TW200529207A - Super resolution information storage medium, method of improving C/N ratio of the same, and apparatus for recording data on and/or reproducing data from the same - Google Patents

Description

200529207 15606plf.doc 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及-種資補存媒體、—觀善載波 (Camer-t0-nolse，C/N)比值的方法以及一種資 再生裝置。這裏所說的資訊儲存媒體以一種尺寸小或 再生光束解析度極限的刻痕記錄資訊並可以再生記j 資訊，而且具有改善的C/N比值。 °、 【先前技術】 、>了，光學記賴體，以—個無接财式執行記錄與再 生光學讀取頭裝置中資料的資訊儲存媒體。隨著 的持續發展，需要更高的資訊記錄密度。為此…種以超 解析現象為原理的光學記錄媒體正在研製過程中，·這種媒 體的資訊記錄刻痕的尺寸小於一個雷射光束的解析極限:、 貧^I存媒體可以劃分為：再生專用儲存媒體(唯讀記 fe體’ ROM)，只用於再生所記錄的資訊；一次寫次 =出=存懸’只能—次性記錄龍；以及可重寫儲存媒 體，可以記錄、刪除或重寫資料。 資訊儲存媒體的最重要的特性之一是儲存容量。一個 儲存媒體的容量的增加取決於記錄在媒體的某一預定區域 寸能夠小到何種程度，以及這種記錄刻痕的再 生月b夠知確到何種程度。 其疋，、貝矾再生性能取決於縮短資訊再生所用光源 命!·、士，或者增加物鏡的數值孔徑。然而，使用傳統技術， 台射波長的縮短是有極限的；而製造高數值孔徑的物鏡的 200529207 15606plf.doc 昂貴成本也限制了物鏡的數值孔徑的增加。此外，在物鏡 的數值孔徑增加的_，光學讀取頭與儲存制之間的工 作距離要則、’目此，辟讀㈣與齡媒體發生碰撞而 導致記錄在儲存雜巾的資訊損壞的可能性就會增加。由 於這些與/或其他原因，高容量和高密度的儲存媒體是不易 實現的。 此外，如果用於再生儲存媒體中資訊的光源的波長為 入，而且物鏡的數值孔徑為NA ’則再生解析度的最小值 為又/4NA。因此’即使有可能造成尺寸極小的刻痕，這種 刻痕的再生也是不可_。這就是說，由於從光源發射出 來的光不能辨別-個尺寸小於入顺八的記錄刻痕，所以， 一般而言，再生其資訊是不可能的。 但是於此同時’也存在—種超解析現象。在這種現 中’ 一個尺寸小於解析能力極限的刻痕可以被再生。目前， 對於這種超解析現㈣分析、研究和開發正熱烈進 ^。按照賴超騎财，尺寸持解析度酿的記 量:rr解析度__滿 在眾多的基本記錄特性和再生特性之中，最重 是個良好的載波對於雜訊的比值(在下文中稱為 尤其是，與普通的資訊儲存媒體所使用的記錄 束相比’-個超解析度資訊儲存媒體所使用的這此 先束的功率比較高。因此，C/N值的改善就非常重要了了 200529207 15606p!f.doc 【發明内容】 本發明的目的之一是提供一種超解析度資訊儲存媒 體、一種改善C/N值的方法以及用於改善C/N比值的裝 置；這裏所說的具有較佳C/N比值的超解析度資訊儲存媒 體可以使尺寸小於解析度極限的刻痕得以再生。 、 本發明提供的資訊儲存媒體能夠再生以刻痕方式記錄 於其上的資訊；這種祕的尺寸小於—個人射光束的解析; 度極限；這裏賴的資靖存舰含有多個記錄於其上的 刻痕’但是尺寸與騎度極限接近_痕被騎在外；此 解析度極限取決於向上述資訊儲存媒體發射光線的光

波長和使此統所發射的光線聚焦於此存媒體 物鏡的數值孔徑。 J 本發明指出：C/N值隨刻痕尺寸變化而變化， 預定的光毅長和某個狀的物鏡數佩徑 固 圍内的刻痕尺寸相對應紅/H值相對 = 在外的職的尺寸即處概範_。 ⑽破排除 本發明指出：如果刻痕的長度為 =目對較低的ON值賴應叫奴核 =則要㈣尺寸為mT_錢其尺料在解析度^ 本發明的另一目的是提供—種 儲存媒體中記錄資料，此資訊 體旨:個貢訊 ，束解析度極限的刻痕 的貧訊’此方法包括··在資訊储存媒體上形成 200529207 15606pff.doc 二〜寸。解析極限接近_痕’此解析度極限取決於向上 ^儲存雜發射光_光源的波長和使此光源所發射 的光線聚f、於m存儲雜上_朗數值孔徑。 本發明指出：如果刻痕的長度為nT(n為一個實 ^相對較低的C/N值所對應的刻痕尺寸為mT(m為1個實 ’則只需調節尺寸為mT的刻痕使其成為刻痕ρ τ =尺寸位於與相對較低的⑽值相對應_痕尺寸範圍以 本發明指出：如果刻痕的長度為nT(n為一個 相對較低的C/N值所對應的刻痕 加)一 =)’則上述的方法包括:調節尺寸為mT的刻(痕二 抓，，mT’的尺寸位於與相對較低的⑽對 f的刻痕尺寸範圍以外；以及按照卿m ^ 來調節nT，使它變為nT，。 本發明指出：如果刻痕的長度為nT(n為一 =目對較低的C/N值所對應的刻痕尺寸為吨二)二 數）’則上賴方法包括：財為mT _痕使二 或者變小’從而使刻痕尺寸位於盘相 汰低的C/N值相對應的刻痕尺寸範圍以外；以及 调節ηΤ使它變大或者變小。 t、、、p 本發明的另一目的是提供一種襄置， ，健存媒_獅或再生二 儲存媒體中的資料，此超解析度資訊儲存媒體以 小於-個人射光束解析度極限_痕記錄:#訊並可以2 200529207 15606plf.doc =記錄的資訊。此裝置包括：—個讀取頭單元，用於向所 ，的貧訊儲存媒體發射一個光束；一個記錄/再生訊號處理 單元用於接收由資訊儲存媒體所反射且通過讀取頭單元 的ί束f且執行訊號處理；以及—個控制單^，用於控制 所:兒的續取S貞單元使制痕形成於資訊儲存媒體上，這裏 所說的刻痕不包括財與解析度極限接近_痕，且解^ 度極限取决於向上述資訊儲存媒體發射光束的光源的波長 和使此光騎發射的光線聚焦於資訊存麟體上的物鏡的 數值孔徑。

I ▲為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】 本發明所提供的資訊儲存媒體是一種超解析度資訊儲 存媒體，這種超解析度資訊儲存媒體使用一種尺寸小於解 析能力極限的刻痕記錄資訊並且能夠再生所記錄的資訊。 尤其是，其特色在於利用優選刻痕尺寸，使C/N比值得以 提南。 參見圖1，圖1繪示為本發明一實施例中使用值 改善方法的貢訊儲存媒體示意圖。這個資訊儲存媒體包括 一個基底10、至少一個超解析層18以及至少一個熱吸收 層14。為了產生超解析現象，用一個再生光束照射超解析 層18，使一種熱反應發生在該超解析層18中。熱吸收層 Η用於吸收再生光束的熱量以便配合超解析層18產生超 200529207 15606pif.doc 解析現象。 去献儲存制可以進—步包括—健於基底10 和熱吸收層14之門μ # 間的弟一介電層12、一個位於熱吸收層 14和超解析層18 4,a 10 s S之間的弟二介電層16以及一個位於超解 析層18之上的第三介電層24。 #下^材料中的任何—種都可以用於製造基底10:聚碳 :曰*曱基丙稀酸甲g旨(PMMa)、非晶石夕聚稀烴或者玻 場0 -解析層I8可以用—種金屬氧化物*者用—種高分 上：物製造。例如，用下列的一組金屬氧化物中的一種 5 "種以上製造超解析層i8就頗為適宜：氧化鉑、氧化 把、氧化金或者氧化銀。也可以使用—些高分子化合物中， ，C32H18N8或者h2PC(苯二甲藍染料)。—個再生光束使 超解=層18中發生—種熱反應，因而發生超解析現象。 當再生光束所引起的熱反應在超解析層18中發生的 時候，熱吸收層14支撐超解析層18使得一個尺寸小於解 析度極限的刻痕能夠再生。熱吸收層14可以用一種鍺_銻· 碲合金或者一種銀-銦-銻-碌合金製造。 同時，一個再生光束可以從基底10下方向基底1〇方 向發射，也可以從基底10的另一側向基底1〇方向發射。 雖然熱吸收層14可以被佈置在超解析層18的上方或 者下方，但是需要把熱吸收層14佈置在再生光束發射的一 側。 這就是說，如果一個再生光束從此媒體的與基底1〇 200529207 15606pif.doc t反：：，，熱吸收層14應該佈置在超解析層18之 ，0固再生光束從基底10下方發射， 14應該佈置在超解析> “了㈣及收層 盘其麻心曰Λ 下。而且’如果再生光束從 ϋ示）。勺―側發射’更可以佈置—個覆蓋層（圖中 圖2繪示為本發㈣—實_巾 ==體示意圖。請參考圖2 ’在這個資二

-孰^ MZL個基底％ ’從基底3〇開始向上依次是第 ，、、、吸收Ί、超解析層38、以及第二熱吸收層46。 广2且A儲存媒體具有—個第—介電層32位於遵 和弟-熱吸收層34之間，_個第二介電層36位於第 …、吸收層34和超解析層38之間，-個第三介電層φ 位於超解析層38和第二熱吸收層46之間，以及一個曰第匹 介電層48位於第二熱吸收層46之上。 與單一熱吸收層的結構相比，具有雙重熱吸收層^ 與46的結構具有更好的訊號再生特性。

圖1和圖2所示的資訊儲存媒體的資料再生過程說明 如I ·為了再生#料，向圖示的資訊儲存媒體發射_個再 生光束’ S解析们8和38上被再生光束照射的部分上的 金屬微粒就會產生一個等離子體，其波長比光束的波長 紐，而且這個等離子體已被激發，這就使一個尺寸小於解 析度極限的刻痕m的再生成為可能。在這個時候，相應的 熱吸收層14、34和46吸收再生光束的熱量並且能夠對 解析層18和38產生影響。 ° 12 200529207 15606plf.doc 解析度極限’為了實現尺寸小於 應的執吸彳“ 在超解析層18和38與對 曰4、34和46之間引發一種熱反應。因此， :ΓΓ普通資訊儲存媒體中資料的光束相比，用於再 切，析度資訊儲存媒體中資料的光束的功率比較大。這 的晋通資訊儲存媒體指的是―種資訊儲存媒體，儲 存於其中㈣料無需通過超解析現象而再生，用普通方法 即可。 ▲由於用在超解析度資訊儲存媒體上的再生光束的功率籲 比較大’所以和普通的資訊儲存媒體相比，超解析度資訊 儲存媒體因再生光束重複照射而導致再生特性劣化的可能 性=比較大。如果再生特性確實因此而劣化，則最終將不 可能使刻痕再生。因此，需要預防由於重複刻痕再生所導 致的再生特性劣化。 然而，只有確保獲得適當的C/N比值才能使資料再生 成為可能。 出於改善C/Ν比值的目的，C/N比值相對於超解析度 _ 貝矾儲存媒體的刻痕長度的變化已經被測量出來了。 圖3是一個圖表，顯示出在用於再生被記錄於資訊儲 存媒體中的資訊的雷射光源的波長為4〇5nm且物鏡的數值 孔梭(NA)為0.85的時候，c/N比值隨著刻痕長度變化而變 化的測量結果。 圖4是一個圖表，顯示出在物鏡的να為0.65且雷射 光源的波長為405nm時，c/Ν比值相對於刻痕長度的變 13 200529207 15606pif.doc 化 、攸圖3和圖4所顯示的測量結果可以看出，C/N比值 分=在一個預先確定的刻痕長度的區間(A，A，)快速下降。 攻裏’設雷射光源的波長為λ，物鏡的數值孔徑為NA， 則解析度為；1/4ΝΑ。例如，如果波長為405_，數值孔徑 為0.85，則解析度近似為119 llnm。類似地，如果波長為 405nm ’數值孔徑為〇 65，則解析度近似為η〗7_。一 個尺寸小於解析度極限的刻痕不能用普通方法再生。然 而利用超解析度現象，貝U可以再生這個尺寸小於解析度 極限的刻痕。 與此同日π ’從C/N比值相對於刻痕長度而變化的規 〜Λ夠w C/N比值在某—區間(A，A,)内隨著刻痕快速 交化’這區間包含_痕長度接近於解析度極限。 ±上述圖表顯示出在解析度極限附近C/N比值變化得比 ^ ’使得解析度極限附近的⑽比值比—個尺寸短於解 析度極限的刻痕的C/N比值還要低。 紅Ϊ於Ϊ —結果，—個欲記錄於魏儲存舰上的刻痕 析度極限相近。因此’如果排除那些尺寸 度極限附近的刻痕，就能夠防止出現⑽比值較低 換言之’如果在—健靖存媒體 度是nT(n為一個實齡、，而曰、士 士〜—X j 的尺相· “、數 &些刻痕巾至少有一個刻痕 尺寸”解析度極限接近致使所對應的⑽ 應该調整這些刻痕使它們的尺寸 火一、 樣就排除了那些與較低C/N值相對應的刻痕尺寸。 200529207 15606pif.doc TV更^確地說’如果—個刻痕的最小刻痕長度(MML)為 Ζτ ·個實數），資訊儲存媒體包括尺寸為nT， =，·· ’（n+m)T的多個刻痕，而且這些刻痕中的一刻 斗，其尺寸與解析度極限接近，則應該調* Ρτ使其 亞遂離解析度極限。由於在—個刻痕長度範圍内⑽比 敫比其他尺寸的刻痕所對應的C/N比值低，所以為了調 使其尺寸遠離解析度極限，調整幅度由此刻痕長度 範圍來確定。

八為了優化刻痕的尺寸，鑒於圖3和圖4所示的結果， ^ mT代表一個尺寸與解析度極限接近的刻痕，則价滿 足下列條件運算式1: 〜一点—8(_>抑或士+ 5(腦……(1) 這晨的m代表一個實數。z

"、例如如果一個雷射光源的波長(λ)為仙化⑺，數值孔 t為0_85 ’而J^最小刻痕長度為2T=75nm，則解析度大約 為119.1 lnm。在這種情況下，由於圖3所示的區域a中的 刻痕長度賴應的C/N tb值麟比較低，所㈣痕的長度 不應違位於此範圍内。例如，如果2丁=75贈，則3T為 m.5nm而且對應於這個尺寸的⑽比值較低。因此，應 違生成-個尺寸遠離解析度極限附近區間(A，A，）的刻 痕’代替長度為3TM 12.5的刻痕。在上述情況下引用運算 式1，可以得到下列的運算式2 : 11U1(⑽ 或 124.11 ⑽ ……(2) 通過調整3Τ使其長度處於運算式2的範圍以内，其 15 200529207 15606plf.doc 餘刻痕就可以有4T，5丁，6丁，ττ，……等等以τ為基礎 的長度’而Τ則由最小刻痕長度所確定，即由2丁=75(㈣ 所確定。換言之，根據運算式2求得一個範圍，形成一個 長度在此範圍以内的刻痕用於代替長度為3Τ的刻痕，其 痕則按照 4Τ-l5〇(nm)，5t=187 5(nm)，6Τ=225(·)等 等長度形成。因此，尺寸與解析度極限接近的刻痕被 調整使其尺寸不在解析度極_近，其餘關痕則按照以 Τ為基礎的長度形成，τ由最小刻痕長度叮確定。 結果是

、•〜/、 個C/N比較低的區間的刻痕尺寸被言月 正’因為此區間内刻痕的尺寸與解析度極限接近，因此胡 整，痕使刻痕尺寸遠離這個區間；而其餘_痕尺寸仍熬 以最小刻痕長度的倍數呈現，並無變化。 而且’本判也提出，如果長度ρΤ在解析度極限阳 二則调整長度為ρΤ的刻痕使其變為ρΤ，，使卩丁，的尺 =遠離較⑽C/N比值輯應_痕長度區間；然後可以 按照調整後的ρΤ，，機财其餘祕的長度尺寸。

更準確地說’在上述實施财，通過調整尺寸解析声 近的3Τ獲得τ’的數值，以Γ為基礎，可以調整宜 :刻痕的尺寸。例如’設3T，=1〇7 二 礎形成尺寸為H5T，等等的其他各種刻痕。為基 ^發明也提出，調整尺寸與解析度極限接近的刻痕， 或者增大到使其尺寸遠離解析度極限的卷 二：Ϊ疋呪’假設一個刻痕的長度為PT，PT與解析摩 ° ，而且為了使其尺寸遠離解析度極限所需要的尺 16 200529207 15606plf.doc 寸調整量為Q，則可以把尺寸pT調整為（pT_Q)或者 (pT+Q)。而且，以相同方式形成其餘刻痕，使它們的尺寸 按照調整量Q減小或者增加。 參見圖4，在另一實施例中，如果财為〇 65而且波 長為4=nm，則解析度為155 7nm。在這裏，如果最小刻 痕長度是2T=150nm，則此最小刻痕長度與解析度極限接 近，因此需要調整2T，使其數值遠離解析度極限數值。例

如，調整2T使其滿足運算式丨，並且用2T=15Q確定丁， 以τ為基礎調整其他刻痕，使它們的長度為4丁， 5T，……，ητ 〇 、而且，按照本發明也提出，通過調整2Τ以確定τ,， 並根據τ’設定各難尺寸，並且調整其_痕使它們的尺 寸為 3Τ’ ’ 4Τ，5丁，，......，nP。 而’在長度為2Τ〜8Τ的各_痕巾，只有長度與解 ^度極限接近的難f要娜，使它_尺寸雜解析度

下’通過輕尺寸與解減極限接近的刻 且認定新刻痕為已有刻痕，則已有的訊 就處理糸統無需改變即可使用。 盘明的另—個實施例的—種於資訊儲存媒體中記錄 的方法’包括在記錄#訊的過財避免使用 尺寸與解析度極限接近的刻痕。 ，如果在這些刻 ’就要調整這個 叙设刻痕的尺寸為ηΤ(η為_個實數) 痕中有一個刻痕的尺寸與解析度極限接近 17 200529207 15606pif.doc 刻痕的尺寸使其不要接近極限度極限。 的各 2;:二且於一個資訊儲存媒懸中的=堂: 而且ΤΓ疋與此資訊儲存媒體 ，的尺寸，則只需調整長度為3丁二= 运離所說的解析度極限，其他尺寸（即2丁，4丁 度 7T和8T)的刻痕則保持這些由τ所確定的長度。 接进IS?明也提出，如果3Τ是一個與解析度極限 二也可以調整最小刻痕長度，根據調整後的最 2痕長度確定τ，，再按照τ，重财定2τ〜8τ各個長度。 ;之如果刻痕長度為2丁〜8Τ而且最小刻痕長度為2丁， ^周整2Τ ^其變為2TS並且以調整後的r為基礎調整各 賴’使它們的尺寸為2Τ，〜8丁，，如此使2Γ〜8τ.各個尺 =均不要接近解析度極限。在這裏，適當選擇調整後最小 』痕長度中Τ’的數值，即可使每個刻痕的尺寸不要接近解 析度極限在這種情況下，全部刻痕的長度都按 的丁’來調整。 本發明也提出，如果在尺寸為ηΤ的各個刻痕中有一 個刻痕的尺寸與解析度極限接近，則要調整這個刻痕的尺 广以，免C/N比值處於不良範圍内，而且按照這個刻痕的 。周整量调整其他刻痕長度。例如，如果刻痕長度為2τ〜8τ 而且3Τ是-個與解析度極限接近的尺寸 ，則可以調整 3Τ，令其縮小或者增大一個數量，a，，使得3Τ的尺寸不要 18 200529207 15606pif.doc 接近解析度極限。而且， 同一數量,a·縮小或者增大I其他刻痕的長度，使其按照 由於刻痕尺寸與解析度極 所以，排除了尺寸盘解柄wL/N比值比較低， 體的C/N比值比較高 限接近的刻痕，就可以使整 圖5緣示為本發明—實施例 /或再生資料的裝置干咅R、〜、响存媒體冗錄與 -個續取頭單H 1個記錄與7或再生褒置包括 及-個」I 7n，—個記錄/再生訊號處理單元60，以 個技制早兀70。更準確地說，這個纪鉾έ 統包括-個雷射二_ 51 己錄與/或再生系 52用於校準帝射二搞^ ς用於發射雷射’ 一個校準透鏡 、 田、一。_ 1所發射的雷射，一個分光鏡54 ==束的•以及-個物鏡56用於= 兄 $先束♦焦於貧訊儲存媒體(D)上。 的尺訊記__)上記錄刻痕’則使此刻痕 ，寸或者長杉接近解析度極限。尤其是，使刻痕長产 解析度極限，因為這樣的刻痕長度所對應的心 值比較低。 "貝:fl儲存媒體（D)上有尺寸不接近解析度極限的刻 喂L媒體上反射的光束再被分光鏡％反射，缺後 一個象限檢測器之類的光電檢測器57接收。光餘測器 3所接收的光在經過運算電路單元％時被轉換成電訊 =使所接收到的光以-個射頻訊號和一個差動訊號的形 =輸出；訊號通道i (CH1)為射頻訊號，是多個訊號的 總和；訊號通道2 (CH2)為差動訊號，是-種以推挽方 19 200529207 15606plf.doc 法偵測而得的訊號。 控制單元70執行控制作用，使一個再生 值發1 出力^這個再生光束的功率高於—個所需貝的 mit值由資訊儲存媒體的材料特性決定。 σ果再生光束相讀取頭單元5G照射到資訊儲存媒體 ⑼’這織靖存顧(D)t就會發生—種超解析現=。 由於本發騎㈣的超騎縣已經麵 就不再詳細解釋了。 ^畏 被資訊儲存媒體(D)反射的光束通過物鏡％和分光鏡 電檢1器57。輸入到光電檢測器57的光訊號被 路早兀58轉換為電訊號並且以射頻訊號的形式輸 出。貝汛儲存媒體(D)使用刻痕儲存資訊，並且根 Μ 比值與刻痕長度之__特性，排除了尺寸與較低 刻痕。這樣就使得所有形成在資訊儲存媒 體(D)上的刻痕無論其尺寸大小均有良好的⑽比值。因 處理單716G和控制117G可以平穩地執行資料記 錄與/或再生過程。 ^所述，本發明所提供的執行儲存媒體是一種超解 析度貧訊儲存媒體，這種資訊儲存媒體使用一種尺寸小於 解析度極，的刻痕記錄資訊並錢夠再生所記錄的資訊。、 特別是，如果形成一個尺寸與解析度極限接近的刻 痕’則根據C/N比值與刻痕長度之_關係雜，此刻痕 所對應的C/N比值低於其他不同尺寸刻痕所對應的^^比 值，所以要使刻痕尺寸遠離解析度極限，以免使e/N比值 20 200529207 15606pif.doc 偏低 值都比3 Γ形成__存媒體上的刻痕的™比 ΓΓ。^ ’利用超解析現象再生資訊的性能得以 以i古以j通過超解析度貧訊儲存媒體的實施應用，可 乂使同狁度和鬲容量的資訊儲存媒體成為現實。 寸，過優化形成於f訊儲存媒體上的刻痕的尺

:纽記軸域私枝使得全部刻痕 對應的C/Ν比值都比較高’因此利用超解析現象的 法可以正確地再生記錄在資訊儲存媒體上的資訊。 在上述的本發明實施例中的資訊儲存媒體為一種多芦 4膜結f5m薄膜域，製造在-個基底上， 而且所說的超解析層是由一種特定的材料製成。 ^雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限f本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 =範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 乾圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 又 【圖式簡單說明】

一 圖1繪示為本發明一實施例中使用C/N值改善方法的 賁訊儲存媒體示意圖。 圖2綠示為本發明另一實施例中使用C/N值改善方法 的貧成儲存媒體示意圖。 、 圖3繪示為在物鏡數值孔徑為0.85而且雷射光源波長 為405nm時’ c/N值隨著刻痕長度而變化的示意圖。 、圖4繪示為在物鏡數值孔徑為0.65而且雷射光源波長 為405nm，C/N值隨著刻痕長度而變化的示意圖。 21 200529207 15606pif.doc 圖5繪示為本發明一實施例之對資訊儲存媒體記錄與 /或再生資料的裝置示意圖。 【主要元件符號說明】 10、30 :基底 12、32 :第一介電層 14、34 :熱吸收層 16、36 :第二介電層 18、38 :超解析層 24、44 :第三介電層 46 :第二熱吸收層 48 ··第四介電層 m :刻痕 50 :讀取單元 51 :雷射二極體 52 :校準透鏡 54 :分光鏡 56 :物鏡 57 :光電檢測器 58 :運算電路單元 60 :記錄/再生訊號處理單元 70 ··控制單元 D:超解析度資訊儲存媒體 22

Claims (1)

1. 200529207 15606pif.doc 十、申請專利範圍： 於盆1^^贿存賴，能夠再生—彻祕方式記錄 产極限，Γ^’讀刻痕的尺寸小於—個人射光束的解析 :产二盘：广儲存媒體上記錄不同尺寸的多個刻痕，但 彳度極限接近㈣痕：此解析度極限取決於 ::二：媒體發射光線的光源的波長以及使此光源發射 出來的光m於資訊儲存髓上的物鏡的數值孔徑。 成、+,2\申。月專利辜巳圍第1項所述之資訊儲存媒體，其中 ^=排除的刻痕的尺寸處於個與μ _ 預疋波長和所述之物鏡的某_敢數航 :較:範圍内的刻痕尺寸所對應的載波/雜訊比值 據/tVt利範圍第1項或者第2項所述之資訊儲存 媒體’如果λ表輯叙光_波長，na絲所述之物 ，數值，，而且mT(在這裏，m是一個_表示所述 之夕侧痕巾至少-個尺寸處於解析度極_近的刻痕， 則mT的尺寸處於下列範圍内： 4NA ^ -mi 4.如申請專规圍第丨項或者第2項職之資訊儲存 媒體’如果刻痕的長度是nT(在這裏，n是一個實數)而且 阶(在這裏:是—個實數)表示尺寸處於解析度極限附近 的刻痕’則翻尺寸為mT的刻痕，使其尺寸不處 度極限附近。 ' 種記錄資料於資訊儲存媒體之方法，這裏所述之 23 200529207 15606pif.doc 資訊儲存媒體能夠再生一種以刻痕方式記錄於其上的資 afl這種刻痕的尺寸小於一個入射光束的解析度極限丨這 種方法包括： 5 在資訊儲存媒體上形成不同尺寸的刻痕，但排除尺寸 與解析度極限接近的刻痕，解析度極限取決於向上述媒體 發射光線的光源的波長以及使此光源發射出來的光線 於上述媒體上的物鏡的數值孔徑。 … 6.如申請專利範圍第5項所述之記錄資料於資訊 媒體之方法’其中至少一個被排除的刻痕的尺寸處於一個 與所述之統的某—預定波長和所述之物鏡的某—預定 痕尺寸所對應的載波/ 於資;===第6項所述之記錄資料 表述之物鏡的數值孔徑’二波二 或 4+5(峰抓。 8·如申請專利顧第5項或者第 於資訊儲存媼栌夕古、土 Λ里〜 肖所迷之兄錄資料 裏，_、的尺寸為叮(在這 rnim ’、數 〉個被排除㈣痕的尺寸為 mT(在料，m是-個實數），mT f的尺寸為 比值較低，_調整所述之至少—個 刻痕使其成為刻痕PT，_尺寸處 24 200529207 15606pif.doc 對應的刻痕尺寸範圍之外。 9.如申請專利範圍第5項 :資訊f存媒體之方法，如果所述刻痕的尺==料 H只數），mT所對廡的崙、、士〜 比值較低，則此方法進一步包括· …载/皮/雜訊(C/N) 調整所述之至少—個p 為刻痕mT’，mT’的尺寸處於較低的:::::::其成 痕尺寸範圍之外；以及 比值所對應的刻 调整㈤丁使其成為⑽，獲得T，，按昭T，執τ 使其成為ηΓ。 牧β Η周整ηΤ， I 〇 ·如申請專利範圍第5項或 於資訊儲存媒體之方法，如果所述記錄資料 裏，η是一個實數），而且 」展的尺寸為ηΤ(在這 ⑽(在這裏，m是—個實;^刻痕的尺寸為 比值較低，則此方法進—步包括：斤子應的載波/雜訊(C/N) 照-個調整量，p，減小或:二:為’使其尺寸按 =寸處練⑽⑽比朗賴圍^痕 用同一調整量’Ρ，調整ηΤ，使苴 II -種用於對超解析度資訊儲二m 資料的裝置，這種超解析度資==或再生 刻痕方式記錄於其上的資訊，夠再生以-種 j展的尺寸小於一個入射 25 200529207 15606p|f.d〇c 析度極限，這種對超解 或再生資料的裝置包括·· 兩卄姝體记錄與/ 體發單元，用於向所述之超解析度資訊儲存媒 析度理單元，接收由所述之超解 訊號處理ίΐ牙過項取頭單元的反射光束，並執行 一個控制單元，用於控制讀取頭 =:=卜產，，但是尺寸與解析度::: 述超解折"在外’14裏所述之解析度極限取決於射向上 頭單元心體發射的光線的波長以及使由讀取 上的物鏡魄值孔^於增解析跑物體 訊储=二專二=之::對超解析度資 ，尺寸處於的置某== 痕尺寸所對;_範㈣，此範11内的刻 a的载波/雜訊比值(C/N)相對較低。 示所述之光或再生貢料的裝置，如果又表 —個尺寸ΐϋΓ/一個實數)表示所述之多個刻痕中的 下列範Ϊ内 限附近的刻痕’則mT的尺寸處於 26 200529207 15606pif.doc 魬申請專利範圍第11項和第12項所述之用於對超 刻痕記錄與/或㈣料的裝置，如果所述 ::接近的刻痕尺寸實二 ^ ,τ 的刻痕財範奸，ρτ處於較低的c/N比值所對應 包括1:5.-種改善資訊儲存媒體的載波/雜訊比值的方法， 於資訊儲存媒體表面上的刻痕尺七以及 賊再生^寸接近記錄 的载波/雜訊比i二:弟其二:二善資訊儲存媒體 析度資訊儲存媒體。 、、σ啫存媒體為一個超解 法，L7括一種改善超解析度儲存媒體的載波/雜訊比值的方 尺寸確定這個超解析度資訊儲存媒體表面上各個刻痕的 如果上述超解析度資訊儲存 某—刻痕的尺寸被確定是處於低、=上各個刻痕中的 内，則調整這一刻痕的尺寸，$波/鵪訊比值的範圍 減小一個數量Q ;以及 這刻痕的尺寸增大或者 27 200529207 15606plf.doc 用同一數量Q調整其餘刻痕的尺寸。 18_ —種具有高載波/雜訊比值的超 士 體’適於應帛在-觀錄與/或再 存媒 上述之超解析度資訊儲存媒體，包^置媒體，包括： 一個基底； —個超崎層，祕按照—種 =這種超解析現象是因為光束照射超解== 控制上述應藉由吸收來自先束的熱量來 熱吸收 層之間 以及 一個第二介電層 個第-介電層’佈置在上述基底和第一 解析層之間； ’佈置在上述第—熱吸收層和超 這襄所述之記錄與/或再生資料 上的刻痕記錄過程，使得^ 4幻工狐解析層 裝置解析輕限的彳 A錄與/或再生資料的 4献記_職尺寸，而且 料的裝置難㈣財與此解析度極 個預 先尺寸’使其尺寸與轉析度極限相差 先確疋的數量以適於記錄。 19 一種裝置，包括·· 糾的5^光予靖取頭’用於確定欲記錄於—個資訊儲存媒 超解析層上的刻痕尺寸，以及當刻痕尺寸接 予5棘補解析度極_，驢_於此資訊儲 28 200529207 15606pif.doc 存媒體表面上的刻痕尺寸的手段，使資料記錄於此資訊儲 存媒體的至少_個超解析層中與/或再生來自所述超解析 層的資料，上述的解析度極限則基於此光學讀取頭所發射 的光束的波長。

   20.如申請專利範圍第丨9項所述之裝置，進一步包括： ^ 一個控制器’用於控制所述之光學讀取頭使所述之欲 記錄於至少-個超解析層上的難尺寸形成於資訊儲存媒 體上不包括j寸近似於解析度極限關痕，此解析度 ，限與照射在此資訊儲存媒體上的光束和將光學讀取頭所 ίΓ光束雜於至少—個超解析層上的物鏡的數值孔徑 有關。

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