TW200901531A - Process for making contained layers - Google Patents

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200901531 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 概言之，本發明係關於—種製造經圍包層之方法。 而。°玄等層可用於電子器件中。本發明另外係關於藉 該方法製得之器件。 、由 * 本申請案主張於2007年5月18曰申請之美國臨時申請 、 請/938,794號在35 U_S.C. § 119⑷下之權利，該案= 以引用方式併入本文中。 / 【先前技術】 利用有機活性材料之電子器件存在於衆多不同種類之電 子設備中。在該等器件中，有機活性層炎於兩電極之間。 一種類型之電子器件係有機發光二極體（OLED)。由於 OLED具有高功率轉換效率及低處理成本，因此在顯示器 應用中有前途。該等顯示器尤其有希望用於由電池供電的 可攜式電子器件，包括行動電話、個人數位助理、手持式 广 個人電腦及DVD播放器。該等應用除要求顯示器耗電量低 1 夕卜’亦要求其具有高資訊含量、全彩色及快速視訊速率響 應時間。 在全色OLED製造中，者诰m *月丨J研九係針對研發製造彩色像 素之成本效率、高生產詈方、、土 里万法為藉由液體處理製造單色 顯示器，已廣泛採用旋塗製程（參見例如β_及

Alan J. Heeger，AppKPhys Letters58, i982 (_))。然 而，全色顯示器之製造需要對制 π 而晋對製造早色顯示器所用程序進 行某些修改。舉例而言，為使顯 1文顯不斋具有全色圖像，將每 131555.doc 200901531 個顯示器像素分成三個子像素，每一子像素發射三種顯示 原色（紅色、綠色及藍色）之—。將全色像素分成三個子像 素導致需要修改目前方法以防止液體著色材料(即，油墨) 擴展及顏色混合。 文獻中已闌述若干提供油墨圍包之方法。該等方法基於 圍包結構、表面張力不連續性及二者之組合。圍包社構係 針對擴展之幾何阻擋物：像素井、堤等。為具有有效性， 該等結構必須具有與所沈積材料之濕厚度相當之較大尺 ^當將發光油墨印刷至該等結構中時，由於其潤濕結構 表面’因此靠近結構之厚度均勾性降低。因此，必須將結 構移出發射”像素·，區域以便在作業中使不均勻性不可見° 由於顯示器(尤其高解析度顯示器)上之空間有限，此減少 像素之有效發射區。當沈積電荷注入及傳輸層之連續層 時，實際圍包結構通常對品質具有負面影響。因此， 層必須皆經印刷。 =，當存在低表面張力材料之印刷或氣體沈積區域時 像音F Γ張力不連續性。該等低表面張力材料通常必須在 、品印刷或塗佈第—有機活性層 發光層時，該等處理之使用影響品質 有層必須皆經印刷。 吓 辛井、H圍包技術之組合之—實例係光阻劑堤結構（像 素井通道）之cf4-電澉處理。一般而言， 須皆印刷於像㈣。 …性層必 所有該等圍包方法皆具有妨礙連續塗佈之缺點。業内需 I3I555.doc 200901531 要一或多層之連續塗佈，此乃因其可獲得較高產率及較低 設備成本。因此，業内需要形成電子器件之經改良方法。 【發明内容】 本發明提供一種在第一層上形成經圍包第二層之方法， 其包括以下步驟： 形成具有第一表面能及第—玻璃轉化溫度之第一層； 在第一層上且與第一層直接接觸地凝結中間材料以形 成中間層，該甲間層具有低於第一表面能之第二表面 能； 使中間層圖案化以形成第—層之未覆蓋區及第 覆蓋區；及 在第一層之未覆蓋區上形成經圍包第二層。 本發明亦提供製造有機電子器件之方法，該有機電子器 件包括定位於電極上之第—有 ° ^ ，機活性層及第二有機活性 層，該方法包括·· 在電極上形成具有第一表面能及第一玻璃轉化 第一有機活性層； 在第一有機活性層上且鱼兮 M古 料以m 層直接接觸地凝結中間材 枓以形成中間層，马_ φ μ ^ 表面能丨 此 < 弟— 使中間層圖案化以一 第一右地、^ 弟有機活性層之未覆蓋區及 第有機活性層之覆蓋區；及 及 在第一有機活性層之去# $ 增<禾復盍區上形成經圊句笙一 活性層。 ^观、！固包弟一有機 131555.doc 200901531 二亡概述及以下詳細閣述僅出於例示及說明之目 、：明，如隨附申請專利範圍中所定義。 【實施方式】 本發明提供在第—厗卜彡 法包括： 弟層上形成經圍包第二層之方法，該方 4,、有第一表面能及第一破璃轉化溫度之第—層； :第一層上且與第一層直接接觸地凝結中間材料 r 亥中間層具有低於第—表面能之第 能； 衣面 使中間層圖案化以形成第—層之未覆蓋區 覆蓋區；及 # t 在第層之未覆蓋區上形成經圍包第二層。 上文已闡述多個態樣及實施例且其僅係出於例示而非限 制之目的。閱讀本說明書後，熟習該項技術者應瞭解在不 背離本發明料之條件τ可存在其他態樣及實施例。 由以下詳細說明及由中請專利範圍可明瞭任何—或多個 實施例之其他特徵及優點。詳細說明首先著重於術語之定 義及說明、隨後係凝結步驟、材料、方法、有機電子器件 且最後為實例。 1.術語之定義及闞釋 在詳細說明下文所述實施例之前，定義或閣釋某些術 語。 當術語”活性”係指層或材料時，其欲意指表現電子或電 _射性質之層或材料。在電子器件中’活性材料以電子方 131555.doc 200901531 =入器件傳之活性材料之實例包括(但不_ 電洞)及發射輕射或當受到輕射時表現電 之材枓。非活性材料之實例包括(但不限於)平面化材 '斗、絕緣材料及環境障壁材料。 室:其任一動詞形式欲意指一製程，其中使在 二：固體或液體之材料轉化為氣體且使其沈積於基材 上，或使基材上之材料凝結而形成層。 超出：：，：圍包係、指層時，其欲意指該層並未擴展明顯 2斤沈積區。層可藉由表面能效應或表面能效應與物 理障壁結構之組合來圍包。 術語，，電極”欲意指經構造以在電子組件内傳輪載流子之 膜或結構。舉例而言，電極可為陽極、陰極、電容器電 極、閘電極等。電極可包括電晶體、電容器、電阻器、感 應器、二極體、電子組件、電源或其任何組合之部分。 、術語|，有機電子器件”欲意指包括一或多個有機導體或半 導體層或材料之器件。有機電子器件包括(但不限於)：⑴ 將電能轉化成輻射之器件（例如，發光二極體、發光二極 體顯示器、二極體雷射或照明板），(2)使用電子方法檢測 信號之器件（例如，光檢測器、光導電池、光敏電阻器、 光電開關、光電晶體管、光電管、紅外（"IR")檢測器或生 物感測器），（3)將輻射轉化成電能之器件（例如光電伏打器 件或太陽能電池），（4)包括一或多個包括一或多個有機半 導體層之電子組件之器件（例如，電晶體或二極體）或（1)至 131555.doc 200901531 (4)項中器件之任一組合。 虽術居iL化"係指有機化合物時，其欲意指該化合物中 一或多個氫原子由氟替代。該術語涵蓋部分及全部氟化之 材料。 術語"輕射”㈣UU物diation)意指以任何形式增加能 董’其包括任何形式之加熱、整個電磁波譜或亞原子粒 子，無論該輻射呈射線、波或粒子形式。 術語”反應性表面活性組合物，，欲意指包含至少一種幸昌射 敏感材料之組合物，且當將組合物施加於層時，該層之表 面月b降低。將反應性表面活性組合物曝露於輕射使得組合 物之至少一種物理性質發生改變。術語縮寫為"RSA"，且 係指曝露於輻射之前及之後之組合物。 田術居輪射敏感”係指材料時，其欲意指曝露於輕射可 導致材料之至少一種化學、物理或電性質發生改變。 術語”表面能"係自材料產生單位表面積所需能量。表面 能之特性在於具有既定表面能之液體材料不能潤濕具有更 低表面能之表面。 術語"層"與術語"薄臈"可互換使用且係指覆蓋期望區之 塗層。該術語並不受限於尺寸。區可與整個器件一般大或 與諸如真實視覺顯示器等具體功能區、或與單—子像素一 般小。層及薄膜可藉由任何習知沈積技術來形成，包括氣 體沈積、液體沈積(連續及不連續技術)、及熱轉移。 術語"液體組合物"欲意指材料溶於其中而形成溶液之液 體介質、材料分散於其中而形成分散液之液體介質、或材 131555.doc 200901531 '二二中而形成懸浮液或乳液之液體介質。"液體介 質 '“曰不添加溶劑或載液即為液體之材料，即，在高 於其凝固溫度之溫度下之材料。 術語"液體圍包結構"欲意指在工件内或工件上之結構， 其中當液體流過工件時此一或多個結構自身或共同發揮在 區或區域内約束或引導液體之主要作用。液體圍包結構可 包括陰極分離器或井結構。 Z語”液體介質，，欲意指液體材料，其包括純液體、液體 組合、溶液、分散液、懸浮液及乳液。在存在—種或多種 溶劑之情況下皆可使用液體介質。 本文所用術5吾在·..上"並非—定意指層、構件或結構與 另層、構件或結構直接相鄰或接觸。可存在額外介入 層、構件或結構。 本文所用術語"包含，’（comprises、comprising)、"包括" (includes、including)、” 具有 ”(has、或其任何其它 變形均意欲涵蓋非排他性"包括"。舉例而言，包含一系列 要素之製程、方法、物件或裝置未必僅限於該等要素，且 可包括未明確列出或該製程、方法、物件或裝置所固有之 其他要素。此外，除非明確說明相反之情形，否則，，或，，係 指包括性"或”且非指排他性，，或，、舉例而言，條件可 藉由任一下述命題來滿足：A為真（或存在）且8為假（或不 存在），A為假（或不存在）且B為真（或存在），及人與3二者 皆為真（或存在）。 同樣，使用”一 "（a或an)用於闡述本文所述之要素或組 131555.doc 12 200901531 件。此僅出於方便之目的及給出本發明範疇之一般意義。 除非該描述明顯指其他情形，否則其應理解為包括一個或 至少一個且單數形式亦包括複數形式。 對應於元素週期表中各行之族編號使用如cm 第 81版（2000-2001)中 所見"New Notation"規範。 除非另外定義，否則本文所用所有技術及科學術語皆具 有與熟習本發明所屬技術者通常所瞭解之含義相同的含 義。儘管與本文所述方法及材料相似或等效之方法及材料 皆可用於實施或測試本發明實施例，但下文描述適宜方法 及材料。除非引用特定段落，否則本文所提及之所有出版 物、專利申請案、專利、及其他參考文獻之全部内容皆係 以引用方式併入本文中。倘若出現衝突，則以本說明書 (包括定義）為準。此外，材料、方法及實例僅出於說明之 目的而非意欲限制本發明。 對於本文未述及之範圍，已習知諸多關於具體材料、處 理方法及電路之細節且可參見關於有機發光二極體顯示 器、光檢測器、光電伏打及半導體構件技術之教科書及其 他來源。 1.凝結步驟 在第一層形成後，藉由凝結方法施加中間材料。凝結步 驟係將中間材料施加至第一層、且具體而言施加至第—二 機活性層之經改良方法。先前利沈積方法包括：液體 塗佈法（例如旋塗或狹縫塗佈）、以溶化物形式來施加、及 131555.doc 13 200901531 板，、、、轉移該專方法可將中間材料運載5笛 之：?丨》6丄 X和王弟一廣 疋孔及自由體積中。

可能不期望容許中間材料滲透至表面層中，原因有多 種：所插人中間材料可影響材料之整體性質，而非僅改二 表面；不存於表面上之中間材料產生圍包圖案之有效性較 差，進入表面層整體之中間材料可能難以移除，此延長產 生有效圍包圖案之處理時間；在隨後製程期間誘陷於敫體 中之：間材料可擴散至表面，此在不期望區影響表面層之 表面能，或改變經印刷材料之化學性質。 田間材料係自溶液或懸浮液沈積時產生其它問題。 液或懸浮液必須具有^夠低之表面張力以塗佈表面層 由此將其虹吸至表面層之孔_，㈣將中間材 碟戰至表面層之孔或自由體積中。 在本文所述方法中，中間材料係藉由凝結製程來施加 ^中間材㈣藉由自氣相凝結來施加，且在氣體凝結期 表面層溫度過高，則中間材料可遷移至表面層之孔或自 體積中。在某些實施射’使第—層之溫度維持在第一 之破璃轉化溫度或炼化 維持溫度，例如一層= 任何已知技術 將第層置於經流動液體或氣體冷卻之. 面上。 财，在凝結步驟之前將中間材料施加至臨 形成中間材料之均勻塗層。此可藉由任何沈 實=難包括液體沈積、氣體沈積、及熱轉移。在 實中，藉由連續液體沈積技術使中間材料沈積於臨 131555.doc • 14- 200901531 支撐物上。沈積中間材料之液體介質的選擇應取決於中間 ㈣自身之確切性f。在—實施例中，中間材料係氣化材 料且液體介質係氟化液體。氟化液體之實例包括(但不限 =)广氟辛貌、三氟甲苯、六氟二甲笨'及六氟苯。在— 實施例中，材料係藉由旋塗來沈積。 然後將經㈣臨時支㈣用作經加熱㈣歧結步驟中 所用氣體之來源。 3·材料 用於第-層及第二層之材料主要係根據包含其之物件之 既定目標用途來確定。中間層之材料經選擇以提供對第二 層之圍包。此係藉由將中間層之表面能調整至低 : 之表面能來達成。 m -種確^相對表面能之方式係比較給定液體在層上 觸角。本文所用術語”接觸角，，欲意指圖1中所示角度Φ。對 於液體介質之液滴而言，角度”、藉由表 滴外邊緣至該表面之直線之交又來界定。此外，角；2 表面上達到平衡位置後量測，即"靜止接觸角”。 右干商製造了能量測接觸角之設備。

在某些實施例中，第„ * ·Ε_ At α AA 弟表面肊足夠尚以使其可藉由$插 習用溶劑來潤濕。在某歧實精由夕種 烷以不超過40。之接觸角來潤濕。 本基己 中間層具有低於第一表面能之第二表面 例中’藉由笨基己院以至少7〇。之接觸角不：某些實施 層。 之接觸角不能潤濕中間 13I555.doc 200901531 在一實施例中’中間層包含氟化材料。在一實施例中， 中間層包含具有全氟烷基醚基團之材料。在一實施例中， 氟烧基具有2-20個碳原子。在一實施例中，中間層包含氟 化伸烷基主鏈及全氟烷基醚側鏈。

V 在一實施例中’中間層包含氟化酸。在一實施例中，氟 化酸係养聚物。在一實施例中，寡聚物具有氟化浠烴主鏈 及氟化醚磺酸酯、氟化酯磺酸酯、或氟化醚磺醯亞胺側 基。在一實施例中，氟化酸係丨，丨_二氟乙烯與2_(丨，丨_二氟_ 2-(二氟甲基）烯丙氧基）_1，丨，2,2-四氟乙烷磺酸之寡聚物。 在一實施例中，氟化酸係乙烯與2_(2_(1，2,2_三氟乙烯氧 基）-1，1，2,3,3,3-六氟丙氧基四氟乙烷磺酸之募聚 物。可將該等寡聚物製備為對應磺醯氟化物寡聚物且然後 可將其轉化為磺酸形式，在一實施例中，氟化酸聚合物係 氟化及部分磺酸化之聚（亞芳基醚砜）之寡聚物。 a ·反應性表面活性組合物 在一實施例中，中間材料包含反應性表面活性組合物。 反應性表面活性組合物（”RSA")係輻射敏感組合物。當曝 路於輻射時，RSA之至少一種物理性質及/或化學性質改變 以使可在物理上區分曝露區與未曝露區。利用rsa處理可 降低所處理材料之表面能。 在一實施例中，rSa係輻射可硬化組合物。在此情況 下田曝露於輻射時，RSA於液體介質中之溶解性或可分 散性變強’黏性變弱、柔軟度降低、流動性降低、可移除 眭降低或可吸收性降低。其他物理性質亦受影響。 131555.doc 16 200901531 在一實施例t，RSA係輻射可軟化組合物。在此情況 下’當曝露於輻射時，RSA於液體介質中之溶解性或可分 散性變弱，黏性變強、柔軟度升高、流動性升高、可移除 性升高或可吸收性升高。其他物理性質亦受影響。 輕射可為引起RSA物理改變之任何類型轄射。在—實施 例中’輻射係選自紅外輻射、可見輻射、紫外輻射、及豆 組合。 八 r-

K 隐曝露於輻射之區與未曝露於㈣之區之間的物理區 ，(在下文中稱為”顯影")可藉由任何習知技術來實施。該 荨技術已廣泛用於光阻技術中。顯影技術之實例包括（但 不限於)用液體介質處理、用吸收劑材料處理、用黏性材 料處理及諸如此類。 在-實施例中，RSA主要由一或多種輕射敏感材料構 成。在一實施例中，Rs g ^ RSA主要由一種材料構成，該材料在 曝路於幸虽射中時變石费、$ 或於液體"質中之溶解性、可溶脹 ，生或可分散性降低、或黏性或可吸收性降低。在一實施例 中’ RSA主要由具有輕 團之實例叫不π::合基團之材料構成。該等基 ^烯丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯 及乙稀基峻。在一會斤士丨上 可引起實知例中，RSA材料具有兩種或更多種 基團。在-實施例中，—- 中之溶解性、可溶脹^露於輪射中時變軟、或於液體介質 收性升高。在—實^ 、或可分散性升高、或黏性或可吸 成，該聚合物在曝露丄中’說主要由至少一種聚合物構 —於波長介於200-365 nm範圍内之Uv輕 131555.doc 200901531 經受該降解之聚合物之實例包括 聚甲基丙烯酸酯、聚酮、聚碾、

射中時經受主鏈降解。 (但不限於）聚丙烯酸酯 其共聚物及其混合物。 在-實施例中，RSA主要由至少一種反應性材料及至少 -種轄射敏感材料構成。當轄射敏感材料曝露於轄射時生 成引發反應性材料反應之活性物f。㈣敏感材料之實例 包括（但不限於）產生自由基、酸或其組合者之彼等。在一 實施例中，反應性材料係可聚合或可交聯。材料聚合反應 或交聯反應係藉由活性物質引發或催化。以Rsa之總重量 計，輻射敏感材料通常以自0.001%至10 0%之量存在。 在-實施例中’ RSA主要由一種材料構成，該材料在曝 露於輻射中時變硬、或於液體介質中之溶解性、可溶脹性 或可分散性降低、或黏性或可吸收性降低。在一實施例 中，反應性材料係乙烯系不飽和化合物且輻射敏感材料產 生自由基。乙烯系不飽和化合物包括（但不限於）丙烯酸 Ss、甲基丙烯酸酯、乙埽基化合物、及其組合。可使用產 生自由基之任何習知種類的輻射敏感材料。產生自由基之 輻射敏感材料之實例包括（但不限於）醌、二苯甲酮、安息 香醚、芳基酮、過氧化物、二咪唑、苄基二曱基縮酮、羥 基烷基苯基苯乙酮、二烷氧基苯乙酮、三甲基苯甲醯基氧 化膦衍生物、胺基酮、苯甲醯基環己醇、甲硫基苯基嗎啉 基_、嗎啉基苯基胺基酮、α)|代苯乙酮、氧基磺醯基 酮、增醯基酮、本甲醯基两酯、嘆嘲嗣、樟腦酿、香豆素 酮、及Michler酮。或者，輻射敏感材料可為化合物之混合 131555.doc -18· 200901531 物’其中之一在受藉由輕射活化之敏化劑敏化時可提供自 由基在實施例中，輻射敏感材料對可見輻射或紫外韓 射敏感。 在一實施例中，RSA係具有—或多種可交聯基團之化合 物。可交聯基團可具有含雙鍵、三鍵、能原位形成雙鍵之 前體、或雜環加成可聚合基團之部分。可交聯基團之某些 實例包括苯并環丁燒、疊氮化物、環氧乙烧、二（烴基）胺 基、氰酸醋、經基、縮水甘油越、丙稀酸〇_1〇院基醋、 甲基丙缚酸C1-職基酿、烯基、稀氧基、块基、馬來醯 亞胺、降冰片稀二甲酸野、三(C1，烷基f石夕烷氧基、三 ⑹-4)院基甲料基、及其鹵代衍生物。在—實施例中， 可交聯基團係選自由以下各者組成之群：乙烯基节基、 對-乙四烯基苯基、全氣乙烯基、全氟乙稀基氧基、苯土并_ 3,4-% 丁小基、及對_(苯并_3,4_環丁 _卜基）苯基。 在一實施例中，反應性材料可經受由酸引發之聚人，且 轄射敏感材料產生酸。該等反應性材料之實例包二但不 限於）環氧樹脂。產生酸之輕射敏感材料之實例包括（但不 限於）硫鏽及碘鏘鹽，例如六氟磷酸二苯基碘鑷。 在-實施例中’ RSA主要由一材料構成 |5 6. ,+, ni ^ , 材枓在曝露 、田射中m、或於液體介質中之溶解性、 或可分散性升高、或黏性或可吸收性升高。在二實施你 中，反應性材料係盼搭樹脂且輕射敏感材料係 例 同樣可使用業内習知之其他輻射敏感系統。、 在—實施例中，RSA包含氣化材料。在1施例中， 131555.doc 19 200901531 RSA包含具有一或多個氟烷基基團之不飽和材料。在一實 施例中，氟烧基基團具有2-20個碳原子。在一實施例中， RS A係氟化丙烯酸酯、氟化酯或氟化烯烴單體。可用作 RSA材料之市售材料之實例包括（但不限於）z〇nyl® 8857A(可自 Ε· I. du Pont de Nemours and Company (Wilmington，DE)購得之氟化不飽和酯單體）及可自sigma_ Aldrich有限公司（St. Louis, MO)購得之丙稀酸 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-: + -1 十二烷基酯（h2ochco2ch2ch2(cf2)9cf3)。 在一實施例中，RS A係氟化大分子單體。本文所用術語 "大分子單體"係指具有一或多個封端或懸掛於鏈之反應性 基團之募聚材料。在某些實施例中，大分子單體之分子量 為2000或更低。在某些實施例中，大分子單體之主鏈包括 醚區段及及全氟醚區段。在某些實施例中，大分子單體之 主鏈包括烧基區段及全氟烧基區段。在某些實施例中，大 分子單體之主鏈包括部分氟化之烷基或部分氟化之醚區 段。在某些實施例中，大分子單體具有一或兩個封端可聚 合或可交聯基團。 在一實施例中，RSA係具有可裂解側鏈之寡聚物或聚合 物材料，其中具有該等側鏈之材料形成表面能與不具有該 等側鏈之材料不同之薄膜。在一實施例中，rsa具有未經 氣化主鏈及部分氟化或全部氟化之側鏈。具有該等側鍵之 RSA將形成表面能較由不具有料側鏈之說所製成之薄 膜為低之薄膜。因此’可將Rs A施加於第一層、根據圖案 131555.doc •20- 200901531 曝，射以使側鏈裂解、且顯影以移除側鏈。此獲得在 曝露於轄射且其中已移除側鏈之區中具有較高表面能、且 在其中保留側鏈之未曝露區中具有較低表面能之圖案。在 某些實施例中，側鏈係以熱方式揮發且係藉由加熱（如使 用紅外雷射）裂解。在此情況下’顯影可與在紅外轉射中 曝露：時實施。或者，顯影可藉由施加真空或用溶劑處理 來實知。在某些實施例中，側鏈可藉由曝露於輻射中 來裂解。如同上述紅外系統，顯影可與曝露於輻射同時實 施、或藉由施加真空或用溶劑處理來實施。 在—實施例中，RSA包含具有反應性基團及第二類官能 團之材料可存在第一類S能團以改變RSA之物理處理性 質或光物理性質。改變處理性質之基團之實例包括增塑基 團，例如環氧烷基團。改變光物理性質之基團之實例包括 電荷傳輸基團，例如咔唑、三芳基胺基、或噁二唑基團。 在一實施例中’當RS A曝露於輻射時其與基底區反應。 此反應之確切機制可取決於所用材料。曝露於輻射後，藉 由適宜顯影處理移除未曝露區中之rSA。在某些實施例 中，僅移除未曝露區中之RS A。在某些實施例中，同樣部 分移除曝露區中之RSA，此在該等區中留下較薄層。在某 些實施例中，曝露區中保留之RSA厚度小於50 A。在某些 實施例中，曝露區中所保留RSA之厚度實質上係單層。 4.製程 在本文所提供製程中，形成第一層，在第一層上凝結中 間層，使中間層圖案化，且在經圖案化中間層及第一層上 131555.doc -21 - 200901531 形成第二層。 在-實施例巾，第-層係基材。基材可為無機物或有機 物。基材之實例包括（但不限於）玻璃、陶瓷及聚合物薄 膜，例如聚酯及聚醯亞胺薄膜。 在一實施例中，第-層係電極。電極可係未經圖案化或 經圖案化。在一實施例中，電極係以平行線圖案化。電極 可位於基材上。 在一實施例中，第一層係沈積於基材上。第一層可係經 圖案化或未經圖案化。在一實施例中，第一層係電子器件 中之有機活性層。 第一層可藉由任何沈積技術來形成，包括氣體沈積技 術、液體沈積技術及熱轉移技術。在一實施例中，第一層 係藉由液體沈積技術沈積’隨後乾燥之。在此情況下，使 第一材料溶解或分散於液體介質中。液體沈積方法可為連 續或不連續方法。連續液體沈積技術包括（但不限於）旋 塗、滚筒塗佈、幕塗、浸塗、狹縫模具式塗佈、噴塗及連 續喷嘴塗佈。不連續液體沈積技術包括（但不限於）喷墨印 刷、凹版印刷、柔性版印刷及絲網印刷。在一實施例中， 第一層係藉由連續液體沈積技術沈積。乾燥步驟可在室溫 或高溫下實施，只要不損壞該第一材料及任何基底材料即 〇 中間層係在第一層上且與第一層直接接觸地形成。在某 些實施例中’實質上所有第一層皆經中間層覆蓋。在某些 實施例中’使目標活性區外之邊緣及區域保持未經覆蓋。 131555.doc -22- 200901531 包括氣體沈積技術、液 可藉由上述凝結製程來 中間層可藉由任何沈積技術形成， 體沈積技m熱轉移技#。中間層 形成。 中:層之厚度可取決於材料之最終目 :中’，間層之厚度為至少一在某些實施 中間層係介於10(M000入之 2Q⑽A。 在某些實把例中為1000·

然後，處理中間層以移除所 間材料之圖案。 選部分而在第一層上形成中

、在一實⑯例中’使用光阻技術來移除中間層之所選部 刀光阻技術之使用係為業内所熟知。使光敏材料（光阻 劑)沈積於中間層之整個表面上。根據圖案使光阻劑曝露 於活化輻射中。然後使光阻劑顯影以移除經曝露或未經曝 露部分。在某些實施例中’ #由用溶劑處理來實施顯影以 移除岭解I·生、可〉谷脹性、或可分散性更強之光阻區。移除 光阻區後’此可導致未經覆蓋之中間層區。然後，藉由受 控姓刻步驟移除該等中間層區。在某些實施例中，可藉由 使用可移除中間層但不移除第一基底層之溶劑來實施蝕 刻。在某些實施例中，可藉由使用電漿處理來實施蝕刻。 然後通常藉由用溶劑處理來移除殘留光阻劑。 在實施例中，藉由根據圖案用輻射處理來移除中間層 之所選4刀。術gf ”輕射”（radiating/radiation)欲意指以任 何形式增加能量，其包括任何形式之熱、整個電磁波譜、 或亞原子粒子’無論該輻射係呈射線、波或粒子形式。在 131555.doc -23· 200901531 中’中間層包含熱揮發材料且藉由用紅外轄射處 1 來移除部分。在某些實施例中’紅外輕射係藉由雷射來 露於圖Γ卜二極體雷射係為人所熟知且可用於使中間層曝 移二中。在一實施例中，可藉由曝露於UV輻射中來 移除中間層之部分。 八在f施例中’藉由雷射燒蝕來移除中間層之所選部 刀°在—實施例中’使用準分子雷射。 、在-實施例中’藉由乾法蝕刻來移除中間層之所選部 本文所用術語”乾法蚀刻”意指使用氣體實施之㈣卜 虫刻可使用離子化氣體或不使用離子化氣體來實施。 :實施例中，所用氣體中存在至少一種含氧氣體。實例 人=氣體包括 〇2、COF2、co、〇3、no、N2〇4m D 。亦可使用至少一種含鹵素氣體與至少一 :合。含_素氣體可包括以下氣體中之任一或多種= 孔，、含氯氣體、含溴氣體、或含碘氣體及其混合物。 田中間材料為RSA時，使中間層曝露於輻射中。所用輻 =型應取決於上述RSA之敏感性。可根據圖案來實施曝 2本文所用術語"根據圖案”表示僅使材料或層之所選部 ::露。根據圖案曝露可使用任何習知成像技術來達成。 實包例中，圖案係藉由經由遮罩曝露來達成。在一實 、 ，圖案係藉由利用雷射僅曝露選擇部分來達成。端 ^所用USA之具體化學性質，曝露時間可介於數秒至數分 2間。當使用雷射時，端視雷射之功率，各單獨區可使 紅曝露時間。端視材料之敏感性，曝露步驟可在空氣 131555.doc -24 - 200901531 或惰性氣氛中實施。 在-實施例中，輻射係選自由以下各者組成之群：紫外 輕射（10-390 nm)、可見輻射（390-770 nm)、紅外輻射（〇 7 χ 10·、至3 x 10-3 m)、及其組合，其包括同時及依序處 理。在一實施例中，輻射係熱輻射。在—實施例中，曝露 於輻射係藉由加熱實施。加熱步驟之溫度及持續時間使得 可改變RSA之至少一種物理性質，而不損害發光區之任何 基底層。在一實施例中，加熱溫度低於25〇t：。在一實施 例中’加熱溫度低於150°C。 在一實施例中，根據圖案曝露於輻射後，處理第一層以 移除RS A之曝露或未曝露區域。在光阻技術中已習知根據 圖案曝露於輻射及移除曝露或未曝露區域之處理。 在一實施例中，將RSA曝露於輻射使得RSA在溶劑中之 溶解度或分散度改變。當曝露係根據圖案實施時，隨後可 進行濕顯影處理。處理通常涉及用可溶解、分散或移除一 類區之溶劑洗滌。在一實施例中，根據圖案曝露於輻射使 得RSA之曝露區不溶解化’且用溶劑處理使得移除rsa之 未曝露區。 在一實施例中，將RSA曝露於可見或1;、輻射引起降低曝 露區中RSA之揮發性的反應。此後可實施熱顯影處理。處 理涉及加熱至高於未曝露材料之揮發或昇華溫度且低於使 材料具有熱反應性之溫度的溫度。舉例而言，對於可聚人 單體，應在高於昇華溫度且低於熱聚合溫度之溫度下加熱 材料。應瞭解，熱反應性溫度接近或低於揮發溫度之rsa 131555.doc -25- 200901531 材料可能不能以此方式來顯影。 在一實施例中’將RS A曝露於鉉如成β κ 於知射使得材料之熔化溫 度、軟化溫度或流動溫度發生改备 ι 田根據圖案實施曝露 時，此後可實施幹顯影處理。幹顯 科4 t/處理可包括使元件之 最外表面接觸吸收劑表面以吸收戎 次收次及去較軟部分。此幹顯 影可在尚溫下實施，只要其不會進 曹進步影響初始未曝露區 之性質即可。 圖案化後，經中間層覆蓋之第一層 嘴之Q可具有較未經 RSA覆蓋之區更低之表面能。

然後將弟一層施加至第一層及殘留Φ鬥a L 曰久坟自宁間層上。可藉由任 何沈積技術施加第二層。在一實施例中，第二層係藉由液 體沈積技術來施加。在此情況下，液體組合物包含溶解或 分散於液體介質中之第二材料’將其施加至第一層及殘； 中間層上’且使其乾燥以形成第二層。液體組合物係絰選 擇以具有較中間層之表面能更高、但與未經處理之第—層 之表面能大致相同或較低之表面能。因此，液體組合物; 潤濕未經處理之第一層，但將被排除出經中間材料覆蓋之 區。液體可擴展至中間層區上，但其將去濕潤。 在-實施例中，將第-層施加至液體園包結構上。可期 望使用不足以完全圍包、但仍允許調節經印刷層之厚度均 勻性之結構。在此情況下，可期望控制厚度調節結構2 潤濕’此可提供圍包及均句性二者。目而可期望：夠調： 發光油墨之接觸角。用於圍包之大多數表面處理（例如CF4 電漿）不提供此種程度之控制。 4 131555.doc •26· 200901531 在一實施例中，將第一層施加至所謂堤結構上。堤結構 通常係自光阻劑、有機材料（例如聚醯亞胺）、或無機材料 (氧化物、氮化物及諸如此類）形成。堤結構可用於圍包呈 其液體形式之第一層，防止顏色混合；及/或當第一層自 其液體形式乾燥時用於改良其厚度均勻性；及/或用於使 基底部件免於接觸該液體。該等基底部件可包括導電迹 線、導電迹線間之間隙、薄膜電晶體、電極、及諸如此 類。 在某些實施例中，可期望在堤結構上形成具有不同表面 能之區域以達成兩個或更多個目的（例如，防止顏色混合 :及改良厚度均勾性)。-種方法係提供具有多層之堤結 1且一層皆具有不同表面能。達成此表面能調整之 更具成本有效性之途徑係 自㈣肖於®化R s A之輻射來 此固化輕射之調整可呈能量劑量形式(功率* 露L⑼如 經由模擬不同表面能之光罩圖案來曝 (例如，經由半色調密度遮罩來曝露）。 在本文所提# ^之—冑施財，帛 有機活性層。第—右遍本ω 及第一層白為 層係在第-有機二Τ 在第—電極上形成，中間 性層係在_案化中 化’且第二有機活 在-實施例中，第=機活性層上形成。 體沈積形&，該組合物包：：層：#由液體組合物之液 質。將液體組合物沈積於;一：有上機， 成層。在一實施例令， 然後使其乾燥以形 第—有機活性層係藉由連續液體沈 J31555.doc -27* 200901531 積方法形成。該等方法可達成較高產率及較低設備成本。 4.有機電子器件 根據方法在電子器件中之應用進一步闡述該方法，但其 並不限於該應用。 圖2係實例性電子器件（有機發光二極體（〇LED)顯示 器），其包括至少兩個位於兩個電接觸層間之有機活性 層。電子器件100包括一或多層120及13〇以促進將電洞自 陽極層110注入至光活性層14〇中。一般而言，當存在兩層 %，將毗鄰陽極之層12〇稱為電洞注入層或緩衝層。毗鄰 光活性層之層130稱為電洞傳輸層。可選電子傳輸層15〇係 位於光活性層140與陰極層16〇之間。端視器件1〇〇之應 用，光活性層140可為藉由外施電壓（例如在發光二極體或 發光電化學電池中）激發之發光層、可響應輻射能且在有 或無外施偏置電壓存在之情況下（例如在光檢測器中）產生 信號之材料層。器件並不因系統、驅動方法及利用模式而 受限。 對於多色器件而言，光活性層14〇係由至少三種不同顏 色之不同區構成。不同顏色之區可藉由印刷單獨著色區來 形成。或者’其可藉由形成整體層且用具有不同顏色之發 光材y料摻雜該層之不同區來實施。此一方法已闡述於（例 如）公開之美國專利申請案第2〇〇4_〇〇94768號中。 在實施例中，本文所述新方法可用於將有機層（第二 層加至電極層（第一層）。在—實施例中，帛一層係陽極 1 1 〇 ’且第二層係緩衝層120。 131555.doc •28- 200901531 在某些實施例中，本文所述新方法可用於器件中任何連 續有機㈣，其中將第二層圍包於特定區中。在新方法之 實施例中，第二有機活性層係光活性層140，且第一有 機活性層係在即將施加層140之前施加之器件層。在許多 情況下器件係以陽極層開始構建。當電洞傳輸層13〇存在 時，可在施加光活性層14〇之前，將RSA施用至層。當 層130不存在時，可將RSA處理施用至層12〇。倘若器件^ 以陰極開始構建，則可在施加光活性層刚之前將說 處理施用至電子傳輸層150。 在新方法《實;^例中’第二有機活性層係電洞傳輸層 130，且第一有機活性層係在即將施加層13〇之前施加之器 件層。在器件係以陽極層開始構建之實施例中，可在施加 電洞傳輸層130之前，將RSA處理施用至緩衝層12〇。 在一實施例中，陽極110係以平行條帶圖案形成。緩衝 層120及（視需要）電洞傳輸層13〇係以連續層形式形成於陰 極Π0上^ RSA係以單獨層形式直接施加至層13〇(若存在） 或層120(若層130不存在）上。RSA係根據一圖案曝露以便 曝露出陽極條帶與陽極條帶之外邊緣之間之區。 器件中之層可由任何習知可用於該等層之材料構成。器 件可包括可與陽極層11〇或陰極層15〇相鄰之支撐物或基材 (未顯示）。最通常地，支撐物與陽極層u〇相鄰。支撐物可 為撓性或剛性之有機物或無機物。通常，玻璃或撓性有機 膜可用作支撐物。陽極層110係與陰極層160相比可更有效 地注入電洞之電極。陽極可包括含金屬、混合金屬、合 13J555.doc -29- 200901531

金金屬氧化物或混合氧化物之材料。適宜材料包括第2 族凡素（即Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra)、第1 i族元素、第 及6族元素及第8至i〇族過渡元素之混合氧化物。若陽 ^層no具有透綠’則可使用㈣、13幻4族元素之混 口氧化物，例如銦_錫氧化物。本文所用之短語"混合氧化 物”係指具有選自第2族元素或第12、13或14族^素之兩種 或更多種不同陽離子之氧化物。用於陽極層110之材料的 ^些非限定性具體實例包括（但不限於）銦-錫氧化物 (ΙΤΟ )、鋁-錫氧化物、金、銀、銅及鎳。陽極亦可包含 有機材料’例如聚苯胺、聚噻吩或聚吡咯。 陽極層110可藉由化學或物理氣體沈積製程或旋轉-洗注 製程來形成。化學氣體沈積可作為經電漿增強之化學氣體 沈積（'，PECVD")或金屬彳機化學氣體沈積（"MOCVD")來實 施。物理氣體沈積可包括所有形式之濺射，包括離子束賤 射以及電子束蒸發及電阻蒸發。物理氣體沈積之具體形式 包括rf磁控管濺射及電感轉合電漿物理氣體沈積（"IMP_ PVD")。該等沈積技術在半導體製造業中已為吾人所熟 知。 通节’陽極層110在微 ，不，，一 A…_呆很據 而要而1A可藉由（例如）在施加第一電性接觸層材料之 前將圖案化光罩或光阻劑置於第一撓性複合障壁結構上來 根據圖案形成層。或者，層可作為整體層(亦稱為毯覆、、尤 積）來施加且隨後使用（❹）圖案化光阻層及濕化學或乾法 蝕刻技術來進行圖案化。亦可使用業内熟知之其他圖案化 131555.doc -30· 200901531 製程。當電子器件位於陣列中時，陽極層i 1〇通常形成基 本平行且長度實質上沿同一方向延伸之條帶。 緩衝層120之作用係促進將電洞注入光活性層及使陽極 表面平滑以防止器件短路。緩衝層通常係由經常摻雜有質 子酸之聚合材料形成，例如聚笨胺（pANI)或聚乙烯二氧基 噻吩（PEDOT)。質子酸可為（例如）聚（苯乙烯磺酸）、聚（2_ 丙烯醯胺基-2-甲基-1-丙烷磺酸）、及諸如此類。緩衝層 120可包含電荷轉移化合物及諸如此類，例如銅酞菁及四 硫富瓦烯-四氰基喹諾二甲烷系統（TTF_TCNQ) ^在一實施 例中，緩衝層12〇係由導電聚合物與膠體形成聚合酸之分 散液形成。該等材料已闡述於（例如）公開之美國專利申請 案第 2004-0102577號及第 2004-0127637號中。 缓衝層120可藉由任何沈積技術來施加。在一實施例 中，緩衝層係藉由溶液沈積方法來施加，如上文所述。在 一實施例中，緩衝層係藉由連續溶液沈積方法來施加。 用於可選層130之電洞傳輸材料之實例已由γ. Wang匯總 於（例如）Kirk-〇thmer EnCycl〇pedia of Chemical Techn〇1〇gy (第四版，第18卷，第837-860頁，1996年）中。電洞傳輸分 子及聚合物二者皆可使用。通常所用電洞傳輸分子包括 (但不限於）：4,4，，4"-三（Ν，Ν·二苯基-胺基）_三苯胺 (TDATA) ; 4,4·，4，，-三（Ν-3-曱基苯基_Ν•苯基·胺基）_三苯胺 (MTDATA) ; Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν，-雙（3-甲基苯基 Η1，Γ_ 聯 苯]_4,4’-二胺（TPD) ; 1，1-雙[(二_4_甲苯基胺基）苯基]環己 烷（TAPC) ; Ν，Ν’-雙（4-甲基苯基）_Ν，Ν，_雙（4_乙基苯基）_ 131555.doc -31 · 200901531 Π，1’-(3,3’-二甲基）聯苯]_4,4’-二胺（ETPD);四 _(3_ 甲基苯 基）-队队；^，’2,5-伸苯基二胺（151)八;）；〇1_苯基_4_1(^_二苯 基胺基苯乙烯（tps);對-(二乙胺）苯甲醛二苯基腙（DEH); 三苯胺（TPA);雙[4-(N，N-二乙胺）_2_曱基苯基](4_甲基苯 基）甲烷（MPMP);卜苯基-3-[對-(二乙胺）苯乙烯基]_5_[對_ (二乙胺）苯基比唑啉（PPR或DEASp) ; 1>2•反-雙（9H_〇卡吐· 9-基）％ 丁烷（DCZB) ; N，N，N'，N'-四（4-曱基苯基 苯）_4,4，-二胺（TTB); N，N，_雙（萘基）_N，N，|(苯基’)聯苯 胺(α·ΝΡΒ)…卜啉類化合物，例如銅酞菁。通常所用電 洞傳輸聚合物包括（但不限於）聚乙婦基㈣、（苯基甲基） 聚矽烷、聚(二氧基噻吩)、聚苯胺及聚吡咯。亦可藉： 電洞傳輸分子(例如上述之彼等)摻雜至諸如聚苯乙稀及聚 碳酸醋等聚合物中來獲得電洞傳輸聚合物。在某些實施例 中’電洞傳輪材料包括可交縣聚材料或聚合材料。形成 電洞傳輪層後’用賴射處理材料以實現交聯。在某些實施 例中’輕射係熱賴射。

J31555.doc 料皆可用於光活性層14〇 螢光化合物、螢光與磷光 5物。螢光化合物之實例 紅螢稀、香豆素、其衍生 -32- 200901531 物、及其混合物。金屬錯合物之實例包括（但不限於）金屬 螯合之類喔星化合物，例如三（8-經基喹琳）銘（Alq3);經 環金屬化之銥及鉑電致發光化合物，例如銥與苯基吡咬、 苯基啥淋、或苯基哺咬配位體之錯合物（如petrov等人之美 國專利第6,670,645號及已公開之PCT申請案W0 03/063555 及WO 2004/016710中所揭示），及（例如）已公開之pct申請 案 W0 03/008424 ' W0 03/091688 及 W0 03/040257 中所述 之有機金屬錯合物及其混合物。包含電荷載流主體材料及 金屬錯合物之電致發光層已由Thompson等人闡述於美國專 利第6,303,238號中’且由Burrows及Thompson闡述於已公 開PCT申請案WO 00/70655及WO 01/41512中。共輛聚合物 之實例包括（但不限於）聚（伸苯基伸乙烯基）、聚芴、聚（螺 二芴）、聚噻吩、聚（對伸苯基）、其共聚物及其混合物。 光活性層140可藉由任何沈積技術來施加。在一實施例 中，光活性層係藉由溶液沈積方法來施加，如上文所述。 在一實施例中，光活性層係藉由連續溶液沈積方法來施 加。 了選層150可之作用可為促進電子注入/傳輸且亦可用作 封閉層以防止在層介面處反應中止。更具體而言，層 可促進電子遷移且在層140與16〇原本可直接接觸之情況下 降低反應中止之可能性。用於可選層15〇之材料之實例包 括（但不限於）金屬螯合類喔星化合物（例如，八10或諸如此 類”基於菲咯啉之化合物(例如，2,9_二甲基_4,7_二苯基· uo-菲咯琳（”DDPA”）、4,7_二苯基_1>1〇_菲咯琳（”dpa”）或 131555.doc -33· 200901531 諸：此類)、坐類化合物(例如，2·(4_聯苯基)_5·(4_第三丁 土 =基），3,4惡一嗤（’PBD”或諸如此類）、3_(4_聯苯基）_ 苯基（4帛—丁基苯基三< ^ 類”其他類似化合物；或其任何一或多種之組合”戈 者可選層150可係無機的且可包含Ba〇、w、wo或諸 如此類。 陰極160為對於注人電子或負電荷載流子特別有效之電 /

、K ★陰極層16〇可為任何功函數較第—電接觸層（在此情況 下心陽極層110)為低之金屬或非金屬。在一實施例中，術 ^較低功函數"欲意指材料之功函數不大於約4.4 eV。在 實施例中，較向功函數,，欲意指材料之功函數至少 4.4 eV。 用於陰極層之材料可選自第m驗金屬（例如，

Rb Cs)、第2族金屬（例如，％、Q或諸如此 類)、第12族金屬、鑭系元素(例如，Ce、Sm、Eu或諸如此 類)及锕系元素(例如’ Th、U或諸如此類)。亦可使用諸如 銘、銦、紀等材料及其組合。用於陰極層16〇之材料之非 限制性具體實例包括（但不限於）鎖、鐘、飾、絶、销、 如、紀、鎂' 釤及其合金及組合。 陰極：16〇通常藉由化學或物理氣體沈積製程而形成。 $其它實施例中’有機電子器件中可存在額外層。 當器件係以陽極側開始製造時，可在形成陽極11〇之 後幵/成緩衝層120之後、形成電洞傳輸層13〇之後、或其 任何組合之後沈積本文所述新方法之中間層。當器件係以 131555.doc •34- 200901531 陰極側開始製造時，可在形成 , 战陰極16〇、電子傳輸層150或 其任何組合之纽積本文所述新方法之中間層。 不同層可具有任何適宜厚度。 …機陽極層U0通常不超 過約500 nm，例如大約1〇·2〇〇 屏n〇、s〆々ώ nm，緩衝層120及電洞傳輪 曰〇通吊各自不超過約25Gnm，例如大⑽铺_ 活性層140通常不超過約则⑽，例如大約50-80 nm;可 選層150通常不超過約1〇() n m如X約20-80 nm ;且险 極層160通常不超過約1〇〇 n " 1夕J如大約1-50 nm。若陽極 層U0或陰極層16〇需透過至少部分光線，則該層之厚度不 應超過約1 〇〇 nm。 實例 以下實例將進一步闡述本文所述概念，該等實例並不限 制申請專利範圍中所述之本發明範疇。 實例1 實例1闡述藉由冷卻凝結來施用Rs A中間材料之方法。 將約0.1克RSA(全氟癸基丙烯酸乙酯（Sigma_Aidrich))置 於Petri盤中。將寬至可完全覆蓋petri盤之玻璃薄板置於 Petn盤上。將含有冰水之玻璃容器置於玻璃薄板頂部以將 其冷卻至RSA材料之約50〇C熔點以下溫度。在1 6〇它下將 盤薄板 '及冷卻容器置於熱板上。使Petri盤中之單體蒸 發且之後凝結於玻璃板上形成RSA之固體薄膜。 實例2 此實例闡述方法之另一實施例。 使用圖3所示設備實施以下步驟。 131555.doc -35· 200901531 a) 將存於Vertrel® XF中之約10 mL 0.25%全氟癸基丙稀 酸乙酯（wt/vol)分配至加熱夾盤210上。Vertreo® χρ 係具有式C2H5F丨。之氫氣碳化合物（E. I. du P〇nt de Nemours and Co_, Wilmington，DE)。夾盤係處於環境 溫度下（約22°C) b) 使溶劑蒸發（約1 -2 min)或藉由用N2在溶劑上吹掃來 加速乾燥以形成層220。 c) 將基材230置於真空夾盤240上且開啓真空閥。 d) 將基材降低至緊貼加熱夾盤。 e) 使夾盤210之溫度自環境溫度斜坡上升至約100〇c min)且保持1 min。 f) 使加熱墊冷卻至約50°C，釋放真空閥。 g) 移出具有全氟癸基丙烯酸乙酯塗層之基材230。 實例3 此實施例闡述方法之另一實施例，其中在凝結步驟之前 將中間材料塗佈至臨時支撐物上。 使用圖4中所示設備實施以下步驟。 a) 在叙塗機中以600 RPM用存於全氣辛院中之3%全氣 癸基丙烯酸乙酯（wt/vol)塗佈空白玻璃臨時支撐物 250。此形成用於具有臨時支撐物25〇及全氟癸基丙 烯酸乙酯層260之凝結步驟之來源。 b) 將經塗佈來源250及260置於加熱夹盤210上。爽盤 係處於環境溫度（約22。(：）下 c) 將基材230置於真空夾盤240上且開啓真空閥。 I31555.doc -36- 200901531 d) 將基材230降低至緊貼加熱夾盤21〇。 e) 使加熱夾盤之溫度自環境溫度斜坡上升至1〇〇。〇 (2 min)且保持 1 min。 f) 使加熱墊冷卻至約5〇t，釋放真空閥。 g) 移出具有全氟癸基丙烯酸乙酯塗層之基材。 此實例中之方法產生更均勻薄膜。與實例2中之人工塗 佈相比，可控制經旋塗”來源”使其具有精確厚度及均勻 性。 在上述說明中，參考具體實施例闡述概念。然而，熟習 此項技術者應瞭解，可在不背離如下文申請專利範圍中所 闡明本發明範疇之條件下對其進行各種修改及改變。因 此，應認為說明書及附圖具有闡釋性而非限定性意義，且 所有此等修改皆意欲包括於本發明範疇内。因此，並非需 要-般說明中所述之所有活動，且可實施一或多種除所述 彼等外之活動。另外，所列活動次序未必為其實施次序。 上文已根據具體實施例描述了本發明之優點、其他益處 及解決問題之方案。’然@，優.點、益處及解決問題之方案 及任何可達成任何優點、益處或解決方案或使之更突出之 特徵皆不應視為任何或所有申請專利範圍之關鍵、必需或 基本特徵。 應瞭解，本文為清晰起見在單獨實施例之上下文中所述 之某些特徵亦可在單_實施例中組合提供。相反，為簡便 起見在單一實施例之上下文中所述之各特徵亦可單獨或以 任何子組合方式提供。此外’當以範圍形式蘭述數值時其 131555.doc •37· 200901531 包括此範圍内的每—及各個數值。 【圖式簡單說明】 在附圖令闡述實施例以更好地理解本文所 圖1包括繪示接觸角之圖。 圖2包括有機電子器件之圖解。 圖3包括如實例2中所述方法實施例之裝置 圖4包括如實例3中所述方法實施例之裝置 熟習此項技術者應瞭解，圖尹之物體係出 目的而闡述， 而未必按照比例繪製。舉例而 更明確瞭解實施例，圖中某些物體之尺寸可 物體有所誇大 0 【主要元件符號說明】 100 電子器件 110 陽極層 120 電洞注入層/緩衝層 130 電洞傳輸層 140 光活性層 150 可選電子傳輪層 160 陰極層 210 加熱夾盤 220 層 230 基材 240 真空夾盤 250 空白玻璃臨時支撐物 260 全氣癸基丙歸酸乙g旨層 131555.doc -38-

Claims (1)

1. 200901531 十、申請專利範圍： 1. -種在第-層上形成經圍包第二層之方法，該方法包 含. 形成該具有第 表面此及第一玻璃轉化溫度之第一 層； 在-亥第I上且與該第一層直接接觸地凝結中間材料 以形成中間層，該φ 茨中間層具有低於該第一表面能之第-表面能； 心弟一 Z中間層圖案化以形成該第_層之未經覆蓋區及嗜 第一層之經覆蓋區；及 ° 在=第-層之該等未經覆蓋區上形成一經圍包第二層。 2. 如凊求们之方法’其中在該凝結步驟期間將該第—層 之溫度維持在該第一玻璃轉化溫度以下。 S 3. 如請求们之方法，其中該中間材料包含反 性組合物。 v 4’如請求項3之方法’其中該圖案化步驟包含使該反應性 表面活性組合物曝露於輻射中。 性組合物係氟 5.如請求項3之方法，其中該反應性表面活 化材料 輻 6. 如請求項3之方法’其中該反應性表面活性組合物係 射可硬化材料。 ’' 7. :請求項3之方法’其中該反應性表面活性組合物 父聯氟化表面活性劑。 8. 如請求項4之方法，其中該辕射係以圖案形式施加以形 131555.doc 200901531 成該反應性表面活性組合物之經曝露區域及未經曝露區 域。 9.如叫求項8之方法，其進-步包含移除該反應性表面活 性組合物之該等經曝露或未經曝露區域。 求項9之方法，其中該等區域係藉由用液體處理而 移除。 如請求項9之方法，纟中該等區域係藉由—選自由以下 各者組成之群之步驟來移除：加熱、施加真空、及豆组 合。 … 长項1 1之方法，其中該加熱係藉由紅外雷射來施 加。 13'如請求項1之方法，纟中該中間材料係自臨時支樓物上 之塗層來凝結。 14.種製&有機電子器件之方法，該有機電子器件包含定 4於電極上之第一有機活性層及第二有機活性層，該方 法包含 在該電極上形成該具有第一表面能及第一玻璃轉化溫 度之第一有機活性層； 、、第有機活性層上且與該層直接接觸地凝結中間 材枓以形成中間層’該中間層具有低於該第一表面能之 第二表面能； “：：：間層圖案化以形成該第-有機活性層之未經覆 盖該第—有機活性層之經覆蓋區；及 :該有機活性層之該等未經覆蓋區上形成一經圍 匕弟一有機活性層。 131555.doc