TW200810001A - Apparatus with fillet radius joints - Google Patents

Apparatus with fillet radius joints Download PDF

Info

Publication number
TW200810001A
TW200810001A TW096119743A TW96119743A TW200810001A TW 200810001 A TW200810001 A TW 200810001A TW 096119743 A TW096119743 A TW 096119743A TW 96119743 A TW96119743 A TW 96119743A TW 200810001 A TW200810001 A TW 200810001A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
rod
flange portion
adapter
radius
shoulder
Prior art date
Application number
TW096119743A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI402929B (zh
Inventor
Michael A Pickering
Jitendra S Goela
Jamie L Triba
Thomas Payne
Original Assignee
Rohm & Haas Elect Mat
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm & Haas Elect Mat filed Critical Rohm & Haas Elect Mat
Publication of TW200810001A publication Critical patent/TW200810001A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI402929B publication Critical patent/TWI402929B/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65DCONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D85/00Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials
    • B65D85/70Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for materials not otherwise provided for
    • B65D85/72Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for materials not otherwise provided for for edible or potable liquids, semiliquids, or plastic or pasty materials
    • B65D85/78Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for materials not otherwise provided for for edible or potable liquids, semiliquids, or plastic or pasty materials for ice-cream
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

200810001 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 —本發明主張2006年6月2曰申請之美國臨時申請案 第60/810,461號之優先權。 士本發明係有關於用於固持半導體晶圓之裝置,其中該 裝置之構成部件係藉由具有凸緣部之接合器予以固定,其 中《玄凸、、彖具有圓角半(miet rad㈣。更具體地,本發 明係有關於用於固持半導體晶圓之裝置,#中該裝置之構 件if、耩由具有凸緣部之接合器予以固$,其中該凸緣 :具有圓角半徑’該圓角半徑可承受半導體晶圓製程的嚴 可條件。 【先前技術】 ,導體晶圓之製師及嚴苛的條件,如曝㈣腐錄 株1扣A超過⑽0 C之高溫及快速的熱循環(RTP)。此等 ::可能造成該晶圓固持裝置的物理性損壞 r,:其:是在該襄置部件的接合點,例如,其連接接: ^ , ^ ^ Η ^ , 、主也你/口者接合線造成可見的斷 衣’尤其疋該接合器的構成部件彼此垂直時。 物質==可能對該裝置造成表面損壞’致使微粒 的微粒二::::::趙晶圓。由該裝置表面脫落 於該襄置的二:的’尤其若該裝置是使用不同 X衣i的材枓予以塗佈時, 之裝置。此箄⑽“ 夕或厌化發塗佈石英 或形成微粒,目此,會^件下^破裂 曰煩私衣置亚巧r染晶圓及製程室。塗 5 93977 200810001 .佈物的破裂特別常見於接合哭盘嗜a 微粒材料亦可能卡在 :一構成部件相會處的直角。 >是若該等接合器包含許 '多部^器構件之間的空間,尤其 ·, 若晶圓故持裝置於佶η % 污染亦可能發生。於曰'。制不當地清洗,則晶圓的微粒 係塗佈有化學物質Γ:=期間’晶圓及晶圓固持裝置 物質係難以自該裝置移除。者:壯化二或多晶石夕膜。此等 的,尤其是在部件接合點。 卞等脰工業已公認碳 ^ 條件,且相對於石英材料 ,半導體製程的嚴苛 的優異材料。美國專利第二:疋用於晶舟(waferb〇at) 石广 r ,號揭露一種完全由單 置。:二i:)二學氣相沉積物組成的晶圓固持裝 尾接合器::端 件,^入 亥裝置並未使用其他緊固件及部 件,如栓、射或螺帽去固定、^仟及4 ^ ^ 衣置構件。視需要地,各個接 口 m可此塗佈有化學氣相沉積的碳 接 質卡在接人哭邱杜夕^ 夕乂避免任何微粒物 牡接〇 ^部件之間的任何空間中。
雖然描述於美國專利第6 S 許多其他半導體 ’ ’ ^的碳化矽裝置較 如桿件長度的相同平面中比起該震置㈣=1尾裝置在 定或不堅固。於半導體制㈣曰鬥^1、他千面係較不穩 品及高严外n a _衣王…’ * 了曝露於腐钱性化學 /皿卜,半今體晶圓製程室的 圓固持穿晉私私―、+ 4 了^件亦可能造成晶 度在最初加熱期間’當該袭置的溫 刀、里60分鐘内快速地由室溫升高至超過難。 93977 6 200810001 n這::型的。該晶圓固持裳置吸收能量 之形式消耗之。在至少穩定的裝置平面,此 剪力。/ ^ 4 鳥毛及该端板相會處產生 ••二ΐ; 料尾接合器可能會鬆弛而造成該 荨才干件可能自端板分離。除了 队人 的丰翻J辰動外,該晶舟於一段時間 手動細作後亦可能造成該等接合器鬆他。 :::有關的其他問題為該轉尾的機械加工 度。奴化矽相對於用於半導俨曰 戒 陶瓷材料&丄r 4 日日囫衣置之許多其他種類的 | J文材枓而言係為堅硬的陶 具,機械加工仍是一大挑戰^材科。即使是使用鑽石工 機械加工尤為困I我。由於填尾的漸細端特徵使得 圓固,已有改良的半導體晶圓固持裝置,但半導體曰 件的承、☆痒、, 。σ ^丰¥肢晶圓製程之嚴苛條 :的承叉度亚且使接合器更容易機械加工。… 【發明内容】 ^:態樣中’係提供—種包含複 切件係藉由具有凸緣部的接合 ^的衣置,该 別端板,:ϋ中该+ σα疋於柃件相對端之各 ,、甲Θ凸緣部係具有圓角半徑。 於另-態樣中,該裝置包含複數㈣ 猎由具有凸緣部(該凸緣部具 ^午4杯件係 桿件相對端之各別媸揣々 +彳二)的接合器固定於 叙由且* 板’各個桿件端具有凸榫,該凸榫择 各別端板的内面,該凸緣部環^在角/;;) 2循圓璋插入該 禅在桿件的各端舆該桿件之肩二連::::具::: 93977 7 200810001 ,表面以緊靠於具有圓角半徑的該 該肩表面與該凸緣部之頂部表面之 =:在 :藉由具==裝置包含複數個桿件,該等桿件係 、有四故凸緣部(w sided fiange)(該凸 =的榫接ί器固定於桿件相對端之各別端板,各個桿二 圓角 1二凸棒係經由具有四邊凸緣部(該凸緣部具有 〇矩形埠插入各別端板的内面,各個凸榫在浐件 !;端與該桿件之肩部相連,各個肩部具有平 二二角半徑的該凸緣部之頂部表面,以在—該肩: 千—表面與該凸緣部之頂部表面之間形成界面。 _由::一!樣中,該裝置包含複數個桿件,該等桿件係 :二有二邊凸緣部⑽ree sided fiange)( 角+!)的接合器固定於桿件相對端之 ;、有0 榫,該凸榫係橫向地插入該_:邊的埠中固= 面,凸緣部係將該埠界定於該端板的㈣ 部具有 表面,以在該肩部之平該凸緣部之頂部 形成界面。 —表面與该凸緣部之頂部表面之間 於額外之態樣中,兮駐m^人 係藉由具有三邊凸緣%:;;;包含複數個桿件,該等桿件 固定於桿件相對端之::端:表,圓角铜的接合器 榫具有三邊凸緣部,r-=,各個桿件具有凸榫,該凸 件係橫向地插入該端緣部具有圓角半徑,各個桿 而板侧邊内的埠中,以致於該三邊凸緣 93977 8 200810001 •部的各個側邊與該埠的側邊形成界面。 相對於不具有該種含凸緣部(該凸緣部具有圓角半徑 ..之接合n的半導體晶圓裝置,該具有凸緣部(該凸緣部且有 ,0角半徑)的接合器係提供裝置具有增強的強度。此外,相 對於其構成部件之間呈現尖㈣(例如,直請接合哭, :塗佈室内施用於裝置的塗佈反應物在具有凸緣部(該凸 :部具有圓角半徑)之接合器的裝置上則形成更厚及更均 :之塗佈物。該更厚及更均句之塗佈物對 置整體增加了進一步的強度。 °。及°亥衣 【實施方式】 有下此說明書全文’除非另有說明,則下列縮寫具 m 、〜我0攝氏溫度;=毫米;cm =公分; a尺,2.54公分/英吁(inch) ; slpm =每分鐘標準公 支擇1毫米汞柱高所需的麼力。所有 乾圍白包含上下限値且可以任意順序組合 數值範圍邏輯上受到總和至多100%之限制。 、 =裝置為用於半導體晶圓製程之半導體晶圓固持穿 。錢置包含複數個桿件,並藉由具 t :部之接合器固定在桿件相對端之各別端板。丄= =半導體晶圓固持裝置之接合器,該圓角二, 之強度的接合器。該圓角半徑在桿件與端板相會處 以;器界崎去尖稜角。該尖棱㈣除去使塗佈物得 厂該裝置之接合器上,且比具有尖棱角的接合器i 。更尽。該接合器上之更均勻與更厚的塗佈物進—步 93977 200810001 .強化:接合器。該接合器亦減小或消除在該接合 弟1圖說明該半導體晶圓固持裝置 -形凸緣部10的圓角半徑r。此圖顯示20之弧 ,.有接合器2。的端板4。,該接合器具有帶圓:::入形成 緣部,該圓角半徑r係定義為由該凸緣部表,^之凸 至該相傻的+空挪綠 表田之前號頂點 /心像的十子標線之距離。該虛線圓竹顯 形。典型地,該圓角半徑範圍係由〇 25 _至、田玉、 :型地該圓角半徑範圍由1職至1〇 mm。圓角半:為开更 成於兩表面相會處之連續曲線之凹面連接點 二: 係藉由下述方式測量:測定該表=一控 τ以數學法測定此輪廓的最佳之適 2 球形的半徑即為哕圓备 此取仏之適當 千L P為·角+控。該圓角半徑表面 用任何技術測量,例如接觸及非 ,使 或可使任何人以數學法定義該輪廓之攝;此=交器 屬技術領域中習知的。 寻方法係所 支樓該半導體晶圓的桿#皇 該半導體晶圓固持c;可改變的。典型地, 桿件之數量為-個^匕3二或四個桿件。更典型地,該 期間該半導該齒牙係籍由製程 定該桿件的端板可為任意=分=:相人對;固 限於矩形、橢圓形及三角开 此專开/狀包§,但不 孔洞以允許在晶圓製程㈣而要地’該端板可能包含 的晶圓間。^㈣使氣體流動於該固持在裝置内 第2圖說明該半導,曰 冷粗日日®固持裝置的一個具體實施 93977 10 200810001 Γ;。該:,〇包含三個捍件6。,各個桿件且有複雜 J 〇,。回牙係藉由空間80分隔開。嗲 ^ 们回 端與端板90接合。各 4件60於其相對 體萝裎期卩各们知板具有孔洞95及97以於半導 二間供氣體流動於晶圓間。該桿件係藉由且有帶圓 ,+径之弧形凸緣部的接合器二 :: 與伽及具有圓角半捏之凸緣部接合之桿二圖順 第3圖:之該具體實施例的另-示意圖。 桿件6〇接合於且有一、二 ^该端板90係與 凸緣部接〜的淳中。該桿件及該 面no相:。成…〇5。該凸緣部係與該端板-之内 該桿件:為任意適合之形狀。典型地,該桿件為擴圓 》、矩形或三角形。該桿件於其相對端之端尾具有凸棒以 供,入該端板中的埠。該凸榫係與該桿件相連,且具有比 該桿件主體更小的直徑或寬度,以致於使具有平坦表面的 肩部形成於該凸榫與該桿件主體之接合處。於一具體實施 例中曰該桿件與该端板接合時,該桿件之肩部係與位於 該弧形凸緣部頂部的平坦表面相會以形成界面。 该凸榫可包含鏜孔(b〇re),該鏜孔係垂直於該桿件之 長度且完全穿越該凸榫。於另一具體實施例中,該端板的 侧表面具有穿越該端板的鏜孔且該鏜孔向該凸榫插入該端 板處之該埠内開有通道。第二鏜孔係相對於位於該端板之 侧表面的鏜孔’該第二鏜孔向該埠内開有通道。該凸榫係 插入該埠以致於使該凸榫的鏜孔與該端板之侧表面的鏜孔 11 93977 200810001 , 及該開口於通道之第-转;土由 連。該形成於該端板及該凸 摔間的相連通道可使得插鎖插入該相連通道 .桿件固定於該端板。 /將°玄 ·. # 4 ®㈣包含將該桿件固定於該端板之該插鎖的一 具體實施例。環形桿件115包含桿件之线⑽及 125。該凸榫與該捍件之主體於肩部UG接合。該凸榫125 :與該⑽相連。該凸榫包含鏜孔135以供插入插銷 16〇釦孔135牙越凸榫125。凸緣部145係環繞於端板 之内面155上的該埠15〇週邊,該凸緣部具有側邊 165’該側邊為弧形外觀並具有圓角半徑。該桿件之凸棒係 2入埠!50以致於使該桿件之肩部13〇與該凸緣部之頂部 、面170相會,且使鐘孔135與位於該端板側表面之該鐘 孔175及相對應於鏜孔175而向璋15〇内開口之端 ^堂孔⑽形成相連通道。插们4〇係插入該相連通道以 進一步將該桿件固定於該埠内。 /第5圖說明形成接合器19()之經組合構成部件。 ,桿件115係插人料内以於該桿件與該凸緣部⑷之頂 箱面相會處形成界面195,以形成該結合器。如第5圖 所說明’接合器19〇不具有任何尖稜角度,例如直角; 具有緣角半徑之弧形凸緣部去除了尖稜角度以提供且有^ 強之強度的接合器。 捉仏/、有士曰 弟6圖說明另一具體實施例,其中該插銷係用於進一 /I „亥#件固定於該端板。矩形桿件包 加及矩形凸榫別,該矩形桿件具有四個面。該凸榫2 93977 12 200810001 '桿件之主體在肩部215接合,該凸榫具有四個面。該凸榫 2H)係與該肩部215相連。該凸榫包含鏜孔22()以供插銷 .225插入。鏜孔220穿越凸榫21〇。矩形凸緣部界定出 •該端板240之内面235上的璋23〇之邊界,且該矩形凸緣 部具有侧邊245,該側邊為弧形外觀並具有圓角半徑。該 琿具有四個内侧邊247。該桿件之凸榫係插入埠230以致 於使該桿件之肩部215與該凸緣部之表面25〇相會以形成 界面,且鏜孔220係與位在該端板之側表面且向埠内 開口的鏜孔255以及位於鏜孔255對面且由淳之内側向蜂 内開口的端板之第二鏜孔260形成相連通道。插鎖奶係 插入,相連通道以進一步將該桿件固定於該埠。 一第7圖說明其他之具體實施例,其中該插鎖係用於進 v將該;件固定於該端板。於此具體實施例巾,該桿件 2橫向插人該端板㈣埠。該端板之埠於該端板之側邊有 開口。矩形桿件300包含桿件之主體305及凸榫31〇。該 凸榫…亥杯件之主體於肩部315接合。該肩部具有三個表 面。該凸榫31()係與該肩部315相連。該凸榫包含鐘孔咖 =共插,325插入。鐘孔32〇穿越凸棒仙。界定出料 界的三邊凸緣部33〇係具有呈弧形外觀且具有圓 上+仫的側邊340。該凸緣部係位於該端板的内面345上。 凸榫係橫向插入埠335以致於使該桿件之肩部 一 ” μ凸緣部之表面350相會以形成界面。埠335且 二個内側面355。鏜;f丨Α榼ον /、 與向埠335内開σ之第二鏜孔 >成相連通道。插銷325係插入由鏜孔320及第二鏜 93977 13 200810001 .剔所形成之相連通道以進—步將該桿件固定於該璋 、桿二::體實施例’該具有圓角半徑的凸緣部係位於 ,遺;f干件的凸榫上,而非 此呈俨每⑼ 、疋義该埠的邊界。帛8圖說明 H %例。矩形桿件彻包含桿件的主體他 口 1〇°该凸榫包含具有四個側邊仍的凸緣部化以及三個 壬弧形外觀且具有圓角半徑 — 包端板430之側邊有開口的埠425内。該凸榫 内^ ^棒410的鐘孔435。該桿件之凸榫係插入埠425 夂於使该凸榫的三個側邊4 之側邊445相合,以扁兮几冷Α 早425的二個相應 邊之門开彡赤X㈢ 在^凸榫的三個側邊與該埠的三個側 對面”面。當該桿件插入該埠内時,位於鏜孔435 係的之璋侧邊向璋425内開口的第二鐘孔彻 插二^^^孔435形成相連通道。插銷他係 亥相連通相進—步將轉仙U該埠内。 型地if之部件可由任何適當種類的碳化石夕所組成。业 地,令 /乱相,儿積之石反化石夕所組成。更典型 4衣置之部件係由化學廣 ^ 成,日田曲⑹L 予巩相儿積之立方碳化矽所組 U地該部件係由化學氣 化矽所組成。哕古古#彳ΛΑ山 销心且力Ρ日日體石厌 立方石山化“ 碳化石夕最適合此應用,因為該 相^ 熱膨嚴與熱傳導性為等向的(在所有方向是 相冋的),因此,於該梦 7 ^ . ^ t置被力熱或冷卻時降低了該裝置内 製程期間,熱應力可能導致該裝置: 成曰曰⑽貝壞’且於嚴重時該應力可能高到足以使該裝置 93977 14 200810001 * 破損(斷裂)。 因為抗氧化、耐化學品及抗埶 ..型地為單石的。此 σ…、辰的緣故,该碳化矽典 :因此去除半導體ari制 ㈣切不需要任何塗佈, 能性。言亥「單石1程,間微粒脫落並污染該晶圓的可 Piece)。此等石山介」 H玄石反化石夕為碳化矽塊(solid 其令該碳切衫藉自功_所形成, 分子接菩h 切沉積在基材上而以一個 :(m〇lecu,ebyrao!ecu1^^^- i也才日〜軸。接著以傳 除並機械加工成所欲尺狀::塊由該心軸移 、V乒Z山儿A 形成该早石之化學齑相 的方法是所屬技術領域中習知的。此等方法的 只例揭路於美國專利第5,354,580號。 細微機械加工係用於製 構成部件。使哕m +¥體晶圓固持褒置之 ,, 使該接3為的部件及該桿件的溝槽以 成形所需的時間與複雜产比 μ而反 半導體“許多單塊的碳化矽 的機械構件者’ 4接合器不需額外 部件。麵^化¥密封_㈣定料置的構成 視而要地,该裝置之接合器可塗 化該接合器。典型地,該進步強 的X山儿 债口為係塗佈有1 mm至5 =切。_切可藉由所屬技 於該接合器上,如物理氣相沉積或化 二方^几矛貝 帶圓由广 領4 1G予虱相》儿積。該具有 較尖緣部㈣合μ起在射料相會處具有 ι叙角度(例如,直角)的接合器提供更均勻與更厚的^ 93977 15 200810001 佈物。亥更均勻與更厚的塗佈物進一步增強了該裝置的強 度如,過去用於製造石炭化石夕的塊材化學氣相沉積π· 方π中°亥CVD反應器係以質量傳送限制法 (聰-transport iimidng regime)運作’其中流動於構件表 面的該化學反應物對該塗佈物不肖勻有报大的影響。在接 合器之尖稜角,如直角,會造成不足夠的流動區土二而減少 反應物流動並減少塗佈物沉積在該接合器。經由除去於該 接合器的尖稜角,改進了反應物流動以及更均勾的塗佈物〆 沉積與更厚的塗佈物。 半導體晶圓製程期間,該晶圓固持褒置與該裝置中的 晶圓最初係暴露於快逮的升溫,於15分鐘至6Q分鐘内由 室溫上升至超過HKMTC。典型地,該溫度於Μ分鐘至^ 分=由室溫升至高如⑽。c。此等快速升溫造成該^圓 固#叙置中能量快速地增大。該裝置以熱及機械能量 =形式消耗該增大的能量。此等震動典型地係沿著該裝 置取弱或最不穩定的面發生。典型地,這是沿著該桿件長 的面或方向發生。本發明之接合器在該桿件面提供穩定^ 接合’以及包含在其他面或方向上減少或除去該震動或移 本發明之接合器提供該裝置足夠的強度及支樓, 致於因置放於該溝槽的半導體晶圓的重量而彎# 。因此 本發明之該裝置可用於藉由水平製程來處理多數個晶圓而 不需考慮水平製抑_問題。此外,該靠$構件 該裝置可置放成垂直的袭置,其中該裝置可加工多數個半 93977 16 200810001 導體晶圓。再者,該晶圓固持裝置的尺寸僅受限於所使用 之半導體晶圓製程室的尺寸。 以下之實施例係用於說明本發明而不意欲限制其範 圍。 實施例 製備三個化學氣相沉積之碳化矽接合器,並使用測試 接合器強度用的標準測試方法檢測其強度。各個接合器包 含有化學氣相沉積之碳化珍端板片,其尺寸為76 mm長X 76 mm 寬 X 6·4 mm 厚。 該端板係使用傳統化學氣相沉積方法及傳統之參數 製造而得。條件最佳化為六個三角箱生產爐。該碳化石夕係 由甲基三氯矽烷(MTS)於惰性氳氣(H2)及氬氣(Ar)氛圍下 製造而得。下表為在該爐的各個箱内之該碳化石夕沉積條 件。 ^_1 製程參數 數量 爐壓 200 torr 沉積溫度 1360。 C H2氣體流速 50 slpm Ar氣體流速 52 slpm MTS氣體流速 8.3 slpm H2分壓 91 torr Ar分壓 95 torr MTS 14 torr 沉積速率 1.5 β m/min. H2/MTS氣體流率 6 17 93977 200810001 該碳化石夕係沉積於矩形的石墨心軸。沉積過後,將該 沉積物由該心軸移除並使用220砂粒鑽石摻結研磨輪及 工具進行機械加工以形成該經研磨至< 1㊉RMS且具有如 前述之尺寸的端板。 同樣採取表1所述之條件,以如該端板所用之該傳統 化學氣相沉積法製得三個碳化矽軌條粱。沉積過後,將該 沉積物由該石墨心軸移除。該軌條粱為64 mm長、14 mm 寬及20 mm高。以用於該端板的該相同方法與工具進行 機械加工與研磨。 將該軌條粱與該端板組合以形成接合器。一執條粱係 與該端板結合以形成具有直角的接合器。該接合器係塗佈 有2.3 mm的化學氣相沉積之碳化矽。其他兩個接合器則 為具有3 mm圓角半徑的接合器。一個為如第7圖所示之 具有開口的背半徑(open back radius)接合器以及第二個接 合器為如第6圖所示之具有封閉的背半徑(closed back radius)的帶圓角半徑之接合器。其二者皆以插銷固定並塗 佈有2.3 mm的化學氣相沉積碳化矽。化學氣相沉積係於 1 · 5 -m爐内進行。沉積條件如下表所示。 18 93977 200810001 表2 製程參數 數量 爐壓 200 torr 沉積溫度 1360° C h2氣體流速 124 slpm Ar氣體流速 408 slpm MTS氣體流速 24.5 slpm H2氣體分壓 44 torr Ar氣體分壓 147 torr MTS分壓 9 torr 沉積速率 1.5 β m/min. H2/MTS氣體流率 5 接著由外觀上檢查全部三個接合器的斷裂。所有接合 器都沒有顯示出任何可見的斷裂或裂缝。然而,具有垂直 於該端板之執條粱的該接合器顯示出如第9A圖照片所示 之不良的碳化矽沉積。反之,具有圓角半徑的該接合器顯 示出如第9B圖照片所示之完整的碳化矽覆蓋。 接著將各個接合器置於標準Instron Mechanical Tester™以檢測各個接合器於破裂前可承受的載重量 (load)。該接合器的端板係固定於夾具内以固持具有該執條 的端板並使執條由該夾具水平地突出,以致於自該端板至 將載重(應力)施用於該軌條之點的距離為2.5英吋。接著 將該Instron Mechanical Tester™頭部(荷重元)設定為以 0·02英忖/分鐘的速度移動下壓於該軌條範圍上。將該載 重磅數及載重速度(每分鐘英吋)紀錄於傳統圖表紀錄器並 將該接合器之斷裂點測定於該圖表紀錄器,並用以確定造 19 93977 200810001 成該執條斷裂的該載重(應力)。 一令垂直於竣端板的軌條粱以及不良碳化矽沉積之 5亥傳統接合器在158磅的載重後斷裂。相對地,具有背開 口及圓、角半徑以及具有完整的碳化矽覆蓋的該接合器於 15 8石方並不會斷裂或顯示出任何裂縫。 上具有背開口及圓角半徑以及具有完整的碳化矽覆蓋 的。玄接σ為並不會破損直到所施载重達!仍磅。具有背封 閉及圓角半徑以及具有完整的碳切覆蓋的該接合哭並不 t破損直到所㈣重達183彳。因此,相較於該軌條梁垂 X蝠板且具有不良覆盍之碳化矽的該傳統接合器,具 有圓角半徑的該接合器係更為堅固。 /、 【圖式簡單說明】 器之側面示意圖; 置的一個具體實施例 第1圖為具有圓角半徑的接合 第2圖說明半導體晶圓固持裝 並顯示桿件具有齒牙及端板; ”第3圖說明半導體晶圓固持裝置的—個具體實施例, 亚頒:接合於端板的桿件以及各個接合器之圓角半徑; 以及^圖說明該具體實施例,其中該接合11具有橢圓埠 部; 凸榫,且該橢圓埠具有帶圓角半徑之橢圓凸緣 第5圖說明該具體實施例,其中哕护 圓抬+ 八甲这才于件係固定於該橢 皐内且該圓角半徑係環繞於該埠的週邊; 弟6圖說明該具體實施例,其中該接人 四個邊的埠(four sided port)以及桿件之凸榫 器具有矩形的 ,且該槔具有 93977 20 200810001 T圓角半徑的凸緣部; 第7圖說明該具體實施例,其中該接合器具有三個邊 、的埠(three Sided pori)以及橫向插入該埠的凸榫,該 = •帶圓角半徑的三邊凸緣部; / 第8圖說明該具體實施例,其中該具有圓角仲的凸 緣部係位於桿件的凸榫上,且該桿件係横向插入三個邊的 璋, 第9A圖為塗佈有碳化矽之接合器的照片,i 件係與端板以直角接合;以及 八μ于 第9Β圖為塗佈有碳化石夕之接合器的照片, 件係藉由具有帶圓角半徑凸緣部的埠與該端板固^。^于 【主要元件符號說明】 10, 100, 145,330,415 凸緣部 20,190 接合器 30,60,115 桿件 40,905160,2405430 端板 42 虛線圓 50 裝置 70 齒牙 80 空間 95,97 孔洞 105,195 界面 1 10,155,235,345 内面 120,205,305,405 主體 93977 21 200810001 125,310,410 凸榫 130,215,315 肩部 135,175,220,255,320,435 鏜孔 140,225,325,455 插銷 150,230,335,425 埠 165,245,247,340,417,445 侧邊 170,420 頂部表面 180,260,360,450 第二鏜孔 200,300,400 矩形桿件 210 矩形凸榫 250,350 表面 355 内侧面 r 圓角半徑 22 93977

Claims (1)

  1. 200810001 十、申請專利範圍: 1· I種裝置’包括複數個桿件,該桿件 ::徑之凸緣部的接合器固定於該桿件相對端= 2. :::::範圍第1項之裝置,其中,該接合器係塗 3. =裝置’包括複數個桿件,該桿件係藉由具有帶圓 二 凸緣部的接合㈣定在該桿件相對端的夂別 =各個桿件端具有凸榫,該凸榫係經由具有;: =之凸緣部的橢圓埠插入該各別端板的内面,唁 =口 Mf繞在該橢圓埠週邊’各個凸榫在該桿件的久 3::件之肩部相連,各個肩部具有平坦表面以; 4· 徑的該凸緣部之頂部表面,以在該肩 权千坦表面與該凸緣部之頂部表面之@ 一=置,包括複數個桿件,該桿件係藉由具;帶圓 么之四邊凸緣部(f0Ur sided flange)的接合器固定 在该捍件相對端之各別端板,各個桿件端具有凸棒, ^凸榫係經由具有帶圓角半徑之該四邊凸緣部的矩形 埠插入該各別端板的内面’各個凸榫在該桿件的 與轉件之肩部相連’各個肩部具有平坦表面以緊靠 於具有圓角半徑的該凸緣部之頂部表面,以在該肩部 :平,表面與該凸緣部之頂部表面之間形成界面。 一種裝置,包括複數個桿件,該桿件係藉由具有帶圓 角半徑之三邊凸緣部(three sided fJange)的接合器固定 93977 23 5. 200810001 • 在桿件相對端的各別端板,各個桿件端具有凸榫,該 凸榫係插入該端板侧邊的埠中,該具有圓角半徑的三 、 邊凸緣部係將該埠界定於該端板的内表面,各個凸榫 • 在該桿件的各端與該桿件之肩部相連,各個肩部具有 平坦表面以緊靠於具有圓角半徑的該凸緣部之頂部表 面,以在該肩部之平坦表面與該凸緣部之頂部表面之 間形成界面。 6.:種裝置,包括複數個桿件,該桿件係藉由具有帶圓 角半徑之三邊凸緣部的接合器固定在該桿件相對端之 各別端板,各個桿件具有凸棒,該凸禅具有該帶圓角 半徑之三邊凸緣部,各個桿件係插入該端板側邊内的 埠中’以致於使該二邊凸緣部的各個側邊與該璋的側 邊形成界面。 93977 24
TW096119743A 2006-06-02 2007-06-01 具有圓角半徑接合器之裝置 TWI402929B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US81046106P 2006-06-02 2006-06-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200810001A true TW200810001A (en) 2008-02-16
TWI402929B TWI402929B (zh) 2013-07-21

Family

ID=38477397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096119743A TWI402929B (zh) 2006-06-02 2007-06-01 具有圓角半徑接合器之裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20080000851A1 (zh)
EP (1) EP1863079B1 (zh)
JP (1) JP2007329476A (zh)
KR (2) KR101463785B1 (zh)
CN (1) CN101090084B (zh)
TW (1) TWI402929B (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101231182B1 (ko) * 2007-09-12 2013-02-07 삼성전자주식회사 반도체 세정 설비의 웨이퍼 브로큰 방지용 웨이퍼 가이드
JP5430848B2 (ja) 2007-12-21 2014-03-05 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体素子、半導体装置、及びそれらの製造方法
US20100224880A1 (en) 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130095495A (ko) * 2012-02-20 2013-08-28 삼성전자주식회사 반도체 기판 적재용 보트
US9731669B2 (en) 2012-02-28 2017-08-15 Sabic Global Technologies B.V. Energy absorbing system
JP2015070046A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 株式会社日立国際電気 基板保持具
AT515531B1 (de) * 2014-09-19 2015-10-15 Siconnex Customized Solutions Gmbh Halterungssystem und Beschickungsverfahren für scheibenförmige Objekte
US20160359080A1 (en) 2015-06-07 2016-12-08 Solarcity Corporation System, method and apparatus for chemical vapor deposition
US9748434B1 (en) 2016-05-24 2017-08-29 Tesla, Inc. Systems, method and apparatus for curing conductive paste
US9954136B2 (en) 2016-08-03 2018-04-24 Tesla, Inc. Cassette optimized for an inline annealing system
US10115856B2 (en) 2016-10-31 2018-10-30 Tesla, Inc. System and method for curing conductive paste using induction heating
JP6770461B2 (ja) * 2017-02-21 2020-10-14 クアーズテック株式会社 縦型ウエハボート
US20200240132A1 (en) * 2017-06-06 2020-07-30 Fablo International B.V. Modular building block system
CN206961808U (zh) * 2017-07-14 2018-02-02 君泰创新(北京)科技有限公司 硅片清洗工装
JP7030604B2 (ja) * 2018-04-19 2022-03-07 三菱電機株式会社 ウエハボートおよびその製造方法
CN110666992A (zh) * 2019-08-27 2020-01-10 北京灵禾科技发展有限公司 一种长晶舟及制备工艺

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2501805A1 (fr) * 1981-03-10 1982-09-17 Haeusler Roland Nouveau systeme d'assemblage du genre a tenon et mortaise et articles mobiliers incorporant ledit systeme
US5062567A (en) * 1988-12-20 1991-11-05 Schlumberger Technologies, Inc. Lead design to facilitate post-reflow solder joint quality inspection
CA2099788A1 (en) 1992-07-31 1994-02-01 Michael A. Pickering Ultra pure silicon carbide and high temperature semiconductor processing equipment made therefrom
US5374412A (en) * 1992-07-31 1994-12-20 Cvd, Inc. Highly polishable, highly thermally conductive silicon carbide
US5354580A (en) * 1993-06-08 1994-10-11 Cvd Incorporated Triangular deposition chamber for a vapor deposition system
US5411153A (en) * 1993-10-22 1995-05-02 Unfried; Greg J. Storage rack assembly system
JP3650423B2 (ja) * 1994-09-30 2005-05-18 東芝セラミックス株式会社 ウエハボート
TW325588B (en) * 1996-02-28 1998-01-21 Asahi Glass Co Ltd Vertical wafer boat
JPH09293685A (ja) * 1996-02-28 1997-11-11 Asahi Glass Co Ltd 縦型ウエハボート
JPH1179846A (ja) 1997-09-01 1999-03-23 Tokai Carbon Co Ltd 炭化珪素成形体
US6056123A (en) * 1997-12-10 2000-05-02 Novus Corporation Semiconductor wafer carrier having the same composition as the wafers
US6228297B1 (en) * 1998-05-05 2001-05-08 Rohm And Haas Company Method for producing free-standing silicon carbide articles
JP2000021958A (ja) 1998-07-06 2000-01-21 Toshiba Ceramics Co Ltd SiCウエハボート
US6520191B1 (en) * 1998-10-19 2003-02-18 Memc Electronic Materials, Inc. Carrier for cleaning silicon wafers
JP2000124183A (ja) * 1998-10-19 2000-04-28 Memc Kk シリコンウェーハ洗浄用キャリア
US6225594B1 (en) * 1999-04-15 2001-05-01 Integrated Materials, Inc. Method and apparatus for securing components of wafer processing fixtures
US6378538B1 (en) * 1999-12-13 2002-04-30 Advanced Micro Devices, Inc. Durable, multi-piece rotor for spray acid tools
US6450346B1 (en) * 2000-06-30 2002-09-17 Integrated Materials, Inc. Silicon fixtures for supporting wafers during thermal processing
US20020130061A1 (en) * 2000-11-02 2002-09-19 Hengst Richard R. Apparatus and method of making a slip free wafer boat
KR100410982B1 (ko) * 2001-01-18 2003-12-18 삼성전자주식회사 반도체 제조장치용 보트
JP2002324830A (ja) * 2001-02-20 2002-11-08 Mitsubishi Electric Corp 基板熱処理用保持具、基板熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板熱処理用保持具の製造方法及び基板熱処理用保持具の構造決定方法
US6860297B2 (en) * 2001-03-16 2005-03-01 Paul Stephen Manzon Local degraded area repair and restoration component for pressure retaining items
US6811040B2 (en) * 2001-07-16 2004-11-02 Rohm And Haas Company Wafer holding apparatus
US6652237B2 (en) * 2001-10-15 2003-11-25 General Electric Company Bucket and wheel dovetail design for turbine rotors
US6986230B2 (en) * 2002-06-28 2006-01-17 Eagle Development Corporation Foldable support structure with hinged wall members
US7222466B2 (en) * 2002-06-28 2007-05-29 Eagle Development Corporation Foldable support structure with hinged sawtooth wall members
FR2848282B1 (fr) * 2002-12-09 2006-12-29 Vallourec Mannesmann Oil & Gas Procede de realisation d'un joint filete tubulaire etanche vis-a-vis de l'exterieur
FR2877256B1 (fr) 2004-10-28 2008-10-03 Inergy Automotive Systems Res Procede pour la fabrication d'un reservoir a carburant en matiere plastique comprenant une goulotte integree
US20060108795A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-25 Manzon Paul S Access component for pressure retaining item (PMCap-Nozzle)
USD600222S1 (en) * 2008-03-28 2009-09-15 Tokyo Electron Limited Wafer boat

Also Published As

Publication number Publication date
KR101473724B1 (ko) 2014-12-18
KR20070115807A (ko) 2007-12-06
CN101090084A (zh) 2007-12-19
KR101463785B1 (ko) 2014-11-20
KR20140083957A (ko) 2014-07-04
EP1863079A3 (en) 2009-06-03
EP1863079A2 (en) 2007-12-05
EP1863079B1 (en) 2011-08-10
JP2007329476A (ja) 2007-12-20
CN101090084B (zh) 2011-12-07
US20080000851A1 (en) 2008-01-03
TWI402929B (zh) 2013-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200810001A (en) Apparatus with fillet radius joints
TWI361469B (en) Chemical vapor deposited silicon carbide articles
US7666513B2 (en) Adhesive of a silicon and silica composite for bonding together silicon parts
JP4283504B2 (ja) ウェーハ保持装置
US6692597B2 (en) Ceramic joining
US10094498B2 (en) Method for joining ceramics to ceramics or ceramics to metals, and apparatus
TWI325950B (en) Ceramic assembly
JP4994012B2 (ja) 複数片のセラミックスるつぼおよびその製造方法
CN108352354A (zh) 具有沉积表面特征结构的基板支撑组件
US8998268B2 (en) Sinter bonded ceramic articles
JP5403092B2 (ja) 高耐熱部材およびその製造方法
JPS6047336B2 (ja) 複合単結晶物品の製造方法
US6063514A (en) Gas-tight article and a producing process thereof
JP2017071549A (ja) 長尺チューブ構造体
TW200400548A (en) Vapor-phase growth apparatus and vapor-phase growth method
JPH044748B2 (zh)
TWI617396B (zh) 矽聚晶燒結物件及其製造方法
JP2009078943A (ja) 炭化ケイ素セラミックス材の接合方法
JPS6045154B2 (ja) 耐火材料
JPS58161981A (ja) 窒化珪素被覆セラミツクス基材の製造方法
Plößl et al. Pressureless silicon direct bonding in ultrahigh vacuum at room temperature
Turner et al. Heat exchangers comprising at least one porous member positioned within a casing