TW200827481A - Lift pin, apparatus for processing a substrate having the lift pin, and method of processing a substrate - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 22
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 62
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 24
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 16
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- 102200133046 rs1805127 Human genes 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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Description
200827481
二達編號：TW3830PA 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種升降梢及加工基材之設備與方 法，且特別是有關於一種藉由升降梢沿一定方向移動一基 材用以將基材放置於一墊塊上，一設備包括升降梢用以加 工一基材以及透過此設備加工基材之一方法。 【先前技術】 鲁半導體元件通常經由一連串的程序來製造，例如一沈 積製程(deposition process)形成一材料層、一曝光製程 (photo process)、一微影製程（lithography process)、及一擴 散製程（diffusion process)等等。關於在一基材上形成一材 料層之沈積製程，已經發展出各種不同的加工方法，例如 一濺鍍製程、一電鍍製程、一蒸鍍製程、一化學氣相沈積 (chemical vapor deposition，CVD)製程、一分子束磊晶 (molecular beam epitaxy，MBE)製程及一原子層沈積 w (atomic layer deposition，ALD)製程等等。 由於CVD製程提供具有優良性質之一材料層，CVD 製程被廣泛地使甩在一基材上形成一欲得之材料層。CVD 製程一般包括一低壓化學氣相沈積(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)製程、一大氣壓力化 學氣相沈積（atmospheric pressure chemical vapor deposition，APCVD)製程、一低溫化學氣相沈積（1〇w temperature chemical vapor deposition，LTCVD)製程及一 200827481
二達編號·· TW3830PA 電漿辅助化學氣相沈積（plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)製程等等。 一傳統的CVD設備通常包括一腔體、一靜電式墊塊 (electrostatic chuck，ESC)、一 喷氣頭（shower head)及一升 降梢。將欲形成一材料層之一基材置入腔體内。基材固定
於ESC上並設置於腔體中。噴氣頭設置於ESC之上以便 於在基材上提供一反應氣體。升降梢被導入一通道内，通 道係垂直地形成並穿過墊塊，通道使升降梢沿著一向上方 向或是向下方向移動基材。舉例來說，常用具有一升降梢 的CVD設備例如是揭露於韓國專利公報之編號第 2005-42965號的專利。 傳統CVD設備之升降梢向上地與向下地在ESC形成 之通道中移動，所以升降梢具有一小於通道之直徑。特別 疋，由於傳統CVD設備之升降梢具有一固定直徑，因此 升降梢與通道之-内表面之間產生—間距。因此，當在基 材上形成材料層時，用於形成材料層之反應氣體會通過此 間距流入通道之内。同時’反應副產品(b”r〇ducts)藉由 =降梢與通道之間關距流人通道内。如此-來，-非預 =材料層會形成於通道之内表面1形成於通道内之非 插j之材料層可能形成如微粒之作用，導致半導體元件各 步’此非預期之材料層持續於通道之内 了升二a如此—來通逭之直徑也持續地縮小，因此阻礙 Γ升降梢向上及向下移動。 6 200827481
二连緬航· TW3830PA 【發明内容】 本發明係提供一種升降梢，用以阻止一反應氣體流入 一塾塊之一通道内。 本發明係提供一種用以加工一基材之設備，此設備包 括一升降梢，用以阻止一反應氣體流入一墊塊之一通道 内。 本發明係有關於一種藉由上述之設備加工一基材之 方法，此設備包括一升降梢，用以阻止一反應氣體流入一 • 墊塊之一通道内。 根據本發明之一方面，提出一種升降梢，包括一桿件 及一頂部。桿件可移動於一通道中，通道穿過一墊塊。墊 塊具有一物件，此物件係利用一反應氣體進行加工。頂部 位於桿件上，頂部用以與物件接觸，頂部閉合通道用以阻 止反應氣體流入通道。 於本發明之實施例中，頂部可具有一下端，下端與墊 塊之通道之一上表面接觸。 籲 於本發明之實施例中，一容置槽可設置於墊塊上，容 置槽用以容置頂部，且頂部可具有一側表面，側表面與該 容置槽之一内表面分離，容置槽係連通通道。 於本發明之實施例中，——容置槽可設置於墊塊上，容 置槽用以容置頂部，且頂部具有一侧表面，侧表面與容置 槽之一内表面接觸，容置槽係連通通道。 於本發明之實施例中，頂部之一上端可實質上小於頂 部之一下端。頂部具有一弧形、半圓形、三角形、矩形、 7 200827481
三達編號·· TW3830PA 梯形或漏斗形之橫截面。 根據本發明之另—方面，提出-種加工基材之設備。 此設備，一腔體、-墊塊、-噴氣頭及-升降梢。腔體 可用以谷置-基材於其中。整塊可設置於腔體内，塾塊用 以承載基材。塾塊可具有沿一方向形成之一通道，此方向 實質上垂直於基材。噴氣頭可設置於聲塊之上方，喷氣頭 用以提供-反應氣體於基材d降梢可設置於通道 内升降梢用以沿著一上升方向與一下降方向移動基材。 升降梢包括-桿件移動於通道中及一頂部形成於桿件 上，頂部用以阻止反應氣體流入通道。 於本發明之實施例中，升降梢之頂部之一上端會實質 上小於頂部之-下端。頂部具有一弧形、半圓形、多邊形 或漏斗形之橫截面。 於本發明之實施例中，塾塊具有一容置槽，了頁部可容 置於容置槽中。容置槽具有一深度實質上相等於或大於頂 鲁部之一厚度。容置槽具有一内表面，内表面會與頂部之一 側表面接觸。選擇性地，容置槽具有—内表面，内表面會 與頂部之一侧表面分離。 曰 於本發明之實施例中，墊塊包括一靜電式藝塊 (electrostatic chuck)，及腔體包括一化學氣相沈積 (chemical vapor deposition，CVD)腔體。 根據本發明之再一方面，提出一種加工基板之方法。 加工基材之方法包括以下步驟。置入一基材於一腔體之 内。使用一升降梢將基材固定於一墊塊上，升降梢移動於 200827481
二违福肌· TW3830PA 一通道内，通道係以貫通墊塊之方式形成。藉由升降梢之 一頂部閉合通道。使用腔體内之一反應氣體加工基材。移 除腔體中基材加工後產生之反應副產品（by-productS )。 根據本發明之實施例的加工基材之方法，反應氣體係 通入腔體之内，之後由反應氣體產生一電漿，用以於基材 上形成一材料層。 於本發明之實施例中，係可使用升‘降梢將基材由墊塊 向上移動，之後從腔體内卸載基材。 # 根據本發明之實施例，一升降梢包括一頂部，頂部係 可足夠閉合一墊塊之一通道。升降梢向上地及向下地移動 在通道内。所以升降梢會有效地阻止反應副產品及/威一，反 應氣體流入一墊塊之一通道中。如此一來，升降梢讦避免 非預期之材料層形成於通道之内表面，使得非預期之材料 層相當於微粒之作用導致一半導體元件各種問題的硯象 會有效地被抑止。更進一步，由於避免了非預期之材料層 的生成，係可延長墊塊進行下一次清潔的間隔時間，因此 半‘體元件之製造成本可被降低並且增加墊塊之壽命。 為讓本發明之上述内容能更明顯易懂，下文特舉一較 佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下： 【實施方式】 下文特舉本發明之實施例並配合所附圖式作詳細說 明。本發明係可以不同形式實施而不限定於本文提出之實 施例。本發明可不論如何在許多不同之形式下實施，並非 9 200827481
三達編號：TW3830PA 以本文所提出之實施例限縮本發明。此外，本文仔細地並 完整地揭露示範實施例，以充分地使熟知此技藝者瞭解本 發明之範圍。所附圖示為了清楚說明，各層及各部之大小 可能較為誇飾。 當闡述一元件或一材料層位於另一元件或另一材料 層「上」’或是闡述一元件或一材料層「連接至」或「耦 接至」另一元件或另一材料層時，可表示元件或材料層直 接位於另一元件或材料層上，或是表示連接或耦接至另一 元件或材料層，亦可能表示元件或材料層與另一元件或另 材料層之間更具有一中間元件（intervening element)或一 中間層。相對地，當闡述一元件或一材料層「直接地」位 於另一元件或另一材料層「上」，或是闡述一元件或一材 料層「直接地連接至」或「直接地耦接至」另一元件或另 一材料層時，則元件或材料層層與另一元件或另一材料層 之間不具-中間元件或一中間層。相同之標號係參照於相 籲同之元件於本文中，用語「及/或」包括一或多個相關項 目之任意或所有组合。 此外，「第一」、「第二」及「第三」等用語係用以描 述不同元件（elements)、部件（c〇mp〇nents)、區（代以〇11$)、 層及/或段(sections) ’而此些元件、部件、區、層及/或段 係不限定於此些名稱，此些名稱僅用以區別一元件、部 件U或段與另-元件、部件、區、層或段。因此， 下述之第元件、部件、區、層或段亦可稱作第二元件、 牛、區、層或段而不違反本發明之意義。
200827481 一· TW3830PA 與空間相關如「底下」、「下方」、「下面的」、「上方 「上面的」及相似之詞彙係用以描述圖示中一元件戈」"、 與另一元件或特徵關係。另外，與空間相關之詞彙^寺徵 示圖示所賴之方位，亦包括裝置使用巾或運作中^了表 方位。舉例來說，若翻轉圖示之裝置，則原來元件「下 或「底下」之另一元件或另一特徵係改變方位為元件「方」 方」之另一元件或另一特徵。因此，詞彙「下方」係口上
括下方及上方之朝向（orientation)。裝置可以其他方式、:L (旋轉90或面對其他方位），並與本文中空間相=向 語對應說明。 <%述 在本實施例中所使用之專門用語僅作為插述之/ 非用以限定本翻。_本文明確地指出，單數形並 「一個」亦包括複數形式「數個」。此外，當使用「勹1式 於說明書巾時，係用以以詳述指定特徵、事物、步驟匕、」 作、70件及/或部件的存在，但並不排除—或多個附加之^ 徵事步驟、操作、元件及/或部件的存在。 -一，係參照於橫截面圖以概要地闡述本發明之 :範貝％例（及其中之結構）。由於製造技術及/或公差， f 本圖示之形狀差異係為可預期的。因此，本發明之 例的ϋ T係不限定各部份之特定形狀，*包括例如因 :私產生之形狀差異。舉例來說，!會示為-矩形之-植入 區域八般具有U形或曲形特徵及/或植人濃度於其邊界呈 梯度刀/佈而非植入與植入部之二元變化。同樣地，由植 法幵>/成之内埋區域可能會在内埋區域及植入表面之 200827481
—迁爾 m . TW38jOPA 間的區域產生某些植入。因此，緣示於圖示之區域本質上 係為概要，其形狀係不限定為裝置區域之實際形狀，且不 限定本發明之範圍。 除非更進-步定義’否則所有在本文中使用之名稱 (包括技雜及科學性錢）細本發顧屬技術領域中 之通常知識具有相同意義。再者，除非文中明確地定義， 否則例如在-般字典裡所定義之名稱應被視為與相關技 術背景之意義-致’而不會被解讀為理想化或過度正規之 • 意義。 請參照第1圖，其緣示依照本發明之較佳實施例的升 降梢之橫截面圖。請同時參照第2圖，其繪示第i圖t「n」 區域橫截面之局部放大圖。 如第1及2圖所示，一升降梢1〇〇包括一桿件11〇及 一頂部120。在實施例中，升降梢1〇〇可被導入一墊塊21〇 中’物件（未繪示），例如是一基材，係設置於墊塊21〇 上。 升降梢100之桿件110會被導入至一通道216，通道 216以貫穿替塊210之方式形成。通道216可實質上沿著 垂直墊塊210之一方向形成，如此桿件110會相對於墊塊 210 §曼置。桿件11〇可沿著一向上及一向下之方向在通道 216之内移動。桿件ι1〇之寬度會實質上小於通道216之 寬度。在一實施例中，升降梢1〇〇之桿件110可具有一預 定寬度。桿件110可具有一柱狀結構。 升降梢100之頂部120被設置於桿件110之一末端。 12 200827481
二遂緬魷.TW3830PA 頂部120可與捍件110 一體成形。頂部12〇可將物件，例 如是基材，固定於墊塊210上，或頂部12〇可以將物件沿 著向上或向下之方向相對於墊塊21〇移動。當升降梢 之頂部120與物件相互接觸時，頂部12〇可具有一定結構 之上端用以減少升降梢100與物件之間的一接觸區域了當 頂部120具有一減少之頂面積，物件之缺陷舉例來說，物 件之一污點或一斑塊可以有效地被被抑止產生。 在本發明之實施例中，升降梢100之頂部12〇可具有 • 一弓形結構或一半球狀橫截面。此外，頂部12〇可具有例 如是一弧狀形或半圓外形之橫截面。當頂部12〇具有一弓 形結構或一半球狀橫截面，頂部120可充分地閉合通道 216。如此一來，頂部12〇之一下寬度係實質上大於通道 216之一上寬度。在實施例中，當形成一欲得之材料層於 物件上（例如是基材）時，頂部120會密封通道216之一 上知。因此，頂部12〇具有一上述之結構可有效地阻擋用 來形成欲得之材料層之一反應氣體流入通道216。 # 在本發明之實施例中，塾塊210之一上端係具有一容 置槽217。升降梢100之頂部210會被導入容置槽217中。 容置槽217會與通道216連通。當物件固定於墊塊210時， 升降梢100之頂部120不會突出墊塊210之一上表面。因 此’容置槽217會具有一深度實質上大於頂部120之一厚 度。另一種選擇，容置槽217之深度可係實質上等於頂部 120之厚度◊容置槽217可具有一多邊形之橫戴面，舉例 來說’ 一矩形橫截面。在此，頂部120係可與容置件217 13 200827481
TW3830PA 之一側表面有間隔開來，亦即，容置槽217可具有一寬度 貫質上大於頂部12〇之一下寬度。 、 墊塊210提供一空間218與通道216之一下端接通。 一載台（未繪示）被置於空間218之内用以承載升降梢ι〇〇 之一下端。舉例來說，載台可承載桿件110之一下端。當 在物件上形成之此材料層時，反應氣體會通過通道216流 入空間218，——非預期之材料層會在通道216與空間 之内表面形成。然而，頂部120會閉合通道216之上端以 有效地防止反應氣體流入空間218。因此， 期之 層係因為藉由頂部⑽封通道216而不會 空間218之内表面形成。 在本發明之實施例中，升降梢1〇〇之頂部110會閉合 墊塊210之通道216以避免反應氣體流入通道216及空間 218内。因此，藉由阻擋反應氣體通過通道216流入空間 218内’此非預期之材料層不會在通道216及空間218之 鲁 内表面形成。 明參知第3圖，其繪示依照本發明之另一實施例的升 降梢之橫截面圖。在第3圖中，升降梢i〇0a除了 一頂部 120a，外，升降梢1〇〇a可具有一實質上相似或實質上相 同於第1及2圖中之升降梢100之結構。 ,如第3圖所示，升降梢100a之頂部120a可具有一梯 形=橫截面。此頂部12〇a會具有一下端寬度，以充分地 覆盍一墊塊210之一通道216之一上端。所以，頂部120a 具有一下端實質上較頂部120a之一上端更寬β換句話說，
.TW3830PA 200827481 頂部120a之下寬度係實質上大於頂部12〇a之一上寬度。 在本發明之實施例中，頂部120&係被容置於墊塊210 之一容置槽217内。當載入一物件於升降梢1〇〇a上時， 頂部120a可自容置槽217向上移動。此外當將物件固定 於墊塊210時’頂部12〇a會與容置槽217之一下端相互 接觸。容置槽217可具有一多邊形之橫截面 ，例如一矩形 核截面。頂部120a之一側表面可與容置槽217之一内表 面分開一預定距離。因此，頂部12〇a會具有一下寬度實 質上小於容置槽217之一寬度。 請參照第4圖，其繪示依照本發明之又一實施例的升 降梢之杈截面圖。在第4圖中，一升降梢1〇〇b除了頂部 12〇b外’可具有一實質上相似或實質上相同於第1及2圖 中之升降梢100之結構。 如第4圖所示，升降梢1〇〇b包括一頂部n〇b，頂部 120b具有一多邊形橫截面，例如是三角形橫截面。頂部 120b會，有一了寬度實質上大於一墊塊21〇之一通道216 之一上寬度，藉以在物件（例如是基材）上形成一欲得之 材料層時，充分地閉合通道216。 在本發明之實施例中，頂部12〇b係容置於墊塊210 上之一容置槽217内。頂部120b可與容置槽217之一底 部接觸，或者亦可與容置槽217分開。容置槽217可具有 一矩形之橫截面。由於頂部120&會具有一下寬度實質上 小於容置槽217之〆寬度，因此頂部12〇b之一側表面可 與容置槽217之一内表面分開。 15 200827481 二连緬a/ΰ，义 vV3830PA … 請蒼照第5及6圖，.其分別繪示依照本發明之再一實 施例的升降梢之橫截面圖。在第5及6圖中，一升降梢1〇〇c 除了頂部120c外’可具有一實質上相似或實質上相同於 第1及2圖中之升降梢1〇〇之結構。 在第5圖中’升降梢1〇〇c之頂部12〇c可具有一多邊 形橫截面，例如是一矩形橫截面。頂部12〇c可具有一下 寬度’其係實質上較一墊塊210之一通道216更寬。如此 一來’當在一物件形成一材料層時，一反應氣體無法流入 _ 墊塊210之通道216及空間218内。亦即，頂部120c可 充分地閉合通道216,藉以阻止一非預期之材料層形成於 通道216及空間218中。 在本發明之一些實施例中，墊塊210之一容置槽217 用以容置升降梢100c之頂部120c。容置槽217可具有一 多邊形橫截面，例如是一矩形之橫截面。因為頂部120c 可具有一下寬度實質上小於容置槽217之一寬度，頂部 210c可具有一側表面與容置槽217之一内表面分離。 B 在本發明之其他實施例中，頂部120c可與容置槽 217c相互產生接觸。那就是，頂部12〇c之一側表面可接 觸到容置槽217之一内表面。在此，容置槽217c會具有 一寬度，其係略大於頂部120c之一下寬度，且如此保證 頂部120c向上移動。當頂部120c與容置槽217c相互接觸 時，可以更有效地抑止反應氣體流入通道216内。 請參照第7爵，其繪示依照本發明之另一實施例的升 降梢之橫截面圖。在第7圖中，一升降梢100 d除了頂部 16 200827481
二達緬筑· TW3830PA 120 d外’可具有一實質上相似或實質上相同於第1及2 圖中之升降梢100之結構。此外，一墊塊21〇包括一容置 槽217d依照頂部120d調整為一合適之結構。 如第7圖所示，升降梢100(ι之頂部12〇d可具有一漏 斗外型之橫截面。那就是，頂部120a會具有一上寬度， 其係貫質上大於頂部12〇a之一下寬度。然而，頂部i2〇a 之下寬度會實質上大於墊塊210之通道216之一上寬度， 用以充分地閉合通道216。 ⑩ 在本發明之貫施例中，頂部120d係容置於墊塊210 之一容置槽217d内。容置槽217(1也可具有一上寬度其係 •貝質上大於谷置槽217d之一下寬度。舉例來說，容置槽 217d可以具有一漏斗外型之橫截面。升降梢i〇〇d之頂部 120d與墊塊21〇之容置槽217d相互產生接觸。亦即，頂 部210d之-侧表面會與容置槽217d之一内表面相互接 觸。谷置槽217d可具有_上寬度，其係略大於頂部i2〇d 之上寬度。且容置槽2l7d可具有-下寬度，其係略大於 頂部12〇d之下寬度。因此，因為容置槽2m係與頂部i2〇c 相互緊密地貼合，當在一物件形成一欲得之材料層時，係 可更有效地阻止反應氣體流入墊塊210之通道216及一空 間218内。 請參照第8圖’其繪示依照本發明較佳實施例之加工 -基材的-設備之橫戴面圖。如第δ圖中所繪示，雖然設 備例如是CVD設備’然其並非用以限定本發明。只要是 依照本發明先前所描述之升降梢所符合之相關設備，皆屬 17 200827481T…
—_ T"W"j8<3〇PA 於本發明之範圍内。 如第8圖所示，加工一基材之一設備200包括一腔體 230、一墊塊21〇、一喷氣頭220及一升降梢1〇〇。 腔體230會具有容置基材之空間。基材可包括一半導 體基材，例如是一;ε夕基材、一鍺基材及一石夕鍺基材等等。 腔體230之一上端提供一進口 240。用以在基材上形成一 欲得之材料層的一反應氣體係可經由通過進口 240導入腔 體230之内。腔體23〇之一下端設置一出口（未繪示）。在 魯 執行完於基材上形成材料層之一沈積製程後，反應副產品 及剩餘的反應氣體會經由出口自腔體230排出。 墊塊210被安置在腔體230之内。墊塊210可包括一 靜電式墊塊，用以藉由一靜電力支撐基材。墊塊21〇包括 平台212及一加熱器214，加熱器214設置於平台212 之下方。基材係放置於平台212上並可藉由加熱器214加 熱至一預定溫度。墊塊210更可包括一電源（未繪示）與 魯 平台212電性連接。當在基材上形成此材料層時，平台212 會#目當於一下電極，甩以於腔體230中將反應氣體激發產 生—電漿。墊塊210可具有一實質上相似或實質上相同於 辅以第1圖之描述的墊塊。另外的選擇，墊塊21〇可以具 有一實質上相似或實質上相同於輔以第3至7圖之描述之 墊塊。 升降梢100會被導入墊塊210使升降梢100在墊塊 中之一通道移動。舉例來說，升降梢100會沿著一向 白或向下之方向移動。在一些實施例中，升降梢 18 200827481
二连獅5/H · TW3830PA 100可具有一實質上相似或實質上相同於辅以第1及2圖 之描述的升降梢。在其他的實施例中，升降梢1⑽可具有 一實質上相似或實質上相同於辅以第3至7圖之描述的升 降梢。 喷氣頭220係設置於腔體230内之墊塊210的上方。 喷氣頭220會與進口 240互相接通，並用以均勻地將反應 氣體提供至載入在墊塊210上之基材。噴氣頭220會與一 電源（未繪示）電性連接，藉以在基材上形成材料層時， • 形成相當於一上電極之作用，用以於腔體230中將反應氣 體激發產生一電漿。 以下，係辅以相關圖示詳細說明一種藉由上述設傭加 工基板之方法。 請參照第9圖，其繪示依照本發明較佳實施例之加工 一基板之一方法的流程圖。在第9圖中，加工基板之方法 猎由第8圖中加工基板之設備來進行。 請同時參照第8及9圖，於步驟S310中，——基材（例 鲁 如是一半導體基材）被置入於腔體230之内。基材玎以藉 由一搬運儀器（例如是一機械手臂）導入腔體230之内。 在步驟S320中，升降梢1〇〇在墊塊210之通道内部 向上移動，如此一來升降梢100之頂部120與基材之底部 相互接觸，亦即基材被放置在升降梢100之頂部12〇上。 在步驟S330中，升降梢100在墊塊210之通道内部 向下移動，如此一來基材被置放在墊塊210上。 升降梢100之頂部120容置於墊塊210之容置槽270 200827481
• TW3830PA 中，如步驟S340所示。如此，塾塊210之通道係可藉由 升降梢100之頂部120封閉。 在步驟S350中，一反應氣體經由進口 240被導入至 腔體230。通過噴氣頭220反應氣體會均勻分散於腔體23〇 中〇 一電壓施加於噴氣頭220及墊塊21 〇，電屋用以將均 勻分散之反應氣體在腔體230中形成一電槳，如步驟S3 60 所示。電漿會被提供至藉由墊塊210支撐之基材之上，如 _ 此一來一欲得之材料層會在基材上形成。當形成此材料層 於基材上日守，升降梢1 〇〇之頂部120會閉合塾塊21 〇的通 道之上端。因此，腔體230中剩下之氣體及反應副產品不 會流入墊塊210之通道内。 步驟S370中，在形成此材料層於基材上之後，反應 副產ua及反應剩下之氣體皆經由出口自腔體23〇中排出。 反應副產品及反應剩下之氣體可藉由一真空泵(vacuum pump)自腔體230中移除。 籲 在+步驟S38G中，當移除反應副產品及反應剩下之氣 體後’藉由升降梢1GG沿向上方向移動帶動基材自墊塊23〇 向上移動。由於反應啦品及反應剩下之氣體經由出口自 腔體⑽中移除，升降梢1〇〇之頂部12〇打開塾塊23〇之 通運後’反應副產品及反應剩下之氣體不會流入塾塊21〇 之通道中。 基材自腔體230中被卸載，如步驟§39〇所示。基材 可藉由-搬運儀器（例如一機械手臂）自腔體23〇之内移 20
-TW3830PA 200827481 根據本發明所述之實施例，雖然一升降梢與一墊塊同 時被應用於加工一基板之一設備中，此升降梢也可有利地 與支撐物件之其他裝置配合，例如是用於支撐液晶顯示裝 置之各種基材。 根據本發明所述之實施例，一升降梢包括一頂部可充 分地閉合一墊塊之一通道。升降梢於此通道中向上及向下 移動，使得升降梢可有效地阻止反應副產品及/或一反應氣 體流入至一墊塊之一通道内。由於在一物件（例如是基材） 上形成一欲得之材料層時，升降梢會阻止非預期之材料層 形成於通迢上，因此，源於非預期之材料層相當於微粒之 作用導致-半導體元件㈣題，射有效地避免。更進一 厂由於避免了非預期之材料層的形成，係可延長塾塊進 行下一次清潔之間隔時間，因此半導體元件之造 被降低，並增加墊塊之壽命。成本了 上述有關本發明之說明並非用以限制雖 發明已《-些實_誠如上，然其並非心限定^本 二==術領，有通常知識者，在不脫離本 圍#可作各種之更動與㈣。因此， ^發月之保護㈣當視制之申請專利範_定 準。在申料職手段加上魏 戶㈣=述_肋料執行前述功 此之所有結構，且不只包括結構上之均 之結構1此，前述内容僅為本發明之範例說；^並= 21 200827481
一· TW38jOPA 以將本發明之範圍限縮至此些具體實施例。再者，各種針 對上述實施例之更動以及其他實施方式，均不脫離本發明 之精神和範圍。本發明之保護範圍當視後附之申請專利範 圍極其均等物所界定者為準。 22 200827481
一违綱肌 * rW38:0PA 【圖式簡單說明】 第1圖繪示依照本發明之較佳實施例的升降梢之橫 截面圖。 第2圖繪示第1圖中「II」區域橫截面之局部放大圖。 第3圖繪示依照本發明之另一實施例的升降梢之橫 截面圖。 第4圖繪示依照本發明之又一實施例的升降梢之橫 截面圖。 • 第5及6圖分別繪示依照本發明之再一實施例的升降 梢之橫截面圖。 第7圖繪示依照本發明之另一實施例的升降梢之橫 截面圖。 第8圖繪示依照本發明較佳實施例之加工一基材的 一設備之橫截面圖。 第9圖繪示依照本發明較佳實施例之加工一基板之 一方法的流程圖。 【主要元件符號說明】 100、100a、100b、120c、120d :升降梢 110 :桿件 120、120a、120b、120c、120d :頂部 200 :設備 210 :墊塊 212 :平台 23 200827481
一^nmwL· * TW3830PA 214 :加熱器 216 :通道 217、217c、217d :容置槽 218 :空間 220 :噴氣頭 230 :腔體 240 :進口
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Claims (1)
- 200827481 —迁縦抓-TW3830PA 十、申請專利範圍： 1. 一種升降梢，包括： 一桿件，移動於一通道中，該通道穿過一墊塊，該墊 塊具有一物件，利用一反應氣體加工該物件；以及 一頂部位於該桿件上，該頂部用以與該物件接觸，該 頂部閉合該通道用以阻止該反應氣體流入該通道。 如申請專利範圍第1項所述之升降梢，其中該頂 部具有一下端，該下端與該墊塊之該通道之一上表面接 • 觸。 3. 如申請專利範圍第1項所述之升降梢，其中一容 置槽係設置於該墊塊上，該容置槽用以容置該頂部，且該 頂部具有一侧表面，該侧表面與該容置槽之一内表面分 離，該容置槽係連通該通道。 4. 如申請專利範圍第1項所述之升降梢，其中一容 置槽係設置於該墊塊上，該容置槽用以容置該頂部，且該 頂部具有一側表面，該側表面與該容置槽之一内表面接 籲觸，該容置槽係連通該通道。 5. 如申請專利範圍第1項所述之升降梢，其中該頂 部之一上端係實質上小於該頂部之一下端。 6. 如申請專利範圍第5項所述之升降梢，其中該頂 部具有一弧形、半圓形、三角形、矩形、梯形或漏斗形之 橫截面。 7. —種加工基材之設備，包括： 一腔體用以容置一基材； 25 200827481 —·疋麵m . TW3830PA 一墊塊設置於該腔體内，該墊塊用以承載該基材，該 墊塊具有沿一方向形成之一通道，該方向係實質上垂直該 基材； -喷氣頭設置於該墊塊之上方，該噴氣顧以提供一 反應氣體於該基材之上；以及 -升降梢設置於該通道内，該升降梢用以沿著一上升 方尚與-下降方向移動該基材，該升降梢包括一桿件移動 於該通道中纟頂部形成於該桿件上’該頂部用以阻止該 _ 反應氣體流入該通道。 8. 如中請專利範圍第7項所述之加卫基材之設備， 其中該升降梢之該頂部之-上端係實質上小於該了頁部之 〆下端。 9. 如申請專利範圍第8項所述之加工基材之設備， 其中該谓部具有一弧形、半圓形、多邊形或漏斗形之橫截 面。 1〇·如申叫專利範圍第7項所述之加工基材之設備， φ 其中該墊塊具有一容置槽，該頂部係容置於該容置槽中。 Π·如申請專利範圍第1〇項所述之加工基材之設 備，其中該容置槽具有一深度，該深度實質上相等於或大 於該谓部之一厚度。 12·如申請專利範圍第10項所述之加工基材之設 備，其中該容置槽具有一内表面，談内表面係與該頂部之 /側表面接觸。 13·如申請專利範圍第1〇項所述之加工基材之設 26 200827481 二逄編魷：fW3830PA 備，其中該容置槽具有一内表面，該内表面係與該頂部之 一侧表面分離。 14. 如申請專利範圍第7項所述之加工基材之設備’ 其中該墊塊包括一靜電式墊塊（electrostatic chuck )。 15. 如申請專利範圍第7項所述之加工基材之設備’ 其中該腔體包括一化學氣相沈積（chemical vapor deposition，CVD)腔體。 16. —種加工基板之方法，包括： _ 置入一基材於一腔體之内； 使用一升降梢將該基材固定於一墊塊上，該升降梢移 動於一通道内，該通道係以貫通該墊塊之方式形成； 藉由該升降梢之一頂部閉合該通道； 使用該腔體内之一反應氣體加工該基材；以及 移除該腔體中該基材加工後產生之反應副產品 (by-products)0 17·如申請專利範圍第16項所述之方法，其中加工 鲁該基材之步驟更包括： 通入該反應氣體進入該腔體之内；以及 由該反應氣體產生一電漿，該電漿用以於該基材上形 成一材料層。 18·如申請專利範圍第16項所述之方法，更包括： 使用該升降梢將該基材由該墊塊向上移動；以及 從該腔體内卸載該基材。 27
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060132393A KR20080058568A (ko) | 2006-12-22 | 2006-12-22 | 리프트 핀 및 이를 갖는 기판 처리 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200827481A true TW200827481A (en) | 2008-07-01 |
Family
ID=39541079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW096122962A TW200827481A (en) | 2006-12-22 | 2007-06-25 | Lift pin, apparatus for processing a substrate having the lift pin, and method of processing a substrate |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080149032A1 (zh) |
| JP (1) | JP2008160056A (zh) |
| KR (1) | KR20080058568A (zh) |
| CN (1) | CN101205606A (zh) |
| TW (1) | TW200827481A (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9011602B2 (en) * | 2009-01-29 | 2015-04-21 | Lam Research Corporation | Pin lifting system |
| NL2009689A (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-05 | Asml Netherlands Bv | Support, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| EP2752870A1 (en) * | 2013-01-04 | 2014-07-09 | Süss Microtec Lithography GmbH | Chuck, in particular for use in a mask aligner |
| KR102097109B1 (ko) * | 2013-01-21 | 2020-04-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 증착 장치 |
| US10195704B2 (en) * | 2013-03-15 | 2019-02-05 | Infineon Technologies Ag | Lift pin for substrate processing |
| US9828672B2 (en) | 2015-03-26 | 2017-11-28 | Lam Research Corporation | Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma |
| KR20180001629A (ko) * | 2016-06-24 | 2018-01-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102053593B1 (ko) * | 2017-11-29 | 2019-12-09 | 주식회사 테스 | 리프트핀유닛의 이동방법 및 기판처리장치 |
| US10760158B2 (en) * | 2017-12-15 | 2020-09-01 | Lam Research Corporation | Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing |
| CN110896045B (zh) | 2018-09-12 | 2022-12-30 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种升举顶针组件，静电夹盘及其所在的处理装置 |
| KR102108296B1 (ko) * | 2018-09-21 | 2020-05-12 | 세메스 주식회사 | 기판의 열처리 장치 |
| DE102019007194A1 (de) * | 2019-10-16 | 2021-04-22 | Vat Holding Ag | Verstellvorrichtung für den Vakuumbereich mit Druckmessfunktionalität |
| USD1009817S1 (en) * | 2021-09-28 | 2024-01-02 | Applied Materials, Inc. | Shadow ring lift pin |
| CN114141691B (zh) * | 2021-12-14 | 2022-06-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备 |
-
2006
- 2006-12-22 KR KR1020060132393A patent/KR20080058568A/ko not_active Application Discontinuation
-
2007
- 2007-06-18 US US11/764,482 patent/US20080149032A1/en not_active Abandoned
- 2007-06-25 JP JP2007166205A patent/JP2008160056A/ja not_active Withdrawn
- 2007-06-25 TW TW096122962A patent/TW200827481A/zh unknown
- 2007-07-30 CN CNA200710135863XA patent/CN101205606A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008160056A (ja) | 2008-07-10 |
| US20080149032A1 (en) | 2008-06-26 |
| CN101205606A (zh) | 2008-06-25 |
| KR20080058568A (ko) | 2008-06-26 |
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