TW200828420A - Fluorine based cleaning of an ion source - Google Patents

Description

200828420 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 元件製造及離子植入相 入系統的離子源相關。 一般而言，本發明與半導體 關，更特別地與使用氟清潔離子植 【先前技術】

離子植入是用於半導體元件製造的物理 性地把換雜劑植入到半導體以及/或是晶圓材料中。因： 植入的灯為不倚賴於摻雜劑及半導體材料之間的化學相互 作用。對於離子植人來說，將摻雜劑原子/分子離子化、加 ^形成束線分析亚且跨過晶圓掃描或是晶圓跨過束線 =描。掺雜劑離子實質上轟擊晶圓、進人表面並且在與能 s有關的表面下深度停止。 離子植入機或是離子植入系統通常包括一個離子源， 其包括-個電離室以將中性的氣體電離而產生帶電粒子集 合，也就是離子及電子，在下文稱為電漿，該氣體來自氣 體饋料或是由固體或是液體饋料的蒸氣產生。透過在來源 電漿及電極之間或是一系列電極產生的電場，將離子從離 子源迅漿中抽長：出來以形成離子束。束線穿越在每一個電 極中特定形狀的孔徑。典型的束線抽出系統是三或是四個 電極的系統，雖然其他變化包括極長的系統是可能的，其 中敢終束線在晶圓附近完成減速。一個標準的三電極系統 通常包括一個俗稱電漿電極或是電弧狹縫電極或是電離室 電極的第一電極，其可以在與離子源相同的大正電壓下來 偏壓。該電位決定束線的能量。一個俗稱抑制電極的第二 5 200828420 電極在適當的負電壓下以避免電子流回來源腔 接地電極㈣三及最終電極在接㈣位 = 至电極及抑制電極之間的電位差、它們的形狀細節以 們之間的距離決定。在❹離子植人製㈣，$ 同的掺雜特性’必需產生非常不同能量以及物種的束線， ::如:於：極_沒極延伸的5kv硼以及用於擊穿止點的 的^琢強度幻頁調變以調整為與期望 的抽離束線電流配合而保持良好離

达泰7… 卞采九予。延個過程稱 為电子管電導係數匹配。取得良 田並鱼 導係數匹配的 瑕、曰遍方法是使抑制及接地電極相對於離子源移動，更明 確地相對於電離室電極移動。電離室電極與抑制電極之間 的距離稱為抽出間隙’丨中電離室電極界定電離室孔徑並 且抑制電極界定抑制孔徑。 當離子源以分子填充氣體或是蒸氣操作時，也產生除 了需求植人物種之外的其他物種，其具有非常低的蒸氣麼 0在來源的内表面上產生凝結。這些固體沉積可能干擾 長時間的離子源操作，例如改變壁的電特性或是部分阻檔 離子源的電極隸，因此降低可㈣離子電^除去這些 >儿積的-財法是將離子源㈣統移除然後實質上將來源 /月/糸的費％方法。另__種方法是使高反應性的氣體流通過 來源當場將來源清潔，其中選擇氣體物種使得其與沉積材 料反應而產生一種尚蒸氣壓物質，其以氣體形式離開離子 源並且抽出系統之外。一個具有需求特性的物種是原子 既’通常由在電漿裡的Np>3解離而產生。不過，反應性氣 6 200828420 體需要相對大的流量以進行適當的離子源表面清除。相對 大的流量有害地影響工具費用及操作費用。 【發明内容】 在下面提供的簡化概要用來說明本發明之一或多個觀 點的基本理解。此概要並非本發明的擴大概述，並且不在 於用來指定本發明的關鍵或是重要要素，也不在於用來描 寫其範圍。相對地，概要的主要目的係用來以簡化形式描 述本發明的一些概念，作為以下本發明之更詳細描述的前

言0 本發明的幾個觀點使用清潔材料，例如原子氟進行在 離子源内的表面清冑，以方便料植人過程。冑潔透過使 用-個節流閥裝置而以比傳統更低的氟清潔流量進行，其 至少部分陷住例如在離子源内的i以方便清潔離子源。 從離子源内表面除去沉積的沉積清潔系統包括-個氟 源、-個節流閥裝置以及一個控制器，將氟提供到離 子源以作為清潔材料。節流閥裝置透過至少部分覆蓋源孔 徑’以減輕通過離切孔㈣i損失。㈣㈣制從氣源 到離子源的供應及流量並且也控制節流閱裝置的位置。也 包括其他系統、方法以及檢測器。 要完成上述及相關的目的，本發明包括在下文完整描 逸以及在中請專利範圍中特別指出的特徵。下列描述以及 圖式詳細說明本發明沾杜+ 不I明的特定說明性觀點及實施例。不過， Γί說：是各種本發明可應用之原則中的幾個。當配合圖 式來閱項以下詳細說明士 月守’便可、;月楚地瞭解本發明其他目 7 200828420 標、優點以及新穎特徵。 【實施方式】 現在本發明將參考圖式一起描述，其中相似元件符號 係代表全文的相似元件。熟習該項技術者將理解本發明不 限於在下文描述的範例實施例及所說明的觀點。 可以使用原子氟（氟活化物）以清潔離子源的表面。純 氟疋有毋的並且難以處理。因此，通常以氟化合物例如 作為原子氟的來源使用。原子氟由NFs在電漿裡解離產生。 _ 们範例中’電漿可以遠離清潔表面然後將解離的氣體 傳輸2表面。替代地，原子氟可以在離子源内形成或是產 生以清潔表面。不論在何種情況都需要大流量的NF3，因 為例如原子I在遠端來源及要&絜㈣子源表面之間的重 ”斤、、σ 口以及未結合原子氟透過來源孔逸出離子源。 本备月的個觀點在離子源的源孔徑上或附近使用一 $即流閥裝置。節流閥裝置降低原子氟從孔徑的損失並且 氟=子回到來源内要被清潔的表面。另外，節流闕裝 導引原子到孔徑的外邊緣，因此提供這些表面的清 除改善。在正常的離子源操作時，節流闕裝置放置在 擾操作的位置。 圖1係以區塊圖來說明適合實現本發明之一或多個觀 4的離子植入系統。 系統100包括離子源、102，其沿著一個束線路徑產生 束104。離子源102包括例如—個電漿源106以及一 *電源⑽。電漿源106可以包括例如一個相當長的電襞 8 200828420 限制腔體，從其令抽出並加速離子束。 除要求物種之外的JL他物锸I & +孤 J/、他物種可能在離子源1〇2的操作 期間產生。這些物種可能具有非， ’非φ低的療氣壓力，並且因 ，在離子源1G2的内表面上凝結。這些長期的固體沉積可 能干擾離子源操作，例如透過壁電特性的改變或是部分離 子源孔徑的阻檔而降低可用離子電流。

離子源102包括-個氟清潔系統122，其可以除去離 子源内表面的這些沈積物。氟清潔系统122使高活性氣體 通過離子源、102流動，氣體物種選擇為例如使用氟使得其 與沈積材料反應而產生-種高蒸氣壓物f，以氣體形式離 開離子源102並且抽出系統之外。清潔系統122也包括節 流閥裝置，其限制或避免未反應的反應性氣體成分例如原 子氟_開離子源102而沒有與沈積物起反應。由於節流閥 衣置的使用’與傳統清潔系統相比可以使用相對較低的反 應性氣體流置而獲得離子源1 〇 2内的合適表面清潔。 清潔系統122可以週期性地或是如期望地接合，以使 離子源102内表面的沉積降低或是除去。不過，在離子植 入期間，清潔系統122的節流閥裝置通常停止接合以容許 離子束穿過離子源孔徑的路徑。或是可以接合節流閥農置 以減輕未反應的反應性氣體成分透過孔徑離開離子源 102 〇 束線組件110在離子源102的下游提供以接收束線 1〇4。束線組件110包括一個質量分析器112、一個包括例 如一或多個間隙的加速結構114。束線組件110沿著路徑 9 200828420 放置以接收束線104。質量分析器112包括一個場產生構 件例如一塊磁體（不顯示），並且作用以提供穿過束線路徑 的％，因而根據質量（也就是荷質比）將離子偏移開離子束 104到不同的執跡。通過磁場的離子受到一個力量，其沿 著束線路徑導引具有期望質量的個別離子並且將非期望質 ϊ的離子偏移離開束線路徑。 操作在加速結構114内的複數個加速間隙或是一個間 隙，將束線内的離子加速以及/或是減速以取得工件的要求 植入深度。因此，應理解雖然在此使用加速器以及/或是加 速間隙術語描述本發明的一或多個觀點，但是這種術語不 該狹窄地解釋而限制了加速器的文意，而是應從寬解：以 包括減速及方向的改變。將更進—步理解，加速/減速機構 可以在以質量分析器112進行磁場分析之前及之後使用。 另外在一些觀點中加速結構114也可以是離子源的一部 分’並且省略為束線組件的一部分。 在系統1〇〇中也提供的終端站118給自束線組件ιι〇 而來的離子束1〇4。終端站118沿著束線路徑支撐一或多 個工件例如半導體晶圓（不顯示），以使用質量分析離子束 1〇4進行植入。終端站118包括一個目標掃描系統以^， 彼此相對傳送或是掃描一或多個目標工件及離子束⑺4。 目私掃描系統120可以提供批次或序列植入，例如如要求 的在給定情況下操作參數以及/或是物體。 圖2係一區塊圖，說明根據本發明觀點的氟清潔系統。 系統200用於從離子源2〇2的一個相對低流量除去内表面 200828420 包括孔彳至的沉積。為了 马了呪明的目的，系統200係以氟來說 月但是也可以使用其他合適材料。 系統200在離子源2()2上操作並且包括一個節流闕裝 置204 個氟源206及一個控制器208。離子源202可 :括個电離至以將來自氣體饋料或是由固體或液體饋 =士生之療氣等中性氣體電離，產生帶電粒子集合，也就 \ β及电子，其在下文稱為電漿。透過在來源電漿及電 極或疋-糸列電極（不顯示）之間產生的電場，從離子源電 中抽提出離子以形成離子束。束線移動穿過在每一個電 極令形成的特定孔徑。典型的束線抽出系統係三或四電極 =系統’雖然其他改變包括非常長的系統是可能的，其中 終束線在晶圓附近完成減速。標準的三極電極系統通常 =一個俗稱電漿電極或是弧狹縫電極或是電離腔電極的 弟—電極’其可以在與離子源相同的很大正電壓下偏麼。 该電位決定束線能量。俗稱抑制電極的第二電極具有適當 的負電壓以阻止電子θ声妇丨、、區_遍 ， ^ 曰 电于口 /瓜到源腔體。俗稱接地電極的第三 ^終電極係在接地電位。抽取電場由電離室電極及抑制 電極之間的電位差、形狀細節以及其間的距離決定。對於 ::植入製程’為了產生不同的摻雜特性，必需產生具有 ㊉不同能量及不同物種的束線，例如⑽的侧以作為源 極延伸以及，的石申作為穿孔止點。調變並調整透 ^電極產生的電場強度以匹配要求的抽取束線電流而保持 良好的束線光學。這個處理俗稱為電子管電導係數匹配。 個取得良好電子管電導係數匹配的普遍方法係相對於離 11 200828420 T源移動抑Μ電極及接地電#，更特別地相對電離室電極 移動。電離室電極之間以及抑制電極之間的距離俗稱抽出 間隙，電離室電極界定電離腔體孔徑，抑制電極界定抑 孔徑。 田離子源202以分子填充氣體或是蒸氣操作時，除了 植入期望物種以外也生產了其他額外物種。這些物種可以 有非常低的蒸氣壓產生例如在來源内表面的凝結。這些長 時間的固體沉積可能干擾離子源的操作，例如改變壁：電 特性或是阻檔離子源電極孔徑的—部分，因此降低可用的 離子電流。例如當膦（ρη3)流過離子源2〇2時，在離子源2〇2 内表面上可以形成磷（Ρ)沉積。 氟源2〇6維持並且提供氟給離子源202,其與離子源 2〇2表面上形成的沈積反應然後將該沈積移除。氟源206 提供氣作為原子氟（活化氟）’以清潔離子源202的表面。 純氟是有毒的並且難以處理，，通常使用氟化合物例 如灿3作為原子氟的來源。原子氟由叫在電漿裡解離產 生。解離的結果是經_成务0备 疋解離成虱及鼠原子，然後可以與沉 積材料起反應。電数可w ;旁雜、、主冷主^ 电水ΊΓ以遂離旧泳表面然後將解離的氣體 傳輸到表面。替代地，原子氣可以在離切搬内形成或 是產生以將表面清潔。 節流閥裝置204避免戋是減粒< 去= 避充：¾疋藏季工未反應的原子氟逸出離 子源202。郎流閱袭詈204可 』衣置204 了以包括例如至少部分覆蓋源 孔徑的阻檔構件（不顯示）。因此， ) 主 > 部分阻止未反應的 原子氣透過孔徑逸出離子源202 β作為另一個範例，節流 12 200828420 閥裝置204可以包括一個可移動抑制電極（不顯示），其在 清潔期間至少部分蓋住離子源孔徑，但是在正常操作期間 移開而讓出並且產生離子束的路徑。 控制器208控制離子源206及節流閥裝置2〇4的操作。 在這個觀點，控制器208控制提供到離子源2〇2的清潔材 料流量以及/或是組成以及清潔操作的啟動及其時間。押制 器208也控制節流閥震置2〇4的接合。通常，節流闊^置 2〇4在清潔操作或是清潔循環期間接合並且在正常操㈣ 間不接合。另外，控制器也可以透過離子源的孔徑控 ，排氣率。例如，控制器可以使節流閥裝置2〇4 6入 蓋住孔徑或是蓋住孔徑的選定百分比，以提供選定的^ 率。另外’控制器2〇8可以在一些但不是所有 : 以及/或是測量在離子源2〇2表面的沈積物累積 ^ :及1 是她，積物，控制器·可以咖 制止巧/名循環或是操作的進行。 圖3說明根據本發明一個觀點的離子 =…用可移動節流閥構件 ：= 3免:。反應的清潔成份在清潔操作或是循環時逸出離子: 離子源302可操作產生離子束，直 選定的摻雜劑。離子源3〇2可以包括例如多種 /電源，源可以例如包括—個相當長的電漿及 攸其中抽出離子束。利用在上面描述的電極，通；;，—以 抽出或是形成離子束。在離子束的操㈣是產* 〇6 保忭^疋產生期間，摻 13 200828420 雜劑以及/或是摻雜劑材料可在離子源302内的表面上（包 括孔徑306)沉積以及/或是形成。 個入口或疋閥門304提供清潔材料（例如NF3)或是 原子氣到離子源302。、生海44* 1,丨》· 2 α /糸材料與形成的沉積反應產生一 種氣體，然後從離子源302排出。 —卩Π構件3G8作用為_個節流閥裝置以限制或是減 輕未反應清潔材料透過離子源3〇2孔徑3〇6逸出。節流闕 構件3G8描述為具有f曲的上部分，时便未反應清潔材 料返回離^源3〇2以及較低的部分或是手臂。注意到本發 明的替代硯點包括不同形狀的節流闕構件，其部分地阻播 孔徑306並且減輕未反應清潔材料從離子源如逸出。 另卜在這個範例中，節流間構彳鳩具有接合狀態 31〇以及解開狀態312。在也稱為清潔狀態的接合狀態別 中構件308疋位成使得至少部分蓋住孔徑鳩並且減輕 ^反應清潔材料從離子源3G2逸出m彳在接合狀態㈣ 時通常避免離子束產生。構# 308以一段稱為節流閥間隙 的距離或是間隙的位置離開孔徑鳩而^位。增加這段距 離允許更多從離子源、3〇2的排氣，減少這段距離允許更少 從離子源302的排氣。 在解開狀態時，構件定位成離開離子源孔徑3〇6 的位置以允許正常離子束繼續產生。構件3〇8描述為相對 於較低部分或是手臂旋轉或是轉動，以將構件則移動離 開孔徑3 0 6。作县處ί田姑 —r ^ 仁疋應理解，可以用其他技術正確地移動構 件308然後允許正常離子束的產[例如使構件綱滑動 200828420 /主思到’構件3 0 8 但是通常會需要更 到高於或低於所顯示的接合狀態31〇 在解開狀態312時仍然提供清潔材料 大清潔材料流量。 θ二：根據本…個觀點的節流闕裝置_俯視 心閥裝置400使用一個抑制電極402以限制或是減 輕未反應清潔材料透過孔徑從離子源逸出。節流閥裝置彻 可以順著-個侧轴移動或是滑動，以可控制方式抑制離子 源孔彳望。

節流閥裝置400包括-個抑制電極4〇2以及操縱手臂 4〇4。抑制電極術與電漿電極以及接地電極（不顯示）配合 知作，電漿電極係放置在離子源(不顯示)内，接地電極定 ♦:下游以在束線產生期間抽出並且形成具有需求形狀、 電流等等的離子束。操縱手臂4〇4握住並且支撐電極4〇2。 抑制孔徑406在電極402上設定，透過電極4〇2離子束形 j亚且通過。在束線產生期間，電極4〇2順著側轴放置使 得其孔控在離子源孔徑上或是附近。 另外，抑制電極402也包括節流閥部分4〇8，其在電 ° /内界疋或是形成，以減輕或是限制未反應清潔材料在 清潔操作或是循環期間逸出離子源。節流閥部分408可以 】疋龟極4 0 2的實體部分。替代地，節流閥部分4 〇 §可 、开^成為具有特定形態以及/或是以其他材料形成的電極 402 ° 注意到在圖4内描述的裝置400僅僅是合適於根據本 發明觀點的一個電極範例。應理解，接地電極可以以相似 15 200828420 核式使用，以限制未反應清潔材料的逸出。 圖4B係根據本發明—個觀點的圖4a節流間裝置彻 側視圖。這個視圖說明離子源41〇與節流闕裝置彻一起 在接合狀態416或是在解開狀態418。節流閥裝置_使 ^制妹術以限制或是減輕未反應清潔材料透過 從離子源逸出。 離子源410包括源孔徑412，藉由源孔徑412，㈣ 劑或是離子形成一個離子束。在這個範例中，利用抑制電 極402以及接地電極414抽出以及/或是形成離子束，兩者 均由手臂404支撐在一起。 抑制孔徑杨設定在電極402上，用以形成並且通過 離子束。在束線產生期間，電極402順著侧轴放置，因此 孔徑406在離子源孔徑上或是附近，如在解開狀態川所 ，示。藉由至少部分地阻檔源孔徑412 ’抑制電極術的 即流閥部分408避免或是減輕清潔材料透過源孔徑412逸 出離子源川。在清潔或是循環操作期間，如接合狀態416 所顯不的節流閥部分係位於源孔# 412的附近。節流閥部 分4 0 8在這個範例中描述為相對於抑制電極繼為平的。 抑制孔徑406定位於離開離子源孔徑412的一段間隙 距離420。在正常離子束線產生期間，龍術係在節流 閥的解開狀態418並且選擇間隙距離42〇為所要求束線之 生產特性的函數’例如束線電流、尺寸、形狀等等。在清 潔循環期間，電極402係處在接合狀態416並且間隙^ 420至少部分根據期望的排氣率或是清潔材料包含率來選 16 200828420 擇。 ，圖4C係根據本發明—個觀點之節流闊裝置400另-側視圖。此側視圖與圖4B顯示的類似，但是節流閥部分408 二同开y知。纟匕構件與® 4B的相同，可以進-步描 述引用。在這範例中節流閥部分408具有進一步方便阻檔 清潔材料的曲率戎县形能 〆疋7〜、。該开々悲傾向於使逸出的清潔材 料重新導引回到離子源孔徑412。 ，絲解，節流閥部分彻的其他形態及變化是被考慮 _ 並且疋根據本發明觀點的。 圖4D係根據本發明-個觀點的圖4A的節流閥裝置400 豆圖4視圖&述抑制電極4〇2位於節流閥的解開狀態 418以允許離子束產生。 §亥視圖包括離子源41G以及源孔徑412。抑制電極402 位於離子源的下游並且接地電極414位於抑制電極術的 下游。在離子束產生期間，掺雜劑或是離子穿過源孔徑M2 攸#子源41 〇傳出，穿過抑制電極4〇2的孔徑彻並且穿 _ 過接地電極414的孔徑。 抑制電極402可以順著侧軸移動使得抑制電極的節流 閥區域彻位於離子源孔徑412的附近而不是孔徑偏在 離子源孔徑412附近，以進行清潔操作及循環。 圖5係根據本發明一個觀點說明在離子源内表面的清 潔沉積的方法500之流程圖。方法_在清㈣程中❹ 節流閥裝置以方便清潔並且允許一個較低的清潔材料（例如 原子氟）流量。上述圖式及描述也可以引用本方法5〇〇以更 17 200828420 進一步描述。 方法500在區塊502開始，其中提供一個離子源，具 有内表面，内表面包含一個源孔徑。一些摻雜劑物種可能 長期凝結或是在離子源的表面形成並且干擾離子源的操 作’例如壁之電特性的改變或是離子源電極孔徑的部分阻 塞而降低可用的離子電流。例如，當膦（PH。流過離子源時 可以形成磷（P)。

在區塊504，節流閥裝置接合，如此藉由至少部份覆 蓋離子源孔徑而限制或是避免清潔材料從離子源逸出。節 流閥裝i彳以由爿如一個節流閥滑到冑子源孔徑上方而接 合，或是移動-個具有節流閥區域的抑制電極，使得節流 閥區域放置在離子源孔徑的附近。節流閥裝置可以根據選 定的排氣率或是清潔材料的含有率來放置。 在區塊506，以一撰宏沾、、六田口丨 k疋的机ϊ引入離子源裡的清潔材 料。清潔材料包括例如屌子赤b儿人^ 千或疋化合物，其與離子源表面 的沈積物起反應以及/戋是哈本 /疋*去此積物。作為一個範例，促 成原子敗與侧沈積起反應產生一 m t ^ 種可排出的氣體。這個反 應產生的氣體通過離子源孔徑排出。 選擇的流量可以桐Θ , >立^ "積置以及期望獲得的清潔而變 化。庄思到’郎流閥裝置生切 .、主音到，法旦叮 牛低/月冻才呆作所要求的流量。也 / ^ 可以在清潔循環期間變化。 在已經透過清潔材料除去至 塊谓，節流閥裳置不接合 ^ 刀沉積之後’在區 -些沉積檢查裝置確認已除二由特定的持續時間或是 f、去/儿積。另外，在至少一部分 18 200828420 >儿積已經透過清潔材料除去之後，在區塊51〇，中止清潔 材料到離子源的流動。注意到，區塊51〇以及5〇8可 同次數進行。

然而’為了解釋的簡單性，方法500描寫及說明為順 序進仃，應理解及了解本發明不限於所說明的順序，一些 根據本發明的觀點可以在不同順序進行以及/或是與在此描 述，敘述的其他觀點同時進行。而且，並不要求根據本： 月觀點的所有說明特徵或是區塊以實現本方法。 > ^雖然本發明已經針對一或多個實施例來說明及描述， ;、、t該項技術的其它人在閱讀並且理解本說明以及圖式之 後心到有肖冑的改變以及修改。纟特別針對各種由上述構 、'牛元件、龟路、系統等等）進行的功能時，除非特 別顯不，用來描述這種構件（包括稱為"機構”）的術語係對 f於任何可以進行所指定功能的構件（也就是功能上均 2) 17使不是結構上均等於所揭露的結構（可以執行在此 ^ :=本發明範例實施例的功能）。另外，雖然本發明的特 定特徵只針對幾個實施例揭露，此種特徵可以與其它實施 1 或夕個其他特徵相結合，而這是任何給定或是特定 、μ用所期望並且具有優點的。而且，彳語，，包 、” η “ 砍 具有、“配有”或是用在詳細描述及申請專利 =$ “的交形，這些術語類似於“包括，，的術語。另外， 乾例”係指出一個範例而不是最好或最優的觀點或 貫施例。 【圖式簡單說明】 19 200828420 圖1係以區塊圖形式說明適人每 遇口焉轭本發明之一個或多 個觀點的離子植入系統。 圖2係根據本發明一個觀點 y 亂，月/糸系統之區塊圖。 圖3係說明根據本發明一個 调嬈點的離子源沉積清潔系 統0 視圖

圖4八係根據本發明—個觀點的節流_置之㈣圖。 圖4 B係根據本發明一個觀點的節流閥裝置之側視圖。 圖化係根據本發明一個觀點之節流閥裝置的另一側 圖4D係根據本發明—個觀點的節流閥裝置之立體圖。 圖5係-流程圖，說明根據本發明一個觀點之在離子 源内自表面來清潔沉積之歹法。 【主要元件符號說明】 100 系統 102 離子源 104 離子束 106 電漿源 108 電源 110 束線組件 112 質量分析器 114 加速結構 118 終端站 120 目標掃描系統 122 氟清潔系統 20 200828420 系統 離子源 節流閥裝置 氟源 控制器 系統 離子源 閥門 孔徑 節流閥構件 接合狀態 解開狀態 節流閥裝置 抑制電極 操縱手臂 抑制孔徑 節流閥部分 離子源 源孔徑 接合狀態 接地電極 解開狀態 間隙距離

Claims (1)

1. 200828420 十、申請專利範圍： 1.一個離子植入系統，包括： 一個離子源，包括内表面以及源孔徑； 離子源 個/儿積清潔系統，其使用節流閥裝置以從兮 表面以及源孔徑去除沉積； 一個束線組件，其接收來自該離子源的離子束並 理該離子束；以及 ^

   一個目標位置，苴 2·根據申請專利範 系統包括： 從該束線組件接收該離子束。 圍第1項的系統，其中該沉積清潔 及 個氟源，其提供氟到該離子源； 一個即流閥裝置，其減輕通過該源孔徑的氟損失 以 曰：個控制器’其控制從該氟源到該離子源的供應以及 /瓜里並且其控制該節流閥裝置的位置。 康申明專利範圍帛2項的系統，其中該節流閥裝 置包括—個節流閥構件，其包括彎曲的上部分及下部分， 其中該彎曲的上部分至少部分覆蓋該源孔徑。 4·根據申請專利範園篦 寸〜耗弟2項的系統，其中該節流閥裝 置包括一個可移動的雷衫； 勒的電極，其包括一個節流閥區域，其中 該可移動的電極之却罢备〜 °置係使付该節流閥區域至少部分蓋住 該源孔徑。 十一、圖式： 如次頁 22