200818092 、 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於顯示器技術,特別係關於一種用於 驅動一顯示面板的線路結構。
» I 【先前技術】 一暴露的連接墊通常置於一顯示面板的基板上,其 與用以驅動上述顯示面板的主動裝置、或具有上述主動 ' 裝置的印刷電路板電性連接。在後續的製程中,係將一 阻劑層直接形成於上述連接墊上。在塗覆光阻的製程中 常常會發生靜電放電,此時靜電電流會經由上述連接墊 流入上述顯示面板内,而破壞其内部裝置例如薄膜電晶 體裝置。另外,當具有上述連接墊的導體層形成之後, 通常會執行使用電漿增益化學氣相沈積法(plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD)的沈積製 程,以形成一上覆層。當電漿粒子接觸到上述連接墊並 ' 對其進行放電時,會產生電流經由上述連接墊流入上述 顯示面板中,亦會破壞其内部裝置。其内部裝置遭到破 壞後有可能對上述顯示面板的性能造成不良影響,而降 低其品級,甚至使其遭到報廢的命運。 【發明内容】 有鑑於此,本發明的主要目的係提供一種用以顯示 影像的系統,以解決上述習知技術中所遭遇的問題。 為達成本發明之上述目的,本發明係提供一種用以 0773-A31993TWF;P2005132;dwwang 6 200818092 -顯不影像的系統’包含:—線路結構,適料驅動一顯 不面板,上述線路結構包含··一基底;—第一導體層於 上述基底士,上述第一導體層具有一内連線,上述内連 線具有一第一端點、與和上述第一端點分開的一第二端 :-介電層芦上述第一導體層上,上述介電嘈具有一 :-開口與-第二開口,上述第一開口係暴露上述第一 鈿點❿上述第二開口係暴露上述第二端點;以及一第 =導體層於上述介電層上,上述第二導體層具有一連接 二保護環(州仙吨㈣)、與一跡線(t贿line),上述 係圍繞上述連接墊,上述跡線則位於上述保護環 :外侧;其中上述連接塾係經由上述第—開口而電性連 2内連線;以及上述跡線係經由上述第二開口而電 性連接上述内連線。 【實施方式】 明顯易為^本發日狀上述和其他目的、特徵、和優點能更 、,、下文知舉出較佳實施例,並配合所附圖式, 作砰細說明如下: μ叭 偏r1圖為—例示的俯視圖’係顯示本發明較”施 :的線路結構10與20,其中線路結 ;: 上相同的俯視圖。 貝貝 t 9Α在第1圖與第2Α〜2C ®中,係顯示線路結構10。 圖是沿圖著第:圖的剖面線ΑΑ的剖面圖;他 θ的剖面線ΒΒ的剖面圖;第2C圖則是沿 〇773^A3l993TWF;P2〇〇5132;d wwang 200818092 著第1圖的剖面線cc的剖面圖;沿著第i圖的剖面線 DD的剖面圖除了沒有元件「142」之外,其他均與第 圖所示相同,故將沿著第丨圖的剖面線的剖面圖合 2顯示於第2B圖中。線路結構1〇包含一基板1〇〇、一 第一導體層、一介電層13〇、以及一第二導镡層,其中上 述第一導體層包含一内連線11〇,上述第二導體層包含一 連接墊⑷、-保護環(guard 、與一跡線^聰 lme)143,保護環142係圍繞連接墊141,跡線i43則位 ,保,環142的外側。為了能夠明確地呈現本發明的特 鉍,第1圖中僅顯不上述第一導體層與上述第二導體層。 曰,基板100視需求可以是透明基板、不透光基板、或 是半透明的基板。在某些實施例中,基板100為一剛性 基板例如為玻m、金屬、或半導體;在其他的實 把例中,基板100為可撓式的基板例如為聚醯亞胺 (polynmde)。在本實施例中,為了顯示影像,基板⑽ 、為透明基板例如為玻璃,其一表面上包含一間絕緣層 1〇5。基板UK)通常包含上覆的裝置例如為薄膜電晶體、 ,、他、、泉路貞上述之組合,但是為了能夠明確地顯示本 發明的特徵’ W式中並切示上述上覆裝置。 包含内連線110的上述第一導體層係位於基板1〇〇 上的閘^緣層105上。如第1與犯圖所示,内連線110 包,一第一端點111(剖面線Ββ通過第一端點⑴)、與 :口第-端點111分開的—第二端點112(剖面線DD通過 第一知點112) ’如後文的敘述,内連線ιι〇係用以電性 0773-A31993TWT;P2G()5132;d, wwang 8 200818092 連接於連接墊1 4 1盥跡魂】4 3 好為包含紹述第一導體層較 當美板100勺人“ 或其他的導體材料。例如 述;膜」:=莫電晶體時’視需求内連線110與上 Μ 琳1示)可位於_或不㈣㈣ 二連線110與+述薄膜電晶體的 =係:於:同的第一導體層中。因此,可使用同一個 中同ί::ΠΤ同時從上述第-導體層的圖形化 程^ 本’並與上述薄膜電晶體或其他裝置的製 包入介^層m係位於上述第一導體層上。介電層13〇 一!門1 Π131(剖面線BB通過第一開口 131)、盥 弟-開口 132(剖面線DD通過第二開口 132),第 =二暴:广端點Ul,第二開口 132則暴露第二端 η" 电θ 130較好為包含氧化石夕、氮化石夕、氧化石夕 H的雙層結構、或其他介f材料。t基板_ :述的=置時,介電層130可更覆蓋上述的上覆裝 ’亚視$求可包含用以暴露上述上㈣置的接點 1也開口。 上述第二導體層係位於介電層130上,其包含連接 墊141、保護環142、金έ令1 /1。 ^二 衣 14跡線143。跡線143更延伸至與 /、他基板100上的驅動電路雷 口口次 兒峪迅f生運接,例如一掃瞄驅動 裔或負料驅動器。在笨此每# + 卜 隹呆些貝軛例中,係以一第三導體層 填入第一開口 131盥第_Ρ3γ7 no 门, ”弟—開口 132,因此將連接墊141、 0773-A31993TWF ;P2005132;d wang 9 200818092
,内連線110、與跡線143 1性連接在-起;在本實施例中, 係以上述第二導體層填入第— 孚貝 J 、击^ , 開口 131與第二開口 132, ===由ί 一開口 131而電性連接内連線110, 因㈣弟二開口 132而電性連接内連線110, Ρ此將連㈣⑷與跡、線143電性連接在一起。 隸基板包含上覆的薄膜電晶體時,視需求 的及/_「二142、跡線143、與上述薄膜電晶體 =/源極“屬導線,可位於相同或不同的導電層。在 本!:施例中,連接塾141、保護環⑷、跡線143、心 述㈣電晶體的接點係位於㈣的本發明之第二導體層 因此J使用同—個光罩,在—微影製程中同“ 处弟一 ¥肢層的圖形化中’同時形成連接墊⑷、保蠖 :=太跡線143、與上述薄膜電晶體的接點,而可減; 衣私成本,並與上述薄膜電晶體或其他裝置的製程相容。 如第2C圖所示,介電層13〇係將保護環142與内 連線no隔離,避免二者之間發生短路。 在第1圖中,連接墊141係為保護環142所圍植。 因此,將其下的導電層,亦即是上述第—導體層予二圖 形化而形成内連線110,用以幫助連接墊⑷與跡線⑷ 之間的電性連接。介電層13G(緣示於第2a〜2c 離保護環142與内連線11〇。連接墊141係經由接觸= ⑻與*内連線110電性連接,接觸窗181即是形成介電層 3〇的第開口 131之處;跡線143則經由接觸窗182與 内連線110電性連接,接觸窗182即是形成介電層⑽ 0773-A31993TWF;P2005132;dwwang 10 200818092 -的第二開口 132之虛。田仏7+ 及跡線⑷電性連接。此’使㈣線m與連接塾⑷ 在平化、衫色濾光片光阻塗佈 接受來自後續電漿捭兴芥A 4 + 衣狂 A疋 Λ广:立曰皿化學乳相沈積法的電漿粒子的衝 基:〜.’保濩環142係璆以阻隔與分擔上述製程中 的靜電電荷。保護環1:42可保護與跡線⑷電性 ^接的,動電路例如掃㈣動器、資料驅動器,以避免 :文到静電放電或是電漿粒子放電的損壞 製程良率、節錢程成本、與提升裝置的可靠度^ :衰M2,細為一封閉式的迴圈,以強化 可勺功肊。㊂保護環142的電阻大於1〇 ΚΩ時,苴阻 電荷的功能有可能會降低’因此保護環142的電阻較好 Ϊ小於Λ Κ Ω以強化其阻隔電荷的功能。在某些實施例 ,142的寬度有可能會影響其阻隔電荷的功能。
貝、她例中,第1圖所示的保護環142的寬度H ★ At . /、中之較好為大於50^m ,以強化其阻隔電荷的 1月“更好為保護環142的寬度Wi、评2均 以更加強化纽隔電荷的功能。 " 線路結構1G係可應用於液晶顯示器面板、發光二極 月且頌不面板、或是其他顯示面板中。 第3圖為一剖面目,係顯示應用於液晶顯示器面板 /路結構U)。具體而言,第3圖係與沿著 面線Μ的剖面圖相容。在第3圖中,—平坦化 例如為有機樹脂薄膜或旋塗式的玻璃薄膜,係形成於介 〇773-A3l993TWF;P2〇〇5i32;d wwang 11 200818092 , 電層130與上述第二導體層上,然後將平坦化層150圖 形化,而至少部分暴露連接墊141。在一實施例中,可將 一積體電路晶片(未繪示)貼附於暴露的連接墊141,而經 由第1圖所示的連接墊141與跡線143驅動上述液晶顯 示器面板;在另一實施例中,連接墊141係電性連接至
I 一印刷電路板(未緣示)例:如為其上具有一積體電路晶片 (未繪示)的可撓式印刷電路板(flexible printed circuit board ; FPCB),位於上述可撓式印刷電路板上的上述積 / 體電路晶片,可經由第1圖所示的連接墊141與跡線143 驅動上述液晶顯不裔面板。 第4A與4B圖為一系列之剖面圖,係顯示用於有機 發光二極體顯示面板的線路結構10。具體而言,第4A 圖係與沿著第1圖的剖面線AA的剖面圖相容;第4B圖 則與沿著第1圖的剖面線DD的剖面圖相容。在第4A與 4B圖中,一保護層160例如為氧化矽、氮化矽、氧化矽 /氮化矽的雙層結構、或其他的半導體材料,係形成於介 電層130與上述第二導體層上,然後將保護層160圖形 化,而至少部分暴露連接墊141、保護環142、與跡線143。 接下來,將一平坦化層170例如為有機樹脂薄膜或旋塗 式的玻璃薄膜,係形成於保護層160與上述第二導體層 上,然後將平坦化層170圖形化,而至少部分暴露連接 墊141。如前所述,暴露的連接墊141可電性連接一積體 電路晶片、或具有一積體電路晶片(未繪示)的可撓式印刷 電路板,而經由第1圖所示的連接墊141與跡鍊143驅 0773-A31993TWF;P2005132;dwwang 12 200818092 '動上述發光二極體顯示面板。 JC吩、、、口稱20。弟5A圖是沿薯篦】闰从… 刮面圖;而第5B R θ ~ 弟圖的剖面線ΑΑ的 敏^闰 者第1圖的剖面線Μ的剖面圖. Γ圖二著第,1圖的剖面線cc的剖面圖;沿著第 面線DD的剖面圖除了沒有元件「142」盘「⑽ 與第5β圖所示相同,故將沿著第;圖的剖」 S 一 面圖合併顯示於第5^中。線路結構2〇 第:導二:〇:、一弟一導體層、一介電層13〇、以及- 述第一導體層包含—内連物,上 Π二 連接塾141、-保護環㈣付 'nf 、M一跡線(traceline)143 ’保護環142係圍繞連 接墊141,跡線143則位於保護環142的外侧。關於上述 兀件的其他細節部分均與前文騎路結構1()所作的敛述 相同,因此省略其敘述。 與線路結構1G比較,帛5A〜5C圖所示的線路結構 2〇多了 -第二導體層120。第三導體| 12〇包含一歐姆 接觸界面120a於其一表面上。第三導體層12〇係置於保 遵% 142的下方。在本實施例中,第三導體層12〇係沿 著保護環142延伸,但止於内連線11〇的附近,而置於 内連線110以外的區域。第三導體層12〇較好為嵌於介 電層130中,而介電層130則隔絕第三導體層12〇與内 連線110。第三導體層120可包含導體材料,例如為金屬、 摻雜的多晶半導體層、具導體性質的聚合物、具導體性 〇773-A31993TWF;P2005132;dwwang 13 200818092 質的陶瓷、具導體性質的金 體材料。在本實施例中、物、或其他已知的導 其在歐姆接觸界面12Ga ^層i2G包含多晶石夕’ 因此’第三導體層120 型離子或?型離子。 例如薄膜電晶體的形成相容成可與基板100的上覆裝置 例如當基板100包含h费 , 體層m與用以形成上料^的賴電晶體時,:第三導 與沒極區的-主動声(未洽_、、电晶體的源極區、通道區、 同的半導體(石夕)層中。在二於^需求而位於相同或不 與上述主動層位於相同的二:中中第 -個光罩,在一微影製程夕中 中,同時形成第三導體層120 γ/的圖开」匕 制4口士士 " Α 一上述主動層,而可減少 衣W本,邱上述薄膜電晶體或其他裝置 與線路結構10相同,岭跋έ ^ ^ ^ ^ ^ ^ Β , 、、泉路、⑽構2〇亦可應用於顯示 :面板:J如液晶顯示器面板、有機發光二極體顯示面 板、與其他顯示器面板,如第3、4a、4b圖所示,因此 省略關於其細節的敘述。 罘6A與6B圖為一系列之示意圖,係顯示本發明另 -較佳實施例的用以顯示影像的系統,在本實施例中即 疋-顯示面板400或-電子裝置_。前文所揭露的線路 結構可併入-顯示面板例如液晶顯示器面板、發光二極 體顯示面板、或其他顯示器面板。如第6a圖所示,顯示 面板400包含-線路結構,例如為第2a〜2c圖所示的線 路結構10、或第5A〜5C圖所示的線路結構2〇。顯示面板 0773-A31993TWF;P2005132;dwwang 14 200818092 400可成為各式各樣的電子裝置(在本實施例中為電子裝 置600)。電子裝置600通常可包含顯示面板4〇〇盥一輸 入單元500。另外,輸入單元500係有效地連接至顯示面 板400而將輸入的訊號(例如影像訊號)送進顯示面板 400,以產车影像。電子裝置600可以是例如,行動電話、 數位相機、個人數位助理(PDA)、筆記型電腦:|、桌上型電 腦、電視、車用顯示器、或攜帶式數位影音光碟播放器 (portable DVD player) 〇 在第6B圖中,係顯示顯示面板4〇〇的—例示的佈 局。在本實施例中’顯示面板400包含一主動區/1〇、一 掃瞄驅動器區420、一資料驅動器區43〇、與—選擇性附 加(opdcmal)的電路區440、連接墊14卜與一選擇性附加 的連接墊191。主動區41G包含複數個薄膜電晶體,係作 為開關之用。掃瞄驅動器區42〇與資料驅動哭區MO' 置於主動區41Q的㈣。掃目苗驅動器區420將電壓作用 於主動區410中的畫素電極’資料驅動器區_則將· 壓作用於主純4U)内的薄膜電晶體的閘極。本發明: 線路結構2G則電性連接至f料驅動器區^ 接墊141係'用來接觸積體電路晶片(未繪示),則: 性附加的連接墊⑼,用以和—電而:擇 示)接觸。 』电路板(未繪 一對照組係繪示於第7圖中,而本 K)則為實驗組,以驗證本發明實施例的功=路結構 第7圖為一俯視圖,係顧_你w 二 。矛王度。 係顯不傳統的線路結構3〇,其 0773-A31993TWF;P2005132;dwwang 15 200818092 料對照組。線路結構3G包含-連接墊41,其電性連接 跡線43,線路結構3Q並未包含任何保護環。連接塾 41與跡線43之間的電性連接是發生於相同的導體層中。 亦'泉43更1伸至與其基板的其他驅動電路例如薄膜電晶 ,’發,生電性連接。將第3圖所示的平,化層⑼、或是 弟4A與4B圖所示的保護層16〇與平坦化層⑺形成於 線路結構H)肖30上’而完成—實驗組的基板與一對照 組的基板。上述實驗組的基板具有複數個本發明的顯示 面板_,其包含本發明的線路結構1();而上述對昭、组 則包含么數個傳統的顯示面板’其包含傳統的線 路、、,。構30。在母個面板上進行薄膜電晶體的臨界電壓 (threshold voltage)的抽樣試驗,其結果列於表工 表1
0773 -A31993TWF;P2005132;dwwang 16 200818092 ==、㈣,傳統的線路結構3G係歷經靜電放電及 _電晶體的損壞,因此其臨界㈣值及其=差= 一方面,受惠於本發明之線路結構二 曰曰-,而免於受到前述放電的傷害,由本發干: 面板伽所測量而得的臨界電壓值及其 於讀統的顯示器面板所測量而得的值。 ^小 第8A 8B、9A、9B圖為一系歹J的剖面g,係顧-=明Γ線:?構10的一例示的製造方法。第^ 容,^ 1圖㈣面線的剖面圖相 的剖面圖相容㈣圖所示則與沿著第1圖的剖面線⑺ ,第8A與9A圖中,係提供—基板⑽。如前所述, f本貫施例中,基板⑽為―玻璃基板,且可包含上萝 :置例如為薄膜電晶體。在本實施例中,基板100包人 -上覆的閘絕緣層105。然後以濺鍍、蒸鍍 : :法、或其他已知的沈積方法,將一第一導體層= 土反100上。接下來將上述第一導體層圖形化,而形成 、内連線11 〇,其具有第一端點丨丨丨、與和第一端點111 分開的一第二端點112。如前所述,基板100的上覆 、勺&版邛件例如薄膜電晶體的閘極,可藉由使用相同的 光罩’在上述第一導體層的圖形化時同時形成。 〇773-A31993TWF;P20〇5132;dwwang 200818092 在苐8B與9B圖中,藉由仆與筠 佈法、或其他已知的成膜方法在上述第二 =第然彳=層13。圖形化,而二= 端點,==!,崎露第-端點⑴與第二 :另外,基板咖的置圖的戶接觸窗181與182。 的汲極區,較好為以相同的光罩“;由:列如薄膜電晶體 程將其暴露出來。⑽mi由相同的圖形化製 然後以濺鍍'蒸鍍、化學氣相沈積法、或直他已知 積方法,將一第二導體層形成於介電層130上。接 下來將上述第二導體層圖形化,以聽上:
環⑷、與跡線⑷。連接塾141係經由第 =内連線η。,保護環142則圍繞連接:二 ^係置於保護環14 2的外側,藉由第二開口 i 3 2盥 線110電性連接。因此,而完成第1圖與第2A〜2C 圖結:10。在某些實施例中,在形成上述第 一=脰層之别,可以將另一導體材料填入第一開口 Η! 與第m 132中’用以電性連接内連線110、連接墊 亦、線⑷。在本實施例中,係以上述第二導體層 ;、入乐-開口 131與第二開口 132,以簡化製程步驟並減 〉内連線110與連接墊141/跡線143之間的電阻。用以 連接基板100的上覆裝置的接點例如為薄膜電晶體的沒 ,接點,其形成較好為藉由使用相同的光罩,自相同的 第二導體層圖形化而得,以節省製程時間與成本。因此, 0773-A31993TWF;P2005132;dwwang 18 200818092 本發明之線路結構ίο的形成 上覆裝置的製程。 可相容於形成基板100的 一第10A〜10C、11A〜1ic圖為一系列的剖面圖,係顯 不本發明之線路結構20的一例示的製造方法。第 10C圖所示係與沿著_丨圖的剖面線與的剖 面圖相合,而第! ! A〜i lc圖所示則與沿著第工圖的剖面 線CC的剖面圖相容。 、在弟10A與UA®巾,係提供一基板1〇〇。如前所 述’在本實施例中,基板1QQ為—玻璃基板,且可包含 上覆裝置例如為薄膜電晶體。一第三導體@ 12〇亦形成 =基板100上,其形成方法為賤鐵、蒸鑛、化學氣相沈 牙貝法、或其他已知的沈積方法。然後將第三導體層以0 圖开/化j吏其圖形的延伸比照後續步驟形成的保護環 42仁是而置於内連線丨丨〇以外的區域,以避免第三導 體層m與内連線11G發生接觸、橋接、或電性連接。 弟二導體| 120較好為包含一半導體層例如多晶矽,因 此用以形成薄膜電晶體的源極區、通道區、汲極區的半 導體層’與第三導體層120的形成,可藉由使用相同的 钱刻製程’而可以同時圖形化相同的半導體層而得。 然後,將一閘絕緣層105形成於基板1〇〇與第三導 體層120’然後將閘絕緣層1〇5圖形化,以暴露第三導體 層120接下來’將一第一導體層形成於基板⑽上,然 後如前文對第8A與9A圖所做的敘述一般,圖形化上述 第一導體層。 〇773-A31993TWF;P2〇〇5132;dwwang 19 200818092 當第三導體層12〇包含一半導體層時,如 〇 第11B圖所示,會在暴露的第三導體層12〇内植入離^ 200而在第二導體層12〇的暴露的表面上,形成歐姆接 觸界面120a。視需求離子2〇〇可以是N型離子或p型離 子。 在第l〇C與lie圖中,在内連線11〇與第三導體層 欠姆接觸界面120a上形成介電㉟13〇。㈣如前 文對第8B與9B圖所作的敘述,將介電層13〇圖形化, 而暴露第一端點U1、第二端點112、以及第三導體層12〇 的歐姆接觸界面!施。最後,如前文對線路結構ι〇所作 的敘述,將上述第二導體層形成於介電層13()上 2上述第二導體層圖形化,而形成如第1圖所示的連 接墊14卜保護環142、與跡線143。保護環142更如第 C圖所述一般,電性連接第三導體層120,而完成第 1圖與第5A〜5C圖所示的本發明之線路結構2〇。 藉由本發明之用以顯示影像的系統,其 =路結構,在後續製程中係有效地阻隔及分㈣電電 何與電漿電荷,並能夠再不需額外增加光罩的數量鱼製 ^步驟而與其他裝置的製程相容的情況下,改善產品量 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,缺 以限定本發明,任何本發明所屬 :有:二 :者,在不脫離本發明之精神和範圍内^二 更動與潤飾’因此本發明之保護範圍當視後附之;:專 〇773-A3l993TWF;P2005132;d wwang 20 200818092 '利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖為一例示的俯視圖,係 例的線路結構。 孕乂仏貝施 弟2A〜2C圖:為—系列之剖面圖,係顯示本 貫施例的線路結構。 :驭1土 路往二3圖為—剖面圖,係顯示本發明較佳實施例的線 路、、、吉構的一項應用。 #〜第/A與4 B圖為一系列之剖面圖,係顯示本發明較 么貝^例的線路結構的另一項應用。 好圖為—系列之剖面圖,係顯示本發明另一 罕乂 1 土戶' %例的線路結構。 -較二圖為一系列之示意圖,係顯示本發明另 t貝轭例的用以顯示影像的系統。 構。弟7 a為—例示的俯視圖’係顯示1統的線路結 佳每,第^與犯圖為—系列之剖面圖’係顯示本發明較 土具⑪例的線路結構的例示的製造方法。 仲每Γ9A與9B圖為-系列之剖面圖’係顯示本發明 佳貫施例的線路結構的例示的製造方法。料月車又 第1 〇A 10C圖為一系列之剖面圖,係錢員太 佳實施例的線路結構的另-例示的製造方法、f ★ 弟11A〜11C圖為—系列之剖面圖,係顧示本發明較 0773' A31993TWF;P2005132;dwwang 21 200818092 • 佳實施例的線路結構的另一例示的製造方法。 【主要元件符號說明】 10〜線路結構, 20〜線路結構; 3 0〜線路結構, 41〜連接塾; 43〜跡線; 100〜基板; 105〜閘絕緣層; 110〜内連線; 111〜第一端點; 112〜第二端點; 120〜第三導體層; 120a〜歐姆接觸界面; 130〜介電層; 131〜第一開口; 132〜第二開口; 141〜連接墊; 142〜保護環; 14 3〜跡線; 150〜平坦化層; 160〜保護層; 170〜平坦化層; 181〜接觸窗; 182〜接觸窗; 191〜選擇性附加的連接墊 , 200〜離子; 400〜顯示面板; 410〜主動區, 420〜掃瞄驅動器區; 430〜資料驅動器區; 440〜選擇性附加的電路區 500〜輸入單元; 600〜電子裝置。 0773-A31993TWF;P2005132;dwwang 22