TW200822960A - System and method for processing high purity materials - Google Patents

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TW200822960A
TW200822960A TW096126005A TW96126005A TW200822960A TW 200822960 A TW200822960 A TW 200822960A TW 096126005 A TW096126005 A TW 096126005A TW 96126005 A TW96126005 A TW 96126005A TW 200822960 A TW200822960 A TW 200822960A
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TW
Taiwan
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unit operation
rti
sensor
pressurized gas
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Application number
TW096126005A
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English (en)
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David Kandiyeli
Todd Graves
Rhey Yang
Original Assignee
Celerity Inc
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    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Description

200822960 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明的至少一實施例係關於用於處理材料的系統和 方法,且更特別地,本發明係關於用於處理例如研磨泥漿 等高純度材料的系統和方法。 【先前技術】 例如製藥、化妝品及半導體工業中,經常需要高純度
勺處里材料。在半導體工業中,典型地使用將原料引進到 们μ 口子系統内的製造系統,而製備出混合好的處理材 料。需要相當的精確性,才能製造出一批混合過的處理材 料丄而這些處理材料須能夠被企圖進行的應用所接受,且 b夠4保批批材料之間的一致性。然後,將一批的材 料進一步往下游處理,例如,在輸送到工具之前,接受過 慮操作或進一步的混合。 ,午夕應用情形中’最好能夠連續地供應混合好的處 理材料到_個使用點上。典型地,使用備用單&,以便促 進將/個或多個處理元件週期性地從生產線上拿下來,以 、—:養然而,即使在與這種過渡情形有關的製程參 口丈1之微小波動,也可能會使高純度材料的連續傳送及/或 :產生月顯的瓦解。例如,在系統内不利的壓力下降, 可能就是很特別的重要因素。 【發明内容】 纟Θ 或多個實施例,本發明係關於用於處 理咼純度材料的系統與方法。 200822960 一依據-個或多個實施例’本發明係關於一種用於處理 二 =料的方法,其包含以下步驟:使第一材料的流動 !_=:單71操作;監控第-單元操作的操作參數;將 弟一早=#作裝填人加M氣體;從該第二單元操作中除去 該加壓氣體;以及,回應於顯示達臨界值的第-單元操作 之操作參數,將該第一材料的流動轉流至第二單元操作。 ,據-個或多個實施例’本發明另外係關於一種用於 處理兩純度材料的备#
^ +的糸、、充,包含:一第一材料供應線路;一 第、Α早70 $作’其係流體式地連接到第-材料供應線路的 下游’一弟二單元操作,其係流體式地連接到第一材料供 j路的下游;一第一感測器,其被設置成用以镇測該第 作:操?參數;一第二感測器,其被設置成用以 “〜弟—早70操作的操作參數;-加職體供應線路, 其係流體式地連接到該第一單元操作及第二單元操作一 出口、’其係流體式地連接到該第一單元操作及第二翠元操 作以及&制益’其係與該第一感測器、第二感測器及 出相連結。该控制器被設置用以產生:一第一控制信號, 以便將該第二單元操作震填滿來自加壓氣體供應線路的加 職體;—第二控制㈣,以用於將第-材料的流動從第 一單元操作經由第二罝★ 一、 一早疋知作而轉流至出口,以回應於顯 示達臨界值的第_咸:目,丨盟、. .、、 弟 α,則态,以及一第三控制信號,用以在 加壓氣體已經從第二單元操作中被排除之後,經由第二 兀操作將第-材料的流料弓丨朝向一工具。 從以下伴隨附圖所作的本發明之詳細說明中,可以更 7 200822960 加清楚地了解本發明的其他優點,新穎特色及目的。 【實施方式】 以下的附圖並未依照比例繪製。在該等圖式中,於不 同圖式中所圖示說明的相同或幾乎相同之構件,係以類似 的元件符號加以標示。為求簡潔起見,並未在各圖式中= 示出所有的構件。以下,將參考附圖說明本發明的較佳: 限定性實施例。 1 w 本發明並未侷限於以下的說明或圖式中所顯示 與其構件的構造與配置方法而已。本發明具有其他的“ 例,且能夠以其他不同的方式實施出來。 户理明一或多個實施例,本發明係關於-種用於 方#的一個或多個系統和方法。以下所敘述的 糸先和方法,例如可被運用於製備在諸如化妝品 半導體工業等廣泛工業範圍的應用情形中之材料,以及 他可能需要連續及/或正確地供應高純度材料的應用情形:、 本發明的實施例大致涉及將材料的流動引進到『 元: 桑作内。此單元操作可以包含具有-個待被填滿的體; 之任何處理構件,此單元操作可以藉由例如纟且合、 分離製程等方式而作用於此材料上。在―些實_中錢 兀刼作可以包含一過濾器,例如過濾器 早 性的過濾器可以階段式地過濾此材料之系二不同夕孔 被處理的材料及想要的應用情 摆可以根據待 夕孔性。可以包括其他的單元操作,例、 磨器、加熱設備或冷卻設備等。 又、研 8 200822960
然後,此單元操作可以將材料朝下游導引,以用於進 一步的處理、儲存或供末端使用的傳送。被引進到單元操 作内的材料可以包含任何單元操作所想要處理的任何組成 或混合物,例如··化學機械平面化(CMP)泥漿。此材料可 以包含已經被處理過(例如:已混合或分離)且位於單元操 作上游處的組成,或者,可以包含供單元操作初步處理的 原料。本發明的一些實施例可以包括被引進到多個主要單 元操作内的多個材料流,這一點稍後將加以說明。例如早 一第一材料供應線路可以流體式地連接到一第一單元操 作,而一第二材料供應線路可以流體式地連接到一第2= 元操作。在-些實施例中,第—與第二單元操作可以= 本發明的系統也可以包括一個或多個感測器,其能夠 镇測、測ϊ及/或監控—個單元操作的特性或操作來數 如’感測器可以包含一個或多個壓力感測器(例如: 換器)’其被裝設成用以監控橫跨一個單元操作的壓力差 壓力差可以被直接地測量以,或者根據在此單元 游與下游處所取得的讀數而決定。也可以包括其他的操作 :數八例如溫度、導電性、流速或耗電力。在一些 中,感測器可以根據所收集到的資料而產生出一 且還可以將此訊號傳遞至此系統的操作人員或控=上而 -些感測器所收集到的資訊’例如可以有助於評-操作的性能,且評估此單元操作的維修要求。早几 在系統的操作期間,可能會想要或必須將一個單元操 9 200822960 作攸生產線上挪開,以便進 « ^ ^ 、准U保養。一個單元操作可 乂疋期保養,或者回應於顯 給狄y r 逐界值的刼作參數而進行 、准修。例如,與一過濾器組 ψ伽巧矢 相遷結的壓力感測器可以顯示 出一個板跨過濾器的壓力差, 左此屋力差是大於一 界值。此臨界值可以在不同 00 ,Λ _ m ^ 未作人貝之間或者根據想要 的應用6形而加以改變。例 J戈 假如板跨一個全新或P鉍 維修好的單元操作之差異屋 〆^ 白m 1 刀頌不為6PS1的活,則具有9Psi 的差異壓力可以被預定為臨 P ^ μ. ^ ^ 、准修保養一般可以包含 離此早兀插作以及清潔 I 早7°#作的構件。當此 早私作包g例如一過濾器時,唯佟# I 1 ^ $ 才、、隹修保養可能會更明確地 匕括冲洗、反洗(backwashing),武1 g)或其他本案相關技術中所 热知的清潔方式。 依據本發明之一或多個杳*A 7丨^ _ w 個貫轭例的糸統也可以包含一個 或夕個弟二單元操作,用 用从備伤及/或支援主要單元操作, 以便促進材料下游的連續處 只处理及/或輸运。這類的第二單元 刼作在此可以稱之為備用單 一 干几义9代早兀。當一個主要單 疋#作從生產線上挪開而 αι ^ 用向進仃維修保養時,待被處理的材 L動可以被暫時轉流至一備用單元,以防止打斷處理 t的材料的下游輸送’直到恢復主要單元操作的流動為 一般來說,㈣單以功能上可以等於及/或以其他方 式取代其所支援的主要單 文早兀栋作。依據一些實施例,單一 個備用單元可以Φ接 Am 4r , 平兀」以叉杈一個或多個主要單元操作。 本發明的-個或多個實施例可以進一步包括用以減少 糸統内的線路壓力變化之特徵。當在主要單元操作與備用 200822960 單元操作之間進行隸弒主 寺,例如進行上述的維修時,最好 =防 個卫作中的單元内之壓力下降。並不希望被 ^於特殊理論,在線路|力中的變化可能會不利
到精確度相當重IΜ古u A A 室要的回純度處理材料之處理與傳送的正確 性及/或連續性。
因此,依據本發明一個或多個實施例,主要及第二單 -操作可以流體式地連接到一加壓流體來源,例如加壓氣 體以便在單7C #作之間的轉移之前能夠準備好㈣ming)。 Ή地〜被π到生產線上的單元操作可以首先被裝滿 力^孔體’以便達到系統壓力。所運用的加壓氣體可以包 含任何能夠與系統構件相容的氣體,例如加麼氮氣。稍後 將芩考不同的圖式詳細說明,待處理的材料之流動可以被 暫日寸地被轉流到準備好的備用單元操作内,而不會經歷在 線路壓力中顯著的下降。 。此系統也包括一出口,其係流體式地連接到每個單元 麵作上’以當需求時促進將加壓氣體從系統中趕出去。此 系統的-或多個特點,例如與系統内的流動線路結合之各 種閑體(例如針閥),可以被調整及/或被預先設定成能夠限 制及/或控制加壓氣體從—個單元操作巾被排出去的速率。 待處理的材料在—單元操作内使加壓氣體產生移動之速 率β也可以獲得控,以冑防止在單元操#的轉移期間線 路壓力中的任何變化。加壓氣體從一個單元操作中被排出 的速率之調整,係可以直接地控制處理用的材料之流入。 以下,將參考附圖詳細說明本發明的至少一個實施例 11 200822960 ‘作其中粗線是標示系統中的流體流動。 圖1至圖5顯示依據本發明一或多個實施例的系統。 :处理的材料之流動是從—材料供應源、Η 0被引進到第一 :心作120 °離開第操作單元12G的處理過材料,則 是被導引到下游而朝向一工# 13〇,以用於後續的處理。 或者’離開第-單元操# 12〇的處理過材料可以被供應於 4仏半導體生產線。第_單元操作m的—個操作來 文係藉由-個感測器140被監控,例如,差動廢力感測器。 也可以在第—單元操作12G之前或之後設置額外的感測器 (例如:在供應及出口線路)。如® 1所示,-第二單元操 作150被裝滿有來自一加壓氣體來源18〇的加壓氣體,以 達到系統壓力。此準備動作可在第—單元操作i2G正進行 處理材料同時發生。加壓氣體可以如目1所示被保持在第 -單元织乍15〇内’或者也可以如圖2所示經由出口 17〇 而被連續地從糸統10 0排放出去。 々依據一或多個實施例,可以啟動在單元操作之間的轉 =,=回應於顯示達感測器14G所偵測到的就臨界值之 弟-單元操作120的操作參數。或者,此轉移也可以定期 地、間歇性地、或以系,统100之操作人員所決定的預定時 間間隔而發生。在轉移期間’來自材料供應源ιι〇的材料 可以首先被引進到第一與第二單元操# 12〇、15〇内以供 處理。圖3顯示雙重操作的週期’在此期間,離開第二單 =操作150的流體係經由出口 17〇而排放出去,以便將加 壓氣體從此系、统HH)中排出去。—旦加壓氣體已經被充分 12 200822960 地趕出去之後,離開第二單元操作15〇的漭 所示被導引朝向此工具130。 、曰圖4 …、傻何料的流動可LV i ^ 5所示完全祕你楚 ^ . 如圖 叮丁凡王地攸弟一早兀操作120轉流到 1 5 0。可以^>忐/楚 tm - 單疋操作 J以疋成在弟一早π操作120盥 之間的上述變化,而不會打斷wf —早4作150 輸送,且不合使線路壓力;二 料之連續朝下游 不日使線路[力產生明顯的下降,例如小於 弟一早凡刼作150可以被帶回生產線上,同時 単元操作120令的壓力過渡時期。 、 在弟一 第-早το操# 150的一操作參數可 器MO加以監控。+第—| ^ 们第—感測 孤徑田弟一早凡操作15〇在 備用的支援單元處理材料時, —^固 ^ //r 乐早凡細作120可以难# 杨保養。例如,第-單元操作12G也可以與 的其餘部份流體式地隔離開 、,、、、、100 替換。以此m 構件可以被清潔及/或 復… 早70操作120的操作參數可以被恢
设成小於臨界值。 饭1A 生產線上nt/ ㈣120隨後準備被放回 才。/ 單元㈣15G仍在操作中。第-單元 木作120可以裝填滿來自加 加壓泰駚了 體來源180的加壓氣體。 辽體可以如圖5所不再次地被維 内,成本, 一 散难符在弟一早凡操作120 二’也可以經由出口 17G被連續地排放出去。 4足材料供應源1 1 〇來之样# 至第—罝_ 4σ 纟之待處理材料的流動可以被恢復 王乐 早凡操作12〇。當完志笛 --w ^ 加壓時,…· 田凡成弟…㈣12〇的維修及 …可以轉移回到第_單元操作12〇。或 應於題+炎结_ 了以口 ‘’、、' 預疋臨界值(例如’指出第二單元操作15〇 13 200822960 需要進行維修保養 實施此轉移。從第二f…細作150之監控操作參數而 元操作12〇可以;::操作150切換或轉移回到第-單 J以類似於起初轉移的 平 料可以被引進到第“也。例如’材 單元操作m的涂μ 早_乍120、150,離開第- # ^ ^ ^ 〇以經由出口 17〇被排放出去,且稍 後虽加I氧體已經被排出時,可以被 2且稍 而且隨後材料的、、a叙了 朝勹工具130, 至第-單元操W可以監控第一單:;:作150轉流 參數,且第二單元摔作15〇叮 …作120的操作 永作1 50可以進行維修與 後根據需要被帶回到生產& 在稍 j生產線上。在上述的處理週期期門 未動作的單元操作一般受到維修至曰 操作參數。 /次被▼回到系統 另-種系統可以進一步包括一第三單元操作22〇, 其係如圖6及圖7所示流體式地連接到一第二材料流供應 源2i0及加壓氣體來源18〇的下游。第一與第二材料供應 源110、=可以包含相同的材料,及/或可以來自相㈣ 來源。一第二感測器240被用於監控第三單元操作的 操作參數。 ^ 離開第三單元操作220的流動可以被往下游傳送到一 第二工具230。依據一或多個實施例,第二單元操作丨5〇 可以被流體式地連接到第一與第二材料供應源^〇、21〇 第 .一 不一丹乐 130、230可以是相同或不同的工具。在—實施例中 以及第一與第二工具130、230上,以便作為用於第一與 三單元操作120、220的備用或替代單元。第一與第 工具 14 200822960 條半導體生 =與第三單元一與22。兩者均供應 在系統200的操作期間,一 地與第二罩开Pi 早兀知作120可以主要 岸源U: 2 同時產生作用。第-或第二材料供 二分別對 以被暫時地轉流到第二單元操作15。, 刀別對弟一與第三單元操作12〇 行維修保養。因此, 二、中之進 ^ T個主要早兀#作的維修之轉 ;;弟二單元操作15〇可以與第-或第三單元操作 、22〇的任—個同時產生作用。在單_作之間的切換 或轉移可以如同上述圖1 _ 5所㈣的系統1(^方式 進仃’以將不利的線路壓力變化減到最小。例#,一個未 動作的單元操作可以被裝填滿加壓㈣ \ 前達_統壓力,而且,在被導引到工具、儲料其2 用3之4離開一個工作中的單元之流動可以經由一出口 排出加壓氣體。在具有兩個或更多主要單元的實施例中, 也可以實施切換而不會重疊轉移中的單元之操作,例如, 透過材料的完全初始轉流,而同時仍保持連續地朝下游輸 运。 如圖6所示之範例’第一與第三單元操作120、220可 以同時地進行操作,以便分別處理來自第一與第二材料供 應源1 10、2 10的材料。第二單元操作丨5〇暫時地離開生 產線,且作為一備用單元。如圖所示,第二單元操作1 5〇 可以被裝填滿來自加壓氣體來源丨8〇的加壓氣體,以達到 糸統壓力。此加壓氣體可再次如圖所示地被保持在第二單 15 200822960 7L紅:150★内’或者’可以經由出口 i7〇被連續地排放出 去。弟-與第三單元操作J20肖220的操作參數,可以分 由感測器140、240而受到監控,以便例如有助於決 定是否-個或兩個單元操作需要從生產線上挪開,以進行 保養。 圖7顯示相同的系統’但是’第二材料供應源21〇的 流動被暫時地從笫二罝A # & _ 弟一早70刼作220轉流至第二單元操作 (' ?〇,以回應於顯示達臨界值的第三感測器240。第三單元 “作220已經被隔離開來進行維修保養,且將同樣地被填 滿加麼氣體以達到系統麼力。第三單元操作22〇可以被帶 回生產線上,以回應於顯示達臨界值的第二單元操作之操 料力,或者,當完成維修保養及準備好第三單元操作220 日可’將其帶回生產線上。 &在-些應用情形中’對於處理過的材料之下游要求, 二:有:候會縮小或停止。不希望被任何理論所限制,經 I 二固早元操作而再循環的材料,例如經由-個過濾器再 i宝研磨μ ’可能對於此泥裝及/或單元操作的性能有 ,…在廷些情形中,材料流可以被轉流至—旁通迴路, ΠΓ:個相連結的單元操作,直到下游的要求重新恢 :。為了防止線路壓力變化,依據與上述備用 有關的方法,在被帶回生產線上 ’、 被叙滿加壓氣體。 u 透過理高純度材料的方法可以手動方式執行,或者 用“并到此系統内的控制器而自動地實施。例如, 16 200822960 此系統可以包括一個控制器,其係與感測器及流到單元操 作、工具及出口處的流動有關之各種閥體相通訊連結。該 抆制态可以裝設成產生:一第一控制信號,用以使第二單 凡知作裝填有來自加壓氣體供應線路的加壓氣體;一第二 控制信號,用以將第一材料的流動從第一單元操作經由第 一早70操作而轉流至出口,以回應於顯示達臨界值的第一 感測态;以及一第三控制信號,用以在加壓氣體已經從第 一单元操作中被排出之後,將第一材料的流動經由第二單 兀=作而導引朝向一工具。控制器可進一步被裝設成產生 一第四控制信號,用以將第二材料的流動從第三單元操作 孝才机至第一單元操作,以回應於顯示達第二臨界值的第三 感測裔。控制器另外可以被裝設成將該第一單元操作隔離 開=,以便進行維修保養,且使第一材料的流動重新恢復 到第一單元操作,以回應於顯示達第三臨界值的第二感測 器,或回應於顯示低於此臨界值的第一感測器。 可以使用一個或多個電腦系統來實施此控制器,例如, 用 Intel PENTIUM®型處理器、Motorola PowerPC®處理 Sun UltraSPARC®處理器、Hewlett-Packard PA-RISC® 處理姦、或其他任何種類的處理器或其等組合之一般用途 電腦。或者,該電腦系統也可以包含特殊程式化、特殊用 迖的硬體,例如打算用於材料加工系統之特殊應用積體電 路(ASIC)或控制器。 私腦系統也可以包含一個或多個處理器,這些處理器 一般係連接到一個或多個記憶體裝置。記憶體裝置可以包 17 200822960 括例如磁碟機圮 或其他用於儲二4、閃記憶體裝置、RAM記憶體裝置, 型地是用於在姑祖♦ ^ 似飞夕们。己彳思體典 程式及資料。〃处理系統及/或電腦系統的操作期間儲存 參數有關的声:如’記憶體可被用來儲存在一段時間中與 止史貪料以及操作資料。含有可實施出本發明 奎1、私式碼之軟體可被儲存於一個電腦可讀取及/或可 曰寫非易失生0w 錄媒介上,且然後典型地被複製到記憶體 而在此記憶體中可以藉由處理器加以執行。這類 式碼可以Μ ώ夕μ 糟由夕種程式語言寫出,例如:java、Visual
Basic、C、c#、c++、r
如ortran、Pascal、Eiffel、Basic、COBAL 等或其等之各種組合。 、電腦系統的構件可以藉由一個或一個以上的互連機構 被結合在一起,& 沒些互連機構包括一個或更多的匯流排(例 女·正〇於相同裝置中的構件之間)及/或網路(例如:設置 ;刀開不同衣置上的構件之間)。互連機構典型地能夠在電 腦系統的構件之間交換通訊(例如:資料、指令)。 包細系統也可以包括一個或更多的輸入裝置以及一個 或個以上的輸出装置。輸入裝置例如:鍵盤、滑鼠、軌 跡球、麥克風、觸控螢幕及其他人機介面裝置。輸出裝置 包含·列印裝置、顯示螢幕或揚聲器。此外,t腦系統可 以含有一個或一個以上的介面(未顯示),用以將電腦系統 連接到通訊網路(除了網路之外,此通訊網路也可以藉由電 腦系統的一個或一個以上的構件所形成)。 根據本發明一個或一個以上的實施例,一個或一個以 200822960
上的輸入I置可以包括用以測量材料處理系統及/或其構件 的簽數之感測⑨。或者’感測器、計量閥體及/或其他構件 也可以被連接到一個操作式連接到電腦系統的通訊網路。 上述衣置的一種或一種以上均可以被連接到另一電腦系統 或構件上以便在一個或一個以上的通訊網路上與電腦系 、、先產生通Ifl it樣的架構能允許任何感測器或信號產生裝 置被叹置在與電腦系統相隔一段顯著的距離,及/或允許任 何感測器被設置在與任何子“及/或控制器相隔—段顯著 的距離’ %同時仍可以在兩者之間提供資料。這樣的通訊 機構可以藉由利用任何適當的技術而實施出來,這些技術 包括但不侷限於利用無線通訊協定。 控制器可以包含-個或—個以上的電腦儲存媒體,例 如:可讀取及/或可書寫之非易失性媒體,在此記錄媒體中 可以儲存信號,以定義出一個能夠被—或多個處理器所執 行的程式。此媒體例如可以是一碟片或快閃記憶體。在並 型的操作中’處理器可以使資料(例如:用於實施本發明一 或多個實施例的編碼)能夠從儲存媒體被讀取到一記憶體 中,此記憶體能夠允許藉由-個或多個處理器而比媒體以 更快的速度存取資訊。 5己憶體典型為例如動態隨機存取記 體’或靜態記憶體 回資訊轉移的其他 憶體(DRAM)等的易失性隨機存取記憶 (SRMA),或者為能夠促進處理器之間來 適當裝置。 以軟體方式或在 一般用途的電腦 要知道的是,本發明並未侷限於上述 電腦系統上實施而已。甚至,除了在例如 200822960 系:上,施之外,控制器、或構件或/及其子區段等也可以 '貝&成丨專屬系統,或作為專屬可程式邏輯控制器 (PL曰C) ’或在一分散式控制系統中被實施。❿且,要知道 疋本I明的-個或多個特徵或型態均可以軟體、硬體、 韋體或其等之任何組合方式被實施出來。例如,可被控 制-執仃的-邏輯運算之_個或多個區段可以在分開的電 腦中執行,且接著可以透過一或更多網路加以通訊。
^顯然地,本發明的系統和方法之其他實施例,係可以 超出上述的這些範例性的實施例。 構件 在此所使用的「數個 包含」、「包括」、「 ^係指兩個或更多的項目或 帶有 具有 含 有」及「涉及」等用語,*論在說明書或巾請專利範圍内, 均表示為開放性用語,亦即,意味著「包括但不侷限於」。 因此,使用這類的用語係意指包含以下所列的項目、其等 效’以及額外的項目。關於申請專利範圍,只有「由..、·所 組成」及「主要由·.·所構成」等措詞分別是封閉式的或半 封閉式的措詞。 在申請專利範圍中運用「第一」、「第二」、「第二 等順序的用詞來修改一個請求元件,其本身並」未意味著-一-個請求元件對於另-個請求元件的優先性、位階高低或順 序,或者方法的各個動作所執行的暫時順序,反而僅用以 區別具有某-名稱的請求元件與另一個具有相同名稱的元 件(但其運用順序用語)而已,以便區別所有的請求元件。 對於熟習此項技術者來說,可以理解文中所^的參數 20 200822960 與結構僅為範例,且真正的參數及/或結構將根據本發明的 系統與技術所運用之特殊情$ 而定。熟習此項技術者可以 就能認定出本發明特殊實施例的一 利用一般的實驗過程 些等效貫施例。因此,雖然已經詳細地說明本發明的至少 例之幾個型態、’以,仍可以輕易地產生出不同的 改變、修改及改良。這類的改變、修改與改良仍屬於本發 勺。(Μτ7 ’且仍落在本發明的精神與範圍之内。
【圖式簡單說明】 # " 圖5 ^ π —依據本發明一或多個實施例的系統 及其中不同的流體流動方式。 ^ " 圖7顯不另一依據本發明一或多個實施例的系 、、先及其中不同的流體流動方式。 【主要元件符號說明】 100 系統 U〇 材料供應源 120第一單元操作 13〇 工具 140感測器 〇 第二單元操作 160第二感測器 170 出口 180 加壓氣體來源 200系統 210 第二材料流供應源 21 200822960 220 230 第三單元操作 第二工具 第三感測器 240

Claims (1)

  1. 200822960
    十、申請專利範团: i-種用於處理高純度材料的方法 將—第一材料的流動引進到_ /、_匕含以下步驟·· 監控該第-單元操作的一操作參數早作; 第二單元操作裝填加壓氣體; 攸δ亥第二單元操作中清除該加壓氣體. 將該第_封粗从、Α知 孔體’以及 作之摔料數 流動回應⑹達臨界值的第一 ,、乍多數,而轉流至第二單元操作。 早元操 2.如申請專利範圍帛i項之方 該第一單元操作。 ^進 …3·如申請專利範圍g 2項之方法,其 …4·如W專利範圍第2項之方法, 该弟一單元的操作參數料於該臨界值Γ 5·如申請專利範圍第4項之方法,1 作的步驟包含更換-該第—單元操作的構件 ^ 6·如申凊專利範圍第4項之方法,复、 第單元操作裝填加壓氣冑。 $纟包含使該 7 ·如申凊專利範圍第6項之方法 該第—材料的流動到該第一單元操作 8 ·如申凊專利範圍第7項之方法 材:的流動到該第一單元操作之步驟 該第一輩元操作排出去 步包含隔離 步包含沖洗 步包含恢復 恢復參數操 其進一步包含回復 其中,回復該第一 包括將加壓氣體從 9·如申請專利範圍第1項之方法,其進-步包含將 23 200822960 第二材料的流動引進到一 ^ w 一 元操作的-操作參數。 70操作’及li m二單 1 〇.如申請專利範圍第9項之 % ^ U U ^ ^ 、 法,其進一步包含將該 弟一材枓的^動回應顯示 ^ ^ A U ^ ^ 弟一臨界值的第三單元操作 之缸作茶數,而轉流至第二單元操作。 U·如申請專利範圍第1〇 復該第二ϋ π ^ 噌之方法,其進一步包含恢 12:由 的該操作參數至小於該第二臨界值。
    復· f專利範圍第11項之方法,其進一步包含回 设6亥弟二材料的流動到該第三單元操作。 口 U·如申請專利範圍第丨 二單元;^“ A 貝〈万去,其中,該第一與第 紅作包含過濾器。 U.如申請專利範圍第i項之方 ㈣的操作參數是-個橫跨該第—單_作的壓/差早凡 操作二申請專利讓9項之方法,其中,該第-單元 、W弟二單元操作可同時產生作用。 1 6’ —種用於處理高純度材料的系統,其包含: ^ ~材料供應線路; 線路的:一單元操作’其流體式地連接到該第-材料供應 J卜游; 線路的下:早元操作’其流體式地連接到該第-材料供應 第感测器’其被設置成用以偵測該第一單元極 的—操作參數; 干疋絲作 第二感測器,其被設置成用以偵測該第二單元操作 24 200822960 的一操作參數; 一加壓氣體供應線路’其流體式地連接到該第一單元 操作及該第二單元操作; 一出口,其流體式地連接到該第_單元操作及該 單元操作;以及 一 令工們沿,丹興该第一感測器、該第二感測器及該出 口相連結通訊’而架構成產生:一第一控制信號,盆用於 L 字該第Γ單元操作裝填來自加壓氣體供應線路的加壓氣 :達制!號:其用於將該第一材料的流動回應顯 〇π ' °亥弟一感測器’而從第-單元操作經由第二 早兀刼作轉流至該出口;以及一第三控 加壓氣體已經從第-單亓 工 儿於在 弟-早几知作中被除去之後,經由該第二 早知作而將該第-材料的流動導引朝向一工具。 17.如申請專利範圍第16項之系統,其中 測器包含-壓力差感測器。 °亥弟感 16項之系統,其中該第一與第 16項之系統,其進一步包含一 二材料供應線路流體式地連接至 18. 如申請專利範圍第 一單元操作包含過濾器。 19. 如申請專利範圍第 第二材料供應線路,該第 該第二單元操作的上游。 20·如申請專利範 苐二單元操作,該第 料供應線路的了游。 圍第19項之系統,其進一步包含一 三單元操作流體式地連接至該第二材 21如申請專利範圍第 20項之系統,其進一步包含一 25 200822960 第三感測器,1¾第三感測器被設置成用以偵測該第三單元 操作的一操作參數。 、22.如中Μ專利_帛2Q項之系統,其中,該控制器 被進乂木構成用以產生-第四控制信號,以將第二材料 動回應顯不達第二臨界值的該第三感測器,而從第三 單元操作轉流至第二單元操作。 23·如申凊專利範圍第16項之系統,其中,該控制器 二' ^木構成用以將該第一材料的流動回應顯示達一第 二臨界值的該第二感測器,而回復至第—單元操作。 .. 申明專利乾圍帛16項之系統,其中,該控制器 步架構成用以隔離該第-操作單元,以便進行維修 25 ·如申請專利範 被進—步系統,其中,該控制器 而將兮第' 為小於臨界值的該第-感測器, :亥广材料的流動回復到第-單元操作。 第:單二巾:專利犯圍* 2°項之系統,其中’該第-與 早⑼作被架構成可同時產生作用。 十一、圖式: 如次頁。 26
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