TW200805220A - Liquid crystal display - Google Patents

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Description

200805220 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種液晶顯示器，且特別是有關於 種能夠增進液晶顯示器廣視角品質的晝素單元結構。、 ^ 【先前技術】 對於液曰曰顯示器廣視角技術’目前最普及的是垂直排 列向列型彩色液晶顯示器（Vertically Aligne(i Mode, φ m〇de)。但是當垂直排列向列型彩色液晶顯示器由傾斜角度 觀看時，會看到亞洲人的皮膚有偏藍或發白的現象。這二 現象就稱為色偏（Color Wash-Out)。參閱第ία、1B圖其係 繪示垂直排列向列型彩色液晶顯示器穿透率-電壓曲線圖 (Transnuttance-Voltage)，其中縱軸為穿透率、橫軸為施加 電壓。當電壓增加時，正視角曲線1〇2穿透率亦增加，呈 一單調函數，偏視角曲線104穿透率有則有彎曲現象，使 知不同的灰階電位其穿透率卻相同。這是垂直排列向列型 φ 彩色液晶顯示器所特有現像，亦是造成色偏之原因。為了 解決這一問題，富 士通（Fujitsu Display Techn〇1〇gies
Corporation)的H.Yoshidaet等人發表了改善的方法，方法 是將一個晝素單元，分成兩種不同的伽瑪特性曲線來形成兩 種包含不同穿透率·《電壓特性區域，來做混色而改善，參閱 -第1B圖，其所繪示係為稱為半色調（Half_T〇ne)技術。其中 -曲線106為具低臨界電壓之穿透率_電壓曲線，曲線j⑽為 具咼臨界電壓之穿透率-電壓曲線，兩者混合形成一單調穿 透率-電壓曲線110，消除了色偏現象。 5 200805220 參閱第2A及2B圖。半色調技術目前有兩種，cc型 及TT型。第2A圖係繪示cc型，第2B圖係繪示ττ型。
基本的原理就是將原本的畫素單元分為兩個區域，分別為 第一與第二次晝素，使它們包含不同的伽瑪特性曲線，來 逹到上述所提到的半色調技術，消除色偏的現象。第2C圖 所π為CC ϋ之伽瑪特性曲、線，而帛2D冑所示為ττ型之 伽瑪特性曲線。以第2C圖為例，在一灰階電壓下，一畫素 単讀呈現之混合伽瑪特性曲線，為第—次晝素伽瑪特性 曲線與第二次畫素伽瑪特性曲線之加總。 胃第2 Α圖所示，一晝素單元分為兩個區域，利用電容 刀£的方式產生次畫素電極2G6和次畫素電極兩個不 同的伽碼特性曲線。其中次晝素電極裏的電位是由資料 二（ta Line )經由薄膜電晶體202直接寫入的。次畫素 電極212電位是資料線經由—個串聯儲存電容训分壓之 後所決定的，換言之就是次畫素電極'212是-個浮接的狀 態而電位是經由耦合的方式來決定的，它會因為面板的操 作中=補捉電4導致次畫素電極212電位的徧移，這會造 成可罪度及畫面不均勻以及影像殘留等問題。 參閱第2B圖，_晝素單元分為兩個區域，利用二顆薄 2曰一日體218及220,二條掃描線或二條資料線直接由系統 疋一個不同的伽瑪特性曲、線至晝素電才虽如肖畫素電極 224。這是最直接的方法，但如此會使開口率減少及系統電 路複雜（需要增力H組伽瑪特㈣線），增加—倍的邏輯 閘驅動或資料線驅動以及電源消耗增加等種種缺點。 本發明就是提出新的晝素結構設計搭配薄膜電晶體 200805220 閘極的驅動波形來解決上述的問題。 【發明内容】 本發明的目的就是在提供一種薄膜電晶體液晶顯示器 廣視角的技術，擁有兩種穿透率_電位曲線，用以改善色偏 現象。 本發明的另-目的是在提供一畫素單元，擁有兩種穿 透率-電位曲線而沒有電荷累積，電位偏移的現象。 本發明的又一目的是在提供一晝素單元，用以減少電 路複雜度及功率消耗。 根據本發明之上述目的，提出一種一種液晶顯示器， 至少包含複數條掃瞄線以互相平行方式排列在第一方向上 以及複數條資料線，以互相平行方式排列於第二方向，並 與該些條掃瞄線互相交叉，其中兩相鄰之第一掃描線以及 一資料線定義出一包括一第一次晝素與一第二次晝素之畫 素單元。每一次晝素包含一儲存電容，分別耦接於不同之 電壓源來調變晝素電極電壓，形成不同的晝素電極電位， 不同的牙透率-電位曲線。藉著混合這兩種不同的穿透率- 電位曲線可以形成包含優良廣視角特性的穿透率-電位曲 線。 根據本發明之另一實施例，晝素單元至少包括··第一 電晶體位於該第一次畫素，該第一薄膜電晶體包含第一閘 極端、第一源極端以及第一汲極端；以及一第二薄膜電晶 體位於該第二次晝素，該第二薄膜電晶體包含第二閘極 端、第二源極端以及第二汲極端，其中該第一源極端輕接 200805220 — 1源’該第二源極端麵接於—第 弟一汲極端耦接於該資 —電以、，该 線所傳送之一電虔。 X苐-及極端可接收該資料 其較佳者，本發明所提供之液晶顯示器 輕接於資料線。 其較佳者，本發明所提供之液晶顯示器 源為第二掃描線所提供。 、，ί較佳者’本發明所提供之液晶顯示器 源為第二掃描線所提供。 其較佳者，本發明所提供之液晶顯示哭 耦接於第一源極。 ™ =較佳者，本發明所提供之液晶顯示器 源為第二掃描線所提供。 其較佳者，本發明所提供之液晶顯示器 源為共同電極線所提供。 其較佳者，本發明所提供之液晶顯示器，其第 源為第二掃描線所提供。 、 其較佳者，本發明所提供之液晶顯示器 二電壓源為同一電壓源。 根據本發明之另-實施例，本發明更提供一種驅動 ^ ’係用以驅動上述之液晶顯示器，該方法包含：提供 兩電位給該第—掃描線，藉以使得該資料線透過該第一 膜電曰曰體對該第一次晝素之畫素電極，以及透過該第二 膜電t體對該第二次晝素之畫素電極，寫人-資料訊號 乂及提供—低電位至該第__掃描線，使該第—薄膜電晶彳 其第二汲極 其第二電壓 其第一電壓 其第二汲極 其第 其第一電歷
其第一與I 200805220 和該第二薄膜電晶體絕緣於該資料線，其中，該第一掃扩 線於該高電位與低電位轉換之後，該第二掃描線對該第: 次畫素之晝素電極與該第二次晝素之晝素電極產生一耦合 電位。 其較佳者，本發明所提供
動方=，並由一第一電位、一第二電位與一第三電位所控 制，第一電位大於第二電位，且第二電位大於第三電位二 其較佳者，本發明所提供之驅動方法，其高電位為第 -電位’低電位為第二電位，且耦合電位係由第二掃描線 自第二電位轉換至第二電位時所造成。 —其較佳者，本發明所提供之驅動方法，其高電位為第 ::位*低電位為第三電位，且耦合電位係由第二掃描線 第一電位轉換至第三電位時所造成。 其為一四階驅 第三電位與一 第二電位大於 其高電位為第 其較佳者’本發明所提供之驅動方法 =方法，並由一第一電位、一第二電位、 2四電位所控制，第一電位大於第二電位 第三電位，第三電位大於第四電位。 其較佳者，本發明所提供之驅動方法^ 電位’低電位為第二電位，且耦合電 = 自第四電位轉換至第三電位時所造成。田線 其較佳者，本發明岐供之驅動方法，其 ^位，低電位為第四電位，且柄合電位係由第-掃= 自第二電位轉換至第三電位時所造成。線 ^較佳者，本發明所提供之驅動方法， -電位為弟二電位，絲合電位係由第二掃描線 9 200805220 自弟四電位轉拖5楚— W谀至弟二電位時所造成。 ’、車乂佺者，本發明所提供之驅動方法，其高電位為第 電位’低電位為第三電位’且耦合電位係由第二掃描線 自第二電位轉換至第三電位時所造成。 、、，—所述本發明藉由將一晝素單元區隔成兩次晝 素而每-人晝素中包含獨立之薄膜電晶體、液晶電容與 儲存電容，藉此兩次晝素所形成之不同種晝素電壓互相補 <貝與平均，可和緩_晝素單元内之色偏現像。
【實施方式】
π參閱帛3目’其繪示依照本發明第一實施例的一晝 素單元概略圖示。晝素單元3〇〇，包含兩次晝素3〇2和3〇4。 次晝素=02包含一薄膜電晶體3〇1〇，其閘極連接於掃描線 3006、第一源/汲極耦接於對應之資料線，而第二源/ 沒極則耦接於晝素電極3022,其中晝素電 極3022和掃描線 3〇〇2結構而成儲存電容3〇14，晝素電極3〇22和上基板導 電電極（未顯示於圖中）結構而成液晶電容3〇18。薄膜電晶 體3010之第二源/汲極和閘極間則包含一寄生電容川％。 次畫素304包含一薄膜電晶體3〇12，其閘極連接於掃 描線3006、第一源/汲極耦接於對應之資料線3〇〇8，而第 二源/汲極則耦接於晝素電極3024,其中晝素電極3〇24和 共同電極線3004結構而成儲存電容3〇16，晝素電極3〇24 和上基板導電電極（未顯示於圖中）結構而成液晶電容 3020。薄膜電晶體3012之第二源/汲極和閘極間則包含一 寄生電容3028。薄膜電晶體3010及3012閘極均接至掃描 200805220 線3006，第一源/汲極均接至對應資料線3〇〇8，故為一薄 膜電晶體並聯結構。換言之畫素電極3〇22、3〇24沒有浮接， 不έ k成電荷累積，電位偏移的現象，而且僅需掃描線 及掃描線3GG6、資料線3_以及共同電極線，不需要增加 額外的電位來源或掃描線。 請參照第4圖，其繪示依照本發明第二實施例之晝素 單元概略圖示。晝素單元_包含兩個次畫素4⑽和的*。 其中次畫素402包含一薄膜電晶體4〇1〇，其閘極連接於掃 描線4006、第一源/汲極耦接於對應之資料線，而第 二源/汲極則麵接於晝素電極侧，其中晝素電極侧和 共同電極線4_結構而成儲存電容4()14，晝素電極他6 和上基板導電電極（未顯示於圖中）結構而成液晶電容 们〇薄膜電B曰體401 〇之第二源/汲極和薄膜電晶體術2 之第-源/汲極_，其純處和薄膜電晶體侧之間極 間則包含一寄生電容4〇 18。 次畫素404包含一薄膜電晶體·，其閉極連接於择 描線4_、第一源/汲極耦接於薄膜電晶體侧之第二源/ 汲極，而第二源/汲極則耦接於畫素電極其中畫素電 極4〇28和掃描線4002結構而成儲存電容4026，畫;電極 侧和上基板導電電極（未顯示於圖中）結構而成液晶電容 觀。薄膜電晶體㈣之第二源/汲極和閘極間則包含一 寄生電容侧。因為薄膜電晶體侧的第二源/沒極端連 接至薄膜電晶體4022第—源/没極，故為兩薄膜電晶體 4010 4022串聯電路。換言之畫素電極4〇16、術8沒有浮 接’不會造成電荷累積’電位偏移的現象，而且僅需掃描 200805220 線4002、4006、資料線4008以及共同電極線4004作連接， 不需要增加額外的資料線或掃描線。 請參閱第5圖，其繪示依照本發明第三實施例之晝素 單元概略圖示。其中晝素單元500，包含兩俩次晝素502 和504。次晝素502包含一薄膜電晶體5010，其閘極連接 • 於掃描線5006、第一源/汲極耦接於對應之資料線5008， 而第二源/汲極則耦接於晝素電極5022,其中晝素電極5022 和掃描線5002構成儲存電容5014，晝素電極5022和上基 板導電電極（未顯不於圖中）構成液晶電容5018。薄膜電晶 體5010之第二源/汲極和閘極間則包含一寄生電容5026。 次晝素504包含一薄膜電晶體5012，其閘極連接於掃 描線5006、第一源/汲極耦接於對應之資料線5008，而第 二源/汲極則耦接於晝素電極5024，其中晝素電極5024和 掃描線5002結構而成儲存電容5016，晝素電極5024和上 基板導電電極（未顯示於圖中）結構而成液晶電容5020。薄 膜電晶體5012之第二源/汲極和閘極間則包含一寄生電容 5028。薄膜電晶體5010及5012閘極均接至掃描線5006， 第一源/汲極均接至對應資料線5008,故為一薄膜電晶體並 聯結構。換言之晝素電極5022及5024沒有浮接，不會造 成電荷累積，電位偏移的現象，而且僅需掃描線5002及掃 描線5006、資料線5008，不需要增加額外的資料線或掃描 線。 由於第三實施例的晝素電極5022及5024與掃描線 5002共同構成儲存電容5014及5016，故可藉由調整儲存 電容5014及5016電容值以將晝素電極5022及5024電位 12 200805220 分開。且藉由閘極驅動波形並透過儲存電容5014及5016 之輕合效應’可降低資料線之電位輸出範圍，而達到降低 功率之效果。 請參照第6圖，其繪示依照本發明第四實施例之晝素 單元概略圖示。其中晝素單元600，包含兩個次晝素602 和604。次晝素602包含一薄膜電晶體6〇1〇，其閘極連接 於掃描線6006、第一源/汲極耦接於對應之資料線6008, 而第二源/汲極則耦接於畫素電極6016,其中晝素電極6016 和掃描線6002結構而成儲存電容6〇14，畫素電極6〇16和 上基板導電電極（未顯示於圖中）構成液晶電容6〇2〇。薄膜 電晶體6010之第二源/汲極與薄膜電晶體6022之第一源/ 汲極耦接，其耦接處和薄膜電晶體6010之閘極間包含一寄 生電容6018。
二人旦素604包含一薄膜電晶體6〇22，其閘極連接於掃 描線6006，第一源/汲極耦接於薄膜電晶體6010之第二源/ 汲極’而薄膜電晶豸6〇22第二源/没極關接於晝素電極 6028 ’其中晝素電極6〇28和掃描線_2構成儲存電容 繼6 ’晝素電極6028和上基板導電電極（未顯示於圖中鳩 成液晶電容6032。薄膜電晶體6〇22之第二源，汲極和閘極 間則包含-寄生電容_。因為薄膜電晶體嶋的第二源 /沒極端連接至薄膜電晶體6G22第—源/没極，故為兩薄膜 電晶體6_、6G22串聯電路。換言之畫素電極6㈣與咖 沒^浮接，不會造成電荷累積，電位偏移的現象，而且僅 需掃描線6002、6006以及資料線_8,不需要增加額外的 13 200805220 資料線或掃描線。 由於第四實施例的晝素電極6016及6028與掃描線 6002共同構成儲存電容6014及6026均結構於掃描線6002 而成儲存電容6014及6016，故可藉由調整儲存電容6014 及6026電容值以將晝素電極6016及6028電位分開。且藉 由閘極驅動波形並透過儲存電容6014及6026之耦合效 應，可降低資料線之電位輸出範圍，而達到降低功率之效 果。 請參照第7圖，其繪示依照本發明第五實施例的種晝 素單元概略圖示。其中晝素單元700，包含兩次晝素702 和704。次晝素702包含一薄膜電晶體7010，其閘極連接 於掃描線7006、第一源/汲極耦接於對應之資料線7008， 而第二源/汲極則耦接於畫素電極7016,其中晝素電極7016 和偏壓線7002構成儲存電容7014，晝素電極7016和上基 板導電電極（未顯示於圖中）構成液晶電容7020。薄膜電晶 體7010之第二源/汲極和薄膜電晶體7022之第一源/汲極耦 接，其耦接處和薄膜電晶體7010之閘極間則包含一寄生電 容 7018 。 次晝素704包含一薄膜電晶體7022，其閘極連接於掃 描線7006、第一源/汲極耦接於薄膜電晶體7010之第二源/ 汲極，而第二源/汲極則耦接於晝素電極7028，其中晝素電 極7028和偏壓線7002構成儲存電容7026，晝素電極7028 和上基板導電電極（未顯示於圖中）構成液晶電容7032。薄 膜電晶體7022之第二源/汲極和閘極間則包含一寄生電容 7030。因為薄膜電晶體7010的第二源/汲極端連接至薄膜 14 200805220 電晶體7022第一源/汲極，故為兩薄膜電晶體7010、7022 串聯電路。換言之晝素電極7016、7028沒有浮接，不會造 成電荷累積，電位偏移的現象，而且僅需偏壓線7002、掃 描線7006、資料線7008以及共同電極線7004作為電源， 不需要增加額外的電源或掃描線。 參閱第8圖，其係繪示閘極驅動波形及次晝素之對應 電位，請同時參閱第3圖所示之第一實施例畫素單元300。 其中三階波形包含三個電位，其中V1>V2〉V3。第8A圖左 半部為偶數圖框（Even Frame)，右半部為奇數圖框（Odd Frame)。首先看到偶數圖框部份，進入時段T1時掃描線 3006被選擇，此時資料線3008寫入負極性資料，薄膜電晶 體3010及3012閘極電位上升至VI，薄膜電晶體3010及 3012被打開，資料線電位經由薄膜電晶體3010及3012寫 入晝素電極3022及3024。在T1時間快結束時，晝素電極 3022及3024電位約略相等。當進入時段T2時，掃描線3006 電位下降至電位V2，薄膜電晶體3010及3012關閉，則畫 素電極3022及3024絕緣。 由於掃描線3006分別藉由寄生電容3026及3028耦合 至畫素電極3022及3024，故時段T2時晝素電極3022及 3024電位均會受到掃描線3006的電位變化（V1-V2)之影 響。 除此之外，由於掃描線3002藉由儲存電容3014耦合 至晝素電極3022,故畫素電極3022的電位亦會受到掃描線 3002電位變化的影響，由於在時段T2中掃描線3002的電 位由V3拉回至V2,此減少的電位變化（V2-V3)耦合至晝素 15 200805220 電極3022,造成晝素電極3022電位變化絕對值減少，使得 晝素電極3022及3024電位分開，所以造成不同的伽瑪曲 線，而達到半色調的效果。故可藉由適當的選擇儲存電容 3014及3016來調整畫素電極3022及3024之電位差。晝素 電極3024在時段T2的電位變化△ V(3024)如下： △ v(3〇24)=WS(vi-v2) 而 Cr(3024)二C,/3020)+(^(3016)+(^(3028)，Cr(3024)為 畫素電極3024所見總電容值，Cfc(3020)為液晶電容3020 電容值，（^(3016)為儲存電容3016電容值，Cg5(3028)為寄 生電容3028電容值。 畫素電極3022在時段T2的電位變化△ V(3022)如下：
△ V(3022)H 4(3026) Cr(3022) (V1-V2)- CJ3014) Cr(3022) (V2-V3)| 其中 Cr(3022)=C/c(3018)+Csi(3014)+CJ3026)，Cr(3022) 為畫素電極3022所見總電容值，Cfc (3018)為液晶電容3018 電容值，Cs,(3014)為儲存電容3014電容值，Cgs(3026)為寄 生電容3026電容值。 而#^=(V2-V3)為掃描線3002電位變化耦合至畫素電極 3022所產生。 16 200805220 參閱第8圖右半部奇數圖框部份，此時資料線3008寫 入正極性資料，請同時參閱第3圖。原理與偶數圖框大致 相同，其不同之處在於偶數圖框時段T1時，掃描線3002 的三階驅動波形會先拉至一個最低電位V3,當進入時段T2 時，掃描線3002才將電位拉回至V2。這會使畫素電極3022 的電位變化絕對值減少。而於奇數圖框時掃描線3002的三 階驅動波形則不同，進入時段T3時，掃描線3002的電位 會先拉低至V2，待進入時段T4時掃描線3006的電位拉低 至V3將薄膜電晶體3010及3012關閉時，掃描線300 2電 位才會再繼續拉至V3，這會造成畫素電極3022的電位變 化絕對值增加。畫素電極3024在時段T4的電位變化△ V(3024)如下： △ V(3024)= C„(3〇28) Cr(3024) (V1-V3) 其中 C r (3024)=C /c (3020HC u (3016HC p (3028)， Cr(3024)為晝素電極3024所見總電容，Cfc(3020)為液晶電 容3020電容值，C,(3016)為儲存電容3016電容值，(^(3028) 為寄生電容3028電容值。 晝素電極3022在時段T4的電位變化△ V(3022)如下： 4(3026) Cr(3022)
Δ V(3022)= 其中 C r (3022)=C ,c (3018)+C (3014HC 识(3026)， 17 200805220 C/3022)為畫素電極3022所見總電容，Cfc(3018)為液晶電 容3018電容值，(^(3014)為儲存電容3014電容值，(^(3026) 為寄生電容3026電容值。 上述是以第3圖所示第一實施例之畫素單元300為 例，來說明第8圖所繪示驅動波形之實施，然值得注意的 是，此驅動波形亦可應用於第4圖所示之第二實施例晝素 單元400中、第5圖所示之第三實施例晝素單元500中以 及第6圖所示之第四實施例晝素單元600中。 參閱第9圖，其係繪示閘極驅動波形及次晝素之對應 電位，請同時參閱第3圖。四階波形包含四個電位，即V1 及V2及V3及V4，較三階驅動波形多了一個電位V4，其 中V1〉V2〉V3〉V4，其基本動作原理與三階驅動波形相同。 於第9圖偶數圖框部份，此時資料線3008寫入負極性 資料。於時段T1中，掃描線3006被選擇，時段因此掃描 線3006電位被上拉至VI，薄膜電晶體3010、3012打開。 在時段T1快結束時，晝素電極3022及3024電位大致相 等，此時掃描線3002則會先下拉至電位V4。待進入時段 T2，掃描線3006電位拉至V2將薄膜電晶體3010、3012 關閉，與此同時掃描線3002電位由V4向上拉回至V3。 由於掃描線3006分別藉寄生電容3026及3028耦合於 晝素電極3022及3024,故時段T2時晝素電極3022及3024 電位均會受到掃描線3006的電位變化（V1-V2)之影響。除 此之外，掃描線3002藉由儲存電容3014耦合至晝素電極 3022，故畫素電極3022的電位會受到掃描線3002的影響， 18 200805220 由於在偶數圖框時段T2中掃描線3002的電位由V4拉回至 V3，此減少的電位變化（V3-V4)耦合至晝素電極3022，造 成晝素電極3022的電位變化絕對值減少，電位與畫素電極 3024分開，所以造成不同的伽瑪曲線，而達到半色調的效 果。晝素電極3024在時段T2的電位變化△ V(3024)如下: △ V(3024)=Cffl(3〇28)(Vl - V2) 其中 C r (3024)=C/c (3020HC (3016HC (3028)，
Cr(3024)為畫素電極3024所見總電容值，C/fi(3020)為液晶 電容3020電容值，C,,(3016)為儲存電容3016電容值， C#(3028)為寄生電容3028電容值。 晝素電極3022在時段T2的電位變化△ V(3022)如下： Δ V(3022)-| ^(3026) Cr(3022) (VI-V2)- C.(3Q14) Cr(3022) (V3-V4)| • 其中 C Γ (3022)二C /c (3018HC (3014)+C (3026)，
Cr(3022)為晝素電極3022所見總電容值，Cfc(3018)為液晶 電容3018電容值，C〃（3014)為儲存電容3014電容值， C@(3026)為寄生電容3026電容值。 而H^3(V3-V4)為掃描線3002電位變化耦合至晝素 電極3022所產生。 參閱第9圖右半部奇數圖框部份，此時資料線3008寫 19 200805220 入正極性資科’請同時參閱第3圖。。於時段T3時，掃描 線3006電位上拉至電位VI將薄膜電晶體3010、3012打 開。在時段丁3快結束時，晝素電極3022與晝素電極3024 電位約略相等’此時掃描線3002只下拉至電位V2。待進 入時段時段τ4掃描線30〇6下拉至電位V4將薄膜電晶體 3010、3012關閉’此時掃描線3002繼續下拉至電位V3， 此下拉的電位變化（V2_V3)透過儲存電容3014耦合至晝素 電極3022，造成晝素電極3022的電位變化絕對值增加，晝 素電極3022電位與晝素電極3024分開，所以造成不同的 伽瑪曲線，而達到半色調的效果。使用四階波形的好處在 於能夠用來調變的參數更多，使晝素電極3022與3024間 的電位差有更多不同的變化，液晶顯示器色彩表現更為均 勻。晝素電極3024在時段T4電位變化△ V(3024)如下： △ V(腦)-^S(V1-V4) 其中 Cr(3024)=C/c(3020)+C,(3016)+Cg5(3028)，Cr(3024) 為畫素電極3024所見總電容，C/e(3020)為液晶電容3020 電容值，（^(3016)為儲存電容3016電容值，（^(3028)為寄 生電容3028電容值。晝素電極3022在時段時段T4的電位 變化△ V(3022)如下： △ V(3022)= 4(3026) Cr(3022) (Vl-V4)+ C.(3〇14) Cr(3022) (V2-V3) 其中 C r (3022)=C (3018)+C m (3014)+C p (3026)， 20 200805220 C/3022)為晝素電極3022所見總電容，Cfc (3018)為液晶電 容3018電容值，(^(3014)為儲存電容3014電容值，Cg5(3026) 為寄生電容3026電容值。 上述是以第3圖所示第一實施例之晝素單元300為 例，來說明第9圖所繪示驅動波形之實施，然值得注意的 是，此驅動波形亦可應用於第4圖所示之第二實施例晝素 單元400中、第5圖所示之第三實施例晝素單元500中以 ^ 及第6圖所示之第四實施例晝素單元600中。 參閱第10圖，其係繪示閘極驅動波形以及次晝素的對 應電位，請同時參閱第三圖。其中二步四階驅動波形有四 個電位VI及V2及V3及V4，其中V1>V2〉V3>V4，與第 8B圖不同之處在於第8C圖的二步四階驅動波形，電位變 化時均會先拉至電位V3，再到目的電位。如此可避免因時 間延遲造成資料寫入錯誤之問題，以及驅動波形不均勻的 問題。至於晝素電極3022、3024電位變化則與一步四階驅 動波形一樣。 ® 在第10圖偶數圖框時，此時資料線3008寫入負極性 資料。於時段T1中，掃描線3006電位上拉至VI，薄膜電 晶體3010、3012打開。在時段T1快結束時，晝素電極3022 及3024電位大致相等，此時掃描線3002則會先下拉至電 位V3再至電位V4。待進入時段時段T2，掃描線3006電 位拉至V3再拉至V2將薄膜電晶體3010、3012關閉。 由於掃描線3006分別藉寄生電容3026及3028耦合於 畫素電極3022及3024,故時段T2時晝素電極3022及3024 21 200805220 電位均會受到掃描線3006的電位變化（V1-V2)之影響，此 時畫素電極3022及3024電位仍然大致相等。待進入時段 T3，掃描線3002電位由V4向上拉回至V3。 由於掃描線3002藉由儲存電容3014耦合至晝素電極 3022,故晝素電極3022的電位會受到掃描線3002的影響， 此減少的電位變化（V3-V4)耦合至晝素電極3022,造成晝素 電極3022的電位變化絕對值減少，電位與晝素電極3024 分開，所以造成不同的伽瑪曲線，而達到半色調的效果。 晝素電極3024在時段T3的電位變化△ V(3024)如下： △ VC3024)二^^(Vl-V2)
Cr(3024) 其中 C r (3024)=C /c (3020)+C m (3016HC g,(3028)， Cr(3024)為晝素電極3024所見總電容值，（^(3016)為儲存 電容3016電容值，Cfc(3020)為液晶電容3020電容值， Cg,(3028)為寄生電容3028電容值。 晝素電極3022在時段T3的電位變化△ V(3022)如下：
△ V(3022)H
Cffl(3026) Cr(3022) (V1-V2)- C.(3014) Cr(3022) (V3-V4)丨 其中 C r(3022)=C /c (3018)+C (3014HC p (3026)， Cr(3022)為晝素電極3022所見總電容值，Cfc(3018)為液晶 電容3018電容值，（^(3014)為儲存電容3014電容值， Cgs(3026)為寄生電容3026電容值。 22 200805220 而^^(V3-V4)為掃描線3002電位變化耦合至晝素 電極3022所產生。 參閱第10圖奇數圖框，電位變化順序與第10圖偶數 圖框有所不同。此時資料線3008寫入正極性資料，請同時 參閱第3圖。於時段T4時，掃描線3006電位上拉至電位 VI將薄膜電晶體3010、3012打開，畫素電極3022與晝素 電極3024電位約略相等，此時掃描線3002先下拉至電位 V3再停留於電位V2。進入時段T5時掃描線3006下拉至 電位V4將薄膜電晶體3010、3012關閉，晝素電極3022 與晝素電極3024絕緣但電位依然約略相等。待進入時段 T6，此時掃描線3002繼續下拉至電位V3，造成晝素電極 3022的電位變化絕對值增加，晝素電極3022電位與晝素電 極3024分開，所以造成不同的伽瑪曲線，而達到半色調的 效果。使用四階波形的好處在於能夠用來調變的參數更 多，使晝素電極3022與3024間的電位差有更多不同的變 化，液晶顯示器色彩表現更為均勻。晝素電極3024在時段 T6的電位變化△ V(3024)如下： △ V(3024)=Cg“3〇28)(Vl-V4)
Cr(3024) 其中 C r (3024)二C /c (3020)+C (3016)+C & (3028)，
Cr(3024)為晝素電極3024所見總電容，C/t(3020)為液晶電 容3020電容值，Cs/(3016)為儲存電容3016電容值，Cgs(3028) 為寄生電容3028電容值。晝素電極3022在時段T6的電位 23 200805220 變化△ V(3022)如下： △ v(3〇22)=^S(n-v4)+ CJ3014) Cr(3022) (V2-V3) 其中 C r (3022>C /c (3018)+Cj (3014)+C (3026)， C/3022)為畫素電極3022所見總電容，C/e(3018)為液晶電 容3018電容值，CJ3014)為儲存電容3014電容值，Cp(3026) 為寄生電容3026電容值。 上述是以第3圖所示第一實施例之晝素單元300為 例，來說明第10圖所繪示驅動波形之實施，然值得注意的 是，此驅動波形亦可應用於第4圖所示之第二實施例晝素 單元400中、第5圖所示之第三實施例畫素單元500中以 及第6圖所示之第四實施例晝素單元600中。 參閱第11圖，其係繪示閘極驅動波形及次晝素之對應 電位，請同時參閱第5圖。其中三階波形包含三個電位， 其中V1>V2>V3。第10A圖左半部為偶數圖框，右半部為 奇數圖框。首先看到偶數圖框部份，此時資料線5008寫入 負極性資料。進入時段T1時掃描線5006被選擇，薄膜電 晶體5010及5012閘極電位上升至VI，薄膜電晶體5010 及5012被打開，資料線電位經由薄膜電晶體5010及5012 寫入畫素電極5022及5024。在時段T1快結束時，此時畫 素電極5022及5024電位約略相等。當進入時段T2時，掃 描線5006電位下降至電位V3，薄膜電晶體5010及5012 24 200805220 關閉，晝素電極5022及5024絕緣。 由於掃描線5006分別藉寄生電容5026及5028耦合於 晝素電極5022及5024,故時段T2時畫素電極5022及5024 電位均會受到掃描線5006的電位變化（VI-V3)之影響。 除此之外，由於掃描線5002分別藉由儲存電容5014 及5016及耦合至晝素電極5022及5024,故晝素電極5022 及5024的電位亦受到掃描線5002的電位變化V2-V3的影 響，僅藉由調整儲存電容5014及5016不同的電容值將晝 素電極5022及5024電位分開，包含不同的伽瑪曲線，而 達到半色調的效果，且可利用掃描線之耦合來降低資料線 的電位輸出範圍，達到低功率效果。晝素電極5024在時段 T2的電位變化△ V(5024)如下： △ K5024)二 4(5028) 0(5024) (V1-V3)- C,(5〇16) Cr(5024) (V2-V3)丨 其中 C r (5024)=C /c (5020HC „ (5016)+C p (5028)， C/5024)為晝素電極5024所見總電容值，Cfc(5020)為液晶 電容5020電容值，（^(5016)為儲存電容5016電容值，
Cgi(5028)為寄生電容5028電容值。 而C“(501拉(V2-V3)為掃描線5002電位變化耦合至晝 (5024) 素電極5024所產生。 畫素電極5022在時段T2的電位變化△ V(5022)如下： Δ VC5022)-
25 200805220 其中 C r (5022)=C /c (5018)+C „ (5014HC 识(5026)， (5022)為晝素電極5022所見總電容值，Cfc(5018)為液晶 電容5018電容值，CJ5014)為儲存電容5014電容值， CJ5026)為寄生電容5026電容值。 而心(501兮（V2-V3)為掃描線5002電位變化耦合至畫素 (5022) 電極5022所產生。 參閱第11圖右半部奇數圖框部份，此時資料線5008 寫入正極性資料，共同參閱第5圖，原理與偶數圖框大致 相同，其不同之處在於在偶數圖框時段T2時，掃描線5002 電位由V2拉低至V3。這會使由掃描線5006電位變化 VI-V3所造成的晝素電極5022及5024電位變化絕對值增 加。奇數圖框時掃描5002的三階驅動波形則不同，時段 T4掃描線5006電位由VI下拉至V2將薄膜電晶體5010 及5012關閉，掃描線5002的電位則由V3拉回至V2，這 會造成由掃描線5006電位變化V1-V2所造成的晝素電極 5022及5024的電位變化絕對值增加。晝素電極5024在時 段T4的電位變化△ V(5024)如下： △ V(5024)=丨 4(5028) (^(5024) (V1-V2) + C“5〇16) Cr(5024) (V2-V3) 其中 C r (5024)=C/c (5020)+C S,(5016)+C p (5028)， Cr(5024)為畫素電極5024所見總電容，Cfc(5020)為液晶電 容5020電容值，Csi(5016)為儲存電容5016電容值，(^(5028) 26 200805220 為寄生電容5028電容值。 畫素電極5022在時段T4的電位變化△ V(5022)如下： △ K5022): 心(5026) Cr(5022) (VI-V2)+ CJ5014) Cr(5022) (V2-V3) 其中 C r (5022)=C /c (5018HC (5014HC #(5026)， C/5022)為畫素電極5022所見總電容，U5018)為液晶電 容5018電容值，(^(5014)為儲存電容5014電容值，0(5026) 為寄生電容5026電容值。 上述是以第5圖所示第三實施例之晝素單元500為 例，來說明第11圖所繪示驅動波形之實施，然值得注意的 是，此驅動波形亦可應用於第6圖所示之第四實施例畫素 單元600中。 參閱第12圖，其係繪示閘極驅動波形以及次晝素對應 電位，請同時參閱第5圖。其中閘極驅動波形為四階波形， 四階波形包含四個電位，即VI及V2及V3及V4，其中 V1>V2>V3〉V4。當第12圖的四階波形應用於第5圖所示 第三實施例之晝素單元時，利用掃描線5002之耦合可以抬 生或降低畫素電位，如此就可以減少資料線之電位輸出範 圍，達到低功率效果。 如第12圖偶數圖框所示。此時資料線5008寫入負極 性資料。在時段T1中，掃描線5006電位上拉至VI，薄膜 電晶體5010、5012打開。在時段T1快結束時，晝素電極 27 200805220 5022及5024電位大致相等，此時掃描線5002則會先下拉 至電位V2。待進入時段T2，掃描線5006電位拉至V4將 薄膜電晶體5010、5012關閉，與此同時掃描線5002電位 由V2繼續向下拉回至V3。 由於掃描線5006分別藉寄生電容5026及5028耦合於 畫素電極5022及5024,故時段T2時畫素電極5022及5024 電位均會受到掃描線5006的電位變化（V1-V4)之影響。除 此之外，掃描線5002藉由儲存電容5014及5016耦合至晝 素電極5022及5024,故晝素電極5022及5024的電位尚且 受到掃描線5002的影響，藉著調整不同的儲存電容5014 及5016電容值可使晝素電極5022與畫素電極5024電位分 開。晝素電極5024在時段T2的電位變化△ V(5024)如下： Δ v(5〇24)=HS(vl-V4)+ 仏(5016) Cr(5024) (V2-V3) 其中（：“5024)=(^(5020)+(^(5016)+(^(5028)，Cr(5024) 為晝素電極5024所見總電容值，CJ5020)為液晶電容5020 電容值，Csi(5016)為儲存電容5016電容值，Cg,(5028)為寄 生電容5028電容值。 畫素電極5022在時段T2的電位變化△ V(5022)如下： (5022) = « 其中 C r (5022)=C /c (5018HC „ (5014HC #(5026)， 28 200805220
Cr(5022)為晝素電極5022所見總電容值，Cfc(5018)為液晶 電容5018電容值，Csi(5014)為儲存電容5014電容值， Cg,(5026)為寄生電容5026電容值。 參閱第12圖奇數圖框，電位變化順序則有所不同，且 此時資料線5008寫入正極性資料。在時段T3中，掃描線 5006電位上拉至電位VI將薄膜電晶體5010、5012打開。 在時段T3快結束時，晝素電極5022與晝素電極5024電位 約略相等，此時掃描線5002下拉至電位V4。時段T4掃描 線5006下拉至電位V2將薄膜電晶體5010、5012關閉，此 時掃描線5002上拉至電位V3，此減少的電位變化（V3-V4) 藉著儲存電容5014及5016耦合至畫素電極5022與5024 使畫素電極5022與5024電位變化。調整不同的儲存電容 5014及5016電容值可使晝素電極5022與晝素電極5024 電位分開。使用四階波形的好處在於降低資料線驅動的驅 動電位範圍，減少了功率消耗。晝素電極5024電位變化△ V(5024)如下：
Δ v(5_—IS(vi-v2)- 匕(5016) Cr(5024) (V3-V4)| 其中 C r (5024>C (5020HC „(5016)+C p (5028)，
Cr(5024)為晝素電極5024所見總電容，C/t(5020)為液晶電 容5020電容值，Csi(5016)為儲存電容5016電容值，C“5028) 為寄生電容5028電容值。晝素電極5022的電位變化△ V(5022)如下·· 29 200805220 △ V(5022)二丨 4(5026) Cr(5022) (V1-V2)- ^(5014) Cr(5022)
(V3-Y4) I 其中 C r (5022)=C (5018)+C si (5014)+C (5026)， C/5022)為晝素電極5022所見總電容，Cfc(5018)為液晶電 容5018電容值，(^(5014)為儲存電容5014電容值，(^(5026) 為寄生電容5026電容值。 上述是以第5圖所示第三實施例之晝素單元500為 例，來說明第12圖所繪示驅動波形之實施，然值得注意的 是，此驅動波形亦可應用於第6圖所示之第四實施例畫素 單元600中β。 參閱第13圖，其係繪示閘極驅動電位與次晝素對應電 位。其中閘極驅動電位為二步四階波形，原理與第12圖的 一步四階驅動波形大致相同，均是利用掃描線之耦合來抬 生或降低晝素電位，以減少資料線之電位輸出範圍，達到 低功率效果。此波形也有四個電位VI及V2及V3及V4， 其中V1〉V2〉V3〉V4，不同之處在於第13的二步四階驅動 波形，電位變化時均會先拉至電位V3，再到目的電位。如 此可解決時間延遲，避免資料寫入錯誤，以及波形不均勻 的問題。至於晝素電極5022、5024電位變化則與使用一步 四階驅動波形所產生的晝素電極電位變化一樣。 當第13圖所示之驅動波形應用於第5圖所示第三實施 例之畫素單元、，於偶數圖框時，資料線5008寫入負極性資 30 200805220 料。在時段τι時，掃描線5〇〇6電位上拉至V1，薄膜電晶 體5010、5012打開’此時掃描線5〇〇2則會先下拉至電位 V3再上拉至V2。待進入時段T2，掃描線5〇〇6電位先拉至 V3再拉至V4，將薄膜電晶體5〇1〇、5〇12關閉。 由於掃描線5006分別藉寄生電容5〇26及5〇28耦合於 晝素電極5022及5024,故時段Τ2時晝素電極5022及5024 電位均會受到掃描線5006的電位變化（V1_V4)之影響。待 進入時段T3，掃描線5002電位由V2向下拉至V3。 由於掃描線5002分別藉由儲存電容5〇14及5016耦合 至畫素電極5022及5024,故晝素電極5022與5024的電位 尚且文到掃描線5002電位變化V2-V3的影響，使得晝素電 極5022與5〇24的電位變化絕對值增加。藉著調整儲存電 合5014及5016可將晝素電極5022及5024電位分開。晝 素電極5024在時段T3的電位變化△ v(5024)如下： Λ Κ5〇24)=纖(謂+ 纖(V2_V3) 其中 c r (5024)二C /c (5020)+C , (5016)+C p (5028)，
Cr(5024)為畫素電極5〇24所見總電容值，Cfc(5〇2〇)為液晶 電容5020電容值，C/5〇16)為儲存電容5〇16電容值， 5〇28)為寄生電容5〇28電容值。 晝素電極5022的電位變化△ V(5022)如下： Δ VC5022). »(Vl-V4) + |g|(V2-V3) 31 200805220 其中 C r (5022>C /c (5018)+C m (5014)+C & (5026)， C/5022)為晝素電極5022所見總電容值，（^(5018)為液晶 電容5018電容值，（^(5014)為儲存電容5014電容值， C,s(5026)為寄生電容5026電容值。
參閱第13圖奇數圖框，電位變化順序則有所不同，且 資料線5008寫入正極性資料。時段T4掃描線5006電位上 拉至電位VI將薄膜電晶體5010、5012打開，此時掃描線 5002先下拉至電位V3再至電位V4。時段T5掃描線5006 先下拉至電位V3再上拉至電位V2將薄膜電晶體5010、 5012關閉，晝素電極5022與畫素電極5024絕緣，並產生 掃描線5006的電位變化（VI-V2)。待進入時段T6，此時 掃描線5002上拉至電位V3產生電位變化（V3-V4)，造成晝 素電極5022及5024的電位變化絕對值減少，藉著調整儲 存電容5014與5016可使晝素電極5022與晝素電極5024 電位分開。使用四階波形的好處在於能夠用來調變的參數 更多，使晝素電極5022與5024間的電位差有更多不同的 變化，液晶顯示器色彩表現更為均勻。晝素電極5024電位 變化△ V(5024)如下： Δ v(5〇24)= >IS(V1-V2)- 其中 C Γ (5024M： /c (5020)+C (5016HC g,(5028)， Cr(5024)為晝素電極5024所見總電容，Cfc(5020)為液晶電 容5020電容值，C5i(5016)為儲存電容5016電容值，(^(5028) 32 200805220 為寄生電容5028電容值。晝素電極5022的電位變化△ V(5022)如下： Δ V(5022)= 4(5026) Cr(5022) (V1-V2)- ^(5014) Cr(5022)
(V3-V4)I 其中 C r (5022)=C /c (5018HC „ (5014HC & (5026)， CJ5022)為畫素電極5022所見總電容，C/t(5018)為液晶電 容5018電容值，C/5014)為儲存電容5014電容值，(^(5026) 為寄生電容5026電容值。 上述是以第5圖所示第三實施例之晝素單元500為 例，來說明第12圖所繪示驅動波形之實施，然值得注意的 是，此驅動波形亦可應用於第6圖所示之第四實施例晝素 單元600中。 參閱第14圖，其係繪示一步二階驅動波形。當第14 圖所示之驅動波形應用於第7圖所示第五實施例之晝素單 元時，於偶數圖框時，資料線7008寫入負極性資料。其中 第五實施例之晝素單元與第一實施例至第四實施例晝素單 元最大之不同處在於，第五實施例的兩薄膜電晶體7010與 7022的設計有些許差異，目的在讓此二薄膜電晶體7010 與7022的充電能力不同，藉以將晝素電極7016與7028的 電位分開。二階波形包含兩個電位，其中V1>V2。 第14圖左半部為偶數圖框，右半部為奇數圖框。在偶 數圖框部份，資料線7008寫入負極性資料。在時段T1時， 33 200805220 掃描線7006電位上升至VI，薄膜電晶體7010及7022被 打開，資料線電位由薄膜電晶體7010及7022被寫入至晝 素電極7016及7022,但因為薄膜電晶體7010及7022的充 電能力不一，造成晝素電極7016及7028的電位分開。當 進入時段T2時，掃描線7006電位下降至電位V2，薄膜電 晶體7010及7012關閉，晝素電極7016及7028絕緣。
由於掃描線7006分別籍寄生電容7018及7030耦合於 晝素電極7016及7028，故時段T2時晝素電極7016及7028 電位均會受到掃描線7006的電位變化（V1-V2)之影響。除 此之外，由於偏壓線7002分別藉由儲存電容7014及7026 耦合至晝素電極7016及7028偏壓線7002,故晝素電極7016 及7028的電位尚且受到偏壓線7002電位變化（VI-V2)的影 響，由於在時段T2中偏壓線7002的電位由V2拉至VI， 此電位變化（V1-V2)耦合至晝素電極7016與7028，造成晝 素電極7016與7028電位變化絕對值減少。藉著調整可變 儲存電容7014及7026可進一步分離晝素電極7016與7028 電位。晝素電極7016的電位變化△ V(7016)如下： △ V(7016)= | q(70l8) Cr(7016) (V1-V2)- C5/(7014) Cr(7016) (Vl-V2)| 其中 C r (7016)=C /c (7020)+C „ (7014)+C p (7018)， C,(7016)為晝素電極7016所見總電容值，C/t(7020)為液晶 電容7020電容值，Cgs(7018)為寄生電容7018電容值。 而·$ (V1-V2)為偏壓線7002電位變化耦合至晝 Cr(7016) 34 200805220 素電極7016所產生。 晝素電極7028的電位變化△ V(7028)如下： Δ V(7028)=| -C^--〇)-(V1 -V2)- C^(7Q26) (V1 -V2)[ I Cr(7028) v 7 Cr(7028)v 71 其中 C r (7028)=C /c (7032)+C „ (7026)+C p (7030)， Cr(7028)為晝素電極7028所見總電容值，C/e(7032)為液晶 電容7032電容值，Cgs(7030)為寄生電容7030電容值。 而^(V1_V2)為偏壓線7002電位變化耦合至晝素 (702〇) 電極7028所產生。 奇數圖框部份，資料線7008寫入正極性資料。在時段 T3時，掃描線7006電位上升至VI，薄膜電晶體7010及 7022被打開，資料線電位由薄膜電晶體7010及7022被寫 入至晝素電極7016及7028,但因為薄膜電晶體7010及7022 的充電能力不一，造成晝素電極7016及7028的電位分開。 當進入時段T4時，掃描線7006電位下降至電位V2，薄膜 電晶體7010及7012關閉，晝素電極7016及7028絕緣。 由於掃描線7006分別藉寄生電容7018及7030耦合於 晝素電極7016及7028,故時段T4時晝素電極7016及7028 電位均會受到掃描線7006的電位變化（V1-V2)之影響。除 此之外，由於偏壓線7002分別藉由儲存電容7014及7026 耦合至畫素電極7016及7028，故晝素電極7016及7028 的電位尚且受到偏壓線7002電位變化的影響，由於在時段 35 200805220 T4中偏壓線7002的電位由VI拉回至V2，此增加的電位 變化（VI-V2)耦合至晝素電極7016與7028，造成晝素電極 7016與7028電位變化絕對值增加。藉著調整儲存電容7014 及7026可進一步分離晝素電極7016與7028電位。晝素電 極7016的電位變化△ V(7016)如下；
△ V(7016)= 4(7018) Cr(7016) (Vl-V2)+ Q(7〇i4) Cr(7016) (Vl-V2)|
其中 C r (7016)=C /c (7020)+C w(7014)+C p (7018)， K7016)為晝素電極7016所見總電容值，C/e(7020)為液晶 電容7020電容值，Csi(7014)為儲存電容7014電容值，
Cg5(7018)為寄生電容7018電容值。 而(V1-V2)為偏壓線7002電位變化耦合至晝 Cr(7016) 素電極7016所產生。 晝素電極7028的電位變化△ V(7028)如下··
△ V(7028)=| 4(7030) Cr(7028) (Vl-V2)+ C,(7〇26) Cr(7028) (Vl-V2)| 其中 C r (7028)=C /c (7032)+C (7026)+C p (7030)，
Cr(7028)為晝素電極7028所見總電容值，（^(7032)為液晶 電容7032電容值，CJ7026)為儲存電容7026電容值， C,,(7030)為寄生電容7030電容值。 而^^|(V1-V2)為偏壓線7002電位變化耦合至晝素 36 200805220 電極7028所產生。 .·不口上述所本發明藉由將—畫素單元區隔成兩次 畫素’而每-次晝素中包含獨立之薄膜電晶體、液晶電容 與儲存電容’藉此兩次晝素所形成之不同種畫素電遷互相 補償與平均’可和緩一畫素單元内之色偏現像 雖然本發明已以數個實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 ^範圍内’當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之 範圍^視後附之申請專利範圍所界定者為準。
37 200805220 【圖式簡單說明】 3本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例 =更月,，、、員易懂，所附圖式之詳細說明如下·· L:A曲：為一垂直排列向列型彩色液晶顯示器，其穿透率- 電壓曲線圖。 弟1B圖為一垂直排列向列型彩色液晶顯示器 伽瑪曲線之穿透率·電壓曲線I 、、、 第2A圖為一傳統之Cc型晝素單元。
第2B圖為一傳統之ττ型晝素單元。 第2C圖為一傳統之cc型晝素單元之伽瑪特性曲線圖。 第2D圖為一傳統之ττ型畫素單之伽瑪特性曲線圖。 第3圖係為本發明第一實施例的畫素單元概略圖示。 第4圖係為本發明第二實施例的晝素單元概略圖示。 第5圖係為本發明第三實施例的畫素單元概略圖示。 第6圖係為本發明第四實施例的晝素單元概略圖示。 弟7圖係為本發明第五實施例的晝素單元概略圖示。 第8圖係為三階驅動波形圖。 第9圖係為四階驅動波形圖。 弟10圖係為二步四階驅動波形圖。 第11圖係為三階驅動波形圖。 第12圖係為四階驅動波形圖。 第13圖係為二步四階驅動波形圖 第14圖係為二階驅動波形圖。 38 200805220 【主要元件符號說明】 102 ： 正視角穿透率-電壓曲線 104 ： 偏視角穿透率-電壓曲線 106 ： 低臨界電壓穿透率-電壓曲線 108 ： 高臨界電壓穿透率-電壓曲線 110 ： 單調穿透率-電壓曲線 202 ： 薄膜電晶體 214 ： 液晶電容 204 ： 儲存電容 218 ： 薄膜電晶體 206 ： 次晝素電極 220 ： 薄膜電晶體 208 ： 液晶電容 222 ： 畫素電極 210 ： 儲存電容 224 ： 晝素電極 212 :次晝素電極 300, 400, 500, 600 和 700 :晝素單元 3002, 3006, 4002, 4006 ··掃描線 3004和4004 ··共同電極線 3008, 4008, 5008, 6008, 7008 ··資料線 3010, 3012, 4010, 4022:薄膜電晶體 3014, 3016, 4014, 4026 :儲存電容 3018, 3020, 4020, 4032 :液晶電容 302, 304, 402, 404 :次晝素 3022, 3024, 4016, 4028 :晝素電極 3026, 3028, 4018, 4030 ··寄生電容 5002, 5006, 6002, 6006, 7006 :掃描線 5010, 5012, 6010, 6022, 7010, 7012 :薄膜電晶體 5014, 5016, 6014, 6026, 7014, 7026 :儲存電容 39 200805220 5018, 5020, 6020, 6032, 7020, 7032 : 502, 504, 602, 604, 702, 704 :次晝素 5022, 5024, 6016, 6028, 7016, 7028 : 5026, 5028, 6018, 6030, 7016, 7028 : 液晶電容 晝素電極 寄生電容
40

Claims (1)

  1. 200805220 十、申請專利範圍： 1 · 一種液晶顯示器，包含： 一基板； 一第一掃描線與一第二掃描線，排列於該基板上； 一貧料線與一晝素單元，亦排列於該基板上，且該畫素 '單元包含一第一次晝素與一第二次晝素； ♦第一溥膜電晶體，位於該第一次晝素中，包含一第一 閘極輕接於該第一掃描線、一第一源極以及一第一淡 _ 極；以及 一第二薄膜電晶體，位於該第二次晝素中，包含一第二 閑極耗接於該第一掃描線、一第二源極以及一第二汲 極； 其中’該第一源極經由一第一電容耦接於一第一電壓 源’该第二源極經由一第二電容耦接於一第二電壓源， 该第一汲極耦接於該資料線。 _ 2·如申睛專利範圍第1項所述之液晶顯示器，其中該第二 汲極耦接於該資料線。 3_如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示器，其中該第二 電壓源為該第二掃描線所提供。 4’如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示器，其中該第一 電壓源為該共同電極線所提供。 200805220 申明專利範圍第3項所述之液晶顯示器，其中該第一 電壓源為該第二掃描線所提供。 6·如申請專利範圍第i項所述之液晶顯示器，其中該第二 汲極耦接於該第一源極。 — 7·如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示器，其中該第二 電壓源為該第二掃描線所提供。 i 8·如申請專利範圍帛7項所述之液晶顯示器，其中該第一 電壓源為該共同電極線所提供。 •如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示器，其中該第一 電壓源為該第二掃描線所提供。 1〇·如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示器，其中該第一 • 與第二電壓源為同一電壓源。 11 · 一種液晶顯示器之驅動方法，包含： 提供一高電位給一第一掃描線，藉以使得一資料線對— 第一次晝素之晝素電極與一第二次晝素之畫素電極，寫 入一資料訊號；以及 提供一低電位至一第一掃描線，使該第一薄膜電晶體和 該第二薄膜電晶體絕緣於該資料線； 其中’該第一掃描線於該高電位與低電位轉換之後，— 42 200805220 第二掃描線對該第一次晝素之晝素電極與該第二次佥 素之畫素電極產生一耦合電位。 & 12 ·如申請專利範圍第11項所述之驅動 成，其為一三階 驅動方法，並由一第一電位、一第二電位與一第三電位 所控制，該第一電位大於該第二電位， — 必弟一電位大 於該第三電位。 13.如申請專利範圍第12項所述之驅動方法，其中該高電 位為該第一電位，該低電位為，該第二電位，且該輕合電 位係由該第二掃描線自該第三電位轉換至該第二電°位 時所造成。 14·如申請專利範圍第12項所述之驅動方法，其中該高電 位為該第一電位，該低電位為該第三電位，且該耜合電 位係由該第二掃描線自該第二電位轉換至該第三電位 時所造成。 15·如申請專利範圍第11項所述之驅動方法，其為一四 驅動方法，並由一第一電位、一第二電位、一第三電 與一第四電位所控制，該第一電位大於該第二電位， 第一電位大於該第三電位，該第三電位大於該第四1 位0 申明專利範圍第15項所述之驅動方法，其中該高電 43 200805220 為°亥第電位，該低電位為該第二電位，且該敕合電 系由忒第一掃描線自該第四電位轉換至該第三電位 時所造成。 如中明專利範圍第15項所述之驅動方法，其中該高電 位為該第-電位，該低電㈣該第四電位，且該搞合電 系由4第_掃描線自該第二電位轉換至該第三電位 時所造成。
    ·=專利範圍第15項所述之驅動方法，其中該高電 為该第-電位，該低電位為該第三電位，且該柄合電 係由該第二掃描線自該第四電位轉換 時所造成。 9.如申請專利範圍第15項所述之驅動方法，其中該高電
    =為該第-電位，該低電位為該第三電位，且該柄合電 位係由該第二掃摇線自#I *㈣線自6亥弟二電位轉換至該第三電位 時所造成 44
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