TW200834799A - Substrate stage and plasma processing apparatus - Google Patents

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TW200834799A
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mounting
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Hideki Sugiyama
Nobuyuki Okayama
Nobuyuki Nagayama
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Tokyo Electron Ltd
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Description

200834799 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一基板載置台及一電漿處理裝置，尤有 關一基板載置台，上面安裝有一用來圍繞一基板周邊之聚 焦環，以及一包含基板載置台之電漿處理裝置。 【先前技術】 φ —電漿處理裝置用來於一作爲基板之晶圓上進行諸如 蝕刻之電漿處理，並包括：一室，用來收容一晶圓；以及 一載置台，配置於室中，並用來安裝一晶圓。載置台具有 一晶圓安裝表面，於該晶圓安裝表面上配置一用來吸引並 保持一晶圓於其上之靜電夾頭。靜電夾頭由導電材料製 成，並藉一熔噴塗層形成於其整個周邊。電漿處理裝置可 於室中產生電漿，並可使用電漿触刻一被靜電夾頭吸引並 保持的晶圓。 # 某些電漿處理裝置設有一稱爲聚焦環之環形構件，其 配置成圍繞安裝於載置台上之一晶圓之周邊。使用聚焦環 之目的在於限制電漿，並緩和於晶圓之待處理表面上因偏 電壓之邊緣表面效應而造成的不連續性，藉此，不僅於晶 圓之中央部，亦於晶圓之周邊部實現均勻又滿意的處理。 一習知聚焦環配置成聚焦環之一上表面位於幾乎與晶 圓之處理表面相同的高度。結果，於聚焦環上方形成幾乎 與形成於晶圓之待處理表面上方者相同的電場，藉此，緩 和於晶圓之待處理表面上偏電壓之邊緣表面效應而造成的 -5- 200834799 不連續性。結果，於晶圓之待處理表面上方及聚焦環上方 形成幾乎相同高度的電漿鞘層。由於出現此等電漿鞘層， 因此離子垂直入射晶圓之待處理表面，甚至入射於晶圓之 周邊部，從而，可實現於晶圓之待處理表面上之均勻又滿 意的處理（參考例如國家公告譯本第2003-503841號）。 當使用習知聚焦環時，晶圓及聚焦環的電位幾乎相 同，使離子容易到達晶圓之一周邊部與聚焦環之一內周部 間之的晶圓後表面。到達晶圓後表面的離子會造成 CF基 聚合物等可能沉積於晶圓後表面之周邊部上的問題。 爲消除此問題，曾提議一種聚焦環，包括：一環形下 構件，由介電質材料製成；以及一環形上構件，配置於下 構件上’並由導電材料製成（例如參考日本特許早期公開 第2005-277369號）。圖4A係顯示一聚焦環的放大剖視 圖’該聚焦環配置在位於一載置台之一上表面上之一靜電 夾頭上。於靜電夾頭3 6上之聚焦環1 9中，一平坦部2 1 A 形成於一上構件21之一上表面之內周側，高度較晶圓w 之一後表面低。另一平坦部（未圖示）形成於上構件2 1 之上表面之外周側上，高度較晶圓之處理表面高。上構件 21配置於下構件2 0上，俾於上構件21與晶圓W之周邊 部E間形成一預定間隙。 藉由使用聚焦環19，可於晶圓W與上構件21間產生 -預定電位差°電位差所形成的電場改變離子之移動路 徑，使離子不會朝晶圓W之周邊部E的後表面移動，藉 此抑制CF基聚合物等因離子的出現而沉積於晶圓w之周 -6 - 200834799 邊部E之後表面。 藉由使用如圖4 A所示包括介電質材料製下構件2 〇及 導電材料製上構件2 1之聚焦環1 9，可如上述，抑制c F 基聚合物等沉積於晶圓W之周邊部E之後表面。惟，如 圖4B形成之電場起作用而改變離子I之移動路徑，俾離 子I入射於靜電夾頭3 6之一側面上。入射於靜電夾頭3 6 之側面上的離子I濺射並消蝕形成於靜電夾頭3 6之側面 上的熔噴塗層3 7。隨著於裝置內進行的電漿處理時間過 去，形成於靜電夾頭3 6之側面上的熔噴塗層3 7逐漸消 蝕。最後，一位於靜電夾頭3 6內部的導電構件露出於處。 理空間。當導電構件露出於處理空間時，可能發生不理想 的不正常放電。爲於晶圓W上進行正常電漿處理，須更 換靜電夾頭3 6。 業已使用氧化鋁（ai2o3 )作爲靜電夾頭之熔噴塗層 的成份。藉由離子以2.4 // m/h最大速率濺射’消飩氧化 鋁製熔噴塗層。通常，形成於靜電夾頭之側面上的氧化鋁 具有200至5 0 0 //m的膜厚，並因此，靜電夾頭須在每次 進行電漿處理數百小時後更換。這造成增加裝置之運轉成 本，並減低裝置之操作速率的問題。 【發明內容】 本發明提供一種可減少裝置之運轉成本’並增加其操 作速率之基板載置台，以及一種包含基板載置台之電漿處 理裝置。 -7- 200834799 根據本發明之一第1態態樣，提供一種基板載置台， 用來安裝~待電漿處理之基板，包括：一聚焦環放置部， 用來安裝一聚焦環，其圍繞安裝於基板載置台上之基板周 邊；以及一基板放置部，作成於聚焦環放置部之一內側位 置’突出至聚焦環放置部外；其中，該基板放置部設在其 具有一靜電夾頭之上部，該靜電夾頭具有一用來吸引並保 持基板的安裝表面，並形成於其具有一氧化物膜之側面， 該氧化物膜具有一預定膜厚，並由週期表之一 IIIA族元 素製成。 藉本發明之基板載置台，作成突出至聚焦環放置部外 之基板放置部於其側面形成氧化物膜，其具有預定膜厚， 並由週期表之一 ΙΠΑ族元素製成。ΙΠΑ族元素之氧化物 膜抗電漿性極高。因此，即使長時間進行電漿處理，形成 於聚焦環放置部之側面上的氧化物膜仍永遠不會完全移 除。結果，不像每次進行電漿處理數百小時後即須更換靜 電夾頭之習知裝置，即使在進行電漿處理經過較習知裝置 電漿處理時間長數倍的期間之後，仍不必更換靜電夾頭， 藉此，減少一裝置之運轉成本，並改進裝置之操作速率。 氧化物膜可較一形成於聚焦環放置部之塗層厚，以覆 蓋聚焦環放置部之一聚焦環安裝表面。 於此情況下’氧化物膜較覆蓋聚焦環放置部之聚焦環 安裝表面之塗層厚。換言之，聚焦環放置部形成具有一薄 塗層，可防止基板載置台因冷卻聚焦環而減低效率。 聚焦環可包括：一環形下構件，由介電質材料製成； -8- 200834799 以及一環形上構件，配置於下構件上，並由導電材料製 成，而且，上構件可包含：一第1平坦部，形成於上構件 之一上表面之一內周側上，局度較基板之一後表面低；以 及一第2平坦部，形成於上構件之上表面之一外周側上， 當聚焦環放置於聚焦環放置部上時，高度較基板之一待處 理表面高。 於此情況下，聚焦環包括：環形下構件，由介電質材 料製成；以及一環形上構件，配置於下構件上，並由導電 材料製成。而且，上構件包含：第1平坦部，形成於上構 件之上表面之內周側上，高度較基板之後表面低；以及第, 2平坦部，形成於上構件之上表面之外周側上，高度較基 板之待處理表面高。結果，於基板之周邊部與上構件間產 生一預定電位差。離子之移動路徑因電位差所形成電場的 出現而改變，俾抑制離子朝基板之周邊部之後側移動，並 可抑制CF基聚合物等因離子的出現而沉積於基板之周邊 部之後側。 基板放置部可作成突出聚焦環放置部外至少5 mm ° 於此情況下，基板放置部作成突出聚焦環放置@外5 mm或更多。結果，可最適當地設定基板與包括介電質材 料製環形下構件及導電材料製環形上構件之聚焦環間的位 置關係，這確保於上構件與基板之周邊部間產生預定Μ β 差。 預定膜厚可在1〇〇〇至2000#111範圍內° 於此情況下，週期表之一 ΠΙΑ族元素的氧化物膜具 200834799 有一在1000至2000/zm範圍內的預定膜厚。結果，即使 於裝置中進行電漿處理數千小時，更具體而言，3000小 時，入射離子於基板放置部之側面上的濺射仍永遠不會完 全移除預定膜厚之氧化物膜。 氧化物膜可由釔製成。 於此情況下，氧化物膜由釔製成。藉由將入射離子濺 射於側面上，移除形成於基板放置部之側面上的釔。由於 φ 釔不包含鋁，因此，確保避免包含鋁之粒子產生於處理空 間中。 根據本發明之第2態樣，設有一電漿處理裝置，其包. 括本發明第1態樣之基板載置台。 藉設有本發明基板載置台之本發明電漿處理裝置，可 獲得上述效用。 由以下參考附圖所作一範例竇施例之說明，本發明之 進一步特點即可瞭然。 【實施方式】 以下將參考顯示一較佳實施例之圖式詳細說明本發 明。 首先，將說明本發明之較佳實施例之一電漿處理裝 置。 圖1係示意顯示根據本實施例之電漿處理裝置之構造 之剖視圖。 於圖1中，電漿處理裝置1 0配置成一用來於半導體 -10- 200834799 裝置晶圓W (後表面稱爲 ''晶圓w")上進行諸如反應離 子蝕刻之電漿處理之鈾刻裝置，且包括一室η，其用來作 爲處理室，並由諸如鋁或不銹鋼之金屬製成。 於室11中配置一作爲基板載置台之下電極12。下電 極1 2用來安裝一例如直徑爲3 0 mm之晶圓W，下電極配 置成與一安裝於下電極12上之晶圓W —起於室11中進 行垂直運動。一蓮蓬頭13面朝下電極12，配置於室11之 φ 一天花板上，並用來將後述處理氣體供入室11內。下電 極12具有：一聚焦環放置部39 (參考圖2A及2B )，於' 其上配置一後述聚焦環1 9以環繞一安裝於下電極12上之„ 一晶圓W的周邊；以及一晶圓安裝部40(參考圖2A及 2B )，配置於聚焦環放置部39內側，俾向上突出聚焦環 放置部3 9外5 m m以上。 一下高頻電源14經由一下匹配器15連接於下電極 12，並用來將預定高頻電力供至下電極12。下匹配器15 # 可減少高頻電力自下電極12之反射，以最大化高頻電力 對下電極1 2的入射效率。 一用來透過一靜電吸引力吸引一晶圓W之靜電夾頭 (ESC ) 16配置於下電極12之一上部，並於其內裝入一 由電極薄膜層疊而成之ESC電極板17。一 DC電源1電連 接於ESC電極板17。靜電夾頭16可透過藉由將一 DC電 壓自DC電源18施加於ESC電極板〗7所產生之一庫侖 (Coulomb)力或一約翰森-臘伯克（Hohnsen-Rahbek)力 吸引並保持一曰％圓W於其上表面上。一聚焦環〗9配置於 -11 - 200834799 靜電夾頭1 6之周邊。聚焦環1 9包括：一環形下構件2 0 由諸如二氧化矽（Si〇2 )之介電質材料製成；以及一環 上構件21，由諸如矽（Si)之導電材料製成。聚焦環 可使產生於下電極1 2上方的電漿均勻地朝一晶圓w的 處理表面會聚。 一支座23配置於下電極12下方，並自下電極12 一下部向下延伸。支座23支承下電極12，並可藉由一 圖示螺桿之旋轉垂直移動下電極12。支座23被蓋24 25所覆蓋，藉此與室1 1周圍隔離。 一用於晶圓W之轉送璋26及一排放段27設於室 之一側壁。一晶圓W可使用配置於電漿處理裝置1 〇附 之一未圖示之LLM (負載鎖定模組）之轉送臂（未 示），經由轉送璋2 6轉送，送入及送出室1 1。排放段 連接於一由均未圖示之一排氣岐管、一 APC (自動壓力 制）閥、一 DP (乾式幫浦）、一 TMP (渦輪分子幫浦 等組成之排氣系統。室1 1內的空氣等可透過排放段2 7 出外部。 於電漿處理裝置10中，當一晶圓W欲轉送入室 內時，將下電極12向下移至與轉送埠26相同的高度。 一方面，當晶圓W欲進行電漿處理時，將下電極1 2向 移至一晶圓W處理位置。圖1顯示當晶圓W被轉送入 11內時，轉送埠26與下電極12間的位置關係。 蓮蓬頭13包含：一碟形上電極（CEL ) 29，形成 面對界定於下電極1 2上方之處理空間S之多數通氣 形 19 待 之 未 及 11 近 圖 27 控 ) 排 11 另 上 室 有 孔 -12-
200834799 28 ;以及一電極支座30，配置於上電極29上方， 除地支承上電極29。上電極29具有一面對處理空 表面，並具有一被一密封環35之一內周部覆蓋 部。密封環3 5係一配置於室1 1之天花板之環形構 封環35例如由石英等製成，並保護螺釘（未圖示 電漿波及。此等螺釘配置於上電極29之外周部上 來將上電極29固定於室1 1之天花板。 一上高頻電源31經由一上匹配器3 2連接於 29。上高頻電源31可將預定高頻電力供至上電極 匹配器32可減少高頻電力自上電極29之反射，藉 化高頻電力入射於上電極2 9內的效率。 一緩衝室3 3設在電極支座3 0內部，且一處理 管（未圖示）連接於緩衝室33。一由氧氣（02) (Ar )及四氟化碳（CF4 )或其混合組成之處理氣 自處理氣體導管供至緩衝室33，並經由通氣孔28 理空間S中。 於電漿處理裝置10之室11中，如上述，將高 供至下及上電極1 2、29。於供應高頻電力時，在處 S中自處理氣體產生一由離子、自由基等組成的電 聚焦環1 9將所產生電漿均勻地會聚於晶圓W之待 面，俾物理地或化學地均勻鈾刻晶圓W之待處理表 圖2A及2B係放大剖視圖’各示意顯示一靜電 近側壁部之構造。圖2A係圖1中A部份之放大咅！ 且圖2B係一放大剖視圖，顯示一配置於圖1所元 並可移 間S之 之外周 件。密 )免被 ，並用 上電極 29 〇上 此最大 氣體導 、氬氣 體例如 供入處 頻電力 理空間 漿。藉 t處理表 面。 :夾頭之 1視圖， :電漿處 -13- 200834799 理裝置1 0中之習知靜電夾頭之相同部份。 如圖2 Α所示，由下及上構件20、21組成之聚焦環 1 9如上述配置於靜電夾頭1 6之周邊上。一平坦部2 1 a (第1平坦部）形成於上構件21之一上表面之一內周側 上，並位於較被靜電夾頭1 6吸引並保持之一晶圓W之後 表面更低的高度。於上構件2 1之上表面之一外周側上， 一平坦部（參考圖1 )(第2平坦部）形成於較晶圓W之 待處理表面更高的高度。一預定間隙形成於上構件2 1與 晶圓W的周邊部E間。由於配置於聚焦環放置部3 9內側 之晶圓安裝部40如上述突出聚焦環放置部3 9外5 mm或 更多，因此，可最適當地設定聚焦環19與晶圓W間的位 置關係。更具體而言，平坦部2 1 a與晶圓W之後表面間的 距離可設定爲一最適値。 如上述，於電漿處理裝置10之室11中產生一由離 子、自由基等組成的電漿。藉聚焦環1 9將所產生電漿會 聚於晶圓 W之待處理表面，俾物理地或化學地蝕刻晶圓 W之待處理表面。此時，藉電介質製下構件20將導電材 料製上構件21與靜電夾頭1 6隔離，俾於聚焦環1 9之上 構件21與晶圓W的周邊部E間產生一預定電位差。電位 差所產生之電場起作用而改變離子移動路徑，俾抑制離子 朝晶圓W之周邊部E之後表面側移動，可抑制CF基聚合 物等因離子的出現而沉積於晶圓W之周邊部E之後表面 惟’業已被電場改變其移動路徑之離子入射於靜電夾 -14- 200834799 頭1 6之側壁（側面）上。入射離子濺射並移除形成於靜 電夾頭1 6之側壁上之熔噴塗層，俾消蝕熔噴塗層。若形 成於側壁上之熔噴塗層完全移除，且靜電夾頭16內之一 導電構件露出於處理空間S，即可能因導電構件露出而導 致不理想的不正常放電。爲繼續進行於晶圓W上的正常 電漿處理，須更換靜電夾頭1 6。 如圖2 A所示，於本實施例中，在靜電夾頭1 6之側壁 上形成具有在1000至2000/im範圍內之膜厚L1之週期表 之一 IIIA族元素之一氧化物膜，例如釔（Y2〇3 )膜，作 爲熔噴塗層。 與此相反，如圖2Β所示，在靜電夾頭3 6之側壁上形 成膜厚 L3在 200至 500 ν m範圍內之例如氧化鋁 (A 1 2 0 3 )之熔噴塗層。 相較於氧化鋁膜，週期表之一 ΙΠΑ族元素之氧化物 膜較難藉離子濺射，並因此抗電漿性很高。更具體而言， 氧化鋁膜37藉由離子以2.4// m/h最大速率濺射移除。另 一方面，釔膜38藉由離子以僅〇·74 // m/h最大速率濺射 移除。藉由形成釔膜3 8作爲熔噴塗層，可顯著地延遲靜 電夾頭1 6內部之一導電構件露出。 本竇施例之靜電夾頭1 6配置成具有與習知靜電夾頭 36之直徑L4相同的直徑L2 ’並在有關晶圓W方面，獲 得與靜電夾頭3 6者相同的功能。 於本實施例中，一氧化鋁或釔製熔噴塗層亦形成於靜 電夾頭1 6之聚焦環放置部3 9上。爲防止靜電夾頭1 6之 -15- 200834799 效率因冷卻聚焦環1 9而減低，較佳地，熔噴塗層不應形 成很厚。例如，較佳地，熔噴塗層應如習知技術，形成具 有在200至5 00 /z m範圍內之膜厚。形成於靜電夾頭1 6之 側壁上之熔噴塗層較覆蓋聚焦環放置部3 9之聚焦環安裝 表面之熔噴塗層厚。 爲便於解釋，將稱圖2A所示實施例爲工作例，而稱 圖2B所示習知配置爲習知技術例。 以下係工作例與習知技術例間的比較。 [工作例] 如上述，於電漿處理裝置10之室11中產生由離子、 自由基等組成之電漿。電漿中之離子入射於靜電夾頭16 之側壁上。入射離子濺射並移除形成於靜電夾頭1 6之側 壁上作爲熔噴塗層之釔膜3 8。釔膜3 8之移除量（側壁移 除量（// m ))如圖3中黑色菱形標記所示，以電漿處理 經過時間（RF時間（hr ))計測。 [習知技術例] 如於工作例中，氧化鋁膜37之移除量如圖3中黑色 正方形標記所示，以電漿處理經過時間（RF時間 (hr ))計測。 由圖3之圖表可知，習知技術例中形成於靜電夾頭3 6 之側壁上之氧化鋁膜3 7藉由進行電漿處理數百小時完全 移除。另一方面，工作例中形成於靜電夾頭1 6之側壁上 -16-
200834799 之釔膜3 8無法藉由進行電漿處理數百小時完全 進行電漿處理約1 400小時後，計測出側壁移除量 μ m。由此預估進行電漿處理約3 0 0 0小時會 1 0 00 // m之側壁移除量，且用來作爲側壁之釔膜 厚L1在1〇〇〇至2000//m範圍內）不會完全移除 藉膜厚自1 000至2000 # m之釔膜38形成於 1 6之側壁上之工作例，即使於裝置中進行電漿處 時，更具體而言，3 000小時，仍無法藉由入射離 側壁上永遠完全移除釔膜3 8。結果，不像每次進 理數百小時後即須更換靜電夾頭3 6之習知裝置 行電漿處理3000小時，工作例仍無須更換靜電 這造成裝置降低之運轉成本以及裝置之改進操作 須知，形成於靜電夾頭之側壁上之釔膜3 8 在10 00至2000/zm範圍內的膜厚。釔膜可形成 V m或更厚的膜厚。本發明人確認，當側壁形成 // m膜厚釔膜之靜電夾頭被加熱至1 1 0 °C時， 裂，惟側壁形成有2000 // m膜厚釔膜之靜電夾頭 120t：時，則不會發生龜裂。自獲得靜電夾頭等 務壽命的觀點看來，估計最適釔膜膜厚自1 000 3 // m。預期具有2 0 0 0 // m或更厚厚度之釔膜可溶 成金屬等製底塗層於靜電夾頭之一底座（導電構 表面上形成。 於習知技術例中，氧化鋁膜37形成於靜電^ 側壁上，並藉由濺射入射離子於夾頭之側壁上， 移除。於 t約爲200 造成小於 38 (其膜 〇 靜電夾頭 理數千小 子濺射於 行電漿處 ，即使進 夾頭16， 速率。 未必具有 具有2000 有 2 700 會發生龜 ί被加熱至 之目標服 I 2 000 =易藉由形 丨件）之一 突頭3 6之 移除形成 -17- 200834799 於其上之氧化鋁膜3 7。習知技術例構成當移除氧化鋁膜 37時，諸如氟化鋁（A1F3 )之含鋁（A1 )粒子產生於處理 空間S中，且所產生粒子可能附著於晶圓W，造成最後半 導體製造成品有瑕疵的問題。 惟另一方面，藉釔膜3 8形成於靜電夾頭1 6之側壁上 之工作例，則可望能可靠地防止含鋁粒子產生於處理空間 S中。 【圖式簡單說明】 圖1係示意顯示根據本發明之一實施例，一電漿處理 裝置之構造之剖視圖； 圖2A及2B係放大剖視圖，各示意顯示一靜電夾頭之 近側壁部之構造，其中，圖2A係一放大剖視圖，顯示圖 1中A部份，圖2B係一放大剖視圖，顯示一配置於圖1 所示電漿處理裝置中之習知靜電夾頭之相同部份； # 圖3係一圖表’顯示於本發明之一工作例及一習知技 術例者中，隨著時間經過之一側壁移除量之計測結果；以 及 圖4A及4B係放大剖視圖，各示意顯示一習知靜電夾 頭之近側壁部之構造，其中，圖4A係一聚焦環之放大剖 視圖，該聚焦環安裝在位於載置台之一上表面上之靜電夾 頭上，圖4B係一放大剖視圖，用來解釋藉由將入射離子 濺射於夾頭之側壁上，移除靜電夾頭之側壁之狀態。 -18- 200834799 【主要元件符號說明】 1 : D C電源 1 〇 :電漿處理裝置 1 1 :室 1 2 :下電極 13 :蓮蓬頭 1 4 :下高頻電源 φ 1 5 :下匹配器 1 6 :靜電夾頭 17 : ESC (靜電夾頭）電極板 1 8 : D C電源 1 9 :聚焦環 20 :下構件 21 :上構件 2 1 a :平坦部 φ 23 :支座 24,25 :蓋 2 6 :轉送埠 27 :排放段 2 8 :通氣孔 29 :上電極 3 0 :電極支座 3 1 :上局頻電源 32 :上匹配器 -19 200834799 :緩衝室 :密封環 :靜電夾頭 z氧化鋁膜 :釔膜 ’·聚焦環放置部 =晶圓安裝部 周邊部 處理空間 :晶圓 -20-

Claims (1)

  1. 200834799 十、申請專利範圍 1. 一種基板載置台，用來安裝一待電漿處理之基板， 包括： 一聚焦環放置部，用來安裝一聚焦環，其圍繞安裝於 該基板載置台上之該基板周邊；以及 一基板放置部，作成於該聚焦環放置部之一內側位 置’突出至該聚焦環放置部外； # 其中’該基板放置部設在其具有一靜電夾頭之上部， 該靜電夾頭具有一用來吸引並保持該基板的安裝表面，並 形成於其具有一氧化物膜之側面，該氧化物膜具有一預定 膜厚，並由週期表之一 IIIA族元素製成。 2. 如申請專利範圍第1項之基板載置台，其中，該氧 化物膜較一形成於該聚焦環放置部中之塗層厚，俾覆蓋該 聚焦環放置部之一聚焦環安裝表面。 3 .如申δ靑專利軔圍弟1項之基板戴置台，其中，該聚 ^ 焦環包括：一環形下構件，由一介電材料製成；以及一環 形上構件，配置於該下構件上，由一介電材料製成；且 其中，該上構件包含：一第1平坦部，形成於該上構 件之一上表面之一內周側上’高度較該基板之一後表面 低；以及一第2平坦部，形成於該上構件之該上表面之一 外周側上，當該聚焦環放置於該聚焦環放置部時，高度較 該基板之一待處理表面高。 4.如申請專利範圍第1項之基板載置台，其中，該基 板放置部作成突出該聚焦環放置部外至少5 mm。 -21 - 200834799 5. 如申請專利範圍第1項之基板載置台，其中，該預 定膜厚在1〇〇〇至2 0〇0//111範圍內。 6. 如申請專利範圍第1項之基板載置台，其中，該氧 化物膜由釔製成。 7. —種電漿處理裝置，包括一基板載置台，用來安裝 一待電漿處理之基板，該基板載置台包括： 一聚焦環放置部，用來安裝一聚焦環，其圍繞安裝於 該基板載置台上之該基板周邊；以及 一基板放置部，作成於該聚焦環放置部之一內側位 置，突出至該聚焦環放置部外； 其中，該基板放置部設在其具有一靜電夾頭之上部， 該靜電夾頭具有一用來吸引並保持該基板的安裝表面，並 形成於其具有一氧化物膜之側面，該氧化物膜具有一預定 膜厚，並由週期表之一 ΠΙΑ族元素製成。
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