TW200532006A

TW200532006A - Method of protecting semiconductor wafer and adhesive film for protection of semiconductor wafer

Info

Publication number: TW200532006A
Application number: TW094102438A
Authority: TW
Inventors: Takanobu Koshimizu; Makoto Kataoka; Masafumi Miyakawa; Hideki Fukumoto; Yoshihisa Saimoto
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2004-01-28
Filing date: 2005-01-27
Publication date: 2005-10-01
Also published as: CN1649099A; TWI299891B; CN100477100C; SG113584A1; DE102005003872A1; US7501312B2; KR100696287B1; KR20050077476A; MY138427A; US20050164509A1

Description

200532006 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明關於使用半導體晶圓保護用黏著膜的半導體晶圓之保護方法及用於該保護方法之半導體晶圓保護用黏著 ’ 膜。具體而言，本發明關於把黏著膜黏貼到矽、鎵-砷等半導體晶圓之形成有積體電路側的面（電路形成面或表面），並加工該晶圓的另一面（電路非形成面或背面），接著從該晶圓剝離黏著膜的半導體晶圓之保護方法及用於該保護方 # 法之黏著膜。更詳述之，本發明關於在已進行薄層化的半導體晶片之製造步驟（尤其為背面加工步驟、黏著膜剝離步驟等）中，防止半導體晶圓於輸送過程中之破損，並提高生產性的半導體晶圓之保護方法及用於該保護方法之黏著膜。【先前技術】

近年來，隨著ic卡、攜帶型通訊機器等之普及、或電子儀器之小型化、薄層化之要求的日益增加，而期望半導體晶片的進一步薄層化。過去，半導體晶圓的厚度為3 0 0 μ m 左右，但根據其用途而有要求1 5 0 μ in以下之薄層化。半導體晶片之製造方法一般要經過：在形成有積體電路的半導體晶圓的表面，黏貼半導體晶圓保護用黏著膜的步驟；加工半導體晶圓的背面來進行薄層化的步驟；剝離半導體晶圓保護用黏著膜的步驟；以及對半導體晶圓進行切割加工的步驟。尤其在進行薄層化使厚為1 5 0 μ m以下之情況下，首先，根據以往施行的磨削加工進行薄層化至 6 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 200532006 2 0 0〜1 5 0 μ m左右，接著根據研磨加工、化學钱刻加工等而進行進一步的薄層化。但是，經薄層化的半導體晶圓，因剛性降低，而使半導體晶圓的彎曲變形更加顯著，成為製造上之問題。通常， ^ 在對半導體晶片進行薄層化的步驟中，半導體晶圓係由機器人從專用箱中逐片取出，並固定到加工機械内之被稱為卡盤台（chucktable)的夾具上，實施背面加工。背面加工後之晶圓再次由機器人收納到專用箱或輸送到下一步驟。 • 此時，如果晶圓的彎曲大，則將導致晶圓破損，並且無法由機器人輸送等原因而使步驟停止。又，在半導體晶圓保護用黏著膜的剝離步驟中，把晶圓固定到剝離機械内的卡盤台上時，有時因不適當之平整化而發生晶圓破損等重大問題。

此類彎曲被認為是由於黏貼在晶圓表面的半導體晶圓保護用黏著膜的殘留應力和附加設置在晶圓表面的積體電路保護膜的殘留應力而產生。半導體晶圓保護用黏著膜的殘留應力係在半導體晶圓表面黏貼黏著膜時，由施加到該黏著膜上的張力而產生。一般來講，使用容易伸展的軟質基材膜之半導體晶圓保護用黏著膜，殘留應力大，容易產生半導體晶圓的彎曲。另一方面，電路保護膜的殘留應力以聚醯亞胺系保護膜最為顯著。尤其於聚醯亞胺系保護膜較厚時，對半導體晶圓進行薄層化時，會因該聚醯亞胺系保護膜的殘留應力而使晶圓的彎曲加大。其結果導致晶圓破損及無法由機器人 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438

200532006 輸送等，及發生步驟停止等重大障礙。【發明内容】 (發明所欲解決之問題）本發明之目的係鑒於上述問題而提供一種即使將半體晶圓薄層化至厚度1 5 0 μ m以下時，也能夠矯正半導圓的彎曲，防止晶圓輸送時破損之半導體晶圓之保護及用於該保護方法中之黏著膜。 (解決問題之手段）本發明者進行潛心研究，結果發現透過對黏貼有半晶圓保護用黏著膜的半導體晶圓進行加熱，即可解決課題，並完成本發明。亦即，本發明的第一發明係半導體晶圓加工步驟中導體晶圓之保護方法，其中，包含有：將在基材膜的形成有黏著劑層之半導體晶圓保護用黏著膜，黏貼到體晶圓的電路形成面之第一步驟；對黏貼有該半導體保護用黏著膜的半導體晶圓進行加熱之第二步驟；將有該半導體晶圓保護用黏著膜的半導體晶圓固定在磨或研磨機上，並加工半導體晶圓電路非形成面之第三驟，以及從半導體晶圓剝離半導體晶圓保護用黏者膜四步驟。就緩和半導體晶圓保護用黏著膜在黏著時的應力之面而言，以上述基材膜至少含有1層在120 °C下負重後的殘留應力率為0 . 5 %以下的樹脂層為佳。另外，就半導體晶圓保護用黏著膜在黏著時的應力之方面而言 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 8 導體晶方法導體上述之半單面半導晶圓黏貼削機步之第方 30秒緩和，進 200532006 一步以上述在1 2 0 °C下負重3 0秒後的殘留應力率為0 . 5 % 以下的樹脂層，在J I S K 6 7 3 0所規定之1 9 0 °C下的熔體流動指數（MFR)之值為15〜2 0 0 g/10分為佳。此外，上述基材膜含有在2 3〜2 0 0 °C下的貯藏彈性率為1 xlO7〜lxl (^Pa範圍的支撐樹脂層之事項，係因可平整支撐薄層化至厚度1 5 Ο μ m以下的晶圓，故佳。

根據本發明的半導體晶圓保護方法，即使在將由保護膜保護的積體電路之晶圓，磨削至厚度1 5 Ο μ m以下的情況，也可緩和在半導體晶圓的積體電路形成面^在黏貼半導體晶圓保護用黏著膜時之由基材膜伸長所造成的應力，並可矯正、防止由半導體晶圓的電路保護膜之殘留應力所引起的晶圓彎曲，以防止晶圓破損。本發明的第二發明係一種半導體晶圓保護用黏著膜，係在基材膜的單面形成有黏著劑層之半導體晶圓保護用黏著膜，其特徵在於該基材膜至少含有1層在1 2 0 °C下負重3 0 秒後的殘留應力率為0. 5 %以下的樹脂層。就緩和半導體晶圓保護用黏著膜在黏著時的應力之方面而言，以上述基材膜在1 2 0 °C下負重3 0秒後的殘留應力率為0 . 5 %以下的樹脂層，在J I S K 6 7 3 0所規定之1 9 0 °C下的熔體流動指數（MFR)之值為15〜2 0 0 g/10分為佳。上述基材膜含有在2 3〜2 0 0 °C下的貯藏彈性率為1 X 1 0 7〜1 X 1 0 1 ° P a範圍的支撐樹脂層之事項，係因具有可平整支撐薄層化至厚度1 5 Ο μ m以下的晶圓之效果，故佳。【實施方式】 9 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438

,200532006 以下詳細說明本發明。首先，說明使用於本發明之半導體晶圓之保護方法導體晶圓保護用黏著膜。本發明之半導體晶圓保護用膜係透過在基材膜的一表面上形成黏著劑層而製造。常，為了保護黏著劑層，在黏著劑層的表面黏貼有剝离考慮到要經由剝離剝離膜時所露出之黏著劑層的表面黏貼到半導體晶圓表面，而為了防止黏著劑層引起之體晶圓表面的污染，以在剝離膜的一面塗佈黏著劑塗液，並乾燥形成黏著劑層後，把得到的黏著劑層轉貼材膜的一面之方法為佳。基材膜係以至少含有1層在1 2 0 °C下負重3 0秒後的應力率為0 · 5 %以下（更佳為0 · 1 %以下）的樹脂層。本專利之要點在於：把第一步驟中黏貼黏著膜時由膜和半導體晶圓所產生的應力，透過在加熱步驟中對膜和半導體晶圓進行加熱，以求得應力之緩和。在樹的殘留應力率過大之情況下，則無法充分端正由半導圓之電路保護膜的殘留應力所引起產生的晶圓彎曲。在1 2 0 °C下負重3 0秒後的殘留應力率0 . 5 %以下的名層，以J I S K 6 7 3 0所規定之在1 9 0 °C下之熔體流動指數值為1 5〜2 0 0 g / 1 0分為佳，更佳為3 0〜1 0 0 g / 1 0分。亦熔融混合形成熔體流動指數高的樹脂，且外觀上熔體指數滿足上述範圍的樹脂。在樹脂的熔體流動指數過情況下，則有由半導體晶圓之電路保護膜的殘留應力起產生之晶圓彎曲的矯正並不充分之情形。另一方面 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 10 的半黏著通 i膜。，以半導佈到基殘留黏著黏著脂層體晶 ί脂 (MFR) 可為流動小之所引，在 200532006 溶體流動指數過大之情況下，則在加熱步驟中加熱半導體晶圓時，從樹脂層側面流出熔融樹脂，而有使半導體晶圓和加熱夾具黏合固定之虞。在1 2 0 °C下負重3 0秒後的殘留應力率0 . 5 %以下的樹脂 ' 層係因亦有在背面加工時防止晶圓破損的作用，因此以根據晶圓的表面段差、有無突起電極等情况選擇適當的厚度為佳。該樹脂層之厚度以2 0 μ m〜3 0 0 μ m左右為佳。更以 5 0 μ m〜3 0 0 μ m為佳。如果厚度過薄，則黏著膜對晶圓表面上 φ 的突起狀物不能充分貼合，而導致對突起狀物之密合性不充分，在磨削晶圓背面時，對應於突起狀物的晶圓背面會產生凹陷。如果厚度過厚，則黏著膜的製作變得困難，將影響生產性而導致製造成本增加。作為在1 2 0 °C下負重3 0秒後的殘留應力率0 . 5 %以下的樹脂，可舉出有乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物、乙烯-丙烯酸烷基酯共聚合物（烷基的碳數為1〜4 )、乙烯-α -烯烴共聚合物、丙稀-α-稀烴共聚合物。

作為乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物，可例舉有三井杜邦股份有限公司製造的愛八弗雷克斯（註冊商標）Ε 4 2 0、同 EV150、同V5773W，作為乙烯-丙烯酸烷基酯共聚合物，可例舉有三井杜邦股份有限公司製造的EVAF LEX-ΕΕΑ(註冊商標），作為乙烯-α -烯烴共聚合物，可例舉有三井化學股份有限公司製造的它弗瑪（註冊商標）等市售商品。該等樹脂層可使用Τ模擠壓成形、吹塑擠壓成形等方法製膜。當熔體流動指數高時，從樹脂與擠壓裝置的特性， 11 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438

200532006 進行對擠壓成形時的溫度之最佳化。亦即，把體流動指數的溫度依存性，並選擇適合裝置的 'vj™ 〇基材膜以具有在2 3〜2 0 Ot下之貯藏彈性率為 * 1 0 1 ° P a (更佳為1 X 1 0 8〜1 X 1 0 1 ° P a )的支撐樹脂層3 該支撐樹脂層的厚度以1 0〜2 Ο Ο μ m為佳，更i 為佳。如果支撐樹脂層的厚度過薄，則對半導削後的黏著膜的支撐將不夠充分，而使半導體 φ 曲、彎度增加。因此，輸送半導體晶圓時，產等現象，而成為晶圓破裂的原因。如果厚度過膜黏貼對半導體晶圓黏貼時的切割及從半導體著膜時將變得困難，影響生產性而導致製造成作為支撐樹脂層，可例舉有：由聚對苯二甲聚萘二酸乙二酯等聚酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮聚乙烯、聚丙烯或該等之混合樹脂所成形之樹代表性之市售商品，可例舉有聚萘二酸乙二酯製，商品名：天歐奈克斯）、聚醯亞胺（鐘淵化商品名：亞匹卡爾）等膜。形成半導體晶圓保護用黏著膜之黏著劑層的因在半導體晶圓之電路形成面上黏貼半導體晶著膜之第一步驟之後，加熱半導體晶圓，故以左右的加熱溫度，亦具有作為黏著劑的充分性具體而言，可例舉出丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑層的厚度以3〜1 Ο Ο μ m為佳。黏著劑層以 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 12 握樹脂的熔擠壓溫度即丨 lxlO7〜lx ^佳。乂 1 0 〜1 Ο Ο μ in 體晶圓在磨晶圓的彎生吸附不良厚，則黏著晶圓剝離黏本增加。酸乙二酯、、聚醚砜、脂層。作為 (帝人（股）學（股）製，黏著劑係圓保護用黏在如1 2 0 °C 能者為佳。黏著劑等。把半導體晶 200532006 圓保護用黏著膜從晶圓之電路形成面（以下稱為表面）剝離後，不發生由半導體晶圓表面之殘糊等所造成之污染。黏著劑層特別在經過在半導體晶圓之電路形成面上黏貼半導體晶圓保護用黏著膜後之加熱步驟，也不會使黏著 * 力過大，並且不增加半導體晶圓表面的污染，以藉由具有反應性官能基的交聯劑、過氧化物、放射線等所可進行高密度交聯者為佳。進而在半導體晶圓之電路形成面上黏貼半導體晶圓保護用黏著膜後，即使在溫度1 5 0 °C以上之條 φ 件下進行加熱處理之情況下，也不會產生黏著力上升而引起剝離不良，且不發生殘糊，故佳。因此，黏著劑層係以在1 5 (TC的貯藏彈性率至少為1 X 1 0 5 P a為佳。貯藏彈性率越高越好，但通常其上限為lxl08Pa左右。作為形成具有上述特性的黏著劑層之方法，可例示出使用丙烯酸系黏著劑之方法。黏著劑層係屬於分別含有特定量之（曱基）丙烯酸烷基酯單體單位、具有可與交聯劑反應之官能基的單體單位、及二官能性單體單位的乳化聚合共

聚合物之丙烯酸系黏著劑，以及為了提高凝集力或調節黏著力，而藉由使用含有在一個分子中具有兩個以上官能基之交聯劑的溶液或乳液所形成。以溶液形態使用時，透過鹽析等把丙烯酸系黏著劑從由乳化聚合所獲得的乳液分離後，用溶劑等進行再溶解而使用之。丙烯酸系黏著劑由於分子量夠大、對溶劑的溶解性低、或不溶解的情況多，故即使從成本角度考慮，亦以直接使用乳液為佳。用於本發明之丙烯酸系黏著劑可列舉出：作為以丙烯酸 13 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 200532006 烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、或該等之混合物為主要單體 (以下稱為單體（A ))，將含有具有能與交聯劑進行反應的官能基之共聚合單體的單體混合物進行共聚合而獲得者。

單體（A)可列舉出具有碳數1〜12左右之烷基之丙烯酸烷基酯、或曱基丙烯酸烷基酯[以下，將其統稱為（曱基）丙烯酸烷基酯]。而以具有碳數1〜8左右之烷基的（甲基）丙烯酸烷基酯為佳。具體而言，可列舉出丙烯酸曱酯、曱基丙烯酸曱醋、丙烯酸乙酯、曱基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、曱基丙烯酸丁酯、2 -乙基己基丙烯酸酯等。該等可單獨使用，亦可混合兩種以上使用。單體（A )之使用量係在作為黏著劑原料的全部單體總量中，通常以含量在1 0〜9 8. 9重量％之範圍内為佳，更以8 5〜9 5重量％為佳。藉由使單體（A )之使用量在此範圍内，則可獲得含有（曱基）丙烯酸烷基酯單體單位（A ) 1 0〜9 8 . 9重量％ (更佳為8 5〜9 5重量％ )的聚合物。作為形成具有能夠與交聯劑反應之官能基的單體單位 (B)之單體（B)，可列舉出：丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、中康酸、檸康酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸、衣康酸單烷基酯、中康酸單烧基酯、檸康酸單烧基酯、反丁烤二酸單烧基S旨、順丁烤二酸單烧基醋、丙稀酸縮水甘油、甲基丙烯酸縮水甘油酯、2 _羥基乙基丙烯酸酯、2 -羥基乙基曱基丙烯酸酯、丙烯酸醯胺、曱基丙烯酸醯胺、第三丁基胺基乙基丙烯酸酯、第三丁基胺基乙基甲基丙烯酸酯等。以丙烯酸、曱基丙烯酸、2 -羥基乙基丙烯酸酯、2 -羥基乙基曱基丙烯酸酯、丙烯酸醯胺、曱基丙烯酸醯胺等。可將該 14 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 200532006 等之一種與上述主要單體進行共聚合，也可以共聚合兩種以上。具有能夠與交聯劑反應之官能基的單體（B )使用量在作為黏著劑原料之全部單體總量中，通常以含量為1〜4 0 ‘ 重量％之範圍為佳，更以1〜1 0重量％為佳。從而獲得具有與 ^ 單體組成幾乎相等之組成的構成單位（B)之聚合物。黏著劑層係以更進一步將黏著力或剝離性調節至即使在半導體晶圓的背面加工、以及在半導體晶圓之電路形成面上黏貼半導體晶圓保護用黏著膜後之加熱步驟時等的溫 φ 度條件下，亦可充分發揮作為黏著劑的性能為佳。其對策係為了維持乳液粒子的凝集力，以考慮多數粒子的交聯方式為佳。乳液粒子係以為了即使在1 5 0〜2 0 0 °C之溫度條件下，亦有貯藏彈性率為lxl 05Pa以上，透過共聚合二官能性單體

(C )而維持凝集力之方式，改良交聯方式。作為良好地共聚合之單體，可列舉出曱基丙烯酸稀丙酯、丙稀酸稀丙酯、二乙烯苯、曱基丙烯酸乙烯酯、丙烯酸乙烯酯，或例如兩末端為二丙烯酸酯或二曱基丙烯酸酯之主鏈構造為丙二醇型（日本油脂（股）製，商品名：PDP-200、同PDP-400、同 ADP-200、同ADP-400)、四曱基乙二醇型（日本油脂（股）製，商品名：A D T - 2 5 0、同A D T - 8 5 0 )以及該等之混合型（日本油脂（股）製，商品名：ADET- 1 8 0 0、同ADPT- 4 0 0 0 )者等。對二官能性單體（C )進行乳化共聚合時，其使用量在全部單體中以含有0 . 1〜3 0重量％為佳。更佳為0 . 1〜5重量°/〇。從而獲得具有與單體組成幾乎相等之組成的構成單位（C) 15 326\專利說明書(補件)\94·05\94102438

200532006 之聚合物。除了構成上述黏著劑的主要單體及具有能夠與交反應之官能基的共聚合單體外，還可以共聚合具有性劑性質之特定共聚合單體（以下稱為聚合性界面劑）。聚合性界面活性劑係具有與主要單體及共聚合行共聚合之性質，同時在進行乳化聚合時還具有乳作用。在使用了採用聚合性界面活性劑進行乳化聚的丙稀酸系黏著劑時，通常不會產生由界面活性劑之對於半導體晶圓表面之污染。又，即使在產生起著劑層之些許污染之情況下，亦可透過對半導體晶進行水洗而輕易去除。作為此類聚合性界面活性劑的例子，可例舉出：乙烯壬基苯基醚的苯環中，導入聚合性之1_丙烯基一工業製藥（股）製，商品名：亞庫龍RN-10、同RN-RN-30、同RN-50等）；在聚氧乙烯壬基苯基醚之硫銨鹽的苯環中，導入聚合性之1 -丙烯基者（第一工 (股）製，商品名：亞庫龍H S - 1 0、同H S - 2 0等）；以子内具有聚合性雙鍵之磺基琥珀酸二酯系（花王（股品名：拉天母爾S - 120Α、同S-180A等）等。亦可進據需要，共聚合醋酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等具性雙鍵之單體。作為丙烯酸系黏著劑之聚合反應機構，可以舉出聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等。若考慮黏著劑成本、單體之官能基的影響及對半導體晶圓表面之 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 16 聯劑界面活 "生單體進化劑之合而成所引起因於黏圓表面在聚氧者（第 -20、同酸醋之業製藥及在分 )製，商一步根有聚合自由基的製造離子的 200532006 影響等的話，以藉由自由基聚合進行聚合為佳。藉由自由基聚合反應進行聚合時，作為自由基聚合起始劑，可以舉出過氧化苯曱醯、過氧化乙醯、過氧化異丁醯、過氧化辛醯、過氧化二第三丁基、過氧化二第三戊基等有機過氧化物；過硫酸銨、過硫酸鉀、過硫酸鈉等無機過氧化物；2, 2 ’ - 偶氮雙異丁腈、2, 2’ -偶氮雙-2_曱基丁腈、4,4’ -偶氮雙 -4 -氰基戊酸等偶氮化合物。

在由乳化聚合法進行聚合時，在該等自由基聚合起始劑中，以水溶性的過硫酸銨、過硫酸鉀、過硫酸鈉等無機過氧化物；同樣為水溶性的4，4 ’ -偶氮雙_ 4 _氰基戊酸等在分子内具有羧基的偶氮化合物為佳。若考慮對半導體晶圓表面之離子的影響的話，則進一步以過硫酸銨、4，4 ’ -偶氮雙-4-氰基戊酸等在分子内具有羧基之偶氮化合物為佳。尤其以4, 4’ -偶氮雙-4 -氰基戊酸等在分子内具有羧基的偶氮化合物為特佳。用於本發明之在一個分子中具有兩個以上交聯性之官能基的交聯劑，與具有丙烯酸系黏著劑之官能基進行反應，使用作為調節黏著力和凝集力之用。交聯劑可例舉出：山梨糖醇聚縮水甘油喊、聚甘油聚縮水甘油鍵、季戊四醇聚縮水甘油、二甘油聚縮水甘油醚、甘油聚縮水甘油、新戊二醇二縮水甘油醚、間苯二酚二縮水甘油醚等環氧系化合物；四亞曱基二異氰酸酯、六亞曱基二異氰酸酯、三羥曱基丙烷之曱苯二異氰酸酯三次加成物、聚異氰酸酯等異氰酸酯系化合物；三羥甲基丙烷-三-/5 -氮丙啶基 17 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 200532006 (aziridinyl)丙酸酯、四經曱基甲烧-三-y3 -氮丙咬基丙酸酯、Ν, Ν’ -二苯基曱烷- 4,4’ -雙（1-氮丙啶羧基醯胺）、 Ν，Ν’ _六亞曱基-1，6_雙（1-氮丙啶羧基醯胺）、Ν，Ν’ -曱苯 -2,4 -雙（1-氮丙啶羧基醯胺）、三羥曱基丙烷-三- yS-(2-曱基氮丙啶）丙酸酯等氮丙啶系化合物；N , N，N ’ ，N ’ -四縮水甘油基間二曱苯二胺、1，3 -雙（N，N ’ -二縮水甘油基胺基

曱基）環己烷之四官能性環氧系化合物及六曱氧基羥曱基三聚氰胺等三聚氰胺系化合物。該等可以單獨使用，也可以混合使用兩種以上。交聯劑的含量通常以交聯劑中的官能基數在不多於丙烯酸系黏著劑中的官能基數的程度範圍内為佳。但是，在交聯反應中生成新的官能基或交聯反應慢等情況下，也可以根據需要過量含有。較佳之含量係相對於丙烯酸系黏著劑1 0 0重量份，交聯劑為0 . 1〜1 5重量份。如果含量過少，則黏著劑層的凝集力不充分，在1 5 0〜2 0 0 °C下，彈性率將變得未滿1 X 1 0 5 P a，而耐熱特性降低。因此，容易產生起因於黏著劑層之殘糊現象，或黏著力增大，從半導體晶圓表面剝離保護用黏著膜時，自動剝離機將產生剝離障礙，亦或使半導體晶圓破損。如果含量過多，則黏著劑層與半導體晶圓表面的密接力減弱，在半導體晶圓背面磨削步驟中，研磨屑將侵入到半導體晶圓表面與黏著劑層之間，而使半導體晶圓破損，或污染半導體晶圓表面。用於本發明之黏著劑塗佈液中，除了共聚合上述特定的二官能性單體之丙烯酸系黏著劑及交聯劑之外，亦可在不 18 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 200532006 影響本發明之目的之條件下，適當添加用於調節黏著特性的松香系、萜烤樹脂系等增黏劑、各種界面活性劑等。又，當塗佈液為乳液時，可以在不影響本發明之目的之條件下，適當添加二乙二醇單烷基醚等成膜輔助劑。使用作為成膜輔助劑之二乙二醇單烧基醚及其衍生物係大量存在於黏著劑層中時，會污染半導體晶圓表面至無法洗淨的程度。因此，以使用在黏著劑塗佈液之乾燥溫度下，具有揮發性質之物質，以大幅降低黏著劑層中的殘留量。

本發明之半導體晶圓保護用黏著膜的黏著力係可根據半導體晶圓的加工條件、半導體晶圓的直徑、背面磨削後之半導體晶圓的厚度等而適當調節。如果黏著力過低，則對半導體晶圓表面的保護用黏著膜的黏貼將變得困難，或由保護用黏著膜的保護性能不充分，使半導體晶圓破損，或在半導體晶圓表面產生由磨削屑等所引起之污染。又，如果黏著力過南^則在實施半導體晶圓的背面加工後’從半導體晶圓表面剝離保護用黏著膜時，自動剝離機將產生剝離障礙等，導致剝離操作性降低，或使半導體晶圓破損。通常換算成相對於SUS304-BA板的黏著力，以5〜500g/25mm 為佳，更以10〜300g/25mm為佳。作為在基材膜或剝離膜的一表面塗佈黏著劑塗佈液的方法，可以採用以往公知的塗佈方法，例如輥塗法、逆塗法、照相凹版塗佈法、棒塗法、點塗法、模塗法等。對塗佈後的黏著劑的乾燥條件，並無特別限制，一般以在 8 0〜2 0 0 °C的溫度範圍内乾燥1 0秒〜1 0分鐘為佳。更以在 19 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438

200532006 8 0〜1 7 0 °C下乾燥1 5秒〜5分鐘為佳。為了充分促進交與黏著劑的交聯反應，也可以在黏著劑塗佈液的乾燥後，將保護黏著膜在4 0〜8 0 °C下乾燥5〜3 0 0小時左右本發明之半導體晶圓保護用黏著膜之製造方法係如所述，但從防止半導體晶圓表面污染的角度考慮，則材膜、剝離膜、黏著劑主劑等所有原料材料的製造環黏著劑塗佈液的調製、保存、塗佈及乾燥環境，係以美國聯邦標準2 0 9 b中所規定的1，0 0 0級以下的潔淨).

佳。能夠適用於本發明之半導體晶圓保護方法之半導體圓之加工方法，係具備依序實施在半導體晶圓表面黏導體晶圓保護用黏著膜的步驟、以及加工半導體晶圓路非形成面的步驟，接著具備剝離該保護用黏著膜的驟。對其以後的步驟並沒有特別限制，例如可以依序剝離半導體晶圓保護用黏著膜的步驟、分割切斷半導圓的切割步驟、為了從外部保護半導體晶圓而用樹脂的模塑步驟等。本發明之半導體晶圓保護方法係在半導體晶圓表面貼半導體晶圓保護用黏著膜的第一步驟後，實施加熱有半導體晶圓保護用黏著膜的半導體晶圓的第二步驟熱溫度係以7 0 °C〜2 0 0 °C為佳，更以1 0 0〜1 8 0 °C為佳。時間係以5秒以上為佳，更以1 0秒以上為佳。接著，加工半導體晶圓背面的第三步驟，實施從半導體晶圓半導體晶圓保護用黏著膜的第四步驟。作為第一步驟 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 20 聯劑結束〇上在基境，維持 I為晶貼半之電步實施體晶封裝黏黏貼〇加加熱實施剝離中黏 200532006 貼到半導體晶圓之電路形成面的半導體晶圓保護用黏著膜，以使用上述半導體晶圓保護用黏著膜為佳。本發明之半導體晶圓保護方法的較佳態樣係首先從半導體晶圓保護用黏著膜（以下簡稱為保護用黏著膜）之黏著 * 劑層側剝離掉剝離膜，使黏著劑層表面露出，透過該黏著劑層，在半導體晶圓表面黏貼保護用黏著膜（第一步驟）。將黏貼有該半導體晶圓保護用黏著膜的半導體晶圓在7 0 °C〜2 0 0 °C溫度下，加熱至少5秒以上（第二步驟）。接著， Φ 用背面加工機的卡盤台等透過保護用黏著膜的基材膜層，固定半導體晶圓，加工半導體晶圓背面（第三步驟）。第三步驟係可實施半導體晶圓的背面磨削步驟、濕式蝕刻步驟、及拋光步驟中的全部步驟，亦可實施該等步驟中之任一步驟。接著，剝離保護用黏著膜（第四步驟）。又，根據需要在剝離掉保護用黏著膜後，可對半導體晶圓表面實施水洗、電漿清洗等處理。加熱步驟中作為加熱黏貼有半導體晶圓保護用黏著膜

的半導體晶圓之方法，可列舉出在具備加熱手段的平板上加熱晶圓之方法、藉由具備加熱手段的壓輥邊擠壓邊加熱的方法、對其吹送藉由吹出暖風裝置所產生暖風以進行加熱之方法、用紅外燈照射紅外線而進行加熱之方法等。在先前之背面加工步驟中，半導體晶圓的磨削前厚度為 5 0 0〜1 0 0 0 μ m，配合半導體晶圓的種類等，可磨肖、薄層化至200〜600μπι左右。另一方面，透過適用本發明的保護方法，則可薄層化至厚度1 5 0 μ m以下。此時，半導體晶圓的 21 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438

200532006 最低厚度為20μπι左右。薄至150μιτι以下時，可接著背削，實施濕式蝕刻步驟或拋光步驟。磨削背面前之半晶圓厚度係根據半導體晶圓的直徑、種類等而適當選背面磨削後之半導體晶圓的厚度係根據所得晶圓的尺 ' 電路的種類等而適當選擇。黏貼保護用黏著膜到半導體晶圓表面之操作係可由工進行，但一般由安裝有輥狀保護用黏著膜之稱為自貼機的裝置進行。此類自動黏貼機，可例舉有他卡托利 φ 製造的 ΑΤΜ-1000Β、同 ATM-1100、同 TEAM-100 以及帝機（股）製造的S T L系列等。作為背面磨削方式，採用有直通法（through feed) 入磨法（i n f e e d )等公知的磨削方式。通常，在任一種中，都對半導體晶圓和磨石供給水，一邊進行冷卻一行背面磨削。對晶圓背面進行磨削加工的磨削機，可有蒂思科（股）製造的型號：D F G - 8 4 1、同D F G - 8 5 0、同 DF G - 8 6 0及岡本工作機械製作所（股）製造的型號： SVG- 5 0 2 MK I I 等 ° 背面磨削結束後，配合需要進行濕式蝕刻步驟、拋驟。進行濕式蝕刻步驟及拋光步驟之目的係去除產生導體晶圓背面的應變、使半導體晶圓進一步薄層化、氧化膜等、在背面形成電極時之前處理等。蝕刻液可上述目的而適當選擇。晶圓背面的磨削加工、藥液處理等結束後，從晶圓剝離黏著膜。從晶圓表面剝離黏著膜的操作係可由人 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 22 面磨導體擇，寸、人動黏 (股）國精、切方法邊進例舉光步在半去除配合表面工進 200532006 行，但一般由稱為自動剝離機的裝置進經薄化加工的晶圓被固定在真空卡盤台剝離黏著膜時，可以透過卡盤台加熱黏度係可在5 0〜9 0 °C的溫度範圍内，配合 * 適宜的溫度。又，黏著膜的剝離亦可在等狀態下進行。自動剝離機有他卡托利（股）製造的型同ATRM-2100、日東精機（股）製造的型！ • 帝國精機（股）製造的型號：STP系列等剝離保護用黏著膜後之半導體晶圓表行清洗。清洗方法可以舉出水洗、溶劑電漿清洗等乾式清洗等。濕式清洗時也洗。該等清洗方法可配合半導體晶圓表當選擇。能夠適用本發明半導體晶圓保護方法不侷限於矽晶圓，還可以舉出如鍺、鎵

[實施例] 以下，舉實施例以進一步詳細說明本的全部實施例及比較例中，均在維持美中規定的1，0 0 0級以下的潔淨度之環境佈液的調製及塗佈、黏著膜的黏貼、半磨削以及黏著膜的剝離等。本發明並不例。另外，實施例所示的各種特性值係 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 23 ί亍。自動剝離機中，上，剝離黏著膜。著膜為佳。加熱溫 ί吏用的樹脂而選擇固定於被切割膠帶號：A T R Μ - 2 0 0 0 Β、 t : H R - 8 5 0 0 I I 以及 o 面係配合需要進清洗等濕式清洗、可併用超音波清面的污染狀況而適的半導體晶圓’並 -坤、蘇-破、錄- 發明。在如下所示國聯邦標準2 0 9 b 下，實施黏著劑塗導體矽晶圓的背面限定於該等實施由如下方法測量。 200532006 1 ♦各種特性的測量方法 1 - 1 ·黏著力測量（g / 2 5 m m ) 除下述規定條件外，全依J I S Z 0 2 3 7 - 1 9 9 1中規定的方會法測量。在2 3 °C環境下，把在實施例或比較例中得到的黏 * 著膜，透過該黏著劑層黏貼到2 0 c m X 5 c m長方形的 SUS304-BA板（JIS G4305-1991標準）的表面，把黏著膜切割成相同尺寸，放置6 0分鐘。但是，黏著膜被黏貼成機械方向（以下稱為MD方向）在SUS 3 0 4-BA板的20cm的邊’與 φ 機械方向正交的方向（以下稱為TD方向）在SUS304-BA板的 5 c m的邊。夾住試料的M D方向的一端，以剝離角度1 8 0度、剝離速度3 0 0 m m /分測量從S U S 3 0 4 - Β Α板的表面剝離試料時的應力，換算成25mm寬度。 1 - 2 .貯藏彈性率（P a ) (支撐樹脂層）切斷半導體晶圓保護用黏著膜的基材膜層部分，製作長方形（M D方向：3 0 m m，T D方向·· 1 0 m m )的試料。使用動態黏

彈性測量裝置（雷奥美土立克斯公司製造的型號： R S A - I I )，測量〇〜3 0 0 °C的儲藏彈性率（機械方向）。測量頻率為1 Η z，應變為0 . 0 1〜0 . 1 %。卜3 ·殘留應力製作正方形（MD方向：20mm，TD方向：20mm)的試料，使用動態黏彈性測量裝置（雷奥美土立克斯公司製造的型號：RMS- 8 0 0、完整），測量在1 20 °C下負重後的應力緩和。求出3 0秒後的殘留應力率（％)。 24 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 200532006 卜4 ·熔體流動指數（g / 1 0分鐘）參照J I S Κ 6 7 3 0中規定的方法。測量溫度為1 9 0 °C 。 1 - 5 .半導體晶圓彎曲量的評估

在半導體晶圓表面没有附加設置任何膜等之8英吋矽鏡面晶圓（以下簡稱為晶圓，直徑約2 0 0 m m、厚度7 4 Ο μ m )的表面上，將保護用黏著膜透過其黏著劑層使用手輥黏貼後，使用熱板（雅德凡科技公司製，型號：T P - 3 2 0 )加熱晶圓。冷卻後，使用背面磨削機（蒂思科（股）製，型號：D F G 8 6 0 )，把晶圓背面磨削薄層化至5 Ο μ m的厚度。薄層化後，在晶圓表面貼附有保護用黏著膜的狀態下，把保護用黏著膜黏貼面朝上，並將晶圓放到定板上，測量定板與晶圓背面的最大距離，以作為晶圓彎曲量。對1 0片晶圓進行評估，以其平均值表示。 1 - 6 ·半導體晶圓的破損（片數）表示半導體晶圓背面磨削步驟及保護用黏著膜剝離步驟中之半導體晶圓的破損片數。對1 〇片晶圓進行評估，表示破損片數。 2.保護用黏著膜的製造例 2 - 1 . 基材膜的製造例1 選擇5 Ο μ m的聚萘二酸乙二酯膜（帝人杜邦股份有限公司製造的天歐奈克斯）作為耐熱膜層，把其與在190 °C下熔體流動指數為1 5 0 g / 1 0分的乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物（三井杜邦股份有限公司製造的E V 1 5 0 )膜（厚度1 9 5 μ m )，透過實施電暈放電處理而層合。對形成黏著劑層的乙烯-醋酸乙烯 25 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 200532006 酯共聚合物側，也實施電暈放電處理。製成基材膜整體厚度為2 4 5 μ m的膜1。熔體流動指數為1 5 0 g / 1 0分之E V A的殘留應力率為0 . 0 2 %。 2 - 2 .基材膜的製造例2

選擇5 0 μ m的聚萘二酸乙二酯膜（帝人杜邦股份有限公司製造的天歐奈克斯）作為耐熱膜層，把其與在1 9 0 °C下熔體流動指數為1 5 0 g / 1 0分的乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物（三井杜邦股份有限公司製造的E V 1 5 0 )膜（厚度5 0 μ m )，透過實施電暈放電處理而層合。對形成黏著劑層的乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物側，也實施電暈放電處理。製成基材膜整體厚度為1 0 0 μ m的膜2。熔體流動指數為1 5 0 g / 1 0分之E V A的殘留應力率為0.02%。 2 - 3 .基材膜的製造例3 選擇5 0 μ m的聚萘二酸乙二酯膜（帝人杜邦股份有限公司製造的天歐奈克斯）作為耐熱膜層，把其與在190 °C下熔體流動指數為1 5 g / 1 0分的乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物（三井杜邦股份有限公司製造的E V 2 5 0 )膜（厚度1 9 5 μ m )，透過實施電暈放電處理而層合。對形成黏著劑層的乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物側，也實施電暈放電處理。製成基材膜整體厚度為2 4 5 μ m的膜3。熔體流動指數為1 5 g / 1 0分之E V A的殘留應力率為0 . 2 2 %。 2 - 4 .基材膜的製造例4 選擇5 0 μ m的聚萘二酸乙二酯膜（帝人杜邦股份有限公司製造的天歐奈克斯）作為耐熱膜層，把其與在1 9 0 °C下的熔 26 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 200532006 體流動指數為3 g / 1 0分的乙烯-α -烯烴共聚合物（三井化學股份有限公司製造的它弗瑪（註冊商標）A - 4 0 7 0 )膜（厚度 1 9 5 μ m )，透過實施電暈放電處理而層合。對形成黏著劑層的乙烯-α -烯烴共聚合物側，也實施電暈放電處理。製成 * 基材膜整體厚度為2 4 5 μ m的膜4。熔體流動指數為3 g / 1 0 分的乙烯-α _烯烴共聚合物的殘留應力率為0 . 0 2 %。 2 - 5 .基材膜的比較製造例1 選擇5 Ο μ m的聚萘二酸乙二酯膜（帝人杜邦股份有限公司 φ 製造的天歐奈克斯）作為耐熱膜層，把其與在1 9 0 °C下熔體流動指數為2 . 5 g / 1 0分的乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物（三井杜邦股份有限公司製造的E V 4 6 0 )膜（厚度1 9 5 μ m )，透過實施電暈放電處理而層合。對形成黏著劑層的乙烯-醋酸乙烯酯共聚合物側，也實施電暈放電處理。製成基材膜整體厚度為245μπι的膜5。炼體流動指數為2.5g/10分之EVA的殘留應力率為8%。 2-6.黏著劑主劑的製造例

在聚合反應器中，裝入去離子水1 5 0重量份、作為聚合起始劑的4，4 ’ -偶氮雙-4 -氰基戊酸（大塚化學（股）製，商品名：ACVA)0.625重量份、作為單體（A)的2-乙基己基丙烯酸酯6 2 . 2 5重量份、丙烯酸正丁酯1 8重量份、及曱基丙烯酸曱酯12重量份、作為單體（B)的2 -羥基乙基甲基丙烯酸酯3重量份、曱基丙烯酸2重量份、及丙烯酸醯胺1重量份、作為單體（C )的聚四亞曱基甘油二丙烯酸酯（曰本油脂（股）製，商品名：ADT- 2 5 0 ) 1重量份、作為水溶性共聚 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 27 200532006 合單體之在聚氧乙烯壬基苯基醚（環氧乙烷的加成莫耳數的平均值：約2 0 )的硫酸酯的銨鹽之苯環中導入聚合性1 -丙烯基者（第一工業製藥（股）製，商品名：亞庫龍 H S - 1 0 ) 0 . 7 5重量份，在攪拌下，在7 0〜7 2 °C下進行8小時乳化聚合，獲得丙烯酸系樹脂乳液。將其用9重量％的氨水進行中和（ρΗ = 7.0)，製成固形分42. 5重量％的丙烤酸系黏著劑（黏著劑主劑1 )。 (黏著劑塗佈液1的製造方法）

取1 0 0重量份所得黏著劑主劑乳液，進一步加入9重量 %氨水，調節成P Η 9. 5。接著，添加氮丙ϋ定系交聯劑（曰本觸媒化學工業（股）製，商品名：科密胎特ΡΖ-33)1·6重量份，獲得構成黏著劑層的黏著劑塗佈液1。 2 - 7 .黏著膜的製造實施例1 使用輥塗機把黏著劑塗佈液1塗佈到聚丙烯膜（剝離膜，厚度5〇um)上，在120°C下乾燥2分鐘，設置厚度ΙΟμπι 的黏著劑層。對其黏貼上述基材膜1的電暈放電處理面並擠壓，轉貼黏著劑層。轉貼後，在6 0 °C下加熱4 8小時後，冷卻至室溫，藉此製造半導體晶圓保護用黏著膜1。黏著力為 100g/25mm。 2 - 8 .黏著膜的製造實施例2 使用輥塗機把黏著劑塗佈液1塗佈到聚丙烯膜（剝離膜，厚度5 0 μ m )上，在1 2 (TC下乾燥2分鐘，設置厚度1 0 μ m 的黏著劑層。對其黏貼上述基材膜2的電暈放電處理面並擠壓，轉貼黏著劑層。轉貼後，在6 0 °C下加熱4 8小時後， 28 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 200532006 冷卻至室溫，藉此製造半導體晶圓保護用黏著膜2。黏著力為 90g/25mni。 2-9.黏著膜的製造實施例3 使用輥塗機把黏著劑塗佈液1塗佈到聚丙烯膜（剝離 ^ 膜，厚度5 0 μ m )上，在1 2 0 °C下乾燥2分鐘，設置厚度1 0 μ m 的黏著劑層。對其黏貼上述基材膜3的電暈放電處理面並擠壓，轉貼黏著劑層。轉貼後，在6 0 °C下加熱4 8小時後，冷卻至室溫，藉此製造半導體晶圓保護用黏著膜3。黏著鲁力為 105g/25mm。 2 - 1 0 .黏著膜的製造實施例4 使用輥塗機把黏著劑塗佈液1塗佈到聚丙烯膜（剝離膜，厚度5〇um)上，在120°C下乾燥2分鐘，設置厚度ΙΟμιη 的黏著劑層。對其黏貼上述基材膜4的電暈放電處理面並擠壓，轉貼黏著劑層。轉貼後，在6 0 °C下加熱4 8小時後，冷卻至室溫，藉此製造半導體晶圓保護用黏著膜4。黏著力為 100g/25mm。

2 - 1 1 .黏著膜的比較製造實施例使用輥塗機把黏著劑塗佈液1塗佈到聚丙烯膜（剝離膜，厚度5 0 μ m )上，在1 2 0 °C下乾燥2分鐘，設置厚度1 0 μ m 的黏著劑層。對其黏貼上述基材膜5的電暈放電處理面並擠壓，轉貼黏著劑層。轉貼後，在6 0 °C下加熱4 8小時後，冷卻至室溫，藉此製造半導體晶圓保護用黏著膜5。黏著力為 100g/25mm。 3 - 1 . 實施例1 29 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 200532006

在把半導體晶圓保護用黏著膜1黏貼在1 0片半導體晶圓（鏡（Mirror)晶圓，直徑：8英忖，厚度：750μπι)之整個表面的狀態下，從晶圓背面用設定到7 0 °C的熱板加熱1 0 秒。接著，使用背面磨削機（蒂思科（股）製，型號：D F G 8 6 0 )，把晶圓背面磨削至厚度5 0 μ m。磨削後由機器手臂把磨削後的半導體晶圓收納到能夠收納2 5片晶圓的盒子内。此時沒有發生起因於半導體晶圓的彎曲之半導體晶圓和盒子的干擾所帶來的晶圓破損，以及輸送時的晶圓與機器手臂的吸附不良。表1中把該狀態記載為0K。進而測量磨削後之半導體晶圓的彎曲量，其結果係晶圓的彎曲量在半導體晶圓保護用黏著膜黏貼面方向為 1.9mm。所得結果示於表1。 3 - 2 . 實施例2 除了從晶圓背面在1 8 0 °C下加熱3 0 0秒以外，實施與實施例1同樣的操作。沒有發生收納到盒子時的晶圓破損及輸送不良。背面磨削後的晶圓彎曲量係在半導體晶圓保護用黏著膜黏貼面方向為1 . 1 m m。所得結果示於表1。 3 - 3 . 實施例3 除了使用半導體晶圓保護用黏著膜2，及從晶圓背面在 1 0 0 °C下加熱3 0秒以外，實施與實施例1同樣的操作。沒有發生收納到盒子時的晶圓破損及輸送不良。背面磨削後的晶圓彎曲量在半導體晶圓保護用黏著膜黏貼面方向為 4.6mm。所得結果示於表1。 3 - 4 .實施例4 30 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 200532006

除了使用半導體晶圓保護例3同樣的操作。沒有發生送不良。背面磨削後的晶圓黏著膜黏貼面方向為4 . 5 m m 3 - 5 . 實施例5 除了使用半導體晶圓保護例3同樣的操作。沒有發生送不良。背面磨削後的晶圓鲁黏著膜黏貼面方向為1.5mm 3 - 6 . 比較例1 除了使用半導體晶圓保護例3同樣的操作。其結果係發生晶圓彎曲，因此晶圓與而且，晶圓磨削後，在向盒生對機器手臂之晶圓的吸附量係在半導體晶圓保護用黏得結果示於表1。 3 - 7 . 比較例2 除了使用半導體晶圓保護面的加熱以外，實施與實施納到盒子時，1 0片中有5片子產生干擾，而發生破損。輸送過程中，1 0片中有4片附不良。背面磨削後的晶圓用黏著膜3以外，實施與實施收納到盒子時的晶圓破損及輸彎曲量係在半導體晶圓保護用。所得結果示於表1。用黏著膜4以外，實施與實施收納到盒子時的晶圓破損及輸彎曲量係在半導體晶圓保護用。所得結果示於表1。用黏著膜5以外，實施與實施收納到盒子時，1 0片中有5片盒子產生干擾，而發生破損。子輸送過程中，10片中3片發不良。背面磨削後的晶圓彎曲著膜黏貼面方向為1 2 . 1 m m。所用黏著膜 5，並省略從晶圓背例3同樣的操作。其結果係收發生晶圓彎曲，因此晶圓與盒進而於晶圓磨削後，在向盒子發生了對機器手臂之晶圓的吸彎曲量係在半導體晶圓保護用 31 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 200532006 黏著膜黏貼面方向為1 3 . 0 m m。所得結果示於表1。

326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 32 200532006

比較例2 LO LO 寸 (>α § Oh CD LO CD 1 < f CO LO -< LO CD 1 < LO oi 〇〇 1 CD CO r-H 5片破損 4片不良比較例1 LO LO 寸 CO ω Pu 〇> LO 05 CD ， CO LO LO CD r—t LO CNJ oo -1 100x30 CNl r-H 5片破損 3片不良實施例5 寸 LO 寸 C<1 § Oh CD LO r-H cz> f CO LO 它弗瑪 LO ① H CO g o 100x30 LO T—H 實施例4 CO LO CM 之 ω CU S CD r—H CD f CO LO ω LO LO oa C<1 CZ5 I 100x30 m 寸· 實施例3 οα g W Oh CD LO cn> CD f CO LO 〇 LO s T—H 0.02 I 100x30 CO 實施例2 τ—Η LO 寸 οα g Οη CZ> LO ⑦ 1 < CD f CO LO LO 05 r-H s T—H <〇 1 180x300 r-Ή 實施例1 r—( LO οα 〇Η g CD 1 < CD f CO LO < LO CD 1 < CD LO r-H CN1 ◦· 70x10 05 ? < 基材膜號碼基材膜厚度[μπι] 支撐樹脂層支撐樹脂層厚度[um] 蛛A ^ P 酰g go <n CO _ $3 勢a ^ 樹脂層樹脂層厚度[μπι] 樹脂層的 MFR[g/10 分] 樹脂層的 30秒後殘留應力率[°/〇] f S 1 * '卜巍 ^ D m ^ ® L_. mg S r-, 趣麵 W '~' i ^ s» 3 s SES 收納到盒子時的破損情況輸送時的吸附不良情況荽冷鉍沭溜裝to潜 fs—爱to: VA3 , ISHo^-r^£4:§d eeooe 对 SI 寸 6\s46\ff}s)_K¥lfVK-*\9fNe

Claims

200532006 圍步工加圓利晶專W請半 Lfntl 申種第有備具於在徵特其法晶體導半之層劑著黏有成形面導方單半護的到保膜貼之材黏圓基，晶在膜體將著導係黏半，用之驟護中步保驟一圓體晶圓的電路形成面；第二步驟，係對黏貼有該半導體晶圓保護用黏著膜的半導體晶圓進行加熱；第三步驟，係將黏貼有該半導體晶圓保護用黏著膜的半導體晶圓固定在磨削機或研磨機上，並加工半導體晶圓電路非形成面；以及第四步驟，係從半導體晶圓剝離半導體晶圓保護用黏著膜。 2 .如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保護方法，其中，上述基材膜至少含有1層在1 2 0 °C下負重3 0秒後的殘留應力率為0 . 5 %以下的樹脂層。 3 .如申請專利範圍第2項之半導體晶圓之保護方法，其中，上述在1 2 0 °C下負重3 0秒後的殘留應力率為0 . 5 %以下的樹脂層，在J I S K 6 7 3 0所規定之1 9 0 °C下的熔體流動指數之值為15〜200g/10分。 4. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保護方法，其中，上述基材膜含有在23〜200 °C下的貯藏彈性率在lx 1 0 7〜1 X 1 0 1 ° P a範圍内的支撐樹脂層。 5. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之保護方法，其中，經過上述第三步驟後的半導體晶圓的厚度為150μιη以下 6 . —種半導體晶圓保護用黏著膜，係在基材膜的單面形成有黏著劑層之半導體晶圓保護用黏著膜，其特徵在於該 34 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 200532006 基材膜至少含有1層在1 2 0 °C下負重3 0秒後的殘留應力率為0 . 5 %以下的樹脂層。 7 .如申請專利範圍第6項之半導體晶圓保護用黏著膜， Τ 其中，上述基材膜之在1 2 (TC下負重3 0秒後的殘留應力率 ' 為0 . 5 %以下的樹脂層，在J I S Κ 6 7 3 0所規定之1 9 0 °C下的熔體流動指數之值為1 5〜2 0 0 g / 1 0分。 8 .如申請專利範圍第6項之半導體晶圓保護用黏著膜，其中，上述基材膜含有在2 3〜2 0 0 °C下的貯藏彈性率在1 X Φ 1 0 7〜1 X 1 0 1 ° P a範圍内的支撐樹脂層。

35 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 200532006 七、指定代表圖： (一）本案指定代表圖為：第（）圖。 (二）本代表圖之元件符號簡單說明： . 無八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：無 326\專利說明書(補件)\94-05\94102438 5