TW200533237A - Electro-luminescence display device and driving method thereof - Google Patents

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TW200533237A TW093140743A TW93140743A TW200533237A TW 200533237 A TW200533237 A TW 200533237A TW 093140743 A TW093140743 A TW 093140743A TW 93140743 A TW93140743 A TW 93140743A TW 200533237 A TW200533237 A TW 200533237A
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Description

200533237 九、發明說明： 【發明所屬技術領域】 本發明係論及一種電致發光顯示(ELD)裝置，更明確地說，其 係論及一種電致發光顯示裝置和其驅動方法，其可防止驅動薄膜 電晶體隨時間消逝而變為劣化，以及可維持其驅動薄膜電晶體之 可靠度。 【先前技術】 已有許多努力致力於研究及開發各種平板顯示裝置，諸如液 晶顯示器（LCD)裝置、場致發射顯示器（FED)裝置、電漿顯示面板 (PDP)裝置、和電致發光(EL)顯示裝置，而作為陰極射線管（CRT) 裝置之替代°〇。此專平板顯不裝置’係具有形薄、質輕、和尺寸 袖珍等有利特性。此外，電致發光(EL)顯示裝置，係具有另一項 優點，其在此係為一可使用磷質材料來發射光波之自發光性類型 的顯示器。 一 EL顯示裝置通常係被分類為：一其中磷質材料含有無機材 料之無機EL裝置，和一其中磷質材料包含有機化合物之有機乩 裝置通节有機EL裝置，係包括一佈置在一陰極與一陽極間 之電子注人層、電子載體層、光發射層、電洞載體層、和電洞注 入層。當有一預定電壓供應至其陽極與陰極之間時，其陰極所產 生之電子，將會經由其電子注人層和電子紐層，移動進入其光 發射層内，而其陽極所產生之電洞，將會經由其電洞注入層和電 200533237 洞載體層’移動進人其光發射層内。因此’其電子載體層和電洞 載體層所舰之電子和電洞，將會在其光發射層祕結合，藉以 發射光波。 -有機ELD通常係使用-包括沉積程序和封裝程序之相當簡 單的程序來加以製造。因此，—有機ELD係具有低的製造成本。 此外，有機ELD可使用低DC電壓來運作，因而具有低的耗電量和 快速的響應_。錢ELD «找的湖和高影像耻。此外， 由於有機ELD係、-積體裝置，有機ELD係具有可防外來撞擊之高 耐磨性和寬的應用範圍。 -不具有交換元件之被動矩_膽，早£^廣泛使用。在此 被動矩陣型ELD中，掃描線係與信號線相交越，而界定出多個成 矩陣組態之像素，以及此等掃描線係依序加以驅動，藉以激勵每 一像素。—，為達成-必f之平均亮度，其動差亮度(_邮 luminance) ’係需要使高達其平均亮度細線數所得之亮度。 其中亦存在-種主動矩陣型ELD，其係包括—些作為每一像素 内之又換元件的舰電晶體。其供應至像素之電壓，係使充電進 一儲存電容H Cst N，以使此電壓可供施加，直至有次一畫面信 號供應為止，_可無辭其·線之數目，而連續稍地驅動 此有機ELD，直至一畫面之影像完成為止。因此，此種主動矩陣型 L將可提供均勻之發光光譜，即使是當所供應為一低電流時。 卜囷係可例示一依據其習知技術之主動矩陣型電致發光 200533237 顯示裝置的示意方塊圖。在第1圖中，一主動矩陣型此顯示裝置 係包括：一具有一些安排在閘極線GL和資料線DL間之交點處的 像素28之EL面板20、一可驅動其閘極線之閘極驅動器22、 和一可驅動其資料線DL之資料驅動器24。其閘極驅動器22，可 依序將一掃描脈波，供應給其閘極線GL，藉以驅動此等閘極線GL。 此外’其資料驅動器24,可將一外在來源所輸入之數位資料信號， 轉換成一些類比資料信號，以及可於每當有掃描脈波供應時，將 此等類比>、料#號’供應給其資料線])L。每一像素28可於每當有 掃描脈波供應一對應之閘極線GL時，將此等類比資料信號所接收 來自其對應之資料線DL的資料信號，II以產生一對應於此資料信 號之光波。 第2圖係-可例示第i圖中所顯示之電致發光顯示裝置的一 個像素之明細電路圖。誠如第2圖中所示，每一像素28係包括一 EL早兀0EL，其係具有一連接至一供應電壓源漏之陽極，和一 連接至單το驅動器30之陰極。其單元驅動器3〇,亦使連接至其 對應之閘極線GL、其對應之資料線DL、和一接地電壓源哪，藉 以驅動該EL單元〇EL。 此外其單疋驅動器3〇係包括··一切換薄膜電晶體^、一驅 動薄膜電晶體T2、和i存電容器⑽。其切換薄膜電晶體τι係 包括·-連接至其對應之閘極線GL的閘極端子、一連接至其對應 之貝料線DL的源極端子、和—連接至_第—節點⑽之沒極端子。 200533237 其驅動薄膜電晶體T2係包括：一連接至其第一節點N1之閘極端 子。一連接至其接地電壓源GND之源極端子、和一連接至其此單 元0EL之汲極子。其儲存電谷為Cst，係使連接在其接地電壓源 GND與第一節點Μ之間。 此外，其切換薄膜電晶體T1，可於有一掃描脈波供應至其對 應之閘極線GL時被導通。當其切換薄膜電晶體T1被導通時，其 可將要供應給其對應之資料線DL的資料信號，施加至其第一節點 N1。接著，此供應至第一節點N1之資料信號，係使充電進其儲存 電容器Cst内，以及使供應至其驅動薄膜電晶體T2之閘極端子。 其驅動薄膜電晶體Τ2，可響應該資料信號，來控制一來自一供應 電壓源VDD而經由EL單元0EL饋送之電流量丨，藉以控制其EL 單元0EL之光發射量。 此外，其驅動薄膜電晶體T2，可於其切換薄膜電晶體打縱使 被切斷，藉由上述充電進其儲存電容器Cst内之資料信號，而使 保持為導通狀態，以及仍可控制一來自其供應電壓源VDD而經由 EL單元〇EL饋送之電流量I，直至有次一晝面之資料信號施加為 止。在此一情況中，其流經EL單元0EL之電流量I，係可表示成 下列之方程式： w I ^—Cox(Vg2-Vth)2 ... (1) ’’W”係表示其驅動薄膜電晶體T2之寬度，以及"L”係表示其驅 動薄膜電晶體T2之長度。此外，”c〇x"係表示一在製造其驅動薄 200533237 膜電晶體T2時形成單-層之絕緣薄膜所提供的電容器之值。而 且，”Vg2n係表示-輸人至其驅動薄膜電晶體Τ2之閘極端子的資 料信號之電顧，以及，警絲示其驅動_電晶體Τ2之臨界 電壓值。 在上述之方程式⑴中，1、"!；，、"如"、和"賦，係無關 乎時間之消躺餅不變。然而，其轉薄職晶體了2之臨界電 壓值"Vth”，則會隨時間之消逝而劣化。 特言之，有一正⑴電壓，會連續不斷地供應至其驅動薄膜電 晶體T2之閘極端子。明破而言，上述連續不斷供應之正電壓，將 曰使得,、驅動薄膜電曰曰體T2之臨界電壓她，隨時間之消逝而增 加。此外，隨著其驅動薄膜電晶體T2之臨界電壓她的增加，其 飢經EL單tlOEL之電流量將會降低，因而會降低一影像之光亮， 以及使一影像之品質劣化。 第3A和3B圖係-些可例示非晶石夕之原子排列的簡圖，以及 第4圖係-可例不第2圖中所顯示之像素的驅動薄膜電晶體之劣 化的曲線圖。其驅動薄膜電晶體T2 (顯示於第2圖中），係由氫化 物非曰曰竹成。氫化物非晶秒在大尺寸中係很容易製成，以及可 在-小於35G°C之低溫下，使沉積在—基體上面 。因此，大多數之 薄膜電晶體，-直是使贱化物非晶石夕製成。 然而，誠如第3A圖所示，氫化物非晶矽係具有一不規則之原 弱/懸浮Si-Si化學鍵32。誠如第3B圖中所 200533237 示，隨著時間之消逝，Si將會自弱化學鍵斷開，以及電子或電洞 會在原子離開之處再結合。由於一能階會因氫化物非晶矽之原子 排列中的變動而改變，其驅動薄膜電晶體T2之臨界電壓Vth，會 如第4圖中所示，隨著時間之消逝，而逐漸地增加成Vth’、Vth’，、 和 Vth’’’。 因此，依據其習知技術之電致發光顯示裝置的影像光亮，將 會隨著時間之消逝而劣化，因為其驅動薄膜電晶體T2之臨界電壓 Vth，將會隨著時間之消逝，而增加至Vth’、Vth’ ’、和Vth，，，。 此外’由於上述EL面板20之部份亮度降低，將會產生一殘留影 像，因而會使一影像品質嚴重劣化。 【發明内容】 因此’本發明係針對一種電致發光顯示裝置和其驅動方法， 其可大幅排除習知技術之限制和缺點所致的一個或多個問題。 本發明之一目的，旨在提供一種電致發光顯示裝置和其驅動 方去，其適能避免每一像素有關之驅動薄膜電晶體的臨界電壓之 上昇’因而可提昇-畫面之品質。 本^明之額外特徵和優點，係闡明於下文之說明中，以及部 伤可由其之說_翻確，或者可自本發明之實務而習得。本發 月之目的和其他優點，將可藉由此書面說明及其中請專利範圍加 斤附諸圖中所特別指出之結構，來加以實現及完成。 200533237 為70成此等和其他目的，以及依據本發明所具現及廣意說明 之目的，一種電致發光顯示裝置，係包括一具有多個在一些由資 料線與閘極線間之交點所界定的像素區域處之像素的電致發光面 板母像素係包括：一在連接上可接收一供應電壓之電致發光 單元、一可控制流經此電致發光單元之電流量的驅動薄膜電晶 體和連接至此驅動薄膜電晶體之閘極端子的偏壓開關，此偏 壓開關可選擇供應一逆向電壓給其驅動薄膜電晶體。 在另-特徵中，-種電致發光顯示裝置，係包括一具有多個 · 在-些由資料線與·線間之交點所界定的像素區域處之像素的 電致發光面板，其閘極線係可接收一掃描脈波和一切斷信號中的 -個；和-就每-像素而設置之電致發光單S、驅動薄膜電晶體、 和偏壓關，就其連接至第n條之閘極線（GLn，n為—整數）的 像素而言，其對應之電致發光單元在連接上，可接收—供應龍， ‘ 其對應之驅動薄膜電晶體，可控制流經其電致發光單元之電流 量，其對應之偏壓開關，可將上述之切斷信號，選擇供應給魏 · 應之驅動薄膜電晶體。 在又-特徵巾種可轉_就每—以轉狀方式排列之像 素而设置有-驅動薄膜電晶體的電致發光顯示裝置之方法係包 括··依序供應-掃描脈波給其閑極線；就其連接至第n條之閉極 線（GLn，η為-整數）的像素，在上述之掃描脈波供應至此第n 條的閘極線(GLn)時’供應—資料信號，給其驅動薄膜電晶體之閘 11 200533237 極端子’基於此減信號，控制其自—供應電壓源經由其連接至 第η條之酿線(GLn)的像素有關之電致發光單元而流至其一參考 電壓源的電流；以及選擇供應一逆向電壓，給其連接至第η條之 閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 在另一特徵中，一種可驅動一具有第一間極線、第二間極線、 -些資料線、-些在由第-閘極線與資料線間之交點所界定的像 素區域處之像素（每-像素係包括—電致發解元和—驅動薄膜 電晶體）的電致發光顯示裝置之方法係包括：依序供應一掃描脈 波給其第線；依序供應—導通脈波給其第二閘極線；就其 連接至第n條之第—_線（GUn，n為—整數）的像素，在上述 之掃描脈波供應至此第η條之第—間極線(GUn)時，供應一資料 信號，給其驅動薄膜電晶體之閘極端子；基於此資料信號，控制 其自-供應電壓源經由其電致發光單元而流至其—參考電壓源之 電流;以及在上述之導通脈波供應至其第n條之第二開極線(α2η) 時’供應-逆向·給其第n條之第—閘極線(GUn)的驅動薄膜 電晶體之閘極端子。 在又特徵中，-種可驅動一就每一以矩陣狀方式排列之像 素而設置有—驅動薄膜電晶體的電致發光顯示裝置之方法係包 括：供應-掃描脈波和一切斷信號中的一個給其閘極線；就一連 接至第η條之閘極線（GLn ’ n為一整數）的像素，在上述之掃描 脈波供應至此第η條的間極線(GLn)時，供應一資料信號給其驅動 12 200533237 薄膜電晶體之’端子，·基於此資料信號，控制其自—供應霞 源經由其連接至第η條之閘極線(GLn)的像素有關之電致發光單元 而流至其-參考電壓源的電流；以及選擇供應上述之切斷信號， 給其連接至第n條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄膜電晶體的 閘極端子。 理應瞭解的是，本發明前述之一般性說明和下文之詳細說 明，係屬範例性和解釋性，以及係意在提供其所主張本發明之進 一步解釋。 此等被納入用以提供本發明之進一步瞭解及被合併而構成此 申請案之一部分的附圖，係例示本發明之實施例，以及連同其之 說明，係用以解釋本發明之原理。 【實施方式】 茲將詳細說明本發明之較佳實施例，彼等之範例係例示在所 附諸圖中。 第5圖係一可例示一依據本發明之實施例的電致發光顯示裝 置之不思方塊圖。在第5圖中，其一電致發光(EL)顯不裝置係包 括：一具有多個彼此交越之閘極線GL和資料線DL的EL面板120、 一可驅動此閘極線GL之閘極驅動器122、一可驅動其資料線DL 之資料驅動器124、和至少一可供應一供應電壓VDD、一逆向電壓 VI、一第一參考電壓VSS卜和一第二參考電壓VSS2給其EL面板 13 200533237 120之來源（未示出）。其乩面板12〇亦包括：多個排列在其資料 線與閘極線GL和DL間之交點所界定的像素區域處之像素128，和 夕個可由一對應之閘極線GL加以控制的偏壓開關sw。其像素i28 - 之數目，可使與其偏壓開關SW之數目侧。舉例而言，其偏壓開 、 關SW’可叉到其第（η-1)條之閘極線GLn-1 (η為一整數）的控制， 稭以供應上述之逆向電壓VI，給其連接至第η條之問極線—的 像素128。 此外，其閘極驅動器122，可將一些掃描脈波供應給其閘極線 GL，藉以依序驅動此等閘極線乩。其資料驅動器124，可將一外 在來源所輸入之數位資料信號轉換成一些類比資料信號，以及可 於每當有掃描脈波供糾，將此_比資料信號供應給其資料線 DL。舉例而言，一 HIGH(高電位)_狀態之掃描脈波，可使依序供應 給其閘極線GL，以使出自其資料線DL之資料信號，供應給其連接 至上述接收到HIGH-狀態之掃描脈波的閘極線GL之像素128。結 果，此等像素128將會產生一對應於該資料信號之光波。 此外，其偏壓開關SW，可於其第（η-1)條之閘極線GLn—丨供應 • 上述HIGH-狀態的掃描脈波時被導通，藉以供應上述之逆向電壓 ， VI給其連接至第η條之閘極線GLn的像素128。雖未顯示出，與 其安排其偏壓開關SW使較其供應逆向電壓VI之像素128高出一 條水平線，其偏壓開關SW之位置，可考慮一程序情況而做各種不 同之建设。舉例而言，其偏壓開關SW，可安排使與其供應逆向電 200533237 壓VI之像素128在同一條水平線處。 第6圖係一可例示第5圖中所顯示之電致發光顯示裝置的一 個像素之明細電路圖。誠如第6圖中所示，每一像素eg係包括·· 一具有一在連接上可接收一供應電壓VDD之陽極的EL單元〇EL、 一連接至此EL單元〇EL之陰極的單元驅動器13〇、一對應之閘極 線GL、一對應之資料線DL、第一參考電壓vss卜和第二參考電壓 VSS2。 其單兀驅動器130係包括··一切換薄膜電晶體奵、一驅動薄 儀| 膜電晶體T2、和一儲存電容器cst。其儲存電容器cst，係使連接 至一可供應第二參考電壓VSS2之來源，以及至一第一節點N1。此 第一節點N1，係在其切換薄膜電晶體71與驅動薄膜電晶體丁2之 間。特言之，其切換薄膜電晶體T1係包括：一連接至其對應之閘 極線GL的閘極端子、一連接至其對應之資料線况的源極端子、 和連接至其第一節點N1之没極端子。其驅動薄膜電晶體T2係 包括· 一連接至其第一卽點N1之閘極端子、一連接至一可供應第 鲁 參考電壓VSS1之來源的源極端子、和一連接至其此單元〇EL 之沒極端子。 其第一和第二參考電壓VSS1和VSS2之電壓值，係設定使低 於其供應電壓VDD之電壓值。舉例而言，其第一和第二參考電壓 VSS1和VSS2之電壓值，可被設定至一大約低於一接地電壓gnd 之電壓值，而使一電流I能流過其驅動薄膜電晶體T2，以及其供 15 200533237 應電壓VDD之電壓值，可使具有一正極性。其第一和第二參考電 壓VSS1和VSS2之電壓值，通常可設定使彼此相等。舉例而言， 其第一和第二參考電壓VSS1和VSS2，可使等於其接地電壓GND。 然而，其第一和第二參考電壓VSS1和VSS2之電壓值，可因各種 因素’例如’其EL面板120之解析度和其EL面板120之程序情 況，而使彼此不同。 此外，其切換薄膜電晶體T1，係於上述HIGH-狀態之掃描脈 波供應至其對應之閘極線GL時被導通，因而可將要供應至其對應 之資料線DL的資料信號，供應至其第一節點N1。此供應至第一節 點N1之資料信號，將會充電進其儲存電容器Cst内，以及使供應 至其驅動薄膜電晶體T2之閘極端子。此外，其驅動薄膜電晶體T2 可響應供應給其之資料信號，控制一自其供應電壓VDD之來源流 經其EL單元0EL而進入第一參考電壓vssi内之電流量I。結果， 其EL單元0EL將會產生一對應於此電流量I之光波。此外，其驅 動薄膜電晶體T2可於其切換薄膜電晶體T1縱使被切斷，藉由上 述充電進其儲存電容器Cst内之資料信號，而使保持為導通狀態。
此外，其偏壓開關SW係具有：-連接至其第(n〇條之閘極 線GLn-1的閘極端子、一在連接上可接收上述逆向電壓VI之源極 端子、和一連接至次一級之單元驅動器132的第一節點N1之汲極 端子。此偏壓開關SW，係於有-HIGH-狀態之掃描脈波供應至其 第（n-1)條的閘極線GLn-1時被導通，因而可將上述之逆向電壓VI 16 200533237 供應至其與第η條之閘極線GLn相連接的次一級之單元驅動哭ι犯 的第一節點N1。上述逆向電壓VI之值，可被設定使低於上述第一 參考電壓VSS1之值。 因此，當上述之逆向電壓VI供應至其第一節點N1，以及至其 次一級之單元驅動器132的驅動薄膜電晶體T2之閘極端子時，其 驅動薄膜電晶體T2之源極端子處的電壓，亦即，上述之第一參考 電壓VSS1，係高於其驅動薄膜電晶體T2之閘極端子處的電壓。結 果，當上述之逆向電壓VI供應至其第一節點N1時，會有一逆向 偏壓電壓供應至其驅動薄膜電晶體T2，因而可使其驅動薄膜電晶 體T2之臨界電壓vth，避免隨時間之消逝而增加。結果，由於在 有一 HIGH-狀態之掃描脈波供應至其第（η—υ條之閘極線 時’會有-逆向偏壓電壓供應至其連接至第n條之閘極線GLn的 像素之驅動薄膜電晶體T2，其驅動薄膜電晶體T2，將可避免劣化， 以及其驅動薄膜電晶體T2之臨界電壓Vth，甚至可隨著時間之消 逝而維持固定。 第7圖係一可例示一些供應至第5圖中所顯示之電致發光顯 示裝置的閘極線之掃描脈波的曲線圖。誠如第7圖所示，一 狀恕之掃描脈波，可自其閘極驅動器122 (顯示在第5圖中），依 序供應至其閘極線GLn-2、GLn-；l、GLn、和GLn+Ι。藉以依序驅動 其閘極線GLn-2、GLn-卜GLn、和GLn+卜此HIGH-狀態之掃描脈 波，係具有一大約20V之電壓位準，而一 L〇w(低電位)_狀態之掃 17 200533237 描脈波，可能具有一大約—5V之電壓位準。
參照第6和7 W，當上述腿-狀態之掃描脈波，供應至其第 (η-1)條之閘極線㈤時，其連接至第㈣條之閘極線㈤ 的單元驅動器130之切換薄膜電晶體τ卜將會被導通。當此切換 薄膜電晶體Τ1被導通時…供應至其資料線况之資料信號，將 會供應至其單元鶴器⑽之第—節點N卜縣，其單元驅動器 130之驅動薄骐電晶體T2，將會因其供應至第—節點w之資料信 號而被導通，藉骑其職於—可供應上频顧壓働之來源 所出的資料錢之糕丨，供絲其第—參考籠卿以及因 而產生-對應於其EL單元0EL所出之電流ϊ的光波。
此外其連接至第n條之閘極線GLn的次一級之單元驅動器 132的偏壓開關SW，將會因上述供應至第㈣條之閘極線n 的HIGH-狀態之掃描脈細被導通。當其爐關sw被導通時， 上述之逆向電Μ，接著便會供應至其連接至^條之間極線-的次-級之單it驅動器132的第—節點N1。此外，由於上述逆向 電壓VI之電壓值，係低於其第一參考電壓卿之電壓值，會有 -逆向偏壓電壓供應至其次—級之單元驅動器132的驅動薄膜電 晶體T2之_端子和閘極端子。纽逆向偏壓電壓供應至其次一 級的單元驅動器132的驅動薄膜電晶體T2時，其驅動薄膜電晶體 Τ2之臨界電壓Vth’將會保持g]定，而不會隨_之彡肖逝而上昇。 第8圖係-可例示一依據本發明之另一實施例的電致發光顯 18 200533237 不裝置之示意方塊圖。在第8圖中，一電致發光(el)顯示裝置， 係包括一 EL面板140，其係具有··多個之第一閘極線GL1、多個 之第二閘極線GL2、和多個之資料線DL。其閘極線GL1和GL2，係 使與其資料線DL相交越。其第一閘極線GL1之數目，可能係與其 第二閘極線GL2之數目相同，以致每一第二閘極GL2,係與一對應 之第一閘極線GL1配成對。 此外，其EL顯示裝置亦包括：一可驅動其第一閘極線GL1之 第一閘極驅動器142; —可驅動其第二閘極線GL2之第二閘極驅動 器143 ; —可驅動其資料線DL之資料驅動器144 ;和至少一可供 應一供應電壓VDD、一逆向電壓VI、一第一參考電壓VSS1、和一 第二參考電壓VSS2給其EL面板140之來源（未示出）。其EL亦 面板140亦包括：多個排列在其閘極線GL1和GL2與資料線dl間 之父點所界定的像素區域處之像素148 ’和多個可由一對應之第一 閘極線GL2加以控制的偏壓開關SW，受到其第（n-1)條之閑極線 GLn-1 (η為一整數）的控制，藉以供應上述之逆向電壓νι給其像 素148。其像素148之數目，可使與其偏壓開關SW之數目相同。 此外，其第一閘極驅動器142，可供應一些掃描脈波給其第— 閘極線GL1，藉以依序驅動其第一閘極線GU。其第二閘極驅動器 143，可供應一些導通脈波給其第二閘極線GL2，藉以依序逐列導 通其偏壓開關SW。其資料驅動器144，可將一外在來源所輪入之 數位資料信號，轉換成一些類比資料信號，以及可於每當有掃描 19 200533237 脈波供應時，將此物bf料信號供應給其資料線见。 舉例而3，- HIGH-狀態之掃描脈波，可使依序供應給其第〆 間極線GL1以及其第一閘極驅動器143，可緊接上述腿—狀態 之掃描脈波供應至其第n條之第_ 線—前，將—導通脈波 〜^至八第n條之第一閘極線GL2n，結果，其連接至此第打條之 第二閘極線GL2n的偏壓開關sw將會被導通，藉以供應上述之逆 向電壓VI給其連接至上述第n條之第一閘極線⑽的像素148。 接者，當上述狀態之掃描脈波供應至其第η條之第—閑極線 GLn時’其來自資料線况之資料信號，將會供應至其連接至第〇 條之第-_itGLln的像素148，藉以產生—對應於此等資料信 號之光波。 第9圖係-可例示第8圖中所顯示之電致發光顯示裝置的一 姻象素之明細電路圖。誠如第9圖巾所示，每—像素148係包括： ”有在連接上可接收一供應電壓讎之陽極的此單元狐、 一連接至此EL單元〇EL之陰極的單元驅動器⑽、一對應之第一 1極線GU、-對應之資料線况、第一參考電壓觸、和第二參 考電壓VSS2。 其單元驅動器150係包括：—切換薄膜電晶體Ή、_驅動薄 膜電曰曰體T2、和-儲存電容器w。賊存電容器⑽，係使連接 可供應第二參考電壓VSS2之來源，以及至一第一節點W。特 言之，其切換薄膜電晶體T1係包括：一連接至其對應之第一問極 20 200533237 線GL1閘極端子、一連接至其對應之資料線DL的源極端子、和一 連接至其第一節點N1之沒極端子。其驅動薄膜電晶體T2係包括： 一連接至其第一節點N1之閘極端子、一連接至一可供應第一表考 電壓VSS1之來源的源極端子、和一連接至其EL單元〇EL之沒極 端子。 其第一和第二參考電壓VSS1和VSS2之電壓值，係設定使低 於其供應電壓VDD之電壓值。舉例而言，其第一和第二參考電壓 VSS1和VSS2之電壓值，可被設定至一大約低於一接地電壓G肋 之電壓值，而使一電流I能流過其驅動薄膜電晶體T2，以及其供 應電壓VDD之電壓值，可使具有一正極性。其第一和第二參考電 壓VSS1和VSS2之電壓值，通常可設定使彼此相等。舉例而言， 其第一和第二參考電壓VSS1和VSS2，可使等於其接地電壓gnd。 然而，其第一和第二參考電壓VSS1和VSS2之電壓值，可因各種 因素，例如，其EL面板140之解析度和其EL面板14〇之程序情 況，而使彼此不同。 此外，其切換薄膜電晶體T1，係於上述HIGH-狀態之掃描脈 波供應至其對應之弟一閘極線GL1時被導通，因而可將要供鹿至 其對應之資料線DL的資料信號，供應至其第一節點N1。此供應至 第一節點N1之資料信號，將會充電進其儲存電容器Cst内，以及 使供應至其驅動薄膜電晶體T2之閘極端子。此外，其驅動薄膜電 曰曰體T2可響應供應給其之資料信號，來控制一自其供應電壓 200533237 之來源流經其EL單元〇EL而進入第-參考電壓觸内之電流量 I…果，其EL單元〇EL，將會產生一對應於此電流量I之光波。 此外，其驅動薄膜電晶體T2，可於其切換薄膜電晶體τι縱使被切 斷，藉由上述充電進其儲存電容器Cst内之資料信號，而使保持 為導通狀態。 此外，其偏壓_ SW係具有：-連接至其對應之第二間極線 GL2的閘極端子一在連接上可接收上述逆向霞νι之源極端 子、和其第-節點N1之沒極端子。此偏麼開關別，係於有一導通 φ 脈波供應至其第η條之第二閘極線GL2n時被導通，因而可將上述 之逆向電壓Vi，供應至其與第n條之第一閘極線制相連接的次 -級之單元驅動ϋ 15G的第-節點N1。上述逆向電壓π之值，可 被設定使低於上述第一參考電壓之值。 ， 因此’當上述之逆向電壓VI，供應至其第一節點w，以及至 - 其單元驅動器150之驅動薄膜電晶體T2的閘極端子時，其驅動薄 膜電晶體Τ2之源極端子處的電壓，亦即，上述之第一參考電壓 鲁 观’係高於其鶴_電晶體了2之_端子處㈣壓。結果， 當上述之逆向電壓VI，供應至其第-節點N1時，會有一逆向偏壓 電壓供應至其驅動薄膜電晶體下2，因而可使其驅動薄膜電晶_ 之臨界電壓Vth，避免隨時間之消逝而增加。結果，由於在有一 ΗΚίΗ-狀態之導通脈波供應至其第n條之第二閘極_時，备有 -逆向偏壓電壓供應至其連接至第_之第一間極線Gun的像素 22 200533237 148之驅動薄膜電晶體T2 ’其驅動薄膜電晶體π，將可避免劣化， 以及其驅動薄膜電晶體Τ2之臨界電壓Vth，甚至可隨著時間之消 逝而維持固定。 第10圖係一可例示一些供應至第8圖中所顯示之電致發光顯 示裝置的第一和第二閘極線之掃描脈波和導通脈波的曲線圖，以 及第11圖係一可例示一逆向偏壓之施加時間的曲線圖。誠如第1〇 圖中所示，一 HIGH-狀態之掃描脈波，可使自其第一閘極驅動器 142 (顯示在第8圖中），依序供應至其第一閘極線GLin-2、 # GLln-1、和GLln，藉以依序驅動其第一閘極線GLln-2、GLln-1、 和GLln。上述HIGH-狀態之掃描脈波，可具有一大約20V之電壓 位準，而一 LOW-狀態之掃描脈波，可具有一大約-5V之電壓位準。 豢 此外，上述供應至第η條之第一和第二閘極線GLln和GL2n 的HIGH-狀態之掃描脈波和導通脈波，彼此係不相重疊，以使其 EL單元0EL產生一穩定之影像。特言之，其像素148(顯示在第8 圖中），將會開始顯示一對應於上述high-狀態之掃描脈波供應時 籲 所供應的資料信號的影像，以及可維持此影像，直至有次一資料 信號供應為止。因此，若有一導通脈波恰在已供應上述HIGH-狀態 之掃描脈波後供應，一對應於上述資料信號之影像的顯示時間將 會縮短。因此，本發明之一實施例，可於上述HIGH-狀態之掃描脈 波仍供應給其第（n-1)條之第一閘極線GLln-1時，將一導通脈波， 供應至其第n條之第二閘極線GL2n，以使其晝面顯示時間之縮短 23 200533237 減為最小。 此外’其導通脈波之脈波寬度P2，可使大於上述HIGH-狀態 之掃描脈波的脈波寬度Π。特言之，此導通脈波，可恰在將上述 HIGH-狀態之掃描脈波，供應給其第η條之第一閘極線GLln前， 使供應至其第η條之第二閘極線GL2n，以及可使與上述供應至其 第（η-1)條之第一閘極線GLinq相重疊，以便形成一穩定之影像。 由於此導通脈波，係恰在將上述HIGH-狀態之掃描脈波，供應給其 第η條之第一閘極線GLln前，使供應至其第n條之第二間極線 # GL2n，一景>像係可使顯示一段充份之時間。因此，誠如第η圖中 所不，上述之逆向偏壓電壓，將會供應給其驅動薄膜電晶體τ2， 使長達一段充份之時間，以及相鄰之第二閘極線，GL2n_2、 瀟 GL2n 1和GL2n所產生之逆向偏壓施加，將可使彼此重疊。 參照第9和1〇圖’當上述麵—狀態之掃描脈波，供應至其 ' 第η條之第一間極線GLln時’其連接至第n條之第一閘極細η 的單元驅動器15◦之切換薄膜電晶體T1將會料通。當其切換薄 · 膜電晶體T1餅稱，—酿纖㈣之細號，係使 供應至其單元驅動器15〇之第一節,_。接著，其驅動細胞驅動 器⑽之驅動薄膜電晶體T2，將會因上述供應至其第—節點則 之資料信號導通，藉以將上述對應於—供應其供應電壓· 之來源所出的資料信號之電流！，供應至其第_參考電壓挪， 以及因而產生—對應於其EL單现所出之電流I的光波。 24 200533237 此外，上述之導通脈波，係供應至其第n條之第二閘極線 GL2n，而使不與其供應至第之第一閘極線乩比的HiGH_狀態 之掃描脈波同步或相重疊。舉例而言，上述之導通脈波，可緊接 在上述HIGH-狀恶之掃描脈波供應至其第n條之第一閘極線^ιη 前供應給其第η條之第二閘極線GL2n。當上述之導通脈波供應至 其第η條之第二閘極線GL2n時，上述連接至其第n條之第一閘極 線GLln的單元驅動器150之偏壓開關sw將會被導通。當此偏壓 開關SW被導通時，上述之逆向電壓VI，便會供應至其連接至第η φ 條之弟一閘極線GLln的單元驅動器150之第一節點Ni。 此外，由於上述逆向電壓VI之電壓值，係低於其第一參考電 壓VSS1之電壓值，會有-逆向偏壓電壓供應至其次一級之單元驅 礞 動器150的驅動薄膜電晶體T2之源極端子和閘極端子。當此逆向 偏壓電壓供應至其單元驅動器15〇之驅動薄膜電晶體12時，其驅 * 動薄膜電晶體T2之臨界電壓Vth，將會保持固定，而不會隨時間 之消逝而上昇。 參 因此，當上述之導通脈波供應至其第η條之第二閘極線乩如 時，會有一逆向偏壓電壓-Vgs供應至上述連接至其第η條之第一 閘極線GLln的單元驅動器150之驅動薄膜電晶體Τ2，因而可使其 驅動薄膜電晶體Τ2之臨界電壓Vth，避免隨時間之消逝而增加。 因此，其EL面板140儘管隨時間之消逝，將會以一希望之亮度來 顯示影像。 25 200533237 第12圖係一可例示一依據本發明之另一實施例的電致發光顯 示裝置之-像素的明細電路圖。在第12圖中，其—el顯示裝置， 係包括多個排列在第一閘極線GUiW和GUn與資料線况間之交 點處所界定的像素區域處之像素159。雖然僅顯示有兩條第—閉極 線 1牙GLln、一條資料線DL、和兩個像素159，其既顯示 衣置，可w包括更多的第—閘極線、資料線、和像素，以使其像 素159排列成一矩陣狀之方式。此外，其EL顯示裝置亦包括多個 與-對應之第-閘極線GUn—i和GUn配成對的第二間極線 _ GL2n-l和GL2n。每一像素159係包括：一 EL單元〇]EL、一單元驅 動器160、和偏壓開關SW。其EL單元〇EL係包括：一在連接上可 接收-供應電壓VDD之陽極，和-連接至其單元驅動器16〇之陰 磉 極0 其單το驅動器160係包括：一切換薄膜電晶體T1、一驅動薄 膜電晶體T2、和一儲存電容器Cst。其儲存電容器Cst，係使連接 至一可供應第二參考電壓VSS2之來源，以及至一第一節點N1。特 馨 吕之，其切換薄膜電晶體T1係包括：一連接至其對應之第一閘極 線GLln-1和GLln的閘極端子、一連接至其對應之資料線DL的源 極端子、和一連接至其第一節點N1之汲極端子。其驅動薄膜電晶 體T2係包括：一連接至其第一節點N1之閘極端子、一連接至一 可供應第一參考電壓VSS1之來源的源極端子、和一連接至其el 單元0EL之汲極端子。 26 200533237 此外’上述可供應-逆向電壓給其連接至第n條之第一間極 線GLln的單元驅動器16〇之偏壓開關邠係具有：一連接至其第 (n-1)條之第一閘極線GLln—丨的源極端子、一連接至其連接至第n 條之第一閘極線GLln的單元驅動器、16〇之第一節點N1的汲極端 子、和一連接至其第n條之第二閘極線乩％的閘極端子。結果， 其偏壓開關SW並不會接收到來自—額外之外在來源的逆向電壓。 上述可供應一逆向電壓給其連接至第η條之第一閘極線GUn 的單元驅動H⑽之偏黏谓SW，係於有—導通脈波供應至其第 _ η條之第二閘極線乩211時被導通。當該導通脈波供應至其第η條 之第二閘極線GL2n時，會有一要供應至其第㈤)條之第一問極 線GLln-1的切斷電壓，供應至其連接至第n條之第一閘極線乩化 · 的單元驅動器160之第-節點N;l。特言之，其第一和第二參考電 壓VSS1和VSS2之電壓值，係設定使高於此切斷電壓之電壓值。 因此，當此切斷電壓供應至其第一節點N1時，其驅動薄膜電晶體 T2之源極端子處的電壓，亦即，上述之第一參考電壓VSS1，係高 馨 於其驅動薄膜電晶體T2之閘極端子處的電壓，亦即，上述之切斷 電壓。 第13圖係一可例示一些供應至第12圖中所顯示之電致發光 顯示裝置的第一和第二閘極線之掃描脈波和導通脈波的曲線圖。 誠如第13圖中所示，有一 HIGH-狀態之掃描脈波，係自一第一閘 極驅動器（未示出），依序供應至其第一閘極線GLln—3、GLln—2、 27 200533237 GLln-l、和GLln，藉以逐列驅動其像素159 (顯示在第12圖中）。 上述HIGH-狀態之掃描脈波，可能具有一大約2〇v之電壓值，而上 述之切斷電壓，可能具有一大約—5V之負電壓值。 此外’上述HIGH-狀態之掃描脈波，可於上述之導通脈波自一 第二閘極驅動器（未示出）供應至第二閘極線GL2n—丨和GL2n時， 使供應至其第一閘極線GLln-3、GLln-2、GLln-1、和GLln。然而， 上述供應至其第η條之第二閘極線见以的導通脈波，並不會與上 述供應至其第（η-1)條和第n條之第一閘極線GUn l和GUn的 _ HIGH-狀悲之掃描脈波相重疊，藉以形成一穩定之影像。特言之， 上述之導通脈波，係恰在將上述HIGH—狀態之掃描脈波，供應給其 第（η-1)條之第一閘極線GLln-Ι前，使供應至其第n條之第二閘 極線GL2n，以及係與上述供應至其第（n_2)條之第一閘極線GUn—2 的HIGH-狀態之掃描脈波相重疊。 、 此外，其導通脈波之脈波寬度P2，可使大於上述HIGH—狀態 之掃描脈波的脈波寬度P1。特言之，此導通脈波，可恰在將上述 籲 HIGH-狀態之掃描脈波，供應給其第（n—丨）條之第一閘極線乩比―^ 前，使供應至其第η條之第二閘極線GL2n。因此，上述之逆向偏 壓電壓將會供應給其驅動薄膜電晶體T2，使長達一段充份之時 間。因此，由於上述之導通脈波，係於上述HIGH—狀態之掃描脈波 供應給其第（n-2)條之第一閘極線GLln-2時，供應給其第n條之 第二閘極線GL2n，一影像係可使顯示一段充份之時間。 28 200533237 此外，有一逆向偏壓電壓供應至其驅動薄膜電晶體τ2時，因 而可使其驅動薄膜電晶體Τ2之臨界電壓他，避免隨時間之消逝 而上昇。虽上述之逆向偏壓電壓，於有一導通電壓供應至其第η 條之第二閘極線GL2n時，因上述供應至其第（η-1)條之第-閘極 線GLln-1，而供應至其連接至第η條之第一閘極線GUn的單元驅 動益⑽之轉薄膜電晶體T2時，其驅域膜電晶體之臨界 電壓Vth將會保持固定，而不會隨時間之消逝而上昇。
參照第12和13圖，當上述__狀態之掃描脈波，供應至其 第（η-I)條之第一問極線⑽一！時，其連接至帛⑹）條之第一問 極線GLln-1的單元驅動器⑽之切換薄膜電晶體Ή將會被導通。 當其切換薄膜電晶體T1被導通時，—供應至其f料線见之資料 信號’係使供應至其單元鶴器⑽之第―節點m。接著，其單 X驅動益160之驅動薄膜電晶體T2，將會被此供應至其第一節點 Ν1之貝料仏鱗通，藉以將一對應於一供應其供應電壓卿之來 源所出的資料信號之電流！，供應至其第一參考賴卿，以及 因而產生一對應於其EL單元狐所出之電流j的光波。 此外’上述之導通脈波，係供應至其第η條之第二間極線 GL2—η而使其不會與上述供應至其第㈣條之第一間極線⑴Μ 和第η條之第i極線GLln的H勝狀態之掃描脈波相重疊。當 上述之導通脈波供應至其第n條之第二間極線_時，上述連接 至其第㈣條之第-間極線GLllH和第n條之第—間極細 29 200533237 之偏壓開關sw將會被導通。當此偏墨開關sw被導通時，一供應 至其第（n—D條之第一間極線GLln-l的切斷電壓，將會經由此偏 壓開關SW，而供應至其連接至第n條之第一間極線㈣的單元驅 動器160之第一節點N1。由於該切斷電壓係低於其第一參考電壓 VSS卜有-逆向麵會供應至其單元驅肺⑽之驅動薄膜 電晶體T2的源極端子和閘極端子。當上述之逆向偏壓電壓供應至 其單元驅動n⑽之驅麟膜電晶體了2時，其驅麟膜電晶體T2 之臨界電壓Vth，將會保持固定，而不會隨時間之消逝而上昇。 φ 因此，當有一導通脈波供應至其第n條之第二閘極線乩％ 時，會有一逆向偏壓電壓-Vgs供應至其連接至第n條之第一閘極 線GLln的單元驅動器160之驅動薄膜電晶體Τ2的源極端子和閘 極端子，藉以使其驅動薄膜電晶體Τ2之臨界電壓vth，避免隨時 間之消逝而增加。因此，此依據本發明之一實施例的EL顯示裝置， · 縱使是時間消逝，將會以一希望之亮度來顯示影像。 第14圖係一可例示一依據本發明之又一實施例的電致發光顯 馨 示裝置之一像素的明細電路圖。在第14圖中，其一此顯示裝置， 係包括多個排列在一些由其閘極線GLn-1、GLn、和GLn+Ι與資料 線DL間之交點處所界定的像素區域中之像素ία。雖然僅顯示三 條閘極線GLn-1、GLn、和GLn+Ι、一條資料線DL、和三個像素164， 其EL顯示裝置，係可能包括更多之閘極線、資料線、和像素，而 使此等像素164排列成一矩陣狀之方式。此外，每一像素164係 30 200533237 包括：一 EL單元〇EL、一單元驅動器162、和一偏壓開關sw。其 EL單元0EL係包括：一在連接上可接收一供應電壓漏之陽極， 和一連接至其單元驅動器162之陰極。 其單元驅動器162係包括··一切換薄膜電晶體以、一驅動薄 膜電晶體T2、和一儲存電容器Cst。其儲存電容器Cst，係使連接 至一可供應其第二參考電壓VSS2之來源，以及至其第一節點N1。 特言之，其切換薄膜電晶體T1係包括：一連接至一對應之閘極線 GLn-：l、GLn、和GLn+Ι的閘極端子、一連接至其對應之資料線况 # 的源極端子、和一連接至其第一節點N1之汲極端子。其驅動薄膜 電晶體T2係包括：-連接至其第—節點N1之閘極端子、一連接 至-可供應其第-參考電壓VSS1之來源的源極端子、和一連接至 售 其EL單元0EL之汲極端子。 此外，其可供應一逆向電壓給其連接至第（n+1)條之閘極線 GLn+1的單元驅動器162之偏壓開關SW係具有：一連接至其第（n—d 條之閘極線GLn-1的閘極端子、—連接至其第n條之閘極線— _ 的源極端子、和-連接至其連接至第（n+1)條之閘極線.+1的單 疋驅動器162之第一節點N1的沒極端子。結果，其偏壓開關SW， 並不會接收到來自—額外之外在來源的逆向電壓。 此外，一些掃描脈波可如第7圖中所示，使依序供應至其閘 極線GLn-1、GLn、和GLn+1。特言之，當上述HIGH—狀態之掃描脈 波供應至其第(n—1)條之閘極線GLn—l時，其連接至第(η—工)條 31 200533237 之閘極線GLn-1的單元驅動器162之切換薄膜電晶體τι將會被導 通。當其切換薄膜電晶體Τ1被導通時，有一供應至其資料線j)L 之資料信號，將會供應至其單元驅動器162之第一節點N1。接著， 其單元驅動器162之驅動薄膜電晶體T2，將會被其供應至第一節 點N1之資料信號導通，藉以將一對應於一供應其供應電壓vdd之 來源所出的資料信號之電流I，供應至其第一參考電壓yggl，以 及因而產生一對應於其EL單元0EL所出之電流ϊ的光波。 此外，其可供應一逆向電壓給其連接至第（n+1)條之閘極線 GLn+Ι的單元驅動器162之偏壓開關SW，係於有一 HIGH-狀態之掃 描脈波供應至第（η-1)條之閘極線GLn-Ι時被導通。當其偏壓開關 SW被導通時，有一供應至其第η條之閘極線GLn的切斷電壓，將 會供應至其連接至第（n+1)條之閘極線GLn+Ι的單元驅動器162之 第一節點N1。特言之，其切斷電壓係具有一負電壓（例如，_5V)， 以及其第一和第二參考電壓VSS1和VSS2之電壓值，係設定使高 於其切斷電壓之電壓值。因此，當此切斷電壓供應至其第一節點 N1時，會有一逆向偏壓電壓，供應至其驅動薄膜電晶體π，藉以 使其驅動薄膜電晶體T2之臨界電壓Vth，避免隨時間之消逝而增 加。亦即，上述之逆向偏壓電壓，係於上述high_k態之掃描脈波 供應至第（η-1)條之閘極線GLn-Ι時，藉由上述供應至第n條之閘 極線GLn的切斷電壓，而供應至其連接至第（η+1)條之閘極線 GLn+Ι的單元驅動器162之驅動薄膜電晶體Τ2，藉以使其驅動薄 32 200533237 膜電晶體T2之臨界電壓Vth，保持為常數。 第15圖係一可例示一依據本發明之另一實施例的電致發光顯 示裝置之一像素的明細電路圖。在第15圖中，其一 EL顯示裝置， 係包括多個排列在一些由其閘極線GLn-1、GLn、和GLn+Ι與資料 線DL間之交點處所界定的像素區域中之像素168。雖然僅顯示三 條閘極線GLn-1、GLn、和GLn+Ι、一條資料線DL、和三個像素168， 其EL顯示裝置，係可能包括更多之閘極線、資料線、和像素，而 使此等像素168排列成一矩陣狀之方式。此外，每一像素168係 _ 包括：一 EL單元0EL、一單元驅動器166、和一偏壓開關SW。其 EL單元0EL係包括：一在連接上可接收一供應電壓VDD之陽極， 和一連接至其單元驅動器166之陰極。 礞 其單元驅動器166係包括：一切換薄膜電晶體T1、一驅動薄 膜電晶體T2、和一儲存電容器Cst。其儲存電容器Cst，係使連接 至-可供應其第二參考電壓VSS2之來源，以及至其第—節點N1。 特言之，其切換薄膜電晶體T1係包括：一連接至一對應之問極線 · GLn 1、GLn、和GLn+Ι的閘極端子、一連接至其對應之資料線见 的源極端子、和一連接至其第一節點N1之沒極端子。其驅動薄膜 電晶體T2係包括··-連接至其第一節點N1之間極端子、一連接 至-可供應其第-參考電壓VSS1之來源的源極端子、和一連接至 其EL單元0EL之汲極端子。 此外’其可供應一逆向輕給其連接至第om)條之間極線 33 200533237 GLn+1的單元驅動裔162之偏壓開關係具有··一連接至其第（η—工） 條之閘極線GLn-1的源極端子、—連接至其第n條之·線— 的閘極端子、和一連接至其連接至第(n+1)條之閘極線GLn+1的單 元驅動器162之第-節點N1的汲極端子。結果，其偏壓開關， 並不會接收到來自—額外之外在來源的逆向電壓。 此外些掃描脈波可如第7圖中所示，使依序供應至其閘 極線GLn 1、GLn、和GLn+Ι。因此，有-低於其驅動薄膜電晶體 T2之源極端子處的電壓之電壓，係於上述HIGH-狀態之掃描脈& · 供應至第η條之閘極線GLn時，藉由上述供應至第（no條之閘極 線GLn-Ι的切斷電壓，而供應至其連接至第（n+1)條之閘極線 GLn+Ι的單元驅動器166之驅動薄膜電晶體T2的閘極端子。 ♦ 特言之，其可供應一逆向電壓給其連接至第（η+1)條之閘極線 GLn+1的單元驅動器166之偏壓開關SW，可於有一 HIGH-狀態之掃 描脈波供應至其第（n-l)條之閘極線GLn_i時被導通。當其偏壓開 關SW被導通時，有一供應至第（n-1)條之閘極線GLn-1的切斷電 籲 壓，將會供應至其連接至第（n+l)條之閘極線GLn+1的單元驅動器 166之第一節點N1。此外，其切斷電壓係具有一負電壓（例如， -5V) ’以及其第一和第二參考電壓VSSi和VSS2之電壓值，係設 定使高於其切斷電壓之電壓值。因此，當此切斷電壓供應至其第 一節點N1時’會有一逆向偏壓電壓供應至其驅動薄膜電晶體T2， 藉以使其驅動薄膜電晶體Τ2之臨界電壓Vth，避免隨時間之消逝 34 200533237 而增加。結果，其驅動薄膜電晶體T2 u之5品界電壓Vth，係保持為 一常數。 誠如上文所述，在一依據本發明 "月之一貫施例的電致發光顯示 裝置中，會有-低於其驅動薄膜電晶體之源極端子處的電壓之電 壓，定期供應至每w象素處之购_電晶體的閘極端子。若其 驅動薄膜電晶體之_端子，定期財—低於其雜端子處之電 壓的電壓，其驅動賴電晶體之劣化將可使避免。因此，其驅動 薄膜電晶體之臨界電壓，縱使是隨時間之消逝，係保持固定，因 而可避免一影像之劣化。 本技術之專業人員將可明瞭，在不違離本發明之精神或界定 範圍下，本發明之發光顯雜置和其之驅動方法，係可完成 各種修飾和變更。因此，其係意在使本發明涵蓋本發明在所附申 請專利範圍和彼等之等價體的界定範圍内之修飾體和變更形式。 35 200533237 【圖式簡單說明】 第1圖係一可例示一依據其習知技術之主動矩陣型電致發光 顯示裝置的示意方塊圖； 第2圖係-可例不第1圖中所顯示之電致發光顯示裝置的一 個像素之明細電路圖； 第3A和3B圖係-些可例示非晶石夕之原子排列的簡圖； 第4圖係-可例TF第2圖巾所顯示之像素的驅麟膜電晶體 之劣化的曲線圖； 第5圖係-可例不-依據本發明之實施例的電致發光顯示裝 置之示意方塊圖； 第6圖係一可例示第5圖中所顯示之電致發光顯示裝置的一 個像素之明細電路圖； 第7圖係一可例示一些供應至第5圖中所顯示之電致發光顯 示裝置的閘極線之掃描脈波的曲線圖； 第8圖係一可例示一依據本發明之另一實施例的電致發光顯 示裝置之示意方塊圖； 第9圖係一可例示第8圖中所顯示之電致發光顯示裝置的一 個像素之明細電路圖； 第10圖係一可例示一些供應至第8圖中所顯示之電致發光顯 示裝置的第一和第二閘極線之掃描脈波和導通脈波的曲線圖； 第11圖係一可例示一逆向偏壓之施加時間的曲線圖； 36 200533237 第12圖係—可 增不-依據本發明之另一實補的電致發光顯 不裝置之—像素的明細電路圖； ^圖係可例不—些供應至第I〗圖巾所顯示之電致發光 、頁示衣置的第-和第二閘轉之掃描脈波和導通脈賴曲線圖； 第14圖係-可例示一依據本發明之又一冑施例的電致發光顯 示裝置之一像素的明細電路圖；以及 第15圖則係一可例示一依據本發明之另一實施例的電致發光 顯示裝置之一像素的明細電路圖。 【主要符號元件說明】 20 EL面板 22 閘極驅動器 24 資料驅動器 28 像素 30 單元驅動器 32 Si-Si化學鍵 120 EL面板 122 閘極驅動器 124 資料驅動器 128 像素 130 單元驅動器 37 200533237 132 單元驅動器 140 EL面板 142 第一閘極驅動器 143 第二閘極驅動器 144 貧料驅動為 148 像素 150 單元驅動器 159 像素 160 單元驅動器 162 單元驅動器 164 像素 166 單元驅動器 168 像素 Cst 儲存電容器 DL 資料線 GL 閘極線 GL1 第一閘極線 GL2 第二閘極線 GND 接地電壓源 N1 第一節點 OEL EL單元 200533237 sw 偏壓開關 τι 切換薄膜電晶體 T2 驅動薄膜電晶體 VDD 供應電壓源 VI 逆向電壓 VSS1 第一參考電壓 VSS2 第二參考電壓

Claims (1)

  1. 200533237 十、申請專利範圍： 1· 一種電致發光顯示裝置，包括： 一具有多個在一些由資料線與閘極線間之交點所界定的像素 區域處之像素的電致發光面板，每一像素係包括·· 一在連接上可接收一供應電壓之電致發光單元； 一可控制流經此電致發光單元之電流量的驅動薄膜電 晶體；以及 連接至此驅動薄膜電晶體之閘極端子的偏壓開關，此 偏壓開關可選擇供應一逆向電壓給其驅動薄膜電晶體。 2·如申請專利範圍第丨項之電致發光顯示裝置，其巾驅動薄膜電 晶體，係具有一連接至其電致發光單元之汲極端子，和—連接 至一第一參考電壓源之源極端子。 3·如申請專纖圍第2項之電致發絲示裝置，其巾每_像素進 一步係包括： -連接至其驅動薄膜電晶體、—對應之資料線、和一對應之 閘極線的切換薄職晶體，此城薄膜電㈣，可於有 掃描脈波供應至其對應之閘極線時，將其對應之資料 線所供應之資料信號，供應給同_像素區域之驅動薄騰 電晶體；以及 200533237 -連接在其驅鱗膜電晶體之閘極端子與—第二參考電壓源 中間的儲存電容器。 4·如申請專利範圍第3項之電致發光顯示裝置，其中第一參考 電壓源和第二參考電壓源，可供應—㈣壓值低於其供應電壓 之電壓值的參考電壓。 5·如申請專利範圍第3項之電致發光顯示裝置，更包括一逆向電 壓源，此逆向電壓源，可供應一電壓值低於其第一和第二參考 電壓源所供應之參考電壓的電壓值之逆向電壓。 6·如申請專利範圍第3項之電致發光顯示裝置，其中連接至一第n 條之閘極線（GLn，η為一整數）的像素有關之偏壓開關係包括： 一連接至其連接至第η條之閘極線(GLn)的像素之驅動薄膜電 晶體的閘極端子之没極端子； 一連接至一逆向電壓源之源極端子，此逆向電壓源，可供庳 上述之逆向電壓；以及 一連接至一第（n-Ι)條之閘極線(GLn-1)的閘極端子。 7.如申請專利範圍第6項之電致發光顯示裝置，其中有關連接至 第η條之閘極線(GLn)的像素之偏壓開關，可於有一掃描脈波供 200533237 應至其第（η-1)條之閘極線(GLn-1)時，將其逆向電壓源所供應 之逆向電壓，供應至其連接至第η條之閘極線(GLn)的像素之驅 動薄膜電晶體的閘極端子。 8.如申請專利範圍第6項之電致發光顯示裝置，其中用以控制其 連接至第η條之閘極線(GLn)的像素之偏壓開關，與其連接至第 (η-1)條之閘極線(GLn-Ι)的像素，係形成在同一像素區域處。 9·如申請專利範圍第3項之電致發光顯示裝置，更包括多個之控 制閘極線，此等控制閘極線之數目，係與其閘極線之數目相等。 螓 10·如申請專利範圍第9項之電致發光顯示裝置，其中有關其連 巷 接至第η條之閘極線(GLn)的像素之偏壓開關係包括： 一連接至其連接至第n條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄 膜電晶體的閘極端子之沒極端子； 6 一連接至一逆向電壓源之源極端子，此逆向電壓源，可供應 上述之逆向電壓；以及 一連接至一第η條之閘極線的閘極端子。 11.如申請專利範圍第1〇項之電致發光顯示裝置，更包括： 一可依序供應一掃描脈波給其閘極線之第一閘極驅動器；以 42 200533237 及 一可依序供應一導通脈波給其控制閘極線之第二閘極驅動 器。 12·如申請專利範圍第11項之電致發光顯示裝置，其中有關連接 至第η條之閘極線(GLn)的像素之偏壓開關，可於其導通脈波 供應至其第（η-1)條之閘極線(GLn-Ι)時，將其逆向電壓源所 供應之逆向電壓，供應至其連接至第n條之閘極線(GLn)的像 素之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 13·如申請專利範圍第12項之電致發光顯示裝置，其中供應至第 η條之閘極線的掃描脈波，並未與其供應至第η條之控制閘極 線的導通脈波相重疊。 14·如申請專利範圍第13項之電致發光顯示裝置，其中供應至第 η條之控制閘極線的導通脈波，係與其供應至第（n-i)條之閘 極線的掃描脈波相重疊。 15·如申請專利範圍第11項之電致發光顯示裝置，其中導通脈波 的脈波寬度，係大於其掃描脈波之脈波寬度。 200533237 16· —種電致發光顯示裝置，包括： 一具有多個在一些由資料線與閘極線間之交點所界定的像素 £域處之像素的電致發光面板，其閘極線係可接收一掃描 脈波和一切斷信號中的一個；以及 一就每一像素而設置之電致發光單元、驅動薄膜電晶體、和 偏壓開關， 就其連接至第η條之閘極線（GLn，η為一整數）的像素而言， 其對應之電致發光單元在連接上，可接收一供應電壓， 其對應之驅動薄膜電晶體，可控制流經其電致發光單元 之電流量，其對應之偏壓開關，可將上述之切斷信號， 選擇供應給其對應之驅動薄膜電晶體。 17·如申請專利範圍第16項之電致發光顯示裝置，其中驅動薄膜 電晶體，係具有一連接至其電致發光單元之汲極端子、一連 接至一第一參考電壓源之源極端子、和一在連接上可接收其 切斷信號之閘極端子。 18.如申請專利範圍第π項之電致發光顯示裝置，更包括—設置 在每一像素處之切換薄膜電晶體和儲存電容器， 就其連接至第η條之閘極線(GLn)的像素而言，其切換薄膜電 晶體，係使連接至其對應之驅動薄膜電晶體、一對應之資料 200533237 線、和第η條之閘極線，而可於其掃描脈波供應至第^條之 間極線(GLn)k ’將一供應至其對應之資料線的資料信號，供 應給其對應之驅動薄膜電晶體，以及其儲存電容器，係使連 接在其對應之驅動薄膜電晶體之閘極端子與一第二參考電壓 源中間。 19.如申請專利範圍第18項之電致發光顯示裝置，其巾第一參考 電壓源和第二參考電壓源，可供應—些龍值低於其供應電 _ 壓之電壓值的參考電壓。 2〇·如申請專利範圍第18項之電致發光顯示裝置，其中切斷信號 · 的電壓值，係低於其第一和第二參考電壓源所供應之參考電 壓的電壓值。 21·如申請專利範圍第16項之電致發光顯示裝置，其中連接至第 _ η條之閘極線(GLn)的像素有關之偏壓開關係包括： 一連接至其連接至第η條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動 薄膜電晶體的閘極端子之汲極端子； 一連接至一第（η-1)條之閘極線(GLn-Ι)的源極端子；以及 一連接至一第（η-2)條之閘極線(GLn-2)的閘極端子。 45 200533237 22.如申請專利範圍第21項之電致發光顯示裝置，其中在其掃描 脈波供應至第（n-2)條之閘極線(GLn-2)時’其連接至第η條 之閘極線(GLn)的像素有關之偏壓開關，可將上述供應至其第 (n-1)條之閘極線(GLn-Ι)的切斷信號，供應給其連接至第η 條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 23·如申請專利範圍第16項之電致發光顯示裝置，其中連接至第 η條之閘極線(GLn)的像素有關之偏壓開關係包括： 鲁 一連接至其連接至第η條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動 薄膜電晶體的閘極端子之汲極端子； 一連接至一苐（n-2)條之閘極線(GLn-2)的源極端子；以及 « 一連接至一第（η-1)條之閘極線(GLn-1)的閘極端子。 24·如申請專利範圍第23項之電致發光顯示裝置，其中在其掃描 脈波供應至第（n-1)條之閘極線(GLn-1)時，其連接至第n條 _ 之閘極線(GLn)的像素有關之偏壓開關，可將上述供應至其第 (n-2)條之閘極線(GLn-2)的切斷信號，供應給其連接至第n 條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 25·如申請專利範圍第16項之電致發光顯示裝置，更包括多個之 控制閘極線，此等控制閘極線之數目，係與其閘極線之數目 46 200533237 相等。 26.如申請專利範圍第25項之電致發光顯示裝置，其中連接至第 η條之閘極線(GLn)的像素有關之偏壓開關係包括： 一連接至其連接至第n條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄 膜電晶體的閘極端子之汲極端子； 一連接至一第η條之閘極線(GLn)的閘極端子；以及 一連接至一第（η-1)條之閘極線(GLn-1)的源極端子。 27·如申請專利範圍第26項之電致發光顯示裝置，更包括： 一可供應其掃描脈波和切斷信號中的一個給其閘極線之第一 閘極驅動器；以及 一可依序供應一導通脈波給其控制閘極線之第二閘極驅動 器。 28. 如申請專利範圍第27項之電致發光顯示裝置，其中在其導通 脈波供應至第η條之控制閘極線時，其連接至第n條之閘極 線(GLn)的像素有關之偏壓開關，可將上述供應至其第hq) 條之閘極線(GLn-Ι)的切斷信號，供應給其連接至第n條之閘 極線(GLn)的像素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 29. 如申請專繼28項之電致發光顯轉置，射供應至 200533237 第η條之控制閘極線的導通脈波，並未與其供應至第（η—ι)條 之閘極線(GLn-1)的掃描脈波和其供應至第n條之閘極線(GLn) 的掃描脈波相重疊。 30·如申請專利範圍第29項之電致發光顯示裝置，其中供應至第 η條之控制閘極線的導通脈波，係與其供應至第（n_2)條之閘 極線(GLn-2)的掃描脈波相重疊。 31·如申请專利範圍第27項之電致發光顯示裝置，其中導通脈波 的脈波寬度，係大於其掃描脈波之脈波寬度。 赛 32·—種可驅動一就每一以矩陣狀方式排列之像素而設置有一驅 動薄膜電晶體的電致發光顯示裝置之方法，其包括以下步驟： 依序供應一掃描脈波給其閘極線； 就其連接至第η條之閘極線（GLn，η為一整數）的像素，在 _ 上述之掃描脈波供應至此第η條的閘極線(GLn)時，供應一 資料信號，給其驅動薄膜電晶體之閘極端子； 基於此資料信號，控制其自—供應電壓源經由其連接至第η 條之閘極線(GLn)的像素有關之電致發光單元而流至其一 參考電壓源的電流；以及 選擇供應-逆向電壓，給其連接至第n條之閘極線(GLn)的像 48 200533237 素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 33.如申請專利範圍第32項之方法，其令在其掃描脈波供應至 第（n-1)條之閘極線(GLn-1)時’其逆向電壓，係供應至其連 接至第η條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄膜電晶體的閘 極端子。 34·如申請專利範圍第32項之方法，更包括：設定其逆向電壓之 _ 電壓值，使低於其參考電壓源所供應之參考電壓的電壓值。 35· —種可驅動一具有第一閘極線、第二閘極線、一些資料線、 -些在由第-閘極線與資料線間之交點所界定的像素區域處 之像素的電致發光顯不裝置之方法，每一像素係包括一電致 發光單元和一驅動薄膜電晶體，其包括以下步驟： 依序供應一掃描脈波給其第一閘極線； 依序供應一導通脈波給其第二閘極線； 就其連接至第η條之第-閘極線（GLln，n為一整數）的 像素，在上述之掃描脈波供應至此第n條之第一問極 線(GLln)時’供應一資料信號給其驅動薄膜電晶體之 閘極端子； 基於此資料信號，控制其自一供應電壓源經由其電致發光 49 200533237 單兀而流至其一參考電壓源之電流；以及 在上述之導ϋ脈波供應至其第n條之第二問極線(GL2n) 時，供應一逆向電壓給其第η條之第-閘極線(GLln) 的驅動薄膜電晶體之閘極端子。 36. 如申請專利範圍第35項之方法，更包括：設定其逆向電壓之 電壓值，使徽其辦賴騎供紅參考電_電麵。 37. 如申請專利範圍第35項之方法，其t供應至第n條之第一閘 極線(GLln)的掃描脈波，並未與其供應至帛n條之第二問極 線(GL2n)的導通脈波相重疊。 38. 如申請專利範圍第37項之方法，其巾供應至第峰之第^ . 極線(GL2n)的掃描脈波，係與其供應至第（n l)條之間極線 (GLn-Ι)的導通脈波相重疊。 φ 39·如申請專利fc圍第35項之方法，更包括：設定其導通脈波之 脈波寬度，使大於其掃描脈波之脈波寬度。 40.如申請專利範圍第35項之方法，更包括：在未施加上述之掃 描脈波時，供應一切斷信號給其第一條閘極線。 50 200533237 41. 如申請專利範圍第40項之方法，其中供應至第n條之第一間 極線(GLln)的像素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子，可於 上述之導通脈波供應至其第n條之第二間極線(GL2n)時，接 收到其供應至第（n- i)條之第一問極線(GL i i)的切斷信 號’而作為一逆向電壓。 42. 如申請專利範圍第41項之方法，更包括設定其切斷電壓之電 孀 壓值，使低於其參考輕源所供應之參考賴的電壓值。 43·如申請專利範圍第41項之方法，其中供應至第n條之第二問 極線(GL2n)所供應的導通脈波，並未與其供應至第&^條之 ’ 第-閘極線(GLln-1)的掃描脈波和其供應至其第η條之第_ - 閘極線(GLln)的掃描脈波相重疊。 44.如申請專利範圍第43項之方法，其中供應至第n條之第二問 極線(GL2n)的導通脈波’係與其供應至—第(η_2)條之第一閘 極線(GLln-2)相重疊。 45· -種可驅動-就每-以矩陣狀方式排列之像素而設置有一驅 動薄膜電晶_電絲絲示裝置之方法，其包括町步驟： 51 200533237 供應一掃描脈波和一切斷信號中的一個給其閘極線； 就一連接至第n條之閘極線（GLn，η為-整數）的像素，在 上述之掃描脈波供應至此第η條的閘極線(GLn)時，供應 一資料信號給其驅動薄膜電晶體之閘極端子； 基於此資料信號，控制其自一供應電壓源經由其連接至第n 條之閘極線(GLn)的像素錢之電致發光單元而流至其 一參考電壓源的電流；以及 選擇供應上述之切斷信號給其連接至第n條之間極線(叫的 # 像素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子。 46·如申請專利範圍第45項之方法，更包括設定其切斷電壓之電 壓值，使低於其參考電壓源所供應之參考電壓的電壓值。 «% 47. 如申請專利範圍第45項之方法，其中供應至第(η_2)條之閘 極線(GLn-2)的切斷電壓，可於上述之掃描脈波供應至其第 · (n-Ι)條之第一閘極線(GLln-1)時，使供應至其連接至第n條 之閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄臈電晶體的閛極端子。 48. 如申請專利範圍第45項之方法’其巾供應至一第（n l)條之 第-閘極線(GLln-1)的切斷龍’可於上述之掃描脈波供應 至一第（n-2)條之閘極線(GLn-2)時，使供應至其連接至第n 52 200533237 條之閘極線(GLn)的像素有關之驅動薄膜電晶體的閘極端子。
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