TW200529398A - A microelectronic assembly having thermoelectric elements to cool a die and a method of making the same - Google Patents

Description

200529398 • (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上係有關於一種微電子組件其具有一微電 子晶粒，及更特定地係有關於被用來冷卻此一組件之一微 電子晶粒的系統。 【先前技術】 II 因爲半導體元件，像是處理器及處理元件，以愈來愈 快的資料率及頻率來運作，它們通常會消耗掉更大的電流 及產生更多的熱。爲了可靠度的原因將這些元件的運作保 持在特定的溫度範圍內是所需要的。傳統的熱傳遞機制將 這些元件的運作限制在低功率等級，低資料率，及/或低 運作頻率。傳統的熱傳遞機制由於尺寸及位置的限制以及 熱極限的關係而對熱傳遞容量多所侷限。 •【發明內容及實施方式】 一種微電子組件被提供，其具有形成在一晶粒上的熱 電元件，用來在電流流經熱電元件時將熱從該晶粒上帶走 。在一實施例中，該等熱電元件被集成在該晶粒的一主動 側上的互連線線元件之間。在另一實施例中，該等熱電元 件是位在晶粒的背側上且電氣地連接至位在該晶粒的前側 的一載具基材上。在另一實施例中’該等熱電兀件是被形 成在一輔助基材上且被轉移到該晶粒上。 第1圖顯示晶圓1 〇中經過部分處理用以依據本發明 -5- 200529398 . (2) 製造一微電子組件的部分。晶圓1 0包括一晶圓基材1 2， —積體電路14及一介電物質16。 晶圓基材10典型地是由矽或其它半導體物質製成。 積體電路14包括形成在該晶圓基材12上之積體電路元件 18。積體電路元件18包括電晶體，電容器，二極體等等 。積體電14進一步包含複數層交替的介電層與金屬層。 金屬層包括一電力平面20及一地極平面22。該積體電路 φ 14更包括接點墊24，其包括一電力接點丨4p，一地極接 點24G，及一訊號接點241。 又，插塞，介層孔（vi a)，及在該積體電路14的介電 層上的金屬線一起形成電連接26，只有一些電接26被示 出。 電連接26括一電力電連接26P1其將該電力及點墊 2 4PI與電力平面20相互連接在一起，及一電力電連接 2 6P2 ’其將該電力平面20與該積體電路元件18相互連接 φ 在一起。因此，電力可經由該電力接點墊24P，電力電連 接2 6P1，電力平面20，及該電力電連接26P2被提供到一 或多個積體電件18上。 電連接26包括一地極電連接26G1其將地極接點墊 2 4G與地極平面22相互連接在一起，及一地極電連接 26G2其將地極平面22與積體電路元件18相互連接在一 起。因此，地極可經由該地極接點墊 24G，地極電連接 26G1，地極平面22，及該地極電連接26G2被提供到一或 多個積體電件1 8上。 200529398 . (3) 一訊號電連接261將一訊號接點墊241與一或多個積 體電路元件18相互連接在一起，且與電力平面20及地極 平面22斷開來。訊號可經由更多訊號連接，像是訊號電 連接261，而被來回傳送於積體電路元件18之間。 介電物質16被形成一覆蓋在該積體電路14上的介電 層。該介電物質1 6最初覆蓋住接點墊24。一第一個開口 2 8被蝕刻在該介電物質1 6上，該開口可將該電力接點墊 φ 24P的一個區域曝露出來。 如第2圖中所示，該熱電元件3 0被依序形成到第1 圖的開口 2 8中。熱電元件3 0的層可被無電地電鍍或濺鍍 ，並包括一擴散阻障層32，一 P型摻雜的半導體物質34( 如，P型摻雜的Bi2Te3，Bi2Te3的合金及Sb2Te3，或Si與 Ge的合金，及一擴散阻障層3 6其依序地被形成在彼此的 上方。 如第3圖中所示的，另一熱電元件40被形成與位在 • 該電子接點墊24P上之熱電元件30相鄰。熱電元件40被 形成在一開口中，該開口是在熱電元件3 0被形成之後， 被形成在該介電物質16上。爲了要形成供熱電元件40用 的開口’一光阻層被形成在該介電物質16上，且該光阻 層位在將形成該熱電元件的位置被遮罩了 一開口。使用光 阻層作爲一遮罩，將形成該熱電元件4 0的開口接著被蝕 刻至該介電物質1 6上。該熱電元件40包括一擴散阻障層 42 ’ 一 η型摻雜的半導體物質44(如，η型摻雜的Bi2Te3 ’ Bi2Te3的合金及Sb2Te3，或Si與Ge的合金，及一擴散 -7- 200529398 • (4) 阻障層3 6其依序地被形成在彼此的上方。 導電的間隔構件4 8及5 0分別被依序地形成在該地極 及訊號接點墊24G及241上。被形成有該等導電的間隔構 件48及50可藉由形成一光阻層於該介電物質16及熱電 元件30及40上，將該光阻層遮罩，然使用在該被遮罩的 光阻層上的開口來蝕刻開口，這些被蝕刻的開口是該等導 電的間隔構件48及50將被形成在介電物質16上的位置 φ 。該等導電的間隔構件4 8及5 0典型地是由金屬製成。 導電的互連線元件54依序地被形成，每一互連線元 件位在各自一熱電元件30或40上，或導電的間隔構件48 或50上。該等導電的互連線元件54站在該介電物質16 上用以具有上表面56，該等上表面是位在一在該介電物質 16的上平面上方的一共同平面上。 只有一部分的晶圓1〇被示於第1至3圖中。然而， 應被瞭解的是，該晶圓包括複數個積體電路1 4，它們被形 # 成在延伸在該晶圓的X軸及y軸方向的行與列上，每一積 體電路都具有相同的熱電元件3 0及4 0，導電的間隔構件 48及50，及導電的互連線構件54的布局。 晶圓1 0隨後被分切成單獨的晶粒，其上載有各自的 積體電路及相關的連線。每一晶粒將包括示於第3圖中之 該晶圓1 0的該部分上所示的構件。 第4圖顯示一個這種晶粒1 0 A，其被翻轉並放在一封 裝基板60形式的載負基材上。風裝接角62被形成在該封 裝基板60的上表面上。每一導電的互連線元件54與一個 -8- 200529398 . (5) 別的封裝接腳62接觸。 包括晶粒1 0A及封裝基板60在內之整個微電子組件 7 〇然後被插入到一爐子內用以將該導電的互連線元件5 4 再流焊（reflow)。該等導電的互連線元件54被軟化及被熔 化，接著被冷卻及再次固化。每一導電的互連線元件5 4 然後被裝附到一各別的封裝接腳62上，藉以將該晶粒 1 0 A固定到該封裝基板6 0上且電氣地將該晶粒1 〇 a及該 φ 封裝基板60互連在一起。 在使用時，電力經由該封裝基板6 0，經由一封裝接腳 62 A而被提供到該熱電元件3 0。電流流向該晶粒，經過該 η型摻雜的半導體物質44。將被熱電領域的人瞭解的是， 流經該η型摻雜的半導體物質44的電流會造成熱被朝一 方向被抽離，該方向與電流的流動方向相反。因此，熱在 一從該電熱元件30朝向該封裝基板60的方向上被抽離的 。流經電熱元件3 0的電流被分叉。該電流的一部分提供 φ 電力到某些積體電路元件1 8，而某些電流則流經該電力接 點墊24Ρ，然後經過熱電元件40到達封裝機腳62Β。流經 該Ρ型摻雜的半導體物質34的電流會造成熱從一電流流 動方向上被抽離。流經該ρ型摻雜的半導體物質3 4的電 流從積體電路1 4流離開，因此將熱熱帶離積體電路1 4。 在另一實施例中，提供電力到熱電元件的電力接點墊 可與提供電力至電路之電力接點墊分開來。這可對於熱電 單元有分開來的控制。此一架構在必需保持電壓被提供到 電路上，但不讓該電壓被提供至該熱電模組之電力的影響 - 9- 200529398 • (6) 的地方是很有用的。 因此，可看出來的是，η型摻雜的物質及p型摻雜的 物質兩者都可將熱從積體電路1 4走。更多的結構，像是 包括熱電元件3 0及40在內的結構，可被形成在橫跨該積 體電路1 4之需要額外冷卻之所想要的位置處。亦應被注 意到的是，冷卻被提供到需要的地方。當一積體電路在X 方向上的一個區域需要電時，該電力是經由熱電元件被提 φ 供至該區域。在一特定區域中之電力需求的增加將會與該 特定區域中所產生之熱的增加相一致。在該特定區域中之 電力的增加亦會與電流流經在該特定區域中之熱電元件的 增加相一致。因此，流經位在一特定區域內的熱電元件的 電流當在該特定區域內所產生的熱增加時將會隨之增加。 第5圖顯示另一電熱組件70，其包括一封裝基板72 的形式之載負基材，一固定到該封裝基板72上的晶粒74 ，在該晶粒74上的熱電元件76，一整合的熱散布器78， # 及一散熱器8 0。晶粒74透過導電的互連線元件8 2而被固 定到該封裝基板72上且與其電氣連接。 熱電元件76的形成方式與第3圖的熱電元件30，40 相同。一些熱電元件76具有ρ型摻雜的物質，及一些η 型摻雜的半導體物質。熱電元件76被安排成當電流流過 時，熱會被從該晶粒74的上表面朝向該整合的熱散布器 78被抽離。 該整合的熱散布器78與熱電元件76直接接觸，且該 散熱器8 0是位在該整合的熱散布器7 8上。將被瞭解的是 -10- 200529398 . (7) ，散熱器80包括一底座及複數片從該底步伸出的散熱鰭 片，熱可從該等鰭片被對流至周圍環境中。 打線結合的電線84被提供，電流經過該電線84可被 提供至熱電元件76或從熱電元件76離開。每一條打線結 合的電線84都具有一連接至位在該晶粒74的上表面上的 一個墊，該墊被連接至該等熱電元件76中的第一個該熱 電元件76。該打線結合的電線84的另一相對端則被結合 φ 到該封裝基板7 2的一封裝接腳上。該電流從該封裝接腳 流經該打線結合的電線84及接點，經過該第一熱電元件 76。該電流然後可流經偶數的熱電元件76，然後回轉流經 另一打線結合的電線8 4到達封裝基板7 2。 第6圖顯示依據本發明的另一實施例之微電子組件8 6 。該微電子組件86與第5圖的微電子組件70相同且相同 的標號代表相同的構件。主要的不同處在於，微電子組件 86包括一晶粒88其比第5圖的晶粒薄許多。短的插塞90 φ 被形成穿過該晶粒88。一些熱電元件76與各自的插塞90 及各自之導電的互連線元件82對齊。電流可透過各自之 導電的互連線元件82及各自的插塞90而被提供各自的熱 電元件76。電流然後可流經偶數的熱電元件76並經由另 一插塞90及與其彼此對齊之另一導電的互連線元件82回 轉。 第7至8圖顯示微電子組件的製造，其中熱電元件是 被製造在一分離的基材上，然後被移轉到在晶圓等級的積 體電路上。該結合的晶圓然後被分切成單獨的一片一片。 -11 - 200529398 . (8) 特別參照第7圖，一晶圓94被提供，其具有一晶圓 基材96，被形成在該晶圓基材96上的積體電路98，及形 成在該積體電路98上的墊子100。第7圖亦顯示出一移轉 基材102其具有熱電元件104形成於其上，其形成方式與 第3圖的熱電元件3 0類似。第7圖亦顯示間隔物1 06形 式的互連線結構。該等熱電元件1 04及間隔物1 06具有導 電的互連線元件1 形成於其上。 φ 如第7圖所示，每一導電的互連線元件1 08都與各自 的接點墊1 〇〇相接觸。該等導電的互連線元件1 08然後藉 由一熱再回焊處理而被裝附到接點墊1 〇〇上。一組合的晶 圓1 10被提供，其包括該晶圓基材96及102。 現參照第9圖。第8圖的組合晶圓1 1 0被分切成分離 的一片一片的晶圓片1 1 2。晶圓96然後被分離成一片一片 的晶圓片96A及96B，及晶圓102然後被分離成一片一片 的晶圓片1〇2 A及102B。晶圓片112都相同且每一片都包 φ 括一各自的積體電路98。金屬被提供在晶圓片102A及 102B的上層。該等晶圓片被安放到支撐基材上且被打線 結合到支撐基材上。或者，晶圓片102A及102B可被變薄 且在晶圓片1〇2Α及102B上的介層孔可將該金屬電氣地連 接至該支撐基材。 一整合的熱散布器1 1 4然後可被安裝到一晶圓片9 6 A 的晶圓基材部分的背側上，即，與積體電路9 8相反的一 側上，且一散熱器116可緊靠著該熱散布器114被安裝。 第10圖顯示一微電子組件120的構件，該微電子組 -12- 200529398 . Ο) 件係部分地依據本發明的一實施例來製造的。該微電子組 件1 20的構件包括一晶粒丨22，一導熱的金屬熱散布器 124，第一複數個導電的銅構件126，第二複數個導電的銅 構件1 2 8，及複數個熱電元件〗3 〇。 該晶粒1 2 2如上完中參照第5圖所描述的晶粒相同， 且首先被安裝到一與參照第5圖所述之封裝基板相同的封 裝基板上。一微電子電路然後被形成在該晶粒1 22的支撐 φ 基材的前側上。該等第一複數個銅構件126然後被形成， 例如藉由電鍍，在該支撐基材的背側上。 一絕緣物質的薄層被形成在該熱算布器124的表面上 。該等第二複數個銅構件1 2 8然後被形成，例如藉由電鍍 ’在該薄的電絕緣物質層上。熱電元件1 3 0然後被形成在 第二複數個銅構件128上。一 p型摻雜的熱電元件13 0A 及一 η型摻雜的熱電元件13〇B被形成在該等第二複數個 銅構件128的每一者上。 # 熱散布器124被翻轉使得熱電元件130變成第10圖 中所示的一相反側。熱電元件1 3 0被放置在該等第一複數 個銅構件126上方。晶粒122及熱散布器124然後朝向彼 此靠近直到熱電元件130與第一複數個銅構件126相接觸 爲止。該第一複數個銅構件126提供熱電元件130之間遺 失的連接，使得熱電元件與構件126及128 —起被串聯地 被連接。 因此，一熱電電路被直接形成在晶粒1 22上且介於晶 粒122與該熱散布器124之間。電熱元件130是在高溫下 -13- 200529398 . (10) 且是在會造成對於晶粒1 22的微電子電路危害之處理條件 下被製造的。然而，藉由首先將熱電元件130製造在分離 的熱散布器124上，然後將熱電元件130放在晶粒122上 ，如此即可避免掉對晶粒1 22的危害。 第1 1圖顯示一依據本發明的另一實施例的微電子組 件140，其包括一封裝基板142，一晶粒144，一導熱的金 屬熱散布器145，一銅金屬層146，一熱電模組148，及一 • 熱介面物質1 5 0。 晶粒1 44具有一形成在一支撐基材的前側上的微電子 電路。晶粒1 4 4典型地被變薄至一小於1 0 0微米的厚度。 互連線元件1 5 1被形成在晶粒1 44的前側上，且被用來將 晶粒144電氣地及結構地連接至封裝基板142。因此，晶 粒144與封裝基板142與參照第5圖說明之晶粒74及封 裝基板72類似。 金屬層1 46被電鍍到晶粒1 44的支撐基材的背側上。 φ 該金屬層146上被形成一開口，且熱電模組148被製造在 該開口內。 在使用時，介於熱電模組1 48與晶粒1 44之間的金屬 層146作用是將來自晶粒144之微電子電路所產生的熱點 的熱散佈開來。第12圖顯示多於一個的熱點152A及 1 5 2B會被形成在晶粒144的一區域上。一各自的熱電模 組148A及M8B被製造在各自的熱點152A及152B上。 熱電模組148A及148B與熱點152A及152B比較起來是 相對較大，使得它們可移走相對大的熱量。儘管熱電模組 -14- •200529398 . (11) 148A及148B與熱點152A及152B比較起來的尺寸是如此 ，但熱電模組148A及148B的外區域仍能將熱從熱電 15 2A及152B處移走，因爲來自熱電的熱當其流過介於各 自的熱電模組148A或148B與各自的熱點152之間的矽及 該部分的金屬層（第1 1圖中的1 4 6)時會橫向地散佈。 一電源線154被連接至該熱電模組148用以提供電力 至該電熱模組。在此實施例中，一開口 1 5 6被形成穿過該 φ 熱散布器145，且該電源線154延伸穿過該開口 156。 雖然某些舉例性的實施例已被描述且被示於附圖中， 但應被瞭解的是，這些實施例只是示範性的且不是本發明 的限制，本發明並不侷限於所示所描述的特定結構及安排 ，因爲熟習此技藝者可做出不同的修改。 【圖式簡單說明】 本發明以參照附圖中所示之例子方式來加以說明’其 中： 第1圖爲一晶圓基材的一部分的剖面圖，該晶圓基材 依據本發明的一實施例被部分地處理用以製造一微電子組 件； 第2圖爲一與第1圖類似的圖式，其顯示一開口被蝕 刻在該經過部分處理之晶圓基材的一介電層上及一熱電元 件被形成在該開口內之後的情形； 第3圖爲一與第1圖類似的圖式，其顯示在另一熱電 元件之後，有一相反的摻雜導電性種類及在第2圖中形成 -15- 200529398 . (12) 的該熱電元件被形成，以及該經過部分處理之晶圓的其它 在一積體電路上的構件的情形； 第4圖爲一與第3圖類似的圖式，其顯示在該晶圓被 終處理之後，該晶圓被分割成一個一個的晶粒，且一個晶 粒被覆蓋在一載體基材上且被固定到該載體基材上用以依 據本發明的一實施例來進行一微電子組件的最後製造； 第5圖爲一側視圖，其代表依據本發明的另一實施例 φ 之微電子組件，其具有熱電元件位在與一獨立的晶粒的主 動側相反的一側上，且被打線結合（w i r e b ο n d e d )至一在該 晶粒的主動側上的封裝基板上； 第6圖爲一側視圖，其代表依據本發明的另一實施例 之微電子組件，其不同於第5圖的實施例之處在於短插塞 電氣地連接至在該晶粒的一側上之熱電元件，其中導電性 的互連線元件被形成在該晶粒的一相反的，主動側上； 第7圖爲兩片晶圓基材的側視圖，其中一片晶圓基材 φ 載負主動的積體電路，及另一片晶圓基材載負熱電元件， 其被使用來製造依據本發明的另一實施例的微電子組件； 第8圖爲一與第7圖類似的圖式，其顯示在熱電元件 被放置成緊貼並裝附在該積體電路上的接點墊上之後的情 形； 第9圖爲一與第8圖類似的圖式，其顯示在第8圖的 組件被分割成獨立的一片一片，且一積體電路及一散熱器 被安裝到一片上的情形； 第1 0圖爲一頂視圖，其顯示一依據本發明的另一實 -16- 200529398 . (13) 施例的電子組件的構件，其中一熱電模組的某些部分被形 成在一晶粒上及一熱散佈器上，且該熱電模組在該熱散佈 器被放在該晶粒上之後即完成； 第1 1圖爲一剖面圖，其顯示一依據本發明的另一實 施例的電子組件的構件，其具有一被電鍍在一晶粒的背側 上之金屬層用來將熱從一熱電散佈到一熱電模組上；及 第1 2圖爲一頂視圖，其顯示熱點及用來冷卻熱點之 0 熱電模組的相對尺寸。 【主要元件符號說明】 1 0 :晶圓 1 2 :晶圓基材 1 4 :積體電路 1 6 :介電物質 1 8 :積體電路元件 φ 20 :電力平面 2 2 ·地極平面 24 :接點墊 24P :電力接點 24G :地極接點 241 :訊號接點 26 :電連接 26P1 :電力電連接 26P2 :電力電連接 -17- 200529398 . (14) 2 6 G 1 :地極電連接 26G2 :地極電連接 261 :訊號電連接 3 0 :熱電元件 28 :開□ 3 2 :擴散阻障層 3 4 : p型摻雜的熱電元件 φ 3 6 :擴散阻障層 4 0 :熱電兀件 42 :擴散阻障層 44 : η型摻雜的熱電元件 46 :擴散阻障層 48 :導電的間隔構件 5 0 :導電的間隔構件 5 4 :導電的互連線元件 ϋ 56 :上表面 1 0 A :晶粒 60 :封裝接腳 62 :封裝接腳 70 :微電子組件 62A :封裝接腳 62B :封裝接腳 72 :封裝基板 7 4 :晶粒 -18- 200529398 (15) 76 :熱電元件 7 8 :整合的熱散佈器 80 :散熱器 82 :導電的互連線元件 8 4 :打線結合電線 8 6 :微電子組件 8 8 :晶粒 9 0 :插塞 94 :晶圓 9 6 :晶圓基材 98 :積體電路 1 0 0 :接點墊 1 0 2 :轉印基材 1 0 4 :熱電元件 1 〇 6 :間隔物 i 〇 8 :導電的互連線元件 1 1 〇 :晶圓 1 1 2 :分離的晶圓片 102A :晶圓片 102B :晶圓片 1 1 4 :熱散佈器 9 6 A :晶圓片 1 1 6 :散熱器 120 :微電子組件 -19 200529398 (16) 1 2 2 :晶粒 124 :熱散佈器 126 :第一複數個構件 128 :第二複數個構件 1 3 0 :熱電元件 130A: P型摻雜的熱電元件 130B : η型摻雜的熱電元件 φ 140 :微電子組件 142 :封裝基板 144 :晶粒 145 :熱散佈器 1 4 6 :銅金屬層 148 :熱電模組 1 5 0 :熱界面物質 152Α :熱 φ 152Β :熱電 1 4 8 A :熱電模組 1 4 8 B :熱電模組 1 5 4 :電源線 1 5 6 ··開□ -20-

Claims (1)

1. 200529398 , (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種製造微電子組件的方法，其包含： 形成一微電子電路於一支撐基材上； 形成複數個熱電元件於一導熱構件上；及 將熱電元件設置在該支撐基材之與該微電子電路相對 的一側上且是位在熱電元件會被熱耦合至該支撐基材上的 位置處。 Φ 如申請專利範圍第1項之方法，其更包含形成複 數個接點墊於該微電子電路之與支撐基材相反的一側上。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該微電子電 路是在熱電元件被熱耦合至該支撐基材之前被形成在該支 擦基材上。 4·如申請專利範圍第1項之方法，其更包含形成第 一複數個導電的構件於該支撐基材上，成對的導熱構件被 該等第一複數個導電構件電氣地連接到彼此。 φ 5 ·如申請專利範圍第4項之方法，其更包含形成第 二複數個導電的構件於該支撐基材上，成對的導熱構件被 該等第二複數個導電構件電氣地連接到彼此，該等導熱構 件與該支撐基材朝向彼此之相對運動可將該等導熱構件朝 向該等第二複數個導電構件移動。 6.如申請專利範圍第5項之方法，其中該等第一及 第二複數個導電構件共同地將熱電元件串聯地連接起來。 7· —種製造微電子組件的方法，其包含： 形成一微電子電路於一支撐基材上； -21 - 200529398 ·， (2) 形成第一複數個熱電構件於一導熱構件上； 形成第二複數個熱電構件於該支撐基材之與該微電子 電路相反的一側上； 形成複數個熱電元件於至少一些導熱構件上；及 將該等導熱構件及該支撐基材一起移動，之後該等第 一及第二複數個導電構件共同地將熱電元件串聯地連接起 來。 φ 8.如申請專利範圍第7項之方法，其中該等熱電元 件被形成在該等第一複數個導電構件上。 9. 如申請專利範圍第7項之方法，其更包含形成複 數個接點墊於該微電子電路之與支撐基材相反的一側上。 10. —種微電子組件，其包含： 一晶粒，其包括一支撐基材及一形成在該支撐基材上 的微電子電路； 一導熱構件；及 φ —熱電電路，其包括在該導熱構件上之第一複數個導 電構件，在該支撐基材之與微電子電路相對的一側上的第 二複數個導電構件，及複數個熱電元件其串聯地連接在各 對導電構件之間。 i 1.如申請專利範圍第1 0項所述之微電子組件，其 中該等第二複數個導電構件係直接位在該支撐基材的半導 體物質上。 1 2 .如申請專利範圍第1 0項所述之微電子組件，其 中第一複數個導電構件係直接位在該導熱構件的金屬上。 -22- 200529398 . (3) 1 3 . —種形成一微電子組件的方法，其包含： 形成一金屬層於一晶粒的一支撐基材的第一側上，該 晶粒的支撐基材的一第二側（相反側）上形成有一微電子電 路；及 形成熱電模組於該金屬層上。 14.如申請專利範圍第1 3項所述之方法，其中該金 屬層是被電鍍的。 φ 15.如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該金 屬層包括銅。 1 6·如申請專利範圍第1 3項所述之方法，其中該熱 電模組只被形成在該支撐基材的第一區域上，用以選擇性 地冷卻與該支撐基材的一第二區域相反的該第一區域。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項所述之方法，其中當該 微電子電路被操作時，其會在該第一區域內產生一熱點。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項所述之方法，其中該金 Φ 屬層將熱從該熱點散佈到該熱電模組上。 19. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其更包含 安置一散熱器的基座，該散熱器具有從該基座延伸出的鰭 片，使得該基座被熱耦合至該熱電模組。 20. —種微電子組件，其包含： 一支撐基材； 一微電子電路，其被形成在該支撐基材上的； 一金屬層，其被形成在該支撐基材上； 一金屬層，其被形成在該支撐基材之與該微電子電路 -23- 200529398 (4) 相反的一側上；及 一熱電模組，其位在該金屬層上。 2 1.如申請專利範圍第20項所述之微電子組件’其 中該金屬層包括銅。 22.如申請專利範圍第20項所述之微電子組件，其 中該熱電模組只被形成在該支撐基材的第一區域上，用以 运擇性地冷卻與該支撐基材的一^第二區域相反的該第一區 域。 23 ·如申請專利範圍第22項所述之微電子組件，其 中當該微電子電路被操作時，其會在該第一區域內產生一 熱點。 24·如申請專利範圍第23項所述之微電子組件，其 中該金屬層將來自該熱點的熱散佈到該熱電模組上。

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