光亮度 160cd/m2之藍色發光。由初期發光亮度5〇〇cd/m2經2〇〇小時連續 驅動，其亮度減低率為26%。結果示如表24。 [實施例180]〜[實施例210] 於實施例179形成第2電洞注入傳輸層時，使用實施例4、6、 8、10、12、14、18、27、29、31、33、35、37、39、41、43、45、 47、49、51、53、55、57、59、61、63、65、67、69、71、73 所 得高分子化合物以代替實施例2所得高分子化合物，並依實施例 179記載之操作製作有機電致發光元件。並與實施例179相同，外 加直流電壓於該元件，測定該元件特性，結果示如表24。 [比較例D - 1] 於貫施例179形成第2電洞注入傳輸層時，使用前述 ADS259BE式(14)以代替實施例2所得高分子化合物，並依實施例 Π9記載之操作製作有機電致發光元件。並與實施例179相同，外 加直流電壓於該元件，測定該元件特性，結果示如表24。 [比較例D - 2] [化Π] 於實施例179形成第2電洞注入傳輸層時，使用日本特開 2〇06 -雙24號公報記載之由前述式⑽表示之錢單位所構成 尚分子化合物喊替實關2所得高分子化合物，魏實施例179 記載之操作製作有機f致發光元件。並與實施例179相同，外加 直流電壓於该元件，測定該元件特性，結果示如表％。

111 200902592 [表 24] 有機電致發 光元件 第2電洞注入傳輸層 發光亮度 (cd/m2) 電壓(V) 亮度減 低率(％) 實施例179 實施例2記載之化合物 160 5.6 26 實施例180 實施例4記載之化合物 168 5.4 22 實施例181 實施例6記載之化合物 149 5.9 19 實施例182 實施例8記載之化合物 153 5.5 24 實施例183 實施例10記載之化合物 152 5.7 20 實施例184 實施例12記載之化合物 163 5.3 27 實施例185 實施例14記載之化合物 169 5.0 24 實施例186 實施例18記載之化合物 165 5.3 17 實施例187 實施例27記載之化合物 166 5.5 18 實施例188 實施例29記載之化合物 170 5.1 22 實施例189 實施例31記載之化合物 142 5.7 26 實施例190 實施例33記載之化合物 157 5.6 22 實施例191 實施例35記載之化合物 158 5.3 24 實施例192 實施例37記載之化合物 162 5.6 29 實施例193 實施例39記載之化合物 173 4.9 20 實施例194 實施例41記載之化合物 175 5.6 28 實施例195 實施例43記載之化合物 138 5.6 20 實施例196 實施例45記載之化合物 143 5.8 24 實施例197 實施例47記載之化合物 129 5.7 22 實施例198 實施例49記載之化合物 135 5.5 19 實施例199 實施例51記載之化合物 158 5.6 25 112 200902592

[實施例211] 將具有厚度l5〇nm、縣了義之ΙΤ〇透 (舰成膜品、_即），依序使朴_^=璃基板 deaiKFuruuchi化學公司製）、超純水、丙酮 蘇後，以，，乾燥，_再用紫外線臭氧洗 /斤r付含％基之局分子化合物之甲醇溶液(2.0重量％)，以輥 塗法形成厚度65nm之膜，在加熱板上進行減 :， tiil1電酿人傳輸層。其次，將實施例2所得含續基^ 熱板上、氣氣環境下進行加熱處理(⑽。c 二 成第2電洞注入傳輸層。 』f)形 其次’將第2電洞注入傳輸層以二，苯洗蘇處理後，將上述 113 200902592 聚第之二曱笨溶液(12重量％)，以輥塗法形成厚度6〇nm之膜，在 加熱板上進行減壓乾燥^牝力、3〇分鐘），形成發光層。其次，將 此，璃基板固定於蒸鍍裝置之固定器上，在發光層上，使用鉬舟 將氟化鐘(LiF)以蒸鑛速度〇.2nm/sec蒸鍍成〇.5nm厚度後，使用鶴 舟將鋁(A1)加熱’以蒸鍍速度2.0nm/sec蒸鍍形成l〇〇nm厚度鋁層 完成陰極。如此製得之有機電致發光元件具有2mm X 2mm尺寸 之發光面積部分。於此有機電致發光元件，以IT〇為陽極，UF/A1 為陰極，外加直流電壓，透過玻璃基板觀察發光。發光亮度以 Topcon輝度計BM - 8測定。 外加直，電壓於製得之有機電致發光元件，在乾燥環境下， 以lOmA/cm2之定電流密度連續驅動。初期確認5 4V、發光亮度 160cd/m2之藍色發光。由初期發光亮度5〇〇〇(1/1112經2〇〇小時連續 驅動’其亮度減低率為26%。結果示如表25。 [實施例212]〜[實施例242] 於實施例211形成電洞注入傳輸層時，使用實施例4、6、8、 10、12、14、18、27、29、3卜 33、35、37、39、4卜 43、45、 47、49、51、53、55、57、59、61、63、65、67、69、71、73 所 得高分子化，物以代替實施例2所得高分子化合物，並依實施例 211記載之操作製作有機電致發光元件。並與實施例21丨相同，外 加直流電壓於該元件，測定該元件特性，結果示如表25。 [表 25] 有機電致發 光元件 第2電洞注入傳輸層 發i亮 度 (cd/m2) 電壓(V) 亮度減 低率(％) 實施例211 實施例2記載之化合物 — 160 5.4 26 實施例212 實施例4記载之化合物 152 5.7 23 實施例213 實施例6記載之化合物 T59 5.1 18 實施例214 實施例8記載之化合物 ------ 149 5.4 19 114 200902592 實施例215 實施例10記載之化合物 162 5.2 24 實施例216 實施例12記載之化合物 157 5.7 20 實施例217 實施例14記載之化合物 144 4.9 27 實施例218 實施例18記載之化合物 173 5.0 23 實施例219 實施例27記載之化合物 139 5.4 29 實施例220 實施例29記載之化合物 153 5.3 21 實施例221 實施例31記載之化合物 157 5.6 24 實施例222 實施例33記載之化合物 153 5.1 24 實施例223 實施例35記載之化合物 165 5.3 26 實施例224 實施例37記載之化合物 149 5.7 28 實施例225 實施例39記載之化合物 154 5.7 24 實施例226 實施例41記載之化合物 159 5.2 20 實施例227 實施例43記載之化合物 152 5.1 28 實施例228 實施例45記載之化合物 148 5.3 21 實施例229 實施例47記載之化合物 161 5.5 24 實施例230 實施例49記載之化合物 151 5.5 24 實施例231 實施例51記載之化合物 150 5.1 28 實施例232 實施例53記載之化合物 148 4.9 21 實施例233 實施例55記載之化合物 165 5.3 23 實施例234 實施例57記載之化合物 161 5.5 19 實施例235 實施例59記載之化合物 149 5.3 21 實施例236 實施例61記載之化合物 150 5.7 25 實施例237 實施例63記載之化合物 149 5.9 24 實施例238 實施例65記載之化合物 158 5.6 25 實施例239 實施例67記載之化合物 161 5.1 24 115 200902592 實施例240 實施例241 ~~ 實施例69記载之化合物 實施例 ~~ Ίμ^ 153—' ~S2 ~ ~T\ — '20~~- 實施例242 -------—-- 實施例73記載之化合物 ------- 149 ~~~~ ------- 13 ' "2Γ— 由表23〜表25之結果可知，使用本發明之 及t ϋ高分子化合物於電洞注入傳輸材料^本 件壽命亦優異。 且儿度減低率小、元 源各種么光元件、顯示元件、標識、感測器。 【圖式簡單說明】 方式明r及優點’可由下述適合之實施 [圖1]有機電致發光元件之一例之剖面概略圖。 [圖2]有機電致發光元件之一例之剖面概略圖。 [圖3]有機電致發光元件之一例之剖面概略圖。 [圖4]有機電致發光元件之一例之剖面概略圖。 [圖5]有機電致發光元件之一例之剖面概略圖。 [圖6]有機電致發光元件之一例之剖面概略圖。 [圖7]有機電致發光元件之一例之剖面概略圖。 [圖8]有機電致發光元件之一例之剖面概略圖。 【主要元件符號說明】 1基板 2陽極 3電洞注入傳輸層 3a電洞注入傳輸成分 116 200902592 4發光層 4a發光成分 5電子注入傳輸層 5a電子注入成分 5“電洞注入傳輸層 6陰極 7電源

Claims (1)

1. 200902592 十、申請專利範圍： 1. 一種含磺基之高分子化合物’其特徵為對於在高分子鏈中具 有至少1個一般式(1): 一般式(1)

   (式中’Z1〜Z4表示取代基;pi、p2為〇〜5之整數，P3、P4為 0〜4之整數;Ari與Ar2表示被取代或未被取代之1價芳族基，γ 表示'價縮合多環芳族基、或以伸烧基或單鍵連結之2價芳族基; t’Ar1與Ar2表示之1價芳族基上之取代基剔除胺基)表示之重複 單位之高分子化合物導入磺基而成之結構。 一 j·、如申請專利範圍第1項之含續基之高分子化合物，其中，於 二般式(1)中，以γ表示之基為選自一般式(a l)〜(a_9)及(b l) 贫(上Α4)中之任一個基’且Arl、、Υ、及與嗔吩環鍵結之4個 本裱中至少1個被續基取代： 一般式(a - 1)〜(a-9) 118 200902592

   (式中，一X_為擇自於由一Ο---S---CO---so-、 -S〇2---SiH2---SiMe2 —所構成群組中之基，Ral〜Ra3表示 氫原子、烷基、或芳族基）； 一般式(b- 1)〜(b-4)

   (b-1) (b-2)

   Μ 119 200902592 j式中，Rbl及Rb2表示碳原子數2以上之烷基或芳族基，Rb：3 〜R表示氫原子、炫基或芳族基，Rbl及Rb2、Rb3及Rb4、Rb5及 Rb6、Rb7及Rb8可互相鍵結成環;k2〜k4、η〜ί3、」丨〜^表示 之整數）。 3·如申請專利範圍第1或2項之含磺基之高分子化合物，立 中，該pi〜P4之至少1個為丨以上之整數，該ζι〜ζ4可彼此相同 或相異，分別為由擇自於羧基、羥基、胺基、一取代基、一 代胺基、及一般式(la)〜(3a) 妝土一取 (la) (2a) ~(°)l —D ~〇(C = 〇)-D ~(C = 〇)〇-d (3a) (，中，D表示未被取代或被取代之直鏈狀、支鏈狀或環狀破 ^子數1〜8之烷基、未被取代或被取代之碳原子數4〜12之i價 芳族基、未被取代或被取代之碳原子數7〜20之芳烷基，l為〇、 或1) 句 表示之基所構成群組中之基。 4.如申請專利範圍第！或2項之含石黃基之高 中，該pi〜P4各為〇。 口奶八 5·—種有機電場發光元件材料，係由申請專利範圍〜4 中任一項之含磺基之高分子化合物構成。 、 笛】6.Γί5機電致發光树材料，其特徵為能夠將申請專利範圍 態使^項巾任—項之麵基之高奸化合物溶解於麵溶劑之狀 7. 如申請專利範圍第6項之有機電致發光元件 苴 有機溶劑為極性溶劑。 7 忒 8. -種有機電致發光元件，其特徵為在i對電極間 層含有至少1種申請專利範圍第丨〜4項中任一 分子化合物之層所構成。 9. 如申請專利範圍第8項之有機電致發光元件，其巾，含有申 120 200902592 為電 項中任一項之含續基之高分子化合物之層 10. 如申請專利範圍第9項之有機電致發光 荷注入傳輸層為電洞注入傳輸層。 八干’該電 11. 如申請專利範圍第10項之有機電致 具備2層該電洞注入傳輸層。 九疋件其中’至少 12. —種高分子化合物，係在高分子鏈中且 (1)表示之重複單位： /、有至夕1個一般式 一般式⑴ ★

   ⑴ (式fZ〜Z表示取代基;Pl、p2為〇〜5 〇〜4之整數;Ar1與Ar2表示被取代或未被取代之其P4為 表示21賈縮合多環芳族基、或以伸淀基或單$ 1口基心二 但，Ar與Ar表示之丨價芳族基上貝方族基; Π.-種有機瓣光元件材料，係由 項之高分子化合物組成。 蝴划甲明寻利乾圍第12 14.一種有機電致發光元件材料，复 範圍ί 請專利 少！層含有至少i種如^專利^特徵·^1，極間，夾持至 所構成。 12項之高分子化合物之層 該高輸件，其中，含有 Π.如申請細_ 16項之^電致發光元件，其中，該電 121 荷注入傳輸層為電 項之有機電致 發光元件，其中，至少 18·如申請衷各卜/入傳輪層 具備2層該電if1圏第I7 19, d層元 “之含:基之層心 夕1層含有至少1種如申請專利範圍第I2項之高分子化合物之層 所構成。 圖式： 122