TW200807175A - A method of characterising the transmission losses of an optical system - Google Patents

Description

200807175 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ㈣徵化—光學系統之透射損失的方法 及測夏一基板之特性的方法。 【先前技術】 微影裝置係一機器，其將一所需圖案施 常係施加至該基板之—目標部分上通 · 丨刀工似衫表置可用於（例 °)體電路(lc)之製造。在該實例中，可使用一圖案化号 件（另稱為光罩或標線片）以產生—欲形成於積體電路之個 :層上的電路圖案。可將此圖案轉移至一基板（例如一石夕 曰曰圓）上之目標部分（例如包含一或數個晶粒之部分）上。通 :經由成像將圖案轉移至該基板上所提供之一輻射敏感材 μ先阻）層丨。-般而·r’一單一基板將包含連續圖案化 之相鄰目標部分之-網路。已知的微影裝置包括步進機，

其中母一目標部分係藉由—iv J ，刀你稭田—人性將一整個圖案曝光至該目 標部分上而受到照射，以及掃描器，其中每一目標部分係 错由透過-輻射光束沿一既定方向（「掃描」方向)掃瞒該 圖案而同時平行或反平行此方向地同步掃描該基板而受到 知、射。藉由將該圖案壓印至該基板上，亦可以將該圖宰從 該圖案化器件轉移至該基板。 吾等習知感測器係用於在微影程序期間或之後檢查基 板。例如，在將_基板上之—光阻顯影後（例如已藉由一 圖案化的輻射光束將該光阻曝光），可以執行一測量及檢 查步驟。此係稱為「線内」’因為其係在製造所使用之正 121037.doc 200807175

規的基板處理過程中實施。此可用於兩個目的。首先_ 要摘測任何在已顯影光阻中的圖案有錯誤之區域。若在： 基板上足夠數目的晶粒(即，將用於形成-個別器件的該 基板之部分）有錯誤，則可將該基板從圖案化的光阻剝離 :重新曝光(希望此操作係正確的），而並不會因採用—錯 誤圖案實施—後續程序步驟（例如—㈣）而使得該錯誤永 久存在。其次’該等測量可以允許，測到該微影裳置中的 錯誤(例如照明設定或曝光劑量)並校正用於後續曝光。但 是’可能不容易從列印於光阻中的圖案來㈣或者量化該 微影裝置中的許多錯誤。對—錯誤之㈣並不總會直接追 溯到其成因。因此’吾等還習知用以偵測與測量—微影裝 置中的錯誤之各種「離線」程序。此可以包括以一測量器 件來替換該基板或者（例如）在各種不同的機器設定實施特 殊測試圖案之曝光。此類離線技術耗用的時間數量常常相 當大，在此時間期間該裝置之最終產品在測量結果可以獲 得之前一直係未知的品質。因此，較佳的係可以與製造曝 光同時實施而用以偵測與測量該微影裝置中的錯誤之線内 技術。 散射量測係可用於對CD及覆蓋層進行線内測量之一光 學度量技術之一範例。有兩個主要的散射量測技術： 1) 分光散射量測根據一波長來測量一固定角度之散射光 之特性，其一般係使用一寬頻光源（例如氙、氘）或一基於 鹵素之光源。該固定角度係正交入射或傾斜入射。 2) 角分解散射1測根據入射角測量一固定波長的散射光 121037.doc 200807175 之特性’其常常使用-雷射作為-單-波長光源或與一波 長選擇器件（例如—窄頻干涉濾光器、-分散稜鏡或—繞 射光柵）組合之一寬頻光源。 ’斤構k產生反射光譜之結構，例如使用即時迴卿;戋 與-杈擬推導圖案庫相比較。重新構造包括一成本函數之 最小化。兩個方法皆藉由週期性結構計算光之散射。最常 用的技術係L合波分析（RCWA)，但還可以藉由其他 技術（例如FDTD或積分方程式技術）來計算光散射。美國專 利申請公告案第2006/0033921 A1號中更詳細說明此類角 分解散射量測。 散射量測亦可用於檢查在—㈣程序後形成之特徵（例 如’其可受藉由一微影程序形成之一圖案之控制)或者測 量在-堆疊中形成之-或多個材料層之厚度或特性。 為了執行肖分解散射量敎測量，藉由輻射來照射該基 板。為了從該等測量獲得最多的資訊，可以將照射該基板 之輻射線性偏振。$ 了獲得一高解析度而使用具有一高數 值孔徑（NA)之一透鏡。較佳的係該數值孔徑具有一至少 〇. 9 5之值。該高孔徑透鏡係旋轉對稱但具有與偏振相關： 透射率。圖6顯示該高孔徑透鏡之光瞳平面而且可以看出 可以將每一點處的透射分解成一 s成分與p成分。一妒而 言，S偏振光遭受的透射損失比P偏振光更高，從而可二丨 起測量的角分解散射光譜之一網失真。 【發明内容】 因此本發明之一目的係使得該等PM偏振之間不同透射 121037.doc 200807175 損失之效果最小化。 依據本發明之一具體實施例，提供一種特徵化一光學系 、洗之透射損失的方法，其包含：測量一輻射光束之照明輪 廊；將該輕射光束投射穿過該光學系、统；測量投射穿過該 光學系統之輻射光束之強度分佈；以及將測量的光譜與該 照明輪廓相比較以特徵化該等透射損失。 依據本發明之另—具體實施例，提供—種測量一基板之 特性的方法’其包含將一輻射光束投射到一基板上；以及 债測指示欲測量特性的該反射輻射光束之強度分佈，其中 ㈣反射輕射光束減去依據—如上所述方法藉由—方法測 量的透射損失。 依據本發明之另—具體實施例，提供—種組態用於測量 一特性的檢查裝置，其包含：一輻射投影器，其 係、、且恶用於將輕射投射到該基板上；-谓测器，1係组能 用於㈣從該基板反射之輻射；以及—資料處置單二 用於藉由對如偏振光所遭受的透射損失考量 來將偵測的輻射光束正規化。 气 【實施方式】 ^示意性說明結合本發明❹之—微影裝置 包各一照明系統（照明器）IL，其經組態射^ B(例如’UV輻射或Duv_)。 ^射先束 口）ΜΤ，其係組態成支撐一圖案化器 罩 並連接至—第—定位器m，該第一位/，—光罩）ΜΑ 以依據特定參數來精確定位該圖案二：心係：態成用 叩仵，一基板台（例 121037.doc 200807175 如一晶圓台）WT，J：你鈿能m从 八係組恶成固持一基板（如— 晶圓）W且係連接至一第- π尤阻的 弟一疋位态PW，該第二定位哭 組態成用以依據特定參數來精確定位該基板。一投:克 (:如，-折射投影透鏡系統)PL，其係組 :由圓 案化器件财將賦予該輕射光㈣之一圖案投射至該= 的一目標部分C(例如，包含一或更多晶粒）上。土 6亥照明系統可舍技久絲本 h括各種_光學組件，例如折射 射、磁性、電磁性、镇φ L 汉 組合，其係用於引莫、 的光學组件或其任何 ^ 成形及/或控制輻射。 该支撑件支撐（即承载）該圖案化器件的 決於該圖案化哭件的古办斗 /、以一取 从 的方位、該微影裝置的設計以及1仙你 件（例如該圖宰化考杜θ -、他條 Q木化為件疋否係固持於一真空環境中）之方4 2持該圖案化器件。該支擇件可使用機械、 或其他夾緊技術來固持圖案化器件 ; -框架或-台，其可按需要而固定或可二牙件:r 確保該圖案化哭杜έ Μ支掠件可 統h 土 D牛係處於一所需位置（例如相對於投影系 : 文中任何使用的術語「標線片」或「光罩比厂、 視為盘f補田1上r J 4 光罩J皆可 、更通用術語「圖案化器件」同義。 本文中所使用的術纽「 可用以賦予— ’件」應廣泛地解釋成指 之-目桿之㈣H例如用以在該基板 “分中產生—圖案之任 反 的所需圖案，例如若該圖 -部分 徵。一般而今 η 相私特破或所謂輔助特 12I037.doc 。賦^4#§射光束之將會對應於—器件 -10- 200807175 中產生於該目標部分中之—特定功能層，例如一積體電 路0 該圖案化器件可為透射性或反射性。圖案化器件之範例 包括先罩、可程式鏡陣列以及可程式lcd面板。光罩在微 影中係為人孰知，且白扭Μ ^ J包括例如二進制、交替式相移、及衰 減式相移等光罩類剞、 以及各種混合光罩類型。可程式鏡 陣列之-範例採用較小鏡之一矩陣配置，其中每一鏡可個 別地傾斜以便在不同方向上反射一入射輕射光束。該等傾 斜鏡將-圖案賦予—藉由該鏡矩陣而反射之輻射光束内。 吏用的術》。才又影系統」應廣泛地解釋為涵蓋適合 所使用之曝光輻射或其他因素（例如使用浸潰液體或使用 真空)的任何類型投影系統，其包括折射、反射、反折 射、磁性、電磁性及靜電光學系統，或其任何組合。本文 中任何使用之術語「投影透鏡」t可視為與更通用術語 「投影系統」同義。 如在此所描述，該裝置係透射類型（如採用一透射光 )或者忒哀置可為反射類型（例如，採用一上述類型 之可程式鏡陣列，或採用一反射光罩）。 ' ，微影裳置可為具有二（雙級）或更多基板台（及/或二或 更多光罩台)之類型。在此類「多級」機器中，可平行使 用頜外的台’或可在-或更多台上實行預備步驟，而將- 或多個其他台用於曝光。 —铽衫裝置的類型亦可為’其中該基板之至少一部分可為 —具有相對較高折射率之液體（如水）所覆蓋，以填充投影 12l037.doc -11 - 200807175 =統與基板之間的空間。亦可將—浸潰液體施加於該微影 裝置中的其他空間’例如該光罩與該投影系統之間。此項 技術中已热知使用浸潰技術來增加投影系統的數值孔徑。 、吏用之術D。「浸潰」並非指一結構（例如基板）必須浸 、_中而係僅扣在曝光期間液體位於該投影系統與 該基板之間。

>考圖1，照明器IL會接收來自一輻射源的輻射。該 輻=«微影裝置可為分離實體，例如#該輻射源為準分 射T在此颍炀況下，該輻射源不會被視為形成微影 裝置之部分，且會借助於一光束輸送系統31)(例如其包含 適^引導鏡及/或光束擴展器）將輻射光束從輻射源s〇傳遞 至照明器IL。在其他情況下，輻射源可為該微影裝置之一 整合部分，例如當該輻射源為水銀燈時。該輻射源s〇與照 明器IL，連同需要時的光束輸送系統BD，可稱為輻射系 統0 該照明器IL可包含一用於調整該輻射光束之角強度分佈 的調整器AD。一般而言，可以調整該照明器之一光瞳平 面中強度分佈的至少外及/或内徑範圍（一般分別稱為心外 及σ-内）。此外，該照明器IL可包含各種其他組件，例如 一績分器IN及一聚光器C0。該照明器可用以調節輕射光 束，以在其斷面中具有所需之均勻度及強度分佈。 輻射光束B入射在固持於支撐件（例如光罩台Μτ)上的該 圖案化器件(例如光罩ΜΑ)上，並藉由該圖案化器件來圖案 化。在行經該光罩ΜΑ後，該輻射光束Β會穿過投影系統 121037.doc -12- 200807175

PL，其會將該光束聚焦在該基板w之目標部分c上。借助 於該第二定位器PW及定位感測器IF(例如，干涉器件、線 性編碼器或電容式感測器），t亥基板台w τ能準㈣移動>、， 例如遂得以在該輻射光束Β之路徑中定位不同目標部分 C。同樣地’該第一定位器刚及另一定位感測器並: 於圖1中加卩明白地描述）可用以相對於該輕射光束β之路 徑準確地定位該光罩ΜΑ，例如自光罩庫以機械方式取得 後或在掃描期間。一般而言，可借助_長衝程模組(粗略 定位）及一短衝程模組（精細定位）來實現光罩台ΜΤ之移 動’該等模組形成第一定位削之部分。同樣地，基板 台WT的移動可使用一長衝程模組及一短衝程模組來實 現’該等模組形成第二定位器請的部分。在—步進機之 情況下（與掃描器相反），光罩台町可僅連接至-短衝程致 動器’或可加以固定。可使用光罩對準標記如、禮以及 基板對準標記Ρ1、Ρ2來對準光罩μα與基板w。儘管圖示 該等基板對準標記佔用專用目標部分，^其可位於目標 部分間的空間内（此等係稱為劃線道對準標記）。同樣地， 在；光罩ΜΑ上提供多個晶粒之情形中，帛等光罩對準標 記可位於該等晶粒之間。 所述之裝置可用於以下模式中的至少一模式中： 1.在步進模式中，光罩台财及基板台资基本上保持靜 止同知將賦予該輻射光束之整個圖案一次（即單一靜離 曝光）投射至一目標部分U。該基板台WT接著在又及/月或； 方向上偏私’以便能曝光-不同目標部分C。在步進模式 121037.doc 200807175 中曝光％之最大大小會限制 標部分C之大小。 單一靜態曝光中所成像的目 2.在掃描模式中，同步掃把 $描先罩台MT與基板台WT，同 時將賦予該輻射光束之圖案投 一奴射至一目標部分C上（即單一 動態曝光）。基板台WT相對於光罩台之速度及方向可由 ^影系統PS之（縮）放率及影像反轉特徵來決定。在掃描模 工、中’曝光場之最大大小會限制星 ^ At ㈢限制早一動態曝光中該目標部

刀之寬度（在非掃描方向卜1I t 二 ）而知描運動之長度則會決定 該目標部分之高度（在掃描方向上）。 一 3.在另一模式中，該光罩台MT係保持基本上靜止地固持 —可私式圖案化器#，並移動或掃描該基板台WT，同時 =予至射光束的圖案係投射到—目標部分C上。在此 模，-般而言會利用—脈衝輻㈣、，且該可程式圖案 =器件係在一掃描期間該基板台WT之每一運動後或在連 續韓射脈衝間視f要而加以更新。此操作模式可易於應用 於利用可程式®案化器件（例如上述類型的可程式鏡陣列） 的無光罩微影中。 亦可使用上述使用 使用模式。 模式的組合及/或變化或完全不同的 可以使用一感測器（例如，如圖2所說明之散射計）來決 、基板W之表面特性。該散射計包含一寬頻(白色光）輻 射投影器2，其將_射投射到—基板W上。將.反射輕射傳 遞至—分光偵測器4，其測量該鏡面反射輻射之—光譜 〇(與波長成函數關係之強度）。依據此資料，例如藉由嚴 121037.doc -14- 200807175 格輕合波分析及非線性回歸或藉由與如圖2底部所示的一 模擬光譜庫相比較，可以重新構造產生所债測光譜之結構 或輪廣。-般地，對於該重新構造’該結構之一般形式係 已知而某些蒼數係依據關於藉以形成該構造的程序之知識 定@ η亥構la之僅少數參數係留待依據該散射 料來決定。 /放射4可以係-JL交人射散射計或—傾斜人射散射 計。還可以使用散射量測之變化方案，其中在一單一波長 之一角度範圍測量該反射，而非在一波長範圍之一單；_又 度測量該反射。 用以測量—基板之特性的散射計可以在-高數值孔徑透 鏡之光瞳平面U内測量以複數個角度及波長從該基板表面 W反射之一角分解光譜之特性（如圖3所示）。此—散射叶可 以包含-用以將輻射投射至該基板上之輕射投影器2盘一 用以偵測所反射光譜之傾測器14。該光瞳平面係其中由輕 射的！向位置定義入射角而由角度位置定義該輕射的方位 角之平面。該偵測器14係放置於該高數值孔徑透鏡之光瞳 千面内。該數值孔徑可以係較高而較佳的係至少0.9而更 k的係至少G.95。浸潰散射計甚至可以具有數值孔徑超過 1的透鏡。 某些角分解散射計僅測量散射光之強度。但是，最新的 散射計允許在-角度範圍同時測量數個波長。藉由該散射 计針對不同波長及角度測量的特性可以係横向磁性與橫向 電性偏振光之強度及橫向磁性與橫向電性偏振光之間的相 121037.doc •15- 200807175 位差。 可以使用一寬頻光源（即具有較寬的光頻率或波長範圍 而因此具有較寬的顏色範圍之一光源），其產生一較大發 放度，而允許混合多個波長。該寬頻中的複數個波長較佳 的係白具有一（比如）δλ之頻寬而因此具有一至少2§入（即該 波長之兩倍）之間隔。數個輻射「源」可以係已使用（比如） 纖維束來分割之一延伸輻射源之不同部分。以此方式，可 以在多個波長平行地測量角分解散射光譜。測量一 3D光譜 (波長與兩個不同角度），其包含比2]〇光譜更多之資訊。此 允許測量更多資訊，從而增加度量程序之強健性。美國專 利申明公告案第2006/0033921 A1號中對此作更詳細說 明。 圖3顯不可用於本發明之一散射計。使用透鏡系統^將 該輻射投影器2之輻射聚焦穿過干涉濾光器13及偏振器 17，其叉部分反射表面〗6之反射且係經由一顯微鏡物鏡工5 而聚焦到基板W上。接著將該輕射透射穿過部分反射表面 16進入在後投射光瞳平面丨〗中之一 ccd偵測器，以便於偵 測該散射光譜。該光瞳平面12處於該透鏡系統15之焦距。 將一偵測$及高孔徑透鏡放置於該光瞳平面。可以藉由輔 助光學元件對該光瞳平面進行重新成像，因為一高數值孔 徑透鏡之光曈平面一般位於該透鏡内側。 常常使用一參考光束來（例如）測量該入射輻射之強度。 當該，射光束係人射於該分光器16上時，其部分係穿過該 分光器朝-參考鏡14透射。接著將該參考光束投射至相同 121037.doc -16- 200807175 CCD偵測器j 8之一不同部分上。 將該反射輕射之光瞳半而& 十面成像於該CCD偵測器上而整合 寸間為（例如）每一訊框4〇毫 笔杉。以此方式，將該基板目標 之一二維角散射光譜成像於該偵 Λ1貝凋夯上。®亥偵測器可以係 (例如）一 CCD或CMOS感測器陣列。 一組干涉濾光器U可供用來在（比如）4〇5至79〇證甚或 更低（例如至· nm)範圍内選擇—相關波長。該干涉

_可以係可調諧而非包含'组不同的據光器。可以使 用一光栅來替代干涉濾光器。 ^板W可以係光栅’該光柵係列印成使得在顯影後 由固態光阻線形成條。或者可以將該等條㈣進該基板。 此圖案對微影投影裝置（尤其係該投影系統PL)㈣色像差 敏感ffib ,、、、明對稱性及此類像差之存在將在列印白勺光栅中 變化形式展現其自身。因此，使用列印的光柵之散射 里測貝料來重新構造該等光栅。可以依據關於該列印步驟 及/或其他散射量測程序之知識而將該光柵之參數（例如線 度及形狀）輸入該重新構造程序。 如上所述，穿過該高數值孔徑透鏡之光透射與偏振相 關，並在该光瞳平面内沿徑向位置變化。由此在測量的散 射光譜中產生縮放錯誤，進而在重新構造的輪廓中引起錯 ^ 為了獲得该光柵輪廓之一正確的重新構造，應將徑向 相關的透射損失併入重新構造演算法。 圖4說明本發明之一第一步驟。用於該散射量測測量的 照明光束具有一空間變化強度4仇Α)，其中1及ky係定位 121037.doc 200807175 於該光瞳平面内。在將該等照明光束投射穿過該分光器之 前’沿用於散射量測測量之分光器16之多個本徵偏振之一 偏振’藉由偏振1 7將該照明光束線性偏振。該照明光束 之部分係穿過該分光器透射至該參考鏡14，而其部分藉由 - 該分光器朝該高孔徑透鏡15反射。對於本發明之此步驟， . 該高孔徑透鏡之焦平面較佳的應係空平面。此外，在正規 的使用過程中，該參考鏡常常係傾斜成使得該參考光束 _ (即受該參考鏡反射之部分）橫靠投射穿過該高孔徑透鏡的 主要散射量測光束而投射到該CCD偵測器18上。從而將該 參考光束投射至該CCD偵測器1 8之一不同部分上。在此一 情況下，本發明中的第一步驟較佳的係將該參考鏡傾斜成 使得將該反射光束投射到該CCD偵測器18之主要部分 (即，該散射量測光束一般係投射到其上面之部分）上。此 舉減少因不同CDD元件之不同敏感度而引入之錯誤。在此 第一步驟後，可以將該參考鏡重新傾斜至其原始位置。在 _ 《㈣參考鏡反射後，該光束藉由該分光器16朝該咖偵 測器18反射。所產生的測量的CDD信號係·· 其tTBS&RBS分別係該分光器之透射率與反射比（針 此等參數之合適值可約狀5，但不必精確地知道此等 字）假定為與^及h無關之參考鏡之強度反射比

See』-未知的縮放目數。本發明之此第—步驟允許特 化該照明光束之空間輪廓。 121037.doc -18- 200807175

對於本發明中的第二步驟，如圖5所示，將具有一已知 反射光譜RAL之一參考鏡22(例如，一鋁參考鏡)放置於該 高孔徑透鏡15之焦平面内。該分光器16將該照明光束反射 穿過該高孔徑透鏡15，受到該參考鏡22之反射而朝（：(：1)偵 測器1 8往回投射至該高孔徑透鏡及分光器。如上所述，s 與P偏振透過該尚孔徑透鏡遭受不同的透射損失。對於該 光瞳平面内的0。與90。之方位角，將分別存在僅]?與8偏振 光。因此，針對0。及90。之方位角之測量的ccd將係： 从仰(〇,卜)=(〇 人)4，； ((U少） 其中’ T0B j係該南孔徑透鏡1 5之透射率。 接著可以使用測量的數量Min、MAL，P及MAL，S來得出在高 孔透鏡情況下針對P及S偏振光之透射損失。 T〇sjAK^ λ ^ALyS 一

Mf"(0，A：少） 不需要知道該反射鏡之反射比Rref，因為可以將該透鏡 之透射正規化。更重要的係知道該8與p偏振光之間的相對 透射損失。 一旦已經得出針對該P&s偏振光之透射損失，便接著使 用此等透射損失藉由在所偵測散射量測光東之透射損失中 進行因子分解來改良該等散射量測測量。 121037.doc -19- 200807175

上述測量僅校準針對S與P偏振光之透射損失，但還p 、 在透射輻射之8與1>成分之間引入小的相移。為校 移，可以將一交叉偏振器26放置於該輻射光束路徑中，並 再次將一參考鏡22放置於該高孔徑透鏡15之焦平面内。 係顯示於圖7中。CCD禎測器摘測的透射輻射將對8與^2 振光之間的相移敏感，尤其係在45。之方位角時。在p與^ 偏振光之間沒有相移之條件下，光將保持線性偏振，而該 C.CD偵測器將偵測到很少的輻射。但是對於丨8〇。之相移/ 該偏振平面將改變而該交叉偏振器26所透射的光將較 因此’可以改良該角分解光譜之模擬，而此外，可使用 相對較低成本而標準的光學組件（例如參考鏡）來實現此 雖然本文可能特別參考製造積體電路時使用的微影裝 置，但仍應瞭解A處所提及之微㈣置可能會有其他應 用，例如製造整合式光學系、统、用於磁域記憶體的導引： 债測圖案、平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭 等:應瞭解到，就此類替代性應用而纟，此處使用的術語 「晶圓」或「晶粒」可分別視為較一般術語「基板」或 「目標部分」_義詞。本文所提到的基板可在曝光之前 或之後’在（例如）循執工具（通常可將一光阻層施加於一基 板並顯影已曝光光阻之工具）、度量衡工具及/或檢查工具 本文之揭示内容可應用 中進行處理。在可應用的情況下， 於此類及其他基板處理卫具。此外，例如為了產生一多層 積胆電路可對5亥基板進行多次處理，因而本文所使用之 121037.doc '20- 200807175 術語基板亦可指已包含多個已處理層的基板。 雖然以上可能已特別參考使用在光學微影之背景中的本 毛月：具體貫施例’但應明白本發明可用在其他應用中， 例如磨印微影，且若情況允許，並不限定於光學微影。在 Μ印微影中，圖案化器件中的佈局定義產生於一基板上的 圖案。可將該圖案化器件之佈局屋於供應至該基板之一光 Ρ層中纟其上该光阻係藉由施加電磁輻射、熱、麼力或 其組合而固化。在弁 " 在先阻固化後，將該圖案化器件從該光阻 移除，在其中留下_圖案。 =文所用術語「輕射」及「光束」涵蓋所有類型的電磁 ?，包括紫外線(υν)輻射(例如，波長為或約365、 355、24 8、193、157—、 , 或1 6 nm)與遠紫外線（EUV)輻射（例 至20 _範圍内的波長），以及粒子束，例如離 千束或電子束。 在允許之情況下，術語「 件之任一組件或组a，…透鏡」可表不各種類型光學組 靜電光學組件。 Γ及 t ’以上已說明本發〜 月之特疋具體實施例，但應明白， 本發明可用未說明的其他 Α Θ α T , 式貝鉍。例如，本發明可採取 以下形式：一電腦程式，复 機哭可> π \ /、匕5描述一如上所揭示方法的 機杰可碩取指令之一或客 半導體記憶體、磁碟或光碑f列；或一資料儲存媒體(如 電腦程式。 ’、）’其具㈣存於其中的此- 以上描述旨在說明而 艮制。因此，熟習此項技術者將 12l037.doc *2]. 200807175 明白，可依照說明對本發明進行修改，而不會背離以曰 出的申請專利範圍之範·。 【圖式簡單說明】 以上已僅藉由舉例並參考隨附示意圖說明本發明之具俨 - 實施例，其中對應的參考符號指示對應的部分 '且其中、.豆 • 圖1說明依據本發明之一具體實施例的一微影裝置； 圖2說明一散射計； • 圖3說明在—高數值孔徑透鏡之光曈平面中測量一角分 解光譜之一般操作原理； 刀 圖4說明在本發明之一第一步驟中使用之裝置； 圖5說明在本發明之一第二步驟中使用之裝置； 圖6說明該高孔徑透鏡之光曈平面；以及 圖7說明本發明中之一可選的額外步驟。 【主要元件符號說明】 2 輻射投影器 4 分光偵測器 10 光譜 11 光瞳平面 12 透鏡系統 13 干涉濾光器 14 偵測器/參考鏡 15 顯微鏡物鏡/透鏡系統/高孔徑透鏡 16 部分反射表面/分光哭 17 偏振器 121037.doc -22- 200807175

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IF IL IN Ml M2 MA MT

P2 PL PM PW SO w WT CCD偵測器 參考鏡 交叉偏振器 調整器 輻射光束 光束輸送系統 一目標部分 聚光器 定位感測器 照明系統/照明器 整合器 光罩對準標記 光罩對準標記 圖案化器件/光罩 支撐件/光罩台 基板對準標記 基板對準標記 投影系統 第一定位器 第二定位器 輕射源 基板 基板台 121037.doc -23-

Claims (1)

1. 200807175 十、申請專利範圍: 一種特徵化一光學系綠夕、乐A 、 尤予糸統之透射損失的方法，其 測量一輻射光束之照明輪廓； 將該輕射光束投射穿過該光學系統； 測量投射穿過該光學系 ’、、’先之该輻射光束之強度分佈 以及 將測I的光譜鱼該昭明 .....月輪廓相比較以特徵化該等透射 才貝失。

   2 ·如請求項1之方法，直中转n ，、甲特敛化该4透射損失包含特微 化針對P與s偏振光之該等透射損失。 3. 如^求項2之方法，其中針對心偏振光之特徵化包含 將一線性偏振輻射光束投射穿過該光學㈣並測量與該 線性偏振平行及垂直的偏振成分之透射。 4. 如請求们之方法’其中在該光學系統之一後焦平面内 測量該光譜，具有已知反射率之一基板係放置於該光學 系統之該焦平面内。 5. 如請求項4之方法，其中具有已知反射率之該基板係一 鏡0 月求項1之方法，其中該照明輪廓之該測量及投射穿 v° ^光冬系統的该輻射光束之該強度分佈係使用一 CCD 或CMOS器件來實行。 7·如明求項Ί之方法，其中該照明輪廓之該測量包含藉由 一參考鏡測量該輻射光束之反射。 8· 士明求項丨之方法，其進一步包含將一交叉偏振器放置 121037.doc 200807175 於在投射穿過該光學系統後的該輻射光束之路徑中，並 測夏投射穿過該光學系統及該交叉偏振器之該輻射光束 之強度分佈。 9·如请求項1之方法，其中該光學系統包含組態用於測量 * 一基板之一特性之一檢查系統。 月求項9之方法，其中該檢查系統藉由以下操作來測 量該基板之該特性： • 使用該光學系統將該輻射光束投射到該基板上； 偵測指示該等欲測量特性之一反射輻射光束之一強度 分佈； 藉由以下操作來特徵化該光學系統之該等透射損失： 測量該輻射光束之該照明輪廓； 將該輻射光束投射穿過該光學系統； 測量投射穿過該光學系統之該輻射光束之該強度分 佈；以及 泰將該測量的光譜與該照明輪廓相比較以特徵化該等 透射損失；以及 k该反射之輕射光束減去該等透射損失。 η· 一種測量一基板之特性的方法，其包含： 使用一光學系統將一輻射光束投射到一基板上； 偵測指示該等欲測量特性之一反射輻射光束之一強产 分佈； 又 籍由以下操作來特徵化該光學系統之該等透射損失： 測量該輻射光束之該照明輪廓； 121037.doc 200807175 將該輻射光束投射穿過該光學系統； 測量投射穿過該光學系統之該輻射光束之該強度分 佈；以及 將該測量的光譜與該照明輪廓相比較以特徵化該等 透射損失；以及 從該反射輻射光束減去該等透射損失。 12· —種檢查裝置，其係組態用於測量一基板之一特性，該 檢查裝置包含： 一輻射投影器，其係組態用於將輻射投射到該基板 上； 一偵測器，其係組態用於偵測從該基板反射之該輻 射；及 一資料處置單元，其係組態用於藉由對1>與8偏振光所 遭党之該等透射損失加以考量，將該偵測的輻射光束正 規化。

   13.如請求項12之檢查裝置’其進一步包含一組態用於⑷ ^與呂偏振光所遭受之該等透射損失的資料表。 Μ·如請求項12之檢查裝置，其中姉射係—線性偏振⑸ 先束’而該㈣器偵測平行及垂直於該線性偏 成分之透射。 15·,请求項12之檢查裝置，其中該資料處置單元藉由以 操作來特彳政化έ亥光學系統之該等透射損失： 測量該輻射之該照明輪廓； 將5亥輪射投射穿過該光學系统· 12I037.doc 200807175 測量投射穿過該光學系統之該輻射光束 佈；以及 之該強度 分 將該測量的光譜與該照明 射損失。 輪廓相比較以特徵化該 等遂 如請求項15之檢查裝置，纟中在該光學系統之—後焦命 面内測量該光譜，具有已知反射率之—基板係放置於該 光學糸統之該焦平面内。

   17.如請求項16之檢查裝置，其中具有已知反射率之該基板 係一鏡。 18·如請求項15之檢查裝置，其中該照明輪廓及投射穿過該 光學系統的該輻射之該強度分佈之該測量係使用一 CCD 或CMOS器件來實行。 19·如請求項！ 5之檢查裝置，其中該照明輪廓之該測量包含 藉由一參考鏡測量該輻射之該反射。 20·如請求項丨5之檢查裝置，其進一步包含將一交叉偏振器 放置於在投射穿過該光學系統後的該輻射之該路徑中， 並測量投射穿過該光學系統及該交叉偏振器之該輻射之 強度分佈。 121037.doc